JP2000208943A - 受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法 - Google Patents
受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000208943A JP2000208943A JP11006036A JP603699A JP2000208943A JP 2000208943 A JP2000208943 A JP 2000208943A JP 11006036 A JP11006036 A JP 11006036A JP 603699 A JP603699 A JP 603699A JP 2000208943 A JP2000208943 A JP 2000208943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- oxide
- wiring board
- built
- multilayer wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
に焼成することにより製造でき、且つ、前記受動部品は
所望の特性を有するような受動部品内蔵多層配線基板お
よびその製造方法を提供する。 【解決手段】 無機材料を主体とする絶縁体である基板
層1a〜1dを含む多層配線基板に、誘電体層2を含む
受動部品が内蔵されてなり、誘電体層2と基板層1b、
1cとの間に、誘電体層2と基板層1b、1cとが接触
しないように、酸化マグネシウム、酸化亜鉛および酸化
カルシウムから選ばれる少なくとも1種の酸化物を含む
中間層3を介在させた受動部品内蔵多層配線基板とし
た。
Description
ダクタ、抵抗等の受動部品を内蔵した受動部品内蔵多層
配線基板に関するものである。
て、半導体ICやその他の部品を多層配線基板上に高密
度に実装することが求められている。これに対応して、
多層配線基板自体にも様々な要求が寄せられている。多
層配線基板は、ガラスエポキシ等の有機系絶縁材料から
なる基板層を使用した有機系基板と、アルミナ等のセラ
ミックスやガラス等の無機系絶縁材料からなる基板層を
使用した無機系基板とに大きく分類される。無機系基板
の製造方法を簡単に説明すると、まず、基板層を構成す
る無機材料を含むシート状成形体を複数作製し、この成
形体を、適宜、配線層およびビアを形成した後、積層す
る。次に、この積層体を、脱バインダ処理した後、高温
で熱処理することにより焼成する。
受動部品は、誘電体、磁性体、抵抗体などで構成される
機能層と導体とを含むものであり、機能層には各種のセ
ラミックスが使用されている。受動部品は、無機系多層
配線基板と同様に、機能層を構成する各種無機材料を含
む成形体を作製し、必要に応じてこの成形体表面または
内部に導体を形成した後、焼成することにより作製する
ことができる。
の作製工程には、無機材料を含む成形体を焼成するとい
う共通の操作が内包されている。従って、基板層成形体
と配線層との積層体の内部に、受動部品を構成する機能
層成形体および導体を予め形成して一体化し、これを同
時焼成することにより、受動部品を内蔵した多層配線基
板を作製することができる。
受動部品を構成する機能層とは互いに組成が相違するた
め、基板層と機能層とを接触させた状態で焼成すると、
焼結の進行に伴って各層の成分が相互拡散するため、各
層の焼結性や電気特性が変化するという問題があり、内
蔵させる受動部品に所望の特性を付与することが困難で
あった。この問題を解消するため、基板層と機能層との
間に相互拡散を防ぐための障壁となるバリア層を介在さ
せる方法が提案されている。例えば、特開平9−929
78号公報には、バリア層として各種耐火物粉体(アル
ミナ、マグネシア、ジルコニア、チタニアまたはカルシ
ア)を使用した、コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
が開示されている。
来のコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板よりも、更に
確実に、内蔵される受動部品に所望の特性を付与し得る
ような受動部品内蔵多層配線基板が求められている。
成する各層間での相互作用を利用して内蔵される受動部
品の特性を向上させた、受動部品内蔵多層配線基板およ
びその製造方法を提供することを目的とする。
め、本発明の受動部品内蔵多層配線基板は、無機材料の
焼結体を主体とする絶縁体である少なくとも1層の基板
層を含む多層配線基板に、無機材料の焼結体を主体とす
る誘電体、磁性体または抵抗体である機能層を含む受動
部品が内蔵されてなる受動部品内蔵多層配線基板であっ
て、前記機能層と前記基板層との間に、前記機能層と前
記基板層とが接触しないように、酸化マグネシウム、酸
化亜鉛および酸化カルシウムから選ばれる少なくとも1
種の酸化物を含む中間層が介在することを特徴とする。
との間に特定の中間層が介在するため、受動部品と配線
基板とを一体化して同時焼成して製造する場合におい
て、基板層成分が機能層へ拡散することを効果的に抑制
することができる。加えて、上記成分を含む中間層は、
中間層成分の機能層への拡散が生じ難い。よって、本発
明の受動部品内蔵多層配線基板は、良好な特性を有する
受動部品内蔵多層配線基板であって、受動部品と配線基
板とを同時焼成することによって製造することが可能で
ある。
は、前記中間層が、酸化マグネシウムおよび酸化亜鉛を
含むことが好ましい。基板層成分および中間層成分の機
能層への拡散を抑制できることに加えて、中間層に高い
機械的強度を付与することができるからである。
いては、前記中間層が、酸化マグネシウム、酸化亜鉛お
よび酸化カルシウムから選ばれる少なくとも1種の酸化
物を、50〜95重量%含むことが好ましい。50重量
%未満であると、基板層成分および中間層成分の機能層
への拡散を確実に抑制することが困難な場合があり、9
5重量%を超えると、中間層に十分な機械的強度を付与
することが困難だからである。
いては、前記中間層が、前記機能層を構成する無機材料
に対する焼結助剤を含むことが好ましい。機能層の焼結
性を向上させることができ、その結果、内蔵される受動
部品を、より確実に良好な特性を有するものとすること
ができるからである。
50重量%含むことが好ましい。5重量%未満である
と、機能層の焼結性を確実に向上させることが困難とな
り、50重量%を超えると、基板層成分および中間層成
分の機能層への拡散を確実に抑制することが困難な場合
があるからである。
いては、前記中間層における前記焼結助剤の濃度が、前
記基板層側よりも前記機能層側で高いことが好ましい。
機能層の焼結性をより効果的に向上させることができる
からである。
系ペロブスカイト化合物を主体とする層である場合、酸
化鉛、酸化銅、酸化バナジウムおよび酸化ビスマスより
選ばれる少なくとも1種の酸化物が使用できる。
化合物を主体とする層である場合、前記中間層が、酸化
マグネシウムおよび酸化亜鉛から選ばれる少なくとも1
種の酸化物を50〜95重量%と、酸化鉛および酸化銅
から選ばれる少なくとも1種の酸化物を5〜50重量%
とを含み、且つ、前記中間層における酸化鉛の含有率は
40重量%以下、酸化銅の含有率は30重量%以下であ
ることが好ましい。この好ましい例によれば、内蔵され
る受動部品を、誘電率が高く、且つ、誘電損失が小さい
という、優れた特性を有するコンデンサとすることがで
きる。
ェライトまたはNiZnCu系スピネルフェライトを主
体とする層である場合、前記焼結助剤としては、酸化
銅、酸化バナジウムおよび酸化銀より選ばれる少なくと
も1種の酸化物が使用できる。
いては、前記中間層が、酸化珪素、酸化アルミニウムお
よび酸化硼素から選ばれる少なくとも1種の酸化物を含
むことが好ましい。中間層の接着強度および機械的強度
を向上させて、受動部品内蔵多層配線基板の強度を向上
させることができるからである。また、前記中間層は、
酸化珪素、酸化アルミニウムおよび酸化硼素から選ばれ
る少なくとも1種の酸化物を、1〜50重量%含むこと
が好ましい。
は、前記中間層の層厚が、5〜30μmであることが好
ましい。5μm未満であると、基板層成分が機能層へ拡
散することを確実に抑制することが困難であり、30μ
mを超えると、受動部品内蔵多層配線基板の強度が低下
するおそれがあるからである。
品内蔵多層配線基板の製造方法は、無機材料の焼結体を
主体とする絶縁体である少なくとも1層の基板層を含む
多層配線基板に、無機材料の焼結体を主体とする誘電
体、磁性体または抵抗体である機能層を含む受動部品が
内蔵された受動部品内蔵多層配線基板の製造方法であっ
て、前記基板層の未焼結体および前記機能層の未焼結体
を含む積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する
工程とを含み、前記積層体を形成する工程において、前
記基板層の未焼結体と前記機能層の未焼結体との間に、
前記機能層の未焼結体と前記基板層の未焼結体とが接触
しないように、酸化マグネシウム、酸化亜鉛および酸化
カルシウムから選ばれる少なくとも1種の酸化物を含む
中間層を介在させることを特徴とする。
との間に特定の中間層を介在させた状態で焼成するた
め、焼成時に基板層成分が機能層へ拡散することを効果
的に抑制できる。また、上記成分を含む中間層は、中間
層成分の機能層への拡散が生じ難い。よって、内蔵され
る受動部品を良好な特性を有するものとすることができ
る。
成する工程の前に、前記積層体の少なくとも片面に、前
記積層体を焼成する工程を実施したときの収縮率が5%
以下である最外層を積層する工程を実施し、前記積層体
を焼成する工程の後に、前記最外層の少なくとも一部を
除去する工程を実施することが好ましい。ここで、「収
縮率」とは、焼成前の最外層の寸法をL1、焼成後の最外
層の寸法をL2としたとき、下記式により算出できる値
である。なお、各寸法は、最外層の面方向に測定した寸
法である。
向(積層体を構成する層の面方向)に生じる収縮を抑制
し、受動部品内蔵多層配線基板に反り、歪み、クラック
などの欠陥が生じることを抑制できる。
板について、コンデンサを内蔵した多層配線基板を例に
挙げて説明する。図1は、本実施形態に係るコンデンサ
内蔵多層配線基板の構造を示す断面図である。
基板には、誘電体層2と、誘電体層2を介して対向する
電極層4a、4bとによって構成されるコンデンサが内
蔵されている。なお、コンデンサは、誘電体層と電極層
とが交互に数層積層した積層コンデンサであってもよ
い。
する層である。誘電体層を構成する無機材料は、特に限
定するものではなく、従来からコンデンサ用誘電体とし
て知られているものを使用することができ、焼結温度、
誘電率、誘電正接、温度特性などに応じて適宜選択する
ことができる。例えば、Pbを含む複合ぺロブスカイト
化合物系材料、チタン酸バリウム系材料などが挙げられ
る。特に、大きな誘電率を有し、焼結温度が比較的低温
であることから、Pbを含む複合ぺロブスカイト化合物
系材料を使用することが好ましい。Pb系複合ぺロブス
カイト化合物としては、Pb(B1B2)O3(但し、B1
はCo、Mg、MnまたはNiであり、B2はNb、T
aまたはWである。)で表される化合物およびこれらの
化合物を組み合わせたものを例示することができ、例え
ば、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−Pb(Ni1/2W1/2)
O3−PbTiO3などが挙げられる。また、誘電体層2
の層厚は、特に限定するものではないが、通常、5〜5
0μm程度である。
ものではないが、例えば、銅、銀、金、パラジウム、白
金、ニッケル及びこれらの合金を使用することができ
る。特に、低抵抗であることから、銅、銀およびこれら
の合金が好ましい。
持するように、少なくとも1層の基板層1a〜1dが積
層されている。また、基板層には、その層間または表面
に配線層5a〜5dが形成されており、この配線層間ま
たは配線層と電極層との間を電気的に接続するためのビ
ア6a、6b、6e、6fが形成されている。なお、各
層の層数は特に限定されるものではない。
主体とする層である。基板層を構成する無機材料は特に
限定されるものではなく、例えば、アルミナに代表され
るセラミックス材料や、ガラス−セラミックス複合材料
など、従来から多層配線基板の基板層として使用されて
いる材料を使用することができる。特に、焼結温度が比
較的低く、銅や銀などの低融点の金属を導体として使用
できることから、ガラス−セラミックス複合材料を使用
することが好ましい。ガラス−セラミックス複合材料を
構成するガラス成分としては、酸化鉛、酸化亜鉛、アル
カリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物などを含有す
るほう珪酸塩ガラスおよびほう珪酸ガラスなどの結晶質
ガラス、並びに、アルミノ珪酸塩ガラスなどの非晶質ガ
ラスが挙げられる。また、セラミックス成分としては、
アルミナ、シリカ、ムライト、フォルステライトなどが
挙げられる。なお、ガラス−セラミックス複合材料にお
ける各成分の組成比は、複合材料の焼結温度、比誘電率
および機械的強度などを考慮して適宜調整することがで
きる。また、基板層1a〜1dの層厚は、特に限定する
ものではないが、通常、30〜300μm程度である。
属を使用することができる。また、ビア6a、6b、6
e、6fに充填される導電性材料としては、電極層と同
様の金属を使用することができる。
には、誘電体層2と、基板層1bおよび1cとの間に、
誘電体層2と基板層1b、1cとが接触しないように、
中間層3a、3bが形成されている。また、中間層3
a、3bには、配線層と電極層との間を電気的に接続す
るためのビア6c、6dが形成されている。なお、ビア
6c、6dには、ビア6a、6b、6e、6fに充填さ
れる導電性材料と同様の金属を使用することができる。
酸化マグネシウム、酸化亜鉛および酸化カルシウムから
選ばれる少なくとも1種の酸化物を含むものである。上
記酸化物は、中間層の50〜95重量%、更には60〜
90重量%を占めることが好ましい。
に説明するような副成分を含むことが好ましい。副成分
の添加は、中間層の主成分として酸化マグネシウムまた
は酸化カルシウムを使用する場合、特に有効である。中
間層を酸化マグネシウムまたは酸化カルシウムのみで構
成すると、中間層の機械的強度が低くなるおそれがある
からである。尤も、中間層の主成分となる無機成分の種
類を問わず、中間層に下記副成分を添加することは、良
好な特性を有する受動部品内蔵多層配線基板とするうえ
で有効である。
材料の焼結助剤として機能する成分である。このような
成分は、その一部が焼成時に中間層から誘電体層へ拡散
して、誘電体層の焼結性を向上させることができる。こ
のような成分としては、誘電体層の組成に応じて、従来
から焼結助剤として慣用されている成分を使用すること
ができる。例えば、誘電体層がPb系複合ペロブスカイ
ト化合物で構成される場合、酸化鉛、酸化銅、酸化バナ
ジウムおよび酸化ビスマスなどを例示することができ
る。また、焼結助剤として機能する成分の添加量は、中
間層の5〜50重量%、更には10〜40重量%とする
ことが好ましい。更に、この成分は、中間層の基板層側
よりも誘電体層側において高濃度となるように添加され
ていることが好ましい。
機械的強度を向上させる成分である。このような成分と
しては、酸化ケイ素、酸化アルミニウムおよび酸化ホウ
素などが挙げられる。また、この成分の添加量は、中間
層の1〜50重量%、更には5〜30重量%とすること
が好ましい。
には10〜30μmとすることが好ましい。
基板層の全面に積層された構造を例示しているが、本発
明の受動部品内蔵多層配線基板の構造は、誘電体層と基
板層とが接触しないように両層の間に中間層が介在した
構造であれば、これに限定されるものではない。例え
ば、図2に示すように、誘電体層が基板層面の一部に積
層されており、中間層が誘電体層の周囲を囲い込むよう
に基板層面の一部に形成された構造とすることができ
る。
基板を、内蔵される受動部品がコンデンサである場合を
例示に説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。例えば、内蔵させる受動部品を、コンデンサに代
えて、インダクタまたは抵抗体とすることができる。
は、機能層が磁性体であり、電極の位置および形状が異
なること以外は、上記コンデンサ内蔵多層配線基板と類
似した構造を有するものである。磁性体層としては、特
に限定するものではなく、従来からインダクタ用磁性体
として知られているものを、焼結温度、透磁率、磁気損
失、温度特性などに応じて適宜選択することができる。
例えば、NiZnCu系、NiZn系、MnZn系、M
gZn系等のスピネルフェライトやガーネットフェライ
トなどを例示することができる。特に、電気抵抗率が大
きく、焼結温度が比較的低温であることから、NiZn
Cu系スピネルフェライトが有用である。また、電極
は、上記コンデンサ内蔵多層配線基板の電極層と同様の
材料を使用することができ、その形状は、線状、スパイ
ラル状、ミアンダ状など用途に応じて選択することがで
きる。
蔵多層配線基板によれば、受動部品と配線基板とを一体
同時焼成して製造する場合において、基板層成分が機能
層(誘電体層、磁性体層または抵抗体層)へ拡散するこ
とを抑制でき、且つ、中間層成分の機能層への拡散も生
じ難い。よって、良好な特性の受動部品内蔵多層配線基
板とすることができる。
層配線基板の製造方法の一例を説明する。本発明に係る
コンデンサ内蔵多層配線基板は、基板層前駆体、誘電体
層前駆体および中間層前駆体を、配線層および電極層
(またはそれらの前駆体)とともに、所定の層構造とな
るように積層した後、この積層体を焼成することにより
作製することができる。なお、前駆体とは、各層を構成
する無機材料の未焼結体を意味する。
ート、誘電体層用グリーンシートおよび中間層用グリー
ンシートを作製する。まず、各層を構成する無機材料の
原料粉体と、有機バインダとを十分に混合してスラリー
を調製する。
コンデンサ内蔵多層配線基板について前述した通りであ
り、その原料粉体としては、例えば、基板層用無機粉体
としては、セラミックス粉体や、ガラス粉体とセラミッ
クス原料粉体との混合物を使用することができる。ま
た、誘電体層用無機粉体としては、Pb系複合ペロブス
カイト化合物の原料粉体、チタン酸バリウムの原料粉体
などを使用することができる。また、中間層用無機粉体
としては、酸化マグネシウム、酸化亜鉛および酸化カル
シウムから選ばれる少なくとも1種の金属酸化物を含む
無機粉体を使用することができる。また、更に、誘電体
層用無機粉体の焼結助剤となる成分(例えば、誘電体層
用無機粉体がPb系複合ペロブスカイト化合物の原料粉
体である場合は、酸化鉛、酸化銅、酸化バナジウム、酸
化ビスマス)、中間層の強度を向上させる成分(例え
ば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素)を含
有することが好ましい。
系樹脂、アクリル系樹脂などを使用することができる。
また、混練には、例えば、3本ロールミル、ボールミル
などの慣用の混練機を使用することができる。
布してシート状に成形した後、乾燥することによりグリ
ーンシートが得られる。スラリーのベースフィルムへの
塗布方法としては、例えば、ドクターブレード法、カレ
ンダ法、ロールコーター法などが採用できる。また、ベ
ースフィルムとしては、例えば、ポリエチレン系樹脂、
ポリエステル系樹脂、紙などが使用できる。
ビア用導体ペーストを作製する。各導体ペーストは、金
属または金属前駆体の粉体、有機バインダおよび溶剤を
十分に混合・混練することにより作製できる。金属とし
ては、特に限定するものではなく、例えば、銅、銀、
金、パラジウム、白金、ニッケルまたはそれらの合金な
ど、多層配線基板の製造条件や使用条件に応じて適宜選
択することができる。また、金属前駆体としては、前記
金属の酸化物を使用することができるが、この場合、後
工程としてメタライズ処理が必要となる。また、有機バ
インダとしては、例えば、エチルセルロース系樹脂、ポ
リビニルブチラール樹脂、ポリアクリル系樹脂などが使
用でき、溶剤としては、テルピネオールなどのアルコー
ル類やケトン類などが使用できる。また、適宜、可塑剤
や界面活性剤を添加してもよい。
造となるように積層してグリーンシート積層体を作製す
るが、各グリーンシートには、積層前または積層後に、
適宜、配線層、電極層およびビアを形成する。電極層、
配線層およびビアの形成は、上記グリーンシート積層体
において、誘電体層用グリーンシート両面に電極層が、
基板層用グリーンシート表面または層間に配線層が各々
形成され、電極層と配線層との間および配線層同士の間
がビアによって電気的に接続されるように実施される。
配線層および電極層の形成は、配線用および電極用導体
ペーストを用いた印刷により実施することができる。ま
た、ビアの形成は、基板層用グリーンシートまたは中間
層用グリーンシートの所定の箇所に、パンチング、ドリ
ル、レーザーなどによってビア孔を形成し、このビア孔
にビア用導体ペーストを充填することにより実施でき
る。
発明に係るコンデンサ内蔵多層配線基板の構造に対応す
るような所定の層構造となるように作製される。すなわ
ち、基板層用グリーンシートが1層の場合はその表面
に、基板層用グリーンシートが2層以上存在する場合は
その表面または層間に、誘電体層グリーンシートの両面
に電極層が形成されてなるコンデンサが形成されてお
り、誘電体層用グリーンシートと基板層用グリーンシー
トとの間には、両者が接触しないように中間層用グリー
ンシートが介在するような構造となるように作製され
る。
構造に対応するような、誘電体層用グリーンシートおよ
び中間層用グリーンシートが基板層用グリーンシートの
全面に配置された構造や、図2の構造に対応するよう
な、誘電体層用グリーンシートが基板層用グリーンシー
トの一部に配置されており、中間層用グリーンシートが
誘電体層用グリーンシートの周囲を囲い込むように基板
層用グリーンシートの一部に配置された構造が例示でき
る。
面には、最外層を形成することが好ましい。最外層は、
後に実施される焼成工程における面方向の収縮率が5%
以下の層である。最外層としては、後の焼成工程では実
質的に焼結しない無機粉体を主体とする層、換言すれ
ば、焼結温度が誘電体層、基板層および中間層の各層よ
りも高い無機粉体を主体とする層を使用することができ
る。その他には、既に焼結処理が為された層状の焼結
体、金属箔体などを使用することができる。
脱バインダ処理およびメタライズ処理を実施した後、上
記グリーンシート積層体を焼成する。焼成温度および焼
成時間は、基板層および誘電体層を構成する各無機材料
に応じて適宜設定される。例えば、基板層としてガラス
−アルミナ複合材、誘電体層としてPb系複合ペロブス
カイト化合物を使用する場合、通常、焼成温度は850
〜950℃、焼成時間は0.1〜10.0時間に設定さ
れる。また、処理雰囲気は特に限定するものではなく、
例えば、大気、窒素、水素、水蒸気、二酸化炭素または
それらの混合ガスなどが使用できる。焼成後、必要に応
じて最外層の一部または全部を取り除き、コンデンサ内
蔵多層配線基板を得る。
駆体および中間層前駆体としてグリーンシートを作製
し、これを基板層用グリーンシートに積層する方法を例
示しているが、本発明の製造方法はこのような方法に限
定されるものではない。例えば、誘電体層前駆体および
中間層前駆体として、各層の無機材料を含むペーストを
作製し、これを基板層用グリーンシート表面などに印刷
する方法を採用することができる。ペーストの調製は、
金属粉体に代えて、各層を構成する無機材料の原料粉体
を使用すること以外は、前述の配線用および電極用導体
ペーストと実質的に同様にして実施することができる。
基板の製造方法を、内蔵される受動部品がコンデンサで
ある場合を例示に説明したが、本発明はこれに限定され
るものではない。
用グリーンシートに代えて、磁性体層用グリーンシート
を作製し、これを用いてグリーンシート積層体を作製す
れば、インダクタ内蔵多層配線基板とすることができ
る。なお、磁性体層用グリーンシートは、無機粉体とし
て、例えば、NiZnCu系、NiZn系、MnZn
系、MgZn系等のスピネルフェライトやガーネットフ
ェライトなどの磁性体の原料粉体を使用すること以外
は、誘電体層用グリーンシートと同様にして作製するこ
とができる。
蔵多層配線基板の製造方法によれば、基板層成分および
中間層成分が誘電体層へ拡散することを効果的に抑制で
き、良好な特性の受動部品内蔵多層配線基板を得ること
ができる。
る。なお、各実施例において作製した試料の特性は、下
記の方法により測定および評価した。 (静電容量、比誘電率および誘電正接)静電容量および
誘電正接は、JIS C 5120に記載の方法に準
じ、LCRメーターにより周波数1kHzの条件で測定
した。また、比誘電率は、試料を切断してその断面観察
により誘電体層の層厚を測定し、前記静電容量と前記層
厚とを用いて算出した。 (インダクタンス)LCRメーターにより周波数1MH
zの条件で測定した。 (破壊モード)試料を三点曲げ破壊により機械的に破壊
し、破壊後の試料の状態を観察した。主な破壊箇所が、
機能層(誘電体層または磁性体層)と基板層との層間で
ある状態を「層間剥離」として記録した。また、破壊が
試料全体で生じており、主な破壊箇所を機能層と基板層
との層間に特定できない状態を、「一体破壊」として記
録した。 (収縮率)焼成前の試料の寸法をL1、焼成後の試料の寸
法をL2とし、下記式により算出した。なお、各寸法
は、試料の水平方向(試料を構成する層の面方向)に測
定した寸法である。
融着用ガラス粉体5重量部、エチルセルロース系樹脂5
重量部およびテルピネオール5重量部を、3本ロールで
十分に混合混練し、配線および電極用導体ペーストを作
製した。また、融着用ガラス粉体を10重量部使用する
こと以外は同様にして、ビア用導体ペーストを作製し
た。
度900℃)50重量部、バインダとしてブチラール系
樹脂10重量部、可塑剤としてベンジルブチルフタレー
ト5重量部、および、溶剤としてブチルカルビトール3
5重量部を、ボールミルで十分に混合混練した後、脱泡
してスラリーを得た。前記スラリーを、離型処理を施し
たベースフィルム(ポリフェニルサルファイド)表面に
ドクターブレード法にて塗布してシート状に成形し、約
200μm厚の基板層用グリーンシートを作製した。
系複合ペロブスカイト化合物の原料粉体(組成比Pb
1.0Ca0.03(Mg1/3Nb2/3)0.8Ti0.14(Ni1/2
W1/2)0 .06O3.03;単独焼成時比誘電率10000、焼
結温度800℃)を使用すること以外は前記基板層用グ
リーンシートと同様にして、誘電体層用グリーンシート
を作製した。
に示す各種の無機材料を使用すること以外は前記基板層
用グリーンシートと同様にして、中間層用グリーンシー
トを作製した。
て、アルミナ粉体を使用すること以外は前記基板層用グ
リーンシートと実質的に同様にして、ベースフィルム
(ポリエチレンテレフタレート)表面に、約200μm
厚の最外層用アルミナシートを作製した。
用グリーンシートおよび中間層用グリーンシートを、適
宜、電極層、配線層およびビアを形成しながら積層し、
誘電体層グリーンシート両面に電極層が形成されてなる
コンデンサ前駆体を10個含むグリーンシート積層体を
作製した。このとき、前記グリーンシート積層体は、各
コンデンサ前駆体が、基板層用グリーンシートで挟持さ
れ、且つ、誘電体層用グリーンシートと基板層用グリー
ンシートとの間には中間層用グリーンシートが介在する
ように作製した。なお、電極層および配線層の形成は、
各々、電極用および配線用ペーストを用いた印刷により
実施した。また、ビアの形成は、基板層用グリーンシー
トおよび中間層用グリーンシートの所定の箇所に、直径
0.2mmのビア孔をパンチングにより穿孔し、このビ
ア孔にビア用導体ペーストを充填することにより実施し
た。
外層用アルミナシートを積層した後、80℃で熱圧着し
てコンデンサ内蔵多層配線基板の前駆体を得た。この前
駆体を、加熱炉にて大気中600℃の条件で脱バインダ
処理した後、900℃で0.2時間焼成した。焼成後、
最外層用アルミナシートを水洗により除去した。
無機材料を種々変化させて、12種のコンデンサ内蔵多
層配線基板を得た(試料No.1〜12)。なお、各試
料の誘電体層の層厚は、約10μmであった。各試料に
ついて、比誘電率および誘電正接を測定した結果を、中
間層を構成する無機材料の種類とともに、表1に示す。
ない場合、比誘電率が極端に低く、容量がほとんど得ら
れなかった(試料No.1)。また、中間層として、M
gO、ZnOおよびCaO以外の各種材料を使用した場
合も、比誘電率は極めて小さかった(試料No.2〜
9)。
nOまたはCaOを使用した場合、200以上という高
い比誘電率が得られた(試料No.10〜11)。
ること以外は実施例1と同様の操作により、12種のコ
ンデンサ内蔵多層配線基板を作製した(試料No.13
〜24)。なお、中間層の層厚は15μmとなるように
調整した。各試料の比誘電率および誘電正接を測定した
結果を、中間層の組成とともに、表2に示す。
uOの少なくとも1種を加えた場合(試料No.14〜
24)、これらの成分を添加しない場合(試料No.1
3)に比べて、高い比誘電率が得られた。但し、PbO
量またはCuO量が多すぎる場合(試料No.17およ
び21)や、MgO量が少なすぎる場合(試料No.2
4)、誘電正接(誘電損失)が若干大きくなった。
たPb系複合ペロブスカイト化合物の焼結助剤として機
能すると考えられる成分である。以上の結果より、中間
層が、誘電体層を構成する無機材料の焼結助剤として機
能する成分を含む場合、良好な比誘電率が得られること
が確認できた。特に、中間層が下記の組成を有する場合
(試料No.22および23)、比誘電率を高く、且
つ、誘電損失を小さくすることができ、最良の特性が得
られることが確認できた。
≦40重量%、0重量%≦CuO≦30重量%の範囲で
ある。
以外は同様にして試料を作製し、その特性を評価したと
ころ、MgOに比べて比誘電率が若干小さくはなるもの
の、ほぼ同様の傾向が確認できた。
々変化させること以外は、実施例1と同様の操作によ
り、12種のコンデンサ内蔵多層配線基板を作製した
(試料No.25〜36)。各試料について、比誘電率
および誘電正接の測定と、破壊モードの観察を行った。
結果を、中間層の組成および層厚とともに、表3に示
す。
を含まない場合、高い比誘電率が得られるものの、誘電
体層と基板層との層間剥離が生じており、中間層の機械
的強度が低くなった(試料No.25および30)。
合、誘電体層と基板層との層間剥離を生じておらず、中
間層の機械的強度が向上し、多層配線基板の強度が向上
することが確認できた(試料No.26〜29および試
料No.31〜34)。特に、中間層がMgO、Zn
O、PbOおよびCuOを同時に含む場合、比誘電率、
強度ともに良好であった(試料No.31〜34)。
らかなように、中間層の層厚が大きくなるほど高い比誘
電率が得られた。但し、層厚が30μmを超えると、強
度の低下が見られた(試料No.35および36)。
ること以外は、実施例1と同様の操作により、12種の
コンデンサ内蔵多層配線基板を作製した(試料No.3
7〜48)。各試料について、比誘電率および誘電正接
の測定と、破壊モードの観察を行った。結果を、中間層
の組成とともに、表4に示す。なお、表4においては、
中間層の主成分(MgO)を第1成分として表示し、誘
電体層の焼結助剤として機能する成分(PbO、Cu
O、Bi2O3およびV2O5)を第2成分として表示し、
中間層の強度を向上させる成分(SiO2、Al2O3お
よびB2O3)を第3成分として表示した。
焼結助剤として機能する成分を添加した場合(試料N
o.38〜41および試料No.45〜48)、高い比
誘電率が得られた。また、中間層に、中間層の強度を向
上させる成分を添加した場合(試料No.42〜48)
は、試料の強度が向上した。また、両者を同時に含む場
合(試料No.45〜48)は、高い比誘電率と高い強
度が得られ、特に良好な試料が得られた。
gO:PbO=80:20(重量比)の混合粉体を使用
した。前記混合粉体50重量部、ブチラール系樹脂15
重量部、ベンジルブチルフタレート5重量部およびブチ
ルカルビトール30重量部を十分に混合混練してスラリ
ーを調製した。前記スラリーを、離型処理を施したベー
スフィルム表面にドクターブレード法にて塗布し、40
℃の温度条件で乾燥して、厚さ約20μmの中間層用グ
リーンシートAを作製した。また、乾燥温度を10℃と
すること以外は同様にして、中間層用グリーンシートB
を作製した。各中間層用グリーンシートの組成を分析し
たところ、中間層用グリーンシートAは、その表裏面で
PbO濃度に実質的な相違はなかった。一方、中間層用
グリーンシートBは、表面におけるPbO濃度が、裏面
におけるPbO濃度よりも高かった。
以外は、実施例1と同様にして、3種の試料を作製し
た。試料Aは、中間層用グリーンシートAを使用して作
製した。また、試料B−1は、中間層用グリーンシート
Bを使用し、シート表面(PbO濃度の高い面)が基板
層側、シート裏面(PbO濃度の低い面)が誘電体層側
となるように作製した。試料B−2は、中間層用グリー
ンシートBを使用し、シート表面(PbO濃度の高い
面)が誘電体層側、シート裏面(PbO濃度の低い面)
が基板層側となるように作製した。
を測定したところ、試料B−2が比誘電率10080と
最も高く、次いで試料Aが比誘電率8320とこれに続
き、試料B−1が比誘電率6530と最も低かった。
層の焼結助剤となる成分の平均濃度が同等である場合、
前記成分の濃度に勾配があり、誘電体層側に誘電体層の
焼結助剤となる成分が多い方が、良好な特性が得られる
ことが確認できた。
料粉体50重量部、ブチラール系樹脂15重量部、ベン
ジルブチルフタレート5重量部およびブチルカルビトー
ル30重量部を、ボールミルで十分に混合混練した後、
脱泡してスラリーを得た。前記スラリーを、離型処理を
施したベースフィルム(ポリフェニルサルファイド)表
面にドクターブレード法にて塗布してシート状に成形
し、磁性体層用グリーンシートを作製した。なお、Ni
ZnCu系フェライト原料粉体としては、NiO=7.
5mol%、ZnO=32.5mol%、CuO=1
1.0mol%、Fe2O3=9.0mol%を配合した
もの(仮焼温度700℃、焼結温度900℃)を用い
た。
に代えて、表5に示す各無機粉体を使用すること以外は
前記磁性体層用グリーンシートと同様にして、中間層用
グリーンシートを作製した。
リーンシート、最外層用アルミナシートおよび導体ペー
ストを作製した。
用グリーンシートおよび中間層用グリーンシートを、適
宜、配線層およびビアを形成しながら積層し、配線層が
磁性体層用グリーンシートに挟持されてなるインダクタ
前駆体を含むグリーンシート積層体を作製した。このと
き、前記グリーンシート積層体は、磁性体層用グリーン
シートと基板層用グリーンシートとの間に中間層用グリ
ーンシートが介在するように作製した。なお、配線層お
よびのビアの形成は、実施例1と実質的に同様にして実
施した。
外層用アルミナシートを積層した後、80℃で熱圧着し
てインダクタ内蔵多層配線基板の前駆体を得た。この前
駆体を、加熱炉にて大気中600℃の条件で脱バインダ
処理した後、920℃で0.5時間焼成した。焼成後、
最外層用アルミナシートを水洗により除去した。
々変化させて、12種のインダクタ内蔵多層配線基板を
得た(試料No.49〜60)。各試料について、イン
ダクタンスの測定および破壊モードの観察を行った。結
果を、中間層の組成とともに、表5に示す。
ない場合、インダクタンスが極めて小さかった。(試料
No.49)。また、中間層として、焼結温度が磁性体
層と同温である材料を使用した場合も、インダクタンス
は極めて小さかった(試料No.50)。
む無機材料を使用した場合、高いインダクタンスが得ら
れた(試料No.51〜60)。特に、中間層が磁性体
層の焼結助剤として機能する成分(CuO、Ag2Oま
たはV2O5)を含む場合、良好なインダクタンスが得ら
れた(試料No.52〜54、59および60)。ま
た、中間層の強度を向上させる成分(ZnO、Si
O2、Al2O3またはB2O3)を含む場合、試料の強度
が向上した(試料No.55〜60)。特に、両者を含
む場合、インダクタンスおよび強度の両特性において、
良好な結果が得られた(試料No.59および60)。
2粉体80重量部、融着用ガラス粉体5重量部、エチル
セルロース系樹脂8重量部およびテルピネオール7重量
部を、3本ロールで十分に混合混練し、抵抗体用ペース
トを作製した。
比)の混合粉体を使用すること以外は実施例1と同様に
して、中間層用グリーンシートを作製した。また、実施
例1と同様にして、基板層用グリーンシート、最外層用
アルミナシートおよび導体ペーストを作製した。
層用グリーンシートを、適宜、抵抗体層前駆体、配線層
およびビアを形成しながら積層し、抵抗体層前駆体に配
線層が形成されてなる抵抗体前駆体を含む積層体を作製
した。このとき、前記積層体は、抵抗体層前駆体と基板
層用グリーンシートとの間に中間層用グリーンシートが
介在するように作製した。なお、抵抗体層前駆体の形成
は、抵抗体層用ペーストを用いた印刷により実施した。
また、配線層およびビアの形成は、実施例1と実質的に
同様にして実施した。
外層用アルミナシートを積層した後、80℃で熱圧着し
て抵抗体内蔵多層配線基板の前駆体を得た。この前駆体
を、加熱炉にて大気中600℃の条件で脱バインダ処理
した後、900℃で0.2時間焼成した。焼成後、最外
層用アルミナシートを水洗により除去し、抵抗体内蔵多
層配線基板を得た(試料C)。
外は同様にして、基板層と抵抗体層とが直接接触した構
造の抵抗体内蔵多層配線基板を作製した(試料D)。ま
た、白金板上に、同一形状の抵抗体層および配線層を形
成し、これを大気中600℃の条件で脱バインダ処理し
た後、900℃で0.2時間焼成して抵抗体を作製し
た。
したところ、中間層を備えた試料Cに内蔵された抵抗体
の抵抗値は、白金板上に形成した抵抗体と実質的に同等
であり、所望の抵抗値が得られた。一方、中間層を備え
ていない試料Dに内蔵された抵抗体の抵抗値は、白金板
上に形成した抵抗体の3倍程度高い値であり、所望の抵
抗値が得られなかった。
して銀、銅または酸化銅を使用すること以外は実施例1
と同様にして、配線用および電極用導体ペーストおよび
ビア用ペーストを、各々3種作製した。
50:30:20:10(重量比)の混合粉体を使用す
ること以外は実施例1と同様にして、中間層用グリーン
シートを作製した。また、前記混合粉体75重量部、エ
チルセルロース系樹脂15重量部およびテルピネオール
10重量部を十分に混合混練して、中間層用ペーストを
作製した。
用すること以外は実施例1と同様にして、基板層用グリ
ーンシート、誘電体層用グリーンシートを作製した。な
お、各グリーンシートの厚さは約200μmとした。
最外層用アルミナシートを作製した。また、アルミナ粉
体に代えて銅粉体を使用すること以外は同様にして、約
100μm厚の最外層用銅シートを作製した。更に、表
面粗化処理をした約50μm厚の最外層用銅箔を用意し
た。
ストを用いて、誘電体層グリーンシート両面に電極層が
形成されてなるコンデンサ前駆体を含み、且つ、誘電体
層用グリーンシートと基板層用グリーンシートとの間に
は中間層前駆体が介在する積層体を作製した。なお、コ
ンデンサの内蔵形態としては、下記のような2種の形態
(形態Iおよび形態II)を採用した。
り、コンデンサ前駆体および中間層前駆体が、基板層グ
リーンシートの全面に配置された形態である。すなわ
ち、誘電体層用グリーンシートおよび中間層前駆体の面
積を、基板層用グリーンシートの面積と同等とした形態
である。この場合、積層体の形成方法は、実施例1と実
質的に同様であり、中間層前駆体として中間層用グリー
ンシートを使用し、これと基板層用グリーンシートおよ
び誘電体層用グリーンシートとを、適宜、電極層、配線
層およびビアを形成し、積層した。
り、コンデンサ前駆体および中間層前駆体が、基板層グ
リーンシートの一部に配置された形態である。すなわ
ち、誘電体層用グリーンシートの面積を基板層用グリー
ンシートの面積よりも小さくなるように調整し、中間層
前駆体を誘電体層用グリーンシートの周囲を囲むように
形成した形態である。この場合、積層体の形成方法は、
適宜、電極層、配線層およびビアを形成しながら、基板
層用グリーンシートの一部に、下記の要領で中間層前駆
体および誘電体層用前駆体を形成する方法を採用した。
中間層前駆体の形成は、中間層用ペーストを基板層用グ
リーンシート表面に印刷することにより実施した。ま
た、誘電体層前駆体は、誘電体層用グリーンシートを、
所定の面積となるように一部をベースフィルムから除去
した状態で、積層体の所定の位置(中間層前駆体を形成
した位置)に積層した後、ベースフィルムを剥がして転
写することにより実施した。なお、中間層前駆体および
誘電体層前駆体の層厚は、焼成後の各層の層厚が、中間
層が10μm、誘電体層が8μmとなるように各々調整
した。
ても、電極層、配線層およびビアの形成は、導体ペース
トを上記3種から選択して使用すること以外は、実施例
1と実質的に同様にして実施した。
記3種から選択し、これを積層体の両面に積層した。
脱バインダ処理した。脱バインダ処理は、導体ペースト
として、銀系または酸化銅系導体ペーストを使用した試
料については、大気中600℃の条件で実施し、銅系導
体ペーストを使用した試料については、酸素50ppm
を含む窒素中700℃の条件で実施した。また、導体ペ
ーストとして酸化銅系導体ペーストを使用した試料につ
いては、脱バインダ処理後、10%の水素を含む窒素中
で300℃の条件で、メタライズ処理を施した。
条件で0.15時間焼成し、コンデンサ内蔵多層配線基
板を得た。また、最外層を用いた試料については、焼成
後、最外層の少なくとも一部を除去した。最外層の除去
は、最外層用シートとしてアルミナシートを使用した試
料は洗浄により全てを除去し、銅シートまたは銅箔を使
用した試料はエッチングにより一部を除去した。
ンサの内蔵形態、最外層の有無および種類、導体ペース
トの種類)を種々変化させて、10種のコンデンサ内蔵
多層配線基板を作製した(試料No.61から70)。
各試料について、面方向の収縮率の測定および外観の観
察を行なった。また、各試料に内蔵されたコンデンサの
静電容量および誘電正接を測定した。結果を、各試料の
製造条件とともに、表6に示す。なお、コンデンサの内
蔵形態については、図1に対応するような、コンデンサ
が基板層全面に配置された形態を「I」と表示し、図2
に対応するような、コンデンサが基板層の一部に配置さ
れた形態を「II」と表示した。
い場合(試料No.61および70)、最外層の有無に
かかわらず、静電容量が得られなかった。
No.62〜69)は静電容量が得られた。特に、最外
層を設けた場合(試料No.62〜66)、焼成による
水平方向の収縮率が小さく、静電容量および誘電正接と
いった電気的特性についても良好であった。
内蔵多層配線基板によれば、無機材料の焼結体を主体と
する絶縁体である少なくとも1層の基板層を含む多層配
線基板に、無機材料の焼結体を主体とする誘電体、磁性
体または抵抗体である機能層を含む受動部品が内蔵され
てなる受動部品内蔵多層配線基板であって、前記機能層
と前記基板層との間に、前記機能層と前記基板層とが接
触しないように、酸化マグネシウム、酸化亜鉛および酸
化カルシウムから選ばれる少なくとも1種の酸化物を含
む中間層が介在するため、基板層成分が機能層へ拡散す
ることを抑制することが可能な、良好な特性を有する受
動部品内蔵多層配線基板とすることができる。
の製造方法によれば、無機材料の焼結体を主体とする絶
縁体である少なくとも1層の基板層を含む多層配線基板
に、無機材料の焼結体を主体とする誘電体、磁性体また
は抵抗体である機能層を含む受動部品が内蔵された受動
部品内蔵多層配線基板の製造方法であって、前記基板層
の未焼結体および前記機能層の未焼結体を含む積層体を
形成する工程と、前記積層体を焼成する工程とを含み、
前記積層体を形成する工程において、前記基板層の未焼
結体と前記機能層の未焼結体との間に、前記機能層の未
焼結体と前記基板層の未焼結体とが接触しないように、
酸化マグネシウム、酸化亜鉛および酸化カルシウムから
選ばれる少なくとも1種の酸化物を含む中間層を介在さ
せるため、焼成時に基板層成分が機能層へ拡散すること
を抑制し、良好な特性を有する受動部品内蔵多層配線基
板を製造することができる。
を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 無機材料の焼結体を主体とする絶縁体で
ある少なくとも1層の基板層を含む多層配線基板に、無
機材料の焼結体を主体とする誘電体、磁性体または抵抗
体である機能層を含む受動部品が内蔵されてなる受動部
品内蔵多層配線基板であって、前記機能層と前記基板層
との間に、前記機能層と前記基板層とが接触しないよう
に、酸化マグネシウム、酸化亜鉛および酸化カルシウム
から選ばれる少なくとも1種の酸化物を含む中間層が介
在することを特徴とする受動部品内蔵多層配線基板。 - 【請求項2】 前記中間層が、酸化マグネシウムおよび
酸化亜鉛を含む請求項1に記載の受動部品内蔵多層配線
基板。 - 【請求項3】 前記中間層が、酸化マグネシウム、酸化
亜鉛および酸化カルシウムから選ばれる少なくとも1種
の酸化物を、50〜95重量%含む請求項1または2に
記載の受動部品内蔵多層配線基板。 - 【請求項4】 前記中間層が、前記機能層を構成する無
機材料に対する焼結助剤を含む請求項1〜3のいずれか
に記載の受動部品内蔵多層配線基板。 - 【請求項5】 前記中間層が、前記焼結助剤を5〜50
重量%含む請求項4に記載の受動部品内蔵多層配線基
板。 - 【請求項6】 前記中間層における前記焼結助剤の濃度
が、前記基板層側よりも前記機能層側で高い請求項4ま
たは5に記載の受動部品内蔵多層配線基板。 - 【請求項7】 前記機能層がPb系ペロブスカイト化合
物を主体とする層であり、前記焼結助剤が、酸化鉛、酸
化銅、酸化バナジウムおよび酸化ビスマスより選ばれる
少なくとも1種の酸化物である請求項4〜6のいずれか
に記載の受動部品内蔵多層配線基板。 - 【請求項8】 前記機能層がPb系ペロブスカイト化合
物を主体とする層であり、前記中間層が、酸化マグネシ
ウムおよび酸化亜鉛から選ばれる少なくとも1種の酸化
物を50〜95重量%と、酸化鉛および酸化銅から選ば
れる少なくとも1種の酸化物を5〜50重量%とを含
み、且つ、前記中間層における酸化鉛の含有率が40重
量%以下であり、酸化銅の含有率が30重量%以下であ
る請求項1〜7のいずれかに記載の受動部品内蔵多層配
線基板。 - 【請求項9】 前記機能層がNiZn系スピネルフェラ
イトまたはNiZnCu系スピネルフェライトを主体と
する層であり、前記焼結助剤が、酸化銅、酸化バナジウ
ムおよび酸化銀より選ばれる少なくとも1種の酸化物で
ある請求項4〜6のいずれかに記載の受動部品内蔵多層
配線基板。 - 【請求項10】 前記中間層が、酸化珪素、酸化アルミ
ニウムおよび酸化硼素から選ばれる少なくとも1種の酸
化物を含む請求項1〜9のいずれかに記載の受動部品内
蔵多層配線基板。 - 【請求項11】 前記中間層が、酸化珪素、酸化アルミ
ニウムおよび酸化硼素から選ばれる少なくとも1種の酸
化物を、1〜50重量%含む請求項10に記載の受動部
品内蔵多層配線基板。 - 【請求項12】 前記中間層の層厚が、5〜30μmで
ある請求項1〜11のいずれかに記載の受動部品内蔵多
層配線基板。 - 【請求項13】 無機材料の焼結体を主体とする絶縁体
である少なくとも1層の基板層を含む多層配線基板に、
無機材料の焼結体を主体とする誘電体、磁性体または抵
抗体である機能層を含む受動部品が内蔵された受動部品
内蔵多層配線基板の製造方法であって、前記基板層の未
焼結体および前記機能層の未焼結体を含む積層体を形成
する工程と、前記積層体を焼成する工程とを含み、前記
積層体を形成する工程において、前記基板層の未焼結体
と前記機能層の未焼結体との間に、前記機能層の未焼結
体と前記基板層の未焼結体とが接触しないように、酸化
マグネシウム、酸化亜鉛および酸化カルシウムから選ば
れる少なくとも1種の酸化物を含む中間層を介在させる
ことを特徴とする受動部品内蔵多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項14】 前記積層体を焼成する工程の前に、前
記積層体の少なくとも片面に、前記積層体を焼成する工
程を実施したときの収縮率が5%以下である最外層を積
層する工程を実施し、前記積層体を焼成する工程の後
に、前記最外層の少なくとも一部を除去する工程を実施
する請求項13に記載の受動部品内蔵多層配線基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00603699A JP3897472B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00603699A JP3897472B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208943A true JP2000208943A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3897472B2 JP3897472B2 (ja) | 2007-03-22 |
Family
ID=11627435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00603699A Expired - Fee Related JP3897472B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3897472B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002290053A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
| EP1294218A4 (en) * | 2000-09-25 | 2003-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | FLOW METHOD, FLOW SOLDERING METHOD AND ARRANGEMENT, AND ELECTRONIC BOARD |
| WO2004019664A1 (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nippon Zeon Co.,Ltd. | 回路基板、回路基板を用いた電子機器、及び回路基板の製造方法 |
| EP1320286A3 (en) * | 2001-12-13 | 2005-01-05 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
| JP2006210673A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵配線基板 |
| JP2006210924A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | E I Du Pont De Nemours & Co | 高誘電率セラミック材料のコアを有する多構成要素ltcc基板およびその開発のための方法 |
| JP2006521691A (ja) * | 2003-03-27 | 2006-09-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的多層構成素子 |
| JP2007184369A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Kyocera Corp | 配線基板とその製造方法 |
| JP2007201271A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵配線基板およびその製造方法 |
| JP2010251709A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | セラミック積層体およびこれを備えた電子装置 |
| JP2012212857A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-11-01 | Ngk Insulators Ltd | 複合電子部品 |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP00603699A patent/JP3897472B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1294218A4 (en) * | 2000-09-25 | 2003-03-19 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | FLOW METHOD, FLOW SOLDERING METHOD AND ARRANGEMENT, AND ELECTRONIC BOARD |
| JP2002290053A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
| EP1320286A3 (en) * | 2001-12-13 | 2005-01-05 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
| WO2004019664A1 (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nippon Zeon Co.,Ltd. | 回路基板、回路基板を用いた電子機器、及び回路基板の製造方法 |
| JP2006521691A (ja) * | 2003-03-27 | 2006-09-21 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 電気的多層構成素子 |
| US7710233B2 (en) | 2003-03-27 | 2010-05-04 | Epcos Ag | Electric multilayer component |
| JP2006210924A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | E I Du Pont De Nemours & Co | 高誘電率セラミック材料のコアを有する多構成要素ltcc基板およびその開発のための方法 |
| JP2006210673A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵配線基板 |
| JP2007184369A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Kyocera Corp | 配線基板とその製造方法 |
| JP2007201271A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵配線基板およびその製造方法 |
| JP2010251709A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | セラミック積層体およびこれを備えた電子装置 |
| JP2012212857A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-11-01 | Ngk Insulators Ltd | 複合電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3897472B2 (ja) | 2007-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7158364B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and method of producing the same | |
| JP5293971B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP4362079B2 (ja) | 積層型チップコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP4071204B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2010045209A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3897472B2 (ja) | 受動部品内蔵多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP4574246B2 (ja) | チップ型電子部品およびその製法 | |
| JP3955389B2 (ja) | コンデンサ内蔵基板およびその製造方法 | |
| JPH11102835A (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP5527405B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP3273125B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3981270B2 (ja) | 多層基板に内蔵された導体パターン及び導体パターンが内蔵された多層基板、並びに、多層基板の製造方法 | |
| JPH1012478A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP5527400B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP5527403B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP5527401B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP3383558B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2010045212A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH1126285A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2008277294A (ja) | 導電性粒子、導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2000012375A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP4325928B2 (ja) | BaTiO3系誘電体用電極ペーストおよび導体ペーストならびにコンデンサ内蔵多層配線基板 | |
| JP4387150B2 (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH07201637A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP5429393B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060509 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060626 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061212 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061219 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |