JPH07171478A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH07171478A JPH07171478A JP5345150A JP34515093A JPH07171478A JP H07171478 A JPH07171478 A JP H07171478A JP 5345150 A JP5345150 A JP 5345150A JP 34515093 A JP34515093 A JP 34515093A JP H07171478 A JPH07171478 A JP H07171478A
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- JP
- Japan
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- substrate
- processing
- processing unit
- transfer means
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 装置全体を小型化できながら処理効率を向上
できるようにする。 【構成】 水平方向に基板Ｗを搬送可能な第１の基板搬
送手段７を有する第１の処理ユニット２と、水平方向に
基板Ｗを搬送可能な第２の基板搬送手段１８を有する第
２の処理ユニット３との間に、２個の並行処理用の第３
の冷却処理部１９，１９を設け、第１および第２の基板
搬送手段７，１８それぞれによって基板Ｗを第３の冷却
処理部１９，１９に搬入でき且つ搬出できるように構成
する。
できるようにする。 【構成】 水平方向に基板Ｗを搬送可能な第１の基板搬
送手段７を有する第１の処理ユニット２と、水平方向に
基板Ｗを搬送可能な第２の基板搬送手段１８を有する第
２の処理ユニット３との間に、２個の並行処理用の第３
の冷却処理部１９，１９を設け、第１および第２の基板
搬送手段７，１８それぞれによって基板Ｗを第３の冷却
処理部１９，１９に搬入でき且つ搬出できるように構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハや液晶表
示装置用のガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等の
基板を各種の処理ユニット間に搬送するとともに所定の
基板処理部に搬送し、その基板に対してフォトレジスト
液を塗布処理したり、露光処理したり、基板に塗布され
たフォトレジストを現像処理するなどのような基板処理
装置に関する。
示装置用のガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等の
基板を各種の処理ユニット間に搬送するとともに所定の
基板処理部に搬送し、その基板に対してフォトレジスト
液を塗布処理したり、露光処理したり、基板に塗布され
たフォトレジストを現像処理するなどのような基板処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の基板処理装置では、従来一般
に、各種の処理ユニットそれぞれに基板を水平方向に搬
送する基板搬送手段を設け、かつ、処理ユニット間にイ
ンターフェース部を設け、一方の処理ユニットから他方
の処理ユニットに基板を搬送するときに、一旦、一方の
処理ユニットの基板搬送手段によりインターフェース部
に基板を搬送して受け止めさせ、その基板を他方の処理
ユニットの基板搬送手段により取り出して受け渡してい
くように構成されている。
に、各種の処理ユニットそれぞれに基板を水平方向に搬
送する基板搬送手段を設け、かつ、処理ユニット間にイ
ンターフェース部を設け、一方の処理ユニットから他方
の処理ユニットに基板を搬送するときに、一旦、一方の
処理ユニットの基板搬送手段によりインターフェース部
に基板を搬送して受け止めさせ、その基板を他方の処理
ユニットの基板搬送手段により取り出して受け渡してい
くように構成されている。
【０００３】ところが、各処理ユニット間にインターフ
ェース部を介在するために、装置全体が大型化する問題
があり、また、インターフェース部での受け渡しのため
に余分な時間が必要となり、例えば、露光装置をロス無
く稼動させるなどといった場合に、露光装置で露光処理
を終えて基板を取り出したときに、次の基板を露光装置
に供給しなければならず、露光装置での処理時間の間に
前処理が済んだ基板が得られるようにするなどといった
ために、前処理でのユニットの数を多くしなければなら
ないといった不都合があった。
ェース部を介在するために、装置全体が大型化する問題
があり、また、インターフェース部での受け渡しのため
に余分な時間が必要となり、例えば、露光装置をロス無
く稼動させるなどといった場合に、露光装置で露光処理
を終えて基板を取り出したときに、次の基板を露光装置
に供給しなければならず、露光装置での処理時間の間に
前処理が済んだ基板が得られるようにするなどといった
ために、前処理でのユニットの数を多くしなければなら
ないといった不都合があった。
【０００４】そこで、インターフェース部の介在に起因
する装置の大型化を回避できるようにするために、例え
ば、特開平４−８４４１０号公報のように、基板にレジ
ストを塗布して加熱する第１の装置と、レジストが塗布
された基板を露光する第２の装置との間に、第１の装置
から搬入された基板を温調するとともにセンタリングを
行う１個の温調ステージを設けたものがある。
する装置の大型化を回避できるようにするために、例え
ば、特開平４−８４４１０号公報のように、基板にレジ
ストを塗布して加熱する第１の装置と、レジストが塗布
された基板を露光する第２の装置との間に、第１の装置
から搬入された基板を温調するとともにセンタリングを
行う１個の温調ステージを設けたものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来例の場合、基板を露光する第２の装置での処
理に要する時間が基板の温調に要する時間よりも短い場
合、温調ステージでの処理に起因して第２の装置の稼動
時間にロスを生じ、装置の大型化を回避できても処理効
率の低下を回避できない欠点があった。
ような従来例の場合、基板を露光する第２の装置での処
理に要する時間が基板の温調に要する時間よりも短い場
合、温調ステージでの処理に起因して第２の装置の稼動
時間にロスを生じ、装置の大型化を回避できても処理効
率の低下を回避できない欠点があった。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、請求項１に係る発明の基板処理装置は、
装置全体を小型化できながら処理効率を向上できるよう
にすることを目的とし、また、請求項２に係る発明の基
板処理装置は、装置全体をより一層コンパクトにできる
とともに基板搬送時間を短縮して処理効率を一層向上で
きるようにすることを目的とする。
たものであり、請求項１に係る発明の基板処理装置は、
装置全体を小型化できながら処理効率を向上できるよう
にすることを目的とし、また、請求項２に係る発明の基
板処理装置は、装置全体をより一層コンパクトにできる
とともに基板搬送時間を短縮して処理効率を一層向上で
きるようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の基
板処理装置は、上述のような目的を達成するために、水
平方向に基板を搬送可能な第１の基板搬送手段を有する
第１の処理ユニットと、水平方向に前記基板を搬送可能
な第２の基板搬送手段を有する第２の処理ユニットとの
間に、第１および第２の基板搬送手段の少なくとも一方
によって基板を搬入するとともに他方によって基板を搬
出する複数の並行処理用の基板処理部を設けて構成す
る。
板処理装置は、上述のような目的を達成するために、水
平方向に基板を搬送可能な第１の基板搬送手段を有する
第１の処理ユニットと、水平方向に前記基板を搬送可能
な第２の基板搬送手段を有する第２の処理ユニットとの
間に、第１および第２の基板搬送手段の少なくとも一方
によって基板を搬入するとともに他方によって基板を搬
出する複数の並行処理用の基板処理部を設けて構成す
る。
【０００８】また、請求項２に係る発明の基板処理装置
は、上述のような目的を達成するために、上記請求項１
に係る発明の基板処理装置の第１の処理ユニットにおい
て、第１の基板搬送手段の第２の処理ユニットとの並設
方向に向かう水平方向の移動経路を挟んだ両側それぞれ
に基板処理部を有し、かつ、第２の処理ユニットにおい
て、第２の基板搬送手段の第１の処理ユニットとの並設
方向に向かう水平方向の移動経路を挟んだ両側それぞれ
に基板処理部を有するように構成する。
は、上述のような目的を達成するために、上記請求項１
に係る発明の基板処理装置の第１の処理ユニットにおい
て、第１の基板搬送手段の第２の処理ユニットとの並設
方向に向かう水平方向の移動経路を挟んだ両側それぞれ
に基板処理部を有し、かつ、第２の処理ユニットにおい
て、第２の基板搬送手段の第１の処理ユニットとの並設
方向に向かう水平方向の移動経路を挟んだ両側それぞれ
に基板処理部を有するように構成する。
【０００９】
【作用】請求項１に係る発明の基板処理装置の構成によ
れば、第１の処理ユニットで処理した基板を基板処理部
で別の処理を施した後に第２の処理ユニットで処理する
ような場合において、第１の処理ユニットから第２の処
理ユニットへの受け渡しを基板処理部を介して行うとと
もに、その基板処理部を複数設けて並行処理することに
よって、各基板処理部での基板に対する処理時間が第２
の処理ユニットでの基板に対する処理時間よりも長い場
合でも、複数の基板処理部のうちから、適宜処理の終了
した基板を選択して取り出し、第２の処理ユニットにす
みやかに供給して処理させることができる。
れば、第１の処理ユニットで処理した基板を基板処理部
で別の処理を施した後に第２の処理ユニットで処理する
ような場合において、第１の処理ユニットから第２の処
理ユニットへの受け渡しを基板処理部を介して行うとと
もに、その基板処理部を複数設けて並行処理することに
よって、各基板処理部での基板に対する処理時間が第２
の処理ユニットでの基板に対する処理時間よりも長い場
合でも、複数の基板処理部のうちから、適宜処理の終了
した基板を選択して取り出し、第２の処理ユニットにす
みやかに供給して処理させることができる。
【００１０】また、請求項２に係る発明の基板処理装置
の構成によれば、第１および第２の処理ユニットそれぞ
れにおいて、例えば、レジスト塗布のための基板処理部
と、その後の加熱ならびに冷却のための基板処理部とい
った基板処理部どうしを、第１および第２の処理ユニッ
トの並設方向に向かう第１および第２の基板搬送手段そ
れぞれの水平方向の移動経路を間にして振り分け、互い
に近接して配置できるとともに、第１および第２の基板
搬送手段それぞれによる基板処理部間での基板の搬送距
離を短くすることができる。
の構成によれば、第１および第２の処理ユニットそれぞ
れにおいて、例えば、レジスト塗布のための基板処理部
と、その後の加熱ならびに冷却のための基板処理部とい
った基板処理部どうしを、第１および第２の処理ユニッ
トの並設方向に向かう第１および第２の基板搬送手段そ
れぞれの水平方向の移動経路を間にして振り分け、互い
に近接して配置できるとともに、第１および第２の基板
搬送手段それぞれによる基板処理部間での基板の搬送距
離を短くすることができる。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】図１は本発明に係る基板処理装置の実施例
を示す全体概略斜視図である。
を示す全体概略斜視図である。
【００１３】この基板処理装置は、半導体ウエハや液晶
表示装置用のガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等
の基板Ｗに対してフォトレジスト液を塗布処理するとと
もに露光ならびに現像処理するための装置であり、大き
く分けて、未処理基板や処理済み基板を保管するインデ
クサーユニット１と、基板Ｗを洗浄処理・熱処理・レジ
スト塗布処理する各種の基板処理部を備えた第１の処理
ユニット２と、エッジ露光処理・現像処理・熱処理する
各種の基板処理部を備えた第２の処理ユニット３と、イ
ンターフェース４と、露光ユニット５（図２参照）とか
ら構成されている。
表示装置用のガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等
の基板Ｗに対してフォトレジスト液を塗布処理するとと
もに露光ならびに現像処理するための装置であり、大き
く分けて、未処理基板や処理済み基板を保管するインデ
クサーユニット１と、基板Ｗを洗浄処理・熱処理・レジ
スト塗布処理する各種の基板処理部を備えた第１の処理
ユニット２と、エッジ露光処理・現像処理・熱処理する
各種の基板処理部を備えた第２の処理ユニット３と、イ
ンターフェース４と、露光ユニット５（図２参照）とか
ら構成されている。
【００１４】インデクサーユニット１は、基板Ｗを収納
するカセットＣを一列状態に載置する固定の基台６と、
カセットＣに対して基板Ｗを出し入れするとともに、後
述する第１の基板搬送手段７との基板受渡し位置Ｐと各
カセットＣの間で基板Ｗを運ぶインデクサー搬送ロボッ
ト８から構成されている。前記カセットＣ…それぞれ内
には、基板Ｗを多段に収納できるようになっている。
するカセットＣを一列状態に載置する固定の基台６と、
カセットＣに対して基板Ｗを出し入れするとともに、後
述する第１の基板搬送手段７との基板受渡し位置Ｐと各
カセットＣの間で基板Ｗを運ぶインデクサー搬送ロボッ
ト８から構成されている。前記カセットＣ…それぞれ内
には、基板Ｗを多段に収納できるようになっている。
【００１５】第１の処理ユニット２には、図２の（ａ）
の全体平面図、および、図２の（ｂ）の全体概略縦断面
図に示すように、基板Ｗを回転しながらその表面に洗浄
液を供給する１個の洗浄処理部９と、洗浄処理後の基板
の表面を疎水化処理するために水平方向に並設された一
対の疎水化処理部１０，１０と、疎水化処理部１０，１
０それぞれの下方に設けられて疎水化処理後の基板Ｗを
冷却する第１の冷却処理部１１，１１と、基板の表面に
フォトレジスト液を塗布処理するために水平方向に並設
された一対の塗布処理部１２，１２と、前記疎水化処理
部１０，１０上にそれぞれ二段づつ載置された合計４個
の第１の加熱処理部１３…と、各処理部などに基板Ｗを
搬送して搬入・搬出する第１の基板搬送手段７とが備え
られている。
の全体平面図、および、図２の（ｂ）の全体概略縦断面
図に示すように、基板Ｗを回転しながらその表面に洗浄
液を供給する１個の洗浄処理部９と、洗浄処理後の基板
の表面を疎水化処理するために水平方向に並設された一
対の疎水化処理部１０，１０と、疎水化処理部１０，１
０それぞれの下方に設けられて疎水化処理後の基板Ｗを
冷却する第１の冷却処理部１１，１１と、基板の表面に
フォトレジスト液を塗布処理するために水平方向に並設
された一対の塗布処理部１２，１２と、前記疎水化処理
部１０，１０上にそれぞれ二段づつ載置された合計４個
の第１の加熱処理部１３…と、各処理部などに基板Ｗを
搬送して搬入・搬出する第１の基板搬送手段７とが備え
られている。
【００１６】前記洗浄処理部９、疎水化処理部１０，１
０および第１の加熱処理部１３…と、塗布処理部１２，
１２とは、第１の基板搬送手段７の第１および第２の処
理ユニット２，３の並設方向を向いた水平方向の移動経
路Ｒを挟んで振り分け配置されている。
０および第１の加熱処理部１３…と、塗布処理部１２，
１２とは、第１の基板搬送手段７の第１および第２の処
理ユニット２，３の並設方向を向いた水平方向の移動経
路Ｒを挟んで振り分け配置されている。
【００１７】第２の処理ユニット３には、水平方向に並
設された一対のエッジ露光処理部１４，１４と、水平方
向に一対づつ並設されてそれぞれ４段づつ載置された２
個の第２の加熱処理部１５ａ，１５ａおよび６個の第３
の加熱処理部１５ｂ…と、上下２段に載置された第２の
冷却処理部１６，１６と、水平方向に並設されて露光処
理後の基板Ｗを現像処理する３個の現像処理部１７…
と、各処理部などに基板Ｗを搬送して搬入・搬出する第
２の基板搬送手段１８とが備えられている。
設された一対のエッジ露光処理部１４，１４と、水平方
向に一対づつ並設されてそれぞれ４段づつ載置された２
個の第２の加熱処理部１５ａ，１５ａおよび６個の第３
の加熱処理部１５ｂ…と、上下２段に載置された第２の
冷却処理部１６，１６と、水平方向に並設されて露光処
理後の基板Ｗを現像処理する３個の現像処理部１７…
と、各処理部などに基板Ｗを搬送して搬入・搬出する第
２の基板搬送手段１８とが備えられている。
【００１８】前記エッジ露光処理部１４，１４、第２お
よび第３の加熱処理部１５ａ，１５ｂ…および第２の冷
却処理部１６，１６と、現像処理部１７…とは、第２の
基板搬送手段１８の第１および第２の処理ユニット２，
３の並設方向を向いた水平方向の移動経路Ｒを挟んで振
り分け配置されている。
よび第３の加熱処理部１５ａ，１５ｂ…および第２の冷
却処理部１６，１６と、現像処理部１７…とは、第２の
基板搬送手段１８の第１および第２の処理ユニット２，
３の並設方向を向いた水平方向の移動経路Ｒを挟んで振
り分け配置されている。
【００１９】第１の処理ユニット２の洗浄処理部９と第
２の処理ユニット３の第３の加熱処理部１５ｂとの間
で、かつ、第２の冷却処理部１６の一部の上方に位置さ
せて上下２段の第３の冷却処理部１９，１９が設けられ
ている。図中Ｂは、各種のコントローラを内装したコン
トローラボックスを示している。
２の処理ユニット３の第３の加熱処理部１５ｂとの間
で、かつ、第２の冷却処理部１６の一部の上方に位置さ
せて上下２段の第３の冷却処理部１９，１９が設けられ
ている。図中Ｂは、各種のコントローラを内装したコン
トローラボックスを示している。
【００２０】前記第１および第２の基板搬送手段７，１
８それぞれは、移動経路Ｒに沿っての移動、昇降および
水平面内での回転が可能な支持部材２０に、基板Ｗの外
周縁側を載置保持する上下一対の支持アーム２１，２１
をそれぞれ直線移動可能に設けて構成されている。この
第１および第２の基板搬送手段７，１８それぞれは、隣
合うユニット２または３側の端まで移動した状態で、前
記第３の冷却処理部１９，１９に対して基板Ｗを搬入な
らびに搬出できるように構成されている。なお、第１お
よび第２の基板搬送手段７，１８は、各処理ユニット
２，３内の各処理部に対して基板を搬入・搬出する場合
には、支持部材２０を駆動して、図２の（ａ）に実線で
示す如く、支持アーム２１の移動方向が支持部材２０の
移動経路Ｒと直角になるようにする。そして、支持アー
ム２１を進退移動させることにより基板を搬入・搬出す
る。それに対し、第３の冷却処理部１９，１９に対して
基板を搬入・搬出する場合には、支持部材２０を駆動し
て、図２の（ａ）に２点鎖線で示す如く、支持アーム２
１の移動方向が支持部材２０の移動経路Ｒに対して例え
ば４５度の角度だけ傾いた状態になるようにする。そし
て、支持アーム２１を進退移動させることにより基板を
搬入・搬出する。
８それぞれは、移動経路Ｒに沿っての移動、昇降および
水平面内での回転が可能な支持部材２０に、基板Ｗの外
周縁側を載置保持する上下一対の支持アーム２１，２１
をそれぞれ直線移動可能に設けて構成されている。この
第１および第２の基板搬送手段７，１８それぞれは、隣
合うユニット２または３側の端まで移動した状態で、前
記第３の冷却処理部１９，１９に対して基板Ｗを搬入な
らびに搬出できるように構成されている。なお、第１お
よび第２の基板搬送手段７，１８は、各処理ユニット
２，３内の各処理部に対して基板を搬入・搬出する場合
には、支持部材２０を駆動して、図２の（ａ）に実線で
示す如く、支持アーム２１の移動方向が支持部材２０の
移動経路Ｒと直角になるようにする。そして、支持アー
ム２１を進退移動させることにより基板を搬入・搬出す
る。それに対し、第３の冷却処理部１９，１９に対して
基板を搬入・搬出する場合には、支持部材２０を駆動し
て、図２の（ａ）に２点鎖線で示す如く、支持アーム２
１の移動方向が支持部材２０の移動経路Ｒに対して例え
ば４５度の角度だけ傾いた状態になるようにする。そし
て、支持アーム２１を進退移動させることにより基板を
搬入・搬出する。
【００２１】次に、上記基板処理装置による一連の処理
動作を、図３の処理工程のフローと処理時間との関係を
示す図を用いて説明する。
動作を、図３の処理工程のフローと処理時間との関係を
示す図を用いて説明する。
【００２２】先ず、インデクサーユニット１（ＩＮＤと
表示）において、インデクサー搬送ロボット８によりカ
セットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板受渡し位置
Ｐに搬送し（Ｓ１）、第１の基板搬送手段７の一方の支
持アーム２１に渡す。また、もし第１の基板搬送手段７
の他方の支持アーム２１に処理済み基板Ｗがあれば、そ
れを受け取って搬送してカセットＣに収納する。
表示）において、インデクサー搬送ロボット８によりカ
セットＣから未処理基板Ｗを取り出して基板受渡し位置
Ｐに搬送し（Ｓ１）、第１の基板搬送手段７の一方の支
持アーム２１に渡す。また、もし第１の基板搬送手段７
の他方の支持アーム２１に処理済み基板Ｗがあれば、そ
れを受け取って搬送してカセットＣに収納する。
【００２３】次いで、第１の基板搬送手段７により、基
板受渡し位置Ｐから洗浄処理部９（ＳＳＷと表示）に基
板Ｗを搬送して洗浄し（Ｓ２）、洗浄処理後に、疎水化
処理部１０（ＡＨと表示）に基板Ｗを搬送して疎水化処
理する（Ｓ３）。
板受渡し位置Ｐから洗浄処理部９（ＳＳＷと表示）に基
板Ｗを搬送して洗浄し（Ｓ２）、洗浄処理後に、疎水化
処理部１０（ＡＨと表示）に基板Ｗを搬送して疎水化処
理する（Ｓ３）。
【００２４】疎水化処理後には、基板Ｗを第１の冷却処
理部１１（ＣＰと表示）に搬送して冷却し（Ｓ４）、常
温程度にまで戻してから塗布処理部１２（ＳＣと表示）
に基板Ｗを搬送し、基板表面にフォトレジスト液を塗布
する（Ｓ５）。
理部１１（ＣＰと表示）に搬送して冷却し（Ｓ４）、常
温程度にまで戻してから塗布処理部１２（ＳＣと表示）
に基板Ｗを搬送し、基板表面にフォトレジスト液を塗布
する（Ｓ５）。
【００２５】その後、塗布処理を終えた基板Ｗを第１の
加熱処理部１３（ＨＰと表示）に搬送して加熱し（Ｓ
６）、次いで、第１の基板搬送手段７により、加熱処理
後の基板Ｗを第３の冷却処理部１９（ＣＰと表示）に搬
送して冷却し（Ｓ７）、常温程度にまで戻す。
加熱処理部１３（ＨＰと表示）に搬送して加熱し（Ｓ
６）、次いで、第１の基板搬送手段７により、加熱処理
後の基板Ｗを第３の冷却処理部１９（ＣＰと表示）に搬
送して冷却し（Ｓ７）、常温程度にまで戻す。
【００２６】冷却処理後において、第２の基板搬送手段
１８により基板Ｗを第３の冷却処理部１９から取り出
し、エッジ露光処理部１４（ＥＥＷと表示）に基板Ｗを
搬送して基板Ｗの外周縁に対する露光処理を行い（Ｓ
８）、しかる後に、露光ユニット５（ＥＸＰと表示）に
基板Ｗを搬送して基板全面に対する露光を行って（Ｓ
９）から第２の加熱処理部１５ａ（ＨＰと表示）に基板
Ｗを搬送して加熱する（Ｓ１０）。
１８により基板Ｗを第３の冷却処理部１９から取り出
し、エッジ露光処理部１４（ＥＥＷと表示）に基板Ｗを
搬送して基板Ｗの外周縁に対する露光処理を行い（Ｓ
８）、しかる後に、露光ユニット５（ＥＸＰと表示）に
基板Ｗを搬送して基板全面に対する露光を行って（Ｓ
９）から第２の加熱処理部１５ａ（ＨＰと表示）に基板
Ｗを搬送して加熱する（Ｓ１０）。
【００２７】その加熱処理後の基板Ｗを第３の冷却処理
部１９（ＣＰと表示）に搬送して冷却し（Ｓ１１）、常
温程度にまで戻してから現像処理部１７に基板Ｗを搬送
し、現像処理する（Ｓ１２）。
部１９（ＣＰと表示）に搬送して冷却し（Ｓ１１）、常
温程度にまで戻してから現像処理部１７に基板Ｗを搬送
し、現像処理する（Ｓ１２）。
【００２８】現像処理後において、第３の加熱処理部１
５ｂに基板Ｗを搬送して加熱し（Ｓ１３）、しかる後、
加熱処理後の基板Ｗを第２の基板搬送手段１８により取
り出して第３の冷却処理部１９内に一旦搬入し（ＩＦと
表示）（Ｓ１４）、第１の基板搬送手段７にて搬出して
基板受渡し位置Ｐまで搬送する。なお、このステップＳ
１４においては、基板Ｗは第３の冷却処理部１９を通過
するが、冷却処理は行われない。すなわち、第３の冷却
処理部１９には、冷却プレート（図示せず）を貫通した
ピン（図示せず）が昇降可能に設けられ、各基板搬送手
段７，１８の支持アーム２１からこのピンが基板Ｗを受
け取って支持した後、ピンが降下して基板Ｗを冷却プレ
ート上に載置すれば冷却が開始されるのであるが、この
ステップＳ１４においては、第２の基板搬送手段１８か
ら前記ピンに基板Ｗが渡されると、そのピンが降下する
ことなく、第１の基板搬送手段７がピンから基板Ｗを受
け取って搬出する。なお、この実施例ではステップＳ１
４においては冷却処理を行っていないが、ステップＳ１
４において冷却処理を行うようにしてもよい。
５ｂに基板Ｗを搬送して加熱し（Ｓ１３）、しかる後、
加熱処理後の基板Ｗを第２の基板搬送手段１８により取
り出して第３の冷却処理部１９内に一旦搬入し（ＩＦと
表示）（Ｓ１４）、第１の基板搬送手段７にて搬出して
基板受渡し位置Ｐまで搬送する。なお、このステップＳ
１４においては、基板Ｗは第３の冷却処理部１９を通過
するが、冷却処理は行われない。すなわち、第３の冷却
処理部１９には、冷却プレート（図示せず）を貫通した
ピン（図示せず）が昇降可能に設けられ、各基板搬送手
段７，１８の支持アーム２１からこのピンが基板Ｗを受
け取って支持した後、ピンが降下して基板Ｗを冷却プレ
ート上に載置すれば冷却が開始されるのであるが、この
ステップＳ１４においては、第２の基板搬送手段１８か
ら前記ピンに基板Ｗが渡されると、そのピンが降下する
ことなく、第１の基板搬送手段７がピンから基板Ｗを受
け取って搬出する。なお、この実施例ではステップＳ１
４においては冷却処理を行っていないが、ステップＳ１
４において冷却処理を行うようにしてもよい。
【００２９】そして、以上の動作において、各基板搬送
手段７，１８の２本の支持アーム２１，２１は以下のよ
うに機能する。すなわち、例えばステップＳ１において
一方の支持アーム２１に基板Ｗを受け取った第１の基板
搬送手段７は、次いで洗浄処理部９の前に移動する。そ
こで、既に洗浄処理部９において洗浄処理済みの基板Ｗ
を他方の支持アーム２１によって受け取り、空いた洗浄
処理部９に前記一方の支持アーム２１の基板Ｗを搬入す
る（Ｓ２）。そして、第１の基板搬送手段７は疎水化処
理部１０の前に移動し、そこで、既に疎水化処理部１０
において疎水化処理済みの基板を前記一方の支持アーム
２１によって受け取り、空いた疎水化処理部１０に前記
他方の支持アーム２１の洗浄処理済みの基板を搬入する
（Ｓ３）。
手段７，１８の２本の支持アーム２１，２１は以下のよ
うに機能する。すなわち、例えばステップＳ１において
一方の支持アーム２１に基板Ｗを受け取った第１の基板
搬送手段７は、次いで洗浄処理部９の前に移動する。そ
こで、既に洗浄処理部９において洗浄処理済みの基板Ｗ
を他方の支持アーム２１によって受け取り、空いた洗浄
処理部９に前記一方の支持アーム２１の基板Ｗを搬入す
る（Ｓ２）。そして、第１の基板搬送手段７は疎水化処
理部１０の前に移動し、そこで、既に疎水化処理部１０
において疎水化処理済みの基板を前記一方の支持アーム
２１によって受け取り、空いた疎水化処理部１０に前記
他方の支持アーム２１の洗浄処理済みの基板を搬入する
（Ｓ３）。
【００３０】各基板搬送手段７，１８は、このように２
本の支持アーム２１，２１の一方に基板Ｗを持って各処
理部間を移動し、他方の支持アーム２１でその処理部か
ら基板Ｗを受け取って搬出するとともに、一方の支持ア
ーム２１に持っていた基板Ｗをその処理部へ搬入する動
作を繰り返す。この各基板搬送手段７，１８の動きは、
図３のフローの細い矢印のようになり、それぞれが、７
回の移動を１周期として繰り返される。そして、各基板
搬送手段７，１８が各処理部間を移動するたび毎に１枚
の基板Ｗについて、１工程進められることになる。この
基板Ｗの動きは図３のフローの太い矢印のようになる。
なお、図３のフローの箱の中の左側の数字は各処理部の
個数を示す。
本の支持アーム２１，２１の一方に基板Ｗを持って各処
理部間を移動し、他方の支持アーム２１でその処理部か
ら基板Ｗを受け取って搬出するとともに、一方の支持ア
ーム２１に持っていた基板Ｗをその処理部へ搬入する動
作を繰り返す。この各基板搬送手段７，１８の動きは、
図３のフローの細い矢印のようになり、それぞれが、７
回の移動を１周期として繰り返される。そして、各基板
搬送手段７，１８が各処理部間を移動するたび毎に１枚
の基板Ｗについて、１工程進められることになる。この
基板Ｗの動きは図３のフローの太い矢印のようになる。
なお、図３のフローの箱の中の左側の数字は各処理部の
個数を示す。
【００３１】各処理工程における処理時間は、図３に一
例を示すように、様々であり、そのため、設備が極めて
高価である露光ユニット５をフルに稼動させることを考
慮し、例えば露光ユニット５の１枚の基板Ｗに対する必
要処理時間が35秒であるとすると、各処理工程における
処理部の設置個数は、当該処理工程からその処理時間
（35秒）以内に基板Ｗを１枚取り出すことができるよう
に設定されている。例えば、第１の加熱処理部１３で
は、フォトレジスト液の塗布後の基板Ｗの加熱に１枚ご
とで 120秒（プロセス処理時間）、そして、基板Ｗの搬
入・搬出で10秒（受渡処理時間）と合計 130秒（処理所
要時間）必要とする。そのため、第１の加熱処理部１３
を４個備えさせて、第１の基板搬送手段７の１周期毎に
ずらして順に加熱処理することにより、基板Ｗの取り出
し可能な時間を32.5秒（並行処理所要時間）とし、基板
Ｗを35秒以内に取り出せるようにしているのである。他
の基板処理部についても同様である。なお、ここで受渡
処理時間は、基板搬送手段７との受け渡し時間と、前述
したピンの昇降に要する時間との和である。
例を示すように、様々であり、そのため、設備が極めて
高価である露光ユニット５をフルに稼動させることを考
慮し、例えば露光ユニット５の１枚の基板Ｗに対する必
要処理時間が35秒であるとすると、各処理工程における
処理部の設置個数は、当該処理工程からその処理時間
（35秒）以内に基板Ｗを１枚取り出すことができるよう
に設定されている。例えば、第１の加熱処理部１３で
は、フォトレジスト液の塗布後の基板Ｗの加熱に１枚ご
とで 120秒（プロセス処理時間）、そして、基板Ｗの搬
入・搬出で10秒（受渡処理時間）と合計 130秒（処理所
要時間）必要とする。そのため、第１の加熱処理部１３
を４個備えさせて、第１の基板搬送手段７の１周期毎に
ずらして順に加熱処理することにより、基板Ｗの取り出
し可能な時間を32.5秒（並行処理所要時間）とし、基板
Ｗを35秒以内に取り出せるようにしているのである。他
の基板処理部についても同様である。なお、ここで受渡
処理時間は、基板搬送手段７との受け渡し時間と、前述
したピンの昇降に要する時間との和である。
【００３２】また、第３の冷却処理部１９，１９におい
ては、第１の処理ユニット２から第２の処理ユニット３
への受け渡し位置において同時に並行して冷却処理する
ため、第１の処理ユニット２内にステップＳ７に相当す
る冷却処理部を設けた場合と比べて、受け渡し処理のた
めの時間（例えば10秒）が不要になる。更に、第１およ
び第２の処理ユニット２，３それぞれでの工程数（Ｓ１
〜Ｓ７、Ｓ８〜Ｓ１４）をいずれも７工程にでき、搬送
回数を低減でき、各工程ごとの搬送時間（各基板搬送手
段７，１８の１回の移動時間と、処理部との１回の受け
渡し時間との和）が５秒であれば、第１および第２の基
板搬送手段７，１８それぞれの搬送周期を露光ユニット
５での処理時間と同じ35秒にでき、その結果、１個の露
光ユニット５に対して、２個の処理ユニット２，３と１
個のインターフェース４とを備えるだけで基板処理装置
を構成できる。第１の処理ユニット２内にステップＳ７
に相当する冷却処理部を設けた場合は、受け渡しのため
の時間が１回分よけいに必要となり、また、工程数が８
工程となって一方のユニットでの搬送周期が40秒になっ
てしまい、露光ユニット５の処理時間である35秒に達し
ないことになる。その場合、35秒毎に１枚の基板を処理
するためには、１つの基板搬送手段が受け持つ工程数を
減少させるために基板搬送手段の数を増加させる必要が
あり、結果として、ユニット数を増加させなければなら
ず、装置全体が大型化してしまうことになっていた。
ては、第１の処理ユニット２から第２の処理ユニット３
への受け渡し位置において同時に並行して冷却処理する
ため、第１の処理ユニット２内にステップＳ７に相当す
る冷却処理部を設けた場合と比べて、受け渡し処理のた
めの時間（例えば10秒）が不要になる。更に、第１およ
び第２の処理ユニット２，３それぞれでの工程数（Ｓ１
〜Ｓ７、Ｓ８〜Ｓ１４）をいずれも７工程にでき、搬送
回数を低減でき、各工程ごとの搬送時間（各基板搬送手
段７，１８の１回の移動時間と、処理部との１回の受け
渡し時間との和）が５秒であれば、第１および第２の基
板搬送手段７，１８それぞれの搬送周期を露光ユニット
５での処理時間と同じ35秒にでき、その結果、１個の露
光ユニット５に対して、２個の処理ユニット２，３と１
個のインターフェース４とを備えるだけで基板処理装置
を構成できる。第１の処理ユニット２内にステップＳ７
に相当する冷却処理部を設けた場合は、受け渡しのため
の時間が１回分よけいに必要となり、また、工程数が８
工程となって一方のユニットでの搬送周期が40秒になっ
てしまい、露光ユニット５の処理時間である35秒に達し
ないことになる。その場合、35秒毎に１枚の基板を処理
するためには、１つの基板搬送手段が受け持つ工程数を
減少させるために基板搬送手段の数を増加させる必要が
あり、結果として、ユニット数を増加させなければなら
ず、装置全体が大型化してしまうことになっていた。
【００３３】なお、上記実施例では、第１の処理ユニッ
ト２と第２の処理ユニット３との間に、並行処理用の基
板処理部として第３の冷却処理部１９を介在させている
が、本発明としては、例えば、塗布処理部１２や第１お
よび第２の加熱処理部１３，１５や第１および第３の冷
却処理部１１，１９や現像処理部１７など、各種の基板
処理部に代えて実施できる。
ト２と第２の処理ユニット３との間に、並行処理用の基
板処理部として第３の冷却処理部１９を介在させている
が、本発明としては、例えば、塗布処理部１２や第１お
よび第２の加熱処理部１３，１５や第１および第３の冷
却処理部１１，１９や現像処理部１７など、各種の基板
処理部に代えて実施できる。
【００３４】本発明の基板処理装置は、上述のような円
形の基板Ｗに限らず、角形の基板を処理するものにも適
用できる。
形の基板Ｗに限らず、角形の基板を処理するものにも適
用できる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明の基板処理装置によれば、第１の処理ユニットと第２
の処理ユニットとの間の複数の基板処理部で基板を並行
処理し、各基板処理部での基板に対する処理時間が第２
の処理ユニットでの基板に対する処理時間よりも長い場
合でも、複数の基板処理部のうちから、適宜処理の終了
した基板を選択して取り出し、第２の処理ユニットにす
みやかに供給して処理させることができるから、第１の
処理ユニットと第２の処理ユニットとの間での基板の受
け渡しのための専用のインターフェースが不要で装置全
体を小型化できるとともに第２の処理ユニットを無駄無
く稼動して処理効率を向上できるようになった。
明の基板処理装置によれば、第１の処理ユニットと第２
の処理ユニットとの間の複数の基板処理部で基板を並行
処理し、各基板処理部での基板に対する処理時間が第２
の処理ユニットでの基板に対する処理時間よりも長い場
合でも、複数の基板処理部のうちから、適宜処理の終了
した基板を選択して取り出し、第２の処理ユニットにす
みやかに供給して処理させることができるから、第１の
処理ユニットと第２の処理ユニットとの間での基板の受
け渡しのための専用のインターフェースが不要で装置全
体を小型化できるとともに第２の処理ユニットを無駄無
く稼動して処理効率を向上できるようになった。
【００３６】また、請求項２に係る発明の基板処理装置
の構成によれば、第１および第２の処理ユニットそれぞ
れにおいて、第１および第２の処理ユニットの並設方向
に向かう第１および第２の基板搬送手段それぞれの水平
方向の移動経路を間にして、基板処理部どうしを振り分
けて互いに近接して配置するから、基板処理部を一直線
状に並設する場合に比べて装置全体をより一層コンパク
トに構成でき、更に、第１および第２の基板搬送手段そ
れぞれによる基板処理部間での基板の搬送距離を短くで
き、基板搬送に要する時間を短縮しやすくて処理効率を
も一層向上できるようになった。
の構成によれば、第１および第２の処理ユニットそれぞ
れにおいて、第１および第２の処理ユニットの並設方向
に向かう第１および第２の基板搬送手段それぞれの水平
方向の移動経路を間にして、基板処理部どうしを振り分
けて互いに近接して配置するから、基板処理部を一直線
状に並設する場合に比べて装置全体をより一層コンパク
トに構成でき、更に、第１および第２の基板搬送手段そ
れぞれによる基板処理部間での基板の搬送距離を短くで
き、基板搬送に要する時間を短縮しやすくて処理効率を
も一層向上できるようになった。
【図１】本発明に係る基板処理装置の実施例を示す一部
破断斜視図である。
破断斜視図である。
【図２】（ａ）は全体平面図、（ｂ）は全体概略縦断面
図である。
図である。
【図３】処理工程と処理時間との関係を示す図である。
２…第１の処理ユニット ３…第２の処理ユニット ７…第１の基板搬送手段 ９…洗浄処理部 １０…疎水化処理部 １１…第１の冷却処理部 １２…塗布処理部 １３…第１の加熱処理部 １４…エッジ露光処理部 １５ａ…第２の加熱処理部 １５ｂ…第３の加熱処理部 １６…第２の冷却処理部 １７…現像処理部 １８…第２の基板搬送手段 １９…第３の冷却処理部 Ｒ…移動経路 Ｗ…基板
Claims (2)
- 【請求項１】 水平方向に基板を搬送可能な第１の基板
搬送手段を有する第１の処理ユニットと、水平方向に前
記基板を搬送可能な第２の基板搬送手段を有する第２の
処理ユニットとの間に、前記第１および第２の基板搬送
手段の少なくとも一方によって前記基板を搬入するとと
もに他方によって前記基板を搬出する複数の並行処理用
の基板処理部を設けたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の第１の処理ユニットに
おいて、第１の基板搬送手段の第２の処理ユニットとの
並設方向に向かう水平方向の移動経路を挟んだ両側それ
ぞれに基板処理部を有し、かつ、第２の処理ユニットに
おいて、第２の基板搬送手段の前記第１の処理ユニット
との並設方向に向かう水平方向の移動経路を挟んだ両側
それぞれに基板処理部を有するものである基板処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5345150A JPH07171478A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5345150A JPH07171478A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07171478A true JPH07171478A (ja) | 1995-07-11 |
Family
ID=18374623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5345150A Pending JPH07171478A (ja) | 1993-12-20 | 1993-12-20 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07171478A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11145246A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US6168667B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-01-02 | Tokyo Electron Limited | Resist-processing apparatus |
| SG105523A1 (en) * | 2000-12-14 | 2004-08-27 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing system and substrate processing method |
| US6837632B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| US6893171B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-05-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| JP2007305988A (ja) * | 1999-06-23 | 2007-11-22 | Asml Us Inc | ウェーハ処理システムにおけるロボットの事前配置 |
| US7379785B2 (en) | 2002-11-28 | 2008-05-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, coating/developing apparatus, and substrate processing apparatus |
| CN105289923A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-02-03 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 一种晶圆涂胶机和涂胶方法 |
-
1993
- 1993-12-20 JP JP5345150A patent/JPH07171478A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6168667B1 (en) | 1997-05-30 | 2001-01-02 | Tokyo Electron Limited | Resist-processing apparatus |
| SG79977A1 (en) * | 1997-05-30 | 2001-04-17 | Tokyo Electron Ltd | Resist-processing apparatus |
| JPH11145246A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-05-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2007305988A (ja) * | 1999-06-23 | 2007-11-22 | Asml Us Inc | ウェーハ処理システムにおけるロボットの事前配置 |
| SG105523A1 (en) * | 2000-12-14 | 2004-08-27 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing system and substrate processing method |
| US6834210B2 (en) | 2000-12-14 | 2004-12-21 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system and substrate processing method |
| US6893171B2 (en) | 2002-05-01 | 2005-05-17 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| CN100413019C (zh) * | 2002-05-01 | 2008-08-20 | 日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置 |
| US6837632B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-01-04 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| US7379785B2 (en) | 2002-11-28 | 2008-05-27 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, coating/developing apparatus, and substrate processing apparatus |
| KR100935291B1 (ko) * | 2002-11-28 | 2010-01-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 도포 현상 장치 |
| CN105289923A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-02-03 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 一种晶圆涂胶机和涂胶方法 |
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