JP2000235144A - マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置 - Google Patents
マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置Info
- Publication number
- JP2000235144A JP2000235144A JP2000033981A JP2000033981A JP2000235144A JP 2000235144 A JP2000235144 A JP 2000235144A JP 2000033981 A JP2000033981 A JP 2000033981A JP 2000033981 A JP2000033981 A JP 2000033981A JP 2000235144 A JP2000235144 A JP 2000235144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- projection objective
- objective lens
- projection
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0657—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長でのリソグラフィーに適した投影用対
物レンズの提供。 【解決手段】 好ましくは１００ｎｍ以下といったよう
な短波長マイクロリソグラフィーにおいて使用するため
の投影用対物レンズであって、イメージ側での開口数
（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５であるようにして配置された
６個のミラー、つまり、第１ミラーＳ１〜第６ミラーＳ
６を具備してなり、ウェーハ面４に対して最も近い位置
に配置された第５ミラーＳ５が、ウェーハ面に対して所
定距離だけ離間して配置されている。
物レンズの提供。 【解決手段】 好ましくは１００ｎｍ以下といったよう
な短波長マイクロリソグラフィーにおいて使用するため
の投影用対物レンズであって、イメージ側での開口数
（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５であるようにして配置された
６個のミラー、つまり、第１ミラーＳ１〜第６ミラーＳ
６を具備してなり、ウェーハ面４に対して最も近い位置
に配置された第５ミラーＳ５が、ウェーハ面に対して所
定距離だけ離間して配置されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロリソグラ
フィー用対物レンズ、および、この対物レンズを備えた
投影露光装置、ならびに、これを利用した集積回路の製
造方法に関するものである。
フィー用対物レンズ、および、この対物レンズを備えた
投影露光装置、ならびに、これを利用した集積回路の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】１３０ｎｍ以下の解像度の構造をイメー
ジ化するために、１９３ｎｍ以下の波長で動作するリソ
グラフィー光学系を使用することが、既に提案されてい
る。実際、このようなリソグラフィー光学系において
は、λ＝１１ｎｍやλ＝１３ｎｍという波長範囲の極紫
外光（ＥＵＶ）でもって、１００ｎｍ以下の構造を形成
することが示唆されている。リソグラフィー光学系の解
像度は、ｋ1 をリソグラフィープロセスの特定パラメー
タ、λを入射光の波長、ＮＡを光学系のイメージ側にお
ける開口数とすれば、 ＲＥＳ＝ｋ1λ／ＮＡ で表され
る。例えば、開口数が０．２の場合には、１３ｎｍによ
る５０ｎｍ構造のイメージは、ｋ1 ＝０．７７という比
較的単純なプロセスを要求する。ｋ1 ＝０．６４であれ
ば、１１ｎｍの放射によって３５ｎｍ構造のイメージを
得ることができる。
ジ化するために、１９３ｎｍ以下の波長で動作するリソ
グラフィー光学系を使用することが、既に提案されてい
る。実際、このようなリソグラフィー光学系において
は、λ＝１１ｎｍやλ＝１３ｎｍという波長範囲の極紫
外光（ＥＵＶ）でもって、１００ｎｍ以下の構造を形成
することが示唆されている。リソグラフィー光学系の解
像度は、ｋ1 をリソグラフィープロセスの特定パラメー
タ、λを入射光の波長、ＮＡを光学系のイメージ側にお
ける開口数とすれば、 ＲＥＳ＝ｋ1λ／ＮＡ で表され
る。例えば、開口数が０．２の場合には、１３ｎｍによ
る５０ｎｍ構造のイメージは、ｋ1 ＝０．７７という比
較的単純なプロセスを要求する。ｋ1 ＝０．６４であれ
ば、１１ｎｍの放射によって３５ｎｍ構造のイメージを
得ることができる。
【０００３】ＥＵＶ領域におけるイメージ化光学系にお
いては、多層コーティングを有した実質的な反射系が、
光学部材として利用可能である。好ましくは、Ｍｏ／Ｂ
ｅからなる多層が、λ＝１１ｎｍで動作する光学系に対
しての多層コーティング系として使用され、一方、λ＝
１３ｎｍにおいては、Ｍｏ／Ｓｉからなる多層系が使用
される。多層コーティングの反射率が約７０％の場合に
は、例えばＥＵＶ投影用対物レンズを使用したマイクロ
リソグラフィーといったような応用においては、十分な
光学強度を確保するために、できる限り少数の光学素子
しか使用しないことが望ましい。詳細には、大きな光強
度を得るためには、また、イメージ化エラーの補正を可
能とするためには、６個のミラーを備え開口数（ＮＡ）
が０．２０とされた光学系が、使用される。
いては、多層コーティングを有した実質的な反射系が、
光学部材として利用可能である。好ましくは、Ｍｏ／Ｂ
ｅからなる多層が、λ＝１１ｎｍで動作する光学系に対
しての多層コーティング系として使用され、一方、λ＝
１３ｎｍにおいては、Ｍｏ／Ｓｉからなる多層系が使用
される。多層コーティングの反射率が約７０％の場合に
は、例えばＥＵＶ投影用対物レンズを使用したマイクロ
リソグラフィーといったような応用においては、十分な
光学強度を確保するために、できる限り少数の光学素子
しか使用しないことが望ましい。詳細には、大きな光強
度を得るためには、また、イメージ化エラーの補正を可
能とするためには、６個のミラーを備え開口数（ＮＡ）
が０．２０とされた光学系が、使用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】マイクロリソグラフィ
ーのための、６個のミラーを備えた光学系は、米国特許
明細書第５，６８６，７２８号、欧州特許明細書第７７
９，５２８号、および、米国特許明細書第５，８１５，
３１０号によって公知となっている。上記米国特許明細
書第５，６８６，７２８号における投影リソグラフィー
光学系は、６個のミラーを備えた投影用対物レンズを具
備している。この場合、反射性ミラー表面の各々は、非
球面の形態とされている。これらミラーは、障害物のな
い光学経路が得られるような状況で、共通の光学軸に沿
って配置されている。この米国特許明細書第５，６８
６，７２８号によって公知の投影用対物レンズが、１０
０〜３００ｎｍの波長のＵＶ光に対してのみ使用される
ものであることにより、この投影用対物レンズのミラー
は、約±５０μｍという非常に大きな非球面性を有して
おり、約３８°という非常に大きな入射角度を有してい
る。ＮＡ＝０．２へと開口数を減少したにしても、ピー
クからピークで測ったときに２５μｍという非球面性が
残り、入射角度の減少量は少ない。このような非球面性
および入射角度は、現存技術におけるＥＵＶ領域におい
ては、使用できるものではない。というのは、ＥＵＶ領
域の技術においては、ミラーの表面品質および反射率と
して、さらに高度なものが要望されるからである。
ーのための、６個のミラーを備えた光学系は、米国特許
明細書第５，６８６，７２８号、欧州特許明細書第７７
９，５２８号、および、米国特許明細書第５，８１５，
３１０号によって公知となっている。上記米国特許明細
書第５，６８６，７２８号における投影リソグラフィー
光学系は、６個のミラーを備えた投影用対物レンズを具
備している。この場合、反射性ミラー表面の各々は、非
球面の形態とされている。これらミラーは、障害物のな
い光学経路が得られるような状況で、共通の光学軸に沿
って配置されている。この米国特許明細書第５，６８
６，７２８号によって公知の投影用対物レンズが、１０
０〜３００ｎｍの波長のＵＶ光に対してのみ使用される
ものであることにより、この投影用対物レンズのミラー
は、約±５０μｍという非常に大きな非球面性を有して
おり、約３８°という非常に大きな入射角度を有してい
る。ＮＡ＝０．２へと開口数を減少したにしても、ピー
クからピークで測ったときに２５μｍという非球面性が
残り、入射角度の減少量は少ない。このような非球面性
および入射角度は、現存技術におけるＥＵＶ領域におい
ては、使用できるものではない。というのは、ＥＵＶ領
域の技術においては、ミラーの表面品質および反射率と
して、さらに高度なものが要望されるからである。
【０００５】上記米国特許明細書第５，６８６，７２８
号における対物レンズに関し、ＥＵＶマイクロリソグラ
フィーにとって望ましい例えば１１ｎｍや１３ｎｍとい
ったような１００ｎｍ以下の波長での使用に対しての障
害となっている他の欠点は、ウェーハとウェーハに最も
近いミラーとの間の距離が短いことである。このように
この距離が短いことのために、その米国特許明細書第
５，６８６，７２８号における装置において使用されて
いるような極薄のミラーしか使用することができない。
興味の対象をなす１１ｎｍや１３ｎｍの波長に対して適
切であるような多層系のコーティングに対しては、かな
りの応力がかかることにより、そのような薄いミラー
は、非常に不安定である。
号における対物レンズに関し、ＥＵＶマイクロリソグラ
フィーにとって望ましい例えば１１ｎｍや１３ｎｍとい
ったような１００ｎｍ以下の波長での使用に対しての障
害となっている他の欠点は、ウェーハとウェーハに最も
近いミラーとの間の距離が短いことである。このように
この距離が短いことのために、その米国特許明細書第
５，６８６，７２８号における装置において使用されて
いるような極薄のミラーしか使用することができない。
興味の対象をなす１１ｎｍや１３ｎｍの波長に対して適
切であるような多層系のコーティングに対しては、かな
りの応力がかかることにより、そのような薄いミラー
は、非常に不安定である。
【０００６】１３μｍや１１μｍといった波長にさえお
けるＥＵＶリソグラフィー用の、６個のミラー付きの投
影用対物レンズは、先の欧州特許明細書第７７９，５２
８号によって公知となっている。この投影用対物レンズ
は、また、６個のミラーのうちの少なくとも２つのミラ
ーが、２６μｍおよび１８．５μｍという非常に大きな
非球面性を有しているという欠点をかかえている。うま
くないことに、この欧州特許明細書第７７９，５２８号
における構成においては、ウェーハに最も近いミラーと
ウェーハとの間の光学的動作距離が非常に短く、そのた
め、不安定性が発生したり、負の機械的動作距離ができ
たりする。
けるＥＵＶリソグラフィー用の、６個のミラー付きの投
影用対物レンズは、先の欧州特許明細書第７７９，５２
８号によって公知となっている。この投影用対物レンズ
は、また、６個のミラーのうちの少なくとも２つのミラ
ーが、２６μｍおよび１８．５μｍという非常に大きな
非球面性を有しているという欠点をかかえている。うま
くないことに、この欧州特許明細書第７７９，５２８号
における構成においては、ウェーハに最も近いミラーと
ウェーハとの間の光学的動作距離が非常に短く、そのた
め、不安定性が発生したり、負の機械的動作距離ができ
たりする。
【０００７】よって、上記従来技術における欠点を有し
ていないような、短波長でのリソグラフィーのための、
好ましくは１００ｎ以下の波長でのリソグラフィーのた
めの、投影用対物レンズが要望されている。
ていないような、短波長でのリソグラフィーのための、
好ましくは１００ｎ以下の波長でのリソグラフィーのた
めの、投影用対物レンズが要望されている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のある見地によれ
ば、６個のミラーを備えた投影用対物レンズであって、
被照光ウェーハの最も近くに配置されるミラーが、イメ
ージ側での開口数（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５であるよう
にして配置されることによって、従来技術の欠点が克服
される。また、ウェーハの最も近くに配置されるミラー
は、イメージ側における光学的にフリーな動作距離が、
ウェーハの近くに配置されるミラーの直径以上である
か；あるいは、イメージ側における光学的にフリーな動
作距離が、ウェーハの近くに配置されるミラーの直径の
３分の１と、２０ｍｍ〜３０ｍｍの範囲の長さと、の和
以上であるか；あるいは、イメージ側における光学的に
フリーな動作距離が、５０ｍｍ以上であるか；のいずれ
かの状況で配置される。好ましい実施形態においては、
イメージ側における光学的動作距離は、６０ｍｍとされ
る。
ば、６個のミラーを備えた投影用対物レンズであって、
被照光ウェーハの最も近くに配置されるミラーが、イメ
ージ側での開口数（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５であるよう
にして配置されることによって、従来技術の欠点が克服
される。また、ウェーハの最も近くに配置されるミラー
は、イメージ側における光学的にフリーな動作距離が、
ウェーハの近くに配置されるミラーの直径以上である
か；あるいは、イメージ側における光学的にフリーな動
作距離が、ウェーハの近くに配置されるミラーの直径の
３分の１と、２０ｍｍ〜３０ｍｍの範囲の長さと、の和
以上であるか；あるいは、イメージ側における光学的に
フリーな動作距離が、５０ｍｍ以上であるか；のいずれ
かの状況で配置される。好ましい実施形態においては、
イメージ側における光学的動作距離は、６０ｍｍとされ
る。
【０００９】本発明の他の見地によれば、６個のミラー
を備えた投影用対物レンズは、イメージ側での開口数Ｎ
ＡがＮＡ≧０．１５であり、ウェーハにおける円弧形状
視野幅Ｗが、１．０ｍｍ≦Ｗという範囲であり、６個の
ミラーのすべてに関して、非球面形状のピーク対谷で測
ったときの、最適適合球面からの最大ズレ量Ａが、Ａ≦
１９μｍ−１０２μｍ×（０．２５−ＮＡ）−０．７μ
ｍ／ｍｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲に制限されているこ
とによって特徴づけられる。好ましい実施形態において
は、すべてのミラーに関し、非球面形状のピーク対谷で
測ったときの、最適適合球面からの最大ズレ量Ａは、Ａ
≦１２μｍ−６４μｍ×（０．２５−ＮＡ）−０．３μ
ｍ／ｍｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲によって制限され
る。
を備えた投影用対物レンズは、イメージ側での開口数Ｎ
ＡがＮＡ≧０．１５であり、ウェーハにおける円弧形状
視野幅Ｗが、１．０ｍｍ≦Ｗという範囲であり、６個の
ミラーのすべてに関して、非球面形状のピーク対谷で測
ったときの、最適適合球面からの最大ズレ量Ａが、Ａ≦
１９μｍ−１０２μｍ×（０．２５−ＮＡ）−０．７μ
ｍ／ｍｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲に制限されているこ
とによって特徴づけられる。好ましい実施形態において
は、すべてのミラーに関し、非球面形状のピーク対谷で
測ったときの、最適適合球面からの最大ズレ量Ａは、Ａ
≦１２μｍ−６４μｍ×（０．２５−ＮＡ）−０．３μ
ｍ／ｍｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲によって制限され
る。
【００１０】本発明のさらに他の見地においては、６個
のミラーを備えた投影用対物レンズは、イメージ側での
開口数ＮＡがＮＡ≧０．１５であり、ウェーハにおける
円弧形状視野幅Ｗが、１．０ｍｍ≦Ｗという範囲であ
り、すべてのミラーにおける光入射に関して、面に対す
る直交方向から測ったときの入射角度ＡＯＩが、ＡＯＩ
≦２３°−３５°×（０．２５−ＮＡ）−０．２°／ｍ
ｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲によって制限されることに
よって特徴づけられる。
のミラーを備えた投影用対物レンズは、イメージ側での
開口数ＮＡがＮＡ≧０．１５であり、ウェーハにおける
円弧形状視野幅Ｗが、１．０ｍｍ≦Ｗという範囲であ
り、すべてのミラーにおける光入射に関して、面に対す
る直交方向から測ったときの入射角度ＡＯＩが、ＡＯＩ
≦２３°−３５°×（０．２５−ＮＡ）−０．２°／ｍ
ｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲によって制限されることに
よって特徴づけられる。
【００１１】好ましくは、本発明の実施形態は、上記３
つの見地のすべてを含む。例えば、そのような実施形態
においては、光学的動作距離が、ＮＡ＝０．２０におい
て５０ｍｍ以上であり、かつ、ピーク対谷での非球面偏
差が上記範囲内であり、かつ、入射角度が上記範囲内で
ある。
つの見地のすべてを含む。例えば、そのような実施形態
においては、光学的動作距離が、ＮＡ＝０．２０におい
て５０ｍｍ以上であり、かつ、ピーク対谷での非球面偏
差が上記範囲内であり、かつ、入射角度が上記範囲内で
ある。
【００１２】非球面性という用語は、使用範囲において
最適適合をなす球面に対しての、非球面形状表面の、ピ
ーク対谷での偏差Ａのことを意味している。非球面状表
面は、この例においては、ミラーの頂点に中心を有して
いるとともに中間部における有効領域の上端および下端
において非球面と交差する球面を使用することによって
近似される。入射角度とは、常に、入射ビームと、表面
に対しての入射点から立ち上げた垂直線と、の間の角度
を意味している。ミラーに関しての入射光最大入射角度
が、常に与えられる。すなわち、入射束制限ビームの角
度が与えられる。使用直径とは、通常円形ではないよう
な使用領域に対しての包絡円の直径として定義される。
最適適合をなす球面に対しての、非球面形状表面の、ピ
ーク対谷での偏差Ａのことを意味している。非球面状表
面は、この例においては、ミラーの頂点に中心を有して
いるとともに中間部における有効領域の上端および下端
において非球面と交差する球面を使用することによって
近似される。入射角度とは、常に、入射ビームと、表面
に対しての入射点から立ち上げた垂直線と、の間の角度
を意味している。ミラーに関しての入射光最大入射角度
が、常に与えられる。すなわち、入射束制限ビームの角
度が与えられる。使用直径とは、通常円形ではないよう
な使用領域に対しての包絡円の直径として定義される。
【００１３】好ましくは、ウェーハ側における光学的動
作距離は、６０ｍｍとされる。
作距離は、６０ｍｍとされる。
【００１４】対物レンズは、ＥＵＶにおいてだけではな
く、本発明の範囲を逸脱することなく、他の波長におい
ても使用することができる。しかしながら、いずれの場
合においても、イメージ品質の劣化を避けるためには、
とりわけ中央陰影（centralshading） による劣化を避
けるためには、投影用対物レンズのミラーは、障害物の
ない光学経路を形成し得るようにして配置されるべきで
ある。さらに、光学系の取付を容易なものとするため
に、また、光学系の調整を容易なものとするために、ミ
ラー面は、主軸に対しての回転対称性を有した面をなす
ように構成されるべきである。さらに、アクセス可能な
開口を有したコンパクトな構成とするために、また、障
害物のない経路を確立するために、投影用対物レンズデ
バイスは、好ましくは第４ミラーの後に形成されるよう
な、中間イメージを形成し得るよう構成されている。こ
のような光学系においては、開口制限手段を、前方側に
おける開口の小さな部分に設けることができ、開口制限
手段に対して関連した光束面は、最後のミラーの焦点面
内にイメージ化される。このような光学系は、イメージ
空間内において、テレセントリック系ビームを確保す
る。
く、本発明の範囲を逸脱することなく、他の波長におい
ても使用することができる。しかしながら、いずれの場
合においても、イメージ品質の劣化を避けるためには、
とりわけ中央陰影（centralshading） による劣化を避
けるためには、投影用対物レンズのミラーは、障害物の
ない光学経路を形成し得るようにして配置されるべきで
ある。さらに、光学系の取付を容易なものとするため
に、また、光学系の調整を容易なものとするために、ミ
ラー面は、主軸に対しての回転対称性を有した面をなす
ように構成されるべきである。さらに、アクセス可能な
開口を有したコンパクトな構成とするために、また、障
害物のない経路を確立するために、投影用対物レンズデ
バイスは、好ましくは第４ミラーの後に形成されるよう
な、中間イメージを形成し得るよう構成されている。こ
のような光学系においては、開口制限手段を、前方側に
おける開口の小さな部分に設けることができ、開口制限
手段に対して関連した光束面は、最後のミラーの焦点面
内にイメージ化される。このような光学系は、イメージ
空間内において、テレセントリック系ビームを確保す
る。
【００１５】本発明のある実施形態においては、第２ミ
ラーと第３ミラーとの間に、自由にアクセス可能な開口
制限手段が、光学的にかつ物理的に配置される。開口制
限手段に対しての良好なアクセス可能性は、第１ミラー
から第３ミラーまでの間の距離（Ｓ１Ｓ３）と、第１ミ
ラーから第２ミラーまでの間の距離（Ｓ１Ｓ２）と、の
比が、 ０．５＜Ｓ１Ｓ３／Ｓ１Ｓ２＜２ の範囲とさ
れている場合に、確保される。また、第２ミラーと第３
ミラーとの間に配置された開口制限手段によって、第３
ミラーから第４ミラーへと進む光のぼやけを防止するた
めに、第２ミラーから開口制限手段までの間の距離（Ｓ
２開口）と、第３ミラーから開口までの間の距離（Ｓ３
開口）と、の比が、 ０．５＜Ｓ２開口／（Ｓ３開口）
＜２ の範囲とされる。このように配置された光学系を
使用することにより、投影用対物レンズの前段部分にお
ける角度負荷を、軽減することができる。
ラーと第３ミラーとの間に、自由にアクセス可能な開口
制限手段が、光学的にかつ物理的に配置される。開口制
限手段に対しての良好なアクセス可能性は、第１ミラー
から第３ミラーまでの間の距離（Ｓ１Ｓ３）と、第１ミ
ラーから第２ミラーまでの間の距離（Ｓ１Ｓ２）と、の
比が、 ０．５＜Ｓ１Ｓ３／Ｓ１Ｓ２＜２ の範囲とさ
れている場合に、確保される。また、第２ミラーと第３
ミラーとの間に配置された開口制限手段によって、第３
ミラーから第４ミラーへと進む光のぼやけを防止するた
めに、第２ミラーから開口制限手段までの間の距離（Ｓ
２開口）と、第３ミラーから開口までの間の距離（Ｓ３
開口）と、の比が、 ０．５＜Ｓ２開口／（Ｓ３開口）
＜２ の範囲とされる。このように配置された光学系を
使用することにより、投影用対物レンズの前段部分にお
ける角度負荷を、軽減することができる。
【００１６】第２ミラーＳ２と第１ミラーＳ１との間に
物理的に位置した開口制限手段は、Ｓ１からＳ２へと進
む光の拘束（クリッピング）を避けるためには、少なく
とも部分的には、狭いリングとして形成しなければなら
ない。このような構成においては、望ましくない直接光
がまたはＳ１上およびＳ２上における反射光が、開口リ
ングの外側を通過してウェーハへと到達するという危険
性がある。しかしながら、開口制限手段が、第２ミラー
と第３ミラーとの間に光学的に配置されており、かつ、
第１ミラーに物理的に近接して配置されている場合（機
械的に容易に実現することができる）には、この望まし
くない光を有効にマスク（遮蔽）することができる。開
口制限手段は、第１ミラー内における開口として形成す
ることもできるし、第１ミラーの背後に形成することも
できる。
物理的に位置した開口制限手段は、Ｓ１からＳ２へと進
む光の拘束（クリッピング）を避けるためには、少なく
とも部分的には、狭いリングとして形成しなければなら
ない。このような構成においては、望ましくない直接光
がまたはＳ１上およびＳ２上における反射光が、開口リ
ングの外側を通過してウェーハへと到達するという危険
性がある。しかしながら、開口制限手段が、第２ミラー
と第３ミラーとの間に光学的に配置されており、かつ、
第１ミラーに物理的に近接して配置されている場合（機
械的に容易に実現することができる）には、この望まし
くない光を有効にマスク（遮蔽）することができる。開
口制限手段は、第１ミラー内における開口として形成す
ることもできるし、第１ミラーの背後に形成することも
できる。
【００１７】本発明の他の実施形態においては、開口制
限手段は、第２ミラー上にまたは第２ミラーの近傍に配
置される。ミラー上に開口を配置することは、機械的な
形成が容易であるという利点がある。ここで、小さな入
射角度での障害物のないビーム経路を確保するために
は、第１ミラーおよび第３ミラー間の距離（Ｓ１Ｓ３）
と、第１ミラーおよび第２ミラー間の距離（Ｓ１Ｓ２）
と、の比が、 ０．３≦Ｓ１Ｓ３／Ｓ１Ｓ２≦２ の範
囲であり、かつ、第２ミラーおよび第３ミラー間の距離
（Ｓ２Ｓ３）と、第３ミラーおよび第４ミラー間の距離
（Ｓ３Ｓ４）と、の比が、 ０．７≦Ｓ２Ｓ３／（Ｓ３
Ｓ４）≦１．４ の範囲とされる。
限手段は、第２ミラー上にまたは第２ミラーの近傍に配
置される。ミラー上に開口を配置することは、機械的な
形成が容易であるという利点がある。ここで、小さな入
射角度での障害物のないビーム経路を確保するために
は、第１ミラーおよび第３ミラー間の距離（Ｓ１Ｓ３）
と、第１ミラーおよび第２ミラー間の距離（Ｓ１Ｓ２）
と、の比が、 ０．３≦Ｓ１Ｓ３／Ｓ１Ｓ２≦２ の範
囲であり、かつ、第２ミラーおよび第３ミラー間の距離
（Ｓ２Ｓ３）と、第３ミラーおよび第４ミラー間の距離
（Ｓ３Ｓ４）と、の比が、 ０．７≦Ｓ２Ｓ３／（Ｓ３
Ｓ４）≦１．４ の範囲とされる。
【００１８】６個ミラー光学系におけるイメージ化誤差
を補正し得るよう、好ましい実施形態においては、６個
すべてのミラーが、非球面形状とされている。しかしな
がら、代替可能な実施形態においては、最大でも５個の
ミラーが非球面形状とされており、この場合には、製造
プロセスを簡略化することができる。その場合、１つの
ミラーを、好ましくは最大のミラーすなわち第４ミラー
を、球面ミラーの形態とすることができる。さらに、第
２ミラーから第６ミラーが、順に、凹面−凸面−凹面−
凸面−凹面とされていることが好ましい。
を補正し得るよう、好ましい実施形態においては、６個
すべてのミラーが、非球面形状とされている。しかしな
がら、代替可能な実施形態においては、最大でも５個の
ミラーが非球面形状とされており、この場合には、製造
プロセスを簡略化することができる。その場合、１つの
ミラーを、好ましくは最大のミラーすなわち第４ミラー
を、球面ミラーの形態とすることができる。さらに、第
２ミラーから第６ミラーが、順に、凹面−凸面−凹面−
凸面−凹面とされていることが好ましい。
【００１９】少なくとも５０ｎｍの解像度を得るために
は、光学系の波面のｒｍｓ値（２乗平均平方根）は、最
大でも０．０７λであり、好ましくは、０．０３λであ
る。
は、光学系の波面のｒｍｓ値（２乗平均平方根）は、最
大でも０．０７λであり、好ましくは、０．０３λであ
る。
【００２０】有利には、本発明の実施形態においては、
対物レンズは、イメージ側において常にテレセントリッ
ク系である。反射マスクとともに動作する投影システム
においては、対象物側におけるテレセントリックビーム
経路は、伝達を大いに低減させるようなビームスプリッ
タを通しての照光なしでは、不可能である。そのような
デバイスのうちの１つは、特開平７−２８３１１６号に
より公知である。したがって、レチクル上における主要
ビーム角度は、ぼやけのない照光が可能であるように、
選択されている。これに代えて、透過マスクを備えたシ
ステムにおいては、対物レンズは、対象物側においてテ
レセントリック系とすることができる。これら実施形態
においては、第１ミラーは、好ましくは、凹面ミラーで
ある。全体的に、ウェーハ上におけるテレセントリック
誤差は、１０ｍｒａｄを超えるべきではなく、典型的に
は、２ｍｒａｄ〜５ｍｒａｄであり、２ｍｒａｄが好ま
しい。このことは、イメージ化比の変化が焦点深さ全体
にわたって許容範囲内にあることを保証する。
対物レンズは、イメージ側において常にテレセントリッ
ク系である。反射マスクとともに動作する投影システム
においては、対象物側におけるテレセントリックビーム
経路は、伝達を大いに低減させるようなビームスプリッ
タを通しての照光なしでは、不可能である。そのような
デバイスのうちの１つは、特開平７−２８３１１６号に
より公知である。したがって、レチクル上における主要
ビーム角度は、ぼやけのない照光が可能であるように、
選択されている。これに代えて、透過マスクを備えたシ
ステムにおいては、対物レンズは、対象物側においてテ
レセントリック系とすることができる。これら実施形態
においては、第１ミラーは、好ましくは、凹面ミラーで
ある。全体的に、ウェーハ上におけるテレセントリック
誤差は、１０ｍｒａｄを超えるべきではなく、典型的に
は、２ｍｒａｄ〜５ｍｒａｄであり、２ｍｒａｄが好ま
しい。このことは、イメージ化比の変化が焦点深さ全体
にわたって許容範囲内にあることを保証する。
【００２１】本発明のすべての実施形態においては、６
個ミラー対物レンズは、付加的に、視野ミラー、あるい
は、３個のミラーからなる縮小用サブシステム、あるい
は、２個のミラーからなるサブシステムを備えることが
できる。
個ミラー対物レンズは、付加的に、視野ミラー、あるい
は、３個のミラーからなる縮小用サブシステム、あるい
は、２個のミラーからなるサブシステムを備えることが
できる。
【００２２】投影用対物レンズに加えて、本発明におい
ては、少なくとも１つの投影用対物レンズデバイスを具
備した投影露光装置が利用可能である。ある実施形態に
おいては、投影露光装置は、反射マスクを具備してお
り、他の実施形態においては、透過マスクを具備してい
る。好ましくは、投影露光装置は、偏心軸を有した円弧
形状視野スキャナーを照光するための照光デバイスを具
備している。さらに、走査スリットのセカント（正接）
長さは、少なくとも２６ｍｍとすることができ、リング
幅は、０．５ｍｍより大きなものとすることができる。
これにより、この装置における一様な照光が可能とな
る。
ては、少なくとも１つの投影用対物レンズデバイスを具
備した投影露光装置が利用可能である。ある実施形態に
おいては、投影露光装置は、反射マスクを具備してお
り、他の実施形態においては、透過マスクを具備してい
る。好ましくは、投影露光装置は、偏心軸を有した円弧
形状視野スキャナーを照光するための照光デバイスを具
備している。さらに、走査スリットのセカント（正接）
長さは、少なくとも２６ｍｍとすることができ、リング
幅は、０．５ｍｍより大きなものとすることができる。
これにより、この装置における一様な照光が可能とな
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しつつ、本
発明の実施形態について説明する。
発明の実施形態について説明する。
【００２４】図１は、中間イメージと、第２ミラーと第
３ミラーとの間におけるアクセス自由な開口制限手段
と、０．２という開口数と、を有した、本発明の実施形
態を示す図である。図２は、米国特許明細書第５，６８
６，７２８号に開示されているような、１００ｎｍより
も長い波長のための、６個のミラーを備えた従来の対物
レンズ構成を示す図である。図３は、第３ミラーと第４
ミラーとの間に配置された第１ミラー上に開口制限手段
を有した、本発明の第２実施形態を示す図である。図４
は、第２ミラー上に開口制限手段を有するとともに動作
距離が５９ｍｍであるような、本発明の第３実施形態を
示す図である。図５は、中間イメージと、０．２８とい
う開口数ＮＡと、ウェーハに最も近いミラーの有効直径
の約３分の１と２０〜３０ｍｍの範囲の長さとの合計長
さを最小長さとするイメージ側上における光学的動作距
離と、を有した、本発明の第４実施形態を示す図であ
る。図６は、中間イメージと、０．３０という開口数Ｎ
Ａと、を有した、本発明の第５実施形態を示す図であ
る。図７Ａおよび図７Ｂは、それぞれに例示された視野
に対して使用される直径を示す図である。
３ミラーとの間におけるアクセス自由な開口制限手段
と、０．２という開口数と、を有した、本発明の実施形
態を示す図である。図２は、米国特許明細書第５，６８
６，７２８号に開示されているような、１００ｎｍより
も長い波長のための、６個のミラーを備えた従来の対物
レンズ構成を示す図である。図３は、第３ミラーと第４
ミラーとの間に配置された第１ミラー上に開口制限手段
を有した、本発明の第２実施形態を示す図である。図４
は、第２ミラー上に開口制限手段を有するとともに動作
距離が５９ｍｍであるような、本発明の第３実施形態を
示す図である。図５は、中間イメージと、０．２８とい
う開口数ＮＡと、ウェーハに最も近いミラーの有効直径
の約３分の１と２０〜３０ｍｍの範囲の長さとの合計長
さを最小長さとするイメージ側上における光学的動作距
離と、を有した、本発明の第４実施形態を示す図であ
る。図６は、中間イメージと、０．３０という開口数Ｎ
Ａと、を有した、本発明の第５実施形態を示す図であ
る。図７Ａおよび図７Ｂは、それぞれに例示された視野
に対して使用される直径を示す図である。
【００２５】図１，３，４には、本発明による６個のミ
ラーを有した投影用対物レンズの構成が、示されてい
る。各図に示されているように、ウェーハに最も近いミ
ラーの使用直径以上の、フリーな光学的動作距離が設け
られている。これに対して、図２には、例えば米国特許
明細書第５，６８６，７２８号に開示されているよう
な、１００ｎｍよりも長い波長に対して使用するため
の、従来構成が示されている。以下のすべての実施形態
においては、同一部材に対しては同一符号が使用され、
以下の名称が使用される。すなわち、第１ミラー（Ｓ
１）、第２ミラー（Ｓ２）、第３ミラー（Ｓ３）、第４
ミラー（Ｓ４）、第５ミラー（Ｓ５）、第６ミラー（Ｓ
６）、が使用される。
ラーを有した投影用対物レンズの構成が、示されてい
る。各図に示されているように、ウェーハに最も近いミ
ラーの使用直径以上の、フリーな光学的動作距離が設け
られている。これに対して、図２には、例えば米国特許
明細書第５，６８６，７２８号に開示されているよう
な、１００ｎｍよりも長い波長に対して使用するため
の、従来構成が示されている。以下のすべての実施形態
においては、同一部材に対しては同一符号が使用され、
以下の名称が使用される。すなわち、第１ミラー（Ｓ
１）、第２ミラー（Ｓ２）、第３ミラー（Ｓ３）、第４
ミラー（Ｓ４）、第５ミラー（Ｓ５）、第６ミラー（Ｓ
６）、が使用される。
【００２６】特に、図１には、レチクル面２からウェー
ハ面４に至るビーム経路を有した、６個ミラー型の投影
用対物レンズを示している。この実施形態は、イメージ
比β＞０でもって対象物上に仮想イメージを形成するた
めの視野ミラー（フィールドミラー）Ｓ１を備えてい
る。Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４によって形成される３個ミラー系
が設けられていて、この３個ミラー系は、中間イメージ
Ｚとして、仮想イメージの実在縮小イメージ（縮小され
た実像）を形成する。最後に、２個ミラー系Ｓ５，Ｓ６
は、テレセントリック系という要求を維持しつつ、中間
イメージＺを、ウェーハ面４内においてイメージ化す
る。３個ミラーサブ光学系の収差と、２個ミラーサブ光
学系の収差とは、互いに平衡している。そのため、光学
系全体は、集積回路の製造という応用に対して十分に高
品質の出力を有している。
ハ面４に至るビーム経路を有した、６個ミラー型の投影
用対物レンズを示している。この実施形態は、イメージ
比β＞０でもって対象物上に仮想イメージを形成するた
めの視野ミラー（フィールドミラー）Ｓ１を備えてい
る。Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４によって形成される３個ミラー系
が設けられていて、この３個ミラー系は、中間イメージ
Ｚとして、仮想イメージの実在縮小イメージ（縮小され
た実像）を形成する。最後に、２個ミラー系Ｓ５，Ｓ６
は、テレセントリック系という要求を維持しつつ、中間
イメージＺを、ウェーハ面４内においてイメージ化す
る。３個ミラーサブ光学系の収差と、２個ミラーサブ光
学系の収差とは、互いに平衡している。そのため、光学
系全体は、集積回路の製造という応用に対して十分に高
品質の出力を有している。
【００２７】物理的開口制限手段Ｂが、第２ミラーＳ２
と第３ミラーＳ３との間に、配置されている。図１に明
瞭に図示するように、開口制限手段Ｂは、第２ミラーＳ
２と第３ミラーＳ３との間におけるビーム経路中におい
てアクセス可能とされている。さらに、ウェーハに最も
近いミラーつまりこの実施形態においては第５番目のミ
ラーＳ５と、ウェーハ面４と、の間の距離（間隔）は、
使用されているミラーＳ５の直径よりも大きい。言い換
えれば、〔Ｓ５からウェーハ面４への光学距離〕＞〔Ｓ
５の使用直径〕という条件が満たされている。距離に関
しての他の要求を満たすことも可能である。例えば、第
５ミラーＳ５とウェーハ面４との間の距離として、
（１）ウェーハに最も近いミラーＳ５の使用直径の３分
の１の長さと、２０ｍｍと、の和よりも大きいような距
離、あるいは、（２）５０ｍｍよりも大きいような距
離、を使用することができる。好ましい実施形態におい
ては、この距離は、６０ｍｍとされる。
と第３ミラーＳ３との間に、配置されている。図１に明
瞭に図示するように、開口制限手段Ｂは、第２ミラーＳ
２と第３ミラーＳ３との間におけるビーム経路中におい
てアクセス可能とされている。さらに、ウェーハに最も
近いミラーつまりこの実施形態においては第５番目のミ
ラーＳ５と、ウェーハ面４と、の間の距離（間隔）は、
使用されているミラーＳ５の直径よりも大きい。言い換
えれば、〔Ｓ５からウェーハ面４への光学距離〕＞〔Ｓ
５の使用直径〕という条件が満たされている。距離に関
しての他の要求を満たすことも可能である。例えば、第
５ミラーＳ５とウェーハ面４との間の距離として、
（１）ウェーハに最も近いミラーＳ５の使用直径の３分
の１の長さと、２０ｍｍと、の和よりも大きいような距
離、あるいは、（２）５０ｍｍよりも大きいような距
離、を使用することができる。好ましい実施形態におい
ては、この距離は、６０ｍｍとされる。
【００２８】このような比較的大きな距離は、０よりも
大きいような十分に大きなフリーな動作距離を保証し、
また、好ましくは１１〜１３ｎｍの波長といったような
１００ｎｍ未満の波長に対しての使用に適合した光学部
材の使用を可能とする。この範囲における光学部材とし
ては、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層系やＭｏ／Ｂｅ多層系が
ある。ここで、λ＝１３ｎｍに対して典型的な多層系
は、Ｍｏ／Ｓｉ層対であり、λ＝１１ｎｍに対しては、
Ｍｏ／Ｂｅ系である。いずれの場合においても、約７０
層対のものが使用される。このような光学系において達
成可能な反射率は、約７０％である。多層系において
は、３５０ＭＰａを超える層応力が起こり得る。このよ
うな応力値は、表面変形を誘起し得るものである。特
に、ミラーのエッジ領域において、表面変形を誘起しや
すい。
大きいような十分に大きなフリーな動作距離を保証し、
また、好ましくは１１〜１３ｎｍの波長といったような
１００ｎｍ未満の波長に対しての使用に適合した光学部
材の使用を可能とする。この範囲における光学部材とし
ては、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層系やＭｏ／Ｂｅ多層系が
ある。ここで、λ＝１３ｎｍに対して典型的な多層系
は、Ｍｏ／Ｓｉ層対であり、λ＝１１ｎｍに対しては、
Ｍｏ／Ｂｅ系である。いずれの場合においても、約７０
層対のものが使用される。このような光学系において達
成可能な反射率は、約７０％である。多層系において
は、３５０ＭＰａを超える層応力が起こり得る。このよ
うな応力値は、表面変形を誘起し得るものである。特
に、ミラーのエッジ領域において、表面変形を誘起しや
すい。
【００２９】例えば図１に示されているような、本発明
による光学系は、 ＲＥＳ＝ｋ1λ／ＮＡ という関係式
を満たしている。これは、最小５０ｎｍという公称解像
度をもたらす。ｋ1 をリソグラフィープロセスに特有の
パラメータとしたときに、開口数ＮＡを最小の０．２と
すれば、λ＝１３ｎｍに対してｋ1 ＝０．７７におい
て、また、λ＝１１ｎｍに対してｋ1 ＝０．６４におい
て、最小３５ｎｍという公称解像度が得られる。
による光学系は、 ＲＥＳ＝ｋ1λ／ＮＡ という関係式
を満たしている。これは、最小５０ｎｍという公称解像
度をもたらす。ｋ1 をリソグラフィープロセスに特有の
パラメータとしたときに、開口数ＮＡを最小の０．２と
すれば、λ＝１３ｎｍに対してｋ1 ＝０．７７におい
て、また、λ＝１１ｎｍに対してｋ1 ＝０．６４におい
て、最小３５ｎｍという公称解像度が得られる。
【００３０】また、図１に示す対物レンズのビーム経路
は、障害のないものである。例えば、２６×３４ｃｍ2
あるいは２６×５２ｃｍ2 というイメージフォーマット
を形成するためには、本発明による投影用対物レンズ
は、好ましくは、走査スリットのセカント（正接）長さ
が少なくとも２６ｍｍであるような、円弧形配置走査投
影露光装置において使用される。
は、障害のないものである。例えば、２６×３４ｃｍ2
あるいは２６×５２ｃｍ2 というイメージフォーマット
を形成するためには、本発明による投影用対物レンズ
は、好ましくは、走査スリットのセカント（正接）長さ
が少なくとも２６ｍｍであるような、円弧形配置走査投
影露光装置において使用される。
【００３１】投影露光装置においては、透過マスクやス
テンシルマスクや反射マスクといったような多数のマス
クを使用することができる。イメージ側においてはテレ
セントリック系であるような光学系は、対物レンズ側に
おいては、使用されるマスクに応じて、テレセントリッ
ク系とすることもテレセントリック系としないこともで
きる。例えば、反射マスクを使用しているときに、対物
レンズ側においてテレセントリック系ビーム経路を形成
するためには、透過縮小ビームスプリッタを使用しなけ
ればならない。対物レンズ側において非テレセントリッ
ク系ビーム経路である場合には、マスクの平坦性からの
ズレが、イメージに寸法誤差をもたらす。したがって、
レチクル面における主要光線角度は、レチクルの平坦性
に対する要求を到達可能な範囲とし得るよう、好ましく
は１０°以下である。しかも、図１の光学系は、０．２
という開口数に対して、ウェーハレベルにおいて、１ｍ
ｒａｄというイメージ側でのテレセントリック誤差を有
している。
テンシルマスクや反射マスクといったような多数のマス
クを使用することができる。イメージ側においてはテレ
セントリック系であるような光学系は、対物レンズ側に
おいては、使用されるマスクに応じて、テレセントリッ
ク系とすることもテレセントリック系としないこともで
きる。例えば、反射マスクを使用しているときに、対物
レンズ側においてテレセントリック系ビーム経路を形成
するためには、透過縮小ビームスプリッタを使用しなけ
ればならない。対物レンズ側において非テレセントリッ
ク系ビーム経路である場合には、マスクの平坦性からの
ズレが、イメージに寸法誤差をもたらす。したがって、
レチクル面における主要光線角度は、レチクルの平坦性
に対する要求を到達可能な範囲とし得るよう、好ましく
は１０°以下である。しかも、図１の光学系は、０．２
という開口数に対して、ウェーハレベルにおいて、１ｍ
ｒａｄというイメージ側でのテレセントリック誤差を有
している。
【００３２】大きなイメージ側でのテレセントリック性
のために、最後のミラーＳ６の入射瞳孔は、このミラー
の焦点面にあるいはその近傍に位置している。したがっ
て、中間イメージを有しているこのような光学系におい
ては、開口Ｂが、主に第１ミラーＳ１と第３ミラーＳ３
との間における光学経路において前方側における開口制
限部分をなし、この開口制限に関連した瞳孔面が、最終
ミラーの焦点面内においてイメージ化されることとな
る。
のために、最後のミラーＳ６の入射瞳孔は、このミラー
の焦点面にあるいはその近傍に位置している。したがっ
て、中間イメージを有しているこのような光学系におい
ては、開口Ｂが、主に第１ミラーＳ１と第３ミラーＳ３
との間における光学経路において前方側における開口制
限部分をなし、この開口制限に関連した瞳孔面が、最終
ミラーの焦点面内においてイメージ化されることとな
る。
【００３３】図１におけるすべてのミラーＳ１〜Ｓ６
は、約７．３μｍという最大非球面性を有した非球面状
のものとして構成されている。構成の非球面性が小さい
ことは、製造面からは有利である。その理由は、多層ミ
ラーの表面処理における困難さが、非球面偏差および非
球面性の傾きに比例して増大するからである。
は、約７．３μｍという最大非球面性を有した非球面状
のものとして構成されている。構成の非球面性が小さい
ことは、製造面からは有利である。その理由は、多層ミ
ラーの表面処理における困難さが、非球面偏差および非
球面性の傾きに比例して増大するからである。
【００３４】６個ミラー対物レンズの大きな入射角度
は、第５ミラーＳ５において起こり、約１８．４°であ
る。ミラー全体にわたっての入射角度の最大変化も、ま
た、第５ミラーＳ５において起こり、約１４．７°であ
る。λ＝１３ｎｍにおける波面誤差は、０．０３２λよ
りも良好であり、ポイントイメージの重心ズレは、３ｎ
ｍ未満であり、静的な寸法補正捻れは、４ｎｍである。
は、第５ミラーＳ５において起こり、約１８．４°であ
る。ミラー全体にわたっての入射角度の最大変化も、ま
た、第５ミラーＳ５において起こり、約１４．７°であ
る。λ＝１３ｎｍにおける波面誤差は、０．０３２λよ
りも良好であり、ポイントイメージの重心ズレは、３ｎ
ｍ未満であり、静的な寸法補正捻れは、４ｎｍである。
【００３５】第２ミラーと第３ミラーとの間における開
口制限手段は、自由にアクセス可能なものである。開口
制限手段を通ってＳ３からＳ４へと向かう光のぼやけ
は、０．５＜ Ｓ１Ｓ３／Ｓ１Ｓ２ ＜２、かつ、０．５
＜〔Ｓ２開口〕／〔Ｓ３開口〕＜２という条件が満足さ
れているときには、両ミラー上における両入射角度を同
時に許容範囲内のものとすることにより、防止される。
ここで、記号Ｓ１Ｓ３は、両ミラーＳ１，Ｓ３の頂点ど
うしの間の機械的距離を意味している。また、〔Ｓ２開
口〕は、ミラーＳ２の頂点と開口との間の機械的距離を
意味している。さらに、図１，３，４のいずれの実施形
態においても、ミラー上への入射角度を減少させるため
に、レチクルからＳ１への距離は、Ｓ２からＳ３への距
離よりも、小さなものとされている。すなわち、レチク
ルＳ１＜Ｓ２Ｓ３という関係が成立している。好ましく
は、レチクルは、最初のミラー（例えば、Ｓ２）の前方
側において、レチクルと第１ミラーとの間における入射
光の方向に沿って、十分遠くに位置している。この場合
には、例えば、レチクルとＳ２との間の間隔は、８０ｍ
ｍとされている。
口制限手段は、自由にアクセス可能なものである。開口
制限手段を通ってＳ３からＳ４へと向かう光のぼやけ
は、０．５＜ Ｓ１Ｓ３／Ｓ１Ｓ２ ＜２、かつ、０．５
＜〔Ｓ２開口〕／〔Ｓ３開口〕＜２という条件が満足さ
れているときには、両ミラー上における両入射角度を同
時に許容範囲内のものとすることにより、防止される。
ここで、記号Ｓ１Ｓ３は、両ミラーＳ１，Ｓ３の頂点ど
うしの間の機械的距離を意味している。また、〔Ｓ２開
口〕は、ミラーＳ２の頂点と開口との間の機械的距離を
意味している。さらに、図１，３，４のいずれの実施形
態においても、ミラー上への入射角度を減少させるため
に、レチクルからＳ１への距離は、Ｓ２からＳ３への距
離よりも、小さなものとされている。すなわち、レチク
ルＳ１＜Ｓ２Ｓ３という関係が成立している。好ましく
は、レチクルは、最初のミラー（例えば、Ｓ２）の前方
側において、レチクルと第１ミラーとの間における入射
光の方向に沿って、十分遠くに位置している。この場合
には、例えば、レチクルとＳ２との間の間隔は、８０ｍ
ｍとされている。
【００３６】また、図１，３，４，５の実施形態におい
ては、ミラーＳ３，Ｓ６間の間隔は、これらミラーＳ
３，Ｓ６として十分な厚さのミラーを使用できるような
大きさに選択されている。ミラーの厚さが厚いというこ
とは、強度や安定性や、上述のような大きな層内張力に
対する耐性が良好であることを意味している。このよう
な光学系においては、０．３×（Ｓ３の使用直径＋Ｓ６
の使用直径）＜Ｓ３Ｓ６という関係であることが好まし
い。
ては、ミラーＳ３，Ｓ６間の間隔は、これらミラーＳ
３，Ｓ６として十分な厚さのミラーを使用できるような
大きさに選択されている。ミラーの厚さが厚いというこ
とは、強度や安定性や、上述のような大きな層内張力に
対する耐性が良好であることを意味している。このよう
な光学系においては、０．３×（Ｓ３の使用直径＋Ｓ６
の使用直径）＜Ｓ３Ｓ６という関係であることが好まし
い。
【００３７】以下の表１においては、図１に例示した光
学系のパラメータが、Code V（登録商標）名称で例示さ
れている。対物レンズは、２６×２ｍｍ2 という円弧形
視野を有しかつ開口数が０．２とされた５倍の光学系で
ある。この光学系のイメージ側での平均半径は、約２６
ｍｍである。
学系のパラメータが、Code V（登録商標）名称で例示さ
れている。対物レンズは、２６×２ｍｍ2 という円弧形
視野を有しかつ開口数が０．２とされた５倍の光学系で
ある。この光学系のイメージ側での平均半径は、約２６
ｍｍである。
【表１】
【００３８】図２には、米国特許明細書第５，６８６，
７２８号による、λ＜１００ｎｍという波長でのマイク
ロリソグラフィーのための投影用対物レンズの構成が示
されている。図１における部材と実質的に同様の部材に
ついては、同一参照符号が付されている。明らかなよう
に、ウェーハに最も近いミラーＳ５と、ウェーハと、の
間の距離（間隔）は、ミラーＳ５の直径よりもかなり小
さく、約２０ｍｍの程度である。このことは、ＥＵＶ領
域の光学系に対しては、強度の問題や安定性の問題を引
き起こす。その理由は、複数の層内における張力が極め
て大きいからである。しかも、この光学系は、５０μｍ
という非常に大きな非球面性を有しており、最大入射角
度が３８°にも達する。製造の観点からは、また、コー
ティング技術の観点からは、これらの非球面性や入射角
度は、ＥＵＶ領域における使用には不適切である。
７２８号による、λ＜１００ｎｍという波長でのマイク
ロリソグラフィーのための投影用対物レンズの構成が示
されている。図１における部材と実質的に同様の部材に
ついては、同一参照符号が付されている。明らかなよう
に、ウェーハに最も近いミラーＳ５と、ウェーハと、の
間の距離（間隔）は、ミラーＳ５の直径よりもかなり小
さく、約２０ｍｍの程度である。このことは、ＥＵＶ領
域の光学系に対しては、強度の問題や安定性の問題を引
き起こす。その理由は、複数の層内における張力が極め
て大きいからである。しかも、この光学系は、５０μｍ
という非常に大きな非球面性を有しており、最大入射角
度が３８°にも達する。製造の観点からは、また、コー
ティング技術の観点からは、これらの非球面性や入射角
度は、ＥＵＶ領域における使用には不適切である。
【００３９】図３には、６個ミラー光学系の代替可能な
実施形態が示されている。この場合には、開口制限手段
Ｂは、第１ミラー上に配置されている。この場合におい
ても、図１における部材と同様の部材については、同一
参照符号が付されている。この第２実施形態において
は、図１に示す第１実施形態と同様に、ウェーハに対し
ての（Ｓ５からの）距離は、６０ｍｍである。よって、
ウェーハに最も近いミラーＳ５の直径よりも大きなもの
である。図１の場合と同様に、Ｓ２とＳ３との間の距離
は、先の米国特許明細書第５，６８６，７２８号の場合
と比較して、かなり増大されている。そのため、この光
学系においては、大きな入射角を避けることができる。
実施形態が示されている。この場合には、開口制限手段
Ｂは、第１ミラー上に配置されている。この場合におい
ても、図１における部材と同様の部材については、同一
参照符号が付されている。この第２実施形態において
は、図１に示す第１実施形態と同様に、ウェーハに対し
ての（Ｓ５からの）距離は、６０ｍｍである。よって、
ウェーハに最も近いミラーＳ５の直径よりも大きなもの
である。図１の場合と同様に、Ｓ２とＳ３との間の距離
は、先の米国特許明細書第５，６８６，７２８号の場合
と比較して、かなり増大されている。そのため、この光
学系においては、大きな入射角を避けることができる。
【００４０】図１の対物レンズに対しての１つの相違点
は、図３においては、開口制限手段Ｂが、第１ミラーＳ
１上に配置されていることである。この配置の結果とし
て、Ｓ２上において反射された反射光からのぼやけを減
少させることができる。これに対して、物理的開口制限
手段がＳ１とＳ２との間に配置されている場合には、光
は、狭いリングとして構成されている開口制限手段を超
えて通過することができる。図３に示す第２実施形態に
おいては、開口は、Ｓ１ミラー内における開口とするこ
とも、Ｓ１の背面上に位置した開口とすることもでき
る。
は、図３においては、開口制限手段Ｂが、第１ミラーＳ
１上に配置されていることである。この配置の結果とし
て、Ｓ２上において反射された反射光からのぼやけを減
少させることができる。これに対して、物理的開口制限
手段がＳ１とＳ２との間に配置されている場合には、光
は、狭いリングとして構成されている開口制限手段を超
えて通過することができる。図３に示す第２実施形態に
おいては、開口は、Ｓ１ミラー内における開口とするこ
とも、Ｓ１の背面上に位置した開口とすることもでき
る。
【００４１】この第２実施形態の他の利点は、ミラーＳ
４が球面構成とされていることである。このことは、ミ
ラーＳ４がこの光学系の中で最も大きいミラーであるこ
とにより、特に製造面からの有利さが大きい。このよう
な構成であると、使用される非球面性の範囲が、１０．
５μｍへと、若干増加する。最大の入射角度は、ミラー
Ｓ５において起こり、約１８．６°である。構成の波面
誤差は、１．７ｍｍ幅の円弧形視野内においては、λ＝
１３ｎｍにおいて、０．０３２λである。また、ミラー
Ｓ４が０．４μｍだけわずかに非球面とされている場合
には、波面誤差は、１．８ｍｍ幅の円弧形視野内におい
ては、λ＝１３ｎｍにおいて、０．０３１λである。不
要な光の有効なマスキングは、開口制限手段がミラーＳ
１上に直接的に形成されている場合だけでなく、開口制
限手段がミラーＳ１の背面上に形成されている場合すな
わちミラーＳ２の後方に形成されている場合において
も、得られる。好ましくは、開口制限手段は、Ｓ２Ｓ１
≦ ０．９×〔Ｓ２開口〕 という関係を満たすようにし
て配置される。
４が球面構成とされていることである。このことは、ミ
ラーＳ４がこの光学系の中で最も大きいミラーであるこ
とにより、特に製造面からの有利さが大きい。このよう
な構成であると、使用される非球面性の範囲が、１０．
５μｍへと、若干増加する。最大の入射角度は、ミラー
Ｓ５において起こり、約１８．６°である。構成の波面
誤差は、１．７ｍｍ幅の円弧形視野内においては、λ＝
１３ｎｍにおいて、０．０３２λである。また、ミラー
Ｓ４が０．４μｍだけわずかに非球面とされている場合
には、波面誤差は、１．８ｍｍ幅の円弧形視野内におい
ては、λ＝１３ｎｍにおいて、０．０３１λである。不
要な光の有効なマスキングは、開口制限手段がミラーＳ
１上に直接的に形成されている場合だけでなく、開口制
限手段がミラーＳ１の背面上に形成されている場合すな
わちミラーＳ２の後方に形成されている場合において
も、得られる。好ましくは、開口制限手段は、Ｓ２Ｓ１
≦ ０．９×〔Ｓ２開口〕 という関係を満たすようにし
て配置される。
【００４２】表２は、図３に例示した５倍対物レンズの
構成データをCode V（登録商標）名称で示している。こ
の場合には、第４ミラーＳ４は、球面である。２６×
１．７ｍｍ2 というイメージ視野における平均半径は、
約２６ｍｍである。
構成データをCode V（登録商標）名称で示している。こ
の場合には、第４ミラーＳ４は、球面である。２６×
１．７ｍｍ2 というイメージ視野における平均半径は、
約２６ｍｍである。
【表２】
【００４３】他の実施形態（第３実施形態）が、図４に
示されている。この場合においても、先の図面における
部材と同様の部材については、同一参照符号が付されて
いる。この場合には、開口制限手段Ｂは、第２番目のミ
ラーすなわち第２ミラーＳ２上に、光学的にかつ機械的
に配置されている。Ｓ２上に開口制限手段を配置するこ
とが比較的容易であることが、この第３実施形態の利点
である。図４に示す光学系は、４倍の縮小光学系であっ
て、２ｍｍ幅の円弧形視野内においては、λ＝１３ｎｍ
において、波面誤差が０．０２１λである。使用されて
いるものの中での最大の非球面性は、１１．２μｍであ
り、最大の入射角度は、Ｓ５において起こり、約１８．
３°である。イメージ視野における平均半径は、先の第
１および第２実施形態と同様に、約２６ｍｍである。ま
た、ウェーハと、ウェーハに最も近いミラーＳ５と、の
間の距離は、ウェーハに最も近いミラーＳ５の直径より
も大きい。この第３実施形態においては、約５９ｍｍで
ある。
示されている。この場合においても、先の図面における
部材と同様の部材については、同一参照符号が付されて
いる。この場合には、開口制限手段Ｂは、第２番目のミ
ラーすなわち第２ミラーＳ２上に、光学的にかつ機械的
に配置されている。Ｓ２上に開口制限手段を配置するこ
とが比較的容易であることが、この第３実施形態の利点
である。図４に示す光学系は、４倍の縮小光学系であっ
て、２ｍｍ幅の円弧形視野内においては、λ＝１３ｎｍ
において、波面誤差が０．０２１λである。使用されて
いるものの中での最大の非球面性は、１１．２μｍであ
り、最大の入射角度は、Ｓ５において起こり、約１８．
３°である。イメージ視野における平均半径は、先の第
１および第２実施形態と同様に、約２６ｍｍである。ま
た、ウェーハと、ウェーハに最も近いミラーＳ５と、の
間の距離は、ウェーハに最も近いミラーＳ５の直径より
も大きい。この第３実施形態においては、約５９ｍｍで
ある。
【００４４】表３は、図４に例示した第３実施形態にお
ける光学的パラメータを、Code V（登録商標）名称で示
している。
ける光学的パラメータを、Code V（登録商標）名称で示
している。
【表３】
【００４５】図５は、本発明の第４実施形態を示してお
り、この実施形態においては、視野ミラーＳ１と、第２
〜第４ミラーＳ２〜Ｓ４からなる第１サブシステムと、
第５および第６ミラーＳ５，Ｓ６からなる第２サブシス
テムと、が設けられている。β＞０とされたイメージ化
比βを有した視野ミラーＳ１は、対象物２の仮想イメー
ジを生成する。この仮想イメージは、その後、β＜０で
あるような、第２，第３，第４ミラーＳ２，Ｓ３，Ｓ４
によって構成される第１サブシステムによって、実像を
なす中間イメージＺへとイメージ化される。実在中間イ
メージＺは、第５および第６ミラーＳ５，Ｓ６から構成
された第２サブシステムによって、実像イメージとし
て、ウェーハ面４上にイメージ化される。この光学系の
開口数は、ＮＡ＝０．２８である。最後のミラーＳ５と
ウェーハ面４との間の光学的にフリーな動作距離は、ウ
ェーハに最も近い近ミラーの使用直径の３分の１と、２
０〜３０ｍｍという長さと、の和よりも大きなものとさ
れている。開口制限手段は、第２ミラーＳ２上に位置し
ている。
り、この実施形態においては、視野ミラーＳ１と、第２
〜第４ミラーＳ２〜Ｓ４からなる第１サブシステムと、
第５および第６ミラーＳ５，Ｓ６からなる第２サブシス
テムと、が設けられている。β＞０とされたイメージ化
比βを有した視野ミラーＳ１は、対象物２の仮想イメー
ジを生成する。この仮想イメージは、その後、β＜０で
あるような、第２，第３，第４ミラーＳ２，Ｓ３，Ｓ４
によって構成される第１サブシステムによって、実像を
なす中間イメージＺへとイメージ化される。実在中間イ
メージＺは、第５および第６ミラーＳ５，Ｓ６から構成
された第２サブシステムによって、実像イメージとし
て、ウェーハ面４上にイメージ化される。この光学系の
開口数は、ＮＡ＝０．２８である。最後のミラーＳ５と
ウェーハ面４との間の光学的にフリーな動作距離は、ウ
ェーハに最も近い近ミラーの使用直径の３分の１と、２
０〜３０ｍｍという長さと、の和よりも大きなものとさ
れている。開口制限手段は、第２ミラーＳ２上に位置し
ている。
【００４６】表４は、図５に例示した第４実施形態にお
ける光学的パラメータを、Code V（登録商標）名称で示
している。
ける光学的パラメータを、Code V（登録商標）名称で示
している。
【表４】
【００４７】図６は、図５と同様であるものの他の代替
可能な実施形態（第５実施形態）を示している。この場
合、６個のミラーを備えてなる対物レンズ系は、図５の
場合と同様に、視野ミラーＳ１と、第１および第２サブ
システムと、を備えている。対物レンズ系は、中間イメ
ージを生成し、図５の場合と同様に第２ミラーＳ２上に
形成された開口制限手段Ｂを備えている。開口数ＮＡ
は、０．３０である。この第５実施形態における光学的
パラメータを、Code V（登録商標）名称で、表５に示
す。
可能な実施形態（第５実施形態）を示している。この場
合、６個のミラーを備えてなる対物レンズ系は、図５の
場合と同様に、視野ミラーＳ１と、第１および第２サブ
システムと、を備えている。対物レンズ系は、中間イメ
ージを生成し、図５の場合と同様に第２ミラーＳ２上に
形成された開口制限手段Ｂを備えている。開口数ＮＡ
は、０．３０である。この第５実施形態における光学的
パラメータを、Code V（登録商標）名称で、表５に示
す。
【表５】
【００４８】図７Ａおよび図７Ｂは、上記実施形態にお
いて使用された直径Ｄを規定している。一例として、図
７Ａにおいて、ミラー上に例示された視野１００は、矩
形の視野である。この場合、使用直径Ｄは、包絡円（外
接円）１０２の直径である。包絡円１０２は、矩形１０
０を包囲するものであって、矩形１００の各コーナー１
０４が、包絡円１０２上に位置している。第２の例が、
図７Ｂに示されている。図示された視野１００は、イン
ゲン豆の形状とされており、この形状部分が、マイクロ
リソグラフィー投影照射装置において、本発明による対
物レンズを使用したときの有効範囲をなす。包絡円１０
２は、インゲン豆形状を完全に包囲しており、２つのポ
イント１０６，１０８において、インゲン豆形状部分と
一致している。この場合、使用直径Ｄは、包絡円１０２
の直径によって与えられる。
いて使用された直径Ｄを規定している。一例として、図
７Ａにおいて、ミラー上に例示された視野１００は、矩
形の視野である。この場合、使用直径Ｄは、包絡円（外
接円）１０２の直径である。包絡円１０２は、矩形１０
０を包囲するものであって、矩形１００の各コーナー１
０４が、包絡円１０２上に位置している。第２の例が、
図７Ｂに示されている。図示された視野１００は、イン
ゲン豆の形状とされており、この形状部分が、マイクロ
リソグラフィー投影照射装置において、本発明による対
物レンズを使用したときの有効範囲をなす。包絡円１０
２は、インゲン豆形状を完全に包囲しており、２つのポ
イント１０６，１０８において、インゲン豆形状部分と
一致している。この場合、使用直径Ｄは、包絡円１０２
の直径によって与えられる。
【００４９】以上説明したように、本発明は、ＥＵＶ円
弧形視野投影システムにおいて使用するための、好まし
くは４倍、５倍、または６倍のイメージ化スケールを有
した６個ミラー投影用対物レンズを提供する。しかしな
がら、他の使用形態とすることもできる。６個ミラー投
影用対物レンズは、部材の非球面性が比較的小さくかつ
入射角度が小さくかつミラー支持体に対しての空間が大
きいことにより、イメージ視野に対して要求されるよう
な解像度を有しているとともに機能的構成を有してい
る。
弧形視野投影システムにおいて使用するための、好まし
くは４倍、５倍、または６倍のイメージ化スケールを有
した６個ミラー投影用対物レンズを提供する。しかしな
がら、他の使用形態とすることもできる。６個ミラー投
影用対物レンズは、部材の非球面性が比較的小さくかつ
入射角度が小さくかつミラー支持体に対しての空間が大
きいことにより、イメージ視野に対して要求されるよう
な解像度を有しているとともに機能的構成を有してい
る。
【図１】 中間イメージと、第２ミラーと第３ミラーと
の間におけるアクセス自由な開口制限手段と、０．２と
いう開口数と、を有した、本発明の実施形態を示す図で
ある。
の間におけるアクセス自由な開口制限手段と、０．２と
いう開口数と、を有した、本発明の実施形態を示す図で
ある。
【図２】 米国特許明細書第５，６８６，７２８号に開
示されているような、１００ｎｍよりも長い波長のため
の、６個のミラーを備えた従来の対物レンズ構成を示す
図である。
示されているような、１００ｎｍよりも長い波長のため
の、６個のミラーを備えた従来の対物レンズ構成を示す
図である。
【図３】 第３ミラーと第４ミラーとの間に配置された
第１ミラー上に開口制限手段を有した、本発明の第２実
施形態を示す図である。
第１ミラー上に開口制限手段を有した、本発明の第２実
施形態を示す図である。
【図４】 第２ミラー上に開口制限手段を有するととも
に動作距離が５９ｍｍであるような、本発明の第３実施
形態を示す図である。
に動作距離が５９ｍｍであるような、本発明の第３実施
形態を示す図である。
【図５】 中間イメージと、０．２８という開口数ＮＡ
と、ウェーハに最も近いミラーの有効直径の約３分の１
と２０〜３０ｍｍの範囲の長さとの合計長さを最小長さ
とするイメージ側上における光学的動作距離と、を有し
た、本発明の第４実施形態を示す図である。
と、ウェーハに最も近いミラーの有効直径の約３分の１
と２０〜３０ｍｍの範囲の長さとの合計長さを最小長さ
とするイメージ側上における光学的動作距離と、を有し
た、本発明の第４実施形態を示す図である。
【図６】 中間イメージと、０．３０という開口数ＮＡ
と、を有した、本発明の第５実施形態を示す図である。
と、を有した、本発明の第５実施形態を示す図である。
【図７】 図７Ａおよび図７Ｂは、それぞれに例示され
た視野に対して使用される直径を示す図である。
た視野に対して使用される直径を示す図である。
２ レチクル面 ４ ウェーハ面 Ｓ１ 第１ミラー Ｓ２ 第２ミラー Ｓ３ 第３ミラー Ｓ４ 第４ミラー Ｓ５ 第５ミラー Ｓ６ 第６ミラー Ｚ 中間イメージ
Claims (32)
- 【請求項１】 好ましくは１００ｎｍ以下といったよう
な短波長マイクロリソグラフィーにおいて使用するため
の投影用対物レンズであって、 イメージ側での開口数（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５である
ようにして配置された６個のミラー、つまり、第１ミラ
ー（Ｓ１）と、第２ミラー（Ｓ２）と、第３ミラー（Ｓ
３）と、第４ミラー（Ｓ４）と、好ましくはウェーハに
対して最も近い位置に配置された第５ミラー（Ｓ５）
と、第６ミラー（Ｓ６）と、を具備してなり、 前記第５ミラーが、 イメージ側における光学的にフリーな動作距離が、前記
第５ミラーの直径Ｄ以上であるという条件と、 イメージ側における光学的にフリーな動作距離が、前記
第５ミラーの直径Ｄの３分の１と、２０ｍｍ〜３０ｍｍ
の範囲の長さと、の和以上であるという条件と、 イメージ側における光学的にフリーな動作距離が、５０
ｍｍ以上、好ましくは６０ｍｍであるという条件と、の
うちの少なくとも１つの条件を満たすようにして配置さ
れていることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項２】 好ましくは１００ｎｍ以下といったよう
な短波長マイクロリソグラフィーにおいて使用するため
の投影用対物レンズであって、 イメージ側での開口数（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５である
ようにして配置された６個のミラー、つまり、第１ミラ
ー（Ｓ１）と、第２ミラー（Ｓ２）と、第３ミラー（Ｓ
３）と、第４ミラー（Ｓ４）と、第５ミラー（Ｓ５）
と、第６ミラー（Ｓ６）と、を具備してなり、 好ましくはウェーハとされる被照光対象物における円弧
形状視野幅（Ｗ）が、１．０ｍｍ≦Ｗという範囲であ
り、 前記６個のミラーの各々に関して、非球面形状のピーク
対谷（ＰＶ）で測ったときの、最適適合球面からの最大
ズレ量（Ａ）が、Ａ≦１９μｍ−１０２μｍ×（０．２
５−ＮＡ）−０．７μｍ／ｍｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範
囲であることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項３】 好ましくは１００ｎｍ以下といったよう
な短波長マイクロリソグラフィーにおいて使用するため
の投影用対物レンズであって、 イメージ側での開口数（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５である
ようにして配置された６個のミラー、つまり、第１ミラ
ー（Ｓ１）と、第２ミラー（Ｓ２）と、第３ミラー（Ｓ
３）と、第４ミラー（Ｓ４）と、第５ミラー（Ｓ５）
と、第６ミラー（Ｓ６）と、を具備してなり、 イメージ側における円弧形状視野幅（Ｗ）が、１．０ｍ
ｍ≦Ｗという範囲であり、 前記６個のミラーの各々に対しての光入射に関して、面
に対する直交方向から測ったときの入射角度（ＡＯＩ）
が、ＡＯＩ≦２３°−３５°×（０．２５−ＮＡ）−
０．２°／ｍｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲であることを
特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項４】 短波長マイクロリソグラフィーにおいて
使用するための投影用対物レンズであって、 β＞０とされて、対象物の仮想イメージを生成するため
の視野ミラー（Ｓ１）と；第２ミラー（Ｓ２）と第３ミ
ラー（Ｓ３）と第４ミラー（Ｓ４）とから構成され、β
＜０とされて、前記仮想イメージを、実在中間イメージ
へとイメージ化するための第１サブシステムと；第５ミ
ラー（Ｓ５）と第６ミラー（Ｓ６）とから構成され、前
記中間イメージを、実在のシステムイメージとしてイメ
ージ面上にイメージ化するための第２サブシステムと；
を具備していることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項５】 請求項２〜４のいずれかに記載の投影用
対物レンズにおいて、 被照光対象物に対して最も近くに配置されるミラー好ま
しくはウェーハに対して最も近くに配置されるミラー
が、 イメージ側における光学的にフリーな動作距離が、前記
最も近くに配置されるミラーの直径以上であるという条
件と、 イメージ側における光学的にフリーな動作距離が、前記
最も近くに配置されるミラーの直径の３分の１と、２０
ｍｍ〜３０ｍｍの範囲の長さと、の和以上であるという
条件と、 イメージ側における光学的にフリーな動作距離が、５０
ｍｍ以上、好ましくは６０ｍｍであるという条件と、の
うちの少なくとも１つの条件を満たすようにして配置さ
れていることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項６】 請求項３〜５のいずれかに記載の投影用
対物レンズにおいて、 イメージ側での開口数（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５であ
り、 ウェーハにおける円弧形状視野幅（Ｗ）が、１．０ｍｍ
≦Ｗであり、 前記各ミラーに関して、非球面形状のピーク対谷（Ｐ
Ｖ）で測ったときの、最適適合球面からの最大ズレ量
（Ａ）が、Ａ≦１９μｍ−１０２μｍ×（０．２５−Ｎ
Ａ）−０．７μｍ／ｍｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲であ
ることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の投影用
対物レンズにおいて、 前記複数のミラーが、障害物のない光学経路を形成し得
るようにして配置されていることを特徴とする投影用対
物レンズ。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の投影用
対物レンズにおいて、 前記ミラーが、基準軸に対しての回転対称性を有してい
ることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の投影用
対物レンズにおいて、 前記第４ミラー（Ｓ４）の後に、中間イメージが形成さ
れることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項１０】 請求項９記載の投影用対物レンズにお
いて、 さらに、前記第２ミラー（Ｓ２）と前記第３ミラー（Ｓ
３）との間において光学経路内に配置された、開口制限
手段（Ｂ）を具備していることを特徴とする投影用対物
レンズ。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の投影用対物レンズに
おいて、 前記第１ミラー、前記第２ミラー、前記第３ミラーの間
の間隔は、前記開口制限手段が自由にアクセス可能であ
るように、選択されていることを特徴とする投影用対物
レンズ。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の投影用対物レンズに
おいて、 前記第１ミラーから前記第３ミラーまでの間の距離（Ｓ
１Ｓ３）と、前記第１ミラーから前記第２ミラーまでの
間の距離（Ｓ１Ｓ２）と、の比が、 ０．５＜Ｓ１Ｓ３
／Ｓ１Ｓ２＜２ の範囲とされていることを特徴とする
投影用対物レンズ。 - 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 前記開口制限手段が、前記第２ミラー（Ｓ２）と前記第
３ミラー（Ｓ３）との間において、前記第１ミラー（Ｓ
１）上に配置されていることを特徴とする投影用対物レ
ンズ。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 イメージ側での開口数（ＮＡ）がＮＡ≧０．１５であ
り、 ウェーハにおける円弧形状視野幅（Ｗ）が、１．０ｍｍ
≦Ｗであり、 前記各ミラーに関して、非球面形状のピーク対谷（Ｐ
Ｖ）で測ったときの、最適適合球面からの最大ズレ量
（Ａ）が、Ａ≦１２μｍ−６４μｍ×（０．２５−Ｎ
Ａ）−０．３μｍ／ｍｍ（２ｍｍ−Ｗ）という範囲であ
ることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項１５】 請求項１〜８のいずれかに記載の投影
用対物レンズにおいて、 前記開口制限手段（Ｂ）が、前記第２ミラー（Ｓ２）上
にまたは前記第２ミラー（Ｓ２）の近傍に配置されてい
ることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の投影用対物レンズに
おいて、 前記第１ミラーおよび前記第３ミラー間の距離（Ｓ１Ｓ
３）と、前記第１ミラーおよび前記第２ミラー間の距離
（Ｓ１Ｓ２）と、の比が、 ０．３＜Ｓ１Ｓ３／（Ｓ１
Ｓ２）＜２ の範囲であり、 前記第２ミラーおよび前記第３ミラー間の距離（Ｓ２Ｓ
３）と、前記第３ミラーおよび前記第４ミラー間の距離
（Ｓ３Ｓ４）と、の比が、 ０．７＜Ｓ２Ｓ３／（Ｓ３
Ｓ４）＜１．４ の範囲とされていることを特徴とする
投影用対物レンズ。 - 【請求項１７】 請求項１〜１６のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 すべての前記ミラーが、非球面形状とされていることを
特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項１８】 請求項１〜１６のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 最大でも５個のミラーが、非球面形状とされていること
を特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項１９】 請求項１〜１８のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 前記第２ミラー、前記第３ミラー、前記第４ミラー、前
記第５ミラー、前記第６ミラーが、順に、凹面−凸面−
凹面−凸面−凹面とされていることを特徴とする投影用
対物レンズ。 - 【請求項２０】 請求項１〜１９のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 前記第１ミラー（Ｓ１）のイメージ化比（β）が正であ
って、好ましくは、０．５＜β＜１．５であることを特
徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項２１】 請求項１〜１９のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 前記第２ミラー（Ｓ２）と前記第３ミラー（Ｓ３）と前
記第４ミラー（Ｓ４）とによって構成されたサブシステ
ムのイメージ化比（β）が負であって、好ましくは、−
０．５＞β＞−１．５であることを特徴とする投影用対
物レンズ。 - 【請求項２２】 請求項１〜２１のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 前記対物レンズの波面誤差のｒｍｓ値（２乗平均平方
根）が、イメージ視野全体にわたって、最大でも０．０
７λであり、好ましくは、０．０３λであることを特徴
とする投影用対物レンズ。 - 【請求項２３】 請求項２２記載の投影用対物レンズに
おいて、 イメージ視野の幅が、少なくとも１．０ｍｍであること
を特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項２４】 請求項１〜２３のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 前記対物レンズが、イメージ側においてテレセントリッ
ク系であることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項２５】 請求項２４記載の投影用対物レンズに
おいて、 前記対物レンズが、対象物側においてテレセントリック
系であることを特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項２６】 請求項１〜２４のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 対象物における主要光線が、光学軸を向いていることを
特徴とする投影用対物レンズ。 - 【請求項２７】 請求項９〜２６のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 最小の焦点距離を有したミラーが、前記中間イメージの
後に配置されていることを特徴とする投影用対物レン
ズ。 - 【請求項２８】 請求項１〜２７のいずれかに記載の投
影用対物レンズにおいて、 前記第３ミラーおよび前記第６ミラー間の距離（Ｓ３Ｓ
６）が、０．３×（Ｓ３の直径＋Ｓ６の直径）＜Ｓ３Ｓ
６という関係を満たすことを特徴とする投影用対物レン
ズ。 - 【請求項２９】 マイクロリソグラフィー投影露光装置
であって、 請求項１〜２８のいずれかに記載された投影用対物レン
ズと、反射マスクと、を具備していることを特徴とする
マイクロリソグラフィー投影露光装置。 - 【請求項３０】 マイクロリソグラフィー投影露光装置
であって、 請求項１〜２８のいずれかに記載された投影用対物レン
ズと、透過マスクと、を具備していることを特徴とする
マイクロリソグラフィー投影露光装置。 - 【請求項３１】 請求項２９または３０記載のマイクロ
リソグラフィー投影露光装置であって、 さらに、前記円弧形状視野を照光するための照光システ
ムを具備していることを特徴とするマイクロリソグラフ
ィー投影露光装置。 - 【請求項３２】 集積回路の製造方法であって、 請求項２９〜３１のいずれかに記載された投影露光装置
を使用することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19906001.0 | 1999-02-15 | ||
| DE19906001 | 1999-02-15 | ||
| DE19948240A DE19948240A1 (de) | 1999-02-15 | 1999-10-07 | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
| DE19948240.3 | 1999-10-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235144A true JP2000235144A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=26051832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000033981A Pending JP2000235144A (ja) | 1999-02-15 | 2000-02-10 | マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6353470B1 (ja) |
| EP (2) | EP1772775B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000235144A (ja) |
| DE (1) | DE59914179D1 (ja) |
| TW (1) | TW464768B (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002035273A1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-05-02 | Nikon Corporation | Catadioptric system and exposure device having this system |
| JP2002196242A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-07-12 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
| WO2003005097A1 (en) * | 2001-07-04 | 2003-01-16 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure device having the projection optical system |
| JP2005172988A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| WO2005062101A1 (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Nikon Corporation | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| US6922291B2 (en) | 2003-02-21 | 2005-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Catoptric projection optical system and exposure apparatus |
| US6995829B2 (en) | 2002-11-08 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US7130018B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Catoptric projection optical system, exposure apparatus and device fabrication method |
| US7154586B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Catoptric projection optical system and exposure apparatus having the same |
| US7224441B2 (en) | 2005-03-01 | 2007-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2008262223A (ja) * | 2001-08-01 | 2008-10-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Ｅｕｖフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ |
| JP2008541439A (ja) * | 2005-05-13 | 2008-11-20 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | ６枚の反射鏡を備えたｅｕｖ投影光学系 |
| JP2010533882A (ja) * | 2007-07-19 | 2010-10-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 投影対物系 |
| JP2012502490A (ja) * | 2008-09-10 | 2012-01-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
| JP2013513957A (ja) * | 2009-12-14 | 2013-04-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
| JP2014167655A (ja) * | 2007-10-26 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 結像光学系及びこの種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7329886B2 (en) * | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
| DE10053587A1 (de) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung |
| US6577443B2 (en) * | 1998-05-30 | 2003-06-10 | Carl-Zeiss Stiftung | Reduction objective for extreme ultraviolet lithography |
| EP1093021A3 (en) * | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
| TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
| DE10037870A1 (de) * | 2000-08-01 | 2002-02-14 | Zeiss Carl | 6-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
| US6867913B2 (en) | 2000-02-14 | 2005-03-15 | Carl Zeiss Smt Ag | 6-mirror microlithography projection objective |
| KR20030045817A (ko) * | 2000-10-20 | 2003-06-11 | 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 | 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 |
| DE10052289A1 (de) * | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
| DE60206908T2 (de) * | 2001-01-09 | 2006-07-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionssystem für die extrem-ultraviolettlithographie |
| JP2002329655A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Canon Inc | 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
| DE10138284A1 (de) | 2001-08-10 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit genesteten Kollektoren |
| DE10139177A1 (de) * | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Objektiv mit Pupillenobskuration |
| JP2003233001A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US7428037B2 (en) * | 2002-07-24 | 2008-09-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical component that includes a material having a thermal longitudinal expansion with a zero crossing |
| AU2003251669A1 (en) * | 2002-08-26 | 2004-03-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Grating based spectral filter for eliminating out of band radiation in an extreme ultra-violet lithography system |
| WO2004031854A2 (de) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine wellenlänge ≤ 193 nm mit sensoren zur bestimmung der ausleuchtung |
| US6975385B2 (en) * | 2002-11-08 | 2005-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and exposure apparatus |
| DE10317667A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element für ein Beleuchtungssystem |
| JP2004325649A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| AU2003229725A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-11-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection optical system |
| US7085075B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
| US8208198B2 (en) * | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
| KR101052386B1 (ko) * | 2003-09-27 | 2011-07-28 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 영점 교차 온도 근처에서 열팽창 계수의 온도에 따라, 상이한 기울기 부호를 갖는 재료로 구성된 미러들을 구비한 초단파 자외선 투영 광학계 |
| US7466489B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
| DE10359102A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Komponente umfassend ein Material mit einer vorbestimmten Homogenität der thermischen Längsausdehnung |
| WO2005059645A2 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
| DE10360414A1 (de) * | 2003-12-19 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| US20080151364A1 (en) * | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
| KR101407204B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2014-06-13 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 투영 대물렌즈 |
| US7463422B2 (en) | 2004-01-14 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure apparatus |
| WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
| KR101376931B1 (ko) | 2004-05-17 | 2014-03-25 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
| US7136149B2 (en) * | 2004-12-20 | 2006-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with autofocus system |
| EP1856578B1 (en) * | 2005-03-08 | 2010-05-19 | Carl Zeiss SMT AG | Microlithography projection system with an accessible diaphragm or aperture stop |
| JP5436853B2 (ja) | 2005-04-20 | 2014-03-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影露光系及び偏光光学素子 |
| JP4750183B2 (ja) * | 2005-05-03 | 2011-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィー投影光学系 |
| JP2009508150A (ja) | 2005-09-13 | 2009-02-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
| DE102006014380A1 (de) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
| EP2005250B1 (en) * | 2006-04-07 | 2012-11-07 | Carl Zeiss SMT GmbH | Microlithography projection optical system, tool and method of production |
| KR101235492B1 (ko) | 2006-07-03 | 2013-02-20 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 리소그래피 투사 대물렌즈 교정/수리 방법 |
| US8831170B2 (en) * | 2006-11-03 | 2014-09-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mirror with a mirror carrier and projection exposure apparatus |
| JP5154564B2 (ja) | 2006-12-01 | 2013-02-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 像収差を低減するための交換可能で操作可能な補正構成を有する光学システム |
| US20080175349A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Optical Research Associates | Maskless euv projection optics |
| EP1950594A1 (de) | 2007-01-17 | 2008-07-30 | Carl Zeiss SMT AG | Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik |
| US7929114B2 (en) * | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
| KR20090115712A (ko) * | 2007-02-20 | 2009-11-05 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 다수의 일차 광원을 갖는 광학 소자 |
| DE102007009867A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildungsvorrichtung mit auswechselbaren Blenden sowie Verfahren hierzu |
| DE102008002377A1 (de) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einem derartigen Beleuchtungssystem |
| DE102008033341A1 (de) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv |
| KR101428136B1 (ko) | 2007-08-03 | 2014-08-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피용 투사 대물렌즈, 투사 노광 장치, 투사 노광 방법 및 광학 보정 플레이트 |
| DE102007045396A1 (de) * | 2007-09-21 | 2009-04-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Bündelführender optischer Kollektor zur Erfassung der Emission einer Strahlungsquelle |
| DE102007047446A1 (de) | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element |
| EP2203787B1 (en) * | 2007-10-26 | 2014-05-14 | Carl Zeiss SMT GmbH | Imaging optical system and projection exposure installation for micro-lithography with an imaging optical system of this type |
| DE102010002822A1 (de) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
| US8593729B2 (en) * | 2010-06-25 | 2013-11-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Multi-field of view annular folded optics |
| US9448343B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Kla-Tencor Corporation | Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same |
| DE102022206112A1 (de) | 2022-06-20 | 2023-12-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103809A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学装置 |
| JPH09211332A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-08-15 | Svg Lithography Syst Inc | 高開口数リングフィールド光学縮小系 |
| JPH1090602A (ja) * | 1996-05-01 | 1998-04-10 | Lucent Technol Inc | 射影リソグラフィー光学系 |
| JPH112761A (ja) * | 1997-04-15 | 1999-01-06 | Nikon Corp | 投影光学系およびそれを備えた露光装置 |
| JP2000100694A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
| JP2002503356A (ja) * | 1997-11-13 | 2002-01-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | リソグラフィック投影装置を走査する鏡像投影系及びこのような系を具えるリソグラフィック装置 |
| JP2002509654A (ja) * | 1998-05-06 | 2002-03-26 | コーニンクレッカ、フィリップス、エレクトロニクス、エヌ、ヴィ | 走査リソグラフィック投写装置のための鏡投写システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィック装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5272568A (en) * | 1991-12-11 | 1993-12-21 | Eastman Kodak Company | High aperture finite conjugate lens system |
-
1999
- 1999-12-23 EP EP06025651A patent/EP1772775B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-23 EP EP99125783A patent/EP1035445B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-23 DE DE59914179T patent/DE59914179D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-10 JP JP2000033981A patent/JP2000235144A/ja active Pending
- 2000-02-11 TW TW089102316A patent/TW464768B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-02-14 US US09/503,640 patent/US6353470B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03103809A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-04-30 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学装置 |
| JPH09211332A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-08-15 | Svg Lithography Syst Inc | 高開口数リングフィールド光学縮小系 |
| JPH1090602A (ja) * | 1996-05-01 | 1998-04-10 | Lucent Technol Inc | 射影リソグラフィー光学系 |
| JPH112761A (ja) * | 1997-04-15 | 1999-01-06 | Nikon Corp | 投影光学系およびそれを備えた露光装置 |
| JP2002503356A (ja) * | 1997-11-13 | 2002-01-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | リソグラフィック投影装置を走査する鏡像投影系及びこのような系を具えるリソグラフィック装置 |
| JP2002509654A (ja) * | 1998-05-06 | 2002-03-26 | コーニンクレッカ、フィリップス、エレクトロニクス、エヌ、ヴィ | 走査リソグラフィック投写装置のための鏡投写システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィック装置 |
| JP2000100694A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002035273A1 (en) * | 2000-10-23 | 2002-05-02 | Nikon Corporation | Catadioptric system and exposure device having this system |
| CN100460921C (zh) * | 2000-10-23 | 2009-02-11 | 株式会社尼康 | 折射反射光学系统和具有该折射反射光学系统的曝光装置 |
| KR100799418B1 (ko) * | 2000-10-23 | 2008-01-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 반사굴절광학계 및 이 광학계를 구비한 노광장치 |
| JP2002196242A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-07-12 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
| WO2003005097A1 (en) * | 2001-07-04 | 2003-01-16 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure device having the projection optical system |
| JP2008262223A (ja) * | 2001-08-01 | 2008-10-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Ｅｕｖフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ |
| US7450301B2 (en) | 2001-08-01 | 2008-11-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflective projection lens for EUV-photolithography |
| US6995829B2 (en) | 2002-11-08 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US7119880B2 (en) | 2002-11-08 | 2006-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US7130018B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-10-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Catoptric projection optical system, exposure apparatus and device fabrication method |
| US7154586B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Catoptric projection optical system and exposure apparatus having the same |
| US6922291B2 (en) | 2003-02-21 | 2005-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Catoptric projection optical system and exposure apparatus |
| JP2005172988A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| CN100439965C (zh) * | 2003-12-24 | 2008-12-03 | 株式会社尼康 | 投影光学系统以及具有该投影光学系统的曝光装置 |
| WO2005062101A1 (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Nikon Corporation | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| US7692767B2 (en) | 2003-12-24 | 2010-04-06 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus with the same |
| US7224441B2 (en) | 2005-03-01 | 2007-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| JP2008541439A (ja) * | 2005-05-13 | 2008-11-20 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | ６枚の反射鏡を備えたｅｕｖ投影光学系 |
| JP2010533882A (ja) * | 2007-07-19 | 2010-10-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 投影対物系 |
| JP2014167655A (ja) * | 2007-10-26 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 結像光学系及びこの種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
| JP2012502490A (ja) * | 2008-09-10 | 2012-01-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
| JP2013513957A (ja) * | 2009-12-14 | 2013-04-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6353470B1 (en) | 2002-03-05 |
| EP1772775B1 (de) | 2008-11-05 |
| EP1035445A2 (de) | 2000-09-13 |
| EP1035445A3 (de) | 2003-04-23 |
| DE59914179D1 (de) | 2007-03-22 |
| EP1035445B1 (de) | 2007-01-31 |
| EP1772775A1 (de) | 2007-04-11 |
| TW464768B (en) | 2001-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000235144A (ja) | マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置 | |
| US6600552B2 (en) | Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus | |
| EP1320854B1 (en) | Illumination system particularly for microlithography | |
| KR100568758B1 (ko) | Ｅｕｖ-리소그래피용 제 1 볼록 미러를 갖는 링 필드-4-미러시스템 | |
| US6710917B2 (en) | 8-mirror microlithography projection objective | |
| KR100991049B1 (ko) | 프로젝션 노광 장치 | |
| US8576376B2 (en) | Imaging optical system and projection exposure system for microlithography | |
| JPH09197270A (ja) | マイクロリソグラフィ用投影露光装置のｒｅｍａ対物レンズ | |
| JP2005500566A (ja) | ひとみオブスキュレーションを伴う対物鏡 | |
| US7312462B2 (en) | Illumination system having a nested collector for annular illumination of an exit pupil | |
| US6947124B2 (en) | Illumination system particularly for microlithography | |
| KR100749015B1 (ko) | 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈 및 투영 노광 장치 | |
| KR100738594B1 (ko) | 마이크로리소그래피 축소 대물렌즈 및 투영 노광 장치 | |
| JP2002107630A (ja) | ６枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系 | |
| US6947120B2 (en) | Illumination system particularly for microlithography | |
| USRE42065E1 (en) | Illumination system particularly for microlithography | |
| JP2004510344A (ja) | 特にマイクロリソグラフィ用の照明光学系 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040812 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040812 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040812 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070206 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070309 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070309 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070314 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070410 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070413 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090415 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20090415 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090423 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100315 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100806 |