JP2000208596A

JP2000208596A - 向上したｒｆ配電を有する静電気チャック

Info

Publication number: JP2000208596A
Application number: JP2470A
Authority: JP
Inventors: Shamoorian Sam; シャモーリアンサム; H Kumaa Aananda; エイチクマーアーナンダ; V Korodenko Arnold; ヴィーコーロデンコアーノルド
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 1999-01-12
Filing date: 2000-01-11
Publication date: 2000-07-28
Anticipated expiration: 2020-01-11
Also published as: TW466539B; KR20000062456A; US6267839B1; JP4850992B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電極の領域上にＲＦ電力を均等に分配する低
インピーダンスの電極構造を有する半導体処理システム
のサセプター及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体処理チャンバーのウェーハ支持用
サセプターは、該サセプターの底部近傍でＲＦ電極と厚
いロバスト電極の間の多数の並列電気接点を有してい
る。厚いロバスト電極は低抵抗であり、そのため、その
領域上にＲＦ電力を均等に分配する。多数の並列接点
は、ＲＦ電力がＲＦ電極の領域を横切って均等に分配さ
れることをも保証する。ロバスト電極とＲＦ電極の間に
延びる複数の電導性バイアはその間に複数の並列電気接
点を作る。一般に、ロバスト電極はサセプターの底側に
取付けられ、ＲＦ電極に実質上並列に配列される。絶縁
板は台のためロバスト電極を電気的に絶縁するためサセ
プターの底部に取付けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハ処理
機器に関し、より詳細には、本発明はＲＦバイアス電極
を有する静電気基板支持に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路（ＩＣ）の製造のための半導体
ウェーハ処理システムは一般に真空チャンバーを含み、
その内部には処理中ウェーハ支持が取付けられている。
通常、ウェーハ支持は台に取付けられたサセプターを備
えている。通常、台はアルミニウム等の金属製である。
サセプターはポリマーの薄板製であってもよい。しか
し、高温に適応させるため、通常、サセプターはアルミ
ニウム酸化物またはアルミニウム窒化物等のセラミック
材料製である。通常、サセプターはウェーハを加熱及び
又は冷却する各種構成を含んでいる。サセプターはまた
ウェーハを締め付ける（つかむ）要素を含んでいてもよ
く、サセプター表面の固定位置にそれを保持する。その
ような締め付けは機械的クランプまたは静電気的チャッ
クのいずれかにより提供される。サセプターはまたウェ
ーハにバイアス電圧を加える１以上の電極を備えていて
もよい。そのようなバイアス電圧は直流（ＤＣ）バイア
スまたは無線周波数（ＲＦ）バイアスであってもよい。
ＲＦバイアスは、例えば、エッチングまたは堆積処理中
にチャンバー内に存在するプラズマに電力を供給または
電力を増加するために使用される。

【０００３】図１は従来技術のウェーハ支持１００を描
いている。ウェーハ支持１００では、台１０２はセラミ
ックサセプター１０４を支持する。通常、サセプター１
０４は、アルミナ、または、ブタジエン（合成ゴム）ま
たはポリメチルメタクリル酸塩等の適切な有機結合剤を
有するアルミニウム窒化物のセラミック粉末からなる
「グリーンテープ（green tape）」の冷たい積層状の幾
つかの層１０６_i（例えば、層１０６₁，１０６₂・・１
０６₅）で作られている。電極パターン１０８は適当な
グリーンテープ層にプリントされたスクリーンまたはス
テンシルであり、適切な有機結合剤と共にモリブデンま
たはタングステン粉末で作られたインクまたはペースト
を使用している。電極１０８とサセプター外部への結線
１１２間の相互接続は、グリーンテープ層に穴をあける
と共にスクリーンプリンティングマスクを通って同一ま
たは類似のタングステン／モリブデンペーストでそれら
を充填してバイア１１０を形成することにより作られて
いる。積層は高温で焼結され、セラミックを凝固させ、
セラミックに埋め込まれた厚膜金属の電極１０８でモノ
リシックなサセプター１０４を形成する。焼結処理の
間、有機結合剤は炭になり、ＣＯおよびＣＯ₂として取
り除かれる。

【０００４】金属ペースト及びセラミック層１０６は通
常、異なる温度で焼結され、したがって、焼結の間、不
均一に縮む。十分に厳しい場合には、そのような収縮の
不均一は薄層の激しい曲がり、歪みまたは割れを引き起
こす。そのような問題を軽減するため、金属性インクま
たはペーストは通常、セラミック粉末の大きな比率（容
積で４０％まで）で混合され、焼結の間、周囲のセラミ
ックの収縮作用に適応する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】問題を解決しようとす
る従来技術はより厚い電極を使用することを含んでい
る。しかし、電極１０８の厚さは焼結処理により１０ま
たは１５ミクロンだけに限定される。金属電極が薄く壊
れやすく作られている場合には、それらは容易に壊れ、
取囲むセラミックの収縮のため何度も再形成される。し
たがって、歪みはセラミックを損傷するのに十分大きく
なる前に消える。

【０００６】そのため、結果として生じる電極１０８と
相互接続のバイア１１０と結線１１２は大いに抵抗があ
る。高い抵抗は電極１０８がチャッキングまたはＤＣバ
イアスのためのＤＣ電極としてだけ役立つ場合の問題で
はない。しかし、高い抵抗はＲＦバイアスのため電極１
０８を使用することが望まれる時に問題となる。

【０００７】通常の設計では、外側に電極１０８を接続
するバイア１１２はサセプターの中央領域１１４に配置
されているので、問題が発生する。薄く高い抵抗の電極
はオーム抵抗のため高いインピーダンスを有するであろ
う。したがって、電極１０８に加えられる電力の大部分
は熱として消えるであろう。したがって、チャンバーの
プラズマに伝えられるＲＦ電力の効率は低い。これは５
００から１５００ワットの電力レベルでプラズマにＲＦ
エネルギーを伝達するのに不適切である。その上さら
に、電極１０８の領域上のＲＦ配電は不均一であり、ウ
ェーハを横切るプラズマ温度を不均一にする。プラズマ
はホットスポットを発生し、プラズマ温度はより大きく
なる。したがって、エッチング、堆積または他のプラズ
マ処理はウェーハの表面上で不均一となるであろう。し
たがって、所定のウェーハの多数のＩＣは使用不能にさ
れ、それによりウェーハの歩留りを減少させる。

【０００８】他の解決法はセラミックの層により分離さ
れた層の多数の薄いＲＦ電極を積重ねることを含んでい
る。その後、ＲＦ電力は１つの電極層から次のものに容
量結合される。これは金属構造の全体インピーダンスを
減少させるが、容量結合を介して電力損失にも導く。そ
の上さらに、それは電極の領域上の不均一なＲＦ配電の
問題を解決しない。

【０００９】そのため、当技術分野において、電極の領
域上にＲＦ電力を均等に分配する低インピーダンスの電
極構造を有する半導体処理システムのサセプター及びそ
の製造方法の必要性がある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】従来技術に関連した不利
益は、サセプターの底部近傍でＲＦ電極と厚いロバスト
電極の間の多数の並列電気接点を有するサセプターの本
発明により克服される。厚いロバスト電極は低抵抗を有
し、そのため、その領域上にＲＦ電力を均等に分配す
る。多数の並列電気接点はＲＦ電力がまたＲＦ電極の領
域に渡って均等に分配されることを保証する。一般に、
サセプターは、セラミック支持本体と、本体内に埋め込
まれた少なくとも１つのＲＦ電極と、ＲＦ電極の下に配
置されたロバスト電極と、ロバスト電極とＲＦ電極の間
に延びる複数の電導バイアとを備えている。バイアはロ
バスト電極とＲＦ電極の領域上に実質上均等に分配され
た複数の地点の間に複数の並列電気接点を作る。ロバス
ト電極、ＲＦ電極及びバイアは通常、モリブデン、タン
グステンまたは銅等の金属製である。一般に、ロバスト
電極は支持本体の底側に取付けられ、ＲＦ電極に実質上
並列に配列されている。絶縁板は支持本体の底側に取付
けられ、サセプターを支持する台からロバスト電極を電
気的に絶縁する。

【００１１】本発明のサセプターを製作する方法は、セ
ラミック本体を形成する段階で始まる。本体はセラミッ
クグリーンテープの複数の層を作り出すと共に互いの頂
部に層を積重ねることにより形成される。１以上の電極
は金属粉末を含むペーストを使用して層の選択したもの
に１以上の電極パターンをプリントするスクリーンによ
りセラミック本体内に埋め込まれる。複数のバイアは選
択された層に穴をあけることにより形成され、層がその
後共に積重ねられる時に近接の層の穴が整列されるよう
になっている。穴が金属粉末を含むペーストで充填され
た後、層は積重ねられる。積重ねた後、層は硬化され、
セラミック本体を形成する。金属粉末は固められ、電極
及びバイアを形成する。バイアはＲＦ電極の領域上に実
質上均等に分配された複数の地点で複数の接点を形成す
る。

【００１２】低抵抗を有するロバスト電極はセラミック
本体の底部で他の電極の下に配置されている。ロバスト
電極はバイアの露出端部に接合される。したがって、バ
イアはロバスト電極とサセプターの少なくとも１つのＲ
Ｆ電極の領域上に分配された複数の地点の間に複数の並
列電気接点を形成する。

【００１３】本発明のサセプターの低抵抗のロバスト電
極とＲＦ電極への多数の並列電気接点はＲＦ電極の領域
上にＲＦ電力のより均等な分配を提供する。これはより
均等なプラズマ温度、したがって、より均等なウェーハ
処理に導く。その上さらに、全体の構造は低インピーダ
ンスを有し、したがって、ロバスト電極からＲＦ電極及
びＲＦ電極からプラズマへ最小の電力損失で効率良くＲ
Ｆエネルギーを伝達する。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明のサセプター２０４を使用
するウェーハ支持２００は図２に描かれている。例え
ば、ウェーハ支持は半導体ウェーハ処理システムの処理
チャンバー２０１内に位置している。ウェーハ支持はサ
セプター２０４を支持する台２０２を備えている。通
常、サセプターは、支持本体２０５と、ロバスト電極２
１２と、ＲＦ電極２０８と、複数の電導バイア２１０と
を備えている。電導バイア２１０はロバスト電極２１２
とＲＦ電極２０８の間の並列電気接点を作る。例えば、
支持本体２０５はアルミニウム酸化物（Ａｌ₂Ｏ₃または
アルミナ）、アルミニウム窒化物または同様の材料等の
セラミック材料の複数の層２０６_i（例えば、層２０
６₁，２０６₂，２０６₃，２０６₄）を備えている。支持
本体２０５は半導体ウェーハ（図示せず）等の基板を支
持する支持表面２０７を備えている。支持表面２０７は
平坦または基板を適切に支持するために必要なような輪
郭であってもよい。その上さらに、支持表面２０７は裏
面のガスを冷却するための溝または導管を備えていても
よい。

【００１５】ロバスト電極２１２は支持本体２０５の底
部２０９近傍に配置されている。ロバスト電極２１２は
銅、モリブデンまたはタングステンの薄板のような低抵
抗の金属製であるのが望ましい。ロバスト電極２１２は
取扱いを容易にするのに十分厚いが、厚すぎないように
して、その側でプラズマから絶縁されないようにすべき
である。ロバスト電極２１２のための適切な厚さの範囲
は、ほぼ０．００５インチからほぼ０．０２５インチの
間にある。代わりに、ロバスト電極２１２は層２０６₄
等のセラミック層２０６_iの１つにプリントされたスク
リーンまたはステンシルとすることができるが、支持本
体２０５が焼結により十分に密度を高められた後だけで
もよい。この状態では、収縮問題は未然に防げる。しか
し、０．００５インチより厚い電極（１２５ミクロン）
はスクリーンプリント処理の制限のため作るのが困難で
ある。事実、ステンシルプリントは５０ミクロン以上の
厚さが好適である。

【００１６】図２に示された例では、ロバスト電極２１
２はサセプター２０４の領域に実質的に一致する領域を
有している。ロバスト電極２１２の下に配置された絶縁
板２１４はロバスト電極を台２０２から電気的に絶縁す
る。絶縁板２１４は中央の開口部２１７を有し、ロバス
ト電極２１２とＤＣまたはＲＦ電源の間の接続を可能に
する。

【００１７】例えば、ＲＦ電極２０８は支持表面２０７
に近接して配置され、層２０６₁及び２０６₂等の２つの
セラミック層の間に配置されている。ＲＦ電極２０８は
ウェーハ支持表面２０７の基板にＲＦバイアス電圧を加
えるために使用される。ＲＦ電極２０８はまた基板にＤ
Ｃバイアスを加えるために使用されてもよい。通常、Ｒ
Ｆ電極はタングステンまたはモリブデン製である。明瞭
のため、単一のＲＦ電極２０８だけが示されているが、
本発明のサセプター２０４は如何なる数及び配列のＲＦ
電極を含んでいてもよい。例えば、多数の並列ＲＦ電極
はセラミックの層により分離されたお互いの頂部に積重
ねられてもよい。代わりに、多数の電極は同一のセラミ
ック層の間に並んで置かれてもよい。その上さらに、積
重ねられ並んだ電極の幾つかの組合せが使用されてもよ
い。

【００１８】ＲＦ電極に加えて、サセプターはまた抵抗
ヒーター電極またはチャッキング電極等の如何なる数の
他の電極を含んでいてもよい。後者は如何なる数のチャ
ッキング電極及び単一極、二極、三極、互いに組合せ
た、帯状等を有する如何なるタイプのチャッキング電極
構造を使用して実行されてもよい。同様に、如何なる数
または配列のヒーター電極は単一のヒーター電極を有し
て使用されることができ、また２以上のヒーター電極が
帯状加熱等のために使用されてもよい。代わりに、サセ
プターはヒーター電極のないチャックとして製作されて
もよく、チャッキング電極のないセラミックヒーターと
して製作されてもよい。チャッキング及び加熱電極は、
モリブデン及びタングステン等の金属と、ＲＦ電極２０
８のそれに同様の方法でプリントされたスクリーンとで
作られているのが望ましい。

【００１９】バイア２１０はＲＦ電極２０８とロバスト
電極２１２に接続されている。バイア２１０は複数の接
点２１８でＲＦ電極２０８と接触している。接点２１８
はＲＦ電極２０８の領域を渡って実質上均等に分配され
ている。各バイア２１０は電導材料２１３で充填された
１以上のセラミック層２０６_iに穴２１１を備えてい
る。各バイアの上端部２１５はＲＦ電極２０８に接続さ
れている。各バイア２１０の下端部２１９はロバスト電
極２１２に固着されている。図２はバイア２１０が互い
に実質上幾何学的に平行であることを示している。製造
は簡単であるが、バイアがロバスト電極２１２とＲＦ電
極２０８の間で電気的に並列接続、すなわち、並んで接
続されている限り、これは厳密には必要ではない。これ
らの均等に分配された電気的並列接続はＲＦ電極２０８
の領域上にＲＦ電力を均等に分配する。

【００２０】図２に描かれた本発明のサセプター２０４
は図３のフロー図に示された本発明の方法３００により
製作されることができる。その方法３００は段階３０１
で始まる。段階３０２で、複数のまだ焼かれていないセ
ラミックのグリーンテープが形成され、硬化していない
セラミック層（層２０６_i等）のスタックを形成するた
めに使用されるであろう。硬化していないセラミック層
のスタックは硬化により支持本体を形成する。グリーン
テープはアルミニウム窒化物、または人工ゴム（ブタジ
エン）、ポリメチルメタクリル酸塩等の有機結合剤で混
合されたアルミニウム酸化物のような粉末状セラミッ
ク、または同様の材料から作られ、薄板に鋳造する。段
階３０４で、穴２１１は層の選択されたものにあけられ
る。穴２１１は層上に均等に分配され、多数の電気的に
並列の電導バイアを供給する。穴２１１は連続する層に
あけられ、グリーンテープが実質上積重ねられる時に穴
２１１が整列するようになっている。穴２１１は層が積
重ねられる前または後のいずれかに形成されてもよい。
好ましくは、穴２１１は層２０６_iが積重ねられる前に
グリーンテープに形成される。

【００２１】段階３０６で、穴２１１は電導材料、例え
ば、タングステンまたはモリブデン等の金属粉末を含む
ペーストで充填され、バイアを形成する。ペーストは穴
２１１を完全に充填する。段階３０８で、電極（例え
ば、ＲＦ電極２０８）は支持本体内に埋め込まれる。例
えば、ＲＦ電極２０８は選択されたグリーンテープでプ
リントされたスクリーンであってもよく、バイアを形成
するために使用される同一の電導材料を使用する（すな
わち、タングステンまたはモリブデンのペースト）。特
に、１以上のＲＦ電極２０８は所望のチャッキングまた
は加熱電極と共にプリントされたスクリーンである。

【００２２】グリーンテープは段階３１０で互いの頂部
に共に積み重ねられ、スタックを形成する。スタックは
段階３１２において平圧印刷機で約１５０℃で押圧し、
グリーンの薄層を製造する。

【００２３】その後、グリーンの薄層は炉で加熱され、
段階３１４で有機結合剤を取り除く。温度はこの段階の
間、通常６００℃と８００℃の間である。焼結するこの
段階は水素と分解したアンモニアの還元した雰囲気で行
われてもよい。水蒸気は還元した雰囲気に吹き込まれ、
酸素の部分圧力を制御し、結合剤を酸化し、この段階の
間、電極の酸化を防止する。次に、段階３１６で、セラ
ミック本体は１５００℃から１６００℃で焼結され、セ
ラミック及び金属を固め、サセプターを形成する。

【００２４】ロバスト電極２１２は段階３１８でセラミ
ック本体２０５の底部２０９に取付けられている。ロバ
スト電極２１２は任意に、例えばニッケルで、電気めっ
きされ、それを腐食に対し保護することができる。ロバ
スト電極はスクリーンまたはステンシルプリンティング
により形成されることができる。例えば、金属粉末を含
むペーストはバイア２１０の露出した下端部２１９上に
プリントされたステンシルまたはスクリーンとすること
ができる。その後、本体２０５は還元された雰囲気で火
をつけられ、粉末を密な金属構造に焼結し、同時に、ロ
バスト電極２１２をバイア２１０に結合する。通常、ペ
ーストはガラス粉末（フリット）の体積の１０と３０％
の間で加えられ、セラミックへの付着力を得る。通常、
燃焼はペーストを含むタングステンとモリブデンのため
約１６００℃から１８００℃の間の温度で起こる。ペー
ストを含む銅は約９００℃で焼結される。

【００２５】好適な実施例では、バイア２１０の端部２
１９は銅またはニッケルでめっきされ、ロバスト電極２
１２はモリブデン、銅またはタングステンの薄板から作
られている。ロバスト電極はバイア２１０のニッケルめ
っきされた端部２１９に蝋付けすることにより支持本体
２０５の底部２０９に取付けられる。これをするため、
選択された蝋付け結合（例えば、銅−銀合金または金−
錫合金）または鉛−錫半田はバイア２１０の端部２１９
を覆い、複数の半田点を形成する。その後、半田または
蝋付けは、ロバスト電極２１２がこれらの半田点に触れ
ている間、溶解またはリフローされる。ロバスト電極２
１２を多くのものに結合して、バイア２１０のよく拡散
した端部２１９は、次の取扱い及び組立て動作の間、ロ
バスト電極２１２を堅固に保持するのに十分である。し
たがって、ロバスト電極２１２を支持本体２０５のセラ
ミックに結合する必要はない。

【００２６】ロバスト電極と取りつけた後、絶縁板２１
４は段階３２０で支持本体２０５の底部２０９に取付け
られている。取付けはボルト締め等の機械的手段で成し
遂げられる。代わりに、絶縁板はガラスシール、拡散結
合等により取付けられることができる。その後、段階３
２１でその方法は終了する。

【００２７】結果として生じたセラミックサセプター２
０４は、ＲＦ電力の基板への優れた伝達および基板を横
切るＲＦ電力の従来技術の電極構造より均一な分配を示
す電極構造を組込んでいる。均一な配電はより均一なウ
ェーハ処理に導き、欠陥あるウェーハをほとんどなくす
る。したがって、生産性がより向上し、ウェーハ当たり
のコストが低減され、収益性が向上する。

【００２８】本発明は多数の並列電気接点の均等な分配
に関して説明されているが、ＲＦ電極の領域を横切るＲ
Ｆ電力の均等な分配のために供給されるＲＦ電極の領域
上の多数の並列電気接点は本発明の範囲内にあると考え
られる。

【００２９】本発明の教示を組込んだ各種実施例が示さ
れ、ここに詳細に説明されているが、当業者であればこ
れらの教示をさらに組込んだ多くの他の変更した実施例
を容易に発明することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術の典型的なセラミックサセプターを描
いている。

【図２】本発明のサセプターを用いるウェーハ支持を描
いている。

【図３】本発明のサセプターを作る方法のフロー図であ
る。

【符号の説明】

２００ウェーハ支持２０１処理チャンバー２０２台２０４サセプター２０５支持本体２０６層２０７支持表面２０８ＲＦ電極２１０バイア２１１穴２１２ロバスト電極２１４絶縁板２１８接点

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者サムシャモーリアンアメリカ合衆国カリフォルニア州 95120 サンホセウォーショウドライヴ 1256 (72)発明者アーナンダエイチクマーアメリカ合衆国カリフォルニア州 95035 ミルピタスノルヴィュードライヴ 1296 (72)発明者アーノルドヴィーコーロデンコアメリカ合衆国カリフォルニア州 94132 サンフランシスコユーカリプタスドライヴ 1747

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体処理チャンバー内のウェーハを支持
する装置であって、支持本体と、該支持本体内に配置された少なくとも１つの電極と、該少なくとも１つの電極に接続された複数の分配された
並列電気接点と、を備えたことを特徴とする装置。
【請求項２】前記少なくとも１つの電極の下に配置され
たロバスト電極をさらに備えた請求項１に記載の装置。
【請求項３】前記並列電気接点のそれぞれは前記ロバス
ト電極に接続されている請求項２に記載の装置。
【請求項４】前記支持本体は複数の積重ねた層を備えた
請求項１に記載のウェーハ支持。
【請求項５】前記ロバスト電極は前記支持本体の底側に
取付けられている請求項１に記載の装置。
【請求項６】前記ロバスト電極を電気的に絶縁するため
前記底側に取付けられた絶縁板をさらに備えた請求項５
に記載の装置。
【請求項７】前記電気接点は電導材料で充填された穴を
さらに備えたバイアである請求項１に記載の装置。
【請求項８】前記材料はモリブデンとタングステンから
なるグループから選択されている請求項７に記載の装
置。
【請求項９】前記ロバスト電極は銅、モリブデンおよび
タングステンからなるグループから選択された材料製で
ある請求項２に記載の装置。
【請求項１０】ウェーハ支持を製作する方法であって、
前記支持が支持本体と、少なくとも１つの電極と、該電
極に接続された複数の電気接点とを有し、前記支持本体を形成する段階と、前記支持本体内に少なくとも１つの電極を配置する段階
と、前記少なくとも１つの電極に複数の分配された並列電気
接点を形成する段階と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】前記少なくとも１つの電極の下にロバス
ト電極を配置する段階をさらに含む請求項１０に記載の
方法。
【請求項１２】前記複数の並列電気接点に前記ロバスト
電極を接続する段階をさらに含む請求項１１に記載の方
法。
【請求項１３】前記支持本体を形成する段階は、硬化していないセラミックの複数の層を作り出すこと
と、前記複数の層のスタックを形成することと、前記層を硬化させることと、を含む請求項１０に記載の
方法。
【請求項１４】前記電極を配置する段階は前記複数の層
の少なくとも１つに電極パターンをプリントするスクリ
ーンを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】前記電極パターンは前記層を硬化させる
段階の前にプリントされたスクリーンである請求項１４
に記載の方法。
【請求項１６】前記複数の均等に分配された並列電気接
点を形成する段階は、前記複数の層の選択されたものに複数の穴をあけ、前記
スタックが形成される時に前記穴が整列されるようにす
ることと、金属粉末を含むペーストで前記穴を充填することと、前記層を積重ねることと、を含む請求項１３に記載の方
法。
【請求項１７】前記ロバスト電極は薄板の金属製である
請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】前記ロバスト電極の下にセラミック絶縁
板を取付ける段階をさらに含む請求項１１に記載の方
法。
【請求項１９】半導体処理チャンバー内のウェーハを支
持するウェーハ支持であって、セラミック本体を有するサセプターを備え、前記セラミ
ック本体は、互いの頂部に積重ねられた複数の層と、前
記セラミック本体内に埋め込まれた少なくとも１つの電
極と、銅、モリブデンまたはタングステンからなるグル
ープから選択された金属製で、前記少なくとも１つの電
極の下に配置されたロバスト基板電極と、前記ロバスト
電極と前記電極の間の複数の均等に分配された並列電気
接点とを備え、前記電気接点はモリブデンとタングステ
ンからなるグループから選択された金属製であることを
特徴とするウェーハ支持。
【請求項２０】前記サセプターの底側に取付けられた絶
縁板をさらに備えた請求項１９に記載のウェーハ支持。