JP2000214092A - 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備 - Google Patents

気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備

Info

Publication number
JP2000214092A
JP2000214092A JP7613A JP2000007613A JP2000214092A JP 2000214092 A JP2000214092 A JP 2000214092A JP 7613 A JP7613 A JP 7613A JP 2000007613 A JP2000007613 A JP 2000007613A JP 2000214092 A JP2000214092 A JP 2000214092A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
analysis system
plasma
analyzing
gas analysis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7613A
Other languages
English (en)
Inventor
Eric Chevalier
エリツク・シユバリエ
Philippe Maquin
フイリツプ・マカン
Bernard Rolland
ロラン・ベルナール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent SAS
Nokia Inc
Original Assignee
Alcatel SA
Nokia Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alcatel SA, Nokia Inc filed Critical Alcatel SA
Publication of JP2000214092A publication Critical patent/JP2000214092A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
    • G01N21/68—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using high frequency electric fields

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Automatic Analysis And Handling Materials Therefor (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 分析すべき気体をイオン化する装置（２、
６）と、イオン化された気体を分析する装置（４、５）
とを備えた、制御された圧力下でエンクロージャ（３）
内の気体を分析するガス分析システムを提供すること。 【解決手段】 本発明によれば、分析すべき気体をイオ
ン化する装置（２、６）は、エンクロージャ（３）内に
含まれれた気体と接触しかつ分析すべき気体からプラズ
マを発生させる発生器（６）に結合された専用プラズマ
源（２）を備え、イオン化された気体を分析する装置
（４、５）は、プラズマが発生する領域の近傍に位置し
かつ発生したプラズマによって放出された放射スペクト
ルの変動を分析する分光計（５）に接続された放射セン
サ（４）を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体排出物を分析
する方法およびシステムに関する。より詳細には、本発
明は、制御された圧力下でエンクロージャ内の気体排出
物を分析する方法およびシステムに関する。本発明はま
た、圧力が制御された少なくとも１つのエンクロージャ
と、圧力が制御された前記エンクロージャ内に含まれた
気体を分析するシステムとを含んでいる工業設備に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体産業における近年の進歩は、本質
的には、数平方ミリメートルの構成要素に電子回路を集
積させることに関する。この集積は、次第に大きなシリ
コン基板（直径２００ｍｍから３００ｍｍ）上で行われ
ている。
【０００３】このような回路を製造するのに必要な技術
的ステップの数は多い（最大４００ステップ）。
【０００４】そのステップのうち、真空処理ステップ
は、製造工程を通して連続的に生産できる点、および構
成要素の幾何的基準を満たす働きをする点で極めて重要
である。
【０００５】現場分析システムを設置すると、欠陥が発
生するとすぐにそれが認識され、したがって多数のバッ
チを生産できる反応時間が短縮される。
【０００６】その結果、真空内で行われるプラズマ半導
体製造工程の現場における実時間の監視および制御に対
して高い要望が生じている。
【０００７】この要求は、様々なステップが行われるチ
ャンバ内だけでなく、排気ラインを構成する様々な構成
要素に対しても高まっている。
【０００８】現場検査ステップのうち、有機成分、粒
子、カビ（ｍｏｌｄ）、金属イオン、および気体のまた
は凝縮限界にある任意の気体の分析は、以下のことを可
能にするため、重要である。
【０００９】最適な製造条件が満たされているかどうか
判定すること。例えば、プロセスチャンバより上流の、
真空ポンプシステム内で行われる現場分析は、シリコン
ウェハの環境をよりよく制御できるようにし、それによ
り製造歩留まりを向上させる。
【００１０】機械を構成する機械的構成要素のエージン
グを推定すること、したがって、予知保全によって、事
態を先取りすることにより機械の保全スケジュールを効
果的に管理すること。
【００１１】ガス分析技術を導入する際に直面する問題
は、その投資コストと、工程で発生する製造コストおよ
び品質コストと比較した、欠陥を前もって検出すること
により達成される節約とにある。
【００１２】さらに、ポンプシステムを半導体設備に統
合することを考慮すると、ガス分析システムはますます
小さくしていかなければならない。
【００１３】０．１ｍｂａｒから１０００ｍｂａｒの範
囲で動作するガス分析器は、工程ステップ中に反応種を
監視できるようにし、しかも真空設備の出口まで全体に
わたって監視できるようにする。このことにより、大気
中に解放された気体のモニタリングを向上させる。
【００１４】知られているように、質量分析による残留
ガス分析（ＲＧＡ）は、不活性ガス種および荷電ガス種
全てを検出できるようにする。分子は通常、高温フィラ
メントからの熱電子放出によって放出された電子によ
り、電離箱内でイオン化される。この技術は１０−６ｍ
ｂａｒより低い圧力で適用でき、１０−５ｍｂａｒより
高いとき、反応は非線形になり、１０−４ｍｂａｒより
高いときは、フィラメントが破損する可能性がある。
【００１５】望ましい範囲（０．１ｍｂａｒから１００
０ｍｂａｒ）内で気体を分析する際、フィラメントの破
損を避けるために、差圧排気を準備して、分析ユニット
内部の圧力を減少させる必要がある。差圧排気装置は、
複数の真空ポンプと多数のバルブとを備える。
【００１６】複数の真空ポンプおよびバルブが使用され
るため、高圧（０．１ｍｂａｒから１０００ｍｂａｒ）
で動作するガス分析器のコストは、残留真空のみを分析
するＲＧＡタイプ分析器の６倍である。したがって、こ
のコストは、半導体製造機械のコストやその量的効率、
質的効率と比較すると問題となる。
【００１７】さらに、差圧排気を用いた質量ガス分析器
は、体積の大きい真空構成要素をいくつか組み込んでい
るため、占有する空間が広くなる。これにより、製造室
をいくつか備えることがある現在の真空設備に、この分
析器を統合するのが困難になっている。
【００１８】このため、業界の要望にもかかわらず、ガ
ス分析器を装備している真空設備はほとんどない。
【００１９】半導体を製造する設備に発光分光を使用す
ることも知られている。発光分析は、半導体構成要素ま
たは半導体回路をエッチングする工程で、エッチングの
終了を検出するために使用される。分析されるプラズマ
は、発光分光計のみを備える計測器を有する設備の反応
器によって生成されるプラズマであり、この発光分光計
はエッチング工程からの光を分析することによって、工
程自体のステップを監視できるようにする。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
分析を使用して、半導体設備の製造工程またはエッチン
グ工程のステップを監視することではなく、上記設備の
真空環境の全ての気体成分を監視することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】このために、本発明は、
分析すべき気体をイオン化する装置と、イオン化された
気体を分析する装置とを備えた、制御された圧力下でエ
ンクロージャ内の気体を分析するガス分析システムを提
供する。
【００２２】本発明によれば、分析すべき気体をイオン
化する装置は、エンクロージャ内に含まれた気体と接触
しかつ分析すべき気体からプラズマを発生させる発生器
に結合された専用プラズマ源を備え、イオン化された気
体を分析する装置は、プラズマが発生する領域の近傍に
位置しかつ発生したプラズマによって放出された放射ス
ペクトルの変動を分析する分光計に接続された放射セン
サを備える。
【００２３】プラズマ源は、共振空洞タイプのマイクロ
波源、または表面波伝搬原理を用いたタイプのマイクロ
波源でよい。
【００２４】代替方法は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）
タイプの高周波プラズマ源を使用する。そのようなプラ
ズマ源には、石英またはアルミナからなる誘電体が必要
である（排出物の化学的性質による。例えば、フッ素含
有ガスは石英と激しく反応する）。その誘電体はシーリ
ングとなり、電磁波は透過する。
【００２５】放射センサは、発生したプラズマによって
放出された放射スペクトルをピックアップし、それを分
光計へ伝達する働きをする光ファイバでよい。
【００２６】第１の実施形態では、分析システムは、気
体排出物を監視すべきパイプに直列に統合される。
【００２７】代替実施形態では、分析システムは、外部
継手を介してパイプに取り付けられている。
【００２８】本発明はまた、圧力が制御された少なくと
も１つのエンクロージャと、圧力が制御された上記エン
クロージャ内に含まれた気体を分析するガス分析システ
ムとを含む設備を提供する。
【００２９】本発明によれば、ガス分析システムは、上
に規定したようなものである。
【００３０】各プラズマ源は、上記設備が動作する間、
低圧から大気圧まで、エンクロージャ内に存在する気体
からプラズマを発生させることを可能にする。
【００３１】このタイプのプラズマ源によって得られる
イオン化効率は、１０−１ｍｂａｒの圧力では１０％に
近く、そのため、精度の高い計測が実現される。
【００３２】分光計は、光を回折した後、プラズマの自
由電子によって励起されたときに原子、分子、およびイ
オンが放出する放射の変動を実時間で分析する。
【００３３】したがって、大気圧で動作可能なプラズマ
源を、発光スペクトル分析システムと組み合わせて使用
することにより、圧力が制御されたエンクロージャの内
部にある気体を連続的に診断することができるようにな
る。
【００３４】イオン化源を動作させるのに差分排気を使
用する必要はないが、これを使用することによってガス
分析器の体積が減少し、それゆえ分析器を半導体設備に
（直列にまたは標準的な継手を介して）容易に統合でき
る。
【００３５】最後に、この光学分析技術のコストは、光
学検出器をただ１つのイオン化源のみに関連させるた
め、少なくてすむ。これにより、この技術を、半導体産
業で使用される設備の真空ラインで一般的に利用しやす
くなる。
【００３６】本発明の他の利点および特徴は、添付の図
面を参照しながら示す以下の説明から明らかとなる。
【００３７】
【発明の実施の形態】本発明のガス分析システム１は、
制御された圧力下で、エンクロージャ３内に含まれた気
体排出物を分析する働きをする。例えば、エンクロージ
ャ３は、半導体集積回路を製造する設備（図示せず）の
真空ライン３でよい。
【００３８】ガス分析システム１の動作原理は、気体を
イオン化すること、および気体をイオン化することで生
じる放射スペクトルを分析することに基づいている。
【００３９】このために、ガス分析システム１は、分析
すべき気体をイオン化する装置を含む。この装置は、エ
ンクロージャ３内の気体と接触する専用プラズマ源２に
よって構成され、分析すべき気体からプラズマを発生さ
せる。プラズマ源２は、選択されたタイプのプラズマ源
２に合う発生器６によって電力を供給される。
【００４０】一実施形態では、プラズマ源２は、共振空
洞タイプのマイクロ波源、または表面波伝搬原理を用い
たタイプのマイクロ波源である。この場合、発生器６
は、マイクロ波発生器である。
【００４１】別の実施形態では、プラズマ源２は、誘導
結合高周波プラズマ（ＩＣＰ）タイプの高周波（ＲＦ）
プラズマ源である。この場合、発生器６はＲＦ発生器で
ある。
【００４２】プラズマを分析するため、本発明のガス分
析システム１は、専用プラズマ源２の近傍に位置するプ
ローブ４を有しかつ生成されたプラズマが放出する放射
スペクトルの変動を分析する分光計タイプのイオン化ガ
ス分析装置４、５を含む。イオン化ガス分析装置４、５
は、分析されるエンクロージャ３内でプラズマ源２の近
傍に位置する一端と、発光分光計５に接続された他端を
有するプローブ光ファイバ４を含む。プラズマの自由電
子によって励起された原子、分子、およびイオンが放出
する放射は、光ファイバ４を介して発光分光計５に伝達
される。発光分光計５は、放射の変動を分析し、そこか
らイオン化気体の成分に関する情報を導き出す。
【００４３】図１は、気体排出物を監視すべきパイプ３
に直列に統合された本発明のシステム１の図である。
【００４４】図２に示される別の接続構成では、本発明
のシステム１は、外部継手７を介してパイプ３に取り付
けることができる。
【００４５】当然、本発明は説明した実施形態に限定さ
れるものではなく、当業者は本発明を逸脱することなく
多数の変形を実現できる。特に、プラズマを発生させる
解決法はどのようなものでも説明した方法の代わりに使
用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシステムの第１の接続構成を示す図で
ある。
【図２】本発明のシステムの第２の接続構成を示す図で
ある。
【符号の説明】
１ ガス分析システム ２ 専用プラズマ源 ３ エンクロージャ ４ 放射センサ ５ 分光計 ６ 発生器 ７ 外部継手
フロントページの続き (72)発明者 ロラン・ベルナール フランス国、74540・ビユ−ラ−シーザ、 ルート・ドユ・シヤネ、1421

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 分析すべき気体をイオン化する装置
    （２、６）と、イオン化された気体を分析する装置
    （４、５）とを備えた、制御された圧力下でエンクロー
    ジャ（３）内の気体を分析するガス分析システムであっ
    て、 分析すべき気体をイオン化する前記装置（２、６）が、
    エンクロージャ（３）内に含まれた気体と接触しかつ分
    析すべき気体からプラズマを発生させる発生器（６）に
    結合された専用プラズマ源（２）を備え、 イオン化された気体を分析する前記装置（４、５）が、
    プラズマが発生する領域の近傍に位置しかつ発生したプ
    ラズマによって放出された放射スペクトルの変動を分析
    する分光計（５）に接続された放射センサ（４）を備え
    ることを特徴とするガス分析システム。
  2. 【請求項２】 プラズマ源（２）が共振空洞タイプのマ
    イクロ波源であることを特徴とする請求項１に記載のガ
    ス分析システム。
  3. 【請求項３】 プラズマ源（２）が表面波伝搬原理を用
    いたマイクロ波源であることを特徴とする請求項１に記
    載のガス分析システム。
  4. 【請求項４】 プラズマ源（２）が誘導結合プラズマ
    （ＩＣＰ）タイプの高周波プラズマ源であることを特徴
    とする請求項１に記載のガス分析システム。
  5. 【請求項５】 放射センサ（４）が、発生したプラズマ
    によって放出された放射スペクトルをピックアップして
    それを分光計（５）へ伝達する働きをする光ファイバで
    あることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に
    記載のガス分析システム。
  6. 【請求項６】 気体排出物を監視すべきパイプ（３）内
    に直列に統合されていることを特徴とする請求項１から
    ５のいずれか一項に記載のガス分析システム。
  7. 【請求項７】 外部継手（７）を介してパイプ（３）に
    取り付けられていることを特徴とする請求項１から５の
    いずれか一項に記載のガス分析システム。
  8. 【請求項８】 圧力が制御された少なくとも１つのエン
    クロージャ（３）と、圧力が制御された前記エンクロー
    ジャ内に含まれた気体を分析するガス分析システム
    （１）とを含んでいる設備であって、ガス分析システム
    （１）が請求項１から７のいずれか一項に記載のガス分
    析システムであることを特徴とする設備。
JP7613A 1999-01-22 2000-01-17 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備 Pending JP2000214092A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9900723 1999-01-22
FR9900723A FR2788854B1 (fr) 1999-01-22 1999-01-22 Systeme et procede d'identification d'effluents gazeux, equipement pourvu d'un tel systeme

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010002484A Division JP2010078616A (ja) 1999-01-22 2010-01-08 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000214092A true JP2000214092A (ja) 2000-08-04

Family

ID=9541144

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7613A Pending JP2000214092A (ja) 1999-01-22 2000-01-17 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備
JP2010002484A Pending JP2010078616A (ja) 1999-01-22 2010-01-08 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010002484A Pending JP2010078616A (ja) 1999-01-22 2010-01-08 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6643014B2 (ja)
EP (1) EP1022559B1 (ja)
JP (2) JP2000214092A (ja)
AT (1) ATE371858T1 (ja)
DE (1) DE60036145T2 (ja)
FR (1) FR2788854B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005210118A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Alcatel ミニエンバイロンメントの制御およびパージを行うためのステーション
JP2005228727A (ja) * 2003-04-24 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置
JP2008525750A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 アルカテル−ルーセント 凍結乾燥処理中に脱水運転を監視するための装置及び方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6791692B2 (en) * 2000-11-29 2004-09-14 Lightwind Corporation Method and device utilizing plasma source for real-time gas sampling
GB0101835D0 (en) * 2001-01-24 2001-03-07 Casect Ltd Analysable package
US7123361B1 (en) 2003-03-05 2006-10-17 Verionix Incorporated Microplasma emission spectrometer
DE602004009341D1 (de) * 2003-07-25 2007-11-15 Lightwind Corp Verfahren und vorrichtung zur überwachung chemischer prozesse
US7309842B1 (en) 2004-03-19 2007-12-18 Verionix Incorporated Shielded monolithic microplasma source for prevention of continuous thin film formation
DE102004061269A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Siemens Ag Verfahren zum Reinigen eines Werkstückes mit Halogenionen
FR2887072A1 (fr) * 2005-06-08 2006-12-15 Alcatel Sa Systeme spectographique ameliore avec source plasma
GB2441582A (en) * 2006-09-01 2008-03-12 Gencoa Ltd Process monitoring and control
US20080090310A1 (en) * 2006-10-13 2008-04-17 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing termination detection method
FR2907219B1 (fr) * 2006-10-17 2008-12-12 Alcatel Sa Caracterisation de gaz par spectrometrie optique a emission
US9997325B2 (en) 2008-07-17 2018-06-12 Verity Instruments, Inc. Electron beam exciter for use in chemical analysis in processing systems
FR2955927B1 (fr) * 2010-02-01 2012-04-06 Alcatel Lucent Dispositif et procede de pilotage d'une operation de deshydratation durant un traitement de lyophilisation
CN103048377B (zh) * 2011-10-17 2015-06-10 中国科学院化学研究所 极紫外(euv)光刻胶超高真空热处理检测装置与方法
AU2014240385B2 (en) 2013-03-13 2018-02-15 Radom Corporation Plasma generator using dielectric resonator
DE102014000343A1 (de) * 2014-01-11 2015-07-16 Dräger Safety AG & Co. KGaA Gasmessgerät
ES2589964B1 (es) * 2015-04-17 2017-09-05 Abengoa Solar New Technologies, S.A. Sistema y método de análisis del gas presente en el espacio interanular de receptores solares de tubo
US10900907B2 (en) 2017-02-17 2021-01-26 Radom Corporation Portable plasma source for optical spectroscopy
KR101931324B1 (ko) * 2017-09-14 2018-12-20 (주)나노텍 셀프 플라즈마 챔버의 오염 억제 장치
CN111197157A (zh) * 2018-11-16 2020-05-26 长鑫存储技术有限公司 具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置
CN109959647B (zh) * 2019-04-17 2021-08-31 广东省新材料研究所 一种光谱诊断辅助装置
WO2022163635A1 (ja) * 2021-01-29 2022-08-04 アトナープ株式会社 ガス分析装置および制御方法
KR102686910B1 (ko) 2021-08-09 2024-07-19 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 장치 및 반도체 소자의 제조 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3521959A (en) * 1967-08-29 1970-07-28 Atomic Energy Commission Method for direct spectrographic analysis of molten metals
US3843257A (en) * 1971-11-30 1974-10-22 Monsanto Res Corp Microwave-excited emission detector
US3958883A (en) * 1974-07-10 1976-05-25 Baird-Atomic, Inc. Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples
DE2649912A1 (de) * 1975-11-28 1977-06-08 Macourt Trennung und analyse von teilchenueberzuegen
US4629887A (en) * 1983-03-08 1986-12-16 Allied Corporation Plasma excitation system
JPH01129140A (ja) * 1987-11-16 1989-05-22 Hitachi Ltd プラズマ発光分光分析装置
JP2675561B2 (ja) * 1987-12-18 1997-11-12 株式会社日立製作所 プラズマ微量元素分折装置
JPH01227048A (ja) * 1988-03-08 1989-09-11 Fujitsu Ltd 粒子組成分析装置
US4857136A (en) * 1988-06-23 1989-08-15 John Zajac Reactor monitoring system and method
JPH0754293B2 (ja) * 1989-01-09 1995-06-07 横河電機株式会社 微粒子測定装置
JPH0411460U (ja) * 1990-05-22 1992-01-30
US5671045A (en) * 1993-10-22 1997-09-23 Masachusetts Institute Of Technology Microwave plasma monitoring system for the elemental composition analysis of high temperature process streams
DE19505104A1 (de) * 1995-02-15 1996-08-22 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren und Anordnung zur Bestimmung der Reinheit und/oder des Drucks von Gasen für elektrische Lampen
JP3571404B2 (ja) * 1995-03-03 2004-09-29 アネルバ株式会社 プラズマｃｖｄ装置及びその場クリーニング後処理方法
US5825485A (en) * 1995-11-03 1998-10-20 Cohn; Daniel R. Compact trace element sensor which utilizes microwave generated plasma and which is portable by an individual
DE19544506C2 (de) * 1995-11-29 2000-08-10 Peter R Perzl Vorrichtung und Verfahren zur Analyse von Flüssigkeitszusammensetzungen mit Hilfe direkter Glimmentladung
US5986747A (en) * 1998-09-24 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for endpoint detection in non-ionizing gaseous reactor environments
US6366346B1 (en) * 1998-11-19 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for optical detection of effluent composition

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228727A (ja) * 2003-04-24 2005-08-25 Tokyo Electron Ltd プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置
JP2005210118A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Alcatel ミニエンバイロンメントの制御およびパージを行うためのステーション
JP2008525750A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 アルカテル−ルーセント 凍結乾燥処理中に脱水運転を監視するための装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
FR2788854A1 (fr) 2000-07-28
DE60036145D1 (de) 2007-10-11
EP1022559B1 (fr) 2007-08-29
US6643014B2 (en) 2003-11-04
EP1022559A1 (fr) 2000-07-26
ATE371858T1 (de) 2007-09-15
US20030160956A1 (en) 2003-08-28
DE60036145T2 (de) 2008-05-21
FR2788854B1 (fr) 2001-05-04
JP2010078616A (ja) 2010-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010078616A (ja) 気体排出物を識別する方法とシステム、およびそのようなシステムを備えた設備
US6366346B1 (en) Method and apparatus for optical detection of effluent composition
US6157867A (en) Method and system for on-line monitoring plasma chamber condition by comparing intensity of certain wavelength
US8083888B2 (en) Plasma processing apparatus
CN1221807A (zh) 现场监视等离子体腐蚀装置及方法
KR100557673B1 (ko) 플라즈마 장비를 시즌닝하는 방법
US20030046976A1 (en) Gas analyzing method and gas analyzer for semiconductor treater
KR102140711B1 (ko) 고진공 플라즈마 잔류가스 분석장치 및 이를 이용한 잔류가스 분석방법
JP7702343B2 (ja) Ｒｆプラズマ処理装置からのｒｆ信号を高速感知するためのデバイス
JP3660896B2 (ja) プラズマ処理装置のメンテナンス方法
US7355171B2 (en) Method and apparatus for process monitoring and control
KR20080101968A (ko) 반도체 제조 공정에 사용되는 가스 모니터링 장치
KR101591961B1 (ko) 플라즈마 처리 챔버의 플라즈마 상태 분석 장치 및 방법
JP2025026477A (ja) ガス分析装置および制御方法
KR100473856B1 (ko) 플라즈마 챔버의 공정 상태 관찰방법
JPH05291188A (ja) プラズマ処理装置のパラメータ監視システム
KR101349189B1 (ko) 원격 플라즈마 시스템 및 방법
KR102090057B1 (ko) 반도체 공정 챔버 및 가스라인의 가스분석을 위한 tof ms 가스질량분석 모니터링 시스템
EP1895296A1 (en) Mass analyzer and use thereof
JP2001250812A (ja) プラズマ処理の終点検出方法及び終点検出装置
US20050221617A1 (en) Inductively coupled plasma chamber attachable to a processing chamber for analysis of process gases
TW201409017A (zh) 一種等離子處理系統
JP2003163203A (ja) 半導体製造装置
JPH07258853A (ja) プロセスの状態を識別する方法および装置
CN220272426U (zh) 一种用于晶圆处理设备的监控装置及晶圆处理设备

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080617

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080911

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080917

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090120

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090414

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090717

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090908

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100108