JP2000206541A - 液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置 - Google Patents
液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置Info
- Publication number
- JP2000206541A JP2000206541A JP11006082A JP608299A JP2000206541A JP 2000206541 A JP2000206541 A JP 2000206541A JP 11006082 A JP11006082 A JP 11006082A JP 608299 A JP608299 A JP 608299A JP 2000206541 A JP2000206541 A JP 2000206541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- crystal panel
- flattening film
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133526—Lenses, e.g. microlenses or Fresnel lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/02—Function characteristic reflective
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 どのような種類のものでも、ギャップ寸法が
高精度かつ均一に調整された表示品質の良好な液晶パネ
ルを低コストで生産性良く製造可能とする。 【解決手段】 液晶パネル１は、所定の間隔をあけて対
向配置された第１基板２と第２基板３との間に液晶層４
が設けられ、第１基板２の液晶層４側にはこの液晶層４
側の表面が平坦な平坦化膜１７が設けられたものからな
り、画素がマトリクス状に形成されているとともに、隣
合う画素の間がブラックマトリクス１６および信号配線
１１により遮光領域とされたものにおいて、平坦化膜１
７の表面でかつブラックマトリクス１６の位置に、第２
基板３の液晶層４側の最表面に当接して第１基板２と第
２基板３との間に所定の間隔を形成する突起部１８が、
平坦化膜１７と同じ材料で形成された構成となってい
る。平坦化膜および突起部は、例えば有機材料で形成さ
れている。
高精度かつ均一に調整された表示品質の良好な液晶パネ
ルを低コストで生産性良く製造可能とする。 【解決手段】 液晶パネル１は、所定の間隔をあけて対
向配置された第１基板２と第２基板３との間に液晶層４
が設けられ、第１基板２の液晶層４側にはこの液晶層４
側の表面が平坦な平坦化膜１７が設けられたものからな
り、画素がマトリクス状に形成されているとともに、隣
合う画素の間がブラックマトリクス１６および信号配線
１１により遮光領域とされたものにおいて、平坦化膜１
７の表面でかつブラックマトリクス１６の位置に、第２
基板３の液晶層４側の最表面に当接して第１基板２と第
２基板３との間に所定の間隔を形成する突起部１８が、
平坦化膜１７と同じ材料で形成された構成となってい
る。平坦化膜および突起部は、例えば有機材料で形成さ
れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透過型や反射型の
液晶表示装置および強誘電体液晶表示装置等に適用され
る液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装
置に関する。
液晶表示装置および強誘電体液晶表示装置等に適用され
る液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置に備えられる液晶パ
ネルには、一対のガラス等からなる基板が所定の間隔
（ギャップ）をあけて対向配置され、これら基板間に液
晶層が設けられて、多数の画素がマトリックス状に設け
られた構造のものが知られている。一対の基板の一方に
は、その液晶層側に例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
等のスイッチング素子および画素電極が画素毎に形成さ
れており、他方にはその液晶層側に、上記画素電極に対
向して対向電極が形成されている。また他方の基板には
その他、カラーフィルターやマイクロレンズ等が設けら
れている場合もある。
ネルには、一対のガラス等からなる基板が所定の間隔
（ギャップ）をあけて対向配置され、これら基板間に液
晶層が設けられて、多数の画素がマトリックス状に設け
られた構造のものが知られている。一対の基板の一方に
は、その液晶層側に例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
等のスイッチング素子および画素電極が画素毎に形成さ
れており、他方にはその液晶層側に、上記画素電極に対
向して対向電極が形成されている。また他方の基板には
その他、カラーフィルターやマイクロレンズ等が設けら
れている場合もある。
【０００３】このような液晶パネルでは、応答速度やコ
ントラスト、視野角等の特性が、液晶層の厚みとなる上
記ギャップの寸法と密接な関係があるため、ギャップを
所要の寸法に厳密に制御することが高い表示品質を得る
うえで重要となっている。またギャップ寸法が不均一で
あると、表示ムラ等が生じて視認性の低下を招く。そこ
で従来では、一対の基板間に棒状や球状のガラスやプラ
スチック等からなるスペーサを分散してギャップ寸法の
調整を行っている。このスペーサの分散方法としては、
例えば一対の基板のいずれかに対して、基板全面にラン
ダムに塗布する方法が採用されている。
ントラスト、視野角等の特性が、液晶層の厚みとなる上
記ギャップの寸法と密接な関係があるため、ギャップを
所要の寸法に厳密に制御することが高い表示品質を得る
うえで重要となっている。またギャップ寸法が不均一で
あると、表示ムラ等が生じて視認性の低下を招く。そこ
で従来では、一対の基板間に棒状や球状のガラスやプラ
スチック等からなるスペーサを分散してギャップ寸法の
調整を行っている。このスペーサの分散方法としては、
例えば一対の基板のいずれかに対して、基板全面にラン
ダムに塗布する方法が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
スペーサを用いたギャップ調整は、スイッチング素子を
構成する半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
や低温条件で成膜されるポリシリコン（Poly−Ｓｉ）が
用いられて画素サイズが大きい液晶パネルにおいて有効
であっても、スイッチング素子の半導体層に高温条件で
成膜されるPoly−Ｓｉが用いられて画素サイズが小さい
（例えば、２０μｍ×２０μｍ程度以下のピッチ等）液
晶パネルでは、輝点等を発生させる等、表示品質を低下
させてしまう。
スペーサを用いたギャップ調整は、スイッチング素子を
構成する半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
や低温条件で成膜されるポリシリコン（Poly−Ｓｉ）が
用いられて画素サイズが大きい液晶パネルにおいて有効
であっても、スイッチング素子の半導体層に高温条件で
成膜されるPoly−Ｓｉが用いられて画素サイズが小さい
（例えば、２０μｍ×２０μｍ程度以下のピッチ等）液
晶パネルでは、輝点等を発生させる等、表示品質を低下
させてしまう。
【０００５】これは、スペーサが基板全面にランダムに
塗布され、したがってマトリクス状の多数の画素で構成
された有効画素部にも配置されるため、画素サイズが小
さい液晶パネルでは、スペーサによる液晶分子の配向秩
序の乱れが表示品質に大きな影響を与えることによる。
塗布され、したがってマトリクス状の多数の画素で構成
された有効画素部にも配置されるため、画素サイズが小
さい液晶パネルでは、スペーサによる液晶分子の配向秩
序の乱れが表示品質に大きな影響を与えることによる。
【０００６】しかも従来では、スペーサの密度を調整し
て塗布できないため、いずれの半導体層を用いた液晶パ
ネルにおいても、ギャップ寸法が不均一となり易く、表
示品質の低下を招き易いといった難点も生じている。
て塗布できないため、いずれの半導体層を用いた液晶パ
ネルにおいても、ギャップ寸法が不均一となり易く、表
示品質の低下を招き易いといった難点も生じている。
【０００７】またスペーサを用いてギャップ調整を行う
場合には、基板にスペーサを塗布する工程とともに、コ
モン電極部用の導電ペーストを塗布する工程が必要とな
る。このコモン電極部とは、スイッチング素子側と対向
電極との間でコモン電位を取るべく有効画素部を避けた
液晶パネルの周縁部に設けるものである。よって、この
ような独自の工程およびそれぞれの工程に用いる装置が
必要であるため、製造工程が煩雑となって生産性が悪
く、製造コストが高くついてしまう。
場合には、基板にスペーサを塗布する工程とともに、コ
モン電極部用の導電ペーストを塗布する工程が必要とな
る。このコモン電極部とは、スイッチング素子側と対向
電極との間でコモン電位を取るべく有効画素部を避けた
液晶パネルの周縁部に設けるものである。よって、この
ような独自の工程およびそれぞれの工程に用いる装置が
必要であるため、製造工程が煩雑となって生産性が悪
く、製造コストが高くついてしまう。
【０００８】さらに、複屈折率を利用した反射型の液晶
表示装置において、強誘電性液晶を用いた液晶パネルを
備えたものでは、強誘電性液晶が層構造を有しているも
ののため、配向不良を生じさせることなくスペーサの塗
布によるギャップ調整を行うことが困難である。また、
強誘電性液晶を用いた液晶パネルでは、極めて精度の高
いギャップ寸法の調整が要求されており、スペーサを用
いてもこの要求を満足する高精度なギャップ調整が難し
いのが現状となっている。
表示装置において、強誘電性液晶を用いた液晶パネルを
備えたものでは、強誘電性液晶が層構造を有しているも
ののため、配向不良を生じさせることなくスペーサの塗
布によるギャップ調整を行うことが困難である。また、
強誘電性液晶を用いた液晶パネルでは、極めて精度の高
いギャップ寸法の調整が要求されており、スペーサを用
いてもこの要求を満足する高精度なギャップ調整が難し
いのが現状となっている。
【０００９】また、マイクロレンズ等が設けられた液晶
パネルの製造において、マイクロレンズ等が例えばガラ
スからなる一対の基板と熱膨張係数が異なる種類の材料
で形成されている場合には、液晶パネルの製造時に加わ
る熱による歪みが生じる等し、これが原因となってギャ
ップ寸法を高精度に設定することが難しいという不具合
が生じている。
パネルの製造において、マイクロレンズ等が例えばガラ
スからなる一対の基板と熱膨張係数が異なる種類の材料
で形成されている場合には、液晶パネルの製造時に加わ
る熱による歪みが生じる等し、これが原因となってギャ
ップ寸法を高精度に設定することが難しいという不具合
が生じている。
【００１０】以上のことから、透過型や反射型等、どの
ような種類のものでも、ギャップ寸法が高精度かつ均一
に調整された表示品質の良好な液晶パネルを低コストで
生産性良く製造可能な技術の開発が切望されている。
ような種類のものでも、ギャップ寸法が高精度かつ均一
に調整された表示品質の良好な液晶パネルを低コストで
生産性良く製造可能な技術の開発が切望されている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するために本発明に係る液晶パネルは、所定の間隔をあ
けて対向配置された第１基板と第２基板との間に液晶層
が設けられ、第１基板の液晶層側にはこの液晶層側の表
面が平坦な平坦化膜が設けられたものからなり、画素が
マトリクス状に形成されているとともに、隣合う画素の
間が遮光領域とされたものにおいて、上記平坦化膜の表
面でかつ遮光領域の位置に、第２基板の液晶層側の最表
面に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を
形成する突起部が、平坦化膜と同じ材料で形成された構
成となっている。
するために本発明に係る液晶パネルは、所定の間隔をあ
けて対向配置された第１基板と第２基板との間に液晶層
が設けられ、第１基板の液晶層側にはこの液晶層側の表
面が平坦な平坦化膜が設けられたものからなり、画素が
マトリクス状に形成されているとともに、隣合う画素の
間が遮光領域とされたものにおいて、上記平坦化膜の表
面でかつ遮光領域の位置に、第２基板の液晶層側の最表
面に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を
形成する突起部が、平坦化膜と同じ材料で形成された構
成となっている。
【００１２】また本発明に係る液晶パネルの製造方法
は、上記発明の液晶パネルを製造する方法であって、絶
縁基板の一面側に表面が平坦な平坦化膜を形成するとと
もに、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表面でか
つ遮光領域の位置に突起部を形成して上記第１基板を
得、次いで突起部を上記第２基板の最表面に当接して第
１基板と第２基板とを対向した状態に貼り合わせるよう
になっている。
は、上記発明の液晶パネルを製造する方法であって、絶
縁基板の一面側に表面が平坦な平坦化膜を形成するとと
もに、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表面でか
つ遮光領域の位置に突起部を形成して上記第１基板を
得、次いで突起部を上記第２基板の最表面に当接して第
１基板と第２基板とを対向した状態に貼り合わせるよう
になっている。
【００１３】さらに本発明に係る液晶表示装置は、本発
明の液晶パネルを備えて構成されたものとなっている。
明の液晶パネルを備えて構成されたものとなっている。
【００１４】本発明の液晶パネルでは、平坦化膜の表面
でかつ遮光領域の位置に、第２基板の液晶層側の最表面
に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を形
成する突起部が形成されているため、各画素の領域にて
突起部による液晶分子の配向秩序の乱れが生じない。よ
って画素サイズが小さいものであっても、表示品質の低
下が起きない。
でかつ遮光領域の位置に、第２基板の液晶層側の最表面
に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を形
成する突起部が形成されているため、各画素の領域にて
突起部による液晶分子の配向秩序の乱れが生じない。よ
って画素サイズが小さいものであっても、表示品質の低
下が起きない。
【００１５】また突起部は、平坦化膜の表面に平坦化膜
と同じ材料で形成されていることから、平坦化膜の形成
に兼ねて突起部を形成することが可能となる。よって、
従来行っていたギャップ調整のためのスペーサの塗布工
程が不要となるため、その分だけ製造工程数が削減され
る。また上記突起部と同様に構成された他の突起部をコ
モン電極部として、多数の画素からなる有効画素部を避
けた位置の平坦化膜の表面に設ける構造とする場合に
も、コモン電極部の構成要素となる他の突起部を平坦化
膜の形成に兼ねて形成可能である。しかも、平坦化膜の
表面に形成する画素電極の形成に兼ねて他の突起部にも
画素電極用の導電膜を形成すれば、新たにコモン電極部
用の導電ペーストを塗布する工程を行う必要もなくな
る。この結果、更なる製造工程数の削減が図れる。
と同じ材料で形成されていることから、平坦化膜の形成
に兼ねて突起部を形成することが可能となる。よって、
従来行っていたギャップ調整のためのスペーサの塗布工
程が不要となるため、その分だけ製造工程数が削減され
る。また上記突起部と同様に構成された他の突起部をコ
モン電極部として、多数の画素からなる有効画素部を避
けた位置の平坦化膜の表面に設ける構造とする場合に
も、コモン電極部の構成要素となる他の突起部を平坦化
膜の形成に兼ねて形成可能である。しかも、平坦化膜の
表面に形成する画素電極の形成に兼ねて他の突起部にも
画素電極用の導電膜を形成すれば、新たにコモン電極部
用の導電ペーストを塗布する工程を行う必要もなくな
る。この結果、更なる製造工程数の削減が図れる。
【００１６】さらに突起部は、平坦化膜と同様の材料に
て形成されているものであるため、高精度に微細加工可
能な半導体装置製造プロセスを用いて、所要の高さおよ
び所要の形状に高精度に形成可能であるとともに所要の
密度で形成可能なものである。よって、本発明の液晶パ
ネルでは、スペーサを用いた場合に比較してより高精度
にギャップ寸法が調整され、かつギャップ寸法の均一性
が向上する。
て形成されているものであるため、高精度に微細加工可
能な半導体装置製造プロセスを用いて、所要の高さおよ
び所要の形状に高精度に形成可能であるとともに所要の
密度で形成可能なものである。よって、本発明の液晶パ
ネルでは、スペーサを用いた場合に比較してより高精度
にギャップ寸法が調整され、かつギャップ寸法の均一性
が向上する。
【００１７】また平坦化膜および突起部が有機材料で形
成されていれば、例えば第２基板がガラスからなり、第
２基板にガラスとは熱膨張係数の大きく異なる有機材料
からなるマイクロレンズ等が設けられていた場合、液晶
パネルの製造工程により加わる熱に起因して発生する第
１基板側と第２基板側との歪み等差を小さく抑えられ
る。よって、ギャップ寸法の高精度な調整を容易に行え
る。
成されていれば、例えば第２基板がガラスからなり、第
２基板にガラスとは熱膨張係数の大きく異なる有機材料
からなるマイクロレンズ等が設けられていた場合、液晶
パネルの製造工程により加わる熱に起因して発生する第
１基板側と第２基板側との歪み等差を小さく抑えられ
る。よって、ギャップ寸法の高精度な調整を容易に行え
る。
【００１８】本発明の液晶パネルの製造方法では、第１
基板の液晶層側に表面が平坦な平坦化膜を形成するとと
もに、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表面でか
つ遮光領域の位置に突起部を形成するため、従来行って
いたギャップ調整のためのスペーサの塗布工程が不要で
あり、従来に比較して少ない工程数で液晶パネルが製造
される。また上記突起部と同様に構成される他の突起部
をコモン電極部として、多数の画素からなる有効画素部
を避けた位置の平坦化膜の表面に設ける工程も、平坦化
膜の形成に兼ねて行える。しかも、次工程にて平坦化膜
の表面に画素電極を形成する場合、この工程に兼ねて他
の突起部にも画素電極用の導電膜を形成することが可能
となり、新たにコモン電極部用の導電ペーストを塗布す
る工程を行う必要もない。結果として工程数が大幅に削
減して液晶パネルの製造が行える。
基板の液晶層側に表面が平坦な平坦化膜を形成するとと
もに、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表面でか
つ遮光領域の位置に突起部を形成するため、従来行って
いたギャップ調整のためのスペーサの塗布工程が不要で
あり、従来に比較して少ない工程数で液晶パネルが製造
される。また上記突起部と同様に構成される他の突起部
をコモン電極部として、多数の画素からなる有効画素部
を避けた位置の平坦化膜の表面に設ける工程も、平坦化
膜の形成に兼ねて行える。しかも、次工程にて平坦化膜
の表面に画素電極を形成する場合、この工程に兼ねて他
の突起部にも画素電極用の導電膜を形成することが可能
となり、新たにコモン電極部用の導電ペーストを塗布す
る工程を行う必要もない。結果として工程数が大幅に削
減して液晶パネルの製造が行える。
【００１９】また突起部は、平坦化膜と同様の材料で形
成するため、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プ
ロセスを用いて、所要の高さおよび所要の形状に高精度
に形成可能であるとともに所要の密度に形成可能とな
る。さらに、突起部を遮光領域の位置に形成するため、
その後の工程にて、突起部を第２基板の最表面に当接し
て第１基板と第２基板とを対向した状態に貼り合わせ第
１基板と第２基板との間に液晶層を形成する際、各画素
の領域にて突起部による液晶分子の配向秩序の乱れを生
じさせることもない。したがって、ギャップ寸法が高精
度にかつ均一に調整された上記発明の液晶パネルが実現
される。
成するため、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プ
ロセスを用いて、所要の高さおよび所要の形状に高精度
に形成可能であるとともに所要の密度に形成可能とな
る。さらに、突起部を遮光領域の位置に形成するため、
その後の工程にて、突起部を第２基板の最表面に当接し
て第１基板と第２基板とを対向した状態に貼り合わせ第
１基板と第２基板との間に液晶層を形成する際、各画素
の領域にて突起部による液晶分子の配向秩序の乱れを生
じさせることもない。したがって、ギャップ寸法が高精
度にかつ均一に調整された上記発明の液晶パネルが実現
される。
【００２０】さらに平坦化膜および突起部を有機材料で
形成すれば、例えば第１基板や第２基板がガラス基板か
らなり、第２基板に有機材料からなるマイクロレンズ等
が設けられていても、液晶パネルの製造時に加わる熱に
起因して発生する第１基板側と第２基板側との歪み等差
を小さく抑えられる。よって、ギャップ寸法の高精度な
調整を容易に行える。
形成すれば、例えば第１基板や第２基板がガラス基板か
らなり、第２基板に有機材料からなるマイクロレンズ等
が設けられていても、液晶パネルの製造時に加わる熱に
起因して発生する第１基板側と第２基板側との歪み等差
を小さく抑えられる。よって、ギャップ寸法の高精度な
調整を容易に行える。
【００２１】さらに本発明の液晶表示装置では、上記発
明の液晶パネルを備えていることから、この発明の液晶
パネルと同様の作用が得られる。
明の液晶パネルを備えていることから、この発明の液晶
パネルと同様の作用が得られる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の液晶表示装置に備え
られた液晶パネルの一実施形態を示す要部断面図であ
り、例えば透過型の液晶表示装置の液晶パネルの例を示
したものである。また図２は実施形態に係る液晶パネル
を構成する第１基板側を示した平面図である。
基づいて説明する。図１は本発明の液晶表示装置に備え
られた液晶パネルの一実施形態を示す要部断面図であ
り、例えば透過型の液晶表示装置の液晶パネルの例を示
したものである。また図２は実施形態に係る液晶パネル
を構成する第１基板側を示した平面図である。
【００２３】本実施形態に係る透過型の液晶表示装置
は、図１に示す液晶パネル１と、駆動用（ＬＳＩ）ドラ
イバー（図示略）と、液晶パネル１の光が入射する側
（前面側）と反対の側（背面側）に設けられた照明（バ
ックライト）等を備えて構成され、背面側から液晶パネ
ル１に入射した光を出射して表示するものである。
は、図１に示す液晶パネル１と、駆動用（ＬＳＩ）ドラ
イバー（図示略）と、液晶パネル１の光が入射する側
（前面側）と反対の側（背面側）に設けられた照明（バ
ックライト）等を備えて構成され、背面側から液晶パネ
ル１に入射した光を出射して表示するものである。
【００２４】液晶パネル１は、図１に示すように所定の
間隔をあけて対向配置された一対の基板である第１基板
２および第２基板３と、これら第１基板２と第２基板３
との間に設けられた液晶層４とを備えて構成されてい
る。この液晶パネル１では、多数の画素がマトリクス状
に設けられて有効画素部が形成されており、有効画素部
にて隣合う画素の間が遮光領域とされている。
間隔をあけて対向配置された一対の基板である第１基板
２および第２基板３と、これら第１基板２と第２基板３
との間に設けられた液晶層４とを備えて構成されてい
る。この液晶パネル１では、多数の画素がマトリクス状
に設けられて有効画素部が形成されており、有効画素部
にて隣合う画素の間が遮光領域とされている。
【００２５】すなわち、第１基板２においては、例えば
ガラス等の透光性を有する絶縁基板５の液晶層４側に、
複数のゲート配線１０がそれぞれ間隔をあけて略平行に
配置され、また複数の信号配線１１がゲート配線１０と
は略直交する方向に間隔をあけて配置されている。ま
た、ゲート配線１０と信号配線１１とにより囲まれた矩
形の各領域内には、ゲート配線１０と信号配線１１とが
交差する付近に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる
液晶駆動用のスイッチング素子６が形成されているとと
もに、矩形の各領域をほぼ覆うように画素電極１９が設
けられている。
ガラス等の透光性を有する絶縁基板５の液晶層４側に、
複数のゲート配線１０がそれぞれ間隔をあけて略平行に
配置され、また複数の信号配線１１がゲート配線１０と
は略直交する方向に間隔をあけて配置されている。ま
た、ゲート配線１０と信号配線１１とにより囲まれた矩
形の各領域内には、ゲート配線１０と信号配線１１とが
交差する付近に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる
液晶駆動用のスイッチング素子６が形成されているとと
もに、矩形の各領域をほぼ覆うように画素電極１９が設
けられている。
【００２６】このように第１基板２では、有効画素部に
おいて多数の画素電極１９が各々独立してマトリクス状
に配列され、各画素電極１９の配置部分が概ね画素の領
域となっている。
おいて多数の画素電極１９が各々独立してマトリクス状
に配列され、各画素電極１９の配置部分が概ね画素の領
域となっている。
【００２７】スイッチング素子６は、第１基板２の液晶
層４側の面に形成された島状の半導体層７と、半導体層
７上にゲート絶縁膜８を介して形成されたゲート電極９
と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４とを有して構
成される。半導体層７は、トランジスタのソース，ドレ
インを構成するもので、例えばａ−ＳｉやPoly−Ｓｉか
らなっている。またゲート電極９は、絶縁基板５の液晶
層４側の面に形成されたゲート配線１０に接続する状態
で形成されている。
層４側の面に形成された島状の半導体層７と、半導体層
７上にゲート絶縁膜８を介して形成されたゲート電極９
と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４とを有して構
成される。半導体層７は、トランジスタのソース，ドレ
インを構成するもので、例えばａ−ＳｉやPoly−Ｓｉか
らなっている。またゲート電極９は、絶縁基板５の液晶
層４側の面に形成されたゲート配線１０に接続する状態
で形成されている。
【００２８】なお、第１基板２の内面には、半導体層
７，ゲート絶縁膜８，ゲート電極９およびゲート配線１
０を覆う状態で例えば無機材料からなる第１層間絶縁膜
１２が形成されている。そして、ソース電極１３，ドレ
イン電極１４はそれぞれ、第１層間絶縁膜１２に形成さ
れたコンタクト部（図示略）を介して半導体層７のソー
ス，ドレインに接続された状態で第１層間絶縁膜１２上
に設けられている。また上記の信号配線１１も第１層間
絶縁膜１２上に形成されており、ソース電極１３はこの
信号配線１１と接続した状態に形成されている。
７，ゲート絶縁膜８，ゲート電極９およびゲート配線１
０を覆う状態で例えば無機材料からなる第１層間絶縁膜
１２が形成されている。そして、ソース電極１３，ドレ
イン電極１４はそれぞれ、第１層間絶縁膜１２に形成さ
れたコンタクト部（図示略）を介して半導体層７のソー
ス，ドレインに接続された状態で第１層間絶縁膜１２上
に設けられている。また上記の信号配線１１も第１層間
絶縁膜１２上に形成されており、ソース電極１３はこの
信号配線１１と接続した状態に形成されている。
【００２９】これら信号配線１１，ソース電極１３，ド
レイン電極１４や上記したゲート電極９、ゲート配線１
０は、第２基板３の液晶層４と反対側、つまり液晶パネ
ル１の背面側に配置されている照明から第２基板３に入
射する光を遮光する例えばアルミニウム（Ａｌ）の材料
で形成されたものとなっている。本実施形態においてこ
れらゲート配線１０や信号配線１１等は、後述のブラッ
クマトリクス１６に覆われる状態となるが、ブラックマ
トリクス１６が設けられない場合には、隣合う画素間
（画素電極１９間）を遮光する遮光領域を構成するもの
となる。
レイン電極１４や上記したゲート電極９、ゲート配線１
０は、第２基板３の液晶層４と反対側、つまり液晶パネ
ル１の背面側に配置されている照明から第２基板３に入
射する光を遮光する例えばアルミニウム（Ａｌ）の材料
で形成されたものとなっている。本実施形態においてこ
れらゲート配線１０や信号配線１１等は、後述のブラッ
クマトリクス１６に覆われる状態となるが、ブラックマ
トリクス１６が設けられない場合には、隣合う画素間
（画素電極１９間）を遮光する遮光領域を構成するもの
となる。
【００３０】第１層間絶縁膜１２上には、無機材料ある
いは有機材料からなる第２層間絶縁膜１５が、信号配線
１１，ソース電極１３およびドレイン電極１４を覆う状
態で形成されており、第２層間絶縁膜１５上にはスイッ
チング素子６への光の入射を遮断するためおよび蓄積容
量を構成するためのブラックマトリクス１６が設けられ
ている。ブラックマトリクス１６は、例えばチタン（Ｔ
ｉ）、タングステン（Ｗ），モニブデン（Ｍｏ）等の遮
光材料で形成されており、各ゲート配線１０に沿ってス
イッチング素子６，ゲート配線１０等を覆う状態に設け
られている。
いは有機材料からなる第２層間絶縁膜１５が、信号配線
１１，ソース電極１３およびドレイン電極１４を覆う状
態で形成されており、第２層間絶縁膜１５上にはスイッ
チング素子６への光の入射を遮断するためおよび蓄積容
量を構成するためのブラックマトリクス１６が設けられ
ている。ブラックマトリクス１６は、例えばチタン（Ｔ
ｉ）、タングステン（Ｗ），モニブデン（Ｍｏ）等の遮
光材料で形成されており、各ゲート配線１０に沿ってス
イッチング素子６，ゲート配線１０等を覆う状態に設け
られている。
【００３１】したがって、信号配線１１およびブラック
マトリクス１６により、隣合う画素の間（画素電極１９
間）を遮光する遮光領域が構成されている。またブラッ
クマトリクス１５は、第２層間絶縁膜１５に形成された
コンタクトホール（図示略）を介してドレイン電極１４
に接続されている。
マトリクス１６により、隣合う画素の間（画素電極１９
間）を遮光する遮光領域が構成されている。またブラッ
クマトリクス１５は、第２層間絶縁膜１５に形成された
コンタクトホール（図示略）を介してドレイン電極１４
に接続されている。
【００３２】第２層間絶縁膜１５上には、ブラックマト
リクス１６を覆うようにして、液晶層４側の表面が平坦
な絶縁性の平坦化膜１７が形成されており、平坦化膜１
７の液晶層４側の表面には、有効画素部における遮光領
域の位置に柱状の突起部１８が形成されている。本実施
形態では、平坦化膜１７の表面でかつブラックマトリク
ス１６の位置に突起部１８が形成された状態となってい
る。また平坦化膜１７には、ブラックマトリクス１６に
達するコンタクトホール１７ａが形成されている。
リクス１６を覆うようにして、液晶層４側の表面が平坦
な絶縁性の平坦化膜１７が形成されており、平坦化膜１
７の液晶層４側の表面には、有効画素部における遮光領
域の位置に柱状の突起部１８が形成されている。本実施
形態では、平坦化膜１７の表面でかつブラックマトリク
ス１６の位置に突起部１８が形成された状態となってい
る。また平坦化膜１７には、ブラックマトリクス１６に
達するコンタクトホール１７ａが形成されている。
【００３３】突起部１８は、第２基板３の液晶層４側の
最表面に当接して第１基板２と第２基板３との間に所定
寸法の間隔（ギャップ）を形成するためのものである。
したがって、第１基板２と第２基板３との間に所定寸法
のギャップを形成でき、かつそのギャップ寸法を維持で
きる強度を有する形状、寸法に形成されている。換言す
ると、形状については、このような条件を満たしていれ
ば、平面視した状態で略正方形や略長方形をなす角柱
や、平面視した状態で略円形をなす円柱等の様々な形状
を採用することができる。
最表面に当接して第１基板２と第２基板３との間に所定
寸法の間隔（ギャップ）を形成するためのものである。
したがって、第１基板２と第２基板３との間に所定寸法
のギャップを形成でき、かつそのギャップ寸法を維持で
きる強度を有する形状、寸法に形成されている。換言す
ると、形状については、このような条件を満たしていれ
ば、平面視した状態で略正方形や略長方形をなす角柱
や、平面視した状態で略円形をなす円柱等の様々な形状
を採用することができる。
【００３４】また突起部１８の寸法については、高さが
第１基板２と第２基板３との間に形成するギャップの寸
法に等しい寸法であり、かつ縦横（または径）がそのギ
ャップ寸法を維持できる強度を保てる寸法であるととも
に、平面視した状態における面積が、突起部１８を設け
た遮光領域（ブラックマトリクス１６）の面積のほぼ半
分以下となるように設定されている。上限値をこのよう
に設定するのは、ドメイン・ディスクリネーションの影
響を無くすためである。
第１基板２と第２基板３との間に形成するギャップの寸
法に等しい寸法であり、かつ縦横（または径）がそのギ
ャップ寸法を維持できる強度を保てる寸法であるととも
に、平面視した状態における面積が、突起部１８を設け
た遮光領域（ブラックマトリクス１６）の面積のほぼ半
分以下となるように設定されている。上限値をこのよう
に設定するのは、ドメイン・ディスクリネーションの影
響を無くすためである。
【００３５】突起部１８を平面視したときの面積が、ブ
ラックマトリクス１６の面積のほぼ半分となるのは、例
えばスイッチング素子６の半導体層７が高温条件のPoly
Ｓｉで形成され、ブラックマトリクス１６が平面視略長
方形をなしてその短辺の寸法Ｌdarkが１０μｍ〜２０μ
ｍ程度であると、突起部１８が平面視略正方形の場合に
は、その一辺の寸法Ｌs がＬdarkの１／２以下の約７μ
ｍ以下となり、突起部１８が平面視略円形の場合には、
その直径の寸法Ｌs が約９μｍ〜１０μｍ以下となる。
ラックマトリクス１６の面積のほぼ半分となるのは、例
えばスイッチング素子６の半導体層７が高温条件のPoly
Ｓｉで形成され、ブラックマトリクス１６が平面視略長
方形をなしてその短辺の寸法Ｌdarkが１０μｍ〜２０μ
ｍ程度であると、突起部１８が平面視略正方形の場合に
は、その一辺の寸法Ｌs がＬdarkの１／２以下の約７μ
ｍ以下となり、突起部１８が平面視略円形の場合には、
その直径の寸法Ｌs が約９μｍ〜１０μｍ以下となる。
【００３６】また、例えばスイッチング素子６の半導体
層７が低温条件のPolyＳｉあるいはａ−Ｓｉで形成さ
れ、ブラックマトリクス１６が平面視略長方形をなして
その短辺の寸法Ｌdarkが１５μｍ〜６０μｍ程度である
と、突起部１８が平面視略正方形の場合には、その一辺
の寸法Ｌs がＬdarkの１／２以下の約２５μｍ以下とな
り、突起部１８が平面視略円形の場合には、その直径の
寸法Ｌs が約３０μｍ以下となる。
層７が低温条件のPolyＳｉあるいはａ−Ｓｉで形成さ
れ、ブラックマトリクス１６が平面視略長方形をなして
その短辺の寸法Ｌdarkが１５μｍ〜６０μｍ程度である
と、突起部１８が平面視略正方形の場合には、その一辺
の寸法Ｌs がＬdarkの１／２以下の約２５μｍ以下とな
り、突起部１８が平面視略円形の場合には、その直径の
寸法Ｌs が約３０μｍ以下となる。
【００３７】上記の突起部１８は、平坦化膜１７と同じ
材料で形成されている。平坦化膜１７および突起部１８
を構成する材料としては、平坦化膜１７の表面を容易に
平坦に形成可能であるとともに、その表面に突起部１８
を容易にかつ一体的に形成可能な材料、例えば有機材料
が採用される。この有機材料の一例としては、感光性ま
たは非感光性のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂
を主成分とする材料が挙げられる。本実施形態では、そ
のような有機材料にネガティブ型の感光性のアクリル樹
脂を用いて平坦化膜１７および突起部１８が構成されて
いる。
材料で形成されている。平坦化膜１７および突起部１８
を構成する材料としては、平坦化膜１７の表面を容易に
平坦に形成可能であるとともに、その表面に突起部１８
を容易にかつ一体的に形成可能な材料、例えば有機材料
が採用される。この有機材料の一例としては、感光性ま
たは非感光性のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂
を主成分とする材料が挙げられる。本実施形態では、そ
のような有機材料にネガティブ型の感光性のアクリル樹
脂を用いて平坦化膜１７および突起部１８が構成されて
いる。
【００３８】また、有効画素部を避けたパネル周縁部位
置の平坦化膜１７の表面には、上記突起部１８と同様に
構成された他の突起部（図示略）が形成されている。こ
の他の突起部は、第１基板２のスイッチング素子６が第
２基板３の後述する対向電極との間でコモン電位をとる
ためのコモン電極部の構成要素となるものとなる。
置の平坦化膜１７の表面には、上記突起部１８と同様に
構成された他の突起部（図示略）が形成されている。こ
の他の突起部は、第１基板２のスイッチング素子６が第
２基板３の後述する対向電極との間でコモン電位をとる
ためのコモン電極部の構成要素となるものとなる。
【００３９】このような突起部１８および他の突起部が
形成された平坦化膜１７の表面には、各画素の画素電極
１９が、コンタクトホール１７ａの内面を覆う一方、突
起部１８を覆うことなく形成されている。また有効画素
部を避けたパネル周縁部において平坦化膜１７の表面に
は、他の突起部の上面および側面を覆う状態で画素電極
１９と同様の材料からなる導電膜が形成され、他の突起
部とこの導電膜とから上述のコモン電極部が構成されて
いる。画素電極１９およびコモン電極部の導電膜は、Ｉ
ＴＯ膜からなる透明導電膜で形成されている。さらに、
平坦化膜１７の表面には、コモン電極部を除いて画素電
極１９等を覆う状態に配向膜（図示略）が設けられてい
る。
形成された平坦化膜１７の表面には、各画素の画素電極
１９が、コンタクトホール１７ａの内面を覆う一方、突
起部１８を覆うことなく形成されている。また有効画素
部を避けたパネル周縁部において平坦化膜１７の表面に
は、他の突起部の上面および側面を覆う状態で画素電極
１９と同様の材料からなる導電膜が形成され、他の突起
部とこの導電膜とから上述のコモン電極部が構成されて
いる。画素電極１９およびコモン電極部の導電膜は、Ｉ
ＴＯ膜からなる透明導電膜で形成されている。さらに、
平坦化膜１７の表面には、コモン電極部を除いて画素電
極１９等を覆う状態に配向膜（図示略）が設けられてい
る。
【００４０】一方、第２基板３では、例えばガラス等の
透光性を有する絶縁基板２０の液晶層４側に、絶縁基板
２０のほぼ前面に対向電極２１が形成され、さらに対向
電極２１上に配向膜（図示略）が設けられている。対向
電極２１は、例えばＩＴＯ膜からなる透明導電膜で形成
されている。
透光性を有する絶縁基板２０の液晶層４側に、絶縁基板
２０のほぼ前面に対向電極２１が形成され、さらに対向
電極２１上に配向膜（図示略）が設けられている。対向
電極２１は、例えばＩＴＯ膜からなる透明導電膜で形成
されている。
【００４１】そして、液晶パネル１では、第１基板２と
第２基板３とが、第１基板２の突起部１８を第２基板３
の液晶層４側の最表面である配向膜に当接させた状態で
液晶層４を挟んで対向配置されている。
第２基板３とが、第１基板２の突起部１８を第２基板３
の液晶層４側の最表面である配向膜に当接させた状態で
液晶層４を挟んで対向配置されている。
【００４２】次に、上記のごとく構成される液晶パネル
１の製造に基づき、本発明に係る液晶パネルの製造方法
の一実施形態を説明する。図３（ａ）〜（ｄ）および図
４（ｅ），（ｆ）は、実施形態の液晶パネル１の製造方
法を工程順に示す要部断面図である。
１の製造に基づき、本発明に係る液晶パネルの製造方法
の一実施形態を説明する。図３（ａ）〜（ｄ）および図
４（ｅ），（ｆ）は、実施形態の液晶パネル１の製造方
法を工程順に示す要部断面図である。
【００４３】液晶パネル１を製造するにあたっては、ま
ず既知の技術によって、図３（ａ）に示すように、絶縁
基板５の液晶層４側となる一面側にスイッチング素子６
の半導体層７，ゲート絶縁膜８，ゲート電極９，ゲート
配線１０（図２参照）を形成し、これらを覆う状態で絶
縁基板５の一面側に第１層間絶縁膜１２を形成する。続
いて、第１層間絶縁膜１２上にソース電極１３，ドレイ
ン電極１４，信号配線１１（図２参照）を形成する。こ
のことにより、有効画素部の各画素の領域にスイッチン
グ素子６が設けられる。
ず既知の技術によって、図３（ａ）に示すように、絶縁
基板５の液晶層４側となる一面側にスイッチング素子６
の半導体層７，ゲート絶縁膜８，ゲート電極９，ゲート
配線１０（図２参照）を形成し、これらを覆う状態で絶
縁基板５の一面側に第１層間絶縁膜１２を形成する。続
いて、第１層間絶縁膜１２上にソース電極１３，ドレイ
ン電極１４，信号配線１１（図２参照）を形成する。こ
のことにより、有効画素部の各画素の領域にスイッチン
グ素子６が設けられる。
【００４４】さらに図３（ｂ）に示すように、第１層間
絶縁膜１２上にソース電極１３，ドレイン電極１４，信
号配線１１を覆う状態で第２層間絶縁膜１５を形成し、
第２層間絶縁膜１５上に例えばスパッタリング，フォト
リソグラフィ，エッチングの技術によりブラックマトリ
クス１６を形成する。
絶縁膜１２上にソース電極１３，ドレイン電極１４，信
号配線１１を覆う状態で第２層間絶縁膜１５を形成し、
第２層間絶縁膜１５上に例えばスパッタリング，フォト
リソグラフィ，エッチングの技術によりブラックマトリ
クス１６を形成する。
【００４５】次いで、図３（ｃ）および（ｄ）に示すよ
うに、平坦化膜１７および突起部１８を形成する工程を
行う。本実施形態では、例えば平坦化膜１７および突起
部１８の材料にネガティブ型の感光性を有するアクリル
樹脂を用い、スピンコート技術によって、ブラックマト
リクス１６を覆うようにして第２層間絶縁膜１５上に表
面が平坦となる膜厚、例えば５μｍ程度の膜みの樹脂材
料膜２２を形成する。
うに、平坦化膜１７および突起部１８を形成する工程を
行う。本実施形態では、例えば平坦化膜１７および突起
部１８の材料にネガティブ型の感光性を有するアクリル
樹脂を用い、スピンコート技術によって、ブラックマト
リクス１６を覆うようにして第２層間絶縁膜１５上に表
面が平坦となる膜厚、例えば５μｍ程度の膜みの樹脂材
料膜２２を形成する。
【００４６】続いて、図３（ｄ）に示すように、平坦化
膜１７のコンタクトホール１７ａを形成する箇所に遮光
パターン３１を有するとともに、突起部１８を形成する
ブラックマトリクス１６の直上位置に開口パターン３２
を有し、その他の平坦な面を形成する箇所がハーフトー
ンのパターン３３からなるマスク３０を用い、フォトリ
ソグラフィによって、樹脂材料膜２２からなる平坦化膜
１７と、ブラックマトリクス１６に達するコンタクトホ
ール１７ａと、樹脂材料膜２２からなる突起部１８とを
同時に形成する。
膜１７のコンタクトホール１７ａを形成する箇所に遮光
パターン３１を有するとともに、突起部１８を形成する
ブラックマトリクス１６の直上位置に開口パターン３２
を有し、その他の平坦な面を形成する箇所がハーフトー
ンのパターン３３からなるマスク３０を用い、フォトリ
ソグラフィによって、樹脂材料膜２２からなる平坦化膜
１７と、ブラックマトリクス１６に達するコンタクトホ
ール１７ａと、樹脂材料膜２２からなる突起部１８とを
同時に形成する。
【００４７】本実施形態のフォトリソグラフィでは、例
えば紫外線による多重露光を行った後、現像、ポストベ
ークを経て平坦化膜１７，コンタクトホール１７ａおよ
び突起部１８を得る。その際、ギャップ寸法となる突起
部１８の高さを、例えば３μｍ〜４μｍ程度に形成す
る。
えば紫外線による多重露光を行った後、現像、ポストベ
ークを経て平坦化膜１７，コンタクトホール１７ａおよ
び突起部１８を得る。その際、ギャップ寸法となる突起
部１８の高さを、例えば３μｍ〜４μｍ程度に形成す
る。
【００４８】なお、平坦化膜１７および突起部１８の形
成は、これらの材料に非感光性のアクリル樹脂を用い、
エッチングの技術によって行ってもよい。その場合に
は、例えば、上記と同様に樹脂材料膜２２を形成した
後、樹脂材料膜２２上にレジストパターンを形成する。
そして、レジストパターンをマスクとしたドライエッチ
ングを行うことにより、平坦化膜１７，コンタクトホー
ル１７ａおよび突起部１８を形成可能である。このドラ
イエッチングで用いるエッチングガスとしては、例えば
テトラフロロメタン（ＣＦ4 ）および酸素（Ｏ2 ）の混
合ガスが挙げられる。
成は、これらの材料に非感光性のアクリル樹脂を用い、
エッチングの技術によって行ってもよい。その場合に
は、例えば、上記と同様に樹脂材料膜２２を形成した
後、樹脂材料膜２２上にレジストパターンを形成する。
そして、レジストパターンをマスクとしたドライエッチ
ングを行うことにより、平坦化膜１７，コンタクトホー
ル１７ａおよび突起部１８を形成可能である。このドラ
イエッチングで用いるエッチングガスとしては、例えば
テトラフロロメタン（ＣＦ4 ）および酸素（Ｏ2 ）の混
合ガスが挙げられる。
【００４９】次に、図４（ｅ）に示すように、例えばス
パッタリング技術によって、コンタクトホール１７ａの
内面と、コモン電極部を構成する他の突起部の上面およ
び側面を覆う一方、突起部１８を覆うことなくＩＴＯ膜
を形成する。そして、フォトフォトリソグラフィおよび
エッチングの技術によってＩＴＯ膜をパターニングして
画素電極１９を形成する。さらに、平坦化膜１７の表面
に、コモン電極部を除いて画素電極１９等を覆う状態に
配向膜（図示略）を形成する。以上の工程によって、画
素電極１９がマトリクス状に配置された第１基板２が作
製される。
パッタリング技術によって、コンタクトホール１７ａの
内面と、コモン電極部を構成する他の突起部の上面およ
び側面を覆う一方、突起部１８を覆うことなくＩＴＯ膜
を形成する。そして、フォトフォトリソグラフィおよび
エッチングの技術によってＩＴＯ膜をパターニングして
画素電極１９を形成する。さらに、平坦化膜１７の表面
に、コモン電極部を除いて画素電極１９等を覆う状態に
配向膜（図示略）を形成する。以上の工程によって、画
素電極１９がマトリクス状に配置された第１基板２が作
製される。
【００５０】その後は、図４（ｆ）に示すように、予め
既知の技術によって、絶縁基板２０の液晶層４側となる
一面側に対向電極２１と、配向膜（図示略）とが設けら
れて作製された第２基板３を用意し、この第２基板３と
上記のごとく作製された第１基板２とを、第１基板２の
突起部１８を第２基板３の液晶層４側の最表面である配
向膜に当接させた状態で対向配置し、液晶の注入口をあ
けて第１基板２および第２基板３の周縁部を貼り合わせ
る。そして、突起部１８により形成されたギャップに、
注入口から液晶を注入して液晶層４を形成し、注入口を
封止することにより液晶パネル１が製造される。
既知の技術によって、絶縁基板２０の液晶層４側となる
一面側に対向電極２１と、配向膜（図示略）とが設けら
れて作製された第２基板３を用意し、この第２基板３と
上記のごとく作製された第１基板２とを、第１基板２の
突起部１８を第２基板３の液晶層４側の最表面である配
向膜に当接させた状態で対向配置し、液晶の注入口をあ
けて第１基板２および第２基板３の周縁部を貼り合わせ
る。そして、突起部１８により形成されたギャップに、
注入口から液晶を注入して液晶層４を形成し、注入口を
封止することにより液晶パネル１が製造される。
【００５１】このように上記の実施形態の製造方法で
は、第１基板２の液晶層４側に平坦化膜１７を形成する
とともに、平坦化膜１７と同じ材料を用いて突起部１８
を形成するので、従来行っていたギャップ調整のための
スペーサの塗布工程が不要である。また、突起部１８と
同様に構成されてコモン電極部となる他の突起部も、平
坦化膜１７および突起部１８の形成に兼ねて行うことが
できる。しかも、平坦化膜１７の表面への画素電極１９
の形成に兼ねて、他の突起部１９を覆う導電膜を形成で
きるため、コモン電極部用の導電ペーストを塗布する工
程を行う必要もない。したがって、従来に比較して製造
工程数を大幅に削減でき、低コストで液晶パネル１を製
造することができる。
は、第１基板２の液晶層４側に平坦化膜１７を形成する
とともに、平坦化膜１７と同じ材料を用いて突起部１８
を形成するので、従来行っていたギャップ調整のための
スペーサの塗布工程が不要である。また、突起部１８と
同様に構成されてコモン電極部となる他の突起部も、平
坦化膜１７および突起部１８の形成に兼ねて行うことが
できる。しかも、平坦化膜１７の表面への画素電極１９
の形成に兼ねて、他の突起部１９を覆う導電膜を形成で
きるため、コモン電極部用の導電ペーストを塗布する工
程を行う必要もない。したがって、従来に比較して製造
工程数を大幅に削減でき、低コストで液晶パネル１を製
造することができる。
【００５２】また実施形態の製造方法では、突起部１８
の材料に平坦化膜１７と同様の材料を用いることから、
高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを用い
て、突起部１８を所要の高さおよび所要の形状に高精度
に形成可能できる。また所要の密度に形成することがで
きる。さらに、平坦性に優れた平坦膜１７も形成可能で
ある。
の材料に平坦化膜１７と同様の材料を用いることから、
高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを用い
て、突起部１８を所要の高さおよび所要の形状に高精度
に形成可能できる。また所要の密度に形成することがで
きる。さらに、平坦性に優れた平坦膜１７も形成可能で
ある。
【００５３】さらに、突起部１８を平坦化膜１７の表面
にてブラックマトリクス１６の直上に形成するので、そ
の後の工程にて、突起部１８を第２基板３の最表面に当
接して第１基板２と第２基板３とを対向した状態に貼り
合わせ、これらのギャップに液晶層４を形成する際、各
画素の領域にて突起部１８による液晶分子の配向秩序の
乱れが生じることもない。よって、液晶層４における液
晶分子の配向性の向上を図ることができる。
にてブラックマトリクス１６の直上に形成するので、そ
の後の工程にて、突起部１８を第２基板３の最表面に当
接して第１基板２と第２基板３とを対向した状態に貼り
合わせ、これらのギャップに液晶層４を形成する際、各
画素の領域にて突起部１８による液晶分子の配向秩序の
乱れが生じることもない。よって、液晶層４における液
晶分子の配向性の向上を図ることができる。
【００５４】またブラックマトリクス１６の直上位置に
突起部１８を形成するため、画素サイズを小さく形成す
る場合にも、表示品質の低下を回避することができる。
よって、いかなる画素サイズであっても、ギャップ寸法
が高精度にかつ均一に調整されて表示品質の高い液晶パ
ネル１を製造できる。
突起部１８を形成するため、画素サイズを小さく形成す
る場合にも、表示品質の低下を回避することができる。
よって、いかなる画素サイズであっても、ギャップ寸法
が高精度にかつ均一に調整されて表示品質の高い液晶パ
ネル１を製造できる。
【００５５】また上記実施形態の液晶パネル１では、平
坦化膜１７の表面でかつブラックマトリクス１６の直上
位置に、第２基板３の液晶層４側の最表面に当接して第
１基板２と第２基板３との間に所定のギャップを形成す
る突起部１９が設けられているので、各画素の領域にて
突起部１８による液晶分子の配向秩序の乱れが生じるこ
となく、画素サイズが小さくても突起部１８による表示
品質の低下が抑えられたものとなる。
坦化膜１７の表面でかつブラックマトリクス１６の直上
位置に、第２基板３の液晶層４側の最表面に当接して第
１基板２と第２基板３との間に所定のギャップを形成す
る突起部１９が設けられているので、各画素の領域にて
突起部１８による液晶分子の配向秩序の乱れが生じるこ
となく、画素サイズが小さくても突起部１８による表示
品質の低下が抑えられたものとなる。
【００５６】また液晶パネル１では、突起部１８および
コモン電極部を構成する他の突起部が、平坦化膜１７の
表面に平坦化膜１７と同じ材料で形成されていることか
ら、上記実施形態の製造方法のように平坦化膜１７の形
成に兼ねて突起部１８および他の突起部を形成すること
ができる。また画素電極１９と同じ材料によりコモン電
極部の導電部が形成されているので、画素電極１９の形
成に兼ねてこの導電部の形成も行うことができる。した
がって、従来に比較して生産性を向上でき、低コストで
製造できるものとなる。
コモン電極部を構成する他の突起部が、平坦化膜１７の
表面に平坦化膜１７と同じ材料で形成されていることか
ら、上記実施形態の製造方法のように平坦化膜１７の形
成に兼ねて突起部１８および他の突起部を形成すること
ができる。また画素電極１９と同じ材料によりコモン電
極部の導電部が形成されているので、画素電極１９の形
成に兼ねてこの導電部の形成も行うことができる。した
がって、従来に比較して生産性を向上でき、低コストで
製造できるものとなる。
【００５７】さらに突起部１８は、平坦化膜１７と同様
の材料にて形成されて、上記実施形態の製造方法のよう
に、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを
用いて、所要の高さおよび所要の形状に高精度に形成可
能であるとともに所要の密度で形成可能なものである。
よって、スペーサを用いた場合に比較してより高精度に
ギャップ寸法が調整され、かつギャップ寸法の均一性が
向上した高表示品質でかつ低コストで製造される液晶パ
ネル１を実現できる。
の材料にて形成されて、上記実施形態の製造方法のよう
に、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを
用いて、所要の高さおよび所要の形状に高精度に形成可
能であるとともに所要の密度で形成可能なものである。
よって、スペーサを用いた場合に比較してより高精度に
ギャップ寸法が調整され、かつギャップ寸法の均一性が
向上した高表示品質でかつ低コストで製造される液晶パ
ネル１を実現できる。
【００５８】また本実施形態の透過型の液晶表示装置に
よれば、このような液晶パネル１を備えていることによ
り、表示品質の向上とともに製造コストの低減を図るこ
とができる。
よれば、このような液晶パネル１を備えていることによ
り、表示品質の向上とともに製造コストの低減を図るこ
とができる。
【００５９】なお、上記実施形態では、透過型の液晶表
示装置に備えられる液晶パネルについて述べたが、本発
明はこの例に限定されない。例えば反射型の液晶表示装
置や強誘電性液晶を用いた液晶表示装置にも本発明を適
用可能であるのもちろんである。このうち例えば反射型
の液晶表示装置は、バックライト方式の照明を用いず、
外光のみを利用するものであり、例えば上記実施形態の
画素電極が反射板を兼ねて例えばＡｌ等で形成され、第
２基板の液晶層と反対の側から入射した光を画素電極に
より反射させて表示するものである。
示装置に備えられる液晶パネルについて述べたが、本発
明はこの例に限定されない。例えば反射型の液晶表示装
置や強誘電性液晶を用いた液晶表示装置にも本発明を適
用可能であるのもちろんである。このうち例えば反射型
の液晶表示装置は、バックライト方式の照明を用いず、
外光のみを利用するものであり、例えば上記実施形態の
画素電極が反射板を兼ねて例えばＡｌ等で形成され、第
２基板の液晶層と反対の側から入射した光を画素電極に
より反射させて表示するものである。
【００６０】よって、ブラックマトリクスが不要となる
ことから、反射型の液晶表示装置に本発明を適用する場
合には、平坦化膜１７の表面でかつ有効画素部にてブラ
ックマトリクス以外の遮光領域、例えば図５に示すよう
に平坦化膜１７の表面でかつＡｌ等の遮光材料からなる
ゲート配線１０と信号配線１１とが交差する位置等に突
起部１８が形成されることになる。そして、突起部１８
を避けた状態に反射板を兼ねた画素電極２３が形成され
る。
ことから、反射型の液晶表示装置に本発明を適用する場
合には、平坦化膜１７の表面でかつ有効画素部にてブラ
ックマトリクス以外の遮光領域、例えば図５に示すよう
に平坦化膜１７の表面でかつＡｌ等の遮光材料からなる
ゲート配線１０と信号配線１１とが交差する位置等に突
起部１８が形成されることになる。そして、突起部１８
を避けた状態に反射板を兼ねた画素電極２３が形成され
る。
【００６１】また上記実施形態では、第２基板３の液晶
層４側に対向電極２１および配向膜が設けられている例
を述べたが、その他に、カラーフィルターおよびマイク
ロレンズのうちの少なくとも一方が設けられた構成とし
てもよい。例えば図６（ａ），（ｂ）に示すごとく第２
基板３の絶縁膜２０の液晶層４側に、平面視略四角形状
のマイクロレンズ２４が各画素の領域毎に設けられてい
る場合には、マイクロレンズ２４のコーナー位置となる
ブラックマトリクス１６と信号配線１１との交差する位
置に突起部１８（図６（ｂ）にてハッチングで示す）を
設けることができる。
層４側に対向電極２１および配向膜が設けられている例
を述べたが、その他に、カラーフィルターおよびマイク
ロレンズのうちの少なくとも一方が設けられた構成とし
てもよい。例えば図６（ａ），（ｂ）に示すごとく第２
基板３の絶縁膜２０の液晶層４側に、平面視略四角形状
のマイクロレンズ２４が各画素の領域毎に設けられてい
る場合には、マイクロレンズ２４のコーナー位置となる
ブラックマトリクス１６と信号配線１１との交差する位
置に突起部１８（図６（ｂ）にてハッチングで示す）を
設けることができる。
【００６２】また図７に示すように、第２基板３の絶縁
膜２０の液晶層４側に、平面視略六角形状のマイクロレ
ンズ２４が各画素の領域毎に設けられている場合には、
マイクロレンズ２４の頂点位置でかつブラックマトリク
ス１６の直上に突起部１８（図７にてハッチングで示
す）を設けることができる。
膜２０の液晶層４側に、平面視略六角形状のマイクロレ
ンズ２４が各画素の領域毎に設けられている場合には、
マイクロレンズ２４の頂点位置でかつブラックマトリク
ス１６の直上に突起部１８（図７にてハッチングで示
す）を設けることができる。
【００６３】このような位置に突起部１８が設けれた構
成では、マイクロレンズ２４による集光機能が突起部１
８により妨げられないため、集光率が向上し、しかも突
起部１８によりギャップ寸法が高精度にかつ均一に調整
された液晶パネル１を得ることができる。
成では、マイクロレンズ２４による集光機能が突起部１
８により妨げられないため、集光率が向上し、しかも突
起部１８によりギャップ寸法が高精度にかつ均一に調整
された液晶パネル１を得ることができる。
【００６４】また、第２基板３に上記したマイクロレン
ズ２４やカラーフィルターが設けられた液晶パネル１で
は、通常、第１基板２の絶縁基板５や第２基板３の絶縁
基板２０と熱膨張係数の異なる種類の例えば有機材料で
マイクロレンズ２４やカラーフィルターが形成されるこ
とが多い。しかしながら、平坦化膜１７および突起部１
８等を有機材料で形成すれば、液晶パネル１の製造時に
加わる熱に起因して発生する第１基板２側と第２基板３
側との歪み等差を小さく抑えることができる。
ズ２４やカラーフィルターが設けられた液晶パネル１で
は、通常、第１基板２の絶縁基板５や第２基板３の絶縁
基板２０と熱膨張係数の異なる種類の例えば有機材料で
マイクロレンズ２４やカラーフィルターが形成されるこ
とが多い。しかしながら、平坦化膜１７および突起部１
８等を有機材料で形成すれば、液晶パネル１の製造時に
加わる熱に起因して発生する第１基板２側と第２基板３
側との歪み等差を小さく抑えることができる。
【００６５】したがって、ギャップ寸法の高精度な調整
を容易に行うことができるので、本発明は、第１基板や
第２基板の絶縁基板と異種材料からなるマイクロレンズ
やカラーフィルター等を備えた第２基板を有する液晶パ
ネルに特に有効となる。
を容易に行うことができるので、本発明は、第１基板や
第２基板の絶縁基板と異種材料からなるマイクロレンズ
やカラーフィルター等を備えた第２基板を有する液晶パ
ネルに特に有効となる。
【００６６】さらに上記実施形態では、平面視略四角形
状の柱状の突起部を設けた例を述べたが、例えば強誘電
性液晶を用いて大型の液晶パネルを構成した液晶表示装
置のようなものの場合には、図８に示すように平坦化膜
１７の表面にてブラックマトリクス１６の直上位置に細
長いライン状の突起部１８を、例えば隣合う信号配線１
１に亘って設けてもよい。なお、図８では画素電極の図
示を省略してある。
状の柱状の突起部を設けた例を述べたが、例えば強誘電
性液晶を用いて大型の液晶パネルを構成した液晶表示装
置のようなものの場合には、図８に示すように平坦化膜
１７の表面にてブラックマトリクス１６の直上位置に細
長いライン状の突起部１８を、例えば隣合う信号配線１
１に亘って設けてもよい。なお、図８では画素電極の図
示を省略してある。
【００６７】突起部１８がこのような形状に設けられて
いることにより、第１基板２と第２基板３との間のギャ
ップ寸法が、長期間に亘って所望の寸法に確実に維持さ
れる液晶パネル１を実現できるので、このような大型の
液晶パネルにも本発明は特に有効である。また、突起部
により高精度なギャップ寸法の設定を行える本発明は、
非常に厳しいギャップ調整が要求される強誘電性液晶を
用いた液晶パネルに特に有効となる。
いることにより、第１基板２と第２基板３との間のギャ
ップ寸法が、長期間に亘って所望の寸法に確実に維持さ
れる液晶パネル１を実現できるので、このような大型の
液晶パネルにも本発明は特に有効である。また、突起部
により高精度なギャップ寸法の設定を行える本発明は、
非常に厳しいギャップ調整が要求される強誘電性液晶を
用いた液晶パネルに特に有効となる。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る液晶パ
ネルによれば、平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置
に、第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１基板と
第２基板との間に所定の間隔を形成する突起部が形成さ
れた構成としたので、液晶分子の配向性を向上でき、画
素サイズが小さくても表示品質の向上を図れる。また突
起部が平坦化膜の表面にこの平坦化膜と同じ材料で形成
されていることにより、平坦化膜の形成に兼ねてスペー
サとしての突起部が形成可能であり、またコモン電極部
となる他の突起部も形成可能であるので、大幅な製造工
程数の削減を図ることができ、低コストで製造できる。
ネルによれば、平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置
に、第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１基板と
第２基板との間に所定の間隔を形成する突起部が形成さ
れた構成としたので、液晶分子の配向性を向上でき、画
素サイズが小さくても表示品質の向上を図れる。また突
起部が平坦化膜の表面にこの平坦化膜と同じ材料で形成
されていることにより、平坦化膜の形成に兼ねてスペー
サとしての突起部が形成可能であり、またコモン電極部
となる他の突起部も形成可能であるので、大幅な製造工
程数の削減を図ることができ、低コストで製造できる。
【００６９】さらに、突起部が平坦化膜と同様の材料に
て形成され、これにより高精度に微細加工可能な半導体
装置製造プロセスを用いて所要の形状に高精度にしかも
要の密度に形成できるため、高精度にギャップ寸法が調
整され、かつギャップ寸法の均一性が向上した液晶パネ
ルが実現することになる。また平坦化膜および突起部が
有機材料で形成されていれば、例えば第２基板にガラス
とは熱膨張係数の大きく異なる有機材料からなるマイク
ロレンズ等が設けられていた場合にも、ギャップ寸法の
高精度な調整を容易に行うとができる。
て形成され、これにより高精度に微細加工可能な半導体
装置製造プロセスを用いて所要の形状に高精度にしかも
要の密度に形成できるため、高精度にギャップ寸法が調
整され、かつギャップ寸法の均一性が向上した液晶パネ
ルが実現することになる。また平坦化膜および突起部が
有機材料で形成されていれば、例えば第２基板にガラス
とは熱膨張係数の大きく異なる有機材料からなるマイク
ロレンズ等が設けられていた場合にも、ギャップ寸法の
高精度な調整を容易に行うとができる。
【００７０】また本発明の液晶パネルの製造方法によれ
ば、第１基板の液晶層側に表面が平坦な平坦化膜を形成
すると同時に、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の
表面でかつ遮光領域の位置に突起部を形成するので、従
来に比較して生産性良く、低コストで液晶パネルを製造
できる。また突起部を平坦化膜と同様の材料で形成する
ので、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセス
を用いて、所要の高さ、所要の形状、所要の密度に突起
部を形成できるとともに、突起部を遮光領域の位置に形
成するため、各画素の領域にて突起部による液晶分子の
配向性を向上できる。したがって、ギャップ寸法が高精
度にかつ均一に調整された上記発明の液晶パネルを実現
できる。
ば、第１基板の液晶層側に表面が平坦な平坦化膜を形成
すると同時に、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の
表面でかつ遮光領域の位置に突起部を形成するので、従
来に比較して生産性良く、低コストで液晶パネルを製造
できる。また突起部を平坦化膜と同様の材料で形成する
ので、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセス
を用いて、所要の高さ、所要の形状、所要の密度に突起
部を形成できるとともに、突起部を遮光領域の位置に形
成するため、各画素の領域にて突起部による液晶分子の
配向性を向上できる。したがって、ギャップ寸法が高精
度にかつ均一に調整された上記発明の液晶パネルを実現
できる。
【００７１】さらに上記発明と同様、平坦化膜および突
起部を有機材料で形成すれば、第２基板にガラスとは熱
膨張係数の大きく異なる有機材料からなるマイクロレン
ズ等が設けられていた場合にも、ギャップ寸法の高精度
な調整を容易に行える効果も得られる。
起部を有機材料で形成すれば、第２基板にガラスとは熱
膨張係数の大きく異なる有機材料からなるマイクロレン
ズ等が設けられていた場合にも、ギャップ寸法の高精度
な調整を容易に行える効果も得られる。
【００７２】また本発明の液晶表示装置によれば、上記
発明の液晶パネルを備えていることから、この発明の液
晶パネルと同様、透過型や反射型等、どのような種類の
ものでも、ギャップ寸法が高精度かつ均一に調整された
表示品質の良好な液晶パネルを低コストで生産性良く製
造できる効果を得ることができる。
発明の液晶パネルを備えていることから、この発明の液
晶パネルと同様、透過型や反射型等、どのような種類の
ものでも、ギャップ寸法が高精度かつ均一に調整された
表示品質の良好な液晶パネルを低コストで生産性良く製
造できる効果を得ることができる。
【図１】本発明の液晶表示装置に備えられた液晶パネル
の一実施形態を示す要部断面図である。
の一実施形態を示す要部断面図である。
【図２】実施形態に係る液晶パネルを構成する第１基板
側を示した平面図である。
側を示した平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る液晶パネルの
製造方法の一実施形態を工程順に示す要部断面図（その
１）である。
製造方法の一実施形態を工程順に示す要部断面図（その
１）である。
【図４】（ｅ），（ｆ）は、本発明に係る液晶パネルの
製造方法の一実施形態を工程順に示す要部断面図（その
２）である。
製造方法の一実施形態を工程順に示す要部断面図（その
２）である。
【図５】本発明の液晶表示装置に備えられた液晶パネル
の他の実施形態を示す要部平面図である。
の他の実施形態を示す要部平面図である。
【図６】本発明の液晶表示装置に備えられた液晶パネル
の第２基板がマイクロレンズを有した場合の突起部形成
例を示す図であり、（ａ）は第２基板側の要部断面図、
（ｂ）は要部平面図である。
の第２基板がマイクロレンズを有した場合の突起部形成
例を示す図であり、（ａ）は第２基板側の要部断面図、
（ｂ）は要部平面図である。
【図７】図６とは異なる形状のマイクロレンズを有した
場合の突起部形成例を示す要部平面図である。
場合の突起部形成例を示す要部平面図である。
【図８】液晶パネルが大型のものの場合の突起部形成例
を示す要部平面図である。
を示す要部平面図である。
１…液晶パネル、２…第１基板、３…第２基板、４…液
晶層、５，２０…絶縁基板、１０…ゲート配線、１１…
信号配線、１６…ブラックマトリクス、１７…平坦化
膜、１８…突起部、２３…画素電極、２４…マイクロレ
ンズ
晶層、５，２０…絶縁基板、１０…ゲート配線、１１…
信号配線、１６…ブラックマトリクス、１７…平坦化
膜、１８…突起部、２３…画素電極、２４…マイクロレ
ンズ
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA11 LA12 MA03X NA14 QA12 QA14 RA13 TA02 TA05 TA09 TA12 TA13 TA16 2H091 FA02Y FA29X FA35Y FB08 GA02 GA03 GA07 GA08 GA13 HA12 LA12 LA30 2H092 GA05 HA04 JA46 JB56 JB58 KA04 KB25 MA05 NA27 NA29 PA03 PA07 PA09 QA13
Claims (20)
- 【請求項１】 所定の間隔をあけて対向配置された第１
基板と第２基板との間に液晶層が設けられ、前記第１基
板の液晶層側には該液晶層側の表面が平坦な平坦化膜が
設けられたものからなり、画素がマトリクス状に形成さ
れているとともに、隣合う画素の間が遮光領域とされた
液晶パネルにおいて、 前記平坦化膜の表面には、前記遮光領域の位置に、前記
第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１基板と第２
基板との間に所定の間隔を形成する突起部が、平坦化膜
と同じ材料で形成されてなることを特徴とする液晶パネ
ル。 - 【請求項２】 前記平坦化膜の表面には、各画素の領域
に、前記突起部を覆うことなく画素電極が形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。 - 【請求項３】 前記突起部は、これを平面視したときの
面積が前記遮光領域のほぼ半分以下となるように形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。 - 【請求項４】 前記第２基板の液晶層側には、カラーフ
ィルターおよびマイクロレンズのうち少なくとも一方が
設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶パ
ネル。 - 【請求項５】 前記画素がマトリクス状に形成されてな
る有効画素部を避けた位置の前記平坦化膜の表面には、
前記突起部と同様に構成された他の突起部と、前記他の
突起部を覆うように形成された導電膜とからなって、前
記第１基板が前記第２基板との間でコモン電位を取るコ
モン電極部が形成されていることを特徴とする請求項１
記載の液晶パネル。 - 【請求項６】 前記平坦化膜および突起部は、有機材料
で形成されてなることを特徴とする請求項１記載の液晶
パネル。 - 【請求項７】 前記有機材料は、感光性または非感光性
のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂を主成分とす
る材料からなることを特徴とする請求項６記載の液晶パ
ネル。 - 【請求項８】 第１基板と第２基板とを所定の間隔をあ
けて対向配置してこの第１基板と第２基板との間に液晶
層を設けてなり、画素をマトリクス状に形成しかつ隣合
う画素の間を遮光領域とした液晶パネルを製造する方法
であって、 絶縁基板の一面側に、表面が平坦な平坦化膜を形成する
とともに、該平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表
面でかつ遮光領域の位置に突起部を形成して前記第１基
板を得る工程と、 前記突起部を前記第２基板の最表面に当接して前記第１
基板と前記第２基板とを対向した状態に貼り合わせる工
程とを有することを特徴とする液晶パネルの製造方法。 - 【請求項９】 前記平坦化膜および突起部の形成工程の
後でかつ前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる
工程の前に、前記平坦化膜の表面でかつ各画素を形成す
る領域に、前記突起部を避けた状態に画素電極を形成す
る工程を行うことを特徴とする請求項８記載の液晶パネ
ルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記第２基板には、その液晶層側とな
る面側に、カラーフィルターおよびマイクロレンズのう
ち少なくとも一方が設けられたものを用いることを特徴
とする請求項８記載の液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１１】 前記平坦化膜および突起部の形成工程
の際には、前記画素がマトリクス状に形成されてなる有
効画素部を避けた位置の前記平坦化膜の表面に、前記突
起部と同様に構成される他の突起部を形成し、 前記画素電極を形成する工程の際には、該画素電極用の
導電膜の形成とともに該導電膜で前記他の突起部を覆
い、これにより前記他の突起部と該他の突起部を覆う導
電膜とからなって前記第１基板が前記第２基板との間で
コモン電位を取るためのコモン電極部を形成することを
特徴とする請求項９記載の液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１２】 前記平坦化膜および突起部の形成工程
の際には、有機材料を用いることを特徴とする請求項８
記載の液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１３】 前記有機材料には、感光性または非感
光性のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂を主成分
とする材料を用いることを特徴とする請求項１２記載の
液晶パネルの製造方法。 - 【請求項１４】 所定の間隔をあけて対向配置された第
１基板と第２基板との間に液晶層が設けられ、前記第１
基板の液晶層側には該液晶層側の表面が平坦な平坦化膜
が設けられたものからなり、画素がマトリクス状に形成
されているとともに、隣合う画素の間が遮光領域とされ
たもので、前記平坦化膜の表面でかつ前記遮光領域の位
置に、前記第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１
基板と第２基板との間に所定の間隔を形成する突起部
が、平坦化膜と同じ材料で形成された液晶パネルを備え
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１５】 前記液晶パネルには、前記平坦化膜の
表面でかつ各画素の領域に、前記突起部を覆うことなく
画素電極が形成されていることを特徴とする請求項１４
記載の液晶表示装置。 - 【請求項１６】 前記液晶パネルの突起部は、これを平
面視したときの面積が前記遮光領域のほぼ半分以下とな
るように形成されていることを特徴とする請求項１４記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１７】 前記液晶パネルにおける前記第２基板
の液晶層側には、カラーフィルターおよびマイクロレン
ズのうち少なくとも一方が設けられていることを特徴と
する請求項１４記載の液晶表示装置。 - 【請求項１８】 前記液晶パネルには、前記画素がマト
リクス状に形成されてなる有効画素部を避けた位置の前
記平坦化膜の表面に、前記突起部と同様に構成された他
の突起部と、前記画素電極と同じ材料で前記他の突起部
を覆うように形成された導電膜とからなって、前記第１
基板が前記第２基板との間でコモン電位を取るコモン電
極部が形成されていることを特徴とする請求項１５記載
の液晶表示装置。 - 【請求項１９】 前記液晶パネルの前記平坦化膜および
前記突起部は、有機材料からなることを特徴とする請求
項１４記載の液晶表示装置。 - 【請求項２０】 前記有機材料は、感光性または非感光
性のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂を主成分と
する材料からなることを特徴とする請求項１９記載の液
晶表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00608299A JP4362882B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置 |
| KR1020000001140A KR100689948B1 (ko) | 1999-01-13 | 2000-01-11 | 액정 패널, 액정 패널 제조 방법, 액정 표시 장치, 및액정 프로젝터 |
| US09/482,162 US6788372B1 (en) | 1999-01-13 | 2000-01-12 | Liquid, crystal panel, liquid crystal panel manufacturing method, liquid crystal display, and liquid crystal projector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00608299A JP4362882B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000206541A true JP2000206541A (ja) | 2000-07-28 |
| JP4362882B2 JP4362882B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=11628638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00608299A Expired - Fee Related JP4362882B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6788372B1 (ja) |
| JP (1) | JP4362882B2 (ja) |
| KR (1) | KR100689948B1 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002169171A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2002341355A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法およびアレイ基板ならびに液晶表示装置 |
| JP2002350860A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| US6850309B2 (en) | 2001-01-09 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display device with a plurality of projections having different heights and process for manufacturing the same |
| US7023514B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-04-04 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
| JP2007133392A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示特性が向上した液晶表示パネル及びこれの製造に使用されるマスク |
| JP2007213104A (ja) * | 2007-05-28 | 2007-08-23 | Sony Corp | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
| US7628667B2 (en) | 2005-12-07 | 2009-12-08 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing display, display, and electronic device |
| JP2010039302A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Sony Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| JP2012058757A (ja) * | 2011-12-05 | 2012-03-22 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2013186148A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Japan Display West Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、および、電子機器 |
| JP2013236091A (ja) * | 2000-03-08 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8767147B2 (en) | 2009-10-08 | 2014-07-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display wherein a first light blocking portion and a first colored portion extends generally along a gate line and generally covers the gate line and a thin film transistor |
| JP2016001350A (ja) * | 2015-10-06 | 2016-01-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 |
| JP2017102491A (ja) * | 2017-03-13 | 2017-06-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3498020B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2004-02-16 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリックス基板及びその製造方法 |
| TW573190B (en) | 2000-08-14 | 2004-01-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
| KR20030013151A (ko) * | 2001-08-07 | 2003-02-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| TWI230292B (en) * | 2002-12-09 | 2005-04-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Array substrate having color filter on thin film transistor structure for LCD device and method of fabricating the same |
| JP4052123B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2008-02-27 | ソニー株式会社 | 液晶パネル |
| JP2004341465A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Obayashi Seiko Kk | 高品質液晶表示装置とその製造方法 |
| KR100561647B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2006-03-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널의 제조방법 |
| JP4067002B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び電子機器 |
| JP4020919B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2007-12-12 | シャープ株式会社 | 反射型表示装置およびその製造方法 |
| KR101197049B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| KR101189218B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| USD560068S1 (en) | 2006-11-10 | 2008-01-22 | Harald Richter | Holster for an electronic device |
| CN114967199B (zh) * | 2021-02-23 | 2023-11-10 | 成都京东方光电科技有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3307150B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
| JPH0715536B2 (ja) * | 1983-01-28 | 1995-02-22 | キヤノン株式会社 | 表示パネル |
| US4763995A (en) * | 1983-04-28 | 1988-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Spacers with alignment effect and substrates having a weak alignment effect |
| JPS61147232A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-04 | Canon Inc | 液晶素子 |
| US5268782A (en) * | 1992-01-16 | 1993-12-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Micro-ridged, polymeric liquid crystal display substrate and display device |
| JPH06194687A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 透過型アクティブマトリクス型液晶素子 |
| JPH05297382A (ja) * | 1992-04-20 | 1993-11-12 | Ricoh Co Ltd | カラー液晶表示装置 |
| JPH081500B2 (ja) * | 1993-03-23 | 1996-01-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置 |
| JPH06301036A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2694126B2 (ja) * | 1995-02-06 | 1997-12-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPH08297286A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶表示装置 |
| JPH0950044A (ja) * | 1995-08-08 | 1997-02-18 | Sony Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| JP3358935B2 (ja) * | 1995-10-02 | 2002-12-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| US6266121B1 (en) * | 1996-11-28 | 2001-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display element and method of manufacturing same |
| US5831710A (en) * | 1997-02-06 | 1998-11-03 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display |
| US6166797A (en) * | 1997-08-08 | 2000-12-26 | 3M Innovative Properties Company | Diffusion barrier layers with microstructured spacing members for liquid crystal display panel substrates |
| US6008876A (en) * | 1998-12-03 | 1999-12-28 | National Semiconductor Corporation | Polished self-aligned pixel for a liquid crystal silicon light valve |
| US6300987B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for liquid crystal displays |
| US5982472A (en) * | 1998-12-14 | 1999-11-09 | National Semiconductor Corporation | Self-aligned pixel with support pillars for a liquid crystal light valve |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP00608299A patent/JP4362882B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-11 KR KR1020000001140A patent/KR100689948B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-12 US US09/482,162 patent/US6788372B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013236091A (ja) * | 2000-03-08 | 2013-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2002169171A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6850309B2 (en) | 2001-01-09 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display device with a plurality of projections having different heights and process for manufacturing the same |
| JP2002341355A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法およびアレイ基板ならびに液晶表示装置 |
| JP2002350860A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| US7023514B2 (en) * | 2001-12-27 | 2006-04-04 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
| JP2007133392A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示特性が向上した液晶表示パネル及びこれの製造に使用されるマスク |
| US7628667B2 (en) | 2005-12-07 | 2009-12-08 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing display, display, and electronic device |
| JP2007213104A (ja) * | 2007-05-28 | 2007-08-23 | Sony Corp | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
| US8355108B2 (en) | 2008-08-06 | 2013-01-15 | Sony Corporation | Liquid-crystal display device and method of manufacturing same |
| JP2010039302A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Sony Corp | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| US8767147B2 (en) | 2009-10-08 | 2014-07-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display wherein a first light blocking portion and a first colored portion extends generally along a gate line and generally covers the gate line and a thin film transistor |
| JP2012058757A (ja) * | 2011-12-05 | 2012-03-22 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2013186148A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Japan Display West Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、および、電子機器 |
| US9638961B2 (en) | 2012-03-06 | 2017-05-02 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device, manufacturing method of the same and electronic equipment |
| US10379404B2 (en) | 2012-03-06 | 2019-08-13 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device, manufacturing method of the same and electronic equipment |
| US10962842B2 (en) | 2012-03-06 | 2021-03-30 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US11397355B2 (en) | 2012-03-06 | 2022-07-26 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US11774806B2 (en) | 2012-03-06 | 2023-10-03 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US12416836B2 (en) | 2012-03-06 | 2025-09-16 | Magnolia White Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2016001350A (ja) * | 2015-10-06 | 2016-01-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 |
| JP2017102491A (ja) * | 2017-03-13 | 2017-06-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000057740A (ko) | 2000-09-25 |
| US6788372B1 (en) | 2004-09-07 |
| KR100689948B1 (ko) | 2007-03-08 |
| JP4362882B2 (ja) | 2009-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4362882B2 (ja) | 液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置 | |
| US6262783B1 (en) | Liquid crystal display device with reflective electrodes and method for fabricating the same | |
| JP3599663B2 (ja) | 広視野角液晶ディスプレイとその製造方法 | |
| CN100456096C (zh) | 液晶显示器件及其制造方法 | |
| JP3768367B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4391928B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP4192143B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US7692744B2 (en) | Liquid crystal display device having diffusion reflective electrodes and a manufacturing method thereof | |
| KR101031166B1 (ko) | 액정 디스플레이 패널 | |
| JP2002341355A (ja) | 液晶表示装置の製造方法およびアレイ基板ならびに液晶表示装置 | |
| CN103869563A (zh) | 阵列基板和包括阵列基板的液晶显示装置 | |
| CN100533213C (zh) | 液晶显示板及其制造方法 | |
| CN110908164A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| JP3938680B2 (ja) | 液晶表示装置用基板及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置 | |
| WO2018188114A1 (zh) | 彩膜基板的制作方法及液晶面板的制作方法 | |
| JP2004151459A (ja) | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置 | |
| JP2004205663A (ja) | 表示パネル用基板製造方法 | |
| CN1713044A (zh) | 液晶显示设备 | |
| US8094268B2 (en) | Liquid crystal display substrate, liquid crystal display device and manufacturing method of the liquid crystal display substrate | |
| CN100412657C (zh) | 液晶显示面板及彩色滤光基板的制造方法 | |
| JPH1184386A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
| KR100462376B1 (ko) | 반사형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100603669B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100670062B1 (ko) | 액정 표시 장치용 색 필터 기판 및 그 제조 방법 | |
| CN1949041A (zh) | 制造液晶显示装置的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051216 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071225 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080812 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081014 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090810 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |