JP2000226627A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング時の通電時間の長短に拘わらず、
概ね高静電容量の電解コンデンサ電極箔が得られるアル
ミニウム合金箔を提供する。 【解決手段】 このアルミニウム合金箔は、アルミニウ
ム純度が９９．４％以上で、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及び不可
避不純物を含む。アルミニウム合金箔中には、平均フェ
レー径が０．３〜１０μｍの晶・析出物群区域が点在し
ている。晶・析出物群区域中には、平均粒径が０．０５
〜５．０μｍの晶・析出物が３０〜１００個存在してい
る。また、晶・析出物群区域間の平均間隔は２０〜１５
０μｍである。このようなアルミニウム合金箔は、次の
ような方法で製造することができる。所定組成のアルミ
ニウム鋳塊を準備する。この鋳塊に、４８０〜５６０℃
で１〜３０時間の条件で均質化処理を施す。その後、熱
間圧延を施し、圧延率が９５％以上となるように仕上冷
間圧延を施す。最後に、２５０〜４５０℃の条件で最終
焼鈍を施す。
概ね高静電容量の電解コンデンサ電極箔が得られるアル
ミニウム合金箔を提供する。 【解決手段】 このアルミニウム合金箔は、アルミニウ
ム純度が９９．４％以上で、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及び不可
避不純物を含む。アルミニウム合金箔中には、平均フェ
レー径が０．３〜１０μｍの晶・析出物群区域が点在し
ている。晶・析出物群区域中には、平均粒径が０．０５
〜５．０μｍの晶・析出物が３０〜１００個存在してい
る。また、晶・析出物群区域間の平均間隔は２０〜１５
０μｍである。このようなアルミニウム合金箔は、次の
ような方法で製造することができる。所定組成のアルミ
ニウム鋳塊を準備する。この鋳塊に、４８０〜５６０℃
で１〜３０時間の条件で均質化処理を施す。その後、熱
間圧延を施し、圧延率が９５％以上となるように仕上冷
間圧延を施す。最後に、２５０〜４５０℃の条件で最終
焼鈍を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量の高い電
解コンデンサ電極箔を得ることのできるアルミニウム合
金箔及びその製造方法に関するものである。特に、静電
容量の高い電解コンデンサ陰極箔又は低圧用陽極箔を得
ることのできるアルミニウム合金箔及びその製造方法に
関するものである。
解コンデンサ電極箔を得ることのできるアルミニウム合
金箔及びその製造方法に関するものである。特に、静電
容量の高い電解コンデンサ陰極箔又は低圧用陽極箔を得
ることのできるアルミニウム合金箔及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電解コンデンサ用電極箔を製
造するためには、アルミニウム合金箔にエッチング処理
を施し、合金箔表面に微細な孔（エッチングピット）を
多数形成して、合金箔表面の表面積を拡大することが行
われている。この表面積の拡大は、電解コンデンサ用電
極箔の静電容量を高めるために、最も有効な方法であ
る。従って、高静電容量の電解コンデンサ用電極箔を得
るためには、エッチング特性の良好なアルミニウム合金
箔を使用する必要がある。なお、エッチング処理として
は、使用耐電圧に適したエッチングピットが得られるよ
うに種々のエッチング方法が採用されているが、電解コ
ンデンサ陰極箔又は低圧用陽極箔を得る際には、一般的
に交流エッチング法を採用し、合金箔表面に海綿状のエ
ッチングピットを形成することが行われている。
造するためには、アルミニウム合金箔にエッチング処理
を施し、合金箔表面に微細な孔（エッチングピット）を
多数形成して、合金箔表面の表面積を拡大することが行
われている。この表面積の拡大は、電解コンデンサ用電
極箔の静電容量を高めるために、最も有効な方法であ
る。従って、高静電容量の電解コンデンサ用電極箔を得
るためには、エッチング特性の良好なアルミニウム合金
箔を使用する必要がある。なお、エッチング処理として
は、使用耐電圧に適したエッチングピットが得られるよ
うに種々のエッチング方法が採用されているが、電解コ
ンデンサ陰極箔又は低圧用陽極箔を得る際には、一般的
に交流エッチング法を採用し、合金箔表面に海綿状のエ
ッチングピットを形成することが行われている。
【０００３】どのようなアルミニウム合金箔が、良好な
エッチング特性を示すかについては、従来より、種々の
提案がなされている。例えば、特開平２−２００７４９
号公報には、純度９９．５％以上のアルミニウム箔であ
って、粒径０．１〜５μｍの析出物が２０００〜６００
０個／ｍｍ2存在するものが、電解コンデンサ陰極用ア
ルミニウム箔として好適であることが提案されている。
即ち、この程度の大きさの析出物が、この程度の数で存
在するアルミニウム箔に、交流エッチングを施すと、高
静電容量の陰極箔が得られることが提案されている。
エッチング特性を示すかについては、従来より、種々の
提案がなされている。例えば、特開平２−２００７４９
号公報には、純度９９．５％以上のアルミニウム箔であ
って、粒径０．１〜５μｍの析出物が２０００〜６００
０個／ｍｍ2存在するものが、電解コンデンサ陰極用ア
ルミニウム箔として好適であることが提案されている。
即ち、この程度の大きさの析出物が、この程度の数で存
在するアルミニウム箔に、交流エッチングを施すと、高
静電容量の陰極箔が得られることが提案されている。
【０００４】しかしながら、本発明者等が実験を行った
ところ、このようなアルミニウム箔に交流エッチングを
施しても、常に高静電容量の電解コンデンサ陰極箔を得
ることができなかった。即ち、エッチング処理の条件に
よっては、高静電容量を実現できないということが判明
した。例えば、エッチング時の通電時間が短かったり、
或いは長かったりすると、高静電容量の電解コンデンサ
陰極箔が得られないということがあったのである。従っ
て、高静電容量の電解コンデンサ陰極箔を得るために
は、常に、どの程度の通電時間が最適であるかを探る必
要があり、エッチング処理が煩雑になるという憾みがあ
った。
ところ、このようなアルミニウム箔に交流エッチングを
施しても、常に高静電容量の電解コンデンサ陰極箔を得
ることができなかった。即ち、エッチング処理の条件に
よっては、高静電容量を実現できないということが判明
した。例えば、エッチング時の通電時間が短かったり、
或いは長かったりすると、高静電容量の電解コンデンサ
陰極箔が得られないということがあったのである。従っ
て、高静電容量の電解コンデンサ陰極箔を得るために
は、常に、どの程度の通電時間が最適であるかを探る必
要があり、エッチング処理が煩雑になるという憾みがあ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者等
は、エッチング処理における通電時間の長短によって、
静電容量が極端に低下しないアルミニウム合金箔を開発
すべく、種々研究を行った。この結果、その作用は定か
ではないが、多数の析出物よりなる特定の大きさの群
を、不連続な状態で点在させると、通電時間の長短に拘
わらず、概ね高静電容量の電解コンデンサ電極箔が得ら
れることが判明した。本発明は、このような知見に基づ
いてなされたものである。
は、エッチング処理における通電時間の長短によって、
静電容量が極端に低下しないアルミニウム合金箔を開発
すべく、種々研究を行った。この結果、その作用は定か
ではないが、多数の析出物よりなる特定の大きさの群
を、不連続な状態で点在させると、通電時間の長短に拘
わらず、概ね高静電容量の電解コンデンサ電極箔が得ら
れることが判明した。本発明は、このような知見に基づ
いてなされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、アルミ
ニウム純度が９９．４％以上で、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及び
不可避不純物を含むアルミニウム合金箔であって、該ア
ルミニウム合金箔中には、平均フェレー径が０．３〜１
０μｍの晶・析出物群区域が点在しており、該晶・析出
物群区域中には、平均粒径が０．０５〜５．０μｍの晶
・析出物が３０〜１００個存在していることを特徴とす
る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製
造方法に関するものである。
ニウム純度が９９．４％以上で、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及び
不可避不純物を含むアルミニウム合金箔であって、該ア
ルミニウム合金箔中には、平均フェレー径が０．３〜１
０μｍの晶・析出物群区域が点在しており、該晶・析出
物群区域中には、平均粒径が０．０５〜５．０μｍの晶
・析出物が３０〜１００個存在していることを特徴とす
る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製
造方法に関するものである。
【０００７】本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔のアルミニウム純度は、９９．４％以上で
ある。アルミニウム純度が９９．４％未満になると、他
の元素或いは不純物の量が多くなって、晶・析出物の数
が多くなり、エッチング時に過溶解を生じやすくなるの
で、好ましくない。過溶解が生じると、一旦形成された
エッチングピットが合体して脱落し、表面積の拡大が図
れず、高静電容量の電解コンデンサ電極箔が得られない
のである。
ニウム合金箔のアルミニウム純度は、９９．４％以上で
ある。アルミニウム純度が９９．４％未満になると、他
の元素或いは不純物の量が多くなって、晶・析出物の数
が多くなり、エッチング時に過溶解を生じやすくなるの
で、好ましくない。過溶解が生じると、一旦形成された
エッチングピットが合体して脱落し、表面積の拡大が図
れず、高静電容量の電解コンデンサ電極箔が得られない
のである。
【０００８】本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔には、他元素として、Ｆｅ，Ｓｉ及びＣｕ
が含有されている。これらの元素を任意の所定量含有さ
せることにより、晶・析出物の大きさ及び数、更には晶
・析出物群区域の大きさ及びこの点在状態を、ある程度
調整することができる。特に、Ｆｅ及びＳｉが含有され
ていないと、晶・析出物の数が少なくなり、エッチング
時におけるエッチング開始点が少なくなって、高静電容
量の電解コンデンサ電極箔が得られにくくなる。また、
Ｃｕが含有されていないと、エッチング時において溶解
が進行しにくくなり、高静電容量の電解コンデンサ電極
箔が得られにくくなる。Ｆｅの含有量は、０．００１〜
０．１重量％の範囲、一般的には０．０１〜０．０５重
量％の範囲で任意に設定することができる。Ｓｉの含有
量も、０．００１〜０．１重量％の範囲、一般的には
０．０１〜０．０５重量％の範囲で任意に設定すること
ができる。Ｃｕの含有量は、０．０００５〜０．５重量
％、一般的には０．００１〜０．３重量％の範囲で任意
に設定することができる。なお、これらの元素の他に、
不可避不純物が含まれていることは、言うまでもない。
ニウム合金箔には、他元素として、Ｆｅ，Ｓｉ及びＣｕ
が含有されている。これらの元素を任意の所定量含有さ
せることにより、晶・析出物の大きさ及び数、更には晶
・析出物群区域の大きさ及びこの点在状態を、ある程度
調整することができる。特に、Ｆｅ及びＳｉが含有され
ていないと、晶・析出物の数が少なくなり、エッチング
時におけるエッチング開始点が少なくなって、高静電容
量の電解コンデンサ電極箔が得られにくくなる。また、
Ｃｕが含有されていないと、エッチング時において溶解
が進行しにくくなり、高静電容量の電解コンデンサ電極
箔が得られにくくなる。Ｆｅの含有量は、０．００１〜
０．１重量％の範囲、一般的には０．０１〜０．０５重
量％の範囲で任意に設定することができる。Ｓｉの含有
量も、０．００１〜０．１重量％の範囲、一般的には
０．０１〜０．０５重量％の範囲で任意に設定すること
ができる。Ｃｕの含有量は、０．０００５〜０．５重量
％、一般的には０．００１〜０．３重量％の範囲で任意
に設定することができる。なお、これらの元素の他に、
不可避不純物が含まれていることは、言うまでもない。
【０００９】本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔中には、平均フェレー径が０．３〜１０μ
ｍの晶・析出物群区域が点在している。ここで、晶・析
出物群区域とは、図１の１で示した黒点の区域のことを
意味している。図１は、本発明の一例に係る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム合金箔表面を、過塩素酸とエタ
ノールの混合液（液温−２０℃以下）を用いて、電解研
磨し、その後走査型電子顕微鏡を用いて撮影した写真で
ある。そして、この晶・析出物群区域の平均フェレー径
は０．３〜１０μｍである。平均フェレー径が０．３μ
ｍ未満であると、群区域内における一個一個の晶・析出
物の平均粒径がどうしても小さくなりすぎて、エッチン
グ処理時においてエッチング開始点となりにくいので、
好ましくない。また、平均フェレー径が１０μｍを超え
ると、群区域内における一個一個の晶・析出物の平均粒
径がどうしても大きくなりすぎて、エッチング処理時に
おいて過溶解を起こすので、好ましくない。また、群区
域相互の間隔もどうしても短くなり、エッチング処理時
において過溶解を起こすので、好ましくない。なお、平
均フェレー径とは、以下の如き方法で測定されるもので
ある。即ち、電子顕微鏡で撮影された写真に基づき、晶
・析出物群区域のフェレー径を２２．５°きざみで８方
向について測定する。そして、各フェレー径の平均値を
求める。これを１０視野で観察されるすべての晶・析出
物群区域（ｎ個）について行い、各フェレー径の平均値
の総和をｎで除したものを、平均フェレー径とするので
ある。
ニウム合金箔中には、平均フェレー径が０．３〜１０μ
ｍの晶・析出物群区域が点在している。ここで、晶・析
出物群区域とは、図１の１で示した黒点の区域のことを
意味している。図１は、本発明の一例に係る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム合金箔表面を、過塩素酸とエタ
ノールの混合液（液温−２０℃以下）を用いて、電解研
磨し、その後走査型電子顕微鏡を用いて撮影した写真で
ある。そして、この晶・析出物群区域の平均フェレー径
は０．３〜１０μｍである。平均フェレー径が０．３μ
ｍ未満であると、群区域内における一個一個の晶・析出
物の平均粒径がどうしても小さくなりすぎて、エッチン
グ処理時においてエッチング開始点となりにくいので、
好ましくない。また、平均フェレー径が１０μｍを超え
ると、群区域内における一個一個の晶・析出物の平均粒
径がどうしても大きくなりすぎて、エッチング処理時に
おいて過溶解を起こすので、好ましくない。また、群区
域相互の間隔もどうしても短くなり、エッチング処理時
において過溶解を起こすので、好ましくない。なお、平
均フェレー径とは、以下の如き方法で測定されるもので
ある。即ち、電子顕微鏡で撮影された写真に基づき、晶
・析出物群区域のフェレー径を２２．５°きざみで８方
向について測定する。そして、各フェレー径の平均値を
求める。これを１０視野で観察されるすべての晶・析出
物群区域（ｎ個）について行い、各フェレー径の平均値
の総和をｎで除したものを、平均フェレー径とするので
ある。
【００１０】また、この晶・析出物群区域は、点在して
いるのであるが、点在しているとは、各群区域が明瞭な
境界をもって、一定の間隔を置いて存在していることを
意味している。即ち、晶・析出物が多数近接して（晶・
析出物間の距離は５μｍ以下）存在している晶・析出物
群区域が、明瞭な境界をもって、一定の間隔を置いて存
在しているのである。本発明においては、この一定の間
隔は任意であるが、特にその平均間隔が２０〜１５０μ
ｍであるのが好ましい。平均間隔が２０μｍ未満になる
と、エッチング時における通電時間を長くすると、隣り
合う晶・析出物群区域同士が合体して脱落し、表面積の
拡大を図りにくくなる傾向が生じる。また、平均間隔が
１５０μｍを超えると、エッチング時におけるエッチン
グ開始点が少なくなり、比較的大きい晶・析出物群区域
においてエッチングピットの発生が集中するため、表面
積の拡大を図りにくくなる傾向が生じる。なお、ここ
で、晶・析出物群区域間の平均間隔の意味を、図４に基
づいて説明する。図４の１は、模式的に示した晶・析出
物群区域である。本発明に係る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔には、このような晶・析出物群区域が多数
点在しているのであるが、多数の晶・析出物群区域の中
の一つの群区域（例えば、図４で符号１を付したもの）
を選択する。そして、この一つの群区域１に対して最も
近接している順に１０個の群区域（図４では直線でつな
いだ１０個の群区域）を選択する。一つの群区域１に対
する各群区域の距離を測り（従って、１０点測定するこ
とになる。）、その平均値を、晶・析出物群区域の平均
間隔とするのである。
いるのであるが、点在しているとは、各群区域が明瞭な
境界をもって、一定の間隔を置いて存在していることを
意味している。即ち、晶・析出物が多数近接して（晶・
析出物間の距離は５μｍ以下）存在している晶・析出物
群区域が、明瞭な境界をもって、一定の間隔を置いて存
在しているのである。本発明においては、この一定の間
隔は任意であるが、特にその平均間隔が２０〜１５０μ
ｍであるのが好ましい。平均間隔が２０μｍ未満になる
と、エッチング時における通電時間を長くすると、隣り
合う晶・析出物群区域同士が合体して脱落し、表面積の
拡大を図りにくくなる傾向が生じる。また、平均間隔が
１５０μｍを超えると、エッチング時におけるエッチン
グ開始点が少なくなり、比較的大きい晶・析出物群区域
においてエッチングピットの発生が集中するため、表面
積の拡大を図りにくくなる傾向が生じる。なお、ここ
で、晶・析出物群区域間の平均間隔の意味を、図４に基
づいて説明する。図４の１は、模式的に示した晶・析出
物群区域である。本発明に係る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔には、このような晶・析出物群区域が多数
点在しているのであるが、多数の晶・析出物群区域の中
の一つの群区域（例えば、図４で符号１を付したもの）
を選択する。そして、この一つの群区域１に対して最も
近接している順に１０個の群区域（図４では直線でつな
いだ１０個の群区域）を選択する。一つの群区域１に対
する各群区域の距離を測り（従って、１０点測定するこ
とになる。）、その平均値を、晶・析出物群区域の平均
間隔とするのである。
【００１１】各晶・析出物群区域中には、平均粒径が
０．０５〜５．０μｍの晶・析出物が３０〜１００個存
在している。本発明において、析出物と表現せずに、晶
・析出物と表現しているのは、晶出物も含める趣旨であ
る。現実に、電子顕微鏡写真で観察する場合、析出物と
晶出物とは区別をしにくく、単に析出物と表現しても差
し支えないのであるが、正確を期すために、このように
表現しているのである。晶・析出物群区域中に存在する
一個一個の晶・析出物の平均粒径は、０．０５〜５．０
μｍの範囲にある。この平均粒径が０．０５μｍ未満で
あると、エッチング時において、エッチング開始点とな
りにくいので、好ましくない。また、平均粒径が５．０
μｍを超えると、エッチング時に過溶解を生じる恐れが
あるので、好ましくない。なお、ここで言う晶・析出物
の平均粒径も、平均フェレー径であり、晶・析出物群区
域の平均フェレー径と同様にして測定されるものであ
る。また、群区域中における晶・析出物の数が３０個未
満であると、エッチング開始点が少なくなり、表面積の
拡大を図りにくくなるので、好ましくない。また、晶・
析出物の数が１００個を超えると、過溶解を生じる恐れ
があるので、好ましくない。なお、晶・析出物の数は、
平均粒径を測定する際に同時に数え、その総和を、晶・
析出物群区域の数（ｎ個）で除することによって計算さ
れる。
０．０５〜５．０μｍの晶・析出物が３０〜１００個存
在している。本発明において、析出物と表現せずに、晶
・析出物と表現しているのは、晶出物も含める趣旨であ
る。現実に、電子顕微鏡写真で観察する場合、析出物と
晶出物とは区別をしにくく、単に析出物と表現しても差
し支えないのであるが、正確を期すために、このように
表現しているのである。晶・析出物群区域中に存在する
一個一個の晶・析出物の平均粒径は、０．０５〜５．０
μｍの範囲にある。この平均粒径が０．０５μｍ未満で
あると、エッチング時において、エッチング開始点とな
りにくいので、好ましくない。また、平均粒径が５．０
μｍを超えると、エッチング時に過溶解を生じる恐れが
あるので、好ましくない。なお、ここで言う晶・析出物
の平均粒径も、平均フェレー径であり、晶・析出物群区
域の平均フェレー径と同様にして測定されるものであ
る。また、群区域中における晶・析出物の数が３０個未
満であると、エッチング開始点が少なくなり、表面積の
拡大を図りにくくなるので、好ましくない。また、晶・
析出物の数が１００個を超えると、過溶解を生じる恐れ
があるので、好ましくない。なお、晶・析出物の数は、
平均粒径を測定する際に同時に数え、その総和を、晶・
析出物群区域の数（ｎ個）で除することによって計算さ
れる。
【００１２】本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔は、例えば、以下のような方法で製造する
ことができる。即ち、アルミニウム純度が９９．４％以
上で、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及び不可避不純物を含むアルミ
ニウム鋳塊に、温度４８０〜５６０℃で時間１〜３０時
間の条件で均質化処理を施した後、熱間圧延を施し、次
いで所望より冷間圧延及び中間焼鈍を施した後、圧延率
が９５％以上となるように仕上冷間圧延を施し、その後
温度２５０〜４５０℃の条件で最終焼鈍を施すという方
法で製造することができる。
ニウム合金箔は、例えば、以下のような方法で製造する
ことができる。即ち、アルミニウム純度が９９．４％以
上で、Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及び不可避不純物を含むアルミ
ニウム鋳塊に、温度４８０〜５６０℃で時間１〜３０時
間の条件で均質化処理を施した後、熱間圧延を施し、次
いで所望より冷間圧延及び中間焼鈍を施した後、圧延率
が９５％以上となるように仕上冷間圧延を施し、その後
温度２５０〜４５０℃の条件で最終焼鈍を施すという方
法で製造することができる。
【００１３】この方法の一つの特徴は、所定の組成で準
備した鋳塊に、４８０〜５６０℃で１〜３０時間、均質
化処理を施す点にある。均質化処理温度が４８０℃未満
であると、一個一個の晶・析出物の平均粒径が大きくな
る傾向が生じると共に、群区域間の間隔が小さくなる傾
向が生じる。また、均質化処理温度が５６０℃を超える
と、晶・析出物自体の絶対量が減少するため、一個一個
の晶・析出物の平均粒径、晶・析出物群区域の平均フェ
レー径、群区域間の間隔及び群区域中における晶・析出
物の数の調整が困難となる傾向が生じる。
備した鋳塊に、４８０〜５６０℃で１〜３０時間、均質
化処理を施す点にある。均質化処理温度が４８０℃未満
であると、一個一個の晶・析出物の平均粒径が大きくな
る傾向が生じると共に、群区域間の間隔が小さくなる傾
向が生じる。また、均質化処理温度が５６０℃を超える
と、晶・析出物自体の絶対量が減少するため、一個一個
の晶・析出物の平均粒径、晶・析出物群区域の平均フェ
レー径、群区域間の間隔及び群区域中における晶・析出
物の数の調整が困難となる傾向が生じる。
【００１４】均質化処理を施した後、従来公知の方法で
熱間圧延を施す。この熱間圧延の条件は、特に厳密に規
制しなくても良い。熱間圧延の後、冷間圧延及び中間焼
鈍を施して適当な板厚としても良いが、熱間圧延だけで
適当な板厚になっている場合には、この冷間圧延及び中
間焼鈍は施さなくても良い。次いで、適当な板厚のアル
ミニウム板に、仕上冷間圧延を施す。仕上冷間圧延は、
一般的に圧延ロールに何度に繰り返し通すことによっ
て、施される。ここで、仕上冷間圧延における圧延率を
９５％以上とすることが重要である。圧延率が９５％未
満であると、金属間化合物又は金属単体が析出するため
の核と駆動力が不足する傾向が生じ、晶・析出物自体の
絶対量が減少するので、一個一個の晶・析出物の平均粒
径、晶・析出物群区域の平均フェレー径、群区域間の間
隔及び群区域中における晶・析出物の数の調整が困難と
なる傾向が生じる。また、圧延率とは、仕上冷間圧延を
施す前のアルミニウム板（中間焼鈍を行う場合には、中
間焼鈍後仕上冷間圧延前のアルミニウム板）の厚さをｔ
0とし、仕上冷間圧延を施した後のアルミニウム合金箔
の厚さをｔ1とした場合、圧延率＝〔（ｔ0−ｔ1）／
ｔ0〕×１００で計算されるものである。
熱間圧延を施す。この熱間圧延の条件は、特に厳密に規
制しなくても良い。熱間圧延の後、冷間圧延及び中間焼
鈍を施して適当な板厚としても良いが、熱間圧延だけで
適当な板厚になっている場合には、この冷間圧延及び中
間焼鈍は施さなくても良い。次いで、適当な板厚のアル
ミニウム板に、仕上冷間圧延を施す。仕上冷間圧延は、
一般的に圧延ロールに何度に繰り返し通すことによっ
て、施される。ここで、仕上冷間圧延における圧延率を
９５％以上とすることが重要である。圧延率が９５％未
満であると、金属間化合物又は金属単体が析出するため
の核と駆動力が不足する傾向が生じ、晶・析出物自体の
絶対量が減少するので、一個一個の晶・析出物の平均粒
径、晶・析出物群区域の平均フェレー径、群区域間の間
隔及び群区域中における晶・析出物の数の調整が困難と
なる傾向が生じる。また、圧延率とは、仕上冷間圧延を
施す前のアルミニウム板（中間焼鈍を行う場合には、中
間焼鈍後仕上冷間圧延前のアルミニウム板）の厚さをｔ
0とし、仕上冷間圧延を施した後のアルミニウム合金箔
の厚さをｔ1とした場合、圧延率＝〔（ｔ0−ｔ1）／
ｔ0〕×１００で計算されるものである。
【００１５】仕上冷間圧延を施した後、２５０〜４５０
℃の条件で最終焼鈍を施すことも重要である。２５０℃
未満の温度であると、Ｓｉが単体で析出することがあ
り、エッチング処理時に過溶解を生じる恐れがある。ま
た、４５０℃を超える温度であると、晶・析出物の数が
少なくなり、エッチング開始点が少なくなる傾向が生じ
る。また、最終焼鈍の時間は任意であるが、一般的に１
〜１０時間程度であるのが好ましい。
℃の条件で最終焼鈍を施すことも重要である。２５０℃
未満の温度であると、Ｓｉが単体で析出することがあ
り、エッチング処理時に過溶解を生じる恐れがある。ま
た、４５０℃を超える温度であると、晶・析出物の数が
少なくなり、エッチング開始点が少なくなる傾向が生じ
る。また、最終焼鈍の時間は任意であるが、一般的に１
〜１０時間程度であるのが好ましい。
【００１６】本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔は、以上のような方法で、比較的安定して
製造することができるが、他の方法で製造しても良いこ
とは言うまでもない。また、上記した方法によっても、
鋳塊の組成、中間焼鈍の有無或いは中間焼鈍の条件、中
間焼鈍前の冷間圧延における圧延率などによっては、本
発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を
得られない場合もある。
ニウム合金箔は、以上のような方法で、比較的安定して
製造することができるが、他の方法で製造しても良いこ
とは言うまでもない。また、上記した方法によっても、
鋳塊の組成、中間焼鈍の有無或いは中間焼鈍の条件、中
間焼鈍前の冷間圧延における圧延率などによっては、本
発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔を
得られない場合もある。
【００１７】本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム合金箔には、一般的に交流エッチング法により、
エッチング処理が施され、電解コンデンサ電極箔が得ら
れるのである。このような電極箔は、一般的に陰極箔又
は低圧用陽極箔として、電解コンデンサに組み込まれて
用いられる。
ニウム合金箔には、一般的に交流エッチング法により、
エッチング処理が施され、電解コンデンサ電極箔が得ら
れるのである。このような電極箔は、一般的に陰極箔又
は低圧用陽極箔として、電解コンデンサに組み込まれて
用いられる。
【００１８】
【実施例】実施例１ Ａｌ純度９９．９２重量％、Ｆｅ：０．０２８重量％、
Ｓｉ：０．０２５重量％、Ｃｕ：０．００１重量％、そ
の他不可避不純物を含有する、厚さ５００ｍｍの鋳塊を
準備した。この鋳塊に、５６０℃で１時間の条件で均質
化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延を施
し、厚さ３ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニ
ウム板に、圧延率９８％で仕上冷間圧延を施し、脱脂洗
浄後、２８０℃で３時間の条件で最終焼鈍を施し、厚さ
５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
Ｓｉ：０．０２５重量％、Ｃｕ：０．００１重量％、そ
の他不可避不純物を含有する、厚さ５００ｍｍの鋳塊を
準備した。この鋳塊に、５６０℃で１時間の条件で均質
化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延を施
し、厚さ３ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニ
ウム板に、圧延率９８％で仕上冷間圧延を施し、脱脂洗
浄後、２８０℃で３時間の条件で最終焼鈍を施し、厚さ
５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
【００１９】実施例２ 実施例１で用いた鋳塊に、５２０℃で１時間の条件で均
質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及び
冷間圧延を施し、厚さ１．３ｍｍのアルミニウム板を得
た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件で
中間焼鈍を施した後、圧延率９７％で仕上冷間圧延を施
し、脱脂洗浄後、２８０℃で３時間の条件で最終焼鈍を
施し、厚さ４０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及び
冷間圧延を施し、厚さ１．３ｍｍのアルミニウム板を得
た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件で
中間焼鈍を施した後、圧延率９７％で仕上冷間圧延を施
し、脱脂洗浄後、２８０℃で３時間の条件で最終焼鈍を
施し、厚さ４０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
【００２０】実施例３ 実施例１で用いた鋳塊に、５２０℃で６時間の条件で均
質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及び
冷間圧延を施し、厚さ１．０ｍｍのアルミニウム板を得
た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件で
中間焼鈍を施した後、圧延率９６％で仕上冷間圧延を施
し、脱脂洗浄後、２８０℃で３時間の条件で最終焼鈍を
施し、厚さ４０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及び
冷間圧延を施し、厚さ１．０ｍｍのアルミニウム板を得
た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件で
中間焼鈍を施した後、圧延率９６％で仕上冷間圧延を施
し、脱脂洗浄後、２８０℃で３時間の条件で最終焼鈍を
施し、厚さ４０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
【００２１】実施例４ 均質化処理の条件を５２０℃で６時間とし、最終焼鈍の
条件を３５０℃で３時間に変更した他は、実施例１と同
一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
条件を３５０℃で３時間に変更した他は、実施例１と同
一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
【００２２】実施例５ 均質化処理の条件を４８０℃で５時間とし、最終焼鈍の
条件を３００℃で３時間に変更した他は、実施例１と同
一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
条件を３００℃で３時間に変更した他は、実施例１と同
一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
【００２３】実施例６ Ａｌ純度９９．９０重量％、Ｆｅ：０．０４５重量％、
Ｓｉ：０．０４０重量％、Ｃｕ：０．００１重量％、そ
の他不可避不純物を含有する、厚さ５００ｍｍの鋳塊を
準備した。この鋳塊に、５２０℃で６時間の条件で均質
化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延を施
し、厚さ３ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニ
ウム板に、圧延率９８％で仕上冷間圧延を施し、脱脂洗
浄後、３５０℃で３時間の条件で最終焼鈍を施し、厚さ
５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
Ｓｉ：０．０４０重量％、Ｃｕ：０．００１重量％、そ
の他不可避不純物を含有する、厚さ５００ｍｍの鋳塊を
準備した。この鋳塊に、５２０℃で６時間の条件で均質
化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延を施
し、厚さ３ｍｍのアルミニウム板を得た。このアルミニ
ウム板に、圧延率９８％で仕上冷間圧延を施し、脱脂洗
浄後、３５０℃で３時間の条件で最終焼鈍を施し、厚さ
５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
【００２４】実施例７ 均質化処理の条件を５２０℃で２５時間とし、最終焼鈍
の条件を３２０℃で３時間に変更した他は、実施例６と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
の条件を３２０℃で３時間に変更した他は、実施例６と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
【００２５】実施例８ 最終焼鈍の条件を２８０℃で３時間に変更した他は、実
施例７と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
施例７と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
【００２６】実施例９ 均質化処理の条件を５００℃で３０時間とし、最終焼鈍
の条件を２６０℃で３時間に変更した他は、実施例６と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
の条件を２６０℃で３時間に変更した他は、実施例６と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
【００２７】実施例１０ 最終焼鈍の条件を２８０℃で３時間に変更した他は、実
施例４と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
施例４と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
【００２８】実施例１１ 均質化処理の条件を５２０℃で１５時間とし、最終焼鈍
の条件を３００℃で３時間に変更した他は、実施例６と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
の条件を３００℃で３時間に変更した他は、実施例６と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
【００２９】実施例１２ 均質化処理の条件を５６０℃で１０時間とし、最終焼鈍
の条件を３５０℃で３時間に変更した他は、実施例６と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
の条件を３５０℃で３時間に変更した他は、実施例６と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
【００３０】実施例１３ 均質化処理の条件を４８０℃で１２時間とし、最終焼鈍
の条件を２５０℃で３時間に変更した他は、実施例１と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
の条件を２５０℃で３時間に変更した他は、実施例１と
同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合
金箔を得た。
【００３１】参考例 均質化処理の条件を５８０℃で６時間とし、最終焼鈍の
条件を３５０℃で３時間に変更した他は、実施例６と同
一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
条件を３５０℃で３時間に変更した他は、実施例６と同
一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金
箔を得た。
【００３２】比較例１ 実施例１で用いた鋳塊に、５７０℃で２０時間の条件で
均質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及
び冷間圧延を施し、厚さ０．８ｍｍのアルミニウム板を
得た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件
で中間焼鈍を施した後、圧延率９４％で仕上冷間圧延を
施し、脱脂洗浄後、３５０℃で３時間の条件で最終焼鈍
を施し、厚さ５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アル
ミニウム合金箔を得た。
均質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及
び冷間圧延を施し、厚さ０．８ｍｍのアルミニウム板を
得た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件
で中間焼鈍を施した後、圧延率９４％で仕上冷間圧延を
施し、脱脂洗浄後、３５０℃で３時間の条件で最終焼鈍
を施し、厚さ５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アル
ミニウム合金箔を得た。
【００３３】比較例２ 均質化処理の条件を５２０℃で２５時間に変更した他
は、比較例１と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質
アルミニウム合金箔を得た。
は、比較例１と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質
アルミニウム合金箔を得た。
【００３４】比較例３ 均質化処理の条件を５８０℃で６時間に変更した他は、
比較例１と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アル
ミニウム合金箔を得た。
比較例１と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アル
ミニウム合金箔を得た。
【００３５】比較例４ 均質化処理の条件を５８０℃で１０時間に変更した他
は、比較例１と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質
アルミニウム合金箔を得た。
は、比較例１と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質
アルミニウム合金箔を得た。
【００３６】比較例５ 実施例１で用いた鋳塊に、６００℃で６時間の条件で均
質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及び
冷間圧延を施し、厚さ０．５ｍｍのアルミニウム板を得
た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件で
中間焼鈍を施した後、圧延率９０％で仕上冷間圧延を施
し、脱脂洗浄後、３５０℃で３時間の条件で最終焼鈍を
施し、厚さ５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及び
冷間圧延を施し、厚さ０．５ｍｍのアルミニウム板を得
た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件で
中間焼鈍を施した後、圧延率９０％で仕上冷間圧延を施
し、脱脂洗浄後、３５０℃で３時間の条件で最終焼鈍を
施し、厚さ５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
【００３７】比較例６ 実施例６で用いた鋳塊に、４６０℃で２時間の条件で均
質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及び
冷間圧延を施し、厚さ０．６ｍｍのアルミニウム板を得
た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件で
中間焼鈍を施した後、圧延率９２％で仕上冷間圧延を施
し、脱脂洗浄後、３５０℃で３時間の条件で最終焼鈍を
施し、厚さ５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
質化処理を施した。この後、常法により、熱間圧延及び
冷間圧延を施し、厚さ０．６ｍｍのアルミニウム板を得
た。このアルミニウム板に、３６０℃で１時間の条件で
中間焼鈍を施した後、圧延率９２％で仕上冷間圧延を施
し、脱脂洗浄後、３５０℃で３時間の条件で最終焼鈍を
施し、厚さ５０μｍの電解コンデンサ電極用軟質アルミ
ニウム合金箔を得た。
【００３８】比較例７ 均質化処理の条件を６００℃で３時間に変更した他は、
比較例５と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アル
ミニウム合金箔を得た。
比較例５と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アル
ミニウム合金箔を得た。
【００３９】比較例８ 均質化処理の条件を４６０℃で２時間に変更した他は、
比較例５と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アル
ミニウム合金箔を得た。
比較例５と同一の方法で電解コンデンサ電極用軟質アル
ミニウム合金箔を得た。
【００４０】以上のようにして得られた各電解コンデン
サ電極用軟質アルミニウム合金箔について、前記段落番
号０００９に記載した方法により、晶・析出物群区域の
平均フェレー径を求めた。また、前記段落番号００１１
に記載した方法により、晶・析出物の平均粒径及び群区
域中における晶・析出物の数を求めた。また、前記段落
番号００１０に記載した方法により、晶・析出物群区域
間の間隔を求めた。この結果を表１に示した。
サ電極用軟質アルミニウム合金箔について、前記段落番
号０００９に記載した方法により、晶・析出物群区域の
平均フェレー径を求めた。また、前記段落番号００１１
に記載した方法により、晶・析出物の平均粒径及び群区
域中における晶・析出物の数を求めた。また、前記段落
番号００１０に記載した方法により、晶・析出物群区域
間の間隔を求めた。この結果を表１に示した。
【００４１】
【表１】
【００４２】また、以上のようにして得られた各電解コ
ンデンサ電極用軟質アルミニウム合金箔について、以下
に示す条件でエッチング処理を施した。エッチング処理
は、５通りあり、エッチング処理１は３０秒間の通電で
あり、エッチング処理２は６０秒間、エッチング処理３
は９０秒間、エッチング処理４は１２０秒間、エッチン
グ処理５は１５０秒間の通電である。そして、いずれの
場合も、以下に示す条件で化成処理を行った。
ンデンサ電極用軟質アルミニウム合金箔について、以下
に示す条件でエッチング処理を施した。エッチング処理
は、５通りあり、エッチング処理１は３０秒間の通電で
あり、エッチング処理２は６０秒間、エッチング処理３
は９０秒間、エッチング処理４は１２０秒間、エッチン
グ処理５は１５０秒間の通電である。そして、いずれの
場合も、以下に示す条件で化成処理を行った。
【００４３】〔エッチング処理〕：３０３Ｋ（３０℃）
の５ｗｔ．％ＨＣｌ＋６ｗｔ．％ＡｌＣｌ3・６Ｈ2Ｏ＋
０．１ｗｔ．％Ｃ2 Ｈ2 Ｏ4・２Ｈ2Ｏ溶液中、各電解
コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金箔を浸漬し、電
流密度０．４Ａ／ｃｍ2で５０Ｈｚの正弦波交流を、３
０，６０，９０，１２０及び１５０ｓｅｃ流して、５通
りのエッチング処理を行った。 〔化成処理〕：エッチング処理後のアルミニウム合金箔
を巾１０ｍｍ×長さ５０ｍｍの大きさに裁断し、この試
料片を３５８Ｋ（８５℃）の１３ｗｔ．％アジピン酸ア
ンモニウム水溶液中に浸漬し、対向電極をＳＵＳ３０４
として、３ＶでＥＩＡＪ法に則って化成処理を行った。
の５ｗｔ．％ＨＣｌ＋６ｗｔ．％ＡｌＣｌ3・６Ｈ2Ｏ＋
０．１ｗｔ．％Ｃ2 Ｈ2 Ｏ4・２Ｈ2Ｏ溶液中、各電解
コンデンサ電極用軟質アルミニウム合金箔を浸漬し、電
流密度０．４Ａ／ｃｍ2で５０Ｈｚの正弦波交流を、３
０，６０，９０，１２０及び１５０ｓｅｃ流して、５通
りのエッチング処理を行った。 〔化成処理〕：エッチング処理後のアルミニウム合金箔
を巾１０ｍｍ×長さ５０ｍｍの大きさに裁断し、この試
料片を３５８Ｋ（８５℃）の１３ｗｔ．％アジピン酸ア
ンモニウム水溶液中に浸漬し、対向電極をＳＵＳ３０４
として、３ＶでＥＩＡＪ法に則って化成処理を行った。
【００４４】化成処理の後、以下に示す条件で静電容量
（μＦ／ｃｍ2）を測定した。そして、参考例として挙
げた各アルミニウム合金箔の静電容量を１００％とした
ときの相対値を、表２に示した。 〔静電容量〕：化成処理を終えた箔（大きさは、巾１０
ｍｍ×長さ５０ｍｍである。）２枚を対向させ、３０３
Ｋ（３０℃）の１３ｗｔ．％アジピン酸アンモニウム水
溶液中に浸漬し、対向電極を静電容量が４００００μＦ
以上のエッチドアルミニウム箔として、１２０Ｈｚの直
列等価回路でＬＣＲメーターを用いて、静電容量（μＦ
／ｃｍ2）を測定した。
（μＦ／ｃｍ2）を測定した。そして、参考例として挙
げた各アルミニウム合金箔の静電容量を１００％とした
ときの相対値を、表２に示した。 〔静電容量〕：化成処理を終えた箔（大きさは、巾１０
ｍｍ×長さ５０ｍｍである。）２枚を対向させ、３０３
Ｋ（３０℃）の１３ｗｔ．％アジピン酸アンモニウム水
溶液中に浸漬し、対向電極を静電容量が４００００μＦ
以上のエッチドアルミニウム箔として、１２０Ｈｚの直
列等価回路でＬＣＲメーターを用いて、静電容量（μＦ
／ｃｍ2）を測定した。
【００４５】
【表２】
【００４６】表２の結果から明らかなように、実施例に
係る各電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、参
考例に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔に
比べて、どのようなエッチング処理の場合でも、静電容
量が高められていることが分かる。一方、比較例に係る
各電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、実施例
にものに比べて、静電容量が低下していることが分か
る。
係る各電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、参
考例に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔に
比べて、どのようなエッチング処理の場合でも、静電容
量が高められていることが分かる。一方、比較例に係る
各電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔は、実施例
にものに比べて、静電容量が低下していることが分か
る。
【００４７】
【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔は、その作用は定かではない
が、実施例において実証したとおり、エッチング条件が
変わっても、エッチング特性の低下が少ないものであ
る。従って、本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔を用いれば、エッチング条件が変更されても、
静電容量が極端に低下することなく、比較的高静電容量
の電極箔を得ることができるという効果を奏する。
ンサ電極用アルミニウム箔は、その作用は定かではない
が、実施例において実証したとおり、エッチング条件が
変わっても、エッチング特性の低下が少ないものであ
る。従って、本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔を用いれば、エッチング条件が変更されても、
静電容量が極端に低下することなく、比較的高静電容量
の電極箔を得ることができるという効果を奏する。
【図１】本発明の一例に係る電解コンデンサ電極用アル
ミニウム合金箔の表面を、特定の条件で電解研磨した
後、その表面を走査型電子顕微鏡を用いて撮影した写真
である。
ミニウム合金箔の表面を、特定の条件で電解研磨した
後、その表面を走査型電子顕微鏡を用いて撮影した写真
である。
【図２】図１のものの走査型電子顕微鏡の倍率を拡大し
て撮影した写真（表面ＳＥＭ像写真）である。
て撮影した写真（表面ＳＥＭ像写真）である。
【図３】本発明の一例に係る電解コンデンサ電極用アル
ミニウム合金箔を、特定の条件で電解研磨した後の薄膜
を、透過型電子顕微鏡を用いて、倍率を拡大して撮影し
た写真（ＴＥＭ像写真）である。
ミニウム合金箔を、特定の条件で電解研磨した後の薄膜
を、透過型電子顕微鏡を用いて、倍率を拡大して撮影し
た写真（ＴＥＭ像写真）である。
【図４】晶・析出物群区域間の平均間隔を測定方法を説
明するための模式図である。
明するための模式図である。
１ 晶・析出物群区域 ２ 晶・析出物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８５ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８５Ｚ ６８６ ６８６Ｂ ６９１ ６９１Ｂ ６９１Ｃ ６９４ ６９４Ａ
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミニウム純度が９９．４％以上で、
Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及び不可避不純物を含むアルミニウム
合金箔であって、該アルミニウム合金箔中には、平均フ
ェレー径が０．３〜１０μｍの晶・析出物群区域が点在
しており、該晶・析出物群区域中には、平均粒径が０．
０５〜５．０μｍの晶・析出物が３０〜１００個存在し
ていることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム合金箔。 - 【請求項２】 晶・析出物群区域間の平均間隔が２０〜
１５０μｍである請求項１記載の電解コンデンサ電極用
アルミニウム合金箔。 - 【請求項３】 アルミニウム純度が９９．４％以上で、
Ｆｅ，Ｓｉ，Ｃｕ及び不可避不純物を含むアルミニウム
鋳塊に、温度４８０〜５６０℃で時間１〜３０時間の条
件で均質化処理を施した後、熱間圧延を施し、次いで所
望より冷間圧延及び中間焼鈍を施した後、圧延率が９５
％以上となるように仕上冷間圧延を施し、その後温度２
５０〜４５０℃の条件で最終焼鈍を施すことを特徴とす
る請求項１又は２記載の電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム合金箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11024799A JP2000226627A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP11024799A JP2000226627A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000226627A true JP2000226627A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12148256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11024799A Pending JP2000226627A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2000226627A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3473683B2 (ja) | 1999-03-12 | 2003-12-08 | 日本ケミコン株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔 |
| KR100560492B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지용 양극 전류 집전체 및 이를 포함하는리튬 이차 전지 |
| CN104508162A (zh) * | 2012-08-01 | 2015-04-08 | 株式会社Uacj | 铝合金箔及其制造方法 |
| CN113235023A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-08-10 | 广西正润新材料科技有限公司 | 一种电容器用低压电子铝箔及其制备工艺 |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11024799A patent/JP2000226627A/ja active Pending
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| CN104508162A (zh) * | 2012-08-01 | 2015-04-08 | 株式会社Uacj | 铝合金箔及其制造方法 |
| CN104508162B (zh) * | 2012-08-01 | 2016-12-21 | 株式会社Uacj | 铝合金箔及其制造方法 |
| US9732402B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-08-15 | Uacj Corporation | Aluminum alloy foil and method for manufacturing same |
| CN113235023A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-08-10 | 广西正润新材料科技有限公司 | 一种电容器用低压电子铝箔及其制备工艺 |
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