JP2000233970A - 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】比誘電率が３５〜５０と大きく、Ｑ値が２００
００（１ＧＨｚ）以上と大きく、共振周波数の温度係数
を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任意に制御できる、高周波
用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】モル比による組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・
（Ｍｇ2/3Ｔａ1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｙ）ＭＴｉ
bＯ1+2bで表わされる組成を有し、ペロブスカイト型結
晶相を主結晶とする。但し、Ｌｎは希土類元素、ＭはＣ
ａ及び／又はＳｒ、０．９００≦ａ≦１．０５０、０．
９５０≦ｂ≦１．０５０であり、ｘおよびｙは、図１に
示す点Ａ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．４００）、点Ｂ
（ｘ＝０．６００、ｙ＝０．４５０）、点Ｃ（ｘ＝０．
９００、ｙ＝０．４５０）、点Ｄ（ｘ＝０．９００、ｙ
＝０．３００）、点Ｅ（ｘ＝０．６５０、ｙ＝０．３０
０）、点Ｆ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．３６０）を結ぶ
多角形の範囲内にある。
００（１ＧＨｚ）以上と大きく、共振周波数の温度係数
を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任意に制御できる、高周波
用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】モル比による組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・
（Ｍｇ2/3Ｔａ1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｙ）ＭＴｉ
bＯ1+2bで表わされる組成を有し、ペロブスカイト型結
晶相を主結晶とする。但し、Ｌｎは希土類元素、ＭはＣ
ａ及び／又はＳｒ、０．９００≦ａ≦１．０５０、０．
９５０≦ｂ≦１．０５０であり、ｘおよびｙは、図１に
示す点Ａ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．４００）、点Ｂ
（ｘ＝０．６００、ｙ＝０．４５０）、点Ｃ（ｘ＝０．
９００、ｙ＝０．４５０）、点Ｄ（ｘ＝０．９００、ｙ
＝０．３００）、点Ｅ（ｘ＝０．６５０、ｙ＝０．３０
０）、点Ｆ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．３６０）を結ぶ
多角形の範囲内にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波用誘電体磁
器組成物、並びにそれを用いた誘電体共振器、誘電体フ
ィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関す
る。
器組成物、並びにそれを用いた誘電体共振器、誘電体フ
ィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、携帯電話、パーソナル無線
機、衛星放送受信機などのように、マイクロ波やミリ波
などの高周波領域において利用される電子機器に搭載さ
れる誘電体共振器や誘電体フィルタや回路基板材料とし
て、誘電体磁器が広く用いられている。
機、衛星放送受信機などのように、マイクロ波やミリ波
などの高周波領域において利用される電子機器に搭載さ
れる誘電体共振器や誘電体フィルタや回路基板材料とし
て、誘電体磁器が広く用いられている。
【０００３】このような高周波用誘電体磁器に要求され
る誘電特性としては、（１）誘電体中では電磁波の波長
が１／（εr）1/2に短縮されるので、小型化要求への対
応として比誘電率（εr）が大きいこと、（２）誘電損
失が小さい、すなわちＱ値が高いこと、（３）共振周波
数の温度安定性が優れている、すなわち共振周波数の温
度係数（τｆ）が０（ｐｐｍ／℃）付近であること、な
どが挙げられる。
る誘電特性としては、（１）誘電体中では電磁波の波長
が１／（εr）1/2に短縮されるので、小型化要求への対
応として比誘電率（εr）が大きいこと、（２）誘電損
失が小さい、すなわちＱ値が高いこと、（３）共振周波
数の温度安定性が優れている、すなわち共振周波数の温
度係数（τｆ）が０（ｐｐｍ／℃）付近であること、な
どが挙げられる。
【０００４】従来、この種の誘電体磁器組成物として
は、たとえば、Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3系（特公昭５８
−２５０６８号公報参照）、Ｂａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）
Ｏ3系（特公平３−３４１６４号公報参照）、（Ｚｒ，
Ｓｎ）ＴｉＯ4系（特公平４−９２６７号公報参照）、
Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20（特開昭６１−１０８０６号公報参照）
などの誘電体磁器組成物が知られている。
は、たとえば、Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3系（特公昭５８
−２５０６８号公報参照）、Ｂａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）
Ｏ3系（特公平３−３４１６４号公報参照）、（Ｚｒ，
Ｓｎ）ＴｉＯ4系（特公平４−９２６７号公報参照）、
Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20（特開昭６１−１０８０６号公報参照）
などの誘電体磁器組成物が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｂａ
（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3系やＢａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3系
の材料は、Ｑ値は１５００００〜３０００００（１ＧＨ
ｚにおいて）と非常に大きいが、比誘電率（εr）が２
４〜３０と比較的小さい。
（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3系やＢａ（Ｓｎ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3系
の材料は、Ｑ値は１５００００〜３０００００（１ＧＨ
ｚにおいて）と非常に大きいが、比誘電率（εr）が２
４〜３０と比較的小さい。
【０００６】一方、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4系やＢａ2Ｔ
ｉ9Ｏ20系の材料は、比誘電率（εr）が３７〜４０と比
較的大きく、Ｑ値も５００００〜６００００（１ＧＨｚ
において）と高い値を示すが、たとえば４０を越えると
いった比較的大きな比誘電率（εr）を実現するのは困
難である。
ｉ9Ｏ20系の材料は、比誘電率（εr）が３７〜４０と比
較的大きく、Ｑ値も５００００〜６００００（１ＧＨｚ
において）と高い値を示すが、たとえば４０を越えると
いった比較的大きな比誘電率（εr）を実現するのは困
難である。
【０００７】近年、電子機器の低損失化や小型化の要求
が強まり、これに伴って、誘電体材料に関しても、さら
に優れた誘電特性、特に、高い比誘電率（εr）と高い
Ｑ値を併せ持つ材料の開発に対する要求が強くなってき
ているが、このような要求に対して十分に応えることが
できていないのが現状である。
が強まり、これに伴って、誘電体材料に関しても、さら
に優れた誘電特性、特に、高い比誘電率（εr）と高い
Ｑ値を併せ持つ材料の開発に対する要求が強くなってき
ているが、このような要求に対して十分に応えることが
できていないのが現状である。
【０００８】そこで、本発明の目的は、比誘電率
（εr）が３５〜５０と比較的大きく、Ｑ値も２０００
０（１ＧＨｚにおいて）以上と大きく、しかも、共振周
波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任
意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供する
ことにある。また、それを用いた誘電体共振器、誘電体
フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供
することにある。
（εr）が３５〜５０と比較的大きく、Ｑ値も２０００
０（１ＧＨｚにおいて）以上と大きく、しかも、共振周
波数の温度係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任
意に制御できる、高周波用誘電体磁器組成物を提供する
ことにある。また、それを用いた誘電体共振器、誘電体
フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、希土類元素
（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、ＴｉおよびＭ（Ｍ：Ｃａ
およびＳｒのうちの少なくとも１種）を含み、 モル比による組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔａ
1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2bで表わ
される組成を有し、ａおよびｂが、０．９００≦ａ≦
１．０５０、０．９５０≦ｂ≦１．０５０の範囲内にあ
り、ｘおよびｙが、添付図１に示すｘ−ｙ直交座標図に
おいて、点Ａ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．４００）、点
Ｂ（ｘ＝０．６００、ｙ＝０．４５０）、点Ｃ（ｘ＝
０．９００、ｙ＝０．４５０）、点Ｄ（ｘ＝０．９０
０、ｙ＝０．３００）点Ｅ（ｘ＝０．６５０、ｙ＝０．
３００）、点Ｆ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．３６０）を
結ぶ多角形の線上または内部にあり、ペロブスカイト型
結晶相を主結晶とすることを特徴とする。
め、本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、希土類元素
（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、ＴｉおよびＭ（Ｍ：Ｃａ
およびＳｒのうちの少なくとも１種）を含み、 モル比による組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔａ
1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2bで表わ
される組成を有し、ａおよびｂが、０．９００≦ａ≦
１．０５０、０．９５０≦ｂ≦１．０５０の範囲内にあ
り、ｘおよびｙが、添付図１に示すｘ−ｙ直交座標図に
おいて、点Ａ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．４００）、点
Ｂ（ｘ＝０．６００、ｙ＝０．４５０）、点Ｃ（ｘ＝
０．９００、ｙ＝０．４５０）、点Ｄ（ｘ＝０．９０
０、ｙ＝０．３００）点Ｅ（ｘ＝０．６５０、ｙ＝０．
３００）、点Ｆ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．３６０）を
結ぶ多角形の線上または内部にあり、ペロブスカイト型
結晶相を主結晶とすることを特徴とする。
【００１０】そして、前記ｘおよびｙが、０．６００≦
ｘ≦０．９００、０．３３０≦ｙ≦０．４２０の範囲内
にあることを特徴とする。
ｘ≦０．９００、０．３３０≦ｙ≦０．４２０の範囲内
にあることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は、希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｔｉおよ
びＭ（Ｍ：ＣａおよびＳｒのうちの少なくとも１種）を
含み、 モル比による組成式：ｚＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6
Ｔｉ(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴ
ｉbＯ1+2bで表わされる組成を有し、ａ、ｂ、ｘ、ｙお
よびｚが、０．９００≦ａ≦１．０５０、０．９５０≦
ｂ≦１．０５０、０．６５０≦ｘ≦０．９５０、０．７
００≦ｙ＜１．０００、０．３２５≦ｚ≦０．５００の
範囲内にあり、ペロブスカイト型結晶相を主結晶とする
ことを特徴とする。
は、希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｔｉおよ
びＭ（Ｍ：ＣａおよびＳｒのうちの少なくとも１種）を
含み、 モル比による組成式：ｚＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6
Ｔｉ(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴ
ｉbＯ1+2bで表わされる組成を有し、ａ、ｂ、ｘ、ｙお
よびｚが、０．９００≦ａ≦１．０５０、０．９５０≦
ｂ≦１．０５０、０．６５０≦ｘ≦０．９５０、０．７
００≦ｙ＜１．０００、０．３２５≦ｚ≦０．５００の
範囲内にあり、ペロブスカイト型結晶相を主結晶とする
ことを特徴とする。
【００１２】そして、前記希土類元素（Ｌｎ）は、Ｙ、
Ｌａ、ＮｄおよびＳｍのうちの少なくとも１種であるこ
とを特徴とする。
Ｌａ、ＮｄおよびＳｍのうちの少なくとも１種であるこ
とを特徴とする。
【００１３】また、前記希土類元素（Ｌｎ）は、Ｌａお
よびＳｍのうちの少なくとも１種であることを特徴とす
る。
よびＳｍのうちの少なくとも１種であることを特徴とす
る。
【００１４】また、本発明の誘電体共振器は、誘電体磁
器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振
器において、前記誘電体磁器は、上述の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする。
器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振
器において、前記誘電体磁器は、上述の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする。
【００１５】また、本発明の誘電体フィルタは、上述の
誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴と
する。
誘電体共振器に外部結合手段を含んでなることを特徴と
する。
【００１６】また、本発明の誘電体デュプレクサは、少
なくとも２つの誘電体フィルタと、該誘電体フィルタの
それぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フ
ィルタに共通に接続されるアンテナ接合手段とを含んで
なる誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタ
の少なくとも１つが上述の誘電体フィルタであることを
特徴とする。
なくとも２つの誘電体フィルタと、該誘電体フィルタの
それぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フ
ィルタに共通に接続されるアンテナ接合手段とを含んで
なる誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタ
の少なくとも１つが上述の誘電体フィルタであることを
特徴とする。
【００１７】さらに、本発明の通信機装置は、上述の誘
電体デュプレクサと、該誘電体デュプレクサの少なくと
も１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、該
送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少
なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路
と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続
されるアンテナとを含んでなることを特徴とする。
電体デュプレクサと、該誘電体デュプレクサの少なくと
も１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、該
送信用回路に接続される前記入出力接続手段と異なる少
なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路
と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続
されるアンテナとを含んでなることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】図２は、本発明の一実施形態によ
る誘電体共振器１の基本的構造を図解的に示す断面図で
ある。
る誘電体共振器１の基本的構造を図解的に示す断面図で
ある。
【００１９】図２を参照して、誘電体共振器１は、金属
ケース２を備え、金属ケース２内の空間には、支持台３
によって支持された柱状の誘電体磁器４が配置されてい
る。また、入力端子５および出力端子６が、金属ケース
２に対して絶縁された状態で、金属ケース２によって保
持されている。
ケース２を備え、金属ケース２内の空間には、支持台３
によって支持された柱状の誘電体磁器４が配置されてい
る。また、入力端子５および出力端子６が、金属ケース
２に対して絶縁された状態で、金属ケース２によって保
持されている。
【００２０】誘電体磁器４は、入力端子５および出力端
子６に電磁界結合して作動するもので、入力端子５から
入力された所定の周波数の信号だけが出力端子６から出
力される。
子６に電磁界結合して作動するもので、入力端子５から
入力された所定の周波数の信号だけが出力端子６から出
力される。
【００２１】このような誘電体共振器１に備える誘電体
磁器４が、本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物で構
成される。
磁器４が、本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物で構
成される。
【００２２】なお、図２にはＴＥ０１δモードの誘電体
共振器を示したが、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は他のＴＥモードやＴＭモード、ＴＥＭモードなどの誘
電体共振器にも同様に用いることができる。
共振器を示したが、本発明の高周波用誘電体磁器組成物
は他のＴＥモードやＴＭモード、ＴＥＭモードなどの誘
電体共振器にも同様に用いることができる。
【００２３】図３は、本発明の通信機装置の一例を示す
ブロック図である。この通信機装置１０は、誘電体デュ
プレクサ１２、送信回路１４、受信回路１６およびアン
テナ１８を含む。送信回路１４は、誘電体デュプレクサ
１２の入力手段２０に接続され、受信回路１６は、誘電
体デュプレクサ１２の出力手段２２に接続される。ま
た、アンテナ１８は、誘電体デュプレクサ１２のアンテ
ナ接続手段２４に接続される。この誘電体デュプレクサ
１２は、２つの誘電体フィルタ２６、２８を含む。誘電
体フィルタ２６、２８は、本発明にかかる誘電体共振器
に外部結合手段を接続してなるものである。この実施例
では、たとえば、誘電体共振器１の入出力端子にそれぞ
れ外部結合手段３０を接続して形成される。そして、一
方の誘電体フィルタ２６は入力手段２０とアンテナ接続
用手段２４との間に接続され、他方の誘電体フィルタ２
８は、アンテナ接続用手段２４と出力用手段２２との間
に接続される。
ブロック図である。この通信機装置１０は、誘電体デュ
プレクサ１２、送信回路１４、受信回路１６およびアン
テナ１８を含む。送信回路１４は、誘電体デュプレクサ
１２の入力手段２０に接続され、受信回路１６は、誘電
体デュプレクサ１２の出力手段２２に接続される。ま
た、アンテナ１８は、誘電体デュプレクサ１２のアンテ
ナ接続手段２４に接続される。この誘電体デュプレクサ
１２は、２つの誘電体フィルタ２６、２８を含む。誘電
体フィルタ２６、２８は、本発明にかかる誘電体共振器
に外部結合手段を接続してなるものである。この実施例
では、たとえば、誘電体共振器１の入出力端子にそれぞ
れ外部結合手段３０を接続して形成される。そして、一
方の誘電体フィルタ２６は入力手段２０とアンテナ接続
用手段２４との間に接続され、他方の誘電体フィルタ２
８は、アンテナ接続用手段２４と出力用手段２２との間
に接続される。
【００２４】本発明に係る高周波用誘電体磁器組成物
は、前述したように、希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍ
ｇ、Ｔａ、ＴｉおよびＭ（Ｍ：ＣａおよびＳｒのうちの
少なくとも１種）を含み、モル比による組成式：ｙＬｎ
｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔａ1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１
−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2bで表わされる組成を有し、ａ、
ｂ、ｘおよびｙの各々については、次のような範囲内に
ある。
は、前述したように、希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍ
ｇ、Ｔａ、ＴｉおよびＭ（Ｍ：ＣａおよびＳｒのうちの
少なくとも１種）を含み、モル比による組成式：ｙＬｎ
｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔａ1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１
−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2bで表わされる組成を有し、ａ、
ｂ、ｘおよびｙの各々については、次のような範囲内に
ある。
【００２５】まず、ａについては、０．９００≦ａ≦
１．０５０の範囲内にある。ａ＜０．９００の場合や、
ａ＞１．０５０の場合は、Ｑ値が低くなり、本発明の目
的を達成することができないからである。
１．０５０の範囲内にある。ａ＜０．９００の場合や、
ａ＞１．０５０の場合は、Ｑ値が低くなり、本発明の目
的を達成することができないからである。
【００２６】ｂについては、０．９５０≦ｂ≦１．０５
０の範囲内にある。ｂ＜０．９５０や、ｂ＞１．０５０
の場合は、Ｑ値が低くなるためである。
０の範囲内にある。ｂ＜０．９５０や、ｂ＞１．０５０
の場合は、Ｑ値が低くなるためである。
【００２７】また、ｘおよびｙについては、添付図１に
示すｘ−ｙ直交座標図において、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆを結ぶ多角形の線上または内部にある。点Ａ、Ｆ
を結ぶ線分の外側（多角形外）の場合には、焼結温度が
１５００を超えて１６００℃程度の高温になり、工業的
に大量生産するのに不都合なためである。点Ａ、Ｂ、Ｃ
を結ぶ線分の外側（多角形外）の場合には、共振周波数
の温度係数（τｆ）が−５０ｐｐｍ／℃よりもマイナス
側にずれてしまうためである。点Ｄ、Ｅ、Ｆを結ぶ線分
の外側（多角形外）の場合には、共振周波数の温度係数
（τｆ）が＋３０ｐｐｍ／℃よりも大きくなってしまう
ためである。点Ｃ、Ｄの外側（多角形外）の場合には、
Ａｌを含有する効果が小さくなり、Ｑ値が低くなるため
である。
示すｘ−ｙ直交座標図において、点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆを結ぶ多角形の線上または内部にある。点Ａ、Ｆ
を結ぶ線分の外側（多角形外）の場合には、焼結温度が
１５００を超えて１６００℃程度の高温になり、工業的
に大量生産するのに不都合なためである。点Ａ、Ｂ、Ｃ
を結ぶ線分の外側（多角形外）の場合には、共振周波数
の温度係数（τｆ）が−５０ｐｐｍ／℃よりもマイナス
側にずれてしまうためである。点Ｄ、Ｅ、Ｆを結ぶ線分
の外側（多角形外）の場合には、共振周波数の温度係数
（τｆ）が＋３０ｐｐｍ／℃よりも大きくなってしまう
ためである。点Ｃ、Ｄの外側（多角形外）の場合には、
Ａｌを含有する効果が小さくなり、Ｑ値が低くなるため
である。
【００２８】また、ｘおよびｙについて、より好ましく
は、０．６００≦ｘ≦０．９００、０．３３０≦ｙ≦
０．４２０の範囲が好ましい。共振周波数の温度係数
（τｆ）が０±３０ｐｐｍ／℃の特性を得ることができ
る。
は、０．６００≦ｘ≦０．９００、０．３３０≦ｙ≦
０．４２０の範囲が好ましい。共振周波数の温度係数
（τｆ）が０±３０ｐｐｍ／℃の特性を得ることができ
る。
【００２９】また、本発明に係る高周波用誘電体磁器組
成物は、他の局面では、前述したように希土類元素（Ｌ
ｎ）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、ＴｉおよびＭ（Ｍ：Ｃａおよ
びＳｒのうちの少なくとも１種）を含み、モル比による
組成式：ｚＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6Ｔｉ(1-y)/2
Ｔａy/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴｉbＯ1+2bで
表わされる組成を有し、ａ、ｂ、ｘ、ｙおよびｚの各々
については、次のような範囲内にある。
成物は、他の局面では、前述したように希土類元素（Ｌ
ｎ）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔａ、ＴｉおよびＭ（Ｍ：Ｃａおよ
びＳｒのうちの少なくとも１種）を含み、モル比による
組成式：ｚＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6Ｔｉ(1-y)/2
Ｔａy/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴｉbＯ1+2bで
表わされる組成を有し、ａ、ｂ、ｘ、ｙおよびｚの各々
については、次のような範囲内にある。
【００３０】まず、ａについては、０．９００≦ａ≦
１．０５０の範囲内にある。ａ＜０．９００の場合や、
ａ＞１．０５０の場合には、Ｑ値が低くなり、本発明の
目的を達成することができないからである。
１．０５０の範囲内にある。ａ＜０．９００の場合や、
ａ＞１．０５０の場合には、Ｑ値が低くなり、本発明の
目的を達成することができないからである。
【００３１】ｂについては、０．９５０≦ｂ≦１．０５
０の範囲内にある。ｂ＜０．９５０や、ｂ＞１．０５０
の場合は、Ｑ値が低くなるためである。
０の範囲内にある。ｂ＜０．９５０や、ｂ＞１．０５０
の場合は、Ｑ値が低くなるためである。
【００３２】また、ｘについては、０．６５０≦ｘ≦
０．９５０の範囲内にある。ｘ＜０．６５０の場合には
焼結温度が１５００を超えて１６００℃程度の高温にな
り、工業的に大量生産するには不都合なためである。ｘ
＞０．９５０の場合には、Ａｌを含有する効果が小さく
なり、Ｑ値が低くなるためである。
０．９５０の範囲内にある。ｘ＜０．６５０の場合には
焼結温度が１５００を超えて１６００℃程度の高温にな
り、工業的に大量生産するには不都合なためである。ｘ
＞０．９５０の場合には、Ａｌを含有する効果が小さく
なり、Ｑ値が低くなるためである。
【００３３】ｙについては、０．７００≦ｙ＜１．００
０の範囲内にある。ｙ＜０．７００の場合には焼結温度
が１５００〜１６００℃となり、工業的に大量生産する
には不都合なためである。一方、ｙ＝１．０００の場合
には、Ｑ値を低下させずに共振周波数の温度係数（τ
ｆ）をシフトさせる効果が期待できないからである。
０の範囲内にある。ｙ＜０．７００の場合には焼結温度
が１５００〜１６００℃となり、工業的に大量生産する
には不都合なためである。一方、ｙ＝１．０００の場合
には、Ｑ値を低下させずに共振周波数の温度係数（τ
ｆ）をシフトさせる効果が期待できないからである。
【００３４】また、ｚについては、０．３２５≦ｚ≦
０．５００の範囲内にある。ｚ＜０．３２５の場合に
は、共振周波数の温度係数（τｆ）が＋３０ｐｐｍ／℃
より大きくなってしまい、ｚ＞０．５００の場合には、
共振周波数の温度係数（τｆ）が−５０ｐｐｍ／℃より
マイナス側にずれてしまうからである。
０．５００の範囲内にある。ｚ＜０．３２５の場合に
は、共振周波数の温度係数（τｆ）が＋３０ｐｐｍ／℃
より大きくなってしまい、ｚ＞０．５００の場合には、
共振周波数の温度係数（τｆ）が−５０ｐｐｍ／℃より
マイナス側にずれてしまうからである。
【００３５】また、本発明に係る高周波用誘電体磁器組
成物において、希土類元素（Ｌｎ）としては、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍなどを用いることが好ましいが、これら
の中で、Ｌａ、Ｓｍを用いることがより好ましい。Ｌ
ａ、Ｓｍを用いることにより、他の場合に比べて、Ｑ値
をより高くすることができるからである。
成物において、希土類元素（Ｌｎ）としては、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍなどを用いることが好ましいが、これら
の中で、Ｌａ、Ｓｍを用いることがより好ましい。Ｌ
ａ、Ｓｍを用いることにより、他の場合に比べて、Ｑ値
をより高くすることができるからである。
【００３６】なお、本発明に係る高誘電体磁器組成物に
おいて、この発明の目的を損なわない範囲で、さらに添
加物を少量加えてもよい。たとえば、ＳｉＯ2、ＭｎＣ
Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｌｉ2ＣＯ3などを０．
０１〜１．０重量％添加した場合、焼成温度が２０〜３
０℃低下するが、特性は大きく劣化しない。また、Ｎｂ
2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＷＯ3などを１〜３重量％添
加することにより、比誘電率および温度特性の微調整が
可能となり、優れた誘電体磁器を得ることができる。
おいて、この発明の目的を損なわない範囲で、さらに添
加物を少量加えてもよい。たとえば、ＳｉＯ2、ＭｎＣ
Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｌｉ2ＣＯ3などを０．
０１〜１．０重量％添加した場合、焼成温度が２０〜３
０℃低下するが、特性は大きく劣化しない。また、Ｎｂ
2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＷＯ3などを１〜３重量％添
加することにより、比誘電率および温度特性の微調整が
可能となり、優れた誘電体磁器を得ることができる。
【００３７】
【実施例】次に、本発明をより具体的な実施例に基づき
説明する。
説明する。
【００３８】（実施例１）出発原料として、高純度の希
土類酸化物（Ｌａ2Ｏ3など）、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、炭酸ス
トロンチウム（ＳｒＣＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）を
準備した。
土類酸化物（Ｌａ2Ｏ3など）、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、炭酸ス
トロンチウム（ＳｒＣＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）を
準備した。
【００３９】次に、表１に示す組成式：ｙＬａ｛Ａｌ
1-x・（Ｍｇ2/3Ｔａ1/3）x｝aＯ(3+3a)−（１−ｙ）Ｍ
ＴｉbＯ1+2b（ただし、ｙはモル比）で表わされる組成
物が得られるように、これら原料を調合した。また、表
２に示す組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔ
ａ1/3）x｝aＯ(3+3a)−（１−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2b（ただ
し、ｙはモル比）で表わされる組成物が得られるよう
に、これら原料を調合した。
1-x・（Ｍｇ2/3Ｔａ1/3）x｝aＯ(3+3a)−（１−ｙ）Ｍ
ＴｉbＯ1+2b（ただし、ｙはモル比）で表わされる組成
物が得られるように、これら原料を調合した。また、表
２に示す組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔ
ａ1/3）x｝aＯ(3+3a)−（１−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2b（ただ
し、ｙはモル比）で表わされる組成物が得られるよう
に、これら原料を調合した。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】なお、表２に示した試料５７〜７４は、表
１の組成式中のＬａの代わりに、表２の「希土類元素」
の欄に示した種々の希土類元素としたもので、試料５７
〜６８については、表１中の試料２７に対応する組成を
有しており、試料６９〜７４については、表１中の試料
４６に対応する組成を有している。
１の組成式中のＬａの代わりに、表２の「希土類元素」
の欄に示した種々の希土類元素としたもので、試料５７
〜６８については、表１中の試料２７に対応する組成を
有しており、試料６９〜７４については、表１中の試料
４６に対応する組成を有している。
【００４３】次に、これら調合済み原料の粉末を、ボー
ルミルを用いて１６時間湿式混合した後、脱水、乾燥
し、その後、１１００〜１３００℃で３時間仮焼し、こ
の仮焼粉末に適量のバインダを加えて、再度、ボールミ
ルを用いて１６時間湿式粉砕することにより、調製粉末
を得た。
ルミルを用いて１６時間湿式混合した後、脱水、乾燥
し、その後、１１００〜１３００℃で３時間仮焼し、こ
の仮焼粉末に適量のバインダを加えて、再度、ボールミ
ルを用いて１６時間湿式粉砕することにより、調製粉末
を得た。
【００４４】次に、この調製粉末を１０００〜２０００
ｋｇ／ｃｍ2の圧力で円板状にプレス成形した後、１４
００〜１５００℃の温度で４〜１０時間大気中で焼成
し、直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。
ｋｇ／ｃｍ2の圧力で円板状にプレス成形した後、１４
００〜１５００℃の温度で４〜１０時間大気中で焼成
し、直径１０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。
【００４５】得られた焼結体について、測定周波数６〜
８ＧＨｚにおける比誘電率（εr）およびＱ値を両端短
絡型誘電体共振器法で測定し、Ｑ×ｆ＝一定則に従っ
て、１ＧＨｚのＱ値に換算した。また、ＴＥ〔０１δ〕
モード共振器周波数から、共振周波数の２５℃〜５５℃
間の温度係数（τｆ）を測定した。これらの結果を、表
１および表２に示す。なお、表1において、試料番号に
＊を付したものは、本発明の範囲外のものである。
８ＧＨｚにおける比誘電率（εr）およびＱ値を両端短
絡型誘電体共振器法で測定し、Ｑ×ｆ＝一定則に従っ
て、１ＧＨｚのＱ値に換算した。また、ＴＥ〔０１δ〕
モード共振器周波数から、共振周波数の２５℃〜５５℃
間の温度係数（τｆ）を測定した。これらの結果を、表
１および表２に示す。なお、表1において、試料番号に
＊を付したものは、本発明の範囲外のものである。
【００４６】表１および表２から明らかなように、本発
明の範囲内にある試料によれば、マイクロ波帯において
比誘電率を大きな値に保ちながら高いＱ値を得ることが
できる。
明の範囲内にある試料によれば、マイクロ波帯において
比誘電率を大きな値に保ちながら高いＱ値を得ることが
できる。
【００４７】ここで、表１を主として参照しながら、本
発明の組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔ
ａ1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2b（た
だし、Ｌｎは希土類元素、ＭはＣａおよびＳｒのうちの
少なくとも１種）で表わされる組成物の限定理由を以下
に説明する。
発明の組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔ
ａ1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2b（た
だし、Ｌｎは希土類元素、ＭはＣａおよびＳｒのうちの
少なくとも１種）で表わされる組成物の限定理由を以下
に説明する。
【００４８】まず、ａについて、０．９００≦ａ≦１．
０５０と限定したのは、a＜０．９００の場合には、試
料１０および４２のように、また、a＞１．０５０の場
合には、試料１８および５０のように、ともにＱ値が低
くなり本発明の目的を達成することができないからであ
る。
０５０と限定したのは、a＜０．９００の場合には、試
料１０および４２のように、また、a＞１．０５０の場
合には、試料１８および５０のように、ともにＱ値が低
くなり本発明の目的を達成することができないからであ
る。
【００４９】ｂについて、０．９５０≦ｂ≦１．０５０
と限定したのは、ｂ＜０．９５０の場合には、試料１２
および４４のように、また、ｂ＞１．０５０の場合に
は、試料１６および４８のように、ともにＱ値が低くな
るためである。
と限定したのは、ｂ＜０．９５０の場合には、試料１２
および４４のように、また、ｂ＞１．０５０の場合に
は、試料１６および４８のように、ともにＱ値が低くな
るためである。
【００５０】また、ｘおよびｙについては、添付図１に
示すｘ−ｙ直交座標図において、点Ａ、Ｆを結ぶ線分の
内側（線分ＡＢを含む、多角形内）としたのは、外側の
場合には、試料１〜３、４０、４１および５２のよう
に、焼結温度が１５００℃を超えて１６００℃程度の高
温になり、工業的に大量生産するのに不都合なためであ
る。
示すｘ−ｙ直交座標図において、点Ａ、Ｆを結ぶ線分の
内側（線分ＡＢを含む、多角形内）としたのは、外側の
場合には、試料１〜３、４０、４１および５２のよう
に、焼結温度が１５００℃を超えて１６００℃程度の高
温になり、工業的に大量生産するのに不都合なためであ
る。
【００５１】点Ａ、Ｂ、Ｃを結ぶ線分ＡＢＣの内側（線
分ＡＢＣを含む、多角形内）としたのは、外側の場合に
は、試料２１および３０のように、共振周波数の温度係
数（τｆ）が−５０ｐｐｍ／℃よりもマイナス側にずれ
てしまうからである。
分ＡＢＣを含む、多角形内）としたのは、外側の場合に
は、試料２１および３０のように、共振周波数の温度係
数（τｆ）が−５０ｐｐｍ／℃よりもマイナス側にずれ
てしまうからである。
【００５２】点Ｄ、Ｅ、Ｆを結ぶ線分ＤＥＦの内側（線
分ＤＥＦを含む、多角形内）としたのは、外側の場合に
は、試料７、２５および３１のように、共振周波数の温
度係数（τｆ）が＋３０ｐｐｍ／℃よりも大きくなって
しまうからである。
分ＤＥＦを含む、多角形内）としたのは、外側の場合に
は、試料７、２５および３１のように、共振周波数の温
度係数（τｆ）が＋３０ｐｐｍ／℃よりも大きくなって
しまうからである。
【００５３】点Ｃ、Ｄを結ぶ線分ＣＤの内側（線分ＣＤ
を含む、多角形内）としたのは、外側の場合には、Ａｌ
を含有する効果が小さくなり、Ｑ値が低いためである。
たとえば、ほぼ同じ共振周波数の温度係数（τｆ）を示
す、試料３９と８、２６および３２を比較するとわか
る。
を含む、多角形内）としたのは、外側の場合には、Ａｌ
を含有する効果が小さくなり、Ｑ値が低いためである。
たとえば、ほぼ同じ共振周波数の温度係数（τｆ）を示
す、試料３９と８、２６および３２を比較するとわか
る。
【００５４】また、ｘおよびｙについて、０．６００≦
ｘ≦０．９００、０．３３０≦ｙ≦０．４２０とするこ
とにより、共振周波数の温度係数（τｆ）が０±３０ｐ
ｐｍ／℃の特性を得ることができ、より好ましい。
ｘ≦０．９００、０．３３０≦ｙ≦０．４２０とするこ
とにより、共振周波数の温度係数（τｆ）が０±３０ｐ
ｐｍ／℃の特性を得ることができ、より好ましい。
【００５５】また、表１の試料２７と表２の試料５７〜
６８の比較、および、表１の試料４６と表２の試料６９
〜７４の比較から明らかなように、希土類元素としては
Ｙ、Ｓｍを用いるのがより好ましく、このようにＬａ、
Ｓｍを用いることにより、Ｑ値をより高くすることがで
きる。
６８の比較、および、表１の試料４６と表２の試料６９
〜７４の比較から明らかなように、希土類元素としては
Ｙ、Ｓｍを用いるのがより好ましく、このようにＬａ、
Ｓｍを用いることにより、Ｑ値をより高くすることがで
きる。
【００５６】（実施例２）出発原料として、高純度の希
土類酸化物（Ｌａ2Ｏ3など）、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、炭酸ス
トロンチウム（ＳｒＣＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）を
準備した。
土類酸化物（Ｌａ2Ｏ3など）、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化アルミニウム
（Ａｌ2Ｏ3）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、炭酸ス
トロンチウム（ＳｒＣＯ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）を
準備した。
【００５７】次に、表３に示す組成式：ｚＬａ｛Ａｌ
1-x・（Ｍｇ(3+y)/6Ｔｉ(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ
(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴｉbＯ1+2b（ただし、ｚはモ
ル比）で表わされる組成物が得られるように、これらの
原料を調合した。また、表４に示す組成式：ｚＬｎ｛Ａ
ｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6Ｔｉ(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ
(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴｉbＯ1+2b（ただし、ｚはモ
ル比）で表わされる組成物が得られるように、これらの
原料を調合した。
1-x・（Ｍｇ(3+y)/6Ｔｉ(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ
(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴｉbＯ1+2b（ただし、ｚはモ
ル比）で表わされる組成物が得られるように、これらの
原料を調合した。また、表４に示す組成式：ｚＬｎ｛Ａ
ｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6Ｔｉ(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ
(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴｉbＯ1+2b（ただし、ｚはモ
ル比）で表わされる組成物が得られるように、これらの
原料を調合した。
【００５８】
【表３】
【００５９】
【表４】
【００６０】なお、表４に示した試料１１５〜１３２
は、表３の組成式中のＬａの代わりに、表３の「希土類
元素」の欄に示した種々の希土類元素としたもので、試
料１１５〜１２６については、表３中の試料９０に対応
する組成を有しており、試料１２７〜１３２について
は、表３中の試料１１０に対応する組成を有している。
は、表３の組成式中のＬａの代わりに、表３の「希土類
元素」の欄に示した種々の希土類元素としたもので、試
料１１５〜１２６については、表３中の試料９０に対応
する組成を有しており、試料１２７〜１３２について
は、表３中の試料１１０に対応する組成を有している。
【００６１】次に、これら調合済み原料粉末を用いて、
その他は実施例１と同様にして、１４００〜１５００℃
で焼成して焼結体を得た。その後、実施例１と同様にし
て、比誘電率（εr）、Ｑ値、および共振周波数の温度
係数（τｆ）を求めた。これらの結果を、表３および表
４に示す。なお、表３において、試料番号に＊印を付し
たものは、本発明の範囲外のものである。
その他は実施例１と同様にして、１４００〜１５００℃
で焼成して焼結体を得た。その後、実施例１と同様にし
て、比誘電率（εr）、Ｑ値、および共振周波数の温度
係数（τｆ）を求めた。これらの結果を、表３および表
４に示す。なお、表３において、試料番号に＊印を付し
たものは、本発明の範囲外のものである。
【００６２】表３および表４から明らかなように、本発
明の範囲内にある試料によれば、マイクロ波帯において
比誘電率を大きな値に保ちながら高いＱ値を得ることが
できる。
明の範囲内にある試料によれば、マイクロ波帯において
比誘電率を大きな値に保ちながら高いＱ値を得ることが
できる。
【００６３】ここで、表３を主として参照しながら、本
発明の組成式：ｚＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6Ｔｉ
(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴｉb
Ｏ1+2b（ただし、Ｌｎは希土類元素、ＭはＣａおよびＳ
ｎのうちの少なくとも１種）で表わされる組成物の限定
理由を以下に説明する。
発明の組成式：ｚＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6Ｔｉ
(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴｉb
Ｏ1+2b（ただし、Ｌｎは希土類元素、ＭはＣａおよびＳ
ｎのうちの少なくとも１種）で表わされる組成物の限定
理由を以下に説明する。
【００６４】まず、ａについて、０．９００≦ａ≦１．
０５０と限定したのは、a＜０．９００の場合には、試
料８６および１０８のように、また、a＞１．０５０の
場合には、試料９４および１１４のように、ともにＱ値
が低くなり本発明の目的を達成することができないから
である。
０５０と限定したのは、a＜０．９００の場合には、試
料８６および１０８のように、また、a＞１．０５０の
場合には、試料９４および１１４のように、ともにＱ値
が低くなり本発明の目的を達成することができないから
である。
【００６５】ｂについて、０．９５０≦ｂ≦１．０５０
と限定したのは、ｂ＜０．９５０の場合には、試料８８
および１０８のように、また、ｂ＞１．０５０の場合に
は、試料９２および１１２のように、ともにＱ値が低く
なるためである。
と限定したのは、ｂ＜０．９５０の場合には、試料８８
および１０８のように、また、ｂ＞１．０５０の場合に
は、試料９２および１１２のように、ともにＱ値が低く
なるためである。
【００６６】ｘについて、０．６５０≦ｘ≦０．９５０
と限定したのは、ｘ＜０．６５０の場合には、試料７５
および７６のように、焼結温度が１５００を超えて１６
００℃程度の高温になり、工業的に大量生産するのに不
都合なためである。一方、ｘ＞０．９５０の場合には、
試料１０５と８０および９０を比較すると明らかなよう
に、Ａｌを含有する効果が小さくなりＱ値が低くなるた
めである。
と限定したのは、ｘ＜０．６５０の場合には、試料７５
および７６のように、焼結温度が１５００を超えて１６
００℃程度の高温になり、工業的に大量生産するのに不
都合なためである。一方、ｘ＞０．９５０の場合には、
試料１０５と８０および９０を比較すると明らかなよう
に、Ａｌを含有する効果が小さくなりＱ値が低くなるた
めである。
【００６７】ｙについて、０．７００≦ｙ＜１．０００
と限定したのは、ｙ＜０．７００の場合には、試料７７
のように、焼結温度が１５００を超えて１６００℃程度
の高温になり、工業的に大量生産するに不都合なためで
ある。一方、ｙ＝１．０００の場合には、試料９９〜１
０１から明らかなように、Ｑ値の低下を生じることな
く、比誘電率（εr）を増大させ、共振周波数の温度係
数（τｆ）を正側にシフトさせる効果が期待できないか
らである。
と限定したのは、ｙ＜０．７００の場合には、試料７７
のように、焼結温度が１５００を超えて１６００℃程度
の高温になり、工業的に大量生産するに不都合なためで
ある。一方、ｙ＝１．０００の場合には、試料９９〜１
０１から明らかなように、Ｑ値の低下を生じることな
く、比誘電率（εr）を増大させ、共振周波数の温度係
数（τｆ）を正側にシフトさせる効果が期待できないか
らである。
【００６８】ｚについて、０．３２５≦ｚ≦０．５００
としたのは、ｚ＜０．３２５の場合、試料７８のよう
に、共振周波数の温度係数（τｆ）が＋３０ｐｐｍ／℃
より大きくなってしまい、ｚ＞０．５００の場合には、
共振周波数の温度係数（τｆ）が、試料９７のように、
−５０ｐｐｍ／℃よりもマイナス側にずれてしまうため
である。
としたのは、ｚ＜０．３２５の場合、試料７８のよう
に、共振周波数の温度係数（τｆ）が＋３０ｐｐｍ／℃
より大きくなってしまい、ｚ＞０．５００の場合には、
共振周波数の温度係数（τｆ）が、試料９７のように、
−５０ｐｐｍ／℃よりもマイナス側にずれてしまうため
である。
【００６９】また、表３の試料９０と表４の試料１１５
〜１２６の比較、および、表３の試料１１０と表４の試
料１２７〜１３２の比較から明らかなように、希土類元
素としてはＹ、Ｓｍを用いるのがより好ましく、このよ
うにＬａ、Ｓｍを用いることにより、Ｑ値をより高くす
ることができる。
〜１２６の比較、および、表３の試料１１０と表４の試
料１２７〜１３２の比較から明らかなように、希土類元
素としてはＹ、Ｓｍを用いるのがより好ましく、このよ
うにＬａ、Ｓｍを用いることにより、Ｑ値をより高くす
ることができる。
【００７０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、比誘電率（εr）が３５〜５０と大きく、Ｑ値
が２００００以上と大きく、しかも、共振周波数の温度
係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任意に制御で
きる、高周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。
よれば、比誘電率（εr）が３５〜５０と大きく、Ｑ値
が２００００以上と大きく、しかも、共振周波数の温度
係数（τｆ）を０（ｐｐｍ／℃）を中心に任意に制御で
きる、高周波用誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００７１】したがって、このような組成を有する誘電
体磁器を用いて、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電
体デュプレクサ、および通信機装置を形成することによ
り、それぞれ良好な特性を得ることができる。
体磁器を用いて、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電
体デュプレクサ、および通信機装置を形成することによ
り、それぞれ良好な特性を得ることができる。
【図１】本発明の組成物を表わす組成式のパラメータ
ｘ、ｙを特定するｘ−ｙ直交座標図である。
ｘ、ｙを特定するｘ−ｙ直交座標図である。
【図２】本発明の一実施形態による誘電体共振器を図解
的に示す断面図である。
的に示す断面図である。
【図３】本発明の通信機装置一例を示すブロック図であ
る。
る。
１ 誘電体共振器 ２ 金属ケース ４ 誘電体磁器 ５ 入力端子 ６ 出力端子 １０ 通信機装置 １２ 誘電体デュプレクサ １４ 送信回路 １６ 受信回路 １８ アンテナ ２０ 入力手段 ２２ 出力手段 ２４ アンテナ接続手段 ２６、２８ 誘電体フィルタ ３０ 外部結合手段
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 3/12 ３１２ Ｈ０１Ｂ 3/12 ３１２ Ｈ０１Ｇ 4/12 ３１０ Ｈ０１Ｇ 4/12 ３１０ Ｈ０１Ｐ 1/20 Ｈ０１Ｐ 1/20 Ａ 7/10 7/10 Ｆターム(参考） 4G031 AA03 AA04 AA05 AA08 AA09 AA11 AA15 AA29 BA09 5E001 AA01 AE00 AJ02 5G303 AA02 AA10 AB06 AB08 AB11 BA12 CA01 CB01 CB06 CB15 CB17 CB22 CB32 CB33 CB35 CB40 CB41 5J006 HC03 HC07 HC12 HC21 NA01
Claims (9)
- 【請求項１】 希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔ
ａ、ＴｉおよびＭ（Ｍ：ＣａおよびＳｒのうちの少なく
とも１種）を含み、 モル比による組成式：ｙＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ2/3Ｔａ
1/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｙ）ＭＴｉbＯ1+2bで表わ
される組成を有し、 ａおよびｂが、 ０．９００≦ａ≦１．０５０ ０．９５０≦ｂ≦１．０５０ の範囲内にあり、 ｘおよびｙが、添付図１に示すｘ−ｙ直交座標図におい
て、 点Ａ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．４００） 点Ｂ（ｘ＝０．６００、ｙ＝０．４５０） 点Ｃ（ｘ＝０．９００、ｙ＝０．４５０） 点Ｄ（ｘ＝０．９００、ｙ＝０．３００） 点Ｅ（ｘ＝０．６５０、ｙ＝０．３００） 点Ｆ（ｘ＝０．５５０、ｙ＝０．３６０） を結ぶ多角形の線上または内部にあり、 ペロブスカイト型結晶相を主結晶とすることを特徴とす
る、高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記ｘおよびｙが、 ０．６００≦ｘ≦０．９００ ０．３３０≦ｙ≦０．４２０ の範囲内にあることを特徴とする、請求項１に記載の高
周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔ
ａ、ＴｉおよびＭ（Ｍ：ＣａおよびＳｒのうちの少なく
とも１種）を含み、 モル比による組成式：ｚＬｎ｛Ａｌ1-x・（Ｍｇ(3+y)/6
Ｔｉ(1-y)/2Ｔａy/3）x｝aＯ(3+3a)/2−（１−ｚ）ＭＴ
ｉbＯ1+2bで表わされる組成を有し、 ａ、ｂ、ｘ、ｙおよびｚが、 ０．９００≦ａ≦１．０５０ ０．９５０≦ｂ≦１．０５０ ０．６５０≦ｘ≦０．９５０ ０．７００≦ｙ＜１．０００ ０．３２５≦ｚ≦０．５００ の範囲内にあり、 ペロブスカイト型結晶相を主結晶とすることを特徴とす
る、高周波用誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記希土類元素（Ｌｎ）は、Ｙ、Ｌａ、
ＮｄおよびＳｍのうちの少なくとも１種であることを特
徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の高周波用
誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記希土類元素（Ｌｎ）は、Ｌａおよび
Ｓｍのうちの少なくとも１種であることを特徴とする、
請求項１から３のいずれかに記載の高周波用誘電体磁器
組成物。 - 【請求項６】 誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合し
て作動する、誘電体共振器において、前記誘電体磁器
は、請求項1から５のいずれかに記載の高周波用誘電体
磁器組成物からなることを特徴とする、誘電体共振器。 - 【請求項７】 請求項６に記載の誘電体共振器に外部結
合手段を含んでなることを特徴とする、誘電体フィル
タ。 - 【請求項８】 少なくとも２つの誘電体フィルタと、該
誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段
と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接
合手段とを含んでなる誘電体デュプレクサであって、前
記誘電体フィルタの少なくとも１つが請求項７に記載の
誘電体フィルタであることを特徴とする、誘電体デュプ
レクサ。 - 【請求項９】 請求項８に記載の誘電体デュプレクサ
と、該誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接
続手段に接続される送信用回路と、該送信用回路に接続
される前記入出力接続手段と異なる少なくとも１つの入
出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デ
ュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナと
を含んでなることを特徴とする、通信機装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036267A JP2000233970A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036267A JP2000233970A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000233970A true JP2000233970A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12465006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11036267A Pending JP2000233970A (ja) | 1999-02-15 | 1999-02-15 | 高周波用誘電体磁器組成物、誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000233970A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3376933B2 (ja) | 1998-12-24 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 |
| CN1305804C (zh) * | 2005-05-13 | 2007-03-21 | 北京工业大学 | 一种提高(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷的介电系数的方法 |
| WO2011052720A1 (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよび共振器 |
-
1999
- 1999-02-15 JP JP11036267A patent/JP2000233970A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3376933B2 (ja) | 1998-12-24 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物および誘電体共振器 |
| CN1305804C (zh) * | 2005-05-13 | 2007-03-21 | 北京工业大学 | 一种提高(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷的介电系数的方法 |
| WO2011052720A1 (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-05 | 京セラ株式会社 | 誘電体セラミックスおよび共振器 |
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