JP2000221661A - フォトマスク及びそれを備えた露光装置 - Google Patents
フォトマスク及びそれを備えた露光装置Info
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 孤立パターンと密集パターンが混在するフォ
トマスクであっても、孤立パターンを転写したパターン
の寸法精度を向上させることができるフォトマスク及び
それを備えた露光装置を提供する。 【解決手段】 本発明のフォトマスクは、ガラス基板１
０と、該基板１０の上に配置された孤立ラインパターン
１１ｃ及び密集ラインパターン１１ａ，１１ｂと、該孤
立ラインパターン１１ｃ、該密集ラインパターン１１
ａ，１１ｂ及び該基板１０の全面上に形成されたフォト
クロミック材料膜１２と、を具備するものである。ま
た、密集ラインパターン１１ａ，１１ｂがパターン／ス
ペースの比が１／３を越えないパターンであり、孤立ラ
インパターン１１ｃがパターン／スペースの比が１／３
を越えるパターンである。
トマスクであっても、孤立パターンを転写したパターン
の寸法精度を向上させることができるフォトマスク及び
それを備えた露光装置を提供する。 【解決手段】 本発明のフォトマスクは、ガラス基板１
０と、該基板１０の上に配置された孤立ラインパターン
１１ｃ及び密集ラインパターン１１ａ，１１ｂと、該孤
立ラインパターン１１ｃ、該密集ラインパターン１１
ａ，１１ｂ及び該基板１０の全面上に形成されたフォト
クロミック材料膜１２と、を具備するものである。ま
た、密集ラインパターン１１ａ，１１ｂがパターン／ス
ペースの比が１／３を越えないパターンであり、孤立ラ
インパターン１１ｃがパターン／スペースの比が１／３
を越えるパターンである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、孤立パターンと密
集パターンが混在するフォトマスク及びそれを備えた露
光装置に関するものである。特には、孤立パターンを転
写したパターンの寸法精度を向上させることができるフ
ォトマスク及びそれを備えた露光装置に関するものであ
る。
集パターンが混在するフォトマスク及びそれを備えた露
光装置に関するものである。特には、孤立パターンを転
写したパターンの寸法精度を向上させることができるフ
ォトマスク及びそれを備えた露光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４（ａ）は、従来の露光装置に適用し
たフォトマスクの一部を示す断面図であり、図４（ｂ）
は、図４（ａ）に示すフォトマスクを用いて露光した際
の光強度Ｉとその位置Ｘの関係を示すグラフであり、図
４（ｃ）は、図４（ａ）に示すフォトマスクを用いてレ
ジスト膜を露光することにより得られるレジストパター
ンを示す断面図である。
たフォトマスクの一部を示す断面図であり、図４（ｂ）
は、図４（ａ）に示すフォトマスクを用いて露光した際
の光強度Ｉとその位置Ｘの関係を示すグラフであり、図
４（ｃ）は、図４（ａ）に示すフォトマスクを用いてレ
ジスト膜を露光することにより得られるレジストパター
ンを示す断面図である。
【０００３】図４（ａ）に示すフォトマスク１００は、
ガラス基板１１０と、その下に形成されたクロムからな
るラインパターン１１１ａ〜１１１ｃと、から構成され
ている。このフォトマスク１００の製作方法は、ガラス
基板１１０の全面上にクロムを成膜し、このクロム膜上
にレジストを塗布し、このレジスト膜を描画、現像し、
エッチングすることによりガラス基板１１０上にクロム
のラインパターン１１１ａ〜１１１ｃを形成し、該レジ
スト膜を剥離した後、このガラス基板１１０にペリクル
（図示せず）を装着するものである。
ガラス基板１１０と、その下に形成されたクロムからな
るラインパターン１１１ａ〜１１１ｃと、から構成され
ている。このフォトマスク１００の製作方法は、ガラス
基板１１０の全面上にクロムを成膜し、このクロム膜上
にレジストを塗布し、このレジスト膜を描画、現像し、
エッチングすることによりガラス基板１１０上にクロム
のラインパターン１１１ａ〜１１１ｃを形成し、該レジ
スト膜を剥離した後、このガラス基板１１０にペリクル
（図示せず）を装着するものである。
【０００４】このフォトマスク１００を露光装置（図示
せず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した
際、該フォトマスク１００を透過した光の強度は図４
（ｂ）に示すようなものとなる。図４（ｂ）において点
線はレジストが感光する光強度のボーダーを示してい
る。この図から分かるように、フォトマスク１００にお
いて、密集ラインパターン１１１ａ，１１１ｂの光強度
はレジストを感光するのに適したものとなっているが、
孤立ラインパターン１１１ｃの光強度はレジストを感光
するのに不適切なものである。つまり、この場合は、密
集ラインパターン１１１ａ，１１１ｂに露光量を合わせ
ているため、孤立ラインパターンの部分の光強度が強く
なりすぎてしまうからである。
せず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した
際、該フォトマスク１００を透過した光の強度は図４
（ｂ）に示すようなものとなる。図４（ｂ）において点
線はレジストが感光する光強度のボーダーを示してい
る。この図から分かるように、フォトマスク１００にお
いて、密集ラインパターン１１１ａ，１１１ｂの光強度
はレジストを感光するのに適したものとなっているが、
孤立ラインパターン１１１ｃの光強度はレジストを感光
するのに不適切なものである。つまり、この場合は、密
集ラインパターン１１１ａ，１１１ｂに露光量を合わせ
ているため、孤立ラインパターンの部分の光強度が強く
なりすぎてしまうからである。
【０００５】図４（ｃ）に示すように、上記フォトマス
ク１００を用いて基板１１５上に塗布されたポジ型レジ
ストを露光し現像すると、基板１１５上に密集ラインパ
ターン１１９ａ，１１９ｂ及び孤立ラインパターン１１
９ｃを形成することができる。このとき、密集ラインパ
ターン１１９ａ，１１９ｂは所望の幅を有するパターン
となっているが、孤立ラインパターン１１９ｃは所望の
幅より細い幅を有するラインパターンとなってしまう。
ク１００を用いて基板１１５上に塗布されたポジ型レジ
ストを露光し現像すると、基板１１５上に密集ラインパ
ターン１１９ａ，１１９ｂ及び孤立ラインパターン１１
９ｃを形成することができる。このとき、密集ラインパ
ターン１１９ａ，１１９ｂは所望の幅を有するパターン
となっているが、孤立ラインパターン１１９ｃは所望の
幅より細い幅を有するラインパターンとなってしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように孤立ライ
ンパターン１１９ｃの線幅が細くなるのは、上述したよ
うに密集ラインパターン１１１ａ，１１１ｂに露光量を
合わせているため、孤立ラインパターンの部分の光強度
が強くなりすぎてしまうからである。
ンパターン１１９ｃの線幅が細くなるのは、上述したよ
うに密集ラインパターン１１１ａ，１１１ｂに露光量を
合わせているため、孤立ラインパターンの部分の光強度
が強くなりすぎてしまうからである。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、孤立パターンと密集パタ
ーンが混在するフォトマスクであっても、孤立パターン
を転写したパターンの寸法精度を向上させることができ
るフォトマスク及びそれを備えた露光装置を提供するこ
とにある。
れたものであり、その目的は、孤立パターンと密集パタ
ーンが混在するフォトマスクであっても、孤立パターン
を転写したパターンの寸法精度を向上させることができ
るフォトマスク及びそれを備えた露光装置を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１態様に係るフォトマスクは、基板と、
該基板の上に配置された孤立パターン及び密集パターン
と、該孤立パターン、該密集パターン及び該基板の全面
上に形成されたフォトクロミック材料膜と、を具備する
ことを特徴とする。
め、本発明の第１態様に係るフォトマスクは、基板と、
該基板の上に配置された孤立パターン及び密集パターン
と、該孤立パターン、該密集パターン及び該基板の全面
上に形成されたフォトクロミック材料膜と、を具備する
ことを特徴とする。
【０００９】第１態様に係るフォトマスクでは、密集パ
ターン、孤立パターン及び基板の全面上にフォトクロミ
ック材料膜を形成しているため、露光の際の照射光によ
って孤立パターンの近傍のフォトクロミック材料膜が発
色して、その部分の光の透過率が低下させることができ
る。これにより、転写基板上での孤立パターンと密集パ
ターンの光強度の差（バイアス）を圧縮することができ
る。その結果、孤立パターンを転写したパターンの寸法
精度を向上させることができる。
ターン、孤立パターン及び基板の全面上にフォトクロミ
ック材料膜を形成しているため、露光の際の照射光によ
って孤立パターンの近傍のフォトクロミック材料膜が発
色して、その部分の光の透過率が低下させることができ
る。これにより、転写基板上での孤立パターンと密集パ
ターンの光強度の差（バイアス）を圧縮することができ
る。その結果、孤立パターンを転写したパターンの寸法
精度を向上させることができる。
【００１０】本発明の第２態様に係るフォトマスクは、
基板と、該基板の上に配置された孤立パターンと、該基
板の上に形成され、該孤立パターンの近傍に配置された
フォトクロミック材料膜と、を具備することを特徴とす
る。また、上記基板の上に配置された密集パターンをさ
らに含み、該密集パターンがパターン／スペースの比が
１／３を越えないパターンであり、上記孤立パターンが
パターン／スペースの比が１／３を越えるパターンであ
ることが好ましい。
基板と、該基板の上に配置された孤立パターンと、該基
板の上に形成され、該孤立パターンの近傍に配置された
フォトクロミック材料膜と、を具備することを特徴とす
る。また、上記基板の上に配置された密集パターンをさ
らに含み、該密集パターンがパターン／スペースの比が
１／３を越えないパターンであり、上記孤立パターンが
パターン／スペースの比が１／３を越えるパターンであ
ることが好ましい。
【００１１】第２態様に係るフォトマスクでは、基板上
の孤立パターンの近傍にフォトクロミック材料膜を形成
しているため、露光の際の照射光によってフォトクロミ
ック材料膜が発色して、その部分の光の透過率を低下さ
せることができる。これにより、転写基板上での孤立パ
ターンと密集パターンの光強度の差（バイアス）を圧縮
することができる。その結果、孤立パターンを転写した
パターンの寸法精度を向上させることができる。
の孤立パターンの近傍にフォトクロミック材料膜を形成
しているため、露光の際の照射光によってフォトクロミ
ック材料膜が発色して、その部分の光の透過率を低下さ
せることができる。これにより、転写基板上での孤立パ
ターンと密集パターンの光強度の差（バイアス）を圧縮
することができる。その結果、孤立パターンを転写した
パターンの寸法精度を向上させることができる。
【００１２】本発明の第３態様に係るフォトマスクを備
えた露光装置は、基板と、該基板の上に配置された孤立
パターンと、該基板の上に形成され、該孤立パターンの
近傍に配置されたフォトクロミック材料膜と、を具備す
ることを特徴とする。また、上記基板の上に配置された
密集パターンをさらに含み、該密集パターンがパターン
／スペースの比が１／３を越えないパターンであり、上
記孤立パターンがパターン／スペースの比が１／３を越
えるパターンであることが好ましい。
えた露光装置は、基板と、該基板の上に配置された孤立
パターンと、該基板の上に形成され、該孤立パターンの
近傍に配置されたフォトクロミック材料膜と、を具備す
ることを特徴とする。また、上記基板の上に配置された
密集パターンをさらに含み、該密集パターンがパターン
／スペースの比が１／３を越えないパターンであり、上
記孤立パターンがパターン／スペースの比が１／３を越
えるパターンであることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００１４】図１（ａ）は、本発明の第1の実施の形態
による露光装置に適用したフォトマスクの一部を示す断
面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すフォトマ
スクを用いて露光した際の転写基板上での光強度Ｉとそ
の位置Ｘの関係を示すグラフである。図１（ｃ）は、図
１（ａ）に示すフォトマスクを用いてレジスト膜を露光
することにより得られるレジストパターンを示す断面図
である。
による露光装置に適用したフォトマスクの一部を示す断
面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すフォトマ
スクを用いて露光した際の転写基板上での光強度Ｉとそ
の位置Ｘの関係を示すグラフである。図１（ｃ）は、図
１（ａ）に示すフォトマスクを用いてレジスト膜を露光
することにより得られるレジストパターンを示す断面図
である。
【００１５】図１（ａ）に示すフォトマスク１は、ガラ
ス基板１０と、該ガラス基板１０下に形成されたクロム
からなる密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ及び孤立ラ
インパターン１１ｃと、該密集ラインパターン１１ａ，
１１ｂ及び孤立ラインパターン１１ｃを含むガラス基板
１０の全面下に形成されたフォトクロミック材料膜１２
と、から構成されている。
ス基板１０と、該ガラス基板１０下に形成されたクロム
からなる密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ及び孤立ラ
インパターン１１ｃと、該密集ラインパターン１１ａ，
１１ｂ及び孤立ラインパターン１１ｃを含むガラス基板
１０の全面下に形成されたフォトクロミック材料膜１２
と、から構成されている。
【００１６】ここで、孤立ラインパターン１１ｃとは、
ライン／スペースの比が１／３を越えるラインパターン
をいい、密集ラインパターン１１ａ，１１ｂとは、ライ
ン／スペースの比が１／３を越えないラインパターンを
いう。各種レジスト材料を用いて実験したところ、ライ
ンパターンの場合はおおむねライン／スペースの比が１
／３よりも離れるとレジストの焦点深度などの露光特性
が変わらなくなるので、このように定義する。
ライン／スペースの比が１／３を越えるラインパターン
をいい、密集ラインパターン１１ａ，１１ｂとは、ライ
ン／スペースの比が１／３を越えないラインパターンを
いう。各種レジスト材料を用いて実験したところ、ライ
ンパターンの場合はおおむねライン／スペースの比が１
／３よりも離れるとレジストの焦点深度などの露光特性
が変わらなくなるので、このように定義する。
【００１７】また、フォトクロミック材料膜１２の厚さ
は一定であることが好ましい。また、フォトクロミック
材料は、光が当たると発色し、光を吸収する性質を有す
る。つまり、この材料は、照射される光の強度（又は照
射光のエネルギー）が大きいと、光の透過率が落ちる特
性を有する。フォトクロミック材料には可逆性のものと
非可逆性のものがあるが、フォトクロミック材料膜１２
としては可逆性の材料を用いることが好ましい。可逆性
のフォトクロミック材料とは、光が当たって発色して
も、もとの透明色に戻ることができるものをいう。非可
逆的のフォトクロミック材料とは、光が当たって一旦発
色すると、もとの色には戻らないものをいう。
は一定であることが好ましい。また、フォトクロミック
材料は、光が当たると発色し、光を吸収する性質を有す
る。つまり、この材料は、照射される光の強度（又は照
射光のエネルギー）が大きいと、光の透過率が落ちる特
性を有する。フォトクロミック材料には可逆性のものと
非可逆性のものがあるが、フォトクロミック材料膜１２
としては可逆性の材料を用いることが好ましい。可逆性
のフォトクロミック材料とは、光が当たって発色して
も、もとの透明色に戻ることができるものをいう。非可
逆的のフォトクロミック材料とは、光が当たって一旦発
色すると、もとの色には戻らないものをいう。
【００１８】また、フォトクロミック材料としては、無
機フォトクロミック材料及び有機フォトクロミック材料
のいずれを用いることも可能である。無機フォトクロミ
ック材料としては、例えばハロゲン化銀を含むフォトク
ロミックガラス（具体的には１９６４年コーニング社に
よるＳｉＯ2-Ｎａ2ＯＡｌ2Ｏ3-Ｂ3Ｏ3ガラス中に粒子径
５０〜１００オングストロームのＡｇＸ（Ｘはハロゲン
原子）を分散させたもの等）を用いることができる。
機フォトクロミック材料及び有機フォトクロミック材料
のいずれを用いることも可能である。無機フォトクロミ
ック材料としては、例えばハロゲン化銀を含むフォトク
ロミックガラス（具体的には１９６４年コーニング社に
よるＳｉＯ2-Ｎａ2ＯＡｌ2Ｏ3-Ｂ3Ｏ3ガラス中に粒子径
５０〜１００オングストロームのＡｇＸ（Ｘはハロゲン
原子）を分散させたもの等）を用いることができる。
【００１９】また、有機フォトクロミック材料として
は、例えば、図２に示すフルキド系材料を用いることが
できる。この材料は、紫外光が照射されると発色して、
光の吸収が大きくなる。この材料にＡｒイオンレーザー
（波長５１４ｎｍ）を照射すると消色する。この材料を
一般的な露光機（露光波長３６５ｎｍ）で用いる場合の
方法については後述する。
は、例えば、図２に示すフルキド系材料を用いることが
できる。この材料は、紫外光が照射されると発色して、
光の吸収が大きくなる。この材料にＡｒイオンレーザー
（波長５１４ｎｍ）を照射すると消色する。この材料を
一般的な露光機（露光波長３６５ｎｍ）で用いる場合の
方法については後述する。
【００２０】図１（ａ）のフォトマスク１の製作方法
は、ガラス基板１０の全面上にクロムを成膜し、このク
ロム膜上にレジストを塗布し、このレジスト膜を描画、
現像し、エッチングすることによりガラス基板１０上に
クロムのラインパターン１１ａ〜１１ｃを形成し、該レ
ジスト膜を剥離した後、ラインパターン１１ａ〜１１ｃ
及びガラス基板１０の上にフォトクロミック材料膜１２
を形成した後、このガラス基板１０にペリクル（図示せ
ず）を装着するものである。
は、ガラス基板１０の全面上にクロムを成膜し、このク
ロム膜上にレジストを塗布し、このレジスト膜を描画、
現像し、エッチングすることによりガラス基板１０上に
クロムのラインパターン１１ａ〜１１ｃを形成し、該レ
ジスト膜を剥離した後、ラインパターン１１ａ〜１１ｃ
及びガラス基板１０の上にフォトクロミック材料膜１２
を形成した後、このガラス基板１０にペリクル（図示せ
ず）を装着するものである。
【００２１】このフォトマスク１を露光装置（図示せ
ず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した際、
該フォトマスク１を透過した光の強度は図１（ｂ）に示
すようなものとなる。図１（ｂ）において点線は、レジ
ストが感光する光強度のボーダーを示している。この図
から分かるように、フォトマスク１において、密集ライ
ンパターン１１ａ，１１ｂの光強度と孤立ラインパター
ン１１ｃの光強度はともにレジストを感光するのに適し
たものとなっている。これは、フォトクロミック材料膜
１２をガラス基板１０の全面上に配置しているため、露
光の際の照射光によって孤立ラインパターン１１ｃの近
傍のフォトクロミック材料膜１２が発色して、その部分
の光の透過率が低下することにより、密集ラインパター
ンと孤立ラインパターンとで生じる基板１５上の光強度
の差を小さくすることができるからである。
ず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した際、
該フォトマスク１を透過した光の強度は図１（ｂ）に示
すようなものとなる。図１（ｂ）において点線は、レジ
ストが感光する光強度のボーダーを示している。この図
から分かるように、フォトマスク１において、密集ライ
ンパターン１１ａ，１１ｂの光強度と孤立ラインパター
ン１１ｃの光強度はともにレジストを感光するのに適し
たものとなっている。これは、フォトクロミック材料膜
１２をガラス基板１０の全面上に配置しているため、露
光の際の照射光によって孤立ラインパターン１１ｃの近
傍のフォトクロミック材料膜１２が発色して、その部分
の光の透過率が低下することにより、密集ラインパター
ンと孤立ラインパターンとで生じる基板１５上の光強度
の差を小さくすることができるからである。
【００２２】図１（ｃ）に示すように、フォトマスク１
を用いて基板１５上に塗布されたポジ型レジストを露
光、現像することにより、基板１５上に、転写された密
集ラインパターン１９ａ，１９ｂ及び孤立ラインパター
ン１９ｃを形成することができる。このとき、密集ライ
ンパターン１９ａ，１９ｂと孤立ラインパターン１９ｃ
はともに所望の幅を有するパターンとなっている。
を用いて基板１５上に塗布されたポジ型レジストを露
光、現像することにより、基板１５上に、転写された密
集ラインパターン１９ａ，１９ｂ及び孤立ラインパター
ン１９ｃを形成することができる。このとき、密集ライ
ンパターン１９ａ，１９ｂと孤立ラインパターン１９ｃ
はともに所望の幅を有するパターンとなっている。
【００２３】上記第1の実施の形態によれば、フォトマ
スク１において密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ、孤
立ラインパターン１１ｃ及びガラス基板１０の全面上に
フォトクロミック材料膜１２を形成している。これによ
り、転写基板１５上での孤立ラインパターンと密集ライ
ンパターンの光強度の差（バイアス）を圧縮することが
できる。その結果、孤立ラインパターン１１ｃを転写し
たパターン１９ｃの寸法精度を向上させることができ
る。
スク１において密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ、孤
立ラインパターン１１ｃ及びガラス基板１０の全面上に
フォトクロミック材料膜１２を形成している。これによ
り、転写基板１５上での孤立ラインパターンと密集ライ
ンパターンの光強度の差（バイアス）を圧縮することが
できる。その結果、孤立ラインパターン１１ｃを転写し
たパターン１９ｃの寸法精度を向上させることができ
る。
【００２４】図２は、本発明で用いるフォトクロミック
材料の一例であるフルキド系材料の化学式及びフルキド
系材料の吸収スペクトルを示す図である。
材料の一例であるフルキド系材料の化学式及びフルキド
系材料の吸収スペクトルを示す図である。
【００２５】このフルキド系材料をフォトクロミック材
料として一般的な露光機（露光波長３６５ｎｍ）に用い
る場合の方法について説明する。
料として一般的な露光機（露光波長３６５ｎｍ）に用い
る場合の方法について説明する。
【００２６】まず、フォトマスク全面に紫外線を照射す
る。これにより、フォトマスク全面のフォトクロミック
材料膜を図２に示すＢの状態にする。このときの紫外線
照射は、フォトマスクの透過部の透過率がパターンの粗
密に拘わらず全て均一になるような照射とする。
る。これにより、フォトマスク全面のフォトクロミック
材料膜を図２に示すＢの状態にする。このときの紫外線
照射は、フォトマスクの透過部の透過率がパターンの粗
密に拘わらず全て均一になるような照射とする。
【００２７】次に、フォトマスク全面に波長５１４ｎｍ
の均一強度のＡｒイオンレーザーを照射する。このと
き、密集パターン部のフォトクロミック材料に与えられ
るエネルギーは、孤立パターン部に比べて小さくなる。
従って、所定の照射量を設定することにより、少ない照
射量の密集パターン部のフォトクロミック材料膜は図２
に示すＡの状態に戻らず、孤立パターン部のフォトクロ
ミック材料膜のみＡの状態に戻るようにすることができ
る。
の均一強度のＡｒイオンレーザーを照射する。このと
き、密集パターン部のフォトクロミック材料に与えられ
るエネルギーは、孤立パターン部に比べて小さくなる。
従って、所定の照射量を設定することにより、少ない照
射量の密集パターン部のフォトクロミック材料膜は図２
に示すＡの状態に戻らず、孤立パターン部のフォトクロ
ミック材料膜のみＡの状態に戻るようにすることができ
る。
【００２８】このようなフォトマスクにおいては、図２
に示すように、実際の露光波長３６５ｎｍでみると、密
集パターン部はフォトクロミック材料膜がＢの状態であ
るので透過率が高く、孤立パターン部はフォトクロミッ
ク材料膜がＡの状態であるので透過率が低くなる。この
フォトマスクを用いて波長３６５ｎｍの露光光源にて実
際の露光を行う際は、ある程度高感度のフォトレジスト
を選択することが望ましい。露光中にフォトクロミック
材料の透過率が変わる可能性もあるため、露光されるフ
ォトレジストには適当な感度が必要だからである。
に示すように、実際の露光波長３６５ｎｍでみると、密
集パターン部はフォトクロミック材料膜がＢの状態であ
るので透過率が高く、孤立パターン部はフォトクロミッ
ク材料膜がＡの状態であるので透過率が低くなる。この
フォトマスクを用いて波長３６５ｎｍの露光光源にて実
際の露光を行う際は、ある程度高感度のフォトレジスト
を選択することが望ましい。露光中にフォトクロミック
材料の透過率が変わる可能性もあるため、露光されるフ
ォトレジストには適当な感度が必要だからである。
【００２９】図３（ａ）は、本発明の第２の実施の形態
による露光装置に適用したフォトマスクの一部を示す断
面図であり、図１（ａ）と同一部分には同一符号を付
す。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すフォトマスクを用
いて露光した際の転写基板上での光強度Ｉとその位置Ｘ
の関係を示すグラフである。図３（ｃ）は、図３（ａ）
に示すフォトマスクを用いてレジスト膜を露光すること
により得られるレジストパターンを示す断面図である。
による露光装置に適用したフォトマスクの一部を示す断
面図であり、図１（ａ）と同一部分には同一符号を付
す。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すフォトマスクを用
いて露光した際の転写基板上での光強度Ｉとその位置Ｘ
の関係を示すグラフである。図３（ｃ）は、図３（ａ）
に示すフォトマスクを用いてレジスト膜を露光すること
により得られるレジストパターンを示す断面図である。
【００３０】図３（ａ）に示すフォトマスク２は、ガラ
ス基板１０と、該ガラス基板１０下に形成されたクロム
からなる密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ及び孤立ラ
インパターン１１ｃと、該孤立ラインパターン１１ｃ及
びその近傍を含むガラス基板１０の下に形成されたフォ
トクロミック材料膜１２と、から構成されている。
ス基板１０と、該ガラス基板１０下に形成されたクロム
からなる密集ラインパターン１１ａ，１１ｂ及び孤立ラ
インパターン１１ｃと、該孤立ラインパターン１１ｃ及
びその近傍を含むガラス基板１０の下に形成されたフォ
トクロミック材料膜１２と、から構成されている。
【００３１】ここで、孤立ラインパターン１１ｃの定義
と密集ラインパターンと１１ａ，１１ｂの定義は、第1
の実施の形態と同様である。
と密集ラインパターンと１１ａ，１１ｂの定義は、第1
の実施の形態と同様である。
【００３２】図３（ａ）のフォトマスク２の製作方法
は、ガラス基板１０の全面上にクロムを成膜し、このク
ロム膜上にレジストを塗布し、このレジスト膜を描画、
現像し、エッチングすることによりガラス基板１０上に
クロムのラインパターン１１ａ〜１１ｃを形成し、該レ
ジスト膜を剥離した後、孤立ラインパターン及びその近
傍のガラス基板１０の上にフォトクロミック材料膜１２
を形成した後、このガラス基板１０にペリクル（図示せ
ず）を装着するものである。
は、ガラス基板１０の全面上にクロムを成膜し、このク
ロム膜上にレジストを塗布し、このレジスト膜を描画、
現像し、エッチングすることによりガラス基板１０上に
クロムのラインパターン１１ａ〜１１ｃを形成し、該レ
ジスト膜を剥離した後、孤立ラインパターン及びその近
傍のガラス基板１０の上にフォトクロミック材料膜１２
を形成した後、このガラス基板１０にペリクル（図示せ
ず）を装着するものである。
【００３３】このフォトマスク２を露光装置（図示せ
ず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した際、
該フォトマスク１を透過した光の強度は図３（ｂ）に示
すようなものとなり、第1の実施の形態と同様に、孤立
ラインパターン１１ｃの光強度もレジストを感光するの
に適したものとなっている。この理由も、第1の実施の
形態と同様である。
ず）に適用して投影レンズにより縮小投影露光した際、
該フォトマスク１を透過した光の強度は図３（ｂ）に示
すようなものとなり、第1の実施の形態と同様に、孤立
ラインパターン１１ｃの光強度もレジストを感光するの
に適したものとなっている。この理由も、第1の実施の
形態と同様である。
【００３４】図３（ｃ）に示すように、フォトマスク２
を用いて基板１５上に塗布されたポジ型レジストを露
光、現像することにより、基板１５上に、転写された密
集ラインパターン１９ａ，１９ｂ及び孤立ラインパター
ン１９ｃを形成することができる。このとき、密集ライ
ンパターン１９ａ，１９ｂと孤立ラインパターン１９ｃ
はともに所望の幅を有するパターンとなっている。
を用いて基板１５上に塗布されたポジ型レジストを露
光、現像することにより、基板１５上に、転写された密
集ラインパターン１９ａ，１９ｂ及び孤立ラインパター
ン１９ｃを形成することができる。このとき、密集ライ
ンパターン１９ａ，１９ｂと孤立ラインパターン１９ｃ
はともに所望の幅を有するパターンとなっている。
【００３５】上記第２の実施の形態によれば、ガラス基
板１０上の孤立ラインパターン１１ｃの近傍にフォトク
ロミック材料膜１２を形成しているため、露光の際の照
射光によってフォトクロミック材料膜１２が発色して、
その部分の光の透過率を低下させることができる。これ
により、転写基板１５上での孤立ラインパターン１１ｃ
と密集パターン１１ａ，１１ｂの光強度の差（バイア
ス）を圧縮することができる。その結果、孤立パターン
を転写したパターンの寸法精度を向上させることができ
る。
板１０上の孤立ラインパターン１１ｃの近傍にフォトク
ロミック材料膜１２を形成しているため、露光の際の照
射光によってフォトクロミック材料膜１２が発色して、
その部分の光の透過率を低下させることができる。これ
により、転写基板１５上での孤立ラインパターン１１ｃ
と密集パターン１１ａ，１１ｂの光強度の差（バイア
ス）を圧縮することができる。その結果、孤立パターン
を転写したパターンの寸法精度を向上させることができ
る。
【００３６】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板上の孤立パターンの近傍にフォトクロミック材料膜を
形成している。したがって、孤立パターンと密集パター
ンが混在するフォトマスクであっても、孤立パターンを
転写したパターンの寸法精度を向上させることができ
る。
板上の孤立パターンの近傍にフォトクロミック材料膜を
形成している。したがって、孤立パターンと密集パター
ンが混在するフォトマスクであっても、孤立パターンを
転写したパターンの寸法精度を向上させることができ
る。
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第1の実施の
形態による露光装置に適用したフォトマスクを説明する
ための図である。
形態による露光装置に適用したフォトマスクを説明する
ための図である。
【図２】本発明で用いるフォトクロミック材料の一例で
あるフルキド系材料の化学式及びフルキド系材料の吸収
スペクトルを示す図である。
あるフルキド系材料の化学式及びフルキド系材料の吸収
スペクトルを示す図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施の
形態による露光装置に適用したフォトマスクを説明する
ための図である。
形態による露光装置に適用したフォトマスクを説明する
ための図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、従来の露光装置に適用
したフォトマスクを説明するための図である。
したフォトマスクを説明するための図である。
１，２ フォトマスク １０ ガラス
基板 １１ａ，１１ｂ 密集ラインパターン １１ｃ 孤
立ラインパターン １２ フォトクロミック材料膜 １５ 基板 １９ａ，１９ｂ 密集ラインパターン（レジストパター
ン） １９ｃ 孤立ラインパターン（レジストパターン） １００ フォトマスク １１０ ガ
ラス基板 １１１ａ，１１１ｂ 密集ラインパターン １１１ｃ 孤立ラインパターン １１５ 基
板 １１９ａ，１１９ｂ 密集ラインパターン（レジストパ
ターン） １１９ｃ 孤立ラインパターン（レジストパターン）
基板 １１ａ，１１ｂ 密集ラインパターン １１ｃ 孤
立ラインパターン １２ フォトクロミック材料膜 １５ 基板 １９ａ，１９ｂ 密集ラインパターン（レジストパター
ン） １９ｃ 孤立ラインパターン（レジストパターン） １００ フォトマスク １１０ ガ
ラス基板 １１１ａ，１１１ｂ 密集ラインパターン １１１ｃ 孤立ラインパターン １１５ 基
板 １１９ａ，１１９ｂ 密集ラインパターン（レジストパ
ターン） １１９ｃ 孤立ラインパターン（レジストパターン）
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、 該基板の上に配置された孤立パターン及び密集パターン
と、 該孤立パターン、該密集パターン及び該基板の全面上に
形成されたフォトクロミック材料膜と、 を具備することを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 基板と、 該基板の上に配置された孤立パターンと、 該基板の上に形成され、該孤立パターンの近傍に配置さ
れたフォトクロミック材料膜と、 を具備することを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項３】 上記基板の上に配置された密集パターン
をさらに含み、該密集パターンがパターン／スペースの
比が１／３を越えないパターンであり、上記孤立パター
ンがパターン／スペースの比が１／３を越えるパターン
であることを特徴とする請求項２記載のフォトマスク。 - 【請求項４】 基板と、 該基板の上に配置された孤立パターンと、 該基板の上に形成され、該孤立パターンの近傍に配置さ
れたフォトクロミック材料膜と、 を具備することを特徴とするフォトマスクを備えた露光
装置。 - 【請求項５】 上記基板の上に配置された密集パターン
をさらに含み、該密集パターンがパターン／スペースの
比が１／３を越えないパターンであり、上記孤立パター
ンがパターン／スペースの比が１／３を越えるパターン
であることを特徴とする請求項４記載のフォトマスクを
備えた露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2501199A JP2000221661A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | フォトマスク及びそれを備えた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2501199A JP2000221661A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | フォトマスク及びそれを備えた露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000221661A true JP2000221661A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12153989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2501199A Withdrawn JP2000221661A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | フォトマスク及びそれを備えた露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000221661A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023197553A1 (zh) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | 西湖大学 | 掩模版、光刻装置、掩模版的制造方法和基于掩模版的光刻方法 |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP2501199A patent/JP2000221661A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023197553A1 (zh) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | 西湖大学 | 掩模版、光刻装置、掩模版的制造方法和基于掩模版的光刻方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050113 |