JP2000215814A - 放電型表示パネル及び装置 - Google Patents
放電型表示パネル及び装置Info
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- JP2000215814A JP2000215814A JP5452999A JP5452999A JP2000215814A JP 2000215814 A JP2000215814 A JP 2000215814A JP 5452999 A JP5452999 A JP 5452999A JP 5452999 A JP5452999 A JP 5452999A JP 2000215814 A JP2000215814 A JP 2000215814A
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- discharge
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- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のAC型PDPはパネルの製造工程特に
熱処理工程が多く、コスト高の要因となっていた。 従
って工程特に焼成工程を一つでも少なくすることが要求
されている。またパネルの発光効率が低く、消費電力の
問題があった。 【解決】 従来のPDPでは前面側に一対のAC電極を
置いていたがこれを両方ともDC電極とした。 即ち前
面ガラスから誘電層を省略した。 それに伴い、DC電
極間を負荷抵抗なしで駆動する方法として、パルス幅の
狭いパルスで駆動すると同時に、パルスの間隔をも短く
して、放電空間が常にプラズマ状態であるような駆動方
法を上記の新しい構造に組み合わせた。これによって製
造工程の改善と発光効率の改善が動じに可能になった。
熱処理工程が多く、コスト高の要因となっていた。 従
って工程特に焼成工程を一つでも少なくすることが要求
されている。またパネルの発光効率が低く、消費電力の
問題があった。 【解決】 従来のPDPでは前面側に一対のAC電極を
置いていたがこれを両方ともDC電極とした。 即ち前
面ガラスから誘電層を省略した。 それに伴い、DC電
極間を負荷抵抗なしで駆動する方法として、パルス幅の
狭いパルスで駆動すると同時に、パルスの間隔をも短く
して、放電空間が常にプラズマ状態であるような駆動方
法を上記の新しい構造に組み合わせた。これによって製
造工程の改善と発光効率の改善が動じに可能になった。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は放電型表示装置の構
造に関わる。
造に関わる。
【0002】
【従来の技術】従来の典型的な構造例である図6、図8
及び図9をもって、従来の技術を簡単に説明する。 図
7は3電極面放電型のACPDPであり、図8は2電極
対向放電型のACPDPである。 また図9はパルスメ
モリー型DCPDPである。まず図7をもって従来の技
術を説明する。背面側ガラス基板には第1の電極1を有
しその表面を誘電層2で被覆し、また上記第1の電極1
の両側に壁状に配して放電空間を形成する隔壁3があ
り、その隔壁面と上記第1の電極を被覆する誘電層2の
上に蛍光体4を塗布する。 隔壁の形状はストライプ状
が一般的であるが、格子状のものもある。
及び図9をもって、従来の技術を簡単に説明する。 図
7は3電極面放電型のACPDPであり、図8は2電極
対向放電型のACPDPである。 また図9はパルスメ
モリー型DCPDPである。まず図7をもって従来の技
術を説明する。背面側ガラス基板には第1の電極1を有
しその表面を誘電層2で被覆し、また上記第1の電極1
の両側に壁状に配して放電空間を形成する隔壁3があ
り、その隔壁面と上記第1の電極を被覆する誘電層2の
上に蛍光体4を塗布する。 隔壁の形状はストライプ状
が一般的であるが、格子状のものもある。
【0003】また前面ガラス側には上記背面側の第1の
電極1と対向して交差するごとくに伸張する第2の電極
5と、それと並行して伸張する第3の電極6が形成され
る。第2の電極5は上記第1の電極1と交差してXYマ
トリクスを構成するが、第3の電極はアドレス機能を持
つ必要がないので通常は各ラインを共通結線して用い
る。 上記のようないわば一対の放電電極である第2の
電極と第3の電極はその表面をまず前面側誘電層7で被
覆され、さらにその誘電層表面は二次電子放射率が高く
またイオン衝撃にも強い材料例えば酸化マグネシュウ
ム、酸化ストロンチュウム等の保護層8で被覆する。
通常この保護層8は薄膜法で形成され例えば0.5μm
程度と薄いためそれ自身だけでは、本来のACPDP動
作である壁電荷蓄積のための誘電層にはなり得ないの
で、通常はまず10〜20μm厚程度の低融点ガラスを
印刷焼成して得られる誘電層7で電極を被覆し、その上
を上記保護層8でさらに被覆する構造となっている。
電極1と対向して交差するごとくに伸張する第2の電極
5と、それと並行して伸張する第3の電極6が形成され
る。第2の電極5は上記第1の電極1と交差してXYマ
トリクスを構成するが、第3の電極はアドレス機能を持
つ必要がないので通常は各ラインを共通結線して用い
る。 上記のようないわば一対の放電電極である第2の
電極と第3の電極はその表面をまず前面側誘電層7で被
覆され、さらにその誘電層表面は二次電子放射率が高く
またイオン衝撃にも強い材料例えば酸化マグネシュウ
ム、酸化ストロンチュウム等の保護層8で被覆する。
通常この保護層8は薄膜法で形成され例えば0.5μm
程度と薄いためそれ自身だけでは、本来のACPDP動
作である壁電荷蓄積のための誘電層にはなり得ないの
で、通常はまず10〜20μm厚程度の低融点ガラスを
印刷焼成して得られる誘電層7で電極を被覆し、その上
を上記保護層8でさらに被覆する構造となっている。
【0004】この従来の構造のパネルを駆動する方法と
して、例えば図4に示すようなパルスを各電極に印加す
る。 まず画像に応じた画像信号Cは図4に於いてアド
レス期間中に図6の第1の電極1に加えられる。 また
走査信号Aは横方向に伸張する第2の電極5に印加され
る。 これらの電極はXYマトリクス状に交差している
ので、このとき放電の発生した画素にはそれぞれの電極
の誘電層上、背面側では誘電層上の蛍光体の上に壁電荷
が形成される。 例えば図4の極性のパルスでは第1の
電極1側にはプラスの壁電荷、第2の電極5側にはマイ
ナス極性の壁電荷が形成される。 当然ながらこのアド
レス放電がおきなかった非選択の画素にはこのような壁
電荷は形成されない。 さてこのようにして走査信号A
によって順次アドレス放電が行われ、1画面のアドレス
が終了し、画面としてみると壁電荷のある画素無い画素
の分布ができる。
して、例えば図4に示すようなパルスを各電極に印加す
る。 まず画像に応じた画像信号Cは図4に於いてアド
レス期間中に図6の第1の電極1に加えられる。 また
走査信号Aは横方向に伸張する第2の電極5に印加され
る。 これらの電極はXYマトリクス状に交差している
ので、このとき放電の発生した画素にはそれぞれの電極
の誘電層上、背面側では誘電層上の蛍光体の上に壁電荷
が形成される。 例えば図4の極性のパルスでは第1の
電極1側にはプラスの壁電荷、第2の電極5側にはマイ
ナス極性の壁電荷が形成される。 当然ながらこのアド
レス放電がおきなかった非選択の画素にはこのような壁
電荷は形成されない。 さてこのようにして走査信号A
によって順次アドレス放電が行われ、1画面のアドレス
が終了し、画面としてみると壁電荷のある画素無い画素
の分布ができる。
【0005】この状態で次ぎのサステイン期間に入り、
図4のようなサステインパルスが印加されると、壁電荷
による所謂壁電圧が発生している画素のみに第2の電極
5と第3の電極6の間で放電が起こる。 放電が起きる
と第2の電極5の壁電荷は極性が逆転してプラス極性に
なり、第3の電極6にはマイナスの壁電荷が形成され
る。 その後はサステインパルスを第2の電極5と第3
の電極6に交互に印加することで、壁電荷を逆転形成さ
せながら放電を持続する。
図4のようなサステインパルスが印加されると、壁電荷
による所謂壁電圧が発生している画素のみに第2の電極
5と第3の電極6の間で放電が起こる。 放電が起きる
と第2の電極5の壁電荷は極性が逆転してプラス極性に
なり、第3の電極6にはマイナスの壁電荷が形成され
る。 その後はサステインパルスを第2の電極5と第3
の電極6に交互に印加することで、壁電荷を逆転形成さ
せながら放電を持続する。
【0006】このような従来のパネル構造と駆動法で特
徴的なことは、サステイン放電の1回ごとに放電が停止
する、即ち放電空間ではイオンや電子等の荷電粒子がす
でに拡散または再結合によって消滅し、準安定原子が少
量存在するだけの状態で停止し、それぞれの電極上の誘
電層の壁電荷の極性が反転することである。 これはサ
ステインパルスの幅が約2.0マイクロ秒以上の場合に
このような状態が作れる。 仮にサステインパルスの幅
が1.0マイクロ秒以下の場合には壁電荷が十分に形成
されないために放電は継続されない。
徴的なことは、サステイン放電の1回ごとに放電が停止
する、即ち放電空間ではイオンや電子等の荷電粒子がす
でに拡散または再結合によって消滅し、準安定原子が少
量存在するだけの状態で停止し、それぞれの電極上の誘
電層の壁電荷の極性が反転することである。 これはサ
ステインパルスの幅が約2.0マイクロ秒以上の場合に
このような状態が作れる。 仮にサステインパルスの幅
が1.0マイクロ秒以下の場合には壁電荷が十分に形成
されないために放電は継続されない。
【0007】従って従来のPDPに於いては、サステイ
ン期間中壁電荷を継続的に形成することが条件であった
ために、誘電層7は必要不可欠であり、またサステイン
パルスの幅も最小限約2.0マイクロ秒程度は必要とさ
れてきた。
ン期間中壁電荷を継続的に形成することが条件であった
ために、誘電層7は必要不可欠であり、またサステイン
パルスの幅も最小限約2.0マイクロ秒程度は必要とさ
れてきた。
【0008】このような従来のAC型PDPの構造と駆
動方法の概念は、図8に示す従来の2電極対向放電型パ
ネルに於いても基本的に同じである。 ただし、図8の
構造に於いてはサステイン放電は対向する電極の第1の
電極1と第2の電極5の間で行われるために、背面側の
第1の電極上の蛍光体4がイオン衝撃をうけ、劣化が早
い。 従って従来は蛍光体4の一部に電極をのぞかせる
窓9をあけてある。このパネルの構造は図7で示される
3電極型の第3の電極6が無いことから、駆動パルスも
図5のようになるが、動作としては基本的に同じである
からその詳細な説明は省略する。
動方法の概念は、図8に示す従来の2電極対向放電型パ
ネルに於いても基本的に同じである。 ただし、図8の
構造に於いてはサステイン放電は対向する電極の第1の
電極1と第2の電極5の間で行われるために、背面側の
第1の電極上の蛍光体4がイオン衝撃をうけ、劣化が早
い。 従って従来は蛍光体4の一部に電極をのぞかせる
窓9をあけてある。このパネルの構造は図7で示される
3電極型の第3の電極6が無いことから、駆動パルスも
図5のようになるが、動作としては基本的に同じである
からその詳細な説明は省略する。
【0009】上記AC型PDPはいずれも電極を誘電層
で被覆しており、ここに壁電荷を形成することで所謂メ
モリー機能を持たせる方法をとっている。 これに対し
図9に示すDC型パネルは、どちらの電極も誘電層で被
覆していないので構造的にはメモリー機能を有していな
い。 図9では陽極側に過電流防止のための抵抗が挿入
されているが、基本動作の面からはこの抵抗は無くても
よい。 このパネルをメモリー駆動即ちサステイン動作
させるには、放電空間に常に準安定原子が豊富に残留す
ることによる所謂プライミング効果による放電電圧低下
の効果を利用している。 ただし複数の画素に同時に放
電を維持するために、各画素が放電を開始した直後の放
電空間が比較的インピーダンスの高い状態で動作させ
る。 そのために印加するパルスの幅を細幅パルス例え
ばパルス幅が約1.0マイクロ秒以下で駆動する。 こ
れをDCPDPにおけるパルスメモリー動作と呼んでい
る。この場合には放電空間の状態がメモリー機能を有し
ているので、アドレス放電後ただちにサステイン状態に
入る必要がある。
で被覆しており、ここに壁電荷を形成することで所謂メ
モリー機能を持たせる方法をとっている。 これに対し
図9に示すDC型パネルは、どちらの電極も誘電層で被
覆していないので構造的にはメモリー機能を有していな
い。 図9では陽極側に過電流防止のための抵抗が挿入
されているが、基本動作の面からはこの抵抗は無くても
よい。 このパネルをメモリー駆動即ちサステイン動作
させるには、放電空間に常に準安定原子が豊富に残留す
ることによる所謂プライミング効果による放電電圧低下
の効果を利用している。 ただし複数の画素に同時に放
電を維持するために、各画素が放電を開始した直後の放
電空間が比較的インピーダンスの高い状態で動作させ
る。 そのために印加するパルスの幅を細幅パルス例え
ばパルス幅が約1.0マイクロ秒以下で駆動する。 こ
れをDCPDPにおけるパルスメモリー動作と呼んでい
る。この場合には放電空間の状態がメモリー機能を有し
ているので、アドレス放電後ただちにサステイン状態に
入る必要がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上記のごとく、従来の
AC型放電表示装置即ちACPDPに於いては、まずパ
ネル構造に於いて背面側に蛍光体層のある所謂反射型P
DPの場合、前面側の電極は主たる放電電極として必ず
誘電層で被覆されたAC型の電極であった。 このため
誘電層は透明度の高い材料が要求され、しかも誘電層の
印刷、乾燥、焼成等工程が多く、しかも焼成工程による
ガラスの歪み等の問題があった。 さらには従来の駆動
法ではサステイン期間中でも壁電荷の形成が完全に行わ
れることが必要条件であったから、サステインの周波数
を高くすることに限界があり、従って輝度にも限界があ
った。また従来のDC型放電表示装置即ちDCPDPに
於いては、電極が構造的にメモリー機能を有する形にな
っていないので、駆動上に制約があった。
AC型放電表示装置即ちACPDPに於いては、まずパ
ネル構造に於いて背面側に蛍光体層のある所謂反射型P
DPの場合、前面側の電極は主たる放電電極として必ず
誘電層で被覆されたAC型の電極であった。 このため
誘電層は透明度の高い材料が要求され、しかも誘電層の
印刷、乾燥、焼成等工程が多く、しかも焼成工程による
ガラスの歪み等の問題があった。 さらには従来の駆動
法ではサステイン期間中でも壁電荷の形成が完全に行わ
れることが必要条件であったから、サステインの周波数
を高くすることに限界があり、従って輝度にも限界があ
った。また従来のDC型放電表示装置即ちDCPDPに
於いては、電極が構造的にメモリー機能を有する形にな
っていないので、駆動上に制約があった。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するため、電極構造に誘電層を有するAC型電極と誘
電層を有しないDC型電極を組み合わせ、従来の壁電荷
によるサステイン放電の継続の代わりに細幅のサステイ
ンパルスを高周波で印加し、放電空間にプラズマが十分
に残存する状態を持続することでサステイン放電を継続
し、それによって効率の高い放電と、併せてパネルの前
面ガラスから誘電層を省略した簡単な構造のPDPを提
案するものである。
決するため、電極構造に誘電層を有するAC型電極と誘
電層を有しないDC型電極を組み合わせ、従来の壁電荷
によるサステイン放電の継続の代わりに細幅のサステイ
ンパルスを高周波で印加し、放電空間にプラズマが十分
に残存する状態を持続することでサステイン放電を継続
し、それによって効率の高い放電と、併せてパネルの前
面ガラスから誘電層を省略した簡単な構造のPDPを提
案するものである。
【0012】
【発明の実施の形態1】まず本発明の請求項1に関し、
その実施の形態1を図1に示す表示パネルの展開斜視図
の一部をもって説明する。 背面ガラス上には第1の電
極1と、それを被覆する誘電層2が形成され、隔壁3は
各画素を規定するため、及び前面ガラスとのスペーサー
として誘電層2の上に形成される。 図1においてはこ
の隔壁3は格子状で示されているがパネルと駆動の条件
によってはストライプ状でも可能である。 また放電で
発生する紫外線を利用して発光に寄与する蛍光体4は隔
壁3の壁面及び誘電層2の上に塗布されている。 第1
の電極1はスクリーン印刷等の方法で導電性インクを印
刷焼成して形成され、誘電層2は第1の電極1を被覆す
るごとくに低融点ガラスペーストを印刷焼成して容易に
形成出来る。 隔壁3は低融点ガラスの印刷重ね塗りで
も形成可能であるが、サンドブラスト法等で掘削形成す
ることも実用化されている。 蛍光体も例えば印刷法で
形成可能で、各画素ごとに赤緑青それぞれの蛍光体を選
択的に塗布する。
その実施の形態1を図1に示す表示パネルの展開斜視図
の一部をもって説明する。 背面ガラス上には第1の電
極1と、それを被覆する誘電層2が形成され、隔壁3は
各画素を規定するため、及び前面ガラスとのスペーサー
として誘電層2の上に形成される。 図1においてはこ
の隔壁3は格子状で示されているがパネルと駆動の条件
によってはストライプ状でも可能である。 また放電で
発生する紫外線を利用して発光に寄与する蛍光体4は隔
壁3の壁面及び誘電層2の上に塗布されている。 第1
の電極1はスクリーン印刷等の方法で導電性インクを印
刷焼成して形成され、誘電層2は第1の電極1を被覆す
るごとくに低融点ガラスペーストを印刷焼成して容易に
形成出来る。 隔壁3は低融点ガラスの印刷重ね塗りで
も形成可能であるが、サンドブラスト法等で掘削形成す
ることも実用化されている。 蛍光体も例えば印刷法で
形成可能で、各画素ごとに赤緑青それぞれの蛍光体を選
択的に塗布する。
【0013】また前面ガラス側には並行したストライプ
状の電極が第2及び第3の電極5及び6として形成され
る。 これは例えば銀ペースト等の印刷でもよいが、酸
化インジュウム錫等の透明導電膜やクローム等の蒸着膜
をパターン成形しても形成出来る。 この図1に示す本
発明のパネルで特徴的なことは図7と比較すれば明確な
ように前面ガラス側に誘電層7が無いことである。 保
護層8に関しては、本来AC型PDPの動作に於いては
これのみでは壁電荷の形成に不十分であり、従来の構造
においては誘電層7と分離して形成されることはなかっ
た。 本発明の表示装置においては、従来と異なりサス
テイン放電期間中壁電荷の形成は行わないので従って図
7のような誘電層7は不要であるが、通常保護層と呼ば
れているこの層の働きには二次電子放射という陰極材と
しての役割がある。 従って本発明においても第2の電
極5の表面を誘電層7で被覆することなく、直接その表
面を二次電子放射率の高い導電性の陰極材例えば六硼化
ランタン等で被覆したり、あるいは同様に二次電子放射
率の高い陰極材で、絶縁物ではあるが厚さを薄く形成す
ることで放電状態ではDC電流が流れその表面に所謂A
C型PDPのような壁電荷の形成を行わない陰極材、例
えば酸化マグネシュウム、酸化ストロンチュウム、酸化
バリュウム、酸化イットリュウム等の薄膜層で被覆して
もよい。 これらは通常は絶縁体であっても上記のよう
に例えば5000オングストローム程度に薄く作ること
によりいずれの場合もDC電極として動作する。
状の電極が第2及び第3の電極5及び6として形成され
る。 これは例えば銀ペースト等の印刷でもよいが、酸
化インジュウム錫等の透明導電膜やクローム等の蒸着膜
をパターン成形しても形成出来る。 この図1に示す本
発明のパネルで特徴的なことは図7と比較すれば明確な
ように前面ガラス側に誘電層7が無いことである。 保
護層8に関しては、本来AC型PDPの動作に於いては
これのみでは壁電荷の形成に不十分であり、従来の構造
においては誘電層7と分離して形成されることはなかっ
た。 本発明の表示装置においては、従来と異なりサス
テイン放電期間中壁電荷の形成は行わないので従って図
7のような誘電層7は不要であるが、通常保護層と呼ば
れているこの層の働きには二次電子放射という陰極材と
しての役割がある。 従って本発明においても第2の電
極5の表面を誘電層7で被覆することなく、直接その表
面を二次電子放射率の高い導電性の陰極材例えば六硼化
ランタン等で被覆したり、あるいは同様に二次電子放射
率の高い陰極材で、絶縁物ではあるが厚さを薄く形成す
ることで放電状態ではDC電流が流れその表面に所謂A
C型PDPのような壁電荷の形成を行わない陰極材、例
えば酸化マグネシュウム、酸化ストロンチュウム、酸化
バリュウム、酸化イットリュウム等の薄膜層で被覆して
もよい。 これらは通常は絶縁体であっても上記のよう
に例えば5000オングストローム程度に薄く作ること
によりいずれの場合もDC電極として動作する。
【0014】
【発明の実施の形態2】次に本発明の請求項2に関し、
その実施の形態2を図2に示す表示パネルの展開斜視図
の一部をもって説明する。 背面ガラス側は上記の実施
の形態1である図1に示されたものと全く同一のため、
ここでは重複的な説明は省略する。 ただしこの構造の
場合には、サステイン放電が第1の電極1と第2の電極
5の間で行われるが、後に説明する細幅パルスの動作の
ために、蛍光体4へのイオン衝撃が少ないため、図8の
従来の2電極対向放電型パネルに示されるような電極窓
9は不要である。 しかしながら二次電子放射のための
陰極材は有効であるから、上記実施例1の保護層8と同
様な陰極材を蛍光体4の上に塗布する場合もある。なお
隔壁3の形状は、上記実施の形態1と同じく格子状に限
らず、ストライプ状でも可能である。
その実施の形態2を図2に示す表示パネルの展開斜視図
の一部をもって説明する。 背面ガラス側は上記の実施
の形態1である図1に示されたものと全く同一のため、
ここでは重複的な説明は省略する。 ただしこの構造の
場合には、サステイン放電が第1の電極1と第2の電極
5の間で行われるが、後に説明する細幅パルスの動作の
ために、蛍光体4へのイオン衝撃が少ないため、図8の
従来の2電極対向放電型パネルに示されるような電極窓
9は不要である。 しかしながら二次電子放射のための
陰極材は有効であるから、上記実施例1の保護層8と同
様な陰極材を蛍光体4の上に塗布する場合もある。なお
隔壁3の形状は、上記実施の形態1と同じく格子状に限
らず、ストライプ状でも可能である。
【0015】前面ガラス側には第2の電極5が形成され
る。 これも上記実施の形態1である図1に示されたも
のと、第3の電極6が省略されていること以外は全く同
一のため、ここでは重複的な説明を省略する。
る。 これも上記実施の形態1である図1に示されたも
のと、第3の電極6が省略されていること以外は全く同
一のため、ここでは重複的な説明を省略する。
【0016】
【発明の実施の形態3】次に本発明の請求項3に関し、
その実施の形態3を図3に示す表示パネルの展開斜視図
の一部をもって説明する。 背面ガラス側は上記の実施
の形態1である図1、及び実施の形態2である図2に示
されたものと全く同一のため、ここでは重複的な説明は
省略する。 この構造の場合、基本的な動作は図2と同
じであるが、第2の電極5が金属ワイヤで形成されるこ
とを特徴とする。 金属の材質はガラスと膨張係数を合
わせる必要がある場合には鉄ニッケルクロームの合金
や、チタン等が用いられる。その他にタングステン、ア
ルミニュウム等でもよい。またワイヤの表面は上記と同
様に陰極材として、例えば酸化マグネシュウム、酸化ス
トロンチュウム、酸化バリュウム、酸化イットリュウム
等の薄膜で覆ってもよく、もちろん六硼化ランタン等の
導電性の陰極材で被覆してもよい。 これらは例えば電
着法などの方法で容易に形成可能である。
その実施の形態3を図3に示す表示パネルの展開斜視図
の一部をもって説明する。 背面ガラス側は上記の実施
の形態1である図1、及び実施の形態2である図2に示
されたものと全く同一のため、ここでは重複的な説明は
省略する。 この構造の場合、基本的な動作は図2と同
じであるが、第2の電極5が金属ワイヤで形成されるこ
とを特徴とする。 金属の材質はガラスと膨張係数を合
わせる必要がある場合には鉄ニッケルクロームの合金
や、チタン等が用いられる。その他にタングステン、ア
ルミニュウム等でもよい。またワイヤの表面は上記と同
様に陰極材として、例えば酸化マグネシュウム、酸化ス
トロンチュウム、酸化バリュウム、酸化イットリュウム
等の薄膜で覆ってもよく、もちろん六硼化ランタン等の
導電性の陰極材で被覆してもよい。 これらは例えば電
着法などの方法で容易に形成可能である。
【0017】
【発明の実施に適用するサステインパルス】本発明の実
施の形態1の図1に示す構造においては、サステイン放
電をDC電極である第2の電極5と第3の電極6の間で
行うために、過大電流が流れるのを防ぐためサステイン
パルス幅は約1.0マイクロ秒以下の細幅としなければ
ならない。 また実施の形態2の図2及び実施の形態3
の図3においては、背面側の第1の電極1を被覆する蛍
光体4がイオン衝撃によるスパッタをうけるのを防ぐた
めにサステインパルス幅はやはり約1.0マイクロ秒以
下の細幅としなければならない。 さらに本発明の請求
項4及び請求項5に関し、本発明の上記各構造を最もよ
く実現するために、これと組み合わせる駆動方法とし
て、サステイン期間中放電空間を常にプラズマが存在し
て導電性を持った状態に置く駆動方法が有効である。
そのためには図6に示すサステインパルスのパルス幅及
びその間隔を以下のような条件にする。 即ち図6に示
すサステインパルスA及びBのパルス幅10及び12
と、AとB及びBとAのパルス間隔11及び13、これ
ら全ての時間を約1.0マイクロ秒以下とする。 こう
することにより放電空間には常にプラズマ及び準安定原
子が再生産されながら存在する。 図6に示すパルス波
形そのものは何ら新規性はないが、パルスのタイミング
を上記のごとくとし、またこれを実施の形態1、2及び
3の構造のPDPに適用することによって新しい放電表
示装置が実現する。
施の形態1の図1に示す構造においては、サステイン放
電をDC電極である第2の電極5と第3の電極6の間で
行うために、過大電流が流れるのを防ぐためサステイン
パルス幅は約1.0マイクロ秒以下の細幅としなければ
ならない。 また実施の形態2の図2及び実施の形態3
の図3においては、背面側の第1の電極1を被覆する蛍
光体4がイオン衝撃によるスパッタをうけるのを防ぐた
めにサステインパルス幅はやはり約1.0マイクロ秒以
下の細幅としなければならない。 さらに本発明の請求
項4及び請求項5に関し、本発明の上記各構造を最もよ
く実現するために、これと組み合わせる駆動方法とし
て、サステイン期間中放電空間を常にプラズマが存在し
て導電性を持った状態に置く駆動方法が有効である。
そのためには図6に示すサステインパルスのパルス幅及
びその間隔を以下のような条件にする。 即ち図6に示
すサステインパルスA及びBのパルス幅10及び12
と、AとB及びBとAのパルス間隔11及び13、これ
ら全ての時間を約1.0マイクロ秒以下とする。 こう
することにより放電空間には常にプラズマ及び準安定原
子が再生産されながら存在する。 図6に示すパルス波
形そのものは何ら新規性はないが、パルスのタイミング
を上記のごとくとし、またこれを実施の形態1、2及び
3の構造のPDPに適用することによって新しい放電表
示装置が実現する。
【0018】
【発明の作用】本発明の実施の形態1である図1に示さ
れる構造のPDPを駆動する場合、印加するパルスのタ
イミングは図2で示される構造のPDPでも基本的に同
じであるが、サステインパルスに於いて必要な条件があ
る。 それはサステイン期間中放電空間にプラズマ即ち
イオンと電子及び準安定原子が無くならない極めて短時
間の周期即ち高周波で両電極間にACパルスを印加する
ことである。 これはパネル内の寸法、ガス圧、ガス組
成、電極電圧等で異なるが、通常はパルス幅と各パルス
の間隔を約1.0マイクロ秒以下にすればよい。 つま
り交互に両電極間に印加するパルスの各周波数は250
kHz以上が条件になる。 またこのサステインパルス
の条件は実施の形態2及び3に適用する場合も全く同様
であり、その作用も同じである。 以下これをさらに詳
細に説明する。
れる構造のPDPを駆動する場合、印加するパルスのタ
イミングは図2で示される構造のPDPでも基本的に同
じであるが、サステインパルスに於いて必要な条件があ
る。 それはサステイン期間中放電空間にプラズマ即ち
イオンと電子及び準安定原子が無くならない極めて短時
間の周期即ち高周波で両電極間にACパルスを印加する
ことである。 これはパネル内の寸法、ガス圧、ガス組
成、電極電圧等で異なるが、通常はパルス幅と各パルス
の間隔を約1.0マイクロ秒以下にすればよい。 つま
り交互に両電極間に印加するパルスの各周波数は250
kHz以上が条件になる。 またこのサステインパルス
の条件は実施の形態2及び3に適用する場合も全く同様
であり、その作用も同じである。 以下これをさらに詳
細に説明する。
【0019】まず図1の構造のPDPに図4のパルスを
印加することを考えてみる。 ここでパルスCは第1の
電極1へ、パルスAは第2の電極5へ、またパルスBは
第3の電極6へそれぞれ印加する。 アドレス期間に画
像に応じたXYマトリクスの交点に放電を励起すること
は従来のPDPと同様である。 ただしこの場合壁電荷
は背面側のAC電極の上即ち蛍光体4の上のみに形成さ
れる。アドレス期間が終了してサステイン期間に移行
し、最初の放電はこの壁電荷の有無をもとに第1の電極
1と第2の電極5の間で選択的に発生し、図1の構造の
場合にはその放電は直ちに第2の電極5と第3の電極6
に引き継がれ、図2の構造の場合には第2の電極と第1
の電極との間で継続する。 このとき、サステインのパ
ルス幅とパルス間隔は約1.0μsecと極めて短時間
のため、まだ放電空間にはプラズマが十分に存在し放電
空間は導電性を保っている。 従ってアドレス放電によ
って誘電層2つまり蛍光体4に形成されていた壁電荷は
失われ、再度逆極性の壁電荷が形成される前にサステイ
ンパルスが反転してしまう逆極性の壁電荷が形成される
時間がない。 しかし電極間の放電空間の導電性はこの
両電極のごく近傍だけ低くなっており、非選択画素との
間には放電電圧に大きな差があるため、サステイン放電
はここで選択的に継続して行われる。 つまり高周波の
サステイン放電では壁電荷が無くとも画像に応じた選択
的なサステイン放電の持続が可能であるから、従来の構
造における前面側の誘電層7は不要になる。
印加することを考えてみる。 ここでパルスCは第1の
電極1へ、パルスAは第2の電極5へ、またパルスBは
第3の電極6へそれぞれ印加する。 アドレス期間に画
像に応じたXYマトリクスの交点に放電を励起すること
は従来のPDPと同様である。 ただしこの場合壁電荷
は背面側のAC電極の上即ち蛍光体4の上のみに形成さ
れる。アドレス期間が終了してサステイン期間に移行
し、最初の放電はこの壁電荷の有無をもとに第1の電極
1と第2の電極5の間で選択的に発生し、図1の構造の
場合にはその放電は直ちに第2の電極5と第3の電極6
に引き継がれ、図2の構造の場合には第2の電極と第1
の電極との間で継続する。 このとき、サステインのパ
ルス幅とパルス間隔は約1.0μsecと極めて短時間
のため、まだ放電空間にはプラズマが十分に存在し放電
空間は導電性を保っている。 従ってアドレス放電によ
って誘電層2つまり蛍光体4に形成されていた壁電荷は
失われ、再度逆極性の壁電荷が形成される前にサステイ
ンパルスが反転してしまう逆極性の壁電荷が形成される
時間がない。 しかし電極間の放電空間の導電性はこの
両電極のごく近傍だけ低くなっており、非選択画素との
間には放電電圧に大きな差があるため、サステイン放電
はここで選択的に継続して行われる。 つまり高周波の
サステイン放電では壁電荷が無くとも画像に応じた選択
的なサステイン放電の持続が可能であるから、従来の構
造における前面側の誘電層7は不要になる。
【0020】なお一般に一対のDC電極間で放電を行う
場合、負荷抵抗を直列に入れないと放電開始後電極間の
インピーダンスが極めて低くなるため過大な電流が流れ
て電極を破損する。 しかしパルス幅即ち電圧印加時間
を短く例えば約1.0マイクロ秒以下にすると、ガス空
間にはまだ陰極降下ができあがっていないために内部イ
ンピーダンスが低く過大な電流は流れない。 つまり電
流はパルス幅で制御でき、しかもこの間の放電は発光効
率が高いことが知られている。
場合、負荷抵抗を直列に入れないと放電開始後電極間の
インピーダンスが極めて低くなるため過大な電流が流れ
て電極を破損する。 しかしパルス幅即ち電圧印加時間
を短く例えば約1.0マイクロ秒以下にすると、ガス空
間にはまだ陰極降下ができあがっていないために内部イ
ンピーダンスが低く過大な電流は流れない。 つまり電
流はパルス幅で制御でき、しかもこの間の放電は発光効
率が高いことが知られている。
【0021】なおプラズマ中の荷電粒子及び準安定原子
は放電した電極を中心に拡散して周辺の非選択画素の放
電電圧をさげ、選択効果を低めて動作条件を悪化させる
懸念がある。 このため格子状の隔壁の方がプラズマの
拡散を阻止し動作条件を広くできるが、画素間隔や放電
ガスの組成によってはストライプ状隔壁でも十分に動作
範囲を広くとることが可能である。
は放電した電極を中心に拡散して周辺の非選択画素の放
電電圧をさげ、選択効果を低めて動作条件を悪化させる
懸念がある。 このため格子状の隔壁の方がプラズマの
拡散を阻止し動作条件を広くできるが、画素間隔や放電
ガスの組成によってはストライプ状隔壁でも十分に動作
範囲を広くとることが可能である。
【0022】
【発明の効果】まず本発明の請求項1、2及び3に記載
の構造では、通常のPDPのごとく前面側に誘電層がな
いために、製造工程が少なく安価であり、また光透過率
が高いので輝度が高い。 また請求項3に記載の構造に
於いては電極に金属ワイヤを用いることにより電極焼成
工程が無くなるために工程が少なくなり、またガラス基
板の変形の問題が避けられるため工程が簡略化され組立
精度も高くなる。また上記請求項1、2及び3に記載の
構造のパネルを細幅且つ高周波のAC型サステインパル
スで駆動することにより高輝度、高発光効率の表示装置
が実現し、単純に細幅のパルスで駆動した場合よりもプ
ラズマ残留効果によって放電電圧が下がり電極へのイオ
ン衝撃が低下して長寿命になる。
の構造では、通常のPDPのごとく前面側に誘電層がな
いために、製造工程が少なく安価であり、また光透過率
が高いので輝度が高い。 また請求項3に記載の構造に
於いては電極に金属ワイヤを用いることにより電極焼成
工程が無くなるために工程が少なくなり、またガラス基
板の変形の問題が避けられるため工程が簡略化され組立
精度も高くなる。また上記請求項1、2及び3に記載の
構造のパネルを細幅且つ高周波のAC型サステインパル
スで駆動することにより高輝度、高発光効率の表示装置
が実現し、単純に細幅のパルスで駆動した場合よりもプ
ラズマ残留効果によって放電電圧が下がり電極へのイオ
ン衝撃が低下して長寿命になる。
【0023】
【図1】本発明の実施の形態1の展開斜視図
【図2】本発明の実施の形態2の展開斜視図
【図3】本発明の実施の形態3の展開斜視図
【図4】本発明の構造のPDPを駆動するサステインパ
ルスのタイミング図
ルスのタイミング図
【図5】従来の3電極面放電型ACPDPの展開斜視図
【図6】従来の2電極対向放電型ACPDPの展開斜視
図
図
【図7】従来のDC型パルスメモリーPDPの展開斜視
図
図
【0023】
1 第1の電極 2 背面側誘電層 3 隔壁 4 蛍光体 5 第2の電極 6 第3の電極 7 前面側誘電層 8 保護層 9 電極窓
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年4月30日(1999.4.3
0)
0)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1の展開斜視図
【図2】 実施の形態2の展開斜視図
【図3】 実施の形態3の展開斜視図
【図4】 実施の形態1のPDPを駆動する各電極のパ
ルスタイミング図
ルスタイミング図
【図5】 実施の形態2のPDPを駆動する各電極のパ
ルスタイミング図
ルスタイミング図
【図6】 実施例に適用するサステインパルス波形とタ
イミング
イミング
【図7】 従来の3電極面放電型ACPDPの展開斜視
図
図
【図8】 従来の2電極対向放電型ACPDPの展開斜
視図
視図
【図9】 従来のパルスメモリー型PDPの展開斜視図
【符号の説明】 1 第1の電極 2 背面側誘電層 3 隔壁 4 蛍光体 5 第2の電極 6 第3の電極 7 前面側誘電層 8 保護層 9 電極窓
Claims (5)
- 【請求項1】放電型表示パネルいわゆるプラズマディス
プレイパネルの構造において、まずその電極構成が、 背面ガラス側にはアドレス機能を担うXYマトリクスの
一方の電極を構成するストライプ状の第1の電極が、そ
の表面を誘電層で被覆された所謂AC型電極として形成
され、また同じ背面ガラス板上には上記第1の電極を囲
うがごとくに形成された格子状若しくは挟むがごとくに
形成されたストライプ状の隔壁を具備し、さらには上記
隔壁面及び上記第1の電極の誘電層上に蛍光体が塗布さ
れ、 また前面ガラス側にはアドレス放電を行うためのXYマ
トリクスの他方の電極を構成するストライプ状電極であ
る第2の電極と、アドレス放電は行わないが上記第2の
電極に並行してあるいは近接して配され上記第2の電極
との間でサステイン放電を行う目的の第3の電極を有
し、 これら双方の電極が所謂DC型の電極、即ちその表面を
誘電層で被覆することなく放電空間に直接露出した構
造、あるいはその表面を二次電子放射率の高い導電性の
陰極材で被覆した構造、あるいは絶縁物ではあるが例え
ば極めて薄い層で形成するために実際には導電性とかわ
らない性質を示す陰極材で被覆した構造等、いずれの構
造でもこれら双方の電極が所謂DC型放電電極として形
成され、 これら前面ガラスと背面ガラスが、隔壁を介して各電極
が対向するがごとくに配された後、ガラスフリットによ
り封着されて、真空排気、放電ガス封入等の工程を経て
完成される放電パネルと、 上記前面ガラス側に配したDC型の上記第2の電極とD
C型の上記第3の電極間に交互にサステインパルスを印
加することでAC型サステイン放電を行うことを特徴と
した放電型表示パネルの構造。 - 【請求項2】放電型表示パネルいわゆるプラズマディス
プレイパネルの構造において、まずその電極構成が、 背面ガラス側にはアドレス機能とサステイン機能を担う
XYマトリクスの一方の電極を構成するストライプ状の
電極である第1の電極が、その表面を誘電層で被覆され
た所謂AC型電極として形成され、また同じ背面ガラス
板上には上記第1の電極を囲うがごとくに形成された格
子状若しくは挟むがごとくに形成されたストライプ状の
隔壁を具備し、さらには上記隔壁面及び上記第1の電極
の誘電層上に蛍光体が塗布され、 また前面ガラス側には上記第1の電極に対向してアドレ
ス放電とサステイン放電を行うためのXYマトリクスの
他方の電極を構成するストライプ状電極である第2の電
極を有し、この第2の電極が所謂DC型の電極、即ちそ
の表面を誘電層で被覆することなく放電空間に直接露出
した構造、あるいはその表面を二次電子放射率の高い導
電性の陰極材で被覆した構造、あるいは絶縁物ではある
が例えば極めて薄い層で形成するために実際には導電性
とかわらない性質を示す陰極材で被覆した構造等、いず
れの構造でも第2の電極がDC型放電電極として形成さ
れ、 これら前面ガラスと背面ガラスが、隔壁を介して各電極
が対向するがごとくに配された後、ガラスフリットによ
り封着されて、真空排気、放電ガス封入等の工程を経て
完成される放電パネルと、 上記背面ガラス側に配したAC型の上記第1の電極と、
前面側に配したDC型の上記第2の電極間に交互にサス
テインパルスを印加することでAC型サステイン放電を
行うことを特徴とした放電型表示パネルの構造。 - 【請求項3】放電型表示パネルいわゆるプラズマディス
プレイパネルの構造において、まずその電極構成が、 背面ガラス側にはアドレス機能とサステイン機能を担う
XYマトリクスの一方の電極を構成するストライプ状の
電極である第1の電極が、その表面を誘電層で被覆され
た所謂AC型電極として形成され、また同じ背面ガラス
板上には上記第1の電極を囲うがごとくに形成された格
子状若しくは挟むがごとくに形成されたストライプ状の
隔壁を具備し、さらには上記隔壁面及び上記第1の電極
の誘電層上には蛍光体が塗布され、 また前面ガラス側には上記第1の電極に対向してアドレ
ス放電とサステイン放電を行うためのXYマトリクスの
他方の電極を構成するストライプ状電極である第2の電
極を有し、その電極を細い金属ワイヤで形成し、このワ
イヤ電極が所謂DC型の電極、即ちその表面を誘電層で
被覆することなく放電空間に直接露出した構造、あるい
はその表面を二次電子放射率の高い導電性の陰極材で被
覆した構造、あるいは絶縁物ではあるが例えば極めて薄
い層で形成するために実際には導電性とかわらない性質
を示す陰極材で被覆した構造等、いずれの構造でも第2
の電極をDC型放電電極として形成し、 これら前面ガラスと背面ガラスが、隔壁を介して各電極
が対向するがごとくに配された後、ガラスフリットによ
り封着されて、真空排気、放電ガス封入等の工程を経て
完成され、 上記前面ガラス側に配したDC型の上記ワイヤ式第2の
電極と、背面側のAC型上記第1の電極間に交互にサス
テインパルスを印加することでAC型サステイン放電を
行うことを特徴とした放電型表示パネルの構造。 - 【請求項4】上記請求項1に記載の、前面側に両者共に
DC型放電電極である第2及び第3の並行して対する一
対の放電電極を有する放電パネルと、この両電極にサス
テインパルスを印加する方式の放電表示装置であって、
そのサステインパルスの条件として、パルス幅及び各パ
ルス間の間隔を放電空間にプラズマが無くならない時間
以内、例えばこれらのパルス幅及びパルス間隔を全て約
1.0マイクロ秒以下とし、上記構造のパネルを上記条
件のサステインパルスで駆動することを要件とする放電
表示装置。 - 【請求項5】上記請求項2及び請求項3に記載の前面側
にはDC型の放電電極である第2の電極と背面側にAC
型の電極である第1の電極が交差して対する放電パネル
と、この両電極にサステインパルスを印加する方式の放
電表示装置であって、そのサステインパルスの条件とし
て、パルス幅及び各パルス間の間隔を放電空間にプラズ
マが無くならない時間以内、例えばこれらのパルス幅及
びパルス間隔を全て約1.0マイクロ秒以下とし、上記
構造のパネルを上記条件のサステインパルスで駆動する
ことを要件とする放電表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5452999A JP2000215814A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 放電型表示パネル及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5452999A JP2000215814A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 放電型表示パネル及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000215814A true JP2000215814A (ja) | 2000-08-04 |
Family
ID=12973204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5452999A Pending JP2000215814A (ja) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | 放電型表示パネル及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000215814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417602B2 (en) | 2003-04-29 | 2008-08-26 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel and driving method thereof |
-
1999
- 1999-01-25 JP JP5452999A patent/JP2000215814A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417602B2 (en) | 2003-04-29 | 2008-08-26 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Plasma display panel and driving method thereof |
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