JP2000204138A - 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 - Google Patents

封止用樹脂組成物および半導体封止装置

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JP2000204138A
JP2000204138A JP477999A JP477999A JP2000204138A JP 2000204138 A JP2000204138 A JP 2000204138A JP 477999 A JP477999 A JP 477999A JP 477999 A JP477999 A JP 477999A JP 2000204138 A JP2000204138 A JP 2000204138A
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average particle
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sealing
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Hitoshi Yokouchi
比斗志 横内
Haruomi Hosokawa
晴臣 細川
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Toshiba Chemical Corp
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  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 IRリフロー後の温度サイクル試験における
温度の影響を受けにくく、電極の断線等を著しく低減
し、成形品の表面汚れについても長期間にわたって信頼
性を保証する封止用樹脂組成物および半導体封止装置を
提供する。 【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
型フェノール樹脂、(C)平均粒径0.5μm以下の1
次粒子の非化学結合による集合体で、その集合体の平均
粒径が80μm以下の球状体からなるようなジアリルフ
タレート樹脂および(D)無機質充填剤を必須成分と
し、樹脂組成物に対して前記(C)のジアリルフタレー
ト樹脂を0.1〜5.0重量%、また前記(D)無機質
充填剤を25〜90重量%の割合で含有する封止用樹脂
組成物であり、またこの組成物の硬化物によって半導体
チップが封止されてなる半導体封止装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、低応力性が向上
し、なおかつ連続生産性に優れた封止用樹脂組成物およ
び半導体封止装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体、集積回路の分野における
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に、半導体装置
の実装工程の自動化が推進されている。例えば、フラッ
トパッケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場
合、従来はリードピンごとに半田漬けを行っていたが、
最近は、半導体装置全体を250℃に加熱した半田浴に
浸漬して、一度に半田漬けを行う方法が採用されてい
る。
【0003】従来のノボラック型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂及び無機質充填
剤からなる樹脂組成物によって封止した半導体装置で
は、装置全体の半田浴浸漬を行うと、耐湿性が低下する
という欠点がある。特に吸湿した半導体装置を半田浴に
浸漬すると、封止樹脂と半導体チップの間、あるいは封
止樹脂とフレームの間に剥がれが生じ、内部樹脂クラッ
クが生じて著しい耐湿劣化をおこし、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流を生じ、その結果、半導体
装置は、長期間の信頼性を保証することができないとい
う欠点があった。このため、耐湿性の影響が少なく、半
導体装置全体の半田浴浸漬による表面実装を行っても耐
湿劣化が少なく、かつ成形性のよい材料の開発が強く要
望されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を解消するためになされたもので、耐熱性が高く、特に
半田浴浸漬による表面実装後の耐湿性および半田耐熱
性、なおかつ成形性に優れた封止用脂組成物および半導
体封止装置を提供しようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、平均粒径0.
5μm以下の1次粒子の非化学結合による集合体で、そ
の集合体の平均粒径が約80μm以下の球状体からなる
ようなジアリルフタレート樹脂を配合することによっ
て、低応力性が向上し、かつ連続生産性が優れた樹脂組
成物が得られることを見いだし、本発明を完成したもの
である。
【0006】即ち、本発明は、(A)エポキシ樹脂、
(B)ノボラック型フェノール樹脂、(C)平均粒径
0.5μm以下の1次粒子の非化学結合による集合体
で、その集合体の平均粒径が80μm以下の球状体から
なるようなジアリルフタレート樹脂および(D)無機質
充填剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して、前記
(C)平均粒径0.5μm以下の1次粒子の非化学結合
による集合体で、その集合体の平均粒径が80μm以下
の球状体からなるようなジアリルフタレート樹脂を0.
1〜5.0重量%、また前記(D)無機質充填剤を25
〜90重量%の割合で含有してなることを特徴とする封
止用樹脂組成物であり、また、この封止用樹脂組成物の
硬化物によって半導体ペレットが封止されてなることを
特徴とする半導体封止装置である。
【0007】以下、本発明を詳細に説明する。
【0008】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも2個有する化
合物である限り、分子構造、分子量など特に制限はな
く、一般に封止用材料として使用されているものを広く
包含することができる。例えば、ビスフェノール型の芳
香族系、シクロヘキサン誘導体等の脂肪族系、また、次
の一般式で示されるエポキシノボラック系の樹脂等が挙
げられる。
【0009】
【化1】 (但し、式中、R1 は水素原子、ハロゲン原子又はアル
キル基を、R2 は水素原子又はアルキル基を、nは1以
上の整数をそれそれ表す) これらのエポキシ樹脂は、単独又は2種以上混合して使
用することができる。
【0010】本発明に用いる(B)ノボラック型フェノ
ール樹脂としては、フェノール、アルキルフェノール等
のフェノール類とホルムアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド等のアルデヒド類とを反応させて得られるノボラッ
ク型フェノール樹脂およびこれらの変性樹脂、例えば、
エポキシ化もしくはブチル化したノボラック型フェノー
ル樹脂等が挙げられ、これらは単独又は2種以上混合し
て使用することができる。ノボラック型フェノール樹脂
の配合割合は、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基
(a)とノボラック型フェノール樹脂のフェノール性水
酸基(b)との当量比[(a)/(b)]が0.1〜1
0の範囲内であることが望ましい。当量比が0.1未満
もしくは10を超えると、耐熱性、耐湿性、成形作業性
および硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好
ましくない。従って、上記の範囲内に限定するのがよ
い。
【0011】本発明に用いる(C)平均粒径0.5μm
以下の1次粒子の非化学結合による集合体で、その集合
体の平均粒径が80μm以下の球状体からなるようなジ
アリルフタレート樹脂としては、例えば次の式に示され
る。
【0012】
【化2】 (但し、式中、aは1以上の整数、bは0又は1以上の
整数を表す) 一次粒子の好ましい平均粒径としては0.1μm、集合
体の好ましい平均粒径としては30μmのものが例示さ
れる。これらは単独又は2種以上混合して使用すること
ができる。また、さらに、その他の有機系、シリコーン
系エラストマー、を併用することもできる。
【0013】(C)の平均粒径0.5μm以下の1次粒
子の非化学結合による集合体で、その集合体の平均粒径
が80μm以下の球状体からなるようなジアリルフタレ
ート樹脂の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して0.
1〜5.0重量%含有することが望ましい。この割合が
0.1重量%未満では、低応力性に効果なく、また、
5.0重量%を超えると、金型汚れ等、成形性および耐
リフロークラック性に悪影響を与え、実用に適さず好ま
しくない。
【0014】本発明に用いる(D)無機質充填剤として
は、シリカ粉末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タ
ルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイ
カ、ベンガラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独
又は2種以上混合して使用することができる。これらの
中でも特にシリカ粉末やアルミナ粉末が好ましく、よく
使用される。無機質充填剤の配合割合は、全体の樹脂組
成物に対して25〜90重量%の割合で含有することが
望ましい。その割合が25重量%未満では、耐熱性、耐
湿性、半田耐熱性、機械的特性および成形性が悪くな
り、また、90重量%を超えるとカサバリが大きくな
り、成形性に劣り実用に適さない。
【0015】本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、平均粒径0.1μm
の1次粒子の非化学結合による集合体で、その集合体の
平均粒径が約30μmの球状体からなるようなジアリル
フタレート樹脂および無機充填剤を必須成分とするが、
本発明の目的に反しない限度において、また必要に応じ
て、例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪
酸の金属塩、酸アミド類、エステル類、パラフィン類等
の離型剤、塩素化パラフィン、ブロム化トルエン、ヘキ
サブロムベンゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤、カー
ボンブラック、ベンガラ等の着色剤、種々の硬化促進剤
を適宜、添加配合することができる。
【0016】本発明の封止用樹脂組成物を成形材料とし
て調製する場合の一般的な方法としては、前述したエポ
キシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、平均粒径が
0.1μmの1次粒子の非化学結合による集合体で、そ
の集合体の平均粒径が約30μmの球状体からなるよう
なジアリルフタレート樹脂、無機質充填剤およびその他
の成分を所定の組成比に選んで配合し、ミキサー等によ
って十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融
混合処理又はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷
却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とするこ
とができる。こうして得られた成形材料は、半導体装置
をはじめとする電子部品あるいは電気部品の封止、被
覆、絶縁等に適用すれば、優れた特性と信頼性を付与さ
せることができる。
【0017】本発明の半導体封止装置は、上述した成形
材料を用いて、半導体チップを封止することにより容易
に製造することができる。封止を行う半導体チップとし
ては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法としては、低圧トラン
スファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等
による封止も可能である。成形材料は封止の際に加熱し
て硬化させ、最終的にはこの硬化物によって封止された
半導体封止装置が得られる。加熱による硬化は、150
℃以上に加熱して硬化させることが望ましい。
【0018】
【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、樹脂成分として前述した特定の平均粒径0.5
μm以下の1次粒子の非化学結合による集合体で、その
集合体の平均粒径が80μm以下の球状体からなるよう
なジアリルフタレート樹脂を用いたことによって、目的
とする特性が得られたものである。平均粒径0.5μm
以下の1次粒子の非化学結合による集合体で、その集合
体の平均粒径が80μm以下の球状体からなるようなジ
アリルフタレート樹脂は、樹脂組成物の低応力性を向上
させ、パッシベーションクラック、アルミスライド等に
よるペレットの信頼性での劣化を防止することができ
た。
【0019】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施例によって説明
するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるも
のではない。以下の実施例及び比較例において「%」と
は「重量%」を意味する。
【0020】実施例1 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
15)18%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量107)9%、次式に示した平均粒径0.1μ
mの1次粒子の非化学結合による集合体で、その集合体
の平均粒径が約30μmの球状体からなるようなジアリ
ルフタレート樹脂1.0%、
【0021】
【化3】 溶融シリカ粉末71%およびエステル系ワックス類0.
3%を配合し、常温で混合してさらに90〜95℃で混
練してこれを冷却粉砕して実施例1の成形材料を製造し
た。
【0022】実施例2 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
15)19%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量107)9%、前記の式化3に示した平均粒径
0.1μmの1次粒子の非化学結合による集合体で、そ
の集合体の平均粒径が約30μmの球状体からなるよう
なジアリルフタレート樹脂4.0%、シリカ粉末71%
およびエステル系ワックス類0.3%を実施例1と同様
に混合粉砕して実施例2の成形材料を製造した。
【0023】実施例3 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
15)19%に、ノボラック型フェノール樹脂(フェノ
ール当量107)9%、前記の式化3に示した平均粒径
0.1μmの1次粒子の非化学結合による集合体で、そ
の集合体の平均粒径が約30μmの球状体からなるよう
なジアリルフタレート樹脂8.0%、γ−グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン0.2%、シリカ粉末71
%およびエステル系ワックス類0.3%を実施例1と同
様に混合粉砕して実施例3の成形材料を製造した。
【0024】比較例1 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量2
15)19%、ノボラック型フェノール樹脂(フェノー
ル当量107)9%、シリカ粉末71%、硬化促進剤
0.3%、エステル系ワックス類0.3%およびシラン
カップリング剤0.4%を常温で混合し、実施例1と同
様に混合粉砕して比較例1の成形材料を製造した。
【0025】こうして製造した実施例1〜3と比較例1
の成形材料を用いて、175℃,3分間の条件でトラン
スファー成形した後、180℃で8時間アフターキュア
ーして試験片を作製した。これらの成形材料と試験片に
ついて、成形性、スパイラルフロー、高架式フローテス
ターによる溶融粘度、吸水率(PCT)、ガラス転移温
度、曲げ特性、温度サイクルテスト(TCT)および連
続成形による成形品表面汚れ性、(連続生産性)を測定
した。以上の結果を表1にまとめて示したが、本発明の
顕著な効果を確認することができた。
【0026】
【表1】 *1:スパイラルと溶融粘度の測定温度は175℃であ
る。 *2:成形材料を175℃,3分間の条件でトランスフ
ァー成形し、180℃,8時間アフターキュアをして成
形品を作製した。これを127℃,2気圧の飽和水蒸気
中に24時間放置し、増加した重量によって求めた。 *3:吸水率の試験と同様な成形品から、2.5×2.
5×(15.0〜20.0)の寸法のサンプルを作製
し、熱機械分析装置DL−1500H(真空理工社製、
商品名)を用い、昇温速度5℃/minで測定した。 *4:吸水率の試験と同様な成形品から、5.4×10
×100の寸法のサンプルを作製し、曲げ試験装置AG
−D1000(島津製作所製、商品名)を用い、22℃
にて測定した。 *5:成形材料を用いて、2本のアルミニウム配線を有
するシリコン製チップを、通常の42アロイフレームに
接着し、175℃で2分間トランスファー成形した後、
175℃で8時間の後硬化を行った。こうして得た成形
品を予め、40℃,90%RH,100時間の吸湿処理
した後、これを最高温度240℃のIRリフロー炉に3
回通した。その後、−65℃で20分間→25℃で2.
5分間→150℃で20分間を1サイクルとする温度サ
イクルテスト(TCT)を行い、樹脂応力による断線不
良の起こる時間を評価した。。 *6:成形材料を175℃,3分間の条件で、15mm
×15mmの評価用素子を封止し、180℃で8時間ア
フターキュアを行った。次いでこのパッケージを85
℃、相対湿度40%の雰囲気中に168時間放置して吸
湿処理を行った後、これを最高温度240℃のIRリフ
ロー炉に3回通した。この時点でパッケージのクラック
発生を調べた。 *7:成形材料を自動成形装置VPS−80N(TOW
A株式会社製)を用いて、175℃,120秒の条件で
連続成形を行い、成形品表面の汚れについて評価した。
【0027】
【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明の封止用樹脂組成物および半導体封止装置
は、IRリフロー後の温度サイクル試験においても温度
の影響を受けにくく、電極の断線の発生等を著しく低減
することができ、しかも長期間にわたって信頼性を保証
することができる。また、成形品の表面汚れについても
長時間にわたって連続生産を保証することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) //(C08L 63/00 31:08) Fターム(参考) 4J002 BF05Y CC04X CC07X CD02W CD05W CD06W CD06X DE116 DE126 DE136 DE146 DE236 DJ016 DJ036 DJ046 DJ056 DL006 FA046 FA08Y FA086 FD016 FD14X GQ05 4J036 AA01 AA02 AA05 AB07 AD01 AF01 FA02 FA03 FA05 FB06 FB07 FB08 JA07 KA05 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB13 EB16 EB19 EC01 EC03 EC04 EC05 EC20

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
    型フェノール樹脂、(C)平均粒径0.5μm以下の1
    次粒子の非化学結合による集合体で、その集合体の平均
    粒径が80μm以下の球状体からなるようなジアリルフ
    タレート樹脂および(D)無機質充填剤を必須成分と
    し、樹脂組成物に対して、前記(C)平均粒径0.5μ
    m以下の1次粒子の非化学結合による集合体で、その集
    合体の平均粒径が80μm以下の球状体からなるような
    ジアリルフタレート樹脂を0.1〜5.0重量%、また
    前記(D)無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含
    有してなることを特徴とする封止用樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 (A)エポキシ樹脂、(B)ノボラック
    型フェノール樹脂、(C)平均粒径0.5μm以下の1
    次粒子の非化学結合による集合体で、その集合体の平均
    粒径が80μm以下の球状体からなるようなジアリルフ
    タレート樹脂および(D)無機質充填剤を必須成分と
    し、樹脂組成物に対して前記(C)平均粒径0.5μm
    以下の1次粒子の非化学結合による集合体で、その集合
    体の平均粒径が80μm以下の球状体からなるようなジ
    アリルフタレート樹脂を0.1〜5.0重量%、また前
    記(D)無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有
    する封止用樹脂組成物の硬化物によって、半導体ペレッ
    トが封止されてなることを特徴とする半導体封止装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100448005C (zh) * 2005-06-21 2008-12-31 天水华天科技股份有限公司 光电一体化红外接收器与封装方法

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