JP2000235900A

JP2000235900A - プラズマ処理装置

Info

Publication number: JP2000235900A
Application number: JP11035953A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Hongo; 俊明本郷
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1999-02-15
Filing date: 1999-02-15
Publication date: 2000-08-29

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波数の電磁波によりプラズマを生成する
ことが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】エッチング装置１００の処理室１０２の
天井部を構成する誘電体壁１０６上に非接地型のアンテ
ナ１１８が配置される。アンテナ１１８は，電気的にλ
／４（λは高周波電力の波長）の長さの第１〜第４アン
テナ素子１２０，１２２，１２４，１２６から成り，誘
電体壁１０６上の基準点Ｃから相互に点対称に配置され
る。相隣接する第１〜第４アンテナ素子１２０〜１２６
ごとに９０゜ずつ位相がずれた１００ＭＨｚ以上の高周
波電力を印加すると，点対称にある第１〜第４アンテナ
素子１２０〜１２６組がλ／２に共振し，電力と同一の
周波数の電磁波が発振され，誘電体壁１０６を介して処
理室１０２内に導入される。電磁波により処理ガスが解
離してプラズマ化し，処理室１０２内のウェハＷにエッ
チング処理が施される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，プラズマ処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近，半導体装置の超微細化および超高
集積化傾向に伴い，エッチング処理や成膜処理などを行
うプラズマ処理においても，高精度な超微細加工が要求
されており，例えばエッチング処理では，被処理体に超
微細かつ所定形状のパターンを高精度に形成可能なよう
に，エッチングの異方性を高めることが求められてい
る。かかる異方性エッチングを行うためには，処理時の
圧力雰囲気を低く，例えば数ｍＴｏｒｒ〜数十ｍＴｏｒ
ｒ程度にし，プラズマ中のイオン化率を上昇させてイオ
ン主体のエッチングを行うとともに，イオンの平均自由
工程を長くして被処理体に入射するイオンの方向性を揃
えることが要求される。しかし，処理室内の圧力雰囲気
を低下させるにつれて，電子と処理ガス分子等との衝突
確率が低下するので，プラズマの密度が低下し，エッチ
ングレートが低下したり，処理が不均一になるなどの問
題が生じる。

【０００３】そこで，従来，処理室内に磁場を生じさせ
て電子の寿命を長くし，上記電子と処理ガスの分子や原
子との衝突確率を高めることによりプラズマの密度を高
めて，低圧力雰囲気下でのエッチング処理を実現する誘
導結合型プラズマエッチング装置が使用されている。か
かる装置は，被処理体を配置する処理室と，処理室の一
面を成す誘電体壁と，誘電体壁上に配され，接地された
電極とを有している。かかる構成により，例えば１３．
５６ＭＨｚの電力を電極に印加すると，電極から生じた
高周波誘導磁場が誘電体壁を介して処理室内に導入され
る。その結果，高周波誘導磁場から生じた誘導電界の作
用により，処理室内に供給された処理ガスが解離し，生
成されたプラズマにより処理室内に配された被処理体に
エッチング処理が施される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで，クオータミ
クロン以下の超微細加工においては，より一層の処理ガ
スの低解離の実現と，イオン化率の向上が求められ，か
かる技術的要求を達成するためには，処理ガスを解離さ
せる電子がもつエネルギーを低くする必要がある。低エ
ネルギーの電子を多くさせるためには，プラズマ生成用
の電力の周波数を，電子が追従できないような高周波
数，例えば１００ＭＨｚ以上に設定し，電子へのエネル
ギー供給効率を減少させればよいことが知られている。
しかしながら，上記誘導結合型プラズマ処理装置は，上
記１００ＭＨｚ以上の電力を電極に印加すると，プラズ
マ中のイオンが誘電体壁に過度に衝突して誘電体壁の消
耗が激しくなるなどの問題が生じるために，低周波数の
電力しか使用することができないという問題点がある。

【０００５】また，上記誘導結合型プラズマ処理装置
は，例えば１２インチ以上の大口径の被処理体を処理す
べく，処理室を大型化すると，処理室内に均一な磁場を
形成することができず，プラズマの状態が不安定となっ
て，被処理体の処理面全面に均一な処理を行うことがで
きないという問題点がある。

【０００６】さらに，上記誘導結合型プラズマ処理装置
は，高周波電力の印加時に電極に電流が流れるために発
熱する。従って，電極自体あるいは電極近傍に冷却手段
を設ける必要があり，装置構成が複雑になったり，装置
が大型化するという問題点がある。

【０００７】本発明は，従来のプラズマ処理装置が有す
る上記のような問題点に鑑みて成されたものであり，本
発明の目的は，上記問題点およびその他の問題点を解決
することが可能な，新規かつ改良されたプラズマ処理装
置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発
明のように，被処理体が収容される処理室と，処理室の
一面を構成する誘電体壁と，誘電体壁を介して電磁波を
処理室内に導入して処理室内に供給された処理ガスをプ
ラズマ化するアンテナとを備えたプラズマ処理装置にお
いて，アンテナは，アンテナ設置面に仮想的に設定され
る基準点から相互に点対称に延伸し，基準点側にそれぞ
れ給電点を有するｎ本（ただし，ｎは２以上の整数であ
る）の略λ／４長アンテナ（ただし，λは前記アンテナ
に印加される高周波電力の波長である）組から成り，さ
らに各λ／４長アンテナに対して，相隣接するλ／４長
アンテナごとに３６０゜／ｎずつ位相がずれたプラズマ
生成用高周波電力を印加する電力供給手段を備えること
を特徴とするプラズマ処理装置が提供される。

【０００９】かかる構成によれば，各λ／４長アンテナ
を点対称に配置したので，プラズマ生成用高周波電力の
印加時には，λ／４長アンテナ組が電気的に１／２波長
に共振し，処理室内に電磁波を導入することができる。
さらに，各λ／４長アンテナには，位相の異なる所定の
高周波電力が順次印加されるので，処理室内に均一な電
磁波を導入することが可能となる。その結果，処理室内
に供給された処理ガスが，従来のように磁場から生じた
誘導電界によらず，電磁波の作用により解離するので，
大口径の被処理体を処理する装置のようにプラズマ生成
領域を拡大させても，均一なプラズマを生成することが
できる。

【００１０】また，処理時に低エネルギーの電子を多く
生成させて処理ガスの過度の解離を抑制し，イオン化率
を高くして被処理体に超微細加工を施すためには，プラ
ズマ生成用高周波電力の周波数を，例えば請求項２に記
載の発明のように１３．５６ＭＨｚよりも高く設定し，
好ましくは例えば請求項３に記載の発明のように５０Ｍ
Ｈｚ〜８００ＭＨｚに設定することが好ましい。

【００１１】また，生成されたプラズマを被処理体に均
一かつ効率的に導くためには，例えば請求項４に記載の
発明のように，処理室内に配置された電極に被処理体を
載置し，該電極にプラズマ生成用高周波電力の周波数よ
りも低い周波数，好ましくは例えば請求項５に記載の発
明のように１３．５６ＭＨｚ以下のバイアス用高周波電
力を印加することが好ましい。

【００１２】また，プラズマ生成用高周波電力の印加時
にアンテナからの磁場の発生を抑制し，誘電体壁の消耗
を軽減させるためには，例えば請求項６に記載の発明の
ように，λ／４長アンテナとして，磁場の発生原因とな
る電流が流れ難い非接地型アンテナを採用することが好
ましい。かかる構成により，例えば１００ＭＨｚ以上の
プラズマ生成用高周波電力をアンテナに印加しても，誘
電体壁の消耗を最小限に止めることができる。

【００１３】また，誘電体壁上にアンテナを密に配して
処理室内により均一な電磁波を導入し，より均一なプラ
ズマを生成するためには，例えば請求項７に記載の発明
のように，直線的に延伸する延伸部と，所定方向に屈曲
する屈曲部からなるλ／４長アンテナを採用することが
好ましい。

【００１４】また，プラズマ生成用高周波電力の印加時
には，λ／４長アンテナの終端部の電圧が高くなるが，
プラズマ中のイオンは，高電圧部に引き寄せられる性質
があるので，上記終端部に隣接する誘電体壁の処理室側
面にイオンが衝突して誘電体壁が削られて，誘電体壁の
寿命が短くなったり，被処理体を汚染するパーティクル
が発生するおそれがある。かかるイオンの衝突を軽減さ
せるためには，例えば請求項８に記載の発明のように，
少なくともλ／４長アンテナの終端部と誘電体壁との間
に，接地された導電性シールドを介装して，対処理室内
との間で生じる電位を解消することが好ましい。

【００１５】また，一般に，アンテナの長さは，アンテ
ナに印加される電力の周波数が低くなるにつれて長くな
るが，例えば請求項９に記載の発明のように，λ／４長
アンテナの終端部に，プラズマ生成用高周波電力の印加
時に，所定のインダクタンスを生じさせるインダクタン
ス発生手段を接続すれば，λ／４長アンテナの長さを短
縮してもλ／４長アンテナを共振させることができる。
その結果，被処理体の大きさや装置構成上の理由により
アンテナの設置範囲が限定されている場合，あるいは周
波数が低い電力を用いたい場合などでも，アンテナを設
けることができるので，本発明を実施することができ
る。

【００１６】さらに，上記の如くインダクタンス発生手
段を設けた場合には，該インダクタンス発生手段の電圧
が高くなるので，上記請求項８に記載の発明と同様に，
誘電体壁へのイオンの衝突を軽減させるためには，例え
ば請求項１０に記載の発明のように，少なくともインダ
クタンス発生手段と誘電体壁との間に，接地された導電
性シールドを介装することが好ましい。

【００１７】また，本発明の第２の観点によれば，請求
項１１に記載の発明のように，被処理体が収容される処
理室と，処理室の一面を構成する誘電体壁と，誘電体壁
を介して電磁波を処理室内に導入して処理室内に供給さ
れた処理ガスをプラズマ化するアンテナとを備えたプラ
ズマ処理装置において，アンテナ略中心点には，接地点
が配置され，接地点から略λ／１２（ただし，λはアン
テナに印加されるプラズマ生成用高周波電力の波長であ
る）の位置に，プラズマ生成用高周波電力が給電される
給電点が配置される略λ／２長アンテナからなることを
特徴とするプラズマ処理装置が提供される。

【００１８】かかる構成によれば，プラズマ生成用高周
波電力の印加時に，λ／２長アンテナが，上記請求項１
に記載の発明と同様に，電気的に１／２波長に共振する
ので，処理室内に電磁波を導入することができ，処理室
内に磁界を形成しなくても，高密度プラズマを生成する
ことができる。

【００１９】また，上記請求項２に記載の発明と同様
に，低エネルギーの電子を多く生成させて被処理体に超
微細加工を施すためには，プラズマ生成用高周波電力の
周波数を，例えば請求項１２に記載の発明のように１
３．５６ＭＨｚよりも高く設定し，好ましくは例えば請
求項１３に記載の発明のように５０ＭＨｚ〜８００ＭＨ
ｚに設定することが好ましい。

【００２０】また，上記請求項４に記載の発明と同様
に，プラズマを被処理体に均一かつ効率的に導くために
は，例えば請求項１４に記載の発明のように，処理室内
に配置された電極に被処理体を載置し，該電極にプラズ
マ生成用高周波電力の周波数よりも低い周波数，好まし
くは請求項１５に記載の発明のように１３．５６ＭＨｚ
以下のバイアス用高周波電力を印加することが好まし
い。

【００２１】また，上記請求項７に記載の発明と同様
に，より均一なプラズマを生成するためには，例えば請
求項１６に記載の発明のように，直線的に延伸する延伸
部と，所定方向に屈曲する屈曲部からなるλ／２長アン
テナを採用することが好ましい。

【００２２】また，上記請求項８に記載の発明と同様
に，誘電体壁へのイオンの衝突を形成させるためには，
例えば請求項１７に記載の発明のように，少なくともλ
／２長アンテナの各終端部と誘電体壁との間に，接地さ
れた導電性シールドを介装することが好ましい。

【００２３】また，上記請求項９に記載の発明と同様
に，λ／２長アンテナの長さを短縮するためには，例え
ば請求項１８に記載の発明のように，λ／２長アンテナ
の各終端部に，プラズマ生成用高周波電力の印加時に，
所定のインダクタンスを生じさせるインダクタンス発生
手段を接続することが好ましい。

【００２４】さらに，上記請求項１０に記載の発明と同
様に，インダクタンス発生手段を設けた場合に，誘電体
壁へのイオンの衝突を軽減させるためには，例えば請求
項１９に記載の発明のように，少なくともインダクタン
ス発生手段と誘電体壁との間には，接地された導電性シ
ールドを介装することが好ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しなが
ら，本発明にかかるプラズマ処理装置をプラズマエッチ
ング装置に適用した好適な実施の形態について詳細に説
明する。なお，下記の各実施の形態において，略同一の
機能および構成を有する構成要素については，同一の符
号を付することにより重複説明を省略する。

【００２６】（第１の実施の形態）（１）エッチング装置の構成まず，図１〜図６を参照しながら，第１の実施の形態の
エッチング装置１００の構成について説明する。図１に
示すエッチング装置１００の処理室１０２は，気密な略
円筒形の処理容器１０４内に形成されている。処理室１
０２の天井部は，プラズマ生成用の電磁波を透過可能な
石英やセラミックスなどからなる略円盤状の誘電体壁１
０６から構成されている。処理室１０２内には，被処理
体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称す
る。）Ｗを載置する載置台１０８が配置されている。こ
の載置台１０８には，高周波電源１１０から出力される
バイアス用電力が整合器１１２を介して印加される。ま
た，処理室１０２には，不図示のガス供給源からの処理
ガスを供給するガス供給系１１４と，処理室１０２内の
ガスを排気する不図示の真空ポンプを含む排気系１１６
が接続されている。

【００２７】次に，本実施の形態にかかるアンテナ１１
８について詳細に説明する。アンテナ１１８は，処理ガ
スを解離させてプラズマを生成するための電磁波を発生
させるためのもので，図１および図２に示すように，誘
電体壁１０６上に配置された，例えば４本の非接地型の
第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２
６群からなるダイバーシティアンテナとして構成され，
第１アンテナ素子１２０と第３アンテナ素子１２４，お
よび第２アンテナ素子１２２と第４アンテナ素子１２６
がそれぞれ組を成している。

【００２８】また，第１〜第４アンテナ素子１２０，１
２２，１２４，１２６は，高周波電力が印加された際に
効率よく電磁波を発生可能なように，第１〜第４アンテ
ナ素子１２０，１２２，１２４，１２６に印加される高
周波電力の波長をλとすると，電気的にλ／４の長さに
設定され，後述の各アンテナ組において電気的にλ／２
波長に共振するように構成されている。なお，第１〜第
４アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２６の実長
さは，第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２
４，１２６を構成する材料，例えばＡｌやＣｕなどの金
属に応じた材料固有の波長短縮率と，上記電気的な長さ
であるλ／４とを乗算することにより得られた値に設定
される。

【００２９】また，図２に示すように，第１〜第４アン
テナ素子１２０，１２２，１２４，１２６は，処理室１
０２内に均一に電磁波を導入可能なように，アンテナ設
置面としての誘電体壁１０６上面に装置構成に応じて適
宜設定される基準点Ｃからそれぞれ点対称かつ放射状に
配置されている。なお，本実施の形態では，上記基準点
Ｃは，図１に示すように載置台１０８に載置されている
ウェハＷのほぼ中心を通る直線Ｌ上に設定される。ま
た，第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２４，
１２６の基準点Ｃ側には，高周波電力を供給する給電点
１２０ａ，１２２ａ，１２４ａ，１２６ａが設けられて
いる。

【００３０】また，図２に示すように，第１〜第４アン
テナ素子１２０，１２２，１２４，１２６は，給電点１
２０ａ，１２２ａ，１２４ａ，１２６ａから誘電体壁１
０６の外周に向かって直線的に延伸する延伸部１２０
ｄ，１２２ｄ，１２４ｄ，１２６ｄと，時計回り方向に
屈曲する屈曲部１２０ｂ，１２２ｂ，１２４ｂ，１２６
ｂから構成されている。延伸部１２０ｄ，１２２ｄ，１
２４ｄ，１２６ｄは，相隣接する第１〜第４アンテナ素
子１２０，１２２，１２４，１２６同士が，各々略９０
゜の角度を成すように配置されている。また，屈曲部１
２０ｂ，１２２ｂ，１２４ｂ，１２６ｂは，第１〜第４
アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２６同士で電
気的な干渉が起こらず，高周波電力の印加時に処理室１
０２内に電磁波が均一に導入されるように展開され，本
実施の形態では，ウェハＷの形状に応じて誘電体壁１０
６の円周方向に沿って展開されている。従って，処理室
１０２側から見れば，第１〜第４アンテナ素子１２０，
１２２，１２４，１２６は，誘電体壁１０６上で略卍状
に展開されている。

【００３１】かかる構成により，装置構成や，印加され
る高周波電力の周波数などの理由により，直線的に延伸
させれば第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２
４，１２６が誘電体壁１０６の半径よりも長くなる場合
でも，屈曲させてあれば第１〜第４アンテナ素子１２
０，１２２，１２４，１２６を誘電体壁１０６上に収容
することができる。また，第１〜第４アンテナ素子１２
０，１２２，１２４，１２６がウェハＷの処理面に対し
て密に配置されるので，高周波電力の印加時に処理室１
０２内に電磁波がより均一に導入され，均一なプラズマ
を生成することが可能となる。なお，第１〜第４アンテ
ナ素子１２０，１２２，１２４，１２６の展開方向は，
上述した時計回り方向に限定されるものではなく，第１
〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２６同
士が相互に電気的に干渉することなく，処理室１０２内
に均一な電磁波を導入することができれば，第１〜第４
アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２６の形状や
展開方向を適宜設定することができる。

【００３２】また，第１〜第４アンテナ素子１２０，１
２２，１２４，１２６の終端部１２０ｃ，１２２ｃ，１
２４ｃ，１２６ｃには，第１〜第４アンテナ素子１２
０，１２２，１２４，１２６の長さを短縮させるため
に，高周波電力の印加時に所定のインダクタンスを発生
させることが可能なコイル１２８，１３０，１３２，１
３４がそれぞれに対応して接続されている。一般的に，
第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２
６の長さは，印加される電力の周波数が低くなるにつれ
て長くなる。そこで，第１〜第４アンテナ素子１２０，
１２２，１２４，１２６にコイル１２８，１３０，１３
２，１３４で発生する所定のインダクタンスを作用させ
れば，第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２
４，１２６の長さを短縮しても，第１〜第４アンテナ素
子１２０，１２２，１２４，１２６を共振させることが
できる。その結果，ウェハＷの外径が小さく第１〜第４
アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２６の設置範
囲が狭い場合や，周波数の低い電力を使用する場合で
も，第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２４，
１２６を設置することができる。

【００３３】また，コイル１２８，１３０，１３２，１
３４は，コイル１２８，１３０，１３２，１３４を保持
するためのコイルボックス１３６，１３８，１４０，１
４２内に収容されている。なお，コイル１２８，１３
０，１３２，１３４を，コイルボックス１３６，１３
８，１４０，１４２内に配置しなくても，本実施の形態
を実施可能であることはいうまでもない。

【００３４】ところで，上述したコイル１２８，１３
０，１３２，１３４が接続された第１〜第４アンテナ素
子１２０，１２２，１２４，１２６を採用すると，高周
波電力を印加するとコイル１２８，１３０，１３２，１
３４に高電圧が生じる。すなわち，図３（ａ）に示す第
１および第３アンテナ素子１２０，１２４組を例に挙げ
て説明すると，第１および第３アンテナ素子１２０，１
２４部分では，図３（ｂ）に示すように所定の電流が流
れて，図３（ｃ）に示すように電圧が高くならない。こ
れに対して，図３（ａ）に示すコイル１２８，１３２部
分では，図３（ｂ）に示すように電流が流れ難く，図３
（ｃ）に示すように電圧が高くなる。もちろん，第２お
よび第４アンテナ素子１２２，１２６についても，上記
と同様の現象が起こる。なお，第１〜第４アンテナ素子
１２０，１２２，１２４，１２６は，非接地型アンテナ
なので，従来の誘導結合型エッチング装置の電極に流れ
る電流よりも非常に少ない電流しか流れないことはいう
までもない。

【００３５】その結果，後述するシールド１４４を設け
ない場合には，処理時に高電圧となるコイル１２８，１
３０，１３２，１３４付近の誘電体壁１０６の処理室１
０２側面に，プラズマ中のイオンが引き寄せられて衝突
し，誘電体壁１０６が消耗するとともに，ウェハＷを汚
染するパーティクルが発生することがある。なお，図３
（ａ）は，直線的に延伸させた場合の第１および第３ア
ンテナ素子１２０，１２４とそれらに接続されたコイル
１２８，１３２を示す概略的な説明図であり，図３
（ｂ）は，図３（ａ）に示す第１および第３アンテナ素
子１２０，１２４と，コイル１２８，１３２の電流分布
を示す概略的な説明図であり，図３（ｃ）は，図３
（ａ）に示す第１および第３アンテナ素子１２０，１２
４と，コイル１２８，１３２の電圧分布を表す概略的な
説明図である。また，図３（ａ）では，後述の電力調整
器１４８は省略され，高周波電源１４６が第１および第
３アンテナ素子１２０，１２４に直接接続されている。

【００３６】そこで，本実施の形態では，図１および図
２に示すように，コイルボックス１３６，１３８，１４
０，１４２と，誘電体壁１０６との間に，高電圧となる
コイル１２８，１３０，１３２，１３４を処理室１２０
内から電気的に隔離する接地された導電性のシールド１
４４を介装する構成を採用している。シールド１４４
は，金属などの導電性材料から成り，コイル１２８，１
３０，１３２，１３４が配された誘電体壁１０６の周縁
部を覆うように略リング状に形成されている。かかる構
成により，シールド１４４がグランドとなって，コイル
１２８，１３０，１３２，１３４と誘電体壁１０６とが
電気的に遮断されるので，コイル１２８，１３０，１３
２，１３４と処理室１０２内との間に電位が実質的に生
じなくなる。その結果，誘電体壁１０６の処理室１０２
側面へのイオンの衝突を軽減することができるので，上
述した誘電体壁１０６の消耗等の問題を解消することが
できる。

【００３７】なお，シールド１４４の形状は，上記リン
グ状に限定されることはなく，コイル１２８，１３０，
１３２，１３４が誘電体壁１０６から隔離されるよう
に，コイル１２８，１３０，１３２，１３４と誘電体壁
１０６との間にのみ設けても良い。また，コイルボック
ス１３６，１３８，１４０，１４２を導電性材料から形
成し，各々接地すれば，上述したシールド１４４と同様
の作用効果を奏することができ，上記シールド１４４を
省略することも可能である。

【００３８】また，図４（ａ）に示すように，上記第１
および第３アンテナ素子１２０，１２４にコイル１２
８，１３２を設けない場合には，第１および第３アンテ
ナ素子１２０，１２４の給電点１２０ａ，１２４ａから
終端部１２０ｃ，１２４ｃに向かうにつれて電流が流れ
難くなり，電圧が上昇して，それら終端部１２０ｃ，１
２４ｃの電圧が最も高くなる。かかる場合には，終端部
１２０ｃ，１２４ｃと誘電体壁１０６との間に上述した
シールド１４４を介装すれば，上記と同様の作用効果を
奏することができる。もちろん，第２および第４アンテ
ナ素子１２２，１２６についても，同様である。なお，
図４（ａ）は，直線的に延伸させた場合の第１および第
３アンテナ素子１２０，１２４を示す概略的な説明図で
あり，図４（ｂ）は，図４（ａ）に示す第１および第３
アンテナ素子１２０，１２４の電流分布を示す概略的な
説明図であり，図４（ｃ）は，図４（ａ）に示す第１お
よび第３アンテナ素子１２０，１２４の電圧分布を表す
概略的な説明図である。また，図４（ａ）では，後述の
電力調整器１４８は省略され，高周波電源１４６が第１
および第３アンテナ素子１２０，１２４に直接接続され
ている。

【００３９】次に，第１〜第４アンテナ素子１２０，１
２２，１２４，１２６に高周波電力を供給する電力供給
系について説明する。図１および図２に示す第１〜第４
アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２６の給電点
１２０ａ，１２２ａ，１２４ａ，１２６ａには，図１に
示す高周波電源１４６から出力される所定周波数の電力
が，不図示の同軸ケーブルを介し，電力調整器１４８に
おいて高周波電力の位相等を調整された後に印加され
る。電力調整器１４８は，図５に示すように，高周波電
力の位相制御および電力分配を行う位相分配器１５０
と，電力の不平衡・平衡変換および位相制御を行う平衡
・不平衡変換器１５２，１５４から構成されている。

【００４０】位相分配器１５０は，高周波電源１４６か
ら出力された高周波電力を，該電力の位相を９０゜ずら
した電力と，−９０゜ずらした電力に２分配して，例え
ば９０゜位相がずれた高周波電力を第１および第３アン
テナ素子１２０，１２４に高周波電力を出力する第１平
衡・不平衡変換器１５２に入力し，−９０゜位相がずれ
た高周波電力を第２および第４アンテナ素子１２２，１
２６に高周波電力を出力する第２平衡・不平衡変換器１
５４に入力する。

【００４１】また，第１および第２平衡・不平衡変換器
１５２，１５４は，バラン（Ｂａｌｕｎ；Ｂａｌａｎｃ
ｅｔｏｕｎｂａｌｕｎｃｅ）から成り，同軸ケーブ
ルを通過する際に電圧および電流がグランド（大地）に
対して不平衡になった高周波電力を平衡化し，導体上の
電圧および電流がグランドに対して平衡なダイバーシテ
ィアンテナを構成する第１〜第４アンテナ素子１２０，
１２２，１２４，１２６に供給する。かかる構成を採用
することにより，同軸ケーブルの外部導体の外側表面に
漏洩電流が流れないので，第１および第３アンテナ素子
１２０，１２４組，または第２および第４アンテナ素子
１２２，１２６組に流れる電流のバランスを均一にする
ことができ，均一な電磁波を発生させることができる。

【００４２】また，本実施の形態では，第１および第２
平衡・不平衡変換器１５２，１５４を構成するバランと
して，１８０゜位相を反転することにより上記平衡・不
平衡変換を行う，例えばλ／２迂回ライン４：１バラン
を採用している。かかる構成により，第１および第２平
衡・不平衡変換器１５２，１５４から出力される高周波
電力の位相は，同軸ケーブルの内部導体と外部導体とで
１８０゜ずらされ，つまり第１アンテナ素子１２０と第
３アンテナ素子１２４，または第２アンテナ素子１２２
と第４アンテナ素子１２６には１８０゜位相がずれた高
周波電力が供給される。

【００４３】従って，高周波電源１４６から出力された
高周波電力は，上述の如く位相分配器１５０で９０゜ま
たは−９０゜位相がずらされた後に，さらに第１または
第２平衡・不平衡変換器１５２，１５４でそれぞれ１８
０゜位相がずらされて，第１〜第４アンテナ素子１２
０，１２２，１２４，１２６に印加される。その結果，
相隣接する第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１
２４，１２６には，図６（ａ）〜図６（ｄ）に示すよう
に，９０゜ずつ位相がずれた高周波電力が順次印加され
る。なお，図６（ａ）は，第１アンテナ素子１２０に印
加される高周波電力の波形であり，図６（ｂ）は，第２
アンテナ素子１２２に印加される高周波電力の波形であ
る。また，図６（ｃ）は，第３アンテナ素子１２４に印
加される高周波電力の波形であり，図６（ｄ）は，第４
アンテナ素子１２６に印加される高周波電力の波形であ
る。

【００４４】かかる構成により，図６（ａ）〜図６
（ｄ）に示すように，第１アンテナ素子１２０と第３ア
ンテナ素子１２４の組，および第２アンテナ素子１２２
と第４アンテナ素子１２６の組に，それぞれの組ごとに
電位が逆の高周波電力が印加されて，それら第１および
第３アンテナ素子１２０，１２４組，または第２および
第４アンテナ素子１２２，１２６組が各々電気的に１／
２波長に共振し，所定の電磁波を発振する。さらに，す
でに説明したように，相隣接する第１〜第４アンテナ素
子１２０，１２２，１２４，１２６に対して，それぞれ
９０゜位相が異なる高周波電力を順次印加していくの
で，処理室１０２内に電磁波を均一に導入することがで
きる。

【００４５】また，第１〜第４アンテナ素子１２０，１
２２，１２４，１２６は，上述したように接地されてい
ないので，第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１
２４，１２６を流れる電流は，従来の誘導結合型エッチ
ング装置の電極を流れる電流よりも非常に少ない。その
結果，第１〜第４アンテナ素子１２０，１２２，１２
４，１２６が発熱し難いので，第１〜第４アンテナ素子
１２０，１２２，１２４，１２６を冷却する冷却機構を
設ける必要がなく，装置構成の簡素化およびイニシャル
コストの削減を図ることができる。

【００４６】（２）エッチング処理次に，上述したエッチング装置１００を用いてウェハＷ
にエッチング処理を施す場合について説明する。まず，
図１に示す載置台１０８上にウェハＷを載置した後に，
処理室１０２内に不図示のガス供給源から処理ガス，例
えばＣ_４Ｆ_８とＡｒとの混合ガスを導入するとともに，
処理室１０２内の真空引きを行い，処理室１０２内を例
えば１ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ，好ましくは５０ｍＴｏ
ｒｒの圧力雰囲気に維持する。

【００４７】次いで，高周波電源１４６から１３．５６
ＭＨｚよりも高い周波数，例えば５０ＭＨｚ〜８００Ｍ
Ｈｚ，好ましくは１００ＭＨｚ〜２００ＭＨｚで，５０
０Ｗ〜５ｋＷ，好ましくは２ｋＷのプラズマ生成用の電
力を出力させて，電力調整器１４８で上述の如く位相等
が所定の状態に調整された高周波電力をアンテナ１１８
に印加する。かかる電力の印加により，アンテナ１１８
から上記電力の周波数と略同一の周波数の電磁波が発振
され，該電磁波が誘電体壁１０６を介して処理室１０２
内に導入される。その結果，処理室１０２内に供給され
た処理ガスが電磁波の作用により解離し，プラズマが生
成される。また，上記アンテナ１１８への高周波電力の
印加と同時に，載置台１０８にも高周波電源１１０から
上記プラズマ生成用高周波電力よりも低い周波数，例え
ば１３．５６ＭＨｚで，５００Ｗ〜５ｋＷのバイアス用
の電力が印加されている。従って，上記プラズマ中のイ
オン等が載置台１０８上のウェハＷの処理面に引き寄せ
られて，ウェハＷに所定のエッチング処理が施される。

【００４８】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，電磁波の作用により処理ガスを解離させてプラズ
マを生成するので，アンテナ１１８に例えば１００ＭＨ
ｚ以上の周波数の電力を印加しても，誘電体壁１０６へ
のイオンの過度な衝突を防ぐことができる。その結果，
幅広い周波数範囲の電力を使用でき，特に高周波数の電
力を採用できるので，処理ガスの過度の解離を抑えた
り，イオン化率を向上させるなどのプラズマ制御を容易
に行うことができ，超微細エッチングを実現することが
できる。また，プラズマの生成および制御を磁場によら
ずに行うことができるので，大口径ウェハＷに対応した
大型の装置であっても，均一なプラズマを生成すること
ができ，均一な処理を行うことができる。

【００４９】（第２の実施の形態）次に，図７を参照し
ながら，本発明の第２の実施の形態について説明する。
本実施の形態にかかるアンテナ２００は，図７に示すよ
うに，上述した第１アンテナ素子１２０と第２アンテナ
素子１２４の組からなるダイポールアンテナとして構成
されている。第１および第２アンテナ素子１２０，１２
４には，高周波電源１４６から出力された高周波電力
が，上記位相分配器１５０を介することなく，上記平衡
・不平衡変換器１５２，１５４と同一に構成された平衡
・不平衡変換器２０２で１８０゜位相がずらされた後，
給電点１２０ａ，１２４ａを介して印加される。かかる
電力の印加により，アンテナ２００が電気的に１／２波
長に共振して電磁波が発振され，該電磁波が誘電体壁１
０６を介して処理室１０２内に導入される。その他の構
成は，上記第１の実施の形態と同様である。かかる構成
を採用すれば，高周波電力の位相制御を容易に行うこと
ができるとともに，装置構成を簡素化することができ
る。

【００５０】なお，第１および第２アンテナ素子１２
０，１２２の展開方向は，上記形態に限定されることは
なく，例えば図８および図９に示すように，略渦巻き状
に展開する第１および第２アンテナ素子５０２，５０４
組からなるアンテナ５００や，第１および第２アンテナ
素子６０２，６０４組からなるアンテナ６００を採用し
ても良い。なお，第１アンテナ素子５０２，６０２と，
第２アンテナ素子５０４，６０４は，展開方向以外は上
記第１および第２アンテナ素子１２０，１２２と同一に
構成されている。また，図８および図９では，コイル１
２８，１３２およびシールド１４４は省略されている。

【００５１】（第３の実施の形態）次に，図１０および
図１１を参照しながら，本発明の第３の実施の形態につ
いて説明する。本実施の形態にかかるアンテナ３００
は，図１０に示すように，上述した第１〜第４アンテナ
素子１２０，１２２，１２４，１２６と同一に構成され
た第１〜第８アンテナ素子３０２，３０４，３０６，３
０８，３１０，３１２，３１４，３１６群からなるダイ
バーシティアンテナとして構成されている。また，第１
および第５アンテナ素子３０２，３１０と，第２および
第６アンテナ素子３０４，３１２と，第３および第７ア
ンテナ素子３０６，３１４と，第４および第８アンテナ
素子３０８，３１６が，各々組を成しており，上記と同
様に誘電体壁１０６上面の基準点Ｃから点対称かつ放射
状に配置されている。なお，第１〜第８アンテナ素子３
０２，３０４，３０６，３０８，３１０，３１２，３１
４，３１６の給電点の配置や展開方向は，上記第１〜第
４アンテナ素子１２０，１２２，１２４，１２６と同様
であり，さらにコイルも同様に接続されている。

【００５２】次に，図１１を参照しながら，第１〜第８
アンテナ素子３０２，３０４，３０６，３０８，３１
０，３１２，３１４，３１６に高周波電力を供給する電
力供給系について説明する。第１〜第８アンテナ素子３
０２，３０４，３０６，３０８，３１０，３１２，３１
４，３１６には，上記と同様に高周波電源１４６から出
力される所定の高周波電力が，電力調整器３１８におい
て位相等を調整された後に印加される。電力調整器３１
８は，上記位相分配器１５０と同一に構成された位相分
配器３２０，３２２，３２４と，上記平衡・不平衡変換
器１５２，１５４と同一に構成された平衡・不平衡変換
器３２６，３２８，３３０，３３２から構成されてい
る。

【００５３】かかる構成により，高周波電源１４６から
出力された高周波電力は，位相分配器３２０において，
上記電力の位相から９０゜ずらされた電力と，−９０゜
ずらされた電力に２分配された後に，それぞれに対応す
る位相分配器３２２，３２４に入力される。位相分配器
３２０において９０゜位相がずらされた高周波電力は，
さらに位相分配器３２２において，上記の位相から９０
゜ずらされた電力と，４５゜ずらされた電力に２分配さ
れた後に，それぞれに対応する平衡・不平衡変換器３２
６，３２８に入力される。さらに，各電力は，平衡・不
平衡変換器３２６，３２８において不平衡・平衡変換さ
れ，位相が１８０゜ずらされた後に，それぞれに対応す
る第１および第５アンテナ素子３０２，３１０組と，第
２および第６アンテナ素子３０４，３１２組に供給され
る。

【００５４】一方，位相分配器３２０において−９０゜
位相がずらされた高周波電力は，さらに位相分配器３２
４において，上記−９０゜の位相のままの電力と，−４
５゜位相がずらされた電力に２分配された後に，それぞ
れに対応する平衡・不平衡変換器３３０，３３２に入力
される。さらに，各電力は，平衡・不平衡変換器３３
０，３３２において不平衡・平衡変換され，位相が１８
０゜ずらされた後に，それぞれに対応する第３および第
７アンテナ素子３０６，３１４組と，第４および第８ア
ンテナ素子３０８，３１６組に供給される。

【００５５】その結果，相隣接する第１〜第８アンテナ
素子３０２，３０４，３０６，３０８，３１０，３１
２，３１４，３１６に，順次４５゜ずつ位相がずれた高
周波電力が印加されて，上記各アンテナ素子組が各々電
気的に１／２波長に共振し，第１〜第８アンテナ素子３
０２，３０４，３０６，３０８，３１０，３１２，３１
４，３１６から電磁波が発振され，上記と同様に誘電体
壁１０６を介して処理室１０２内に導入される。

【００５６】本実施の形態は，以上のように構成されて
おり，８本の第１〜第８アンテナ素子３０２，３０４，
３０６，３０８，３１０，３１２，３１４，３１６から
なるアンテナを採用したので，処理室１０２内により均
一に電磁波を導入することができ，より均一に生成され
たプラズマにより，ウェハＷにさらに微細なエッチング
処理を施すことができる。

【００５７】（第４の実施の形態）次に，図１２を参照
しながら，本発明の第４の実施の形態について説明す
る。本実施の形態にかかるアンテナ４００には，アンテ
ナ４００に印加される高周波電力の波長λに対して，電
気的にλ／２の長さに設定されたダイポールアンテナが
採用されている。なお，アンテナ４００の長さは，厳密
にはλ／２ではなく，上述した波長短縮率と電気的な長
さであるλ／２とを乗算することにより求められた長さ
に設定される。

【００５８】また，アンテナ４００の中心部，すなわち
アンテナ４００の端部から電気的にλ／４の位置には，
アンテナ４００を接地する接地点４００ａが設けられて
おり，この接地点４００ａと上述の誘電体壁１０６の上
面に設定された基準点Ｃとが一致するように，アンテナ
４００が配置されている。さらに，上記接地点４００ａ
からアンテナ４００の終端部方向に向かって電気的にλ
／１２の位置には，高周波電源１４６から高周波電力が
供給される給電点４００ｂが設けられている。

【００５９】かかる構成により，高周波電源１４６から
高周波電力をアンテナ４００に印加すると，アンテナ４
００が電気的に１／２波長に共振し，アンテナ４００か
ら電磁波が発振され，上記と同様に誘電体壁１０６を介
して処理室１０２内に導入される。

【００６０】なお，アンテナ４００においても，上記第
１の実施の形態と同様に，屈曲部を設けて処理室１０２
内に均一に電磁波が導入されるようにアンテナ４００の
展開方向を変えれば，より均一なプラズマを生成するこ
とができるとともに，小型のエッチング装置であって
も，幅広い周波数の選択が可能となる。また，アンテナ
４００の終端部に，上述したコイルを設ければ，アンテ
ナ２００の長さを短縮することができる。さらに，アン
テナ４００の終端部と誘電体壁１０６との間や，上記コ
イルを設けた場合には，コイルと誘電体壁１０６との間
に，上述したシールドを介装すれば，誘電体壁１０６の
消耗を抑制することができる。

【００６１】なお，本実施の形態では，１本のアンテナ
４００を設けた構成を例に挙げて説明したが，かかる構
成に限定されることはなく，アンテナ４００と同一に構
成された２本以上のアンテナを配置してもよい。例え
ば，２本の上記アンテナを誘電体壁１０６上に設ける場
合には，各アンテナの接地点を上記基準点Ｃに一致させ
て，各アンテナがそれぞれ直交するように配置すれば，
処理室１０２内に均一な電磁波を導入することができ
る。

【００６２】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記
載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，
各種の変更例および修正例に想到し得るものであり，そ
れら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲
に属するものと了解される。

【００６３】例えば，上記第１〜第３の実施の形態にお
いて，２本，４本，８本のアンテナ素子からなるアンテ
ナを例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定
されるものではなく，上記本数以外の偶数本のλ／４長
アンテナからアンテナを形成しても，本発明を実施する
ことができる。かかる場合には，各λ／４長アンテナに
対して，相隣接するλ／４長アンテナごとに，３６０゜
からλ／４長アンテナの本数を除算して得られた値分ず
つ位相がずれた高周波電力を印加することにより，所定
の電磁波を処理室内に導入することができる。なお，λ
／４長アンテナの本数により，各λ／４長アンテナで電
気的な干渉が発生する場合には，相隣接するλ／４長ア
ンテナ間に接地された導電性部材を介装すれば，上記干
渉の発生を防止することができる。

【００６４】また，上記第１〜第３の実施の形態におい
て，各アンテナ素子を屈曲させる構成を例に挙げて説明
したが，本発明はかかる構成に限定されるものではな
く，直線的に延伸するλ／４長アンテナを採用しても，
本発明を実施することができる。

【００６５】また，上記第１〜第３の実施の形態におい
て，各アンテナ素子にコイルを接続する構成を例に挙げ
て説明したが，本発明はかかる構成に限定されるもので
はなく，上記コイルなどのインダクタンス発生手段を設
けなくても，本発明を実施することができる。

【００６６】さらに，上記第１〜第３の実施の形態にお
いて，コイルと誘電体壁との間にシールドを介装する構
成を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定
されるものではなく，上記シールドを設けなくても，本
発明を実施することができる。また，上記の如く，コイ
ルを設けない場合には，各λ／４長アンテナの終端部と
誘電体壁との間に接地された導電性シールドを介装すれ
ば，上記実施の形態で説明した作用効果を奏することが
できる。

【００６７】また，上記第１〜第４の実施の形態におい
て，エッチング装置を例に挙げて説明したが，本発明は
かかる構成に限定されるものではなく，プラズマＣＶＤ
装置などの各種プラズマ処理装置にも本発明を適用する
ことができる。さらに，被処理体としては，上述したウ
ェハに限定されることなく，例えばＬＣＤ用ガラス基板
を被処理体としても，本発明を実施することができる。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば，高周波数の電磁波を処
理室内に導入し，該電磁波により処理ガスを解離させて
プラズマを生成させることができる。その結果，従来の
誘導結合型プラズマ処理装置よりもエネルギーの低い電
子を多く生成させることができるので，処理ガスの過度
の解離を抑えられ，イオン化率を高めることができ，超
微細なプラズマ処理を被処理体に施すことができる。ま
た，磁場によらずにプラズマを生成できるので，被処理
体が大型化し，処理室内の容積等が大きくなっても，均
一なプラズマを生成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能なエッチング装置を示す概略
的な断面図である。

【図２】図１に示すエッチング装置のアンテナを表す概
略的な平面図である。

【図３】図１に示すエッチング装置のアンテナに接続さ
れたコイルの作用効果を説明するための概略的な説明図
である。

【図４】図１に示すエッチング装置のアンテナに接続さ
れたコイルの作用効果を説明するための概略的な説明図
である。

【図５】図１に示すエッチング装置のアンテナへの電力
供給系を説明するための概略的な説明図である。

【図６】図１に示すエッチング装置のアンテナに印加さ
れる高周波電力の位相制御を説明するための概略的な説
明図である。

【図７】本発明の他の実施の形態のアンテナを示す概略
的な平面図である。

【図８】本発明の他の実施の形態のアンテナを示す概略
的な平面図である。

【図９】本発明の他の実施の形態のアンテナを示す概略
的な平面図である。

【図１０】本発明の他の実施の形態のアンテナを示す概
略的な平面図である。

【図１１】図１０に示すアンテナへの電力供給系を説明
するための概略的な説明図である。

【図１２】本発明の他の実施の形態のアンテナを示す概
略的な平面図である。

【符号の説明】

１００エッチング装置１０２処理室１０６誘電体壁１０８載置台１１８アンテナ１２０，１２２，１２４，１２６第１〜第４アン
テナ素子１２０ａ，１２２ａ，１２４ａ，１２６ａ給電点１２０ｂ，１２２ｂ，１２４ｂ，１２６ｂ屈曲部１２０ｃ，１２２ｃ，１２４ｃ，１２６ｃ終端部１２０ｄ，１２２ｄ，１２４ｄ，１２６ｄ延伸部１２８，１３０，１３２，１３４コイル１４４シールド１４６高周波電源１４８電力調整器１５０位相分配器１５２，１５４平衡・不平衡変換器Ｗウェハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理体が収容される処理室と，前記処
理室の一面を構成する誘電体壁と，前記誘電体壁を介し
て電磁波を前記処理室内に導入して前記処理室内に供給
された処理ガスをプラズマ化するアンテナとを備えたプ
ラズマ処理装置において，前記アンテナは，アンテナ設
置面に仮想的に設定される基準点から相互に点対称に延
伸し，前記基準点側にそれぞれ給電点を有するｎ本（た
だし，ｎは２以上の整数である）の略λ／４長アンテナ
（ただし，λは前記アンテナに印加されるプラズマ生成
用高周波電力の波長である）組から成り，さらに，前記
各λ／４長アンテナに対して，相隣接する前記λ／４長
アンテナごとに３６０゜／ｎずつ位相がずれたプラズマ
生成用高周波電力を印加する電力供給手段を備えること
を特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項２】前記プラズマ生成用高周波電力の周波数
は，１３．５６ＭＨｚよりも高いことを特徴とする，請
求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】前記プラズマ生成用高周波電力の周波数
は，５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚであることを特徴とす
る，請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】前記被処理体は，前記処理室内に配置さ
れた電極に載置され，前記電極には，前記プラズマ生成
用高周波電力の周波数よりも低い周波数のバイアス用高
周波電力が印加されることを特徴とする，請求項１，２
または３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】前記バイアス用高周波電力の周波数は，
１３．５６ＭＨｚ以下であることを特徴とする，請求項
４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】前記λ／４長アンテナは，非接地型アン
テナであることを特徴とする，請求項１，２，３，４ま
たは５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】前記λ／４長アンテナは，直線的に延伸
する延伸部と，所定方向に屈曲する屈曲部から構成され
ることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５または
６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】少なくとも前記λ／４長アンテナの終端
部と，前記誘電体壁との間には，接地された導電性シー
ルドが介装されることを特徴とする，請求項１，２，
３，４，５，６または７のいずれかに記載のプラズマ処
理装置。
【請求項９】前記λ／４長アンテナの終端部には，前
記プラズマ生成用高周波電力の印加時に，所定のインダ
クタンスを生じさせるインダクタンス発生手段が接続さ
れることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６
または７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】少なくとも前記インダクタンス発生手
段と，前記誘電体壁との間には，接地された導電性シー
ルドが介装されることを特徴とする，請求項９に記載の
プラズマ処理装置。
【請求項１１】被処理体が収容される処理室と，前記
処理室の一面を構成する誘電体壁と，前記誘電体壁を介
して電磁波を前記処理室内に導入して前記処理室内に供
給された処理ガスをプラズマ化するアンテナとを備えた
プラズマ処理装置において，前記アンテナ略中心点に
は，接地点が配置され，前記接地点から略λ／１２（た
だし，λは前記アンテナに印加されるプラズマ生成用高
周波電力の波長である）の位置に，プラズマ生成用高周
波電力が給電される給電点が配置される略λ／２長アン
テナからなることを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項１２】前記プラズマ生成用高周波電力の周波
数は，１３．５６ＭＨｚよりも高いことを特徴とする，
請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】前記プラズマ生成用高周波電力の周波
数は，５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚであることを特徴とす
る，請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】前記被処理体は，前記処理室内に配置
された電極に載置され，前記電極には，前記プラズマ生
成用高周波電力の周波数よりも低い周波数のバイアス用
高周波電力が印加されることを特徴とする，請求項１
１，１２または１３のいずれかに記載のプラズマ処理装
置。
【請求項１５】前記バイアス用高周波電力の周波数
は，１３．５６ＭＨｚ以下であることを特徴とする，請
求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】前記λ／２長アンテナは，直線的に延
伸する延伸部と，所定方向に屈曲する屈曲部から構成さ
れることを特徴とする，請求項１１，１２，１３，１４
または１５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】少なくとも前記λ／２長アンテナの各
終端部と，前記誘電体壁との間には，接地された導電性
シールドが介装されることを特徴とする，請求項１１，
１２，１３，１４，１５または１６のいずれかに記載の
プラズマ処理装置。
【請求項１８】前記λ／２長アンテナの各終端部に
は，前記プラズマ生成用高周波電力の印加時に，所定の
インダクタンスを生じさせるインダクタンス発生手段が
接続されることを特徴とする，請求項１１，１２，１
３，１４，１５または１６のいずれかに記載のプラズマ
処理装置。
【請求項１９】少なくとも前記インダクタンス発生手
段と，前記誘電体壁との間には，接地された導電性シー
ルドが介装されることを特徴とする，請求項１８に記載
のプラズマ処理装置。