JP2000231749A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁界変調方式により光磁気記録がなされる光
磁気記録媒体において、記録磁界強度がある程度変化し
ても安定な記録特性を示すようにする。 【解決手段】 ＴｂＦｅＣｏＣｒからなる信号記録層を
有し、当該信号記録層に対して磁界変調方式により光磁
気記録がなされる光磁気記録媒体を製造する際に、信号
記録層を、当該信号記録層中のＴｂ及びＣｒの合計の含
有量を２４±１[原子％]として成膜する。そして、信号
記録層を成膜した後、３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]
〜１００００×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の水蒸気露
出、又は１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０
-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行い、当該信号記録
層の表面を酸化させる。
磁気記録媒体において、記録磁界強度がある程度変化し
ても安定な記録特性を示すようにする。 【解決手段】 ＴｂＦｅＣｏＣｒからなる信号記録層を
有し、当該信号記録層に対して磁界変調方式により光磁
気記録がなされる光磁気記録媒体を製造する際に、信号
記録層を、当該信号記録層中のＴｂ及びＣｒの合計の含
有量を２４±１[原子％]として成膜する。そして、信号
記録層を成膜した後、３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]
〜１００００×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の水蒸気露
出、又は１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０
-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行い、当該信号記録
層の表面を酸化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、希土類−遷移金属
合金薄膜からなる信号記録層を有し、当該信号記録層に
対して磁界変調方式により光磁気記録がなされる光磁気
記録媒体、及びその製造方法に関する。
合金薄膜からなる信号記録層を有し、当該信号記録層に
対して磁界変調方式により光磁気記録がなされる光磁気
記録媒体、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な高密度記録媒体として、
垂直磁気異方性を有する希土類−遷移金属合金薄膜から
なる信号記録層を有し、光磁気記録により記録信号が記
録される光磁気記録媒体が実用化されている。
垂直磁気異方性を有する希土類−遷移金属合金薄膜から
なる信号記録層を有し、光磁気記録により記録信号が記
録される光磁気記録媒体が実用化されている。
【０００３】光磁気記録では、信号記録層にレーザ光を
照射して当該信号記録層内の微少な領域を昇温させると
ともに、レーザ光の照射により昇温させた領域周辺に２
００±１００エルステッド程度の記録磁界を印加する。
これにより、信号記録層のうち、レーザ光の照射により
昇温させた領域についてだけ、その磁化方向を記録信号
に応じた方向に変化させる。これにより、記録信号が信
号記録層の磁化方向として記録される。
照射して当該信号記録層内の微少な領域を昇温させると
ともに、レーザ光の照射により昇温させた領域周辺に２
００±１００エルステッド程度の記録磁界を印加する。
これにより、信号記録層のうち、レーザ光の照射により
昇温させた領域についてだけ、その磁化方向を記録信号
に応じた方向に変化させる。これにより、記録信号が信
号記録層の磁化方向として記録される。
【０００４】このような光磁気記録の方式には、大別し
て、光強度変調方式と磁界変調方式とがある。光強度変
調方式は、信号記録層に照射するレーザ光の強度を記録
信号に応じて変調する方式である。また、磁界変調方式
は、信号記録層に印加する記録磁界の強度を記録信号に
応じて変調する方式である。
て、光強度変調方式と磁界変調方式とがある。光強度変
調方式は、信号記録層に照射するレーザ光の強度を記録
信号に応じて変調する方式である。また、磁界変調方式
は、信号記録層に印加する記録磁界の強度を記録信号に
応じて変調する方式である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの光磁気記録方
式のうち、磁界変調方式では、記録信号に応じて記録磁
界の極性を高速に切り替えることとなるが、記録磁界の
極性を高速に切り替えるようにした場合、あまり大きな
磁界を印加することは困難である。したがって、磁界変
調方式を採用する際は、記録磁界の極性を高速に切り替
えたときにも十分な記録を行えるようにするために、１
００エルステッド程度の弱い磁界でも十分な記録を行え
ることが要求される。
式のうち、磁界変調方式では、記録信号に応じて記録磁
界の極性を高速に切り替えることとなるが、記録磁界の
極性を高速に切り替えるようにした場合、あまり大きな
磁界を印加することは困難である。したがって、磁界変
調方式を採用する際は、記録磁界の極性を高速に切り替
えたときにも十分な記録を行えるようにするために、１
００エルステッド程度の弱い磁界でも十分な記録を行え
ることが要求される。
【０００６】したがって、磁界変調方式を採用する場
合、光磁気記録媒体は、記録磁界の大きさが１００エル
ステッド〜３００エルステッド程度の範囲において、ほ
ぼ同等の記録特性を得られなければならない。換言すれ
ば、磁界変調方式用の光磁気記録媒体では、記録磁界強
度がある程度変化しても、記録特性が安定である必要が
ある。
合、光磁気記録媒体は、記録磁界の大きさが１００エル
ステッド〜３００エルステッド程度の範囲において、ほ
ぼ同等の記録特性を得られなければならない。換言すれ
ば、磁界変調方式用の光磁気記録媒体では、記録磁界強
度がある程度変化しても、記録特性が安定である必要が
ある。
【０００７】このような要求に応えるために、信号記録
層を積層構造として、当該信号記録層の特性を改良する
手法が考案されている。しかしながら、信号記録層を積
層構造にすると、製造工程が複雑化してしまうという問
題がある。
層を積層構造として、当該信号記録層の特性を改良する
手法が考案されている。しかしながら、信号記録層を積
層構造にすると、製造工程が複雑化してしまうという問
題がある。
【０００８】そこで、信号記録層の表面を酸化させるこ
とで、当該信号記録層の特性を改良する手法も考案され
ている。信号記録層の表面を酸化させることで、信号記
録層が実質的に２層構造となり、これにより、信号記録
層の特性を改良することができる。すなわち、信号記録
層の表面を酸化することで、複数種の磁性材料を用いて
信号記録層を形成しなくても、実質的に積層構造を有す
る信号記録層が得られ、信号記録層の特性を改良するこ
とができる。
とで、当該信号記録層の特性を改良する手法も考案され
ている。信号記録層の表面を酸化させることで、信号記
録層が実質的に２層構造となり、これにより、信号記録
層の特性を改良することができる。すなわち、信号記録
層の表面を酸化することで、複数種の磁性材料を用いて
信号記録層を形成しなくても、実質的に積層構造を有す
る信号記録層が得られ、信号記録層の特性を改良するこ
とができる。
【０００９】しかしながら、信号記録層を酸化すれば特
性が良くなるとは限らず、酸化条件によっては、特性が
劣化してしまう場合もある。特に、信号記録層を酸化さ
せ過ぎると、出来上がった磁気記録媒体の記録特性が大
幅に劣化してしまう。
性が良くなるとは限らず、酸化条件によっては、特性が
劣化してしまう場合もある。特に、信号記録層を酸化さ
せ過ぎると、出来上がった磁気記録媒体の記録特性が大
幅に劣化してしまう。
【００１０】本発明は、以上のような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、磁界変調方式により光磁気記
録がなされる光磁気記録媒体として、信号記録層を酸化
させることにより、記録磁界強度がある程度変化しても
安定な記録特性を示すようにした光磁気記録媒体、及び
その製造方法を提供することを目的としている。
て提案されたものであり、磁界変調方式により光磁気記
録がなされる光磁気記録媒体として、信号記録層を酸化
させることにより、記録磁界強度がある程度変化しても
安定な記録特性を示すようにした光磁気記録媒体、及び
その製造方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光磁気記録
媒体は、希土類−遷移金属合金薄膜からなる信号記録層
を有し、当該信号記録層に対して磁界変調方式により光
磁気記録がなされる光磁気記録媒体である。そして、信
号記録層はＴｂＦｅＣｏからなり、当該信号記録層の表
面に酸化層を有し、且つ、当該信号記録層中のＴｂの含
有量が、２３．５±１[原子％]であることを特徴とす
る。
媒体は、希土類−遷移金属合金薄膜からなる信号記録層
を有し、当該信号記録層に対して磁界変調方式により光
磁気記録がなされる光磁気記録媒体である。そして、信
号記録層はＴｂＦｅＣｏからなり、当該信号記録層の表
面に酸化層を有し、且つ、当該信号記録層中のＴｂの含
有量が、２３．５±１[原子％]であることを特徴とす
る。
【００１２】以上のような本発明に係る光磁気記録媒体
では、信号記録層の組成が上述のように規定され、且つ
当該信号記録層の表面が酸化されてなることにより、記
録磁界の大きさが１００エルステッド〜３００エルステ
ッド程度の範囲において、ほぼ同等の記録特性が得られ
る。
では、信号記録層の組成が上述のように規定され、且つ
当該信号記録層の表面が酸化されてなることにより、記
録磁界の大きさが１００エルステッド〜３００エルステ
ッド程度の範囲において、ほぼ同等の記録特性が得られ
る。
【００１３】また、本発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法では、ＴｂＦｅＣｏＣｒからなる信号記録層を有し
当該信号記録層に対して磁界変調方式により光磁気記録
がなされる光磁気記録媒体を製造する際に、信号記録層
を当該信号記録層中のＴｂ及びＣｒの合計の含有量を２
４±１[原子％]として成膜する。そして、信号記録層を
成膜した後、３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００
００×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の水蒸気露出、又は１
０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０- 6[Ｔｏｒ
ｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行い、当該信号記録層の表面
を酸化させる。
方法では、ＴｂＦｅＣｏＣｒからなる信号記録層を有し
当該信号記録層に対して磁界変調方式により光磁気記録
がなされる光磁気記録媒体を製造する際に、信号記録層
を当該信号記録層中のＴｂ及びＣｒの合計の含有量を２
４±１[原子％]として成膜する。そして、信号記録層を
成膜した後、３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００
００×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の水蒸気露出、又は１
０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０- 6[Ｔｏｒ
ｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行い、当該信号記録層の表面
を酸化させる。
【００１４】以上のような本発明に係る光磁気記録媒体
の製造方法では、信号記録層の組成を上述のように規定
し、且つ、当該信号記録層を上述のような条件にて酸化
させることで、光磁気記録媒体の記録特性を、記録磁界
の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッド程
度の範囲において、ほぼ同等のものとすることができ
る。
の製造方法では、信号記録層の組成を上述のように規定
し、且つ、当該信号記録層を上述のような条件にて酸化
させることで、光磁気記録媒体の記録特性を、記録磁界
の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッド程
度の範囲において、ほぼ同等のものとすることができ
る。
【００１５】また、本発明に係る光磁気記録媒体の製造
方法では、ＴｂＦｅＣｏからなる信号記録層を有し当該
信号記録層に対して磁界変調方式により光磁気記録がな
される光磁気記録媒体を製造する際に、信号記録層を当
該信号記録層中のＴｂの含有量を２３．５±１[原子％]
として成膜する。そして、信号記録層を成膜した後、３
０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００００×１０
-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の水蒸気露出、又は１０×１０-6
[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]
の酸素露出を行い、当該信号記録層の表面を酸化させ
る。
方法では、ＴｂＦｅＣｏからなる信号記録層を有し当該
信号記録層に対して磁界変調方式により光磁気記録がな
される光磁気記録媒体を製造する際に、信号記録層を当
該信号記録層中のＴｂの含有量を２３．５±１[原子％]
として成膜する。そして、信号記録層を成膜した後、３
０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００００×１０
-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の水蒸気露出、又は１０×１０-6
[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]
の酸素露出を行い、当該信号記録層の表面を酸化させ
る。
【００１６】以上のような本発明に係る光磁気記録媒体
の製造方法では、信号記録層の組成を上述のように規定
し、且つ、当該信号記録層を上述のような条件にて酸化
させることで、光磁気記録媒体の記録特性を、記録磁界
の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッド程
度の範囲において、ほぼ同等のものとすることができ
る。
の製造方法では、信号記録層の組成を上述のように規定
し、且つ、当該信号記録層を上述のような条件にて酸化
させることで、光磁気記録媒体の記録特性を、記録磁界
の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッド程
度の範囲において、ほぼ同等のものとすることができ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】本発明を適用した光磁気記録媒体の一例を
図１に示す。この光磁気記録媒体は、磁界変調方式によ
り光磁気記録がなされる光磁気記録媒体であり、ディス
ク基板１の上に、第１の誘電体層２と、信号記録層３
と、信号記録層３の表面が酸化されてなる酸化層４と、
第２の誘電体層５と、光反射層６とがこの順に積層形成
されてなり、それらの積層膜の上に保護層７が形成され
てなる。
図１に示す。この光磁気記録媒体は、磁界変調方式によ
り光磁気記録がなされる光磁気記録媒体であり、ディス
ク基板１の上に、第１の誘電体層２と、信号記録層３
と、信号記録層３の表面が酸化されてなる酸化層４と、
第２の誘電体層５と、光反射層６とがこの順に積層形成
されてなり、それらの積層膜の上に保護層７が形成され
てなる。
【００１９】ディスク基板１は、例えば、ポリカーボネ
ート等のプラスチック材料がディスク状に射出成形され
てなる。このディスク基板１には、サーボ信号やアドレ
ス信号等に対応した凹凸パターンや、記録トラックに沿
って形成されたランドやグルーブ等の凹凸パターンが形
成されていてもよい。また、ランドやグルーブを形成す
るときに、ランドやグルーブを蛇行させることにより、
ランドやグルーブ自体にアドレス情報を付加してもよ
い。
ート等のプラスチック材料がディスク状に射出成形され
てなる。このディスク基板１には、サーボ信号やアドレ
ス信号等に対応した凹凸パターンや、記録トラックに沿
って形成されたランドやグルーブ等の凹凸パターンが形
成されていてもよい。また、ランドやグルーブを形成す
るときに、ランドやグルーブを蛇行させることにより、
ランドやグルーブ自体にアドレス情報を付加してもよ
い。
【００２０】第１の誘電体層２及び第２の誘電体層５
は、例えばＳｉＮからなる。これらの誘電体層２，５が
ＳｉＮからなる場合、当該ＳｉＮは、例えば、Ｓｉター
ゲットを窒素含有雰囲気下でスパッタリングすることに
より成膜する。
は、例えばＳｉＮからなる。これらの誘電体層２，５が
ＳｉＮからなる場合、当該ＳｉＮは、例えば、Ｓｉター
ゲットを窒素含有雰囲気下でスパッタリングすることに
より成膜する。
【００２１】信号記録層３は、垂直磁気異方性を有する
希土類−遷移金属合金薄膜からなり、この光磁気記録媒
体に記録される記録信号は、この信号記録層３の磁化方
向として記録される。
希土類−遷移金属合金薄膜からなり、この光磁気記録媒
体に記録される記録信号は、この信号記録層３の磁化方
向として記録される。
【００２２】この信号記録層３は、ＴｂＦｅＣｏ又はＴ
ｂＦｅＣｏＣｒをスパッタリング法により成膜したもの
である。
ｂＦｅＣｏＣｒをスパッタリング法により成膜したもの
である。
【００２３】信号記録層３がＴｂＦｅＣｏからなる場
合、当該信号記録層３に含まれるＴｂの含有量は、２
３．５±１[原子％]とする。すなわち、信号記録層３の
組成がＴｂx（ＦｅＣｏ）100-xで表せるとき、２２．５
[原子％]≦ｘ≦２４．５[原子％]とする。信号記録層３
の組成をこのように規定することで、後述する実験結果
から分かるように、光磁気記録媒体の記録特性を、記録
磁界の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッ
ドの範囲において、ほぼ同等のものとすることができ
る。
合、当該信号記録層３に含まれるＴｂの含有量は、２
３．５±１[原子％]とする。すなわち、信号記録層３の
組成がＴｂx（ＦｅＣｏ）100-xで表せるとき、２２．５
[原子％]≦ｘ≦２４．５[原子％]とする。信号記録層３
の組成をこのように規定することで、後述する実験結果
から分かるように、光磁気記録媒体の記録特性を、記録
磁界の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッ
ドの範囲において、ほぼ同等のものとすることができ
る。
【００２４】また、信号記録層３がＴｂＦｅＣｏＣｒか
らなる場合、当該信号記録層３に含まれるＴｂ及びＣｒ
の合計の含有量は、２４±１[原子％]とする。すなわ
ち、信号記録層３の組成がＴｂx（ＦｅＣｏ）100-x-yＣ
ｒyで表せるとき、２３[原子％]≦ｘ＋ｙ≦２５[原子
％]とする。信号記録層３の組成をこのように規定する
ことで、後述する実験結果から分かるように、光磁気記
録媒体の記録特性を、記録磁界の大きさが１００エルス
テッド〜３００エルステッドの範囲において、ほぼ同等
のものとすることができる。
らなる場合、当該信号記録層３に含まれるＴｂ及びＣｒ
の合計の含有量は、２４±１[原子％]とする。すなわ
ち、信号記録層３の組成がＴｂx（ＦｅＣｏ）100-x-yＣ
ｒyで表せるとき、２３[原子％]≦ｘ＋ｙ≦２５[原子
％]とする。信号記録層３の組成をこのように規定する
ことで、後述する実験結果から分かるように、光磁気記
録媒体の記録特性を、記録磁界の大きさが１００エルス
テッド〜３００エルステッドの範囲において、ほぼ同等
のものとすることができる。
【００２５】酸化層４は、信号記録層３の成膜後に、当
該信号記録層３の表面を、酸素含有雰囲気又は水蒸気含
有雰囲気に晒して酸化することにより形成されたもので
ある。
該信号記録層３の表面を、酸素含有雰囲気又は水蒸気含
有雰囲気に晒して酸化することにより形成されたもので
ある。
【００２６】ここで、信号記録層３の表面を酸素含有雰
囲気に晒すことを酸素露出と称し、酸素露出時の酸素分
圧と、酸素露出を行った時間との積のことを、酸素露出
量と称する。また、信号記録層の表面を水蒸気含有雰囲
気に晒すことを水蒸気露出と称し、水蒸気露出時の水蒸
気分圧と、水蒸気露出を行った時間との積のことを、水
蒸気露出量と称する。
囲気に晒すことを酸素露出と称し、酸素露出時の酸素分
圧と、酸素露出を行った時間との積のことを、酸素露出
量と称する。また、信号記録層の表面を水蒸気含有雰囲
気に晒すことを水蒸気露出と称し、水蒸気露出時の水蒸
気分圧と、水蒸気露出を行った時間との積のことを、水
蒸気露出量と称する。
【００２７】そして、信号記録層３を、酸素露出により
酸化させることで、酸化層４を形成する場合には、酸素
露出量を１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０
-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]とする。酸化層４の形成時の酸素
露出量をこのように規定することで、後述する実験結果
から分かるように、光磁気記録媒体の記録特性を、記録
磁界の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッ
ドの範囲において、ほぼ同等のものとすることができ
る。
酸化させることで、酸化層４を形成する場合には、酸素
露出量を１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０
-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]とする。酸化層４の形成時の酸素
露出量をこのように規定することで、後述する実験結果
から分かるように、光磁気記録媒体の記録特性を、記録
磁界の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッ
ドの範囲において、ほぼ同等のものとすることができ
る。
【００２８】また、信号記録層３を、水蒸気露出により
酸化させることで、酸化層４を形成する場合には、水蒸
気露出量を３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１０００
０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]とする。酸化層４の形成
時の水蒸気露出量をこのように規定することで、後述す
る実験結果から分かるように、光磁気記録媒体の記録特
性を、記録磁界の大きさが１００エルステッド〜３００
エルステッドの範囲において、ほぼ同等のものとするこ
とができる。
酸化させることで、酸化層４を形成する場合には、水蒸
気露出量を３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１０００
０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]とする。酸化層４の形成
時の水蒸気露出量をこのように規定することで、後述す
る実験結果から分かるように、光磁気記録媒体の記録特
性を、記録磁界の大きさが１００エルステッド〜３００
エルステッドの範囲において、ほぼ同等のものとするこ
とができる。
【００２９】光反射層６は、記録信号の記録再生時に入
射レーザ光を反射するとともに、入射レーザ光の照射に
より昇温した領域の熱を速やかに拡散させるためのもの
である。この光反射層６は、例えばＡｌからなり、スパ
ッタリング法や蒸着法等により成膜されてなる。
射レーザ光を反射するとともに、入射レーザ光の照射に
より昇温した領域の熱を速やかに拡散させるためのもの
である。この光反射層６は、例えばＡｌからなり、スパ
ッタリング法や蒸着法等により成膜されてなる。
【００３０】保護層７は、ディスク基板１の上に積層形
成された積層膜を保護するためのものであり、例えば、
紫外線硬化樹脂からなる。
成された積層膜を保護するためのものであり、例えば、
紫外線硬化樹脂からなる。
【００３１】つぎに、以上のような光磁気記録媒体の製
造方法について、具体的な例を挙げて詳細に説明する。
造方法について、具体的な例を挙げて詳細に説明する。
【００３２】上記光磁気記録媒体を製造する際は、先
ず、ポリカーボネート等のプラスチック材料を射出成形
して、ディスク基板１を作製する。このとき、ディスク
基板１には、サーボ信号やアドレス信号等に対応した凹
凸パターンや、記録トラックに沿って形成されたランド
やグルーブ等の凹凸パターンを形成してもよい。また、
ランドやグルーブを形成するときに、ランドやグルーブ
を蛇行させることにより、ランドやグルーブ自体にアド
レス情報を付加してもよい。
ず、ポリカーボネート等のプラスチック材料を射出成形
して、ディスク基板１を作製する。このとき、ディスク
基板１には、サーボ信号やアドレス信号等に対応した凹
凸パターンや、記録トラックに沿って形成されたランド
やグルーブ等の凹凸パターンを形成してもよい。また、
ランドやグルーブを形成するときに、ランドやグルーブ
を蛇行させることにより、ランドやグルーブ自体にアド
レス情報を付加してもよい。
【００３３】次に、ディスク基板１を真空スパッタリン
グ装置内に投入し、スパッタリング法により、ディスク
基板１の上に第１の誘電体層２を形成する。具体的には
例えば、Ｓｉターゲットを窒素含有雰囲気下でスパッタ
リングすることにより、ディスク基板１の上に、ＳｉＮ
からなる第１の誘電体層２を形成する。
グ装置内に投入し、スパッタリング法により、ディスク
基板１の上に第１の誘電体層２を形成する。具体的には
例えば、Ｓｉターゲットを窒素含有雰囲気下でスパッタ
リングすることにより、ディスク基板１の上に、ＳｉＮ
からなる第１の誘電体層２を形成する。
【００３４】次に、スパッタリング法により、第１の誘
電体層２の上に信号記録層３を形成する。具体的には例
えば、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒからなる合金
ターゲットを、アルゴン雰囲気下でスパッタリングする
ことにより、第１の誘電体層２の上に、ＴｂＦｅＣｏ又
はＴｂＦｅＣｏＣｒからなる信号記録層３を形成する。
電体層２の上に信号記録層３を形成する。具体的には例
えば、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒからなる合金
ターゲットを、アルゴン雰囲気下でスパッタリングする
ことにより、第１の誘電体層２の上に、ＴｂＦｅＣｏ又
はＴｂＦｅＣｏＣｒからなる信号記録層３を形成する。
【００３５】なお、ＴｂＦｅＣｏからなる合金ターゲッ
トを用いる場合、当該合金ターゲットに含まれるＴｂの
含有量は、２３．５±１[原子％]とする。このとき、成
膜された信号記録層３に含まれるＴｂの含有量も、２
３．５±１[原子％]となる。すなわち、信号記録層３の
組成をＴｂx（ＦｅＣｏ）100-xで表したとき、２２．５
[原子％]≦ｘ≦２４．５[原子％]となる。
トを用いる場合、当該合金ターゲットに含まれるＴｂの
含有量は、２３．５±１[原子％]とする。このとき、成
膜された信号記録層３に含まれるＴｂの含有量も、２
３．５±１[原子％]となる。すなわち、信号記録層３の
組成をＴｂx（ＦｅＣｏ）100-xで表したとき、２２．５
[原子％]≦ｘ≦２４．５[原子％]となる。
【００３６】次に、信号記録層３の表面を酸素含有雰囲
気又は水蒸気含有雰囲気に晒し、酸素露出又は水蒸気露
出を行う。これにより、信号記録層３の表面に酸化層４
を形成する。
気又は水蒸気含有雰囲気に晒し、酸素露出又は水蒸気露
出を行う。これにより、信号記録層３の表面に酸化層４
を形成する。
【００３７】ここで、信号記録層３を酸素露出により酸
化させることで、酸化層４を形成する場合には、酸素露
出量を１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０-6
[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]とする。酸化層４の形成時の酸素露
出量をこのように規定することで、後述する実験結果か
ら分かるように、光磁気記録媒体の記録特性を、記録磁
界の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッド
の範囲において、ほぼ同等のものとすることができる。
化させることで、酸化層４を形成する場合には、酸素露
出量を１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０-6
[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]とする。酸化層４の形成時の酸素露
出量をこのように規定することで、後述する実験結果か
ら分かるように、光磁気記録媒体の記録特性を、記録磁
界の大きさが１００エルステッド〜３００エルステッド
の範囲において、ほぼ同等のものとすることができる。
【００３８】また、信号記録層３を水蒸気露出により酸
化させることで、酸化層４を形成する場合には、水蒸気
露出量を３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００００
×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]とする。酸化層４の形成時
の水蒸気露出量をこのように規定することで、後述する
実験結果から分かるように、光磁気記録媒体の記録特性
を、記録磁界の大きさが１００エルステッド〜３００エ
ルステッドの範囲において、ほぼ同等のものとすること
ができる。
化させることで、酸化層４を形成する場合には、水蒸気
露出量を３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００００
×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]とする。酸化層４の形成時
の水蒸気露出量をこのように規定することで、後述する
実験結果から分かるように、光磁気記録媒体の記録特性
を、記録磁界の大きさが１００エルステッド〜３００エ
ルステッドの範囲において、ほぼ同等のものとすること
ができる。
【００３９】次に、スパッタリング法により、酸化層４
の上に第２の誘電体層５を形成する。具体的には例え
ば、Ｓｉターゲットを窒素含有雰囲気下でスパッタリン
グすることにより、酸化層４の上に、ＳｉＮからなる第
２の誘電体層５を形成する。
の上に第２の誘電体層５を形成する。具体的には例え
ば、Ｓｉターゲットを窒素含有雰囲気下でスパッタリン
グすることにより、酸化層４の上に、ＳｉＮからなる第
２の誘電体層５を形成する。
【００４０】次に、スパッタリング法や蒸着法等によ
り、第２の誘電体層５の上に、Ａｌ等からなる光反射層
６を形成する。
り、第２の誘電体層５の上に、Ａｌ等からなる光反射層
６を形成する。
【００４１】次に、光反射層６の上に、紫外線硬化樹脂
等からなる保護層７を形成する。具体的には例えば、ス
ピンコート法により、光反射層６の上に紫外線硬化樹脂
を塗布し、その後、当該紫外線硬化樹脂に紫外線を照射
し硬化させることにより、紫外線硬化樹脂からなる保護
層７を形成する。
等からなる保護層７を形成する。具体的には例えば、ス
ピンコート法により、光反射層６の上に紫外線硬化樹脂
を塗布し、その後、当該紫外線硬化樹脂に紫外線を照射
し硬化させることにより、紫外線硬化樹脂からなる保護
層７を形成する。
【００４２】以上の工程により、図１に示したように、
ディスク基板１の上に第１の誘電体層２、信号記録層
３、酸化層４、第２の誘電体層５、光反射層６及び保護
層７が形成されてなる光磁気記録媒体が完成する。
ディスク基板１の上に第１の誘電体層２、信号記録層
３、酸化層４、第２の誘電体層５、光反射層６及び保護
層７が形成されてなる光磁気記録媒体が完成する。
【００４３】つぎに、以上のような光磁気記録媒体につ
いて、信号記録層３の組成や、酸化層４の形成時の水蒸
気露出量又は酸素露出量を変化させて、複数のサンプル
を作製し、それらの記録特性を評価した結果について説
明する。
いて、信号記録層３の組成や、酸化層４の形成時の水蒸
気露出量又は酸素露出量を変化させて、複数のサンプル
を作製し、それらの記録特性を評価した結果について説
明する。
【００４４】ここで、ディスク基板１は、ポリカーボネ
ート樹脂を射出成形することにより形成した。また、そ
の直径は６５ｍｍ、厚さは１．２ｍｍとした。
ート樹脂を射出成形することにより形成した。また、そ
の直径は６５ｍｍ、厚さは１．２ｍｍとした。
【００４５】第１の誘電体層２は、ＳｉＮにより形成し
た。具体的には、Ｓｉターゲットを窒素含有雰囲気下で
スパッタリングすることにより形成した。このとき、Ｓ
ｉＮの成膜条件は、スパッタパワーを３ｋＷ、スパッタ
ガス圧を５ｍＴｏｒｒとした。また、スパッタガスは、
ＡｒとＮ2の混合ガスとし、ＡｒとＮ2の比率は３：２と
した。
た。具体的には、Ｓｉターゲットを窒素含有雰囲気下で
スパッタリングすることにより形成した。このとき、Ｓ
ｉＮの成膜条件は、スパッタパワーを３ｋＷ、スパッタ
ガス圧を５ｍＴｏｒｒとした。また、スパッタガスは、
ＡｒとＮ2の混合ガスとし、ＡｒとＮ2の比率は３：２と
した。
【００４６】信号記録層３は、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦ
ｅＣｏＣｒにより形成した。具体的には、ＴｂＦｅＣｏ
又はＴｂＦｅＣｏＣｒからなる合金ターゲットをアルゴ
ン雰囲気下でスパッタリングすることにより形成した。
このとき、信号記録層３の成膜条件は、スパッタパワー
を０．８ｋＷ、スパッタガス圧を４ｍＴｏｒｒとした。
ｅＣｏＣｒにより形成した。具体的には、ＴｂＦｅＣｏ
又はＴｂＦｅＣｏＣｒからなる合金ターゲットをアルゴ
ン雰囲気下でスパッタリングすることにより形成した。
このとき、信号記録層３の成膜条件は、スパッタパワー
を０．８ｋＷ、スパッタガス圧を４ｍＴｏｒｒとした。
【００４７】そして、この信号記録層３の組成を各サン
プルで異なるものとした。また、この信号記録層３を酸
素露出又は水蒸気露出により酸化させて酸化層４を形成
するときの水蒸気露出量又は酸素露出量を、各サンプル
で異なるものとした。
プルで異なるものとした。また、この信号記録層３を酸
素露出又は水蒸気露出により酸化させて酸化層４を形成
するときの水蒸気露出量又は酸素露出量を、各サンプル
で異なるものとした。
【００４８】第２の誘電体層５は、ＳｉＮにより形成し
た。具体的には、Ｓｉターゲットを窒素含有雰囲気下で
スパッタリングすることにより形成した。このとき、Ｓ
ｉＮの成膜条件は、スパッタパワーを３ｋＷ、スパッタ
ガス圧を５ｍＴｏｒｒとした。また、スパッタガスは、
ＡｒとＮ2の混合ガスとし、ＡｒとＮ2の比率は３：２と
した。
た。具体的には、Ｓｉターゲットを窒素含有雰囲気下で
スパッタリングすることにより形成した。このとき、Ｓ
ｉＮの成膜条件は、スパッタパワーを３ｋＷ、スパッタ
ガス圧を５ｍＴｏｒｒとした。また、スパッタガスは、
ＡｒとＮ2の混合ガスとし、ＡｒとＮ2の比率は３：２と
した。
【００４９】光反射層６は、Ａｌにより形成した。具体
的には、Ａｌターゲットをアルゴン雰囲気下でスパッタ
リングすることにより形成した。このとき、Ａｌの成膜
条件は、スパッタパワーを２ｋＷ、スパッタガス圧を４
ｍＴｏｒｒとした。
的には、Ａｌターゲットをアルゴン雰囲気下でスパッタ
リングすることにより形成した。このとき、Ａｌの成膜
条件は、スパッタパワーを２ｋＷ、スパッタガス圧を４
ｍＴｏｒｒとした。
【００５０】なお、上述したように、各サンプル毎に、
信号記録層３の組成と、信号記録層３の表面を酸化させ
るときの条件とを変化させた。それら以外については、
記録特性の比較を行うために、各サンプルについて、全
て同一条件とした。
信号記録層３の組成と、信号記録層３の表面を酸化させ
るときの条件とを変化させた。それら以外については、
記録特性の比較を行うために、各サンプルについて、全
て同一条件とした。
【００５１】また、ＴｂＦｅＣｏ又はＴｂＦｅＣｏＣｒ
からなる合金ターゲットの組成をグロー放電質量分析法
により分析するとともに、当該合金ターゲットを用いて
Ｓｉ基板上に５００ｎｍの薄膜を形成し、当該薄膜の組
成をエレクトロンマイクロプローブ分析法（ＥＰＭＡ）
により分析した。その結果、合金ターゲットの組成と、
当該合金ターゲットを用いて成膜された薄膜の組成と
は、ほぼ等しいことが確認された。そこで、信号記録層
３の組成については、当該信号記録層３の成膜に用いた
合金ターゲットの組成を分析し、その値を信号記録層３
の組成を示す値として用いた。
からなる合金ターゲットの組成をグロー放電質量分析法
により分析するとともに、当該合金ターゲットを用いて
Ｓｉ基板上に５００ｎｍの薄膜を形成し、当該薄膜の組
成をエレクトロンマイクロプローブ分析法（ＥＰＭＡ）
により分析した。その結果、合金ターゲットの組成と、
当該合金ターゲットを用いて成膜された薄膜の組成と
は、ほぼ等しいことが確認された。そこで、信号記録層
３の組成については、当該信号記録層３の成膜に用いた
合金ターゲットの組成を分析し、その値を信号記録層３
の組成を示す値として用いた。
【００５２】また、酸素露出により酸化層４を形成する
場合は、Ｏ2をガスボンベから可変バルブにより流量を
調整して導入した。そして、４重極型の質量分析器で酸
素分圧を測定するとともに、酸素雰囲気下に信号記録層
３を晒した時間を計測し、それらの積を算出することで
酸素露出量を求めた。
場合は、Ｏ2をガスボンベから可変バルブにより流量を
調整して導入した。そして、４重極型の質量分析器で酸
素分圧を測定するとともに、酸素雰囲気下に信号記録層
３を晒した時間を計測し、それらの積を算出することで
酸素露出量を求めた。
【００５３】同様に、水蒸気露出により酸化層４を形成
する場合は、Ｈ2Ｏをガスボンベから可変バルブにより
流量を調整して導入した。そして、４重極型の質量分析
器で水蒸気分圧を測定するとともに、水蒸気雰囲気下に
信号記録層３を晒した時間を計測し、それらの積を算出
することで水蒸気露出量を求めた。
する場合は、Ｈ2Ｏをガスボンベから可変バルブにより
流量を調整して導入した。そして、４重極型の質量分析
器で水蒸気分圧を測定するとともに、水蒸気雰囲気下に
信号記録層３を晒した時間を計測し、それらの積を算出
することで水蒸気露出量を求めた。
【００５４】また、各サンプルの記録特性を測定する際
は、先ず、磁界変調方式による光磁気記録により記録信
号を記録した。このとき、線速度を１．２ｍ／ｓｅｃで
一定として、７２０ｋＨｚの単一周波数信号を、一部の
領域に記録磁界を３００エルステッドとして記録すると
ともに、他の領域に記録磁界を１００エルステッドとし
て記録した。その後、その記録信号を再生してＣ／Ｎを
測定した。
は、先ず、磁界変調方式による光磁気記録により記録信
号を記録した。このとき、線速度を１．２ｍ／ｓｅｃで
一定として、７２０ｋＨｚの単一周波数信号を、一部の
領域に記録磁界を３００エルステッドとして記録すると
ともに、他の領域に記録磁界を１００エルステッドとし
て記録した。その後、その記録信号を再生してＣ／Ｎを
測定した。
【００５５】そして、記録磁界を３００エルステッドと
して記録した信号を再生したときのＣ／Ｎと、記録磁界
を１００エルステッドとして記録した信号を再生したと
きのＣ／Ｎとの差ΔＣ／Ｎを求めた。そして、ΔＣ／Ｎ
が１ｄＢ以下であれば、磁界変調方式での光磁気記録に
適していると判定し、ΔＣ／Ｎが１ｄＢよりも大きけれ
ば、磁界変調方式での光磁気記録には適していないと判
定した。
して記録した信号を再生したときのＣ／Ｎと、記録磁界
を１００エルステッドとして記録した信号を再生したと
きのＣ／Ｎとの差ΔＣ／Ｎを求めた。そして、ΔＣ／Ｎ
が１ｄＢ以下であれば、磁界変調方式での光磁気記録に
適していると判定し、ΔＣ／Ｎが１ｄＢよりも大きけれ
ば、磁界変調方式での光磁気記録には適していないと判
定した。
【００５６】以上のようにして複数のサンプルを作製
し、それらの記録特性を評価した結果を表１乃至表６に
示す。なお、各サンプルについて、信号記録層３に含ま
れるＴｂの含有量、Ｃｒの含有量、Ｔｂ及びＣｒの合計
の含有量、並びに、信号記録層３の酸化処理時の酸素露
出量又は水蒸気露出量は、各表に示す通りである。
し、それらの記録特性を評価した結果を表１乃至表６に
示す。なお、各サンプルについて、信号記録層３に含ま
れるＴｂの含有量、Ｃｒの含有量、Ｔｂ及びＣｒの合計
の含有量、並びに、信号記録層３の酸化処理時の酸素露
出量又は水蒸気露出量は、各表に示す通りである。
【００５７】
【表１】
【００５８】表１は、信号記録層３の組成を変えて複数
のサンプルを作製し、それらの記録特性を評価した結果
である。なお、表１に示す各サンプルにおいて、信号記
録層の酸化条件は同一であり、全て４０×１０-6[Ｔｏ
ｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行った。
のサンプルを作製し、それらの記録特性を評価した結果
である。なお、表１に示す各サンプルにおいて、信号記
録層の酸化条件は同一であり、全て４０×１０-6[Ｔｏ
ｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行った。
【００５９】表１に示すように、信号記録層３がＴｂＦ
ｅＣｏＣｒからなる場合は、ＴｂとＣｒの組成比に関わ
らず、ＴｂとＣｒの合計の含有量が２３原子％以上であ
れば、ΔＣ／Ｎが１ｄＢ以下となった。
ｅＣｏＣｒからなる場合は、ＴｂとＣｒの組成比に関わ
らず、ＴｂとＣｒの合計の含有量が２３原子％以上であ
れば、ΔＣ／Ｎが１ｄＢ以下となった。
【００６０】したがって、信号記録層３がＴｂＦｅＣｏ
Ｃｒからなる場合は、ＴｂとＣｒの組成比に関わらず、
信号記録層に含まれるＴｂ及びＣｒの含有量を２３原子
％以上とすることが好ましい。換言すれば、Ｃｒ含有量
を減らす場合には、その分だけＴｂ含有量を増やして、
Ｔｂ及びＣｒの合計の含有量が２３原子％以上となるよ
うにすることが好ましい。
Ｃｒからなる場合は、ＴｂとＣｒの組成比に関わらず、
信号記録層に含まれるＴｂ及びＣｒの含有量を２３原子
％以上とすることが好ましい。換言すれば、Ｃｒ含有量
を減らす場合には、その分だけＴｂ含有量を増やして、
Ｔｂ及びＣｒの合計の含有量が２３原子％以上となるよ
うにすることが好ましい。
【００６１】ところで、一般に、信号記録層３をＴｂＦ
ｅＣｏＣｒにより形成した場合、ＴｂやＣｒの含有量を
あまりに増やすとＣ／Ｎが劣化する。なぜなら、光磁気
記録媒体の記録信号は、信号記録層３に含まれる遷移金
属の副格子磁化が担っているため、希土類金属の比率が
増えると信号品質が損なわれるからである。
ｅＣｏＣｒにより形成した場合、ＴｂやＣｒの含有量を
あまりに増やすとＣ／Ｎが劣化する。なぜなら、光磁気
記録媒体の記録信号は、信号記録層３に含まれる遷移金
属の副格子磁化が担っているため、希土類金属の比率が
増えると信号品質が損なわれるからである。
【００６２】具体的には例えば、信号記録層３に含まれ
るＴｂの含有量が１原子％増えると、Ｃ／Ｎが０．４ｄ
Ｂ程度劣化する。したがって、ΔＣ／Ｎが小さいからと
いっても、ＴｂやＣｒの含有量をあまりに増やすことは
好ましくない。したがって、記録特性の観点からは、Ｔ
ｂとＣｒの合計の含有量は、なるべく２３原子％に近い
方が望ましい。
るＴｂの含有量が１原子％増えると、Ｃ／Ｎが０．４ｄ
Ｂ程度劣化する。したがって、ΔＣ／Ｎが小さいからと
いっても、ＴｂやＣｒの含有量をあまりに増やすことは
好ましくない。したがって、記録特性の観点からは、Ｔ
ｂとＣｒの合計の含有量は、なるべく２３原子％に近い
方が望ましい。
【００６３】しかしながら、合金ターゲットを作製する
際は、組成に若干のばらつきが生じてしまうため、信号
記録層３に含まれるＴｂ及びＣｒの含有量を常に２３原
子％ちょうどにすることは困難である。そこで、実際の
製造時には、合金ターゲット作製時のマージンも考慮し
て、信号記録層３に含まれるＴｂ及びＣｒの含有量を２
４±１％程度に規定することが好ましい。
際は、組成に若干のばらつきが生じてしまうため、信号
記録層３に含まれるＴｂ及びＣｒの含有量を常に２３原
子％ちょうどにすることは困難である。そこで、実際の
製造時には、合金ターゲット作製時のマージンも考慮し
て、信号記録層３に含まれるＴｂ及びＣｒの含有量を２
４±１％程度に規定することが好ましい。
【００６４】また、表１に示すように、信号記録層がＴ
ｂＦｅＣｏからなる場合（すなわち、Ｃｒ＝０原子％の
場合）は、信号記録層３に含まれるＴｂの含有量が２
２．６原子％以上であれば、ΔＣ／Ｎが１ｄＢ以下とな
った。
ｂＦｅＣｏからなる場合（すなわち、Ｃｒ＝０原子％の
場合）は、信号記録層３に含まれるＴｂの含有量が２
２．６原子％以上であれば、ΔＣ／Ｎが１ｄＢ以下とな
った。
【００６５】信号記録層３をＴｂＦｅＣｏＣｒにより形
成した場合と同様、信号記録層３をＴｂＦｅＣｏにより
形成した場合も、Ｔｂの含有量をあまりに増やすとＣ／
Ｎが劣化する。したがって、ΔＣ／Ｎが小さいからとい
っても、Ｔｂの含有量をあまりに増やすことは好ましく
ない。したがって、記録特性の観点からは、信号記録層
３に含まれるＴｂの含有量は、なるべく２２．６原子％
に近い方が望ましい。
成した場合と同様、信号記録層３をＴｂＦｅＣｏにより
形成した場合も、Ｔｂの含有量をあまりに増やすとＣ／
Ｎが劣化する。したがって、ΔＣ／Ｎが小さいからとい
っても、Ｔｂの含有量をあまりに増やすことは好ましく
ない。したがって、記録特性の観点からは、信号記録層
３に含まれるＴｂの含有量は、なるべく２２．６原子％
に近い方が望ましい。
【００６６】しかしながら、上述したように、合金ター
ゲットを作製する際は、組成に若干のばらつきが生じて
しまうため、信号記録層３に含まれるＴｂの含有量を常
に２２．６原子％ちょうどにすることは困難である。そ
こで、実際の製造時には、合金ターゲット作製時のマー
ジンも考慮して、信号記録層３に含まれるＴｂの含有量
を２３．５±１％程度に規定することが好ましい。
ゲットを作製する際は、組成に若干のばらつきが生じて
しまうため、信号記録層３に含まれるＴｂの含有量を常
に２２．６原子％ちょうどにすることは困難である。そ
こで、実際の製造時には、合金ターゲット作製時のマー
ジンも考慮して、信号記録層３に含まれるＴｂの含有量
を２３．５±１％程度に規定することが好ましい。
【００６７】
【表２】
【００６８】
【表３】
【００６９】
【表４】
【００７０】
【表５】
【００７１】
【表６】
【００７２】表２〜表６は、信号記録層３の酸化条件を
変えて複数のサンプルを作製し、それらの記録特性を評
価した結果である。なお、表２〜表６に示す各サンプル
において、信号記録層３の組成は、表１に示す結果にお
いて比較的に良好な特性が得られた組成としている。
変えて複数のサンプルを作製し、それらの記録特性を評
価した結果である。なお、表２〜表６に示す各サンプル
において、信号記録層３の組成は、表１に示す結果にお
いて比較的に良好な特性が得られた組成としている。
【００７３】表２〜表６に示すように、水蒸気露出を行
って信号記録層３を酸化させて酸化層４を形成した場合
は、いずれの組成においても、水蒸気露出量を３０×１
０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００００×１０-6[Ｔｏｒ
ｒ・ｓｅｃ]の範囲内とすることで、ΔＣ／Ｎが１ｄＢ
以下となった。また、酸素露出を行って信号記録層３を
酸化させて酸化層４を形成した場合、酸素露出量を１０
×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０-6[Ｔｏｒｒ
・ｓｅｃ]の範囲内とすることで、ΔＣ／Ｎが１ｄＢ以
下となった。
って信号記録層３を酸化させて酸化層４を形成した場合
は、いずれの組成においても、水蒸気露出量を３０×１
０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００００×１０-6[Ｔｏｒ
ｒ・ｓｅｃ]の範囲内とすることで、ΔＣ／Ｎが１ｄＢ
以下となった。また、酸素露出を行って信号記録層３を
酸化させて酸化層４を形成した場合、酸素露出量を１０
×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×１０-6[Ｔｏｒｒ
・ｓｅｃ]の範囲内とすることで、ΔＣ／Ｎが１ｄＢ以
下となった。
【００７４】以上の結果をまとめると、信号記録層がＴ
ｂＦｅＣｏＣｒからなる場合、当該信号記録層３に含ま
れるＴｂ及びＣｒの合計の含有量は２４±１[原子％]が
好ましい。そして、当該信号記録層３の表面を酸化して
酸化層４を形成する際は、３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓ
ｅｃ]〜１００００×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の水蒸
気露出、又は１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×
１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行うことが好ま
しい。
ｂＦｅＣｏＣｒからなる場合、当該信号記録層３に含ま
れるＴｂ及びＣｒの合計の含有量は２４±１[原子％]が
好ましい。そして、当該信号記録層３の表面を酸化して
酸化層４を形成する際は、３０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓ
ｅｃ]〜１００００×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の水蒸
気露出、又は１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５０×
１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行うことが好ま
しい。
【００７５】また、信号記録層３がＴｂＦｅＣｏからな
る場合、当該信号記録層３に含まれるＴｂの含有量は２
３．５±１[原子％]が好ましい。そして、当該信号記録
層３の表面を酸化して酸化層を形成する際は、３０×１
０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００００×１０-6[Ｔｏｒ
ｒ・ｓｅｃ]の水蒸気露出、又は１０×１０-6[Ｔｏｒｒ
・ｓｅｃ]〜５０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露
出を行うことが好ましい。
る場合、当該信号記録層３に含まれるＴｂの含有量は２
３．５±１[原子％]が好ましい。そして、当該信号記録
層３の表面を酸化して酸化層を形成する際は、３０×１
０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜１００００×１０-6[Ｔｏｒ
ｒ・ｓｅｃ]の水蒸気露出、又は１０×１０-6[Ｔｏｒｒ
・ｓｅｃ]〜５０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露
出を行うことが好ましい。
【００７６】なお、従来、光磁気記録を磁界変調方式に
より行う場合、信号記録層の垂直磁気異方性はある程度
低い方が良いとされており、ＦｅＴｂＣｏＣｒからなる
信号記録層に含まれるＣｒは、垂直磁気異方性を低減さ
せる役割も主に担っていた。しかしながら、記録密度の
上昇につれて、従来とは逆に、記録特性改善のために、
信号記録層の垂直磁気異方性を高めることが必要となり
つつある。したがって、記録密度の上昇につれて、Ｃｒ
含有量の少ない信号記録層、更にはＣｒを含有していな
い信号記録層が必要になってきている。
より行う場合、信号記録層の垂直磁気異方性はある程度
低い方が良いとされており、ＦｅＴｂＣｏＣｒからなる
信号記録層に含まれるＣｒは、垂直磁気異方性を低減さ
せる役割も主に担っていた。しかしながら、記録密度の
上昇につれて、従来とは逆に、記録特性改善のために、
信号記録層の垂直磁気異方性を高めることが必要となり
つつある。したがって、記録密度の上昇につれて、Ｃｒ
含有量の少ない信号記録層、更にはＣｒを含有していな
い信号記録層が必要になってきている。
【００７７】換言すれば、Ｃｒを含有させることなく、
信号記録層をＦｅＴｂＣｏだけで形成することにより、
信号記録層の垂直磁気異方性を高めて、更なる高記録密
度化に対応することが可能となる。そして、このように
Ｃｒを含有させることなく、信号記録層をＦｅＴｂＣｏ
だけで形成した場合も、本発明を適用して、信号記録層
に含まれるＴｂの含有量を２３．５±１[原子％]とし、
且つ、当該信号記録層の表面を酸化させて酸化層を形成
することにより、記録磁界強度がある程度変化しても、
記録特性が安定なものとなるようにすることが出来る。
信号記録層をＦｅＴｂＣｏだけで形成することにより、
信号記録層の垂直磁気異方性を高めて、更なる高記録密
度化に対応することが可能となる。そして、このように
Ｃｒを含有させることなく、信号記録層をＦｅＴｂＣｏ
だけで形成した場合も、本発明を適用して、信号記録層
に含まれるＴｂの含有量を２３．５±１[原子％]とし、
且つ、当該信号記録層の表面を酸化させて酸化層を形成
することにより、記録磁界強度がある程度変化しても、
記録特性が安定なものとなるようにすることが出来る。
【００７８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、磁界変調方式による光磁気記録がなされる光
磁気記録媒体として、記録磁界強度がある程度変化して
も、安定な記録特性を示す光磁気記録媒体を提供するこ
とができる。
によれば、磁界変調方式による光磁気記録がなされる光
磁気記録媒体として、記録磁界強度がある程度変化して
も、安定な記録特性を示す光磁気記録媒体を提供するこ
とができる。
【図１】本発明を適用した光磁気記録媒体の膜構成の一
例を示す図である。
例を示す図である。
１ ディスク基板、 ２ 第１の誘電体層、 ３ 信号
記録層、 ４ 酸化層、 ５ 第２の誘電体層、 ６
光反射層、 ７ 保護層
記録層、 ４ 酸化層、 ５ 第２の誘電体層、 ６
光反射層、 ７ 保護層
Claims (3)
- 【請求項１】 希土類−遷移金属合金薄膜からなる信号
記録層を有し、当該信号記録層に対して磁界変調方式に
より光磁気記録がなされる光磁気記録媒体において、 上記信号記録層はＴｂＦｅＣｏからなり、当該信号記録
層の表面に酸化層を有し、 上記信号記録層中のＴｂの含有量が、２３．５±１[原
子％]であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 ＴｂＦｅＣｏＣｒからなる信号記録層を
有し、当該信号記録層に対して磁界変調方式により光磁
気記録がなされる光磁気記録媒体を製造する際に、 上記信号記録層を、当該信号記録層中のＴｂ及びＣｒの
合計の含有量を２４±１[原子％]として成膜し、 上記信号記録層を成膜した後、３０×１０-6[Ｔｏｒｒ
・ｓｅｃ]〜１００００×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の
水蒸気露出、又は１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５
０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行い、当該
信号記録層の表面を酸化させることを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 ＴｂＦｅＣｏからなる信号記録層を有
し、当該信号記録層に対して磁界変調方式により光磁気
記録がなされる光磁気記録媒体を製造する際に、 上記信号記録層を、当該信号記録層中のＴｂの含有量を
２３．５±１[原子％]として成膜し、 上記信号記録層を成膜した後、３０×１０-6[Ｔｏｒｒ
・ｓｅｃ]〜１００００×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の
水蒸気露出、又は１０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]〜５
０×１０-6[Ｔｏｒｒ・ｓｅｃ]の酸素露出を行い、当該
信号記録層の表面を酸化させることを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11031552A JP2000231749A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
| TW089102012A TW495738B (en) | 1999-02-09 | 2000-02-03 | Magneto-optical recording medium |
| US09/497,712 US6319623B1 (en) | 1999-02-09 | 2000-02-04 | Magneto-optical recording medium |
| DE60040313T DE60040313D1 (de) | 1999-02-09 | 2000-02-07 | Magnetooptisches Aufzeichungsmedium |
| EP00102580A EP1030299B9 (en) | 1999-02-09 | 2000-02-07 | Magneto-optical recording medium |
| KR1020000005723A KR100697139B1 (ko) | 1999-02-09 | 2000-02-08 | 광자기 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP11031552A JP2000231749A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000231749A true JP2000231749A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12334362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11031552A Pending JP2000231749A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1030299B9 (ja) |
| JP (1) | JP2000231749A (ja) |
| KR (1) | KR100697139B1 (ja) |
| DE (1) | DE60040313D1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS63103456A (ja) | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| US4950556A (en) | 1987-10-26 | 1990-08-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magneto-optic recording medium |
| US5667862A (en) * | 1989-03-15 | 1997-09-16 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
| JPH0366948A (ja) | 1989-07-31 | 1991-03-22 | Nissan Motor Co Ltd | 粘度可変流体封入制御型防振体 |
| JP2766520B2 (ja) * | 1989-08-04 | 1998-06-18 | 旭化成工業株式会社 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2921794B2 (ja) | 1990-07-26 | 1999-07-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 光磁気ディスク |
| JP3122151B2 (ja) * | 1991-02-28 | 2001-01-09 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP2763419B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-06-11 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH06111405A (ja) | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Kuraray Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH06150415A (ja) | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Kuraray Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
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| JP3066948B2 (ja) | 1995-11-06 | 2000-07-17 | 片山工業株式会社 | 自動車用ベルトラインモールディング |
| KR0162266B1 (ko) | 1995-11-27 | 1998-12-15 | 장용균 | 자기광학특성 측정장치 |
-
1999
- 1999-02-09 JP JP11031552A patent/JP2000231749A/ja active Pending
-
2000
- 2000-02-03 TW TW089102012A patent/TW495738B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-02-04 US US09/497,712 patent/US6319623B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-07 DE DE60040313T patent/DE60040313D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-07 EP EP00102580A patent/EP1030299B9/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-08 KR KR1020000005723A patent/KR100697139B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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