JP2000228349A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を均一に処理可能な基板処理装置を提供
する。 【解決手段】 現像液供給ノズル６７の現像液を貯留す
る貯留部７３に現像液の温度を調整する温度調整機構７
４，７５，７６を夫々設ける。温度調整機構７４，７
５，７６に所定温度の温度調整水の流通する流路７４
ｄ，７５ｄ，７６ｄをそれぞれ形成する。流路７４ｄ，
７５ｄを貯留部７３の周辺部近傍に配置すると共に，流
路７６ｄを貯留部７３の中央部に配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の表面に処理
液を供給して処理する基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては，例え
ば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の表面
にパターンを形成するリソグラフィ工程が行われてい
る。このリソグラフィ工程は，ウェハの表面にレジスト
液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布工程，
レジスト膜の形成されたウェハを露光する露光処理工
程，そして露光処理後のウェハに対して現像液を供給し
て処理する現像処理工程等の各種処理工程を有してい
る。

【０００３】かかる処理工程のうち，現像処理工程にあ
っては，先ずウェハに現像液を供給し，このウェハの表
面に現像液を盛り上げた状態でレジスト膜を現像する。
次いで，ウェハを高速で回転させてウェハの表面に残っ
た現像液を振り切ると共に，純水等の洗浄液を供給して
当該ウェハの表面を洗浄している。

【０００４】そして，ウェハに現像液を供給する際に
は，従来から現像液供給ノズルが使用されている。現像
液供給ノズルは略棒状に形成されており，その全長はウ
ェハの直径以上になっている。また，現像液供給ノズル
の内部には現像液を貯留する貯留部が形成されており，
その底部にはウェハに対して現像液を吐出するための多
数の現像液吐出孔が現像液供給ノズルの長手方向に沿っ
て設けられている。このような構成により，ウェハを低
速で回転させながら貯留部の現像液を現像液吐出孔から
吐出させると，ウェハの表面に現像液が均一に供給され
るようになっている。

【０００５】ところで，現在ではサブミクロン単位の微
細なウェハの表面加工技術が必要となっており，ウェハ
に形成された微細なパターンを現像する際には，温度変
化に敏感な現像液を好適に温度管理することが必要であ
る。そこで従来より，貯留部に貯留された現像液を好適
な温度に調整することが行われている。具体的には，貯
留部の内部に流路を設け，この流路に所定の温度に調整
された温度調整水等を流通させている。これにより，温
度調整水からの熱で貯留部内の現像液が好適に温度調整
されて，ウェハの全面に対して等温度の現像液が均一に
供給されるようになっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，現像液
の供給されるウェハはスピンチャックに載置されてお
り，スピンチャックに直接支持されるウェハの中心部
は，スピンチャックに直接支持されないウェハの周縁部
よりも面内温度が高くなる。従って従来のように，ウェ
ハの全面に等温度の現像液を供給したのでは，ウェハの
中心部と周縁部との間で均一な現像処理ができなくなる
おそれが生じる。

【０００７】そこで本発明は，基板の全面にわたって均
一な処理が可能な基板処理装置を提供して上記課題を解
決することを目的としている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記目的を達成するた
めに，請求項１によれば，基板に対して供給する処理液
を貯留可能な貯留部を有するノズルと，当該ノズルの底
部の長手方向に沿って設けられた処理液吐出孔と，前記
貯留部に対して処理液を供給する処理液供給源とを備
え，前記基板に処理液を供給して当該基板を処理する装
置であって，少なくとも前記貯留部の両端部近傍及び中
央部の処理液の温度を個別に調整可能な複数の温度調整
機構を備えたことを特徴とする，基板処理装置が提供さ
れる。

【０００９】請求項１に記載の基板処理装置にあって
は，貯留部の両端部近傍及び中央部の処理液の温度を個
別に温度調整可能な温度調整機構を備えているので，貯
留部の中央部にある処理液を低い温度に調整し，貯留部
の両端部近傍にある処理液を高い温度に調整することが
可能である。従って，面内温度の高い基板の中心部には
温度の低い処理液を，面内温度の低い基板の周縁部近傍
には温度の高い処理液をそれぞれ供給することができ，
基板に対する均一な処理が可能となる。また，貯留部の
両端部近傍にある処理液を温度調整する温度調整機構
は，共用化してもよい。

【００１０】請求項２によれば，基板に対して供給する
処理液を貯留可能な貯留部を有するノズルと，当該ノズ
ルの底部の長手方向に沿って設けられた処理液吐出孔
と，前記貯留部に対して処理液を供給する処理液供給源
とを備え，前記基板に処理液を供給して当該基板を処理
する装置であって，少なくとも前記貯留部の周辺部及び
中心部に処理液を供給する複数の前記処理液供給源と，
これらの処理液供給源から供給される処理液の温度を各
々個別に調整する複数の温度調整機構とを備えたことを
特徴とする，基板処理装置が提供される。

【００１１】請求項２に記載の基板処理装置にあって
は，処理液供給源から供給される処理液を温度調整機構
によって温度調整した後にノズルの貯留部に供給する。
そして，貯留部の周辺部及び中央部に対してそれぞれ供
給する処理液の温度を複数の温度調整機構によって個別
に調整する。従って，温度の高い処理液を貯留部の周辺
部に，温度の低い処理液を貯留部の中央部に対して夫々
供給することが可能となる。

【００１２】そして請求項１または２に記載の基板処理
装置は，請求項３のように，前記貯留部の周辺部から基
板に対して供給する処理液の供給量と，前記貯留部の中
心部から基板に対して供給する処理液の供給量とが異な
るようにしてもよい。

【００１３】請求項３に記載の基板処理装置にあって
は，例えば基板がウェハ等の円盤状の場合であって，ノ
ズルをウェハの直径状に配置して，このウェハを回転さ
せながら処理液を供給する場合，貯留部の周辺部近傍か
ら基板の周辺部に対して供給する処理液の供給量を，貯
留部の中央部から基板の中心部に対して供給する処理液
の供給量よりも多くすることにより，基板上に均一に処
理液を供給して均一な処理を行うことが可能である。

【００１４】請求項４に記載の発明は，請求項１，２ま
たは３に記載の基板処理装置において，前記温度調整機
構は，前記貯留部内に設けられかつ所定温度に調整され
た流体が流通する流路を有することを特徴としている。

【００１５】請求項４に記載の基板処理装置にあって
は，貯留部内に設けられた流路にそれぞれ所定の温度に
調整した流体を流通させて，流体から各々発せられる熱
で貯留部内にある処理液をエリア毎に温度調整すること
が可能である。

【００１６】請求項５に記載の発明は，請求項１，２，
３または４に記載の基板処理装置において，前記貯留部
の中央部に温度調整手段を設けたことを特徴としてい
る。

【００１７】請求項５に記載の基板処理装置にあって
は，温度調整手段，例えばペルチェ素子でさらに貯留部
内の処理液を冷却して温度調整することが可能であり，
貯留部の中央部にこのような温度調整手段を設けること
で，貯留部の中央部にある処理液の温度を貯留部の両端
部近傍にある処理液の温度よりも低く温度調整すること
が可能である。また，微細な処理液の温度調整も可能で
ある。

【００１８】請求項６に記載の発明は，請求項４または
５に記載の基板処理装置において，前記貯留部を区画す
る仕切り板を備え，当該仕切り板によって区画された領
域に各々前記流路が配置されていることを特徴としてい
る。

【００１９】請求項６に記載の基板処理装置にあって
は，流路毎に所定の温度の流体を流通させて，仕切り板
で区画された各領域を個別に分割して温度調整すること
が可能である。この場合，貯留部を仕切り板で完全に区
画するのではなく，仕切り板を介して隣接する領域の処
理液が連通できるように構成すれば，仕切り板の近傍で
高い温度の処理液と低い温度の処理液とが混じり合うの
で温度勾配を徐々に変化させた態様で基板に供給するこ
とができる。

【００２０】請求項７に記載の発明は，請求項１，２，
３，４，５または６に記載の基板処理装置において，前
記処理液供給源と前記ノズルとの間に処理液を貯留可能
なタンクを介在させ，このタンクは貯留した処理液の温
度を調整する温度調整装置を備えたことを特徴としてい
る。

【００２１】請求項７に記載の基板処理装置にあって
は，処理液供給源から供給される処理液を一旦タンクに
貯留する。そして，このタンクに貯留された処理液を温
度調整装置によって温度調整した後にノズルの貯留部に
対して供給する。このように，タンクにて温度調整装置
により予め温度調整した処理液を貯留部内でさらに温度
調整するので，貯留部の処理液をより正確に温度調整す
ることが可能である。

【００２２】この場合，請求項８のように，前記温度調
整装置内を流通する流体は，前記温度調整機構を流通し
た流体であればなお好ましい。

【００２３】請求項８に記載の基板処理装置にあって
は，温度調整機構にて使用した流体を温度調整装置にて
再利用できるから，温度調整装置専用の流体が不要とな
る。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態にかか
る現像処理ユニットを備えた塗布現像処理装置について
説明する。図１〜３は塗布現像処理装置の外観を示して
おり，図１は平面図，図２は正面図，図３は背面図であ
る。

【００２５】塗布現像処理装置１は図１に示すように，
例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布
現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対
してウェハＷを搬入出したりするためのカセットステー
ション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処
理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られる露光装置４との間でウェハＷの受け渡しをするた
めのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有
している。

【００２６】カセットステーション２では，カセット載
置台６上の所定の位置に複数のカセットＣがウェハＷの
出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中
の上下方向）一列に載置自在である。そして，このカセ
ット配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウ
ェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可
能なウェハ搬送体８が搬送路９に沿って移動自在であ
り，カセットＣに対して選択的にアクセスできるように
なっている。

【００２７】ウェハ搬送体８はθ方向（Ｚ軸を中心とす
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
ように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ_３に
属するアライメントユニット３２及びエクステンション
ユニット３３に対してもアクセスできるように構成され
ている。

【００２８】処理ステーション３では，ウェハＷを保持
するピンセット１０，１１，１２を上中下３本備えた主
搬送装置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１
３の周囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理
装置群を構成している。塗布現像処理装置１において
は，４つの処理装置群Ｇ_１，Ｇ_２，Ｇ_３，Ｇ_４が配置可
能である。第１及び第２の処理装置群Ｇ_１，Ｇ_２は塗布
現像処理装置１の正面側に配置されており，第３の処理
装置群Ｇ_３はカセットステーション２に隣接して配置さ
れており，第４の処理装置群Ｇ_４はインターフェイス部
５に隣接して配置されている。また，必要に応じて第５
の処理装置群Ｇ_５も背面側に配置可能である。

【００２９】第１の処理装置群Ｇ_１では図２に示すよう
に，２種類のスピンナ型処理ユニット，例えばウェハＷ
に対してレジスト液を塗布するレジスト塗布処理ユニッ
ト１５と，ウェハＷに対して現像液を供給して処理する
現像処理ユニット１６とが下から順に２段に配置されて
いる。第２の処理装置群Ｇ_２では，レジスト塗布処理ユ
ニット１５と基本的に同様な構成を有するレジスト塗布
処理ユニット１７と，現像処理ユニット１６と基本的に
同様な構成を有する現像処理ユニット１８とが下から順
に２段に積み重ねられている。そして，レジスト塗布処
理ユニット１５，１７の下方には後述する現像液タンク
８１を収納可能な収納ボックス１９が設けられている。

【００３０】第３の処理装置群Ｇ_３では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット３０，レジストとウェハＷとの定着性を高める
アドヒージョンユニット３１，ウェハＷの位置合わせを
行うアライメントユニット３２，ウェハＷを待機させる
エクステンションユニット３３，露光処理前の加熱処理
を行うプリベーキングユニット３４，３５及び現像処理
後の加熱処理を施すポストベーキングユニット３６，３
７等が下から順に８段に重ねられている。

【００３１】第４の処理装置群Ｇ_４では，例えばクーリ
ングユニット４０，載置したウェハＷを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット４１，エクステ
ンションユニット４２，クーリングユニット４３，露光
処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキ
ングユニット４４，４５，ポストベーキングユニット４
６，４７等が下から順に８段に積み重ねられている。

【００３２】インターフェイス部５にはウェハＷの周縁
部を露光する周辺露光装置５１と，ウェハ搬送体５２と
が備えられている。ウェハ搬送体５２はＸ方向（図１中
の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動と，θ方向
（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転とが夫々自在とな
るように形成されており，露光装置４，エクステンショ
ン・クーリングユニット４１，エクステンションユニッ
ト４２，そして周辺露光装置５１に対してそれぞれアク
セスすることができるようになっている。

【００３３】塗布現像処理装置１は以上のように構成さ
れている。次に，本発明の実施の形態にかかる現像処理
ユニット１６について説明する。

【００３４】現像処理ユニット１６の中心部には図４、
５に示すように、ウェハＷを吸着保持可能なスピンチャ
ック５５が備えられている。スピンチャック５５は駆動
モータ５６によって回転可能であり上下動自在に構成さ
れている。スピンチャック５５の周囲には、現像液等の
飛散を防止する環状のカップ５７が設けられている。

【００３５】カップ５７の底部には傾斜面５８が設けら
れており、傾斜面５８の最下部には排液を外部に排出す
る排液管５９が取り付けられている。そして，スピンチ
ャック５５を挟んで排液管５９の反対側にはカップ５７
内の雰囲気を排気する排気管６０が取り付けられてい
る。また，傾斜面５８には環状壁６１が立設しており、
この環状壁６１の上端には、スピンチャック５５に保持
されたウェハＷの裏面に近接する整流板６２が配設され
ている。整流板６２の周辺部は外側に向かって下方に傾
斜するように構成されている。

【００３６】カップ５７の上部側方にはリンス液供給源
６５からのリンス液をウェハＷに対して吐出するリンス
液供給ノズル６６が設けられている。また，スピンチャ
ック５５を挟んでリンス液供給ノズル６６の反対側には
現像液供給ノズル６７が配置されており，この現像液供
給ノズル６７には現像液供給源６８からの現像液が現像
液供給管６９を通じて供給されるようになっている。リ
ンス液供給ノズル６６と現像液供給ノズル６７とは，カ
ップ５７前方に設けられた搬送レール７０に沿って往復
移動自在な把持アーム７１に把持されるようになってい
る。従って，リンス液供給ノズル６６と現像液供給ノズ
ル６７とは把持アーム７１に把持された状態で各々カッ
プ５７側方の待機位置とカップ５７上方の処理位置との
間を移動可能になっている。なお，上記駆動モータ５
６，リンス液供給源６５及び現像液供給源６８は制御装
置７２によって制御されている。

【００３７】上記現像液供給ノズル６７は図６に示すよ
うに略棒状の形状を有しており，その長さＬはウェハＷ
の直径Ｌ_１以上の長さを有している。現像液供給ノズル
６７の底部には長手方向に沿って多数の現像液吐出孔７
２が設けられている。現像液供給ノズル６７の内部には
図７に示すように現像液供給源６８から供給された現像
液を貯留する貯留部７３が形成されている。そして，貯
留部７３の両端部近傍には温度調整機構７４，７５が，
貯留部７３の中央部には温度調整機構７６が夫々備えら
れている。

【００３８】これらの温度調整機構７４，７５，７６は
基本的に同様の構成を有しており，例えば温度調整機構
７４の構成について説明すると，温度調整機構７４は，
所定温度に調整された流体，例えば温度調整水が循環す
る循環路７４ａと，温度調整水を循環路７４ａに循環さ
せるポンプ７４ｂと，循環路７４ａを循環する温度調整
水の温度を調整するサーモモジュール７４ｃとを有して
おり，循環路７４ａは上記貯留部７３内で現像液の温度
を直接調整する流路７４ｄを構成している。温度調整機
構７４と同様に，温度調整機構７５，７６は循環路７５
ａ，７６ａと，ポンプ７５ｂ，７６ｂと，サーモモジュ
ール７５ｃ，７６ｃとを夫々有しており，循環路７５
ａ，７６ａは貯留部７３内で現像液の温度を直接調整す
る流路７５ｄ，７６ｄをそれぞれ構成している。

【００３９】現像処理ユニット１６は以上のように構成
されている。次に，現像処理ユニット１６の作用，効果
について説明する。カセットステーション２のアライメ
ントユニット３２にて位置合わせを終了したウェハＷ
は，アドヒージョンユニット３１，クーリングユニット
３０に順次搬送され所定の処理が施される。その後，ウ
ェハＷはレジスト塗布処理ユニット１５に搬送され，ウ
ェハＷの表面に所定の膜厚のレジスト膜が形成される。

【００４０】次いで，レジスト塗布処理の終了したウェ
ハＷは，プリベーキングユニット３４，エクステンショ
ン・クーリングユニット４１，周辺露光装置５１に順次
搬送され所定の処理が施された後，露光装置４にて露光
される。そして，露光処理の終了したウェハＷは，エク
ステンションユニット４２，ポストエクスポージャーベ
ーキングユニット４４に順次搬送され所定の処理が施さ
れた後，現像処理ユニット１６に搬送される。

【００４１】現像処理ユニット１６に搬送されたウェハ
Ｗは，スピンチャック５５に吸着保持される。また，現
像液供給ノズル６７が把持アーム７１に把持された状態
でカップ５７側方の待機位置からカップ５７上方の処理
位置まで移動する。そして図８に示すように，貯留部７
３に貯留された現像液が現像液吐出孔７２から低速で回
転するウェハＷに吐出される。これにより，ウェハＷ全
面に現像液が供給されることになる。

【００４２】このとき，貯留部７３の両端部近傍にある
現像液は温度調整機構７４，７５によって，貯留部７３
の中央部にある現像液は温度調整機構７６によってそれ
ぞれ温度調整されている。即ち，サーモモジュール７４
ｃ，７５ｃによって例えば２３．５℃に温度調整された
温度調整水を流路７４ｄ，７５ｄに，サーモモジュール
７６ｃによって例えば２３．０℃に温度調整された温度
調整水を流路７６ｄにそれぞれ流通させて，貯留部７３
の周辺部近傍の現像液を２３．５℃に，貯留部７３の中
央部の現像液を２３．０℃にそれぞれ温度調整する。そ
の結果，上記２３．０℃の温度の低い現像液がスピンチ
ャック５５に保持された面内温度の高いウェハＷの中心
部に，上記２３．５℃の温度の高い現像液がスピンチャ
ック５５に保持されていない面内温度の低いウェハＷの
周縁部に対してそれぞれ供給される。

【００４３】本実施の形態では，前記したように貯留部
７３内の現像液を温度調整機構７４，７５，７６によっ
て分割して温度調整できるから，面内温度の低いウェハ
Ｗの周縁部には温度調整機構７４，７５によって温度調
整された温度の高い現像液を，面内温度の高いウェハＷ
の中心部には温度調整機構７６によって温度調整された
温度の低い現像液をそれぞれ個別に供給することが可能
である。その結果，ウェハＷの面内温度に応じて好適に
温度調整された現像液を供給することができ，ウェハＷ
の全面にわたって均一な現像処理を行うことが可能にな
る。

【００４４】また，流路７４ｄ，７５ｄに同一の温度調
整機構によって温度調整された同一温度の温度調整水を
流通させることにより貯留部７３の周辺部近傍の現像液
の温度を調整することも可能である。例えば図９に示す
ように，温度調整機構７５の循環路７５ａから分岐する
分岐路７５ｅ，７５ｆと，これらの分岐路７５ｅ，７５
ｆに流路７４ｄの両端を接続するように構成するとよ
い。かかる構成によれば，流路７５ｄを流通する温度調
整水を流路７４ｄにも流通させて使用することが可能で
ある。その際，温度調整機構７４には前出のポンプ７４
ｂと，サーモモジュール７４ｃとが不要となるので現像
液供給ノズル６７の構造の簡素化を図ることが可能であ
る。

【００４５】さらにまた図１０に示すように，貯留部７
３を区画する仕切り板７７，７８を設け，これらの仕切
り板７７，７８にて区画されたエリアに流路７４ｄ，７
５ｄ，７６ｄをそれぞれ配置し，現像液供給源６８から
供給される現像液を，流路７４ｄの配置するエリアには
現像液供給管６９から分岐する分岐供給管６９’を通じ
て，流路７５ｄの配置するエリアには分岐供給管６
９’’を通じて，流路７６ｄの配置するエリアには現像
液供給管６９を通じて夫々供給するようにしてもよい。
この際，各エリアの現像液が仕切り板７７，７８を介し
て流通自在であるように構成するのが好ましい。即ち，
仕切り板７７，７８の下面と，貯留部７３の底部との間
に連通部Ｓを形成し，この連通部Ｓによって仕切り板７
７，７８で区画されたエリアを連通させるようにすれば
よい。

【００４６】かかる構成によれば，仕切り板７７，７８
で区画された個々のエリアの現像液を温度調整機構７
４，７５，７６にてそれぞれ温度調整するので，仕切り
板７７，７８を設けずに貯留部７３全体の現像液を温度
調整機構７４，７５，７６にて温度調整する場合に比べ
て，個々の温度調整機構７４，７５，７６が温度調整す
る現像液の量が少なくなる。その結果，現像液の温度調
整がより容易になり，より正確に温度調整された現像液
をウェハＷに対して供給することが可能になる。しかも
温度の異なる現像液が連通部Ｓで混ざり合うので，ウェ
ハＷに吐出される現像液の温度を中心から周辺に向かう
につれて徐々に変化させることができる。従って，ウェ
ハＷの面内温度の勾配に対応した温度の現像液の供給が
可能となる。

【００４７】さらに図１１に示すように，貯留部７３の
内部，特に貯留部７３の中央部に温度調整手段としての
ペルチェ素子７９を備えることも可能である。かかる構
成によれば，貯留部７３の現像液をさらにペルチェ素子
７９によって冷却するので，貯留部７３の現像液をより
細かく温度調整することが可能である。特に，貯留部７
３の中央部にペルチェ素子７９を設けると，貯留部７３
の中央部からウェハＷの中心部に供給する現像液の温度
を細かく調整することが可能である。

【００４８】また図１２に示すように，流路７４ｄ，７
５ｄ，７６ｄの代わりに給電によって加熱する加熱ヒー
タ８０を貯留部７３の両側に備えることも可能である。
かかる構成によれば，貯留部７３内における現像液の温
度調整を電力で作動するペルチェ素子７９及び加熱ヒー
タ８０によって行うために，流路７４ｄ，７５ｄ，７６
ｄを使用して貯留部７３内の現像液を温度調整する場合
よりも制御が容易になる。

【００４９】さらに図１３に示すように，現像液供給源
６８と貯留部７３との間，例えば上記収納ボックス１９
内に現像液を貯留可能な現像液タンク８１を備え，この
現像液タンク８１に温度調整水の流通する循環路８２ａ
と，温度調整水を循環させるポンプ８２ｂと，温度調整
水の温度を調整するサーモモジュール８２ｃとを有する
温度調整装置８２を介装するとなお好ましい。

【００５０】かかる構成によれば，現像液タンク８１の
温度調整装置８２で一度温度調整された現像液をさらに
温度調整機構７４，７５，７６で温度調整することにな
る。従って，現像液供給源６８から供給された現像液を
温度調整機構７４，７５，７６だけで温度調整する場合
よりも，現像液の温度変化が小さくて済む。その結果，
現像液の温度調整が容易になり，ウェハＷに対して吐出
させる直前の現像液をより正確に温度調整することが可
能となる。

【００５１】この場合，温度調整機構７４，７５，７６
を流通した温度調整水を温度調整装置８２に供給して現
像液タンク８１内の現像液を温度調整するとさらに好ま
しい。かかる構成によれば，温度調整機構７４，７５，
７６で使用した温度調整水を温度調整装置８２に再利用
して，温度調整水の有効利用を図ることが可能になる。

【００５２】さらにまた図１４に示すように，貯留部７
３内の各エリアに対して個別に現像液を供給可能な現像
液供給源８３，８４，８５を備え，これらの現像液供給
源８３，８４，８５から供給管８６，８７，８８を通じ
て貯留部７３の各エリアに現像液を供給するようにして
もよい。かかる構成によれば，例えば現像液供給源８
３，８４から各々供給管８６，８７を通じて貯留部７３
の周辺部に供給される現像液の供給量を多くすると共
に，現像液供給源８５から供給管８８を通じて貯留部７
３の中心部に供給される現像液の供給量を少なくするこ
とも可能である。このため，回転するウェハＷの中心部
と周辺部とに単位面積当たりに等量の現像液を供給する
ことができ，ウェハＷ上に均一な現像液の液膜を形成す
ることが可能になる。そしてこの場合，連通部Ｓを設け
ずに，仕切り板７７，７８によって完全に区画してもよ
い。

【００５３】また図１５に示すように，現像液供給ノズ
ル６７の下面両端部にサブノズル９０，９１，９２，９
３を設け，サブノズル９０，９１には現像液供給源９４
からの現像液をポンプ９５によって送ると共に，サブノ
ズル９２，９３には現像液供給源９６からの現像液をポ
ンプ９７によって送るようにしてもよい。かかる構成に
よれば，例えば貯留部７３の周辺部からウェハＷの周辺
部に対する現像液の供給量を中央部よりも多くすること
ができるようになり，この場合も図１４に示した例と同
様に，ウェハＷ上に均一な現像液の液膜を形成すること
ができる。

【００５４】なお前記したようにして，現像液の供給さ
れたウェハＷは，その後一定時間回転が停止されて現像
される。そして，この現像終了後にウェハＷを高速で回
転させて現像液を振り切り現像を停止させる。同時に，
リンス液供給ノズル６６からリンス液を供給してウェハ
Ｗの表面を洗浄した後，このウェハＷをさらに高速で回
転させて表面の余分なリンス液を振り切り乾燥させる。
その後ウェハＷは，ポストベーキングユニット４６，ク
ーリングユニット３０，エクステンションユニット３３
に順次搬送されて，所定の処理が施された後，ウェハ搬
送体８によってエクステンションユニット３３から取り
出される。そして，処理後のウェハＷを収納するカセッ
トＣに収納されて，一連の塗布現像処理が終了する。

【００５５】前記実施の形態にあっては，貯留部７３に
供給された現像液を温度調整機構７４，７５，７６でそ
れぞれ温度調整する場合を例に挙げて説明したが，これ
に替えて，他の現像液供給ノズル１００を提案すること
も可能である。

【００５６】この現像液供給ノズル１００は図１６に示
すように，現像液を供給する現像液供給源１０１と，現
像液供給源１０１からの現像液を貯留可能な貯留部１０
２と，現像液供給源１０１からの現像液を貯留部１０２
の周辺部近傍に供給する現像液供給管１０３，１０４
と，現像液供給源１０１からの現像液を貯留部１０２の
中央部に供給する現像液供給管１０５とを有し，さらに
現像液供給源１０１から分岐するこれらの現像液供給管
１０３，１０４，１０５の外周を夫々被う流通路１０
６，１０７，１０８と，流通路１０６，１０７，１０８
を流通する温度調整水を夫々所定の温度に調整するサー
モモジュール１０９，１１０，１１１と，流通路１０
６，１０７，１０８に温度調整水を循環させるポンプ１
１２，１１３，１１４とを夫々備えている。

【００５７】そして，サーモモジュール１０９，１１０
によって流通路１０６，１０７を流通する温度調整水の
温度を，例えば２３．５℃にそれぞれ温度調整する。ま
た，サーモモジュール１１１によって流通路１０８を流
通する温度調整水の温度を，例えば２３．０℃に温度調
整する。

【００５８】かかる構成によれば，貯留部１０２の両端
部近傍からは面内温度の低いウェハＷの周縁部に対して
上記２３．５℃の温度の高い現像液が，貯留部１０２の
中央部からは面内温度の高いウェハＷの中心部に対して
上記２３．０℃の温度の低い現像液がそれぞれ供給され
る。その結果，前記実施の形態と同様に，ウェハＷの面
内温度に応じて好適に温度調整された現像液を供給する
ことができ，ウェハＷの現像処理を均一に行うことが可
能である。

【００５９】この場合，流通路１０６及び流通路１０７
を流通する温度調整水を共用化することも可能であり，
例えば流通路１０６を流通する温度調整水をポンプ１０
９によって流通路１０７にも導入するようにすれば，前
出のサーモモジュール１１０やポンプ１１３が不要とな
り，現像処理装置１００のさらなる構造の簡素化を図る
ことが可能である。もちろん，現像液供給管１０３，１
０４，１０５に現像液タンク８１を各々介装し，これら
の現像液タンク８１の現像液を温度調整装置８２にて温
度調整すると共に，流通路１０６，１０７，１０８を流
通した温度調整水を温度調整装置８２に各々再利用する
ことも可能である。

【００６０】なお，前記実施の形態にあっては，貯留部
７３に温度調整機構７４，７５，７６を備えた場合を例
に挙げて説明したが，本発明では貯留部７３に３つ以上
の温度調整機構を備えてもよい。また，貯留部７３を仕
切り板７７，７８にて３つのエリアに区画した例を説明
したが，必要に応じて貯留部７３をさらに多くのエリア
に区画することも可能である。また，流体としては温度
調整水を例に挙げて説明したが，本発明では，例えば温
度調整ガス等を流通させることも可能である。また，収
納ボックス１９内に現像液タンク８０を複数並列に配置
し，これらの現像液タンク８０を切り換えて使用するよ
うにしてもよい。また，基板処理装置として現像処理装
置を例に挙げて説明したが，本発明は他の基板処理装
置，例えばレジスト塗布装置等にも応用が可能である。
また，基板はウェハＷに限定されず，例えばＬＣＤ基板
にも応用できる。

【００６１】

【発明の効果】請求項１〜８によれば，貯留部にある処
理液を複数の温度調整機構によって分割して温度調整す
ることが可能である。従って，基板の面内温度に応じた
処理液の供給ができ，基板に対する均一な処理が可能と
なる。

【００６２】特に請求項５によれば，貯留部の処理液を
温度調整手段でさらに部分的に冷却することができるの
で，貯留部にある処理液のより細かな温度調整が可能で
ある。

【００６３】特に請求項６によれば，仕切り板で区画さ
れた領域毎に処理液を温度調整するので，処理液の温度
調整を容易かつ正確に行うことが可能である。

【００６４】特に請求項７によれば，タンクにて温度調
整した処理液をさらに貯留部にて温度調整するので，処
理液の温度調整をより容易かつ正確に行うことができ
る。

【００６５】特に請求項８によれば，温度調整機構にて
使用した流体をさらに温度調整装置にて使用するので，
温度調整水の有効利用が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる現像処理ユニット
を備えた塗布現像処理装置の平面図である。

【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。

【図４】本発明の実施の形態にかかる現像処理ユニット
の平面図である。

【図５】図４の現像処理ユニットの断面図である。

【図６】図４の現像処理ユニットに備えられた現像液供
給ノズルの斜視図である。

【図７】図６の現像液供給ノズルの概略的な断面図であ
る。

【図８】図６の現像液供給ノズルからウェハに現像液が
供給される様子を示す説明図である。

【図９】図６の現像液供給ノズルの他の変更例を示す概
略的な断面図である。

【図１０】図６の現像液供給ノズルに仕切り板を設けた
現像液供給ノズルの概略的な断面図である。

【図１１】図１０の現像液供給ノズルにペルチェ素子を
設けた現像液供給ノズルの概略的な断面図である。

【図１２】図１１の現像液供給ノズルの変更例を示す概
略的な断面図である。

【図１３】現像液を貯留可能な現像液タンクの構成を示
す説明図である。

【図１４】図６の現像液供給ノズルの他の変更例を示す
概略的な断面図である。

【図１５】図６の現像液供給ノズルの他の変更例を示す
平面からみた説明図である。

【図１６】図６の現像液供給ノズルの他の変更例を示す
概略的な断面図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理装置 １６，１８ 現像処理ユニット ５５ スピンチャック ６７ 現像液供給ノズル ７２ 現像液吐出孔 ７３ 貯留部 ７４，７５，７６ 温度調整機構 ７４ｄ，７５ｄ，７６ｄ 流路 ７７，７８ 仕切り板 ７９ ペルチェ素子 ８１ 現像液タンク ８２ 温度調整装置 Ｗ ウェハ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して供給する処理液を貯留可能
   な貯留部を有するノズルと，当該ノズルの底部の長手方
   向に沿って設けられた処理液吐出孔と，前記貯留部に対
   して処理液を供給する処理液供給源とを備え，前記基板
   に処理液を供給して当該基板を処理する装置であって，
   少なくとも前記貯留部の両端部近傍及び中央部の処理液
   の温度を個別に調整可能な複数の温度調整機構を備えた
   ことを特徴とする，基板処理装置。
2. 【請求項２】 基板に対して供給する処理液を貯留可能
   な貯留部を有するノズルと，当該ノズルの底部の長手方
   向に沿って設けられた処理液吐出孔と，前記貯留部に対
   して処理液を供給する処理液供給源とを備え，前記基板
   に処理液を供給して当該基板を処理する装置であって，
   少なくとも前記貯留部の周辺部及び中心部に処理液を供
   給する複数の前記処理液供給源と，これらの処理液供給
   源から供給される処理液の温度を各々個別に調整する複
   数の温度調整機構とを備えたことを特徴とする，基板処
   理装置。
3. 【請求項３】 前記貯留部の周辺部から基板に対して供
   給する処理液の供給量と，前記貯留部の中心部から基板
   に対して供給する処理液の供給量とが異なっていること
   を特徴とする，請求項１または２に記載の基板処理装
   置。
4. 【請求項４】 前記温度調整機構は，前記貯留部内に設
   けられかつ所定温度に調整された流体が流通する流路を
   有することを特徴とする，請求項１，２または３に記載
   の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記貯留部の中央部に温度調整手段を設
   けたことを特徴とする，請求項１，２，３または４に記
   載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記貯留部を区画する仕切り板を備え，
   当該仕切り板によって区画された領域に各々前記流路が
   配置されていることを特徴とする，請求項４または５に
   記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記処理液供給源と前記ノズルとの間に
   処理液を貯留可能なタンクを介在させ，このタンクは貯
   留した処理液の温度を調整する温度調整装置を備えたこ
   とを特徴とする，請求項１，２，３，４，５または６に
   記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記温度調整装置内を流通する流体は，
   前記温度調整機構を流通した流体であることを特徴とす
   る，請求項７に記載の基板処理装置。