JP5349260B2 - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体発光装置及びその製造方法に関する。
従来より、青色発光素子と蛍光体層とを組み合わせて白色を得る波長変換型発光ダイオードが知られている。例えば特許文献１には、多数個のＬＥＤが形成されたウェーハの上面に蛍光体層を形成後、個別チップサイズに切断する方式で製造されるので、蛍光体層は発光ダイオードの上面に限り形成されるとの開示がある。この場合、ＬＥＤの側面から放出される光は蛍光体層を通過せず、側面から青みの強い光が放出されてしまい、所望の白色の生成が困難になる。
特開２００５−１１６９９８号公報
本発明は、色度特性の優れた半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
本発明の一態様によれば、第１の主面と、前記第１の主面の反対側に形成された第２の主面と、側面とを有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられ、発光層を含む第２の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられたｎ側電極と、前記第２の半導体層における前記第１の半導体層の反対側の面に設けられたｐ側電極と、前記第１の半導体層の前記第２の主面側に形成された第１の面と、前記第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する絶縁層と、前記絶縁層の前記第２の面側に設けられ、前記ｎ側電極と接続されたｎ側配線と、前記絶縁層の前記第２の面側に設けられ、前記ｐ側電極と接続されたｐ側配線と、前記ｎ側配線における前記ｎ側電極に接続する側の反対側の面に設けられたｎ側金属ピラーと、前記ｐ側配線における前記ｐ側電極に接続する側の反対側の面に設けられたｐ側金属ピラーと、前記ｎ側金属ピラーと前記ｐ側金属ピラーとの間に設けられた樹脂と、前記ｎ側金属ピラーと前記ｐ側金属ピラーとの間には設けられず、前記ｎ側金属ピラー及び前記ｐ側金属ピラーよりも上の前記絶縁層の前記第１の面上で前記第１の半導体層の前記側面に隣接する部分と、前記第１の半導体層の前記第１の主面の上と、に設けられた蛍光体層と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、第１の主面と前記第１の主面の反対側に形成された第２の主面とを有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に積層された発光層を含む第２の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に形成されたｎ側電極と、前記第２の半導体層における前記第１の半導体層の反対側の面に形成されたｐ側電極と、を含む積層体を形成する工程と、前記第１の半導体層の前記第２の主面側に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の表面に前記ｎ側電極と接続されたｎ側配線を形成する工程と、前記絶縁層の表面に前記ｐ側電極と接続されたｐ側配線を形成する工程と、前記ｎ側配線における前記ｎ側電極に接続する側の反対側の面にｎ側金属ピラーを形成する工程と、前記ｐ側配線における前記ｐ側電極に接続する側の反対側の面にｐ側金属ピラーを形成する工程と、前記ｎ側金属ピラーと前記ｐ側金属ピラーとの間に樹脂を形成する工程と、前記絶縁層上で前記第１の半導体層を分断する溝を形成する工程と、前記ｎ側金属ピラーと前記ｐ側金属ピラーとの間には形成せずに、前記第１の主面上、および前記溝内の前記第１の半導体層の側面に蛍光体層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、色度特性の優れた半導体発光装置及びその製造方法が提供される。
（ａ）は本発明の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図であり、（ｂ）は同半導体発光装置における主要要素の平面レイアウトを示す模式図。 同半導体発光装置の製造方法を示す模式断面図。 図２に続く工程を示す模式断面図。 図３に続く工程を示す模式断面図。 図４に続く工程を示す模式断面図。 本発明の他の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図。 本発明のさらに他の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図。 ウェーハ状態の本発明の実施形態に係る半導体発光装置の要部模式図。
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図を示す。
本実施形態に係る半導体発光装置は、半導体構造部と、配線層を含むパッケージ構造部と、蛍光体層とを有し、これらはウェーハ状態で一括して形成される。半導体構造部は、第１の半導体層１２と第２の半導体層１３を有する。第２の半導体層１３は、発光層（または活性層）をｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とで挟んだ構造を有する。第１の半導体層１２は、例えばｎ型であり、電流の横方向経路として機能する。但し、第１の半導体層１２の導電型はｎ型に限らず、ｐ型であってもよい。
第１の半導体層１２の第１の主面は光取り出し面１０として機能し、その光取り出し面１０から主として光が外部へと取り出される。第２の半導体層１３は、光取り出し面１０の反対側の第２の主面に設けられている。第１の半導体層１２の第２の主面側の一部は凸形状に加工され、その凸部の表面に第２の半導体層１３が設けられている。第２の半導体層１３の平面サイズは、第１の半導体層１２の平面サイズよりも小さい。
第１の半導体層１２の第２の主面における第２の半導体層１３が設けられていない部分には、ｎ側電極１５が設けられている。第２の半導体層１３における第１の半導体層１２と接する面の反対面にはｐ側電極１６が設けられている。
第２の主面及び第２の半導体層１３において、ｎ側電極１５とｐ側電極１６が設けられた部分以外の部分は、絶縁膜１４で覆われている。さらに、絶縁膜１４、ｎ側電極１５およびｐ側電極１６を覆うように、第１の半導体層１２の第２の主面側に絶縁層１７が設けられている。例えば、絶縁膜１４はシリコン酸化物であり、絶縁層１７はシリコン酸化物あるいはポリイミド等の樹脂である。ｎ側電極１５とｐ側電極１６とは、絶縁膜１４及び絶縁層１７によって絶縁され、互いに電気的に独立した電極となっている。
絶縁層１７は、第１の半導体層１２の第２の主面、ｎ側電極１５及びｐ側電極１６側に位置する第１の面１７ａと、その第１の面１７ａの反対側に位置する第２の面１７ｂとを有する。第２の面１７ｂは平坦化され、その第２の面１７ｂにｎ側配線１８とｐ側配線１９が設けられている。ｎ側配線１８は、ｎ側電極１５に達して絶縁層１７に形成された開口内にも設けられ、ｎ側電極１５と電気的に接続されている。ｐ側配線１９は、ｐ側電極１６に達して絶縁層１７に形成された開口内にも設けられ、ｐ側電極１６と電気的に接続されている。例えば、ｎ側配線１８とｐ側配線１９は、開口の内壁面及び絶縁層１７の第２の面１７ｂに形成されたシード金属を電流経路として利用した電解めっき法によって形成される。
ｎ側電極１５、ｐ側電極１６、ｎ側配線１８、ｐ側配線１９、絶縁膜１４および絶縁層１７は、いずれも半導体構造部における光取り出し面１０の反対側に設けられ、配線層を構成する。
ｎ側配線１８の下にはｎ側金属ピラー２１が設けられている。ｐ側配線１９の下にはｐ側金属ピラー２２が設けられている。絶縁層１７の第２の面１７ｂ、ｎ側金属ピラー２１の周囲、ｐ側金属ピラー２２の周囲、ｎ側配線１８およびｐ側配線１９は、樹脂２３で覆われている。
第１の半導体層１２は、ｎ側電極１５及びｎ側配線１８を介してｎ側金属ピラー２１と電気的に接続されている。第２の半導体層１３は、ｐ側電極１６及びｐ側配線１９を介してｐ側金属ピラー２２と電気的に接続されている。ｎ側金属ピラー２１及びｐ側金属ピラー２２における樹脂２３から露出する下端面（ｎ側配線１８、ｐ側配線１９との接合部の反対側の端面）には、例えばはんだボール、金属バンプなどの外部端子２４が設けられ、その外部端子２４を介して、本実施形態に係る半導体発光装置は外部回路と電気的に接続可能である。
本実施形態の構造によれば、半導体構造部（第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３の積層体）が薄くても、ｎ側金属ピラー２１、ｐ側金属ピラー２２および樹脂２３を厚くすることで機械的強度を保つことが可能となる。また、回路基板等に実装した場合に、外部端子２４を介して半導体層に加わる応力をｎ側金属ピラー２１とｐ側金属ピラー２２が吸収することで緩和することができる。ｎ側金属ピラー２１及びｐ側金属ピラー２２を支える役目をする樹脂２３は、回路基板等と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂２３として、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などを一例として挙げることができる。
また、ｎ側配線１８、ｐ側配線１９、ｎ側金属ピラー２１、ｐ側金属ピラー２２の材料としては、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性及び絶縁膜との優れた密着性を備えた銅がより好ましい。
第１の半導体層１２、第２の半導体層１３、絶縁層１７、樹脂２３などは、ウェーハ状態で一括して形成される。そのウェーハ状態で、第１の半導体層１２には、後述するように、第１の半導体層１２を貫通して絶縁層１７の第１の面１７ａに達する溝が形成される。そして、図１（ａ）に示す半導体発光装置は、溝の位置でダイシングされて個片化されたものを示す。ウェーハ状態から、溝の位置でダイシングされて個片化されることで、絶縁層１７の第１の面１７ａと、第１の半導体層１２の第１の主面である光取り出し面１０との間に段部３１が形成される。
発光層は第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０付近に設けられ、前述した金属ピラー、配線、電極を介して、第１の半導体層１２と第２の半導体層１３に電流が供給されることで発光層が発光する。発光層から発光された光は、主として第１の半導体層１２中を進み、光取り出し面１０と、第１の半導体層１２の側面１２ａから、外部に放出される。側面１２ａは、第１の半導体層１２に溝が形成されることで得られる。
光取り出し面１０及び側面１２ａに対向する部分には蛍光体層４０が設けられている。蛍光体層４０は光取り出し面１０及び側面１２ａを覆っている。光取り出し面１０を覆う蛍光体層４０と、側面１２ａを覆う蛍光体層４０とは連続して一体に設けられ、蛍光体層４０は、絶縁層１７の第１の面１７ａと光取り出し面１０との段部３１を連続して被覆している。蛍光体層４０は、略均一な膜厚で光取り出し面１０及び側面１２ａを覆っている。
蛍光体層４０は、発光層からの光を吸収し波長変換光を放出可能である。このため発光層からの光と蛍光体層４０における波長変換光との混合光が放出可能となる。例えば発光層を窒化物系とすると、その発光層からの青色光と、例えば黄色蛍光体層４０における波長変換光である黄色光との混合色として白色または電球色などを得ることができる。
図１（ｂ）は、第１の半導体層１２、第２の半導体層１３、絶縁層１７の平面レイアウトを示す。
第１の半導体層１２は第２の半導体層１３よりも平面サイズが大きく、第２の半導体層１３の端部よりも外側に第１の半導体層１２の側面１２ａが位置する。絶縁層１７は第１の半導体層１２よりも平面サイズが大きく、絶縁層１７の第１の面１７ａの一部は側面１２ａより外側に位置する。その絶縁層１７の第１の面１７ａの一部及びその上に設けられて側面１２ａに隣接する蛍光体層４０は、第１の半導体層１２の側面１２ａの周囲を連続して枠状に囲んでいる。
本実施形態に係る半導体発光装置によれば、第１の半導体層１２において光取り出し面１０だけでなく側面１２ａも蛍光体層４０で覆われているため、側面１２ａから放出される光も蛍光体層４０を通過することができる。光取り出し面１０を覆う蛍光体層４０と、側面１２ａを覆う蛍光体層４０とは略同じ膜厚のため、光取り出し面１０から放出された光が蛍光体層４０を通過する距離と、側面１２ａから放出された光が蛍光体層４０を通過する距離とは略等しい。この結果、色度のばらつきを抑えて、所望の色度の光を外部に取り出すことができる。
第１の半導体層１２と第２の半導体層１３との界面５０の端部５０ａは、側面１２ａより内側に位置する。その界面５０の端部５０ａと、側面１２ａとの距離は、平面視における四方ともに、あるいは周方向にわたって略均一である。これにより、どの側面１２ａからも略均一な輝度及び色度の光を取り出すことができる。
また、絶縁層１７及び樹脂２３は、第１の半導体層１２よりも平面サイズが大きく、それら絶縁層１７及び樹脂２３の端部は第１の半導体層１２の側面１２ａよりも外側に突出している。第１の半導体層１２は、絶縁層１７の第１の面１７ａ上にメサ形状もしくは台形状に設けられている。そして、段部３１で側面１２ａを覆う蛍光体層４０は、外部端子２４よりも上の絶縁層１７の第１の面１７ａ上に位置し、絶縁層１７及び樹脂２３の側面は覆っていない。さらには、蛍光体層４０は外部端子２４も覆っていない。すなわち、光の放出に寄与しない部分に蛍光体層４０が無駄に形成されず、コスト低減が図れる。例えば、比較例としてフリップチップ実装後に、チップを蛍光体層で覆う場合には、半導体層の部分のみを覆うように蛍光体層を形成するのは難しく、チップの下の配線層、パッケージ構造、外部端子なども蛍光体層で覆われ無駄である。
次に、図２〜５を参照して、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、基板１１の主面上に第１の半導体層１２を、その上に第２の半導体層１３を形成する。第１の半導体層１２における基板１１の主面に接する面が光取り出し面１０となる。例えば、発光層が窒化物系半導体の場合、第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３はサファイア基板上に結晶成長させることができる。
次に、図示しないマスクを用いて、第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３を加工する。図２（ｂ）に示すように、第１の半導体層１２の一部が凸形状に加工され、その凸部の表面に、第２の半導体層１３が選択的に残される。
次に、図２（ｃ）に示すように、第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３の全面を覆う絶縁膜１４を形成する。絶縁膜１４は、例えばシリコン酸化膜である。
次に、図３（ａ）に示すように、絶縁膜１４を選択的に開口した後、その開口から露出する第１の半導体層１２上にｎ側電極１５を形成し、同じく絶縁膜１４の開口から露出する第２の半導体層１３上にｐ側電極１６を形成する。
次に、ｎ側電極１５、ｐ側電極１６および絶縁膜１４を覆う絶縁層１７を形成した後、図３（ｂ）に示すように、ｎ側電極１５に達する開口と、ｐ側電極１６に達する開口を絶縁層１７に形成する。
次に、絶縁層１７の第２の面１７ｂ及び開口の内壁にシード金属を形成し、さらに図示しないめっきレジストを形成した後、シード金属を電流経路とした電解めっきを行う。
これにより、図３（ｃ）に示すように、絶縁層１７の開口内及びその周辺の絶縁層１７上に、ｎ側電極１５と接続されたｎ側配線１８と、ｐ側電極１６と接続されたｐ側配線１９とが形成される。
そして、ｎ側配線１８及びｐ側配線１９を形成するめっきに使っためっきレジストを除去した後、今度は金属ピラー形成用の別のめっきレジストを形成し、上記シード金属を電流経路とした電解めっきを行う。これにより、図３（ｃ）に示すように、ｎ側配線１８上にｎ側金属ピラー２１が形成され、ｐ側配線１９上にｐ側金属ピラー２２が形成される。
その後、めっきレジストを除去し、さらにシード金属の露出している部分を除去する。これにより、ｎ側配線１８とｐ側配線１９とのシード金属を介した電気的接続が分断される。
次に、図４（ａ）に示すように、ｎ側配線１８、ｐ側配線１９、ｎ側金属ピラー２１、ｐ側金属ピラー２２および絶縁層１７を、樹脂２３で覆う。その後、樹脂２３の表面を研削してｎ側金属ピラー２１及びｐ側金属ピラー２２の上面を露出させる。そして、その露出面に、はんだボール、金属バンプなどの外部端子２４を設ける。
次に、図４（ｂ）に示すように、基板１１が除去される。図４（ｂ）では、図４（ａ）と上下方向の位置関係を逆に図示している。
基板１１は、例えばレーザーリフトオフ法により第１の半導体層１２から剥離される。すなわち、基板１１における第１の半導体層１２が形成された主面の反対面である裏面側から第１の半導体層１２に向けてレーザ光が照射される。レーザ光は、基板１１に対して透過性を有し、第１の半導体層１２に対しては吸収領域となる波長を有する。
レーザ光が基板１１と第１の半導体層１２との界面に到達すると、その界面付近の第１の半導体層１２はレーザ光のエネルギーを吸収して分解する。例えば、第１の半導体層１２がＧａＮの場合、Ｇａと窒素ガスに分解する。Ｇａは第１の半導体層１２側に残る。この分解反応により、基板１１と第１の半導体層１２との間に微小な隙間が形成され、基板１１と第１の半導体層１２とが分離する。レーザ光の照射を、設定された領域ごとに複数回に分けてウェーハ全体にわたって行い、基板１１を剥離する。
基板１１の剥離後、図５（ａ）に示すように、第１の半導体層１２に溝３０を形成する。溝３０は、第１の半導体層１２及び絶縁膜１４を貫通し、絶縁層１７の第１の面１７ａに達する。溝３０は、例えば、マスクを使ったＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法で形成することができる。この場合、溝３０の断面は逆円錐台形状になる傾向があり、よって、溝３０内に露出する側面１２ａは傾斜面となる。図８（ａ）に示すように、ウェーハ上で溝３０は例えば格子状に形成される。
レーザ加工、ダイヤモンドブレードなどで溝３０を形成してもよい。そして、溝３０の形成方法、条件によっては、溝３０の内壁面である側面１２ａが傾斜面ではなく、光取り出し面１０に対して略垂直な面になる場合もある。
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の半導体層１２上および溝３０の内壁に、蛍光体層４０を形成する。蛍光体層４０は、光取り出し面１０及び側面１２ａを連続して一体に覆う。
例えば、蛍光体粒子が混合された液状の樹脂をスピンコート法で塗布した後、熱硬化させることで、蛍光体層４０が形成される。この方法の場合、光取り出し面１０を覆う部分と、側面１２ａを覆う部分との蛍光体層４０の膜厚を略均一に制御する制御性に優れる。
光取り出し面１０上から基板１１を除去した後に蛍光体層４０を形成することで、光取り出し面１０と蛍光体層４０との間に基板１１が存在せず、光取り出し効率の向上を図れる。
その後、溝３０の位置でダイシングし、図１（ａ）に示すように、個片化された半導体発光装置が得られる。ダイシングの手段としては、例えばダイヤモンドブレード等を用いた機械切削、レーザ照射、高圧水などの手段を用いることが可能である。また、ダイシング位置である溝３０には、基板１１及び半導体層１２、１３がないので容易にダイシングでき生産性を向上できる。
ダイシングされるまでの前述した各工程は、ウェーハ状態で一括して行われるため、低コストでの生産が可能となる。また、ウェーハレベルで、配線層、樹脂２３、金属ピラー２１、２２などのパッケージ構造が形成されるため、半導体発光装置全体の平面サイズをベアチップ（第１の半導体層１２及び第２の半導体層１３）の平面サイズに近くした小型化が容易になる。
なお、ダンシングする位置は、溝３０の位置に限らない。図６（ａ）は、溝３０よりも外側の位置でダイシングされて個片化された他の実施形態に係る半導体発光装置を示す。図６（ｂ）は、その主要要素の平面レイアウトを示す。また、ダイシングされる前のウェーハ状態での主要要素の平面レイアウトを図８（ｂ）に示す。
第１の半導体層１２は、溝３０によって、発光部と非発光部１２ｂとに分断される。発光部は、第２の半導体層１３との積層構造（凸部）、および電極１５、１６が形成された部分を含む。非発光部１２ｂは、発光層を含まず、また電極１５、１６と接続されず、発光しない。
溝３０は、第１の半導体層１２の発光部の側面１２ａの周囲を連続して囲み、非発光部１２ｂは溝３０を囲む。そして、本実施形態においても、ウェーハ状態で光取り出し面１０上および溝３０内に蛍光体層４０を形成し、その後、第１の半導体層１２の非発光部１２ｂの位置でダイシングする。図８（ｂ）において、ダイシングラインＤＬを破線で示す。
本実施形態によれば、ダイシング時に、第１の半導体層１２の発光部の側面１２ａ及びその側面１２ａを覆う蛍光体層４０にダメージがおよぶのを確実に防ぐことができる。
なお、溝３０の位置でダイシングした場合には、発光に寄与しない無効エリアの低減が図れ、また個片化されたデバイスの平面サイズの縮小が図れる。
また、基板１１をすべて除去しないで、図７に示すように、薄く研削した上で光取り出し面１０上に残してもよい。基板１１を薄層化して残すことにより、基板１１をすべて除去する構造よりも機械的強度を高めることができ、信頼性の高い構造とすることができる。また、基板１１が残っていることで、個片化した後の反りを抑制でき、回路基板等への実装が容易になる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。基板、半導体層、電極、配線層、金属ピラー、絶縁膜、絶縁層、樹脂の材料、サイズ、形状、レイアウトなどに関して当業者が各種設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
１０…光取り出し面、１１…基板、１２…第１の半導体層、１２ａ…第１の半導体層の側面、１３…第２の半導体層、１４…絶縁膜、１５…ｎ側電極、１６…ｐ側電極、１７…絶縁層、１８…ｎ側配線、１９…ｐ側配線、２１，２２…金属ピラー、２３…樹脂、３０…溝、３１…段部、４０…蛍光体層

Claims (7)

  1. 第１の主面と、前記第１の主面の反対側に形成された第２の主面と、側面とを有する第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられ、発光層を含む第２の半導体層と、
    前記第１の半導体層の前記第２の主面に設けられたｎ側電極と、
    前記第２の半導体層における前記第１の半導体層の反対側の面に設けられたｐ側電極と、
    前記第１の半導体層の前記第２の主面側に形成された第１の面と、前記第１の面の反対側に形成された第２の面とを有する絶縁層と、
    前記絶縁層の前記第２の面側に設けられ、前記ｎ側電極と接続されたｎ側配線と、
    前記絶縁層の前記第２の面側に設けられ、前記ｐ側電極と接続されたｐ側配線と、
    前記ｎ側配線における前記ｎ側電極に接続する側の反対側の面に設けられたｎ側金属ピラーと、
    前記ｐ側配線における前記ｐ側電極に接続する側の反対側の面に設けられたｐ側金属ピラーと、
    前記ｎ側金属ピラーと前記ｐ側金属ピラーとの間に設けられた樹脂と、
    前記ｎ側金属ピラーと前記ｐ側金属ピラーとの間には設けられず、前記ｎ側金属ピラー及び前記ｐ側金属ピラーよりも上の前記絶縁層の前記第１の面上で前記第１の半導体層の前記側面に隣接する部分と、前記第１の半導体層の前記第１の主面の上と、に設けられた蛍光体層と、
    を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記蛍光体層は、前記絶縁層の前記第１の面上で前記第１の半導体層を分断する溝内に設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 前記蛍光体層は、前記絶縁層の前記第１の面と、前記第１の半導体層の前記第１の主面との段部を被覆していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
  4. 前記第１の半導体層は前記第１の主面側に基板を含まず、
    基板を介することなく前記第１の主面の上に前記蛍光体層が設けられたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  5. 前記ｎ側配線は、前記発光層上に延びていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  6. 前記ｎ側金属ピラー及び前記ｐ側金属ピラーは、外部接続可能な端部を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
  7. 第１の主面と前記第１の主面の反対側に形成された第２の主面とを有する第１の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に積層された発光層を含む第２の半導体層と、前記第１の半導体層の前記第２の主面に形成されたｎ側電極と、前記第２の半導体層における前記第１の半導体層の反対側の面に形成されたｐ側電極と、を含む積層体を形成する工程と、
    前記第１の半導体層の前記第２の主面側に絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層の表面に前記ｎ側電極と接続されたｎ側配線を形成する工程と、
    前記絶縁層の表面に前記ｐ側電極と接続されたｐ側配線を形成する工程と、
    前記ｎ側配線における前記ｎ側電極に接続する側の反対側の面にｎ側金属ピラーを形成する工程と、
    前記ｐ側配線における前記ｐ側電極に接続する側の反対側の面にｐ側金属ピラーを形成する工程と、
    前記ｎ側金属ピラーと前記ｐ側金属ピラーとの間に樹脂を形成する工程と、
    前記絶縁層上で前記第１の半導体層を分断する溝を形成する工程と、
    前記ｎ側金属ピラーと前記ｐ側金属ピラーとの間には形成せずに、前記第１の主面上、および前記溝内の前記第１の半導体層の側面に蛍光体層を形成する工程と、
    を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
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