JP2002012603A - 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JP2002012603A JP2002012603A JP2000196415A JP2000196415A JP2002012603A JP 2002012603 A JP2002012603 A JP 2002012603A JP 2000196415 A JP2000196415 A JP 2000196415A JP 2000196415 A JP2000196415 A JP 2000196415A JP 2002012603 A JP2002012603 A JP 2002012603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste composition
- conductive resin
- methacrylate
- resin paste
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Graft Or Block Polymers (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂と導電性フィラーの分離を抑制し、吐出
のバラツキが少ない導電性樹脂ペースト組成物を提供す
る。また、この導電性樹脂ペースト組成物を用いた半導
体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤及び
（Ｃ）カーボンビーズ表面に銀メッキをした導電性フィ
ラーを含有してなる導電性樹脂ペースト組成物、並び
に、この導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子
を支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置。
のバラツキが少ない導電性樹脂ペースト組成物を提供す
る。また、この導電性樹脂ペースト組成物を用いた半導
体装置を提供する。 【解決手段】 （Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤及び
（Ｃ）カーボンビーズ表面に銀メッキをした導電性フィ
ラーを含有してなる導電性樹脂ペースト組成物、並び
に、この導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子
を支持部材に接着した後、封止してなる半導体装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板等に
接着するのに好適な導電性樹脂ペースト組成物及びこれ
を用いた半導体装置に関する。
半導体素子をリードフレーム、ガラスエポキシ基板等に
接着するのに好適な導電性樹脂ペースト組成物及びこれ
を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置を製造する際の半導体
素子とリードフレーム（支持部材）の接合方法として、
（１）金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤として
用いる方法、（２）エポキシ樹脂等の有機材料に銀粉等
を分散させてペースト状態とし、これを接着剤として用
いる方法などがある。しかしながら、前者の方法ではコ
ストが高く、３５０℃から４００℃程度の高い熱処理が
必要であり、また接着剤が硬く、熱応力によってチップ
の破壊が起こるため、最近では銀粉を含んだ銀ペースト
を用いる後者の方が主流となっている。
素子とリードフレーム（支持部材）の接合方法として、
（１）金−シリコン共晶体等の無機材料を接着剤として
用いる方法、（２）エポキシ樹脂等の有機材料に銀粉等
を分散させてペースト状態とし、これを接着剤として用
いる方法などがある。しかしながら、前者の方法ではコ
ストが高く、３５０℃から４００℃程度の高い熱処理が
必要であり、また接着剤が硬く、熱応力によってチップ
の破壊が起こるため、最近では銀粉を含んだ銀ペースト
を用いる後者の方が主流となっている。
【０００３】しかしながら、この方法では、導電性のた
めに必要な銀粉等の導電性フィラー比重がエポキシ樹脂
等の有機材料に比べ重いため、樹脂と銀粉等の導電性フ
ィラーの分離が生じて、ペーストの吐出量が大きくバラ
ツク問題があった。
めに必要な銀粉等の導電性フィラー比重がエポキシ樹脂
等の有機材料に比べ重いため、樹脂と銀粉等の導電性フ
ィラーの分離が生じて、ペーストの吐出量が大きくバラ
ツク問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、樹脂と導電
性フィラーの分離を抑制し、吐出のバラツキが少ない導
電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置を
提供することを目的とする。
性フィラーの分離を抑制し、吐出のバラツキが少ない導
電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）アクリ
ル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、
（Ｂ）ラジカル開始剤、（Ｃ）カーボンビーズ表面に銀
メッキをした導電性フィラーを含有してなる導電性樹脂
ペースト組成物を提供するものである。
ル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物、
（Ｂ）ラジカル開始剤、（Ｃ）カーボンビーズ表面に銀
メッキをした導電性フィラーを含有してなる導電性樹脂
ペースト組成物を提供するものである。
【０００６】また、本発明は、上記の導電性樹脂ペース
ト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、
封止してなる半導体装置を提供するものである。
ト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接着した後、
封止してなる半導体装置を提供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる（Ａ）成分の
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化
合物としては、１分子中に１個以上のアクリロイル基又
はメタクリロイル基を含有するアクリル酸エステル化合
物又はメタクリル酸エステル化合物であれば、特に制限
なく使用することができる。例えば、下記の一般式
（Ｉ）〜（Ｘ）で表わされる化合物が使用できる。
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化
合物としては、１分子中に１個以上のアクリロイル基又
はメタクリロイル基を含有するアクリル酸エステル化合
物又はメタクリル酸エステル化合物であれば、特に制限
なく使用することができる。例えば、下記の一般式
（Ｉ）〜（Ｘ）で表わされる化合物が使用できる。
【０００８】
【化１】 〔式中、Ｒ1は水素又はメチル基を表し、Ｒ2は炭素数１
〜１００、好ましくは炭素数１〜３６の２価の脂肪族又
は環状構造を持つ脂肪族炭化水素基を表す〕で示される
化合物。
〜１００、好ましくは炭素数１〜３６の２価の脂肪族又
は環状構造を持つ脂肪族炭化水素基を表す〕で示される
化合物。
【０００９】一般式（Ｉ）で示される化合物としては、
メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルア
クリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルア
クリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアク
リレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレー
ト、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オ
クチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレー
ト、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデ
シルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシル
アクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリル
アクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘ
キシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリ
シクロ［５．２．１．０2,6］デシルアクリレート、２
−（トリシクロ）［５．２．１．０2,6］デカ−３−エ
ン−８又は９−イルオキシエチルアクリレート等のアク
リレート化合物、メチルメタクリレート、エチルメタク
リレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメ
タクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、アミルメタ
クリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシルメタ
クリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメタク
リレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ノニル
メタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメ
タクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシルメ
タクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステアリ
ルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレ
ート、トリシクロ ［５．２．１．０2,6］デシルメタ
クリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．
０2,6］デカ−３−エン−８又は９−イルオキシエチル
メタクリレート等のメタクリレート化合物がある。 （２）一般式（ＩＩ）
メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピルア
クリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルア
クリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアク
リレート、アミルアクリレート、イソアミルアクリレー
ト、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリレート、オ
クチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレー
ト、ノニルアクリレート、デシルアクリレート、イソデ
シルアクリレート、ラウリルアクリレート、トリデシル
アクリレート、ヘキサデシルアクリレート、ステアリル
アクリレート、イソステアリルアクリレート、シクロヘ
キシルアクリレート、イソボルニルアクリレート、トリ
シクロ［５．２．１．０2,6］デシルアクリレート、２
−（トリシクロ）［５．２．１．０2,6］デカ−３−エ
ン−８又は９−イルオキシエチルアクリレート等のアク
リレート化合物、メチルメタクリレート、エチルメタク
リレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソブチルメ
タクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、アミルメタ
クリレート、イソアミルメタクリレート、ヘキシルメタ
クリレート、ヘプチルメタクリレート、オクチルメタク
リレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、ノニル
メタクリレート、デシルメタクリレート、イソデシルメ
タクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシルメ
タクリレート、ヘキサデシルメタクリレート、ステアリ
ルメタクリレート、イソステアリルメタクリレート、シ
クロヘキシルメタクリレート、イソボルニルメタクリレ
ート、トリシクロ ［５．２．１．０2,6］デシルメタ
クリレート、２−（トリシクロ）［５．２．１．
０2,6］デカ−３−エン−８又は９−イルオキシエチル
メタクリレート等のメタクリレート化合物がある。 （２）一般式（ＩＩ）
【００１０】
【化２】 〔式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ前記のものを表す〕で示
される化合物。
される化合物。
【００１１】一般式（ＩＩ）で示される化合物として
は、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シプロピルアクリレート、ダイマージオールモノアクリ
レート等のアクリレート化合物、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレー
ト、ダイマージオールモノメタクリレート等のメタクリ
レート化合物等がある。 （３）一般式（ＩＩＩ）
は、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シプロピルアクリレート、ダイマージオールモノアクリ
レート等のアクリレート化合物、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレー
ト、ダイマージオールモノメタクリレート等のメタクリ
レート化合物等がある。 （３）一般式（ＩＩＩ）
【００１２】
【化３】 〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、Ｒ3は水素、メチル基
又はフェノキシメチル基を表し、Ｒ4は水素、炭素数１
〜６のアルキル基、フェニル基又はベンゾイル基を表
し、ｎは１〜５０の整数を表す〕で示される化合物。
又はフェノキシメチル基を表し、Ｒ4は水素、炭素数１
〜６のアルキル基、フェニル基又はベンゾイル基を表
し、ｎは１〜５０の整数を表す〕で示される化合物。
【００１３】一般式（ＩＩＩ）で示される化合物として
は、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレン
グリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールア
クリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２−エ
トキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリ
レート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、
メトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−フ
ェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレング
リコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコ
ールアクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルアクリ
レート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアク
リレート等のアクリレート化合物、ジエチレングリコー
ルメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレ
ート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、２−
メトキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメ
タクリレート、２−ブトキシエチルメタクリレート、メ
トキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシ
ポリエチレングリコールメタクリレート、２−フェノキ
シエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコ
ールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコー
ルメタクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルメタク
リレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルメ
タクリレート等のメタクリレート化合物等がある。 （４）一般式（ＩＶ）
は、ジエチレングリコールアクリレート、ポリエチレン
グリコールアクリレート、ポリプロピレングリコールア
クリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２−エ
トキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルアクリ
レート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、
メトキシポリエチレングリコールアクリレート、２−フ
ェノキシエチルアクリレート、フェノキシジエチレング
リコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコ
ールアクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルアクリ
レート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアク
リレート等のアクリレート化合物、ジエチレングリコー
ルメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレ
ート、ポリプロピレングリコールメタクリレート、２−
メトキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメ
タクリレート、２−ブトキシエチルメタクリレート、メ
トキシジエチレングリコールメタクリレート、メトキシ
ポリエチレングリコールメタクリレート、２−フェノキ
シエチルメタクリレート、フェノキシジエチレングリコ
ールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコー
ルメタクリレート、２−ベンゾイルオキシエチルメタク
リレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルメ
タクリレート等のメタクリレート化合物等がある。 （４）一般式（ＩＶ）
【００１４】
【化４】 〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、Ｒ5はフェニル基、ニ
トリル基、−Ｓｉ （ＯＲ6）3（Ｒ6は炭素数１〜６の
アルキル基を表す）、下記の式の基
トリル基、−Ｓｉ （ＯＲ6）3（Ｒ6は炭素数１〜６の
アルキル基を表す）、下記の式の基
【００１５】
【化５】 （Ｒ7、Ｒ8及びＲ9はそれぞれ独立に水素又は炭素数１
〜６のアルキル基を表し、Ｒ10は水素又は炭素数１〜６
のアルキル基又はフェニル基を表す）を表し、ｍは０、
１、２又は３の数を表す〕で示される化合物。
〜６のアルキル基を表し、Ｒ10は水素又は炭素数１〜６
のアルキル基又はフェニル基を表す）を表し、ｍは０、
１、２又は３の数を表す〕で示される化合物。
【００１６】一般式（ＩＶ）で示される化合物として
は、ベンジルアクリレート、２−シアノエチルアクリレ
ート、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアク
リレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチ
ルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルア
クリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリ
ジニルアクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジニルアクリレート、アクリロキシエチルホスフェ
ート、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェー
ト、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタ
レート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェン
サクシネート等のアクリレート化合物、ベンジルメタク
リレート、２−シアノエチルメタクリレート、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルメ
タクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルア
ミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタ
クリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリ
ジニルメタクリレート、２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジニルメタクリレート、メタクリロキシエチルホ
スフェート、メタクリロキシエチルフェニルアシッドホ
スフェート等のメタクリレート、β−メタクリロイルオ
キシエチルハイドロジェンフタレート、β−メタクリロ
イルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のメタ
クリレート化合物がある。 （５）一般式（Ｖ）
は、ベンジルアクリレート、２−シアノエチルアクリレ
ート、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
グリシジルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアク
リレート、テトラヒドロピラニルアクリレート、ジメチ
ルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチルア
クリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリ
ジニルアクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピ
ペリジニルアクリレート、アクリロキシエチルホスフェ
ート、アクリロキシエチルフェニルアシッドホスフェー
ト、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェンフタ
レート、β−アクリロイルオキシエチルハイドロジェン
サクシネート等のアクリレート化合物、ベンジルメタク
リレート、２−シアノエチルメタクリレート、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルメ
タクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレー
ト、テトラヒドロピラニルメタクリレート、ジメチルア
ミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタ
クリレート、１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリ
ジニルメタクリレート、２，２，６，６−テトラメチル
ピペリジニルメタクリレート、メタクリロキシエチルホ
スフェート、メタクリロキシエチルフェニルアシッドホ
スフェート等のメタクリレート、β−メタクリロイルオ
キシエチルハイドロジェンフタレート、β−メタクリロ
イルオキシエチルハイドロジェンサクシネート等のメタ
クリレート化合物がある。 （５）一般式（Ｖ）
【００１７】
【化６】 〔式中、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ前記のものを表す〕で示
される化合物。
される化合物。
【００１８】一般式（Ｖ）で示される化合物としては、
エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジ
オールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジア
クリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、
１，３−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジアクリレート、ダイマージオールジアクリ
レート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート
等のジアクリレート化合物、エチレングリコールジメタ
クリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，
９−ノナンジオールジメタクリレート、１，３−ブタン
ジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジ
メタクリレート、ダイマージオールジメタクリレート、
ジメチロールトリシクロデカンジメタクリレート等のジ
メタクリレート化合物がある。 （６）一般式（ＶＩ）
エチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジ
オールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジア
クリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、
１，３−ブタンジオールジアクリレート、ネオペンチル
グリコールジアクリレート、ダイマージオールジアクリ
レート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート
等のジアクリレート化合物、エチレングリコールジメタ
クリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレー
ト、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，
９−ノナンジオールジメタクリレート、１，３−ブタン
ジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジ
メタクリレート、ダイマージオールジメタクリレート、
ジメチロールトリシクロデカンジメタクリレート等のジ
メタクリレート化合物がある。 （６）一般式（ＶＩ）
【００１９】
【化７】 〔式中、Ｒ1、Ｒ3及びｎはそれぞれ前記のものを表し、
ただし、Ｒ3が水素又はメチル基であるとき、ｎは１で
はない〕で示される化合物。
ただし、Ｒ3が水素又はメチル基であるとき、ｎは１で
はない〕で示される化合物。
【００２０】一般式（ＶＩ）で示される化合物として
は、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレ
ングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリ
プロピレングリコールジアクリレート等のジアクリレー
ト化合物、ジエチレングリコールジメタクリレート、ト
リエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレ
ングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコー
ルジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタ
クリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレー
ト等のジメタクリレート化合物がある。 （７）一般式（ＶＩＩ）
は、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレ
ングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコー
ルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレ
ート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリ
プロピレングリコールジアクリレート等のジアクリレー
ト化合物、ジエチレングリコールジメタクリレート、ト
リエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレ
ングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコー
ルジメタクリレート、トリプロピレングリコールジメタ
クリレート、ポリプロピレングリコールジメタクリレー
ト等のジメタクリレート化合物がある。 （７）一般式（ＶＩＩ）
【００２１】
【化８】 〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、Ｒ11及びＲ12はそれ
ぞれ独立に水素又はメチル基を表す〕で示される化合
物。
ぞれ独立に水素又はメチル基を表す〕で示される化合
物。
【００２２】一般式（ＶＩＩ）で示される化合物として
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェ
ノールＡＤ１モルとグリシジルアクリレート２モルとの
反応物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビス
フェノールＡＤ１モルとグリシジルメタクリレート２モ
ルとの反応物等がある。 （８）一般式（ＶＩＩＩ）
は、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフェ
ノールＡＤ１モルとグリシジルアクリレート２モルとの
反応物、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビス
フェノールＡＤ１モルとグリシジルメタクリレート２モ
ルとの反応物等がある。 （８）一般式（ＶＩＩＩ）
【００２３】
【化９】 〔式中、Ｒ1、Ｒ11及びＲ12はそれぞれ前記のものを表
しＲ13及びＲ14はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表
し、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜２０の整数を表す〕
で示される化合物。
しＲ13及びＲ14はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表
し、ｐ及びｑはそれぞれ独立に１〜２０の整数を表す〕
で示される化合物。
【００２４】一般式（ＶＩＩＩ）で示される化合物とし
ては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフ
ェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジアク
リレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビ
スフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物の
ジアクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ
又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加
物のジメタクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサ
イド付加物のジメタクリレート等がある。 （９）一般式（ＩＸ）
ては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビスフ
ェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加物のジアク
リレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ又はビ
スフェノールＡＤのポリプロピレンオキサイド付加物の
ジアクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ
又はビスフェノールＡＤのポリエチレンオキサイド付加
物のジメタクリレート、ビスフェノールＡ、ビスフェノ
ールＦ又はビスフェノールＡＤのポリプロピレンオキサ
イド付加物のジメタクリレート等がある。 （９）一般式（ＩＸ）
【００２５】
【化１０】 〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17及
びＲ18はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表し、ｘは
１〜２０の整数を表す〕で示される化合物。
びＲ18はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表し、ｘは
１〜２０の整数を表す〕で示される化合物。
【００２６】一般式（ＩＸ）で示される化合物として
は、ビス（アクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキ
サン、ビス（アクリロキシプロピル）メチルシロキサン
−ジメチルシロキサンコポリマー、ビス（メタクリロキ
シプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（メタクリ
ロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサ
ンコポリマー等がある。 （１０）一般式（Ｘ）
は、ビス（アクリロキシプロピル）ポリジメチルシロキ
サン、ビス（アクリロキシプロピル）メチルシロキサン
−ジメチルシロキサンコポリマー、ビス（メタクリロキ
シプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（メタクリ
ロキシプロピル）メチルシロキサン−ジメチルシロキサ
ンコポリマー等がある。 （１０）一般式（Ｘ）
【００２７】
【化１１】 〔式中、Ｒ1は前記のものを表し、ｒ、ｓ、ｔ及びｕは
それぞれ独立に繰り返し数の平均値を示す０以上の数で
あり、ｒ＋ｔは０．１以上、好ましくは０．３〜５であ
り、ｓ＋ｕは１以上、好ましくは１〜１００である〕で
示される化合物。
それぞれ独立に繰り返し数の平均値を示す０以上の数で
あり、ｒ＋ｔは０．１以上、好ましくは０．３〜５であ
り、ｓ＋ｕは１以上、好ましくは１〜１００である〕で
示される化合物。
【００２８】一般式（Ｘ）で示される化合物としては、
無水マレイン酸を付加させたポリブタジエン又はその水
素添加物と、２−ヒドロキシエチルアクリレート又は２
−ヒドロキシエチルメタクリレートを反応させて得られ
る反応物及びその水素添加物があり、例えばＭＭ−１０
００−８０、ＭＡＣ−１０００−８０（共に、日本石油
化学（株）商品名）等がある。
無水マレイン酸を付加させたポリブタジエン又はその水
素添加物と、２−ヒドロキシエチルアクリレート又は２
−ヒドロキシエチルメタクリレートを反応させて得られ
る反応物及びその水素添加物があり、例えばＭＭ−１０
００−８０、ＭＡＣ−１０００−８０（共に、日本石油
化学（株）商品名）等がある。
【００２９】（Ａ）成分のアクリル酸エステル化合物又
はメタクリル酸エステル化合物としては、上記の化合物
を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することがで
きる。
はメタクリル酸エステル化合物としては、上記の化合物
を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することがで
きる。
【００３０】本発明に用いられる（Ｂ）成分のラジカル
開始剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過
酸化物が好ましく、また導電性樹脂ペースト組成物の硬
化性及び粘度安定性の点から、急速加熱試験での過酸化
物の分解温度が７０〜１７０℃のものが好ましい。
開始剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過
酸化物が好ましく、また導電性樹脂ペースト組成物の硬
化性及び粘度安定性の点から、急速加熱試験での過酸化
物の分解温度が７０〜１７０℃のものが好ましい。
【００３１】ラジカル開始剤の具体例としては、１，
１，３，３−テトラメチルパーオキシ２−エチルヘキサ
ノエート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シク
ロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シ
クロドデカン、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレー
ト、ｔ−ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサ
イド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメ
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド等があ
る。
１，３，３−テトラメチルパーオキシ２−エチルヘキサ
ノエート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シク
ロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シ
クロドデカン、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレー
ト、ｔ−ブチルパーベンゾエート、ジクミルパーオキサ
イド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、２，５−ジメ
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン、クメンハイドロパーオキサイド等があ
る。
【００３２】ラジカル開始剤の配合量は、（Ａ）成分の
総量１００重量部に対して０．１〜１０重量部が好まし
く、０．５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が
０．１重量部未満であると、硬化性が低下する傾向があ
り、１０重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物
中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる傾向がある。
総量１００重量部に対して０．１〜１０重量部が好まし
く、０．５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が
０．１重量部未満であると、硬化性が低下する傾向があ
り、１０重量部を超えると、揮発分が多くなり、硬化物
中にボイドと呼ばれる空隙が生じ易くなる傾向がある。
【００３３】本発明に（Ｃ）成分として用いられる導電
性フィラーは平均粒径が１〜２０μｍのカーボンビーズ
表面に銀メッキをしたフィラーが好ましく、カーボンビ
ーズの平均粒径は１０μｍ以下であることがより好まし
く、さらに５μｍ以下であることが好ましい。このよう
なフィラーの市販品としては、ＣＢＡＧ−１０１０６０
（三井鉱山マテリアル（株）製、商品名）が挙げられ
る。
性フィラーは平均粒径が１〜２０μｍのカーボンビーズ
表面に銀メッキをしたフィラーが好ましく、カーボンビ
ーズの平均粒径は１０μｍ以下であることがより好まし
く、さらに５μｍ以下であることが好ましい。このよう
なフィラーの市販品としては、ＣＢＡＧ−１０１０６０
（三井鉱山マテリアル（株）製、商品名）が挙げられ
る。
【００３４】（Ｃ）成分の導電性フィラーの配合量は、
接着性、導電性、作業性の点から、導電性樹脂ペースト
組成物総量１００重量部に対して２０〜８０重量部が好
ましく、３０〜７５重量部がより好ましい。
接着性、導電性、作業性の点から、導電性樹脂ペースト
組成物総量１００重量部に対して２０〜８０重量部が好
ましく、３０〜７５重量部がより好ましい。
【００３５】本発明に用いられる可とう化材としては、
例えば、各種の液状ゴムや熱可塑性樹脂が好適に用いら
れるが、例えばポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジ
エン、マレイン化ポリブタジエン、アクリロニトリルブ
タジエンゴム、カルボキシ末端アクリロニトリルブタジ
エンゴム、アミノ末端アクリロニトリルブタジエンゴ
ム、ビニル末端アクリロニトリルブタジエンゴム、スチ
レンブタジエンゴム等の液状ゴム、ウレタンアクリレー
ト、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸メチル、ε−カプ
ロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイ
ミド等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
例えば、各種の液状ゴムや熱可塑性樹脂が好適に用いら
れるが、例えばポリブタジエン、エポキシ化ポリブタジ
エン、マレイン化ポリブタジエン、アクリロニトリルブ
タジエンゴム、カルボキシ末端アクリロニトリルブタジ
エンゴム、アミノ末端アクリロニトリルブタジエンゴ
ム、ビニル末端アクリロニトリルブタジエンゴム、スチ
レンブタジエンゴム等の液状ゴム、ウレタンアクリレー
ト、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸メチル、ε−カプ
ロラクトン変性ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリイ
ミド等の熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００３６】液状ゴムとしては、数平均分子量が５００
〜１００００のものが好ましく、８００〜３０００のも
のがより好ましい。分子量が小さすぎるとチップ反りの
低減効果に劣る傾向があり、分子量が大きすぎると導電
性樹脂ペースト組成物の粘度が上昇し作業性に劣る傾向
がある。数平均分子量は、蒸気圧浸透法で測定した値又
はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準
ポリスチレンの検量線を利用して測定（以下、ＧＰＣ法
という）した値である。熱可塑性樹脂としては、数平均
分子量が５００〜１００００のものが好ましく、８００
〜３０００のものがより好ましい。分子量が小さすぎる
とチップ反りの低減効果に劣る傾向があり、分子量が大
きすぎると導電性樹脂ペースト組成物の粘度が上昇し作
業性に劣る傾向がある。
〜１００００のものが好ましく、８００〜３０００のも
のがより好ましい。分子量が小さすぎるとチップ反りの
低減効果に劣る傾向があり、分子量が大きすぎると導電
性樹脂ペースト組成物の粘度が上昇し作業性に劣る傾向
がある。数平均分子量は、蒸気圧浸透法で測定した値又
はゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより標準
ポリスチレンの検量線を利用して測定（以下、ＧＰＣ法
という）した値である。熱可塑性樹脂としては、数平均
分子量が５００〜１００００のものが好ましく、８００
〜３０００のものがより好ましい。分子量が小さすぎる
とチップ反りの低減効果に劣る傾向があり、分子量が大
きすぎると導電性樹脂ペースト組成物の粘度が上昇し作
業性に劣る傾向がある。
【００３７】また可とう化材の配合量としては、（Ａ）
成分１００重量部に対して１０〜１００重量部使用する
ことが好ましく、３０〜８０重量部使用することがより
好ましい。この配合量が１０重量部未満である可とう化
効果に劣り、１００重量部を超えると、粘度が増大し、
導電性樹脂ペースト組成物の作業性が低下する傾向があ
る。
成分１００重量部に対して１０〜１００重量部使用する
ことが好ましく、３０〜８０重量部使用することがより
好ましい。この配合量が１０重量部未満である可とう化
効果に劣り、１００重量部を超えると、粘度が増大し、
導電性樹脂ペースト組成物の作業性が低下する傾向があ
る。
【００３８】本発明に用いられるカップリング剤として
は特に制限はなく、シランカップリング剤、チタネート
系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジ
ルコネート系カップリング剤、ジルコアルミネート系カ
ップリング剤等の各種のものが用いられる。
は特に制限はなく、シランカップリング剤、チタネート
系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジ
ルコネート系カップリング剤、ジルコアルミネート系カ
ップリング剤等の各種のものが用いられる。
【００３９】カップリング剤の具体例としては、メチル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス
（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロ
キシエトキシ）シラン、γ−アクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−
（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジ
ルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−
ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイ
ミダゾリル）プロピルトリエトキシシラン、β−（３，
４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラ
ン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメ
トキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメ
チルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシ
アネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリル
トリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネー
ト、エトキシシラントリイソシアネート等のシランカッ
プリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネ
ート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチ
タネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホス
フェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオ
クチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス
（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ
（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス
（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネ
ート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレン
チタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネー
ト、イソプロピルジメタクリロイルイソステアロイルチ
タネート、イソプロピル（ジオクチルホスフェート）チ
タネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネー
ト、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル・アミノエチ
ル）チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチ
タネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等の
チタネート系カップリング剤、アセトアルコキシアルミ
ニウムジイソプロピオネート等のアルミニウム系カップ
リング剤、テトラプロピルジルコネート、テトラブチル
ジルコネート、テトラ（トリエタノールアミン）ジルコ
ネート、テトライソプロピルジルコネート、ジルコニウ
ムアセチルアセトネートアセチルアセトンジルコニウム
ブチレート、ステアリン酸ジルコニウムブチレート等の
ジルコネート系カップリング剤等がある。
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェ
ニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニル−トリス
（２−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシ
プロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロ
キシエトキシ）シラン、γ−アクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−
（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジ
ルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−
ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン、３−（４，５−ジヒドロイ
ミダゾリル）プロピルトリエトキシシラン、β−（３，
４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジイソプロペノキシシラ
ン、メチルトリグリシドキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメ
トキシシラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメ
チルシリルイソシアネート、フェニルシリルトリイソシ
アネート、テトライソシアネートシラン、メチルシリル
トリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネー
ト、エトキシシラントリイソシアネート等のシランカッ
プリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネ
ート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチ
タネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホス
フェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオ
クチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス
（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ
（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス
（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジ
オクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネ
ート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレン
チタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネー
ト、イソプロピルジメタクリロイルイソステアロイルチ
タネート、イソプロピル（ジオクチルホスフェート）チ
タネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネー
ト、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル・アミノエチ
ル）チタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチ
タネート、ジイソステアロイルエチレンチタネート等の
チタネート系カップリング剤、アセトアルコキシアルミ
ニウムジイソプロピオネート等のアルミニウム系カップ
リング剤、テトラプロピルジルコネート、テトラブチル
ジルコネート、テトラ（トリエタノールアミン）ジルコ
ネート、テトライソプロピルジルコネート、ジルコニウ
ムアセチルアセトネートアセチルアセトンジルコニウム
ブチレート、ステアリン酸ジルコニウムブチレート等の
ジルコネート系カップリング剤等がある。
【００４０】カップリング剤の配合量は、（Ａ）成分の
総量１００重量部に対して０．１〜１０重量部が好まし
く、０．５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が
０．１重量部未満であると、接着強度の向上効果に劣る
傾向があり、１０重量部を超えると、揮発分が多くな
り、硬化物中にボイドが生じ易くなる傾向がある。
総量１００重量部に対して０．１〜１０重量部が好まし
く、０．５〜５重量部が特に好ましい。この配合割合が
０．１重量部未満であると、接着強度の向上効果に劣る
傾向があり、１０重量部を超えると、揮発分が多くな
り、硬化物中にボイドが生じ易くなる傾向がある。
【００４１】本発明になる導電性樹脂ペースト組成物に
は、さらに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシ
ウム等の吸湿剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面
活性剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤、シリコーン油等の
消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤等、粘
度調整のための溶剤を単独又は数種類を組み合わせて、
適宜添加することができる。
は、さらに必要に応じて酸化カルシウム、酸化マグネシ
ウム等の吸湿剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面
活性剤、高級脂肪酸等の濡れ向上剤、シリコーン油等の
消泡剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤等、粘
度調整のための溶剤を単独又は数種類を組み合わせて、
適宜添加することができる。
【００４２】本発明になる導電性樹脂ペースト組成物を
製造するには、（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤及び
（Ｃ）カーボンビーズ表面に銀メッキをした導電性フィ
ラーを、必要に応じて用いられる可とう化材、カップリ
ング剤及び上記各種添加剤と共に、一括又は分割して撹
拌器、らいかい器、３本ロール、プラネタリーミキサー
等の分散・溶解装置を適宜組み合わせ、必要に応じて加
熱して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペース
ト状とすれば良い。
製造するには、（Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤及び
（Ｃ）カーボンビーズ表面に銀メッキをした導電性フィ
ラーを、必要に応じて用いられる可とう化材、カップリ
ング剤及び上記各種添加剤と共に、一括又は分割して撹
拌器、らいかい器、３本ロール、プラネタリーミキサー
等の分散・溶解装置を適宜組み合わせ、必要に応じて加
熱して混合、溶解、解粒混練又は分散して均一なペース
ト状とすれば良い。
【００４３】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素
子を支持部材に接着した後、封止することにより半導体
装置とすることができる。
て製造した導電性樹脂ペースト組成物を用いて半導体素
子を支持部材に接着した後、封止することにより半導体
装置とすることができる。
【００４４】支持部材としては、例えば、４２アロイリ
ードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、
ガラスエポキシ基板（ガラス繊維強化エポキシ樹脂から
なる基板）、ＢＴ基板（シアネートモノマー及びそのオ
リゴマーとビスマレイミドからなるＢＴレジン使用基
板）等の有機基板が挙げられる。
ードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、
ガラスエポキシ基板（ガラス繊維強化エポキシ樹脂から
なる基板）、ＢＴ基板（シアネートモノマー及びそのオ
リゴマーとビスマレイミドからなるＢＴレジン使用基
板）等の有機基板が挙げられる。
【００４５】本発明の導電性樹脂ペースト組成物を用い
て半導体素子をリードフレーム等の支持部材に接着させ
るには、まず支持部材上に導電性樹脂ペースト組成物を
ディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等
により塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブ
ン又はヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化す
ることにより行うことができる。さらに、必要に応じ、
ワイヤボンド工程を経た後、通常の方法により封止する
ことにより完成された半導体装置とすることができる。
て半導体素子をリードフレーム等の支持部材に接着させ
るには、まず支持部材上に導電性樹脂ペースト組成物を
ディスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等
により塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブ
ン又はヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化す
ることにより行うことができる。さらに、必要に応じ、
ワイヤボンド工程を経た後、通常の方法により封止する
ことにより完成された半導体装置とすることができる。
【００４６】上記加熱硬化は、低温での長時間硬化の場
合や、高温での速硬化の場合により異なるが、通常、温
度１００〜３００℃、好ましくは１３０〜２２０℃で、
５秒〜３時間、好ましくは１５秒〜１時間行うことが好
ましい。
合や、高温での速硬化の場合により異なるが、通常、温
度１００〜３００℃、好ましくは１３０〜２２０℃で、
５秒〜３時間、好ましくは１５秒〜１時間行うことが好
ましい。
【００４７】
【実施例】以下、本発明の実施例及びその比較例によっ
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。
て本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの
実施例に限定されるものではない。
【００４８】なお、以下の実施例及び比較例で用いた材
料は、下記の方法で作製したもの、あるいは入手したも
のである。
料は、下記の方法で作製したもの、あるいは入手したも
のである。
【００４９】（１）アクリル酸エステル化合物又はメタ
クリル酸エステル化合物 Ｒ−５５１（日本化薬社製ジアクリレートの商品名、ビ
スフェノールＡポリエチレングリコールジアクリレー
ト、一般式（ＶＩＩＩ）、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ11＝ＣＨ3、Ｒ12
＝ＣＨ3、Ｒ13＝Ｈ、Ｒ14＝Ｈ、ｐ＝ １〜２０、ｑ＝
１〜２０）、ラウリルアクリレート（一般式（Ｉ）、Ｒ
1＝Ｈ、Ｒ2＝−Ｃ12Ｈ24−） （２）可とう化材 Ｅ−１０００−６．５（日本石油化学社製エポキシ化ポ
リブタジエンの商品名、エポキシ当量＝２４６、数平均
分子量＝約１０００） （３）ラジカル開始剤 ジクミルパーオキサイド （４）カップリング剤 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン （５）充填材 ＴＣＧ−１（徳力化学研究所社製の銀粉の商品名、平均
粒径＝２μｍ） カーボンビーズ表面に銀メッキをしたフィラー（平均粒
径５μｍ、三井鉱山マテリアル株式会社製ＣＢＡＧ−１
０１０６０） 実施例１〜３及び比較例１〜２ 表１に示す配合割合で各成分を混合し、３本ロールを用
いて混練した後、１３３３．２２４Ｐａ（１０トル（Ｔ
ｏｒｒ））以下で１０分間脱泡処理を行い、導電性樹脂
ペースト組成物を得た。
クリル酸エステル化合物 Ｒ−５５１（日本化薬社製ジアクリレートの商品名、ビ
スフェノールＡポリエチレングリコールジアクリレー
ト、一般式（ＶＩＩＩ）、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ11＝ＣＨ3、Ｒ12
＝ＣＨ3、Ｒ13＝Ｈ、Ｒ14＝Ｈ、ｐ＝ １〜２０、ｑ＝
１〜２０）、ラウリルアクリレート（一般式（Ｉ）、Ｒ
1＝Ｈ、Ｒ2＝−Ｃ12Ｈ24−） （２）可とう化材 Ｅ−１０００−６．５（日本石油化学社製エポキシ化ポ
リブタジエンの商品名、エポキシ当量＝２４６、数平均
分子量＝約１０００） （３）ラジカル開始剤 ジクミルパーオキサイド （４）カップリング剤 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン （５）充填材 ＴＣＧ−１（徳力化学研究所社製の銀粉の商品名、平均
粒径＝２μｍ） カーボンビーズ表面に銀メッキをしたフィラー（平均粒
径５μｍ、三井鉱山マテリアル株式会社製ＣＢＡＧ−１
０１０６０） 実施例１〜３及び比較例１〜２ 表１に示す配合割合で各成分を混合し、３本ロールを用
いて混練した後、１３３３．２２４Ｐａ（１０トル（Ｔ
ｏｒｒ））以下で１０分間脱泡処理を行い、導電性樹脂
ペースト組成物を得た。
【００５０】この導電性樹脂ペースト組成物の特性（粘
度、接着強度、ピール強度及びフィラー沈降性）を下記
の方法で測定し、結果を表１に示す。 粘度 ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器株式会社製）を用いて２
５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）を測定した。 接着強度 導電性樹脂ペースト組成物をＡｇめっき付き銅リードフ
レーム上に約８０μｇ塗布し、この上に２ｍｍ×２ｍｍ
のＳｉチップ（厚さ約０．４ｍｍ）を圧着し、更に２０
０℃に設定したヒートブロック上に載せ、６０秒加熱し
た。この試料について自動接着力試験装置（Ｄａｇｅ社
製、マイクロテスター）を用いて室温における剪断接着
強度（Ｎ／チップ）を測定した。 ピール強度 導電性樹脂ペースト組成物を４２アロイ上に約１．０ｍ
ｇ塗布し、この上に８ｍｍ×８ｍｍのＳｉチップ（厚さ
約０．４ｍｍ）を圧着し、更に２００℃に設定したヒー
トブロック上に載せ、６０秒加熱した。この試料につい
て自動接着力試験装置（日立化成工業（株）製）を用い
て２４０℃における引き剥し強さ（Ｎ／チップ）を測定
した。 フィラー沈降性 上記実施例及び比較例により得た導電性樹脂ペースト組
成物を１０ｃｃシリンジ中に５ｃｃ充填し、シリンジ下
部より導電性樹脂ペースト組成物を２ｇるつぼに採取
し、電気炉内で６００℃で２時間加熱し、残存物の重量
（Ａ）を測定した。同様に、各導電性樹脂ペースト組成
物を１０ｃｃシリンジ中に５ｃｃ充填し、２４時間放置
した後、シリンジ下部より導電性樹脂ペースト組成物を
２ｇるつぼに採取し、電気炉内で６００℃で２時間加熱
し、残存物の重量（Ｂ）を測定した。式、［（Ｂ−Ａ）
／Ａ］×１００、によりフィラーの沈降率（％）を算出
した。
度、接着強度、ピール強度及びフィラー沈降性）を下記
の方法で測定し、結果を表１に示す。 粘度 ＥＨＤ型回転粘度計（東京計器株式会社製）を用いて２
５℃における粘度（Ｐａ・ｓ）を測定した。 接着強度 導電性樹脂ペースト組成物をＡｇめっき付き銅リードフ
レーム上に約８０μｇ塗布し、この上に２ｍｍ×２ｍｍ
のＳｉチップ（厚さ約０．４ｍｍ）を圧着し、更に２０
０℃に設定したヒートブロック上に載せ、６０秒加熱し
た。この試料について自動接着力試験装置（Ｄａｇｅ社
製、マイクロテスター）を用いて室温における剪断接着
強度（Ｎ／チップ）を測定した。 ピール強度 導電性樹脂ペースト組成物を４２アロイ上に約１．０ｍ
ｇ塗布し、この上に８ｍｍ×８ｍｍのＳｉチップ（厚さ
約０．４ｍｍ）を圧着し、更に２００℃に設定したヒー
トブロック上に載せ、６０秒加熱した。この試料につい
て自動接着力試験装置（日立化成工業（株）製）を用い
て２４０℃における引き剥し強さ（Ｎ／チップ）を測定
した。 フィラー沈降性 上記実施例及び比較例により得た導電性樹脂ペースト組
成物を１０ｃｃシリンジ中に５ｃｃ充填し、シリンジ下
部より導電性樹脂ペースト組成物を２ｇるつぼに採取
し、電気炉内で６００℃で２時間加熱し、残存物の重量
（Ａ）を測定した。同様に、各導電性樹脂ペースト組成
物を１０ｃｃシリンジ中に５ｃｃ充填し、２４時間放置
した後、シリンジ下部より導電性樹脂ペースト組成物を
２ｇるつぼに採取し、電気炉内で６００℃で２時間加熱
し、残存物の重量（Ｂ）を測定した。式、［（Ｂ−Ａ）
／Ａ］×１００、によりフィラーの沈降率（％）を算出
した。
【００５１】表１に示した結果から、銀粉を用いた比較
例１、２ではフィラー沈降性が大きく、ペースト吐出性
の低下を招く。それに対して実施例１、２及び３に示し
た本発明のＣＢＡＧ−１０１０６０を用いた本発明の導
電性樹脂ペーストを用いた場合は、フィラー沈降性が低
減され、ペースト吐出性が高いことが確認された。
例１、２ではフィラー沈降性が大きく、ペースト吐出性
の低下を招く。それに対して実施例１、２及び３に示し
た本発明のＣＢＡＧ−１０１０６０を用いた本発明の導
電性樹脂ペーストを用いた場合は、フィラー沈降性が低
減され、ペースト吐出性が高いことが確認された。
【００５２】
【表１】
【００５３】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂と導電性フィラー
の分離を抑制し、吐出のバラツキが少ない導電性樹脂ペ
ースト組成物が得られる。また、本発明により耐ハンダ
リフロー性の向上した半導体装置が得られる。
の分離を抑制し、吐出のバラツキが少ない導電性樹脂ペ
ースト組成物が得られる。また、本発明により耐ハンダ
リフロー性の向上した半導体装置が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 33/06 Ｃ０８Ｌ 33/06 Ｃ０９Ｊ 4/02 Ｃ０９Ｊ 4/02 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ Ｆターム(参考） 4J002 AC03X AC07X AC08X AC11X BF02X BG04W BG04X BG05W BG06W BG07W CF13X CH08X CM04X DA036 EX007 EX037 EZ007 FB076 FD116 GQ05 4J011 PA03 PB06 PB14 PB27 4J026 AA17 AA38 AA44 AA45 AA49 AA50 AA68 BA27 BB01 DB05 DB13 GA06 4J040 CA002 CA072 CA082 CA172 DE022 DF042 EH032 FA131 FA141 FA151 FA161 FA201 FA211 FA292 GA05 GA19 HA026 HD30 HD41 JB10 KA11 KA32 LA09 NA20 5F047 AA11 BA26 BA33 BA53 BB11
Claims (9)
- 【請求項１】 （Ａ）アクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物、（Ｂ）ラジカル開始剤、
（Ｃ）カーボンビーズ表面に銀メッキをした導電性フィ
ラーを含有してなる導電性樹脂ペースト組成物。 - 【請求項２】 （Ｃ）の導電性フィラーを、導電性樹脂
ペースト組成物総量１００重量部中に２０〜８０重量部
含有する請求項１に記載の導電性樹脂ペースト組成物。 - 【請求項３】 （Ｂ）成分のラジカル開始剤を、（Ａ）
成分のアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エス
テル化合物の総量１００重量部に対して０．１〜１０重
量部含有する請求項１又は２に記載の導電性樹脂ペース
ト組成物。 - 【請求項４】 さらに可とう化材を添加してなる請求項
１、２又は３に記載の導電性樹脂ペースト組成物。 - 【請求項５】 可とう化材が液状ゴム又は熱可塑性樹脂
である請求項４に記載の導電性樹脂ペースト組成物。 - 【請求項６】 可とう化材を、（Ａ）成分のアクリル酸
エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物の総量
１００重量部に対して１０〜１００重量部含有する請求
項４又は５に記載の導電性樹脂ペースト組成物。 - 【請求項７】 さらにカップリング剤を添加してなる請
求項１〜６のいずれかに記載の導電性樹脂ペースト組成
物。 - 【請求項８】 カップリング剤を、（Ａ）成分のアクリ
ル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物の
総量１００重量部に対して０．１〜１０重量部含有する
請求項７に記載の導電性樹脂ペースト組成物。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の導電性
樹脂ペースト組成物を用いて半導体素子を支持部材に接
着した後、封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000196415A JP4599666B2 (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000196415A JP4599666B2 (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002012603A true JP2002012603A (ja) | 2002-01-15 |
| JP4599666B2 JP4599666B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
ID=18694918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000196415A Expired - Fee Related JP4599666B2 (ja) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4599666B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184793A (ja) * | 2000-04-10 | 2002-06-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
| JP2003277694A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続用接着剤組成物及びそれを用いた回路接続構造体 |
| WO2004050779A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置 |
| US6827880B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-12-07 | Sony Chemicals Corp. | Anisotropic conductive adhesive |
| JP2007177204A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物並びにこれを用いた接続体及び半導体装置 |
| JP2007297579A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-11-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び半導体装置 |
| KR100832625B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2008-05-27 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 회로접속재료 |
| JP2016148012A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-18 | 太陽インキ製造株式会社 | 硬化性組成物および電子部品 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165654A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JPH03137121A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-06-11 | Showa Denko Kk | 導電性樹脂接続材 |
| JPH0995652A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JPH09169958A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電フィルム |
| JPH10120983A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物 |
| JPH10188668A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Nippon Boshoku Kogyo Kk | 導電性組成物 |
| JPH11100558A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電性接着剤 |
| JPH11236540A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電性接着剤 |
| JP2000053733A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 |
-
2000
- 2000-06-29 JP JP2000196415A patent/JP4599666B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165654A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-06-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JPH03137121A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-06-11 | Showa Denko Kk | 導電性樹脂接続材 |
| JPH0995652A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト |
| JPH09169958A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電フィルム |
| JPH10120983A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物 |
| JPH10188668A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Nippon Boshoku Kogyo Kk | 導電性組成物 |
| JPH11100558A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電性接着剤 |
| JPH11236540A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 異方導電性接着剤 |
| JP2000053733A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いた半導体装置 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184793A (ja) * | 2000-04-10 | 2002-06-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
| US6827880B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-12-07 | Sony Chemicals Corp. | Anisotropic conductive adhesive |
| JP2003277694A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路接続用接着剤組成物及びそれを用いた回路接続構造体 |
| WO2004050779A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着剤組成物、回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置 |
| KR100730629B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2007-06-20 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 필름상 접착제, 회로접속용 필름상 접착제, 접속체 및 반도체장치 |
| US7795325B2 (en) | 2002-11-29 | 2010-09-14 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device |
| US7576141B2 (en) | 2002-11-29 | 2009-08-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device |
| KR100780136B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2007-11-28 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착제조성물 |
| KR100780135B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2007-11-28 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 회로접속용 접착제조성물 |
| KR100832625B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2008-05-27 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 회로접속재료 |
| JP2007177204A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-07-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物並びにこれを用いた接続体及び半導体装置 |
| JP2007297579A (ja) * | 2006-04-05 | 2007-11-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、回路接続材料、接続体及び半導体装置 |
| JP2016148012A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-18 | 太陽インキ製造株式会社 | 硬化性組成物および電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4599666B2 (ja) | 2010-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4752109B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP6056821B2 (ja) | 接続材料及び半導体装置 | |
| JP6405867B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| CN104487530B (zh) | 树脂糊剂组合物 | |
| KR20130109951A (ko) | 수지 페이스트 조성물 | |
| JP2001181482A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2004018715A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 | |
| JP5625248B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2012236873A (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2002012603A (ja) | 導電性樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2010225312A (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2013067673A (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2012072305A (ja) | 樹脂ペースト組成物 | |
| JP2009120826A (ja) | 接着剤組成物及び半導体装置 | |
| JP2009102602A (ja) | 接着剤組成物及び半導体装置 | |
| JP3511129B2 (ja) | 樹脂ぺースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2000239616A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP7222400B2 (ja) | 半導体用接着剤、硬化物及び半導体部品 | |
| JP2012188465A (ja) | 樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP3985433B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4600429B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4419227B2 (ja) | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2012188622A (ja) | 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| WO2012124527A1 (ja) | 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置 | |
| JP2010222452A (ja) | 樹脂ペースト組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070405 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090107 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100831 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100913 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |