JP2000228333A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法Info
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- JP2000228333A JP2000228333A JP11144715A JP14471599A JP2000228333A JP 2000228333 A JP2000228333 A JP 2000228333A JP 11144715 A JP11144715 A JP 11144715A JP 14471599 A JP14471599 A JP 14471599A JP 2000228333 A JP2000228333 A JP 2000228333A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング特性の向上という観点から箔に最
も効果的にエッチングピットの発生核を形成させ、静電
容量を増大しうる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間
圧延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたの
ち、このアルミニウム箔に少なくとも１回の電解エッチ
ングを施し、その後に最終焼鈍する。
も効果的にエッチングピットの発生核を形成させ、静電
容量を増大しうる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
の製造方法を提供する。 【解決手段】 アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間
圧延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたの
ち、このアルミニウム箔に少なくとも１回の電解エッチ
ングを施し、その後に最終焼鈍する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔の製造方法に関する。
電極用アルミニウム箔の製造方法に関する。
【０００２】なお、この明細書において、「アルミニウ
ム」の語はアルミニウムおよびその合金の両者を含む意
味で用いられる。
ム」の語はアルミニウムおよびその合金の両者を含む意
味で用いられる。
【０００３】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、電子機
器に組み込まれる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
についても静電容量の向上が要望されている。
器に組み込まれる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔
についても静電容量の向上が要望されている。
【０００４】通常、電極箔に使用されるアルミニウム材
は、拡面率を高めて静電容量を向上させるためにエッチ
ング処理がなされる。そして、エッチング処理により形
成されるエッチングピットの深さが深いほど拡面率が高
くなるため、エッチング適性を改善すべくエッチング処
理の前工程としてアルミニウム材に様々な処理が施され
ている。例えば、（１００）結晶方位の調整、アルミニ
ウム材への、Ｐｂ、Ｂｉ等の微量不純物の添加による組
成の調整、最終焼鈍前の脱脂洗浄、最終焼鈍前の水和処
理と最終焼鈍での結晶性酸化膜の形成処理、最終焼鈍前
の酸化処理等である（特公昭５８−３４９２５号，特開
平３−１２２２６０号他）。
は、拡面率を高めて静電容量を向上させるためにエッチ
ング処理がなされる。そして、エッチング処理により形
成されるエッチングピットの深さが深いほど拡面率が高
くなるため、エッチング適性を改善すべくエッチング処
理の前工程としてアルミニウム材に様々な処理が施され
ている。例えば、（１００）結晶方位の調整、アルミニ
ウム材への、Ｐｂ、Ｂｉ等の微量不純物の添加による組
成の調整、最終焼鈍前の脱脂洗浄、最終焼鈍前の水和処
理と最終焼鈍での結晶性酸化膜の形成処理、最終焼鈍前
の酸化処理等である（特公昭５８−３４９２５号，特開
平３−１２２２６０号他）。
【０００５】しかしながら、単にエッチングピットの深
さを深くするだけでは電極箔の拡面率の向上が十分では
なく、さらに拡面率を向上させるためには局部エッチン
グ、未エッチング、表面溶解を少なくして、エッチング
ピットをエッチング面で均一に、かつ高密度に発生させ
る必要がある。ところが、前述されたような種々の方法
では、均一なエッチングピットを発生させるという点で
十分ではない。このため、本出願人は、特開平６−１４
５９２２号において、電極箔に使用するアルミニウム基
材の表面に円柱状あるいは角柱状突起を特定間隔で形成
するように制御することにより、拡面率を増大させるこ
とを提案した。
さを深くするだけでは電極箔の拡面率の向上が十分では
なく、さらに拡面率を向上させるためには局部エッチン
グ、未エッチング、表面溶解を少なくして、エッチング
ピットをエッチング面で均一に、かつ高密度に発生させ
る必要がある。ところが、前述されたような種々の方法
では、均一なエッチングピットを発生させるという点で
十分ではない。このため、本出願人は、特開平６−１４
５９２２号において、電極箔に使用するアルミニウム基
材の表面に円柱状あるいは角柱状突起を特定間隔で形成
するように制御することにより、拡面率を増大させるこ
とを提案した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平６−１
４５９２２号に記載されているアルミニウム箔はエッチ
ングによる拡面率の向上を図りうるものであり、その粗
面化の方法も種々開示されているものの、種々の方法の
中でも効果的に粗面化する方法あるいはその条件につい
ては十分に検討されていなかった。
４５９２２号に記載されているアルミニウム箔はエッチ
ングによる拡面率の向上を図りうるものであり、その粗
面化の方法も種々開示されているものの、種々の方法の
中でも効果的に粗面化する方法あるいはその条件につい
ては十分に検討されていなかった。
【０００７】そこで、より効果的な粗面化の方法、条件
および粗面化の形態について鋭意検討した結果、それら
が明らかとなった。
および粗面化の形態について鋭意検討した結果、それら
が明らかとなった。
【０００８】この発明は、このような技術背景に鑑み、
エッチング特性の向上という観点から箔を最も効果的に
エッチングピットの発生核を形成させて静電容量を増大
しうる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法
の提供を目的とする。
エッチング特性の向上という観点から箔を最も効果的に
エッチングピットの発生核を形成させて静電容量を増大
しうる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法
の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の
製造方法は、アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間圧
延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたのち、
少なくとも１回の電解エッチングを施し、その後に最終
焼鈍することを基本要旨とする。
に、この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の
製造方法は、アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間圧
延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたのち、
少なくとも１回の電解エッチングを施し、その後に最終
焼鈍することを基本要旨とする。
【００１０】また、前記電解エッチングは、交流電解エ
ッチングであり、交流波形：正弦波、方形波または三角
波、周波数：２０〜１０００Ｈｚ、電流密度：０．３５
〜４Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気量：０．２〜１０Ｃ／
ｃｍ2 の条件で行うこと、または直流電解エッチングで
あり、塩酸または塩化物を２〜２０wt％含み、あるいは
さらに硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸のうちから少な
くとも１種を合計で４０wt％以下を添加した液中で、電
流密度：０．０５〜０．４Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気
量：０．１〜５Ｃ／ｃｍ2 の条件で行うことが好まし
い。
ッチングであり、交流波形：正弦波、方形波または三角
波、周波数：２０〜１０００Ｈｚ、電流密度：０．３５
〜４Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気量：０．２〜１０Ｃ／
ｃｍ2 の条件で行うこと、または直流電解エッチングで
あり、塩酸または塩化物を２〜２０wt％含み、あるいは
さらに硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸のうちから少な
くとも１種を合計で４０wt％以下を添加した液中で、電
流密度：０．０５〜０．４Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気
量：０．１〜５Ｃ／ｃｍ2 の条件で行うことが好まし
い。
【００１１】この発明においては、最終焼鈍の前に電解
エッチングを行うことによって、箔の表面に微細な凹み
を均一かつ高密度に付与し、その後の最終焼鈍工程にお
いて酸化皮膜の均一な成長を妨げ、形成された凹みをエ
ッチングピットの発生核として利用する。エッチングピ
ットの発生核が均一かつ高密度に形成されたアルミニウ
ム箔では、該アルミニウム箔に対するエッチングによる
拡面率の向上を確実なものとして静電容量の増大を図る
ことができる。
エッチングを行うことによって、箔の表面に微細な凹み
を均一かつ高密度に付与し、その後の最終焼鈍工程にお
いて酸化皮膜の均一な成長を妨げ、形成された凹みをエ
ッチングピットの発生核として利用する。エッチングピ
ットの発生核が均一かつ高密度に形成されたアルミニウ
ム箔では、該アルミニウム箔に対するエッチングによる
拡面率の向上を確実なものとして静電容量の増大を図る
ことができる。
【００１２】このような効果を得るための微細な凹み
は、平均円相当直径で０．３〜３μｍ、深さ０．３〜５
μｍ、密度１０，０００〜２００，０００個／mm2 の範
囲が望ましい。なお、平均円相当直径で０．３μｍ、深
さ０．３μｍ以下の凹みはピット発生核の起点にならな
いため好ましくない、また、平均円相当直径で３μｍ、
深さ５μｍを越える凹みは焼鈍後の直流エッチングにお
けるピットが不均一となるので好ましくない。
は、平均円相当直径で０．３〜３μｍ、深さ０．３〜５
μｍ、密度１０，０００〜２００，０００個／mm2 の範
囲が望ましい。なお、平均円相当直径で０．３μｍ、深
さ０．３μｍ以下の凹みはピット発生核の起点にならな
いため好ましくない、また、平均円相当直径で３μｍ、
深さ５μｍを越える凹みは焼鈍後の直流エッチングにお
けるピットが不均一となるので好ましくない。
【００１３】上述の範囲の大きさと密度の凹みは、最終
焼鈍前に少なくとも１回の電解エッチングを次の２つの
条件のいずれかで行うことにより形成される。
焼鈍前に少なくとも１回の電解エッチングを次の２つの
条件のいずれかで行うことにより形成される。
【００１４】第１の方法は交流電解エッチングである。
交流電解エッチングを採用するのは、次の理由による。
即ち、塩化物を含む水溶液において交流エッチングを行
うと、多数の微細な立方体状のエッチセルの連なりから
なるポーラスなエッチ層が生じる。このエッチセルの内
面は、カソード半サイクルの領域で生じる水酸化物およ
びアノード半サイクルの領域で生成するアノード皮膜に
覆われている。これらの生成物や皮膜はアルミニウムの
溶解に対して保護膜として作用するが、その一部が破壊
してアルミニウムが溶出し、次の欠陥を有するセルが生
成する。この皮膜欠陥を有する微細な凹凸を利用して、
最終焼鈍後の直流電解エッチングでのエッチングピット
を均一、高密度に形成させることができる。このような
作用を有するエッチ層を生成させることから、微細な凹
みを形成する手段として交流電解エッチングを採用す
る。
交流電解エッチングを採用するのは、次の理由による。
即ち、塩化物を含む水溶液において交流エッチングを行
うと、多数の微細な立方体状のエッチセルの連なりから
なるポーラスなエッチ層が生じる。このエッチセルの内
面は、カソード半サイクルの領域で生じる水酸化物およ
びアノード半サイクルの領域で生成するアノード皮膜に
覆われている。これらの生成物や皮膜はアルミニウムの
溶解に対して保護膜として作用するが、その一部が破壊
してアルミニウムが溶出し、次の欠陥を有するセルが生
成する。この皮膜欠陥を有する微細な凹凸を利用して、
最終焼鈍後の直流電解エッチングでのエッチングピット
を均一、高密度に形成させることができる。このような
作用を有するエッチ層を生成させることから、微細な凹
みを形成する手段として交流電解エッチングを採用す
る。
【００１５】また、交流波形を正弦波、方形波または三
角波とするのは、前述の欠陥を有する凹凸を生成させる
ためのアノードとカソードの交番電流を用いるためであ
る。また、周波数は、２０Ｈｚ未満では形成される凹み
が少ないために静電容量の増大を見込めず、１０００Ｈ
ｚを超えると凹みが粗大となって不均一に形成されてし
まい、やはり静電容量の増大を見込めない。従って、周
波数は２０〜１０００Ｈｚとする必要があり、好ましい
下限値は３０Ｈｚ、好ましい上限値は８００Ｈｚであ
る。電流密度は、０．３５Ａ／ｃｍ2 未満ではエッチン
グピットを均一に生じさせるには形成される凹みが少な
く、４Ａ／ｃｍ2 を超えると、凹みが粗大となり不均一
に形成されるため、凹みを均一に生じさせる効果に乏し
い。従って、電流密度は、０．３５〜４Ａ／ｃｍ2 とす
る必要があり、好ましい下限値は０．４Ａ／ｃｍ2 であ
る。エッチング電気量は、０．２Ｃ／ｃｍ2 未満ではや
はり凹みを均一に生じさせる効果に乏しく、１０Ｃ／ｃ
ｍ2 を超えると凹みが粗大で不均一に形成されて、最終
焼鈍後のエッチング処理においてエッチング面に垂直方
向へのピットの成長を妨げ、全面溶解や不均一溶解につ
ながる。従って、エッチング電気量は、０．２〜１０Ｃ
／ｃｍ2 とする必要があり、好ましい下限値は０．３Ｃ
／ｃｍ2 、好ましい上限値は３Ｃ／ｃｍ2 である。
角波とするのは、前述の欠陥を有する凹凸を生成させる
ためのアノードとカソードの交番電流を用いるためであ
る。また、周波数は、２０Ｈｚ未満では形成される凹み
が少ないために静電容量の増大を見込めず、１０００Ｈ
ｚを超えると凹みが粗大となって不均一に形成されてし
まい、やはり静電容量の増大を見込めない。従って、周
波数は２０〜１０００Ｈｚとする必要があり、好ましい
下限値は３０Ｈｚ、好ましい上限値は８００Ｈｚであ
る。電流密度は、０．３５Ａ／ｃｍ2 未満ではエッチン
グピットを均一に生じさせるには形成される凹みが少な
く、４Ａ／ｃｍ2 を超えると、凹みが粗大となり不均一
に形成されるため、凹みを均一に生じさせる効果に乏し
い。従って、電流密度は、０．３５〜４Ａ／ｃｍ2 とす
る必要があり、好ましい下限値は０．４Ａ／ｃｍ2 であ
る。エッチング電気量は、０．２Ｃ／ｃｍ2 未満ではや
はり凹みを均一に生じさせる効果に乏しく、１０Ｃ／ｃ
ｍ2 を超えると凹みが粗大で不均一に形成されて、最終
焼鈍後のエッチング処理においてエッチング面に垂直方
向へのピットの成長を妨げ、全面溶解や不均一溶解につ
ながる。従って、エッチング電気量は、０．２〜１０Ｃ
／ｃｍ2 とする必要があり、好ましい下限値は０．３Ｃ
／ｃｍ2 、好ましい上限値は３Ｃ／ｃｍ2 である。
【００１６】なお、交流電解エッチング浴の液組成は限
定されないが、塩酸、あるいは塩酸に硫酸、しゅう酸、
りん酸、ほう酸を加えた混合酸を推奨でき、浴温として
２０〜８０℃を推奨できる。
定されないが、塩酸、あるいは塩酸に硫酸、しゅう酸、
りん酸、ほう酸を加えた混合酸を推奨でき、浴温として
２０〜８０℃を推奨できる。
【００１７】第２の方法は直流電解エッチングである。
直流電解エッチングを採用するのは、次の理由による。
即ち、直流エッチングにおいても、アルミニウム箔表面
にアノード皮膜が生成する。このアノード皮膜は、アル
ミニウムの溶解に対して保護膜として作用するが、その
一部が破壊してアルミニウムが溶出してピットとなる。
従って、ピット発生部では皮膜欠陥が生じることとな
る。この皮膜欠陥を有する微細な凹凸を利用して最終焼
鈍後の直流電解エッチングでのエッチングピットを均
一、高密度に形成させることができる。
直流電解エッチングを採用するのは、次の理由による。
即ち、直流エッチングにおいても、アルミニウム箔表面
にアノード皮膜が生成する。このアノード皮膜は、アル
ミニウムの溶解に対して保護膜として作用するが、その
一部が破壊してアルミニウムが溶出してピットとなる。
従って、ピット発生部では皮膜欠陥が生じることとな
る。この皮膜欠陥を有する微細な凹凸を利用して最終焼
鈍後の直流電解エッチングでのエッチングピットを均
一、高密度に形成させることができる。
【００１８】直流エッチングの電解浴は、塩酸または塩
化物を２〜２０wt％含み、あるいはさらに硫酸、しゅう
酸、りん酸、ほう酸のうちから少なくとも１種を合計で
４０wt％以下を添加した液を用いる。前記濃度に規定す
るのは、２wt％未満では微細な凹みが発生せず、２０wt
％を超えると表面が全面溶解して微細で高密度な凹みの
形成を阻害するためである。塩酸または塩化物濃度の好
ましい下限値は３wt％であり、好ましい上限値は１５wt
％である。また、これらの液に硫酸、しゅう酸、りん
酸、ほう酸のうちから少なくとも１種を添加することに
より微細な凹みの発生を促進させるが、合計で４０wt％
を超えると表面の全面溶解する。これらの酸の合計添加
量の好ましい下限値は３wt％であり、好ましい上限値は
３０wt％である。また、電流密度は、微細な凹みの発生
数を確保しかつ表面の全面溶解を回避するために０．０
５〜０．４Ａ／ｃｍ2 とし、好ましい下限値は０．１Ａ
／ｃｍ2 であり、好ましい上限値は０．３Ａ／ｃｍ2 で
ある。またエッチング電気量は、０．１Ｃ／ｃｍ2 未満
では微細な凹みの発生数が少なく、５Ｃ／ｃｍ2 を超え
ると凹みの長さが大きくなるため、０．１〜５Ｃ／ｃｍ
2 の範囲とする。エッチング電気量の好ましい下限値は
１Ｃ／ｃｍ2 であり、好ましい上限値は５Ｃ／ｃｍ2 で
ある。なお、液温は、５０℃未満では微細な凹みの発生
数が少なく、９５℃を超えると全面溶解するため、５０
〜９５℃が好ましい。液温の特に好ましい下限値は６０
℃であり、特に好ましい上限値は８５℃である。
化物を２〜２０wt％含み、あるいはさらに硫酸、しゅう
酸、りん酸、ほう酸のうちから少なくとも１種を合計で
４０wt％以下を添加した液を用いる。前記濃度に規定す
るのは、２wt％未満では微細な凹みが発生せず、２０wt
％を超えると表面が全面溶解して微細で高密度な凹みの
形成を阻害するためである。塩酸または塩化物濃度の好
ましい下限値は３wt％であり、好ましい上限値は１５wt
％である。また、これらの液に硫酸、しゅう酸、りん
酸、ほう酸のうちから少なくとも１種を添加することに
より微細な凹みの発生を促進させるが、合計で４０wt％
を超えると表面の全面溶解する。これらの酸の合計添加
量の好ましい下限値は３wt％であり、好ましい上限値は
３０wt％である。また、電流密度は、微細な凹みの発生
数を確保しかつ表面の全面溶解を回避するために０．０
５〜０．４Ａ／ｃｍ2 とし、好ましい下限値は０．１Ａ
／ｃｍ2 であり、好ましい上限値は０．３Ａ／ｃｍ2 で
ある。またエッチング電気量は、０．１Ｃ／ｃｍ2 未満
では微細な凹みの発生数が少なく、５Ｃ／ｃｍ2 を超え
ると凹みの長さが大きくなるため、０．１〜５Ｃ／ｃｍ
2 の範囲とする。エッチング電気量の好ましい下限値は
１Ｃ／ｃｍ2 であり、好ましい上限値は５Ｃ／ｃｍ2 で
ある。なお、液温は、５０℃未満では微細な凹みの発生
数が少なく、９５℃を超えると全面溶解するため、５０
〜９５℃が好ましい。液温の特に好ましい下限値は６０
℃であり、特に好ましい上限値は８５℃である。
【００１９】このような交流または直流電解エッチング
の回数は、１回行えば良いが、エッチングピットの発生
核の形成状態をより良好にするために２回以上行っても
良い。また、必要に応じて電解エッチングの前に、箔表
面の酸化膜や残存する圧延油を除去するための前処理を
行っても良い。
の回数は、１回行えば良いが、エッチングピットの発生
核の形成状態をより良好にするために２回以上行っても
良い。また、必要に応じて電解エッチングの前に、箔表
面の酸化膜や残存する圧延油を除去するための前処理を
行っても良い。
【００２０】また、均熱処理、熱間圧延、冷間圧延、最
終焼鈍の処理条件も限定されず、常法に従えば良い。ま
た、箔の化学組成も限定されず、通常箔材料として用い
られる高純度アルミニウムが好ましく、特に純度９９．
９９wt％以上のものが好ましい。
終焼鈍の処理条件も限定されず、常法に従えば良い。ま
た、箔の化学組成も限定されず、通常箔材料として用い
られる高純度アルミニウムが好ましく、特に純度９９．
９９wt％以上のものが好ましい。
【００２１】
【実施例】次に、本発明の電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔の製造方法の具体的実施例について詳述する。
ニウム箔の製造方法の具体的実施例について詳述する。
【００２２】まず、純度９９．９９wt％のアルミニウム
スラブに対し、常法により、面削、熱間圧延、冷間圧延
を順次施して厚さ１００μｍの箔を作製した。この箔に
ついて、実験例Ａでは最終焼鈍前に交流電解エッチング
を、実験例Ｂでは最終焼鈍前に直流電解エッチングをそ
れぞれ施して電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を作
製し、静電容量を比較した。
スラブに対し、常法により、面削、熱間圧延、冷間圧延
を順次施して厚さ１００μｍの箔を作製した。この箔に
ついて、実験例Ａでは最終焼鈍前に交流電解エッチング
を、実験例Ｂでは最終焼鈍前に直流電解エッチングをそ
れぞれ施して電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を作
製し、静電容量を比較した。
【００２３】（実験例Ａ）５０℃、１０％塩酸＋０．５
％硫酸の電解浴中で、表１に示す条件にて交流電解エッ
チングを行った。なお比較例３についてはこの交流電解
エッチングを行わなかった。そして、これらの箔に対
し、不活性ガス中で５００℃×５時間の最終焼鈍を施
し、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
％硫酸の電解浴中で、表１に示す条件にて交流電解エッ
チングを行った。なお比較例３についてはこの交流電解
エッチングを行わなかった。そして、これらの箔に対
し、不活性ガス中で５００℃×５時間の最終焼鈍を施
し、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
【００２４】これらのアルミニウム箔について、浴温７
５℃、５％塩酸＋１０％硫酸の混合酸浴中で、電流密度
０．２Ａ／ｃｍ2 、１００秒間の条件で直流電解エッチ
ングを行い、さらに同液で１０分間ケミカルエッチング
を行った。次いで、ほう酸浴中で３５０Ｖで化成処理を
行い、静電容量を測定した。静電容量は、比較例１を１
００％として相対的に評価した。これらの結果を表１に
示す。
５℃、５％塩酸＋１０％硫酸の混合酸浴中で、電流密度
０．２Ａ／ｃｍ2 、１００秒間の条件で直流電解エッチ
ングを行い、さらに同液で１０分間ケミカルエッチング
を行った。次いで、ほう酸浴中で３５０Ｖで化成処理を
行い、静電容量を測定した。静電容量は、比較例１を１
００％として相対的に評価した。これらの結果を表１に
示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】（実験例Ｂ）表２に示す組成および温度の
電解浴中で、表３に示す条件にて直流電解エッチングを
行った。なお比較例３５についてはこの直流電解エッチ
ングを行わなかった。そして、これらの箔に対し、不活
性ガス中で５００℃×５時間の最終焼鈍を施し、電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
電解浴中で、表３に示す条件にて直流電解エッチングを
行った。なお比較例３５についてはこの直流電解エッチ
ングを行わなかった。そして、これらの箔に対し、不活
性ガス中で５００℃×５時間の最終焼鈍を施し、電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔を得た。
【００２７】
【表２】
【００２８】これらのアルミニウム箔について、浴温７
５℃、５％塩酸＋１０％硫酸の混合酸浴中で、電流密度
０．２Ａ／ｃｍ2 、１００秒間の条件で直流電解エッチ
ングを行い、さらに同液で１０分間ケミカルエッチング
を行った。次いで、ほう酸浴３５０Ｖで化成処理を行
い、静電容量を測定した。静電容量は、比較例３５を１
００％として相対的に評価した。これらの結果を表３に
示す。
５℃、５％塩酸＋１０％硫酸の混合酸浴中で、電流密度
０．２Ａ／ｃｍ2 、１００秒間の条件で直流電解エッチ
ングを行い、さらに同液で１０分間ケミカルエッチング
を行った。次いで、ほう酸浴３５０Ｖで化成処理を行
い、静電容量を測定した。静電容量は、比較例３５を１
００％として相対的に評価した。これらの結果を表３に
示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】表１および表３の結果から、最終焼鈍前に
所定条件で電解エッチングを行うことにより、静電容量
を増大しうることを確認できた。
所定条件で電解エッチングを行うことにより、静電容量
を増大しうることを確認できた。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法は、アルミニ
ウムスラブを均熱処理し、熱間圧延および冷間圧延を行
ってアルミニウム箔としたのち、このアルミニウム箔に
少なくとも１回の電解エッチングを施し、その後に最終
焼鈍するから、箔表面にエッチングピットの発生核が均
一かつ高密度に形成された状態となり、最終焼鈍後のエ
ッチングによって確実に拡面率が向上し、静電容量の増
大を図ることができる。
ンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法は、アルミニ
ウムスラブを均熱処理し、熱間圧延および冷間圧延を行
ってアルミニウム箔としたのち、このアルミニウム箔に
少なくとも１回の電解エッチングを施し、その後に最終
焼鈍するから、箔表面にエッチングピットの発生核が均
一かつ高密度に形成された状態となり、最終焼鈍後のエ
ッチングによって確実に拡面率が向上し、静電容量の増
大を図ることができる。
【００３２】特に、前記電解エッチングは、交流電解エ
ッチングであり、交流波形：正弦波、方形波または三角
波、周波数：２０〜１０００Ｈｚ、電流密度：０．３５
〜４Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気量：０．２〜１０Ｃ／
ｃｍ2 の条件で行う場合、または直流電解エッチングで
あり、塩酸または塩化物を２〜２０wt％含み、あるいは
さらに硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸のうちから少な
くとも１種を合計で４０wt％以下を添加した液中で、電
流密度：０．０５〜０．４Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気
量：０．１〜５Ｃ／ｃｍ2 の条件で行う場合は、エッチ
ングピットの発生核の形成が特に均一かつ高密度になさ
れ、静電容量の増大が確実なものとなる。
ッチングであり、交流波形：正弦波、方形波または三角
波、周波数：２０〜１０００Ｈｚ、電流密度：０．３５
〜４Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気量：０．２〜１０Ｃ／
ｃｍ2 の条件で行う場合、または直流電解エッチングで
あり、塩酸または塩化物を２〜２０wt％含み、あるいは
さらに硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸のうちから少な
くとも１種を合計で４０wt％以下を添加した液中で、電
流密度：０．０５〜０．４Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気
量：０．１〜５Ｃ／ｃｍ2 の条件で行う場合は、エッチ
ングピットの発生核の形成が特に均一かつ高密度になさ
れ、静電容量の増大が確実なものとなる。
フロントページの続き (72)発明者 宗宮 和久 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 杉本 公徳 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 藤平 忠雄 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 山ノ井 智明 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間
圧延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたの
ち、このアルミニウム箔に少なくとも１回の電解エッチ
ングを施し、その後に最終焼鈍することを特徴とする電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法。 - 【請求項２】 前記電解エッチングは、交流電解エッチ
ングであり、交流波形：正弦波、方形波または三角波、
周波数：２０〜１０００Ｈｚ、電流密度：０．３５〜４
Ａ／ｃｍ2 、エッチング電気量：０．２〜１０Ｃ／ｃｍ
2 の条件で行う請求項１に記載の電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔の製造方法。 - 【請求項３】 前記電解エッチングは、直流電解エッチ
ングであり、塩酸または塩化物を２〜２０wt％含み、あ
るいはさらに硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸のうちか
ら少なくとも１種を合計で４０wt％以下を添加した液中
で、電流密度：０．０５〜０．４Ａ／ｃｍ2 、エッチン
グ電気量：０．１〜５Ｃ／ｃｍ2 の条件で行う請求項１
に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144715A JP2000228333A (ja) | 1998-12-04 | 1999-05-25 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-345079 | 1998-12-04 | ||
| JP34507998 | 1998-12-04 | ||
| JP11144715A JP2000228333A (ja) | 1998-12-04 | 1999-05-25 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228333A true JP2000228333A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=26476048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11144715A Pending JP2000228333A (ja) | 1998-12-04 | 1999-05-25 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228333A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005015916A (ja) * | 2003-06-03 | 2005-01-20 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法およびアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2008166602A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2008258225A (ja) * | 2007-03-31 | 2008-10-23 | Nippon Chemicon Corp | アルミニウムエッチング箔とその製造方法 |
| JP2010275637A (ja) * | 2003-06-03 | 2010-12-09 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法およびアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2012094914A (ja) * | 2012-02-03 | 2012-05-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2022178959A (ja) * | 2021-05-21 | 2022-12-02 | 堺アルミ株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法ならびに電解コンデンサ用アルミニウム電極材の製造方法 |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP11144715A patent/JP2000228333A/ja active Pending
Cited By (7)
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| JP2022178959A (ja) * | 2021-05-21 | 2022-12-02 | 堺アルミ株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法ならびに電解コンデンサ用アルミニウム電極材の製造方法 |
| JP7754642B2 (ja) | 2021-05-21 | 2025-10-15 | 堺アルミ株式会社 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法ならびに電解コンデンサ用アルミニウム電極材の製造方法 |
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