JPH1184386A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】液晶表示装置を構成する基板間の間隙を一定に
維持する間隙剤により引き起こされる配向不良を低減す
ることにより、表示色の表示不良を防止する。 【解決手段】この発明の液晶表示装置は、ガラス基板１
１または３１の一方の面に形成された複数の走査線１４
と、走査線と交差して形成された複数の信号線１５と、
走査線および信号線のそれぞれの交差部毎で走査線およ
び信号線に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２
と、ＴＦＴ毎に接続された画素電極１３と、走査線の一
部を表示電極側に張り出させた形状をなし、ラビンク布
が移動される際の繊維が払われる方向すなわち移動する
ラビング布の移動方向の後流側に位置するよう形成さ
れ、蓄積容量を形成する蓄積容量電極１６および対向す
る基板３１または１１上に、走査線上または走査線の一
部を表示電極側に張り出させた形状に積層された柱状ス
ペーサ３７からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置に
係り、特に、液晶表示装置を構成する２枚の基板間の間
隙を一定に維持する間隙剤により引き起こされる配向不
良を低減する構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に用いられている液晶表示装置は、
電極を有する２枚の絶縁性基板を対向させ、その２枚の
基板の周囲を液晶注入口を除いて接着剤で固定し、２枚
の基板間に液晶を挟持させて、液晶注入口を封止剤で封
止した構成となっている。

【０００３】これらの基板は、所定の間隙、すなわちセ
ルギャップをおいて対向しており、セルギャップを均一
に保つための間隙剤（以下、スペーサとする）として、
粒径の均一なプラスティックビーズ等を散在させるのが
通例である。

【０００４】ところが、スペーサ周辺では、液晶の配向
に乱れが生じやすく、その結果、光が漏れてコントラス
トが低下することが知られている。また、高精細型の液
晶表示装置では、上述した配向の乱れの生じる領域が表
示画素電極に占める割合が大きくなるため、上述したコ
ントラストの低下は、より著しくなる。

【０００５】他方、画面の大きな液晶表示装置におい
て、スペーサを画面全体に亘って均一に散在させること
は大変困難であり、結果的に、セルギャップのムラや、
色ムラあるいは干渉縞を発生しやすくすることになる。

【０００６】このため、プラスティックビーズ等を使用
せず、カラーフィルタの複数の着色層を積層したり、感
光性樹脂を用いて、液晶表示装置を構成する２枚の基板
の少なくともどちらかの基板の１主面上に、柱状スペー
サを形成する液晶表示装置が提案されている。

【０００７】図７は、従来から利用されているアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の一例を示す概略図であ
る。図７に示されるように、液晶表示装置１００１は、
スイッチング素子として非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を
半導体層として用いたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ ＦｉｌｍＴｒ
ａｎｓｉｓｔｏｒ）１０１１、ＴＦＴ１０１１のソース
電極１０１２に接続された画素電極１０１３、ドレイン
電極１０１４に接続された信号線１０１５、ＴＦＴ１０
１１のゲート電極（詳述しない）に接続された走査線１
０１６が形成されたアクティブマトリクス基板１０１
０、アクティブマトリクス基板１０１０に対向され、対
向電極とカラーフィルタを有する対向基板１０２０から
なり、この２枚の基板間に液晶１０３０を挟持する構成
である。

【０００８】アクティブマトリクス型液晶表示装置１０
１０において、画像を表示させる方法としては、一般
に、以下のような制御が用いられる。第１に、信号線１
０１５に映像信号を印加するとともに、走査線１０１６
に、表示画面の上方から、行毎に選択パルスを順に印加
することで、信号線１０１５に印加された映像信号が選
択された画素電極１０１３に書き込まれる。すなわち、
画素電極１０１３と対向電極との間の電位差に応じて液
晶の光透過率が変化するので、アクティブマトリクス基
板１０１０の背面からの透過光量が変化して画像が表示
される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した液
晶表示装置の２枚のガラスの貼り合わせ工程において、
スペーサとして粒径の均一なプラスティックビーズ等を
散在させて基板間の間隔を維持する場合には、コントラ
ストの低下や、セルギャップが不均一となる問題があ
る。

【００１０】一方、プラスティックビーズ等を使用せ
ず、カラーフィルタの複数の着色層を積層したり、感光
性樹脂等を用いて液晶表示装置を構成する２枚の基板の
少なくとも一方の基板に柱状スペーサを形成する手法で
は、図８を用いて説明するように、ラビングによる配向
処理時に、ラビング布１０４１が柱状スペーサから離れ
る側１０５１で、柱状スペーサ１０５０の高さに起因し
て、ラビング布１０４１の繊維が柱状スペーサ１０５０
の基部１０５２すなわち柱状スペーサ１０５０が基板か
ら立ち上がった部分に到達できないことで、ラビング処
理が不完全となる領域が発生してしまう。この配向処理
が不完全な領域では、配向の乱れが生じやすく、表示不
良となる場合が多い。

【００１１】この発明の目的は、液晶表示装置を構成す
る２枚の基板間の間隙を一定に維持する間隙剤により引
き起こされる配向不良を低減することにより、表示色の
表示不良を防止可能な液晶表示装置を提供することにあ
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明は、上述した問
題点に基づきなされたもので、１主面上に互いに交差す
るよう配置された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線および前記信号線の交差部毎に形成され、当
該走査線および信号線に接続された薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタごとに接続された画素電極
と、走査線の一部を表示電極側に張り出させた形状をな
し蓄積容量を形成する蓄積容量電極および配線とを配置
したアクティブマトリクス基板と、１主面上に対向電極
と、着色層を含むカラーフィルタと、所望の間隙を付与
する柱状突起をなす基板間間隙剤とを有する対向基板と
を備え、前記のそれぞれの基板の１主面上に配向膜を形
成したのちラビングによりそれぞれの配向膜を配向処理
し、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板
の主面同士を対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持
したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、蓄
積容量を形成する蓄積容量電極が、前記２枚の基板を組
み合わせて液晶表示装置としたときに、前記対向基板の
ラビンク配向処理時のラビング方向と平行、かつ、ラビ
ングに利用されるラビング加工部材が移動される方向の
後流側方向に延長して形成され、また、前記基板間間隙
剤が走査線上あるいは走査線の一部を表示電極側に張り
出させた形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極
の走査電極寄りでアクティブマトリクス基板と接続され
ることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示
装置である。

【００１３】また、この発明は、１主面上に互いに交差
するよう配置された複数の走査線および複数の信号線
と、前記走査線および前記信号線の交差部毎に形成さ
れ、当該走査線および信号線に接続された薄膜トランジ
スタと、この薄膜トランジスタごとに接続された画素電
極と、走査線の一部を表示電極側に張り出させた形状を
なし蓄積容量を形成する蓄積容量電極および配線と、着
色層と、所望の間隙を付与するために所定の高さが与え
られた柱状突起を含む基板間間隙剤を配置したアクティ
ブマトリクス基板と、１主面上に対向電極を有する対向
基板とを備え、前記のそれぞれの基板の１主面上に配向
膜を形成し、さらにラビングにより配向処理を行った
後、前記アクティブマトリクス基板および前記対向基板
の主面同士を対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持
したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、蓄
積容量を形成する蓄積容量電極が、前記アクティブマト
リクス基板のラビング配向処理時のラビンク方向と平
行、かつ、ラビングよりに利用される加工部材が移動さ
れる方向にそって形成され、さらに前記基板間間隙剤が
走査線上または走査線の一部を表示電極側に張り出させ
た形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極の走査
電極側に形成されていることを特徴とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置である。

【００１４】さらに、この発明は、柱状突起をなす基板
間間隙剤が、カラー表示を行うための光の３原色であ
る、赤、青、緑のそれぞれを示す感光性材料、着色層間
に遮光層を設けるための黒色の感光性材料、その他の白
色あるいは透明な感光性材料の、いずれかの単一層、あ
るいは積層により形成されていることを特徴とする。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を詳細に説明する。図１は、この発明の液
晶表示装置の３分割構造の１画素を平面から見た状態を
示す概略平面図である。

【００１６】図１に示されるように、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置１は、図２に示すように、たとえば
ガラスなどの絶縁性の透明な材質により形成された第１
の基板１０とこの第１の基板１０に対して所定の間隔で
対向され、第１の基板１０と同様にガラスなどの絶縁性
の透明な材質により形成された第２の基板３０と、両基
板間に注入された液晶材５０からなる。

【００１７】第１の基板すなわちアクティブマトリクス
基板１０は、ガラス基板１１の上に、走査線１４とこれ
に直行する信号線１５とが格子状に配置される。走査線
１４と信号線１５との交差部付近には、ＴＦＴ１２が形
成され、ＴＦＴ１２のソース電極１８は、画素電極１３
に接続され、ドレイン電極１９はこれに映像信号を供給
する信号線１５と一体的に形成される。

【００１８】画素電極１３は、絶縁膜を介して１行前の
段の走査線１４に重なるように配置され、蓄積容量を提
供する。蓄積容量を形成する蓄積容量電極１６は、第２
の基板すなわち対向基板３０と組み合わせた際に、対向
基板３０のラビング配向処理時のラビング方向（Ｒｃ）
と平行、かつ、対向基板３０に形成した柱状スペーサ３
７のラビング布の繊維が払われる方向に延出されてい
る。

【００１９】柱状スペーサ３７は、さらに、走査線１４
上あるいは走査線１４の一部を表示電極側に張り出させ
た形状をなし、蓄積容量電極１６の走査電極１４寄りで
アクティブマトリクス基板１０と当接する位置（図１に
示した例では走査線１４上）に形成してある。

【００２０】次に、図２および図３を用いて、図１に示
した液晶装置１を製造する工程を、詳細に説明する。図
２は、図１に示した液晶表示装置の１画素を、図１の線
Ａ−Ａ’（ＴＦＴ１２）に沿って切断した部分断面図、
図３は、同液晶表示装置の１画素を図１の線Ｂ−Ｂ’
（柱状スペーサ３７）に沿って切断した部分断面図であ
る。

【００２１】図２に示されるように、アクティブマトリ
クス基板（第１の基板）１０のガラス基板１１には、Ｍ
ｏ−Ｗ（モリブデン・タンクステン）合金が堆積された
後、フォトリソグラフィによるエッチングにより、走査
線１４と走査線の一部であるゲート電極１７を形成す
る。

【００２２】次に、プラズマＣＶＤ法により、例えばＳ
ｉＯｘ（酸化シリコン）などの絶縁膜を、厚さ４００ｎ
ｍに、走査線１４およびゲート電極１７上に形成し、ゲ
ート絶縁膜２０とする。

【００２３】さらに、ゲート電極１７上に、例えば厚さ
５０ｎｍのａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）からなる
半導体層２１とＳｉＮｘ（チッ化シリコン）からなる保
護絶縁膜２２を、プラズマＣＶＤ法により形成する。

【００２４】次に、保護絶縁膜２２と半導体層２１の上
方に、半導体層２１の全域と保護絶縁膜２２の一部を覆
うように、Ｐ（リン）をドープしたａ−Ｓｉなどの低抵
抗半導体層２４が設けられている。

【００２５】以下、画素電極１３として、透明導電膜で
あるＩＴＯ（酸化インジウムの薄層）を、スパッタ法に
より堆積し、引き続き、パターニングによって所定のパ
ターンに加工する。ここで、画素電極１３は、前段（１
行前）の走査線と一部が重なるように配置され、ゲート
絶縁膜２０によって蓄積容量１６が形成される。

【００２６】さらに、ソース電極１８、信号線１５およ
び信号線１５と連続したドレイン電極１９を、例えばＡ
ｌ（アルミニウム）を堆積させ、その後、フォトレジス
トをマスクとしてエッチングして除去することで、低抵
抗半導体層２４上に形成する。これにより、ソース電極
１８の一端は、画素電極１３の一部を覆うように、接続
される。

【００２７】次に、例えば厚さ２００ｎｍのＳｉＮｘか
らなるＴＦＴの保護膜をかねた絶縁膜２７を、プラズマ
ＣＶＤにより全面に形成して、アクティブマトリスク基
板２０とする。

【００２８】これとは別に、対向基板３０として、透明
なガラス基板３１の上に、遮光性材料により、所定の形
状のＢＭ（ブラックマトリクス）３２を形成する。次
に、顔料を分散したフォトレジスト層を塗布してパター
ン露光し、現像して、着色層３３を形成する。この工程
を繰り返して、青、緑および赤の３色の領域をストライ
プ状に形成すると同時に所定の位置に着色層３３’およ
び３３”を配置して積み重ねることで柱状スペーサ３７
を形成する。なお、スペーサ１７を形成する位置は、図
１に示したように、図２に示したアクティブマトリクス
基板１０と組み合わせたとき、蓄積容量を形成する蓄積
容量電極１６に一致させている。

【００２９】さらに、スパッタ法により、ＩＴＯからな
る対向電極３５を金面に形成して対向基板３０とする。
次に、アクティブマトリクス基板１０の画素電極１３側
および対向基板３０の対向電極３５側のそれぞれに、柱
状スペーサ３７の周囲と当接する領域を除いた表示領域
全体に、低温キュア型のポリイミド膜からなる配向膜２
８，３８を形成する。続いて、両基板１０，３０を対向
させて配置した際に、配向軸が９０゜となるように、両
配向膜２８，３８に、ラビング処理を施す。

【００３０】こののち、両基板２８，３８を対向させて
組み立て、その間隙にネマティック液晶材５０を注入し
て封止する。次に、セルの両側に，ここでは図示してな
いが偏光板を貼り付ける。

【００３１】以上のようにして、アクティブマトリクス
型液晶表示装置１が提供される。このようにして形成し
た液晶表示装置に、所定の駆動回路（ドライバＩＣ）を
実装して駆動したところ、セルギャップのムラや、色ム
ラおよび干渉縞等は観察されず、また、柱状スペーサに
よりラビング布の繊維が柱状スペーサにより払われるこ
とに起因して、ラビンク処理が行われない領域で液晶の
配向が乱れる現象も観察されず、良好な表示状態が得ら
れた。

【００３２】なお、上述した実施例では、液晶表示装置
の３色の画素のうち、１色に対応する画素にのみ柱状ス
ペーサを形成したが、アクティブマトリクス基板と対回
基板の貼り合わせ条件によっては、柱状スペーサを、２
色または全色に対応する画素に形成してもよい。また、
１色に対応する画素にのみ柱状スペーサを形成する場
合、柱状スペーサを形成する画素と、形成しない画素に
おいて、蓄積容量が等しくなるように蓄積容量電極を形
成する必要がある。

【００３３】図４は、図１ないし図３に示した第１の実
施の形態において、対向基板３０に利用可能な別の構成
を示す概略断面図である。なお、第１の実施の形態と同
一の構成については、同じ符号を付して詳細な説明を省
略する。

【００３４】図４に示されるように、対向基板１３０
は、ガラス基板３１上に、遮光性材料により形成された
ブラックマトリクス３２を有している。次に、フォトレ
ジスト層を塗布してパターン露光し、現像して、着色層
３３を形成する。この工程を繰り返して、青、緑および
赤の３色の領域をストライプ状に形成する。

【００３５】続いて、着色層３３上に、感光性アクリル
樹脂を塗布し、パターン露光した後、現像して、柱状ス
ペーサ１３７を形成する。なお、柱状スペーサ１３７を
形成する位置は、図１に示したように、対向基板１３０
を、アクティブマトリクス基板１０と組み合わせたとき
に、蓄積容量を形成する蓄積容量電極１６に一致させて
いる。

【００３６】さらに、スパッタ法により、ＩＴＯからな
る対向電極３５を全面に形成して、対向基板１３０を得
る。以下、対向基板１３０を、アクティブマトリクス基
板１０に、柱状スペーサ１３７の位置が上述した蓄積容
量電極１６を構成するよう、組み立てて、液晶表示装置
１０１が得られる。

【００３７】このようにして形成した液晶表示装置１０
１に、所定の駆動回路を実装して駆動したところ、セル
ギャップのムラや、色ムラおよび干渉縞等は観察され
ず、また、柱状スペーサによりラビング布の繊維が払わ
れることに起因して、ラビンク処理が行われない領域で
液晶の配向が乱れる現象も観察されず、良好な表示状態
が得られた。

【００３８】図５は、図１ないし図３および図４に示し
たアクティブマトリクス型液晶表示装置とは別の実施の
形態を示す概略図である。図５は、１画素相当部分の平
面図であり、液晶表示装置２０１は、製造方法は、図１
ないし図３に示した液晶表示装置１と概ね同一である。
また、図１ないし図３あるいは図４に示した構成と同一
の構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。

【００３９】アクテイブマトリクス基板２１０は、ガラ
ス基板１１の上に、走査線１４と、これに直行する信号
線１５とを有している。走査線１４と信号線１５との交
差部付近には、ＴＦＴ１２が形成される。また、ＴＦＴ
２１２のソース電極１８は、着色層２２８に設けた小穴
２２９を通って、画素電極１３に接続されている。

【００４０】画素電極１３は、絶縁膜２２３を挟んで１
行前の走査線に積層されている。これにより、蓄積容量
が提供される。なお、蓄積容量を提供する蓄積容量電極
１６は、アクティブマトリクス基板２１０のラビング配
向処理時のラビング方向（Ｒａ）と平行、かつラビング
布の繊維が払われる方向に沿って形成される。

【００４１】このとき、柱状スペーサ２３７は、走査線
１４上あるいは走査線１４の一部を表示電極側に張り出
させた形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極１
６の走査電極寄り（図５に示した実施例では走査線１４
上）に設けられる。

【００４２】図６は、図５に示したアクティブマトリク
ス型液晶表示装置２０１において、線Ｃ−Ｃ´部に沿っ
てＴＦＴ２１２を横切るよう切断した部分断面図であ
る。図６に示されるように、アクティブマトリクス基板
２１０は、ガラス基板１１上に、Ｍｏ−Ｗ合金を堆積
し、フォトリソグラフィ手法を用いたエッチングによ
り、走査線１４と走査線の一部であるゲート電極２２２
を形成する。

【００４３】次に、プラズマＣＶＤ法により、例えば厚
さ４００ｎｍの絶縁膜（ＳｉＯｘ）を、走査線１４とゲ
ート電極２２２上に形成し、ゲート絶縁膜２２３とす
る。続いて、ゲート電極２２２上のゲート絶縁膜２２３
上に、例えば厚さ５０ｎｍのａ−ｓｉからなる半導体層
２２４とＳｉＮｘからなる保護絶縁膜２２５を、プラズ
マＣＶＤ法により形成する。

【００４４】保護絶縁膜２２５と半導体層２２４の上方
には、半導体層２２４の全域と保護絶縁膜２２５の一部
を覆うように、Ｐをドーブしたａ−Ｓｉなどの低抵抗半
導体層２２６が形成される。

【００４５】ソース電極１８、信号線１５および信号線
１５に接続されたドレイン電極１９を、低抵抗半導体層
２２６上に、例えばＡｌを所定厚さに堆積させ、フォト
レジストをマスクとしてエッチング除去して形成する。

【００４６】ここで、ソース電極１８の一端は、画素電
極１３の下まで延在して接続されている。次いで、フォ
トレジスト層を塗布してパターン露光し、現像した後、
着色層２２８を形成する。これらを繰り返すことで青、
緑、赤の３色の領域をストライプ状、かつソース電極１
８上で、小穴２２９を提供可能に、形成する。同時に、
所定の位置に着色層２２８’と２２８’’を積み重ね
て、柱状スペーサ２１７を形成する。なお、スペーサ２
１７が形成される位置は、図５に示したように、走査線
１４上または走査線１４の一部を表示電極側に張り出さ
せた形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極１６
の走査電極寄り（図５においては、走査線１４上）であ
る。

【００４７】その後、画素電極１３として透明導電膜で
あるＩＴＯをスパッタ法により堆積し、パターニングに
よって所定のパターンに加工する。なお、ソース電極１
８は、着色層２２８の小穴２２９を通し、画素電極１３
と電気的に接続する。

【００４８】ここで、画素電極１３は、１行前の段の走
査線と一部が重なるように配置され、ゲート絶縁膜２２
３によって蓄積容量が形成される。さらに、例えば厚さ
２００ｎｍのＳｉＮｘからなるＴＦＴの保護膜をかねた
絶縁膜２２７を、プラズマＣＶＤにより全面に形成し
て、アクティブマトリクス基板２１０を得る。

【００４９】一方、対向基板２３０は、透明なガラス基
板３１の上に、スパッタ法により、ＩＴＯからなる対向
電極３５を全面に形成してものである。次に、アクティ
ブマトリクス基板２１０の画素電極２１１側ならびに対
向基板２３０の対向電極３５側のそれぞれの柱状スペー
サ２１７の周囲と当接する領域を除いた表示領域全体
に、低温キュア型のポリイミド膜からなる配向膜２８，
３８を塗布する。以下、両基板２１０，２３０を対向さ
せる際に、配向軸の方向が直交するようにラビング処理
を施す。

【００５０】こののち、両基板２１０，２３０を対向さ
せて組み立てセル化し、その間隙にネマテイック液晶５
０を注入して封止する。さらに、セルの両側に、図示し
てないが偏光板を貼り付ける。

【００５１】以上のようにして、アクティブマトリクス
型液晶表示装置２０１が提供される。このようにして形
成した液晶表示装置に、所定の駆動回路（ドライバＩ
Ｃ）を実装して駆動したところ、セルギャップのムラ
や、色ムラおよび干渉縞等は観察されず、また、柱状ス
ペーサの高さに起因して、ラビング布の繊維がラビング
布が移動される方向の交流側において、配向膜に到達で
きずに、ラビンク処理が不完全となる領域で液晶の配向
が乱れる現象も観察されず、良好な表示状態が得られ
た。

【００５２】なお、上述した実施例では、液晶表示装置
の３色の画素のうち、１色に対応する画素にのみ柱状ス
ペーサを形成したが、アクティブマトリクス基板と対回
基板の貼り合わせ条件によっては、柱状スペーサを、２
色または全色に対応する画素に形成してもよい。また、
１色に対応する画素にのみ柱状スペーサを形成する場
合、柱状スペーサを形成する画素と、形成しない画素に
おいて、蓄積容量が等しくなるように蓄積容量電極を形
成する必要がある。

【００５３】［比較例１］図７に示すように、蓄積容量
電極を、ラビング方向を意識することなく形成して駆動
したところ、セルギャップのムラや、色ムラ、干渉縞等
は観察されなかったが、柱状スペーサによりラビンク布
の繊維が發かれ、ラビング布の出方向のラビンク処理が
行われない領域に起因する液晶の配向乱れが、長さ約２
０μｍ、幅５μｍの領域で発生し、表示の品位が低下す
ることが確認されている。

【００５４】［比較例２］図７に示すように、蓄積容量
電極を、ラビング方向を意識することなく形成し、ま
た、柱状スペーサを形成せず、２枚の基板を貼り合わせ
る際に、基板間間隙に、粒径の均一なプラスティックビ
ーズを散在させたものにおいては、プラスティックビー
スの散在の不均一に起因するセルギャップのムラや、色
ムラ、干渉縞等が観察され、表示品位が低下した。

【００５５】以上説明したように、この発明の液晶表示
装置は、ガラス基板の１主面上に、互いに交差するよう
複数の走査線および複数の信号線とを配設し、走査線お
よび信号線の交差部毎に、走査線および信号線に接続さ
れた薄膜トランジスタを配設し、この薄膜卜ランジスタ
毎に接続された画素電極と、走査線の一部を表示電極側
に張り出させた形状をなし蓄積容量を形成する蓄積容量
電極および配線を配設し、アクティブマトリクス基板と
する。

【００５６】このとき、蓄積容量電極の形状は、柱状ス
ペーサを形成した基板に対するラビング工程でのラビン
ク方向に依存する。また、柱状スペーサとの位置関係と
も関連する。

【００５７】例えば、柱状スペーサを対向基板に形成し
た場合は、蓄積容量を形成する蓄積容量電極が、２枚の
基板を組み合わせて液晶表示装置を構成したとき、対向
基板のラビング配向処理時のラビング方向と平行、か
つ、ラビンク布が移動される際の繊維が払われる方向す
なわち移動するラビング布の移動方向の後流側に向けて
形成され、かつ、柱状スペーサは、走査線上あるいは走
査線の一部を表示電極側に張り出させた形状をなし、蓄
積容量を形成する蓄積容量電極の走査電極寄りでアクテ
ィブマトリクス基板と当接する位置に形成される。

【００５８】柱状スペーサをアクティブマトリクス基板
上に形成する場合、蓄積容量を形成する蓄積容量電極が
アクティブマトリクス基板をラビング処理する際のラビ
ンク方向と平行、かつ、、ラビング布の繊維がラビング
布の移動の際に後流側になびく方向に向けて形成され、
さらに基板間間隙剤が、走査線上または走査線の一部を
表示電極側に張り出させた形状をなし蓄積容量を形成す
る蓄積容量電極の走査電極寄りに形成される。

【００５９】このようにしてアクティブマトリクス基板
および対向基板のそれぞれの１主面上に配向膜を形成
し、さらにラビングにより配向処理を行った後、２枚の
基板を、主面同士を対向させ、これらの間に液晶組成物
を挟持させ、アクティブマトリクス型液晶表示装置を形
成することで、柱状スペーサにより、ラビング布の繊維
が払われて、ラビング布が移動される方向の後流に位置
する柱状スペーサの基部の配向膜がラビングされないこ
とによる配向不良領域が生じたとしても、この配向不良
領域は、走査線上あるいは走査線の一部を表示電極側に
張り出させた形状をなす蓄積容量電極が遮光部として寄
与するので、表示として、配向不良を提供することがな
い。

【００６０】換言すると、遮光部は、蓄積容量を形成す
る蓄積容量電極で形成され、さらにその形状は、柱状ス
ペーサを形成した基板のラビンク方向と平行、かつラビ
ング配向処理時に、柱状スペーサの高さに起因してラビ
ング布の繊維が払われることにより、ラビング布が移動
する方向の後流の柱状スペーサの基部で、ラビングが不
完全となる領域を覆うよう、形成されることから、工数
を増やすことなく、容易に、さらには開口率（１画素あ
たりの面積に対する、光が透過可能な領域の割合）を下
げることなく、大画面に亘り、良好な表示の液晶表示素
子を得ることができる。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置は、液晶表示装置を構成する２枚の基板の少なく
とも一方の基板に柱状のスペーサを形成して両基板間の
間隙を均一化するとともに、スペーサがラビング処理に
対して配向不良をもたらす領域を遮光部材により覆うこ
とで、表示画像に配向不良が生じることを防止できる。

【００６２】また、２枚の基板間にセルギャップのムラ
や、表示の色ムラまたは干渉縞等を生じさせる虞れのあ
る間隙材を用いないことから、表示画像の表示色のばら
つきを低減できる。また、柱状スペーサは、遮光部材に
覆われる領域の範囲内で形状をラビング布が移動する方
向に沿わせたものであり、開口率が低下されることもな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態が適用される液晶表示装
置のアクティブマトリクス基板の概略平面図。

【図２】図１に示した液晶表示装置を、ＴＦＴの位置で
切断した部分断面図。

【図３】図１に示した液晶表示装置を、柱状スペーサの
位置で切断した部分断面図。

【図４】図１ないし図３に示した液晶表示装置の対向基
板の別の例を示す部分断面図。

【図５】図１ないし図３および図４に示した液晶表示装
置の別の実施の形態を示す部分断面図。

【図６】図５に示した液晶表示装置の概略平面図。

【図７】比較例の一例である液晶表示装置を示す概略
図。

【図８】図７に示した液晶表示装置において、ラビング
処理時に、ラビングの不完全な領域が生じる理由を説明
する概略図。

【符号の説明】

１ …アクティブマトリクス型液晶表示装置、 １０ …アクティブマトリクス基板、 １１ …ガラス基板、 １２ …ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、 １３ …画素電極、 １４ …走査線、 １５ …信号線、 １６ …蓄積容量電極、 １７ …ゲート電極、 １８ …ソース電極、 １９ …ドレイン電極、 ２０ …ゲート絶縁膜、 ２１ …半導体層、 ２２ …保護絶縁膜、 ２４ …低抵抗半導体層、 ２８ …配向膜、 ３０ …対向基板、 ３１ …ガラス基板、 ３２ …ブラックマトリクス、 ３３ …着色層、 ３３’…着色層、 ３３”…着色層、 ３７ …柱状スペーサ、 ３８ …配向膜、 ５０ …液晶材。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 実 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】１主面上に互いに交差するよう配置された
   複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線および
   前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信
   号線に接続された薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
   ジスタごとに接続された画素電極と、走査線の一部を表
   示電極側に張り出させた形状をなし蓄積容量を形成する
   蓄積容量電極および配線とを配置したアクティブマトリ
   クス基板と、 １主面上に対向電極と、着色層を含むカラーフィルタ
   と、所望の間隙を付与する柱状突起をなす基板間間隙剤
   とを有する対向基板とを備え、 前記のそれぞれの基板の１主面上に配向膜を形成したの
   ちラビングによりそれぞれの配向膜を配向処理し、前記
   アクティブマトリクス基板および前記対向基板の主面同
   士を対向させ、これらの間に液晶組成物を挟持したアク
   ティブマトリクス型液晶表示装置において、 蓄積容量を形成する蓄積容量電極が、前記２枚の基板を
   組み合わせて液晶表示装置としたときに、前記対向基板
   のラビンク配向処理時のラビング方向と平行、かつ、ラ
   ビングに利用されるラビング加工部材が移動される方向
   の後流側方向に延長して形成され、また、前記基板間間
   隙剤が走査線上あるいは走査線の一部を表示電極側に張
   り出させた形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電
   極の走査電極寄りでアクティブマトリクス基板と接続さ
   れることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表
   示装置。
2. 【請求項２】１主面上に互いに交差するよう配置された
   複数の走査線および複数の信号線と、前記走査線および
   前記信号線の交差部毎に形成され、当該走査線および信
   号線に接続された薄膜トランジスタと、この薄膜トラン
   ジスタごとに接続された画素電極と、走査線の一部を表
   示電極側に張り出させた形状をなし蓄積容量を形成する
   蓄積容量電極および配線と、着色層と、所望の間隙を付
   与するために所定の高さが与えられた柱状突起を含む基
   板間間隙剤を配置したアクティブマトリクス基板と、 １主面上に対向電極を有する対向基板とを備え、 前記のそれぞれの基板の１主面上に配向膜を形成し、さ
   らにラビングにより配向処理を行った後、前記アクティ
   ブマトリクス基板および前記対向基板の主面同士を対向
   させ、これらの間に液晶組成物を挟持したアクティブマ
   トリクス型液晶表示装置において、 蓄積容量を形成する蓄積容量電極が、前記アクティブマ
   トリクス基板のラビング配向処理時のラビンク方向と平
   行、かつ、ラビングよりに利用される加工部材が移動さ
   れる方向にそって形成され、さらに前記基板間間隙剤が
   走査線上または走査線の一部を表示電極側に張り出させ
   た形状をなし、蓄積容量を形成する蓄積容量電極の走査
   電極側に形成されていることを特徴とするアクティブマ
   トリクス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】柱状突起をなす基板間間隙剤が、カラー表
   示を行うための光の３原色である、赤、青、緑のそれぞ
   れを示す感光性材料、着色層間に遮光層を設けるための
   黒色の感光性材料、その他の白色あるいは透明な感光性
   材料の、いずれかの単一層、あるいは積層により形成さ
   れていることを特徴とする請求頂１または２項記載のア
   クティブマトリクス型液晶表示装置。