JP2000229478A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微小記録マークが形成される相変化型光記録
媒体において、形状および寸法の安定した微小記録マー
クの形成を可能にする。また、形状および寸法の安定し
た微小記録マークの熱的安定性を向上させ、信頼性の高
い相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 相変化型の記録層を有し、この記録層に
形成される記録マークの最短長さが３５０nm以下であ
り、この記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成
分とする光記録媒体。記録層が、副成分としてＧｅおよ
び／またはＮを含有する前記光記録媒体。
媒体において、形状および寸法の安定した微小記録マー
クの形成を可能にする。また、形状および寸法の安定し
た微小記録マークの熱的安定性を向上させ、信頼性の高
い相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 相変化型の記録層を有し、この記録層に
形成される記録マークの最短長さが３５０nm以下であ
り、この記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成
分とする光記録媒体。記録層が、副成分としてＧｅおよ
び／またはＮを含有する前記光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小な記録マーク
が形成される相変化型光記録媒体に関する。
が形成される相変化型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザービームを照射することにより記
録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状
態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することによ
り再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一
のレーザービームの強度を変調することによりオーバー
ライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されてい
る。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザービームを照射することにより記
録層の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状
態変化に伴なう記録層の反射率変化を検出することによ
り再生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一
のレーザービームの強度を変調することによりオーバー
ライトが可能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気
記録媒体のそれに比べて単純であるため、注目されてい
る。
【０００３】相変化型の記録層には、結晶質状態と非晶
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系やＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系等のカルコゲナイド系材料が用いられること
が多い。また、この他、最近、カルコパイライトと呼ば
れる化合物を応用することが提案されている。カルコパ
イライト型化合物は化合物半導体材料として広く研究さ
れ、太陽電池などにも応用されている。カルコパイライ
ト型化合物は、化学周期律表を用いるとIb-IIIb-VIb2や
IIb-IVb-Vb2で表わされる組成であり、ダイヤモンド構
造を２つ積み重ねた構造を有する。カルコパイライト型
化合物はＸ線構造解析によって容易に構造を決定するこ
とができ、その基礎的な特性は、例えば月刊フィジクス
vol.8,No.8,1987,pp-441や、電気化学vol.56,No.4,198
8,pp-228などに記載されている。これらのカルコパイラ
イト型化合物の中で特にＡｇＩｎＴｅ2は、ＳｂやＢｉ
を用いて希釈することにより、線速度７m/s前後の光記
録媒体の記録層材料として使用できることが知られてい
る（特開平３−２４０５９０号公報、同３−９９８８４
号公報、同３−８２５９３号公報、同３−７３３８４号
公報、同４−１５１２８６号公報等）。このようなカル
コパイライト型化合物を用いた相変化型光記録媒体の
他、特開平４−２６７１９２号公報や特開平４−２３２
７７９号公報、特開平６−１６６２６８号公報には、記
録層が結晶化する際にＡｇＳｂＴｅ2相が生成する相変
化型光記録媒体が開示されている。
質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の安定
度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ系やＧｅ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系等のカルコゲナイド系材料が用いられること
が多い。また、この他、最近、カルコパイライトと呼ば
れる化合物を応用することが提案されている。カルコパ
イライト型化合物は化合物半導体材料として広く研究さ
れ、太陽電池などにも応用されている。カルコパイライ
ト型化合物は、化学周期律表を用いるとIb-IIIb-VIb2や
IIb-IVb-Vb2で表わされる組成であり、ダイヤモンド構
造を２つ積み重ねた構造を有する。カルコパイライト型
化合物はＸ線構造解析によって容易に構造を決定するこ
とができ、その基礎的な特性は、例えば月刊フィジクス
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8,pp-228などに記載されている。これらのカルコパイラ
イト型化合物の中で特にＡｇＩｎＴｅ2は、ＳｂやＢｉ
を用いて希釈することにより、線速度７m/s前後の光記
録媒体の記録層材料として使用できることが知られてい
る（特開平３−２４０５９０号公報、同３−９９８８４
号公報、同３−８２５９３号公報、同３−７３３８４号
公報、同４−１５１２８６号公報等）。このようなカル
コパイライト型化合物を用いた相変化型光記録媒体の
他、特開平４−２６７１９２号公報や特開平４−２３２
７７９号公報、特開平６−１６６２６８号公報には、記
録層が結晶化する際にＡｇＳｂＴｅ2相が生成する相変
化型光記録媒体が開示されている。
【０００４】一般に相変化型光記録媒体において情報を
記録する際には、まず、記録層全体を結晶質状態として
おき、記録層が融点以上まで昇温されるような高パワー
（記録パワー）のレーザービームを照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザービームを照射する。消
去パワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上ま
で加熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に
戻る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光
ビームの強度を変調することにより、オーバーライトが
可能である。
記録する際には、まず、記録層全体を結晶質状態として
おき、記録層が融点以上まで昇温されるような高パワー
（記録パワー）のレーザービームを照射する。記録パワ
ーが加えられた部分では記録層が溶融した後、急冷さ
れ、非晶質の記録マークが形成される。一方、記録マー
クを消去する際には、記録層がその結晶化温度以上であ
ってかつ融点未満の温度まで昇温されるような比較的低
パワー（消去パワー）のレーザービームを照射する。消
去パワーが加えられた記録マークは、結晶化温度以上ま
で加熱された後、徐冷されることになるので、結晶質に
戻る。したがって、相変化型光記録媒体では、単一の光
ビームの強度を変調することにより、オーバーライトが
可能である。
【０００５】相変化型光記録媒体等の光記録媒体は、磁
気記録媒体に比べ一般に記録密度を高くすることができ
るが、近年、画像等の膨大な情報の処理のためにさらに
記録密度を高くすることが必要とされている。単位面積
あたりの記録密度を高くするためには、記録マーク長を
縮めることが有効である。
気記録媒体に比べ一般に記録密度を高くすることができ
るが、近年、画像等の膨大な情報の処理のためにさらに
記録密度を高くすることが必要とされている。単位面積
あたりの記録密度を高くするためには、記録マーク長を
縮めることが有効である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、相変化
材料として一般的なＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料からなる記
録層に、様々な寸法の記録マークを形成し、透過型電子
顕微鏡により観察する実験を行った。その結果、記録マ
ーク後端の近傍に粗大な結晶粒が生成して、記録マーク
を大きく歪ませると共に、記録マーク後端の位置を変え
てしまうことがわかった。この結晶粒の生成パターンは
ランダムであり、歪みのパターンや後端位置のずれが各
記録マークによって異なるので、記録マークを読み出す
際に補正を行う方法は採用できない。記録マークの形状
や寸法のばらつきが記録マーク長に対し相対的に大きい
と、ジッターが著しく増大してしまう。
材料として一般的なＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料からなる記
録層に、様々な寸法の記録マークを形成し、透過型電子
顕微鏡により観察する実験を行った。その結果、記録マ
ーク後端の近傍に粗大な結晶粒が生成して、記録マーク
を大きく歪ませると共に、記録マーク後端の位置を変え
てしまうことがわかった。この結晶粒の生成パターンは
ランダムであり、歪みのパターンや後端位置のずれが各
記録マークによって異なるので、記録マークを読み出す
際に補正を行う方法は採用できない。記録マークの形状
や寸法のばらつきが記録マーク長に対し相対的に大きい
と、ジッターが著しく増大してしまう。
【０００７】上記実験の結果から、本発明者らは、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層において生じる粗大結晶粒による
記録マーク形状や寸法のばらつきが、記録マーク長が特
定の値以下、具体的には３５０nm以下、特に３００nm以
下と短くなったときに臨界的にジッターの著増を引き起
こすことを見いだした。
−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層において生じる粗大結晶粒による
記録マーク形状や寸法のばらつきが、記録マーク長が特
定の値以下、具体的には３５０nm以下、特に３００nm以
下と短くなったときに臨界的にジッターの著増を引き起
こすことを見いだした。
【０００８】また、本発明者らは、記録マーク長が上記
特定の値以下になると、相変化型記録層に形成した記録
マークの熱的安定性が臨界的に低くなり、高温環境下で
の保存により記録マークが結晶化しやすくなって、信頼
性が低くなってしまうことを見いだした。
特定の値以下になると、相変化型記録層に形成した記録
マークの熱的安定性が臨界的に低くなり、高温環境下で
の保存により記録マークが結晶化しやすくなって、信頼
性が低くなってしまうことを見いだした。
【０００９】本発明の目的は、微小記録マークが形成さ
れる相変化型光記録媒体において、形状および寸法の安
定した微小記録マークの形成を可能にすることである。
本発明の他の目的は、形状および寸法の安定した微小記
録マークの熱的安定性を向上させ、信頼性の高い相変化
型光記録媒体を提供することである。
れる相変化型光記録媒体において、形状および寸法の安
定した微小記録マークの形成を可能にすることである。
本発明の他の目的は、形状および寸法の安定した微小記
録マークの熱的安定性を向上させ、信頼性の高い相変化
型光記録媒体を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）および（２）の本発明により達成される。 （１） 相変化型の記録層を有し、この記録層に形成さ
れる記録マークの最短長さが３５０nm以下であり、この
記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする
光記録媒体。 （２） 記録層が、副成分としてＧｅおよび／またはＮ
を含有する上記（１）の光記録媒体。
（１）および（２）の本発明により達成される。 （１） 相変化型の記録層を有し、この記録層に形成さ
れる記録マークの最短長さが３５０nm以下であり、この
記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする
光記録媒体。 （２） 記録層が、副成分としてＧｅおよび／またはＮ
を含有する上記（１）の光記録媒体。
【００１１】
【発明の実施の形態】図２に、スパッタ法により形成し
たＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5からなる相変化型記録層に、長さ２
５０nmの記録マークを形成したときの透過型電子顕微鏡
写真を示す。なお、本明細書における記録マーク長は、
媒体の線速と記録周波数とから求めた値である。図中、
規則的に並んだ暗色の領域が記録マークであり、記録マ
ークの左斜め下方向が後端部である。すなわち、レーザ
ービームは、図中左斜め下方向に相対的に移動しなが
ら、記録マークを形成する。図２では、各記録マークの
後端付近に、記録マーク長の半分程度にも達する径の粗
大な結晶粒が認められる。そして、それぞれの記録マー
ク付近で、粗大結晶粒の大きさや存在個数などが様々で
あるため、図２中において記録マーク長がばらついてい
ることが明瞭にわかる。記録マーク長をばらつかせてい
る粗大な結晶粒の粒径は、数十ナノメートルから百ナノ
メートル程度なので、長さ２５０nmの記録マークに対す
る影響は大きい。
たＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5からなる相変化型記録層に、長さ２
５０nmの記録マークを形成したときの透過型電子顕微鏡
写真を示す。なお、本明細書における記録マーク長は、
媒体の線速と記録周波数とから求めた値である。図中、
規則的に並んだ暗色の領域が記録マークであり、記録マ
ークの左斜め下方向が後端部である。すなわち、レーザ
ービームは、図中左斜め下方向に相対的に移動しなが
ら、記録マークを形成する。図２では、各記録マークの
後端付近に、記録マーク長の半分程度にも達する径の粗
大な結晶粒が認められる。そして、それぞれの記録マー
ク付近で、粗大結晶粒の大きさや存在個数などが様々で
あるため、図２中において記録マーク長がばらついてい
ることが明瞭にわかる。記録マーク長をばらつかせてい
る粗大な結晶粒の粒径は、数十ナノメートルから百ナノ
メートル程度なので、長さ２５０nmの記録マークに対す
る影響は大きい。
【００１２】一方、図１は、本発明の光記録媒体の記録
層を示す透過型電子顕微鏡写真である。この記録層は、
スパッタ法により形成されたものであり、Ａｇ、Ｉｎ、
ＳｂおよびＴｅを主成分とするものである。この記録層
においても、規則的に並んだ暗色の領域が記録マークで
あり、ここでは記録マークの左斜め上方向が後端部であ
る。図１における記録マーク長は、図２と同じである。
図１では、図２と異なり、記録マークの形状を歪ませる
粗大な結晶粒は認められない。すなわち、図１において
も記録マーク後端付近に粗大な結晶粒は存在するが、こ
の粗大な結晶粒の存在によって記録マークの後端形状は
ほとんど影響を受けておらず、記録マーク長のばらつき
も小さい。
層を示す透過型電子顕微鏡写真である。この記録層は、
スパッタ法により形成されたものであり、Ａｇ、Ｉｎ、
ＳｂおよびＴｅを主成分とするものである。この記録層
においても、規則的に並んだ暗色の領域が記録マークで
あり、ここでは記録マークの左斜め上方向が後端部であ
る。図１における記録マーク長は、図２と同じである。
図１では、図２と異なり、記録マークの形状を歪ませる
粗大な結晶粒は認められない。すなわち、図１において
も記録マーク後端付近に粗大な結晶粒は存在するが、こ
の粗大な結晶粒の存在によって記録マークの後端形状は
ほとんど影響を受けておらず、記録マーク長のばらつき
も小さい。
【００１３】このように、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅ
を主成分とする記録層では、記録マーク後端付近に生成
する粗大な結晶粒が、記録マーク形状および寸法にほと
んど影響を与えないため、ジッターが少なく、正確な再
生が可能である。
を主成分とする記録層では、記録マーク後端付近に生成
する粗大な結晶粒が、記録マーク形状および寸法にほと
んど影響を与えないため、ジッターが少なく、正確な再
生が可能である。
【００１４】また、本発明では、前述した微小記録マー
クの熱安定性の低さを改善するために、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂおよびＴｅを主成分とする記録層に、副成分としてＧ
ｅおよび／またはＮを含有させる。これにより、記録層
の結晶化温度および活性化エネルギーが上昇し、高信頼
性が実現する。
クの熱安定性の低さを改善するために、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂおよびＴｅを主成分とする記録層に、副成分としてＧ
ｅおよび／またはＮを含有させる。これにより、記録層
の結晶化温度および活性化エネルギーが上昇し、高信頼
性が実現する。
【００１５】本発明は、最短長さが前記特定の値以下、
すなわち３５０nm以下、特に３００nm以下である微小な
記録マークが形成される相変化型光記録媒体に有効であ
る。本発明が適用される光記録媒体では、記録マークの
形成方法およびその読み出し方法は限定されない。
すなわち３５０nm以下、特に３００nm以下である微小な
記録マークが形成される相変化型光記録媒体に有効であ
る。本発明が適用される光記録媒体では、記録マークの
形成方法およびその読み出し方法は限定されない。
【００１６】なお、上記した微小な記録マークを形成す
る場合に、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層では粗大な結晶粒
により記録マークの形状および寸法が著しい影響を受け
ることは、従来指摘されていない。Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂお
よびＴｅを主成分とする相変化型の記録層は公知である
が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする記録層
において、上記した微小な記録マークの形状および寸法
のばらつきがほとんど生じないことは、従来知られてい
ない。
る場合に、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層では粗大な結晶粒
により記録マークの形状および寸法が著しい影響を受け
ることは、従来指摘されていない。Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂお
よびＴｅを主成分とする相変化型の記録層は公知である
が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする記録層
において、上記した微小な記録マークの形状および寸法
のばらつきがほとんど生じないことは、従来知られてい
ない。
【００１７】また、前記特定の値以下の長さの微小記録
マークを形成する場合に、記録層構成材料の熱的安定性
が極めて重要になることは、従来指摘されていない。そ
して、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする記録
層にＧｅおよび／またはＮを添加することにより、前記
微小記録マークの熱的安定性が飛躍的に向上すること
は、従来知られていない。
マークを形成する場合に、記録層構成材料の熱的安定性
が極めて重要になることは、従来指摘されていない。そ
して、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする記録
層にＧｅおよび／またはＮを添加することにより、前記
微小記録マークの熱的安定性が飛躍的に向上すること
は、従来知られていない。
【００１８】本発明では、図１および図２に示されるよ
うに、記録マーク後端の少なくとも一部が、記録マーク
前端側に向かって凸状となるように記録マークを形成す
ることが好ましい。なお、すべての記録マークにおいて
このような輪郭とする必要はなく、少なくとも最短記録
マークの輪郭がこのような形状であればよい。
うに、記録マーク後端の少なくとも一部が、記録マーク
前端側に向かって凸状となるように記録マークを形成す
ることが好ましい。なお、すべての記録マークにおいて
このような輪郭とする必要はなく、少なくとも最短記録
マークの輪郭がこのような形状であればよい。
【００１９】図３に、記録マークの模式図を示す。記録
マークをこのような形状に形成することにより、最短記
録マークにおいて長さＭLよりも幅ＭWを大きくすること
ができる。なお、好ましくはＭW／ＭL≧１．１である。
相変化型光記録媒体では、非晶質の記録マークとそれ以
外の結晶質領域との間での反射率差に基づいて再生信号
を得るため、長さが同じである記録マークでは幅が広い
ほど再生出力が高くなる。したがって本発明では、線記
録密度を高くするために最短記録マークを短く設定した
場合でも、十分な再生出力を確保できる。ただし、ＭW
／ＭLが大きすぎると、隣接トラックの記録マークを消
去してしまうクロスイレーズ、隣接トラックの記録マー
クを読み出してしまうクロストークが発生しやすくなる
ので、ＭW／ＭLは好ましくは４以下、より好ましくは３
以下とする。
マークをこのような形状に形成することにより、最短記
録マークにおいて長さＭLよりも幅ＭWを大きくすること
ができる。なお、好ましくはＭW／ＭL≧１．１である。
相変化型光記録媒体では、非晶質の記録マークとそれ以
外の結晶質領域との間での反射率差に基づいて再生信号
を得るため、長さが同じである記録マークでは幅が広い
ほど再生出力が高くなる。したがって本発明では、線記
録密度を高くするために最短記録マークを短く設定した
場合でも、十分な再生出力を確保できる。ただし、ＭW
／ＭLが大きすぎると、隣接トラックの記録マークを消
去してしまうクロスイレーズ、隣接トラックの記録マー
クを読み出してしまうクロストークが発生しやすくなる
ので、ＭW／ＭLは好ましくは４以下、より好ましくは３
以下とする。
【００２０】次に、記録マーク後端を上記形状とするた
めに利用する方法、および、この方法を用いることによ
りＭW＞ＭLとできる理由を説明する。
めに利用する方法、および、この方法を用いることによ
りＭW＞ＭLとできる理由を説明する。
【００２１】相変化型記録媒体に記録を行う際には、前
述したように、少なくとも記録パワーと消去パワーとの
間でパワー変調したレーザービームを照射する。記録パ
ワーのレーザービーム照射により記録層は溶融し、記録
マーク長に対応する照射時間が経過した後、レーザービ
ームのパワーが消去パワーまで下がるため、溶融した領
域は急速に冷却されて非晶質となる。このような記録マ
ーク形成過程において、溶融領域全体を非晶質化せず一
部を結晶化することにより、記録マーク後端を上記形状
とすることができる。具体的には、溶融領域の後端側
（レーザービームが遠ざかる側）において冷却速度を低
くすることにより、図３に示すように前記後端側を結晶
化する。このようにして形成された記録マークでは、そ
の後端の全体が記録マーク前端側に向かって凸状となる
ことは少なく、通常、図３に示す形状となる。すなわ
ち、記録マーク後端の中央付近に、記録トラック方向に
突出する尾状部が存在する形状、例えば蝙蝠が翼を広げ
た形状となる。
述したように、少なくとも記録パワーと消去パワーとの
間でパワー変調したレーザービームを照射する。記録パ
ワーのレーザービーム照射により記録層は溶融し、記録
マーク長に対応する照射時間が経過した後、レーザービ
ームのパワーが消去パワーまで下がるため、溶融した領
域は急速に冷却されて非晶質となる。このような記録マ
ーク形成過程において、溶融領域全体を非晶質化せず一
部を結晶化することにより、記録マーク後端を上記形状
とすることができる。具体的には、溶融領域の後端側
（レーザービームが遠ざかる側）において冷却速度を低
くすることにより、図３に示すように前記後端側を結晶
化する。このようにして形成された記録マークでは、そ
の後端の全体が記録マーク前端側に向かって凸状となる
ことは少なく、通常、図３に示す形状となる。すなわ
ち、記録マーク後端の中央付近に、記録トラック方向に
突出する尾状部が存在する形状、例えば蝙蝠が翼を広げ
た形状となる。
【００２２】ところで、記録マーク形成の際に溶融領域
の一部が結晶化することは、特開平９−７１７６号公報
に記載されている。ただし、同公報では、光記録ディス
クの線速度が遅い場合に記録マーク前半部分で再結晶化
が生じるとし、この再結晶化を防ぐために、記録パワー
レベルのレーザー光を所定のパターンでパルス状に照射
することを提案している。同公報には、マーク後半部分
に相当する領域へのレーザービーム照射による熱が、い
ったんは溶融したマーク前半部分に相当する領域に伝導
し、その結果、マーク前半部分が急冷されないために再
結晶化が生じる旨が記載されている。また、特開平１１
−２３２６９７号公報では、上記特開平９−７１７６号
公報に記載された作用による再結晶化を、セルフイレー
ズと呼んでいる。
の一部が結晶化することは、特開平９−７１７６号公報
に記載されている。ただし、同公報では、光記録ディス
クの線速度が遅い場合に記録マーク前半部分で再結晶化
が生じるとし、この再結晶化を防ぐために、記録パワー
レベルのレーザー光を所定のパターンでパルス状に照射
することを提案している。同公報には、マーク後半部分
に相当する領域へのレーザービーム照射による熱が、い
ったんは溶融したマーク前半部分に相当する領域に伝導
し、その結果、マーク前半部分が急冷されないために再
結晶化が生じる旨が記載されている。また、特開平１１
−２３２６９７号公報では、上記特開平９−７１７６号
公報に記載された作用による再結晶化を、セルフイレー
ズと呼んでいる。
【００２３】上記各公報に示されるように、記録マーク
形成の際に溶融領域の前端部が上記セルフイレーズによ
り結晶化すること、および、この結晶化が記録マーク前
端部の形状に影響を与えることは知られている。しか
し、上記特開平９−７１７６号公報に示されるように、
従来はセルフイレーズが記録マーク形状に与える影響を
防ぐことが重要であった。
形成の際に溶融領域の前端部が上記セルフイレーズによ
り結晶化すること、および、この結晶化が記録マーク前
端部の形状に影響を与えることは知られている。しか
し、上記特開平９−７１７６号公報に示されるように、
従来はセルフイレーズが記録マーク形状に与える影響を
防ぐことが重要であった。
【００２４】これに対し、上記セルフイレーズと同様な
作用を溶融領域後端側において積極的に働かせ、これに
より溶融領域後端側を結晶化すれば、記録マーク後端を
図１および図２に示されるような形状とすることができ
る。溶融領域後端側においてセルフイレーズ機能を働か
せるためには、例えば、溶融領域の後ろ側に照射される
レーザービームのパワーおよびその照射時間を制御すれ
ばよい。溶融領域の後ろ側に照射されたレーザービーム
による熱は、溶融領域内の後端側に伝導するため、この
ときの照射パワーおよびその照射時間を制御することに
より、溶融領域後端部における冷却速度を調整でき、そ
の結果、溶融領域後端部における結晶化領域の長さを制
御できる。溶融領域後端側においてセルフイレーズ作用
を働かせる場合、結晶化は主として記録マークの長さ方
向において生じ、記録マークの幅方向においてはほとん
ど生じない。したがって、記録パワーレベルを比較的高
くすることにより比較的幅広でかつその幅に対応した比
較的長い溶融領域を形成し、次いで、この溶融領域後端
部をセルフイレーズにより結晶化させて所定長さの非晶
質記録マークを形成することで、長さに対し幅が相対的
に大きい記録マークを形成することができる。
作用を溶融領域後端側において積極的に働かせ、これに
より溶融領域後端側を結晶化すれば、記録マーク後端を
図１および図２に示されるような形状とすることができ
る。溶融領域後端側においてセルフイレーズ機能を働か
せるためには、例えば、溶融領域の後ろ側に照射される
レーザービームのパワーおよびその照射時間を制御すれ
ばよい。溶融領域の後ろ側に照射されたレーザービーム
による熱は、溶融領域内の後端側に伝導するため、この
ときの照射パワーおよびその照射時間を制御することに
より、溶融領域後端部における冷却速度を調整でき、そ
の結果、溶融領域後端部における結晶化領域の長さを制
御できる。溶融領域後端側においてセルフイレーズ作用
を働かせる場合、結晶化は主として記録マークの長さ方
向において生じ、記録マークの幅方向においてはほとん
ど生じない。したがって、記録パワーレベルを比較的高
くすることにより比較的幅広でかつその幅に対応した比
較的長い溶融領域を形成し、次いで、この溶融領域後端
部をセルフイレーズにより結晶化させて所定長さの非晶
質記録マークを形成することで、長さに対し幅が相対的
に大きい記録マークを形成することができる。
【００２５】次に、溶融領域後端側におけるセルフイレ
ーズ作用を制御する具体的方法について説明する。
ーズ作用を制御する具体的方法について説明する。
【００２６】まず、記録パルスストラテジについて説明
する。一般に、相変化型光記録媒体に記録する際には、
記録パワーを記録マークの長さに対応して連続的に照射
するのではなく、前記特開平９−７１７６号公報に記載
されているように、記録マーク形状の制御のため、複数
のパルスからなるパルス列に分割して照射する場合が多
い。この場合のパルス分割の具体的構成を、一般に記録
パルスストラテジと呼ぶ。記録パルスストラテジの例
を、図４に示す。図４には、ＮＲＺＩ信号の５Ｔ信号に
対応する記録パルス列を例示してある。同図において、
Ｔtopは先頭パルスの幅であり、Ｔmpは先頭パルス以外
のパルス（マルチパルスともいう）の幅であり、Ｔclは
最後尾パルスの後ろに付加された下向きパルス（クーリ
ングパルスともいう）の幅である。これらのパルス幅
は、通常、基準クロック幅（１Ｔ）で規格化した値で表
示される。図示する記録パルスストラテジでは、クーリ
ングパルスを含むすべての下向きパルスのパワー（バイ
アスパワーＰｂ）を消去パワーＰｅよりも低く設定して
いる。
する。一般に、相変化型光記録媒体に記録する際には、
記録パワーを記録マークの長さに対応して連続的に照射
するのではなく、前記特開平９−７１７６号公報に記載
されているように、記録マーク形状の制御のため、複数
のパルスからなるパルス列に分割して照射する場合が多
い。この場合のパルス分割の具体的構成を、一般に記録
パルスストラテジと呼ぶ。記録パルスストラテジの例
を、図４に示す。図４には、ＮＲＺＩ信号の５Ｔ信号に
対応する記録パルス列を例示してある。同図において、
Ｔtopは先頭パルスの幅であり、Ｔmpは先頭パルス以外
のパルス（マルチパルスともいう）の幅であり、Ｔclは
最後尾パルスの後ろに付加された下向きパルス（クーリ
ングパルスともいう）の幅である。これらのパルス幅
は、通常、基準クロック幅（１Ｔ）で規格化した値で表
示される。図示する記録パルスストラテジでは、クーリ
ングパルスを含むすべての下向きパルスのパワー（バイ
アスパワーＰｂ）を消去パワーＰｅよりも低く設定して
いる。
【００２７】このような記録パルスストラテジによりレ
ーザービームのパワー変調を行う場合において、溶融領
域後端側におけるセルフイレーズ作用を制御するには、
記録パワーＰｗ、Ｔmp、クーリングパルスのパワー（図
示例ではバイアスパワーＰｂ）、Ｔclおよび消去パワー
Ｐｅの少なくとも１つを制御すればよい。具体的には、
記録層の組成や媒体の構造など、溶融領域の結晶化に関
与する要素に応じて適宜選択すればよいが、通常、少な
くとも記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅおよびＴclの少
なくとも１つを制御することが好ましい。
ーザービームのパワー変調を行う場合において、溶融領
域後端側におけるセルフイレーズ作用を制御するには、
記録パワーＰｗ、Ｔmp、クーリングパルスのパワー（図
示例ではバイアスパワーＰｂ）、Ｔclおよび消去パワー
Ｐｅの少なくとも１つを制御すればよい。具体的には、
記録層の組成や媒体の構造など、溶融領域の結晶化に関
与する要素に応じて適宜選択すればよいが、通常、少な
くとも記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅおよびＴclの少
なくとも１つを制御することが好ましい。
【００２８】このようにセルフイレーズ作用により記録
マーク長を制御すれば、記録マーク幅設定の自由度が高
くなる。例えば、記録パワーおよび記録パワー照射後の
パワー（クーリングパルスパワーおよび／または消去パ
ワー）をいずれも高くすることにより、すなわち、大面
積を溶融させ、かつ、溶融領域後端部における結晶化面
積を大きくすることにより、幅広の記録マークを所定の
長さに形成でき、一方、記録パワーおよび記録パワー照
射後のパワーをいずれも低くすることにより、すなわ
ち、小面積を溶融させ、かつ、溶融領域後端部における
結晶化面積を小さくすることにより、幅の狭い記録マー
クを前記所定の長さに形成できる。したがって、案内溝
（グルーブ）内および案内溝間の領域（ランド）の一方
だけを記録トラックとする場合には、記録トラックから
はみ出る程度の十分に幅広の記録マークを形成すること
ができ、また、グルーブおよびランドの両方を記録トラ
ックとするランド・グルーブ記録に適用する場合には、
記録マークが記録トラックからはみ出さない範囲で幅広
の記録マークを形成できるので、いずれの場合でも高い
再生出力が得られる。
マーク長を制御すれば、記録マーク幅設定の自由度が高
くなる。例えば、記録パワーおよび記録パワー照射後の
パワー（クーリングパルスパワーおよび／または消去パ
ワー）をいずれも高くすることにより、すなわち、大面
積を溶融させ、かつ、溶融領域後端部における結晶化面
積を大きくすることにより、幅広の記録マークを所定の
長さに形成でき、一方、記録パワーおよび記録パワー照
射後のパワーをいずれも低くすることにより、すなわ
ち、小面積を溶融させ、かつ、溶融領域後端部における
結晶化面積を小さくすることにより、幅の狭い記録マー
クを前記所定の長さに形成できる。したがって、案内溝
（グルーブ）内および案内溝間の領域（ランド）の一方
だけを記録トラックとする場合には、記録トラックから
はみ出る程度の十分に幅広の記録マークを形成すること
ができ、また、グルーブおよびランドの両方を記録トラ
ックとするランド・グルーブ記録に適用する場合には、
記録マークが記録トラックからはみ出さない範囲で幅広
の記録マークを形成できるので、いずれの場合でも高い
再生出力が得られる。
【００２９】このようにセルフイレーズ作用を利用する
場合、記録パワーを変更しても、同時に記録パワー照射
後のパワーを変更すれば、記録マーク長を変化させない
ことが可能である。すなわち、セルフイレーズ作用を利
用すれば、所定長さの記録マークを形成するに際し、選
択できる記録パワーの幅（記録パワーマージン）が広く
なる。
場合、記録パワーを変更しても、同時に記録パワー照射
後のパワーを変更すれば、記録マーク長を変化させない
ことが可能である。すなわち、セルフイレーズ作用を利
用すれば、所定長さの記録マークを形成するに際し、選
択できる記録パワーの幅（記録パワーマージン）が広く
なる。
【００３０】これに対し、記録マーク後端の形成にセル
フイレーズ作用を利用しない場合には、例えば上記特開
平９−７１７６号公報の図２に示されるように、記録マ
ーク後端部が前端部と同様なラウンド形状になってしま
う。そして、その場合において記録マークを短くする
と、記録マーク長の短縮に伴って記録マーク幅も縮まっ
てしまうので、記録マークの面積が不足して十分な出力
が得られなくなる。また、セルフイレーズ作用を利用し
ない場合には、記録マーク長が実質的に記録パワーだけ
によって決定されるので、記録パワーマージンが狭くな
る。
フイレーズ作用を利用しない場合には、例えば上記特開
平９−７１７６号公報の図２に示されるように、記録マ
ーク後端部が前端部と同様なラウンド形状になってしま
う。そして、その場合において記録マークを短くする
と、記録マーク長の短縮に伴って記録マーク幅も縮まっ
てしまうので、記録マークの面積が不足して十分な出力
が得られなくなる。また、セルフイレーズ作用を利用し
ない場合には、記録マーク長が実質的に記録パワーだけ
によって決定されるので、記録パワーマージンが狭くな
る。
【００３１】また、記録マーク後端の形成にセルフイレ
ーズ作用を利用すると、記録マークを円形や長円形に形
成する場合に比べ、ジッターを小さくすることができ
る。この効果は、最短記録マークを形成する際に特に顕
著である。記録マーク長が正確で、かつ、記録マーク幅
が十分に広くても、記録マークが円形や長円形である
と、溶融領域後端部のセルフイレーズを利用する場合に
比べジッターが大きくなってしまう。一般には、記録マ
ークの輪郭が凹凸のない対称性の高い形状であるほどジ
ッターが小さくなると信じられている。記録マークを対
称性の低い形状とすることによりジッターが減少するこ
とを見いだしたのは、本発明者らが初めてである。
ーズ作用を利用すると、記録マークを円形や長円形に形
成する場合に比べ、ジッターを小さくすることができ
る。この効果は、最短記録マークを形成する際に特に顕
著である。記録マーク長が正確で、かつ、記録マーク幅
が十分に広くても、記録マークが円形や長円形である
と、溶融領域後端部のセルフイレーズを利用する場合に
比べジッターが大きくなってしまう。一般には、記録マ
ークの輪郭が凹凸のない対称性の高い形状であるほどジ
ッターが小さくなると信じられている。記録マークを対
称性の低い形状とすることによりジッターが減少するこ
とを見いだしたのは、本発明者らが初めてである。
【００３２】セルフイレーズを利用することにより、記
録マーク長に対して相対的に記録マーク幅を大きくで
き、それにより記録マーク長の短縮による再生出力低下
を抑制できるので、セルフイレーズを利用する記録は、
最短記録マークの長さを短くする必要がある場合に特に
有効である。具体的には、最短記録マークの長さをＭL
とし、記録光の波長をλとし、記録光学系の対物レンズ
の開口数をＮＡとしたとき、 ＭL≦０．４λ／ＮＡ となるように最短記録マークを形成する場合に特に有効
である。溶融領域後端におけるセルフイレーズを利用し
ないで微小な記録マークを形成する場合、記録マークが
円形に近くなり、記録マーク幅も記録マーク長と同程度
に狭まるため、再生出力が低くなってしまう。本発明者
らは、ＭL≦０．４λ／ＮＡである記録マークにおい
て、臨界的に再生出力が不十分となることを見いだし
た。これに対しセルフイレーズを利用する方法では、記
録マーク長に対し記録マーク幅を大きくできるので、Ｍ
L≦０．４λ／ＮＡとなる場合でも十分な記録マーク幅
が確保でき、その結果、十分な再生出力が得られる。
録マーク長に対して相対的に記録マーク幅を大きくで
き、それにより記録マーク長の短縮による再生出力低下
を抑制できるので、セルフイレーズを利用する記録は、
最短記録マークの長さを短くする必要がある場合に特に
有効である。具体的には、最短記録マークの長さをＭL
とし、記録光の波長をλとし、記録光学系の対物レンズ
の開口数をＮＡとしたとき、 ＭL≦０．４λ／ＮＡ となるように最短記録マークを形成する場合に特に有効
である。溶融領域後端におけるセルフイレーズを利用し
ないで微小な記録マークを形成する場合、記録マークが
円形に近くなり、記録マーク幅も記録マーク長と同程度
に狭まるため、再生出力が低くなってしまう。本発明者
らは、ＭL≦０．４λ／ＮＡである記録マークにおい
て、臨界的に再生出力が不十分となることを見いだし
た。これに対しセルフイレーズを利用する方法では、記
録マーク長に対し記録マーク幅を大きくできるので、Ｍ
L≦０．４λ／ＮＡとなる場合でも十分な記録マーク幅
が確保でき、その結果、十分な再生出力が得られる。
【００３３】図１および図２において記録マーク後端付
近に存在する粗大な結晶粒は、溶融領域後端の結晶化に
よって形成されたものである。図１において記録マーク
長のばらつきが小さいのは、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴ
ｅを主成分とする記録層では、溶融領域後端部の冷却速
度分布に応じて結晶化が生じ、冷却速度が結晶化の臨界
値となる位置において結晶化が止まるためと考えられ
る。一方、図２において記録マーク長のばらつきが大き
いのは、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5記録層では、冷却速度の遅い
領域でいったん結晶化が始まると、冷却速度が結晶化の
臨界値となる位置を超えて結晶化が進んだり、前記位置
の手前で結晶化が停止したりするためと考えられる。
近に存在する粗大な結晶粒は、溶融領域後端の結晶化に
よって形成されたものである。図１において記録マーク
長のばらつきが小さいのは、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴ
ｅを主成分とする記録層では、溶融領域後端部の冷却速
度分布に応じて結晶化が生じ、冷却速度が結晶化の臨界
値となる位置において結晶化が止まるためと考えられ
る。一方、図２において記録マーク長のばらつきが大き
いのは、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5記録層では、冷却速度の遅い
領域でいったん結晶化が始まると、冷却速度が結晶化の
臨界値となる位置を超えて結晶化が進んだり、前記位置
の手前で結晶化が停止したりするためと考えられる。
【００３４】なお、本発明の光記録媒体は、溶融領域後
端付近におけるセルフイレーズ作用を利用する方法以外
の記録にも適用できる。すなわち、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂお
よびＴｅを主成分とする記録層を用いることによる効果
は、溶融領域の一部を結晶化することにより記録マーク
長を制御する記録方法のすべてにおいて実現する。
端付近におけるセルフイレーズ作用を利用する方法以外
の記録にも適用できる。すなわち、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂお
よびＴｅを主成分とする記録層を用いることによる効果
は、溶融領域の一部を結晶化することにより記録マーク
長を制御する記録方法のすべてにおいて実現する。
【００３５】また、微小な記録マークの熱安定性を向上
させる効果は、セルフイレーズ作用を利用しない場合で
も実現する。
させる効果は、セルフイレーズ作用を利用しない場合で
も実現する。
【００３６】本発明の光記録媒体が有する相変化型の記
録層は、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、好
ましくは副成分としてＧｅおよび／またはＮを含有す
る。主成分構成元素の原子比を 式Ｉ ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd で表したとき、好ましくは ａ＝０．０２〜０．２０、 ｂ＝０．０２〜０．２０、 ｃ＝０．３５〜０．８０、 ｄ＝０．０８〜０．４０ であり、より好ましくは ａ＝０．０２〜０．１０、 ｂ＝０．０２〜０．１０、 ｃ＝０．５０〜０．７５、 ｄ＝０．１０〜０．３５ である。
録層は、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、好
ましくは副成分としてＧｅおよび／またはＮを含有す
る。主成分構成元素の原子比を 式Ｉ ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd で表したとき、好ましくは ａ＝０．０２〜０．２０、 ｂ＝０．０２〜０．２０、 ｃ＝０．３５〜０．８０、 ｄ＝０．０８〜０．４０ であり、より好ましくは ａ＝０．０２〜０．１０、 ｂ＝０．０２〜０．１０、 ｃ＝０．５０〜０．７５、 ｄ＝０．１０〜０．３５ である。
【００３７】式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録マー
クの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバーライト
が困難となる。一方、ａが大きすぎると、過剰なＡｇが
記録および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することに
なる。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記
録マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低
くなってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で
保存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや
変調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行
なったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
クの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバーライト
が困難となる。一方、ａが大きすぎると、過剰なＡｇが
記録および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することに
なる。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記
録マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低
くなってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で
保存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや
変調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行
なったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
【００３８】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、記録マー
クの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、また、
信頼性も低くなってしまう。一方、ｂが大きすぎると、
記録マーク以外の反射率が低くなって変調度が低下して
しまう。
クの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、また、
信頼性も低くなってしまう。一方、ｂが大きすぎると、
記録マーク以外の反射率が低くなって変調度が低下して
しまう。
【００３９】式Ｉにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
【００４０】式Ｉにおいてｄが小さすぎると、記録層の
非晶質化が困難となり、信号が記録できなくなる可能性
が生じる。一方、ｄが大きすぎると、結晶転移速度が低
くなりすぎるため、消去が困難となる。
非晶質化が困難となり、信号が記録できなくなる可能性
が生じる。一方、ｄが大きすぎると、結晶転移速度が低
くなりすぎるため、消去が困難となる。
【００４１】記録層中におけるＧｅの含有率は、好まし
くは２５原子％以下、より好ましくは１５原子％以下で
ある。Ｇｅの含有率が高すぎると、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系記録材料としての特性が発現しにくくなる。な
お、Ｇｅ添加による再生耐久性向上効果を十分に発揮さ
せるためには、Ｇｅ含有率を好ましくは１原子％以上、
より好ましくは２原子％以上とする。
くは２５原子％以下、より好ましくは１５原子％以下で
ある。Ｇｅの含有率が高すぎると、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ系記録材料としての特性が発現しにくくなる。な
お、Ｇｅ添加による再生耐久性向上効果を十分に発揮さ
せるためには、Ｇｅ含有率を好ましくは１原子％以上、
より好ましくは２原子％以上とする。
【００４２】ところで、特開平８−２６７９２６号公報
には、 式 ｛（ＡaＢbＣc）1-dＤd｝1-eＥe （上記式において、Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕであ
り、Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉであり、Ｃは、Ｔｅ
および／またはＳｅであり、Ｄは、Ｉｎであるか、Ｉｎ
ならびにＡｌおよび／またはＰであり、Ｅは、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＳｎおよびＰｂから選択される少なくとも１種の元
素である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ０．００１≦ａ≦０．２０、 ０．４０≦ｂ≦０．９０、 ０．１０≦ｃ≦０．５０、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０＜ｄ≦０．０６、 ０．００１≦ｅ≦０．１０ である）で表される相変化型記録層を有する光記録媒体
が記載されている。同公報に記載された相変化型記録層
は、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、Ｇｅを
含み得る点で、本発明が適用される光記録媒体と同様で
ある。しかし同公報記載の発明は、Ｇｅが包含される元
素Ｅを添加することにより、線速度が速い場合でも十分
な消去率を得ようとしたものであり、この点で本発明と
は異なる。同公報には、長さ３５０nm以下の微小な記録
マークにおいて、Ｇｅの添加により臨界的に熱安定性が
向上することは開示されていない。本明細書の実施例に
示すように、微小記録マークの熱安定性はＧｅの添加に
より特異的に向上する。これに対し、上記特開平８−２
６７９２６号公報においてＧｅと並列的に挙げられてい
る他の添加元素では、微小記録マークの熱安定性を向上
させる効果は認められない。
には、 式 ｛（ＡaＢbＣc）1-dＤd｝1-eＥe （上記式において、Ａは、Ａｇおよび／またはＡｕであ
り、Ｂは、Ｓｂおよび／またはＢｉであり、Ｃは、Ｔｅ
および／またはＳｅであり、Ｄは、Ｉｎであるか、Ｉｎ
ならびにＡｌおよび／またはＰであり、Ｅは、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＳｎおよびＰｂから選択される少なくとも１種の元
素である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｅは原子比を表
わし、 ０．００１≦ａ≦０．２０、 ０．４０≦ｂ≦０．９０、 ０．１０≦ｃ≦０．５０、 ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 ０＜ｄ≦０．０６、 ０．００１≦ｅ≦０．１０ である）で表される相変化型記録層を有する光記録媒体
が記載されている。同公報に記載された相変化型記録層
は、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とし、Ｇｅを
含み得る点で、本発明が適用される光記録媒体と同様で
ある。しかし同公報記載の発明は、Ｇｅが包含される元
素Ｅを添加することにより、線速度が速い場合でも十分
な消去率を得ようとしたものであり、この点で本発明と
は異なる。同公報には、長さ３５０nm以下の微小な記録
マークにおいて、Ｇｅの添加により臨界的に熱安定性が
向上することは開示されていない。本明細書の実施例に
示すように、微小記録マークの熱安定性はＧｅの添加に
より特異的に向上する。これに対し、上記特開平８−２
６７９２６号公報においてＧｅと並列的に挙げられてい
る他の添加元素では、微小記録マークの熱安定性を向上
させる効果は認められない。
【００４３】記録層にＮを含有させるには、例えばＡｒ
等の希ガスに加えて窒素ガスを含有する雰囲気中でスパ
ッタを行って記録層を形成すればよい。このときの雰囲
気ガスの流量比（窒素ガス／希ガス）は、Ｎ添加による
効果が十分に発現し、かつ、Ｎ含有率が過剰とならない
ように設定すればよいが、好ましくは２／１５０〜８／
１５０とする。上記流量比が低すぎると、記録層中のＮ
含有率が低くなりすぎ、その結果、Ｎ添加による効果が
不十分となる。一方、上記流量比が高すぎると、記録層
中のＮ含有率が高くなりすぎ、その結果、相変化に伴う
記録層の反射率差が小さくなって十分な変調度が得られ
なくなる。
等の希ガスに加えて窒素ガスを含有する雰囲気中でスパ
ッタを行って記録層を形成すればよい。このときの雰囲
気ガスの流量比（窒素ガス／希ガス）は、Ｎ添加による
効果が十分に発現し、かつ、Ｎ含有率が過剰とならない
ように設定すればよいが、好ましくは２／１５０〜８／
１５０とする。上記流量比が低すぎると、記録層中のＮ
含有率が低くなりすぎ、その結果、Ｎ添加による効果が
不十分となる。一方、上記流量比が高すぎると、記録層
中のＮ含有率が高くなりすぎ、その結果、相変化に伴う
記録層の反射率差が小さくなって十分な変調度が得られ
なくなる。
【００４４】記録層中には、上記した主成分および副成
分のほか、必要に応じて他の元素が添加されていてもよ
い。このような添加元素としては、元素Ｍ（元素Ｍは、
Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｔ
ｂ、Ｓｎ、ＰｂおよびＹから選択される少なくとも１種
の元素である）が挙げられる。元素Ｍは、書き換え耐久
性を向上させる効果、具体的には、書き換えの繰り返し
による消去率の低下を抑える効果を示す。このような効
果が強力であることから、元素ＭのうちではＶ、Ｔａ、
ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好ましい。記録層中に
おける元素Ｍの含有率は、１０原子％以下であることが
好ましい。元素Ｍの含有率が高すぎると、相変化に伴な
う反射率変化が小さくなって十分な変調度が得られなく
なる。
分のほか、必要に応じて他の元素が添加されていてもよ
い。このような添加元素としては、元素Ｍ（元素Ｍは、
Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｔ
ｂ、Ｓｎ、ＰｂおよびＹから選択される少なくとも１種
の元素である）が挙げられる。元素Ｍは、書き換え耐久
性を向上させる効果、具体的には、書き換えの繰り返し
による消去率の低下を抑える効果を示す。このような効
果が強力であることから、元素ＭのうちではＶ、Ｔａ、
ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好ましい。記録層中に
おける元素Ｍの含有率は、１０原子％以下であることが
好ましい。元素Ｍの含有率が高すぎると、相変化に伴な
う反射率変化が小さくなって十分な変調度が得られなく
なる。
【００４５】記録層は、実質的に上記元素だけが含有さ
れることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換しても
よく、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部
をＳｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／ま
たはＰで置換してもよい。
れることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換しても
よく、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部
をＳｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／ま
たはＰで置換してもよい。
【００４６】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
【００４７】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
【００４８】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
【００４９】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
【００５０】記録層の厚さは、好ましくは９．５〜５０
nm、より好ましくは１３〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう反射
率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎると、記
録層の熱容量が大きくなるため記録が困難となる。ま
た、記録層が厚すぎると、反射率および変調度が低くな
ってしまう。
nm、より好ましくは１３〜３０nmである。記録層が薄す
ぎると結晶相の成長が困難となり、相変化に伴なう反射
率変化が不十分となる。一方、記録層が厚すぎると、記
録層の熱容量が大きくなるため記録が困難となる。ま
た、記録層が厚すぎると、反射率および変調度が低くな
ってしまう。
【００５１】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００５２】記録層の形成は、スパッタ法により行うこ
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
とが好ましい。スパッタ条件は特に限定されず、例え
ば、複数の元素を含む材料をスパッタする際には、合金
ターゲットを用いてもよく、ターゲットを複数個用いる
多元スパッタ法を用いてもよい。
【００５３】本発明では、記録層の組成および記録マー
クの寸法のほかは特に限定されず、これらを満足する光
記録媒体であれば、いずれの構造であっても適用でき
る。
クの寸法のほかは特に限定されず、これらを満足する光
記録媒体であれば、いずれの構造であっても適用でき
る。
【００５４】一般的な相変化型光記録媒体の構成例とし
ては、例えば図５に示すように、基体２上に、第１誘電
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６を順次積層したものが挙げられる。この媒体
では、基体２を通して記録再生光が照射される。
ては、例えば図５に示すように、基体２上に、第１誘電
体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、反射層５およ
び保護層６を順次積層したものが挙げられる。この媒体
では、基体２を通して記録再生光が照射される。
【００５５】また、例えば、図６に示すように、基体２
を通さずに記録再生光を照射する構成としてもよい。こ
の場合、基体２側から、反射層５、第２誘電体層３２、
記録層４、第１誘電体層３１の順に積層し、最後に保護
層６を積層する。
を通さずに記録再生光を照射する構成としてもよい。こ
の場合、基体２側から、反射層５、第２誘電体層３２、
記録層４、第１誘電体層３１の順に積層し、最後に保護
層６を積層する。
【００５６】本発明は、上述した書き換え可能型の相変
化型光記録媒体のほかに、追記型の相変化型光記録媒体
にも適用できる。この場合の追記型媒体とは、記録は可
能であるが、いったん記録された記録マークの消去が不
可能なものである。すなわち、いったん記録された情報
の書き換えが不可能な媒体である。消去が不可能である
とは、どのような条件であっても消去が不可能というわ
けではなく、通常は、書き換え可能型媒体と同じ条件
（消去パワーおよび線速度が同じ）でオーバーライト動
作を行ったときに、記録は可能であるが消去（記録マー
クの結晶化）が不可能であることを意味する。このよう
な追記型媒体は、記録層を結晶化しにくい組成、例えば
結晶化温度の高い組成とすることにより実現できる。た
だし、通常の書き換え可能型媒体であっても、消去パワ
ーを下げるか、媒体の線速度を上げるか、または両者を
併用することにより、追記型媒体として利用することが
できる。
化型光記録媒体のほかに、追記型の相変化型光記録媒体
にも適用できる。この場合の追記型媒体とは、記録は可
能であるが、いったん記録された記録マークの消去が不
可能なものである。すなわち、いったん記録された情報
の書き換えが不可能な媒体である。消去が不可能である
とは、どのような条件であっても消去が不可能というわ
けではなく、通常は、書き換え可能型媒体と同じ条件
（消去パワーおよび線速度が同じ）でオーバーライト動
作を行ったときに、記録は可能であるが消去（記録マー
クの結晶化）が不可能であることを意味する。このよう
な追記型媒体は、記録層を結晶化しにくい組成、例えば
結晶化温度の高い組成とすることにより実現できる。た
だし、通常の書き換え可能型媒体であっても、消去パワ
ーを下げるか、媒体の線速度を上げるか、または両者を
併用することにより、追記型媒体として利用することが
できる。
【００５７】
【実施例】実施例１ 基体としてスライドガラスを用い、その表面に、第１誘
電体層、記録層、第２誘電体層および反射層を順次形成
して、測定用サンプルを作製した。
電体層、記録層、第２誘電体層および反射層を順次形成
して、測定用サンプルを作製した。
【００５８】第１誘電体層は、ＺｎＳ（８０モル％）−
ＳｉＯ2（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気
中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の厚さは
８０nmとした。
ＳｉＯ2（２０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気
中でスパッタ法により形成した。第１誘電体層の厚さは
８０nmとした。
【００５９】記録層は、表１に示す主成分および副成分
を有するものとした。記録層は、ターゲットとしてＡｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金またはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金を用い、Ａｒ雰囲気中またはＡｒ＋Ｎ2雰囲
気中（Ｎ添加の場合）でスパッタ法により形成した。主
成分中の原子比は、 式Ｉ ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd において ａ＝０．０７、 ｂ＝０．０５、 ｃ＝０．５９、 ｄ＝０．２９ とした。記録層の厚さは２３nmとした。記録層中におけ
るＧｅ含有率を表１に示す。また、記録層形成の際の雰
囲気ガスの流量比（Ｎ2／Ａｒ）を表１に示す。
を有するものとした。記録層は、ターゲットとしてＡｇ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金またはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｇｅ合金を用い、Ａｒ雰囲気中またはＡｒ＋Ｎ2雰囲
気中（Ｎ添加の場合）でスパッタ法により形成した。主
成分中の原子比は、 式Ｉ ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd において ａ＝０．０７、 ｂ＝０．０５、 ｃ＝０．５９、 ｄ＝０．２９ とした。記録層の厚さは２３nmとした。記録層中におけ
るＧｅ含有率を表１に示す。また、記録層形成の際の雰
囲気ガスの流量比（Ｎ2／Ａｒ）を表１に示す。
【００６０】第２誘電体層は、ＺｎＳ（５０モル％）−
ＳｉＯ2（５０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気
中でスパッタ法により形成した。第２誘電体層の厚さは
２５nmとした。
ＳｉＯ2（５０モル％）ターゲットを用いてＡｒ雰囲気
中でスパッタ法により形成した。第２誘電体層の厚さは
２５nmとした。
【００６１】反射層は、Ａｒ雰囲気中においてスパッタ
法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子％
Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１００nmとした。
法により形成した。ターゲットにはＡｌ−１．７原子％
Ｃｒを用いた。反射層の厚さは１００nmとした。
【００６２】評価 各サンプルを加熱ステージに載せ、３０℃／分で昇温し
ながら基体２を通してレーザービームを照射し、反射率
が変化する温度を測定することにより記録層４の結晶化
温度を求めた。また、記録層の活性化エネルギーをアレ
ニウス法により求め、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層に
Ｇｅを添加したときの活性化エネルギーの変化を調べ
た。これらの結果を表１に示す。
ながら基体２を通してレーザービームを照射し、反射率
が変化する温度を測定することにより記録層４の結晶化
温度を求めた。また、記録層の活性化エネルギーをアレ
ニウス法により求め、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層に
Ｇｅを添加したときの活性化エネルギーの変化を調べ
た。これらの結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
【００６４】表１に示されるように、副成分としてＧｅ
またはＮを添加することにより結晶化温度が上昇し、ま
た、副成分としてＧｅを添加した場合には、活性化エネ
ルギーが向上する。
またはＮを添加することにより結晶化温度が上昇し、ま
た、副成分としてＧｅを添加した場合には、活性化エネ
ルギーが向上する。
【００６５】なお、表１において、記録層形成時にＮ2
を流さなかった場合の反射率差（結晶質での反射率と非
晶質での反射率との差）は３．６％であったが、Ｎ2／
Ａｒ＝５／１５０としたときの反射率差は３．１％、Ｎ
2／Ａｒ＝１０／１５０としたときの反射率差は２．３
％であり、記録層への窒素添加により変調度が低下する
ことが確認された。
を流さなかった場合の反射率差（結晶質での反射率と非
晶質での反射率との差）は３．６％であったが、Ｎ2／
Ａｒ＝５／１５０としたときの反射率差は３．１％、Ｎ
2／Ａｒ＝１０／１５０としたときの反射率差は２．３
％であり、記録層への窒素添加により変調度が低下する
ことが確認された。
【００６６】実施例２ 射出成形によりグルーブを同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネートを基体とし
て用い、その表面に、実施例１の測定用サンプルNo.１
〜６とそれぞれ同様にして第１誘電体層、記録層、第２
誘電体層および反射層を順次形成して、光記録ディスク
サンプルNo.１〜６を作製した。
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネートを基体とし
て用い、その表面に、実施例１の測定用サンプルNo.１
〜６とそれぞれ同様にして第１誘電体層、記録層、第２
誘電体層および反射層を順次形成して、光記録ディスク
サンプルNo.１〜６を作製した。
【００６７】記録層をバルクイレーザーにより初期化
（結晶化）した後、各サンプルを光記録媒体評価装置に
載せ、 レーザー波長：６３８nm、 開口数ＮＡ：０．６、 線速：３．５m/s 記録信号：記録マーク長２５０nmに相当する周波数の単
一信号、 の条件でオーバーライトを行った。記録パルスストラテ
ジは、図４に例示するパターンとし、 Ｔtop：Ｔmp：Ｔcl＝０．５：０．３：０．５、 マルチパルスの数＝１、 Ｐｗ＝１１．０mW、 Ｐｅ＝５．０mW、 Ｐｂ＝０．５mW とした。次に、各サンプルを８０℃・８０％ＲＨの環境
下で１００時間保存した。
（結晶化）した後、各サンプルを光記録媒体評価装置に
載せ、 レーザー波長：６３８nm、 開口数ＮＡ：０．６、 線速：３．５m/s 記録信号：記録マーク長２５０nmに相当する周波数の単
一信号、 の条件でオーバーライトを行った。記録パルスストラテ
ジは、図４に例示するパターンとし、 Ｔtop：Ｔmp：Ｔcl＝０．５：０．３：０．５、 マルチパルスの数＝１、 Ｐｗ＝１１．０mW、 Ｐｅ＝５．０mW、 Ｐｂ＝０．５mW とした。次に、各サンプルを８０℃・８０％ＲＨの環境
下で１００時間保存した。
【００６８】保存の前後において記録マーク形成トラッ
クの平均反射率を測定し、その変化を調べた。高温環境
下での保存によって記録マークが結晶化した場合、平均
反射率が変化することになる。また、比較のために、記
録マーク長が６２０nmとなる単一信号を記録した場合に
ついても、同様に反射率を測定した。ただし、記録マー
ク長が６２０nmの場合は、トラックの平均反射率ではな
く記録マークの反射率を測定した。記録マーク長を６２
０nmとした場合には、すべてのサンプルで反射率の変化
は認められなかったが、記録マーク長を２５０nmとした
場合には、副成分を添加しない記録層を有するサンプル
No.１においてだけ、平均反射率が変化した。
クの平均反射率を測定し、その変化を調べた。高温環境
下での保存によって記録マークが結晶化した場合、平均
反射率が変化することになる。また、比較のために、記
録マーク長が６２０nmとなる単一信号を記録した場合に
ついても、同様に反射率を測定した。ただし、記録マー
ク長が６２０nmの場合は、トラックの平均反射率ではな
く記録マークの反射率を測定した。記録マーク長を６２
０nmとした場合には、すべてのサンプルで反射率の変化
は認められなかったが、記録マーク長を２５０nmとした
場合には、副成分を添加しない記録層を有するサンプル
No.１においてだけ、平均反射率が変化した。
【００６９】また、記録マーク長を１５０nmとし、８０
℃・８０％ＲＨの環境下で保存した後、平均反射率を測
定したところ、サンプルNo.１では５０時間の保存によ
り平均反射率が変化したのに対し、他のサンプルでは１
００時間保存後にも平均反射率の変化は認められなかっ
た。
℃・８０％ＲＨの環境下で保存した後、平均反射率を測
定したところ、サンプルNo.１では５０時間の保存によ
り平均反射率が変化したのに対し、他のサンプルでは１
００時間保存後にも平均反射率の変化は認められなかっ
た。
【００７０】サンプルNo.２について、長さ２５０nmの
記録マークを形成した後の記録層の透過型電子顕微鏡写
真を、図１に示す。また、記録層の組成をＧｅ2Ｓｂ2Ｔ
ｅ5としたほかは上記各サンプルと同様にして光記録デ
ィスクサンプルを作製し、これに長さ２５０nmの記録マ
ークを形成した後、記録層の透過型電子顕微鏡写真を撮
影した。この写真を図２に示す。なお、図２に示すサン
プルでは、記録パルスストラテジにおいて Ｔtop：Ｔmp：Ｔcl＝０．５：０．２２：０．５ とした。そのほかの記録条件は図１のサンプルと同様と
した。
記録マークを形成した後の記録層の透過型電子顕微鏡写
真を、図１に示す。また、記録層の組成をＧｅ2Ｓｂ2Ｔ
ｅ5としたほかは上記各サンプルと同様にして光記録デ
ィスクサンプルを作製し、これに長さ２５０nmの記録マ
ークを形成した後、記録層の透過型電子顕微鏡写真を撮
影した。この写真を図２に示す。なお、図２に示すサン
プルでは、記録パルスストラテジにおいて Ｔtop：Ｔmp：Ｔcl＝０．５：０．２２：０．５ とした。そのほかの記録条件は図１のサンプルと同様と
した。
【００７１】図１と図２との比較から、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系記録層において記録マーク形状の歪みが小さ
いことが明らかである。表１に示すサンプルNo.１、３
〜６についても、図１と同様に、粗大な結晶粒によって
記録マーク後端形状が大きく影響を受けることはなかっ
た。
ｂ−Ｔｅ系記録層において記録マーク形状の歪みが小さ
いことが明らかである。表１に示すサンプルNo.１、３
〜６についても、図１と同様に、粗大な結晶粒によって
記録マーク後端形状が大きく影響を受けることはなかっ
た。
【００７２】なお、ＭW／ＭLは、図１において１．８以
上、図２において２．２以上であった。
上、図２において２．２以上であった。
【００７３】実施例３ 実施例２で作製したサンプルNo.３に、１０回オーバー
ライトを繰り返して、長さ３００nmの記録マークを形成
した。記録後のサンプルを８０℃・８０％ＲＨの高温・
高湿環境下で保存し、保存時間と反射率との関係を調べ
た。なお、この反射率は、記録マークの反射率である。
また、比較のために、前記特開平８−２６７９２６号公
報において、Ｇｅと共に添加元素として挙げられている
元素（Ｓｉ、Ｓｎ）を５原子％添加した記録層を有する
サンプルも作製し、これらについても、上記高温・高湿
環境下での保存時間と反射率との関係を調べた。これら
の結果を図７に示す。なお、図７において縦軸の規格化
反射率とは、保存前の反射率で規格化した反射率であ
る。
ライトを繰り返して、長さ３００nmの記録マークを形成
した。記録後のサンプルを８０℃・８０％ＲＨの高温・
高湿環境下で保存し、保存時間と反射率との関係を調べ
た。なお、この反射率は、記録マークの反射率である。
また、比較のために、前記特開平８−２６７９２６号公
報において、Ｇｅと共に添加元素として挙げられている
元素（Ｓｉ、Ｓｎ）を５原子％添加した記録層を有する
サンプルも作製し、これらについても、上記高温・高湿
環境下での保存時間と反射率との関係を調べた。これら
の結果を図７に示す。なお、図７において縦軸の規格化
反射率とは、保存前の反射率で規格化した反射率であ
る。
【００７４】図７から、Ｇｅ以外の元素を添加した場合
は、３００時間以下の保存で反射率が著しく上昇してお
り、記録マークが結晶化してしまったことがわかる。こ
れに対しＧｅを添加した場合、１０００時間後において
も反射率に変化は認められない。この結果から、微小マ
ークの安定性向上に関するＧｅ添加の効果が明らかであ
る。
は、３００時間以下の保存で反射率が著しく上昇してお
り、記録マークが結晶化してしまったことがわかる。こ
れに対しＧｅを添加した場合、１０００時間後において
も反射率に変化は認められない。この結果から、微小マ
ークの安定性向上に関するＧｅ添加の効果が明らかであ
る。
【００７５】次に、記録層の主組成を 式Ｉ ＡｇaＩｎbＳｂcＴｅd において ａ＝０．０６、 ｂ＝０．０４、 ｃ＝０．６２、 ｄ＝０．２８ とし、記録層へのＧｅ添加量を０〜２原子％の範囲で変
えたほかは上記サンプルNo.３と同様にしてサンプルを
作製し、各サンプルに長さ３００nmの記録マークを形成
した後、上記と同じ高温・高湿環境下での保存試験を行
った。結果を図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示す。な
お、図８（Ａ）は、記録層を初期化後、１回だけ記録を
行ったサンプルについての結果を示しており、図８
（Ｂ）は、初期化後に１０００回のオーバーライトを行
ったサンプルについての結果を示している。また、Ｇｅ
添加量は図に示してある。
えたほかは上記サンプルNo.３と同様にしてサンプルを
作製し、各サンプルに長さ３００nmの記録マークを形成
した後、上記と同じ高温・高湿環境下での保存試験を行
った。結果を図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示す。な
お、図８（Ａ）は、記録層を初期化後、１回だけ記録を
行ったサンプルについての結果を示しており、図８
（Ｂ）は、初期化後に１０００回のオーバーライトを行
ったサンプルについての結果を示している。また、Ｇｅ
添加量は図に示してある。
【００７６】図８（Ａ）から、Ｇｅ添加により、保存後
の反射率の上昇が著しく抑制されることがわかる。特
に、Ｇｅ添加量が１原子％以上であると、２００時間保
存後においても反射率はほとんど上昇しないことがわか
る。また、図８（Ｂ）から、Ｇｅ添加量が２原子％であ
ると、１０００回オーバーライト後に２００時間保存し
た場合においても反射率がほとんど上昇しないことがわ
かる。
の反射率の上昇が著しく抑制されることがわかる。特
に、Ｇｅ添加量が１原子％以上であると、２００時間保
存後においても反射率はほとんど上昇しないことがわか
る。また、図８（Ｂ）から、Ｇｅ添加量が２原子％であ
ると、１０００回オーバーライト後に２００時間保存し
た場合においても反射率がほとんど上昇しないことがわ
かる。
【００７７】
【発明の効果】本発明によれば、形状および寸法の安定
した微小記録マークを相変化型光記録媒体に形成するこ
とができる。また、微小記録マークの熱的安定性を向上
させることができる。
した微小記録マークを相変化型光記録媒体に形成するこ
とができる。また、微小記録マークの熱的安定性を向上
させることができる。
【図１】結晶構造を示す図面代用写真であって、Ａｇ、
Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする相変化型記録層の
透過型電子顕微鏡写真である。
Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成分とする相変化型記録層の
透過型電子顕微鏡写真である。
【図２】結晶構造を示す図面代用写真であって、Ｇｅ2
Ｓｂ2Ｔｅ5からなる相変化型記録層の透過型電子顕微鏡
写真である。
Ｓｂ2Ｔｅ5からなる相変化型記録層の透過型電子顕微鏡
写真である。
【図３】記録マークの模式図である。
【図４】記録パルスストラテジの例を示す図である。
【図５】光記録媒体の構成例を示す断面図である。
【図６】光記録媒体の構成例を示す断面図である。
【図７】高温・高湿環境下での保存時間と光記録媒体の
規格化反射率との関係を示すグラフである。
規格化反射率との関係を示すグラフである。
【図８】（Ａ）および（Ｂ）は、高温・高湿環境下での
保存時間と光記録媒体の規格化反射率との関係を示すグ
ラフである。
保存時間と光記録媒体の規格化反射率との関係を示すグ
ラフである。
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 相変化型の記録層を有し、この記録層に
形成される記録マークの最短長さが３５０nm以下であ
り、この記録層が、Ａｇ、Ｉｎ、ＳｂおよびＴｅを主成
分とする光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層が、副成分としてＧｅおよび／ま
たはＮを含有する請求項１の光記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11303048A JP2000229478A (ja) | 1998-12-09 | 1999-10-25 | 光記録媒体 |
| US09/456,298 US6169722B1 (en) | 1998-12-09 | 1999-12-08 | Phase change type optical recording medium having minute length recorded marks |
| EP99124035A EP1011101A1 (en) | 1998-12-09 | 1999-12-09 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36853998 | 1998-12-09 | ||
| JP10-368539 | 1998-12-09 | ||
| JP11303048A JP2000229478A (ja) | 1998-12-09 | 1999-10-25 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000229478A true JP2000229478A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=26563366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11303048A Pending JP2000229478A (ja) | 1998-12-09 | 1999-10-25 | 光記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6169722B1 (ja) |
| EP (1) | EP1011101A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000229478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458298B1 (ko) * | 2000-10-10 | 2004-11-26 | 티디케이가부시기가이샤 | 광기록방법 및 광기록매체 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000322740A (ja) * | 1999-05-12 | 2000-11-24 | Ricoh Co Ltd | 光記録媒体及びその記録方法 |
| JP2000339751A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-08 | Ricoh Co Ltd | 相変化形光記録媒体 |
| JP2001199166A (ja) | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP4255202B2 (ja) * | 2000-06-20 | 2009-04-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録方法 |
| JP2002079757A (ja) | 2000-06-23 | 2002-03-19 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US6886177B2 (en) | 2000-08-14 | 2005-04-26 | Ricoh Company, Ltd. | Phase-change type optical information recording medium |
| US7038978B2 (en) * | 2000-11-21 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording and reproducing apparatus for recording information bits into an optical disk in a three dimensional arrangement |
| WO2002043060A1 (fr) * | 2000-11-27 | 2002-05-30 | Tdk Corporation | Moyen d'enregistrement optique |
| WO2002052547A2 (en) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of recording memory |
| TW565835B (en) * | 2001-01-10 | 2003-12-11 | Ricoh Kk | Phase change optical recording medium |
| EP1251499A3 (en) * | 2001-03-28 | 2006-10-25 | TDK Corporation | Readout method and apparatus for optical information medium |
| JP4814476B2 (ja) | 2001-04-20 | 2011-11-16 | Ｔｄｋ株式会社 | 光情報媒体の再生方法 |
| EP1426940B1 (en) * | 2001-09-12 | 2008-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using it |
| JP2003123252A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Hitachi Ltd | 情報記録方法および情報記録装置 |
| WO2004079726A1 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for two dimensional control of mark size on an optical disc, write strategy for such a method, recording medium and recorder using two dimensional control of mark size |
| JP4012934B1 (ja) * | 2005-03-02 | 2007-11-28 | 株式会社リコー | 光記録媒体及び多層型光記録媒体を用いた光記録方法及び光記録装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664541B1 (en) * | 1994-01-19 | 2000-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System comprising an optical disk and an optical disk apparatus |
| US5838657A (en) * | 1994-02-02 | 1998-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | High density optical disc and optical disc player |
| US5785828A (en) * | 1994-12-13 | 1998-07-28 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target for producing optical recording medium |
| US5737301A (en) * | 1995-06-01 | 1998-04-07 | Hitachi, Ltd. | Laser control for setting average recording power of "1" equal to average recording power of "0" |
| WO1997024719A1 (en) * | 1995-12-28 | 1997-07-10 | Sony Corporation | Optical disk |
| JP2983920B2 (ja) * | 1996-06-18 | 1999-11-29 | 三洋電機株式会社 | 互換再生可能なピックアップ調整用光記録媒体およびその調整方法 |
| TW372314B (en) * | 1996-11-25 | 1999-10-21 | Hitachi Maxell | Data recording medium and data regeneration apparatus thereof |
| EP1146509B1 (en) * | 1997-03-27 | 2005-03-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical information recording medium |
| JPH10289479A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-27 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPH10302321A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Sony Corp | 光ディスクおよび光ディスク製造方法 |
| US6046968A (en) * | 1997-07-24 | 2000-04-04 | Hewlett-Packard Company | Re-writable optical disk having reference clock information permanently formed on the disk |
-
1999
- 1999-10-25 JP JP11303048A patent/JP2000229478A/ja active Pending
- 1999-12-08 US US09/456,298 patent/US6169722B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-09 EP EP99124035A patent/EP1011101A1/en not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458298B1 (ko) * | 2000-10-10 | 2004-11-26 | 티디케이가부시기가이샤 | 광기록방법 및 광기록매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6169722B1 (en) | 2001-01-02 |
| EP1011101A1 (en) | 2000-06-21 |
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