JPH1079343A - 処理方法及び塗布現像処理システム - Google Patents
処理方法及び塗布現像処理システムInfo
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- JPH1079343A JPH1079343A JP8252316A JP25231696A JPH1079343A JP H1079343 A JPH1079343 A JP H1079343A JP 8252316 A JP8252316 A JP 8252316A JP 25231696 A JP25231696 A JP 25231696A JP H1079343 A JPH1079343 A JP H1079343A
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- processing
- substrate
- processed
- wafer
- processing apparatus
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0452—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers
- H10P72/0458—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3304—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterised by movements or sequence of movements of transfer devices
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理基板に対してレジスト塗布・現像処理
を行う際に、所定の処理が終了した被処理基板を、清浄
な状態で収納体に収納する。ケミカルフィルタの使用量
を抑える。 【解決手段】 レジスト液など有機成分を扱う処理装置
が組み込まれている処理装置群Ｇ1、Ｇ2とは異なった空
間に、洗浄処理装置７１を配置する。ウエハＷを収納し
ているカセットＣにアクセスするウエハＷ搬送体２１
は、洗浄処理装置７１に対してウエハＷを搬入出する副
ウエハＷ搬送手段６１との間で、受け渡し部５１を介し
て、ウエハＷの授受が自在である。
を行う際に、所定の処理が終了した被処理基板を、清浄
な状態で収納体に収納する。ケミカルフィルタの使用量
を抑える。 【解決手段】 レジスト液など有機成分を扱う処理装置
が組み込まれている処理装置群Ｇ1、Ｇ2とは異なった空
間に、洗浄処理装置７１を配置する。ウエハＷを収納し
ているカセットＣにアクセスするウエハＷ搬送体２１
は、洗浄処理装置７１に対してウエハＷを搬入出する副
ウエハＷ搬送手段６１との間で、受け渡し部５１を介し
て、ウエハＷの授受が自在である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板に対し
てレジスト液を塗布する処理や現像処理などの処理を行
う処理方法、及びこれらの処理を行うシステムとして構
成された塗布現像処理システムに関するものである。
てレジスト液を塗布する処理や現像処理などの処理を行
う処理方法、及びこれらの処理を行うシステムとして構
成された塗布現像処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体製造プロセスにおけるいわ
ゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板を洗浄し
たり、その表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理
しているが、このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から、例えば図６に示したようなレジスト塗布
・現像処理システム１０１が用いられている。
ゆるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ
（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板を洗浄し
たり、その表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形
成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理
しているが、このような一連の処理を行うにあたって
は、従来から、例えば図６に示したようなレジスト塗布
・現像処理システム１０１が用いられている。
【０００３】このレジスト塗布・現像処理システム１０
１においては、複数のウエハを収納する収納体であるカ
セットＣを整列して複数載置する載置部１０２と、この
載置部１０２に載置されたカセットＣ内のウエハＷを取
り出して、搬送手段としてのメイン搬送アーム１０３へ
と搬送する搬送機構１０４とを備えており、搬送機構１
０４は、カセットＣの整列方向（Ｘ方向）に沿って設け
られている搬送路１０５上を移動自在になっている。そ
してウエハＷに対して所定の処理を行う各種の処理装置
は、搬送手段としての２つのメイン搬送アーム１０３、
１０６の各搬送路１０７、１０８を挟んだ両側に配置さ
れている。
１においては、複数のウエハを収納する収納体であるカ
セットＣを整列して複数載置する載置部１０２と、この
載置部１０２に載置されたカセットＣ内のウエハＷを取
り出して、搬送手段としてのメイン搬送アーム１０３へ
と搬送する搬送機構１０４とを備えており、搬送機構１
０４は、カセットＣの整列方向（Ｘ方向）に沿って設け
られている搬送路１０５上を移動自在になっている。そ
してウエハＷに対して所定の処理を行う各種の処理装置
は、搬送手段としての２つのメイン搬送アーム１０３、
１０６の各搬送路１０７、１０８を挟んだ両側に配置さ
れている。
【０００４】より詳述すると、まず、カセットＣから取
り出されたウエハＷの表面を洗浄するため、ウエハＷを
回転させながらブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１１１、
ウエハＷに対して高圧ジェット洗浄する水洗洗浄装置１
１２、ウエハＷの表面を疎水化処理してレジストの定着
性を向上させるアドヒージョン処理装置１１３、ウエハ
Ｗを所定温度に冷却する冷却処理装置１１４、回転する
ウエハＷの表面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布
装置１１５、１１５、レジスト液塗布後のウエハＷを加
熱したり、露光後のウエハＷを加熱する加熱処理装置１
１６、露光後のウエハＷを回転させながらその表面に現
像液を供給して現像処理する現像処理装置１１７、１１
７が配置されている。そしてこれら各処理装置はある程
度集約化されており、適当な処理装置群にまとめること
で設置スペースの縮小、並びに処理効率の向上が図られ
ている。またこれら各種処理装置に対するウエハＷの搬
入出は、前記した２つのメイン搬送アーム１０３、１０
６によって行われている。
り出されたウエハＷの表面を洗浄するため、ウエハＷを
回転させながらブラシ洗浄するブラシ洗浄装置１１１、
ウエハＷに対して高圧ジェット洗浄する水洗洗浄装置１
１２、ウエハＷの表面を疎水化処理してレジストの定着
性を向上させるアドヒージョン処理装置１１３、ウエハ
Ｗを所定温度に冷却する冷却処理装置１１４、回転する
ウエハＷの表面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布
装置１１５、１１５、レジスト液塗布後のウエハＷを加
熱したり、露光後のウエハＷを加熱する加熱処理装置１
１６、露光後のウエハＷを回転させながらその表面に現
像液を供給して現像処理する現像処理装置１１７、１１
７が配置されている。そしてこれら各処理装置はある程
度集約化されており、適当な処理装置群にまとめること
で設置スペースの縮小、並びに処理効率の向上が図られ
ている。またこれら各種処理装置に対するウエハＷの搬
入出は、前記した２つのメイン搬送アーム１０３、１０
６によって行われている。
【０００５】ところでこの種のレジスト塗布・現像処理
は、当然のことながら清浄な雰囲気中で行うことが必要
であり、ウエハＷに対する汚染を極力防止しなければな
らない。そのためシステムとして構成されている、前記
載置部１０２をはじめとして各処理装置やメイン搬送ア
ーム１０３、１０６は、図示のようにケーシング１２１
内に配置され、さらにケーシング１２１の上部には、例
えばＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）が設置さ
れ、清浄なダウンフローがシステム内に形成されてい
る。またレジスト液やその溶剤には有機系化合物が使用
されているため、その蒸気がケーシング１２１内に浮遊
してウエハＷを汚染しないように、適宜ケミカルフィル
タがシステム内の空気の循環系に設置されている。
は、当然のことながら清浄な雰囲気中で行うことが必要
であり、ウエハＷに対する汚染を極力防止しなければな
らない。そのためシステムとして構成されている、前記
載置部１０２をはじめとして各処理装置やメイン搬送ア
ーム１０３、１０６は、図示のようにケーシング１２１
内に配置され、さらにケーシング１２１の上部には、例
えばＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）が設置さ
れ、清浄なダウンフローがシステム内に形成されてい
る。またレジスト液やその溶剤には有機系化合物が使用
されているため、その蒸気がケーシング１２１内に浮遊
してウエハＷを汚染しないように、適宜ケミカルフィル
タがシステム内の空気の循環系に設置されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記した従来のレジス
ト塗布・現像処理システム１０１では、全ての処理が終
了したウエハＷ、即ち現像処理装置１１７での現像、及
びその後の加熱処理が終了したウエハＷを、載置部１０
２上のカセットＣまで搬送するにあたり、メイン搬送ア
ーム１０６、１０３によって搬送機構１０３まで搬送す
る必要がある。しかしながら既述したように、このメイ
ン搬送アーム１０６、１０３は、レジスト液塗布直後や
現像液処理直後のウエハＷの搬送にも従事しており、ウ
エハＷを直接保持しているピンセットと呼ばれる部分に
これらの液が付着している可能性がある。
ト塗布・現像処理システム１０１では、全ての処理が終
了したウエハＷ、即ち現像処理装置１１７での現像、及
びその後の加熱処理が終了したウエハＷを、載置部１０
２上のカセットＣまで搬送するにあたり、メイン搬送ア
ーム１０６、１０３によって搬送機構１０３まで搬送す
る必要がある。しかしながら既述したように、このメイ
ン搬送アーム１０６、１０３は、レジスト液塗布直後や
現像液処理直後のウエハＷの搬送にも従事しており、ウ
エハＷを直接保持しているピンセットと呼ばれる部分に
これらの液が付着している可能性がある。
【０００７】そうすると、所定の処理が終了したウエハ
Ｗをこれらメイン搬送アーム１０６、１０３で搬送する
場合、前記ピンセットにに付着していた液によってウエ
ハＷが汚染される可能性も否定できない。またレジスト
塗布・現像処理が終了したウエハＷに対して、例えば次
処理のエッチング処理を行うにあたっては、当然のこと
ながらウエハＷは清浄な状態でエッチング処理装置に移
送されなければならないが、前記した液の付着による汚
染がなくとも、システム内に浮遊していたパーティクル
が処理後のウエハに付着する可能性もある。したがっ
て、この点に関し何らかの対策が施されることが望まし
い。
Ｗをこれらメイン搬送アーム１０６、１０３で搬送する
場合、前記ピンセットにに付着していた液によってウエ
ハＷが汚染される可能性も否定できない。またレジスト
塗布・現像処理が終了したウエハＷに対して、例えば次
処理のエッチング処理を行うにあたっては、当然のこと
ながらウエハＷは清浄な状態でエッチング処理装置に移
送されなければならないが、前記した液の付着による汚
染がなくとも、システム内に浮遊していたパーティクル
が処理後のウエハに付着する可能性もある。したがっ
て、この点に関し何らかの対策が施されることが望まし
い。
【０００８】さらに既述したようにシステム内雰囲気の
有機成分を除去するために適宜ケミカルフィルタが使用
されているが、周知のように、ケミカルフィルタは極め
て高価であり、またそのメンテナンスも必要なことか
ら、できればケミカルフィルタの必要量を最小限に抑え
ることが望ましい。この点、前記した従来のレジスト塗
布・現像処理システム１０１では、ブラシ洗浄装置１１
１や水洗洗浄装置１１２など、本来は有機成分とは無縁
の処理装置までシステム内に組み入れたため、システム
の容積自体が大きくなり、それに伴って、ケミカルフィ
ルタも必要以上に使用せざるを得なかったのである。
有機成分を除去するために適宜ケミカルフィルタが使用
されているが、周知のように、ケミカルフィルタは極め
て高価であり、またそのメンテナンスも必要なことか
ら、できればケミカルフィルタの必要量を最小限に抑え
ることが望ましい。この点、前記した従来のレジスト塗
布・現像処理システム１０１では、ブラシ洗浄装置１１
１や水洗洗浄装置１１２など、本来は有機成分とは無縁
の処理装置までシステム内に組み入れたため、システム
の容積自体が大きくなり、それに伴って、ケミカルフィ
ルタも必要以上に使用せざるを得なかったのである。
【０００９】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、前記したようなレジスト塗布・現像処理システム
のような処理システムにおいて、所定の一連の処理が終
わってカセットと呼ばれる収納体に収納するウエハなど
の被処理基板の汚染防止を図ることのできる処理方法、
及び当該処理方法を好適に実施でき、しかも前記したケ
ミカルフィルタの使用量を必要最小限に抑えることので
きる塗布現像処理システムを提供することをその目的と
している。
あり、前記したようなレジスト塗布・現像処理システム
のような処理システムにおいて、所定の一連の処理が終
わってカセットと呼ばれる収納体に収納するウエハなど
の被処理基板の汚染防止を図ることのできる処理方法、
及び当該処理方法を好適に実施でき、しかも前記したケ
ミカルフィルタの使用量を必要最小限に抑えることので
きる塗布現像処理システムを提供することをその目的と
している。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１によれば、被処理基板を収納した収納体が
載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被
処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との
間で直接又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段
と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗
布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装
置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後
に被処理基板を加熱する加熱処理装置とを備え、前記搬
送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出
自在となるように構成された塗布現像処理システムを用
い、前記被処理基板にこれら各処理装置によって所定の
処理を行う方法において、前記所定の処理終了後、前記
載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板を搬入し
て収納する前に、当該処理済みの被処理基板に対して洗
浄処理を行うことを特徴とする、処理方法が提供され
る。なおここで直接又は間接的に被処理基板を授受する
とは、搬送機構が搬送手段に対して直接被処理基板を授
受すること、又は受け渡し部のようなものを介して間接
的に授受することをいう。
め、請求項１によれば、被処理基板を収納した収納体が
載置される載置部と、この載置部上の収納体に対して被
処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との
間で直接又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段
と、少なくとも当該被処理基板に対してレジスト液を塗
布するレジスト液処理装置と、現像処理する現像処理装
置と、これらの各処理装置での所定の処理が終了した後
に被処理基板を加熱する加熱処理装置とを備え、前記搬
送手段はこれら各処理装置に対して被処理基板を搬入出
自在となるように構成された塗布現像処理システムを用
い、前記被処理基板にこれら各処理装置によって所定の
処理を行う方法において、前記所定の処理終了後、前記
載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板を搬入し
て収納する前に、当該処理済みの被処理基板に対して洗
浄処理を行うことを特徴とする、処理方法が提供され
る。なおここで直接又は間接的に被処理基板を授受する
とは、搬送機構が搬送手段に対して直接被処理基板を授
受すること、又は受け渡し部のようなものを介して間接
的に授受することをいう。
【００１１】この処理方法によれば、所定の処理終了
後、前記載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板
を搬入して収納する前に、当該処理済みの被処理基板に
対して洗浄処理を行うようにしたので、所定の処理が終
了した後に万が一搬送手段による搬送の際、レジスト
液、現像液やパーティクルなどによって被処理基板が汚
染しても、前記洗浄処理によって洗浄されるので、清浄
な状態で被処理基板を収納体に搬入することができる。
後、前記載置部上の収納体に処理済みの前記被処理基板
を搬入して収納する前に、当該処理済みの被処理基板に
対して洗浄処理を行うようにしたので、所定の処理が終
了した後に万が一搬送手段による搬送の際、レジスト
液、現像液やパーティクルなどによって被処理基板が汚
染しても、前記洗浄処理によって洗浄されるので、清浄
な状態で被処理基板を収納体に搬入することができる。
【００１２】また請求項２によれば、被処理基板を収納
した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納
体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この
搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板を授受
する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレ
ジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理す
る現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理
が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とが
集約的に配置されて一又は二以上の処理装置群が構成さ
れ、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基
板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理シ
ステムにおいて、前記処理装置群とは異なった空間に、
少なくとも被処理基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理
装置を配置すると共に、この洗浄処理装置に対して被処
理基板を搬入出自在な他の搬送手段を別途設け、当該他
の搬送手段は、前記搬送機構との間で被処理基板の授受
が自在であることを特徴とする、塗布現像処理システム
が提供される。
した収納体が載置される載置部と、この載置部上の収納
体に対して被処理基板を搬出入自在な搬送機構と、この
搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板を授受
する搬送手段と、少なくとも当該被処理基板に対してレ
ジスト液を塗布するレジスト液処理装置と、現像処理す
る現像処理装置と、これらの各処理装置での所定の処理
が終了した後に被処理基板を加熱する加熱処理装置とが
集約的に配置されて一又は二以上の処理装置群が構成さ
れ、前記搬送手段はこれら各処理装置に対して被処理基
板を搬入出自在となるように構成された塗布現像処理シ
ステムにおいて、前記処理装置群とは異なった空間に、
少なくとも被処理基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理
装置を配置すると共に、この洗浄処理装置に対して被処
理基板を搬入出自在な他の搬送手段を別途設け、当該他
の搬送手段は、前記搬送機構との間で被処理基板の授受
が自在であることを特徴とする、塗布現像処理システム
が提供される。
【００１３】この請求項２の塗布現像処理システムによ
れば、まずレジスト液処理装置や現像処理装置などが集
約化された処理装置群とは別に洗浄処理装置が設けら
れ、搬送機構との間で他の搬送手段を介して被処理基板
をこの洗浄処理装置内に搬入出自在となるから、処理装
置群での所定の処理が終了して搬送手段によって搬送さ
れた被処理基板が搬送機構に移載された後、この洗浄処
理装置へと該被処理基板を搬送することができる。した
がって、所定の処理が終了した後の被処理基板を収納体
内に収納する前の段階で洗浄処理に付することができ
る。また逆に、搬送機構によって収納体から取りだした
未処理の被処理基板を、搬送手段に渡す前に先に洗浄処
理を行い、その後再び搬送機構を介して搬送手段に渡
し、以後処理装置群においてレジスト液処理装置や現像
処理装置によって所定の処理を行うようにすることも可
能である。
れば、まずレジスト液処理装置や現像処理装置などが集
約化された処理装置群とは別に洗浄処理装置が設けら
れ、搬送機構との間で他の搬送手段を介して被処理基板
をこの洗浄処理装置内に搬入出自在となるから、処理装
置群での所定の処理が終了して搬送手段によって搬送さ
れた被処理基板が搬送機構に移載された後、この洗浄処
理装置へと該被処理基板を搬送することができる。した
がって、所定の処理が終了した後の被処理基板を収納体
内に収納する前の段階で洗浄処理に付することができ
る。また逆に、搬送機構によって収納体から取りだした
未処理の被処理基板を、搬送手段に渡す前に先に洗浄処
理を行い、その後再び搬送機構を介して搬送手段に渡
し、以後処理装置群においてレジスト液処理装置や現像
処理装置によって所定の処理を行うようにすることも可
能である。
【００１４】しかも洗浄処理装置は、一般的に純水な
ど、おおよそ有機成分とは無関係な液体を使用して被処
理基板を洗浄するものであるから、レジスト液処理装置
や現像処理装置などが集約化された処理装置群とは異な
った空間にこのような洗浄処理装置が設けることで、こ
の洗浄処理装置の存する空間にはケミカルフィルタを用
いる必要がない。したがって、結果的にこの請求項２の
塗布現像処理システムでは、処理装置群から洗浄処理装
置を切り離した構成となっているから、その分従来より
もケミカルフィルタの必要量を減少させることができ
る。
ど、おおよそ有機成分とは無関係な液体を使用して被処
理基板を洗浄するものであるから、レジスト液処理装置
や現像処理装置などが集約化された処理装置群とは異な
った空間にこのような洗浄処理装置が設けることで、こ
の洗浄処理装置の存する空間にはケミカルフィルタを用
いる必要がない。したがって、結果的にこの請求項２の
塗布現像処理システムでは、処理装置群から洗浄処理装
置を切り離した構成となっているから、その分従来より
もケミカルフィルタの必要量を減少させることができ
る。
【００１５】なおこの請求項２の塗布現像処理システム
における他の搬送手段は、被処理基板を直接保持する、
例えば従来「ピンセット」と呼ばれる保持部材を２つ以
上備えることが好ましく、そのように保持部材を複数装
備することにより、洗浄処理装置に対する搬入、搬出
を、他の搬送手段の一回の移動でおこなうことができ、
しかも未処理、既処理の被処理基板を保持する保持部材
を区別することができるので、被処理基板に対する汚染
防止がさらに向上する。
における他の搬送手段は、被処理基板を直接保持する、
例えば従来「ピンセット」と呼ばれる保持部材を２つ以
上備えることが好ましく、そのように保持部材を複数装
備することにより、洗浄処理装置に対する搬入、搬出
を、他の搬送手段の一回の移動でおこなうことができ、
しかも未処理、既処理の被処理基板を保持する保持部材
を区別することができるので、被処理基板に対する汚染
防止がさらに向上する。
【００１６】またこの洗浄処理装置自体は、複数の洗浄
処理装置を集約化したり、集積化した構成であってもよ
い。これによって多数の被処理基板の同時並行処理する
ことができ、スループットを向上させることができる。
処理装置を集約化したり、集積化した構成であってもよ
い。これによって多数の被処理基板の同時並行処理する
ことができ、スループットを向上させることができる。
【００１７】請求項３の塗布現像処理システムは、前記
した請求項２の塗布現像処理システムにおける搬送機構
と他の搬送手段との間で被処理基板が授受できる、即ち
直接受け渡しができる構成に変えて、受け渡し部を介し
て搬送機構と他の搬送手段との間で被処理基板が授受で
きる構成としたものである。
した請求項２の塗布現像処理システムにおける搬送機構
と他の搬送手段との間で被処理基板が授受できる、即ち
直接受け渡しができる構成に変えて、受け渡し部を介し
て搬送機構と他の搬送手段との間で被処理基板が授受で
きる構成としたものである。
【００１８】このように受け渡し部を介して被処理基板
を授受するようにしたことで、受け渡し部を待機部とし
て機能させることができ、時間調整が容易になる。また
この受け渡し部を並列や上下に配置して複数設けること
によって、さらに多数の被処理基板を同時並行処理する
際の時間調整が容易になる。
を授受するようにしたことで、受け渡し部を待機部とし
て機能させることができ、時間調整が容易になる。また
この受け渡し部を並列や上下に配置して複数設けること
によって、さらに多数の被処理基板を同時並行処理する
際の時間調整が容易になる。
【００１９】なお請求項２、３における他の搬送手段
は、処理装置群における各種処理装置に対して被処理基
板を搬入出する搬送手段と異なり、搬送機構や受け渡し
部と、洗浄処理装置に対してアクセスできればよいの
で、搬送手段よりも動作を単純化させることができ、そ
の分発塵の可能性を少なくさせることができる。
は、処理装置群における各種処理装置に対して被処理基
板を搬入出する搬送手段と異なり、搬送機構や受け渡し
部と、洗浄処理装置に対してアクセスできればよいの
で、搬送手段よりも動作を単純化させることができ、そ
の分発塵の可能性を少なくさせることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図に
基づいて説明すると、図１〜図３は、各々本発明の実施
の形態にかかるウエハの塗布現像処理システム１の全体
構成の図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背
面からみた様子を夫々示している。
基づいて説明すると、図１〜図３は、各々本発明の実施
の形態にかかるウエハの塗布現像処理システム１の全体
構成の図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背
面からみた様子を夫々示している。
【００２１】この塗布現像処理システム１は、被処理基
板としてウエハＷをカセットＣ単位で複数枚、例えば２
５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシ
ステムから搬出したり、カセットＣに対してウエハＷを
搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０
と、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の
処理を施す枚葉式の各種処理装置を所定位置に多段配置
してなる処理ステーション１１と、この処理ステーショ
ン１１に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との
間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部
１２とを一体に接続した構成を有している。
板としてウエハＷをカセットＣ単位で複数枚、例えば２
５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシ
ステムから搬出したり、カセットＣに対してウエハＷを
搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０
と、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の
処理を施す枚葉式の各種処理装置を所定位置に多段配置
してなる処理ステーション１１と、この処理ステーショ
ン１１に隣接して設けられる露光装置（図示せず）との
間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部
１２とを一体に接続した構成を有している。
【００２２】前記カセットステーション１０では、図１
に示すように、載置部となるカセット載置台２０上の位
置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのカ
セットＣが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１
１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置さ
れ、このカセット配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ
内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直
方向）に移動可能な、本発明でいう搬送機構を構成する
ウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在で
あり、各カセットＣに選択的にアクセスできるようにな
っている。
に示すように、載置部となるカセット載置台２０上の位
置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのカ
セットＣが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション１
１側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置さ
れ、このカセット配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ
内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直
方向）に移動可能な、本発明でいう搬送機構を構成する
ウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在で
あり、各カセットＣに選択的にアクセスできるようにな
っている。
【００２３】さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ3の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション１１側の第３の処理ユニット群Ｇ3の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）および
イクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスでき
るようになっている。
【００２４】前記処理ステーション１１には、図１に示
すように、その中心部に本発明の搬送手段を構成する垂
直搬送型の主ウエハ搬送手段２２が設けられ、その周り
に各種処理装置が１組または複数の組に亙って多段集積
配置されて処理装置群を構成している。本実施の形態に
かかる塗布現像処理システム１においては、５つの処理
装置群Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5が配置可能な構成であ
り、第１および第２の処理装置群Ｇ1、Ｇ2は、システム
正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理装
置群Ｇ3はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、第４の処理装置群Ｇ4はインターフェース部１２に
隣接して配置され、さらに別に第５の処理装置群Ｇ5の
を背面側に配置することが可能になっている。
すように、その中心部に本発明の搬送手段を構成する垂
直搬送型の主ウエハ搬送手段２２が設けられ、その周り
に各種処理装置が１組または複数の組に亙って多段集積
配置されて処理装置群を構成している。本実施の形態に
かかる塗布現像処理システム１においては、５つの処理
装置群Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5が配置可能な構成であ
り、第１および第２の処理装置群Ｇ1、Ｇ2は、システム
正面（図１において手前）側に配置され、第３の処理装
置群Ｇ3はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、第４の処理装置群Ｇ4はインターフェース部１２に
隣接して配置され、さらに別に第５の処理装置群Ｇ5の
を背面側に配置することが可能になっている。
【００２５】図２に示すように、第１の処理装置群Ｇ1
では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せ
て所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置、例えば
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（Ｄ
ＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理
装置群Ｇ2においても同様に、２台のスピンナ型処理装
置、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処
理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
これらレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）は、レジスト液の
排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であること
から、このように下段に配置するのが好ましい。しか
し、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可
能である。
では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せ
て所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置、例えば
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（Ｄ
ＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理
装置群Ｇ2においても同様に、２台のスピンナ型処理装
置、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処
理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
これらレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）は、レジスト液の
排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であること
から、このように下段に配置するのが好ましい。しか
し、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可
能である。
【００２６】図３に示すように、第３の処理装置群Ｇ3
では、ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置、例えば冷却処理を行う
クーリング装置（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高める
ためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョン装置
（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ）、イクステンション装置（ＥＸＴ）、露光処理前の
加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）
および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキング装
置（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねら
れている。
では、ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置、例えば冷却処理を行う
クーリング装置（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高める
ためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョン装置
（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ）、イクステンション装置（ＥＸＴ）、露光処理前の
加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）
および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキング装
置（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねら
れている。
【００２７】第４の処理装置群Ｇ4においても、オーブ
ン型の処理装置、例えばクーリング装置（ＣＯＬ）、イ
クステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）、イ
クステンション装置（ＥＸＴ）、クーリング装置（ＣＯ
Ｌ）、プリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポ
ストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例
えば８段に重ねられている。
ン型の処理装置、例えばクーリング装置（ＣＯＬ）、イ
クステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）、イ
クステンション装置（ＥＸＴ）、クーリング装置（ＣＯ
Ｌ）、プリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポ
ストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例
えば８段に重ねられている。
【００２８】このように処理温度の低いクーリング装置
（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング装置（ＥＸ
ＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキング
装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキング装置（ＰＯ
ＢＡＫＥ）およびアドヒージョン装置（ＡＤ）を上段に
配置することで、装置間の熱的な相互干渉を少なくする
ことができる。
（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング装置（ＥＸ
ＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキング
装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキング装置（ＰＯ
ＢＡＫＥ）およびアドヒージョン装置（ＡＤ）を上段に
配置することで、装置間の熱的な相互干渉を少なくする
ことができる。
【００２９】前記インターフェース部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部１２
の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、
定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエ
ハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動し
て両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアク
セスできるようになっている。前記ウエハ搬送体２４
は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、
処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ4に属す
るイクステンション装置（ＥＸＴ）や、さらには隣接す
る露光装置（図示せず）側のウエハ受渡し台（図示せ
ず）にもアクセスできるようになっている。
（Ｘ方向）については、前記処理ステーション１１と同
じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズ
に設定されている。そしてこのインターフェース部１２
の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと、
定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方
背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中
央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエ
ハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動し
て両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアク
セスできるようになっている。前記ウエハ搬送体２４
は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、
処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ4に属す
るイクステンション装置（ＥＸＴ）や、さらには隣接す
る露光装置（図示せず）側のウエハ受渡し台（図示せ
ず）にもアクセスできるようになっている。
【００３０】また本実施形態にかかる塗布現像処理シス
テム１では、既述の如く主ウエハ搬送手段２２の背面側
にも、破線で示した第５の処理装置群Ｇ5を配置できる
ようになっているが、この第５の処理装置群Ｇ5の多段
装置は、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送手段２２
からみて、側方へシフトできるように構成されている。
従って、この第５の処理装置群Ｇ5の多段装置を図示の
如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿ってスラ
イドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエ
ハ搬送手段２２に対して背後からメンテナンス作業が容
易に行えるようになっている。なお第５の処理装置群Ｇ
5の多段装置は、そのように案内レール２５に沿った直
線状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往
復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフ
トさせるように構成しても、主ウエハ搬送手段２２に対
するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
テム１では、既述の如く主ウエハ搬送手段２２の背面側
にも、破線で示した第５の処理装置群Ｇ5を配置できる
ようになっているが、この第５の処理装置群Ｇ5の多段
装置は、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送手段２２
からみて、側方へシフトできるように構成されている。
従って、この第５の処理装置群Ｇ5の多段装置を図示の
如く設けた場合でも、前記案内レール２５に沿ってスラ
イドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエ
ハ搬送手段２２に対して背後からメンテナンス作業が容
易に行えるようになっている。なお第５の処理装置群Ｇ
5の多段装置は、そのように案内レール２５に沿った直
線状のスライドシフトに限らず、図１中の一点鎖線の往
復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフ
トさせるように構成しても、主ウエハ搬送手段２２に対
するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【００３１】次に主ウエハ搬送手段２２の詳細について
説明すると、図４は主ウエハ搬送手段２２の要部を示し
ており、この主ウエハ搬送手段２２は、上端及び下端で
相互に接続されて対向する一対の垂直壁部３１、３２か
らなる筒状支持体３３の内側に、ウエハ搬送装置３４を
上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支
持体３３はモータ３５の回転軸に接続されており、この
モータ３５の回転駆動力によって、前記回転軸を中心と
してウエハ搬送装置３４と一体に回転し、それによって
ウエハ搬送装置３４は、θ方向に回転自在となってい
る。
説明すると、図４は主ウエハ搬送手段２２の要部を示し
ており、この主ウエハ搬送手段２２は、上端及び下端で
相互に接続されて対向する一対の垂直壁部３１、３２か
らなる筒状支持体３３の内側に、ウエハ搬送装置３４を
上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支
持体３３はモータ３５の回転軸に接続されており、この
モータ３５の回転駆動力によって、前記回転軸を中心と
してウエハ搬送装置３４と一体に回転し、それによって
ウエハ搬送装置３４は、θ方向に回転自在となってい
る。
【００３２】前記ウエハ搬送装置３４は、搬送基台４０
上に、この搬送基台４０の前後方向、例えば図４中のＸ
方向に移動自在な複数本の保持部材、例えば３本のピン
セット４１、４２、４３を備えている。これら各ピンセ
ット４１、４２、４３はいずれも筒状支持体３３の両垂
直壁部３１、３２間の側面開口部３６を通過自在な形
態、大きさを有しており、搬送基台４０に内蔵された駆
動モータ（図示せず）及びベルト（図示せず）によって
前記前後方向に移動自在である。そしてウエハはこれら
各ピンセット４１、４２、４３のいずれによっても保持
可能である。
上に、この搬送基台４０の前後方向、例えば図４中のＸ
方向に移動自在な複数本の保持部材、例えば３本のピン
セット４１、４２、４３を備えている。これら各ピンセ
ット４１、４２、４３はいずれも筒状支持体３３の両垂
直壁部３１、３２間の側面開口部３６を通過自在な形
態、大きさを有しており、搬送基台４０に内蔵された駆
動モータ（図示せず）及びベルト（図示せず）によって
前記前後方向に移動自在である。そしてウエハはこれら
各ピンセット４１、４２、４３のいずれによっても保持
可能である。
【００３３】なお前記各ピンセット４１、４２、４３の
上下方向の配置間隔は、最上部のピンセット４１と２段
目のピンセット４２との間の間隔が、この２段目のピン
セット４２と最下部のピンセット４３との間の間隔より
も大きくとられている。これは最上部のピンセット４１
と、２段目のピンセット４２とに夫々保持されたウエハ
Ｗが相互に熱干渉することによる処理への悪影響を防止
するためである。従って、最上部のピンセット４１は、
通常、冷却工程からレジスト塗布工程を実施するときに
使用され、そのような熱干渉による悪影響のおそれのな
いウエハＷの搬送にあたっては、２段目のピンセット４
２と最下部のピンセット４３とが使用される。なおかか
る熱干渉防止効果をさらに高めるため、例えば最上部の
ピンセット４１と、２段目のピンセット４２との間に、
断熱板を配置してもよい。
上下方向の配置間隔は、最上部のピンセット４１と２段
目のピンセット４２との間の間隔が、この２段目のピン
セット４２と最下部のピンセット４３との間の間隔より
も大きくとられている。これは最上部のピンセット４１
と、２段目のピンセット４２とに夫々保持されたウエハ
Ｗが相互に熱干渉することによる処理への悪影響を防止
するためである。従って、最上部のピンセット４１は、
通常、冷却工程からレジスト塗布工程を実施するときに
使用され、そのような熱干渉による悪影響のおそれのな
いウエハＷの搬送にあたっては、２段目のピンセット４
２と最下部のピンセット４３とが使用される。なおかか
る熱干渉防止効果をさらに高めるため、例えば最上部の
ピンセット４１と、２段目のピンセット４２との間に、
断熱板を配置してもよい。
【００３４】前出ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａの端
部外方には、受け渡し部５１が設けられている。この受
け渡し部５１は、前出第１〜第５の各処理装置群Ｇ1〜
Ｇ5や主ウエハ搬送手段２２が配置されている空間とは
異なった空間に位置して、異なった雰囲気中に配置され
ている。
部外方には、受け渡し部５１が設けられている。この受
け渡し部５１は、前出第１〜第５の各処理装置群Ｇ1〜
Ｇ5や主ウエハ搬送手段２２が配置されている空間とは
異なった空間に位置して、異なった雰囲気中に配置され
ている。
【００３５】この受け渡し部５１は、その上面にウエハ
を載置できる載置部材５２が備えられ、さらに適宜上下
動してこの載置部材５２から突出自在な支持ピン５３が
設けられている。ウエハはこの突出した支持ピン５３上
に載置自在であり、ウエハ搬送体２１は、そのように突
出した支持ピン５３に対して、ウエハを載置させたり、
逆に支持ピン５３上のウエハを受け取ることが自在であ
る。
を載置できる載置部材５２が備えられ、さらに適宜上下
動してこの載置部材５２から突出自在な支持ピン５３が
設けられている。ウエハはこの突出した支持ピン５３上
に載置自在であり、ウエハ搬送体２１は、そのように突
出した支持ピン５３に対して、ウエハを載置させたり、
逆に支持ピン５３上のウエハを受け取ることが自在であ
る。
【００３６】受け渡し部５１の背面側、即ちＸ方向に沿
った延長線上には、本発明の他の搬送手段を構成する副
ウエハ搬送手段６１が設けられている。この副ウエハ搬
送手段６１は、ウエハを直接保持する２本のピンセット
６２、６３を上下に有しており、これら各ピンセット６
２、６３は、各々独立して前進後退自在である。また副
ウエハ搬送手段６１自体は、適宜の駆動機構（図示せ
ず）によってＺ方向に移動自在であり、またθ回転自在
である。かかる構成により、副ウエハ搬送手段６１の各
ピンセット６２、６３は、前記受け渡し部５１の支持ピ
ン５３に対して、ウエハを載置させたり、逆に支持ピン
５３上のウエハを受け取ることが自在である。
った延長線上には、本発明の他の搬送手段を構成する副
ウエハ搬送手段６１が設けられている。この副ウエハ搬
送手段６１は、ウエハを直接保持する２本のピンセット
６２、６３を上下に有しており、これら各ピンセット６
２、６３は、各々独立して前進後退自在である。また副
ウエハ搬送手段６１自体は、適宜の駆動機構（図示せ
ず）によってＺ方向に移動自在であり、またθ回転自在
である。かかる構成により、副ウエハ搬送手段６１の各
ピンセット６２、６３は、前記受け渡し部５１の支持ピ
ン５３に対して、ウエハを載置させたり、逆に支持ピン
５３上のウエハを受け取ることが自在である。
【００３７】そしてこの副ウエハ搬送手段６１を挟んで
前記受け渡し部５１と対向する位置に、洗浄処理装置７
１が設けられている。この洗浄処理装置７１は、例えば
ウエハを回転する回転機構（図示せず）と、このウエハ
に対して高圧ジェット洗浄するためのノズル（図示せ
ず）を内部に有しており、これによってウエハ表面に付
着しているパーティクルや処理液等を洗浄するようにな
っている。またこの洗浄処理装置７１に対するウエハの
搬入出は、副ウエハ搬送手段６１に対面した搬入出口７
２を通じて行われるようになっている。
前記受け渡し部５１と対向する位置に、洗浄処理装置７
１が設けられている。この洗浄処理装置７１は、例えば
ウエハを回転する回転機構（図示せず）と、このウエハ
に対して高圧ジェット洗浄するためのノズル（図示せ
ず）を内部に有しており、これによってウエハ表面に付
着しているパーティクルや処理液等を洗浄するようにな
っている。またこの洗浄処理装置７１に対するウエハの
搬入出は、副ウエハ搬送手段６１に対面した搬入出口７
２を通じて行われるようになっている。
【００３８】さらにこの塗布現像処理システム１におい
ては、前記したカセット載置台２０、ウエハ搬送体２１
の搬送路２１ａ、第１〜第５の処理装置群Ｇ1、Ｇ2、Ｇ
3、Ｇ4、Ｇ5、インターフェース部１２に対して、上方
から清浄な空気のダウンフローが形成されるよう、図２
に示したように、システム上部に、例えばＵＬＰＡフィ
ルタなどの高性能フィルタやケミカルフィルタなどによ
って構成されたフィルタ装置８１が、前記３つのゾーン
（カセットステーション１０、処理ステーション１１、
インターフェース部１２）毎に設けられている。そして
このフィルタ装置８１の上流側から供給された空気が、
該フィルタ装置８１を通過する際にパーティクルや有機
成分が除去され、図２の実線矢印や破線矢印に示したよ
うに、清浄なダウンフローが形成される。また特に装置
内に有機成分を発生するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）
や現像処理装置（ＤＥＶ）に対しては、その内部に対し
ても清浄なダウンフローが形成されるように、適宜ダク
ト配管されている。
ては、前記したカセット載置台２０、ウエハ搬送体２１
の搬送路２１ａ、第１〜第５の処理装置群Ｇ1、Ｇ2、Ｇ
3、Ｇ4、Ｇ5、インターフェース部１２に対して、上方
から清浄な空気のダウンフローが形成されるよう、図２
に示したように、システム上部に、例えばＵＬＰＡフィ
ルタなどの高性能フィルタやケミカルフィルタなどによ
って構成されたフィルタ装置８１が、前記３つのゾーン
（カセットステーション１０、処理ステーション１１、
インターフェース部１２）毎に設けられている。そして
このフィルタ装置８１の上流側から供給された空気が、
該フィルタ装置８１を通過する際にパーティクルや有機
成分が除去され、図２の実線矢印や破線矢印に示したよ
うに、清浄なダウンフローが形成される。また特に装置
内に有機成分を発生するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）
や現像処理装置（ＤＥＶ）に対しては、その内部に対し
ても清浄なダウンフローが形成されるように、適宜ダク
ト配管されている。
【００３９】本実施の形態にかかる塗布現像処理システ
ム１は以上のように構成されており、次にこの塗布現像
処理システム１の動作について説明すると、まずカセッ
トステーション１０において、ウエハ搬送体２１がカセ
ット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセ
ットＣにアクセスして、そのカセットＣから１枚のウエ
ハＷを取り出す。その後ウエハ搬送体２１は、まず処理
ステーンション１１側の第３の処理装置群Ｇ3の多段装
置内に配置されているアライメント装置（ＡＬＩＭ）ま
で移動し、当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）内にウエ
ハＷを移載する。
ム１は以上のように構成されており、次にこの塗布現像
処理システム１の動作について説明すると、まずカセッ
トステーション１０において、ウエハ搬送体２１がカセ
ット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセ
ットＣにアクセスして、そのカセットＣから１枚のウエ
ハＷを取り出す。その後ウエハ搬送体２１は、まず処理
ステーンション１１側の第３の処理装置群Ｇ3の多段装
置内に配置されているアライメント装置（ＡＬＩＭ）ま
で移動し、当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）内にウエ
ハＷを移載する。
【００４０】そして当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）
においてウエハＷのオリフラ合わせおよびセンタリング
が終了すると、主ウエハ搬送手段２２のウエハ搬送装置
３４は、アライメントが完了したウエハＷを受け取り、
第３の処理装置群Ｇ3において前記アライメント装置
（ＡＬＩＭ）の下段に位置するアドヒージョン装置（Ａ
Ｄ）の前まで移動して、装置に前記ウエハＷを搬入す
る。次いで、第３の処理装置群Ｇ3又は第４の処理装置
群Ｇ4の多段装置に属するクーリング装置（ＣＯＬ）へ
搬入する。このクーリング装置（ＣＯＬ）内で前記ウエ
ハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで
冷却される。
においてウエハＷのオリフラ合わせおよびセンタリング
が終了すると、主ウエハ搬送手段２２のウエハ搬送装置
３４は、アライメントが完了したウエハＷを受け取り、
第３の処理装置群Ｇ3において前記アライメント装置
（ＡＬＩＭ）の下段に位置するアドヒージョン装置（Ａ
Ｄ）の前まで移動して、装置に前記ウエハＷを搬入す
る。次いで、第３の処理装置群Ｇ3又は第４の処理装置
群Ｇ4の多段装置に属するクーリング装置（ＣＯＬ）へ
搬入する。このクーリング装置（ＣＯＬ）内で前記ウエ
ハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで
冷却される。
【００４１】冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送手段
２２は、ピンセット４１によってウエハＷをクーリング
装置（ＣＯＬ）から搬出し、ピンセット４２に保持され
た次のウエハＷと交換し、冷却後のウエハＷを次に第１
の処理装置群Ｇ1又は第２の処理装置群Ｇ2の多段装置に
属するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）へ搬入する。この
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）内で、ウエハＷはスピン
コート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジスト液を
塗布される。
２２は、ピンセット４１によってウエハＷをクーリング
装置（ＣＯＬ）から搬出し、ピンセット４２に保持され
た次のウエハＷと交換し、冷却後のウエハＷを次に第１
の処理装置群Ｇ1又は第２の処理装置群Ｇ2の多段装置に
属するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）へ搬入する。この
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）内で、ウエハＷはスピン
コート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジスト液を
塗布される。
【００４２】レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ
搬送手段２２は、ウエハＷをレジスト液塗布装置（ＣＯ
Ｔ）から搬出し、次にプリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）内へ搬入する。プリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）
内でウエハＷは所定温度、例えば１００℃で所定時間だ
け加熱され、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除
去される。
搬送手段２２は、ウエハＷをレジスト液塗布装置（ＣＯ
Ｔ）から搬出し、次にプリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）内へ搬入する。プリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）
内でウエハＷは所定温度、例えば１００℃で所定時間だ
け加熱され、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除
去される。
【００４３】プリベークが終了すると、主ウエハ搬送手
段２２は、ウエハＷをプリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）から搬出し、次に第４の処理装置群Ｇ4の多段装置
に属するイクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣ
ＯＬ）へ搬入する。このイクステンション・クーリング
装置（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは、次工程つまり周
辺露光装置２３における周辺露光処理に適した温度例え
ば２４℃まで冷却される。この冷却後に主ウエハ搬送手
段２２は、ウエハＷを直ぐ上のイクステンション装置
（ＥＸＴ）へ移送し、このイクステンション装置（ＥＸ
Ｔ）内の所定の載置台（図示せず）にウエハＷを載置す
る。
段２２は、ウエハＷをプリベーク装置（ＰＲＥＢＡＫ
Ｅ）から搬出し、次に第４の処理装置群Ｇ4の多段装置
に属するイクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣ
ＯＬ）へ搬入する。このイクステンション・クーリング
装置（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは、次工程つまり周
辺露光装置２３における周辺露光処理に適した温度例え
ば２４℃まで冷却される。この冷却後に主ウエハ搬送手
段２２は、ウエハＷを直ぐ上のイクステンション装置
（ＥＸＴ）へ移送し、このイクステンション装置（ＥＸ
Ｔ）内の所定の載置台（図示せず）にウエハＷを載置す
る。
【００４４】このイクステンション装置（ＥＸＴ）の載
置台上にウエハＷが載置されると、インターフェース部
１２のウエハ搬送体２４が反対側からアクセスして、ウ
エハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送体２４は当該ウ
エハＷをインターフェース部１２内の周辺露光装置２３
へ搬入する。ここで、ウエハＷはその周縁部に露光処理
を受ける。
置台上にウエハＷが載置されると、インターフェース部
１２のウエハ搬送体２４が反対側からアクセスして、ウ
エハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送体２４は当該ウ
エハＷをインターフェース部１２内の周辺露光装置２３
へ搬入する。ここで、ウエハＷはその周縁部に露光処理
を受ける。
【００４５】前記した周辺露光処理が終了すると、ウエ
ハ搬送体２４は、ウエハＷを周辺露光装置２３から搬出
し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）
へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡され
る前に、必要に応じてバッファカセットＢＲに一時的に
格納されることもある。
ハ搬送体２４は、ウエハＷを周辺露光装置２３から搬出
し、隣接する露光装置側のウエハ受取り台（図示せず）
へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置へ渡され
る前に、必要に応じてバッファカセットＢＲに一時的に
格納されることもある。
【００４６】露光装置における全面パターン露光処理が
完了して、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻
されると、インターフェース部１２のウエハ搬送体２４
はそのウエハ受取り台へアクセスして露光処理後のウエ
ハＷを受け取り、処理ステーション１１側の第４の処理
装置群Ｇ4の多段装置に属するイクステンション装置
（ＥＸＴ）へ搬入し、所定のウエハ受取り台上に載置す
る。なおこの場合、ウエハＷを、処理ステーション１１
側へ渡す前に、必要に応じてインターフェース部１２内
のバッファカセットＢＲに一時的に格納するようにして
もよい。
完了して、ウエハＷが露光装置側のウエハ受取り台に戻
されると、インターフェース部１２のウエハ搬送体２４
はそのウエハ受取り台へアクセスして露光処理後のウエ
ハＷを受け取り、処理ステーション１１側の第４の処理
装置群Ｇ4の多段装置に属するイクステンション装置
（ＥＸＴ）へ搬入し、所定のウエハ受取り台上に載置す
る。なおこの場合、ウエハＷを、処理ステーション１１
側へ渡す前に、必要に応じてインターフェース部１２内
のバッファカセットＢＲに一時的に格納するようにして
もよい。
【００４７】前記イクステンション装置（ＥＸＴ）にウ
エハＷが搬入されると、反対側から主ウエハ搬送手段２
２がアクセスしてこのウエハＷを受け取り、次いで第１
の処理装置群Ｇ1又は第２の処理装置群Ｇ2の多段装置に
属する現像処理装置（ＤＥＶ）に搬入する。この現像処
理装置（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャックの
上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハ表面
のレジスト膜に現像液を均一にかけられる。そして現像
及び周辺露光されたウエハ周縁部のレジストの除去が終
了すると、ウエハ表面にリンス液がかけられ、前記現像
液が洗い落とされる。
エハＷが搬入されると、反対側から主ウエハ搬送手段２
２がアクセスしてこのウエハＷを受け取り、次いで第１
の処理装置群Ｇ1又は第２の処理装置群Ｇ2の多段装置に
属する現像処理装置（ＤＥＶ）に搬入する。この現像処
理装置（ＤＥＶ）内では、ウエハＷはスピンチャックの
上に載せられ、例えばスプレー方式により、ウエハ表面
のレジスト膜に現像液を均一にかけられる。そして現像
及び周辺露光されたウエハ周縁部のレジストの除去が終
了すると、ウエハ表面にリンス液がかけられ、前記現像
液が洗い落とされる。
【００４８】かかる現像工程が終了すると、主ウエハ搬
送手段２２は、ウエハＷを現像処理装置（ＤＥＶ）から
搬出して、次に第３の処理装置群Ｇ3、又は第４の処理
装置群Ｇ4の多段装置に属するポストベーキング装置
（ＰＯＢＡＫＥ）へ搬入する。このポストベーキング装
置（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハＷは例えば１００
℃で所定時間だけ加熱される。これによって、現像で膨
潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
送手段２２は、ウエハＷを現像処理装置（ＤＥＶ）から
搬出して、次に第３の処理装置群Ｇ3、又は第４の処理
装置群Ｇ4の多段装置に属するポストベーキング装置
（ＰＯＢＡＫＥ）へ搬入する。このポストベーキング装
置（ＰＯＢＡＫＥ）において、ウエハＷは例えば１００
℃で所定時間だけ加熱される。これによって、現像で膨
潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００４９】かかるポストベーキングが終了すると、主
ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷをポストベーキング装
置（ＰＯＢＡＫＥ）から搬出し、次にいずれかのクーリ
ング装置（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温
に戻った後、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷを第３
の処理装置群Ｇ3に属するイクステンション装置（ＥＸ
Ｔ）へ移送する。
ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷをポストベーキング装
置（ＰＯＢＡＫＥ）から搬出し、次にいずれかのクーリ
ング装置（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温
に戻った後、主ウエハ搬送手段２２は、ウエハＷを第３
の処理装置群Ｇ3に属するイクステンション装置（ＥＸ
Ｔ）へ移送する。
【００５０】このイクステンション装置（ＥＸＴ）内の
載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセ
ットステーション１０側のウエハ搬送体２１が反対側か
らアクセスして、ウエハＷを受け取る。そしてウエハ搬
送体２１は、θ回転しながらＸ方向へと移動し、受け渡
し部５１の載置部材５２へと移載する。次いで副ウエハ
搬送手段６１の下段のピンセット６３がウエハＷを保持
し、洗浄処理装置７１の搬入出口７２からウエハＷを搬
入する。
載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセ
ットステーション１０側のウエハ搬送体２１が反対側か
らアクセスして、ウエハＷを受け取る。そしてウエハ搬
送体２１は、θ回転しながらＸ方向へと移動し、受け渡
し部５１の載置部材５２へと移載する。次いで副ウエハ
搬送手段６１の下段のピンセット６３がウエハＷを保持
し、洗浄処理装置７１の搬入出口７２からウエハＷを搬
入する。
【００５１】洗浄処理装置７１内では、このウエハＷに
対して、高圧ジェット洗浄によってウエハＷを洗浄す
る。かかる洗浄処理が終了すると、副ウエハ搬送手段６
１の上段のピンセット６２が、この洗浄処理が終了した
ウエハＷを搬出する。このとき、下段のピンセット６３
には、次に洗浄処理を付すべき他のウエハＷが保持され
ており、洗浄処理が終了したウエハＷの搬出後、直ちに
副ウエハ搬送手段６１がＺ方向に移動して、次に洗浄処
理を付すべき他のウエハＷを洗浄処理装置７１内に搬入
する。
対して、高圧ジェット洗浄によってウエハＷを洗浄す
る。かかる洗浄処理が終了すると、副ウエハ搬送手段６
１の上段のピンセット６２が、この洗浄処理が終了した
ウエハＷを搬出する。このとき、下段のピンセット６３
には、次に洗浄処理を付すべき他のウエハＷが保持され
ており、洗浄処理が終了したウエハＷの搬出後、直ちに
副ウエハ搬送手段６１がＺ方向に移動して、次に洗浄処
理を付すべき他のウエハＷを洗浄処理装置７１内に搬入
する。
【００５２】そのようにして洗浄処理が終了したウエハ
Ｗは、再び受け渡し部５１の載置部材５２へと移載さ
れ、次いでウエハ搬送体２１がこのウエハＷを受け取り
にいき、受け取ったウエハＷをカセット載置台２０上の
処理済みウエハ収容用のカセットＣの所定のウエハ収容
溝に入れて当該ウエハＷをカセットＣ内に収納する。
Ｗは、再び受け渡し部５１の載置部材５２へと移載さ
れ、次いでウエハ搬送体２１がこのウエハＷを受け取り
にいき、受け取ったウエハＷをカセット載置台２０上の
処理済みウエハ収容用のカセットＣの所定のウエハ収容
溝に入れて当該ウエハＷをカセットＣ内に収納する。
【００５３】このような一連の動作からわかるように、
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１において
は、処理ステーション１１での所定の処理が終了した後
のウエハＷをカセットＣ内に収納する直前に、一旦洗浄
処理装置７１によって洗浄処理に付すことが可能であ
る。したがって、万が一所定の処理が終了したウエハＷ
に処理液やパーティクル付着していても、これを洗浄し
てカセットＣに収納することができる。したがって、ウ
エハＷを清浄な状態で次処理（例えばエッチング処理な
ど）に付すことができる。
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１において
は、処理ステーション１１での所定の処理が終了した後
のウエハＷをカセットＣ内に収納する直前に、一旦洗浄
処理装置７１によって洗浄処理に付すことが可能であ
る。したがって、万が一所定の処理が終了したウエハＷ
に処理液やパーティクル付着していても、これを洗浄し
てカセットＣに収納することができる。したがって、ウ
エハＷを清浄な状態で次処理（例えばエッチング処理な
ど）に付すことができる。
【００５４】またかかる洗浄処理を行う洗浄処理装置７
１は、頻繁に動作している主ウエハ搬送手段２２や有機
成分を含有した処理液を使用する処理装置が組み入れら
れている処理装置群Ｇ1、Ｇ2とは、異なった空間に配置
されており、しかも副ウエハ搬送手段６１自体は、その
駆動系や動作が、主ウエハ搬送手段２２よりも単純であ
るから、それ自体から発塵する可能性も低い。したがっ
て、副ウエハ搬送手段６１によって、ウエハＷを洗浄処
理装置７１に搬送している最中に、該ウエハＷにパーテ
ィクルや有機成分が付着する可能伊勢は大幅に減少して
いる。
１は、頻繁に動作している主ウエハ搬送手段２２や有機
成分を含有した処理液を使用する処理装置が組み入れら
れている処理装置群Ｇ1、Ｇ2とは、異なった空間に配置
されており、しかも副ウエハ搬送手段６１自体は、その
駆動系や動作が、主ウエハ搬送手段２２よりも単純であ
るから、それ自体から発塵する可能性も低い。したがっ
て、副ウエハ搬送手段６１によって、ウエハＷを洗浄処
理装置７１に搬送している最中に、該ウエハＷにパーテ
ィクルや有機成分が付着する可能伊勢は大幅に減少して
いる。
【００５５】そのうえ洗浄処理装置７１において洗浄の
際に用いる洗浄液は、純水などおおよそ有機成分とは無
関係なものであるから、この洗浄処理装置７１自体から
有機成分が発生することはない。したがって、有機成分
を含有した処理液を使用する処理装置が組み入れられて
いる処理装置群Ｇ1、Ｇ2に対してダウンフローを形成す
るときに用いられていたケミカルフィルタは、この洗浄
処理装置７１の存在する空間においては不要である。し
たがって、その分システム全体として必要なケミカルフ
ィルタの量を低減させることができる。
際に用いる洗浄液は、純水などおおよそ有機成分とは無
関係なものであるから、この洗浄処理装置７１自体から
有機成分が発生することはない。したがって、有機成分
を含有した処理液を使用する処理装置が組み入れられて
いる処理装置群Ｇ1、Ｇ2に対してダウンフローを形成す
るときに用いられていたケミカルフィルタは、この洗浄
処理装置７１の存在する空間においては不要である。し
たがって、その分システム全体として必要なケミカルフ
ィルタの量を低減させることができる。
【００５６】受け渡し部５１を介してウエハ搬送体２１
と副ウエハ搬送手段６１との間でウエハＷの授受を行う
ようにしたので、受け渡し部５１を待機部として機能さ
せることができ、時間調整が容易で装置の稼働効率の良
好な処理を設定できる。もちろんそのように受け渡し部
５１を設けず、直接ウエハ搬送体２１と副ウエハ搬送手
段６１との間でウエハＷの授受を行うようにしてもよ
い。
と副ウエハ搬送手段６１との間でウエハＷの授受を行う
ようにしたので、受け渡し部５１を待機部として機能さ
せることができ、時間調整が容易で装置の稼働効率の良
好な処理を設定できる。もちろんそのように受け渡し部
５１を設けず、直接ウエハ搬送体２１と副ウエハ搬送手
段６１との間でウエハＷの授受を行うようにしてもよ
い。
【００５７】なお前記した処理例では、処理ステーショ
ン１１での所定の処理が終了した後のウエハＷをカセッ
トＣ内に収納する直前に、洗浄処理装置７１によって洗
浄処理するようにしていたが、もちろんレシピを変更し
て、カセットＣから未処理のウエハＷをウエハ搬送体２
１によって取り出し、先に受け渡し部５１へ搬送し、処
理ステーション１１での所定の処理を実施する前に、こ
のウエハに対して洗浄処理を行うようにすることも可能
であり、そのように先に洗浄処理した後、処理ステーシ
ョン１１での所定の処理を実施して、再び洗浄処理装置
７１によって洗浄処理するようにすることも可能であ
る。いずれにしろ、前記塗布現像処理システム１では、
いわばカセットステーション１０を共用して、そのウエ
ハ搬送体２１が、処理ステーション１１と、処理ステー
ション１１とは異なった領域にある洗浄処理装置７１の
両方にアクセス自在であるから、従来よりもレシピの設
定の幅が広がっており、様々な要求に応じた塗布現像処
理が実施できる。
ン１１での所定の処理が終了した後のウエハＷをカセッ
トＣ内に収納する直前に、洗浄処理装置７１によって洗
浄処理するようにしていたが、もちろんレシピを変更し
て、カセットＣから未処理のウエハＷをウエハ搬送体２
１によって取り出し、先に受け渡し部５１へ搬送し、処
理ステーション１１での所定の処理を実施する前に、こ
のウエハに対して洗浄処理を行うようにすることも可能
であり、そのように先に洗浄処理した後、処理ステーシ
ョン１１での所定の処理を実施して、再び洗浄処理装置
７１によって洗浄処理するようにすることも可能であ
る。いずれにしろ、前記塗布現像処理システム１では、
いわばカセットステーション１０を共用して、そのウエ
ハ搬送体２１が、処理ステーション１１と、処理ステー
ション１１とは異なった領域にある洗浄処理装置７１の
両方にアクセス自在であるから、従来よりもレシピの設
定の幅が広がっており、様々な要求に応じた塗布現像処
理が実施できる。
【００５８】なお前記実施形態にかかる塗布現像処理シ
ステム１では、１つの洗浄処理装置７１を設置していた
が、もちろん複数の同種の又は異なった形式の洗浄処理
装置を設置してもよく、その場合、多段に積層した構成
を採るようにしてもよい。受け渡し部５１についてもこ
れを並列あるいは上下に配置するなどして、複数設置し
てもよい。さらに洗浄処理装置の他に、例えばＢＡＲＣ
処理（裏面反射防止膜処理）を行う処理装置も、この洗
浄処理装置７１に並設したり、積層してもよい。また被
処理基板も前記した半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板
やＣＤ基板、フォトマスク、各種のプリント基板、セラ
ミック基板であってもよい。
ステム１では、１つの洗浄処理装置７１を設置していた
が、もちろん複数の同種の又は異なった形式の洗浄処理
装置を設置してもよく、その場合、多段に積層した構成
を採るようにしてもよい。受け渡し部５１についてもこ
れを並列あるいは上下に配置するなどして、複数設置し
てもよい。さらに洗浄処理装置の他に、例えばＢＡＲＣ
処理（裏面反射防止膜処理）を行う処理装置も、この洗
浄処理装置７１に並設したり、積層してもよい。また被
処理基板も前記した半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板
やＣＤ基板、フォトマスク、各種のプリント基板、セラ
ミック基板であってもよい。
【００５９】
【発明の効果】請求項１の処理方法によれば、所定の処
理が終了した後に万が一搬送手段による搬送の際、レジ
スト液、現像液やパーティクルなどによって被処理基板
が汚染しても、洗浄処理した後に収納体に搬入して収納
されるので、清浄な状態の被処理基板を収納体に搬入す
ることができる。したがって、次処理に対して影響を与
えず、歩留まりの向上を図ることができる。
理が終了した後に万が一搬送手段による搬送の際、レジ
スト液、現像液やパーティクルなどによって被処理基板
が汚染しても、洗浄処理した後に収納体に搬入して収納
されるので、清浄な状態の被処理基板を収納体に搬入す
ることができる。したがって、次処理に対して影響を与
えず、歩留まりの向上を図ることができる。
【００６０】また請求項２、３の塗布現像処理システム
によれば、前記請求項１の処理方法を好適に実施でき、
しかもシステム全体としてケミカルフィルタの必要量の
低減を図ることができる。もちろん収納体から取りだし
た未処理の被処理基板を、処理装置群での処理に付する
前に、先に洗浄処理を行うことも可能である。さらに特
に請求項３の塗布現像処理システムによれば、受け渡し
部を待機部として機能させることができ、システムにお
ける処理の時間調整が容易になる。
によれば、前記請求項１の処理方法を好適に実施でき、
しかもシステム全体としてケミカルフィルタの必要量の
低減を図ることができる。もちろん収納体から取りだし
た未処理の被処理基板を、処理装置群での処理に付する
前に、先に洗浄処理を行うことも可能である。さらに特
に請求項３の塗布現像処理システムによれば、受け渡し
部を待機部として機能させることができ、システムにお
ける処理の時間調整が容易になる。
【図１】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理シス
テムの平面からみた説明図である。
テムの平面からみた説明図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面からみた説
明図である。
明図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面からみた説
明図である。
明図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムにおける主ウエハ
搬送手段の概観を示す斜視図である。
搬送手段の概観を示す斜視図である。
【図５】図１の塗布現像処理システムにおける副ウエハ
搬送手段及び洗浄処理装置周りの概観を示す斜視図であ
る。
搬送手段及び洗浄処理装置周りの概観を示す斜視図であ
る。
【図６】従来の塗布現像処理システムの概観を示す斜視
図である。
図である。
【００８４】
１ 塗布現像処理システム １０ カセットステーション １１ 処理ステーション １２ インターフェース部 ２０ カセット載置台 ２１ ウエハ搬送体 ２２ 主ウエハ搬送手段 ４１、４２、４３ ピンセット ５１ 受け渡し部 ５２ 載置部材 ６１ 副ウエハ搬送手段 ６２、６３ ピンセット ７１ 洗浄処理装置 ＣＯＴ レジスト液塗布装置 ＤＥＶ 現像処理装置 Ｇ1〜Ｇ5 処理装置群 Ｗ ウエハ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６３
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理基板を収納した収納体が載置され
る載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板
を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で直接
又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段と、少なく
とも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジ
スト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これ
らの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基
板を加熱する加熱処理装置とを備え、前記搬送手段はこ
れら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となる
ように構成された塗布現像処理システムを用い、前記被
処理基板にこれら各処理装置によって所定の処理を行う
方法において、 前記所定の処理終了後、前記載置部上の収納体に処理済
みの前記被処理基板を搬入して収納する前に、当該処理
済みの被処理基板に対して洗浄処理を行うことを特徴と
する、処理方法。 - 【請求項２】 被処理基板を収納した収納体が載置され
る載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板
を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で直接
又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段と、少なく
とも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジ
スト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これ
らの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基
板を加熱する加熱処理装置とが集約的に配置されて一又
は二以上の処理装置群が構成され、前記搬送手段はこれ
ら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるよ
うに構成された塗布現像処理システムにおいて、 前記処理装置群とは異なった空間に、少なくとも被処理
基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理装置を配置すると
共に、この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自
在な他の搬送手段を別途設け、当該他の搬送手段は、前
記搬送機構との間で被処理基板の授受が自在であること
を特徴とする、塗布現像処理システム。 - 【請求項３】 被処理基板を収納した収納体が載置され
る載置部と、この載置部上の収納体に対して被処理基板
を搬出入自在な搬送機構と、この搬送機構との間で直接
又は間接的に被処理基板を授受する搬送手段と、少なく
とも当該被処理基板に対してレジスト液を塗布するレジ
スト液処理装置と、現像処理する現像処理装置と、これ
らの各処理装置での所定の処理が終了した後に被処理基
板を加熱する加熱処理装置とが集約的に配置されて一又
は二以上の処理装置群が構成され、前記搬送手段はこれ
ら各処理装置に対して被処理基板を搬入出自在となるよ
うに構成された塗布現像処理システムにおいて、 前記処理装置群とは異なった空間に、少なくとも被処理
基板に対して洗浄処理を行う洗浄処理装置を配置すると
共に、この洗浄処理装置に対して被処理基板を搬入出自
在な他の搬送手段を別途設け、当該他の搬送手段は、前
記搬送機構との間で受け渡し部を介して被処理基板の授
受が自在であることを特徴とする、塗布現像処理システ
ム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25231696A JP3571471B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム |
| TW086112398A TW418441B (en) | 1996-09-03 | 1997-08-28 | Photoresist agent processing method and photoresist agent processing system |
| SG1997003171A SG64442A1 (en) | 1996-09-03 | 1997-08-29 | Resist process method and system |
| US08/921,350 US6027262A (en) | 1996-09-03 | 1997-08-29 | Resist process method and system |
| KR1019970045669A KR100493988B1 (ko) | 1996-09-03 | 1997-09-03 | 레지스트처리방법및레지스트처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25231696A JP3571471B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1079343A true JPH1079343A (ja) | 1998-03-24 |
| JP3571471B2 JP3571471B2 (ja) | 2004-09-29 |
Family
ID=17235565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25231696A Expired - Fee Related JP3571471B2 (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-03 | 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6027262A (ja) |
| JP (1) | JP3571471B2 (ja) |
| KR (1) | KR100493988B1 (ja) |
| SG (1) | SG64442A1 (ja) |
| TW (1) | TW418441B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223196A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-08-17 | Ses Co Ltd | 基板洗浄システム |
| JP2001223197A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-08-17 | Ses Co Ltd | 基板搬入搬出装置および基板洗浄システム |
| JP2003045770A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| KR100795657B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2008-01-21 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| CN100370582C (zh) * | 2000-07-12 | 2008-02-20 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
| CN111300670A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 株式会社迪思科 | 切削装置 |
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