JP2000235949A - 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法 - Google Patents

塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法

Info

Publication number
JP2000235949A
JP2000235949A JP35174199A JP35174199A JP2000235949A JP 2000235949 A JP2000235949 A JP 2000235949A JP 35174199 A JP35174199 A JP 35174199A JP 35174199 A JP35174199 A JP 35174199A JP 2000235949 A JP2000235949 A JP 2000235949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
coating
processing unit
developing
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35174199A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunie Ogata
久仁恵 緒方
Kimimoto Nishimukai
公基 西向
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP35174199A priority Critical patent/JP2000235949A/ja
Publication of JP2000235949A publication Critical patent/JP2000235949A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を処理ラインから取り出して検査するに
あたり，人為的に汚染することのない塗布現像処理装置
を提供する。 【解決手段】 ウエハＷに対して現像処理を施す現像処
理ユニットを具備した塗布現像処理装置１に，ウエハＷ
に生じた欠陥を検出する検査装置４８を備える。現像処
理ユニットと検査装置４８との間におけるウエハＷの搬
送を主搬送装置１３によって行う。検査装置４８は検査
結果を検出信号として制御装置４９に送信し，検出信号
を受信した制御装置４９は欠陥の有無に基づいて露光装
置４の露光条件を制御したり，頻度調整機構５０を調整
して検査頻度を制御する。現像処理ユニットと検査装置
４８との間におけるウエハＷの搬送を主搬送装置１３で
行うために，ウエハＷが人為的に汚染されない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板を検査する検
査装置を備えた塗布現像処理装置及び当該塗布現像処理
装置を用いた塗布現像処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウエハ（以下，「ウエハ」という。）等の
表面にレジスト膜を形成するフォトリソグラフィ工程が
行われている。このフォトリソグラフィ工程は，ウエハ
に対してレジスト液を塗布して処理するレジスト塗布処
理や，レジスト塗布後のウエハを露光する露光処理や，
ウエハを加熱する加熱処理や，露光処理後のウエハを現
像する現像処理等の各種処理工程から成り立っており，
これらの各種処理工程は塗布現像処理装置にて行われて
いる。
【０００３】ところで従来より，レジスト塗布処理や現
像処理の終了した後のウエハに対して，例えばレジスト
膜の膜厚やパターンに形成された線幅が所定の厚さ，所
定の線幅に形成されているかどうかを検査するウエハの
検査工程が行われている。そして，かかるウエハ検査工
程は塗布現像処理装置とは独立に設置された検査装置に
て行われている。具体的には，レジスト塗布処理や現像
処理終了後等のウエハの中から，例えば一定時間もしく
は一定枚数毎に作業者がウエハを抜き出し，この抜き出
したウエハを検査装置の所まで持って行き，ウエハの表
面を検査するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらそのよう
に，レジスト塗布装置や現像処理装置等から抜き出した
ウエハを作業者自身が検査装置に持っていって検査して
いるために，検査装置まで持っていく間や装置内への搬
入の際に，ウエハを人為的に汚染してしまうおそれがあ
った。
【０００５】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，基板に対する人為的な汚染を防止することのでき
る新規な塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法を提供
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，請求項１によれば，基板に対して塗布現像処理に必
要な処理を個別に行う複数の処理ユニットを備えた塗布
現像処理装置であって，特定の処理ユニットにて処理の
終了した基板を検査し，該基板に生じた欠陥の有無を検
出する検査装置と，各処理ユニットに対して基板を搬入
出し，かつ前記特定の処理ユニット及び検査装置の間で
基板を搬送する搬送装置とを備えたことを特徴とする，
塗布現像処理装置が提供される。
【０００７】請求項１に記載の塗布現像処理装置にあっ
ては，例えばレジスト塗布装置等の特定の処理ユニット
で処理された基板を搬送装置が検査装置に搬送すること
ができる。従って，処理ユニットから検査装置まで基板
は作業者ではなくこの搬送装置によって搬送されるため
に，基板が人為的に汚染されることはない。
【０００８】請求項２によれば，基板に対して塗布現像
処理に必要な処理を個別に行う複数の処理ユニットを備
えた塗布現像処理装置であって，特定の処理ユニットに
て処理の終了した基板を検査し，該基板に生じた欠陥の
有無を検出する検査装置と，各処理ユニットに対して基
板を搬入出する搬送装置と，前記特定の処理ユニットに
て処理の終了した基板を前記検査装置に搬送する他の搬
送装置とを備えたことを特徴とする，塗布現像処理装置
が提供される。
【０００９】請求項２に記載の塗布現像処理装置にあっ
ては，搬送装置とは別の他の搬送装置によって基板を検
査装置に搬送することができる。従って，塗布現像処理
装置の外部に検査装置が設置されている場合でも請求項
１の場合と同様に，処理ユニット及び検査装置の間で基
板を搬送装置で搬送することができ，搬送中に基板が人
為的に汚染されることはない。ここで，他の搬送装置と
は搬送アームは勿論のこと，搬送ロボット等も含む。
【００１０】この場合，請求項３に記載したように，前
記検査装置にて欠陥の検出された基板が搬入される基板
収納体を備えればなお好ましい。即ち，請求項３に記載
の塗布現像処理装置にあっては，検査装置にて欠陥の検
出された基板を基板収納体に収納することにより，塗布
現像処理装置の処理ラインから取り除くことができる。
従って，欠陥のある基板に対して塗布現像処理が行われ
ず，しかも欠陥のある基板を所定の場所に集中させるこ
とができる。それゆえ，欠陥の検出された基板に対する
その後の対応が容易となる。
【００１１】請求項４に記載の発明は，請求項１，２ま
たは３に記載の塗布現像処理装置において，前記検査装
置にて欠陥が検出された場合に，塗布処理によって基板
に形成されたレジスト膜を露光する露光装置の露光条件
を制御する制御装置を備えたことを特徴としている。
【００１２】この請求項４に記載の塗布現像処理装置に
あっては，例えば現像処理後の基板上に形成されたパタ
ーンの位置ずれ等の欠陥が検査装置で検出された際に
は，制御装置が露光装置に対して露光条件を修正する信
号を送信することができる。従って，以後この信号に応
じて好適な露光条件下でレジスト膜を露光することが可
能になる。
【００１３】ここで前記露光条件とは，例えば請求項５
に記載したような。焦点距離，露光量又は露光時間のう
ちの少なくとも１つである。
【００１４】以上の各請求項記載の塗布現像処理装置に
おける塗布現像処理が，レジスト液塗布処理を伴う場
合，請求項６のように，検査装置によって欠陥が検出さ
れた基板のレジストを剥離する剥離装置を装備すれば，
検査装置によって欠陥が検出された基板であっても，再
処理に供することができる。
【００１５】請求項７に記載の発明は，前記各請求項記
載の塗布現像処理装置において，前記検査装置にて検出
された欠陥の発生頻度に応じて，検査装置による検査の
頻度を調整する頻度調整機構を備えたことを特徴として
いる。
【００１６】この請求項７に記載の塗布現像処理装置に
よれば，例えば一定時間毎に塗布現像処理装置の処理ユ
ニットから抜き出した基板を検査装置で検査するような
場合，検査装置にて欠陥の検出される頻度が高い場合に
は，頻度調整機構を調整して検査装置の検査回数をより
多くした状態で，即ち検査頻度を高くして，基板の塗布
現像処理を行うことができる。逆に，検査装置にて欠陥
の検出される頻度が低い場合には，頻度調整機構を調整
して検査装置の検査回数をより少なくして，即ち検査頻
度を低くして，基板に対する塗布現像処理を行うことが
できる。従って，効率のよい検査を行うことができる。
【００１７】請求項８によれば，請求項１〜７のいずれ
かに記載の塗布現像処理装置を使用して基板に塗布現像
処理を施す方法であって，塗布処理によって基板に形成
されたレジスト膜を剥離する剥離装置を用いると共に，
検査装置にて基板の欠陥の有無を検出する工程と，その
後，欠陥が検出された基板のレジスト膜を前記剥離装置
にて剥離する工程と，その後，レジスト膜の剥離された
基板を前記塗布現像処理装置において再処理する工程と
を有することを特徴とする，塗布現像処理方法が提供さ
れる。
【００１８】この請求項８に記載の塗布現像処理方法に
よれば，検査装置にて欠陥の検出された基板は剥離装置
にてレジスト膜が剥離される。次いで，レジスト膜の剥
離された基板を塗布現像処理装置で再処理することによ
り，検査装置にて欠陥の検出された基板を再利用するこ
とができる。
【００１９】請求項９によれば，基板上にレジスト液を
塗布し，露光装置によって露光された基板上のレジスト
を現像する塗布現像処理装置において，下記の処理部と
収容部とを有していることを特徴とする，塗布現像処理
装置が提供される。ここで処理部とは，基板上にレジス
ト液を塗布するための塗布処理ユニットと，露光装置に
よって露光された基板上のレジストを現像するための現
像処理ユニットと，基板に生じた欠陥の有無を検出する
検査装置と，前記塗布処理ユニット，前記現像処理ユニ
ット及び前記検査装置に対して基板を搬送可能な第１の
搬送装置とを有している。また収容部とは，前記処理部
に隣接して配置され，前記処理部において処理される
前，処理された後の基板，及び前記検査装置によって欠
陥が検出された基板を各々個別に収納する収納体が配置
される収納部と，前記処理部と前記収納部との間で基板
を搬送可能な第２の搬送装置とを備えているものであ
る。
【００２０】この塗布現像処理装置では，収容部に未処
理基板，既処理基板を各々個別に収納する例えばカセッ
ト，キャリアなどと称される収納体とともに，欠陥の検
出された基板を収納する収納体が収納部に配置されるの
で，欠陥の検出された基板を格別専用のスペースに集め
る必要はない。しかも第２の理搬送装置によって前記欠
陥基板を所定の収納体に搬入することができる。
【００２１】請求項１０によれば，基板上にレジスト液
を塗布し，露光装置によって露光された基板上のレジス
トを現像する塗布現像処理装置において，下記の処理部
と収容部とを有していることを特徴とする，塗布現像処
理装置が提供される。すなわち，処理部は，基板上にレ
ジスト液を塗布するための塗布処理ユニットと，露光装
置によって露光された基板上のレジストを現像するため
の現像処理ユニットと，前記塗布処理ユニット及び前記
現像処理ユニットに対して基板を搬送可能な第１の搬送
装置とを有している。また収容部は，前記処理部に隣接
して配置され，基板に生じた欠陥の有無を検出する検査
装置と，前記処理部において処理される前，処理された
後の基板，及び前記検査装置によって欠陥が検出された
基板を各々個別に収納する収納体が配置される収納部
と，前記処理部と前記収納部との間で基板を搬送可能な
第２の搬送装置とを備えている。
【００２２】この請求項１０の塗布現像処理装置では，
検査装置を収容部側に配置している。そのため，さらに
欠陥検出時点からこの欠陥基板を迅速に所定の収納体に
第２の搬送装置によって搬送して集中させることが可能
である。
【００２３】請求項１１によれば，基板上にレジスト液
を塗布し，露光装置によって露光された基板上のレジス
トを現像する塗布現像処理装置において，下記の処理部
と収容部とを有していることを特徴とする，塗布現像処
理装置が提供される。すなわち，処理部は，基板上にレ
ジスト液を塗布するための塗布処理ユニットと，露光装
置によって露光された基板上のレジストを現像するため
の現像処理ユニットと，少なくとも基板を加熱処理する
ための加熱処理ユニット及び基板に生じた欠陥の有無を
検出する検査装置が多段に配置された多段処理ユニット
群と，前記塗布処理ユニット，前記現像処理ユニット及
び前記多段処理ユニット群の間で基板を搬送可能な第１
の搬送装置とを備えており，また収容部は，前記処理部
に隣接して配置され，前記処理部において処理される
前，処理された後の基板，及び前記検査装置によって欠
陥が検出された基板を各々個別に収納する収納体が配置
される収納部と，前記処理部と前記収納部との間で基板
を搬送可能な第２の搬送装置とを備えている。
【００２４】この請求項１１の塗布現像処理装置では，
処理部において，基板を加熱処理するための加熱処理ユ
ニットと多段になった多段処理ユニット群に，検査装置
が組み込まれており，床専有面積の節約が図られる。
【００２５】この場合，請求項１２のように，前記検査
装置と前記第２の搬送装置との間で基板の受け渡しが可
能に構成されていればなお好ましい。
【００２６】請求項１３によれば，基板上に形成された
レジストを露光する露光装置と隣接して配置され，基板
上にレジスト液を塗布し，露光装置によって露光された
基板上のレジストを現像する塗布現像処理装置におい
て，下記の処理部とインターフェース部とを有している
ことを特徴とする，塗布現像処理装置が提供される。す
なわち，処理部は，基板上にレジスト液を塗布するため
の塗布処理ユニットと，前記露光装置によって露光され
た基板上のレジストを現像するための現像処理ユニット
と，基板の受け渡しを行うための受け渡しユニットと，
前記塗布処理ユニット，前記現像処理ユニット及び前記
受け渡しユニットとに対して基板を搬送可能な第１の搬
送装置とを有しており，またインターフェース部は，前
記処理部と前記露光装置との間に配置され，前記露光装
置に対して搬入出する基板を一旦収納する収納部と，基
板に生じた欠陥の有無を検出する検査装置と，前記露光
装置，前記処理部の受け渡しユニット，前記収納部及び
前記検査装置との間で基板を搬送可能な第２の搬送装置
とを備えている。
【００２７】かかる構成の塗布現像処理装置によれば，
処理部と露光装置との間に配置されるインターフェース
部に検査装置が配置されているので，例えば露光後の基
板の欠陥検査を迅速に実施することが可能になってい
る。
【００２８】この場合，請求項１４のように，前記処理
部の雰囲気の温度を調節する第１の温度調節装置と，前
記インターフェース部の雰囲気の温度を調節する第２の
温度調節装置とを具備すれば，各々の環境に適した温度
調節を実施することができ，全体として塗布現像処理の
信頼性が向上する。ことにレジストは温度変化に敏感で
あるから，このように各々の温度調節装置があると，歩
留まりの向上が期待できる。
【００２９】請求項１５の塗布現像処理装置では，基板
上に形成されたレジストを露光する露光装置と隣接して
配置され，基板上にレジスト液を塗布し，露光装置によ
って露光された基板上のレジストを現像する塗布現像処
理装置において，まず下記の処理部，収容部，インター
フェース部，及び基板に生じた欠陥の有無を検出する検
査装置とを有している。また（ａ）処理部は，基板上に
レジスト液を塗布するための塗布処理ユニットと，前記
露光装置によって露光された基板上のレジストを現像す
るための現像処理ユニットと，基板の受け渡しを行うた
めの受け渡しユニットと，前記塗布処理ユニット，前記
現像処理ユニット及び前記受け渡しユニットとに対して
基板を搬送可能な第１の搬送装置と，前記検査装置によ
って欠陥が検出された基板のレジストを剥離する剥離装
置とを有している。そして（ｂ）収容部は，前記処理部
に隣接して配置され，前記処理部において処理される
前，及び処理された後の基板を各々個別に収納する収納
体が配置される収納部と，前記処理部と前記収納部との
間で基板を搬送可能な第２の搬送装置とを備えている。
さらに（ｃ）インターフェース部は，前記処理部と前記
露光装置との間に配置され，前記露光装置に対して搬入
出する基板を一旦収納する収納部と，前記露光装置，前
記処理部の受け渡しユニット及び前記収納部との間で基
板を搬送可能な第３の搬送装置とを備え，前記検査装置
によって欠陥が検出された基板を前記第３の搬送装置に
よって搬入可能で，かつ当該欠陥が検出された基板を収
納する欠陥基板収納部を有している。さらにこの塗布現
像処理装置は，前記欠陥基板収納部から前記剥離装置へ
基板を搬送する搬送手段とを有している。
【００３０】この請求項１５の塗布現像処理装置によれ
ば，検査装置によって欠陥が検出された欠陥基板は，一
旦第３の搬送装置によって欠陥基板収納部に集められ，
その後適当な時期に搬送手段によって処理部の剥離装置
に搬送される。したがって，前記した各塗布現像処理装
置と同様，人為的な汚染が回避される。また検査装置の
配置は，任意であるから，設計の自由度も高い。
【００３１】搬送手段としては，請求項１６に記載した
ように，前記欠陥基板収納部から前記剥離装置へ基板を
搬送する搬送ロボットであってもよく，この場合，欠陥
基板収納部に所定の数が集まった段階で搬送するように
すれば，効率的である。さらにまた剥離装置自体は，請
求項１７のように，バッチ式の薬液洗浄処理装置とすれ
ば，前記所定の数毎にまとめて剥離処理することで，効
率のよい剥離処理を実施することが可能である。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明する。図１〜３は本実施の形態にかかる塗布現像
処理装置の外観を示しており，図１は平面図，図２は正
面図，図３は背面図である。
【００３３】塗布現像処理装置１は図１に示すように，
例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部から塗布
現像処理装置１に対して搬入出したり，カセットＣに対
してウエハＷを搬入出したりするための収容部として機
能させることができるカセットステーション２と，塗布
現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理
ユニットを多段配置してなる処理部としての処理ステー
ション３と，この処理ステーション３に隣接して設けら
れる露光装置４との間でウエハＷの受け渡しをするため
のインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有し
ている。
【００３４】カセットステーション２では，カセット載
置台６上の位置決め突起７の位置に例えば４個のカセッ
トＣがウエハＷの出入口を処理ステーション３側に向け
てＸ方向（図１中の上下方向）一列に載置自在である。
本実施の形態にあっては，収納部としてのカセット載置
台６上に，未処理のウエハＷを収納したカセットＣと，
後述する検査装置４８にて欠陥の検出されたウエハＷを
収納するカセットＣＤとがそれぞれ載置されるようにな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）及
びカセットＣに収容されたウエハＷのウエハ配列方向
（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体８が搬
送路９に沿って移動自在であり，カセットＣやカセット
ＣＤに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００３５】ウエハ搬送体８はθ方向（Ｚ軸を中心とす
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
ように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３の
多段ユニット部に属するアライメント装置３２及びエク
ステンション装置３３に対してもアクセスできるように
構成されている。
【００３６】処理ステーション３では，ウエハＷを保持
するピンセット１０，１１，１２を上中下３本備えた主
搬送装置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１
３の周囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理
装置群を構成している。塗布現像処理装置１において
は，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置可
能であり，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は塗布
現像処理装置１の正面側に配置されており，第３の処理
装置群Ｇ３はカセットステーション２に隣接して配置さ
れており，第４の処理装置群Ｇ４はインターフェイス部
５に隣接して配置されている。この主搬送装置１３は，
前記各処理装置群処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４に
搭載されている各種処理ユニットに対してウエハＷを搬
送することが可能である。
【００３７】第１の処理装置群Ｇ１では図２に示すよう
に，２種類のスピンナ型処理ユニット，例えばウエハＷ
に対してレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット
１５と，ウエハＷに対して現像液を供給する現像処理ユ
ニット１６が下から順に２段に配置されている。第２の
処理装置群Ｇ２では，ウエハＷに形成されたレジスト膜
を剥離するレジスト膜剥離ユニット１７と，現像処理ユ
ニット１８とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００３８】第３の処理装置群Ｇ３では図３に示すよう
に，ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット３０，レジストとウエハＷとの定着性を高める
ためのアドヒージョンユニット３１，ウエハＷの位置合
わせを行うアライメントユニット３２，ウエハＷを待機
させるエクステンションユニット３３，露光処理前の加
熱処理を行うプリベーキングユニット３４，３５及び現
像処理後の加熱処理を施すポストベーキングユニット３
６，３７等が下から順に例えば８段に重ねられている。
【００３９】第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリ
ングユニット４０，載置したウエハＷを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット４１，エクステ
ンションユニット４２，クーリングユニット４３，露光
処理後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキ
ングユニット４４，４５，ポストベーキングユニット４
６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられてい
る。
【００４０】処理ステーション３の背面側には，ウエハ
Ｗを枚葉式に検査する検査装置４８が備えられている。
検査装置４８は現像処理後のウエハＷの中から，例えば
一定枚数おきに抜き出されたウエハＷに生じた欠陥の有
無を検出するように構成されており，具体的には以下の
検査が行われている。
【００４１】即ち，露光装置４にて生じるパターンの位
置ずれを検出するデフォーカス検査，レジスト液の塗布
ムラを検出する塗布ムラ検出検査，現像処理の不良を検
出する現像不良検出検査，ウエハＷの表面に生じる微小
な傷を検出するスクラッチ検出検査，ウエハＷに付着し
たパーティクルを検出するパーティクル検出検査，レジ
スト塗布後のウエハＷの表面にレジスト液中の気泡や異
物によって発生するコメットを検出するコメット検出検
査，ウエハＷの表面から飛び出したレジスト液の溶剤が
ウエハＷに再付着するスプラッシュバックを検出するス
プラッシュバック検出検査，ウエハＷ表面の同一場所に
同一の形状で現れる共通欠陥を検出する共通欠陥検出検
査，現像処理後のウエハＷに残るレジスト残渣を検出す
るスカム検出検査，フォトリソグラフィ工程の前行程で
ウエハエッジを保持（クランプ）することによって，ウ
エハエッジに残る傷跡を検出するクランプリング検査，
レジスト塗布処理及び現像処理がされていないことを検
出するＮＯ ＲＥＳＩＳＴ，ＮＯ ＤＥＶＥＬＯＰ検
査，ウエハＷ上に形成されたレジスト膜の線幅を測定す
る線幅測定検査の計１２種類の検査が１台の検査装置４
８にて行われるようになっている。
【００４２】また，上述した計１２種類の検査以外に露
光装置４にて露光されたウエハＷとフォトマスクとの重
ね合わせ精度を規格値と比較して検査する場合には，重
ね合わせ検査が，例えば図４に示したように，検査装置
４８とは別個に備えられた専用の検査装置４８’にて行
われるようになっている。また，これら一連の検査はマ
クロ検査とミクロ検査とに分かれており，マクロ検査で
は例えば２０μｍ以上の欠陥が，ミクロ検査では例えば
０．１μｍ以上の欠陥が検出できるようになっている。
【００４３】検査装置４８，４８’にて検出される欠陥
の有無は検出信号として制御装置４９に送信されるよう
になっている。ここで一連の検査の内で，デフォーカス
検査は例えば予め登録された正しいパターンとの比較に
よって露光装置４における焦点ぼけを検出するものであ
る。線幅測定検査とは，例えば予め登録された正しいパ
ターンとの比較によって露光装置４における露光量や露
光時間が適正かどうかを検出するものである。重ね合わ
せ検査は，例えば下層のパターンと比較できるようにさ
れた特定の部位のパターンを，予め登録された正しいパ
ターンと比較することによって露光装置４における露光
位置の位置ずれを検出するものである。
【００４４】そして，上述した一連の検査の内でデフォ
ーカス検査，重ね合わせ検査，線幅測定検査によって欠
陥が検出された場合には，露光装置４の露光条件が好適
に変更されるようになっている。特に，デフォーカス検
査によってパターンの位置ずれが検出された場合には，
露光装置４にて行われるフォーカス合わせが好適に調整
されるようになっている。
【００４５】インターフェイス部５の正面側には，例え
ば定置型のバッファカセットＢＲ及び可般性のピックア
ップカセットＣＲが下から順に２段に配置されており，
インターフェイス部５の背面側には周辺露光装置５１が
配設されている。そしてインターフェイス部５の中央部
には，上記両カセットＢＲ，ＣＲと周辺露光装置５１と
に挟まれて配置するウエハ搬送体５２が備えられてい
る。ウエハ搬送体５２はＸ方向（図１中の上下方向），
Ｚ方向（垂直方向）の移動と，θ方向（Ｚ軸を中心とす
る回転方向）の回転とが夫々自在に形成されており，両
カセットＢＲ，ＣＲ，露光装置４，周辺露光装置５１，
エクステンション・クーリングユニット４１，そしてエ
クステンションユニット４２にアクセスできるようにな
っている。
【００４６】塗布現像処理装置１は以上のように構成さ
れている。次に塗布現像処理装置１の動作について図５
に基づいて説明すると，先ずカセットステーション２に
おいてウエハ搬送体８がカセット載置台６に載置された
カセットＣから未処理のウエハＷを１枚抜き出す（ステ
ップＳ５０１）。そして抜き出されたウエハＷは，ウエ
ハ搬送体８によって，処理ステーション３側の第３の処
理装置群Ｇ３に属するアライメントユニット３２に搬送
される。位置合わせを終了したウエハＷは，アドヒージ
ョンユニット３１，クーリングユニット３０に順次搬送
されて所定の処理が施された後，レジスト塗布処理ユニ
ット１５に搬送されて，所定のレジスト塗布処理が施さ
れる（ステップＳ５０２）。
【００４７】レジスト塗布処理の終了したウエハＷは，
プリベーキングユニット３３，エクステンション・クー
リングユニット４１，周辺露光装置５１に順次搬送され
て所定の処理が施された後，露光装置４にて露光処理さ
れる（ステップＳ５０３）。露光処理後のウエハＷは，
エクステンションユニット４２，ポストエクスポージャ
ーベーキングユニット４４に順次搬送され，これらの各
ユニットにて所定の処理が施される。次いで，ウエハＷ
は現像処理ユニット１６にて現像処理された後（ステッ
プＳ５０４），ポストベーキングユニット４６，クーリ
ングユニット３０，エクステンションユニット３３に順
次搬送されて，所定の処理が施された後（ステップＳ５
０５），ウエハ搬送体８によってエクステンションユニ
ット３３から取り出され，処理後のウエハＷを収納する
カセットＣに収納される（ステップＳ５０６）。こうし
て，ウエハＷに対する一連の塗布現像処理が終了する。
【００４８】そして塗布現像処理装置１では，現像処理
ユニット１６にて現像処理の終了したウエハＷが，例え
ば一定の処理枚数毎に主搬送装置１３によって１枚ずつ
抜き出され（ステップＳ５０７），この抜き出されたウ
エハＷが検査装置４８に搬送されて検査がなされる（ス
テップＳ５０８）。
【００４９】即ち，現像処理ユニット１６から抜き出し
た検査用のウエハＷは主搬送装置１３によって検査装置
４８に搬送され，検査装置４８において上述した一連の
検査が行われる。そして，検査用のウエハＷにおける欠
陥の有無が検出信号として制御装置４９に送信される。
【００５０】ここで，検査用のウエハＷに欠陥が検出さ
れない場合には（ステップＳ５０９），この検査用のウ
エハＷに対して引き続き所定の処理が施される（ステッ
プＳ５０５）。即ち，検査用のウエハＷは検査装置４８
から主搬送装置１３のピンセット１１によって取り出さ
れ，次の処理工程を行うポストベーキングユニット３６
に搬送される。
【００５１】一方，検査用のウエハＷに欠陥が検出され
た場合には（ステップＳ５０９），このウエハＷは検査
装置４８から主搬送装置１３のピンセット１１によって
取り出された後，第２の処理装置群Ｇ２に属するレジス
ト膜剥離ユニット１７に搬送される。そして，このレジ
スト膜剥離ユニット１７にて欠陥を有するレジスト膜が
剥離される（ステップＳ５１０）。このレジスト膜を剥
離されたウエハＷは，主搬送装置１３のピンセット１１
によって取り出され，エクステンションユニット３３に
搬送されてその場で待機する。次いで，ウエハＷはウエ
ハ搬送体８によって取り出された後，欠陥の検出された
ウエハＷを収納する専用のカセットＣＤに収納される
（ステップＳ５１１）。
【００５２】こうして，検査装置４８にて欠陥の検出さ
れたウエハＷがカセットＣＤに収納されるために，欠陥
を有するウエハＷには現像処理以降の塗布現像処理が行
われず，結果的に欠陥の検出されたウエハＷは塗布現像
処理装置１の処理ラインから取り除かれる。そして，例
えば２５枚のウエハＷがカセットＣＤに収納されると，
このカセットＣＤに収納されたウエハＷに対して上述し
た一連の塗布現像処理が当初から施される（ステップＳ
５０１）。即ち再処理される。
【００５３】また，検査用のウエハＷに対して，デフォ
ーカス検査，線幅測定検査，重ね合わせ検査によって欠
陥が検出された際には，検査装置４８の検出信号を受信
した制御装置４９によって，露光装置４の露光条件が修
正される。特に，デフォーカス検査によってパターンの
位置ずれが検出された場合には，露光装置４にて行われ
るフォーカス合わせが好適に調整される。デフォーカス
検査によってパターンの位置ずれが検出された場合に
は，露光装置４にて行われるフォーカス合わせが好適に
調整される。かかる露光条件の修正により，このウエハ
Ｗ以降に塗布現像処理されるウエハに対して，好適な露
光条件下での露光処理が施される。
【００５４】さらに，検査装置４８にて欠陥の検出され
る頻度が高い場合には，制御装置４９が欠陥の検出検査
を密にするように頻度調整機構５０を調整する。これに
より，検査装置４８におけるウエハＷの検査頻度がより
多くなり，欠陥を有するウエハＷを事前に発見すること
ができ，歩留まりの低下を防止することが可能となる。
逆に，検査装置４８における欠陥の検出頻度が低い場合
には，頻度調整機構５０の調整により検査装置４８にお
けるウエハＷの検査頻度をより少なくする。これによ
り，検査装置４８における検査が不要なウエハＷの検査
回数を減らすことができる。こうして頻度調整機構５０
を調整することによって，効率の良い検査が可能とな
る。
【００５５】以上説明したように本実施の形態では，ま
ず現像処理ユニット１６から検査装置４８にウエハＷを
搬送する際に，ウエハＷの搬送を主搬送装置１３で行う
ために，この搬送中におけるウエハＷの人為的な汚染を
防止することができる。
【００５６】検査装置４８にて欠陥の検出されたウエハ
Ｗは，主搬送装置１３によって検査装置４８からレジス
ト膜剥離ユニット１７に搬送され，レジスト膜が剥離さ
れた後にカセットＣＤに収納されて再処理される。従っ
て，欠陥の検出されたウエハＷを塗布現像処理装置１の
処理ラインから取り除くことができる。また，欠陥の検
出されたウエハＷがカセットＣＤに収納されるために，
ウエハＷを一箇所に集中させることができ，以後の欠陥
のあったウエハＷについての対応を効率よく行うことが
可能となる。そのうえ，欠陥を有するレジスト膜を剥離
した後にこのウエハＷを再処理するために，再利用を図
ることができる。
【００５７】また，デフォーカス検査，線幅測定検査，
重ね合わせ検査によって欠陥が検出された際には，露光
処理４の露光条件を制御装置４９によって制御すること
ができる。従って，これらの欠陥の検出されたウエハＷ
以降塗布現像処理されるウエハＷを，好適な露光条件下
で露光処理することができる。
【００５８】なお，前記実施の形態では検査装置４８を
処理ステーション３の背面側に配置した例を挙げて説明
したが，本発明はこのような例には限定されず，例えば
カセット載置台６上の２点鎖線Ａの位置に検査装置４８
を配置し，検査に供されるウエハＷを主搬送装置１３で
エクステンションユニット３３に搬送し，その後このウ
エハＷをウエハ搬送体８によって検査装置４８に搬送す
るようにしてもよい。また，２点鎖線Ｂの位置に検査装
置４８を配置してもよい。これらの場合にも，ウエハＷ
は人為的に搬送されないために，ウエハＷの人為的な汚
染を防止することが可能となる。
【００５９】また，本発明にあっては図６に示すよう
に，インターフェイス部５の正面側にカセット５５を配
置し，かつカセットステーション２の正面側にレジスト
膜除去ユニット５６を隣接して配置させ，カセット５５
とレジスト膜除去ユニット５６との間におけるウエハＷ
の搬送を搬送ロボット５７によって行うようにしてもよ
い。
【００６０】かかる構成によれば，検査装置４８にて欠
陥の検出されたウエハＷは主搬送装置１３によってエク
ステンションユニット４２に搬送される。次いで，この
ウエハＷはウエハ搬送体５２によってエクステンション
ユニット４２から取り出され，その後カセット５５に収
納される。そして，カセット５５に収納されたウエハＷ
は搬送ロボット５７によってレジスト膜除去ユニット５
６に搬送されてレジスト膜が除去される。次いで，レジ
スト膜の除去されたウエハＷがウエハ搬送体８によって
取り出され，カセット載置台６上のカセットＣＤ内に収
納される。そして，このカセットＣＤに収納されたウエ
ハＷが再処理される。
【００６１】このように，カセットステーション２の正
面側にいわゆる「外づけ」としてレジスト膜除去ユニッ
ト５６を配置させることにより，例えばバッチ式の薬液
洗浄処理装置等もレジスト膜除去ユニット５６として使
用することができる。従って，前記実施形態のようにレ
ジスト膜剥離ユニット１７でレジスト膜を剥離する場合
よりも，一度により多くのウエハＷのレジスト膜を剥離
することが可能となる。
【００６２】また前記実施の形態にあっては，検査装置
４８が塗布現像処理装置１に内蔵あるいは隣接した状態
で配置された例を示したが，検査装置４８は，処理ステ
ーション３の各処理装置群Ｇ１〜Ｇ５に組み込んでもよ
い。また本発明では検査装置４８を塗布現像処理装置１
と離れた所に配置した他の実施の形態を提案することも
可能である。
【００６３】図７はそのような構成の塗布現像処理装置
６０を示しており，塗布現像処理装置６０の外部に配置
された検査装置６１と，最大４台のカセット６２，６
３，６４，６５を載置自在なカセット載置台６６と，ウ
エハ搬送体８と検査装置６１との間でウエハＷを搬送可
能な搬送ロボット６７とを備えている。
【００６４】かかる構成によれば，先ず現像処理の終了
した検査用のウエハＷが一定枚数毎に主搬送装置１３に
よって現像処理ユニット１６から取り出された後，エク
ステンションユニット３３に搬送される。次いで，この
ウエハＷはエクステンションユニット３３からウエハ搬
送体８によって取り出された後に，搬送ロボット６７に
受け渡される。そして，搬送ロボット６７に受け渡され
たウエハＷは，その後検査装置６１に搬送されて，所定
の検査が施される。
【００６５】ここで，検査装置６１にて欠陥の検出され
なかったウエハＷは搬送ロボット６７によって検査装置
６１から取り出された後に，ウエハ搬送体８に受け渡さ
れる。そして，ウエハ搬送体８に受け渡されたウエハＷ
は，エクステンションユニット３３に搬送された後，主
搬送装置１３によってポストベーキングユニット３７に
搬送され，現像処理以降の一連の塗布現像処理が施され
る。
【００６６】一方，検査装置６１にて欠陥の検出された
ウエハＷは搬送ロボット６７によって検査装置６１から
取り出された後に，搬送ロボット６７からウエハ搬送体
８に受け渡される。そして，ウエハ搬送体８に受け渡さ
れたウエハＷは，エクステンションユニット３３に搬入
された後，主搬送装置１３によってレジスト膜剥離ユニ
ット１７に搬送され，レジスト膜が剥離される。次い
で，レジスト膜の剥離されたウエハＷは，主搬送装置１
３によってレジスト膜剥離ユニット１７からエクステン
ションユニット３３に搬送された後，ウエハ搬送体８に
よって取り出され，カセット６２内に収納される。こう
して，例えば２５枚のウエハＷがカセット６２内に収納
された後，これらのウエハＷに対して再処理が施され
る。
【００６７】以上のように前記他の実施形態にあって
は，塗布現像処理装置１と，この塗布現像処理装置１か
ら離れて配置された検査装置６１との間において，ウエ
ハＷは搬送ロボット６７によって搬送される。従って，
前記実施の形態の場合と同様に，検査装置６１に対する
ウエハＷの搬送中にウエハＷが人為的に汚染されること
を防止することができる。
【００６８】なお検査装置４８は，例えば図８に示すよ
うに，処理ステーション３における第３の処理装置群Ｇ
３の例えば最下段に配置してもよい。この検査装置４８
に対しては，主搬送装置１３ばかりでなく，ウエハ搬送
体８からもウエハＷの搬入出が可能とされている。この
ような構成によれば，図１に示した構成と比べると，検
査装置４８専用のスペースが空くことになり，このスペ
ースに多段の処理装置群をさらに配置する事ができるよ
うになる。また欠陥が検出されたウエハをウエハ搬送体
８により直接テクに外部に取り出すことが可能となる。
【００６９】また検査装置４８は，例えば図９に示すよ
うに，インターフェース部５におけるバッファカセット
ＢＲの上に配置してもよい。これらカセットステーショ
ン２，処理ステーション３及びインターフェース部５の
上部には，各々別個のエアー供給部９２，９３，９５が
配置されている。
【００７０】各エアー供給部９２，９３，９５は温度調
節された清浄なエアーを下方に向けて供給するものでは
あるが，特にインターフェース部５におけるエアー供給
部９５は，温度調節が最も正確に要求される露光装置４
に隣接しているインターフェース部５を温度調節するも
のであり，温度調節が他の部位よりもより厳格に行われ
る。したがって検査装置４８をインターフェース部５に
配置することによって正確に温度調節された適切な環境
で所定の検査が実施でき，検査の信頼性を向上させるこ
とが可能である。
【００７１】なお前記実施の形態にあっては，現像処理
ユニット１６から抜き出したウエハＷを検査する例を挙
げて説明したが，本発明はかかる例には限定されず，例
えば他の現像処理ユニット１８から抜き出したウエハＷ
を検査する場合にも，もちろん適用が可能である。ま
た，塗布現像処理装置１に検査装置４８を，塗布現像処
理装置６０に検査装置６１をそれぞれ複数備えて，一連
の検査を分担させて行うようにすることも可能である。
【００７２】また前出実施の形態においては，現像処理
ユニット１６から一定枚数おきに抜き出したウエハＷを
検査用のウエハＷとしたが，本発明ではこれに替えて，
例えば塗布現像処理装置１，６０の処理ラインを流れる
ロット毎に抜き出したウエハＷや，一定時間おきに抜き
出したウエハＷを検査用のウエハＷとして使用してもよ
い。
【００７３】さらに上記実施の形態にあっては，使用す
る基板をウエハＷで説明したが，本発明は例えばＬＣＤ
基板，ＣＤ基板等の他の基板を使用する場合にも応用が
可能である。
【００７４】
【発明の効果】請求項１〜１７に記載の発明によれば，
特定の処理ユニットから検査装置に対する基板の搬送を
搬送装置もしくは他の搬送装置によっていわばインライ
ンで行うために，かかる搬送中における基板の人為的な
汚染を防止することができる。
【００７５】特に請求項３に記載の発明によれば，欠陥
の検出された基板を基板収納体に収納することにより，
欠陥のある基板を塗布現像処理装置の処理ラインから取
り除くことができる。また，基板収納体に複数の欠陥を
有する基板が集められるために，これらの欠陥を有する
基板に対してその後の処理や対応が容易となる。
【００７６】特に請求項４に記載の発明によれば，制御
装置によって露光処理の露光条件を調整することができ
るために，欠陥の検出以後は好適な露光条件下で基板に
対する露光処理を行うことができる。また請求項６の場
合には，欠陥が発見された基板の再使用を図ることが容
易である。
【００７７】特に請求項７に記載の発明によれば，検査
装置による基板の検査回数を頻度調整機構によって調整
することができるために，欠陥の発生頻度に応じた効率
のよい検査を行うことができる。
【００７８】特に請求項８に記載の発明によれば，検査
装置にて欠陥の検出された基板を有効に再利用すること
ができる。
【００７９】請求項９によれば，欠陥の検出された基板
を格別専用のスペースに集める必要はなく，第２の理搬
送装置によって前記欠陥基板を所定の収納体に搬入する
ことができる。請求項１０の塗布現像処理装置によれ
ば，さらに欠陥が発見された基板を迅速に所定の収納体
に収納することが可能である。請求項１１の場合には，
さらに床専有面積の節約が図れる。請求項１２の場合に
は，円滑な基板の搬送が実施できる。また請求項１３の
場合には，露光後の欠陥検査を迅速に実施することが可
能である。請求項１４の場合には，温度面から見て歩留
まりの向上が図れる。請求項１５の場合には，基板の再
使用，塗布現像処理装置ないの処理，欠陥基板の円滑な
搬送，さらには設計の自由度の向上を図ることができ
る。請求項１６の場合には，装置外の搬送ロボットによ
る搬送によって欠陥基板を搬送するので，装置内の処
理，搬送に影響を与えない。請求項１７の場合には，効
率のよい剥離処理を実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態にかかる塗布現像処理装置の外観
を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理装置の背面図である。
【図４】多段構成の検査装置の説明図である。
【図５】図１の塗布現像処理装置による処理の流れを示
すフローチャートである。
【図６】外づけのレジスト膜除去ユニットを具備した図
１の塗布現像処理装置の外観を示す平面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態にかかる塗布現像処理
装置の平面図である。
【図８】検査装置を加熱処理ユニットと多段構成にした
他の実施の形態にかかる塗布現像処理装置の背面図であ
る。
【図９】検査装置をバッファカセット上に配置した他の
実施の形態にかかる塗布現像処理装置の背面図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理装置 ８ ウエハ搬送体 １３ 主搬送装置 １６，１８ 現像処理ユニット １７ レジスト膜剥離ユニット ４８，４８’ 検査装置 ４９ 制御装置 ５０ 頻度調整機構 ５６ レジスト膜除去ユニット Ｃ カセット Ｗ ウエハ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に対して塗布現像処理に必要な処理
    を個別に行う複数の処理ユニットを備えた塗布現像処理
    装置であって，特定の処理ユニットにて処理の終了した
    基板を検査し，該基板に生じた欠陥の有無を検出する検
    査装置と，各処理ユニットに対して基板を搬入出し，か
    つ前記特定の処理ユニット及び検査装置の間で基板を搬
    送する搬送装置とを備えたことを特徴とする，塗布現像
    処理装置。
  2. 【請求項２】 基板に対して塗布現像処理に必要な処理
    を個別に行う複数の処理ユニットを備えた塗布現像処理
    装置であって，特定の処理ユニットにて処理の終了した
    基板を検査し，該基板に生じた欠陥の有無を検出する検
    査装置と，各処理ユニットに対して基板を搬入出する搬
    送装置と，前記特定の処理ユニットにて処理の終了した
    基板を前記検査装置に搬送する他の搬送装置とを備えた
    ことを特徴とする，塗布現像処理装置。
  3. 【請求項３】 前記検査装置にて欠陥の検出された基板
    が搬入される基板収納体を備えたことを特徴とする，請
    求項１または２に記載の塗布現像処理装置。
  4. 【請求項４】 前記検査装置にて欠陥が検出された場合
    に，塗布処理によって基板に形成されたレジスト膜を露
    光する露光装置の露光条件を制御する制御装置を備えた
    ことを特徴とする，請求項１，２または３に記載の塗布
    現像処理装置。
  5. 【請求項５】 前記露光条件は，前記露光装置における
    焦点距離，露光量又は露光時間のうちの少なくとも１つ
    であることを特徴とする，請求項４に記載の塗布現像処
    理装置。
  6. 【請求項６】 前記塗布現像処理がレジスト液塗布処理
    を伴い，検査装置によって欠陥が検出された基板のレジ
    ストを剥離する剥離装置を有することを特徴とする，請
    求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載の塗布現像
    処理装置。
  7. 【請求項７】 前記検査装置にて検出された欠陥の発生
    頻度に応じて，検査装置による検査の頻度を調整する頻
    度調整機構を備えたことを特徴とする，請求項１，２，
    ３，４，５又は６のいずれかに記載の塗布現像処理装
    置。
  8. 【請求項８】 請求項１，２，３，４，５，６，又は７
    のいずれかに記載の塗布現像処理装置を使用して基板に
    塗布現像処理を施す方法であって，塗布処理によって基
    板に形成されたレジスト膜を剥離する剥離装置を用いる
    と共に，検査装置にて基板の欠陥の有無を検出する工程
    と，その後，欠陥が検出された基板のレジスト膜を前記
    剥離装置にて剥離する工程と，その後，レジスト膜の剥
    離された基板を前記塗布現像処理装置において再処理す
    る工程とを有することを特徴とする，塗布現像処理方
    法。
  9. 【請求項９】基板上にレジスト液を塗布し，露光装置に
    よって露光された基板上のレジストを現像する塗布現像
    処理装置において，下記の処理部と収容部とを有してい
    ることを特徴とする，塗布現像処理装置。 処理部：基板上にレジスト液を塗布するための塗布処理
    ユニットと，露光装置によって露光された基板上のレジ
    ストを現像するための現像処理ユニットと，基板に生じ
    た欠陥の有無を検出する検査装置と，前記塗布処理ユニ
    ット，前記現像処理ユニット及び前記検査装置に対して
    基板を搬送可能な第１の搬送装置とを有している。 収容部：前記処理部に隣接して配置され，前記処理部に
    おいて処理される前，処理された後の基板，及び前記検
    査装置によって欠陥が検出された基板を各々個別に収納
    する収納体が配置される収納部と，前記処理部と前記収
    納部との間で基板を搬送可能な第２の搬送装置とを備え
    ている。
  10. 【請求項１０】 基板上にレジスト液を塗布し，露光装
    置によって露光された基板上のレジストを現像する塗布
    現像処理装置において，下記の処理部と収容部とを有し
    ていることを特徴とする，塗布現像処理装置。 処理部：基板上にレジスト液を塗布するための塗布処理
    ユニットと，露光装置によって露光された基板上のレジ
    ストを現像するための現像処理ユニットと，前記塗布処
    理ユニット及び前記現像処理ユニットに対して基板を搬
    送可能な第１の搬送装置とを有している。 収容部：前記処理部に隣接して配置され，基板に生じた
    欠陥の有無を検出する検査装置と，前記処理部において
    処理される前，処理された後の基板，及び前記検査装置
    によって欠陥が検出された基板を各々個別に収納する収
    納体が配置される収納部と，前記処理部と前記収納部と
    の間で基板を搬送可能な第２の搬送装置とを備えてい
    る。
  11. 【請求項１１】 基板上にレジスト液を塗布し，露光装
    置によって露光された基板上のレジストを現像する塗布
    現像処理装置において，下記の処理部と収容部とを有し
    ていることを特徴とする，塗布現像処理装置。 処理部：基板上にレジスト液を塗布するための塗布処理
    ユニットと，露光装置によって露光された基板上のレジ
    ストを現像するための現像処理ユニットと，少なくとも
    基板を加熱処理するための加熱処理ユニット及び基板に
    生じた欠陥の有無を検出する検査装置が多段に配置され
    た多段処理ユニット群と，前記塗布処理ユニット，前記
    現像処理ユニット及び前記多段処理ユニット群の間で基
    板を搬送可能な第１の搬送装置とを備えている。 収容部：前記処理部に隣接して配置され，前記処理部に
    おいて処理される前，処理された後の基板，及び前記検
    査装置によって欠陥が検出された基板を各々個別に収納
    する収納体が配置される収納部と，前記処理部と前記収
    納部との間で基板を搬送可能な第２の搬送装置とを備え
    ている。
  12. 【請求項１２】 前記検査装置と前記第２の搬送装置と
    の間で基板の受け渡しが可能に構成されていることを特
    徴とする，請求項１１に記載の塗布現像処理装置。
  13. 【請求項１３】 基板上に形成されたレジストを露光す
    る露光装置と隣接して配置され，基板上にレジスト液を
    塗布し，露光装置によって露光された基板上のレジスト
    を現像する塗布現像処理装置において，下記の処理部と
    インターフェース部とを有していることを特徴とする，
    塗布現像処理装置。 処理部：基板上にレジスト液を塗布するための塗布処理
    ユニットと，前記露光装置によって露光された基板上の
    レジストを現像するための現像処理ユニットと，基板の
    受け渡しを行うための受け渡しユニットと，前記塗布処
    理ユニット，前記現像処理ユニット及び前記受け渡しユ
    ニットとに対して基板を搬送可能な第１の搬送装置とを
    有している。 インターフェース部：前記処理部と前記露光装置との間
    に配置され，前記露光装置に対して搬入出する基板を一
    旦収納する収納部と，基板に生じた欠陥の有無を検出す
    る検査装置と，前記露光装置，前記処理部の受け渡しユ
    ニット，前記収納部及び前記検査装置との間で基板を搬
    送可能な第２の搬送装置とを備えている。
  14. 【請求項１４】 前記処理部の雰囲気の温度を調節する
    第１の温度調節装置と，前記インターフェース部の雰囲
    気の温度を調節する第２の温度調節装置とを有している
    ことを特徴とする，請求項１３に記載の塗布現像処理装
    置。
  15. 【請求項１５】 基板上に形成されたレジストを露光す
    る露光装置と隣接して配置され，基板上にレジスト液を
    塗布し，露光装置によって露光された基板上のレジスト
    を現像する塗布現像処理装置において，下記の処理部，
    収容部，インターフェース部，及び基板に生じた欠陥の
    有無を検出する検査装置とを有し， （ａ）処理部：基板上にレジスト液を塗布するための塗
    布処理ユニットと，前記露光装置によって露光された基
    板上のレジストを現像するための現像処理ユニットと，
    基板の受け渡しを行うための受け渡しユニットと，前記
    塗布処理ユニット，前記現像処理ユニット及び前記受け
    渡しユニットとに対して基板を搬送可能な第１の搬送装
    置と，前記検査装置によって欠陥が検出された基板のレ
    ジストを剥離する剥離装置とを有している。 （ｂ）収容部：前記処理部に隣接して配置され，前記処
    理部において処理される前，及び処理された後の基板を
    各々個別に収納する収納体が配置される収納部と，前記
    処理部と前記収納部との間で基板を搬送可能な第２の搬
    送装置とを備えている。 （ｃ）インターフェース部：前記処理部と前記露光装置
    との間に配置され，前記露光装置に対して搬入出する基
    板を一旦収納する収納部と前記露光装置，前記処理部の
    受け渡しユニット及び前記収納部との間で基板を搬送可
    能な第３の搬送装置とを備え，前記検査装置によって欠
    陥が検出された基板を前記第３の搬送装置によって搬入
    可能で，かつ当該欠陥が検出された基板を収納する欠陥
    基板収納部を有している。さらに，前記欠陥基板収納部
    から前記剥離装置へ基板を搬送する搬送手段とを有して
    いることを特徴とする，塗布現像処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記搬送手段は，前記欠陥基板収納部
    から前記剥離装置へ基板を搬送する搬送ロボットである
    ことを特徴とする，請求項１５に記載の塗布現像処理装
    置。
  17. 【請求項１７】 前記剥離装置は，バッチ式の薬液洗浄
    処理装置であることを特徴とする，請求項６，１５又は
    １６に記載の塗布現像処理装置。
JP35174199A 1998-12-17 1999-12-10 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法 Pending JP2000235949A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35174199A JP2000235949A (ja) 1998-12-17 1999-12-10 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-375580 1998-12-17
JP37558098 1998-12-17
JP35174199A JP2000235949A (ja) 1998-12-17 1999-12-10 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000235949A true JP2000235949A (ja) 2000-08-29

Family

ID=26579473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35174199A Pending JP2000235949A (ja) 1998-12-17 1999-12-10 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000235949A (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003077828A (ja) * 2001-07-11 2003-03-14 Samsung Electronics Co Ltd フォトリソグラフィー工程システム及びフォトリソグラフィー工程方法
JP2004031929A (ja) * 2002-04-30 2004-01-29 Canon Inc 管理システム、管理装置及び管理方法、ならびにデバイスの製造方法
JPWO2003077291A1 (ja) * 2002-03-12 2005-07-07 オリンパス株式会社 半導体製造方法及びその装置
JP2007273792A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sokudo:Kk 基板処理装置
WO2007135834A1 (ja) * 2006-05-23 2007-11-29 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
US7411669B2 (en) 2006-02-08 2008-08-12 Tokyo Electron Limited Substrate defect inspection method, computer readable storage medium, and defect inspection apparatus
JP2009016657A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd レジストパターンの再形成方法
US7488127B2 (en) 2000-09-28 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Resist pattern forming apparatus and method thereof
JP2009032887A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2009032886A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2010050140A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Tokyo Electron Ltd 処理システム
US7694649B2 (en) 2005-06-24 2010-04-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method of controlling the same
CN101872717B (zh) * 2007-08-28 2012-09-05 东京毅力科创株式会社 涂敷及显影装置、涂敷及显影方法
KR101443946B1 (ko) * 2009-05-25 2014-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 레지스트 도포 처리 방법 및 레지스트 패턴의 형성 방법
JP2018060942A (ja) * 2016-10-06 2018-04-12 昭和電工株式会社 レジスト除去方法及び半導体素子の製造方法
JP2023513270A (ja) * 2020-02-10 2023-03-30 上海集成電路研発中心有限公司 半導体デバイスの欠陥検査方法、装置及び可読記憶媒体

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8231285B2 (en) 2000-09-28 2012-07-31 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
US7488127B2 (en) 2000-09-28 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Resist pattern forming apparatus and method thereof
US7780366B2 (en) 2000-09-28 2010-08-24 Tokyo Electron Limited Resist pattern forming method
JP2003077828A (ja) * 2001-07-11 2003-03-14 Samsung Electronics Co Ltd フォトリソグラフィー工程システム及びフォトリソグラフィー工程方法
JPWO2003077291A1 (ja) * 2002-03-12 2005-07-07 オリンパス株式会社 半導体製造方法及びその装置
JP2004031929A (ja) * 2002-04-30 2004-01-29 Canon Inc 管理システム、管理装置及び管理方法、ならびにデバイスの製造方法
US7694649B2 (en) 2005-06-24 2010-04-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method of controlling the same
US7985448B2 (en) 2005-06-24 2011-07-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and method of controlling the same
US7411669B2 (en) 2006-02-08 2008-08-12 Tokyo Electron Limited Substrate defect inspection method, computer readable storage medium, and defect inspection apparatus
JP2007273792A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2007317705A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
WO2007135834A1 (ja) * 2006-05-23 2007-11-29 Tokyo Electron Limited 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
US8326559B2 (en) 2006-05-23 2012-12-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing system, system inspecting method, system inspecting program and recording medium storing the program recorded therein
JP2009016657A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd レジストパターンの再形成方法
JP2009032886A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2009032887A (ja) * 2007-07-26 2009-02-12 Sokudo:Kk 基板処理装置
CN101872717B (zh) * 2007-08-28 2012-09-05 东京毅力科创株式会社 涂敷及显影装置、涂敷及显影方法
JP2010050140A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Tokyo Electron Ltd 処理システム
KR101443946B1 (ko) * 2009-05-25 2014-09-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 레지스트 도포 처리 방법 및 레지스트 패턴의 형성 방법
JP2018060942A (ja) * 2016-10-06 2018-04-12 昭和電工株式会社 レジスト除去方法及び半導体素子の製造方法
JP2023513270A (ja) * 2020-02-10 2023-03-30 上海集成電路研発中心有限公司 半導体デバイスの欠陥検査方法、装置及び可読記憶媒体
JP7448671B2 (ja) 2020-02-10 2024-03-12 上海集成電路研発中心有限公司 半導体デバイスの欠陥検査方法、装置及び可読記憶媒体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6313903B1 (en) Resist coating and developing unit
US8302556B2 (en) Coating and developing apparatus
TWI598975B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2000235949A (ja) 塗布現像処理装置及び塗布現像処理方法
US6593045B2 (en) Substrate processing apparatus and method
US6281962B1 (en) Processing apparatus for coating substrate with resist and developing exposed resist including inspection equipment for inspecting substrate and processing method thereof
CN101471237B (zh) 基底处理装置以及使用该基底处理装置输送基底的方法
JP2003209154A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2006229183A5 (ja)
US7726891B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7844359B2 (en) Coating and developing apparatus, operating method for same, and storage medium for the method
TWI682432B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US8941809B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW202025364A (zh) 塗布顯像裝置及塗布顯像方法
JP4298238B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP4357861B2 (ja) 基板処理装置
JP3801849B2 (ja) 基板処理装置及びその方法
JP2010147361A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2001167996A (ja) 基板処理装置
JPH10308428A (ja) 除電方法および除電機能を備えた処理装置
JPH07171478A (ja) 基板処理装置
JP3523819B2 (ja) 基板処理装置
JP4381290B2 (ja) 基板処理装置
JP3653418B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001015408A (ja) レジストパターン形成装置及び基板検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040810

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20041207