JP2000208254A - Method for manufacturing organic EL element and organic EL display device - Google Patents
Method for manufacturing organic EL element and organic EL display deviceInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 80
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 43
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 179
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 15
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 6
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 3
- 229920000285 Polydioctylfluorene Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZNJMLVCIZGWSC-UHFFFAOYSA-N 3',6'-bis(diethylamino)spiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1OC1=CC(N(CC)CC)=CC=C21 DZNJMLVCIZGWSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWXHLNHAYCDUGT-UHFFFAOYSA-N 5-phenylmethoxy-1h-pyrazole Chemical compound C=1C=CC=CC=1COC=1C=CNN=1 LWXHLNHAYCDUGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical class [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N chembl402140 Chemical compound Cl.C1=2C=C(C)C(NCC)=CC=2OC2=C\C(=N/CC)C(C)=CC2=C1C1=CC=CC=C1C(=O)OCC VYXSBFYARXAAKO-WTKGSRSZSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- CHZWRIFDYXSVOD-UHFFFAOYSA-M chromenylium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.[O+]1=CC=CC2=CC=CC=C21 CHZWRIFDYXSVOD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000009510 drug design Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000503 poly(2,5-furylene vinylene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- DJWWHVKRLDNDJK-UHFFFAOYSA-N rhodamine 640 perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C1=CC=2CCCN3CCCC(C=23)=C1O1)=C2C1=C(CCC1)C3=[N+]1CCCC3=C2 DJWWHVKRLDNDJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来の塗布法を用いる有機EL素子の製造方法
においては、有機層を積層する際相溶解が起こり、有機
EL表示装置として発光効率が悪い、発色の色純度が悪
い、パターン精度が悪いなどが問題であった。
【解決手段】正孔注入層にシランカップリング剤を入れ
架橋した後、赤と緑の発光層はPPV前駆体溶液をイン
クジェットを用いてパターン形成した後加熱して共役化
させる。その上全面に、青色発光層を塗布法で形成す
る。陰極も全面に形成し、TFTで駆動する表示装置と
する。
(57) [Summary] In a method of manufacturing an organic EL element using a conventional coating method, phase dissolution occurs when an organic layer is laminated, resulting in poor luminous efficiency and low color purity of an organic EL display device. Poor and poor pattern accuracy were problems. After a silane coupling agent is put into a hole injection layer and cross-linked, a red and green light emitting layer is conjugated by heating a PPV precursor solution after forming a pattern using an ink jet. A blue light emitting layer is formed on the entire surface by a coating method. A cathode is also formed over the entire surface to provide a display device driven by a TFT.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はテレビ、コンピュー
タなど情報機器、電気電子製品のディスプレイ部に使用
する有機EL素子の製造方法および有機EL表示装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL device used for a display section of information equipment such as a television and a computer, and electric and electronic products, and an organic EL display device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年液晶ディスプレイに替わる発光型デ
ィスプレイとして有機物を用いた電界発光素子の開発が
加速している。有機物を用いた有機EL素子としては、
Appl.Phys.Lett.51(12),21
September 1987の913ページに示され
ているように低分子を蒸着法で製膜する方法と、 Ap
pl.Phys.Lett.71(1),7 July
1997の34ページから示されているように高分子を
塗布する方法が主に開発されている。特に高分子系では
カラー化する際にインクジェット法を用いる事により、
パターニングが容易に出来る事から注目されている。こ
の高分子を用いる場合には、正孔注入層または正孔輸送
層を陽極と発光層の間に形成する事が多い。従来、前記
バッファ層や正孔注入層としては導電性高分子、例えば
ポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いる事
が多かった。低分子系においては、正孔注入層または正
孔輸送層として、フェニルアミン誘導体を用いる事が多
かった。2. Description of the Related Art In recent years, the development of an electroluminescent device using an organic material as a light-emitting display replacing a liquid crystal display has been accelerated. As an organic EL device using an organic substance,
Appl. Phys. Lett. 51 (12), 21
Sep. 1987, page 913, a method of forming a low molecular weight film by a vapor deposition method;
pl. Phys. Lett. 71 (1), 7 July
As shown in page 34 of 1997, a method of applying a polymer is mainly developed. In particular, by using the inkjet method when colorizing polymer systems,
It is attracting attention because it can be easily patterned. When this polymer is used, a hole injection layer or a hole transport layer is often formed between the anode and the light emitting layer. Conventionally, a conductive polymer, for example, a polythiophene derivative or a polyaniline derivative has been often used for the buffer layer or the hole injection layer. In a low molecular weight system, a phenylamine derivative was often used as a hole injection layer or a hole transport layer.
【0003】また特開平10−153967に示されて
いるように、発光層を高分子系材料のインクジェット方
式によるパターン形成と、低分子系材料 の蒸着法によ
る積層構造で形成する方式も提言されている。As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-153967, a method has been proposed in which a light-emitting layer is formed by a patterning method using a high-molecular-weight material by an ink-jet method and a lamination structure using a low-molecular-weight material by an evaporation method. I have.
【0004】高分子層形成において、インクジェット法
では塗布とパターニングが一度に出来る。また用いる材
料が必要最小限で済む。一方その外の塗布法では、用い
る機械がスピンコーターなどの簡単なもので済む。In the formation of a polymer layer, application and patterning can be performed at one time by the ink jet method. In addition, the materials used can be minimized. On the other hand, in other coating methods, a simple machine such as a spin coater may be used.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の塗布法
を用いてパターニング及び積層する場合、塗布液の溶媒
が既に形成された有機膜を溶解する、いわゆる相溶性が
問題となっている。発光効率を上げるための多層構造を
とれず、不均一な連続膜となり、発光効率の著しい低下
や場合によっては発光しない現象が起こっている。具体
的には正孔注入層または正孔輸送層と赤色または緑色の
発光層、赤色または緑色の発光層と青色の発光層。更に
は正孔注入層または正孔輸送層と青色の発光層の間で相
溶解が発生する。However, when patterning and laminating using a conventional coating method, there is a problem of so-called compatibility in which the solvent of the coating solution dissolves the already formed organic film. A multilayer structure for increasing the luminous efficiency cannot be obtained, resulting in a non-uniform continuous film, causing a significant decrease in the luminous efficiency, and in some cases, no light emission. Specifically, a hole injection layer or a hole transport layer and a red or green light emitting layer, and a red or green light emitting layer and a blue light emitting layer. Further, phase dissolution occurs between the hole injection layer or the hole transport layer and the blue light emitting layer.
【0006】また、発光波長をシフトさせるために添加
したドーパントが、膜が混ざり合ったために有効に機能
せず、せっかく2種類以上の液体をパターン形成しても
発光色が変わらないなどの課題があった。Further, the dopant added to shift the emission wavelength does not function effectively because the films are mixed, and the emission color does not change even if two or more liquids are patterned. there were.
【0007】そこで本発明の目的とするところは、全て
の有機層を塗布法を用いて形成する際、有機層同士で相
溶解することなく、設計通りの多層構造をパターン形成
することにより、より効率の高い、より色純度の高い、
より高精細の有機EL表示装置を提供するところにあ
り、またその生産性が高く大画面化が可能な製造方法を
提供するところにある。Accordingly, an object of the present invention is to form a multi-layer structure as designed without forming a phase-solubilization between the organic layers when forming all the organic layers by a coating method. Higher efficiency, higher color purity,
It is an object of the present invention to provide a higher-definition organic EL display device, and to provide a manufacturing method capable of increasing the productivity and increasing the screen size.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】課題を解決するための手
段1.本発明の有機EL素子の製造方法は、孔注入層ま
たは正孔輸送層と、発光層を、陽極および陰極で挟持し
た構造の有機EL素子の製造方法において、透明基板上
に陽極として作用する画素電極を形成する工程と、有機
化合物からなる正孔注入層または正孔輸送層を形成する
工程と、有機化合物からなる赤色、緑色の発光層をイン
クジェット方式によりパターン形成する工程と、有機化
合物からなる青色の発光層を塗布法により形成する工程
と、陰極を形成する工程とからなることを特徴とする。
本構成により、全ての有機層を塗布法で形成できる。Means for Solving the Problems Means for Solving the Problems The method for manufacturing an organic EL device according to the present invention is directed to a method for manufacturing an organic EL device having a structure in which a hole injection layer or a hole transport layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode. A step of forming an electrode, a step of forming a hole injection layer or a hole transport layer made of an organic compound, a step of patterning a red and green light-emitting layer made of an organic compound by an inkjet method, and a step of forming an organic compound It comprises a step of forming a blue light-emitting layer by a coating method and a step of forming a cathode.
With this configuration, all the organic layers can be formed by a coating method.
【0009】課題を解決するための手段2.前記課題を
解決するための手段1において、前記基板上に画素以外
を覆う分離膜を設ける事を特徴とする。本構成により、
多色の高精細を容易に達成できる。Means for solving the problem Means 1 for solving the above-mentioned problems is characterized in that a separation film covering other than pixels is provided on the substrate. With this configuration,
Multicolor high definition can be easily achieved.
【0010】課題を解決するための手段3.前記課題を
解決するための手段1または2において、少なくともポ
リチオフェン誘導体とシランカップリング剤を含有する
液体を塗布法により成膜し、熱硬化させて前記正孔注入
層または正孔輸送層を形成することを特徴とする。本構
成により、発光層と相溶しない、適切なイオン化ポテン
シャルを持つ正孔注入層または正孔輸送層を容易に形成
できる。Means for solving the problem In the means (1) or (2) for solving the above-mentioned problem, a liquid containing at least a polythiophene derivative and a silane coupling agent is formed into a film by a coating method and thermally cured to form the hole injection layer or the hole transport layer. It is characterized by the following. With this configuration, a hole injection layer or a hole transport layer having an appropriate ionization potential that is not compatible with the light emitting layer can be easily formed.
【0011】課題を解決するための手段4.前記課題を
解決するための手段1または2において、画素部分の陽
極上に、少なくともポリチオフェン誘導体とシランカッ
プリング剤を含有する液体をインクジェット方式により
成膜し、熱硬化させて前記正孔注入層または正孔輸送層
を形成することを特徴とする。本構成により、画素部分
にのみ、発光層と相溶しない、適切なイオン化ポテンシ
ャルを持つ正孔注入層または正孔輸送層を、膜厚を正確
に制御して容易に形成できる。Means for solving the problem 4. In the means 1 or 2 for solving the above-mentioned problem, a liquid containing at least a polythiophene derivative and a silane coupling agent is formed on an anode of a pixel portion by an ink jet method, and is thermally cured to form the hole injection layer or It is characterized in that a hole transport layer is formed. With this configuration, a hole injection layer or a hole transport layer having an appropriate ionization potential and having an appropriate ionization potential can be easily formed only in a pixel portion by controlling the film thickness accurately.
【0012】課題を解決するための手段5.前記課題を
解決するための手段1から4において、少なくともポリ
パラフェニレンおよびその誘導体の前駆体を含有する液
体を、インクジェット方式により成膜し、加熱して共役
化させ前記赤色、緑色の発光層を形成することを特徴と
する。本構成により、正孔注入層または正孔輸送層およ
び、青色発光層と相溶しない、効率の良く色純度の高い
赤色、緑色の発光層を容易に形成できる。Means for solving the problem In the means 1 to 4 for solving the above problems, a liquid containing at least a precursor of polyparaphenylene and a derivative thereof is formed into a film by an inkjet method, and the liquid is heated and conjugated to form the red and green light emitting layers. It is characterized by forming. According to this configuration, a red and green light-emitting layer having high efficiency and high color purity, which is incompatible with the hole injection layer or the hole transport layer and the blue light-emitting layer, can be easily formed.
【0013】課題を解決するための手段6.前記課題を
解決するための手段1から5において、青色発光層を、
少なくともポリフルオレン誘導体を溶解させた液体を塗
布し、乾燥させて形成することを特徴とする。本構成に
より、正孔注入層または正孔輸送層および、赤色または
緑色発光層と相溶しない、効率の良く色純度の高い青色
の発光層を容易に形成できる。Means for solving the problem In means 1 to 5 for solving the above-mentioned problems, a blue light-emitting layer is
It is characterized by being formed by applying a liquid in which at least a polyfluorene derivative is dissolved and drying it. With this configuration, a blue light-emitting layer with high efficiency and high color purity, which is incompatible with the hole injection layer or the hole transport layer and the red or green light-emitting layer, can be easily formed.
【0014】課題を解決するための手段7.前記課題を
解決するための手段1から6において、陽極上に正孔注
入層または正孔輸送層を形成した後に、フロロカーボン
ガスのプラズマを照射し、その後発光層を形成すること
を特徴とする。本構成により、容易に正孔注入層または
正孔輸送層上にフッ素化物層を形成する事が出来る。正
孔注入層または正孔輸送層と発光層の界面のエネルギー
レベルのマッチングを取ることができ、発光効率の向
上、および駆動電圧の低減を実現できる。Means for solving the problem7. Means 1 to 6 for solving the above problems are characterized in that after forming a hole injection layer or a hole transport layer on an anode, plasma of a fluorocarbon gas is irradiated, and then a light emitting layer is formed. With this configuration, a fluorinated layer can be easily formed on the hole injection layer or the hole transport layer. The energy level at the interface between the hole injection layer or the hole transport layer and the light emitting layer can be matched, so that the luminous efficiency can be improved and the driving voltage can be reduced.
【0015】課題を解決するための手段8.前記課題を
解決するための手段1から6において、陽極上に正孔注
入層または正孔輸送層を形成し、赤色、緑色の発光層を
形成した後に、フロロカーボンガスのプラズマを照射
し、その後発光層を形成することを特徴とする。本構成
により、容易に正孔注入層または正孔輸送層および赤
色、緑色の発光層上にフッ素化物層を形成する事が出来
る。Means for solving the problem In the means 1 to 6 for solving the above problems, a hole injection layer or a hole transport layer is formed on the anode, red and green light emitting layers are formed, and then a plasma of fluorocarbon gas is irradiated, and then light emission is performed. Forming a layer. With this configuration, a fluorinated layer can be easily formed on the hole injection layer or the hole transport layer and the red and green light emitting layers.
【0016】課題を解決するための手段9.前記課題を
解決するための手段7または8において、フロロカーボ
ンガスがCF4であることを特徴とする。本構成によ
り、より効率的に正孔注入層または正孔輸送層および赤
色、緑色の発光層上にフッ素化物層を形成する事が出来
る。Means for solving the problem 9. Means 7 or 8 for solving the above-mentioned problem is characterized in that the fluorocarbon gas is CF4. With this configuration, a fluorinated layer can be more efficiently formed on the hole injection layer or the hole transport layer and the red and green light-emitting layers.
【0017】課題を解決するための手段10.前記課題
を解決するための手段7または8において、フロロカー
ボンガスのプラズマを照射する前に酸素プラズマを照射
することを特徴とする。本構成により、より効率的に正
孔注入層または正孔輸送層および赤色、緑色の発光層上
にフッ素化物層を形成する事が出来る。Means for Solving the Problems Means 7 or 8 for solving the above-mentioned problem is characterized in that oxygen plasma is irradiated before irradiation with fluorocarbon gas plasma. With this configuration, a fluorinated layer can be more efficiently formed on the hole injection layer or the hole transport layer and the red and green light-emitting layers.
【0018】課題を解決するための手段11.本発明の
有機EL表示装置は、手段1から10いずれかにの製造
方法で作成した有機EL素子を有することを特徴とす
る。本構成により、効率が高く色純度の高い、高精細の
有機EL表示装置を提供出来る。Means for Solving the Problem The organic EL display device of the present invention is characterized by having an organic EL element produced by any one of the manufacturing methods of the means 1 to 10. With this configuration, an organic EL display device with high efficiency and high color purity and high definition can be provided.
【0019】課題を解決するための手段12.前記課題
を解決するための手段11において、透明基板上に各画
素を駆動するためのTFT素子が形成されていることを
特徴とする。本構成により、大画面化が可能で、効率が
高く色純度の高い、高精細の有機EL表示装置を提供出
来る。Means for solving the problem Means 11 for solving the above-mentioned problems is characterized in that a TFT element for driving each pixel is formed on a transparent substrate. With this configuration, it is possible to provide a high-definition organic EL display device with a large screen, high efficiency and high color purity.
【0020】課題を解決するための手段13.前記課題
を解決するための手段11において、陰極上に保護膜が
形成されていることを特徴とする。本構成により、信頼
性の高い有機EL表示装置を提供出来る。Means for Solving the Problems 13. The means for solving the above problem 11 is characterized in that a protective film is formed on a cathode. With this configuration, a highly reliable organic EL display device can be provided.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の有機EL素子の製
造方法、および有機EL素子を添付図面に示す好適実施
例に基づいて詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing an organic EL device and an organic EL device according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
【0022】(実施例1)図1は本発明の有機EL素子
の製造方法の第1実施例を示す。同図は3色のフルカラ
ー有機EL素子の製造方法を示すものである。図に示す
ように、透明基板104上に画素電極101、102、
103を形成する工程と、該各画素電極上に有機化合物
からなる正孔注入層または正孔輸送層120を形成する
工程と、有機化合物からなる赤色発光層106、緑色発
光層107をパターン形成する工程と、有機化合物から
なる青色発光層108を形成する工程と、陰極113を
形成する工程とを有する有機EL素子の製造方法であっ
て、赤色と緑色の発光層の形成をインクジェット方式に
より行うことを特徴とする。Embodiment 1 FIG. 1 shows a first embodiment of a method for manufacturing an organic EL device according to the present invention. FIG. 3 shows a method of manufacturing a three-color full-color organic EL device. As shown in the figure, pixel electrodes 101, 102,
103, forming a hole injection layer or a hole transport layer 120 made of an organic compound on each pixel electrode, and pattern-forming a red light emitting layer 106 and a green light emitting layer 107 made of an organic compound. A method for manufacturing an organic EL device, comprising: a step of forming a blue light-emitting layer 108 made of an organic compound; and a step of forming a cathode 113, wherein the formation of red and green light-emitting layers is performed by an inkjet method. It is characterized by.
【0023】透明基板104は、支持体であると同時に
光を取り出す面として機能する。したがって、透明基板
104は、光の透過特性や熱的安定性等を考慮して選択
される。透明基板材料としては、例えばガラス基板、透
明プラスチック等が挙げられるが、耐熱性に優れること
からガラス基板が好ましい。The transparent substrate 104 functions not only as a support but also as a surface from which light is extracted. Therefore, the transparent substrate 104 is selected in consideration of light transmission characteristics, thermal stability, and the like. Examples of the transparent substrate material include a glass substrate and a transparent plastic, and a glass substrate is preferable because of its excellent heat resistance.
【0024】まず、透明基板104上に、画素電極10
1、102、103を形成する。形成方法としては、例
えばフォトリソグラフィー、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、パイロゾル法等が挙げられるが、フォトリソグラ
フィーによることが好ましい。画素電極としては透明画
素電極が好ましく、透明画素電極を構成する材料として
は、酸化スズ膜、ITO膜、酸化インジウムと酸化亜鉛
との複合酸化物膜等が挙げられる。First, the pixel electrode 10 is placed on the transparent substrate 104.
1, 102 and 103 are formed. Examples of the formation method include photolithography, a vacuum evaporation method, a sputtering method, a pyrosol method, and the like, and it is preferable to use photolithography. A transparent pixel electrode is preferable as the pixel electrode, and examples of a material forming the transparent pixel electrode include a tin oxide film, an ITO film, and a composite oxide film of indium oxide and zinc oxide.
【0025】次に、隔壁(バンク)105を形成し、上
記の各透明画素電極間を埋める。これにより、コントラ
ストの向上、発光材料の混色の防止、画素と画素との間
からの光洩れ等を防止することができる。Next, a partition (bank) 105 is formed, and the space between the transparent pixel electrodes is filled. Thereby, it is possible to improve contrast, prevent color mixing of light emitting materials, and prevent light leakage between pixels.
【0026】隔壁105を構成する材料としては、EL
材料の溶媒に対し耐久性を有するものであれば特に限定
されず、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、感光性ポ
リイミド等の有機材料、液状ガラス等の無機材料等が挙
げられる。また、隔壁105は、上記材料にカーボンブ
ラック等を混入してブラックレジストとしてもよい。こ
の隔壁105の形成方法としては、例えばフォトリソグ
ラフィー等が挙げられる。The material constituting the partition 105 is EL
The material is not particularly limited as long as it has durability to the solvent of the material, and examples thereof include an organic material such as an acrylic resin, an epoxy resin, and photosensitive polyimide, and an inorganic material such as a liquid glass. Further, the partition wall 105 may be formed as a black resist by mixing carbon black or the like into the above material. Examples of a method for forming the partition 105 include photolithography.
【0027】さらに該各画素電極上に、有機化合物から
なる正孔注入層または正孔輸送層120を形成する。ま
ず、パターニングした透明な陽極付き透明基板1上に、
酸素プラズマまたはUV照射処理した後に、正孔注入層
または正孔輸送層となりうる物質を製膜した。正孔注入
層または正孔輸送層として、ポリチオフェン誘導体を含
有する例を示した。ポリチオフェン誘導体として、バイ
エル社から発売されているバイトロンPを用い、必要に
応じPSS(ポリスチレンスルフォン酸)を添加した。
架橋させるシランカップリング剤としては、γク゛リシジ
ルオキシプロピルトリメトキシシランを用いた。溶媒と
してメタノールとエトキシエタノールを適当量加え、こ
れを透明電極を形成したガラス基板上にスピンコートし
た。さらに200℃真空状態で1時間過熱した。硬化し
た正孔注入層または正孔輸送層は、一般的な溶媒に不溶
となった。膜厚は200nmであった。Further, a hole injection layer or a hole transport layer 120 made of an organic compound is formed on each of the pixel electrodes. First, on a patterned transparent substrate 1 with a transparent anode,
After the oxygen plasma or UV irradiation treatment, a substance which can be a hole injection layer or a hole transport layer was formed. Examples in which a polythiophene derivative is contained as the hole injection layer or the hole transport layer have been described. As a polythiophene derivative, Baytron P sold by Bayer was used, and PSS (polystyrene sulfonic acid) was added as necessary.
As a silane coupling agent to be crosslinked, γ-glycidyloxypropyltrimethoxysilane was used. Appropriate amounts of methanol and ethoxyethanol were added as solvents, and this was spin-coated on a glass substrate on which a transparent electrode had been formed. Further, it was heated at 200 ° C. under vacuum for 1 hour. The cured hole injection layer or hole transport layer became insoluble in common solvents. The thickness was 200 nm.
【0028】さらに、各画素電極上に、所定のパターン
で有機発光層を形成する。有機発光層は3色設けること
が好ましく、このうち、赤色と緑色をインクジェット方
式により形成することが好ましい。Further, an organic light emitting layer is formed on each pixel electrode in a predetermined pattern. The organic light emitting layer is preferably provided in three colors, and among them, it is preferable to form red and green by an ink jet method.
【0029】図1の実施例では、画素電極101、10
2の上に、硬化した正孔注入層または正孔輸送層120
を介して、各々インクジェット方式により赤色発光層1
06および緑色発光層107を形成した後、さらに20
0℃真空状態で1時間過熱した。膜厚は100nmであ
った。In the embodiment of FIG. 1, the pixel electrodes 101, 10
2, a cured hole injection layer or hole transport layer 120
Through each of the red light emitting layers 1 by an ink jet method.
06 and the green light-emitting layer 107,
The mixture was heated at 0 ° C. under vacuum for 1 hour. The thickness was 100 nm.
【0030】ここで、インクジェット方式とは、発光材
料を溶媒に溶解または分散させ吐出液としてインクジェ
ットプリント装置109のヘッド110から吐出し、赤
色、緑色、青色のような3原色またはその中間色のうち
少なくとも1色の画素を形成することをいう。Here, the ink jet system means that a luminescent material is dissolved or dispersed in a solvent and discharged as a discharge liquid from a head 110 of an ink jet printing apparatus 109, and at least one of three primary colors such as red, green and blue or intermediate colors thereof. This means that one color pixel is formed.
【0031】かかるインクジェット方式によれば、微細
なパターニングを簡便にかつ短時間で行うことができ
る。また、吐出量の増減による膜厚の調整、またはイン
クの濃度調整による発色バランス、輝度等の発光能を容
易かつ自由に制御することができる。According to such an ink jet system, fine patterning can be performed easily and in a short time. Further, it is possible to easily and freely control the light emitting ability such as the color balance and the luminance by adjusting the film thickness by increasing or decreasing the ejection amount, or by adjusting the density of the ink.
【0032】なお、有機発光材料が後述する共役高分子
前駆体である場合には、インクジェット方式により各発
光材料を吐出してパターニングした後、加熱または光照
射等によって前駆体成分を共役化(成膜)し、一般的な
溶剤に不溶な発光層を形成できる。When the organic light-emitting material is a conjugated polymer precursor described below, each light-emitting material is discharged and patterned by an ink jet method, and then the precursor components are conjugated by heating or light irradiation. Film) to form a light-emitting layer insoluble in common solvents.
【0033】発光層は有機化合物からなるものが好まし
く、高分子有機化合物からなるものがより好ましい。有
機化合物からなる発光層を設けることにより、低電圧で
高輝度の面発光を可能にすることができる。また、発光
材料の幅広い選択によりEL発光素子の合理的設計が可
能となる。The light emitting layer is preferably composed of an organic compound, and more preferably composed of a high molecular organic compound. By providing a light-emitting layer made of an organic compound, it is possible to achieve high-luminance surface light emission at a low voltage. Also, a wide selection of light emitting materials enables rational design of EL light emitting devices.
【0034】特に高分子有機化合物は成膜性に優れ、ま
た高分子有機化合物からなる発光層の耐久性は極めて良
好である。また、可視領域の禁止帯幅と比較的高い導電
性を有しており、なかでも共役系高分子はこのような傾
向が顕著である。有機発光層材料としては、高分子有機
化合物そのもの、または加熱等により共役化(成膜)す
る共役高分子有機化合物の前駆体等が用いられる。In particular, a high molecular weight organic compound is excellent in film-forming properties, and the durability of a light emitting layer composed of a high molecular weight organic compound is extremely good. Further, it has a forbidden band width in the visible region and relatively high conductivity, and the conjugated polymer is particularly prone to this tendency. As the organic light emitting layer material, a polymer organic compound itself, a precursor of a conjugated polymer organic compound which is conjugated (formed into a film) by heating or the like, or the like is used.
【0035】共役化(成膜)する前の前駆体を発光材料
として用いる場合には、インクジェットの吐出液として
表面張力や粘度等の調整が容易であり、精密なパターニ
ングが可能で、発光層の発光特性や膜性状を容易に制御
することができる。When the precursor before conjugation (film formation) is used as a light-emitting material, it is easy to adjust the surface tension, viscosity, etc., as an ink-jet discharge liquid, it is possible to perform precise patterning, and to form a light-emitting layer. Emission characteristics and film properties can be easily controlled.
【0036】発光層を形成し得る有機化合物としては、
例えばPPV(ポリ(パラ−フェニレンビニレン))ま
たはその誘導体、PTV(ポリ(2,5-チエニレンビニレ
ン))等のポリアルキルチオフェン、PFV(ポリ(2,
5-フリレンビニレン))、ポリパラフェニレン、ポリア
ルキルフルオレン等のポリアリレンビニレン、ピラゾリ
ンダイマー、キノリジンカルボン酸、ベンゾピリリウム
パークロレート、ベンゾピラノキノリジン、ルブレン、
フェナントロリンユウロピウム錯体等が挙げられ、これ
らを1種または2種以上を混合して用いることができ
る。The organic compound capable of forming the light emitting layer includes
For example, polyalkylthiophene such as PPV (poly (para-phenylenevinylene)) or a derivative thereof, PTV (poly (2,5-thienylenevinylene)), and PFV (poly (2,
5-furylenevinylene)), polyarylenevinylene such as polyparaphenylene, polyalkylfluorene, pyrazoline dimer, quinolidinecarboxylic acid, benzopyrylium perchlorate, benzopyranoquinolidine, rubrene,
Phenanthroline europium complexes and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination of two or more.
【0037】これらのなかでも共役高分子有機化合物で
あるPPVまたはその誘導体が好ましい。PPVまたは
その誘導体の共役化(成膜)前の前駆体は、水あるいは
極性有機溶媒に可溶であり、インクジェット方式による
パターン形成に適している。また、高分子であるため光
学的にも高品質で耐久性に優れた薄膜を得ることができ
る。さらに、PPVまたはその誘導体は強い蛍光を持
ち、二重結合のπ電子がポリマー鎖上で非極在化してい
る導電性高分子でもあるためPPVの薄膜は正孔注入輸
送層としても機能し、高性能の有機EL素子を得ること
ができる。Among them, PPV or a derivative thereof which is a conjugated organic polymer compound is preferable. The precursor of PPV or its derivative before conjugation (film formation) is soluble in water or a polar organic solvent, and is suitable for pattern formation by an inkjet method. Further, since it is a polymer, a thin film having high optical quality and excellent durability can be obtained. Furthermore, PPV or a derivative thereof has strong fluorescence, and is a conductive polymer in which the π electron of the double bond is non-polarized on the polymer chain. Therefore, the PPV thin film also functions as a hole injection transport layer, A high-performance organic EL device can be obtained.
【0038】さらに、高分子有機発光層材料を用いる場
合の有機EL素子用組成物は、少なくとも1種の蛍光色
素を含むことも可能である。これにより、発光層の発光
特性を変化させることができ、例えば、発光層の発光効
率の向上、または光吸収極大波長(発光色)を変える手
段として有効である。Further, when a polymer organic light emitting layer material is used, the composition for an organic EL device may contain at least one kind of fluorescent dye. This makes it possible to change the light-emitting characteristics of the light-emitting layer, and is effective as, for example, a means for improving the light-emitting efficiency of the light-emitting layer or changing the light absorption maximum wavelength (emission color).
【0039】すなわち、蛍光色素は単に発光層材料とし
てではなく、発光機能そのものを担う色素材料として利
用することができる。例えば、PPV等のような共役系
高分子有機化合物分子上のキャリア再結合で生成したエ
キシトンのエネルギーをほとんど蛍光色素分子上に移す
ことができる。この場合、発光は蛍光量子効率が高い蛍
光色素分子からのみ起こるため、EL素子の電流量子効
率も増加する。したがって、有機EL素子用組成物中に
蛍光色素を加えることにより、同時に発光層の発光スペ
クトルも蛍光分子のものとなるので、発光色を変えるた
めの手段としても有効となる。That is, the fluorescent dye can be used not only as a light emitting layer material but also as a dye material having a light emitting function itself. For example, most of the energy of excitons generated by carrier recombination on conjugated polymer organic compound molecules such as PPV can be transferred to fluorescent dye molecules. In this case, since light emission occurs only from a fluorescent dye molecule having a high fluorescence quantum efficiency, the current quantum efficiency of the EL element also increases. Therefore, when a fluorescent dye is added to the composition for an organic EL device, the emission spectrum of the light emitting layer becomes the same as that of the fluorescent molecule, and this is also effective as a means for changing the emission color.
【0040】なお、ここでいう電流量子効率とは、発光
機能に基づいて発光性能を考察するための尺度であっ
て、下記式により定義される。Here, the current quantum efficiency is a measure for considering the light emitting performance based on the light emitting function, and is defined by the following equation.
【0041】ηE=放出されるフォトンのエネルギー/
入力電気エネルギー そして、蛍光色素のドープによる光吸収極大波長の変換
によって、色純度の高い赤色、緑色を発光させることが
でき、その結果フルカラー表示装置を得ることが可能と
なる。さらに蛍光色素をドーピングすることにより、E
L素子の発光効率を大幅に向上させることができる。Η E = emitted photon energy /
Input electric energy The conversion of the light absorption maximum wavelength by the doping of the fluorescent dye enables emission of red and green with high color purity, and as a result, a full-color display device can be obtained. Further doping with a fluorescent dye allows E
The luminous efficiency of the L element can be greatly improved.
【0042】赤色発光層に用いられる蛍光色素として
は、レーザー色素のDCMあるいはローダミンまたはロ
ーダミン誘導体、ペリレン等を用いることができる。こ
れらの蛍光色素は、低分子であるため溶媒に可溶であ
り、またPPV等と相溶性がよく、均一で安定した発光
層の形成が容易である。ローダミン誘導体蛍光色素とし
ては、例えばローダミンB、ローダミンBベース、ロー
ダミン6G、ローダミン101過塩素酸塩等が挙げら
れ、これらを2種以上混合したものであってもよい。As the fluorescent dye used in the red light emitting layer, DCM of laser dye, rhodamine or rhodamine derivative, perylene or the like can be used. Since these fluorescent dyes are low-molecular, they are soluble in a solvent, have good compatibility with PPV and the like, and can easily form a uniform and stable light-emitting layer. Examples of the rhodamine derivative fluorescent dye include rhodamine B, rhodamine B base, rhodamine 6G, and rhodamine 101 perchlorate, and a mixture of two or more of these may be used.
【0043】また、緑色発光層に用いられる蛍光色素と
しては、キナクリドン、ルブレン、DCJTおよびそれ
らの誘導体が挙げられる。これらの蛍光色素は上記赤色
蛍光色素と同様、低分子であるため溶媒に可溶であり、
またPPV等と相溶性がよく発光層の形成が容易であ
る。The fluorescent dye used in the green light-emitting layer includes quinacridone, rubrene, DCJT and derivatives thereof. These fluorescent dyes, like the red fluorescent dye described above, are low-molecular and soluble in solvents,
Further, it has good compatibility with PPV and the like, and easily forms a light emitting layer.
【0044】次いで、図1に示すように青色発光層10
8を赤色発光層106、緑色発光層107および画素電
極103の上に形成する。これにより、赤、緑、青の3
原色を形成するのみならず、赤色発光層106および緑
色発光層107と隔壁105との段差を埋めて平坦化す
ることができる。これにより、上下電極間のショートを
確実に防ぐことができる。青色発光層の膜厚を調整する
ことで、青色発光層は赤色発光層および緑色発光層との
積層構造において、電子注入輸送層として作用し、青色
には発光しない。Next, as shown in FIG.
8 is formed on the red light emitting layer 106, the green light emitting layer 107 and the pixel electrode 103. As a result, three colors of red, green and blue
In addition to forming the primary colors, it is possible to fill the steps between the red light-emitting layer 106 and the green light-emitting layer 107 and the partition 105 and to planarize them. As a result, a short circuit between the upper and lower electrodes can be reliably prevented. By adjusting the thickness of the blue light emitting layer, the blue light emitting layer acts as an electron injection / transport layer in the stacked structure of the red light emitting layer and the green light emitting layer, and does not emit blue light.
【0045】かかる青色発光層108の形成方法として
は特に限定されず、湿式法として一般的なスピンコート
法またはインクジェット法でも形成可能である。本実施
例では青色発光層108として、ポリジオクチルフルオ
レンのキシレン溶液をスピンコートして、80℃で1時
間乾燥し100nmの膜厚とした。The method for forming the blue light-emitting layer 108 is not particularly limited, and the blue light-emitting layer 108 can be formed by a general spin coating method or an ink-jet method as a wet method. In this embodiment, the blue light-emitting layer 108 was spin-coated with a polydioctylfluorene xylene solution and dried at 80 ° C. for 1 hour to have a thickness of 100 nm.
【0046】青色発光層としては他にポリフルオレン誘
導体であるポリジへキシルフルオレンや、その他の重合
基との共重合体が挙げられ、青色蛍光色素や電子注入輸
送機能を持つ有機化合物を添加してもよい。Other examples of the blue light-emitting layer include polydihexylfluorene, which is a polyfluorene derivative, and a copolymer with another polymer group, and a blue fluorescent dye or an organic compound having an electron injection / transport function is added. Is also good.
【0047】電子注入輸送層を形成し得る有機化合物と
しては、PBD、OXD−8等のオキサジアゾール誘導
体、DSA、アルミキノリノール錯体、Bebq、トリ
アゾール誘導体、アゾメチン錯体、ポルフィン錯体、ベ
ンゾオイキジアゾール錯体等が挙げられる。Examples of the organic compound capable of forming the electron injecting and transporting layer include oxadiazole derivatives such as PBD and OXD-8, DSA, aluminum quinolinol complex, Bebq, triazole derivative, azomethine complex, porphine complex, and benzooxydiazole complex. And the like.
【0048】本実施例のように、有機発光層のうち2色
をインクジェット方式により形成し、他の1色を従来の
塗布方法により形成することにより、インクジェット方
式にあまり適さない発色材料であっても、インクジェッ
ト方式に用いられる他の有機発光材料と組合せることに
よりフルカラー有機EL素子を形成することができるた
め、設計の幅が拡がる。インクジェット方式以外の従来
の塗布方法としては、印刷法、転写法、ディッピング
法、スピンコート法、キャスト法、キャピラリー法、ロ
ールコート法、バーコート法等が挙げられる。As in the present embodiment, two colors of the organic light emitting layer are formed by the ink jet method, and the other color is formed by the conventional coating method. Also, a full-color organic EL element can be formed by combining with another organic light emitting material used for an ink jet system, so that the range of design is expanded. Conventional coating methods other than the inkjet method include a printing method, a transfer method, a dipping method, a spin coating method, a casting method, a capillary method, a roll coating method, a bar coating method, and the like.
【0049】最後に、陰極(対向電極)113を形成
し、本発明の有機EL素子が作製される。陰極113と
しては金属薄膜電極が好ましく、陰極を構成する金属と
しては、例えばMg、Ag、Al、Li等が挙げられ
る。また、これらの他に仕事関数の小さい材料を用いる
ことができ、例えばアルカリ金属や、Ca等のアルカリ
土類金属およびこれらを含む合金を用いることができ
る。また金属のフッ素化物も適応できる。このような陰
極113は蒸着法およびスパッタ法等により設けること
ができる。Finally, a cathode (counter electrode) 113 is formed, and the organic EL device of the present invention is manufactured. The cathode 113 is preferably a metal thin-film electrode, and examples of the metal constituting the cathode include Mg, Ag, Al, and Li. In addition to these, a material having a small work function can be used. For example, an alkali metal, an alkaline earth metal such as Ca, and an alloy containing these can be used. Fluoride of metal is also applicable. Such a cathode 113 can be provided by an evaporation method, a sputtering method, or the like.
【0050】さらに、図4に示すように陰極113の上
に保護膜401が形成されていてもよい。保護膜401
を形成することにより、陰極113および各発光層10
6、107、108の劣化、損傷および剥離等を防止す
ることができる。Further, a protective film 401 may be formed on the cathode 113 as shown in FIG. Protective film 401
Is formed, the cathode 113 and each light emitting layer 10 are formed.
6, 107, 108 can be prevented from being deteriorated, damaged, peeled off, and the like.
【0051】このような保護膜401の構成材料として
は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、液状ガラス等が挙げ
られる。また、保護膜401の形成方法としては、例え
ばスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピ
ング法、バーコート法、ロールコート法、キャピラリー
法等が挙げられる。As a constituent material of such a protective film 401, an epoxy resin, an acrylic resin, a liquid glass or the like can be used. Examples of the method for forming the protective film 401 include a spin coating method, a casting method, a dipping method, a bar coating method, a roll coating method, and a capillary method.
【0052】本発明の有機EL素子の製造方法において
使用されるインクジェット用ヘッドの構造を第6図およ
び第7図に示す。当該インクジェット用ヘッド10は、
例えばステンレス製のノズルプレート11と振動板13
とを備え、両者は仕切部材(リザーバプレート)15を
介して接合されている。FIGS. 6 and 7 show the structure of an ink jet head used in the method for manufacturing an organic EL device of the present invention. The inkjet head 10 includes:
For example, a nozzle plate 11 and a diaphragm 13 made of stainless steel
And both are joined via a partition member (reservoir plate) 15.
【0053】ノズルプレート11と振動板13との間に
は、仕切部材15によって複数のインク室19と液溜り
21とが形成されている。インク室19および液溜り2
1の内部は本発明の組成物で満たされており、インク室
19と液溜り21とは供給口23を介して連通してい
る。さらに、ノズルプレート11には、インク室19か
ら組成物をジェット状に噴射するためのノズル孔25が
設けられている。一方、インクジェット用ヘッド10
には、液溜り21に組成物を供給するためのインク導入
孔27が形成されている。また、振動板13のインク室
19に対向する面と反対側の面上には、前記空間19の
位置に対応させて圧電素子29が接合されている。A plurality of ink chambers 19 and liquid reservoirs 21 are formed between the nozzle plate 11 and the vibration plate 13 by the partition member 15. Ink chamber 19 and liquid pool 2
The inside of 1 is filled with the composition of the present invention, and the ink chamber 19 and the liquid reservoir 21 communicate with each other through a supply port 23. Further, the nozzle plate 11 is provided with a nozzle hole 25 for jetting the composition from the ink chamber 19 in a jet shape. On the other hand, the inkjet head 10
Is formed with an ink introduction hole 27 for supplying the composition to the liquid reservoir 21. A piezoelectric element 29 is joined to the surface of the vibration plate 13 opposite to the surface facing the ink chamber 19 so as to correspond to the position of the space 19.
【0054】この圧電素子29は1対の電極31の間に
位置し、通電すると圧電素子29が外側に突出するよう
に撓曲し、同時に圧電素子29が接合している振動板1
3も一体となって外側に撓曲する。これによってインク
室19の容積が増大する。したがって、インク室19内
に増大した容積分に相当する組成物が液溜り21から供
給口23を介して流入する。The piezoelectric element 29 is located between the pair of electrodes 31. When energized, the piezoelectric element 29 bends so as to protrude outward, and at the same time, the diaphragm 1 to which the piezoelectric element 29 is joined.
3 also bends outward as a unit. Thereby, the volume of the ink chamber 19 increases. Therefore, the composition corresponding to the increased volume flows into the ink chamber 19 from the liquid reservoir 21 through the supply port 23.
【0055】次に、圧電素子29への通電を解除する
と、該圧電素子29と振動板13はともに元の形状に戻
る。これにより空間19も元の容積に戻るためインク室
19内部の組成物の圧力が上昇し、ノズル孔25から基
板に向けて組成物が噴出する。Next, when the current supply to the piezoelectric element 29 is released, both the piezoelectric element 29 and the diaphragm 13 return to their original shapes. As a result, the space 19 also returns to its original volume, so that the pressure of the composition inside the ink chamber 19 increases, and the composition is ejected from the nozzle holes 25 toward the substrate.
【0056】なお、ノズル孔25の周辺部には、組成物
の飛行曲がり・孔詰まりを防止するために撥インク層2
6が設けられている。すなわち、ノズル孔25の周辺部
は、第7図に示すように例えばNi−テトラフルオロエ
チレン共析メッキ層からなる撥インク層26が設けられ
ている。The ink repellent layer 2 is provided around the nozzle hole 25 in order to prevent the composition from bending and clogging.
6 are provided. That is, as shown in FIG. 7, an ink-repellent layer 26 made of, for example, a Ni-tetrafluoroethylene eutectoid plating layer is provided around the nozzle hole 25.
【0057】このようなヘッドを用いて、例えば赤色、
緑色に対応する組成物を所定のパターンで吐出すること
により各有機発光層を設け、画素を形成することができ
る。Using such a head, for example, red,
By discharging the composition corresponding to green in a predetermined pattern, each organic light emitting layer can be provided to form a pixel.
【0058】本発明の有機EL素子の製造方法におい
て、インクジェット方式に用いられる有機発光材料組成
物は、以下のような特性を有するものを用いることがで
きる。In the method for producing an organic EL device of the present invention, the organic light emitting material composition used in the ink jet system may have the following characteristics.
【0059】前記組成物は、インクジェット用ヘッドに
設けられた該組成物を吐出するノズルのノズル面33を
構成する材料に対する接触角が30度〜170度である
ことが好ましく、35度〜65度がより好ましい。組成
物がこの範囲の接触角を有することにより組成物の飛行
曲がりを抑制することができ、精密なパターニングが可
能となる。The composition preferably has a contact angle of 30 ° to 170 ° with the material constituting the nozzle surface 33 of the nozzle provided on the ink jet head for discharging the composition, and 35 ° to 65 °. Is more preferred. When the composition has a contact angle in this range, flight bending of the composition can be suppressed, and precise patterning can be performed.
【0060】すなわち、この接触角が30度未満である
場合、組成物のノズル面の構成材料に対する濡れ性が増
大するため、組成物を吐出する際、組成物がノズル孔の
周囲に非対称に付着することがある。この場合、ノズル
孔に付着した組成物と吐出しようとする付着物との相互
間に引力が働くため、組成物は不均一な力により吐出さ
れることになり目標位置に到達できない所謂飛行曲がり
が生じ、また飛行曲がり頻度も高くなる。また、170
度を超えると、組成物とノズル孔との相互作用が極小と
なり、ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないた
め組成物の吐出量、吐出タイミングの制御が困難にな
る。That is, if the contact angle is less than 30 degrees, the wettability of the composition to the constituent material of the nozzle surface increases, so that the composition adheres asymmetrically around the nozzle hole when the composition is discharged. May be. In this case, an attractive force acts between the composition adhering to the nozzle hole and the adhering substance to be ejected, so that the composition is ejected by a non-uniform force, so that a so-called flight bend cannot reach the target position. And the frequency of flight turns increases. Also, 170
Exceeding the degree, the interaction between the composition and the nozzle hole becomes extremely small, and the shape of the meniscus at the nozzle tip becomes unstable, so that it becomes difficult to control the discharge amount and discharge timing of the composition.
【0061】ここで飛行曲がりとは、組成物を前記ノズ
ルから吐出させたとき、ドットの着弾した位置が、目標
位置に対し50μm以上のずれを生じることをいう。ま
た、飛行曲がり頻度とは、周波数7200Hzで連続吐
出したとき上記の飛行曲がりが生じるまでの時間をい
う。飛行曲がりは、主にノズル孔の濡れ性が不均一であ
る場合や組成物の固型成分の付着による目詰り等によっ
て発生し、ヘッドをクリーニングすることにより解消す
ることができる。この飛行曲がり頻度が高いほど頻繁な
ヘッドクリーニングが必要となり、インクジェット方式
によるEL素子の製造効率を低下させる組成物であると
いえる。実用レベルでは飛行曲がり頻度は1000秒以
上であることが必要である。このような飛行曲がりが防
止されることにより、高精細なパターニングも可能であ
り、しかも精度よく行うことができる。[0061] Here, the flight deflection means that when the composition is ejected from the nozzle, the position where the dot lands is shifted by 50 μm or more from the target position. The term "turning frequency" refers to the time until the above-described turning occurs when continuous ejection is performed at a frequency of 7200 Hz. Flying bends mainly occur when the nozzle holes have non-uniform wettability or due to clogging due to adhesion of solid components of the composition, and can be eliminated by cleaning the head. The higher the frequency of this flight bending, the more frequent head cleaning is required, and it can be said that the composition is a composition that reduces the efficiency of manufacturing an EL element by an ink jet method. At a practical level, it is necessary that the flight bend frequency be 1000 seconds or more. By preventing such flight bending, high-definition patterning is also possible and can be performed with high accuracy.
【0062】また、前記組成物の粘度は1cp〜20cpで
あることが好ましく、2cp〜4cpであることがより好ま
しい。組成物の粘度が1cp未満である場合、前記前駆体
および蛍光色素の材料中の含有量が過小となり、形成さ
れた発光層が十分な発色能を発揮し得なくなる。一方、
20cpを超える場合、ノズル孔から組成物を円滑に吐出
させることができず、ノズル孔径を大きくする等の装置
の仕様を変更しない限りパターニングが困難となる。さ
らに、粘度が大きい場合、組成物中の固型分が析出し易
く、ノズル孔の目詰りの発生頻度が高くなる。The viscosity of the composition is preferably from 1 cp to 20 cp, more preferably from 2 cp to 4 cp. When the viscosity of the composition is less than 1 cp, the content of the precursor and the fluorescent dye in the material becomes too small, and the formed light emitting layer cannot exhibit a sufficient coloring ability. on the other hand,
If it exceeds 20 cp, the composition cannot be discharged smoothly from the nozzle holes, and patterning becomes difficult unless the specifications of the apparatus are changed, such as increasing the diameter of the nozzle holes. Further, when the viscosity is large, solid components in the composition are easily precipitated, and the frequency of clogging of the nozzle holes increases.
【0063】また、前記組成物は表面張力が20dyne/
cm〜70dyne/cmであることが好ましく、25dyne/cm
〜40dyne/cmがより好ましい。この範囲の表面張力に
することにより、上述した接触角の場合と同様、飛行曲
がりを抑制し、飛行曲がり頻度を低く抑えることができ
る。表面張力が20dyne/cm未満であると、組成物のノ
ズル面の構成材料に対する濡れ性が増大するため、上記
接触角の場合と同様飛行曲がりが生じ、飛行曲がり頻度
が高くなる。また、70dyne/cmを超えるとノズル先端
でのメニスカス形状が安定しないため、組成物の吐出
量、吐出タイミングの制御が困難になる。The composition has a surface tension of 20 dyne /
cm to 70 dyne / cm, preferably 25 dyne / cm
-40 dyne / cm is more preferred. By setting the surface tension in this range, similarly to the case of the contact angle described above, the flight bend can be suppressed, and the frequency of the flight bend can be suppressed. When the surface tension is less than 20 dyne / cm, the wettability of the composition with respect to the constituent material of the nozzle surface increases, so that a flight bend occurs as in the case of the contact angle, and the frequency of the flight bend increases. On the other hand, if it exceeds 70 dyne / cm, the meniscus shape at the tip of the nozzle will not be stable, and it will be difficult to control the discharge amount and discharge timing of the composition.
【0064】また、本発明の有機EL素子の製造方法に
適する有機発色材料組成物は、上述した接触角、粘度お
よび表面張力について少なくとも1つについて数値範囲
を満足するものであればよく、2以上の任意の組合せの
特性について条件を満足するもの、さらにはすべての特
性について満足するものがさらに好ましい。The organic color-forming material composition suitable for the method for producing an organic EL device of the present invention is not limited as long as it satisfies at least one of the above-mentioned numerical ranges for the contact angle, viscosity and surface tension. Those satisfying the conditions for the characteristics of any combination of the above, and those satisfying all the characteristics are more preferable.
【0065】(実施例2)図2は、本発明の有機EL素
子の製造方法の第2実施例を示す図である。Example 2 FIG. 2 is a view showing a second example of the method for manufacturing an organic EL device according to the present invention.
【0066】本実施例では、第1実施例と同様に透明基
材104上に画素電極101、102、103、および
隔壁105を設けた後、インクジェット方式により有機
化合物からなる正孔注入層または正孔輸送層120を形
成した。200℃窒素雰囲気中で2時間加熱した後の膜
厚は50nmであった。In the present embodiment, pixel electrodes 101, 102, 103 and partition walls 105 are provided on a transparent base material 104 as in the first embodiment, and then a hole injection layer made of an organic compound or a positive electrode is formed by an ink jet method. The hole transport layer 120 was formed. The film thickness after heating at 200 ° C. in a nitrogen atmosphere for 2 hours was 50 nm.
【0067】正孔注入層または正孔輸送層を構成する材
料、および液組成は実施例1と同じであるが、インクジ
ェット方式で形成する点で上記第1実施例と相異なる。
このように正孔注入輸送層または正孔輸送層を形成する
ことにより、高精細なパターンであっても、確実に膜厚
の制御性良く、有機薄膜を形成できる。The materials constituting the hole injection layer or the hole transport layer and the liquid composition are the same as those in the first embodiment, but are different from the first embodiment in that they are formed by an ink jet method.
By forming the hole injecting and transporting layer or the hole transporting layer in this way, an organic thin film can be formed with good controllability of the film thickness even with a high-definition pattern.
【0068】さらに、上記実施例1と同様にインクジェ
ット方式により赤色発光層106、緑色発光層107を
設け、その上に青色発光層108を積層した。陰極11
3を形成することにより本発明の有機EL素子を得るこ
とができた。赤色発光層106、緑色発光層107、青
色発光層108、陰極113の構成材料、および形成方
法は実施例1と同様である。Further, a red light emitting layer 106 and a green light emitting layer 107 were provided by an ink jet method in the same manner as in Example 1, and a blue light emitting layer 108 was laminated thereon. Cathode 11
By forming No. 3, the organic EL device of the present invention could be obtained. The constituent materials and the forming method of the red light emitting layer 106, the green light emitting layer 107, the blue light emitting layer 108, and the cathode 113 are the same as those in the first embodiment.
【0069】(実施例3)本実施例では、陽極上に正孔
注入層または正孔輸送層を形成した後に、酸素プラズマ
を照射し、更にフロロカーボンガスのプラズマを照射し
た例を示す。プラズマ発生装置としては、真空中でプラ
ズマを発生する装置でも、大気圧中でプラズマを発生す
る装置でも同様に用いる事が出来る。(Embodiment 3) In this embodiment, an example in which a hole injection layer or a hole transport layer is formed on an anode, and then oxygen plasma is irradiated, and further, fluorocarbon gas plasma is irradiated. As a plasma generator, an apparatus that generates plasma in a vacuum or an apparatus that generates plasma at atmospheric pressure can be used in the same manner.
【0070】まず、画素間にポリイミドから成る有機膜
を形成し、次に画素部のITO電極極上にインクジェッ
ト法にてバイエル社製バイトロンPを吐出し成膜し20
0℃にて1時間焼成した。次にこの上に酸素プラズマお
よびCF4プラズマ処理を施して、次にこれら画素の
内、緑色画素となる画素上に、PPV前駆体をDMIを
主成分とする溶媒に溶解させてインクとし、インクジェ
ット法にて吐出しパターン形成した。次に赤色画素とな
る画素上に、ローダミン1を混合したPPV前駆体を、
DMIを主成分とする溶媒に溶解させてインクとし、イ
ンクジェット法にて吐出しパターン形成した。150℃
で加熱硬化させた後、全面にポリジオクチルフルオレン
のキシレン溶液をインクジェット法にて吐出乾燥した。First, an organic film made of polyimide is formed between pixels. Next, Bayer Baytron P manufactured by Bayer is discharged onto the ITO electrode of the pixel portion by an ink-jet method to form a film.
It was baked at 0 ° C. for 1 hour. Next, oxygen plasma and CF4 plasma treatment are performed thereon, and the PPV precursor is dissolved in a solvent containing DMI as a main component on a green pixel among these pixels to form an ink. To form a discharge pattern. Next, on a pixel to be a red pixel, a PPV precursor mixed with rhodamine 1 is
The ink was dissolved in a solvent containing DMI as a main component to form an ink, and ejected by an inkjet method to form a pattern. 150 ° C
Then, a xylene solution of polydioctylfluorene was discharged and dried over the entire surface by an inkjet method.
【0071】その上にCaを200nmの膜厚で真空加
熱蒸着により積層し、さらにAlを800nmの膜厚で
スパッタ法により積層して陰極とした。最後に陰極から
電線を引きだし、さらに陰極上にエポキシ樹脂からなる
保護膜により封止を施し、有機EL素子を完成した。On top of this, Ca was deposited in a thickness of 200 nm by vacuum heating evaporation, and Al was deposited in a thickness of 800 nm by sputtering to form a cathode. Finally, an electric wire was drawn out from the cathode, and sealing was performed on the cathode with a protective film made of an epoxy resin to complete an organic EL device.
【0072】通常ITOの仕事関数は4.8eV程度で
あり、正孔注入層または正孔輸送層は4.8〜5.4e
V程度である。この上にフッ素化物層を形成する事でこ
の表面でのイオン化ポテンシャルを5.7eV程度まで
高められた。このため発光材料とほぼ同等のイオン化ポ
テンシャルとなり、発光層と正孔輸送層とのエネルギー
ギャップが小さくなり、正孔注入がスムースに行われ
た。その結果エネルギー効率の高い有機EL素子を提供
できた。Normally, the work function of ITO is about 4.8 eV, and the hole injection layer or the hole transport layer has a work function of 4.8 to 5.4 eV.
About V. By forming a fluoride layer thereon, the ionization potential on this surface was increased to about 5.7 eV. For this reason, the ionization potential was substantially the same as that of the light emitting material, the energy gap between the light emitting layer and the hole transport layer was reduced, and the hole injection was performed smoothly. As a result, an organic EL device having high energy efficiency could be provided.
【0073】(実施例4) まず、画素間にポリイミドか
ら成る有機膜を形成し、次に画素部のITO電極極上に
スピンコート法にてバイエル社製バイトロンPを吐出し
成膜し200℃にて1時間焼成した。次に、緑色画素と
なる画素上に、PPV前駆体をDMIを主成分とする溶
媒に溶解させてインクとし、インクジェット法にて吐出
しパターン形成した。次に赤色画素となる画素上に、ロ
ーダミン1を混合したPPV前駆体を、DMIを主成分
とする溶媒に溶解させてインクとし、インクジェット法
にて吐出しパターン形成した。Example 4 First, an organic film made of polyimide was formed between pixels, and then Bayer Baytron P manufactured by Bayer was discharged by spin coating onto the ITO electrode of the pixel portion to form a film. For 1 hour. Next, a PPV precursor was dissolved in a solvent containing DMI as a main component to form an ink on a pixel to be a green pixel, and the pattern was formed by discharging by an inkjet method. Next, on a pixel to be a red pixel, a PPV precursor mixed with rhodamine 1 was dissolved in a solvent containing DMI as a main component to form an ink, and the ink was ejected to form a pattern.
【0074】窒素中200℃で2時間加熱し、共役化さ
せた後、この上にCF4プラズマ処理を施した。次に、
全面にポリジオクチルフルオレンのキシレン溶液をスピ
ンコート法にて塗布し、乾燥させた。その上にフッ化リ
チウムを20nmの膜厚で真空加熱蒸着により積層し、
さらにAlを800nmの膜厚で真空加熱蒸着法により
積層して陰極とした。最後に陰極から電線を引きだし、
さらに陰極上にエポキシ樹脂からなる保護膜により封止
を施し、有機EL素子を完成した。After heating in nitrogen at 200 ° C. for 2 hours for conjugation, a CF 4 plasma treatment was performed thereon. next,
A xylene solution of polydioctylfluorene was applied to the entire surface by spin coating, and dried. On top of this, lithium fluoride is laminated in a thickness of 20 nm by vacuum heating evaporation,
Further, Al was laminated to a thickness of 800 nm by a vacuum heating evaporation method to form a cathode. Finally, pull out the wire from the cathode,
Further, the cathode was sealed with a protective film made of an epoxy resin to complete an organic EL device.
【0075】通常ITOの仕事関数は4.8eV程度で
あり、正孔注入層または正孔輸送層は4.8〜5.4e
V程度である。エネルギーギャップが一番大きい発光層
は青色発光材料である。正孔注入層または正孔輸送層上
にフッ素化物層を形成する事でこの表面でのイオン化ポ
テンシャルを5.7eV程度まで高められた。このため
青色発光材料とほぼ同等のイオン化ポテンシャルとな
り、青色発光層と正孔輸送層とのエネルギーギャップが
小さくなり、正孔注入がスムースに行われた。Normally, the work function of ITO is about 4.8 eV, and the hole injection layer or the hole transport layer has a work function of 4.8 to 5.4 eV.
About V. The light emitting layer having the largest energy gap is a blue light emitting material. By forming a fluoride layer on the hole injection layer or the hole transport layer, the ionization potential on this surface was increased to about 5.7 eV. For this reason, the ionization potential was substantially the same as that of the blue light emitting material, the energy gap between the blue light emitting layer and the hole transport layer was reduced, and the hole injection was performed smoothly.
【0076】また、インクジェット法を用いてパターン
形成する際、表面がフッ素化されていると、インクによ
る成膜が均質にできない状況が発生する場合がある。本
実施例においては、緑色画素と赤色画素が大変制御性よ
く、パターン形成できた。また、青色発光材料はスピン
コートで形成したため、全面均質に成膜できた。When a pattern is formed by the ink jet method, if the surface is fluorinated, there may be a case where a film cannot be formed uniformly with the ink. In this embodiment, the green pixel and the red pixel could be formed with a very good controllability. In addition, since the blue light emitting material was formed by spin coating, a uniform film could be formed on the entire surface.
【0077】その結果、製造歩留まりが高く、エネルギ
ー効率の高い有機EL素子を提供できた。As a result, an organic EL device having a high production yield and high energy efficiency could be provided.
【0078】(実施例5)図3は、本発明の有機EL素
子の製造方法の第5実施例を示す図である。(Embodiment 5) FIG. 3 is a view showing a fifth embodiment of the method of manufacturing an organic EL device according to the present invention.
【0079】本実施例では、第1実施例と同様に透明基
材104上に画素電極101、102、103、をパタ
ーン形成した後、隔壁を設けずに、スピンコート法を用
いて有機化合物からなる正孔注入層または正孔輸送層1
20を形成した。200℃窒素雰囲気中で2時間加熱し
た後の膜厚は100nmであった。In the present embodiment, pixel electrodes 101, 102, and 103 are patterned on a transparent substrate 104 in the same manner as in the first embodiment, and the organic compound is formed by spin coating without using a partition. Hole injection layer or hole transport layer 1
20 were formed. The film thickness after heating in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 2 hours was 100 nm.
【0080】正孔注入層または正孔輸送層を構成する材
料、および液組成は実施例1と同じであるが、形成方法
はこれに限定されず、例えばインクジェット方式、ディ
ッピング法、スピンコート法、キャスト法、キャピラリ
ー法、ロールコート法、バーコート法等であってもよ
い。The material constituting the hole injection layer or the hole transport layer and the liquid composition are the same as those in Example 1, but the forming method is not limited thereto. For example, the ink jet method, dipping method, spin coating method, A casting method, a capillary method, a roll coating method, a bar coating method, or the like may be used.
【0081】さらに、上記実施例1と同様にインクジェ
ット方式により赤色発光層106、緑色発光層107を
設け、その上に青色発光層108を積層した。陰極11
3を形成することにより本発明の有機EL素子を得るこ
とができた。赤色発光層106、緑色発光層107、青
色発光層108、陰極113の構成材料、および形成方
法は実施例1と同様である。Further, a red light-emitting layer 106 and a green light-emitting layer 107 were provided by an ink-jet method in the same manner as in Example 1, and a blue light-emitting layer 108 was laminated thereon. Cathode 11
By forming No. 3, the organic EL device of the present invention could be obtained. The constituent materials and the forming method of the red light emitting layer 106, the green light emitting layer 107, the blue light emitting layer 108, and the cathode 113 are the same as those in the first embodiment.
【0082】本実施例は、画素以外を覆う分離層を設け
ない点で上記第1実施例と相異なる。分離層を設けない
ため、製造効率が格段に向上する。精細度を余り必要と
しないディスプレイであれば、この方法で十分製造可能
であり、低コスト化や大面積化に優れている。This embodiment is different from the above-described first embodiment in that a separation layer covering portions other than pixels is not provided. Since no separation layer is provided, the production efficiency is significantly improved. A display that does not require much definition can be manufactured sufficiently by this method, and is excellent in cost reduction and large area.
【0083】(実施例6)図5は、本発明の有機EL表
示装置の実施例を示す図である。(Embodiment 6) FIG. 5 is a view showing an embodiment of the organic EL display device of the present invention.
【0084】本実施例では、ガラス基板104上にAl
製のバスライン(ゲート線)501をフォトリソパター
ニングにより設け、その上に図示しない薄膜トランジス
タを形成し、101(赤)、102(緑)、103
(青)のITO透明画素電極を形成した。隔壁105を
設けた後、スピンコート法により有機化合物からなる正
孔注入層または正孔輸送層120を形成した。発光層1
06(赤)、107(緑)をインクジェット方式により
形成し、青色発光層108をスピンコート法により形成
した。次に、陰極113を真空蒸着法により設け、前述
の第1実施例と同様の有機EL素子を製造した。In this embodiment, Al is placed on the glass substrate 104.
Bus lines (gate lines) 501 are provided by photolithography patterning, and thin film transistors (not shown) are formed thereon, and 101 (red), 102 (green), and 103
A (blue) ITO transparent pixel electrode was formed. After the partition 105 was provided, a hole injection layer or a hole transport layer 120 made of an organic compound was formed by spin coating. Light emitting layer 1
06 (red) and 107 (green) were formed by an inkjet method, and the blue light emitting layer 108 was formed by a spin coating method. Next, the cathode 113 was provided by a vacuum evaporation method, and the same organic EL element as in the first embodiment was manufactured.
【0085】さらに、保護基材502をガラス基板10
4に周辺シール503を介して固定するように貼り合わ
せた。次に、これをアルゴンガス等のような不活性ガス
雰囲気中で、封孔504から不活性ガス506を導入
し、最後に封孔504を封孔材505でシールする。不
活性ガス506を封入しシールすることにより、水分等
の外部からの汚染や環境変化から有機EL素子を防護す
ることができ、有機EL表示装置の発光特性を維持する
ことができる。封孔材505は、不活性ガス506を透
過しない材料で構成されていることが好ましい。Further, the protective substrate 502 is
4 so as to be fixed via a peripheral seal 503. Next, an inert gas 506 is introduced from the seal 504 into an inert gas atmosphere such as an argon gas, and finally the seal 504 is sealed with a sealant 505. By sealing and sealing the inert gas 506, the organic EL element can be protected from external contamination such as moisture and environmental changes, and the light emitting characteristics of the organic EL display device can be maintained. The sealing material 505 is preferably made of a material that does not transmit the inert gas 506.
【0086】陰極113を形成する際、ゲート線501
とのコンタクトが取れるよう配置した。ゲート線501
は、表示画素の選択のために該表示画素毎に設けられた
TFTのオン・オフを行単位で制御する役割を果たす。
書き込み時には、1つの行のゲート線501の電位を選
択レベルにし、この行のTFTを導通状態にする。この
とき、各列のソース電極配線(図示せず)から対応する
画素の映像信号電圧を供給すれば、映像信号電圧はTF
Tを通って画素電極に到達し、信号電圧レベルにまで画
素に溜まった電荷を充電または放電することができる。When forming the cathode 113, the gate line 501
It was arranged to be able to contact with. Gate line 501
Has a role of controlling on / off of a TFT provided for each display pixel for selection of the display pixel on a row basis.
At the time of writing, the potential of the gate line 501 in one row is set to the selected level, and the TFT in this row is turned on. At this time, if the video signal voltage of the corresponding pixel is supplied from the source electrode wiring (not shown) of each column, the video signal voltage becomes TF
The charge reaching the pixel electrode through T and accumulating in the pixel up to the signal voltage level can be charged or discharged.
【0087】陰極をパターン形成する必要が無いため、
高精細化が可能であった。また、各画素は5V以下の低
電圧でも100Cd/m2以上の輝度が得られた。デュ
ーティー駆動ではないため、画素数や画面サイズに拘束
されず、対角10インチ以上の大画面の有機EL表示装
置でも、低消費電力で駆動可能である。Since there is no need to pattern the cathode,
High definition was possible. In addition, each pixel obtained a luminance of 100 Cd / m 2 or more even at a low voltage of 5 V or less. Since it is not a duty drive, it can be driven with low power consumption even with a large-screen organic EL display device having a diagonal size of 10 inches or more without being restricted by the number of pixels or the screen size.
【0088】本発明のアクティブマトリクス型有機EL
表示装置の上記実施例では、スイッチング素子として薄
膜トランジスタが用いられているが、これに限定される
ものではなく、他の種類のスイッチング素子、二端子素
子、例えばMIM等のスイッチング素子を用いることも
可能である。さらにパッシブ駆動、スタティック駆動
(静止画、セグメント表示)も可能である。Active matrix type organic EL of the present invention
In the above embodiment of the display device, a thin film transistor is used as a switching element. However, the present invention is not limited to this, and other types of switching elements, two-terminal elements, and switching elements such as MIM can be used. It is. Further, passive drive and static drive (still image, segment display) are also possible.
【0089】また、1画素につきスイッチング素子は1
つに限られず、1画素に複数のスイッチング素子を備え
るものであってもよい。図8に、1画素にスイッチング
素子を複数個有する有機EL表示装置の一例を示す。こ
こで、スイッチング薄膜トランジスタ142は、走査電
極131の電位に応じて信号電極132の電位をカレン
ト薄膜トランジスタ143に伝達し、カレント薄膜トラ
ンジスタ143は、共通電極133と画素電極141と
の導通を制御する役割を果たしている。The number of switching elements per pixel is one.
The number of switching elements is not limited to one, and a plurality of switching elements may be provided in one pixel. FIG. 8 shows an example of an organic EL display device having a plurality of switching elements in one pixel. Here, the switching thin film transistor 142 transmits the potential of the signal electrode 132 to the current thin film transistor 143 according to the potential of the scan electrode 131, and the current thin film transistor 143 plays a role of controlling conduction between the common electrode 133 and the pixel electrode 141. I have.
【0090】次に、本発明の有機EL素子を用いたパッ
シブマトリクス(単純マトリクス)型有機EL表示装置
の一例を図に基づいて説明する。Next, an example of a passive matrix (simple matrix) type organic EL display device using the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0091】図9は、本発明の有機EL表示装置の概略
部分拡大断面図である。図に示すように、本実施例の有
機EL表示装置は、有機EL素子を製造する際に、短冊
状に形成された走査電極53と信号電極54とが、有機
EL素子52を介して互いに直交するよう配置されてい
る。FIG. 9 is a schematic partial enlarged sectional view of the organic EL display device of the present invention. As shown in the figure, in the organic EL display device of the present embodiment, when manufacturing an organic EL element, a scanning electrode 53 and a signal electrode 54 formed in a strip shape are orthogonal to each other via an organic EL element 52. It is arranged to be.
【0092】このようなパッシブマトリクス型の駆動
は、パルス的に走査電極53を順番に選択し、その走査
電極53を選択する際、各画素に対応する信号電極54
を選んで電圧を印加することにより行われる。そのよう
な選択はコントローラ55により制御される。In such passive matrix driving, the scanning electrodes 53 are sequentially selected in a pulsed manner, and when the scanning electrodes 53 are selected, the signal electrodes 54 corresponding to the respective pixels are selected.
And applying a voltage. Such selection is controlled by the controller 55.
【0093】なお、パッシブ駆動型の場合には、カソー
ド(陰極)がパターニングされ、各ラインごとにセパレ
ートしていることが必要である。陰極は、例えばマスク
蒸着法、レーザーカッティング法によりパターン形成さ
れる。In the case of the passive drive type, it is necessary that the cathode (cathode) is patterned and separated for each line. The cathode is patterned by, for example, a mask evaporation method or a laser cutting method.
【0094】図10に走査電極13および信号電極14
に印加される電圧の駆動波形の一例を示す。図に示す駆
動波形において、選択された画素には発光するのに十分
な電圧Vsを印加する。また、表示する階調に合わせた
パルス幅の波形により、画素の表示濃度を制御する。一
方、選択されない画素には発光閾値電圧以下の電圧Vn
を印加する。FIG. 10 shows the scanning electrodes 13 and the signal electrodes 14.
1 shows an example of a driving waveform of a voltage applied to the. In the driving waveform shown in the drawing, a voltage Vs sufficient to emit light is applied to the selected pixel. Further, the display density of the pixel is controlled by a waveform having a pulse width corresponding to the gradation to be displayed. On the other hand, a voltage Vn that is equal to or lower than the light emission threshold voltage
Is applied.
【0095】図10において、Tfは1操作時間を示し
ている。ここではデューティー比1/100で駆動した
場合について述べる。実施例2の有機EL素子からなる
有機EL表示装置を前記条件で駆動したところ、全点灯
の白色発光は、駆動電圧20Vで100Cd/m20
0.であった。In FIG. 10, Tf indicates one operation time. Here, the case of driving at a duty ratio of 1/100 will be described. It was driving the organic EL display device having the organic EL device of Example 2 with the condition, the white light emission of all the lights, 100 Cd at a driving voltage of 20V / m 2 0
0. Met.
【0096】[0096]
【発明の効果】以上本発明によれば、全ての有機層を塗
布法特にインクジェット法を用いて形成でき、生産性が
高く大画面化が可能な製造方法で、従来より効率の高
い、色純度の高い、高精細な有機EL表示装置を提供で
きた。As described above, according to the present invention, all organic layers can be formed by a coating method, in particular, an ink-jet method, a production method capable of increasing the productivity and increasing the screen size, and having a higher color purity than the conventional method. A high-definition, high-definition organic EL display device can be provided.
【図1】本発明の有機EL素子の製造方法を示す断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an organic EL device of the present invention.
【図2】本発明の有機EL素子の製造方法を示す断面図
である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an organic EL device of the present invention.
【図3】本発明の有機EL素子の製造方法を示す断面図
である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing an organic EL device of the present invention.
【図4】本発明の有機EL表示装置の簡単な断面図であ
る。FIG. 4 is a simple sectional view of the organic EL display device of the present invention.
【図5】本発明の有機EL表示装置の簡単な断面図であ
る。FIG. 5 is a simple sectional view of the organic EL display device of the present invention.
【図6】本発明の有機EL素子の製造に用いられるイン
クジェット用プリンタヘッドの構成例を示す平面斜視図
である。FIG. 6 is a plan perspective view showing a configuration example of an ink jet printer head used for manufacturing the organic EL element of the present invention.
【図7】本発明の有機EL素子の製造に用いられるイン
クジェット用プリンタヘッドのノズル部分の断面図であ
る。FIG. 7 is a sectional view of a nozzle portion of an ink jet printer head used for manufacturing the organic EL element of the present invention.
【図8】本発明の有機EL表示装置の一部を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing a part of the organic EL display device of the present invention.
【図9】本発明の有機EL表示装置の概容を示す斜視図
である。FIG. 9 is a perspective view showing an outline of an organic EL display device of the present invention.
【図10】本発明の有機EL表示装置の電極に印可され
る電圧の駆動波形の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of a drive waveform of a voltage applied to an electrode of the organic EL display device of the present invention.
10…インクジェット用ヘッド 11…ノズルプレート 13…振動板 15…仕切部材 19…インク室 21…液溜り 23…供給口 25…ノズル孔 26…撥インク層 27…インク導入孔 29…圧電素子 31…電極 33…ノズル面 52…有機EL素子 53…走査電極 54…信号電極 55…コントローラ 101…画素電極(赤) 102…画素電極(緑) 103…画素電極(青) 104…透明基板 105…隔壁 106…発光層(赤) 107…発光層(緑) 108…発光層(青) 109…インクジェットプリント装置 110…インクジェットヘッド 113…陰極 131…走査電極 132…信号電極 133…共通電極 141…画素電極 142…スイッチングTFT 143…カレントTFT 120…正孔注入層または正孔輸送層 401…保護膜 501…バスライン 502…保護基材 503…シール 504…封孔 505…封孔材 506…不活性ガス DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Ink-jet head 11 ... Nozzle plate 13 ... Vibrating plate 15 ... Partition member 19 ... Ink chamber 21 ... Liquid pool 23 ... Supply port 25 ... Nozzle hole 26 ... Ink repellent layer 27 ... Ink introduction hole 29 ... Piezoelectric element 31 ... Electrode 33 ... Nozzle surface 52 ... Organic EL element 53 ... Scan electrode 54 ... Signal electrode 55 ... Controller 101 ... Pixel electrode (red) 102 ... Pixel electrode (green) 103 ... Pixel electrode (blue) 104 ... Transparent substrate 105 ... Partition 106 ... Light-emitting layer (red) 107 Light-emitting layer (green) 108 Light-emitting layer (blue) 109 Ink-jet printing apparatus 110 Ink-jet head 113 Cathode 131 Scan electrode 132 Signal electrode 133 Common electrode 141 Pixel electrode 142 Switching TFT 143: current TFT 120: hole injection layer or hole transport layer 401 Protective film 501 ... bus lines 502 ... protective substrate 503 ... sealing 504 ... sealing 505 ... Fuanazai 506 ... inert gas
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木口 浩史 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 小林 英和 長野県諏訪市大和3丁目3番5号 セイコ ーエプソン株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB03 AB04 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hiroshi Kiguchi 3-3-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano Seiko Epson Corporation (72) Inventor Hidekazu Kobayashi 3-3-5, Yamato, Suwa-shi, Nagano Seiko-Epson F term in the company (reference) 3K007 AB03 AB04 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01
Claims (13)
を、陽極および陰極で挟持した構造の有機EL素子の製
造方法において、透明基板上に陽極として作用する画素
電極を形成する工程と、有機化合物からなる正孔注入層
または正孔輸送層を形成する工程と、有機化合物からな
る赤色、緑色の発光層をインクジェット方式によりパタ
ーン形成する工程と、有機化合物からなる青色の発光層
を塗布法により形成する工程と、陰極を形成する工程と
からなることを特徴とする有機EL素子の製造方法。In a method of manufacturing an organic EL device having a structure in which a hole injection layer or a hole transport layer and a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode, a step of forming a pixel electrode acting as an anode on a transparent substrate. And a step of forming a hole injection layer or a hole transport layer made of an organic compound, a step of patterning a red light emitting layer made of an organic compound, a green light emitting layer by an inkjet method, and a blue light emitting layer made of an organic compound. A method for producing an organic EL device, comprising: a step of forming by a coating method; and a step of forming a cathode.
る事を特徴とする請求項1記載の有機EL素子の製造方
法。2. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein a separation film for covering other than pixels is provided on the substrate.
カップリング剤を含有する液体を塗布法により成膜し、
熱硬化させて前記正孔注入層または正孔輸送層を形成す
ることを特徴とする請求項1または2記載の有機EL素
子の製造方法。3. A film containing at least a polythiophene derivative and a silane coupling agent is formed by a coating method.
3. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein the hole injection layer or the hole transport layer is formed by thermosetting.
フェン誘導体とシランカップリング剤を含有する液体を
インクジェット方式により成膜し、熱硬化させて前記正
孔注入層または正孔輸送層を形成することを特徴とする
請求項1または2記載の有機EL素子の製造方法。4. A method according to claim 1, wherein a liquid containing at least a polythiophene derivative and a silane coupling agent is formed on the anode of the pixel portion by an ink-jet method and thermally cured to form the hole injection layer or the hole transport layer. 3. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein:
誘導体の前駆体を含有する液体を、インクジェット方式
により成膜し、加熱して共役化させ前記赤色、緑色の発
光層を形成することを特徴とする請求項1から4いずれ
か記載の有機EL素子の製造方法。5. A liquid containing at least a precursor of polyparaphenylene and a derivative thereof is formed into a film by an ink jet method, and is heated and conjugated to form the red and green light emitting layers. Item 5. The method for producing an organic EL device according to any one of Items 1 to 4.
レン誘導体を溶解させた液体を塗布し、乾燥させて形成
することを特徴とする請求項1から5いずれか記載の有
機EL素子の製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the blue light emitting layer is formed by applying a liquid in which at least a polyfluorene derivative is dissolved and drying the liquid.
成した後に、フロロカーボンガスのプラズマを照射し、
その後発光層を形成することを特徴とする請求項1から
6いずれか記載の有機EL素子の製造方法。7. After forming a hole injection layer or a hole transport layer on the anode, irradiate a plasma of a fluorocarbon gas,
7. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein a light emitting layer is formed thereafter.
成し、赤色、緑色の発光層を形成した後に、フロロカー
ボンガスのプラズマを照射し、その後発光層を形成する
ことを特徴とする請求項1から6いずれか記載の有機E
L素子の製造方法。8. A method of forming a hole injection layer or a hole transport layer on an anode, forming a red or green light emitting layer, irradiating a plasma of fluorocarbon gas, and thereafter forming the light emitting layer. The organic E according to any one of claims 1 to 6,
Manufacturing method of L element.
とを特徴とする請求項7または8記載の有機EL素子の
製造方法。9. The method according to claim 7, wherein said fluorocarbon gas is CF4.
射する前に酸素プラズマを照射することを特徴とする請
求項7または8記載の有機EL素子の製造方法。10. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 7, wherein oxygen plasma is applied before the plasma of the fluorocarbon gas is applied.
方法で作成した有機EL素子を有することを特徴とする
有機EL表示装置。11. An organic EL display device comprising an organic EL element produced by the method according to claim 1.
のTFT素子が形成されていることを特徴とする請求項
11記載の有機EL表示装置。12. The organic EL display device according to claim 11, wherein a TFT element for driving each pixel is formed on said transparent substrate.
とを特徴とする請求項11または12記載の有機EL表
示装置。13. The organic EL display device according to claim 11, wherein a protective film is formed on the cathode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00468299A JP3900724B2 (en) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | Organic EL element manufacturing method and organic EL display device |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2000208254A true JP2000208254A (en) | 2000-07-28 |
| JP3900724B2 JP3900724B2 (en) | 2007-04-04 |
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Country Status (1)
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| US9586225B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-03-07 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
| JP2012060174A (en) * | 2011-12-19 | 2012-03-22 | Sony Corp | Display apparatus |
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| JP2017063059A (en) * | 2017-01-11 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3900724B2 (en) | 2007-04-04 |
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| GB2416066A (en) | Electroluminescent display |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060613 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060718 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061115 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100112 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
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|
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