JP2000223629A - ベアｉｃの放熱構造 - Google Patents
ベアｉｃの放熱構造Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源系など発熱量の大きいベアＩＣの場合、
通常の状態では放熱が効果的に行われず、ベアＩＣの表
面上に放熱版を追加したり、ベアＩＣが実装された基板
が搭載される筐体に空冷システムを設けるなど、表面に
露出した一つの面からの放熱効果を向上させる取り組み
が行われている。 【解決手段】 ベアＩＣ２のパッシベーション膜部に配
置されたグラファイトシート７によって、ベアＩＣから
の発熱をベアＩＣが実装された基板１側に逃すことで放
熱効果を向上させる。
通常の状態では放熱が効果的に行われず、ベアＩＣの表
面上に放熱版を追加したり、ベアＩＣが実装された基板
が搭載される筐体に空冷システムを設けるなど、表面に
露出した一つの面からの放熱効果を向上させる取り組み
が行われている。 【解決手段】 ベアＩＣ２のパッシベーション膜部に配
置されたグラファイトシート７によって、ベアＩＣから
の発熱をベアＩＣが実装された基板１側に逃すことで放
熱効果を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源系を中心とし
た高発熱ベアＩＣの実装を必要とする電気回路基板にお
けるベアＩＣの放熱構造に関するものである。
た高発熱ベアＩＣの実装を必要とする電気回路基板にお
けるベアＩＣの放熱構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のベアＩＣ接続工法によると、ベア
ＩＣ上に形成されたバンプを基板側に設けられたランド
に接合し、ベアＩＣと基板との間隙を樹脂で封止、固定
する方法がある。
ＩＣ上に形成されたバンプを基板側に設けられたランド
に接合し、ベアＩＣと基板との間隙を樹脂で封止、固定
する方法がある。
【０００３】図６は従来例の基板上に実装されたベアＩ
Ｃの平面図、図７は図６のＤ−Ｄ矢視断面図である。図
６，図７において、４箇所の電極を持つベアＩＣ２に対
し、それぞれの電極にバンプ３を形成、基板１上に設け
られたランド４に接合することで、ベアＩＣ２と基板１
上に形成された電気回路（配線パターン５）との導通を
取っている。この後、ベアＩＣ２と基板との間隙に封止
樹脂６を流し込み、熱硬化させることで電気的接合部の
保護とベアＩＣの固定を行っている。
Ｃの平面図、図７は図６のＤ−Ｄ矢視断面図である。図
６，図７において、４箇所の電極を持つベアＩＣ２に対
し、それぞれの電極にバンプ３を形成、基板１上に設け
られたランド４に接合することで、ベアＩＣ２と基板１
上に形成された電気回路（配線パターン５）との導通を
取っている。この後、ベアＩＣ２と基板との間隙に封止
樹脂６を流し込み、熱硬化させることで電気的接合部の
保護とベアＩＣの固定を行っている。
【０００４】この場合、表面に露出しているのはベアＩ
Ｃ２の表面ａのみであり、裏面ｂ、及び４つの側面ｃは
封止樹脂６で覆われている。
Ｃ２の表面ａのみであり、裏面ｂ、及び４つの側面ｃは
封止樹脂６で覆われている。
【０００５】封止樹脂はベアＩＣの接合部保護とベアＩ
Ｃの固定など、信頼性確保を目的に使われており、一般
に封止に使われる樹脂は熱伝導性の良い物は使われてい
ないため、ベアＩＣでの発熱は封止樹脂層で閉じ込めら
れることになる。
Ｃの固定など、信頼性確保を目的に使われており、一般
に封止に使われる樹脂は熱伝導性の良い物は使われてい
ないため、ベアＩＣでの発熱は封止樹脂層で閉じ込めら
れることになる。
【０００６】そのため、電源系など発熱量の大きいベア
ＩＣの場合、通常の状態では放熱が効果的に行われず、
図８の断面図に示すようにベアＩＣ２の表面ａ上に放熱
板９を追加したり、ベアＩＣが実装された基板が搭載さ
れる筐体に空冷システムを設けるなど、表面に露出した
一つの面からの放熱効果を向上させる取り組みが行われ
ている。
ＩＣの場合、通常の状態では放熱が効果的に行われず、
図８の断面図に示すようにベアＩＣ２の表面ａ上に放熱
板９を追加したり、ベアＩＣが実装された基板が搭載さ
れる筐体に空冷システムを設けるなど、表面に露出した
一つの面からの放熱効果を向上させる取り組みが行われ
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
対応策では、放熱板の追加で部品高さが増加し、また、
空冷システムの追加で筐体サイズが増加する。一般的に
ベアＩＣが実装される商品には軽薄短小が求められてお
り、商品に求められている必要条件を満たすことが困難
であるという問題があった。
対応策では、放熱板の追加で部品高さが増加し、また、
空冷システムの追加で筐体サイズが増加する。一般的に
ベアＩＣが実装される商品には軽薄短小が求められてお
り、商品に求められている必要条件を満たすことが困難
であるという問題があった。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、高発
熱ベアＩＣを、放熱効果を維持したまま省スペースで実
装できる放熱構造を提供することを目的としている。
熱ベアＩＣを、放熱効果を維持したまま省スペースで実
装できる放熱構造を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
し目的を達成するためベアＩＣのパッシベーション膜部
に熱伝導性の高いグラファイトシートを配置し、ベアＩ
Ｃからの発熱をベアＩＣが実装された基板側に逃がすこ
とで実装スペースを増やさず放熱効果を向上させること
ができる。
し目的を達成するためベアＩＣのパッシベーション膜部
に熱伝導性の高いグラファイトシートを配置し、ベアＩ
Ｃからの発熱をベアＩＣが実装された基板側に逃がすこ
とで実装スペースを増やさず放熱効果を向上させること
ができる。
【００１０】また、ベアＩＣのパッシベーション膜部に
配置されたグラファイトシートに接するように基板側に
設けた放熱用パターンによって、ベアＩＣからの発熱を
ベアＩＣが実装された基板側に逃がすことで実装スペー
スを増やさず放熱効果を向上させることができる。
配置されたグラファイトシートに接するように基板側に
設けた放熱用パターンによって、ベアＩＣからの発熱を
ベアＩＣが実装された基板側に逃がすことで実装スペー
スを増やさず放熱効果を向上させることができる。
【００１１】また、基板上に設けられた放熱用パターン
をベアＩＣの外側まで引き出し、ベアＩＣからの発熱を
ベアＩＣ外部の基板表面に逃がすことで、実装スペース
を増やさず放熱効果を向上させることができる。
をベアＩＣの外側まで引き出し、ベアＩＣからの発熱を
ベアＩＣ外部の基板表面に逃がすことで、実装スペース
を増やさず放熱効果を向上させることができる。
【００１２】また、ベアＩＣの外側まで引き出された放
熱用パターン上に配置されたグラファイトシートによっ
て、実装スペースを増やさずにベアＩＣからの発熱を基
板上のより広い面積で放熱することができる。
熱用パターン上に配置されたグラファイトシートによっ
て、実装スペースを増やさずにベアＩＣからの発熱を基
板上のより広い面積で放熱することができる。
【００１３】また、ベアＩＣの接続された配線パターン
の表面に配置されたグラファイトシートによって、実装
スペースを増やさず、基板上のより広い面積で放熱効果
を向上させることができる。
の表面に配置されたグラファイトシートによって、実装
スペースを増やさず、基板上のより広い面積で放熱効果
を向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態を図
１から図５を用いて説明する。
１から図５を用いて説明する。
【００１５】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１におけるベアＩＣの平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢
視断面図である。図１および図２において、７は熱伝導
性の高いグラファイートである。その他、前記図６ない
し図８と同じ部材には同じ符号を付し、その説明を省略
する。
態１におけるベアＩＣの平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢
視断面図である。図１および図２において、７は熱伝導
性の高いグラファイートである。その他、前記図６ない
し図８と同じ部材には同じ符号を付し、その説明を省略
する。
【００１６】図１および図２に示すように、それぞれの
電極にバンプ３が形成されたベアＩＣ２のパッシベーシ
ョン膜部にバンプ３と同じほぼ高さ（ベアＩＣ実装後の
高さ）のグラファイトシート７を配置（貼付）し、この
ベアＩＣのバンプ３を基板１上に設けられたランド４に
接合することで、ベアＩＣ２と基板１上に形成された電
気回路（配線パターン５）との導通を取り、ベアＩＣ２
と基板１との間隙に封止樹脂６を流し込み、熱硬化させ
ることで電気的接合部の保護とベアＩＣの固定を行う。
こうしてベアＩＣの放熱構造が実現される。
電極にバンプ３が形成されたベアＩＣ２のパッシベーシ
ョン膜部にバンプ３と同じほぼ高さ（ベアＩＣ実装後の
高さ）のグラファイトシート７を配置（貼付）し、この
ベアＩＣのバンプ３を基板１上に設けられたランド４に
接合することで、ベアＩＣ２と基板１上に形成された電
気回路（配線パターン５）との導通を取り、ベアＩＣ２
と基板１との間隙に封止樹脂６を流し込み、熱硬化させ
ることで電気的接合部の保護とベアＩＣの固定を行う。
こうしてベアＩＣの放熱構造が実現される。
【００１７】本実施の形態によって従来構造と異なる点
は図２に示すように、通常はベアＩＣ２と基板１の間に
は封止樹脂６が充填されるが、封止樹脂６に代わってグ
ラファイトシート７が挟まっている形となる。
は図２に示すように、通常はベアＩＣ２と基板１の間に
は封止樹脂６が充填されるが、封止樹脂６に代わってグ
ラファイトシート７が挟まっている形となる。
【００１８】ベアＩＣ２で発生した熱は、ベアＩＣ表面
ａから空気中へ放熱とあわせて、ベアＩＣ裏面ｂからグ
ラファイトシート７を介して基板１に伝わり、基板全体
を活用した放熱が可能になる。熱伝導性の低い封止樹脂
に変わり、熱伝導牲の高いグラファイトシートがベアＩ
Ｃと基板の間を満たすことになり、結果的にベアＩＣの
発熱がより基板に伝わることとなる。
ａから空気中へ放熱とあわせて、ベアＩＣ裏面ｂからグ
ラファイトシート７を介して基板１に伝わり、基板全体
を活用した放熱が可能になる。熱伝導性の低い封止樹脂
に変わり、熱伝導牲の高いグラファイトシートがベアＩ
Ｃと基板の間を満たすことになり、結果的にベアＩＣの
発熱がより基板に伝わることとなる。
【００１９】なお、本実施の形態は、ベアＩＣと基板の
間にグラファイトシートを挟み込んだ構造にすることが
ねらいであり、あらかじめグラファイトシートが貼付さ
れた基板にベアＩＣを実装する等、放熱構造を実現する
ための実装の手順は特に問わない。
間にグラファイトシートを挟み込んだ構造にすることが
ねらいであり、あらかじめグラファイトシートが貼付さ
れた基板にベアＩＣを実装する等、放熱構造を実現する
ための実装の手順は特に問わない。
【００２０】（実施の形態２）図３は本発明の実施の形
態２におけるベアＩＣの平面図、図４は図３のＢ−Ｂ矢
視断面図、図５は図３のＣ−Ｃ矢視断面図である。図３
ないし図５において、８は放熱用パターンであり、その
他図１、図２と同じ部材には同じ符号を付し、その説明
を省略する。
態２におけるベアＩＣの平面図、図４は図３のＢ−Ｂ矢
視断面図、図５は図３のＣ−Ｃ矢視断面図である。図３
ないし図５において、８は放熱用パターンであり、その
他図１、図２と同じ部材には同じ符号を付し、その説明
を省略する。
【００２１】まず、ベアＩＣ２の実装される基板表面ａ
部分に、通常の配線パターン５と放熱用パターン８を設
ける。なお、この放熱用パターン８はベアＩＣ２の外側
まで引き出されている。配線パターン５と放熱用パター
ン８はショートしないようパターンニングすることを基
本とし、ベアＩＣ直下部分だけではなく、スペースが許
せるなら、ベアＩＣの発熱量にあわせて広範囲にパター
ンニングするものとする。
部分に、通常の配線パターン５と放熱用パターン８を設
ける。なお、この放熱用パターン８はベアＩＣ２の外側
まで引き出されている。配線パターン５と放熱用パター
ン８はショートしないようパターンニングすることを基
本とし、ベアＩＣ直下部分だけではなく、スペースが許
せるなら、ベアＩＣの発熱量にあわせて広範囲にパター
ンニングするものとする。
【００２２】次に、配線パターン５と放熱用パターン８
の表面にグラファイトシート７を配置（貼付）する。但
し、配線パターン上に貼付されるグラファイトシートは
ランド４部分に重ならないものとし、また、ベアＩＣ直
下部分放熱パターンに貼付されるグラファイトシート７
の厚さはベアＩＣ２が実装された後のバンプ３の高さに
等しいものとする。
の表面にグラファイトシート７を配置（貼付）する。但
し、配線パターン上に貼付されるグラファイトシートは
ランド４部分に重ならないものとし、また、ベアＩＣ直
下部分放熱パターンに貼付されるグラファイトシート７
の厚さはベアＩＣ２が実装された後のバンプ３の高さに
等しいものとする。
【００２３】次に、上記基板に対して、通常の方法にて
ベアＩＣの実装を行う。こうしてベアＩＣの放熱構造が
実現される。
ベアＩＣの実装を行う。こうしてベアＩＣの放熱構造が
実現される。
【００２４】ベアＩＣで発生した熱は、ベアＩＣ表面ａ
から空気中へ放熱とあわせて、ベアＩＣ裏面ｂからグラ
ファイトシート７を介して基板裏面ｂの放熱用パターン
８に伝わり、ベアＩＣ直下部分以外の領域に伝わる。放
熱用パターンによって、より広範囲に、またグラファイ
トシートによってより効果的な放熱が可能になる。
から空気中へ放熱とあわせて、ベアＩＣ裏面ｂからグラ
ファイトシート７を介して基板裏面ｂの放熱用パターン
８に伝わり、ベアＩＣ直下部分以外の領域に伝わる。放
熱用パターンによって、より広範囲に、またグラファイ
トシートによってより効果的な放熱が可能になる。
【００２５】また、配線パターン５の表面に貼付された
グラファイトシートによっても同様の放熱効果を得るこ
とが出来る。
グラファイトシートによっても同様の放熱効果を得るこ
とが出来る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ベアＩＣ
のパッシベーション膜部に熱伝導牲の高いグラファイト
シートを配置し、ベアＩＣからの発熱をベアＩＣが実装
された基板側に逃がすことで実装スペースを増やさず放
熱効果を向上させることができる。
のパッシベーション膜部に熱伝導牲の高いグラファイト
シートを配置し、ベアＩＣからの発熱をベアＩＣが実装
された基板側に逃がすことで実装スペースを増やさず放
熱効果を向上させることができる。
【００２７】また、ベアＩＣのパッシベーション膜部に
配置されたグラファイトシートに接するように基板側に
設けた放熱用パターンによって、ベアＩＣからの発熱を
ベアＩＣが実装された基板側に逃がすことで実装スペー
スを増やさず放熱効果を向上させることができる。
配置されたグラファイトシートに接するように基板側に
設けた放熱用パターンによって、ベアＩＣからの発熱を
ベアＩＣが実装された基板側に逃がすことで実装スペー
スを増やさず放熱効果を向上させることができる。
【００２８】また、基板上に設けられた放熱用パターン
をベアＩＣの外側まで引き出し、ベアＩＣからの発熱を
ベアＩＣ外部の基板表面に逃がすことで、実装スペース
を増やさず放熱効果を向上させることができる。
をベアＩＣの外側まで引き出し、ベアＩＣからの発熱を
ベアＩＣ外部の基板表面に逃がすことで、実装スペース
を増やさず放熱効果を向上させることができる。
【００２９】また、ベアＩＣの外側まで引き出された放
熱用パターン上に配置されたグラファイトシートによっ
て、実装スペースを増やさずにベアＩＣからの発熱を基
板上のより広い面積で放熱することができる。
熱用パターン上に配置されたグラファイトシートによっ
て、実装スペースを増やさずにベアＩＣからの発熱を基
板上のより広い面積で放熱することができる。
【００３０】また、ベアＩＣの接続された配線パターン
の表面に配置されたグラファイトシートによって、実装
スペースを増やさず、基板上のより広い面積で放熱効果
を向上させることができる。
の表面に配置されたグラファイトシートによって、実装
スペースを増やさず、基板上のより広い面積で放熱効果
を向上させることができる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるベアＩＣの放熱
構造の平面図
構造の平面図
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図
【図３】本発明の実施の形態２におけるベアＩＣの放熱
構造の平面図
構造の平面図
【図４】図３のＢ−Ｂ矢視断面図
【図５】図３のＣ−Ｃ矢視断面図
【図６】従来例の基板上に実装されたベアＩＣの平面図
【図７】図６のＤ−Ｄ矢視断面図である
【図８】従来例の表面に放熱板を有する基板上に実装さ
れたベアＩＣの断面図
れたベアＩＣの断面図
１ 基板 ２ ベアＩＣ ３ バンプ ４ ランド ５ 配線パターン ６ 封止樹脂 ７ グラファイトシート ８ 放熱用パターン ９ 放熱板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 喜文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BB21 BD11
Claims (5)
- 【請求項１】 ベアＩＣからの発熱をベアＩＣが実装さ
れた基板側に逃がして放熱効果を向上させるためベアＩ
Ｃのパッシベーション膜部に熱伝導性の高いグラファイ
トシートを配置したことを特徴とするベアＩＣの放熱構
造。 - 【請求項２】 ベアＩＣからの発熱をベアＩＣが実装さ
れた基板側に逃がして放熱効果を向上させるためベアＩ
Ｃのパッシベーション膜部に配置されたグラファイトシ
ートに接するように基板側に放熱用パターンを設けたこ
とを特徴とするベアＩＣの放熱構造。 - 【請求項３】 ベアＩＣからの発熱をベアＩＣ外部の基
板表面に逃がして放熱効果を向上させるため基板上に設
けられた放熱用パターンをベアＩＣの外側まで引き出し
たことを特徴とするベアＩＣの放熱構造。 - 【請求項４】 ベアＩＣからの発熱を基板上のより広い
面積で放熱するためベアＩＣの外側まで引き出された放
熱用パターン上にグラファイトシートを配置したことを
特徴とするべアＩＣの放熱構造。 - 【請求項５】 基板上のより広い面積で放熱効果を向上
させためベアＩＣの接続された配線パターンの表面にグ
ラファイトシートを配置したことを特徴とするベアＩＣ
の放熱構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11025553A JP2000223629A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | ベアｉｃの放熱構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11025553A JP2000223629A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | ベアｉｃの放熱構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223629A true JP2000223629A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12169158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11025553A Pending JP2000223629A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | ベアｉｃの放熱構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223629A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10201781A1 (de) * | 2002-01-17 | 2003-08-07 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenz-Leistungsbauteil und Hochfrequenz-Leistungsmodul sowie Verfahren zur Herstellung derselben |
| WO2004044982A1 (ja) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Fujitsu Limited | 実装構造 |
| JP2007011265A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR20160065676A (ko) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 삼성전자주식회사 | 열전도 필름을 가진 반도체 패키지 |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11025553A patent/JP2000223629A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10201781A1 (de) * | 2002-01-17 | 2003-08-07 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenz-Leistungsbauteil und Hochfrequenz-Leistungsmodul sowie Verfahren zur Herstellung derselben |
| US6867492B2 (en) | 2002-01-17 | 2005-03-15 | Infineon Technologies Ag | Radio-frequency power component, radio-frequency power module, method for producing a radio-frequency power component, and method for producing a radio-frequency power module |
| DE10201781B4 (de) * | 2002-01-17 | 2007-06-06 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenz-Leistungsbauteil und Hochfrequenz-Leistungsmodul sowie Verfahren zur Herstellung derselben |
| WO2004044982A1 (ja) * | 2002-11-12 | 2004-05-27 | Fujitsu Limited | 実装構造 |
| US7285429B2 (en) | 2002-11-12 | 2007-10-23 | Fujitsu Limited | Mounting device for high frequency microwave devices |
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| KR101138261B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2012-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| US8514362B2 (en) | 2005-06-29 | 2013-08-20 | Lg Display Co. Ltd. | Liquid crystal display device including protection pad |
| KR20160065676A (ko) * | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 삼성전자주식회사 | 열전도 필름을 가진 반도체 패키지 |
| KR102335771B1 (ko) | 2014-12-01 | 2021-12-06 | 삼성전자주식회사 | 열전도 필름을 가진 반도체 패키지 |
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