JP2000235932A - セラミック電子部品 - Google Patents
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- H01G4/002—Details
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板たわみに対する耐性に優れた信頼性の高
いセラミック電子部品を提供する。 【解決手段】 外部端子5から電子部品素子4に力が作
用する点(力点)Pから基板7の表面までの距離(力点
Pの高さ)H1と、電子部品素子4の長さLの関係を、
H1≧0.03Lの条件を満足するような関係とし、か
つ、電子部品素子4の下面から基板7の表面までの距離
H2と、外部端子5の厚みtの関係を、H2≧2tの条
件を満足するような関係とする。
いセラミック電子部品を提供する。 【解決手段】 外部端子5から電子部品素子4に力が作
用する点(力点)Pから基板7の表面までの距離(力点
Pの高さ)H1と、電子部品素子4の長さLの関係を、
H1≧0.03Lの条件を満足するような関係とし、か
つ、電子部品素子4の下面から基板7の表面までの距離
H2と、外部端子5の厚みtの関係を、H2≧2tの条
件を満足するような関係とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサなどのセラミック電子部品に関し、詳しくは、
セラミック電子部品素子に基板取付用の外部端子を取り
付けてなる端子付のセラミック電子部品に関する。
ンデンサなどのセラミック電子部品に関し、詳しくは、
セラミック電子部品素子に基板取付用の外部端子を取り
付けてなる端子付のセラミック電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、代表的なセラミック電子部品あ
る積層セラミックコンデンサには、図5に示すように、
複数の内部電極52がセラミック(セラミック層)51
を介して互いに対向するように配設され、かつ、その一
端側が交互に異なる側の端面に引き出されたセラミック
電子部品素子54の両端面に、露出した内部電極52と
導通するように一対の外部電極53,53が配設されて
おり、さらに、この外部電極53,53に、金属板を折
り曲げ加工してなる外部端子55,55が、はんだ、導
電性接着剤、導電ペーストなどの接合材56を介して接
合された構造を有するものがある。
る積層セラミックコンデンサには、図5に示すように、
複数の内部電極52がセラミック(セラミック層)51
を介して互いに対向するように配設され、かつ、その一
端側が交互に異なる側の端面に引き出されたセラミック
電子部品素子54の両端面に、露出した内部電極52と
導通するように一対の外部電極53,53が配設されて
おり、さらに、この外部電極53,53に、金属板を折
り曲げ加工してなる外部端子55,55が、はんだ、導
電性接着剤、導電ペーストなどの接合材56を介して接
合された構造を有するものがある。
【0003】また、大容量化の要請に応えるため、図6
に示すように、セラミック51中に配設された内部電極
52と導通するように外部電極53を形成してなるセラ
ミック電子部品素子54を複数個スタックしてなる電子
部品素子(積み重ね素子)64に、外部端子55を、は
んだ、導電性接着剤、導電ペーストなどの接合材56を
介して接合した積層セラミックコンデンサがある。
に示すように、セラミック51中に配設された内部電極
52と導通するように外部電極53を形成してなるセラ
ミック電子部品素子54を複数個スタックしてなる電子
部品素子(積み重ね素子)64に、外部端子55を、は
んだ、導電性接着剤、導電ペーストなどの接合材56を
介して接合した積層セラミックコンデンサがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば、図
5に示すような構造を有する端子付の積層セラミックコ
ンデンサにおいては、外部端子55をプリント基板57
上に接合して、JISに基づく基板たわみ試験を行う場
合があるが、その場合に、外部端子55の厚みtや、セ
ラミック電子部品素子54の浮かし高さ(すなわち、こ
の例では、外部端子55のセラミック電子部品素子54
の下面からの突出距離)H、長さLなどによっては、規
定の基板たわみに耐えることができず、セラミック電子
部品素子54の、外部端子55が接合された端面の下端
部(外部端子55からセラミック電子部品素子54に力
が作用する点(力点))近傍にクラックCを発生する場
合があり、特に、大型のセラミック電子部品の場合、一
対の外部端子55,55間の距離(端子間距離)Lが大
きくなり、クラックが発生しやすい(破損しやすい)と
いう問題点がある。なお、この問題点は、図6に示すよ
うな、スタックタイプのセラミック電子部品にもあては
まるものである。
5に示すような構造を有する端子付の積層セラミックコ
ンデンサにおいては、外部端子55をプリント基板57
上に接合して、JISに基づく基板たわみ試験を行う場
合があるが、その場合に、外部端子55の厚みtや、セ
ラミック電子部品素子54の浮かし高さ(すなわち、こ
の例では、外部端子55のセラミック電子部品素子54
の下面からの突出距離)H、長さLなどによっては、規
定の基板たわみに耐えることができず、セラミック電子
部品素子54の、外部端子55が接合された端面の下端
部(外部端子55からセラミック電子部品素子54に力
が作用する点(力点))近傍にクラックCを発生する場
合があり、特に、大型のセラミック電子部品の場合、一
対の外部端子55,55間の距離(端子間距離)Lが大
きくなり、クラックが発生しやすい(破損しやすい)と
いう問題点がある。なお、この問題点は、図6に示すよ
うな、スタックタイプのセラミック電子部品にもあては
まるものである。
【0005】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、基板たわみに対する耐性に優れた信頼性の高いセラ
ミック電子部品を提供することを目的とする。
り、基板たわみに対する耐性に優れた信頼性の高いセラ
ミック電子部品を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】発明者等は、上記問題点
を解決するため、種々の実験、検討を行い、外部端子か
ら電子部品素子に力が作用する点(力点)から、基板の
表面までの距離(力点の高さ)H1と、電子部品素子の
長さLの関係が、セラミック電子部品の基板たわみに対
する耐性に大きな影響を与える因子であることを知り、
さらに実験、検討を行って、本発明を完成した。
を解決するため、種々の実験、検討を行い、外部端子か
ら電子部品素子に力が作用する点(力点)から、基板の
表面までの距離(力点の高さ)H1と、電子部品素子の
長さLの関係が、セラミック電子部品の基板たわみに対
する耐性に大きな影響を与える因子であることを知り、
さらに実験、検討を行って、本発明を完成した。
【0007】すなわち、本発明(請求項1)のセラミッ
ク電子部品は、長さLのセラミック電子部品素子、又
は、前記セラミック電子部品素子を複数個積み重ねてな
る積み重ね素子(電子部品素子)と、前記電子部品素子
の長さL方向と略直交する側の両端面に接合され、下端
部が前記電子部品素子の下面よりも下方に突出して、基
板への接続部となる、厚みtの金属板から形成された一
対の外部端子とを具備し、かつ、基板に実装した場合
に、外部端子から電子部品素子に力が作用する点(力
点)から、基板の表面までの距離(力点の高さ)H1
と、電子部品素子の長さLの関係が、 H1≧0.03L の条件を満足し、かつ、電子部品素子の下面から基板の
表面までの距離H2と、外部端子の厚みtの関係が、 H2≧2t の条件を満足することを特徴としている。
ク電子部品は、長さLのセラミック電子部品素子、又
は、前記セラミック電子部品素子を複数個積み重ねてな
る積み重ね素子(電子部品素子)と、前記電子部品素子
の長さL方向と略直交する側の両端面に接合され、下端
部が前記電子部品素子の下面よりも下方に突出して、基
板への接続部となる、厚みtの金属板から形成された一
対の外部端子とを具備し、かつ、基板に実装した場合
に、外部端子から電子部品素子に力が作用する点(力
点)から、基板の表面までの距離(力点の高さ)H1
と、電子部品素子の長さLの関係が、 H1≧0.03L の条件を満足し、かつ、電子部品素子の下面から基板の
表面までの距離H2と、外部端子の厚みtの関係が、 H2≧2t の条件を満足することを特徴としている。
【0008】外部端子から電子部品素子に力が作用する
点(力点)から、基板の表面までの距離(力点の高さ)
H1と、電子部品素子の長さLの関係を、H1≧0.0
3Lとし、かつ、電子部品素子の下面から基板の表面ま
での距離H2と外部端子の厚みtの関係を、H2≧2t
とすることにより、基板たわみに対する耐性を向上させ
ることが可能になる。また、H2≧2tの条件を満足さ
せることにより、基板と電子部品素子との間に必要な間
隔を保持して、基板表面の凹凸などに影響されることな
く、実装信頼性を確保することが可能になり、信頼性の
高いセラミック電子部品を得ることが可能になる。
点(力点)から、基板の表面までの距離(力点の高さ)
H1と、電子部品素子の長さLの関係を、H1≧0.0
3Lとし、かつ、電子部品素子の下面から基板の表面ま
での距離H2と外部端子の厚みtの関係を、H2≧2t
とすることにより、基板たわみに対する耐性を向上させ
ることが可能になる。また、H2≧2tの条件を満足さ
せることにより、基板と電子部品素子との間に必要な間
隔を保持して、基板表面の凹凸などに影響されることな
く、実装信頼性を確保することが可能になり、信頼性の
高いセラミック電子部品を得ることが可能になる。
【0009】なお、本発明において、力点(外部端子か
ら電子部品素子に力が作用する点)とは、基板たわみに
起因する応力が、外部端子を経て電子部品素子に達する
点を意味する概念であり、電子部品素子と外部端子との
接合部の、外部端子の基板との接続部から電子部品素子
との接合部までの経路が最短となる部分を意味する概念
である。
ら電子部品素子に力が作用する点)とは、基板たわみに
起因する応力が、外部端子を経て電子部品素子に達する
点を意味する概念であり、電子部品素子と外部端子との
接合部の、外部端子の基板との接続部から電子部品素子
との接合部までの経路が最短となる部分を意味する概念
である。
【0010】また、請求項2のセラミック電子部品は、
前記外部端子が、Cu、Ni、Al、Ag、Fe及び、
これらの1種以上を主成分とする合金からなる群より選
ばれる少なくとも1種の材料を用いて形成されているこ
とを特徴としている。
前記外部端子が、Cu、Ni、Al、Ag、Fe及び、
これらの1種以上を主成分とする合金からなる群より選
ばれる少なくとも1種の材料を用いて形成されているこ
とを特徴としている。
【0011】外部端子が、Cu、Ni、Al、Ag、F
e及び、これらの1種以上を主成分とする合金からなる
群より選ばれる少なくとも1種を用いてなるものである
場合、必要な機械的強度を確保しつつ、電流容量を確保
することが可能にになり、本発明をより実効あらしめる
ことができる。
e及び、これらの1種以上を主成分とする合金からなる
群より選ばれる少なくとも1種を用いてなるものである
場合、必要な機械的強度を確保しつつ、電流容量を確保
することが可能にになり、本発明をより実効あらしめる
ことができる。
【0012】また、請求項3のセラミック電子部品は、
前記一対の外部端子間の距離(=電子部品素子の長さ
L)が、3〜50mm、より好ましくは10〜50mmであ
ることを特徴としている。
前記一対の外部端子間の距離(=電子部品素子の長さ
L)が、3〜50mm、より好ましくは10〜50mmであ
ることを特徴としている。
【0013】本発明を、一対の外部端子間の距離(=電
子部品素子の長さL)が、3〜50mm、より好ましくは
10〜50mmであるセラミック電子部品に適用すること
により、基板たわみによる破壊が問題となりやすい、大
型の端子付のセラミック電子部品の基板たわみに対する
耐性を向上させることが可能になり、本発明をより実効
あらしめることができる。
子部品素子の長さL)が、3〜50mm、より好ましくは
10〜50mmであるセラミック電子部品に適用すること
により、基板たわみによる破壊が問題となりやすい、大
型の端子付のセラミック電子部品の基板たわみに対する
耐性を向上させることが可能になり、本発明をより実効
あらしめることができる。
【0014】また、請求項4のセラミック電子部品は、
前記一対の外部端子が、前記電子部品素子にはんだ付け
されていることを特徴としている。
前記一対の外部端子が、前記電子部品素子にはんだ付け
されていることを特徴としている。
【0015】外部端子は、通常、電子部品素子にはんだ
付けされる場合が多いが、本発明をそのようなセラミッ
ク電子部品に適用することにより、種々のセラミック電
子部品について、基板たわみに対する耐性を向上させる
ことが可能になる。
付けされる場合が多いが、本発明をそのようなセラミッ
ク電子部品に適用することにより、種々のセラミック電
子部品について、基板たわみに対する耐性を向上させる
ことが可能になる。
【0016】また、請求項5のセラミック電子部品は、
前記外部端子が、表面にAu、Ni、Sn、はんだから
なる群より選ばれる少なくとも1種のめっき又はコーテ
ィングが施されたものであることを特徴としている。
前記外部端子が、表面にAu、Ni、Sn、はんだから
なる群より選ばれる少なくとも1種のめっき又はコーテ
ィングが施されたものであることを特徴としている。
【0017】外部端子は、端子性能を向上させたり、あ
るいは、はんだ付け性を向上させたりするために、通
常、Au、Ni、Sn、はんだなどのめっきやコーティ
ングが施される場合が多いが、本発明は、そのような外
部端子を用いたセラミック電子部品に好適に適用するこ
とが可能である。
るいは、はんだ付け性を向上させたりするために、通
常、Au、Ni、Sn、はんだなどのめっきやコーティ
ングが施される場合が多いが、本発明は、そのような外
部端子を用いたセラミック電子部品に好適に適用するこ
とが可能である。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示し
てその特徴とするところをさらに詳しく説明する。
てその特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【0019】[実施形態1]図1は本発明の一実施形態
にかかるセラミック電子部品(この実施形態では端子付
の積層セラミックコンデンサ)を示す断面図である。
にかかるセラミック電子部品(この実施形態では端子付
の積層セラミックコンデンサ)を示す断面図である。
【0020】この実施形態1のセラミック電子部品(積
層セラミックコンデンサ)は、図1に示すように、複数
の内部電極2がセラミック(セラミック層)1を介して
互いに対向するように配設され、かつ、その一端側が交
互に異なる側の端面に引き出されたセラミック電子部品
素子(電子部品素子)4の両端面に、露出した内部電極
2と導通するように一対の外部電極3,3を配設すると
ともに、この外部電極3,3に、金属板を折り曲げ加工
してなる外部端子5,5を、はんだ、導電性接着剤、導
電ペーストなどの接合材6を介して接合することにより
形成されている。
層セラミックコンデンサ)は、図1に示すように、複数
の内部電極2がセラミック(セラミック層)1を介して
互いに対向するように配設され、かつ、その一端側が交
互に異なる側の端面に引き出されたセラミック電子部品
素子(電子部品素子)4の両端面に、露出した内部電極
2と導通するように一対の外部電極3,3を配設すると
ともに、この外部電極3,3に、金属板を折り曲げ加工
してなる外部端子5,5を、はんだ、導電性接着剤、導
電ペーストなどの接合材6を介して接合することにより
形成されている。
【0021】また、この実施形態のセラミック電子部品
において、外部端子5は、厚みtの金属板(例えばAg
板)を直角に折り曲げ加工することにより形成されてお
り、電子部品素子4への接合部となる垂直部5aと、プ
リント基板などの基板7への接合部となる水平部5bを
備えた構造を有している。
において、外部端子5は、厚みtの金属板(例えばAg
板)を直角に折り曲げ加工することにより形成されてお
り、電子部品素子4への接合部となる垂直部5aと、プ
リント基板などの基板7への接合部となる水平部5bを
備えた構造を有している。
【0022】そして、外部端子5から、電子部品素子4
の端面への接合部に、力が作用する点(力点)(この実
施形態においては、電子部品素子4の端面の、外部端子
5が接合された部分の最下端部(=電子部品素子4と外
部端子5との接合部の、外部端子5の基板7との接続部
から電子部品素子との接合部までの経路が最短となる部
分))Pから基板7の表面までの距離(力点の高さ)H
1と電子部品素子の長さLの関係が、H1≧0.03L
の条件を満足するとともに、電子部品素子の下面から基
板7の表面までの距離H2(この実施形態においては、
力点Pの高さH1と同じ)と外部端子5の厚みtの関係
が、H2≧2tの条件を満足するように構成されてい
る。
の端面への接合部に、力が作用する点(力点)(この実
施形態においては、電子部品素子4の端面の、外部端子
5が接合された部分の最下端部(=電子部品素子4と外
部端子5との接合部の、外部端子5の基板7との接続部
から電子部品素子との接合部までの経路が最短となる部
分))Pから基板7の表面までの距離(力点の高さ)H
1と電子部品素子の長さLの関係が、H1≧0.03L
の条件を満足するとともに、電子部品素子の下面から基
板7の表面までの距離H2(この実施形態においては、
力点Pの高さH1と同じ)と外部端子5の厚みtの関係
が、H2≧2tの条件を満足するように構成されてい
る。
【0023】上記のように構成されたセラミック電子部
品を、その外部端子5の水平部5bを基板7上のランド
7aにはんだ付けして接合させることにより実装した場
合、例えば、基板たわみが所定値以上になった場合に
も、クラックによる破壊が発生せず、基板たわみに対す
る耐性が向上していることが確認された。
品を、その外部端子5の水平部5bを基板7上のランド
7aにはんだ付けして接合させることにより実装した場
合、例えば、基板たわみが所定値以上になった場合に
も、クラックによる破壊が発生せず、基板たわみに対す
る耐性が向上していることが確認された。
【0024】なお、上記のセラミック電子部品と同様の
構成を有するセラミック電子部品について、H1とLの
関係、及びH2とtの関係を変化させた場合の、基板た
わみと破損の発生率の関係を表1に示す。
構成を有するセラミック電子部品について、H1とLの
関係、及びH2とtの関係を変化させた場合の、基板た
わみと破損の発生率の関係を表1に示す。
【0025】
【表1】
【0026】表1に示すように、H1≧0.03Lの条
件と、H2≧2tの条件の両方を満足するセラミック電
子部品については、破損の発生が全く認められず、基板
たわみに対する耐性が大幅に向上していることがわか
る。
件と、H2≧2tの条件の両方を満足するセラミック電
子部品については、破損の発生が全く認められず、基板
たわみに対する耐性が大幅に向上していることがわか
る。
【0027】[実施形態2]図2は、本発明の他の実施
形態にかかるセラミック電子部品を示す断面図である。
このセラミック電子部品においては、外部端子5の、垂
直部5aが180°折り曲げられて、セラミック電子部
品素子(電子部品素子)4の端面への接合部が、2重に
なるように構成されている。したがって、この実施形態
のセラミック電子部品においては、電子部品素子4の端
面の上端部が力点Pとなる。
形態にかかるセラミック電子部品を示す断面図である。
このセラミック電子部品においては、外部端子5の、垂
直部5aが180°折り曲げられて、セラミック電子部
品素子(電子部品素子)4の端面への接合部が、2重に
なるように構成されている。したがって、この実施形態
のセラミック電子部品においては、電子部品素子4の端
面の上端部が力点Pとなる。
【0028】また、この実施形態の場合においても、力
点Pの高さH1と電子部品素子4の長さLの関係が、H
1≧0.03Lの条件を満足するとともに、電子部品素
子4の下面から基板の表面までの距離H2と外部端子5
の厚みtの関係が、H2≧2tの条件を満足するように
構成されている。
点Pの高さH1と電子部品素子4の長さLの関係が、H
1≧0.03Lの条件を満足するとともに、電子部品素
子4の下面から基板の表面までの距離H2と外部端子5
の厚みtの関係が、H2≧2tの条件を満足するように
構成されている。
【0029】その他の構成は、上記実施形態1の場合と
同様であることから、重複を避けるため、説明を省略す
る。なお、図2において、図1と同一符号を付した部分
は、図1と同一又は相当部分を示している。
同様であることから、重複を避けるため、説明を省略す
る。なお、図2において、図1と同一符号を付した部分
は、図1と同一又は相当部分を示している。
【0030】この実施形態のセラミック電子部品におい
ても、H1≧0.03L、及び、H2≧2tの条件を満
足しているので、基板たわみに対する耐性を向上させる
ことができる。
ても、H1≧0.03L、及び、H2≧2tの条件を満
足しているので、基板たわみに対する耐性を向上させる
ことができる。
【0031】[実施形態3]図3は、本発明のさらに他
の実施形態にかかるセラミック電子部品を示す断面図で
ある。このセラミック電子部品においては、外部端子5
の、垂直部5aの一部が折り曲げられ、その曲折部5c
がセラミック電子部品素子(電子部品素子)4の端面へ
の接合部となるように構成されている。したがって、こ
の実施形態のセラミック電子部品においては、上記曲折
部5cが電子部品素子4の端面にはんだ6(接合材)を
介して接合されている部分が力点Pとなる。
の実施形態にかかるセラミック電子部品を示す断面図で
ある。このセラミック電子部品においては、外部端子5
の、垂直部5aの一部が折り曲げられ、その曲折部5c
がセラミック電子部品素子(電子部品素子)4の端面へ
の接合部となるように構成されている。したがって、こ
の実施形態のセラミック電子部品においては、上記曲折
部5cが電子部品素子4の端面にはんだ6(接合材)を
介して接合されている部分が力点Pとなる。
【0032】そして、この実施形態のセラミック電子部
品においても、力点Pの高さH1と電子部品素子の長さ
Lが、H1≧0.03Lの条件を満足するとともに、電
子部品素子の下面から基板の表面までの距離H2と外部
端子5の厚みtが、H2≧2tの条件を満足するように
構成されている。
品においても、力点Pの高さH1と電子部品素子の長さ
Lが、H1≧0.03Lの条件を満足するとともに、電
子部品素子の下面から基板の表面までの距離H2と外部
端子5の厚みtが、H2≧2tの条件を満足するように
構成されている。
【0033】その他の構成は、上記実施形態1の場合と
同様であることから、重複を避けるため、説明を省略す
る。なお、図3において、図1と同一符号を付した部分
は、図1と同一又は相当部分を示している。
同様であることから、重複を避けるため、説明を省略す
る。なお、図3において、図1と同一符号を付した部分
は、図1と同一又は相当部分を示している。
【0034】この実施形態のセラミック電子部品におい
ても、H1≧0.03L、及び、H2≧2tの条件を満
足しているので、基板たわみに対する耐性を向上させる
ことができる。
ても、H1≧0.03L、及び、H2≧2tの条件を満
足しているので、基板たわみに対する耐性を向上させる
ことができる。
【0035】[実施形態4]図4は、本発明のさらに他
の実施形態にかかるセラミック電子部品を示す断面図で
ある。このセラミック電子部品は、上記実施形態のセラ
ミック電子部品素子と同じ構造を有するセラミック電子
部品素子4を複数個積み重ねることにより形成された積
み重ね素子(電子部品素子)14の両端面に外部端子5
を接合することにより形成されている。この実施形態の
セラミック電子部品においては、外部端子5の電子部品
素子4の端面への接合部の最下端部が力点Pとなる。
の実施形態にかかるセラミック電子部品を示す断面図で
ある。このセラミック電子部品は、上記実施形態のセラ
ミック電子部品素子と同じ構造を有するセラミック電子
部品素子4を複数個積み重ねることにより形成された積
み重ね素子(電子部品素子)14の両端面に外部端子5
を接合することにより形成されている。この実施形態の
セラミック電子部品においては、外部端子5の電子部品
素子4の端面への接合部の最下端部が力点Pとなる。
【0036】そして、この実施形態のセラミック電子部
品においても、力点Pの高さH1と電子部品素子の長さ
Lが、H1≧0.03Lの条件を満足するとともに、電
子部品素子の下面から基板の表面までの距離H2と外部
端子5の厚みtが、H2≧2tの条件を満足するように
構成されている。
品においても、力点Pの高さH1と電子部品素子の長さ
Lが、H1≧0.03Lの条件を満足するとともに、電
子部品素子の下面から基板の表面までの距離H2と外部
端子5の厚みtが、H2≧2tの条件を満足するように
構成されている。
【0037】その他の構成は、上記実施形態1の場合と
同様であることから、重複を避けるため、説明を省略す
る。なお、図4において、図1と同一符号を付した部分
は、図1と同一又は相当部分を示している。
同様であることから、重複を避けるため、説明を省略す
る。なお、図4において、図1と同一符号を付した部分
は、図1と同一又は相当部分を示している。
【0038】この実施形態のセラミック電子部品におい
ても、H1≧0.03L、及び、H2≧2tの条件を満
足しているので、基板たわみに対する耐性を向上させる
ことができる。
ても、H1≧0.03L、及び、H2≧2tの条件を満
足しているので、基板たわみに対する耐性を向上させる
ことができる。
【0039】上述の実施形態1〜4においては、積層セ
ラミックコンデンサを例にとって説明したが、本発明
は、積層セラミックコンデンサに限らず、電子部品素子
の両端面に外部端子を接合した構造を有する種々のセラ
ミック電子部品に適用することが可能である。
ラミックコンデンサを例にとって説明したが、本発明
は、積層セラミックコンデンサに限らず、電子部品素子
の両端面に外部端子を接合した構造を有する種々のセラ
ミック電子部品に適用することが可能である。
【0040】なお、本発明は、さらにその他の点におい
ても上記実施形態に限定されるものではなく、外部端子
の具体的な形状、構造、あるいは配設位置、電子部品素
子への接合方法などに関し、発明の要旨の範囲内におい
て種々の応用、変形を加えることが可能である。
ても上記実施形態に限定されるものではなく、外部端子
の具体的な形状、構造、あるいは配設位置、電子部品素
子への接合方法などに関し、発明の要旨の範囲内におい
て種々の応用、変形を加えることが可能である。
【0041】
【発明の効果】上述のように、本発明のセラミック電子
部品は、外部端子から電子部品素子に力が作用する点
(力点)から、基板の表面までの距離(力点の高さ)H
1と、電子部品素子の長さLの関係を、H1≧0.03
Lとし、かつ、電子部品素子の下面から基板の表面まで
の距離H2と外部端子の厚みtの関係を、H2≧2tと
しているので、基板たわみに対する耐性を向上させて、
信頼性の高いセラミック電子部品を提供することが可能
になる。また、H2≧2tの条件を満足させることによ
り、基板と電子部品素子との間に必要な間隔を保持し
て、基板表面の凹凸などに影響されることなく、実装信
頼性を確保することが可能になり、信頼性の高いセラミ
ック電子部品を得ることができる。
部品は、外部端子から電子部品素子に力が作用する点
(力点)から、基板の表面までの距離(力点の高さ)H
1と、電子部品素子の長さLの関係を、H1≧0.03
Lとし、かつ、電子部品素子の下面から基板の表面まで
の距離H2と外部端子の厚みtの関係を、H2≧2tと
しているので、基板たわみに対する耐性を向上させて、
信頼性の高いセラミック電子部品を提供することが可能
になる。また、H2≧2tの条件を満足させることによ
り、基板と電子部品素子との間に必要な間隔を保持し
て、基板表面の凹凸などに影響されることなく、実装信
頼性を確保することが可能になり、信頼性の高いセラミ
ック電子部品を得ることができる。
【0042】また、請求項2のセラミック電子部品のよ
うに、外部端子が、Cu、Ni、Al、Ag、Fe及
び、これらを主成分とする合金からなる群より選ばれる
少なくとも1種を用いてなるものである場合、必要な機
械的強度を確保しつつ、電流容量を確保することが可能
になり、本発明をより実効あらしめることができる。
うに、外部端子が、Cu、Ni、Al、Ag、Fe及
び、これらを主成分とする合金からなる群より選ばれる
少なくとも1種を用いてなるものである場合、必要な機
械的強度を確保しつつ、電流容量を確保することが可能
になり、本発明をより実効あらしめることができる。
【0043】また、請求項3のセラミック電子部品のよ
うに、一対の外部端子間の距離(=電子部品素子の長さ
L)が、3〜50mm、より好ましくは10〜50mmであ
るようなセラミック電子部品に本発明を適用することに
より、基板たわみによる破壊が問題となりやすい、大型
の端子付のセラミック電子部品の基板たわみに対する耐
性を向上させることが可能になり、本発明をさらに実効
あらしめることができる。
うに、一対の外部端子間の距離(=電子部品素子の長さ
L)が、3〜50mm、より好ましくは10〜50mmであ
るようなセラミック電子部品に本発明を適用することに
より、基板たわみによる破壊が問題となりやすい、大型
の端子付のセラミック電子部品の基板たわみに対する耐
性を向上させることが可能になり、本発明をさらに実効
あらしめることができる。
【0044】また、請求項4のセラミック電子部品のよ
うに、外部端子を電子部品素子にはんだ付けしてなるセ
ラミック電子部品に本発明を適用することにより、種々
のセラミック電子部品について、基板たわみに対する耐
性を向上させることが可能になり、本発明をより実効あ
らしめることができる。
うに、外部端子を電子部品素子にはんだ付けしてなるセ
ラミック電子部品に本発明を適用することにより、種々
のセラミック電子部品について、基板たわみに対する耐
性を向上させることが可能になり、本発明をより実効あ
らしめることができる。
【0045】また、本発明は、請求項5のセラミック電
子部品のように、外部端子にAu、Ni、Sn、はんだ
などのめっきやコーティングを施したセラミック電子部
品に広く適用することが可能であり、その結果として、
基板たわみに対する耐性を向上させて信頼性に優れたセ
ラミック電子部品を広く提供することが可能になる。
子部品のように、外部端子にAu、Ni、Sn、はんだ
などのめっきやコーティングを施したセラミック電子部
品に広く適用することが可能であり、その結果として、
基板たわみに対する耐性を向上させて信頼性に優れたセ
ラミック電子部品を広く提供することが可能になる。
【図1】本発明の一実施形態(実施形態1)にかかるセ
ラミック電子部品を示す断面図である。
ラミック電子部品を示す断面図である。
【図2】本発明の他の実施形態(実施形態2)にかかる
セラミック電子部品を示す断面図である。
セラミック電子部品を示す断面図である。
【図3】本発明のさらに他の実施形態(実施形態3)に
かかるセラミック電子部品を示す断面図である。
かかるセラミック電子部品を示す断面図である。
【図4】本発明のさらに他の実施形態(実施形態4)に
かかるセラミック電子部品を示す断面図である。
かかるセラミック電子部品を示す断面図である。
【図5】従来のセラミック電子部品を示す断面図であ
る。
る。
【図6】従来の他のセラミック電子部品を示す断面図で
ある。
ある。
1 セラミック(セラミック層) 2 内部電極 3 外部電極 4 セラミック電子部品素子 5 外部端子 5a 外部端子の垂直部 5b 外部端子の水平部 5c 外部端子の曲折部(接合部) 6 はんだ(接合材) 7 基板 7a ランド 14 積み重ね素子(電子部品素子) H1 基板の表面までの距離(力点の高さ) H2 電子部品素子の下面から基板の表面ま
での距離 L 電子部品素子の長さ P 力点 t 外部端子の厚み
での距離 L 電子部品素子の長さ P 力点 t 外部端子の厚み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久保田 康彦 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 5E082 AA02 AB03 BC33 FG26 GG08 GG11 GG23 GG26 JJ07 JJ26 JJ27 MM28 PP09
Claims (5)
- 【請求項1】長さLのセラミック電子部品素子、又は、
前記セラミック電子部品素子を複数個積み重ねてなる積
み重ね素子(以下、単に「電子部品素子」という)と、 前記電子部品素子の長さL方向と略直交する側の両端面
に接合され、下端部が前記電子部品素子の下面よりも下
方に突出して、基板への接続部となる、厚みtの金属板
から形成された一対の外部端子とを具備し、かつ、 基板に実装した場合に、外部端子から電子部品素子に力
が作用する点(力点)から、基板の表面までの距離(力
点の高さ)H1と、電子部品素子の長さLの関係が、 H1≧0.03L の条件を満足し、かつ、 電子部品素子の下面から基板の表面までの距離H2と、
外部端子の厚みtの関係が、 H2≧2t の条件を満足することを特徴とするセラミック電子部品 - 【請求項2】前記外部端子が、Cu、Ni、Al、A
g、Fe及び、これらの1種以上を主成分とする合金か
らなる群より選ばれる少なくとも1種の材料を用いて形
成されていることを特徴とする請求項1記載のセラミッ
ク電子部品。 - 【請求項3】前記一対の外部端子間の距離(=電子部品
素子の長さL)が、3〜50mm、より好ましくは10〜
50mmであることを特徴とする請求項1又は2記載のセ
ラミック電子部品。 - 【請求項4】前記一対の外部端子が、前記電子部品素子
にはんだ付けされていることを特徴とする請求項1〜3
のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 【請求項5】前記外部端子が、表面にAu、Ni、S
n、はんだからなる群より選ばれる少なくとも1種のめ
っき又はコーティングが施されたものであることを特徴
とする請求項1〜4のいずれかに記載のセラミック電子
部品。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036880A JP2000235932A (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | セラミック電子部品 |
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| EP00102784A EP1030323A1 (en) | 1999-02-16 | 2000-02-10 | Ceramic electronic component |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036880A JP2000235932A (ja) | 1999-02-16 | 1999-02-16 | セラミック電子部品 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000235932A true JP2000235932A (ja) | 2000-08-29 |
Family
ID=12482104
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US6288887B1 (ja) |
| EP (1) | EP1030323A1 (ja) |
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