JP2000239616A - 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置Info
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- JP2000239616A JP2000239616A JP11045662A JP4566299A JP2000239616A JP 2000239616 A JP2000239616 A JP 2000239616A JP 11045662 A JP11045662 A JP 11045662A JP 4566299 A JP4566299 A JP 4566299A JP 2000239616 A JP2000239616 A JP 2000239616A
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- resin paste
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
Landscapes
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂ペースト組成物の支持部材に対するピー
ル強度、特に銅リードフレーム及び有機基板に対するピ
ール強度を向上させ、また、樹脂ペースト組成物を低応
力化することによりチップクラックやチップ反りの発生
を抑制し、さらに、樹脂ペースト組成物を低吸湿化し、
銅リードフレーム及び有機基板を使用した際にもリフロ
ークラックの無い半導体装置を提供する。 【解決手段】 (A)下記一般式(I)で表されるイミ
ド化合物、(B)ラジカル開始剤及び(C)フィラーを
均一に分散させてなる樹脂ペースト組成物並びにこの樹
脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着
した後、封止してなる半導体装置。 【化1】 〔式中、R1は芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基若
しくは脂環式炭化水素基の単独又は任意の組み合わせを
示し、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素又は短鎖
アルキル基を示し、nは1〜20の整数を示す〕
ル強度、特に銅リードフレーム及び有機基板に対するピ
ール強度を向上させ、また、樹脂ペースト組成物を低応
力化することによりチップクラックやチップ反りの発生
を抑制し、さらに、樹脂ペースト組成物を低吸湿化し、
銅リードフレーム及び有機基板を使用した際にもリフロ
ークラックの無い半導体装置を提供する。 【解決手段】 (A)下記一般式(I)で表されるイミ
ド化合物、(B)ラジカル開始剤及び(C)フィラーを
均一に分散させてなる樹脂ペースト組成物並びにこの樹
脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着
した後、封止してなる半導体装置。 【化1】 〔式中、R1は芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基若
しくは脂環式炭化水素基の単独又は任意の組み合わせを
示し、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素又は短鎖
アルキル基を示し、nは1〜20の整数を示す〕
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、IC、LSI等の
半導体素子をリードフレーム、有機基板等の支持部材に
接着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用い
た半導体装置に関する。
半導体素子をリードフレーム、有機基板等の支持部材に
接着するのに好適な樹脂ペースト組成物及びこれを用い
た半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の実装方式は、高密度実装の
点から従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
ているが、マザーボードヘの実装にはマザーボード全体
を赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いら
れ、パッケージが200℃以上の高温に加熱されるた
め、パッケージ内部、特に接着剤層中または封止剤中に
含まれる水分の急激な気化・膨張によりパッケージクラ
ックが発生し、半導体装置の信頼性が低下するという問
題があった。この問題は42アロイリードフレームより
も銅リードフレーム及びガラスエポキシ基板(ガラス繊
維強化エポキシ樹脂からなる基板)、BT基板(シアネ
ートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドから
なるBTレジン使用基板)、ポリイミドテープ又はフィ
ルム等の有機基板において特に深刻である。その理由の
lつとしては、銅リードフレーム及び有機基板に対して
接着剤の接着力が低いことが挙げられる。もうlつとし
ては、銅リードフレーム及び有機基板の方が42アロイ
リードフレームよりも線膨張係数が大きいためにSiチ
ップとの線膨張係数の差が大きくなることで、チップク
ラックやチップ反りが発生するということがある。
点から従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
ているが、マザーボードヘの実装にはマザーボード全体
を赤外線等で加熱するリフローソルダリングが用いら
れ、パッケージが200℃以上の高温に加熱されるた
め、パッケージ内部、特に接着剤層中または封止剤中に
含まれる水分の急激な気化・膨張によりパッケージクラ
ックが発生し、半導体装置の信頼性が低下するという問
題があった。この問題は42アロイリードフレームより
も銅リードフレーム及びガラスエポキシ基板(ガラス繊
維強化エポキシ樹脂からなる基板)、BT基板(シアネ
ートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレイミドから
なるBTレジン使用基板)、ポリイミドテープ又はフィ
ルム等の有機基板において特に深刻である。その理由の
lつとしては、銅リードフレーム及び有機基板に対して
接着剤の接着力が低いことが挙げられる。もうlつとし
ては、銅リードフレーム及び有機基板の方が42アロイ
リードフレームよりも線膨張係数が大きいためにSiチ
ップとの線膨張係数の差が大きくなることで、チップク
ラックやチップ反りが発生するということがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、樹脂ペース
ト組成物の支持部材に対するピール強度、特に銅リード
フレーム及び有機基板に対するピール強度を向上させ、
また、樹脂ペースト組成物を低応力化することによりチ
ップクラックやチップ反りの発生を抑制し、さらに、樹
脂ペースト組成物を低吸湿化することにより接着剤層中
に含まれる水分を低減することにより、前記の従来技術
の欠点を除去し、銅リードフレーム及び有機基板を使用
した際にもリフロークラックの無い半導体装置を提供す
るものである。
ト組成物の支持部材に対するピール強度、特に銅リード
フレーム及び有機基板に対するピール強度を向上させ、
また、樹脂ペースト組成物を低応力化することによりチ
ップクラックやチップ反りの発生を抑制し、さらに、樹
脂ペースト組成物を低吸湿化することにより接着剤層中
に含まれる水分を低減することにより、前記の従来技術
の欠点を除去し、銅リードフレーム及び有機基板を使用
した際にもリフロークラックの無い半導体装置を提供す
るものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)一般式
(I)
(I)
【化2】 〔式中、R1は芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基若
しくは脂環式炭化水素基の単独又は任意の組み合わせを
示し、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素又は短鎖
アルキル基を示し、nは1〜20の整数を示す〕で表さ
れるイミド化合物、(B)ラジカル開始剤及び(C)フ
ィラーを均一に分散させてなる樹脂ペースト組成物並び
にこの樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部
材に接着した後、封止してなる半導体装置に関する。
しくは脂環式炭化水素基の単独又は任意の組み合わせを
示し、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素又は短鎖
アルキル基を示し、nは1〜20の整数を示す〕で表さ
れるイミド化合物、(B)ラジカル開始剤及び(C)フ
ィラーを均一に分散させてなる樹脂ペースト組成物並び
にこの樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部
材に接着した後、封止してなる半導体装置に関する。
【0005】本発明は、さらに、前記の(A)、(B)
及び(C)成分とともに、(D)ダイマージオール及び
その誘導体から選択される1種以上を均一に分散させて
なる樹脂ペースト組成物並びにこの樹脂ペースト組成物
を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止して
なる半導体装置に関する。
及び(C)成分とともに、(D)ダイマージオール及び
その誘導体から選択される1種以上を均一に分散させて
なる樹脂ペースト組成物並びにこの樹脂ペースト組成物
を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、封止して
なる半導体装置に関する。
【0006】本発明は、また、前記の(A)、(B)及
び(C)成分とともに、(E)液状ゴム成分を均一に分
散させてなる樹脂ペースト組成物並びにこの樹脂ペース
ト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、
封止してなる半導体装置に関する。
び(C)成分とともに、(E)液状ゴム成分を均一に分
散させてなる樹脂ペースト組成物並びにこの樹脂ペース
ト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、
封止してなる半導体装置に関する。
【0007】本発明は、さらに、前記の(A)、(B)
及び(C)成分とともに、(D)ダイマージオール及び
その誘導体から選択される1種以上と、(E)液状ゴム
成分を均一に分散させてなる樹脂ペースト組成物並びに
この樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材
に接着した後、封止してなる半導体装置に関する。
及び(C)成分とともに、(D)ダイマージオール及び
その誘導体から選択される1種以上と、(E)液状ゴム
成分を均一に分散させてなる樹脂ペースト組成物並びに
この樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材
に接着した後、封止してなる半導体装置に関する。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂ペースト組成物は、
上記のように、(A)成分として一般式(I)で表され
るイミド化合物を含有する。(A)成分としては、一般
式(I)においてR1を含むイミド基がフタルイミド誘
導基又はマレイミド誘導基であり、R2及びR4が水素で
あり、R3が水素又はメチル基であり、nが1〜20の
整数であるフタルイミド誘導体又はマレイミド誘導体で
あるイミド化合物が好ましく、具体的には、下記の式で
示されるイミドアクリレート(N−アクリロイルオキシ
エチルヘキサヒドロフタルイミド、N−アクリロイルオ
キシエチル−1,2,3,6−テトラヒドロフタルイミ
ド、N−アクリロイルオキシエチル−3,4,5,6−
テトラヒドロフタルイミド又はN−アクリロイルオキシ
エチルマレイミド)が好ましい。
上記のように、(A)成分として一般式(I)で表され
るイミド化合物を含有する。(A)成分としては、一般
式(I)においてR1を含むイミド基がフタルイミド誘
導基又はマレイミド誘導基であり、R2及びR4が水素で
あり、R3が水素又はメチル基であり、nが1〜20の
整数であるフタルイミド誘導体又はマレイミド誘導体で
あるイミド化合物が好ましく、具体的には、下記の式で
示されるイミドアクリレート(N−アクリロイルオキシ
エチルヘキサヒドロフタルイミド、N−アクリロイルオ
キシエチル−1,2,3,6−テトラヒドロフタルイミ
ド、N−アクリロイルオキシエチル−3,4,5,6−
テトラヒドロフタルイミド又はN−アクリロイルオキシ
エチルマレイミド)が好ましい。
【0009】
【化3】
【0010】(A)成分の配合量は、(A)成分、
(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の
総量100重量部に対して4.99〜95重量部とする
のが好ましく、5〜80重量部とするのがより好まし
く、5〜65重量部とするのが特に好ましい。(A)成
分が多すぎると、粘度が小さくなり、塗布作業性に劣る
傾向があり、(A)成分が少なすぎると、粘度が高くな
り、作業性が劣る傾向がある。
(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の
総量100重量部に対して4.99〜95重量部とする
のが好ましく、5〜80重量部とするのがより好まし
く、5〜65重量部とするのが特に好ましい。(A)成
分が多すぎると、粘度が小さくなり、塗布作業性に劣る
傾向があり、(A)成分が少なすぎると、粘度が高くな
り、作業性が劣る傾向がある。
【0011】本発明に用いられる(B)成分のラジカル
開始剤としては、特に制限はないが、ボイド等の点から
過酸化物が好ましく、また、樹脂ぺ一スト組成物の硬化
性及び粘度安定性の点から過酸化物の分解温度が50〜
200℃のものがより好ましい。
開始剤としては、特に制限はないが、ボイド等の点から
過酸化物が好ましく、また、樹脂ぺ一スト組成物の硬化
性及び粘度安定性の点から過酸化物の分解温度が50〜
200℃のものがより好ましい。
【0012】(B)成分の配合量は、(A)成分、
(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の
総量100重量部に対して0.01〜10重量部とする
のが好ましく、0.05〜5重量部とするのがより好ま
しく、0.1〜3重量部とするのが特に好ましい。
(B)成分の配合量が0.01重量部未満では、樹脂ペ
ースト組成物の接着力が著しく低下する。10重量部を
越えると、樹脂ぺースト組成物の粘度安定性が著しく低
下し、また、その接着力が著しく低下する。
(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の
総量100重量部に対して0.01〜10重量部とする
のが好ましく、0.05〜5重量部とするのがより好ま
しく、0.1〜3重量部とするのが特に好ましい。
(B)成分の配合量が0.01重量部未満では、樹脂ペ
ースト組成物の接着力が著しく低下する。10重量部を
越えると、樹脂ぺースト組成物の粘度安定性が著しく低
下し、また、その接着力が著しく低下する。
【0013】上記ラジカル開始剤の過酸化物としては、
メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケ
トンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メ
チルシクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトン
パーオキシド、イソブチルパーオキシド、o−メチルベ
ンゾイルパーオキシド、ビス−3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルパーオキシド、ラウロイルバーオキシド、
ベンゾイルパーオキシド、2,4,4−トリメチルペン
チル−2−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼ
ンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、tert−ブ
チルヒドロパーオキシド、ジクミルパーオキシド、2,
5−ジメチル−2,5−ジ(tert−ブチルパーオキシ)
へキサン、l,3−ビス(tert−ブチルパーオキジイソ
プロピル)ベンゼン、tert−ブチルクミルパーオキシ
ド、ジ−tert−ブチルパーオキシド、2,5−ジメチル
−2,5−ジ(tert−ブチルパーオキシ)へキシン−
3、1,1−ジ−tert−ブチルパーオキシ−3,3,5
−トリメチルシクロヘキサン、l,l‐ジ−tert−ブチ
ルパーオキシシクロヘキサン、2,2−ジ(tert−ブチ
ルパーオキシ)ブタン、4,4−ジ−tert−ブチルパー
オキシバレリック酸−n−ブチルエステル、2,4,4
−トリメチルペンチルパーオキシフェノキシアセトン、
α−クミルパーオキシネオデカノエート、tert−ブチル
パーオキシネオデカノエート、tert−ブチルパーオキシ
−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチルパーオキシ
イソブチレート、ジ−tert−ブチルパーオキシヘキサヒ
ドロテレフタレート、tert−ブチルパーオキシアセテー
ト、tert−ブチルパーオキシベンゾエートなどが好まし
い。
メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケ
トンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、メ
チルシクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトン
パーオキシド、イソブチルパーオキシド、o−メチルベ
ンゾイルパーオキシド、ビス−3,5,5−トリメチル
ヘキサノイルパーオキシド、ラウロイルバーオキシド、
ベンゾイルパーオキシド、2,4,4−トリメチルペン
チル−2−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼ
ンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、tert−ブ
チルヒドロパーオキシド、ジクミルパーオキシド、2,
5−ジメチル−2,5−ジ(tert−ブチルパーオキシ)
へキサン、l,3−ビス(tert−ブチルパーオキジイソ
プロピル)ベンゼン、tert−ブチルクミルパーオキシ
ド、ジ−tert−ブチルパーオキシド、2,5−ジメチル
−2,5−ジ(tert−ブチルパーオキシ)へキシン−
3、1,1−ジ−tert−ブチルパーオキシ−3,3,5
−トリメチルシクロヘキサン、l,l‐ジ−tert−ブチ
ルパーオキシシクロヘキサン、2,2−ジ(tert−ブチ
ルパーオキシ)ブタン、4,4−ジ−tert−ブチルパー
オキシバレリック酸−n−ブチルエステル、2,4,4
−トリメチルペンチルパーオキシフェノキシアセトン、
α−クミルパーオキシネオデカノエート、tert−ブチル
パーオキシネオデカノエート、tert−ブチルパーオキシ
−2−エチルヘキサノエート、tert−ブチルパーオキシ
イソブチレート、ジ−tert−ブチルパーオキシヘキサヒ
ドロテレフタレート、tert−ブチルパーオキシアセテー
ト、tert−ブチルパーオキシベンゾエートなどが好まし
い。
【0014】本発明に(C)成分として用いられるフィ
ラーとしては、特に制限はなく、各種のものが用いられ
るが、例えば、金、銀、銅、マンガン、ニッケル、鉄、
アルミニウム、ステンレス鋼等の金属又は合金、あるい
は酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ア
ルミニウム、ホウ酸アルミニウムなどの粉体が挙げられ
る。さらに、ポリ(ビニリデンフルオライド)等のポリ
マー粒子、導電性成分とポリマー粒子の複合粒子等も用
いることができる。
ラーとしては、特に制限はなく、各種のものが用いられ
るが、例えば、金、銀、銅、マンガン、ニッケル、鉄、
アルミニウム、ステンレス鋼等の金属又は合金、あるい
は酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ア
ルミニウム、ホウ酸アルミニウムなどの粉体が挙げられ
る。さらに、ポリ(ビニリデンフルオライド)等のポリ
マー粒子、導電性成分とポリマー粒子の複合粒子等も用
いることができる。
【0015】フィラーの配合量は、特に限定されない
が、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分
及び(E)成分の総量100重量部に対して4.99〜
95重量部とするのが好ましく、10〜90重量部とす
るのがより好ましく、15〜85重量部とするのが特に
好ましい。この配合量が4.99重量部未満であると、
樹脂ペースト組成物の粘度が著しく低くなり、その使用
時の塗布作業性が悪くなる。また、その接着力が著しく
低下する。95重量部を越えると、樹脂ペースト組成物
の粘度が著しく高くなり、その作製時の作業性及び使用
時の塗布作業性が悪くなる。
が、(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分
及び(E)成分の総量100重量部に対して4.99〜
95重量部とするのが好ましく、10〜90重量部とす
るのがより好ましく、15〜85重量部とするのが特に
好ましい。この配合量が4.99重量部未満であると、
樹脂ペースト組成物の粘度が著しく低くなり、その使用
時の塗布作業性が悪くなる。また、その接着力が著しく
低下する。95重量部を越えると、樹脂ペースト組成物
の粘度が著しく高くなり、その作製時の作業性及び使用
時の塗布作業性が悪くなる。
【0016】本発明の樹脂ペースト組成物は、上記のよ
うに、(A)、(B)及び(C)成分を含有するもので
あるが、これらの成分の他に、(D)成分のダイマージ
オール誘導体を含有していてもよい。ダイマージオール
とは、植物油から得られるオレイン酸、リノール酸等の
炭素数18の不飽和脂肪酸を二量化し、ダイマー酸とし
た後、さらに蒸留精製することにより得られる炭素数3
6の飽和アルキレンジオールである。ダイマージオール
誘導体としては、特に制限はないが、ダイマージアクリ
レート、ダイマージメタクリレート及びダイマージエポ
キシから選択されるl種以上が好ましく、ダイマージメ
タクリレートが特に好ましい。ダイマージオール、ダイ
マージアクリレート、ダイマージメタクリレート及びダ
イマージエポキシは、それぞれ下記の構造式を有するも
のと推定される。
うに、(A)、(B)及び(C)成分を含有するもので
あるが、これらの成分の他に、(D)成分のダイマージ
オール誘導体を含有していてもよい。ダイマージオール
とは、植物油から得られるオレイン酸、リノール酸等の
炭素数18の不飽和脂肪酸を二量化し、ダイマー酸とし
た後、さらに蒸留精製することにより得られる炭素数3
6の飽和アルキレンジオールである。ダイマージオール
誘導体としては、特に制限はないが、ダイマージアクリ
レート、ダイマージメタクリレート及びダイマージエポ
キシから選択されるl種以上が好ましく、ダイマージメ
タクリレートが特に好ましい。ダイマージオール、ダイ
マージアクリレート、ダイマージメタクリレート及びダ
イマージエポキシは、それぞれ下記の構造式を有するも
のと推定される。
【0017】
【化4】
【0018】(D)成分の配合量は、(A)成分、
(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の
総量100重量部に対して0〜50重量部とするのが好
ましく、0.5〜40重量部とするのがより好ましく、
l〜30重量部とするのが特に好ましい。この配合量が
50重量部を越えると、樹脂ぺースト組成物の粘度が高
くなり、その作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が
悪くなる。
(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の
総量100重量部に対して0〜50重量部とするのが好
ましく、0.5〜40重量部とするのがより好ましく、
l〜30重量部とするのが特に好ましい。この配合量が
50重量部を越えると、樹脂ぺースト組成物の粘度が高
くなり、その作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が
悪くなる。
【0019】本発明の樹脂ペースト組成物は、上記の
(A)、(B)及び(C)成分とともに、あるいは
(A)、(B)、(C)成分及び(D)成分とともに、
(E)成分として液状ゴム成分を含有することができ
る。この(E)成分の液状ゴム成分としては、特に制限
はないが、例えば、ポリブタジエン、ポリブタジエン誘
導体、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体及びブタ
ジエン・アクリロニトリル共重合体の誘導体から選択さ
れる1種以上が好ましく、エポキシ基、ビニル基、アク
リル基、メタクリル基、カルボキシル基を持つポリブタ
ジエン誘導体及びブタジエン・アクリロニトリル共重合
体の誘導体から選択されるl種以上がより好ましく、エ
ポキシ当量が10〜1000であり、粘度が1000Pa
・s以下であるエポキシ化ポリブタジエン又はその水素添
加物、粘度が1000Pa・s以下であるアクリル化ポリブ
タジエン又はその水素添加物、粘度が1000Pa・s以下
であるメタクリル化ポリブタジエン又はその水素添加
物、粘度が1000Pa・s以下であるカルボキシル基末端
ブタジエン・アクリロニトリル共重合体から選択される
1種以上が特に好ましい(粘度は、EHD型回転粘度
計、3°コーン、25℃で測定したものである)。
(A)、(B)及び(C)成分とともに、あるいは
(A)、(B)、(C)成分及び(D)成分とともに、
(E)成分として液状ゴム成分を含有することができ
る。この(E)成分の液状ゴム成分としては、特に制限
はないが、例えば、ポリブタジエン、ポリブタジエン誘
導体、ブタジエン・アクリロニトリル共重合体及びブタ
ジエン・アクリロニトリル共重合体の誘導体から選択さ
れる1種以上が好ましく、エポキシ基、ビニル基、アク
リル基、メタクリル基、カルボキシル基を持つポリブタ
ジエン誘導体及びブタジエン・アクリロニトリル共重合
体の誘導体から選択されるl種以上がより好ましく、エ
ポキシ当量が10〜1000であり、粘度が1000Pa
・s以下であるエポキシ化ポリブタジエン又はその水素添
加物、粘度が1000Pa・s以下であるアクリル化ポリブ
タジエン又はその水素添加物、粘度が1000Pa・s以下
であるメタクリル化ポリブタジエン又はその水素添加
物、粘度が1000Pa・s以下であるカルボキシル基末端
ブタジエン・アクリロニトリル共重合体から選択される
1種以上が特に好ましい(粘度は、EHD型回転粘度
計、3°コーン、25℃で測定したものである)。
【0020】(E)成分の配合量は、(A)成分、
(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の
総量100重量部に対して0〜50重量部とするのが好
ましく、0.5〜40重量部とするのがより好ましく、
l〜30重量部とするのが特に好ましい。この配合量が
50重量部を越えると、樹脂ペースト組成物の粘度が著
しく高くなり、その作製時の作業性及び使用時の塗布作
業性が悪くなる。
(B)成分、(C)成分、(D)成分及び(E)成分の
総量100重量部に対して0〜50重量部とするのが好
ましく、0.5〜40重量部とするのがより好ましく、
l〜30重量部とするのが特に好ましい。この配合量が
50重量部を越えると、樹脂ペースト組成物の粘度が著
しく高くなり、その作製時の作業性及び使用時の塗布作
業性が悪くなる。
【0021】本発明の樹脂ペースト組成物の粘度は、5
〜500Pa・sが好ましく、20〜300Pa・sが特に好ま
しい(EHD型回転粘度計で、3°コーン、回転数0.
5rpm、25℃で測定)。粘度が高すぎても低すぎても
その作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が劣る。
〜500Pa・sが好ましく、20〜300Pa・sが特に好ま
しい(EHD型回転粘度計で、3°コーン、回転数0.
5rpm、25℃で測定)。粘度が高すぎても低すぎても
その作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が劣る。
【0022】本発明の樹脂ペースト組成物には、その粘
度が上記のようになるように必要に応じて希釈剤を添加
することができる。希釈剤としては特に制限はないが、
ラジカル反応性官能基を有するモノマーが好ましく、ビ
ニルエーテル誘導体、アクリル酸エステル及びメタクリ
ル酸エステル誘導体、又はスチレン及びスチレン誘導体
等がより好ましい。希釈剤の添加量は、特に限定されな
いが、樹脂ぺースト組成物の総量100重量部に対して
0.5〜50重量部とするのが好ましく、l〜30重量
部とするのがより好ましく、2〜20重量部とするのが
特に好ましい。この添加量が0.5重量部未満である
と、樹脂ペースト組成物の粘度が500Pa・s以上とな
り、その作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が悪く
なる。また、50重量部を越えると、樹脂ぺースト組成
物の粘度が5Pa・s以下となり、その使用時の塗布作業性
が悪くなる。
度が上記のようになるように必要に応じて希釈剤を添加
することができる。希釈剤としては特に制限はないが、
ラジカル反応性官能基を有するモノマーが好ましく、ビ
ニルエーテル誘導体、アクリル酸エステル及びメタクリ
ル酸エステル誘導体、又はスチレン及びスチレン誘導体
等がより好ましい。希釈剤の添加量は、特に限定されな
いが、樹脂ぺースト組成物の総量100重量部に対して
0.5〜50重量部とするのが好ましく、l〜30重量
部とするのがより好ましく、2〜20重量部とするのが
特に好ましい。この添加量が0.5重量部未満である
と、樹脂ペースト組成物の粘度が500Pa・s以上とな
り、その作製時の作業性及び使用時の塗布作業性が悪く
なる。また、50重量部を越えると、樹脂ぺースト組成
物の粘度が5Pa・s以下となり、その使用時の塗布作業性
が悪くなる。
【0023】上記希釈剤のビニルエーテル誘導体として
は、エチルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテ
ル、イソプロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエ
ーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニ
ルエーテル、tert−アミルビニルエーテル、2−エチル
ヘキシルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、オ
タタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエー
テル、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、1,
4−ブタンジオールモノビニルエーテル、1,6−ヘキ
サンジオールジビニルエーテル、1,6−ヘキサンジオ
ールモノビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメ
タノールジビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジ
メタノールモノビニルエーテル、エチレングリコールジ
ビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテ
ル、エチレングリコールブチルビニルエーテル、ジエチ
レングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニ
ルエーテル、トリエチレングリコールメチルビニルエー
テル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ト
リメチロールプロパントリビニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコー
ルメチルビニルエーテル、ポリテトラヒドロフランジビ
ニルエーテル等が好ましい。
は、エチルビニルエーテル、n−プロピルビニルエーテ
ル、イソプロピルビニルエーテル、n−ブチルビニルエ
ーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニ
ルエーテル、tert−アミルビニルエーテル、2−エチル
ヘキシルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、オ
タタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエー
テル、1,4−ブタンジオールジビニルエーテル、1,
4−ブタンジオールモノビニルエーテル、1,6−ヘキ
サンジオールジビニルエーテル、1,6−ヘキサンジオ
ールモノビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメ
タノールジビニルエーテル、1,4−シクロヘキサンジ
メタノールモノビニルエーテル、エチレングリコールジ
ビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテ
ル、エチレングリコールブチルビニルエーテル、ジエチ
レングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニ
ルエーテル、トリエチレングリコールメチルビニルエー
テル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ト
リメチロールプロパントリビニルエーテル、ポリエチレ
ングリコールジビニルエーテル、ポリエチレングリコー
ルメチルビニルエーテル、ポリテトラヒドロフランジビ
ニルエーテル等が好ましい。
【0024】上記希釈剤のアクリル酸エステル及ぴメタ
クリル酸エステル誘導体としては、ラウリルアクリレー
ト、ラウリルメタクリレート、ステアリルアクリレー
ト、ステアリルメタクリレート、2−フェノキシエチル
アクリレート、ジシクロペンテニルメタクレート、2−
(ジシクロペンテニルオキシ)エチルアクリレート、2
−(ジシクロペンテニルオキシ)エチルメタクリレー
ト、1,6−へキサンジオールジアクリレート、トリプ
ロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリ
コールジアクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、2−(2−エトキシエトキシ)エチルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソ
デシルアクリレート、テトラエチレングリコールジアク
リレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、ポリプロピレングリコ
ールモノメタクリレート、トリエチレングリコールジメ
タクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチ
レングリコールジメタクリレート、1,4−ブタンジオ
ールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタク
リレート、1,6−へキサンジオールジメタクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、1,3
−ブチレングリコールジメタクリレート、トリメチロー
ルプロパントリメタクリレート等が好ましい。
クリル酸エステル誘導体としては、ラウリルアクリレー
ト、ラウリルメタクリレート、ステアリルアクリレー
ト、ステアリルメタクリレート、2−フェノキシエチル
アクリレート、ジシクロペンテニルメタクレート、2−
(ジシクロペンテニルオキシ)エチルアクリレート、2
−(ジシクロペンテニルオキシ)エチルメタクリレー
ト、1,6−へキサンジオールジアクリレート、トリプ
ロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリ
コールジアクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、2−(2−エトキシエトキシ)エチルアク
リレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、イソ
デシルアクリレート、テトラエチレングリコールジアク
リレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレー
ト、グリシジルメタクリレート、ポリプロピレングリコ
ールモノメタクリレート、トリエチレングリコールジメ
タクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、
テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチ
レングリコールジメタクリレート、1,4−ブタンジオ
ールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタク
リレート、1,6−へキサンジオールジメタクリレー
ト、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、1,3
−ブチレングリコールジメタクリレート、トリメチロー
ルプロパントリメタクリレート等が好ましい。
【0025】上記希釈剤のスチレン誘導体としては、o
−,m−,p−メチルスチレン、2,4−,2,5−,
2,6−,3,4−,3,5−ジメチルスチレン、2,
4,6−,2,4,5−トリメチルスチレン、ペンタメ
チルスチレン、o−,m−,p−エチルスチレン、2,
5−,3,5−ジエチルスチレン、2,4,5−トリエ
チルスチレン、2,3,4,5−テトラエチルスチレ
ン、ペンタエチルスチレン、o−,m−,p−イソプロ
ピルスチレン、p−n−,m−sec−,p−sec−,m−
tert−,p−tert−ブチルスチレン、p−ヘキシルスチ
レン、p−ヘプチルスチレン、p−オクチルスチレン、
p−ノニルスチレン、p−デシルスチレン、p−ドデシ
ルスチレン、p−テトラデシルスチレン、p−ヘキサデ
シルスチレン、p−オタタデシルスチレン、p−sec−
ブチルスチレン、p−sec−アミルスチレン、p−sec−
ヘキシルスチレン、p−sec−ヘプチルスチレン、p−s
ec−オクチルスチレン、p−sec−ノニルスチレン、p
−sec−デシルスチレン、2,4,5−トリイソプロピ
ルスチレン、2,6−ジメチル−4−tert−ブチルスチ
レン、p−シクロヘキシルスチレン、p−ベンジルスチ
レン、1−ビニル−2−(2−フェニルエチル)ベンゼ
ン等が好ましい。
−,m−,p−メチルスチレン、2,4−,2,5−,
2,6−,3,4−,3,5−ジメチルスチレン、2,
4,6−,2,4,5−トリメチルスチレン、ペンタメ
チルスチレン、o−,m−,p−エチルスチレン、2,
5−,3,5−ジエチルスチレン、2,4,5−トリエ
チルスチレン、2,3,4,5−テトラエチルスチレ
ン、ペンタエチルスチレン、o−,m−,p−イソプロ
ピルスチレン、p−n−,m−sec−,p−sec−,m−
tert−,p−tert−ブチルスチレン、p−ヘキシルスチ
レン、p−ヘプチルスチレン、p−オクチルスチレン、
p−ノニルスチレン、p−デシルスチレン、p−ドデシ
ルスチレン、p−テトラデシルスチレン、p−ヘキサデ
シルスチレン、p−オタタデシルスチレン、p−sec−
ブチルスチレン、p−sec−アミルスチレン、p−sec−
ヘキシルスチレン、p−sec−ヘプチルスチレン、p−s
ec−オクチルスチレン、p−sec−ノニルスチレン、p
−sec−デシルスチレン、2,4,5−トリイソプロピ
ルスチレン、2,6−ジメチル−4−tert−ブチルスチ
レン、p−シクロヘキシルスチレン、p−ベンジルスチ
レン、1−ビニル−2−(2−フェニルエチル)ベンゼ
ン等が好ましい。
【0026】本発明になる樹脂ペースト組成物には、ざ
らに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等
の吸湿剤、シランカップリング剤、チタネートカップリ
ング剤、アルミニウムカップリング剤、ジルコアルミネ
ートカップリング剤等の接着力向上剤、ノニオン系界面
活性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコー
ン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ
剤、重合禁止剤等を適宜添加することができる。
らに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシウム等
の吸湿剤、シランカップリング剤、チタネートカップリ
ング剤、アルミニウムカップリング剤、ジルコアルミネ
ートカップリング剤等の接着力向上剤、ノニオン系界面
活性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコー
ン油等の消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ
剤、重合禁止剤等を適宜添加することができる。
【0027】上記シランカップリング剤としては、ビニ
ルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4
−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、N−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチ
ルジシラザン、N,O−(ビストリメチルシリル)アセ
トアミド、N,N−ビス(トリメチルシリル)ウレア、
N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、
3−4,5−ジヒドロイミダゾールプロピルトリエトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
3−シアノプロピルトリメトキシシラン、メチルトリ
(メタクリロイルオキシエトキシ)シラン、メチルトリ
(グリシジルオキシ)シラン、2−エチルヘキシル−2
−エチルヘキシルホスホネート、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシ
ラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、N,N−
ビス(トリメチルシリル)ウレア、N−トリメチルシリ
ルアセトアミド、ジメチルトリメチルシリルアミン、ジ
エチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミ
ダゾール、N−トリメチルシリルフェニルウレア、トリ
メチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルジイソシ
アネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシ
リルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシア
ンネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシラ
ントリイソシアネート等が好ましい。
ルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4
−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、N−
フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチ
ルジシラザン、N,O−(ビストリメチルシリル)アセ
トアミド、N,N−ビス(トリメチルシリル)ウレア、
N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、
3−4,5−ジヒドロイミダゾールプロピルトリエトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、
3−シアノプロピルトリメトキシシラン、メチルトリ
(メタクリロイルオキシエトキシ)シラン、メチルトリ
(グリシジルオキシ)シラン、2−エチルヘキシル−2
−エチルヘキシルホスホネート、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシ
ラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−
メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、N,N−
ビス(トリメチルシリル)ウレア、N−トリメチルシリ
ルアセトアミド、ジメチルトリメチルシリルアミン、ジ
エチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミ
ダゾール、N−トリメチルシリルフェニルウレア、トリ
メチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルジイソシ
アネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシ
リルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシア
ンネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシラ
ントリイソシアネート等が好ましい。
【0028】上記チタネートカップリング剤としては、
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルト
リドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピ
ルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピ
ルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプ
ロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルト
リス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、テ
トライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタ
ネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイ
ト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチ
ル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチ
タネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネー
ト、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセ
テートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネ
ート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレン
チタネート、ジイソプロポキシビス(2,4−ペンタジ
オネート)チタニウム(IV)、ジイソプロピルビストリ
エタノールアミノチタネート、チタニウムラクテート、
アセトアセティックエステルチタネート、ジ−i−プロ
ポキシビス(アセチルアセトナト)チタン、ジ−n−ブ
トキシビス(トリエタノールアミナト)チタン、ジヒド
ロキシビス(ラクタト)チタン、チタニウム−i−プロ
ポキシオクチレングリコレート、チタニウムステアレー
ト、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、チタ
ンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールア
ミネート等が好ましい。
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルト
リドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピ
ルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピ
ルトリ(ジオクチルホスフェート)チタネート、イソプ
ロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルト
リス(ジオクチルパイロホスフェート)チタネート、テ
トライソプロピルビス(ジオクチルホスファイト)チタ
ネート、テトラオクチルビス(ジトリデシルホスファイ
ト)チタネート、テトラ(2,2−ジアリルオキシメチ
ル−1−ブチル)ビス(ジトリデシル)ホスファイトチ
タネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネー
ト、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)オキシアセ
テートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネ
ート、ビス(ジオクチルパイロホスフェート)エチレン
チタネート、ジイソプロポキシビス(2,4−ペンタジ
オネート)チタニウム(IV)、ジイソプロピルビストリ
エタノールアミノチタネート、チタニウムラクテート、
アセトアセティックエステルチタネート、ジ−i−プロ
ポキシビス(アセチルアセトナト)チタン、ジ−n−ブ
トキシビス(トリエタノールアミナト)チタン、ジヒド
ロキシビス(ラクタト)チタン、チタニウム−i−プロ
ポキシオクチレングリコレート、チタニウムステアレー
ト、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、チタ
ンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールア
ミネート等が好ましい。
【0029】カップリング剤の添加量は、特に制限され
ないが、樹脂ペースト組成物の総量100重量部に対し
て0.01〜50重量部とするのが好ましく、0.05
〜20重量部とするのがより好ましく、0.1〜10重
量部とするのが特に好ましい。この添加量が0.01重
量部未満であると、樹脂ペースト組成物の接着力が著し
く低下し、50重量部を超えると、樹脂ペースト組成物
の粘度が著しく低下する。
ないが、樹脂ペースト組成物の総量100重量部に対し
て0.01〜50重量部とするのが好ましく、0.05
〜20重量部とするのがより好ましく、0.1〜10重
量部とするのが特に好ましい。この添加量が0.01重
量部未満であると、樹脂ペースト組成物の接着力が著し
く低下し、50重量部を超えると、樹脂ペースト組成物
の粘度が著しく低下する。
【0030】上記重合禁止剤としては、例えば、キノン
類、ヒドロキノン、ニトロ・ニトロソ化合物、アミン
類、ポリオキシ化合物、p−tert−ブチルカテコール、
ピクリン酸、ジチオベンゾイルジスルフィド等の含硫黄
化合物、塩化第二銅、ジフェニルピクリルヒドラジル、
トリ−p−ニトロフェニルメチル、トリフェニルフェル
ダジル、N−(3−N−オキシアニリノ−1,3−ジメ
チルブチリデン)アニリンオキシド等が好ましい。重合
禁止剤の添加量は、特に制限されないが、樹脂ペースト
組成物の総量100重量部に対して50重量部以下とす
るのが好ましく、10重量部以下とするのがより好まし
く、1重量部以下とするのが特に好ましい。この添加量
が50重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の接着力
が著しく低下する。
類、ヒドロキノン、ニトロ・ニトロソ化合物、アミン
類、ポリオキシ化合物、p−tert−ブチルカテコール、
ピクリン酸、ジチオベンゾイルジスルフィド等の含硫黄
化合物、塩化第二銅、ジフェニルピクリルヒドラジル、
トリ−p−ニトロフェニルメチル、トリフェニルフェル
ダジル、N−(3−N−オキシアニリノ−1,3−ジメ
チルブチリデン)アニリンオキシド等が好ましい。重合
禁止剤の添加量は、特に制限されないが、樹脂ペースト
組成物の総量100重量部に対して50重量部以下とす
るのが好ましく、10重量部以下とするのがより好まし
く、1重量部以下とするのが特に好ましい。この添加量
が50重量部を超えると、樹脂ペースト組成物の接着力
が著しく低下する。
【0031】本発明の樹脂ぺースト組成物を製造するに
は、(A)一般式(I)で表されるイミド化合物、
(B)ラジカル開始剤及び(C)フィラーを、必要に応
じて用いられる(D)ダイマージオール及びその誘導体
から選択される一種以上、(E)液状ゴム成分、希釈剤
及び各種添加剤とともに、一括又は分割して攪拌器、ら
いかい器、3本ロール、プラネタリーミキサー等の分散
・溶解装置又はこれらを適宜組み合わせた装置に投入
し、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練又は分
散して均一なペースト状とすればよい。
は、(A)一般式(I)で表されるイミド化合物、
(B)ラジカル開始剤及び(C)フィラーを、必要に応
じて用いられる(D)ダイマージオール及びその誘導体
から選択される一種以上、(E)液状ゴム成分、希釈剤
及び各種添加剤とともに、一括又は分割して攪拌器、ら
いかい器、3本ロール、プラネタリーミキサー等の分散
・溶解装置又はこれらを適宜組み合わせた装置に投入
し、必要に応じて加熱して混合、溶解、解粒混練又は分
散して均一なペースト状とすればよい。
【0032】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ぺースト組成物を用いて半導体素子と支
持部材とを接着した後、封止することにより半導体装置
とすることができる。本発明の樹脂ペースト組成物を用
いて半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板
(ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板)、BT基
板(シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレ
イミドからなるBTレジン使用基板)、ポリイミドテー
プ又はフィルム等の有機基板、その他の支持部材に接着
させるには、まず支持部材上に樹脂ぺースト組成物をデ
ィスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法など
により塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブ
ン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化する
ことにより行うことができる。さらに、必要に応じてワ
イヤボンド工程、封止工程等を経ることにより完成され
た半導体装置とすることができる。
て製造した樹脂ぺースト組成物を用いて半導体素子と支
持部材とを接着した後、封止することにより半導体装置
とすることができる。本発明の樹脂ペースト組成物を用
いて半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板
(ガラス繊維強化エポキシ樹脂からなる基板)、BT基
板(シアネートモノマー及びそのオリゴマーとビスマレ
イミドからなるBTレジン使用基板)、ポリイミドテー
プ又はフィルム等の有機基板、その他の支持部材に接着
させるには、まず支持部材上に樹脂ぺースト組成物をデ
ィスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法など
により塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブ
ン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化する
ことにより行うことができる。さらに、必要に応じてワ
イヤボンド工程、封止工程等を経ることにより完成され
た半導体装置とすることができる。
【0033】
【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。な
お、以下の実施例及び比較例で用いた材料は、下記の方
法で作製したもの、あるいは入手したものである。
が、本発明はこれによって制限されるものではない。な
お、以下の実施例及び比較例で用いた材料は、下記の方
法で作製したもの、あるいは入手したものである。
【0034】(1)エポキシ樹脂の調製 YDF−170(東都化成(株)製のビスフェノールF型
エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量=170)7.5
重量部及びYL−980(油化シェルエポキシ(株)製ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量
=185)7.5重量部を80℃に加熱し、1時間攪拌
を続け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。 (2)硬化剤の調製 H−1(明和化成(株)製フェノールノボラック樹脂の商
品名、水酸基当量=106)1.0重量部及び希釈剤と
してPP−101(東都化成(株)製アルキルフェニルグ
リシジルエーテルの商品名、エポキシ当量=230)
2.0重量部を100℃に加熱し、1時間攪拌を続け、
均一なフェノール樹脂溶液を得た。 (3)硬化促進剤 2P4MHZ(四国化成(株)製の2−フエニル−4−メ
チル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールの商品名)で
ある。
エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量=170)7.5
重量部及びYL−980(油化シェルエポキシ(株)製ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂の商品名、エポキシ当量
=185)7.5重量部を80℃に加熱し、1時間攪拌
を続け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。 (2)硬化剤の調製 H−1(明和化成(株)製フェノールノボラック樹脂の商
品名、水酸基当量=106)1.0重量部及び希釈剤と
してPP−101(東都化成(株)製アルキルフェニルグ
リシジルエーテルの商品名、エポキシ当量=230)
2.0重量部を100℃に加熱し、1時間攪拌を続け、
均一なフェノール樹脂溶液を得た。 (3)硬化促進剤 2P4MHZ(四国化成(株)製の2−フエニル−4−メ
チル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールの商品名)で
ある。
【0035】(4)フィラー TCG−1(徳力化学研究所(株)製、銀粉の商品名)で
ある。 (5)イミド化合物 Aronix TO−1429(東亜合成(株)製のN−
アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタルイミドの
商品名)である。 (6)ラジカル開始剤 トリゴノックス22−B75(化薬アクゾ(株)製の1,
1−ジ−tert−ブチルパーオキシシクロヘキサンの商品
名)
ある。 (5)イミド化合物 Aronix TO−1429(東亜合成(株)製のN−
アクリロイルオキシエチルヘキサヒドロフタルイミドの
商品名)である。 (6)ラジカル開始剤 トリゴノックス22−B75(化薬アクゾ(株)製の1,
1−ジ−tert−ブチルパーオキシシクロヘキサンの商品
名)
【0036】(7)ダイマージオール誘導体 DDMM24〔東亜合成(株)製のダイマージメタクリレ
ート(ダイマージオールの両末端ジメタクリレート)の
商品名〕である。 (8)液状ゴム成分 エポリードPB−4700(ダイセル化学工業(株)製の
エポキシ化ポリブタジエンの商品名、エポキシ当量=1
50〜200)である。 (9)添加剤(シランカップリング剤) A−174(日本ユニカー(株)製の3−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシランの商品名)である。
ート(ダイマージオールの両末端ジメタクリレート)の
商品名〕である。 (8)液状ゴム成分 エポリードPB−4700(ダイセル化学工業(株)製の
エポキシ化ポリブタジエンの商品名、エポキシ当量=1
50〜200)である。 (9)添加剤(シランカップリング剤) A−174(日本ユニカー(株)製の3−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシランの商品名)である。
【0037】実施例1〜4及び比較例1〜2 表1に示す配合割合で各成分を混合し、3本ロールを用
いて混練した後、5トル(Torr)以下で10分間脱泡処
理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。この樹脂ペース
ト組成物の特性(粘度、ピール強度、チップ反り及び耐
半田リフロー性)を下記の方法で測定し、結果を表1に
示す。
いて混練した後、5トル(Torr)以下で10分間脱泡処
理を行い、樹脂ペースト組成物を得た。この樹脂ペース
ト組成物の特性(粘度、ピール強度、チップ反り及び耐
半田リフロー性)を下記の方法で測定し、結果を表1に
示す。
【0038】 粘度 EHD型回転粘度計(東京計器株式会社製)で、3°コ
ーンをを用いて25℃における粘度(Pa・s)を測定し
た。 ピール強度 実施例及び比較例により得た樹脂ペースト組成物を銅リ
ードフレーム及びガラスエポキシ基板上に約3.2mg塗
布し、この上に8mm×8mmのSiチップ(厚さ約0.4
mm)を圧着し、さらにオーブンで150℃まで30分で
昇温し、150℃で1時間硬化させた。この試料につい
て自動接着力試験装置(日立化成工業(株)製)を用いて
240℃における引き剥がし強さ(N/64mm2)を測
定した。 チップ反り 実施例及び比較例により得た樹脂ペースト組成物を銅リ
ードフレーム及びガラスエポキシ基板上に約3.2mg塗
布し、この上に5mm×13mmのSiチップ(厚さ約0.
4mm)を圧着し、さらにオーブンで150℃まで30分
で昇温し、150℃で1時間硬化させた。この試料につ
いて表面粗さ計(Sloan社製、Dektuk3030)を用
い、チップ反り(μm)を測定した。
ーンをを用いて25℃における粘度(Pa・s)を測定し
た。 ピール強度 実施例及び比較例により得た樹脂ペースト組成物を銅リ
ードフレーム及びガラスエポキシ基板上に約3.2mg塗
布し、この上に8mm×8mmのSiチップ(厚さ約0.4
mm)を圧着し、さらにオーブンで150℃まで30分で
昇温し、150℃で1時間硬化させた。この試料につい
て自動接着力試験装置(日立化成工業(株)製)を用いて
240℃における引き剥がし強さ(N/64mm2)を測
定した。 チップ反り 実施例及び比較例により得た樹脂ペースト組成物を銅リ
ードフレーム及びガラスエポキシ基板上に約3.2mg塗
布し、この上に5mm×13mmのSiチップ(厚さ約0.
4mm)を圧着し、さらにオーブンで150℃まで30分
で昇温し、150℃で1時間硬化させた。この試料につ
いて表面粗さ計(Sloan社製、Dektuk3030)を用
い、チップ反り(μm)を測定した。
【0039】 耐リフロー性 上記実施例及び比較例により得た樹脂ペースト組成物を
用い、下記リードフレーム及びガラスエポキシ基板とS
iチップを、下記の硬化条件により硬化し、接着した。
その後、日立化成工業(株)製エポキシ封止材(商品名C
EL−9200)により封止し、半田リフロー試験用パ
ッケージを得た。同じ試験用パッケージを5個作製し
た。各パッケージを温度及び湿度がそれぞれ85℃及び
60%の条件に設定された恒温恒湿槽中に168時間放
置し、吸湿させた。その後、240℃/10秒のリフロ
ー条件で半田リフローを行い、パッケージの外部クラッ
クの発生数を顕微鏡(倍率15倍)で、また、パッケー
ジの内部クラックの発生数を超音波顕微鏡で観察した。
5個のサンプルについてクラックの発生したサンプル数
を示す。 支持部材:銅リードフレーム チップサイズ:8mm×10mm(厚さ0.4mm) パッケージ:QFP、14mm×20mm×2mm 硬化時間:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化 支持部材:ガラスエポキシ基板 チップサイズ:10mm×10mm(厚さ0.4mm) パッケージ:OMPAC型BGA、24mm×24mm×
1.5mm 硬化時間:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化
用い、下記リードフレーム及びガラスエポキシ基板とS
iチップを、下記の硬化条件により硬化し、接着した。
その後、日立化成工業(株)製エポキシ封止材(商品名C
EL−9200)により封止し、半田リフロー試験用パ
ッケージを得た。同じ試験用パッケージを5個作製し
た。各パッケージを温度及び湿度がそれぞれ85℃及び
60%の条件に設定された恒温恒湿槽中に168時間放
置し、吸湿させた。その後、240℃/10秒のリフロ
ー条件で半田リフローを行い、パッケージの外部クラッ
クの発生数を顕微鏡(倍率15倍)で、また、パッケー
ジの内部クラックの発生数を超音波顕微鏡で観察した。
5個のサンプルについてクラックの発生したサンプル数
を示す。 支持部材:銅リードフレーム チップサイズ:8mm×10mm(厚さ0.4mm) パッケージ:QFP、14mm×20mm×2mm 硬化時間:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化 支持部材:ガラスエポキシ基板 チップサイズ:10mm×10mm(厚さ0.4mm) パッケージ:OMPAC型BGA、24mm×24mm×
1.5mm 硬化時間:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化
【0040】
【表1】
【0041】表1の結果から、本発明の樹脂ペースト組
成物(実施例1〜4)は、エポキシ樹脂を用いた従来の
樹脂ペースト組成物(比較例1及び2)に比較してピー
ル強度、チップ反りで良好な値を示し、耐半田リフロー
性においても優れていることが分かる。このことから、
本発明の樹脂ペースト組成物を用いれば、パッケージク
ラックの発生が抑制され、銅リードフレーム及び有機基
板を使用した際にも信頼性の高いパッケージが得られる
ことが確認された。
成物(実施例1〜4)は、エポキシ樹脂を用いた従来の
樹脂ペースト組成物(比較例1及び2)に比較してピー
ル強度、チップ反りで良好な値を示し、耐半田リフロー
性においても優れていることが分かる。このことから、
本発明の樹脂ペースト組成物を用いれば、パッケージク
ラックの発生が抑制され、銅リードフレーム及び有機基
板を使用した際にも信頼性の高いパッケージが得られる
ことが確認された。
【0042】
【発明の効果】本発明の樹脂ペースト組成物は、半導体
装置のダイボンディング材として使用した場合に、銅リ
ードフレーム及び有機基板を使用した際にも、チップク
ラックやチップ反り及び半田リフロー時のペースト層の
剥離を抑えることができ、リフロークラックの発生を低
減させることができる。その結果、信頼性の高い半導体
装置を提供することができる。
装置のダイボンディング材として使用した場合に、銅リ
ードフレーム及び有機基板を使用した際にも、チップク
ラックやチップ反り及び半田リフロー時のペースト層の
剥離を抑えることができ、リフロークラックの発生を低
減させることができる。その結果、信頼性の高い半導体
装置を提供することができる。
フロントページの続き Fターム(参考) 4J040 CA051 CA052 CA071 CA072 DC092 EC031 EC032 EC041 EC042 EC211 EC212 FA141 FA142 FA151 FA152 FA171 FA172 FA221 FA222 GA07 GA11 GA22 HA066 HA076 HA136 HA206 HA306 HA326 HB10 HB41 JA05 KA03 KA12 KA32 KA42 LA01 LA06 LA08 MA02 MA10 NA20 5F047 AA11 BA23 BA34 BB11 BB16
Claims (17)
- 【請求項1】 (A)一般式(I) 【化1】 〔式中、R1は芳香族炭化水素基、脂肪族炭化水素基若
しくは脂環式炭化水素基の単独又は任意の組み合わせを
示し、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素又は短鎖
アルキル基を示し、nは1〜20の整数を示す〕で表さ
れるイミド化合物、(B)ラジカル開始剤及び(C)フ
ィラーを均一に分散させてなる樹脂ペースト組成物。 - 【請求項2】 (A)成分が、一般式(I)においてR
1を含むイミド基がフタルイミド誘導基又はマレイミド
誘導基であり、R2及びR4が水素であり、R3が水素又
はメチル基であり、nが1〜20の整数であるフタルイ
ミド誘導体又はマレイミド誘導体である請求項1記載の
樹脂ペースト組成物。 - 【請求項3】 (A)成分がN−アクリロイルオキシエ
チルヘキサヒドロフタルイミド、N−アクリロイルオキ
シエチル−1,2,3,6−テトラヒドロフタルイミ
ド、N−アクリロイルオキシエチル−3,4,5,6−
テトラヒドロフタルイミド又はN−アクリロイルオキシ
エチルマレイミドである請求項1記載の樹脂ペースト組
成物。 - 【請求項4】 (A)、(B)及び(C)成分ととも
に、(D)ダイマージオール及びその誘導体から選択さ
れる1種以上を均一に分散させてなる請求項1記載の樹
脂ペースト組成物。 - 【請求項5】 (D)成分がダイマージアクリレート、
ダイマージメタクリレート及びダイマージエポキシから
選択される1種以上である請求項4記載の樹脂ペースト
組成物。 - 【請求項6】 (A)、(B)及び(C)成分ととも
に、(E)液状ゴム成分を均一に分散させてなる請求項
1記載の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項7】 (E)成分がポリブタジエン、ポリブタ
ジエン誘導体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体
及びブタジエン−アクリロニトリル共重合体の誘導体か
ら選択される1種以上である請求項6記載の樹脂ペース
ト組成物。 - 【請求項8】 (E)成分がエポキシ化ポリブタジエン
及びその水素添加物、アクリル化ポリブタジエン及びそ
の水素添加物、メタクリル化ポリブタジエン及びその水
素添加物、カルボキシル基末端ブタジエン−アクリロニ
トリル共重合体から選択される1種以上である請求項6
記載の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項9】 (A)、(B)及び(C)成分ととも
に、(D)ダイマージオール及びその誘導体から選択さ
れる1種以上と、(E)液状ゴム成分とを均一に分散さ
せてなる請求項1記載の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項10】 (D)成分がダイマージアクリレー
ト、ダイマージメタクリレート及びダイマージエポキシ
から選択される1種以上である請求項9記載の樹脂ペー
スト組成物。 - 【請求項11】 (E)成分がポリブタジエン、ポリブ
タジエン誘導体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合
体及びブタジエン−アクリロニトリル共重合体の誘導体
から選択される1種以上である請求項9記載の樹脂ペー
スト組成物。 - 【請求項12】 (E)成分がエポキシ化ポリブタジエ
ン及びその水素添加物、アクリル化ポリブタジエン及び
その水素添加物、メタクリル化ポリブタジエン及びその
水素添加物、カルボキシル基末端ブタジエン−アクリロ
ニトリル共重合体から選択される1種以上である請求項
9記載の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項13】 (D)成分がダイマージアクリレー
ト、ダイマージメタクリレート及びダイマージエポキシ
から選択される1種以上であり、(E)成分がポリブタ
ジエン、ポリブタジエン誘導体、ブタジエン−アクリロ
ニトリル共重合体及びブタジエン−アクリロニトリル共
重合体の誘導体から選択される1種以上である請求項9
記載の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項14】 (D)成分がダイマージアクリレー
ト、ダイマージメタクリレート及びダイマージエポキシ
から選択される1種以上であり、(E)成分がエポキシ
化ポリブタジエン及びその水素添加物、アクリル化ポリ
ブタジエン及びその水素添加物、メタクリル化ポリブタ
ジエン及びその水素添加物、カルボキシル基末端ブタジ
エン−アクリロニトリル共重合体から選択される1種以
上である請求項9記載の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項15】 (A)成分が、一般式(I)において
R1を含むイミド基がフタルイミド誘導基又はマレイミ
ド誘導基であり、R2及びR4が水素であり、R3が水素
又はメチル基であり、nが1〜20の整数であるフタル
イミド誘導体又はマレイミド誘導体である請求項4、
5、6、7、8、9、10、11、12、13又は14
記載の樹脂ペースト組成物。 - 【請求項16】 (A)成分がN−アクリロイルオキシ
エチルヘキサヒドロフタルイミド、N−アクリロイルオ
キシエチル−1,2,3,6−テトラヒドロフタルイミ
ド、N−アクリロイルオキシエチル−3,4,5,6−
テトラヒドロフタルイミド又はN−アクリロイルオキシ
エチルマレイミドである請求項4、5、6、7、8、
9、10、11、12、13又は14記載の樹脂ペース
ト組成物。 - 【請求項17】 請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9、10、11、12、13又は14記載の樹脂ペ
ースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した
後、封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045662A JP2000239616A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045662A JP2000239616A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000239616A true JP2000239616A (ja) | 2000-09-05 |
Family
ID=12725600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11045662A Pending JP2000239616A (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000239616A (ja) |
Cited By (11)
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| WO2008123383A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-16 | Tohto Kasei Co., Ltd. | 新規エポキシ樹脂、それを含有するエポキシ樹脂組成物及びその硬化物 |
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| KR20210143812A (ko) | 2019-03-20 | 2021-11-29 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 열전도성 조성물 및 반도체 장치 |
| KR20220058923A (ko) | 2019-09-05 | 2022-05-10 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 열전도성 조성물 및 반도체 장치 |
| KR20230108331A (ko) | 2020-11-25 | 2023-07-18 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 은 함유 페이스트 및 접합체 |
| KR20240133997A (ko) | 2022-01-07 | 2024-09-05 | 스미또모 베이크라이트 가부시키가이샤 | 페이스트상 수지 조성물, 고열전도성 재료, 및 반도체 장치 |
-
1999
- 1999-02-24 JP JP11045662A patent/JP2000239616A/ja active Pending
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