JP2000208983A - 透明電界波シ―ルド性構造体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明性、電界波シールド性に優れ、透明樹脂
板に強密着された透明電界波シールド性構造体を提供す
る。 【解決手段】 透明導電性フィルム（Ａ）、透明樹脂フ
ィルム（Ｂ）および透明樹脂版（Ｃ）からなる構造体で
あって、以下の条件を満足する電界波シールド性構造
体。 (i) Ｂを形成する樹脂の融点がＡを形成する基材樹脂の
融点より低い。 (ii) 構造体のヘーズ値が４％以下。 (iii) 構造体の波長４００〜７５０ｎｍの全可視光透過
率が７０％以上。 (iv) 構造体の波長７５０〜１０００ｎｍの近赤外線反
射率が４０％以上 (v) 構造体の１０００〜２０００Ｈｚの電界波シールド
効果が４０ｄｂ以上。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明電界波シール
ド用構造体およびその製造方法に関するものであり、さ
らに詳しくは電子機器などの表示装置や透明開口部にお
ける液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ）の表示画面より放出される電界波、
赤外線および近赤外線を遮蔽するとともに、外部からの
電界波が電子機器などへ進入するのを遮断しノイズを減
少させる効果に優れた透明電界波シールド用構造体およ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、さまざまな電気・電子機器が使用
されており作業効率を大きく向上させているが、これら
の電子機器からは微弱ではあるが電界波や電磁波の発生
が起こっている。

【０００３】また逆に外部電界波の進入で電子機器に悪
影響を及ぼし誤作動や動作不良を起こす可能性があるこ
とから電界波シールドの必要性が重要視されてきてい
る。

【０００４】従来の電子機器の電界波シールド材として
は、銅，鉄のような導電性の高い金属板あるいは金属箔
が挙げられ、それらで機器のケース内側を覆ったり、電
界波発生源の周囲をかこみ電界波シールドを行ってい
た。

【０００５】近年、コンピューターなどの電子機器の小
型化高性能化が著しくなると同時に、電子機器に透明な
表示窓や液晶表示窓などが取り付けられているようにな
ってきた。

【０００６】しかし、これらの透明な表示窓や液晶表示
窓などは、電界波シールドされていないため、外部から
の電界波がこれらの透明な窓部分から入り込み、コンピ
ューターなどに誤作動を引き起こす問題がある。

【０００７】また最近、ＬＣＤやＰＤＰのような表示装
置が増えつつあるが、特にＰＤＰ表示画面はプラズマ発
生時に電界波や近赤外線が放出され、周囲の電子機器へ
影響を及ぼしたり使用者の健康への悪影響も否めない問
題がある。

【０００８】透明部分の電界波シールドに関しては、従
来の金属板などの適用は不可であり、そのため透明な電
界波シールド材が必要となってきている。

【０００９】この透明な電界波シールド材として、ポリ
エステル繊維に導電性の金属を被覆し、格子状に織り込
んだメッシュ構造を持つシールド材が提案されている
が、このようなメッシュは、光透過率が低く視認性が悪
かった。また透明導電フィルムを透明なプラスチック基
材へ粘着剤を介して積層する事も試みられたが、粘着剤
層による視認性低下や加熱によるプラスチック基材から
の発泡により粘着剤とプラスチック基材の間に気泡が発
生し十分満足の行くものではなかった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、透明
性に優れ、電子機器などの表示装置や透明開口部におけ
る液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）やプラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）の表示画面より放出される電界波、赤
外線および近赤外線を遮蔽するとともに、外部からの電
界波が電子機器などへ進入するのを遮断しノイズを減少
させる効果に優れた透明電界波シールド性構造体および
その製造方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、（１）少なく
とも片面に導電層を有する透明導電性フィルム（Ａ）、
（２）透明樹脂フィルム（Ｂ）および（３）透明樹脂版
（Ｃ）をこの順序で互いに積層された構造体であって、
(i) 該透明樹脂フィルム（Ｂ）を形成する樹脂の融点
（Ｔｍ）は該透明導電性フィルム（Ａ）を形成する基材
樹脂の融点（Ｔｍｒ）より低く、(ii) 該構造体のヘー
ズ値が４％以下、(iii) 該構造体の波長４００〜７５０
ｎｍの全可視光透過率が７０％以上、(iv) 該透明導電
性構造体における波長７５０〜１０００ｎｍの近赤外線
反射率が４０％以上であり、かつ(v) 該構造体における
１０００〜２０００Ｈｚの電界波シールド効果が４０ｄ
ｂ以上であることを特徴とする透明電界波シールド性構
造体およびその製造方法である。

【００１２】次に本発明についてさらに詳しく説明する
が、まず最初に透明導電性フィルム（Ａ）および透明樹
脂フィルム（Ｂ）から構成されるフィルム積層体につい
て説明し、次いで透明電界波シールド性構造体およびそ
の製造方法について説明する。

【００１３】前述したとおり、本発明におけるフィルム
積層体は、少なくとも片面に導電層を有する透明導電性
フィルム（Ａ）および透明樹脂フィルム（Ｂ）により構
成されている。

【００１４】この透明導電性フィルム（Ａ）を形成する
ベースフィルムは透明であって、可撓性を有し、その表
面にスパッタ法や真空蒸着法などにより金属蒸着膜を形
成する際に、その操作温度に耐え得る耐熱性を有してい
る熱可塑性樹脂フィルムであることが好ましい。

【００１５】かかる熱可塑性樹脂フィルム構成するポリ
マーとしては、ポリエチレンテレフタレートやポリエチ
レン−２，６−ナフタレートに代表されるポリエステ
ル、脂肪族ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等が例示される。これらの中、ポリ
エステルがさらに好ましい。また、熱可塑性樹脂フィル
ムの中で、耐熱性、機械的強度に優れる二軸配向ポリエ
チレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。

【００１６】かかる熱可塑性樹脂フィルム（ベースフィ
ルム）は、従来から知られている方法で製造することが
できる。例えば、二軸配向ポリエステルフィルムの製造
について説明すると、ポリエステルチップを乾燥後、Ｔ
ｍ〜（Ｔｍ＋７０）℃の温度（但し、Ｔｍ：ポリエステ
ルの融点）で押出機にて溶融し、ダイ（例えばＴ−ダ
イ、Ｉ−ダイ等）から回転冷却ドラム上に押出し、４０
〜９０℃で急冷して未延伸フィルムを製造し、ついで該
未延伸フィルムを（Ｔｇ−１０）〜（Ｔｇ＋７０）℃の
温度（Ｔｇ：ポリエステルのガラス転移温度）で縦方向
に２．５〜８．０倍の倍率で延伸し、横方向２．５〜
８．０倍の倍率で延伸し、必要に応じて１８０〜２５０
℃の温度で１〜６０秒間熱固定することにより製造でき
る。このベースフィルムの厚みは２５〜２５０μｍの範
囲が好ましく、２５〜１７５μｍの範囲が特に好まし
い。

【００１７】本発明に用いられる透明導電性フィルム
（Ａ）には、ベースフィルムの少なくとも片面に導電層
が設けられている。導電層を構成する金属物質として
は、ＳｂをドープしたＳｎＯ₂やＳｎをドープしたＩｎ₂
Ｏ₃（ＩＴＯ）等の広い光学バンドギャップと高い自由
電子密度を有する半導体薄膜、またはＡｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｌ等の金属が例示される。これらの中、可視光線
の吸収がほとんど無いＡｇが特に好ましい。なお、必要
に応じて金属物質を２種以上併用してもよい。かかる金
属層の形成方法としては気相成長法が好ましく、さらに
真空蒸着法、スパッター法またはプラズマＣＶＤ法が特
に好ましい。かかる金属層の厚みは、本発明の構造体の
波長４００〜７５０ｎｍにおける全可視光透過率が７０
％以上及び波長７５０〜１０００ｎｍの近赤外線反射率
４０％以上の範囲を満足するように設定するべきであ
る。金属層の厚みは５〜１０００ｎｍの範囲が好まし
い。厚みが５ｎｍ未満であると表面抵抗値が高くなり、
十分な電界波シールド効果が発揮されず、他方１０００
ｎｍを超えると全可視光透過率が低下し透明性が悪くな
る。

【００１８】本発明に用いられる透明導電性フィルム
（Ａ）には、可視光線の反射を抑制し透明性を高めるた
めに、透明で高屈折率である誘電体層を設けることが好
ましい。このような誘電体としては、ＴｉＯ₂、Ｚｒ
Ｏ₂、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃等が挙げられる。アルキルチタ
ネート又はアルキルジルコニウムの加水分解により得ら
れる有機化合物由来のＴｉＯ₂又はＺｒＯ₂が加工性に優
れるためさらに好ましい。加えて、誘電体層として酸化
インジウムや酸化錫も単一層又は多層にて適用できる。
かかる誘電体層の形成方法としては気相成長法が好まし
く、さらに真空蒸着法、スパッター法またはプラズマＣ
ＶＤ法が特に好ましい。また、誘電体層は、前述の金属
層をサンドウィチ状に挟む積層構成をとることにより、
透明性の改良効果が増すのでより好ましい。かかる誘電
体層の厚みは、本発明の構造体の光学特性範囲を満足す
るように前述の金属層と併せて設定することが必要であ
る。誘電体層の厚みは０〜７５０ｎｍの範囲が好まし
い。

【００１９】このように積層された透明導電性フィルム
の導電層の表面抵抗としては、５Ω／□以下が好まし
い。表面抵抗値が５Ω／□以上を超えると、電界波シー
ルド効果が十分に発揮されない。さらに好ましい表面抵
抗値は３Ω／□以下である。また導電層端部に導電層の
表面抵抗値より低い表面抵抗値を持つ電極を設け、アー
スを取り出すことにより電界波シールド効果は更に発揮
される。

【００２０】本発明で用いられる透明導電性フィルム
（Ａ）には、通常金属をスパッタリングにより積層する
ため耐熱性のあるベースフィルムが使用され、そのフィ
ルムを形成する樹脂は前述したように溶融する温度の高
い熱可塑性樹脂が選択される。このため、このベースフ
ィルムと溶融する温度が低い透明樹脂板との密着性は、
ベースフィルムの溶融温度が高くなり、両者の熱融着に
よる接着が困難となる。そこで、透明導電性フィルム
（Ａ）と透明樹脂板（Ｃ）との密着性を向上させるため
には、透明導電性フィルム（Ａ）の片面に溶融温度の低
い透明樹脂フィルム（Ｂ）を予め積層したフィルム積層
体とする必要がある。

【００２１】かかる透明樹脂フィルム（Ｂ）を形成する
樹脂としては熱可塑性樹脂が好ましく、透明樹脂フィル
ム（Ｂ）を形成する樹脂の融点（Ｔｍ）は透明導電性フ
ィルム（Ａ）を形成する樹脂の融点（Ｔｍｒ）より低い
ことが必要である。

【００２２】本発明において樹脂の融点とは、結晶性で
あって、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）にて明確なピーク
が認められる樹脂の場合はそのピーク温度を融点（℃）
とし、それ以外の非晶性樹脂の場合はガラス転移温度
（℃）を融点と定義する。なお、特にビスフェノールＡ
をジヒドロキシ成分とするポリカーボネート樹脂は「ポ
リカーボネート樹脂ハンドブック」（日刊工業新聞社
刊、初版１刷発行、１９９２）に記載されている融点を
融点（℃）として取り扱うことにする。

【００２３】かかる透明樹脂フィルム（Ｂ）を形成する
樹脂としては、熱可塑性樹脂が好ましく、特に融点が１
００〜２４０℃を有する樹脂が好ましい。特にポリエチ
レンテレフタレートに代表されるポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリエチレンおよびポリプロピレン等が例
示される。前記透明導電性フィルム（Ａ）のベースフィ
ルムが二軸配向ポリエチレンテレフタレートフィルムで
ある場合には、透明樹脂フィルム（Ｂ）はポリカーボネ
ートフィルムまたは共重合ポリエチレンテレフタレート
フィルムであることが好ましい。この共重合ポリエチレ
ンテレフタレートは、その融点が１８０〜２４０℃であ
るのが有利である。

【００２４】上記共重合ポリエチレンテレフタレートの
共重合成分としては、酸成分でもグリコール成分でも良
く、酸成分としてはイソフタル酸、フタル酸、ナフタレ
ンジカルボン酸の如き芳香族二塩基酸；アジピン酸、ア
ゼライン酸、セバシン酸、デカンジカルボン酸の如き脂
環族ジカルボン酸が例示できる。またグリコール成分と
してはブタンジオール、ヘキサンジオール等の如き脂肪
族ジオール；シクロヘキサンジメタノールの如き脂環族
ジオール等が例示できる。これらは単独又は二種以上使
用することができる。

【００２５】また、上記ポリカーボネートとしてはビス
フェノールをジヒドロキシ成分とする芳香族系ポリカー
ボネートを挙げることできる。特に、イソプロピリデン
基を介してフェノールが結合しているビスフェノールＡ
をジヒドロキシ成分とするポリカーボネートは良好な熱
的性質を有しかつ透明樹脂板（Ｃ）との接着性に優れて
いるので好ましい。

【００２６】さらに透明樹脂フィルム（Ｂ）を形成する
熱可塑性樹脂として、ポリカーボネート／ポリエチレン
テレフタレートアロイ等またはそのアロイを改質したも
のを用いてもよい。

【００２７】透明樹脂フィルム（Ｂ）の厚みとしては２
５〜７５０μｍが好ましい。２５μｍ未満になると外観
不良となる。特に好ましい厚みは５０〜５００μｍであ
る。

【００２８】透明導電性フィルム（Ａ）に透明樹脂フィ
ルム（Ｂ）を積層する方法としては、大別して２つの方
法がある。

【００２９】１つは透明導電性フィルム（Ａ）のベース
フィルムを製膜する際、透明樹脂フィルム（Ｂ）を共押
し出し法により押出して積層することができる。この場
合、共押出し法により得られた積層フィルムは、フィル
ム（Ａ）のベースフィルム表面に透明導電層をスパッタ
リング法により形成させる。

【００３０】その他の方法として、透明導電性フィルム
（Ａ）のベース面と透明樹脂フィルム（Ｂ）をアクリル
系またはウレタン系の如き接着剤によりラミネートする
ことによりフィルム積層体を構成しても良い。

【００３１】本発明の透明導電性フィルム（Ａ）と透明
樹脂フィルム（Ｂ）を積層したフィルム積層体は、その
総厚みが５０〜１０００μｍの範囲、好ましくは７５〜
７５０μｍの範囲であるのが有利である。この総厚みが
５０μｍよりも薄いとハンドリングや加工の操作が困難
となり、歩留まりが低下し、他方１０００μｍを超える
とフィルムの長尺ロール品として取り扱いにくくなる。

【００３２】本発明の透明電界波シールド性構造体は、
ディスプレイ用の表示部分に使用されるため透明性が必
要であり、該構造体のヘーズ値は４％以下であることが
必要である。ヘーズ値が４％を超えると透明感が不良と
なるので好ましくない。したがって透明導電性フィルム
（Ａ）のベースフィルムや積層する透明樹脂フィルム
（Ｂ）には不純物が少なく透明性を維持する添加剤を使
用するのが好ましい。

【００３３】また、本発明の透明電界波シールド性構造
体は、開口部の透明部分の透明性の維持および導電効果
を機能させるため、波長４００〜７５０ｎｍにおける積
分可視光透過率が７０％以上、好ましくは７５％以上、
および波長７５０〜１０００ｎｍの積分近赤外線反射率
が４０％以上であることが必要である。積分可視光透過
率７０％未満であると構造体の透明性が低下するので好
ましくなく、積分近赤外線反射率が４０％未満となると
構造体の近赤外反射効果が低下するので好ましくない。

【００３４】次に、前記フィルム積層体を透明性樹脂板
（Ｃ）に積層した透明電界波シールド性構造体について
説明する。この構造体は、前記フィルム積層体における
透明樹脂フィルム（Ｂ）面側に透明樹脂板（Ｃ）を積層
し、その積層形態は接着剤や粘着剤を使用しないで両者
の表面が直接固着している点に特徴がある。この固着は
後述する方法により行われるが、両者はそれらの融着ま
たは熱接着によって強固に密着される。

【００３５】透明樹脂板（Ｃ）は、通常有機ガラスとし
て利用されるものであり、透明性および強度を有するも
のであればよい。具体的には、ポリカーボネート樹脂、
ポリメチルメタクリレート樹脂、アクリロニトリル−ス
チレン樹脂、ポリスチレン樹脂、メチルメタクリレート
−スチレン共重合体またはポリオレフィン樹脂より形成
された透明板が挙げられる。これらの中、ポリカーボネ
ート樹脂板が最も好適である。透明樹脂板（Ｃ）は、２
〜１５ｍｍの厚さ、好ましくは３〜１２ｍｍの厚さを有
するものが実用的である。

【００３６】本発明者の研究によれば、フィルム積層体
と透明樹脂板（Ｃ）との積層は、下記２つの方法によっ
て有利に実施できることが見出された。

【００３７】＜成形方法（Ｉ）＞片面に導電層を有する
透明導電フィルム（Ａ）および透明樹脂フィルム（Ｂ）
よりなるフィルム積層体の透明樹脂フィルム（Ｂ）側の
表面において溶融した透明樹脂を板状に成形せしめる方
法。この成形方法（Ｉ）は、フィルム積層体のフィルム
（Ｂ）面上において溶融した透明樹脂を板状に成形させ
る方法であり、フィルム積層体を金型の一方の面に貼付
しておき、金型内に溶融した樹脂を流し込む方法（射出
成形法）が有利である。また、フィルム積層体を水平に
配置してその上に溶融した樹脂を流延して成形すること
も可能である。

【００３８】＜成形方法（II）＞片面に導電層を有する
透明導電性フィルム（Ａ）および透明樹脂フィルム
（Ｂ）よりなるフィルム積層体をその透明樹脂フィルム
（Ｂ）側の表面において加熱された透明樹脂板（Ｃ）に
熱圧着せしめる方法。この成形方法（II）は、あらかじ
め成形された透明樹脂板（Ｃ）を使用し、これに透明フ
ィルム積層体を熱圧着させる方法である。熱圧着は、フ
ィルム積層体における透明樹脂フィルム（Ｂ）の融点
（Ｔｍ）〜（Ｔｍ＋１１０）℃の範囲に透明樹脂板
（Ｃ）の積層面を少なくとも加熱して行われる。かくし
てフィルム積層体と透明樹脂板（Ｃ）が積層された構造
体を得ることができる。

【００３９】前記の方法により得られた透明電界波シー
ルド性構造体は、全体の厚みが２．５〜１６ｍｍ、好ま
しくは５〜１２ｍｍの範囲であることが望ましい。

【００４０】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳述する。な
お、フィルムの特性の測定は、以下の方法にしたがって
実施した。

【００４１】（１）融点の測定 透明導電性フィルム（Ａ）のベースフィルムおよび透明
樹脂フィルム（Ｂ）をそれぞれ単独にて、Dupont Instr
uments 910 DSCを用い、昇温速度２０℃／分で測定する
方法による。尚サンプル量は約２０ｍｇとする。

【００４２】（２）積分可視光透過率及び積分近赤外線
透過率 両特性共、島津製作所 ＵＶ−３１０１ＰＣ型を用いて
透明導電性フィルム積層体について、下記の波長範囲で
測定し、積分可視透過率および積分近赤外反射率をＪＩ
Ｓ Ａ５７５９に基づき計算する。 可視光領域 ４００−７５０ｎｍ 近赤外光領域 ７５０−１０００ｎｍ

【００４３】（３）ヘーズ 日本電色工業社製のヘーズ測定器（NDH−２D)を使用
し、測定する。

【００４４】（４）透明性 構造体のサンプルを１００℃ｘ２４Ｈｒ処理し、透視性
について目視観察を実施し、下記の基準で評価する。 ○：透過視認性良好 ×：視認性不良（気泡発生など）

【００４５】（５）密着性 構造体の透明導電性フィルム表面を、カッターで２５個
の碁盤目（２ｍｍ□／個）ができるように切り目を入れ
る。この碁盤目上にセロテープを貼付し、セロテープ剥
離したときの残りの碁盤目の数から下記の基準で評価す
る。 〇：２５ △：２０〜２４ ×：１９以下

【００４６】（６）電界波シールド効果 電界波シールド効果は次式で定義される。この数値が大
きければシールド効果が高い。 ＳＥ＝２０Ｌｏｇ（Ｅｉ／Ｅｔ） ここで、ＳＥはShield effectiveness(dB)、Ｅｉは入射
電界強度（Ｖ／ｍ）、Ｅｔは伝送電界強度（Ｖ／ｍ）を
表わす。そして、得られた測定値から下記の基準で評価
した。 ＳＥ＝５０ｄＢ以上 ：◎ ＳＥ＝４０以上５０ｄＢ未満：○ ＳＥ＝４０ｄＢ未満 ：× 電界波シールド特性の測定に関しては、ＫＥＣ（関西電
子工業振興センター）にて実施した。

【００４７】［実施例１］厚さ５０μｍの二軸配向ポリ
エチレンテレフタレートフィルム（以下ＰＥＴフィルム
と記述する。なおＰＥＴの融点は２５５℃である。）の
片面に、厚さ３０ｎｍの酸化インジウム層（誘電体層：
第１層）を設け、次に第１層の表面に、厚さ８ｎｍの銀
薄膜層（金属層：第２層）を設け、次に厚さ６０ｎｍの
酸化インジウム層（誘電体層：第３層）を設け、次に厚
さ１０ｎｍの銀薄膜層（金属層：第４層）を設け、次に
厚さ６０ｎｍの酸化インジウム層（誘電体層：第５層）
を設け、次に厚さ８ｎｍの銀薄膜層（金属層：第６層）
を設け、次に厚さ３０ｎｍの酸化インジウム層（誘電体
層：第７層）を順次設けた透明導電性フィルム（Ａ）を
作製した。この導電層の表面抵抗値は３Ω／□であっ
た。次に、イソフタル酸を１２ｍｏｌ％共重合したポリ
エチレンテレフタレート（共重合ＰＥＴ）を２８０℃で
溶融押し出し、急冷固化して未延伸フィルムとし、つい
で未延伸フィルムを縦延伸温度１００℃で３．０倍延伸
し、次いで横延伸開始温度１１０℃で終了温度１６０℃
倍率３．１倍で逐次延伸し、次いで１９０℃で熱固定し
て厚み５０μｍの透明樹脂フィルム（Ｂ）を作成した。
この透明樹脂フィルム（Ｂ）を前述の透明導電性フィル
ム（Ａ）のＰＥＴ面にウレタン系接着剤を用いラミネー
ト接着を行ない、フィルム積層体を作製した。次いで、
このフィルム積層体を押出し成形用金型にセットし、透
明樹脂フィルム（Ｂ）側の面に、３２５℃に加熱溶融さ
れたポリカーボネートを射出成形し、ポリカーボネート
透明樹脂板（厚さ５ｍｍ）を得た。さらに導電層端部に
銀ペーストよりなる電極を作製しアースを設けた。この
構造体の特性を表１に示す。

【００４８】［実施例２］厚さ５０μｍのＰＥＴフィル
ム（透明導電フィルムのベースフィルム）を製膜する
際、実施例１と同じ共重合ＰＥＴを同時にダイより押し
出し実施例１と同じ方法で積層フィルムを作成した。こ
の積層フィルムのＰＥＴ面に実施例１と同じ方法で導電
層を設け、さらに実施例１と同じ方法で構造体を作成し
た。この構造体の特性を表１に示す。

【００４９】［実施例３］共重合ＰＥＴの代わりに厚さ
１００μｍのポリカーボネートフィルムを使用する以外
は実施例１と同じ方法でフィルム積層体を作成し、さら
に実施例１と同じ方法でポリカーボネート透明樹脂板を
積層した。この構造体の特性を表１に示す。

【００５０】［比較例１］厚さ１００μｍのＰＥＴフィ
ルム（透明導電フィルムの基材フィルム）を用い、共重
合ＰＥＴを積層しない以外は実施例１と同じ方法で透明
導電性フィルムを作成し、さらに実施例１と同じ方法で
ポリカーボネート透明樹脂板を積層した。この構造体の
特性を表１に示す。なお、上記透明導電性フィルムは、
実施例１の透明樹脂フィルム（Ｂ）に共重合ＰＥＴフィ
ルムに代えてＰＥＴフィルムを用いたものと同等であ
る。

【００５１】［比較例２］実施例１で作製した透明導電
性フィルムを、厚さ５ｍｍのポリカーボネート樹脂板に
粘着剤を介して貼り付け、構造体を作製した。この構造
体の特性を表１に示す。

【００５２】

【表１】 --------------------------------------------------------------------- 透明樹脂 ヘーズ 可視光 近赤外 密着性 透明性 シールド の融点 透過率 反射率 効果 (℃) (％) (％) (％) --------------------------------------------------------------------- 実施例１ ２０２ ３．４ ７２ ４３ ○ ○ ○ 実施例２ ２０２ ３．６ ７３ ４３ ○ ○ ○ 実施例３ ２２０ ２．７ ７６ ４３ ○ ○ ○ 比較例１ ２５５ ２．２ ７１ ４３ × ○ ○ 比較例２ − ４．２ ６８ ４３ △ × ○ ---------------------------------------------------------------------

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、透明性、電界波シール
ド性、密着性に優れた透明導電構造体を提供することが
できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AB01A AB24 AK01C AK01D AK03D AK12D AK12J AK25D AK25J AK27D AK27J AK42B AK42C AK45C AK45D AK51G AL01C AL01D AR00A AT00B BA04 BA07 BA10A BA10D BA26 CB03 EA061 EC032 EH012 EH171 EJ172 EJ38B EJ422 GB41 JA04B JA04C JD08 JG01A JG04A JG05A JL11 JN01 JN01B JN01C JN01D JN06 JN08 JN30 YY00 YY00A YY00B YY00C 5E321 AA04 BB23 BB25 CC16 GG05 GH01

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （１）少なくとも片面に導電層を有する
   透明導電性フィルム（Ａ）、（２）透明樹脂フィルム
   （Ｂ）および（３）透明樹脂版（Ｃ）をこの順序で互い
   に積層された構造体であって、(i) 該透明樹脂フィルム
   （Ｂ）を形成する樹脂の融点（Ｔｍ）は該透明導電性フ
   ィルム（Ａ）を形成する基材樹脂の融点（Ｔｍｒ）より
   低く、(ii) 該構造体のヘーズ値が４％以下、(iii) 該
   構造体の波長４００〜７５０ｎｍの全可視光透過率が７
   ０％以上、(iv) 該構造体の波長７５０〜１０００ｎｍ
   の近赤外線反射率が４０％以上であり、かつ(v) 該構造
   体の１０００〜２０００Ｈｚの電界波シールド効果が４
   ０ｄｂ以上であることを特徴とする透明電界波シールド
   性構造体。
2. 【請求項２】 透明導電性フィルム（Ａ）が、ポリエチ
   レンテレフタレートフィルムまたはポリエチレンナフタ
   レートフィルムよりなる二軸配向フィルムをベースフィ
   ルムとして形成されている請求項１記載の透明電界波シ
   ールド性構造体。
3. 【請求項３】 透明導電性フィルム（Ａ）が、ベースフ
   ィルムの少なくとも片面に金属層および誘電体層を交互
   に積層させた導電層を有し、かつその表面抵抗値が５Ω
   ／□以下である請求項１記載の透明電界波シールド性構
   造体。
4. 【請求項４】 透明導電性フィルム（Ａ）のベースフィ
   ルムの厚みが２５〜２５０μｍの範囲である請求項１記
   載の透明電界波シールド性構造体。
5. 【請求項５】 透明樹脂フィルム（Ｂ）が、融点が１８
   ０〜２４０℃である共重合ポリエチレンテレフタレート
   より形成されたフィルムである請求項１記載の透明電界
   波シールド性構造体。
6. 【請求項６】 透明樹脂フィルム（Ｂ）が、ポリカーボ
   ネート樹脂より形成されたフィルムである請求項１記載
   の透明電界波シールド性構造体。
7. 【請求項７】 透明樹脂フィルム（Ｂ）の厚みが、２５
   〜７５０μｍの範囲である請求項１記載の透明電界波シ
   ールド性構造体。
8. 【請求項８】 透明樹脂板（Ｃ）が、ポリカーボネート
   樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、アクリロニトリ
   ル−スチレン共重合体、ポリスチレン樹脂、メチルメタ
   クリレート−スチレン共重合体またはポリオレフィン樹
   脂から形成された板である請求項１記載の透明電界波シ
   ールド性構造体。
9. 【請求項９】 透明樹脂板（Ｃ）が、ポリカーボネート
   樹脂より形成された板である請求項１記載の透明電界波
   シールド性構造体。
10. 【請求項１０】 透明樹脂板（Ｃ）の厚みが２〜１５ｍ
    ｍの範囲である請求項１記載の透明電界波シールド性構
    造体。
11. 【請求項１１】 透明導電性フィルム（Ａ）および透明
    樹脂フィルム（Ｂ）が接着剤層を介して互いに接着され
    ているか、あるいは直接両者の固着により積層されてい
    る請求項１記載の透明電界波シールド性構造体。
12. 【請求項１２】 透明樹脂フィルム（Ｂ）および透明樹
    脂板（Ｃ）が直接両者の表面の固着により積層されてい
    る請求項１記載の透明電界波シールド性構造体。
13. 【請求項１３】 全体の厚みが２．５〜１６ｍｍの範囲
    である請求項１記載の透明電界波シールド性構造体。
14. 【請求項１４】 導電層表面にアースを設けた請求項１
    記載の透明電界波シールド性構造体。
15. 【請求項１５】 片面に導電層を有する透明導電性フィ
    ルム（Ａ）および透明樹脂フィルム（Ｂ）よりなる積層
    体の透明樹脂フィルム（Ｂ）側の表面において、溶融し
    た透明樹脂を板状に成形せしめることを特徴とする請求
    項１記載の透明導電性構造体の製造方法。
16. 【請求項１６】 片面に透明導電層を有する透明導電性
    フィルム（Ａ）および透明樹脂フィルム（Ｂ）よりなる
    積層体をその透明樹脂フィルム（Ｂ）側の表面におい
    て、加熱された透明樹脂板（Ｃ）に熱圧着せしめること
    を特徴とする請求項１記載の透明導電性構造体の製造方
    法。