JP2000229903A - ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法 - Google Patents
ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/45—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by condensation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 医薬または農薬の中間体として有用な特定
のベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 一般式(I): 【化1】 (式中、R1、R2およびR4は、H、Hal、NO2、CN、OH、
トリアルキルシリル、置換可アルキル、置換可シクロア
ルキル、置換可アルコキシ、置換可アルキルチオ、置換
可カルボキシル、置換可アリールまたは置換可アリール
オキシであり、R 3は、H、Hal、NO2、CN、OH、置換可ア
ルキル、置換可シクロアルキル、置換可アルコキシ、置
換可アルキルチオ、置換可カルボキシル、X1SO2NH
−、X2CO2−、X3SO−、X4SO2−、X5SO3−
または(X6Y1)2P(=Y2)Y3−である)で表され
る化合物の製造方法であって、一般式(II): 【化2】 (式中、R1およびR2は前述の通り)で表される化合物
と、一般式(III): 【化3】 (式中、R3およびR4は前述の通り)で表される化合物
とを、遷移金属触媒、亜鉛および溶媒の存在下で反応さ
せる方法。
のベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 一般式(I): 【化1】 (式中、R1、R2およびR4は、H、Hal、NO2、CN、OH、
トリアルキルシリル、置換可アルキル、置換可シクロア
ルキル、置換可アルコキシ、置換可アルキルチオ、置換
可カルボキシル、置換可アリールまたは置換可アリール
オキシであり、R 3は、H、Hal、NO2、CN、OH、置換可ア
ルキル、置換可シクロアルキル、置換可アルコキシ、置
換可アルキルチオ、置換可カルボキシル、X1SO2NH
−、X2CO2−、X3SO−、X4SO2−、X5SO3−
または(X6Y1)2P(=Y2)Y3−である)で表され
る化合物の製造方法であって、一般式(II): 【化2】 (式中、R1およびR2は前述の通り)で表される化合物
と、一般式(III): 【化3】 (式中、R3およびR4は前述の通り)で表される化合物
とを、遷移金属触媒、亜鉛および溶媒の存在下で反応さ
せる方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明の一般式(I)で表され
るベンジルフェニルケトン誘導体は各種化学品、医薬、
農薬等の中間体として有用な化合物である。
るベンジルフェニルケトン誘導体は各種化学品、医薬、
農薬等の中間体として有用な化合物である。
【0002】
【従来の技術】後記一般式(I)で表されるベンジルフェ
ニルケトン誘導体は、特開平5−279312号、特開
平4−270248号、日本特許第2805255号な
どに記載されており、例えばフリーデルクラフツ法、グ
リニアール法など従来から公知の方法の他、これら公報
に記載された方法によっても製造することができる。し
かしながら、これらの製造方法では、R1、R2、R3お
よびR4などの置換基の種類および置換位置によっては
製造困難であるか、あるいは反応工程数の多い複雑な製
造工程によってしか製造できなかった。
ニルケトン誘導体は、特開平5−279312号、特開
平4−270248号、日本特許第2805255号な
どに記載されており、例えばフリーデルクラフツ法、グ
リニアール法など従来から公知の方法の他、これら公報
に記載された方法によっても製造することができる。し
かしながら、これらの製造方法では、R1、R2、R3お
よびR4などの置換基の種類および置換位置によっては
製造困難であるか、あるいは反応工程数の多い複雑な製
造工程によってしか製造できなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、従来の方法では製造困難であるか、あるい
は反応工程数の多い複雑な製造工程によってしか製造で
きなかった特定のベンジルフェニルケトン誘導体を一反
応工程で、効率よく製造することである。
する課題は、従来の方法では製造困難であるか、あるい
は反応工程数の多い複雑な製造工程によってしか製造で
きなかった特定のベンジルフェニルケトン誘導体を一反
応工程で、効率よく製造することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(I):
【0005】
【化4】
【0006】(式中、R1、R2およびR4は各々独立し
て、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水
酸基、トリアルキルシリル基、置換されてもよいアルキ
ル基、置換されてもよいシクロアルキル基、置換されて
もよいアルコキシ基、置換されてもよいアルキルチオ
基、置換されてもよいカルボキシル基、置換されてもよ
いアリール基または置換されてもよいアリールオキシ基
であり、R3は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基、水酸基、置換されてもよいアルキル基、置換さ
れてもよいシクロアルキル基、置換されてもよいアルコ
キシ基、置換されてもよいアルキルチオ基、置換されて
もよいカルボキシル基、X1SO2NH−基、X2CO2−
基、X3SO−基、X4SO2−基、X5SO3−基、また
は(X6Y1)2P(=Y2)Y3−基である。X1、X2、
X3、X4およびX5は、各々独立して、置換されてもよ
いアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、置換さ
れてもよいアルケニル基または置換されてもよいアリー
ル基であり、X6は、置換されてもよいアルキル基、置
換されてもよいアルケニル基または置換されてもよいア
リール基であり、Y1、Y2およびY3は、各々独立して
酸素原子または硫黄原子である。)で表されるベンジル
フェニルケトン誘導体の製造方法であって、一般式(I
I):
て、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水
酸基、トリアルキルシリル基、置換されてもよいアルキ
ル基、置換されてもよいシクロアルキル基、置換されて
もよいアルコキシ基、置換されてもよいアルキルチオ
基、置換されてもよいカルボキシル基、置換されてもよ
いアリール基または置換されてもよいアリールオキシ基
であり、R3は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基、水酸基、置換されてもよいアルキル基、置換さ
れてもよいシクロアルキル基、置換されてもよいアルコ
キシ基、置換されてもよいアルキルチオ基、置換されて
もよいカルボキシル基、X1SO2NH−基、X2CO2−
基、X3SO−基、X4SO2−基、X5SO3−基、また
は(X6Y1)2P(=Y2)Y3−基である。X1、X2、
X3、X4およびX5は、各々独立して、置換されてもよ
いアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、置換さ
れてもよいアルケニル基または置換されてもよいアリー
ル基であり、X6は、置換されてもよいアルキル基、置
換されてもよいアルケニル基または置換されてもよいア
リール基であり、Y1、Y2およびY3は、各々独立して
酸素原子または硫黄原子である。)で表されるベンジル
フェニルケトン誘導体の製造方法であって、一般式(I
I):
【0007】
【化5】
【0008】(式中、Halはハロゲン原子であり、R1お
よびR2は前述の通り。)で表される化合物と、一般式
(III):
よびR2は前述の通り。)で表される化合物と、一般式
(III):
【化6】 (式中、Hal'はハロゲン原子であり、R3およびR4は前
述の通り。)で表される化合物とを、遷移金属触媒、亜
鉛および溶媒の存在下で反応させることを特徴とする前
記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法に関する。
述の通り。)で表される化合物とを、遷移金属触媒、亜
鉛および溶媒の存在下で反応させることを特徴とする前
記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法に関する。
【0009】一般式(I)、(II)および(III)に含まれ
る置換されてもよいアルキル基、置換されてもよいアル
コキシ基、置換されてもよいアルキルチオ基の置換基と
しては、ハロゲン原子;ハロゲン原子で置換されてもよ
いアルコキシ基;ハロゲン原子で置換されてもよいアル
キル基あるいはハロゲン原子で置換されてもよいフェニ
ル基;ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基ある
いはハロゲン原子で置換されてもよいフェノキシ基;シ
アノ基;アルキルアミノ基;またはアルコキシカルボニ
ル基などが挙げられる。
る置換されてもよいアルキル基、置換されてもよいアル
コキシ基、置換されてもよいアルキルチオ基の置換基と
しては、ハロゲン原子;ハロゲン原子で置換されてもよ
いアルコキシ基;ハロゲン原子で置換されてもよいアル
キル基あるいはハロゲン原子で置換されてもよいフェニ
ル基;ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基ある
いはハロゲン原子で置換されてもよいフェノキシ基;シ
アノ基;アルキルアミノ基;またはアルコキシカルボニ
ル基などが挙げられる。
【0010】一般式(I)、(II)および(III)に含まれ
る置換されてもよいカルボキシル基とはカルボキシル基
中の水素原子が他の置換基で置換されたものであって、
その置換基としては、ハロゲン原子で置換されてもよい
アルキル基;ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル
基あるいはハロゲン原子で置換されてもよいアリール基
などが挙げられる。
る置換されてもよいカルボキシル基とはカルボキシル基
中の水素原子が他の置換基で置換されたものであって、
その置換基としては、ハロゲン原子で置換されてもよい
アルキル基;ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル
基あるいはハロゲン原子で置換されてもよいアリール基
などが挙げられる。
【0011】一般式(I)、(II)および(III)に含まれ
る置換されてもよいシクロアルキル基、置換されてもよ
いアリール基または置換されてもよいアリールオキシ基
の置換基としては、ハロゲン原子;ハロゲン原子で置換
されてもよいアルコキシ基;ハロゲン原子で置換されて
もよいアルキル基;ハロゲン原子で置換されてもよいア
ルキル基あるいはハロゲン原子で置換されてもよいフェ
ニル基;ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基あ
るいはハロゲン原子で置換されてもよいフェノキシ基;
シアノ基;アルキルアミノ基;またはアルコキシカルボ
ニル基などが挙げられる。
る置換されてもよいシクロアルキル基、置換されてもよ
いアリール基または置換されてもよいアリールオキシ基
の置換基としては、ハロゲン原子;ハロゲン原子で置換
されてもよいアルコキシ基;ハロゲン原子で置換されて
もよいアルキル基;ハロゲン原子で置換されてもよいア
ルキル基あるいはハロゲン原子で置換されてもよいフェ
ニル基;ハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基あ
るいはハロゲン原子で置換されてもよいフェノキシ基;
シアノ基;アルキルアミノ基;またはアルコキシカルボ
ニル基などが挙げられる。
【0012】一般式(I)および(III)に含まれる置換さ
れてもよいアルケニル基の置換基としては、ハロゲン原
子;ハロゲン原子で置換されてもよいアルコキシ基;ハ
ロゲン原子で置換されてもよいアルキル基あるいはハロ
ゲン原子で置換されてもよいフェニル基;ハロゲン原子
で置換されてもよいアルキル基あるいはハロゲン原子で
置換されてもよいフェノキシ基;シアノ基;アルキルア
ミノ基;またはアルコキシカルボニル基などが挙げられ
る。
れてもよいアルケニル基の置換基としては、ハロゲン原
子;ハロゲン原子で置換されてもよいアルコキシ基;ハ
ロゲン原子で置換されてもよいアルキル基あるいはハロ
ゲン原子で置換されてもよいフェニル基;ハロゲン原子
で置換されてもよいアルキル基あるいはハロゲン原子で
置換されてもよいフェノキシ基;シアノ基;アルキルア
ミノ基;またはアルコキシカルボニル基などが挙げられ
る。
【0013】一般式(I)、(II)および(III)に含まれ
るアルキル基またはアルキル部分としては炭素数1〜6
のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、一般式
(I)および(III)に含まれるアルケニル基またはアルケ
ニル部分としては炭素数2〜6のもの、例えばビニル
基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセ
ニル基などが挙げられ、上記各基または各部分は直鎖ま
たは枝分かれ脂肪鎖の構造異性のものも含む。また、一
般式(I)、(II)および(III)に含まれるシクロアルキ
ル基またはシクロアルキル部分としては炭素数3〜6の
もの、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられ、アリール
基としては例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げら
れ、ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、沃素原子が挙げられる。また、一般式(I
I)の化合物において、Halで表されるハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙
げられるが、塩素原子が望ましい。一般式(III)の化合
物において、Hal'で表されるハロゲン原子としては、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられる
が、塩素原子または臭素原子が望ましく、臭素原子が特
に望ましい。
るアルキル基またはアルキル部分としては炭素数1〜6
のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、一般式
(I)および(III)に含まれるアルケニル基またはアルケ
ニル部分としては炭素数2〜6のもの、例えばビニル
基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセ
ニル基などが挙げられ、上記各基または各部分は直鎖ま
たは枝分かれ脂肪鎖の構造異性のものも含む。また、一
般式(I)、(II)および(III)に含まれるシクロアルキ
ル基またはシクロアルキル部分としては炭素数3〜6の
もの、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シク
ロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられ、アリール
基としては例えばフェニル基、ナフチル基などが挙げら
れ、ハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原
子、臭素原子、沃素原子が挙げられる。また、一般式(I
I)の化合物において、Halで表されるハロゲン原子とし
ては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙
げられるが、塩素原子が望ましい。一般式(III)の化合
物において、Hal'で表されるハロゲン原子としては、フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子が挙げられる
が、塩素原子または臭素原子が望ましく、臭素原子が特
に望ましい。
【0014】一般式(I)で表される化合物は、酸性物
質あるいは塩基性物質との塩をとりうる。その酸性物質
との塩としては、例えば塩酸塩、硫酸塩のような無機酸
塩などが挙げられ、また塩基性物質との塩としてはナト
リウム塩、カリウム塩、カルシウム塩、アンモニウム
塩、ジメチルアミン塩などの無機塩基あるいは有機塩基
との塩が挙げられる。
質あるいは塩基性物質との塩をとりうる。その酸性物質
との塩としては、例えば塩酸塩、硫酸塩のような無機酸
塩などが挙げられ、また塩基性物質との塩としてはナト
リウム塩、カリウム塩、カルシウム塩、アンモニウム
塩、ジメチルアミン塩などの無機塩基あるいは有機塩基
との塩が挙げられる。
【0015】一般式(I)の化合物のうち、特に、R1お
よびR2が各々独立にハロゲン原子または水素原子であ
り、R3およびR4が各々独立にハロアルキル基または水
素原子である化合物が望ましい。例えば以下に示す化合
物が挙げられる。 (1)4'−クロロ−2−(4−トリフルオロメチルフ
ェニル)アセトフェノン (2)4'−フルオロ−2−(4−トリフルオロメチル
フェニル)アセトフェノン (3)4'−ブロモ−2−(4−トリフルオロメチルフ
ェニル)アセトフェノン (4)4'−フルオロ−2−(3−トリフルオロメチル
フェニル)アセトフェノン
よびR2が各々独立にハロゲン原子または水素原子であ
り、R3およびR4が各々独立にハロアルキル基または水
素原子である化合物が望ましい。例えば以下に示す化合
物が挙げられる。 (1)4'−クロロ−2−(4−トリフルオロメチルフ
ェニル)アセトフェノン (2)4'−フルオロ−2−(4−トリフルオロメチル
フェニル)アセトフェノン (3)4'−ブロモ−2−(4−トリフルオロメチルフ
ェニル)アセトフェノン (4)4'−フルオロ−2−(3−トリフルオロメチル
フェニル)アセトフェノン
【0016】本発明の反応における一般式(II)および
(III)の化合物の使用量は、それぞれの化合物の種
類、その他後記する反応条件の相違などによって異な
り、一概に規定できないが、通常一般式(II)の化合物
1モルに対して一般式(III)の化合物が0.8〜1.
2モル、望ましくは0.95〜1.0モルの割合で使用
される。
(III)の化合物の使用量は、それぞれの化合物の種
類、その他後記する反応条件の相違などによって異な
り、一概に規定できないが、通常一般式(II)の化合物
1モルに対して一般式(III)の化合物が0.8〜1.
2モル、望ましくは0.95〜1.0モルの割合で使用
される。
【0017】上記反応の反応温度および反応時間は、一
般式(II)および一般式(III)の化合物の種類、その
他後記する反応条件の相違などによって異なり一概に規
定できないが、反応温度通常0〜40℃であり、反応時
間は通常10分〜12時間望ましくは20分〜6時間で
ある。
般式(II)および一般式(III)の化合物の種類、その
他後記する反応条件の相違などによって異なり一概に規
定できないが、反応温度通常0〜40℃であり、反応時
間は通常10分〜12時間望ましくは20分〜6時間で
ある。
【0018】遷移金属触媒としては、種々のものを用い
ることができるが、((C6H5)3P)4Ni、((C6H5)3P)2NiC
l2、((C6H5)3P)4Pd、((C6H5)3P)2PdCl2、(C6H5CN)2PdCl
2、(CH 3COO)2PdおよびPdCl2から成る群より選ばれた少
なくとも1種を用いるのが望ましい。ここで、(C6H5)3P
はトリフェニルホスフィンを意味し、C6H5CNはベンゾニ
トリルを意味する。遷移金属触媒の使用量は、一般式
(III)の化合物に対して1〜20mol%、望ましくは5
〜10mol%である。また、亜鉛の使用量は、一般式(I
II)の化合物に対して1〜5倍モル、望ましくは2〜3
倍モルである。
ることができるが、((C6H5)3P)4Ni、((C6H5)3P)2NiC
l2、((C6H5)3P)4Pd、((C6H5)3P)2PdCl2、(C6H5CN)2PdCl
2、(CH 3COO)2PdおよびPdCl2から成る群より選ばれた少
なくとも1種を用いるのが望ましい。ここで、(C6H5)3P
はトリフェニルホスフィンを意味し、C6H5CNはベンゾニ
トリルを意味する。遷移金属触媒の使用量は、一般式
(III)の化合物に対して1〜20mol%、望ましくは5
〜10mol%である。また、亜鉛の使用量は、一般式(I
II)の化合物に対して1〜5倍モル、望ましくは2〜3
倍モルである。
【0019】上記反応は、遷移金属触媒、亜鉛および溶
媒の存在下で行う必要がある。遷移金属触媒と亜鉛を予
め溶媒に溶解しておき、この溶媒中で上記反応を行うの
が望ましい。
媒の存在下で行う必要がある。遷移金属触媒と亜鉛を予
め溶媒に溶解しておき、この溶媒中で上記反応を行うの
が望ましい。
【0020】上記反応で使用できる溶媒としては、テト
ラヒドロフラン、アセトニトリル、ジオキサン、1,2
−ジメトキシエタンなどが挙げられるが、1,2−ジメ
トキシエタンを使用するのが望ましい。上記反応におけ
る溶媒の使用量は一般式(II)、(III)の化合物の種
類、遷移金属触媒の種類、その他後記する反応条件の相
違などによって異なり一概に規定できないが、一般式
(II)の化合物1重量部に対して通常5〜50重量部、
望ましくは10〜20重量部の割合で溶媒が使用され
る。
ラヒドロフラン、アセトニトリル、ジオキサン、1,2
−ジメトキシエタンなどが挙げられるが、1,2−ジメ
トキシエタンを使用するのが望ましい。上記反応におけ
る溶媒の使用量は一般式(II)、(III)の化合物の種
類、遷移金属触媒の種類、その他後記する反応条件の相
違などによって異なり一概に規定できないが、一般式
(II)の化合物1重量部に対して通常5〜50重量部、
望ましくは10〜20重量部の割合で溶媒が使用され
る。
【0021】以上のように述べてきた上記反応における
種々の条件、すなわち一般式(II)、(III)の化合物
および遷移金属触媒の使用量、一般式(II)、(III)
の化合物および遷移金属触媒の種類によって変わる種々
の反応条件、反応温度ならびに反応時間各々の設定に際
しては、各々の条件毎に示された通常範囲の数値と望ま
しい範囲の数値から適宜相互に選択し、組み合わせるこ
とができる。
種々の条件、すなわち一般式(II)、(III)の化合物
および遷移金属触媒の使用量、一般式(II)、(III)
の化合物および遷移金属触媒の種類によって変わる種々
の反応条件、反応温度ならびに反応時間各々の設定に際
しては、各々の条件毎に示された通常範囲の数値と望ま
しい範囲の数値から適宜相互に選択し、組み合わせるこ
とができる。
【0022】上記反応の終了後、目的物である一般式
(I)の化合物を含む反応系から常法により単離し、必
要に応じて蒸留法、再結晶法などにより精製することに
より目追的物を製造することができる。
(I)の化合物を含む反応系から常法により単離し、必
要に応じて蒸留法、再結晶法などにより精製することに
より目追的物を製造することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明における実施形態として
は、前記した反応諸条件すなわち、一般式(II)の化
合物の種類および/または使用量、一般式(III)の
化合物の種類および/または使用量、遷移金属触媒の
種類および/または使用量、溶媒の種類および/また
は使用量、反応温度、反応時間などを各々適宜組み
合わせたものを挙げることができる。また、次に本発明
における望ましい実施形態のうちのいくつかを例示す
る。 (1)一般式(II)の化合物として、R1およびR2が各
々独立にハロゲン原子または水素原子である化合物を使
用した前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法。 (2)一般式(III)の化合物として、R3およびR4が
各々独立にハロアルキル基または水素原子である化合物
を使用した前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方
法。 (3)一般式(II)の化合物として、R1およびR2が各
々独立にハロゲン原子または水素原子である化合物を使
用し、一般式(III)の化合物として、R3およびR4が
各々独立にハロアルキル基または水素原子である化合物
を使用する前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方
法。 (4)一般式(II)の化合物のHalが塩素原子である前
記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法。 (5)一般式(III)の化合物のHal'が塩素原子または
臭素原子である前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製
造方法。 (6)一般式(III)の化合物のHal'が臭素原子である
前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法。
は、前記した反応諸条件すなわち、一般式(II)の化
合物の種類および/または使用量、一般式(III)の
化合物の種類および/または使用量、遷移金属触媒の
種類および/または使用量、溶媒の種類および/また
は使用量、反応温度、反応時間などを各々適宜組み
合わせたものを挙げることができる。また、次に本発明
における望ましい実施形態のうちのいくつかを例示す
る。 (1)一般式(II)の化合物として、R1およびR2が各
々独立にハロゲン原子または水素原子である化合物を使
用した前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法。 (2)一般式(III)の化合物として、R3およびR4が
各々独立にハロアルキル基または水素原子である化合物
を使用した前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方
法。 (3)一般式(II)の化合物として、R1およびR2が各
々独立にハロゲン原子または水素原子である化合物を使
用し、一般式(III)の化合物として、R3およびR4が
各々独立にハロアルキル基または水素原子である化合物
を使用する前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方
法。 (4)一般式(II)の化合物のHalが塩素原子である前
記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法。 (5)一般式(III)の化合物のHal'が塩素原子または
臭素原子である前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製
造方法。 (6)一般式(III)の化合物のHal'が臭素原子である
前記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法。
【0024】
【実施例】本発明をより詳しく述べるため、以下に実施
例を記載するが、これらは本発明を限定するものではな
い。実施例1 窒素雰囲気下で、亜鉛2.19g(32mmol)と、ビス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリ
ド0.59g(0.8mmol)とを1,2−ジメトキシエ
タン80ml中で懸濁させた。このようにして得られた懸
濁溶液に、4−トリフルオロメチルベンジルブロミド4
g(17mmol)と、4−フルオロベンゾイルクロリド
2.79g(18mmol)との混合溶液を室温で徐々に滴
下した。滴下終了後、1時間攪拌を続けた後、反応溶液
にエーテル200mlと水100mlとを加えて攪拌した。
不溶物をセライトを通して濾別後抽出を行い、有機層を
水洗後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去
後、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離
液:酢酸エチル/n−ヘキサン=1/9)で精製するこ
とにより、融点89.7℃の4'−フルオロ−2−(4
−トリフルオロメチルフェニル)アセトフェノン3.4
6gを得た(収率73%)。実施例2 窒素雰囲気下で、亜鉛2.19g(32mmol)と、ビス
(トリフェニルホスフィン)ニッケル(II)ジクロライ
ド0.55g(0.8mmol)とを1,2−ジメトキシエ
タン80ml中で懸濁させた。このようにして得られた懸
濁溶液に、4−トリフルオロメチルベンジルブロミド4
g(17mmol)と、4−フルオロベンゾイルクロリド
2.79g(18mmol)との混合溶液を室温で徐々に滴
下した。滴下終了後、3時間攪拌を続けた後、反応溶液
にエーテル200mlと水100mlとを加えて攪拌した。
不溶物をセライトを通して濾別後抽出を行い、有機層を
水洗後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去
後、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離
液:酢酸エチル/n−ヘキサン=1/9)で精製するこ
とにより、融点89.7℃の4'−フルオロ−2−(4
−トリフルオロメチルフェニル)アセトフェノン1.0
3gを得た(収率22%)。
例を記載するが、これらは本発明を限定するものではな
い。実施例1 窒素雰囲気下で、亜鉛2.19g(32mmol)と、ビス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリ
ド0.59g(0.8mmol)とを1,2−ジメトキシエ
タン80ml中で懸濁させた。このようにして得られた懸
濁溶液に、4−トリフルオロメチルベンジルブロミド4
g(17mmol)と、4−フルオロベンゾイルクロリド
2.79g(18mmol)との混合溶液を室温で徐々に滴
下した。滴下終了後、1時間攪拌を続けた後、反応溶液
にエーテル200mlと水100mlとを加えて攪拌した。
不溶物をセライトを通して濾別後抽出を行い、有機層を
水洗後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去
後、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離
液:酢酸エチル/n−ヘキサン=1/9)で精製するこ
とにより、融点89.7℃の4'−フルオロ−2−(4
−トリフルオロメチルフェニル)アセトフェノン3.4
6gを得た(収率73%)。実施例2 窒素雰囲気下で、亜鉛2.19g(32mmol)と、ビス
(トリフェニルホスフィン)ニッケル(II)ジクロライ
ド0.55g(0.8mmol)とを1,2−ジメトキシエ
タン80ml中で懸濁させた。このようにして得られた懸
濁溶液に、4−トリフルオロメチルベンジルブロミド4
g(17mmol)と、4−フルオロベンゾイルクロリド
2.79g(18mmol)との混合溶液を室温で徐々に滴
下した。滴下終了後、3時間攪拌を続けた後、反応溶液
にエーテル200mlと水100mlとを加えて攪拌した。
不溶物をセライトを通して濾別後抽出を行い、有機層を
水洗後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去
後、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離
液:酢酸エチル/n−ヘキサン=1/9)で精製するこ
とにより、融点89.7℃の4'−フルオロ−2−(4
−トリフルオロメチルフェニル)アセトフェノン1.0
3gを得た(収率22%)。
【0025】
【発明の効果】本発明により、従来の方法では製造困難
あるか反応工程数の多い複雑な製造工程によってしか製
造できなかった特定のベンジルフェニルケトン誘導体
を、1反応工程のみからなる方法によって、効率よく製
造することが可能となった。
あるか反応工程数の多い複雑な製造工程によってしか製
造できなかった特定のベンジルフェニルケトン誘導体
を、1反応工程のみからなる方法によって、効率よく製
造することが可能となった。
Claims (5)
- 【請求項1】 一般式(I): 【化1】 (式中、R1、R2およびR4は各々独立して、水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、トリ
アルキルシリル基、置換されてもよいアルキル基、置換
されてもよいシクロアルキル基、置換されてもよいアル
コキシ基、置換されてもよいアルキルチオ基、置換され
てもよいカルボキシル基、置換されてもよいアリール基
または置換されてもよいアリールオキシ基であり、R3
は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸
基、置換されてもよいアルキル基、置換されてもよいシ
クロアルキル基、置換されてもよいアルコキシ基、置換
されてもよいアルキルチオ基、置換されてもよいカルボ
キシル基、X1SO2NH−基、X2CO2−基、X3SO
−基、X4SO2−基、X5SO3−基、または(X6Y1)
2P(=Y2)Y3−基である。X1、X2、X3、X4およ
びX5は、各々独立して、置換されてもよいアルキル
基、置換されてもよいアルコキシ基、置換されてもよい
アルケニル基または置換されてもよいアリール基であ
り、X6は、置換されてもよいアルキル基、置換されて
もよいアルケニル基または置換されてもよいアリール基
であり、Y1、Y2およびY3は、各々独立して酸素原子
または硫黄原子である。)で表されるベンジルフェニル
ケトン誘導体の製造方法であって、 一般式(II): 【化2】 (式中、Halはハロゲン原子であり、R1およびR2は前
述の通り。)で表される化合物と、一般式(III): 【化3】 (式中、Hal'はハロゲン原子であり、R3およびR4は前
述の通り。)で表される化合物とを、遷移金属触媒、亜
鉛および溶媒の存在下で反応させることを特徴とする前
記ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法。 - 【請求項2】 一般式(II)の化合物のHalが塩素原子であ
り、一般式(III)の化合物のHal'が臭素原子である請求
項1の製造方法。 - 【請求項3】 R1およびR2が各々独立にハロゲン原子
または水素原子であり、R3およびR4が各々独立にハロ
アルキル基または水素原子である請求項1の製造方法。 - 【請求項4】 遷移金属触媒が、((C6H5)3P)4Ni、((C
6H5)3P)2NiCl2、((C6H5)3P)4Pd、((C6H5)3P)2PdCl2、(C
6H5CN)2PdCl2、(CH3COO)2PdおよびPdCl2から成る群より
選ばれた少なくとも1種である請求項1の製造方法。 - 【請求項5】 溶媒として1,2−ジメトキシエタンを
使用することを特徴とする請求項1の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11033402A JP2000229903A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11033402A JP2000229903A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000229903A true JP2000229903A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12385613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11033402A Pending JP2000229903A (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | ベンジルフェニルケトン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000229903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956132B2 (en) | 2001-08-03 | 2005-10-18 | Ishihara Sangyo Kaisha. Ltd. | Process for producing 2-phenylacetophenone derivatives and precursors therefor |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP11033402A patent/JP2000229903A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956132B2 (en) | 2001-08-03 | 2005-10-18 | Ishihara Sangyo Kaisha. Ltd. | Process for producing 2-phenylacetophenone derivatives and precursors therefor |
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