JPH1027782A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高真空で大面積にわたり高密度プラズマを発
生させることが可能で、耐久性と印加電力効率に優れた
低価格のプラズマ処理方法及び装置を提供する。 【解決手段】 高周波誘導結合用コイル６，１７に高周
波電力を印加することにより真空室３，１８内にプラズ
マを発生させて基板８，２０を処理するプラズマ処理装
置及び方法で、複数の貫通窓３０，４０，６３を形成し
た金属よりなる梁２，６２又は枠体１３を設けるととも
に、上記複数の貫通窓を閉塞する抵抗加熱ヒータ４，１
５付きの第１誘電板１，１４を配置して真空室を封止
し、上記第１誘電板の上に第２誘電板５などの絶縁層を
介して高周波誘導結合用コイル６，１７を配置してい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大型基板対応の高
周波誘導結合放電を利用したプラズマ処理方法及び装置
に関するものであり、高真空度で大面積にわたり高密度
プラズマが発生することが可能で、耐久性と印加電力効
率に優れた低価格のプラズマ処理方法及び装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子や液晶素子の製造コス
ト削減のため、製造装置の低価格化を望む声が高まって
おり、特に、液晶素子については液晶パネルの大型化傾
向に伴い、大型基板対応の製造装置を低価格で供給する
ことが求められている。図７は、従来の大型基板対応の
平板型の高周波誘導結合型プラズマ処理装置の一部断面
の分解斜視図である。図７において、１２１は高周波誘
導結合用コイル、１２２は第１高周波電源、１２３は第
２高周波電源、１２４は電極、１２５は第１誘電板、１
２６は真空室、１２７は上記第１誘電板１２５の真空室
側表面を加熱するための抵抗加熱ヒータで、１２８は第
２誘電板である。１２９は製造対象物である例えば液晶
素子等の基板である。１３０は真空室１２６内にガスを
供給するためのガス供給用の導入口、１３１は上記真空
室１２６内を排気するためのポンプである。この装置の
動作は、高周波誘導結合用コイル１２１に第１高周波電
源１２２によって高周波電力を供給し、電極１２４に第
２高周波電源１２３によって高周波電力を印加すること
により、高真空において高密度のプラズマを発生させ、
基板１２９に対して、例えば、保護膜等の薄膜の形成処
理やエッチング処理等の処理を行うものであり、この装
置は、プラズマ密度の分布及びイオンエネルギーの制御
に優れているものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板１
２９のサイズが大きい場合、高周波誘導結合用コイル１
２１を敷設するための誘電体として使用している第１誘
電板１２５も上記基板１２９のサイズに合わせて大き
く、厚くする必要があり、機械的強度と価格、高周波電
力の供給効率の面で問題となる。すなわち、真空保持の
ために誘電板を厚くするとその面積比以上に価格が高く
なり、耐久性の面から見ても欠け等が生じやすくなり、
また供給する高周波電力の効率が悪化するという問題点
がある。本発明は、このような従来の問題点に鑑み、高
真空で大面積にわたり印加電力の効率の良好な高密度プ
ラズマを発生させることが可能で耐久性に優れた低価格
のプラズマ処理方法及び装置を供給することを目的とす
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段及びその作用効果】上記目
的を達成するために、本発明は以下のように構成してい
る。本発明の第１態様によれば、プラズマ処理方法は、
真空室の一面が、金属製の梁で支えられた誘電板で封止
され、上記誘電板上に沿って絶縁層を介して配置されて
いる高周波誘導結合用コイルに高周波電圧を印加するこ
とにより、真空室内にプラズマを発生させて基板を処理
するように構成している。本発明の第２態様によれば、
プラズマ処理方法は、真空室の一面が、複数の貫通窓に
それぞれ誘電板が嵌め込まれた金属製枠体より構成さ
れ、上記金属製枠体に沿って絶縁層を介して配置された
高周波誘導結合用コイルに高周波電圧を印加することに
より、真空室内にプラズマを発生させて基板を処理する
ように構成している。本発明の第３態様によれば、上記
第１態様において、上記金属製の梁の上記誘電板に対す
る射影面積が上記誘電板の全面積の約４０％以下で上記
基板をプラズマ処理することもできる。

【０００５】本発明の第４態様によれば、上記第１又は
３態様において、上記梁が上記コイルの中心の直下を避
けるように配置することもできる。本発明の第５態様に
よれば、上記第１又は３態様において、上記梁が上記コ
イルの中心に対してほぼ対称に配置することもできる。
本発明の第６態様によれば、上記第２態様において、上
記金属製枠体の真空室側表面積が、上記複数の誘電板の
真空室側表面積の総和と上記金属製枠体の真空室側表面
積の総和の和の約４０％以下の状態で上記基板をプラズ
マ処理することもできる。本発明の第７態様によれば、
上記第２又は６態様において、上記枠体の枠部分が上記
コイルの中心の直下を避けるように配置することもでき
る。本発明の第８態様によれば、上記第２又は６態様に
おいて、上記枠体の枠部分が上記コイルの中心に対して
ほぼ対称に配置することもできる。

【０００６】本発明の第９態様によれば、上記第１〜８
態様のいずれかにおいて、上記絶縁層は空気層であるよ
うにすることもできる。本発明の第１０態様によれば、
上記第１〜８態様のいずれかにおいて、上記絶縁層は絶
縁用誘電板であるようにすることもできる。本発明の第
１１態様によれば、上記第１〜１０態様のいずれかにお
いて、上記誘電板を加熱ヒータで加熱し、上記誘電板の
真空室側表面を加熱した状態で上記基板をプラズマ処理
することもできる。

【０００７】本発明の第１２態様によれば、プラズマ処
理装置は、真空室に処理すべき基板を配置し、外部より
高周波誘導結合により上記真空室内にプラズマを発生さ
せて上記基板を処理するプラズマ処理装置において、上
記真空室の一面に配置された金属製の梁と、上記梁によ
り上記真空室の一面に支持されて上記真空室を封止する
誘電板と、上記誘電板上に絶縁層を介して配置された高
周波誘導結合用コイルとを備えるように構成している。

【０００８】本発明の第１３態様によれば、プラズマ処
理装置は、真空室に処理すべき基板を配置し、外部より
高周波誘導結合により上記真空室内にプラズマを発生さ
せて上記基板を処理するプラズマ処理装置において、上
記真空室の一面に配置され、複数の貫通窓を有する金属
製の枠体と、上記貫通窓にそれぞれ嵌め込まれた誘電板
と、上記枠体に沿って絶縁層を介して配置された高周波
誘導結合用コイルとを備えるように構成している。

【０００９】本発明の第１４態様によれば、上記第１２
態様において、上記金属製の梁の上記誘電板に対する射
影面積が上記誘電板の全面積の約４０％以下で上記基板
をプラズマ処理することもできる。本発明の第１５態様
によれば、上記第１２又は１４態様において、上記梁が
上記コイルの中心の直下を避けるように配置することも
できる。本発明の第１６態様によれば、上記第１２又は
１４態様において、上記梁が上記コイルの中心に対して
ほぼ対称に配置することもできる。本発明の第１７態様
によれば、上記第１３態様において、上記金属製枠体の
真空室側表面積が、上記複数の誘電板の真空室側表面積
の総和と上記金属製枠体の真空室側表面積の総和の和の
約４０％以下の状態で上記基板をプラズマ処理すること
もできる。本発明の第１８態様によれば、上記第１３又
は１７態様において、上記枠体の枠部分が上記コイルの
中心の直下を避けるように配置することもできる。本発
明の第１９態様によれば、上記第１３又は１７態様にお
いて、上記枠体の枠部分が上記コイルの中心に対してほ
ぼ対称に配置することもできる。

【００１０】本発明の第２０態様によれば、上記第１２
〜１９態様のいずれかにおいて、上記絶縁層は空気層で
あるようにすることもできる。本発明の第２１態様によ
れば、上記第１２〜１９態様のいずれかにおいて、上記
絶縁層は絶縁用誘電板であるようにすることもできる。
本発明の第２２態様によれば、上記第１２〜２１態様の
いずれかにおいて、上記誘電板を加熱する加熱ヒータを
さらに備え、上記誘電板の真空室側表面を加熱した状態
で上記基板をプラズマ処理することもできる。本発明に
よれば、金属製の梁又は枠体により誘電体を真空室に対
して支持するようにしたので、誘電体自体の強度を高く
する必要がなくなり、大型基板対応の高周波誘導結合型
プラズマ処理方法及び装置において、高周波を透過する
誘電板を、薄くすることができ、耐久性と印加電力効率
に優れた低価格のプラズマ処理方法及び装置を提供する
ことができる。

【００１１】

【発明の実施の形態及び実施例】以下、本発明のプラズ
マ処理方法及び装置の各実施形態について図面を参照し
つつ説明する。図１は、本発明の第１実施形態にかかる
プラズマ処理方法を実施するための第１実施形態にかか
るプラズマ処理装置の一部断面の分解斜視図を示してい
る。図１において、１は第１誘電板であり、接地されて
いる金属製の梁２で真空室３の上面に支えられ、真空室
３をＯリング３１を介して封止している。上記金属製の
梁２は、真空室３の上面の中央を横断するように真空室
３の長手方向に延びる１本の縦梁２ａと、該縦梁２ａよ
り横方向に延びた３本の横梁２ｂとより構成されてい
る。上記横梁２ｂの幅寸法は上記縦梁２ａの幅寸法より
大きくしており、縦梁２ａと横梁２ｂとの組み合わせか
らなる梁２により、第１誘電板１を真空室３の上面開口
に安定して支持するようにしている。縦梁２ａ及び横梁
２ｂは、図２に示すように、それぞれ、各端面に大略矩
形状のＯリング７１を備え、この各端面を真空室３の内
壁面にＯリング７１を介して密着させた状態でボルト７
０を真空室内壁面に貫通させて梁２ａ，２ｂの各端面の
タップ孔２ｄ内にねじ込ませて、各梁２ａ，２ｂを真空
室内壁面に固定するようにしている。この縦梁２ａと横
梁２ｂと真空室３の壁面との間で８個の開口３０を形成
して、この開口３０を通じて第１誘電板１の真空室側の
表面が真空室３の内部に露出した状態となっている。上
記金属製の梁２の上記第１誘電板１に対する射影面積
は、上記第１誘電板１の全面積の２０％とするのが好ま
しい。上記射影面積が約４０％を越えると放電しなくな
る。したがって、上記射影面積は約４０％以下である必
要がある。

【００１２】４は上記第１誘電板１の真空室側とは反対
側に配置されて第１誘電板１の真空室側表面を加熱し、
プラズマ処理時における真空室３内で発生する反応生成
物の付着を防止するための抵抗加熱ヒータである。５は
抵抗加熱ヒータ４の上に配置され絶縁層として機能する
第２誘電板で、６は第２誘電板５の上面に載置された高
周波誘導結合用コイル、７は真空室３内に配置された電
極、８は真空室３内の電極７の上に配置された基板、９
は高周波電力をコイル６に印加する第１高周波電源、１
０は電極７に高周波電力を印加する第２高周波電源であ
る。１１は真空室３内にガスを供給するためのガス供給
用の導入口、１２は上記真空室３内を排気するためのポ
ンプである。ここで、上記ガス供給用の導入口１１より
任意のガスを真空室３内に導入し、上記ポンプ１２で真
空室３内の排気を行うことにより、真空室３内を適当な
真空度に保つ。この状態で、上記高周波誘導結合用コイ
ル６に第１高周波電源９より高周波電力を印加すると、
プラズマが真空室３内に発生する。また、電極７に第２
高周波電源１０により高周波電力を印加することによっ
て、基板８に入射するイオンのエネルギーを制御するこ
とが出来るようになっている。

【００１３】実際のプラズマ処理方法の一実施例として
は、上記コイル６に第１高周波電源９から２ｋＷの高周
波を印加し、真空室３内に導入するガスはＣｌ_２／ＢＣ
ｌ_３／Ｎ_２（それぞれ、８０ｓｃｃｍ／４０ｓｃｃｍ／
４０ｓｃｃｍ）を使用する。真空室３内の真空度は２０
ｍＴｏｒｒとし、電極７には第２高周波電源１０から４
００Ｗの高周波を印加して、アルミニウム膜をエッチン
グした。梁２により第１誘電板１を支持するようにした
ので、この場合の第１誘電板１の厚さ寸法は、梁２無し
の場合の第１誘電板１の厚さ寸法の約４０％程度にまで
薄くすることができたので、第１高周波電源９からコイ
ル６に印加する電力を８０％程度に抑えることができ
た。

【００１４】上記したように第１実施形態によれば、第
１誘電板１のみを真空室３の上面に載置するのではな
く、梁２により第１誘電板１を真空室３の上面に支持す
るようにしたので、従来の装置に比べて第１誘電板１の
厚さを大幅に薄くすることが可能となる。例えば、梁２
を備えない場合と比較として第１誘電板１の厚さ寸法を
約４０％程度にまで大幅に薄くすることが可能となる。
よって、耐久性、印加電力効率に優れ、低価格のプラズ
マ処理装置を提供することができる。また、上記梁２を
金属より構成することにより、接地させることができる
とともに、安価で高い強度を持たせることができる。

【００１５】図３は、本発明の第２実施形態にかかるプ
ラズマ処理方法を実施するための第２実施形態にかかる
プラズマ処理装置の一部断面の分解斜視図を示してい
る。図３において、１４は第１誘電板であり、接地され
た金属製の枠体１３で真空室１８の上面に支えられ、こ
の第１誘電体１４と枠体１３とにより真空室１８をＯリ
ング４１を介して封止している。上記第１誘電体１４
は、６枚の同じ正方形の分割体１４ａ、１４ｂ、１４
ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆより構成されている。この
分割体１４ａ〜１４ｆは、図４に示すように、金属製枠
体１３に設けられた６個の貫通窓４０にそれぞれＯリン
グ４３を介して埋め込まれている。詳しくは、図４に示
すように、枠体１３より４個の支持突起１３ａを貫通窓
４０側に突出させ、この４個の支持突起１３ａにより各
分割体１４ａ〜１４ｆの４辺をＯリング４３を介して支
持しつつ、分割体を貫通窓４０内に嵌合させるようにし
ている。

【００１６】ここで、上記金属製枠体１３の真空室側表
面の面積と、上記第１誘電板１４の６個の分割体１４
ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１４ｅ、１４ｆの真空室
側表面積の和とを加算した和を「枠体１３と第１誘電体
１４との真空室側表面積和」と定義する。すると、上記
第１誘電板１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１
４ｅ、１４ｆ）の真空室側表面積和は、上記「枠体１３
と第１誘電体１４との上記真空室側表面積和」の８０％
とするのが好ましい。ここで、第２実施形態において
も、第１実施形態と同様に、枠体１３の第１誘電体１４
に対する射影面積が約４０％を越えると、言い換えれ
ば、上記第１誘電板１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１
４ｄ、１４ｅ、１４ｆ）の真空室側表面積和が、上記
「枠体１３と第１誘電体１４との上記真空室側表面積
和」の約６０％未満だと放電しなくなる。したがって、
上記第１誘電板１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４
ｄ、１４ｅ、１４ｆ）の真空室側表面積和は、上記「枠
体１３と第１誘電体１４との上記真空室側表面積和」の
約６０％以上である必要がある。このような枠体１３に
より、第１誘電板１４を真空室１８の上面開口に安定し
て支持するようにしている。そして、上記枠体１３の６
個の貫通窓４０を通じて、第１誘電板１４の真空室側の
表面が真空室１８の内部に露出した状態となっている。

【００１７】１５は上記第１誘電板１４の真空室側とは
反対側に配置されて第１誘電板１４の真空室側表面を加
熱し、プラズマ処理時における真空室１８内で発生する
反応生成物の付着を防止するための抵抗加熱ヒータであ
る。１６は抵抗加熱ヒータ１５の上に配置され絶縁層と
して機能する第２誘電板で、１７は第２誘電板１６の上
面に載置された高周波誘導結合用コイル、１９は真空室
１８内に配置された電極、２０は真空室１８内の電極１
９の上に配置された基板、２２は高周波電力をコイル１
７に印加する第１高周波電源、２３は電極１９に高周波
電力を印加する第２高周波電源である。２１は真空室１
８内にガスを供給するためのガス供給用の導入口、２４
は上記真空室１８内を排気するためのポンプである。こ
こで、上記ガス供給用の導入口２１より任意のガスを真
空室１８内に導入し、上記ポンプ２４で真空室１８内の
排気を行うことにより、真空室１８内を適当な真空度に
保つ。この状態で、上記高周波誘導結合用コイル１７に
第１高周波電源２２より高周波電力を印加すると、プラ
ズマが真空室１８内に発生する。また、電極１９に第２
高周波電源２３により高周波電力を印加することによっ
て、基板２０に入射するイオンのエネルギーを制御する
ことが出来るようになっている。また、上記枠体１３を
金属より構成することにより、接地させることができる
とともに、安価で高い強度を持たせることができる。

【００１８】上記第２実施形態の実施例としては、第１
誘電体１４が９枚の正方形の分割体より構成され、正方
形の一辺は２６０ｍｍであり、各分割体の厚さは２５ｍ
ｍとするとき、第１誘電体１４の各分割体が枠体１３で
支持されるときの枠体１３の真空室３内壁面側より貫通
窓４０側に突出した支持突起１３ａの幅を２０ｍｍ、貫
通窓４０同士を区切る枠体１３の枠部分の幅が５０ｍ
ｍ、第１誘電体１４の各分割体の真空室側に露出した表
面が一辺２２０ｍｍの正方形であり、枠体１３の上下方
向の厚さは５０ｍｍである。この場合、真空室１８は８
００ｍｍ×８００ｍｍの正方形となっている。このとき
の枠体１３の枠部分の最小幅寸法としては、当該部分に
Ｏリング４３を配置するため、３０ｍｍである。

【００１９】図５は、本発明の第３実施形態にかかるプ
ラズマ処理方法を実施するための第３実施形態のプラズ
マ処理装置の部分平面図であって、梁６２とコイル１と
の位置関係を明確にするため誘電体１を取り除いた状態
の図である。この第３実施形態では、コイル１７の中心
の直下に梁６２の縦梁６２ａ及び横梁６２ｂが配置され
ないように、言い換えれば、縦梁６２ａと横梁６２ｂと
により形成される開口６３が配置されるようにしてい
る。一般に、誘導結合型放電は、コイル６に流れる高周
波電流によって発生する高周波磁界が第１誘電体１を透
過して真空室３内に浸透し、この高周波磁界により真空
室３内に発生する誘導電界で電子を加速することにより
維持されている。しかし、放電開始時について言えば、
まず、コイル６の中心に印加された高周波電圧と真空室
３内の自由電子との静電的な結合により自由電子の加速
が生じることで放電が開始される。従って、金属製の梁
６２がコイル中心の直下を避けて配置される方が、容易
に放電を開始させることができるので、このような配置
が好ましいのである。これは第２実施形態の金属製の枠
体１３についても同様なことが言え、金属製の枠体１３
の枠部分がコイル中心の直下を避けて配置される方が好
ましい。さらに、図５に示すように、梁６２の縦梁６２
ａと横梁６２ｂは、プラズマ密度の面内分布を損なわな
いように、コイル６の中心に対してほぼ対称に配設され
ることが好ましい。これは第２実施形態の金属製の枠体
１３についても同様なことが言える。

【００２０】また、図６は、本発明の第４実施形態にか
かるプラズマ処理方法を実施するための第４実施形態の
プラズマ処理装置の一部断面側面図である。この第４実
施形態では、図４の処理装置において第２誘電体１６を
備えずに、コイル１７と第１誘電体１４との間に隙間５
１を設けて、該隙間５１に空気が存在することにより、
この部分の空気層を絶縁層として機能させるようにした
ものである。このため、コイル１７を第１誘電体１４の
上方で支持体５０により吊り支持するようにしている。

【００２１】上記第２〜第４実施形態のように構成する
ことにより、第１誘電体１，１４の厚さを従来の装置に
比べて例えば約４０％程度にまで大幅に薄くすることが
可能となる。したがって耐久性、印加電力効率に優れた
低価格のプラズマ処理装置を提供することができる。

【００２２】本発明は上記実施形態に限られるものでは
なく、種々の態様で実施することができるものである。
例えば、上記第２〜４実施形態において、第１誘電体１
４を構成する分割体の形状は正方形に限定されるもので
はなく、長方形など任意の形状でよいとともに、分割体
同士の大きさも総て同一の形状に限られるものではな
く、例えば、分割体の形状をコイル中心側の分割体では
大きく、真空室内壁面側の分割体では小さくするなどし
てもよい。また、上記第１〜４実施形態において、基板
の形状も正方形などの矩形に限らず、円形などでもよ
い。すなわち、液晶素子の場合には矩形の基板を使用す
ることができるが、半導体素子の場合には円形の基板を
使用することができる。また、上記梁２，６２及び枠体
１３を構成する金属はアルミニウム又はステンレス鋼な
どが使用されるが、これに限らず任意の金属を使用して
もよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態にかかるプラズマ処理
装置の一部断面の分解斜視図である。

【図２】 図１の処理装置の梁の真空室への固定方法を
示す説明図である。

【図３】 本発明の第２実施形態にかかるプラズマ処理
装置の一部断面の分解斜視図である。

【図４】 図３の処理装置の一部断面側面図である。

【図５】 本発明の第３実施形態にかかるプラズマ処理
装置の概略平面図であって、誘電体を取り除いた状態で
の図である。

【図６】 本発明の第４実施形態にかかるプラズマ処理
装置の一部断面側面図である。

【図７】 従来のプラズマ処理装置の一部断面の分解斜
視図である。

【符号の説明】

１ 第１誘電板 ２ 金属製梁 ２ａ 縦梁 ２ｂ 横梁 ３ 真空室 ４ 抵抗加熱ヒータ ５ 第２誘電板 ６ 高周波誘導結合用コイル ７ 電極 ８ 基板 ９ 第１高周波電源 １０ 第２高周波電源 １１ ガス導入口 １２ 真空ポンプ １３ 金属製枠体 １４ 第１誘電板 １４ａ〜１４ｆ 分割体 １５ 抵抗加熱ヒータ １６ 第２誘電板 １７ 高周波誘導結合用コイル １８ 真空室 １９ 電極 ２０ 基板 ２１ ガス導入口 ２２ 第１高周波電源 ２３ 第２高周波電源 ２４ 真空ポンプ ３０ 開口 ３１ Ｏリング ４０ 開口 ４１ Ｏリング ４３ Ｏリング ５０ 支持体 ５１ 隙間（空気層） ６２ 梁 ６２ａ 縦梁 ６２ｂ 横梁 ６３ 開口

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空室（３）の一面が、金属製の梁
   （２，６２）で支えられた誘電板（１）で封止され、上
   記誘電板上に沿って絶縁層（５，５１）を介して配置さ
   れている高周波誘導結合用コイル（６）に高周波電圧を
   印加することにより、真空室内にプラズマを発生させて
   基板（８）を処理することを特徴とするプラズマ処理方
   法。
2. 【請求項２】 真空室（１８）の一面が、複数の貫通窓
   （４０）にそれぞれ誘電板（１４）が嵌め込まれた金属
   製枠体（１３）より構成され、上記金属製枠体に沿って
   絶縁層（１６，５１）を介して配置された高周波誘導結
   合用コイル（１７）に高周波電圧を印加することによ
   り、真空室内にプラズマを発生させて基板（２０）を処
   理することを特徴とするプラズマ処理方法。
3. 【請求項３】 上記金属製の梁の上記誘電板に対する射
   影面積が上記誘電板の全面積の約４０％以下で上記基板
   をプラズマ処理するようにした請求項１に記載のプラズ
   マ処理方法。
4. 【請求項４】 上記梁が上記コイルの中心の直下を避け
   るように配置されている請求項１又は３に記載のプラズ
   マ処理方法。
5. 【請求項５】 上記梁が上記コイルの中心に対してほぼ
   対称に配置されている請求項１又は３に記載のプラズマ
   処理方法。
6. 【請求項６】 上記金属製枠体の真空室側表面積が、上
   記複数の誘電板の真空室側表面積の総和と上記金属製枠
   体の真空室側表面積の総和の和の約４０％以下の状態で
   上記基板をプラズマ処理するようにした請求項２に記載
   のプラズマ処理方法。
7. 【請求項７】 上記枠体の枠部分が上記コイルの中心の
   直下を避けるように配置されている請求項２又は６に記
   載のプラズマ処理方法。
8. 【請求項８】 上記枠体の枠部分が上記コイルの中心に
   対してほぼ対称に配置されている請求項２又は６に記載
   のプラズマ処理方法。
9. 【請求項９】 上記絶縁層（５１）は空気層であるよう
   にした請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマ処理方
   法。
10. 【請求項１０】 上記絶縁層（５，１６）は絶縁用誘電
    板であるようにした請求項１〜８のいずれかに記載のプ
    ラズマ処理方法。
11. 【請求項１１】 上記誘電板を加熱ヒータ（４，１５）
    で加熱し、上記誘電板の真空室側表面を加熱した状態で
    上記基板をプラズマ処理するようにした請求項１〜１０
    のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
12. 【請求項１２】 真空室（３）に処理すべき基板（８）
    を配置し、外部より高周波誘導結合により上記真空室内
    にプラズマを発生させて上記基板を処理するプラズマ処
    理装置において、 上記真空室の一面に配置された金属製の梁（２，６２）
    と、 上記梁により上記真空室の一面に支持されて上記真空室
    を封止する誘電板（１）と、 上記誘電板上に絶縁層（５，５１）を介して配置された
    高周波誘導結合用コイル（６）とを備えるようにしたこ
    とを特徴とするプラズマ処理装置。
13. 【請求項１３】 真空室（１８）に処理すべき基板（２
    ０）を配置し、外部より高周波誘導結合により上記真空
    室内にプラズマを発生させて上記基板を処理するプラズ
    マ処理装置において、 上記真空室の一面に配置され、複数の貫通窓（４０）を
    有する金属製の枠体（１３）と、 上記貫通窓にそれぞれ嵌め込まれた誘電板（１４）と、 上記枠体に沿って絶縁層（１６，５１）を介して配置さ
    れた高周波誘導結合用コイル（１７）とを備えるように
    したことを特徴とするプラズマ処理装置。
14. 【請求項１４】 上記金属製の梁の上記誘電板に対する
    射影面積が上記誘電板の全面積の約４０％以下で上記基
    板をプラズマ処理するようにした請求項１２に記載のプ
    ラズマ処理装置。
15. 【請求項１５】 上記梁が上記コイルの中心の直下を避
    けるように配置されている請求項１２又は１４に記載の
    プラズマ処理装置。
16. 【請求項１６】 上記梁が上記コイルの中心に対してほ
    ぼ対称に配置されている請求項１２又は１４に記載のプ
    ラズマ処理装置。
17. 【請求項１７】 上記金属製枠体の真空室側表面積が、
    上記複数の誘電板の真空室側表面積の総和と上記金属製
    枠体の真空室側表面積の総和の和の約４０％以下の状態
    で上記基板をプラズマ処理するようにした請求項１３に
    記載のプラズマ処理装置。
18. 【請求項１８】 上記枠体の枠部分が上記コイルの中心
    の直下を避けるように配置されている請求項１３又は１
    ７に記載のプラズマ処理装置。
19. 【請求項１９】 上記枠体の枠部分が上記コイルの中心
    に対してほぼ対称に配置されている請求項１３又は１７
    に記載のプラズマ処理装置。
20. 【請求項２０】 上記絶縁層（５１）は空気層であるよ
    うにした請求項１２〜１９のいずれかに記載のプラズマ
    処理装置。
21. 【請求項２１】 上記絶縁層（５，１６）は絶縁用誘電
    板であるようにした請求項１２〜１９のいずれかに記載
    のプラズマ処理装置。
22. 【請求項２２】 上記誘電板を加熱する加熱ヒータ
    （４，１５）をさらに備え、上記誘電板の真空室側表面
    を加熱した状態で上記基板をプラズマ処理するようにし
    た請求項１２〜２１のいずれかに記載のプラズマ処理装
    置。