JP2000221539A - アレイ基板、アレイ基板の修正方法および液晶表示装置 - Google Patents
アレイ基板、アレイ基板の修正方法および液晶表示装置Info
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- JP2000221539A JP2000221539A JP1974999A JP1974999A JP2000221539A JP 2000221539 A JP2000221539 A JP 2000221539A JP 1974999 A JP1974999 A JP 1974999A JP 1974999 A JP1974999 A JP 1974999A JP 2000221539 A JP2000221539 A JP 2000221539A
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- shielding film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 点欠点が生じても容易に修正できるアレイ基
板を提供する。 【解決手段】 ゲート線２と画素電極８の補助容量電極
部8cとの間のゲート絶縁膜５にピンホールが生じて短絡
し、点欠点を生じた場合には、補助容量電極部8cと画素
部8aとを接続している切離部8bをレーザにより切断す
る。接続膜15およびゲート線２と接続膜15および遮光膜
４とにレーザを照射して電気的に接続し、遮光膜４と画
素部8aの対向する部分で補助容量を形成する。遮光膜４
および画素部8aの対向している面積と、ゲート線２およ
び補助容量電極部8cの対向している面積はほぼ等しく、
ゲート線２および遮光膜４は同層のため、いずれも容量
が等しく、表示に悪影響を与えない。
板を提供する。 【解決手段】 ゲート線２と画素電極８の補助容量電極
部8cとの間のゲート絶縁膜５にピンホールが生じて短絡
し、点欠点を生じた場合には、補助容量電極部8cと画素
部8aとを接続している切離部8bをレーザにより切断す
る。接続膜15およびゲート線２と接続膜15および遮光膜
４とにレーザを照射して電気的に接続し、遮光膜４と画
素部8aの対向する部分で補助容量を形成する。遮光膜４
および画素部8aの対向している面積と、ゲート線２およ
び補助容量電極部8cの対向している面積はほぼ等しく、
ゲート線２および遮光膜４は同層のため、いずれも容量
が等しく、表示に悪影響を与えない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、歩留まりを向上し
たアレイ基板、アレイ基板の修正方法および液晶表示装
置に関する。
たアレイ基板、アレイ基板の修正方法および液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の液晶表示装置としては、
たとえば特開平９−４３６３１号公報に記載の構成が知
られている。この特開平９−４３６３１号公報には、ゲ
ート線および信号線を絶縁膜を介して直交させて配設
し、これらゲート線および信号線の交点近傍に薄膜トラ
ンジスタを設け、この薄膜トランジスタで画素電極を制
御している。また、画素電極の一部とゲート線とを絶縁
膜を介して対向させて配設し、これら画素電極およびゲ
ート線との間で補助容量を形成している。
たとえば特開平９−４３６３１号公報に記載の構成が知
られている。この特開平９−４３６３１号公報には、ゲ
ート線および信号線を絶縁膜を介して直交させて配設
し、これらゲート線および信号線の交点近傍に薄膜トラ
ンジスタを設け、この薄膜トランジスタで画素電極を制
御している。また、画素電極の一部とゲート線とを絶縁
膜を介して対向させて配設し、これら画素電極およびゲ
ート線との間で補助容量を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平９−４３６３１号公報に記載の液晶表示装置では、
絶縁膜にピンホールが生ずるなどしてゲート線と画素電
極との間で短絡が生ずると、画素電極にゲート線の電位
が印加され、該当する画素電極が滅点となってしまい点
欠点が生ずる問題を有している。
開平９−４３６３１号公報に記載の液晶表示装置では、
絶縁膜にピンホールが生ずるなどしてゲート線と画素電
極との間で短絡が生ずると、画素電極にゲート線の電位
が印加され、該当する画素電極が滅点となってしまい点
欠点が生ずる問題を有している。
【０００４】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、点欠点が生じても容易に修正できるアレイ基板、ア
レイ基板の修正方法および液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
で、点欠点が生じても容易に修正できるアレイ基板、ア
レイ基板の修正方法および液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数のゲート
線と、これら複数のゲート線に電気的に絶縁した状態で
交差して設けられた複数の信号線と、これらゲート線お
よび信号線の交点近傍に設けられた薄膜トランジスタ
と、画素を形成する画素部、および、前記ゲート線と対
向し補助容量を形成し前記画素部と電気的に切り離し可
能な補助容量電極部を有し、前記薄膜トランジスタによ
り制御されマトリクス状に配設された画素電極と、この
画素電極の画素部に少なくとも一部が対向して設けられ
この画素部との間で補助容量を形成可能で前記ゲート線
に絶縁した状態で配設され導電性を有する遮光膜と、前
記ゲート電極および前記遮光膜の少なくともいずれか一
方に電気的に絶縁して配設され、処理により前記ゲート
電極および前記遮光膜を電気的に接続する接続膜とを具
備したものである。
線と、これら複数のゲート線に電気的に絶縁した状態で
交差して設けられた複数の信号線と、これらゲート線お
よび信号線の交点近傍に設けられた薄膜トランジスタ
と、画素を形成する画素部、および、前記ゲート線と対
向し補助容量を形成し前記画素部と電気的に切り離し可
能な補助容量電極部を有し、前記薄膜トランジスタによ
り制御されマトリクス状に配設された画素電極と、この
画素電極の画素部に少なくとも一部が対向して設けられ
この画素部との間で補助容量を形成可能で前記ゲート線
に絶縁した状態で配設され導電性を有する遮光膜と、前
記ゲート電極および前記遮光膜の少なくともいずれか一
方に電気的に絶縁して配設され、処理により前記ゲート
電極および前記遮光膜を電気的に接続する接続膜とを具
備したものである。
【０００６】そして、ゲート線と画素電極の補助容量電
極部とが短絡している場合に、画素電極の画素部と補助
容量電極とを電気的に切り離し、ゲート電極と遮光膜と
を接続膜を介して電気的に接続し、遮光膜および画素電
極の画素部で補助容量を形成することにより、ゲート線
と画素電極の補助容量電極とが短絡していても、該当す
る画素電極にゲート線から電位が印加されることを防止
するとともに遮光膜と画素電極の画素部との間で補助容
量を形成することにより該当する画素電極を通常どおり
動作させることができ、点欠点が生ずることを防止す
る。
極部とが短絡している場合に、画素電極の画素部と補助
容量電極とを電気的に切り離し、ゲート電極と遮光膜と
を接続膜を介して電気的に接続し、遮光膜および画素電
極の画素部で補助容量を形成することにより、ゲート線
と画素電極の補助容量電極とが短絡していても、該当す
る画素電極にゲート線から電位が印加されることを防止
するとともに遮光膜と画素電極の画素部との間で補助容
量を形成することにより該当する画素電極を通常どおり
動作させることができ、点欠点が生ずることを防止す
る。
【０００７】また、ゲート線と遮光膜とは同層に形成さ
れているもので、遮光膜の形成のための工程の増加を防
止する。
れているもので、遮光膜の形成のための工程の増加を防
止する。
【０００８】さらに、ゲート線および画素電極の補助容
量電極部の対向面積と、遮光膜および画素電極の画素部
の対向面積とは等しいもので、補助容量電極部を画素部
から電気的に切り離して画素電極の画素部と遮光部との
間で補助容量を形成しても補助容量は変わらないので、
点欠点がなくなる。
量電極部の対向面積と、遮光膜および画素電極の画素部
の対向面積とは等しいもので、補助容量電極部を画素部
から電気的に切り離して画素電極の画素部と遮光部との
間で補助容量を形成しても補助容量は変わらないので、
点欠点がなくなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示装置の一
実施の形態を図面を参照して説明する。
実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１０】図１および図２に示すように、１は透光性
を有する絶縁基板としてのガラス基板で、このガラス基
板１にはアルミニウム(Ａｌ)あるいはタンタル(Ｔａ)製
の平行な複数のゲート線２が配設され、これらゲート線
２にはゲート電極３が一体的に形成されているととも
に、同層にいわゆるフローティングブラックマトリクス
である遮光膜４がゲート線２に対して直交する方向に形
成されている。また、これらゲート線２およびゲート電
極３上には、窒化シリコン(ＳｉＮx )あるいは酸化シリ
コン（ＳｉＯx ）のゲート絶縁膜５が全面に形成されて
いる。
を有する絶縁基板としてのガラス基板で、このガラス基
板１にはアルミニウム(Ａｌ)あるいはタンタル(Ｔａ)製
の平行な複数のゲート線２が配設され、これらゲート線
２にはゲート電極３が一体的に形成されているととも
に、同層にいわゆるフローティングブラックマトリクス
である遮光膜４がゲート線２に対して直交する方向に形
成されている。また、これらゲート線２およびゲート電
極３上には、窒化シリコン(ＳｉＮx )あるいは酸化シリ
コン（ＳｉＯx ）のゲート絶縁膜５が全面に形成されて
いる。
【００１１】さらに、ゲート絶縁膜５のゲート電極３上
には、ソース領域6aおよびドレイン領域6bを有する多結
晶シリコンなどの半導体層６が形成され、半導体層６の
中央上部にはチャネル層７が形成されている。
には、ソース領域6aおよびドレイン領域6bを有する多結
晶シリコンなどの半導体層６が形成され、半導体層６の
中央上部にはチャネル層７が形成されている。
【００１２】また、ゲート絶縁膜５上には、ＩＴＯ（In
dium Tin Oxide）の画素電極８がマトリクス状に配設さ
れ、この画素電極８は周縁の対向する２辺がゲート絶縁
膜５を介して遮光膜４の一部と対向して形成された画素
部8aと、この画素部8aから幅狭の切離部8bを介して同様
にゲート絶縁膜５を介してゲート線２と対向して形成さ
れた補助容量電極部8cとを有している。なお、遮光膜４
および画素部8aの対向している面積と、ゲート線２およ
び補助容量電極部8cの対向している面積はほぼ等しく設
定され、ゲート線２および遮光膜４は同層に形成されて
いるため画素部8aおよび補助容量電極8cとの距離は等し
いので、いずれも容量が等しい。
dium Tin Oxide）の画素電極８がマトリクス状に配設さ
れ、この画素電極８は周縁の対向する２辺がゲート絶縁
膜５を介して遮光膜４の一部と対向して形成された画素
部8aと、この画素部8aから幅狭の切離部8bを介して同様
にゲート絶縁膜５を介してゲート線２と対向して形成さ
れた補助容量電極部8cとを有している。なお、遮光膜４
および画素部8aの対向している面積と、ゲート線２およ
び補助容量電極部8cの対向している面積はほぼ等しく設
定され、ゲート線２および遮光膜４は同層に形成されて
いるため画素部8aおよび補助容量電極8cとの距離は等し
いので、いずれも容量が等しい。
【００１３】さらに、半導体層６のソース領域6a上には
チタン（Ｔｉ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）などの金属
のソース電極11が形成され、ドレイン領域6b上および画
素電極８の一部の上部にかけてドレイン電極12が形成さ
れ、ソース電極11はゲート線２と直交する複数本の信号
線13と一体に形成され、ゲート線２および遮光膜４に対
向して接続膜15が形成され、薄膜トランジスタ16を形成
している。そして、これらの表面に保護膜17が形成さ
れ、アレイ基板18を形成している。
チタン（Ｔｉ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）などの金属
のソース電極11が形成され、ドレイン領域6b上および画
素電極８の一部の上部にかけてドレイン電極12が形成さ
れ、ソース電極11はゲート線２と直交する複数本の信号
線13と一体に形成され、ゲート線２および遮光膜４に対
向して接続膜15が形成され、薄膜トランジスタ16を形成
している。そして、これらの表面に保護膜17が形成さ
れ、アレイ基板18を形成している。
【００１４】また、同様にガラス基板21上に、カラーフ
ィルタ22およびブラックマトリクス23が形成され、これ
らカラーフィルタ22およびブラックマトリクス23上には
ＩＴＯなどの対向電極24が形成され、対向基板25を形成
している。
ィルタ22およびブラックマトリクス23が形成され、これ
らカラーフィルタ22およびブラックマトリクス23上には
ＩＴＯなどの対向電極24が形成され、対向基板25を形成
している。
【００１５】そして、アレイ基板18の表面に配光膜26を
形成し、対向基板25の表面にも配光膜27を形成し、これ
ら配光膜26，27を対向させて周囲を封着し、アレイ基板
18および対向基板25間に液晶を挟持して液晶層28を形成
し、液晶表示装置を形成する。
形成し、対向基板25の表面にも配光膜27を形成し、これ
ら配光膜26，27を対向させて周囲を封着し、アレイ基板
18および対向基板25間に液晶を挟持して液晶層28を形成
し、液晶表示装置を形成する。
【００１６】つぎに、上記実施の形態の動作について説
明する。
明する。
【００１７】ゲート線２および信号線13の信号に従いそ
れぞれ対応する薄膜トランジスタ14が動作され、この薄
膜トランジスタ14により画素電極８が制御され液晶層28
を駆動して表示し、補助容量電極部8cとゲート線２との
間の補助容量で表示している状態を維持する。
れぞれ対応する薄膜トランジスタ14が動作され、この薄
膜トランジスタ14により画素電極８が制御され液晶層28
を駆動して表示し、補助容量電極部8cとゲート線２との
間の補助容量で表示している状態を維持する。
【００１８】しかしながら、たとえばゲート線２と画素
電極８の補助容量電極部8cとの間のゲート絶縁膜５にピ
ンホールが生じているとリーク電流が生じて短絡し、画
素電極８とゲート線２の電位が等しくなり、ノーマリー
ホワイトの状態では滅点として表示され、点欠点を生じ
てしまい不良画素となる。
電極８の補助容量電極部8cとの間のゲート絶縁膜５にピ
ンホールが生じているとリーク電流が生じて短絡し、画
素電極８とゲート線２の電位が等しくなり、ノーマリー
ホワイトの状態では滅点として表示され、点欠点を生じ
てしまい不良画素となる。
【００１９】そこで、補助容量電極部8cと画素部8aとを
接続している切離部8bをレーザなどにより切断し、画素
部8aとゲート線２とを電気的に開放し、ゲート線２の電
位と画素部8aの電位とを異ならせ、点欠点でない状態に
する。さらに、この状態では補助容量がなくなり液晶層
28に加わる電位が変化するために中間調では周囲と異な
る輝度となるので、図３に示すように、接続膜15および
ゲート線２と接続膜15および遮光膜４とにレーザを照射
して電気的に接続し、遮光膜４と画素部8aの対向する部
分で補助容量を形成する。なお、遮光膜４および画素部
8aの対向している面積と、ゲート線２および補助容量電
極部8cの対向している面積はほぼ等しく設定され、ゲー
ト線２および遮光膜４は同層に形成されているため画素
部8aおよび補助容量電極8cとの距離は等しいので、いず
れも容量が等しく、表示に悪影響を与えることを防止で
き、不良画素を良点化して歩留まりの向上を図ることが
できる。
接続している切離部8bをレーザなどにより切断し、画素
部8aとゲート線２とを電気的に開放し、ゲート線２の電
位と画素部8aの電位とを異ならせ、点欠点でない状態に
する。さらに、この状態では補助容量がなくなり液晶層
28に加わる電位が変化するために中間調では周囲と異な
る輝度となるので、図３に示すように、接続膜15および
ゲート線２と接続膜15および遮光膜４とにレーザを照射
して電気的に接続し、遮光膜４と画素部8aの対向する部
分で補助容量を形成する。なお、遮光膜４および画素部
8aの対向している面積と、ゲート線２および補助容量電
極部8cの対向している面積はほぼ等しく設定され、ゲー
ト線２および遮光膜４は同層に形成されているため画素
部8aおよび補助容量電極8cとの距離は等しいので、いず
れも容量が等しく、表示に悪影響を与えることを防止で
き、不良画素を良点化して歩留まりの向上を図ることが
できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ゲート線と画素電極の
補助容量電極部とが短絡している場合に、画素電極の画
素部と補助容量電極とを電気的に切り離し、ゲート電極
と遮光膜とを接続膜を介して電気的に接続し、遮光膜お
よび画素電極の画素部で補助容量を形成することによ
り、ゲート線と画素電極の補助容量電極とが短絡してい
ても、該当する画素電極にゲート線から電位が印加され
ることを防止するとともに遮光膜と画素電極の画素部と
の間で補助容量を形成することにより該当する画素電極
を通常どおり動作させることができ、点欠点が生ずるこ
とを防止できる。
補助容量電極部とが短絡している場合に、画素電極の画
素部と補助容量電極とを電気的に切り離し、ゲート電極
と遮光膜とを接続膜を介して電気的に接続し、遮光膜お
よび画素電極の画素部で補助容量を形成することによ
り、ゲート線と画素電極の補助容量電極とが短絡してい
ても、該当する画素電極にゲート線から電位が印加され
ることを防止するとともに遮光膜と画素電極の画素部と
の間で補助容量を形成することにより該当する画素電極
を通常どおり動作させることができ、点欠点が生ずるこ
とを防止できる。
【図１】本発明の一実施の形態のアレイ基板を示す平面
図である。
図である。
【図２】同上液晶表示装置を図１のＡ−Ａ断面に対応し
て示す断面図である。
て示す断面図である。
【図３】同上図１のＢ−Ｂ断面に対応して示す断面図で
ある。
ある。
２ ゲート線 ４ 遮光膜 ８ 画素電極 8a 画素部 8c 補助容量電極部 13 信号線 14 薄膜トランジスタ 15 接続膜 18 アレイ基板 25 対向基板 28 液晶層
Claims (6)
- 【請求項１】 複数のゲート線と、 これら複数のゲート線に電気的に絶縁した状態で交差し
て設けられた複数の信号線と、 これらゲート線および信号線の交点近傍に設けられた薄
膜トランジスタと、 画素を形成する画素部、および、前記ゲート線と対向し
補助容量を形成し前記画素部と電気的に切り離し可能な
補助容量電極部を有し、前記薄膜トランジスタにより制
御されマトリクス状に配設された画素電極と、 この画素電極の画素部に少なくとも一部が対向して設け
られこの画素部との間で補助容量を形成可能で前記ゲー
ト線に絶縁した状態で配設され導電性を有する遮光膜
と、 前記ゲート電極および前記遮光膜の少なくともいずれか
一方に電気的に絶縁して配設され、処理により前記ゲー
ト電極および前記遮光膜を電気的に接続する接続膜とを
具備したことを特徴とするアレイ基板。 - 【請求項２】 ゲート線と遮光膜とは同層に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。 - 【請求項３】 ゲート線および画素電極の補助容量電極
部の対向面積と、遮光膜および画素電極の画素部の対向
面積とは等しいことを特徴とする請求項１または２記載
のアレイ基板。 - 【請求項４】 複数のゲート線と、これら複数のゲート
線に電気的に絶縁した状態で交差して設けられた複数の
信号線と、これらゲート線および信号線の交点近傍に設
けられた薄膜トランジスタと、画素を形成する画素部、
および、前記ゲート線と対向し補助容量を形成し前記画
素部と電気的に切り離し可能な補助容量電極部を有し、
前記薄膜トランジスタにより制御されマトリクス状に配
設された画素電極と、この画素電極の画素部に少なくと
も一部が対向して設けられこの画素部との間で補助容量
を形成可能で前記ゲート線に絶縁した状態で配設され導
電性を有する遮光膜と、前記ゲート電極および前記遮光
膜の少なくともいずれか一方に電気的に絶縁して配設さ
れ、処理により前記ゲート電極および前記遮光膜を電気
的に接続する接続膜とを具備したアレイ基板の修正方法
であって、 前記ゲート線と前記画素電極の補助容量電極部との短絡
している場合に、前記画素電極の画素部と補助容量電極
とを電気的に切り離し、前記ゲート電極と前記遮光膜と
を接続膜を介して電気的に接続し、前記遮光膜および前
記画素電極の画素部で補助容量を形成することを特徴と
するアレイ基板の修正方法。 - 【請求項５】 ゲート線と遮光膜とは同層に形成されて
いることを特徴とする請求項４記載のアレイ基板の修正
方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし３いずれか記載のアレイ
基板と、 このアレイ基板に対向して設けられた対向基板と、 これらアレイ基板および対向基板間に挟持された液晶層
とを具備したことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1974999A JP2000221539A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | アレイ基板、アレイ基板の修正方法および液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1974999A JP2000221539A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | アレイ基板、アレイ基板の修正方法および液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000221539A true JP2000221539A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12008003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1974999A Pending JP2000221539A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | アレイ基板、アレイ基板の修正方法および液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000221539A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010140052A (ja) * | 1999-03-05 | 2010-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| CN104672421B (zh) * | 2015-02-11 | 2017-06-06 | 黄山中泽新材料有限公司 | 复合油墨连接料聚氨酯树脂制备方法和凹版印刷用复合油墨 |
-
1999
- 1999-01-28 JP JP1974999A patent/JP2000221539A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010140052A (ja) * | 1999-03-05 | 2010-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| CN104672421B (zh) * | 2015-02-11 | 2017-06-06 | 黄山中泽新材料有限公司 | 复合油墨连接料聚氨酯树脂制备方法和凹版印刷用复合油墨 |
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