JP2000214617A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JP2000214617A JP2000214617A JP1758099A JP1758099A JP2000214617A JP 2000214617 A JP2000214617 A JP 2000214617A JP 1758099 A JP1758099 A JP 1758099A JP 1758099 A JP1758099 A JP 1758099A JP 2000214617 A JP2000214617 A JP 2000214617A
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- Japan
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- charge
- photoconductor
- charging
- intensity
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Abstract
(57)【要約】
【課題】６００Ｖ以上の現像電位が達成された負帯電用
の画像形成装置を提供する。 【解決手段】導電性基板２の上にａ−Ｓｉ：Ｈからなる
電荷注入阻止層３および光導電層４を順次積層して、光
導電層４の赤外線吸収スペクトルにおける波数２０００
ｃｍ-1での強度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉ
ｂとを０．２２≦Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関
係式を満たすようにした感光体８、負電荷を付与するコ
ロナ帯電器９、光波長ピーク７４０ｎｍ以上の露光器１
０、現像機１２、転写器１４、クリーニング手段１５、
除電手段１６とを配設した負帯電用画像形成装置７。
の画像形成装置を提供する。 【解決手段】導電性基板２の上にａ−Ｓｉ：Ｈからなる
電荷注入阻止層３および光導電層４を順次積層して、光
導電層４の赤外線吸収スペクトルにおける波数２０００
ｃｍ-1での強度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉ
ｂとを０．２２≦Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関
係式を満たすようにした感光体８、負電荷を付与するコ
ロナ帯電器９、光波長ピーク７４０ｎｍ以上の露光器１
０、現像機１２、転写器１４、クリーニング手段１５、
除電手段１６とを配設した負帯電用画像形成装置７。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は水素化アモルファス
シリコンからなる電荷注入阻止層および光導電層を備え
た電子写真感光体を負帯電にして、さらにＬＥＤヘッド
やレーザー光でもって露光するようにした負帯電型の画
像形成装置に関するものである。
シリコンからなる電荷注入阻止層および光導電層を備え
た電子写真感光体を負帯電にして、さらにＬＥＤヘッド
やレーザー光でもって露光するようにした負帯電型の画
像形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン（以下、アモルフ
ァスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）を光導電層とした
感光体が、すでに製品化されているが、このａ−Ｓｉ感
光体は正帯電用であって、導電性基板上にグロー放電分
解法により水素化アモルファスシリコン（以下、水素化
アモルファスシリコンをａ−Ｓｉ：Ｈと略記する）から
なる電荷注入阻止層とａ−Ｓｉ：Ｈ光導電層とを順次積
層した層構成である。そして、ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷注入阻
止層に周期律表第III ａ族元素をドーピングすることで
電子に対するポテンシャル障壁が形成され、これによ
り、導電性基板からの電子の注入を防ぎ、正帯電用の電
子写真感光体が得られる。
ァスシリコンをａ−Ｓｉと略記する）を光導電層とした
感光体が、すでに製品化されているが、このａ−Ｓｉ感
光体は正帯電用であって、導電性基板上にグロー放電分
解法により水素化アモルファスシリコン（以下、水素化
アモルファスシリコンをａ−Ｓｉ：Ｈと略記する）から
なる電荷注入阻止層とａ−Ｓｉ：Ｈ光導電層とを順次積
層した層構成である。そして、ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷注入阻
止層に周期律表第III ａ族元素をドーピングすることで
電子に対するポテンシャル障壁が形成され、これによ
り、導電性基板からの電子の注入を防ぎ、正帯電用の電
子写真感光体が得られる。
【０００３】他方、上記電荷注入阻止層に対し周期律表
第III ａ族元素に代えて周期律表第Ｖａ族元素をドーピ
ングすることでホールに対するポテンシャル障壁が形成
され、これにより、導電性基板からのホールの注入を防
ぐようにして、従来のＯＰＣ感光体に代わる負帯電用の
電子写真感光体が期待されているが、いまだ実用化には
至っていない。
第III ａ族元素に代えて周期律表第Ｖａ族元素をドーピ
ングすることでホールに対するポテンシャル障壁が形成
され、これにより、導電性基板からのホールの注入を防
ぐようにして、従来のＯＰＣ感光体に代わる負帯電用の
電子写真感光体が期待されているが、いまだ実用化には
至っていない。
【０００４】すなわち、既存の正帯電用の電子写真感光
体に対し、周期律表第III ａ族元素（以下、III ａ族元
素と略記する）の電荷注入阻止層へのドーピングを、周
期律表第Ｖａ族元素（以下、Ｖａ族元素と略記する）に
代えただけであれば、負極性に帯電するが、正極性にも
帯電することがわかった。そのため、このような電子写
真感光体をプリンタ（画像形成装置）に搭載し、負帯電
用トナーを使用して画像形成しようとすると、トナーを
紙に転写した際に上記正帯電性に起因して、転写バイア
ス電圧を打ち消し、画像特性上劣化した。
体に対し、周期律表第III ａ族元素（以下、III ａ族元
素と略記する）の電荷注入阻止層へのドーピングを、周
期律表第Ｖａ族元素（以下、Ｖａ族元素と略記する）に
代えただけであれば、負極性に帯電するが、正極性にも
帯電することがわかった。そのため、このような電子写
真感光体をプリンタ（画像形成装置）に搭載し、負帯電
用トナーを使用して画像形成しようとすると、トナーを
紙に転写した際に上記正帯電性に起因して、転写バイア
ス電圧を打ち消し、画像特性上劣化した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また、負帯電用の電子
写真感光体についても、帯電能は重要な特性であって、
正帯電と同様に高い帯電能が求められ、これによってコ
ントラストを上げることができる。
写真感光体についても、帯電能は重要な特性であって、
正帯電と同様に高い帯電能が求められ、これによってコ
ントラストを上げることができる。
【０００６】しかしながら、いまだ帯電能を高めるよう
な技術開発が十分に進められていなかった。ちなみに、
正帯電のａ−Ｓｉ感光体では、通常使用される露光手段
の照射光の波長ピークが７４０ｎｍ以上において、６０
０Ｖ未満の現像電位でしかなかった。とくに波長ピーク
が長くなると、その現像電位の低下傾向が顕著であっ
た。
な技術開発が十分に進められていなかった。ちなみに、
正帯電のａ−Ｓｉ感光体では、通常使用される露光手段
の照射光の波長ピークが７４０ｎｍ以上において、６０
０Ｖ未満の現像電位でしかなかった。とくに波長ピーク
が長くなると、その現像電位の低下傾向が顕著であっ
た。
【０００７】また、周知のＯＰＣ感光体においては、正
負のいずれの帯電であっても６００Ｖ以上の現像電位が
達成されている。
負のいずれの帯電であっても６００Ｖ以上の現像電位が
達成されている。
【０００８】本発明者は上記事情に鑑みて鋭意研究に努
めた結果、ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷注入阻止層にＶａ族元素を
ドーピングしないでも負極性に良好に帯電できるよう
に、その上に成膜するａ−Ｓｉ：Ｈ光導電層の赤外線吸
収スペクトルにおける波数２０００ｃｍ-1での強度Ｉａ
と、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとの関係を規定す
ることで膜質を高め、これによって優れた負帯電性が得
られ、さらに予想外にも露光手段の照射光の波長ピーク
が７４０ｎｍ以上において６００Ｖ以上の現像電位が達
成されることを見出した。
めた結果、ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷注入阻止層にＶａ族元素を
ドーピングしないでも負極性に良好に帯電できるよう
に、その上に成膜するａ−Ｓｉ：Ｈ光導電層の赤外線吸
収スペクトルにおける波数２０００ｃｍ-1での強度Ｉａ
と、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとの関係を規定す
ることで膜質を高め、これによって優れた負帯電性が得
られ、さらに予想外にも露光手段の照射光の波長ピーク
が７４０ｎｍ以上において６００Ｖ以上の現像電位が達
成されることを見出した。
【０００９】したがって本発明は上記知見により完成さ
れたものであり、その目的は優れた画像特性の負帯電用
の画像形成装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は優れた画像特性の負帯電用
の画像形成装置を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、露光手段の照射光の
波長ピークが７４０ｎｍ以上において６００Ｖ以上の現
像電位が得られた長波長タイプの高帯電性能の画像形成
装置を提供することにある。
波長ピークが７４０ｎｍ以上において６００Ｖ以上の現
像電位が得られた長波長タイプの高帯電性能の画像形成
装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の画像形成装置
は、導電性基板上にａ−Ｓｉ：Ｈからなる電荷注入阻止
層および光導電層を順次積層した感光体と、この感光体
の表面に電荷を付与する帯電手段と、感光体の帯電領域
に対し光照射する露光手段とからなり、これら帯電手段
と露光手段とにより感光体の表面に静電潜像を形成する
とともに、静電潜像に対応したトナー像を感光体の表面
に形成する現像手段と、トナー像を被転写材に転写する
転写手段と、転写後に感光体表面の残留トナーを除去す
るクリーニング手段と、転写後に残余静電潜像を除去す
る除電手段とを配設し、さらに上記光導電層に対する赤
外線吸収スペクトルにおいて波数２０００ｃｍ-1での強
度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとが０．２
２≦Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を満た
し、前記露光手段の照射光の波長ピークを７４０ｎｍ以
上にして、６００Ｖ以上の現像電位にすべく感光体表面
を負帯電にしたことを特徴とする。
は、導電性基板上にａ−Ｓｉ：Ｈからなる電荷注入阻止
層および光導電層を順次積層した感光体と、この感光体
の表面に電荷を付与する帯電手段と、感光体の帯電領域
に対し光照射する露光手段とからなり、これら帯電手段
と露光手段とにより感光体の表面に静電潜像を形成する
とともに、静電潜像に対応したトナー像を感光体の表面
に形成する現像手段と、トナー像を被転写材に転写する
転写手段と、転写後に感光体表面の残留トナーを除去す
るクリーニング手段と、転写後に残余静電潜像を除去す
る除電手段とを配設し、さらに上記光導電層に対する赤
外線吸収スペクトルにおいて波数２０００ｃｍ-1での強
度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとが０．２
２≦Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を満た
し、前記露光手段の照射光の波長ピークを７４０ｎｍ以
上にして、６００Ｖ以上の現像電位にすべく感光体表面
を負帯電にしたことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】感光体の構成 図１は発明の実施形態に係る感光体１の層構成であり、
導電性基板２の上にグロー放電分解法によりａ−Ｓｉ：
Ｈからなる電荷注入阻止層３およびａ−Ｓｉ：Ｈからな
る光導電層４とを順次積層し、この光導電層４上に表面
保護層５を積層する。
導電性基板２の上にグロー放電分解法によりａ−Ｓｉ：
Ｈからなる電荷注入阻止層３およびａ−Ｓｉ：Ｈからな
る光導電層４とを順次積層し、この光導電層４上に表面
保護層５を積層する。
【００１３】導電性基板２には銅、黄銅、ＳＵＳ、Ａ
ｌ、Ｎｉなどの金属導電体、あるいはガラス、セラミッ
クなどの絶縁体の表面に導電性薄膜を被覆したものなど
がある。この導電性基板２はシート状、ベルト状もしく
はウェブ状可とう性導電シートでもよく、このようなシ
ートにはＳＵＳ、Ａｌ、Ｎｉなどの金属シート、あるい
はポリエステル、ナイロン、ポリイミドなどの高分子樹
脂フィルムの上にＡｌ、Ｎｉなどの金属もしくは酸化ス
ズ、インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）などの透
明導電性材料や有機導電性材料を蒸着などにより被覆し
て導電処理したものを用いる。
ｌ、Ｎｉなどの金属導電体、あるいはガラス、セラミッ
クなどの絶縁体の表面に導電性薄膜を被覆したものなど
がある。この導電性基板２はシート状、ベルト状もしく
はウェブ状可とう性導電シートでもよく、このようなシ
ートにはＳＵＳ、Ａｌ、Ｎｉなどの金属シート、あるい
はポリエステル、ナイロン、ポリイミドなどの高分子樹
脂フィルムの上にＡｌ、Ｎｉなどの金属もしくは酸化ス
ズ、インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）などの透
明導電性材料や有機導電性材料を蒸着などにより被覆し
て導電処理したものを用いる。
【００１４】上記表面保護層５はａ−Ｓｉ、アモルファ
スシリコンカーバイド、アモルファスシリコンナイトラ
イド、アモルファスシリコンオキサイド、セレン等を、
グロー放電分解法、真空蒸着法、活性反応蒸着法、イオ
ンプレーテイング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパ
ッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、Ｄ
Ｃマグネトロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法などで成
膜形成する。また、有機材料を使用する場合には塗布な
どによって成膜形成する。
スシリコンカーバイド、アモルファスシリコンナイトラ
イド、アモルファスシリコンオキサイド、セレン等を、
グロー放電分解法、真空蒸着法、活性反応蒸着法、イオ
ンプレーテイング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパ
ッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、Ｄ
Ｃマグネトロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法などで成
膜形成する。また、有機材料を使用する場合には塗布な
どによって成膜形成する。
【００１５】上記電荷注入阻止層３については、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈに対し価電子制御用不純物としてのIII ａ族元素
および／またはＶａ族元素をドーピングせず、そして、
このようなノンドープであっても、光導電層４の赤外線
吸収スペクトルにおける波数２０００ｃｍ-1での強度Ｉ
ａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとを０．２２≦
Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を満たすよう
に設定することで、優れた負帯電能が得られた。
ｉ：Ｈに対し価電子制御用不純物としてのIII ａ族元素
および／またはＶａ族元素をドーピングせず、そして、
このようなノンドープであっても、光導電層４の赤外線
吸収スペクトルにおける波数２０００ｃｍ-1での強度Ｉ
ａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとを０．２２≦
Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を満たすよう
に設定することで、優れた負帯電能が得られた。
【００１６】すなわち、本発明においては、ノンドープ
のａ−Ｓｉ：Ｈは成膜中に形成される結合ネットワーク
の構造的欠陥に起因し、弱いｎ型を示すので、フォスフ
ィン（ＰＨ3 ）ガスなどを用いてＰをドーピングしなく
とも、光導電層４の膜質を規定することで優れた負帯電
能が得られることは予想外の効果であった。
のａ−Ｓｉ：Ｈは成膜中に形成される結合ネットワーク
の構造的欠陥に起因し、弱いｎ型を示すので、フォスフ
ィン（ＰＨ3 ）ガスなどを用いてＰをドーピングしなく
とも、光導電層４の膜質を規定することで優れた負帯電
能が得られることは予想外の効果であった。
【００１７】具体的には光導電層４をグロー放電分解法
にて成膜するに際し高周波電力を変えたり、あるいは成
膜速度をたとえば２．５〜７．０μｍ／時に、好適には
４．０〜６．０μｍ／時に設定することで、Ｓｉ原子と
Ｈ原子との結合状態である〔ＳｉＨ結合〕と〔（ＳｉＨ
2 ）n 結合〕の量比を規定できるが、それを赤外線吸収
スペクトルであらわした場合に、波数２０００ｃｍ-1で
の強度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとの関
係を示すＩＲ比をＩｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）で表して、０．
２２≦ＩＲ比≦０．３５、好適には０．２５≦ＩＲ比≦
０．３４の関係式を満たすように定めると優れた負帯電
能が得られ、さらにレーザー光、ＬＥＤなどの露光手段
の照射光の波長ピークを７４０ｎｍ以上にして、６００
Ｖ以上の現像電位が達成され、その結果、コントラスト
が向上する。
にて成膜するに際し高周波電力を変えたり、あるいは成
膜速度をたとえば２．５〜７．０μｍ／時に、好適には
４．０〜６．０μｍ／時に設定することで、Ｓｉ原子と
Ｈ原子との結合状態である〔ＳｉＨ結合〕と〔（ＳｉＨ
2 ）n 結合〕の量比を規定できるが、それを赤外線吸収
スペクトルであらわした場合に、波数２０００ｃｍ-1で
の強度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとの関
係を示すＩＲ比をＩｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）で表して、０．
２２≦ＩＲ比≦０．３５、好適には０．２５≦ＩＲ比≦
０．３４の関係式を満たすように定めると優れた負帯電
能が得られ、さらにレーザー光、ＬＥＤなどの露光手段
の照射光の波長ピークを７４０ｎｍ以上にして、６００
Ｖ以上の現像電位が達成され、その結果、コントラスト
が向上する。
【００１８】また、電荷注入阻止層３に酸素や窒素を含
有させて、禁制帯幅を大きくし、これによって電荷注入
阻止という機能上、障壁を高くすることができ、しか
も、酸素を含有させることで基板との密着性が高められ
る点でよい。ただし、酸素のみではシランガスとの反応
して爆発を引き起こし易いので不活性な窒素も併存させ
るとよく、実際には一酸化窒素（ＮＯ）ガスなどを使用
する。
有させて、禁制帯幅を大きくし、これによって電荷注入
阻止という機能上、障壁を高くすることができ、しか
も、酸素を含有させることで基板との密着性が高められ
る点でよい。ただし、酸素のみではシランガスとの反応
して爆発を引き起こし易いので不活性な窒素も併存させ
るとよく、実際には一酸化窒素（ＮＯ）ガスなどを使用
する。
【００１９】画像形成装置の構成 図２は本発明の感光体を搭載したプリンター構成の画像
形成装置７であり、８は感光体であり、この感光体８の
周面にコロナ帯電器９と、その帯電後に光照射する露光
器１０（ＬＥＤヘッドもしくはレーザー光）と、トナー
像を感光体８の表面に形成するためのトナー１１を備え
た現像機１２と、そのトナー像を被転写材１３に転写す
る転写器１４と、その転写後に感光体表面の残留トナー
を除去するクリーニング手段１５と、その転写後に残余
静電潜像を除去する除電手段１６とを配設した構成であ
る。また、１７は被転写材１３に転写されたトナー像を
熱もしくは圧力により固着するための定着器である。
形成装置７であり、８は感光体であり、この感光体８の
周面にコロナ帯電器９と、その帯電後に光照射する露光
器１０（ＬＥＤヘッドもしくはレーザー光）と、トナー
像を感光体８の表面に形成するためのトナー１１を備え
た現像機１２と、そのトナー像を被転写材１３に転写す
る転写器１４と、その転写後に感光体表面の残留トナー
を除去するクリーニング手段１５と、その転写後に残余
静電潜像を除去する除電手段１６とを配設した構成であ
る。また、１７は被転写材１３に転写されたトナー像を
熱もしくは圧力により固着するための定着器である。
【００２０】このカールソン法は次の〜の各プロセ
スを繰り返し経る。 感光体８の周面をコロナ帯電器９により帯電する。 露光器１０により画像を露光することにより、感光
体８の表面上に電位コントラストとしての静電潜像を形
成する。 この静電潜像を現像機１２により現像する。この現
像により黒色のトナーが静電潜像との静電引力により感
光体表面に付着し、可視化する。 感光体表面のトナー像を紙などの被転写材１３の裏
面よりトナーと逆極性の電界を加えて、静電転写し、こ
れにより、画像を被転写材１３の上に得る。 感光体表面の残留トナーをクリーニング手段１５に
より機械的に除去する。 感光体表面を強い光で全面露光し、除電手段１６に
より残余の静電潜像を除去する。また、この画像形成装
置７には通常の乾式現像を用いているが、その他、湿式
現像に使用される液体現像剤にも適用される。
スを繰り返し経る。 感光体８の周面をコロナ帯電器９により帯電する。 露光器１０により画像を露光することにより、感光
体８の表面上に電位コントラストとしての静電潜像を形
成する。 この静電潜像を現像機１２により現像する。この現
像により黒色のトナーが静電潜像との静電引力により感
光体表面に付着し、可視化する。 感光体表面のトナー像を紙などの被転写材１３の裏
面よりトナーと逆極性の電界を加えて、静電転写し、こ
れにより、画像を被転写材１３の上に得る。 感光体表面の残留トナーをクリーニング手段１５に
より機械的に除去する。 感光体表面を強い光で全面露光し、除電手段１６に
より残余の静電潜像を除去する。また、この画像形成装
置７には通常の乾式現像を用いているが、その他、湿式
現像に使用される液体現像剤にも適用される。
【００２１】
【実施例】純度９９．９％のＡｌからなる円筒状の基板
（外径３０ｍｍ、長手寸法２５８ｍｍ）の上に表１に示
すような成膜条件（この条件は一チェンバ内での値であ
る）でもってグロー放電分解法により電荷注入阻止層
３、光導電層４および表面保護層５を積層した。なお、
表面保護層５のガス量および成膜速度に示す→は経時的
に変化した際の最初の値と最後の値を示す。
（外径３０ｍｍ、長手寸法２５８ｍｍ）の上に表１に示
すような成膜条件（この条件は一チェンバ内での値であ
る）でもってグロー放電分解法により電荷注入阻止層
３、光導電層４および表面保護層５を積層した。なお、
表面保護層５のガス量および成膜速度に示す→は経時的
に変化した際の最初の値と最後の値を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】そして、ＲＦ電力を変えることでＩｂ／
（Ｉａ＋Ｉｂ）を幾とおりにも規定し、これによって表
２に示すようにさまざまな感光体（試料Ａ〜Ｊ）を作製
した。ただし、試料Ａ、Ｂは成膜上ムラが生じて実用に
供することができなかった。
（Ｉａ＋Ｉｂ）を幾とおりにも規定し、これによって表
２に示すようにさまざまな感光体（試料Ａ〜Ｊ）を作製
した。ただし、試料Ａ、Ｂは成膜上ムラが生じて実用に
供することができなかった。
【００２４】
【表２】
【００２５】つぎに各感光体のうち試料Ｃ〜試料Ｇを京
セラ製エコシスプリンタ（ＥＣＯＳＹＳ：ＦＳ−１７０
０）に搭載し、露光光量を変えないままで、露光波長を
変えて画像評価をおこなったところ、いずれの試料であ
っても（例１）〜（例４）に示すような結果が得られ
た。
セラ製エコシスプリンタ（ＥＣＯＳＹＳ：ＦＳ−１７０
０）に搭載し、露光光量を変えないままで、露光波長を
変えて画像評価をおこなったところ、いずれの試料であ
っても（例１）〜（例４）に示すような結果が得られ
た。
【００２６】（例１）コロナ放電による帯電を０．３μ
Ｃ／ｃｍ2 に、レーザー光の露光波長を７４０ｎｍに設
定した現像電位を測定したところ、７１０Ｖであった。
ただし、レーザー光の露光波長を長波長化したことで、
除電手段１６のイレース波長も長くしている。
Ｃ／ｃｍ2 に、レーザー光の露光波長を７４０ｎｍに設
定した現像電位を測定したところ、７１０Ｖであった。
ただし、レーザー光の露光波長を長波長化したことで、
除電手段１６のイレース波長も長くしている。
【００２７】（例２）（例１）において、レーザー光の
露光波長を７８０ｎｍに設定した現像電位を測定したと
ころ、６２０Ｖであった。
露光波長を７８０ｎｍに設定した現像電位を測定したと
ころ、６２０Ｖであった。
【００２８】（例３）コロナ放電による帯電を０．４μ
Ｃ／ｃｍ2 に、レーザー光の露光波長を７４０ｎｍに設
定した現像電位を測定したところ、９３０Ｖであった。
Ｃ／ｃｍ2 に、レーザー光の露光波長を７４０ｎｍに設
定した現像電位を測定したところ、９３０Ｖであった。
【００２９】（例４）（例３）において、レーザー光の
露光波長を７８０ｎｍに設定した現像電位を測定したと
ころ、８１０Ｖであった。
露光波長を７８０ｎｍに設定した現像電位を測定したと
ころ、８１０Ｖであった。
【００３０】かくして各例ともに現像電位が６００Ｖ以
上が得られたことで、コントラストが著しく向上した。
また、例１〜例４のいずれにおいても、光メモリーが小
さく、さらに露光波長の長さによる影響が小さくなっ
て、感光体の表面電位の低下が小さくなっている。
上が得られたことで、コントラストが著しく向上した。
また、例１〜例４のいずれにおいても、光メモリーが小
さく、さらに露光波長の長さによる影響が小さくなっ
て、感光体の表面電位の低下が小さくなっている。
【００３１】（例５）つぎに試料Ｈを用いてコロナ放電
による帯電およびレーザー光波長を変えて、同様に現像
電位を測定したところ、つぎに示すような結果が得られ
た。 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５７０Ｖ 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５２０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５８０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５７０Ｖ この結果から明らかなとおり、ＩＲ比が０．３６３にな
ると、現像電位が６００Ｖ未満になった。
による帯電およびレーザー光波長を変えて、同様に現像
電位を測定したところ、つぎに示すような結果が得られ
た。 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５７０Ｖ 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５２０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５８０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５７０Ｖ この結果から明らかなとおり、ＩＲ比が０．３６３にな
ると、現像電位が６００Ｖ未満になった。
【００３２】（例６）つぎに試料Ｉを用いて同様に現像
電位を測定したところ、つぎに示すような結果が得られ
た。 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５４０Ｖ 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．４９０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５５０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５４０Ｖ この結果から明らかなとおり、ＩＲ比が０．３８２にな
ると、現像電位が５５０Ｖ以下になった。
電位を測定したところ、つぎに示すような結果が得られ
た。 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５４０Ｖ 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．４９０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５５０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５４０Ｖ この結果から明らかなとおり、ＩＲ比が０．３８２にな
ると、現像電位が５５０Ｖ以下になった。
【００３３】（例７）つぎに試料Ｊを用いて同様に現像
電位を測定したところ、つぎに示すような結果が得られ
た。 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５００Ｖ 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．４８０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５００Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５００Ｖ この結果から明らかなとおり、ＩＲ比が０．４０５にな
ると、現像電位が５００Ｖ以下になった。
電位を測定したところ、つぎに示すような結果が得られ
た。 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５００Ｖ 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．４８０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５００Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５００Ｖ この結果から明らかなとおり、ＩＲ比が０．４０５にな
ると、現像電位が５００Ｖ以下になった。
【００３４】（例８）本例においては、表３に示すよう
な成膜条件（この条件は一チェンバ内での値である）で
もってグロー放電分解法により電荷注入阻止層３、光導
電層４および表面保護層５を積層し、正帯電用の感光体
を作製した。
な成膜条件（この条件は一チェンバ内での値である）で
もってグロー放電分解法により電荷注入阻止層３、光導
電層４および表面保護層５を積層し、正帯電用の感光体
を作製した。
【００３５】
【表３】
【００３６】そして、上述した条件でもって同様に現像
電位を測定したところ、下記のとおり現像電位が５８０
Ｖ以下になり、さらにイレース光による光メモリーの影
響が大きく、また、露光波長が長くなると表面電位が顕
著に低下していた。
電位を測定したところ、下記のとおり現像電位が５８０
Ｖ以下になり、さらにイレース光による光メモリーの影
響が大きく、また、露光波長が長くなると表面電位が顕
著に低下していた。
【００３７】 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５７０Ｖ 帯電：０．３μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５００Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７４０ｎｍ ．．．５８０Ｖ 帯電：０．４μＣ／ｃｍ2 、レーザー光波長：７８０ｎｍ ．．．５００Ｖ
【００３８】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の画像形成装置に
よれば、ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷注入阻止層とａ−Ｓｉ：Ｈ光
導電層を順次積層した感光体において、光導電層に対す
る赤外線吸収スペクトルにおいて波数２０００ｃｍ-1で
の強度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとが
０．２２≦Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を
満たすことで優れた負帯電性が得られ、しかも、露光手
段の照射光の波長ピークが７４０ｎｍ以上において６０
０Ｖ以上の現像電位が達成され、その結果、優れた画像
特性が達成され、さらに長波長タイプの高帯電性能の負
帯電用画像形成装置が提供できた。
よれば、ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷注入阻止層とａ−Ｓｉ：Ｈ光
導電層を順次積層した感光体において、光導電層に対す
る赤外線吸収スペクトルにおいて波数２０００ｃｍ-1で
の強度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとが
０．２２≦Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を
満たすことで優れた負帯電性が得られ、しかも、露光手
段の照射光の波長ピークが７４０ｎｍ以上において６０
０Ｖ以上の現像電位が達成され、その結果、優れた画像
特性が達成され、さらに長波長タイプの高帯電性能の負
帯電用画像形成装置が提供できた。
【００３９】また、本発明によれば、電子写真感光体に
おいて、価電子制御用不純物がドーピングされていない
ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷注入阻止層をグロー放電分解法により
形成しても、その上に設けるａ−Ｓｉ：Ｈ光導電層に対
し赤外線吸収スペクトルにおける波数２０００ｃｍ-1で
の強度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとを
０．２２≦Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を
満たすように規定したことで、ホスフィンガスなどを使
用しなくとも負帯電による優れた画像特性が得られた。
おいて、価電子制御用不純物がドーピングされていない
ａ−Ｓｉ：Ｈ電荷注入阻止層をグロー放電分解法により
形成しても、その上に設けるａ−Ｓｉ：Ｈ光導電層に対
し赤外線吸収スペクトルにおける波数２０００ｃｍ-1で
の強度Ｉａと、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとを
０．２２≦Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を
満たすように規定したことで、ホスフィンガスなどを使
用しなくとも負帯電による優れた画像特性が得られた。
【００４０】さらにまた、本発明においては、毒性が強
く、低濃度であっても人体に悪影響があるホスフィンガ
スを使用しないので、安全管理対策が不要となり、これ
に伴って生産コストが低減できた。しかも、このような
ドーピングガスを使用しないことで、精度の高いドーピ
ング管理が不要となり、これによって電子写真特性のバ
ラツキを小さくなり、その点でも生産コストが低減でき
た。
く、低濃度であっても人体に悪影響があるホスフィンガ
スを使用しないので、安全管理対策が不要となり、これ
に伴って生産コストが低減できた。しかも、このような
ドーピングガスを使用しないことで、精度の高いドーピ
ング管理が不要となり、これによって電子写真特性のバ
ラツキを小さくなり、その点でも生産コストが低減でき
た。
【図１】発明の実施形態に係る感光体の層構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の画像形成装置の概略図である。
１、８ 感光体 ２ 基板 ３ 感光層 ５ 光導電層 ６ 表面保護層 ７ 画像形成装置 ９ コロナ帯電器 １０ 露光器 １１ トナー １２ 現像機 １３ 被転写材 １４ 転写器 １５ クリーニング手段 １６ 除電手段
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板上に水素化アモルファスシリコ
ンからなる電荷注入阻止層および光導電層を順次積層し
た感光体と、該感光体の表面に電荷を付与する帯電手段
と、感光体の帯電領域に対し光照射する露光手段とから
なり、これら帯電手段と露光手段とにより感光体の表面
に静電潜像を形成するとともに、該静電潜像に対応した
トナー像を感光体の表面に形成する現像手段と、該トナ
ー像を被転写材に転写する転写手段と、該転写後に感光
体表面の残留トナーを除去するクリーニング手段と、該
転写後に残余静電潜像を除去する除電手段とを配設した
画像形成装置であって、前記光導電層に対する赤外線吸
収スペクトルにおいて波数２０００ｃｍ-1での強度Ｉａ
と、波数２１００ｃｍ-1での強度Ｉｂとが０．２２≦Ｉ
ｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）≦０．３５の関係式を満たし、前記
露光手段の照射光の波長ピークを７４０ｎｍ以上にし
て、感光体表面を負帯電にせしめたことを特徴とする画
像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1758099A JP2000214617A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1758099A JP2000214617A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000214617A true JP2000214617A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=11947858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1758099A Pending JP2000214617A (ja) | 1999-01-26 | 1999-01-26 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000214617A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002304022A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Canon Inc | 電子写真方法および装置 |
-
1999
- 1999-01-26 JP JP1758099A patent/JP2000214617A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002304022A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Canon Inc | 電子写真方法および装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040810 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041207 |