JP2000208822A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

Info

Publication number
JP2000208822A
JP2000208822A JP378899A JP378899A JP2000208822A JP 2000208822 A JP2000208822 A JP 2000208822A JP 378899 A JP378899 A JP 378899A JP 378899 A JP378899 A JP 378899A JP 2000208822 A JP2000208822 A JP 2000208822A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting element
package
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP378899A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihide Maeda
俊秀 前田
Kunihiko Obara
邦彦 小原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP378899A priority Critical patent/JP2000208822A/ja
Priority to US09/479,847 priority patent/US6696704B1/en
Priority to EP00100496.9A priority patent/EP1020935B1/en
Priority to TW089100354A priority patent/TW497275B/zh
Priority to KR1020000001078A priority patent/KR100686416B1/ko
Publication of JP2000208822A publication Critical patent/JP2000208822A/ja
Priority to US09/947,405 priority patent/US6468821B2/en
Priority to KR1020060101292A priority patent/KR100853064B1/ko
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
    • A01K61/00—Culture of aquatic animals
    • A01K61/50—Culture of aquatic animals of shellfish
    • A01K61/54—Culture of aquatic animals of shellfish of bivalves, e.g. oysters or mussels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
    • A01K61/00—Culture of aquatic animals
    • A01K61/70—Artificial fishing banks or reefs
    • A01K61/78—Arrangements for sinking or mooring thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/032—Manufacture or treatment of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07554—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in dispositions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
    • H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/726—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Marine Sciences & Fisheries (AREA)
  • Zoology (AREA)
  • Animal Husbandry (AREA)
  • Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 たとえば青色の発光チップからの青色発光と
波長変換された黄緑色とを均一化して純粋な白色の発光
が得られる半導体発光装置の提供。 【解決手段】 サブマウント素子１の上にフリップチッ
プ型の発光素子２を導通搭載するとともに、この発光素
子２を波長変換用の蛍光物質を含有した樹脂のパッケー
ジ３によって封止し、発光素子２の外郭面からのパッケ
ージ３の厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくし、発光
素子の発光方向の全方位に対して蛍光物質による波長変
換度を均一化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば青色発光
の発光ダイオードによる発光を波長変換して白色発光を
得るようにした半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】青色発光の発光ダイオード（以下、「Ｌ
ＥＤ」と記す）は、近来になって、ＧａＮ，ＧａＡｌ
Ｎ，ＩｎＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮ等のＧａＮ系化合物
半導体を利用することによって、発光輝度の高い製品が
得られるようになった。そして、この青（Ｂ）のＬＥＤ
と旧来からの赤（Ｒ），緑（Ｇ）発光のＬＥＤとの組合
せにより、これらのＬＥＤの３個を１ドットとする高画
質のフルカラー画像の形成が可能となった。
【０００３】ＬＥＤの分野では、フルカラー対応には光
の三原色のＲ，Ｇ，Ｂ（青）が必要であるから、これら
の発光色のＬＥＤのより一層の開発と改良が主である。
その一方で、たとえばＲ，Ｇ，Ｂの合成によってしか得
られない白色発光を単一のＬＥＤで達成しようとする試
みも既になされている。このような試みの一つとして、
たとえば特開平７−９９３４５号公報に開示されたもの
がある。
【０００４】この公報に記載のＬＥＤは、図１０の概略
図に示すように、発光チップ５０を搭載するリードフレ
ーム５１のマウント部５１ａを含めて樹脂（図示せず）
によって封止するいわゆるＬＥＤランプのタイプとした
ものである。そして、発光チップ５０の発光波長を変え
て異なった発光色とするために、発光チップ５０の周り
のマウント部５１ａに蛍光物質を含んだ樹脂５２で封止
した構成を持つ。すなわち、旧来のＬＥＤランプでは発
光チップを搭載するリードフレームの先端部を含めて被
覆するとともにレンズ機能も兼ねるエポキシ樹脂の単層
で封止していたものに代えて、発光チップ周りに波長変
換用の樹脂層を形成し、その周りをエポキシ樹脂で封止
したものである。
【０００５】このような波長変換用の蛍光物質を含む樹
脂５２で発光チップ５０を封止することで、発光チップ
５０からの青色発光の波長が蛍光物質によって変えら
れ、高輝度のＧａＮ系化合物半導体を利用した青色の発
光チップを白色発光のデバイスとして使えるようにな
る。すなわち、ＧａＮ系化合物半導体を利用した青色発
光の発光チップ５０の場合では、それ自身の青色発光の
成分と、樹脂５２に含まれた蛍光物質によって波長変換
された黄緑色の成分との混色によって白色発光が得られ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＬＥＤランプの場合で
は、発光チップ５０を搭載するマウント部５１ａの内面
を光反射面として利用するので、図示の例のようにマウ
ント部５１ａをすり鉢状とすることが有効である。とこ
ろが、マウント部５１ａがすり鉢状であると、図１０の
（ａ）に示すように、発光チップ５０の発光方向と側方
の樹脂５２の厚さＡ，Ｂが異なる場合が多い。これらの
厚さＡ，Ｂの相違はマウント部５１ａの形状や発光チッ
プ５０の大きさ及び樹脂５２の充填厚さ等によってさま
ざまに変わる。このため、これらの条件をもし最適化で
きれば、発光チップ５０周りの全方向で樹脂５２の層厚
を均一にすることはできる。しかしながら、樹脂５２は
ディスペンサによってマウント部５１ａに注入されるの
で、その厚さを高精度で制御することは非常に難しく、
図示のようなＡ，Ｂの厚さの関係だけでなく発光チップ
５０周りの樹脂５２の厚さを均一化することは現状では
不可能である。
【０００７】発光チップ５０周りの樹脂５２の厚さが異
なると、厚さが大きいほど発光チップ５０からの青色発
光が黄緑色に変換される割合も高くなる。このため、厚
さＡ方向では良好な白色発光が得られても、厚さＢ方向
のマウント部５１ａの内周面に近い部分では黄緑色の成
分が白色を上回るようになる。したがって、マウント部
５１ａの底面及び内周面を反射面とする発光なので、中
央部では白色が占め周縁部では黄色みを帯びた発光とな
ってしまう。
【０００８】このように、蛍光物質を含む樹脂５２の発
光チップ５０に対する全方向の厚さを均等にできないこ
とに起因して、純粋な白色発光が得られない。すなわ
ち、青色発光を蛍光物質によって黄緑色に変換して本来
の青色発光との混色により白色を得るので、発光チップ
５０に対する樹脂５２の層厚を最適化しない限り、黄色
みを伴わない白色発光は実現されない。
【０００９】また、樹脂５２をマウント部５１ａに注入
したとき、硬化後の樹脂５２に含まれる蛍光物質の量の
分布が一様でないと、白色発光の中に黄色の発光が混在
することにもなる。すなわち、発光チップ５０からの光
路はその発光方向に三次元的に広がっているので、蛍光
物質の充填量（樹脂５２内での蛍光物質の密度）にばら
つきがあれば、波長変換度も相違してくるので、黄色の
発光を含むものとなり、純粋な白色発光が得られない。
【００１０】本発明は、蛍光物質によって波長変換する
半導体発光装置において、たとえば青色の発光チップか
らの青色発光の分布と波長変換された黄緑色の分布とを
均一化して純粋な白色の発光が得られるようにすること
を解決課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムやプリント配線基板等の導通材に導通させて実装する
発光素子を備えた半導体発光装置において、前記発光素
子の実装面を除く全周囲を光透過性の樹脂に波長変換用
の蛍光物質を含有したパッケージによって被覆し、前記
パッケージは、前記発光素子の前記実装面を除く主光取
り出し面及び四方の側面の各面に対してそれぞれ平行な
外郭面を合成した外形としてなることを特徴とする。
【００１２】このような構成では、パッケージの樹脂中
に含ませる蛍光物質をほぼ一様に分散させておけば、主
光取り出し面及び側面から放出される光のそれぞれにつ
いて波長変換度を均一化できるので、黄色みを帯びない
純粋な白色発光が得られる。
【００１３】また、フリップチップ型の発光素子と、前
記発光素子を導通搭載するとともにプリント配線基板ま
たはリードフレーム等の導通部材に導通搭載されるサブ
マウント素子と、前記発光素子の全体を封止して前記サ
ブマウント素子の搭載面に接合される光透過性の樹脂を
使用したパッケージとを備え、前記パッケージは、前記
光透過性の樹脂に前記発光素子からの光を波長変換する
蛍光物質を含有するとともに、前記発光素子の外郭面か
らの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくした構成とす
ることもできる。
【００１４】この構成では、発光素子の発光方向の全方
位に対して蛍光物質による波長変換度を均一化できるの
で、発光素子自体の発光色と波長変換された発光色との
混色の発光が一様に得られる。
【００１５】また、基台と、前記基台の上に搭載され外
部電源に導通させた発光素子と、前記発光素子の全体を
封止して前記基台の搭載面に接合される光透過性の樹脂
を使用したパッケージとを備え、前記パッケージは、前
記光透過性の樹脂に前記発光素子からの光を波長変換す
る蛍光物質を含有するとともに、前記発光素子の外郭面
からの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくした構成と
してもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、リード
フレームやプリント配線基板等の導通材に導通させて実
装する発光素子を備えた半導体発光装置において、前記
発光素子の実装面を除く全周囲を光透過性の樹脂に波長
変換用の蛍光物質を含有したパッケージによって被覆
し、前記パッケージは、前記発光素子の前記実装面を除
く主光取り出し面及び四方の側面の各面に対してそれぞ
れ平行な外郭面を合成した外形としてなる半導体発光装
置であり、パッケージの樹脂中に含ませる蛍光物質をほ
ぼ一様に分散させることで、主光取り出し面及び側面か
ら放出される光のそれぞれについて波長変換度を均一化
して黄色みを帯びない純粋な白色発光が得られるという
作用を有する。
【００１７】請求項２に記載の発明は、前記パッケージ
は、前記発光素子の主光取り出し面を被覆する層厚を他
の四方の側面の層厚よりも大きくしてなる請求項１記載
の半導体発光装置であり、発光方向を向かせた主光取り
出し面からの光に対する波長変換度を高くしてより純粋
な白色発光が得られるという作用を有する。
【００１８】請求項３に記載の発明は、フリップチップ
型の発光素子と、前記発光素子を導通搭載するとともに
プリント配線基板またはリードフレーム等の導通部材に
導通搭載されるサブマウント素子と、前記発光素子の全
体を封止して前記サブマウント素子の搭載面に接合され
る光透過性の樹脂を使用したパッケージとを備え、前記
パッケージは、前記光透過性の樹脂に前記発光素子から
の光を波長変換する蛍光物質を含有するとともに、前記
発光素子の外郭面からの厚さを発光方向の全方位でほぼ
等しくしてなることを特徴とする半導体発光装置であ
り、発光素子の発光方向の全方位に対して蛍光物質によ
る波長変換度を均一化し、パッケージ全体から発光素子
の発光色と波長変換された発光色との混色の発光が一様
に得られるという作用を有する。
【００１９】請求項４に記載の発明は、基台と、ｐ側及
びｎ側の電極のそれぞれを上面に形成して前記基台の上
に搭載した発光素子と、前記ｐ側及びｎ側の電極部分を
除いて前記発光素子の全体を封止し且つ前記基台の搭載
面に接合される光透過性の樹脂を使用したパッケージと
を備え、前記パッケージは、前記光透過性の樹脂に前記
発光素子からの光を波長変換する蛍光物質を含有すると
ともに、前記発光素子の外郭面からの厚さを発光方向の
全方位でほぼ等しくしてなる半導体発光装置であり、請
求項３に記載の発明と同様に、発光素子の発光方向の全
方位に対して蛍光物質による波長変換度を一様化し、パ
ッケージ全体から発光素子の発光色と波長変換された発
光色との混色の発光が一様に得られるという作用を有す
る。
【００２０】請求項５に記載の発明は、前記パッケージ
の厚さを２０〜１１０μｍとするとともに、前記光透過
性の樹脂に含まれる前記蛍光物質を５０〜９０重量％と
してなる請求項３または４記載の半導体発光装置であ
り、パッケージの厚さと波長変換用の蛍光物質の含有率
を最適化することで、色むらのない良好な発光が得られ
るという作用を有する。
【００２１】以下、本発明の実施の形態について図面に
基づき説明する。なお、本実施の形態では、説明を判り
やすくするため、請求項３〜５の波長変換用の蛍光物質
を含むパッケージの厚さを全方位で同じとする構成を先
に説明し、請求項１，２の発明は後述する。
【００２２】図１は請求項３記載の発明の一実施の形態
による半導体発光装置の概略斜視図、図２の（ａ）及び
（ｂ）はそれぞれ要部の縦断面図及び平面図である。
【００２３】図示のように、本発明の半導体発光装置
は、サブマウント素子１とその上に搭載した発光素子２
及びこの発光素子２の全体を封止した蛍光物質を含むパ
ッケージ３とから構成されている。
【００２４】サブマウント素子１はｎ型のシリコン基板
１ａを用いたもので、このシリコン基板１ａは図２の
（ａ）に示すように発光素子２の搭載面側の一部に臨む
部分だけをｐ型半導体領域１ｂとしている。そして、シ
リコン基板１ａの底面にはｎ電極１ｃを形成するととも
に、発光素子２の搭載面にはシリコン基板１ａのｎ型半
導体層に接合したｎ側電極１ｄを備え、更にｐ型半導体
領域１ｂに含まれた部分にｐ側電極１ｅを形成してい
る。
【００２５】発光素子２は、従来技術の項で述べたＧａ
Ｎ系化合物半導体を利用した高輝度の青色発光のＬＥＤ
である。この発光素子２は、サファイアを素材とした基
板２ａの表面に、たとえばＧａＮのｎ型層、ＩｎＧａＮ
の活性層及びＧａＮのｐ型層を積層したものである。そ
して、従来周知のように、ｐ型層の一部をエッチングし
てｎ型層を露出させ、この露出したｎ型層の表面にｎ側
電極２ｃを形成し、ｐ型層の表面にはｐ側電極２ｄを形
成し、これらのｎ側及びｐ側の電極２ｃ，２ｄをそれぞ
れバンプ電極２ｅ，２ｆによってｎ側電極１ｄ及びｐ側
電極１ｅに接合している。
【００２６】なお、このようなサブマウント素子１と発
光素子２との複合化素子では、サブマウント素子１のｎ
電極１ｃをたとえばプリント基板の配線パターン上に導
通搭載するとともに、パッケージ３から離れた領域のｐ
側電極１ｅにワイヤを配線パターンとの間にボンディン
グするアセンブリであればよい。また、単に発光素子２
への通電と搭載の機能だけでなく、たとえばツェナーダ
イオードを利用した静電気保護用の素子をサブマウント
素子とすることもできる。
【００２７】パッケージ３は、従来からＬＥＤランプの
分野で使用されているエポキシ樹脂を素材とし、蛍光物
質を混入したものである。エポキシ樹脂に混入する蛍光
物質は、白色発光に変換する場合では、発光素子２の発
光色である青色と補色の関係を持つものであればよく、
蛍光染料，蛍光顔料，蛍光体などが利用でき、たとえば
（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ等が好適であ
る。
【００２８】ここで、発光素子２は図２の（ｂ）に示す
ように正方形の平面形状としたもので、同図の（ａ）中
の破線で示すｐ型層とｎ型層との間の活性層２ｂから発
光される。そして、この活性層２ｂからの発光は透明の
サファイアを用いた基板２ａを透過するので、図２の
（ａ）において基板２ａの上面が主光取り出し面とな
る。また、活性層２ｂからの光は基板２ａを透過する方
向だけではなく、側方やサブマウント素子１の表面にも
向かい、側方へ向かうものはそのままパッケージ３から
放出され、表面へ向かった発光成分は金属光沢を持つｎ
側及びｐ側の電極１ｄ，１ｅによって反射される。した
がって、発光素子２からの光は、主光取り出し面からの
発光強度が最大となるものの、発光素子２自体はその平
面形状の四角形の１辺の長さが３５０μｍ程度と微小な
ので、発光素子２の全体から一様に発光されるといって
よい。
【００２９】このような発光素子２からの発光の形態に
おいて、従来では、蛍光物質を混入した封止樹脂の厚さ
や充填量が一様でないことから白色発光の中に黄色発光
が混じってしまうというものであった。すなわち、封止
樹脂が厚い部分を抜ける光は蛍光物質による波長変換が
薄い部分を抜ける光よりも促されるので、黄緑色の発光
が強くなり、その結果黄色みを帯びた発光となる。
【００３０】これに対し、本発明では、図２から明らか
なように、発光素子２の外郭面に対して縦方向及び横方
向のパッケージ３の厚さを等しくすることで、活性層２
ｂからの発光がパッケージ３から抜ける間に、蛍光物質
による一様な波長変換が得られるようにする。すなわ
ち、図２の（ｂ）に示すように、発光素子２の側面から
パッケージ３の表面までの距離をＤとするとき、発光素
子２の周囲の４側面の周りのパッケージ３の厚さは全て
Ｄとする。また、図２の（ａ）において、基板２ａの上
面からパッケージ３の上面までの厚さもＤとする。
【００３１】このように発光素子２の主光取り出し面か
らの発光方向及び側面からの発光方向は全てＤの厚さの
パッケージ３で被覆される。そして、主光取り出し面か
らの発光が白色光となるように、パッケージ３の厚さＤ
と蛍光体の含有率を調整すれば、パッケージ３の上面だ
けでなく周囲の４側面からも白色光が放出される。
【００３２】なお、発光素子２からパッケージ３の上端
面の４辺の角部までの距離は、設定したパッケージ３の
厚さＤよりも少し長く、この部分へ向かう光については
波長変換度が僅かに大きくなる。しかしながら、厚さの
差は極めて微小であることと、発光素子２からの光はパ
ッケージ３の上面と周囲の４側面から白色光が放たれる
ので、パッケージ３の角部から黄色みを僅かに帯びた光
が放出されたとしても、周りの白色光に吸収されてしま
う。そして、図２において一点鎖線で示すように、パッ
ケージ３の全ての角部を半径がＤの円弧面となるように
製造すれば、発光素子２の表面からパッケージ３の全て
の外郭面までの距離をＤとすることができる。このよう
にすれば、より一層純粋な白色の発光が効果的に得られ
る。
【００３３】このように、発光素子２を封止するパッケ
ージ３の厚さを発光素子２の底面側を除く全方位でほぼ
同じとしたことによって、発光素子２からの光の蛍光物
質による波長変換度がほぼ均一化される。したがって、
パッケージ３から放出される光を純粋な白色光として得
ることができる。
【００３４】ここで、先に述べたように、パッケージ３
の厚さＤと蛍光物質の含有率との関係が、良好な白色光
がパッケージ３の全体から放出されるための一つの重要
な因子である。これは、発光素子２からの光がパッケー
ジ３を抜ける間に蛍光物質により青色発光が波長変換さ
れて黄緑色の成分となり、発光素子２からの青色発光成
分との混色によって白色発光となることを考えれば明ら
かである。本発明者らは、パッケージ３の厚さＤと蛍光
物質の含有率との関係について研究を重ね、パッケージ
３の厚さＤは２０〜１１０μｍ程度で、蛍光物質の含有
率は５０〜９０重量％であれば、最適な白色光が得られ
ることを知見によって得た。
【００３５】下記の（表１）はパッケージ３の厚さＤと
蛍光物質の含有率との関係による色度座標ｘ，ｙの値を
実験によって測定した実測値である。
【００３６】
【表１】
【００３７】測定に際しては、パッケージ３としてエポ
キシ樹脂を用い、蛍光物質としては（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａ
ｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅを用いた。（表１）から明らか
なように、パッケージ３の厚さが２０〜１１０μｍであ
って、蛍光物質の含有率が５０〜９０重量％のとき、白
色（ｘ＝０．２５〜０．４０，ｙ＝０．２５〜０．４
０）の値に近似した値の発光色が得られることが判る。
【００３８】図３，図４は図１及び図２に示した半導体
発光装置の製造方法を示す概略図である。
【００３９】図３はフォトリソグラフィー法を利用した
もので、シリコンウエハー１０に図２で示したｐ型半導
体領域１ｂを形成するとともに、ｎ電極１ｃ，ｎ側電極
１ｄ，ｐ側電極１ｅをパターン形成したシリコンウエハ
ー１０をまず準備する。そして、ｎ側及びｐ側の電極２
ｃ，２ｄにそれぞれバンプ電極２ｅ，２ｆを形成した発
光素子２をｎ側電極１ｄ，ｐ側電極１ｅのパターンに合
わせて実装し、図３の（ａ）に示すように蛍光体ペース
ト１１をシリコンウエハー１０の表面に一様の厚さで塗
布する。この蛍光体ペースト１１はたとえばアクリル系
樹脂等の紫外線硬化性の樹脂に先に例示した（Ｙ，Ｇ
ｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12：Ｃｅ等の蛍光物質を混入し
たものである。
【００４０】蛍光体ペースト１１の塗布の後、同図
（ｂ）のようにパターン形成用のマスク１２を被せて上
から紫外線を照射し、発光素子２を被覆する部分の蛍光
体ペースト１１を硬化させる。この後、現像工程に移し
て蛍光体ペースト１１の不要な部分を除去することによ
ってパッケージ３が形成され、ダイシングによって図１
及び図２に示したような半導体発光装置を得ることがで
きる。
【００４１】図４はスクリーン印刷法を利用したもの
で、シリコンウエハー１０への発光素子２の実装までの
工程は図３の例と同様である。この発光素子２の実装の
後、予め製作しておいたメタルマスク１３をシリコンウ
エハー１０の上に載せ（図４の（ａ）〜（ｂ））、蛍光
体ペースト１４をスクリーン印刷法によって塗布する。
この蛍光体ペースト１４は紫外線硬化性のものではな
く、エポキシ樹脂等の樹脂に蛍光物質とチキソトロピッ
ク材を混入したものである。蛍光体ペースト１４を塗布
した後には、メタルマスク１３を取り外し、熱硬化する
ことによってシリコンウエハー１０の表面に発光素子２
を封止したパッケージ３が形成され（図４の（ｃ））、
ダイシングによって半導体発光装置の単体が得られる。
【００４２】図５は転写法を利用したもので、転写板１
５の表面に蛍光体ペースト１６を予め塗布したものを準
備し、発光素子２を実装したシリコンウエハー１０を上
下反転した姿勢に保持する（図５の（ａ））。次いで、
発光素子２が蛍光体ペースト１６の中に浸漬されるよう
にシリコンウエハー１０を転写板１５の上に被せ（同図
の（ｂ））、その後シリコンウエハー１０を引き上げる
と同図の（ｃ）のように発光素子２が蛍光体ペースト１
６によって封止したものが得られる。そして、ダイシン
グ工程によって半導体発光装置の単体が得られる。蛍光
体ペースト１６は先の例と同様に樹脂に蛍光物質を含ま
せたものであるが、転写法による製造の場合では、蛍光
体ペースト１６に用いる樹脂はアクリル系樹脂やエポキ
シ樹脂に限られず、その他のものであってもよい。
【００４３】図６は請求項４に記載の発明の一実施の形
態であって、サブマウント素子との複合化に代えて発光
素子を絶縁性の基台に搭載した例である。なお、発光素
子は先の例で説明したＧａＮの青色発光素子であり、構
成部材については図２に示したものと共通の符号で指示
する。
【００４４】発光素子２はその基板２ａを下向きにして
絶縁性の基台４の上に接着剤４ａを介して固定され、発
光素子２の周りはパッケージ５によって封止されてい
る。パッケージ５は先の例と同様にアクリル系またはエ
ポキシ樹脂を利用した樹脂層であり、含有する蛍光物質
も先に挙げたものと同様であり、発光素子２のｎ側電極
２ｃとｐ側電極２ｄだけは外に臨むように成形される。
すなわち、パッケージ５の上面部にはｎ側電極２ｃ及び
ｐ側電極２ｄに対応させて孔５ａ，５ｂを開け、これら
の電極２ｃ，２ｄの表面にワイヤ６ａ，６ｂをボンディ
ングできるようにする。
【００４５】なお、パッケージ５の厚さは、図２で示し
た例と同様に、発光素子２の底面を除く全体に対して一
様となるように形成され、活性層２ｂからの光に対する
傾向物質による波長変換度をパッケージ５の全体で一様
化する。
【００４６】このような発光素子２と基台４とによる半
導体発光装置の製造は、図７に示すように絶縁性のウエ
ハー２０の上に発光素子を図６に示した姿勢で実装した
後、たとえば図３に示したフォトリソグラフィー法によ
り孔５ａ，５ｂを開けたパッケージ５を形成し、図中の
一点鎖線で示す位置をダイシングすることによって可能
である。
【００４７】図８はたとえばＬＥＤランプ等に汎用され
ている二股状のリードフレームに図６の半導体発光装置
を搭載した例を示す概略図である。
【００４８】図示のように、リードフレームの一方のリ
ード７ａのマウント部７ｂに基台４を接着剤によって固
定し、図６で示したように孔５ａ，５ｂに通してｎ側電
極２ｃ及びｐ側電極２ｄに接合したワイヤ６ａ，６ｂを
リード７ａと他方のリード７ｃにそれぞれボンディング
する。これにより、発光素子２とリードフレームとの間
の導通が得られ、通電によって発光素子２の活性層２ｂ
からの発光が得られる。
【００４９】ここで、パッケージ３，５は先に説明した
ように角部を円弧面としたりすることでより純粋な白色
発光が得られるが、このような円弧面を持たせるのに代
えて、たとえば四角錐台や円錐台等の形状のパッケージ
としてもよい。要するに、発光素子２からの発光がパッ
ケージ３，５を抜ける間に全方位で一様な波長変換度と
なるような発光素子２とパッケージ３，５の外郭面の関
係となるようにすればよい。請求項１及び２に記載の発
明はこのような発光素子２とパッケージ３，５それぞれ
の外郭面の関係を特定したもので、図９にその具体例を
示す。
【００５０】図９の例は図２に示した半導体発光装置に
おいてパッケージ３の形状を変えたものであり、同じ構
成部材については共通の符号で指示する。
【００５１】図示のように、パッケージ３は、発光素子
２の外郭面に対する四方の側面からの厚さＸよりも上面
すなわち主光取り出し面に被さる厚さＹを大きくしてい
る。そして、発光素子２の四方の側面のそれぞれの全表
面に対してパッケージ３の厚さは一様にＸであり、上面
の主光取り出し面についてもその全表面からのパッケー
ジ３の厚さは一様にＹである。すなわち、発光素子２の
ｎ側及びｐ側の電極２ｃ，２ｄ形成面を除く５面のそれ
ぞれについてのパッケージ３の厚さは各面の全表面につ
いて一定であり、したがって放出される光に対する蛍光
物質による波長変換度を各面について均一化することが
できる。このため、主光取り出し面からの光はその全面
から同じ波長変換度の黄色または黄緑を合成した白色発
光が得られ、黄色みが混在した発光とはならない。そし
て、その他の四方の側面からの発光についても同様であ
る。
【００５２】以上のことから、パッケージ３の厚さを発
光素子２の全方位について一様な厚さとしていなくて
も、各発光面からの全ての発光が一様な波長変換を受け
て放出させるようにすれば、黄色みを帯びることなく純
粋な白色発光が得られる。
【００５３】また、発光素子２の上面すなわち主光取り
出し面からの光が発光方向への主成分となる。このた
め、図示のようにパッケージ３の厚さＹを側面の厚さＸ
よりも大きくしておけば、波長変換が十分になされるの
でより一層純粋な白色の発光が可能である。
【００５４】更に、パッケージ３は、図９に示す厚さ
Ｘ，Ｙの関係とするのに代えて、発光素子２の側面から
の厚さＸが主光取り出し面からの厚さＹより大きな関係
としてもよい。すなわち、前述のように、発光素子２の
外郭の発光面からの全ての発光が一様な波長変換を受け
て放出させるようにすればよいので、側面からの厚さＸ
と主光取り出し面からの厚さＹとの間を大小関係で制約
する必要はなく、各面からの厚さが全て一様となるよう
にすればよい。したがって、図９に示したように、主光
取り出し面からの厚さＹを側面からの厚さＸより大きく
しないで逆の関係としても、厚さＹが発光素子２の主光
取り出し面の全面に対して一様な厚さにしてさえおけ
ば、黄色みを帯びることのない白色発光が得られる。
【００５５】なお、以上の説明では、青色発光の発光素
子を白色発光に変える例としたが、紫外線や赤及び緑の
発光素子のそれぞれの発光を蛍光物質の特性によって様
々な発光色に変える構成とすることもできる。
【００５６】
【発明の効果】本発明では、発光素子を封止する樹脂の
パッケージの厚さを発光素子の各面について一様な厚さ
としたり発光方向の全方位についてほぼ等しくしたりす
ることで、樹脂に含ませた蛍光物質による波長変換度を
一様化してパッケージの表面から放出でき、色むらのな
い鮮明な発光が得られる。また、各用途毎に蛍光体や膜
厚等を調整することなく、チップＬＥＤ，バックライ
ト，表示器等にサブマウント素子を搭載するだけで白色
光源が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態による半導体発光装置の
概略斜視図
【図２】（ａ）は図１の半導体発光装置の要部縦断面図 （ｂ）は図１の半導体発光装置の平面図
【図３】フォトリソグラフィー法による半導体発光装置
の製造工程を示す概略図
【図４】スクリーン印刷法による半導体発光装置の製造
工程を示す概略図
【図５】転写法による半導体発光装置の製造工程を示す
概略図
【図６】基台と発光素子の組合せとした例の半導体発光
装置の概略を示す切欠図
【図７】図６の半導体発光装置の製造工程におけるダイ
シング前の状態を示す概略図
【図８】図６の半導体発光装置をリードフレームに実装
したときの要部の概略図
【図９】発光素子の各面のそれぞれについて一様な厚さ
のパッケージで封止する例であって、（ａ）は要部縦断
面図 （ｂ）は平面図
【図１０】従来例の概略であって、（ａ）は要部の縦断
面図 （ｂ）は平面図
【符号の説明】
１ サブマウント素子 １ａ シリコン基板 １ｂ ｐ型半導体領域 １ｃ ｎ電極 １ｄ ｎ側電極 １ｅ ｐ側電極 ２ 発光素子 ２ａ 基板 ２ｂ 活性層 ２ｃ ｎ側電極 ２ｄ ｐ側電極 ２ｅ，２ｆ バンプ電極 ３ パッケージ ４ 基台 ４ａ 接着剤 ５ パッケージ ５ａ，５ｂ 孔 ６ａ，６ｂ ワイヤ ７ａ リード ７ｂ マウント部 ７ｃ リード １０ シリコンウエハー １１ 蛍光体ペースト １２ マスク １３ メタルマスク １４ 蛍光体ペースト １５ 転写板 １６ 蛍光体ペースト ２０ ウエハー
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１月２７日（２０００．１．２
７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムやプリント配線基板等の導通材に導通させて実装する
発光素子を備えた半導体発光装置において、前記発光素
子の実装面を除く全周囲を光透過性の樹脂に波長変換用
の蛍光物質を含有したパッケージによって被覆し、前記
パッケージは、前記発光素子の前記実装面を除く主光取
り出し面及び四方の側面の各面に対してそれぞれ平行な
外郭面を合成した外形としてその全表面を外に露出させ
てなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】また、フリップチップ型の発光素子と、前
記発光素子を導通搭載するとともにプリント配線基板ま
たはリードフレーム等の導通部材に導通搭載されるサブ
マウント素子と、前記発光素子の全体を封止して前記サ
ブマウント素子の搭載面に接合される光透過性の樹脂を
使用したパッケージとを備え、前記パッケージは、前記
光透過性の樹脂に前記発光素子からの光を波長変換する
蛍光物質を含有するとともに、前記発光素子の外郭面か
らの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくし且つその全
表面を外に露出させた構成とすることもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また、基台と、ｐ側及びｎ側の電極のそれ
ぞれを上面に形成して前記基台の上に搭載した発光素子
と、前記ｐ側及びｎ側の電極部分を除いて前記発光素子
の全体を封止し且つ前記基台の搭載面に接合される光透
過性の樹脂を使用したパッケージとを備え、前記パッケ
ージは、前記光透過性の樹脂に前記発光素子からの光を
波長変換する蛍光物質を含有するとともに、前記発光素
子の外郭面からの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しく
し且つその全表面を外に露出させた構成としてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、リード
フレームやプリント配線基板等の導通材に導通させて実
装する発光素子を備えた半導体発光装置において、前記
発光素子の実装面を除く全周囲を光透過性の樹脂に波長
変換用の蛍光物質を含有したパッケージによって被覆
し、前記パッケージは、前記発光素子の前記実装面を除
く主光取り出し面及び四方の側面の各面に対してそれぞ
れ平行な外郭面を合成した外形としてその全表面を外に
露出させてなる半導体発光装置であり、パッケージの樹
脂中に含ませる蛍光物質をほぼ一様に分散させること
で、主光取り出し面及び側面から放出される光のそれぞ
れについて波長変換度を均一化して黄色みを帯びない純
粋な白色発光が得られるという作用を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】請求項３に記載の発明は、フリップチップ
型の発光素子と、前記発光素子を導通搭載するとともに
プリント配線基板またはリードフレーム等の導通部材に
導通搭載されるサブマウント素子と、前記発光素子の全
体を封止して前記サブマウント素子の搭載面に接合され
る光透過性の樹脂を使用したパッケージとを備え、前記
パッケージは、前記光透過性の樹脂に前記発光素子から
の光を波長変換する蛍光物質を含有するとともに、前記
発光素子の外郭面からの厚さを発光方向の全方位でほぼ
等しくし且つその全表面を外に露出させてなる半導体発
光装置であり、発光素子の発光方向の全方位に対して蛍
光物質による波長変換度を均一化し、パッケージ全体か
ら発光素子の発光色と波長変換された発光色との混色の
発光が一様に得られるという作用を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】請求項４に記載の発明は、基台と、ｐ側及
びｎ側の電極のそれぞれを上面に形成して前記基台の上
に搭載した発光素子と、前記ｐ側及びｎ側の電極部分を
除いて前記発光素子の全体を封止し且つ前記基台の搭載
面に接合される光透過性の樹脂を使用したパッケージと
を備え、前記パッケージは、前記光透過性の樹脂に前記
発光素子からの光を波長変換する蛍光物質を含有すると
ともに、前記発光素子の外郭面からの厚さを発光方向の
全方位でほぼ等しくし且つその全表面を外に露出させて
なる半導体発光装置であり、請求項３に記載の発明と同
様に、発光素子の発光方向の全方位に対して蛍光物質に
よる波長変換度を一様化し、パッケージ全体から発光素
子の発光色と波長変換された発光色との混色の発光が一
様に得られるという作用を有する。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームやプリント配線基板等の
    導通材に導通させて実装する発光素子を備えた半導体発
    光装置において、前記発光素子の実装面を除く全周囲を
    光透過性の樹脂に波長変換用の蛍光物質を含有したパッ
    ケージによって被覆し、前記パッケージは、前記発光素
    子の前記実装面を除く主光取り出し面及び四方の側面の
    各面に対してそれぞれ平行な外郭面を合成した外形とし
    てなる半導体発光装置。
  2. 【請求項２】 前記パッケージは、前記発光素子の主光
    取り出し面を被覆する層厚を他の四方の側面の層厚より
    も大きくしてなる請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 【請求項３】 フリップチップ型の発光素子と、前記発
    光素子を導通搭載するとともにプリント配線基板または
    リードフレーム等の導通部材に導通搭載されるサブマウ
    ント素子と、前記発光素子の全体を封止して前記サブマ
    ウント素子の搭載面に接合される光透過性の樹脂を使用
    したパッケージとを備え、前記パッケージは、前記光透
    過性の樹脂に前記発光素子からの光を波長変換する蛍光
    物質を含有するとともに、前記発光素子の外郭面からの
    厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくしてなる半導体発
    光装置。
  4. 【請求項４】 基台と、ｐ側及びｎ側の電極のそれぞれ
    を上面に形成して前記基台の上に搭載した発光素子と、
    前記ｐ側及びｎ側の電極部分を除いて前記発光素子の全
    体を封止し且つ前記基台の搭載面に接合される光透過性
    の樹脂を使用したパッケージとを備え、前記パッケージ
    は、前記光透過性の樹脂に前記発光素子からの光を波長
    変換する蛍光物質を含有するとともに、前記発光素子の
    外郭面からの厚さを発光方向の全方位でほぼ等しくして
    なる半導体発光装置。
  5. 【請求項５】 前記パッケージの厚さを２０〜１１０μ
    ｍとするとともに、前記光透過性の樹脂に含まれる前記
    蛍光物質を５０〜９０重量％としてなる請求項３または
    ４記載の半導体発光装置。
JP378899A 1999-01-11 1999-01-11 半導体発光装置 Pending JP2000208822A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP378899A JP2000208822A (ja) 1999-01-11 1999-01-11 半導体発光装置
US09/479,847 US6696704B1 (en) 1999-01-11 2000-01-10 Composite light-emitting device, semiconductor light-emitting unit and method for fabricating the unit
EP00100496.9A EP1020935B1 (en) 1999-01-11 2000-01-11 Composite light-emitting device, semiconductor light-emitting unit and method for fabricating the same
TW089100354A TW497275B (en) 1999-01-11 2000-01-11 Composite light-emitting device, semiconductor light-emitting unit and method for fabricating the unit
KR1020000001078A KR100686416B1 (ko) 1999-01-11 2000-01-11 복합 발광소자, 반도체 발광장치 및 반도체 발광장치의제조방법
US09/947,405 US6468821B2 (en) 1999-01-11 2001-09-07 Method for fabricating semiconductor light-emitting unit
KR1020060101292A KR100853064B1 (ko) 1999-01-11 2006-10-18 복합발광소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP378899A JP2000208822A (ja) 1999-01-11 1999-01-11 半導体発光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000307286A Division JP3725413B2 (ja) 2000-10-06 2000-10-06 半導体発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000208822A true JP2000208822A (ja) 2000-07-28

Family

ID=11566936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP378899A Pending JP2000208822A (ja) 1999-01-11 1999-01-11 半導体発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6696704B1 (ja)
EP (1) EP1020935B1 (ja)
JP (1) JP2000208822A (ja)
KR (2) KR100686416B1 (ja)
TW (1) TW497275B (ja)

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002094128A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002100813A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料と半導体発光装置、及びその製造方法
JP2002158376A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード照明装置
JP2002203989A (ja) * 2000-12-21 2002-07-19 Lumileds Lighting Us Llc 発光装置及びその製造方法
JP3367096B2 (ja) 1999-02-02 2003-01-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP2003031858A (ja) * 2001-05-15 2003-01-31 Lumileds Lighting Us Llc 低屈折率の充填物を有する半導体ｌｅｄフリップチップ
JP3412601B2 (ja) 2000-04-27 2003-06-03 松下電器産業株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP2004047988A (ja) * 2002-06-13 2004-02-12 Lumileds Lighting Us Llc 大面積及び小面積半導体発光フリップチップ装置のための接触方式
JP2004193393A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
JP2005183777A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2005332857A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法および発光ダイオード
JP2005332858A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法および発光ダイオード
JP2005332859A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法および発光ダイオード
JP2006013311A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2006049524A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2006059851A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、それを用いた照明装置およびその製造方法
US7023019B2 (en) 2001-09-03 2006-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
JP2006245626A (ja) * 2006-06-19 2006-09-14 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法および構造
JP2007180111A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Showa Denko Kk 発光装置
JP2008507850A (ja) * 2004-07-26 2008-03-13 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 電磁放射を放出するオプトエレクトロニクス素子および発光モジュール
JP2008514027A (ja) * 2004-09-23 2008-05-01 クリー インコーポレイテッド 透過性シリコーン及び蛍光体を含むパターニング可能な皮膜を備える半導体発光デバイス、およびその製造方法
JP2008219057A (ja) * 2002-10-30 2008-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法
KR100866879B1 (ko) * 2006-12-19 2008-11-04 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP2008544568A (ja) * 2005-07-04 2008-12-04 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP2009506523A (ja) * 2005-08-26 2009-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンスダイオードチップの作製方法およびルミネセンスダイオードチップ
KR100951096B1 (ko) * 2000-10-13 2010-04-07 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 발광 반도체 디바이스 상에 형광 층을 형성하는 방법 및 형광 스텐실링 합성물
JP2010518646A (ja) * 2007-02-13 2010-05-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー レンズを有するｌｅｄデバイス及びその作製方法
US7759145B2 (en) 2003-06-13 2010-07-20 Rohm Co., Ltd. Process for producing light-emitting diode element emitting white light
JP2011044741A (ja) * 2004-02-03 2011-03-03 Panasonic Corp 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子
US7910387B2 (en) 2007-08-29 2011-03-22 Everlight Electronics Co., Ltd. Phosphor coating method for fabricating light emitting semiconductor device and applications thereof
JP2011061230A (ja) * 2003-02-26 2011-03-24 Cree Inc 光エミッタ及びその製造方法
US8026530B2 (en) * 2004-11-11 2011-09-27 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device, lighting module and lighting apparatus
JP2012044034A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US8207548B2 (en) 2003-08-28 2012-06-26 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2012138588A (ja) * 2003-09-18 2012-07-19 Cree Inc 成形チップの製造方法および装置
JP2013157419A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Oki Data Corp 発光デバイス及びその製造方法
WO2013121800A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode and lighting device including the same
KR101346341B1 (ko) * 2007-05-08 2013-12-31 서울반도체 주식회사 서브마운트를 갖는 발광장치 및 그 제조방법
JP2014509089A (ja) * 2011-03-25 2014-04-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Ｌｅｄ上のパターニングされた感ｕｖ性シリコーン−蛍光体層
CN103887411A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 荧光粉设置方法及发光二极管制造方法
US9166123B2 (en) 2006-08-08 2015-10-20 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method for manufacturing the same
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
JP2015195349A (ja) * 2014-03-28 2015-11-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106030830A (zh) * 2014-02-21 2016-10-12 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子的半导体器件的方法和光电子的半导体器件
JP2017183362A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置

Families Citing this family (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6903376B2 (en) 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6885035B2 (en) 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
US6573537B1 (en) 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6603258B1 (en) * 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
KR100372834B1 (ko) * 2000-05-25 2003-02-19 에이프로시스템즈 (주) 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광반도체 소자
JP2002190622A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
US7129638B2 (en) 2000-08-09 2006-10-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness
DE10039433B4 (de) * 2000-08-11 2017-10-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
DE10042947A1 (de) * 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP3895570B2 (ja) * 2000-12-28 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP4050482B2 (ja) * 2001-04-23 2008-02-20 豊田合成株式会社 半導体発光装置
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6888167B2 (en) 2001-07-23 2005-05-03 Cree, Inc. Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding
JP3812827B2 (ja) * 2001-08-23 2006-08-23 ソニー株式会社 発光素子の取り付け方法
TW535307B (en) * 2002-03-04 2003-06-01 United Epitaxy Co Ltd Package of light emitting diode with protective diode
EP1536487A4 (en) * 2002-05-28 2008-02-06 Matsushita Electric Works Ltd ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE AND SURFACE EMISSION LIGHTING DEVICE USING THE SAME
CA2489237A1 (en) * 2002-06-13 2003-12-24 Cree, Inc. Semiconductor emitter comprising a saturated phosphor
KR100497121B1 (ko) * 2002-07-18 2005-06-28 삼성전기주식회사 반도체 led 소자
TW554553B (en) * 2002-08-09 2003-09-21 United Epitaxy Co Ltd Sub-mount for high power light emitting diode
US7692289B2 (en) * 2002-08-12 2010-04-06 Adc Telecommunications, Inc. Semiconductor devices with improved heat dissipation and method for fabricating same
US6642550B1 (en) * 2002-08-26 2003-11-04 California Micro Devices Silicon sub-mount capable of single wire bonding and of providing ESD protection for light emitting diode devices
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
TW200414572A (en) 2002-11-07 2004-08-01 Matsushita Electric Industrial Co Ltd LED lamp
US7180099B2 (en) * 2002-11-11 2007-02-20 Oki Data Corporation Semiconductor apparatus with thin semiconductor film
CN100352069C (zh) * 2002-11-25 2007-11-28 松下电器产业株式会社 Led照明光源
US6897486B2 (en) 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
CN100502062C (zh) * 2003-04-30 2009-06-17 美商克立股份有限公司 具有小型光学元件的高功率发光器封装
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2005044963A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Tdk Corp レーザダイオードモジュール
EP1649514B1 (en) * 2003-07-30 2014-01-01 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting apparatus
JP4400327B2 (ja) * 2003-09-11 2010-01-20 セイコーエプソン株式会社 タイル状素子用配線形成方法
KR20050034936A (ko) * 2003-10-10 2005-04-15 삼성전기주식회사 형광체를 이용한 파장변환형 발광 다이오드 패키지 및제조방법
WO2005062389A2 (en) * 2003-12-24 2005-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, display element, and manufacturing method for semiconductor light emitting device
US7488990B2 (en) * 2004-04-02 2009-02-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Using multiple types of phosphor in combination with a light emitting device
US20050227394A1 (en) * 2004-04-03 2005-10-13 Bor-Jen Wu Method for forming die protecting layer
JP2005311089A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Fuji Xerox Co Ltd 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置
KR20070012501A (ko) * 2004-04-28 2007-01-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 발광장치 및 그 제조방법
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
JP4747516B2 (ja) * 2004-06-08 2011-08-17 富士ゼロックス株式会社 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置
KR100623024B1 (ko) * 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지
CN100386891C (zh) * 2004-07-02 2008-05-07 北京工业大学 高抗静电高效发光二极管及制作方法
US7087463B2 (en) * 2004-08-04 2006-08-08 Gelcore, Llc Laser separation of encapsulated submount
JP2006086300A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Sanken Electric Co Ltd 保護素子を有する半導体発光装置及びその製造方法
JP2006086469A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法
KR100576872B1 (ko) * 2004-09-17 2006-05-10 삼성전기주식회사 정전기 방전 방지기능을 갖는 질화물 반도체 발광소자
KR100506743B1 (ko) * 2004-09-17 2005-08-08 삼성전기주식회사 트랜지스터를 구비한 플립칩 구조 발광장치용 서브 마운트
US7081667B2 (en) * 2004-09-24 2006-07-25 Gelcore, Llc Power LED package
CN100547772C (zh) * 2004-10-19 2009-10-07 宏齐科技股份有限公司 晶圆级光电半导体组装构造及其制造方法
TW200637033A (en) * 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
WO2006098545A2 (en) * 2004-12-14 2006-09-21 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same
US8288942B2 (en) * 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
KR100696062B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-15 엘지이노텍 주식회사 발광 반도체 패키지
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
US20060258031A1 (en) * 2005-01-26 2006-11-16 Bily Wang Wafer-level electro-optical semiconductor manufacture fabrication method
US20100301349A1 (en) * 2005-01-26 2010-12-02 Harvatek Corporation Wafer level led package structure for increasing light-emitting efficiency and heat-dissipating effect and method for manufacturing the same
US7655997B2 (en) * 2005-01-26 2010-02-02 Harvatek Corporation Wafer level electro-optical semiconductor manufacture fabrication mechanism and a method for the same
JP4617902B2 (ja) * 2005-01-31 2011-01-26 信越半導体株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US20150295154A1 (en) * 2005-02-03 2015-10-15 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
US7932111B2 (en) * 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
JP4731949B2 (ja) * 2005-02-25 2011-07-27 株式会社沖データ 半導体装置、ｌｅｄヘッド、及びこれを用いた画像形成装置
EP2280430B1 (en) * 2005-03-11 2020-01-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
KR100593934B1 (ko) * 2005-03-23 2006-06-30 삼성전기주식회사 정전기 방전 보호 기능을 갖는 발광 다이오드 패키지
US7535180B2 (en) 2005-04-04 2009-05-19 Cree, Inc. Semiconductor light emitting circuits including light emitting diodes and four layer semiconductor shunt devices
TWI261932B (en) * 2005-05-06 2006-09-11 Harvatek Corp Fabrication method of optoelectronic chip package structure having control chip
TWI389337B (zh) * 2005-05-12 2013-03-11 松下電器產業股份有限公司 發光裝置與使用其之顯示裝置及照明裝置，以及發光裝置之製造方法
US7105863B1 (en) * 2005-06-03 2006-09-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source with improved life
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
WO2006135130A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Lg Chem, Ltd. Light emitting diode device using electrically conductive interconnection section
CN100454593C (zh) * 2005-08-03 2009-01-21 刘士龙 一种基板型白光二极管的制造方法
US7736070B2 (en) * 2005-08-31 2010-06-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Double mold optocoupler
US20070096120A1 (en) * 2005-10-27 2007-05-03 Gelcore Llc Lateral current GaN flip chip LED with shaped transparent substrate
KR100765385B1 (ko) * 2005-12-16 2007-10-10 서울옵토디바이스주식회사 다수의 발광 셀이 어레이된 발광 소자
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
US8030575B2 (en) * 2005-12-29 2011-10-04 Sensor Electronic Technology, Inc. Mounting structure providing electrical surge protection
US7928462B2 (en) * 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
CN101589268A (zh) 2006-05-31 2009-11-25 科锐Led照明科技公司 照明装置和照明方法
JP4172501B2 (ja) * 2006-05-31 2008-10-29 ソニー株式会社 発光ダイオード点灯回路、照明装置及び液晶表示装置
JP2007324417A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Sharp Corp 半導体発光装置とその製造方法
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
US7964892B2 (en) * 2006-12-01 2011-06-21 Nichia Corporation Light emitting device
US9196799B2 (en) * 2007-01-22 2015-11-24 Cree, Inc. LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
TWI351115B (en) * 2007-05-18 2011-10-21 Everlight Electronics Co Ltd Light-emitting diode module and the manufacturing method thereof
EP2434554B1 (en) 2007-08-03 2018-05-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wavelength-converted light-emitting device with uniform emission
TWI401820B (zh) * 2007-11-07 2013-07-11 財團法人工業技術研究院 發光元件及其製作方法
US8946987B2 (en) 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
JP2009146571A (ja) * 2007-12-11 2009-07-02 Yazaki Corp 制御回路内蔵ユニット
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8362703B2 (en) * 2007-12-20 2013-01-29 Luminus Devices, Inc. Light-emitting devices
KR101428085B1 (ko) 2008-07-24 2014-08-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TW201015743A (en) * 2008-10-01 2010-04-16 Formosa Epitaxy Inc LED and manufacturing method thereof
WO2010110204A1 (ja) * 2009-03-27 2010-09-30 コニカミノルタオプト株式会社 蛍光体部材、蛍光体部材の製造方法、及び照明装置
DE102009032486A1 (de) 2009-07-09 2011-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8679865B2 (en) * 2009-08-28 2014-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Resin application apparatus, optical property correction apparatus and method, and method for manufacturing LED package
US10264637B2 (en) 2009-09-24 2019-04-16 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof
US9713211B2 (en) 2009-09-24 2017-07-18 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
KR101034054B1 (ko) * 2009-10-22 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP5349260B2 (ja) 2009-11-19 2013-11-20 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
TWI409975B (zh) * 2009-12-01 2013-09-21 友達光電股份有限公司 具大發光角度之光源裝置及其製造方法
US8476836B2 (en) 2010-05-07 2013-07-02 Cree, Inc. AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments
US8330178B2 (en) * 2010-05-11 2012-12-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Package structure and package process of light emitting diode
DE102010027679A1 (de) 2010-07-20 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR101154709B1 (ko) * 2010-07-28 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
CN101937959A (zh) * 2010-08-12 2011-01-05 武汉华灿光电有限公司 带滤光膜的发光二极管及其制造方法
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8569974B2 (en) 2010-11-01 2013-10-29 Cree, Inc. Systems and methods for controlling solid state lighting devices and lighting apparatus incorporating such systems and/or methods
US8802461B2 (en) 2011-03-22 2014-08-12 Micron Technology, Inc. Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing
US9839083B2 (en) 2011-06-03 2017-12-05 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and circuits including LED segments configured for targeted spectral power distribution and methods of operating the same
US8742671B2 (en) 2011-07-28 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry
CN103000768A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
JP5902908B2 (ja) * 2011-10-19 2016-04-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および車両用灯具
EP2748865B1 (en) * 2011-12-08 2019-04-10 Lumileds Holding B.V. Semiconductor light emitting device with thick metal layers
US8823285B2 (en) 2011-12-12 2014-09-02 Cree, Inc. Lighting devices including boost converters to control chromaticity and/or brightness and related methods
US8847516B2 (en) 2011-12-12 2014-09-30 Cree, Inc. Lighting devices including current shunting responsive to LED nodes and related methods
US8952413B2 (en) * 2012-03-08 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods
KR20140036670A (ko) 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 차량용 헤드라이트
DE102013202904A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
JP6331376B2 (ja) * 2013-12-17 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
KR102171024B1 (ko) * 2014-06-16 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
JP2016062986A (ja) * 2014-09-16 2016-04-25 株式会社東芝 半導体装置と半導体装置の製造方法
KR102227769B1 (ko) * 2014-11-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
TWI587548B (zh) * 2015-09-07 2017-06-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝件
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR102610885B1 (ko) * 2019-01-10 2023-12-07 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
JP7239840B2 (ja) 2020-08-31 2023-03-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TWI858407B (zh) * 2022-10-11 2024-10-11 強茂股份有限公司 可檢測靜電衝擊風險的封裝方法及封裝件

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06120562A (ja) 1992-10-01 1994-04-28 Nichia Chem Ind Ltd 青色発光デバイス
JPH06177429A (ja) 1992-12-08 1994-06-24 Nichia Chem Ind Ltd 青色ｌｅｄ素子
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5557115A (en) 1994-08-11 1996-09-17 Rohm Co. Ltd. Light emitting semiconductor device with sub-mount
JP3627822B2 (ja) 1994-08-18 2005-03-09 ローム株式会社 半導体発光素子、およびその製造方法
DE59713024D1 (de) 1996-06-26 2010-01-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH10163526A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Matsushita Electron Corp 発光素子及び発光ダイオード
WO1998034285A1 (fr) 1997-01-31 1998-08-06 Matsushita Electronics Corporation Element electroluminescent, dispositif electroluminescent a semiconducteur, et leur procede de production
JP2998696B2 (ja) * 1997-05-17 2000-01-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3257455B2 (ja) 1997-07-17 2002-02-18 松下電器産業株式会社 発光装置
JP3048368U (ja) 1997-10-27 1998-05-06 興 陳 発光ダイオード
JP3241338B2 (ja) * 1998-01-26 2001-12-25 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
DE29804149U1 (de) 1998-03-09 1998-06-18 Chen, Hsing, Hsinchu Leuchtdiode (LED) mit verbesserter Struktur
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置

Cited By (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3367096B2 (ja) 1999-02-02 2003-01-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP3412601B2 (ja) 2000-04-27 2003-06-03 松下電器産業株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP2002094128A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2002100813A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長変換ペースト材料と半導体発光装置、及びその製造方法
KR100951096B1 (ko) * 2000-10-13 2010-04-07 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 발광 반도체 디바이스 상에 형광 층을 형성하는 방법 및 형광 스텐실링 합성물
JP2002158376A (ja) * 2000-11-22 2002-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード照明装置
JP2002203989A (ja) * 2000-12-21 2002-07-19 Lumileds Lighting Us Llc 発光装置及びその製造方法
JP2003031858A (ja) * 2001-05-15 2003-01-31 Lumileds Lighting Us Llc 低屈折率の充填物を有する半導体ｌｅｄフリップチップ
US7629620B2 (en) 2001-09-03 2009-12-08 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7592639B2 (en) 2001-09-03 2009-09-22 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
EP2017901A1 (en) 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV
US7422504B2 (en) 2001-09-03 2008-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7772769B2 (en) 2001-09-03 2010-08-10 Panasonic Corporation Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
US7023019B2 (en) 2001-09-03 2006-04-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device
USRE47453E1 (en) 2001-09-03 2019-06-25 Panasonic Corporation Luminescent layer and light-emitting semiconductor device
JP2004047988A (ja) * 2002-06-13 2004-02-12 Lumileds Lighting Us Llc 大面積及び小面積半導体発光フリップチップ装置のための接触方式
JP2008219057A (ja) * 2002-10-30 2008-09-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh ルミネセンス変換層を備えた発光ダイオード光源を製造するための方法
US7824941B2 (en) 2002-10-30 2010-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an LED light source comprising a luminescence conversion element
JP2004193393A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 複合発光素子
JP2011061230A (ja) * 2003-02-26 2011-03-24 Cree Inc 光エミッタ及びその製造方法
US9142734B2 (en) 2003-02-26 2015-09-22 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
US7759145B2 (en) 2003-06-13 2010-07-20 Rohm Co., Ltd. Process for producing light-emitting diode element emitting white light
US8692285B2 (en) 2003-08-28 2014-04-08 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus and display element
US8324632B2 (en) 2003-08-28 2012-12-04 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US8207548B2 (en) 2003-08-28 2012-06-26 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
JP2012138588A (ja) * 2003-09-18 2012-07-19 Cree Inc 成形チップの製造方法および装置
US9105817B2 (en) 2003-09-18 2015-08-11 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
JP2005183777A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2011044741A (ja) * 2004-02-03 2011-03-03 Panasonic Corp 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、および表示素子
JP2005332857A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法および発光ダイオード
JP2005332858A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法および発光ダイオード
JP2005332859A (ja) * 2004-05-18 2005-12-02 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法および発光ダイオード
JP2006013311A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法及び発光装置
US8071990B2 (en) 2004-07-26 2011-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component that emits electromagnetic radiation and illumination module
JP2008507850A (ja) * 2004-07-26 2008-03-13 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 電磁放射を放出するオプトエレクトロニクス素子および発光モジュール
JP2006049524A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2006059851A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、それを用いた照明装置およびその製造方法
JP2008514027A (ja) * 2004-09-23 2008-05-01 クリー インコーポレイテッド 透過性シリコーン及び蛍光体を含むパターニング可能な皮膜を備える半導体発光デバイス、およびその製造方法
US8026530B2 (en) * 2004-11-11 2011-09-27 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device, lighting module and lighting apparatus
US8809892B2 (en) 2005-07-04 2014-08-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
US8058662B2 (en) 2005-07-04 2011-11-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
JP2008544568A (ja) * 2005-07-04 2008-12-04 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP2009506523A (ja) * 2005-08-26 2009-02-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンスダイオードチップの作製方法およびルミネセンスダイオードチップ
JP2007180111A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Showa Denko Kk 発光装置
JP2006245626A (ja) * 2006-06-19 2006-09-14 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオードの製造方法および構造
US9166123B2 (en) 2006-08-08 2015-10-20 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method for manufacturing the same
KR100866879B1 (ko) * 2006-12-19 2008-11-04 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP2010518646A (ja) * 2007-02-13 2010-05-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー レンズを有するｌｅｄデバイス及びその作製方法
KR101346341B1 (ko) * 2007-05-08 2013-12-31 서울반도체 주식회사 서브마운트를 갖는 발광장치 및 그 제조방법
US7910387B2 (en) 2007-08-29 2011-03-22 Everlight Electronics Co., Ltd. Phosphor coating method for fabricating light emitting semiconductor device and applications thereof
US8299491B2 (en) 2007-08-29 2012-10-30 Everlight Electronics Co., Ltd. Phosphor coating method for fabricating light emitting semiconductor device and applications thereof
US8173455B2 (en) 2007-08-29 2012-05-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Phosphor coating method for fabricating light emitting semiconductor device and applications thereof
US8258535B2 (en) 2007-08-29 2012-09-04 Everlight Electronics Co., Ltd. Phosphor coating method for fabricating light emitting semiconductor device and applications thereof
JP2012044034A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
JP2017085160A (ja) * 2011-03-25 2017-05-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． Ｌｅｄ上のパターニングされた感ｕｖ性シリコーン−蛍光体層
JP2014509089A (ja) * 2011-03-25 2014-04-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Ｌｅｄ上のパターニングされた感ｕｖ性シリコーン−蛍光体層
JP2013157419A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Oki Data Corp 発光デバイス及びその製造方法
WO2013121800A1 (en) * 2012-02-16 2013-08-22 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode and lighting device including the same
US9024518B2 (en) 2012-02-16 2015-05-05 Citizen Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode and lighting device including the same
JP2015510680A (ja) * 2012-02-16 2015-04-09 シチズン電子株式会社 発光ダイオードおよび発光ダイオードを有する照明装置
CN103887411A (zh) * 2012-12-22 2014-06-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 荧光粉设置方法及发光二极管制造方法
CN106030830A (zh) * 2014-02-21 2016-10-12 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子的半导体器件的方法和光电子的半导体器件
JP2017506831A (ja) * 2014-02-21 2017-03-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体部品
US10008639B2 (en) 2014-02-21 2018-06-26 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component
JP2015195349A (ja) * 2014-03-28 2015-11-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017183362A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 シャープ株式会社 発光装置および画像表示装置
US10381529B2 (en) 2016-03-28 2019-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device and display device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1020935B1 (en) 2016-01-06
US20020028527A1 (en) 2002-03-07
EP1020935A3 (en) 2001-08-08
KR20000053441A (ko) 2000-08-25
EP1020935A2 (en) 2000-07-19
US6468821B2 (en) 2002-10-22
KR100853064B1 (ko) 2008-08-19
US6696704B1 (en) 2004-02-24
KR20060128762A (ko) 2006-12-14
KR100686416B1 (ko) 2007-02-23
TW497275B (en) 2002-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000208822A (ja) 半導体発光装置
JP3725413B2 (ja) 半導体発光装置
US10825962B2 (en) Thin film light emitting diode
JP3486345B2 (ja) 半導体発光装置
US7414271B2 (en) Thin film led
CN100411198C (zh) 发光装置
JP7742305B2 (ja) 発光装置パッケージデバイス及びディスプレイ装置
CN100440555C (zh) 发光装置及其制造方法
US8679872B2 (en) Light emitting device package and manufacturing method thereof
KR20010072893A (ko) 발광다이오드
JP4045710B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2001298216A (ja) 表面実装型の半導体発光装置
JP2001177157A (ja) 半導体発光装置
JP2007035802A (ja) 発光装置
JP3400958B2 (ja) 多色発光ダイオード
JP2005311395A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2002241586A (ja) 波長変換ペースト材料、複合発光素子、半導体発光装置及びそれらの製造方法
KR20090034412A (ko) 발광 칩 및 이의 제조 방법
JP2001358370A (ja) 波長変換ペースト材料と半導体発光装置及びその製造方法
CN1941439B (zh) 发光装置及其制造方法
JP2007324630A (ja) 半導体発光装置
JP5484544B2 (ja) 発光装置
JP2006059851A (ja) 半導体発光装置、それを用いた照明装置およびその製造方法
JP3412601B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2007335462A (ja) 半導体複合素子およびその製造方法