JPH1090602A - 射影リソグラフィー光学系 - Google Patents

射影リソグラフィー光学系

Info

Publication number
JPH1090602A
JPH1090602A JP9113727A JP11372797A JPH1090602A JP H1090602 A JPH1090602 A JP H1090602A JP 9113727 A JP9113727 A JP 9113727A JP 11372797 A JP11372797 A JP 11372797A JP H1090602 A JPH1090602 A JP H1090602A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflective
optical system
reflecting
semiconductor wafer
reflective surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9113727A
Other languages
English (en)
Inventor
David Ross Shafer
ロス シェイファー デヴィッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nokia of America Corp
Original Assignee
Lucent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lucent Technologies Inc filed Critical Lucent Technologies Inc
Publication of JPH1090602A publication Critical patent/JPH1090602A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0657—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】軟Ｘ線等よりも長い波長で動作し、全反射光学
デザインを用いたリソグラフィー射影系において、反射
表面の数に厳しい制限がなく、利用可能なレーザー光源
で、かつ、新型でない反射表面を用いる。 【解決手段】スペクトルの深紫外領域から真空紫外領域
の間で動作し、全反射光学配置を用いて、半導体ウェハ
ー上へリソグラフィーマスクの縮小像を射影する射影リ
ソグラフィー系である。この全反射光学配置は、６〜８
の反射表面を有し、各反射表面は非球面である。この反
射表面は、共通光軸に沿って配置され、光がリソグラフ
ィーマスクから半導体ウェハーへ進む際に光の経路と干
渉しないように配置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路のリソグ
ラフィーパターニングの射影リソグラフィー系及び方法
に関し、特に、全反射光学配置を用いる射影リソグラフ
ィー系及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＶＬＳＩ産業においては、半導体チップ
の製造で使用される典型的な射影リソグラフィー系は、
レジスト被膜半導体ウェハー上へ像を射影する縮小カメ
ラを用いる。そのプロジェクトパターンは、レジストが
現像されるときに半導体ウェハー上へ転写される。半導
体メーカーは、半導体設計が進むにつれ、より広い面積
の半導体ウェハー上に最良の構成要素を形成しなくては
ならないという問題に直面する。この半導体ウェハーの
大きくなる面積上の良い構成要素の形成は、製造上の目
標と対立する。また、この半導体ウェハーの益々良い構
成要素の形成は、リソグラフィーパターンニング時に、
より短い波長の光を使用することによって通常なされ
る。結果として、射影リソグラフィー系は、大きな開口
数を有する射影カメラにおいて、青色光、紫外光、深紫
外光を現在しばしば使う。しかしながら、このような大
きな開口数の射影カメラの利用は、大きな面積の半導体
ウェハーを現像することを難しくしている。この問題を
処理するため、射影カメラの現像野が半導体ウェハー上
の所望の野をカバーするように十分に大きくするために
射影カメラは大きくなってきた。現代の半導体応用が射
影カメラを益々大きくするので、射影カメラの中の光学
素子は、シャープな焦点の大きな現像野を維持するため
に複雑になっている。
【０００３】高い分解能を達成する為に、半導体メーカ
ーは、リソグラフィーパターンニング時に、２４８ｎｍ
ＫｒＦレーザー源及び１９３ｎｍＡｒＦレーザー源を使
用している。このような波長領域においては、唯一シリ
カ（ＳｉＯ2）レンズを、射影カメラの光学素子に使用
することができる。レンズデザインにおいて、一般に、
異なる屈折率のレンズ素子が、光学系での様々な収差を
減らすために用いられる。しかしながら、１つのガラス
のみを利用できるリソグラフィーパターンニング応用の
場合において、光学系においてより多くの数のレンズ
を、同程度の収差補正の得るために光学系を使用しなけ
ればならない。１つのガラス種のみを用いた全反射光学
系では、レンズは収色的であってはならない。従って、
色収差を減らすためには、レーザー光源は、典型的に
０．０１Ａに狭くされる。このようなレーザー光源は、
時間がたつにつれてシリカグラス材に損傷を与える。こ
のような損傷したレンズ素子は、射影カメラの最終像を
歪ませ、これによって射影カメラとともに機能するリソ
グラフィーパターンニングにおいて欠陥を作る原因とな
る。
【０００４】ガラスレンズの使用に関する上述のような
問題をなくすため、リソグラフィーパターンを作るため
にレンズを用いずに反射表面のみを用いるリソグラフィ
ー系が開発されてきた。このようなリソグラフィー系の
従来技術は、ジュエル(Jewell)他に付与された「リング
フィールド・リソグラフィー(RINGFIELD LITHOGRAPH
Y)」と題する米国特許第５，３１５，６２９号等に示さ
れている。このジュエルの特許では、半導体ウェハー上
にリソグラフィーパターンを形成するために軟Ｘ線源が
用いられる。この軟Ｘ線源は、多くの反射表面を用いて
焦点を合わせられる。しかしながら、リソグラフィーパ
ターンニングでの軟Ｘ線の利用は、多くの製造上の制限
を生む。この軟Ｘ線の使用は、作業者の被爆を防ぐため
に製造時に特別にしゃへいする必要がある。さらに、リ
ソグラフィーパターンニングに必要な動作特性を有する
軟Ｘ線源は、高価で容易に商業上入手できない。ジュエ
ルの特許では、軟Ｘ線放射は、半導体基板上への放射作
用の前に、四つの素子を反射する。軟Ｘ線を正確に反射
することのできる表面は、とても非効率的である。従っ
て、デザイン上の問題により、幾つかの反射表面のみし
か用いることができていない。軟Ｘ線系で用いられる反
射表面の数は限界があるので、この系のデザイン上の選
択肢もまた限界がある。
【０００５】軟Ｘ線リソグラフィー射影系の他の欠点と
して、軟Ｘ線を正確に反射するために複雑な皮膜を有す
る反射表面を用いる点がある。さらに、軟Ｘ線放射の短
波長、及びリソグラフィー射影系で用いることができる
反射表面の数の限界のため、反射表面は従来の製造技術
及び装備を用いては達成できない公差に収まるように製
造する必要がある。結果として、軟Ｘ線リソグラフィー
射影系における反射表面の製造は、高価で、労働集約的
で、時間を消費してしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、軟Ｘ線等より
も長い波長で動作し、全反射光学デザインを用いたリソ
グラフィー射影系において、利用できる反射表面の数に
厳しい制限がなく、商業的に利用可能なレーザー光源
で、かつ、新型でない反射表面を用いるものの必要性が
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、スペクトルの
深紫外領域から真空紫外領域の間で動作し、全反射光学
配置を用いて、半導体ウェハー上へリソグラフィーマス
クの縮小像を射影する射影リソグラフィー系である。こ
の全反射光学配置は、６〜８の反射表面を有し、各反射
表面は非球面である。この反射表面は、共通光軸に沿っ
て配置され、光がリソグラフィーマスクから半導体ウェ
ハーへ進む際に光の経路と干渉しないように配置され
る。
【０００８】光学配置の最後の２つの反射表面は、半導
体ウェハー上の最終像と共役である中間像を作る軸外カ
セグレンリレー(Cassegrain relay)を形成する。この軸
外カセグレンリレーの存在は、系の残りがより低速な光
線ファンで動作できるようにし、これによって収差を減
少させる。さらに、中間像の共役において視野絞りを配
置することによって、それた光はバッフルし、系の性能
を改善できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】射影リソグラフィー系では、系の
光学配置の分解能は、数式 Ｗ＝Ｋλ／ＮＡ ［１］ によって表される。ここで、Ｗは、作られる最小結像大
きさ（ミニマム・フィーチャー・サイズ）、Ｋは、フォ
ロレジストパラメーターに依存する実験的に定めた定
数、λは現像波長、ＮＡは開口数である。この開口数
（ＮＡ）は、射影リソグラフィー系の像の許容角度の定
量的基準である。この開口数（ＮＡ）は、数式 ＮＡ＝Ｎsin（θ） ［２］ によって表される。ここで、Ｎは、像領域の屈折率、θ
は、射影リソグラフィー系によって受けられた光線の最
大光錐角である。
【００１０】本発明の射影リソグラフィー系は、スペク
トルの深紫外線と真空紫外線領域の間、即ち約１００ｎ
ｍ〜３００ｎｍの間の露出波長で最適に動作するように
設計される。この周波数域の光を発するレーザー源は、
容易に入手可能である。射影リソグラフィー系は、半導
体ウェハー上にリソグラフィーマスクを再像化するた
め、露出波長を用いた６ないし８の反射表面を含む。射
影リソグラフィー系内に含まれた反射表面はそれぞれ、
用いる露出波長に依存して、９０％近く、可能ならば９
８％の効率の露出波長を反射する。
【００１１】例えば、図１に示す射影リソグラフィー系
は、８つの鏡、全反射であり、開口数（ＮＡ）０．５、
露出波長１２６ｎｍの５：１縮小イメージング系であ
る。数式［１］から、もしＫ＝０．７ならば、この射影
リソグラフィー系は、０．１８μｍの最小結像のイメー
ジングが可能であることが分かる。Ｋ＝０．５の応用で
は、この射影リソグラフィー系は、０．１３μｍの最小
結像のイメージングが可能である。
【００１２】図２に示す射影リソグラフィー系は、６つ
の鏡、全反射、開口数（ＮＡ）０．４５、露出波長１２
６ｎｍの５：１縮小イメージング系である。数式［１］
から、もしＫ＝０．７ならば、この射影リソグラフィー
系は、０．２０μｍのイメージングが可能であることが
分かる。Ｋ＝０．５の応用では、この射影リソグラフィ
ー系は、０．１４μｍの最小結像のイメージングが可能
である。
【００１３】実施例の記述から、鏡の番号、縮小率、露
出波長、開口数及び係数Ｋを変えることができる。２つ
の実施例において１２６ｎｍ光源を用いたが、１００ｎ
ｍから３００ｎｍのいくつかのレーザー光源も利用可能
である。例えば、選択範囲では低い方である１２６ｎｍ
レーザー光源に加えて、１４６ｎｍ、１５７ｎｍ、１７
２ｎｍ及び１９３ｎｍの商業的に利用可能なレーザー光
源を用いることができる。
【００１４】図１には、第１射影リソグラフィー系１０
を示してある。この射影リソグラフィー系１０は、８つ
の反射表面１２、１４、１６、１８、２０、２２、２
４、２６を有し、これらはリソグラフィーマスク２８と
半導体ウェハー３０の間に配置されている。この８つの
反射表面１２、１４、１６、１８、２０、２２、２４、
２６は、半導体ウェハー３０の点においてマスク像の
５：１の縮小を作る。図示した射影リソグラフィー系１
０は、半導体ウェハー３０上の露出野が露出スリットの
大きさによって決定される走査系である。この実施例で
は、露出スリットは、長さ２６ｍｍ、幅１ｍｍである。
図示したような走査系では、半導体ウェハー及びリソグ
ラフィーマスク２８は同時に走査される。結果として、
図示した実施例が５：１露出系であるので、リソグラフ
ィーマスク２８は、位置を同期させ、歪んでいない射影
像を確実にするために、半導体ウェハー３０の５倍の速
さで動く。リソグラフィーマスク２８と半導体ウェハー
３０の両方が動くので、射影リソグラフィー系１０の多
くの光学素子の全ては、リソグラフィーマスク２８と半
導体ウェハー３０の間に完全に含まれていて、走査時に
これらがリソグラフィーマスク２８と半導体ウェハー３
０の必要とする運動を妨げないようにされる。
【００１５】この射影リソグラフィー系１０の中で、８
つの反射表面１２、１４、１６、１８、２０、２２、２
４、２６は、光がリソグラフィーマスク２８から半導体
ウェハー３０へ進む際に、これら反射表面のいずれも他
のいずれの反射表面から反射された光の経路を妨げない
ように配置される。さらに、８つの反射表面１２、１
４、１６、１８、２０、２２、２４、２６のそれぞれ
は、わずかに大きめにされる。結果として、８つの反射
表面１２、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２６
のそれぞれに当たる光は、各反射表面の周囲の縁から所
定の距離を保つようにされる。従って、８つの反射表面
１２、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２６は、
これら反射表面の縁に正確に光が通るように製造されて
いなくてもよい。このことは、この８つの反射表面１
２、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２６の製造
上の大きな利点である。
【００１６】実施例では、１２６ｎｍの露出波長を用い
た。８つの反射表面１２、１４、１６、１８、２０、２
２、２４、２６はそれぞれ、用いた露出波長に対して高
い屈折率である材料で被覆される。現在一般に、波長１
２６ｎｍに対しての反射表面は、９０％近くの効率で正
確に反射することができるものが利用可能である。この
反射効率は、約６０％の効率で反射するような軟Ｘ線に
対して入手可能なものよりもかなり良い。８つの反射表
面１２、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２６の
それぞれの反射効率が約９０％なので、８つの反射表面
は容易に、許容レベル以下まで光強度が弱められること
なしに使用できる。少なくとも８つの反射表面を用いる
ことができるので、反射損失のために高々４つの反射表
面しか利用可能でない軟Ｘ線射影リソグラフィー系のも
のよいも光学設計の柔軟性が大きい。
【００１７】図１の実施例では、８つの反射表面１２、
１４、１６、１８、２０、２２、２４、２６は全て非球
面である。さらに、８つの反射表面１２、１４、１６、
１８、２０、２２、２４、２６のそれぞれは、共通光軸
１１に沿って配置され、これによって、射影リソグラフ
ィー系１０の組立が単純になる。各反射表面は、基本と
なる円錐に、１０次の多項式で表現される上張りをかぶ
せることによって作られた非球面表面を有する。この１
０次の多項式は、以下の数式によって表現される。 ただし、 ＴＴＴ＝（ＡＤ）Ｙ4＋（ＡＥ）Ｙ6＋（ＡＦ）Ｙ8＋（ＡＧ）Ｙ10 ここで、Ｚは、Ｚ軸と平行方向の非球面表面の変位、Ｙ
はＺ軸からの半径方向の距離、Ｋは頭頂点の曲率、ＣＣ
は円錐定数、ＡＤ，ＡＥ，ＡＦ，ＡＧはそれぞれ４、
６、８、１０次の変形係数であり、SQRTは、平方根を表
す。８つの反射表面１２、１４、１６、１８、２０、２
２、２４、２６の光学的基準を以下の第１表、第２表に
示す。
【００１８】
【００１９】
【００２０】第１表及び第２表のデータから、リソグラ
フィーマスク２８から放射した光は、第１表面１２へ距
離Ｄ１移動することが分かる。第１反射表面１２は凹面
であり、第２反射表面１４に光を送る。開き絞り１３
は、第１反射表面１２と第２反射表面１４の間に配置す
る。第２反射表面１４と第３反射表面１６の間にも開き
絞り１３は置くことができるが、開き絞り１３の位置
は、第１反射表面１２と第２反射表面１４の間である方
が好ましい。この位置が好ましいのは、開き絞り１３が
占める空間を反射表面又は光路が干渉しないので開き絞
り１３は完全にアクセス可能となるからである。
【００２１】開き絞り１３を光が通過した後、光は第２
反射表面１４に当たる。この第２反射表面１４は、凸面
であり、光を第３反射表面１６に向ける。この第３反射
表面１６は凸面であり、光を第４反射表面１８に向け
る。この第４反射表面１８は凹面であり、光を第５反射
表面２０に向ける。この第５反射表面２０は凹面であ
り、光を第６反射状面２２に向ける。第５反射表面２０
と第６反射表面２２の間の点Ｐ１において、比較的鋭い
中間焦点を作る。点Ｐ１に随意に視野絞り３２を直接配
置し、逸脱した光や散乱光線から全光学設計を保護する
バッフルを作ることができる。第６反射表面２２は、凸
面であり、光を第７反射表面２４へ向ける。この第７反
射表面２４は、凸面であり、光を第８反射表面２６に向
ける。最後に、この第８反射表面２６は凹面であり、半
導体ウェハー３０上に光を向ける。これら多くの反射表
面は、第８反射表面２６から半導体ウェハー３０上に当
たる光がテレセントリックであるように配置される。結
果として、第８反射表面２６から反射した扇状の光線群
の中の中央光線、即ち主光線３４は、半導体ウェハー３
０の面と垂直になる。これは、半導体ウェハー上の露出
野にわたっての鋭い焦点を可能にする。
【００２２】図１から、８つの反射表面１２、１４、１
６、１８、２０、２２、２４、２６は、４つの亜系（サ
ブシステム）により構成していることが分かる。半導体
ウェハー３０から戻って考えると、第８反射表面２６及
び第７反射表面２４は軸外カセグレンリレー亜系を作
る。第８反射表面２６の大きな凹面は、第７反射表面２
４の小さな凸面と共に機能して、これら反射表面２４、
２６が光路を干渉しないにもかかわらず、複数の因子に
よって光線円錐の速さを変えるような亜系を作る。第
７、８反射表面２４、２６のカセグレンリレー亜系は、
このように、射影リソグラフィー系１０の残りがかなり
遅い扇状光線で動作することを可能にして、これは、収
差を減らし、反射表面が光路を干渉しないように設計す
ることを容易にする。第７、８反射表面２４、２６のカ
セグレンリレー亜系はまた、８つの反射表面１２、１
４、１６、１８、２０、２２、２４、２６によって占め
られる領域を離れた点において半導体ウェハー３０の焦
点を位置させることにも機能する。これらのため、半導
体ウェハー３０の直前の大きな凹反射表面及びこれより
もかなり小さい凸反射表面のカセグレンリレー亜系は、
６、７、８の反射表面を有するか否かに関わらず、本発
明の全ての実施例において共通する特徴である。
【００２３】図示した実施例では、第７、８反射表面２
４、２６のカセグレンリレー亜系は、半導体ウェハー３
０上の最終像と共役である点Ｐ１において中間像をつく
る。この点Ｐ１における中間像の近くには、野鏡として
機能する第５、６反射表面２０、２２が位置する。この
点Ｐ１における中間像は、第５、６反射表面２０、２２
の前、間、又はその後ろに位置させることができるが、
この第５、６反射表面２０、２２の間に配置するのが好
ましい。６又は７個のいずれかの反射表面を有する射影
リソグラフィー系の代替実施例においては、これら野鏡
の一方又は双方が、全体設計から除去される。このよう
な代替実施例においては、野鏡の光学効果は残りの反射
表面によって実現される。
【００２４】第３、４反射表面１６、１８および第１、
２反射表面１２、１４もまた、軸外カセグレンリレー亜
系を作る。各亜系には、大きな凹反射面、即ち第１反射
表面１２と第４反射表面１８、及びより小さい凸反射
面、即ち第２反射表面１４と第３反射表面１６がある。
本発明の射影リソグラフィー系１０の好ましい実施例の
それぞれは、少なくとも３つの軸外カセグレンリレー亜
系を有し、各亜系は、大きな反射凹表面と小さな反射凸
表面を有する。これら軸外カセグレンリレー亜系は、
６、７又は８つのいずれかの反射表面を有する射影リソ
グラフィー系を作るようにいくつかの鏡を組み合わせら
れる。
【００２５】前述のように、実施例に用いた各８つの反
射表面１２、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２
６は、非球面である。各反射表面は、基本となる円錐に
１０次多項式の上張りを加えたものとして表現できる非
球面の表面を有する。示した実施例では、いかなる反射
表面の最悪の非球面の逸脱は、＋／−７５ｕよりも下で
ある。従って、これら反射表面は、伝統的な射影リソグ
ラフィー系にて用いられるレンズよりも約４倍の耐性を
持つ。さらに、伝統的な射影リソグラフィー系では、少
なくとも２０のレンズ素子を有する。本発明の射影リソ
グラフィー系においては、６ないし８個の反射表面のみ
有する。従って、本発明の射影リソグラフィー系の全体
の耐性は、レンズを含む伝統的な射影リソグラフィー系
よりも厳しくない。
【００２６】約９０％以上の反射効率を有する８つの反
射表面１２、１４、１６、１８、２０、２２、２４、２
６を有する光学系を用いることによって、元の光強度の
少なくとも４３％が半導体ウェハー３０において受けら
れる。これは、６０％の反射効率の反射表面をただ４個
のみを用いた軟Ｘ線射影リソグラフィーシステムの強度
と比べて２．５倍以上である。
【００２７】図２には、本発明に従った第２射影リソグ
ラフィー系１００を示す。この射影リソグラフィー系１
００は、リソグラフィーマスク２８と半導体ウェハー３
０の間に配置された６つの反射表面１０２、１０４、１
０６、１０８、１１０、１１２を有する。この６つの反
射表面１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１
２は、半導体ウェハー３０の点においてマスク像の５：
１の縮小像を作る。この実施例では、露出スリットは、
長さ２６ｍｍで、幅１ｍｍである。
【００２８】この射影リソグラフィー系１００の中で
は、６つの反射表面１０２、１０４、１０６、１０８、
１１０、１１２は、光がリソグラフィーマスク２８から
半導体ウェハー３０へ進む際に、これら反射表面いずれ
も他のいずれの反射表面から反射された光の経路を妨げ
ないように配置される。さらに、第１実施例と同様に、
６つの反射表面１０２、１０４、１０６、１０８、１１
０、１１２のそれぞれは、わずかに大きめにされる。結
果として、６つの反射表面１０２、１０４、１０６、１
０８、１１０、１１２のそれぞれに当たる光は、各反射
表面の周囲の縁から所定の距離を保つようにされる。
【００２９】実施例では、１２６ｎｍの露出波長を用い
た。各反射表面１０２、１０４、１０６、１０８、１１
０、１１２は、用いた露出波長に対して反射能が高くな
る物質により被覆される。図示した実施例は、６つの反
射表面１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１
２のみを用いるので、これら反射表面は、８つの反射表
面を有していた元の実施例の反射表面よりも反射能が高
くなくてもよい。
【００３０】図２の実施例では、６つの反射表面１０
２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２は、非球
面である。さらに、６つの反射表面１０２、１０４、１
０６、１０８、１１０、１１２のそれぞれは、共通光軸
１１４に沿って配置され、これによって、射影リソグラ
フィー系１００の組立が単純になる。各反射表面は、基
本となる円錐に、数式［３］で表されるような１０次の
多項式で表現される上張りをかぶせることによって作ら
れた非球面表面を有する。６つの反射表面１０２、１０
４、１０６、１０８、１１０、１１２の光学的基準を以
下の第３表、第４表に示す。
【００３１】
【００３２】
【００３３】第３表及び第４表のデータから、リソグラ
フィーマスク２８から放射した光は、第１表面１０２へ
たどることが分かる。第１反射表面１０２は凸面若しく
は平面であり、第２反射表面１０４に光を送る。開き絞
り１３は、第１反射表面１２と第２反射表面１４の間に
配置する。開き絞り１０３を、第１反射表面１０２と第
２反射表面１０４の間に配置した。この位置が好ましい
のは、この位置では、開き絞り１０３によって占められ
る空間と、反射表面又は光路が干渉しないので開き絞り
１０３は完全にアクセス可能となるからである。
【００３４】光はこの開き絞り１０３を通過した後、第
２反射表面１０４に当たる。この第２反射表面１０４
は、凹面であり、光を第３反射表面１０６に向ける。こ
の第３反射表面１６は凸面であり、光を第４反射表面１
０８に向ける。この第４反射表面１０８は凹面であり、
光を第５反射表面１１２に向ける。この第５反射表面１
１０は凸面であり、光を第６反射状面１１２に向ける。
最後に、第６反射表面２２は、凹面であり、半導体ウェ
ハー３０上に光を向ける。第４反射表面１０８と第５反
射表面１１２の間の点Ｐ２において、比較的鋭い中間焦
点を作る。この点Ｐ２に随意に視野絞り３２を直接配置
し、逸脱した光や散乱光線から全光学設計を保護するバ
ッフルを作ることができる。これら多くの反射表面は、
第８反射表面２６から半導体ウェハー３０上に当たる光
がテレセントリックであるように配置される。結果とし
て、第８反射表面１１２から反射した扇状の光線群の中
の中央光線、即ち主光線１２８は、半導体ウェハー３０
の面と垂直になる。これは、半導体ウェハー上の露出野
にわたっての鋭い焦点を可能にする。
【００３５】図２から、６つの反射表面１０２、１０
４、１０６、１０８、１１０、１１２は、３つの亜系
（サブシステム）により構成していることが分かる。半
導体ウェハー３０から戻って考えると、第６反射表面１
１２及び第５反射表面１１０は軸外カセグレンリレー亜
系を作る。第６反射表面１１２の大きな凹面は、第５反
射表面１１０の比較的小さな凸面と共に機能して、これ
ら反射表面１１０、１１２が光路を干渉しないにもかか
わらず、光線円錐の速さを変えるような亜系を作る。第
５、６反射表面１１０、１１２のカセグレンリレー亜系
は、このように、射影リソグラフィー系１００の残りが
かなり遅い扇状光線で動作することを可能にして、これ
は、収差を減らし、反射表面が光路を干渉しないように
設計することを容易にする。第５、６反射表面１１０、
１１２のカセグレンリレー亜系はまた、６つの反射表面
１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２によ
って占められる領域を離れた点において半導体ウェハー
３０の焦点を位置させることにも機能する。
【００３６】第３、４反射表面１０６、１０８および第
１、２反射表面１０２、１０４もまた、軸外カセグレン
リレー亜系を作る。各亜系には、大きな凸反射面、即ち
第１反射表面１０２と第３反射表面１０６、及びより大
きい凹反射面、即ち第２反射表面１０４と第４反射表面
１０８がある。
【００３７】前述のように、実施例に用いた各６つの反
射表面１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１
２は、非球面である。各反射表面は、基本となる円錐に
１０次多項式で表される上張りを加えたものとして表現
できる非球面の表面を有する。示した実施例では、いか
なる反射表面の最悪の非球面の逸脱は、＋／−５０ｕよ
りも下である。
【００３８】６つの反射表面１０２、１０４、１０６、
１０８、１１０、１１２を有する光学系を用いることに
よって、仮に各反射表面の反射効率が８０％しかなくて
も、６０％の反射効率の反射表面をただ４個のみを用い
た軟Ｘ線射影リソグラフィーシステムと比べて２倍以上
の効率である。
【００３９】実施例において、８つの反射表面及び６つ
の反射表面を有する系を示したが、他の反射表面を有す
る光学系も可能である。本発明の射影リソグラフィー系
は、同等の機能を有する構成素子や回路を用いることに
よって、変更できる。例えば、露出波長、開口数、反射
表面数、半導体ウェハー分解能、露出野、露出スロット
大きさ等を変えることができる。
【００４０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、スペクト
ルの深紫外領域から真空紫外領域の間で動作し、全反射
光学配置を用いて、半導体ウェハー上へリソグラフィー
マスクの縮小像を射影する射影リソグラフィー系であ
る。この全反射光学配置は、６〜８の反射表面を有し、
各反射表面は非球面である。この反射表面は、共通光軸
に沿って配置され、光がリソグラフィーマスクから半導
体ウェハーへ進む際に光の経路と干渉しないように配置
される。このようにして、軟Ｘ線等よりも長い波長で動
作し、全反射光学デザインを用いたリソグラフィー射影
系において、利用できる反射表面の数に厳しい制限がな
く、商業的に利用可能なレーザー光源で、かつ、新型で
ない反射表面を用いたものを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】８つの反射光学素子を有する本発明のリソグラ
フィー系の第１実施例の断面図である。
【図２】６つの反射光学素子を有する本発明のリソグラ
フィー系の第２実施例の断面図である。
【符号の説明】
１０ 射影リソグラフィー系 １１ 共通光軸 １３ 開き絞り １２〜２６ 反射表面 ２８ リソグラフィーマスク ３０ 半導体ウェハー ３２ 視野絞り ３４ 主光線 １００ 第２射影リソグラフィー系 １０２〜１１２ 反射表面 １１４ 共通光軸 １２８ 主光線 １３２ 視野絞り
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ.

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 射影リソグラフィーにおいて用いる光学
    系であって、リソグラフィーマスク（２８）からの像が
    露出波長を用いて半導体ウェハー（３０）上に射影さ
    れ、 ａ）前記リソグラフィーマスク（２８）と前記半導体ウ
    ェハー（３０）の間に配置された少なくとも６個の反射
    表面（１２〜２６）を有し、 この各反射表面は、非球面であることを特徴とする光学
    系。
  2. 【請求項２】 前記各反射表面は、前記露出波長の光線
    を少なくとも９０％の効率で反射することを特徴とする
    請求項１記載の光学系。
  3. 【請求項３】 前記露出波長は、１００ｎｍよりも大き
    いことを特徴とする請求項１記載の光学系。
  4. 【請求項４】 前記少なくとも６個の反射表面（１２〜
    ２６）は、前記半導体ウェハー（３０）の前の最終反射
    表面（２６）と、及び最終から２番目の反射表面（２
    ４）とを有し、前記最終反射表面（２６）は、凹表面で
    あり、前記最終から２番目の反射表面（２４）は、より
    小さい凸表面であることを特徴とする請求項１記載の光
    学系。
  5. 【請求項５】 前記反射表面（１２〜２６）は、前記露
    出波長の光線が前記より小さい凸表面（２４）上に当た
    る前の点において像共役を作ることを特徴とする請求項
    ４記載の光学系。
  6. 【請求項６】 前記凹表面（２６）は、前記半導体ウェ
    ハー（３０）とテレセントリックに位置を決められるこ
    とを特徴とする請求項４記載の光学系。
  7. 【請求項７】 前記凹表面（２６）及び前記より小さい
    凸表面（２４）は、軸外カセグレンリレーを形成するこ
    とを特徴とする請求項４記載の光学系。
  8. 【請求項８】 前記少なくとも６個の反射表面（１２〜
    ２６）は、第１亜系、第２亜系、及び第３亜系を有し、
    これら各亜系は、凹反射表面及び凸反射表面を有するこ
    とを特徴とする請求項１記載の光学系。
  9. 【請求項９】 前記少なくとも６個の反射表面（１２〜
    ２６）のそれぞれは、共通光軸（１１）に沿って配置さ
    れることを特徴とする請求項１記載の光学系。
  10. 【請求項１０】 前記露出波長の光線は、リソグラフィ
    ーマスク（２８）から半導体ウェハー（３０）へ光学経
    路を沿って移動し、前記反射表面（１２〜２６）は、こ
    の光学経路と干渉しないように位置することを特徴とす
    る請求項１記載の光学系。
  11. 【請求項１１】 前記露出波長は、１２６ｎｍ、１４６
    ｎｍ、１５７ｎｍ、１７２ｎｍ、及び１９３ｎｍからな
    る群より選択されることを特徴とする請求項１記載の光
    学系。
  12. 【請求項１２】 前記少なくとも６個の反射表面（１２
    〜２６）は、８個の反射表面を有するように構成される
    ことを特徴とする請求項１記載の光学系。
  13. 【請求項１３】 ｂ）前記像共役に直接配置された視野
    絞り（３２）を更に有することを特徴とする請求項５記
    載の光学系。
  14. 【請求項１４】 前記少なくとも６個の反射表面（１２
    〜２６）は、第１反射表面（１２）及び第２反射表面
    （１４）を有し、前記光学系は、 ｃ）前記第１反射表面（１２）と前記第２反射表面（１
    ４）の間に配置された開き絞り（１３）を更に有するこ
    とを特徴とする請求項１記載の光学系。
  15. 【請求項１５】 露出波長を用いて半導体ウェハー（３
    ０）上にリソグラフィーマスク（２８）の縮小像を射影
    する方法であって、 ａ）前記リソグラフィーマスク（２８）と前記半導体ウ
    ェハー（３０）の間に少なくとも６個の非球面反射表面
    （１２〜２６）を配置するステップと、 前記少なくとも６個の非球面反射表面（１２〜２６）の
    それぞれは、前記露出波長の光線を反射することがで
    き、 ｂ）前記少なくとも６個の非球面反射表面（１２〜２
    ６）から前記露出波長の光線を反射するステップとを有
    し、 前記非球面反射表面（１２〜２６）は、前記半導体ウェ
    ハー（３０）上に前記縮小像を作ることを特徴とする射
    影方法。
  16. 【請求項１６】 前記少なくとも６個の非球面反射表面
    （１２〜２６）のそれぞれは、少なくとも８０％の効率
    で前記露出波長の光線を反射することを特徴とする請求
    項１５記載の射影方法。
  17. 【請求項１７】前記少なくとも６個の非球面反射表面
    （１２〜２６）は、前記半導体ウェハー（３０）の前の
    最終反射表面（２６）と、及び最終から２番目の反射表
    面（２４）とを有し、前記非球面反射表面（１２〜２
    ６）は、前記最終から２番目の反射表面（２４）の前に
    像共役を作るように配置されることを特徴とする請求項
    １５記載の射影方法。
  18. 【請求項１８】 ｃ）前記像共役において視野絞り（３
    ２）を用意するステップを更に有することを特徴とする
    請求項１７記載の射影方法。
  19. 【請求項１９】 前記露出波長の光線をは、深紫外線と
    真空紫外線の間に属することを特徴とする請求項１５記
    載の射影方法。
  20. 【請求項２０】 前記最終反射表面（２６）は、凹表面
    であり、前記最終から２番目の反射表面（２４）は、よ
    り小さい凸表面であることを特徴とする請求項１７記載
    の射影方法。
JP9113727A 1996-05-01 1997-05-01 射影リソグラフィー光学系 Pending JPH1090602A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US649957 1996-05-01
US08/649,957 US5686728A (en) 1996-05-01 1996-05-01 Projection lithography system and method using all-reflective optical elements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1090602A true JPH1090602A (ja) 1998-04-10

Family

ID=24606926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9113727A Pending JPH1090602A (ja) 1996-05-01 1997-05-01 射影リソグラフィー光学系

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5686728A (ja)
JP (1) JPH1090602A (ja)
KR (1) KR100218074B1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000235144A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置
JP2001228401A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002196242A (ja) * 2000-11-07 2002-07-12 Asm Lithography Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス
JP2004214242A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005189248A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2005315918A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Nikon Corp 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7692767B2 (en) 2003-12-24 2010-04-06 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus with the same

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW594438B (en) * 1997-11-07 2004-06-21 Koninkl Philips Electronics Nv Three-mirror system for lithographic projection, and projection apparatus comprising such a mirror system
US6199991B1 (en) * 1997-11-13 2001-03-13 U.S. Philips Corporation Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
US7186983B2 (en) * 1998-05-05 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US6859328B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
US6396067B1 (en) * 1998-05-06 2002-05-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
US6255661B1 (en) 1998-05-06 2001-07-03 U.S. Philips Corporation Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
US6577443B2 (en) * 1998-05-30 2003-06-10 Carl-Zeiss Stiftung Reduction objective for extreme ultraviolet lithography
US6072852A (en) * 1998-06-09 2000-06-06 The Regents Of The University Of California High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography
US6213610B1 (en) 1998-09-21 2001-04-10 Nikon Corporation Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same
JP2000100694A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
KR20000034967A (ko) 1998-11-30 2000-06-26 헨켈 카르스텐 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치
US6635914B2 (en) * 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
USRE42118E1 (en) * 1999-02-15 2011-02-08 Carl-Zeiss-Smt Ag Projection system for EUV lithography
US6600552B2 (en) * 1999-02-15 2003-07-29 Carl-Zeiss Smt Ag Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus
US7151592B2 (en) * 1999-02-15 2006-12-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
US6985210B2 (en) * 1999-02-15 2006-01-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
DE19910724A1 (de) 1999-03-11 2000-09-14 Zeiss Carl Fa Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage
US6033079A (en) * 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
US6188513B1 (en) 1999-03-15 2001-02-13 Russell Hudyma High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
US6369398B1 (en) 1999-03-29 2002-04-09 Barry Gelernt Method of lithography using vacuum ultraviolet radiation
US6361176B1 (en) 1999-07-09 2002-03-26 Nikon Corporation Reflection reduction projection optical system
US6931097B1 (en) 1999-07-22 2005-08-16 Corning Incorporated Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method system and lithographic elements
KR100647968B1 (ko) 1999-07-22 2006-11-17 코닝 인코포레이티드 극 자외선 소프트 ｘ-선 투사 리소그라피 방법 및 마스크디바이스
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
WO2002044786A2 (en) * 2000-11-28 2002-06-06 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection system for 157 nm lithography
TW538256B (en) * 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
US6867913B2 (en) 2000-02-14 2005-03-15 Carl Zeiss Smt Ag 6-mirror microlithography projection objective
JP4971572B2 (ja) 2000-03-03 2012-07-11 ダン アンド ブラッドストリート インコーポレイテッド 電子商取引での取引の容易化
JP2002107630A (ja) * 2000-08-01 2002-04-10 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss ６枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系
DE10052289A1 (de) 2000-10-20 2002-04-25 Zeiss Carl 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
KR20030045817A (ko) * 2000-10-20 2003-06-11 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
EP2081086B1 (en) 2000-11-07 2013-01-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2003015040A (ja) * 2001-07-04 2003-01-15 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
US6829908B2 (en) * 2002-02-27 2004-12-14 Corning Incorporated Fabrication of inclusion free homogeneous glasses
US20030159466A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Bowden Bradley F. Dry pressing of spray dried soot to make EUV components
US6832493B2 (en) * 2002-02-27 2004-12-21 Corning Incorporated High purity glass bodies formed by zero shrinkage casting
US6912042B2 (en) * 2002-03-28 2005-06-28 Carl Zeiss Smt Ag 6-mirror projection objective with few lenses
JP2004158786A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Canon Inc 投影光学系及び露光装置
US6975385B2 (en) * 2002-11-08 2005-12-13 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and exposure apparatus
JP2004325649A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US7218596B2 (en) * 2003-05-12 2007-05-15 Invent Technologies, Llc Apparatus and method for optical data storage and retrieval
US7554649B2 (en) 2003-09-02 2009-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus and device fabricating method
EP1513019B1 (en) * 2003-09-02 2012-07-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus and device fabricating method
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
JP2007516613A (ja) * 2003-12-15 2007-06-21 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 少なくとも１つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ
US7466489B2 (en) 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US20080151364A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR101407204B1 (ko) * 2004-01-14 2014-06-13 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 투영 대물렌즈
US7463422B2 (en) 2004-01-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus
US7522335B2 (en) * 2004-03-29 2009-04-21 Intel Corporation Broad-angle multilayer mirror design
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
KR101376931B1 (ko) 2004-05-17 2014-03-25 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
TW200622304A (en) * 2004-11-05 2006-07-01 Nikon Corp Projection optical system and exposure device with it
WO2006063605A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-22 European Space Agency Wide field four mirror telescope using off-axis aspherical mirrors
WO2006069725A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille
DE102005042005A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
JP5201526B2 (ja) * 2005-02-15 2013-06-05 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法
EP1856578B1 (en) * 2005-03-08 2010-05-19 Carl Zeiss SMT AG Microlithography projection system with an accessible diaphragm or aperture stop
JP4750183B2 (ja) * 2005-05-03 2011-08-17 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィー投影光学系
KR101309880B1 (ko) * 2005-05-13 2013-09-17 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 낮은 입사각을 갖는 육-미러 ｅｕｖ 프로젝션 시스템
WO2007023665A1 (ja) * 2005-08-24 2007-03-01 Nikon Corporation 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法
JP2007114750A (ja) * 2005-09-09 2007-05-10 Asml Netherlands Bv 投影システム設計方法、リソグラフィー装置およびデバイス製造方法
JP2009508150A (ja) 2005-09-13 2009-02-26 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法
JP5068271B2 (ja) 2006-02-17 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ照明システム、及びこの種の照明システムを含む投影露光装置
US7470033B2 (en) * 2006-03-24 2008-12-30 Nikon Corporation Reflection-type projection-optical systems, and exposure apparatus comprising same
DE102006014380A1 (de) * 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
US20080118849A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Manish Chandhok Reflective optical system for a photolithography scanner field projector
DE102007023411A1 (de) * 2006-12-28 2008-07-03 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5315629A (en) * 1990-10-10 1994-05-24 At&T Bell Laboratories Ringfield lithography
US5222112A (en) * 1990-12-27 1993-06-22 Hitachi, Ltd. X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system
US5361292A (en) * 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5510230A (en) * 1994-10-20 1996-04-23 At&T Corp. Device fabrication using DUV/EUV pattern delineation

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000235144A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置
US6995918B2 (en) 2000-02-16 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus
JP2001228401A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
US7239453B2 (en) 2000-02-16 2007-07-03 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus
US7092168B2 (en) 2000-02-16 2006-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus
US7075726B2 (en) 2000-02-16 2006-07-11 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and projection exposure apparatus
JP2002196242A (ja) * 2000-11-07 2002-07-12 Asm Lithography Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス
JP2004214242A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US7130018B2 (en) 2002-12-27 2006-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Catoptric projection optical system, exposure apparatus and device fabrication method
US7053986B2 (en) 2003-05-23 2006-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2005189248A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
US7692767B2 (en) 2003-12-24 2010-04-06 Nikon Corporation Projection optical system and exposure apparatus with the same
JP2005315918A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Nikon Corp 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100218074B1 (ko) 1999-09-01
KR970076080A (ko) 1997-12-10
US5686728A (en) 1997-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1090602A (ja) 射影リソグラフィー光学系
US9304407B2 (en) Catoptric objectives and systems using catoptric objectives
US7190530B2 (en) Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US7209286B2 (en) Objective with pupil obscuration
US6262826B1 (en) Reflective optical imaging method and circuit
TWI440986B (zh) 微影工具反射照射系統
JP5020684B2 (ja) ズーム対物光学系を備えた照明システム
JP6221159B2 (ja) コレクター
KR20030045817A (ko) 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
KR20020031057A (ko) 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
JP2004510340A (ja) 特にマイクロリソグラフィ用の照明光学系
JP3413160B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた走査型露光装置
JPH07111512B2 (ja) 補償型光学システム
JP2000031041A (ja) 縮小オブジェクティブ
JP2005233979A (ja) 反射屈折光学系
JP2007288188A6 (ja) ズーム対物光学系を備えた照明システム
JPH05326370A (ja) 投影露光装置
JP4496782B2 (ja) 反射光学系及び露光装置
US7446856B2 (en) Illumination systems, exposure apparatus, and microdevice-manufacturing methods using same
KR100787525B1 (ko) 6 거울-마이크로리소그래피 - 투사 대물렌즈
JP2004170869A (ja) 結像光学系、露光装置および露光方法
JPH06230287A (ja) 反射屈折光学系
JP4822417B2 (ja) 露光装置および露光方法
JP2004356291A (ja) 走査露光装置及び走査露光方法
JP2000098230A (ja) 反射縮小結像光学系、該光学系を備えた露光装置および、該光学系を用いた露光方法