JP2000203985A - シリコン単結晶引上装置およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶引上装置およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法Info
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- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】不活性ガスの流れの乱れをなくしてＳｉＯガス
が結晶側面に滞留し結晶を有転位化するのを防止し、シ
リコン単結晶引上げの歩留を向上させるシリコン単結晶
引上装置およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法
を提供する。 【解決手段】石英ガラスルツボ４の上方に設けられた輻
射シールド１０の開口部９とシリコン単結晶Ｉ間に形成
された流通路２１を流れる不活性ガスの流量を、シリコ
ン単結晶Ｉの育成工程のシリコン単結晶Ｉの直径の変化
に応じ変化させる。
が結晶側面に滞留し結晶を有転位化するのを防止し、シ
リコン単結晶引上げの歩留を向上させるシリコン単結晶
引上装置およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法
を提供する。 【解決手段】石英ガラスルツボ４の上方に設けられた輻
射シールド１０の開口部９とシリコン単結晶Ｉ間に形成
された流通路２１を流れる不活性ガスの流量を、シリコ
ン単結晶Ｉの育成工程のシリコン単結晶Ｉの直径の変化
に応じ変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコン単結晶引上
装置およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法に係
わり、特にシリコン単結晶引上の歩留を向上させたシリ
コン単結晶引上装置およびこれを用いたシリコン単結晶
の製造方法に関する。
装置およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法に係
わり、特にシリコン単結晶引上の歩留を向上させたシリ
コン単結晶引上装置およびこれを用いたシリコン単結晶
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にシリコンウェーハ用の単結晶引上
げは、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により行われてい
る。
げは、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により行われてい
る。
【０００３】シリコン単結晶を育成し引上げる場合、溶
融した原料シリコンに種結晶を浸しこの種結晶をゆっく
りと引上げることによってシリコン単結晶を成長させる
ＣＺ法が用いられている。
融した原料シリコンに種結晶を浸しこの種結晶をゆっく
りと引上げることによってシリコン単結晶を成長させる
ＣＺ法が用いられている。
【０００４】このＣＺ法に用いられるシリコン単結晶引
上装置３０は、第３図に示すように気密性を有しアルゴ
ンガスが充填された炉本体３１と、この炉本体３１内に
設けられ原料シリコンを溶融しシリコン単結晶Ｉを育成
するホットゾーン３２を有している。このホットゾーン
３２は原料シリコンが装填される石英ガラスルツボ３３
と、この石英ガラスルツボ３３を支持する黒鉛ルツボ３
４と、原料シリコンを加熱しシリコン融液Ｓｍにする発
熱体３５と、この発熱体３５を囲繞する保温体３６で構
成されている。前記ホットゾーン３２の上方には育成さ
れたシリコン単結晶Ｉが貫通する開口部３７を有する輻
射シールド３８が設けられている。
上装置３０は、第３図に示すように気密性を有しアルゴ
ンガスが充填された炉本体３１と、この炉本体３１内に
設けられ原料シリコンを溶融しシリコン単結晶Ｉを育成
するホットゾーン３２を有している。このホットゾーン
３２は原料シリコンが装填される石英ガラスルツボ３３
と、この石英ガラスルツボ３３を支持する黒鉛ルツボ３
４と、原料シリコンを加熱しシリコン融液Ｓｍにする発
熱体３５と、この発熱体３５を囲繞する保温体３６で構
成されている。前記ホットゾーン３２の上方には育成さ
れたシリコン単結晶Ｉが貫通する開口部３７を有する輻
射シールド３８が設けられている。
【０００５】さらに、輻射シールド３８の上方にはシリ
コン単結晶引上げのためのシード３９が取り付けられた
引上げ用のワイヤー４０が設けられ、このワイヤー４０
は炉本体３１外に設けられたワイヤー巻上装置４１に取
り付けられている。
コン単結晶引上げのためのシード３９が取り付けられた
引上げ用のワイヤー４０が設けられ、このワイヤー４０
は炉本体３１外に設けられたワイヤー巻上装置４１に取
り付けられている。
【０００６】さらに上記炉本体３１に連通しワイヤー４
０が収納される上部円筒部４２にはガス供給装置４３に
連通するアルゴンガスの給気口４４が設けられ、一方炉
本体３１の底部４５には例えば２個の排気口４６が設け
られて、給気口４４から導入されたアルゴンガスが、育
成されたシリコン単結晶Ｉの周囲と輻射シールド３８間
の通気路４７およびシリコン融液Ｓｍの融液表面Ｓｓに
沿い石英ガラスルツボ３３と発熱体３５間に形成された
通気路４８を介して炉本体３１外に排出されるようにな
っている。
０が収納される上部円筒部４２にはガス供給装置４３に
連通するアルゴンガスの給気口４４が設けられ、一方炉
本体３１の底部４５には例えば２個の排気口４６が設け
られて、給気口４４から導入されたアルゴンガスが、育
成されたシリコン単結晶Ｉの周囲と輻射シールド３８間
の通気路４７およびシリコン融液Ｓｍの融液表面Ｓｓに
沿い石英ガラスルツボ３３と発熱体３５間に形成された
通気路４８を介して炉本体３１外に排出されるようにな
っている。
【０００７】このようなシリコン単結晶引上装置３０を
用いてシリコン単結晶Ｉを引上げる場合、石英ガラスル
ツボ３３に原料シリコンを装填し、アルゴンガスを不活
性ガス供給装置４３、給気口４４および上部円筒部４２
を介して炉本体３１内に流入させ、原料シリコンを発熱
体３５により加熱しシリコン融液Ｓｍにする。
用いてシリコン単結晶Ｉを引上げる場合、石英ガラスル
ツボ３３に原料シリコンを装填し、アルゴンガスを不活
性ガス供給装置４３、給気口４４および上部円筒部４２
を介して炉本体３１内に流入させ、原料シリコンを発熱
体３５により加熱しシリコン融液Ｓｍにする。
【０００８】上記アルゴンの炉本体３１への導入は、シ
リコン融液Ｓｍから蒸発するＳｉＯガスがシリコン単結
晶Ｉの表面に付着するとシリコン単結晶Ｉを有転位化さ
せる原因となるので、ＳｉＯガスがシリコン単結晶Ｉの
表面に対流しないようにするためである。
リコン融液Ｓｍから蒸発するＳｉＯガスがシリコン単結
晶Ｉの表面に付着するとシリコン単結晶Ｉを有転位化さ
せる原因となるので、ＳｉＯガスがシリコン単結晶Ｉの
表面に対流しないようにするためである。
【０００９】従って、シリコン単結晶Ｉの周囲と輻射シ
ールド３８間の通気路４７を流れるアルゴンガスを制御
する必要があり、従来はシリコン単結晶Ｉの育成工程の
肩部工程、直胴部工程、尾部工程を育成時間から想定
し、各育成工程に応じてアルゴンガスの炉本体３１への
流入量を制御していた。
ールド３８間の通気路４７を流れるアルゴンガスを制御
する必要があり、従来はシリコン単結晶Ｉの育成工程の
肩部工程、直胴部工程、尾部工程を育成時間から想定
し、各育成工程に応じてアルゴンガスの炉本体３１への
流入量を制御していた。
【００１０】しかし、従来のアルゴンガスの流入量の制
御は時間を基準にして行っていたので、引上げ速度を変
更するなどするとシリコン単結晶Ｉの育成工程とシリコ
ン単結晶Ｉの直径の変化との関連に狂いが生じ、肩部Ｉ
ｎおよび尾部Ｉｔの育成工程のシリコン単結晶Ｉの直径
の変化時、シリコン単結晶Ｉの側面を流れるアルゴンガ
スの流れが乱れ、シリコン単結晶Ｉの側面にＳｉＯガス
が滞留しシリコン単結晶Ｉが有転位化することがしばし
ばあり、シリコン単結晶引上げの歩留を低下をきたして
いた。
御は時間を基準にして行っていたので、引上げ速度を変
更するなどするとシリコン単結晶Ｉの育成工程とシリコ
ン単結晶Ｉの直径の変化との関連に狂いが生じ、肩部Ｉ
ｎおよび尾部Ｉｔの育成工程のシリコン単結晶Ｉの直径
の変化時、シリコン単結晶Ｉの側面を流れるアルゴンガ
スの流れが乱れ、シリコン単結晶Ｉの側面にＳｉＯガス
が滞留しシリコン単結晶Ｉが有転位化することがしばし
ばあり、シリコン単結晶引上げの歩留を低下をきたして
いた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
を考慮してなされたもので、シリコン単結晶育成工程に
おいて、アルゴンガスの流れの乱れをなくして結晶側面
にＳｉＯガスが滞留し結晶が有転位化をなくし、シリコ
ン単結晶引上の歩留を向上させるシリコン単結晶引上装
置およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供
することを目的とする。
を考慮してなされたもので、シリコン単結晶育成工程に
おいて、アルゴンガスの流れの乱れをなくして結晶側面
にＳｉＯガスが滞留し結晶が有転位化をなくし、シリコ
ン単結晶引上の歩留を向上させるシリコン単結晶引上装
置およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述目的を達成するため
になされた本願請求項１の発明は、炉体内に設けられた
石英ガラスルツボを加熱してこの石英ガラスルツボに装
填された原料シリコンを溶融し、シリコン単結晶を引上
げるシリコン単結晶引上装置において、前記石英ガラス
ルツボの上方に設けられた輻射シールドと、この輻射シ
ールドとシリコン単結晶間を流れる不活性ガスと、この
不活性ガスを炉体内に供給するガス供給装置と、前記シ
リコン単結晶の育成状況を測定する計測装置と、この計
測装置からの信号を受信し前記ガス供給装置を制御する
制御装置とを有し、シリコン単結晶の育成工程のシリコ
ン単結晶の直径の変化に応じ輻射シールドとシリコン単
結晶間を流れる不活性ガスの流量を変化させることを特
徴とするシリコン単結晶引上装置であることを要旨とし
ている。
になされた本願請求項１の発明は、炉体内に設けられた
石英ガラスルツボを加熱してこの石英ガラスルツボに装
填された原料シリコンを溶融し、シリコン単結晶を引上
げるシリコン単結晶引上装置において、前記石英ガラス
ルツボの上方に設けられた輻射シールドと、この輻射シ
ールドとシリコン単結晶間を流れる不活性ガスと、この
不活性ガスを炉体内に供給するガス供給装置と、前記シ
リコン単結晶の育成状況を測定する計測装置と、この計
測装置からの信号を受信し前記ガス供給装置を制御する
制御装置とを有し、シリコン単結晶の育成工程のシリコ
ン単結晶の直径の変化に応じ輻射シールドとシリコン単
結晶間を流れる不活性ガスの流量を変化させることを特
徴とするシリコン単結晶引上装置であることを要旨とし
ている。
【００１３】本願請求項２の発明では上記計測装置はシ
リコン単結晶の重量を検知する重量検知装置であること
を特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶引上装置
であることを要旨としている。
リコン単結晶の重量を検知する重量検知装置であること
を特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶引上装置
であることを要旨としている。
【００１４】本願請求項３の発明では上記計測装置はシ
リコン単結晶の直径を検知する二次元カメラであること
を特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶引上装置
であることを要旨としている。
リコン単結晶の直径を検知する二次元カメラであること
を特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶引上装置
であることを要旨としている。
【００１５】本願請求項４の発明では上記シリコン単結
晶の育成工程は肩部、直胴部、尾部であることを特徴と
する請求項１ないし３いずれかに記載のシリコン単結晶
引上装置であることを要旨としている。
晶の育成工程は肩部、直胴部、尾部であることを特徴と
する請求項１ないし３いずれかに記載のシリコン単結晶
引上装置であることを要旨としている。
【００１６】本願請求項５の発明では上記シリコン単結
晶の肩部および尾部の育成工程では不活性ガスを大量に
流入させ、直胴部の育成工程では前記肩部および尾部の
育成工程における不活性ガスの流入量よりも少なく流入
させることを特徴とする請求項４に記載のシリコン単結
晶引上装置であることを要旨としている。
晶の肩部および尾部の育成工程では不活性ガスを大量に
流入させ、直胴部の育成工程では前記肩部および尾部の
育成工程における不活性ガスの流入量よりも少なく流入
させることを特徴とする請求項４に記載のシリコン単結
晶引上装置であることを要旨としている。
【００１７】本願請求項６の発明は引上げられるシリコ
ン単結晶の直径を測定しこのシリコン単結晶の直径に応
じて不活性ガスの炉本体への流入量を制御可能にしたシ
リコン単結晶引上装置を用意し、シリコン単結晶の育成
工程に応じ不活性ガスの炉本体への流入量を変化させる
ことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法であること
を要旨としている。
ン単結晶の直径を測定しこのシリコン単結晶の直径に応
じて不活性ガスの炉本体への流入量を制御可能にしたシ
リコン単結晶引上装置を用意し、シリコン単結晶の育成
工程に応じ不活性ガスの炉本体への流入量を変化させる
ことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法であること
を要旨としている。
【００１８】本願請求項７の発明では上記シリコン単結
晶の育成工程は肩部、直胴部、尾部であることを特徴と
する請求項６に記載のシリコン単結晶の製造方法である
ことを要旨としている。
晶の育成工程は肩部、直胴部、尾部であることを特徴と
する請求項６に記載のシリコン単結晶の製造方法である
ことを要旨としている。
【００１９】本願請求項８の発明では上記シリコン単結
晶の直胴部の育成工程時は、肩部および尾部育成工程時
よりも多量の不活性ガスを流入させることを特徴とする
請求項７に記載のシリコン単結晶の製造方法であること
を要旨としている。
晶の直胴部の育成工程時は、肩部および尾部育成工程時
よりも多量の不活性ガスを流入させることを特徴とする
請求項７に記載のシリコン単結晶の製造方法であること
を要旨としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わるシリコン単
結晶引上装置の第１の実施の形態について添付図面に基
づき説明する。
結晶引上装置の第１の実施の形態について添付図面に基
づき説明する。
【００２１】図１は本発明に係わるシリコン単結晶引上
装置１で、このシリコン単結晶引上装置１は気密性を有
し不活性ガス例えばアルゴンガスが充填された炉本体２
と、この炉本体２内に設けられ原料シリコンＳｐを溶融
しシリコン単結晶Ｉを育成するホットゾーン３を有して
いる。このホットゾーン３は原料シリコンが装填される
石英ガラスルツボ４と、この石英ガラスルツボ４を支持
しモータ（図示せず）駆動の回転軸５に取付けられた黒
鉛ルツボ６と、原料シリコンＳｐを加熱する発熱体７
と、この発熱体７を囲繞する保温体８で構成されてい
る。前記ホットゾーン３の上方には育成されたシリコン
単結晶Ｉが貫通する開口部９を有する輻射シールド１０
が設けられている。
装置１で、このシリコン単結晶引上装置１は気密性を有
し不活性ガス例えばアルゴンガスが充填された炉本体２
と、この炉本体２内に設けられ原料シリコンＳｐを溶融
しシリコン単結晶Ｉを育成するホットゾーン３を有して
いる。このホットゾーン３は原料シリコンが装填される
石英ガラスルツボ４と、この石英ガラスルツボ４を支持
しモータ（図示せず）駆動の回転軸５に取付けられた黒
鉛ルツボ６と、原料シリコンＳｐを加熱する発熱体７
と、この発熱体７を囲繞する保温体８で構成されてい
る。前記ホットゾーン３の上方には育成されたシリコン
単結晶Ｉが貫通する開口部９を有する輻射シールド１０
が設けられている。
【００２２】さらに、輻射シールド１０の上方にはシリ
コン単結晶Ｉを引上げるためのシード１１が取付けられ
た引上げ用のワイヤー１２が設けられている。
コン単結晶Ｉを引上げるためのシード１１が取付けられ
た引上げ用のワイヤー１２が設けられている。
【００２３】このワイヤー１２は炉本体２外に設けられ
たワイヤー巻上装置１３に取付けられ、このワイヤー巻
上装置１３にはワイヤー１２を介して育成されたシリコ
ン単結晶Ｉの重量を検出する重量検出装置１４が取付ら
れている。
たワイヤー巻上装置１３に取付けられ、このワイヤー巻
上装置１３にはワイヤー１２を介して育成されたシリコ
ン単結晶Ｉの重量を検出する重量検出装置１４が取付ら
れている。
【００２４】この重量検出装置１４は制御装置１５に電
気的に接続され、この制御装置１５は前記重量検出装置
１４からの電気信号を受信し予め記憶されたシリコン単
結晶Ｉの重量と直径の関係から直径を算出するようにな
っている。
気的に接続され、この制御装置１５は前記重量検出装置
１４からの電気信号を受信し予め記憶されたシリコン単
結晶Ｉの重量と直径の関係から直径を算出するようにな
っている。
【００２５】さらに上記炉本体２に連通し前記ワイヤー
１２が収納される上部円筒部１６にはガス供給装置１７
に連通するアルゴンガスの給気口１８が設けられてい
る。上記ガス供給装置１７は制御装置１５に電気的に接
続されてアルゴンガスの流入量を制御できるようになっ
ている。
１２が収納される上部円筒部１６にはガス供給装置１７
に連通するアルゴンガスの給気口１８が設けられてい
る。上記ガス供給装置１７は制御装置１５に電気的に接
続されてアルゴンガスの流入量を制御できるようになっ
ている。
【００２６】従って、アルゴンガスの炉本体２への流入
量の制御は、育成されたシリコン単結晶Ｉの重量を重量
検出装置１４により検出しその情報信号を制御装置１５
に送り、この制御装置１５が情報処理してガス供給装置
１７を制御することによって行われる。制御装置１５に
はシリコン単結晶Ｉの重量と直径の関係がデータ化され
た重量−直径情報が事前に記憶されており、シリコン単
結晶Ｉの重量に基づき直径情報が出力されるようになっ
ている。
量の制御は、育成されたシリコン単結晶Ｉの重量を重量
検出装置１４により検出しその情報信号を制御装置１５
に送り、この制御装置１５が情報処理してガス供給装置
１７を制御することによって行われる。制御装置１５に
はシリコン単結晶Ｉの重量と直径の関係がデータ化され
た重量−直径情報が事前に記憶されており、シリコン単
結晶Ｉの重量に基づき直径情報が出力されるようになっ
ている。
【００２７】また、炉本体２の底部１９には例えば２個
の排気口２０が設けられて、給気口１８から導入された
アルゴンガスが、成長したシリコン単結晶Ｉの周囲と輻
射シールド１０間の通気路２１およびシリコン融液Ｓｍ
の融液表面Ｓｓに沿い石英ガラスルツボ４と発熱体６間
に形成された通気路２２を介して炉本体２外に排出され
るようになっている。
の排気口２０が設けられて、給気口１８から導入された
アルゴンガスが、成長したシリコン単結晶Ｉの周囲と輻
射シールド１０間の通気路２１およびシリコン融液Ｓｍ
の融液表面Ｓｓに沿い石英ガラスルツボ４と発熱体６間
に形成された通気路２２を介して炉本体２外に排出され
るようになっている。
【００２８】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１は
以上のような構造になっているから、このシリコン単結
晶引上装置１を用いたシリコン単結晶の製造方法を説明
する。
以上のような構造になっているから、このシリコン単結
晶引上装置１を用いたシリコン単結晶の製造方法を説明
する。
【００２９】シリコン単結晶Ｉを引上げるには、ナゲッ
ト状原料シリコンを石英ガラスルツボ４に装填し、アル
ゴンガスを炉本体体２の上方より炉体２内に流入させ、
発熱体６を付勢して石英ガラスルツボ４を加熱し、モー
タを付勢してこのモータに結合された回転軸５を回転さ
せて石英ガラスルツボ４を回転させる。
ト状原料シリコンを石英ガラスルツボ４に装填し、アル
ゴンガスを炉本体体２の上方より炉体２内に流入させ、
発熱体６を付勢して石英ガラスルツボ４を加熱し、モー
タを付勢してこのモータに結合された回転軸５を回転さ
せて石英ガラスルツボ４を回転させる。
【００３０】一定時間が経過した後、ワイヤー１２を下
ろし、シード１１を融液表面Ｓｓに接触させて単結晶を
育成させ、シリコン単結晶Ｉを引上げる。
ろし、シード１１を融液表面Ｓｓに接触させて単結晶を
育成させ、シリコン単結晶Ｉを引上げる。
【００３１】この単結晶引上げ工程において、図２
（ａ）に示すような育成初期の肩部Ｉｎの育成工程で
は、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ1 は小さく、このシリコ
ン単結晶Ｉの表面と輻射シールド１０と間隙２１が大き
いＳｉＯの蒸発領域Ｅの面積が大きくなるので、融液表
面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量が大きくなる。
（ａ）に示すような育成初期の肩部Ｉｎの育成工程で
は、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ1 は小さく、このシリコ
ン単結晶Ｉの表面と輻射シールド１０と間隙２１が大き
いＳｉＯの蒸発領域Ｅの面積が大きくなるので、融液表
面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量が大きくなる。
【００３２】一方、肩部Ｉｎまで育成されたシリコン単
結晶Ｉの重量を重量検出装置１４により検出しその重量
信号を制御装置１５に送り肩部Ｉｎの直径Ｄ1 の信号に
変換する。この肩部Ｉｎの直径Ｄ1 の信号はガス供給装
置１７に送られ、このガス供給装置１７の働きでアルゴ
ンガスを大量に炉本体２に流入させる。大量に流入され
たアルゴンガスは給気口１８、上部円筒部１６、通気路
２１および通気路２２と順に炉本体２内を流れ、前記蒸
発領域Ｅから大量に蒸発したＳｉＯを速やかに炉本体２
外に排出する。
結晶Ｉの重量を重量検出装置１４により検出しその重量
信号を制御装置１５に送り肩部Ｉｎの直径Ｄ1 の信号に
変換する。この肩部Ｉｎの直径Ｄ1 の信号はガス供給装
置１７に送られ、このガス供給装置１７の働きでアルゴ
ンガスを大量に炉本体２に流入させる。大量に流入され
たアルゴンガスは給気口１８、上部円筒部１６、通気路
２１および通気路２２と順に炉本体２内を流れ、前記蒸
発領域Ｅから大量に蒸発したＳｉＯを速やかに炉本体２
外に排出する。
【００３３】従って、蒸発領域Ｅから大量にＳｉＯが蒸
発しても、ＳｉＯガスはシリコン単結晶Ｉの表面に付着
しないのでシリコン単結晶Ｉを有転位化させることがな
い。
発しても、ＳｉＯガスはシリコン単結晶Ｉの表面に付着
しないのでシリコン単結晶Ｉを有転位化させることがな
い。
【００３４】次に図２（ｂ）に示すような直胴部Ｉｓの
育成の工程では、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ2 は大きく
最大径になりシリコン単結晶Ｉの表面と輻射シールド１
０と間隙２１は小さくＳｉＯの蒸発領域Ｅの面積も小さ
くなり、融液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量は小さくな
る。一方、直胴部Ｉｓまで育成されたシリコン単結晶Ｉ
の重量を重量検出装置１４により検出しその重量信号を
制御装置１５に送り直胴部Ｉｓの直径Ｄ2 の信号に変換
する。この直胴部Ｉｓの直径Ｄ2 の信号はガス供給装置
１７に送られ、このガス供給装置１７の働きでアルゴン
ガスの流入量を絞る。
育成の工程では、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ2 は大きく
最大径になりシリコン単結晶Ｉの表面と輻射シールド１
０と間隙２１は小さくＳｉＯの蒸発領域Ｅの面積も小さ
くなり、融液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量は小さくな
る。一方、直胴部Ｉｓまで育成されたシリコン単結晶Ｉ
の重量を重量検出装置１４により検出しその重量信号を
制御装置１５に送り直胴部Ｉｓの直径Ｄ2 の信号に変換
する。この直胴部Ｉｓの直径Ｄ2 の信号はガス供給装置
１７に送られ、このガス供給装置１７の働きでアルゴン
ガスの流入量を絞る。
【００３５】図２（ｂ）に示すように直胴部Ｉｓの育成
の工程では、アルゴンガスの流入量は絞られて少量にな
るが、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ2 は大きくこのシリコ
ン単結晶Ｉの表面と輻射シールド１０と間隙２１は小さ
くなりＳｉＯの蒸発領域Ｅの面積も小さくなるので、融
液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量も減少する。このよう
に融液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量が減少するので、
ガス供給装置１７の働きでアルゴンガスの流入量が絞ら
れても、ＳｉＯは速やかに炉本体２外へと排出される。
の工程では、アルゴンガスの流入量は絞られて少量にな
るが、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ2 は大きくこのシリコ
ン単結晶Ｉの表面と輻射シールド１０と間隙２１は小さ
くなりＳｉＯの蒸発領域Ｅの面積も小さくなるので、融
液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量も減少する。このよう
に融液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量が減少するので、
ガス供給装置１７の働きでアルゴンガスの流入量が絞ら
れても、ＳｉＯは速やかに炉本体２外へと排出される。
【００３６】従って、アルゴンガスの流入量を絞って
も、ＳｉＯガスがシリコン単結晶Ｉの表面に付着せずシ
リコン単結晶Ｉを有転位化させることがない。
も、ＳｉＯガスがシリコン単結晶Ｉの表面に付着せずシ
リコン単結晶Ｉを有転位化させることがない。
【００３７】さらに図２（ｃ）に示すような尾部Ｉｔの
育成の工程では、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ3 は縮小さ
れて小さくなり、シリコン単結晶Ｉの表面と輻射シール
ド１０と間隙２１は増大するので蒸発領域Ｅの面積も増
大し、融液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量は大きくな
る。
育成の工程では、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ3 は縮小さ
れて小さくなり、シリコン単結晶Ｉの表面と輻射シール
ド１０と間隙２１は増大するので蒸発領域Ｅの面積も増
大し、融液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量は大きくな
る。
【００３８】一方、尾部Ｉｔまで育成されたシリコン単
結晶Ｉの重量を重量検知装置１４により検知しその重量
信号を制御装置１５に送り尾部Ｉｔの直径Ｄ3 の信号に
変換する。
結晶Ｉの重量を重量検知装置１４により検知しその重量
信号を制御装置１５に送り尾部Ｉｔの直径Ｄ3 の信号に
変換する。
【００３９】この尾部Ｉｔの直径Ｄ3 の信号はガス供給
装置１７に送られ、このガス供給装置１７の働きでアル
ゴンガスの流入量を増大させる。
装置１７に送られ、このガス供給装置１７の働きでアル
ゴンガスの流入量を増大させる。
【００４０】図２（ｃ）に示すように尾部Ｉｔの育成の
工程では、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ3 は小さくなり、
シリコン単結晶Ｉの表面と輻射シールド１０と間隙２１
は大きくなってＳｉＯの蒸発領域Ｅの面積も増大するの
で、融液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量も大きくなる。
工程では、シリコン単結晶Ｉの直径Ｄ3 は小さくなり、
シリコン単結晶Ｉの表面と輻射シールド１０と間隙２１
は大きくなってＳｉＯの蒸発領域Ｅの面積も増大するの
で、融液表面ＳｓからのＳｉＯの蒸発量も大きくなる。
【００４１】一方、尾部Ｉｔまで育成されたシリコン単
結晶Ｉの重量を重量検出装置１４により検知しその重量
信号を制御装置１５に送り肩部の直径Ｄ3 の信号に変換
する。この尾部Ｉｔの直径Ｄ3 の信号はガス供給装置１
７に送られ、このガス供給装置１７の働きでアルゴンガ
スを再び大量に炉本体２に流入させる。大量に流入され
たアルゴンガスは前記蒸発領域Ｅから大量に蒸発したＳ
ｉＯを上述同様の流路を通り速やかに炉本体２外に排出
する。
結晶Ｉの重量を重量検出装置１４により検知しその重量
信号を制御装置１５に送り肩部の直径Ｄ3 の信号に変換
する。この尾部Ｉｔの直径Ｄ3 の信号はガス供給装置１
７に送られ、このガス供給装置１７の働きでアルゴンガ
スを再び大量に炉本体２に流入させる。大量に流入され
たアルゴンガスは前記蒸発領域Ｅから大量に蒸発したＳ
ｉＯを上述同様の流路を通り速やかに炉本体２外に排出
する。
【００４２】従って、蒸発領域Ｅから大量にＳｉＯが蒸
発しても、ＳｉＯガスがシリコン単結晶Ｉの表面に付着
し結晶を有転位化させることがない。
発しても、ＳｉＯガスがシリコン単結晶Ｉの表面に付着
し結晶を有転位化させることがない。
【００４３】以上のように上述したシリコン単結晶引上
装置１は、シリコン単結晶Ｉの育成工程に応じて重量検
出装置１４によりシリコン単結晶Ｉの重量を検知し、こ
の重量から制御装置１５を算出してガス供給装置１７を
制御し、炉本体２へのアルゴンガスの流入量を制御する
ことにより、ＳｉＯの発生量に応じたアルゴンガスによ
りＳｉＯを速やかに炉本体２外に排出して、結晶を有転
位化させるのを防止するものである。
装置１は、シリコン単結晶Ｉの育成工程に応じて重量検
出装置１４によりシリコン単結晶Ｉの重量を検知し、こ
の重量から制御装置１５を算出してガス供給装置１７を
制御し、炉本体２へのアルゴンガスの流入量を制御する
ことにより、ＳｉＯの発生量に応じたアルゴンガスによ
りＳｉＯを速やかに炉本体２外に排出して、結晶を有転
位化させるのを防止するものである。
【００４４】なお、上述した単結晶引上装置１では、シ
リコン単結晶Ｉの直径を検知するのに重量検出装置１４
を用いたが、炉本体２外に設けられた周知の二次元カメ
ラによって撮像し、この二次元カメラの画像信号に基づ
いて成長したシリコン単結晶の直径を検知し、この直径
の情報信号を制御装置１５に送り、この制御装置１５が
情報処理してガス供給装置１７を制御し、炉本体２に流
入されるアルゴンガス量を制御するようにしてもよい。
リコン単結晶Ｉの直径を検知するのに重量検出装置１４
を用いたが、炉本体２外に設けられた周知の二次元カメ
ラによって撮像し、この二次元カメラの画像信号に基づ
いて成長したシリコン単結晶の直径を検知し、この直径
の情報信号を制御装置１５に送り、この制御装置１５が
情報処理してガス供給装置１７を制御し、炉本体２に流
入されるアルゴンガス量を制御するようにしてもよい。
【００４５】
【発明の効果】本発明に係わるシリコン引上装置は、シ
リコン単結晶の育成工程に応じて炉本体への不活性ガス
の流入量を制御することにより、ＳｉＯの発生量に応じ
た不活性ガス量によりＳｉＯを速やかに炉本体２外に排
出して、結晶を有転位化させるのを防止することができ
る。また、炉本体への不活性ガスの流入量の制御により
使用不活性ガス量の低減が可能となりシリコン単結晶引
上げのコストダウン化が実現できる。
リコン単結晶の育成工程に応じて炉本体への不活性ガス
の流入量を制御することにより、ＳｉＯの発生量に応じ
た不活性ガス量によりＳｉＯを速やかに炉本体２外に排
出して、結晶を有転位化させるのを防止することができ
る。また、炉本体への不活性ガスの流入量の制御により
使用不活性ガス量の低減が可能となりシリコン単結晶引
上げのコストダウン化が実現できる。
【図１】本発明に係わるシリコン単結晶引上装置の概略
図。
図。
【図２】本発明に係わるシリコン単結晶引上装置を用い
てシリコン単結晶を引上げる場合の引上げ工程別の状態
図。
てシリコン単結晶を引上げる場合の引上げ工程別の状態
図。
【図３】従来のシリコン単結晶引上装置の概略図。
１ シリコン単結晶引上装置 ２ 炉本体 ３ ホットゾーン ４ 石英ガラスルツボ ５ 回転軸 ６ 黒鉛ルツボ ７ 発熱体 ８ 保温体 ９ 開口部 １０ 輻射シールド １１ シード １２ ワイヤー １３ ワイヤー巻上装置 １４ 重量検出装置 １５ 制御装置 １６ 上部円筒部 １７ ガス供給装置 １８ 給気口 １９ 底部 ２０ 排気口 ２１ 通気路 ２２ 通気路 Ｅ 蒸発領域 Ｉ シリコン単結晶 Ｉｎ 肩部 Ｉｓ 直胴部 Ｉｔ 尾部 Ｓｍ シリコン融液 Ｓｓ 融液表面
Claims (8)
- 【請求項１】 炉体内に設けられた石英ガラスルツボを
加熱してこの石英ガラスルツボに装填された原料シリコ
ンを溶融し、シリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶
引上装置において、前記石英ガラスルツボの上方に設け
られた輻射シールドと、この輻射シールドとシリコン単
結晶間を流れる不活性ガスと、この不活性ガスを炉体内
に供給するガス供給装置と、前記シリコン単結晶の育成
状況を測定する計測装置と、この計測装置からの信号を
受信し前記ガス供給装置を制御する制御装置とを有し、
シリコン単結晶の育成工程のシリコン単結晶の直径の変
化に応じ輻射シールドとシリコン単結晶間を流れる不活
性ガスの流量を変化させることを特徴とするシリコン単
結晶引上装置。 - 【請求項２】 上記計測装置はシリコン単結晶の重量を
検知する重量検知装置であることを特徴とする請求項１
に記載のシリコン単結晶引上装置。 - 【請求項３】 上記計測装置はシリコン単結晶の直径を
検知する二次元カメラであることを特徴とする請求項１
に記載のシリコン単結晶引上装置。 - 【請求項４】 上記シリコン単結晶の育成工程は肩部、
直胴部、尾部であることを特徴とする請求項１ないし３
いずれかに記載のシリコン単結晶引上装置。 - 【請求項５】 上記シリコン単結晶の肩部および尾部の
育成工程では不活性ガスを大量に流入させ、直胴部の育
成工程では前記肩部および尾部の育成工程における不活
性ガスの流入量よりも少なく流入させることを特徴とす
る請求項４に記載のシリコン単結晶引上装置。 - 【請求項６】 引上げられるシリコン単結晶の直径を測
定しこのシリコン単結晶の直径に応じて不活性ガスの炉
本体への流入量を制御可能にしたシリコン単結晶引上装
置を用意し、シリコン単結晶の育成工程に応じ不活性ガ
スの炉本体への流入量を変化させることを特徴とするシ
リコン単結晶の製造方法。 - 【請求項７】 上記シリコン単結晶の育成工程は肩部、
直胴部、尾部であることを特徴とする請求項６に記載の
シリコン単結晶の製造方法。 - 【請求項８】 上記シリコン単結晶の直胴部の育成工程
時は、肩部および尾部育成工程時よりも多量の不活性ガ
スを流入させることを特徴とする請求項７に記載のシリ
コン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00831299A JP3670504B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | シリコン単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00831299A JP3670504B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | シリコン単結晶製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000203985A true JP2000203985A (ja) | 2000-07-25 |
| JP3670504B2 JP3670504B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=11689647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00831299A Expired - Lifetime JP3670504B2 (ja) | 1999-01-14 | 1999-01-14 | シリコン単結晶製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3670504B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015089854A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶製造方法 |
| CN107075717A (zh) * | 2014-09-19 | 2017-08-18 | 爱迪生太阳能公司 | 用于防止熔体污染的拉晶机 |
| WO2018092985A1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 잉곳 성장장치 |
| CN116043329A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-05-02 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 一种具有氩气定位导向功能的单晶炉 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160893A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-23 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 |
| JPH03122089A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｉ単結晶中の酸素濃度調整方法およびその装置 |
| JPH0570279A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-23 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPH09132496A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶中の酸素濃度の調整方法及びその装置 |
| JPH1072277A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶の育成方法及びその装置 |
-
1999
- 1999-01-14 JP JP00831299A patent/JP3670504B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160893A (ja) * | 1987-12-16 | 1989-06-23 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 |
| JPH03122089A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｉ単結晶中の酸素濃度調整方法およびその装置 |
| JPH0570279A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-03-23 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPH09132496A (ja) * | 1995-11-07 | 1997-05-20 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶中の酸素濃度の調整方法及びその装置 |
| JPH1072277A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶の育成方法及びその装置 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9903044B2 (en) | 2013-11-05 | 2018-02-27 | Sumco Corporation | Silicon single crystal producing method |
| WO2015068370A1 (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-14 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶製造方法 |
| CN105683424A (zh) * | 2013-11-05 | 2016-06-15 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅制造方法 |
| TWI593835B (zh) * | 2013-11-05 | 2017-08-01 | Sumco Corp | Silicon single crystal manufacturing method |
| JP2015089854A (ja) * | 2013-11-05 | 2015-05-11 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶製造方法 |
| KR101787504B1 (ko) * | 2013-11-05 | 2017-10-18 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정 제조 방법 |
| CN105683424B (zh) * | 2013-11-05 | 2018-12-28 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅制造方法 |
| CN107075717A (zh) * | 2014-09-19 | 2017-08-18 | 爱迪生太阳能公司 | 用于防止熔体污染的拉晶机 |
| CN107075717B (zh) * | 2014-09-19 | 2020-06-16 | 各星有限公司 | 用于防止熔体污染的拉晶机 |
| KR101871059B1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-07-20 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 잉곳 성장장치 |
| KR20180055373A (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-25 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 잉곳 성장장치 |
| WO2018092985A1 (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 잉곳 성장장치 |
| CN116043329A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-05-02 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 一种具有氩气定位导向功能的单晶炉 |
| CN116043329B (zh) * | 2023-03-31 | 2023-05-30 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 一种具有氩气定位导向功能的单晶炉 |
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