JP2000239833A

JP2000239833A - 成膜装置

Info

Publication number: JP2000239833A
Application number: JP11049077A
Authority: JP
Inventors: Toshitaka Yamamoto; 敏隆山本
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 1999-02-25
Filing date: 1999-02-25
Publication date: 2000-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理面を上側にして処理を行う装置と被処
理面を下側にして成膜を行う成膜装置との間での円滑な
基板の受け渡しを簡易にすること。【解決手段】ハンド２６ｂによって成膜室４１中に搬
入された基板Ｗは、チャック駆動機構７０に駆動された
チャック６０によって把持され反転される。温調板駆動
機構８０は、温度調節部材６５を下降させて基板Ｗの裏
面に接触させる。基板Ｗは、温調された状態で下側の被
処理面に成膜される。成膜が終了した基板Ｗは、温度調
節部材６５を上方に待避させ、チャック６０を回転させ
ることにより、反転する。これにより、基板Ｗの上面が
成膜面となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する枝術分野】本発明は、膜材料を蒸発させ
基板上に膜を形成する成膜装置に関し、特に半導体製造
装置のクラスタツールに取り付けるのに適したイオンプ
レーティング装置等の成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】複数の処理部を多角形のハンドリング装
置の周りに配置した所謂クラスタツールが知られてい
る。このようなクラスタツールには、イオンプレーティ
ング装置等の成膜装置が一処理部として組み込まれる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなクラスタ
ツールにおいて、クラスタツールを構成する処理部とし
て、例えば基板の被処理面を上側にして特定の処理を行
うある処理部と、基板の被処理面を下側にして成膜を行
う他の処理部（成膜装置）とを併存させる必要が生じる
場合がある。

【０００４】このような場合、基板をこれらの装置間で
円滑に受け渡す必要が生じる。ここで、ハンドリング装
置に基板を反転させる機構を付加することが考えられる
が、ハンドリング装置の構造が必要以上に複雑化し、各
処理部との間で基板を受け渡す作業が却って円滑でなく
なり、フットプリントの増大にもつながる。

【０００５】また、他の処理部として、基板の反転用処
理部を別に設けることも考えられるが、装置の構成が複
雑となり、各処理部との間で基板を受け渡す作業が一回
余分となるため、スループットの増大、フットプリント
の増大にもつながる。

【０００６】そこで、本発明は、被処理面を上側にして
処理を行う装置と被処理面を下側にして成膜を行う成膜
装置との間での円滑な基板の受け渡しを、フットプリン
トの増大を抑制しつつ簡易手段で可能にすることを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の成膜装置は、デポアップ型の成膜装置にお
いて、膜形成面を上側にして成膜室まで搬送されてきた
基板を反転させて前記膜形成面を下側にする反転機構を
備える。ここで、デポアップ型の成膜装置とは、成膜材
料源が下方にあってその上方に成膜対象の基板が被処理
面を下側にして配置される成膜装置を意味し、成膜材料
源が上方にあってその下方に成膜対象の基板が被処理面
を上側にして配置されるデポダウン型の成膜装置とは成
膜物質の流れが上下反転した構造となっている。なお、
反転機構としては、例えば機械的なチャック機構とこの
チャック機構全体を回転させる回転機構とからなるもの
等が考えられる。また、成膜室内部が有る程度の真空に
保たれる場合や内部雰囲気が制御されている場合、成膜
室を開放することなく反転機構を動作させ得ることがス
ループット等の観点から望ましい。

【０００８】上記成膜装置では、反転機構が、膜形成面
を上側にして成膜室まで搬送されてきた基板を反転させ
て前記膜形成面を下側にするので、斯かるデポアップ型
の成膜装置が基板の被処理面を上側にして特定の処理を
行う処理部とともにクラスタツールに組み込まれた場合
であっても、クラスタツールの中央に配置するハンドリ
ング装置に基板を反転させる機構を設けたり、別に基板
反転用の処理部を設ける必要がなくなる。よって、ハン
ドリング装置の構造を変更することなくクラスタツール
を構成する他の処理部との間での基板を受け渡す作業を
円滑に実行することができ、フットプリントの増大も最
小限に抑えることができる。

【０００９】また、好ましい態様によれば、前記成膜室
が、内部空間の下部に蒸発物質を発生する蒸発物質源を
備え、前記反転機構が、前記蒸発物質源の上方に搬送さ
れてきた前記基板をその場で反転させる。

【００１０】上記成膜装置では、前記成膜室が内部空間
の下部に蒸発物質を発生する蒸発物質源を備え、前記反
転機構が前記蒸発物質源の上方に搬送されてきた前記基
板をその場で反転させるので、成膜室中の空間を効率よ
く利用して基板を回転させることができ、反転機構によ
る空間の増加を最小限に抑えることができる。

【００１１】また、好ましい態様によれば、前記成膜室
が、記反転機構によって反転された前記基板の上面に接
して当該基板の温度を調節する温度調節部材を備え、当
該温度調節部材の動作位置と、前記反転機構による前記
基板の反転を許容する待避位置との間で、前記反転機構
及び前記温度調節部材の一方あるいは両方を進退可能と
する。

【００１２】上記成膜装置では、前記反転機構及び前記
温度調節部材の少なくとも一方が、温度調節部材の動作
位置と、前記反転機構による前記基板の反転を許容する
待避位置との間で進退可能であるので、基板の成膜室へ
の搬入に際しては前記反転機構による基板の回転を省ス
ペースで実行でき、基板への成膜に際しては基板の温度
を精密に調節することができる。例えば、反転機構を進
退させる場合、基板が温度調節部材に接する動作位置
と、基板の反転を許容する待避位置との間で反転機構を
移動させる。また、温度調節部を進退させる場合、基板
に接する動作位置と、基板の反転を許容する待避位置と
の間で温度調節部を移動させる。要は、基板の反転に際
して、反転機構及び温度調節部材が互いに干渉しないよ
うに相対的に離間して待避すればよい。

【００１３】また、好ましい態様によれば、前記成膜室
中にプラズマビームを供給するプラズマ源と、前記成膜
室中に配置されて前記蒸発物質を収容可能であるととも
に前記プラズマビームを導くハースと、前記材料収容部
の上方の近接した領域の磁界を制御する磁場制御部材と
を更に備える。

【００１４】上記成膜装置では、前記成膜室中にプラズ
マビームを供給するプラズマ源と、前記成膜室中に配置
されて前記蒸発物質を収容可能であるとともに前記プラ
ズマビームを導くハースと、前記材料収容部の上方の近
接した領域の磁界を制御する磁場制御部材とを備えるの
で、プラズマを用いてイオンプレーティングを行う成膜
装置において前記蒸発物質を使用することからデポアッ
プ型の成膜を行わざるを得ない場合であっても、クラス
タツール全体のフットプリントの増大を最小限に抑えつ
つ、他の処理部との間での基板を受け渡す作業を円滑に
実行することができる。

【００１５】また、好ましい態様によれば、前記磁場制
御部材が、前記ハースの周囲に環状に配置された磁石で
ある。

【００１６】上記成膜装置では、前記磁場制御部材が前
記ハースの周囲に環状に配置された磁石であるので、他
の処理部との間で基板を受け渡す作業が省スペースで円
滑に行われるだけでなく、ハースに入射するプラズマビ
ームがカプス状磁場によって修正されてより均一な厚み
の膜を形成することができる。

【００１７】また、好ましい態様によれば、前記プラズ
マ源が、圧力勾配型のプラズマガンである。

【００１８】上記成膜装置では、前記プラズマ源が圧力
勾配型のプラズマガンであるので、他の処理部との間で
基板を受け渡す作業が省スペースで円滑に行われるだけ
でなく、高品質の膜を形成することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る成膜装置の
一実施形態であるイオンプレーティング装置を組み込ん
だクラスタツールの全体構造を示す平面図である。

【００２０】正多角形の搬送室１０の側方の３つの隣接
する端面には、複数の処理装置として、第１イオンプレ
ーティング装置１１と、第２イオンプレーティング装置
１２と、他の処理装置１３とが接続されており、第１イ
オンプレーティング装置１１の反対側端面には、基板Ｗ
を搬送室１０からクラスタツール外に搬出し若しくはク
ラスタツール外から内部に搬入するための入口／出口室
１４が接続されている。ここで、第１イオンプレーティ
ング装置１１と第２イオンプレーティング装置１２と
は、基板Ｗの膜形成面すなわち被処理面を下側にして処
理する成膜装置（処理部）であり、処理装置１３は、基
板Ｗの被処理面を上側にして処理する処理部である。な
お、図示のクラスタツールでは、入口／出口室１４に接
続された端面に隣接する搬送室１０の２つの端面に何も
接続してないが、クラスタツールの用途に応じてこれら
の端面にも他の処理装置をそれぞれ接続できることは言
うまでもない。

【００２１】図２は、図１のクラスタツールのＡＡ断面
を示す図である。入口／出口室１４は、基板Ｗを一時的
に支持する支持部材２１を備えている。入口／出口室１
４と搬送室１０とは、ゲート弁２３を介して開閉可能に
接続されている。搬送室１０の中心には、多関節型のハ
ンドリング装置である搬送用真空ロボット２６が配置さ
れている。この搬送用真空ロボット２６は、伸縮すると
ともに中心軸ＣＸの回りに回転可能であるアーム２６ａ
と、アーム２６ａの先端に固定されて基板Ｗを支持する
ハンド２６ｂとを備える。ハンド２６ｂは、アーム２６
ａに送られて、周囲の処理装置１１、１２、１３や入口
／出口室１４の内部に基板Ｗを進退させることができ
る。

【００２２】なお、搬送室１０と第１イオンプレーティ
ング装置１１とは、ゲート弁２４を介して開閉可能に接
続されており、図示していないが、第２イオンプレーテ
ィング装置１２や処理装置１３も、ゲート弁を介して搬
送室１０と開閉可能に接続されている。

【００２３】第１イオンプレーティング装置１１は、真
空気密を保ち得る密閉構造の成膜室４１で構成される。
成膜室４１内部の下方には、蒸発物質を収容する凹部を
有する蒸発物質源でありかつ陽極であるハース４２ａ
と、このハース４２ａを中心としてその周囲に環状に配
置される環状補助陽極４２ｂとからなる陽極部材４２の
ほか、磁場制御部材として環状補助陽極４２ｂの直下に
配置される環状磁石４２ｃが配置されている。成膜室４
１の下部側壁の一側面には、成膜室４１の内部を臨むよ
うにプラズマ源であるプラズマガン４３が設けられてい
る。このプラズマガン４３は、特開平８−２３２０６０
号公報等に開示されている圧力勾配型のプラズマガンで
あり、モリブデン製の外筒とキャリアガスを導入するタ
ンタル製の内パイプとからなる２重円筒の一端を円盤状
の陰極で固定し他端にＬａＢ₆製の円盤を配置すること
によって形成したガン本体４３ａと、ガン本体４３ａか
ら出射するプラズマビームを収束させる環状の磁石コイ
ル部４３ｂと、磁石コイル部４３ｂを成膜室４１に連結
する筒状部４３ｃとを備える。また、プラズマガン４３
は、筒状部４３ｃの周囲にプラズマビームを成膜室４１
内に導くための環状のステアリングコイル４３ｄを有し
ている。

【００２４】成膜室４１の上部であってプラズマガン４
３上方には、成膜室４１中を適当な真空度に維持する排
気系４５が設けられている。この排気系４５は、排気室
４５ａと、排気遮断弁４５ｂと、高真空用排気ポンプ４
５ｃとから構成される。

【００２５】成膜室４１の中間部であってプラズマガン
４３と排気系４５との間の側壁には、成膜室４１中で基
板Ｗを保持するチャック６０を必要なタイミングで動作
させるチャック駆動機構７０が設けられている。このチ
ャック駆動機構７０は、後に詳細に説明するが、チャッ
ク６０を基板Ｗを保持する保持状態と基板Ｗの保持を解
除する解除状態との間で開閉動作させることができると
ともに、基板Ｗの反転機構として、基板Ｗを保持した保
持状態のチャック６０をその場で基板Ｗの中心線の回り
に回転させることができる。

【００２６】成膜室４１内部の上方には、成膜中におけ
る基板Ｗの温度を調節する温度調節部材６５が配置され
ている。この温度調節部材６５は、温調板駆動機構８０
によって上下に駆動され、基板Ｗの上面（裏面）に接し
て基板Ｗの温度を調節する下方の動作位置と、チャック
駆動機構７０による基板Ｗの反転を許容する上方の待避
位置との間で進退可能である。

【００２７】以下、図１及び図２に示すクラスタツール
の動作について説明する。このクラスタツールで処理す
べき未処理の基板Ｗは、被処理面（膜形成面）を上側に
して一旦入口／出口室１４に搬入され、ここで一時的に
保管される。その後、搬送室１０に設けた搬送用真空ロ
ボット２６によって、入口／出口室１４中の基板Ｗを内
側から搬送室１０中に取り込み、続いて第１及び第２イ
オンプレーティング装置１１、１２や他の処理装置１３
の内部に順次搬送する。これらの処理装置１１、１２、
１３では必要な成膜処理等が所望の手順で進行する。必
要な処理が終了した基板Ｗは、被処理面（膜形成面）を
上側にした状態で搬送室１０を経て一旦入口／出口室１
４に搬入される。入口／出口室１４中の処理済みの基板
Ｗは、適当なタイミングでクラスタツール外に搬出され
る。

【００２８】図３は、図１に示す第１イオンプレーティ
ング装置１１の内部を詳細に説明する一部破断斜視図で
ある。第１イオンプレーティング装置１１の構造と動作
の詳細について説明する。

【００２９】チャック６０は、互いに近接したり離間す
る一対の円弧状のハンド６０ａ、６０ｂからなり、各ハ
ンド６０ａ、６０ｂは、基板Ｗの縁を支えるための横向
きの溝が形成された保持部材６１をそれぞれ２ずつ有し
ている。チャック駆動機構７０は、両ハンド６０ａ、６
０ｂの間隔を調節することによってチャック６０に基板
Ｗの保持させたり基板Ｗの保持を解除させることができ
るようになっている。なお、チャック駆動機構７０は、
基板Ｗを保持したチャック６０を全体として水平軸の回
りに回転させることもでき、基板Ｗを成膜室４１中のそ
の場で裏返して反転させることができるようになってい
る。

【００３０】温調板駆動機構８０は、シリンダ機構８１
から下方に延びるロッド８１ａの先端に連結部材８２を
介して接続された連結棒８３を上下に駆動することによ
り、温度調節部材６５を上下に移動させることができ
る。温度調節部材６５のストロークは、基板Ｗの半径よ
りも十分大きくなっており、温度調節部材６５が最上端
の待避位置にあるときは、成膜面を上にして基板Ｗを保
持する両ハンド６０ａ、６０ｂの水平軸回りの回転が可
能になり、基板Ｗを反転させて成膜面を下向きとするこ
とができる。一方、温度調節部材６５が最下端の動作位
置にあるときは、成膜面を下向きとした基板Ｗの上面に
温度調節部材６５の下面が一様に接して基板Ｗの温度調
節が可能になる。

【００３１】以下、動作について説明する。搬送用真空
ロボット２６のハンド２６ｂは、第１イオンプレーティ
ング装置１１中に基板Ｗを被処理面すなわち成膜面を上
向きにして搬入し、この基板Ｗを水平状態のチャック６
０の直下に配置する。この状態で、両ハンド６０ａ、６
０ｂが離間して解除状態となると、ハンド２６ｂは、基
板Ｗとともに上昇し、基板Ｗを両ハンド６０ａ、６０ｂ
の間にしてそれらの高さまで上昇させる。この状態で、
両ハンド６０ａ、６０ｂが互いに近接して保持状態に変
化すると、両ハンド６０ａ、６０ｂによって基板Ｗの縁
が支持される。その後、ハンド２６ｂは、一旦わずかに
降下し、第１イオンプレーティング装置１１外に退出す
る。

【００３２】次に、温度調節部材６５が最上端の待避位
置まで移動しているか否かを確認し、温度調節部材６５
が待避位置にないときは温調板駆動機構８０を駆動して
温度調節部材６５を最上端の待避位置まで移動させ、成
膜面を上にして両ハンド６０ａ、６０ｂに保持された状
態の基板Ｗを水平軸回りに回転させる。これにより、基
板Ｗは反転し、成膜面が下向きとなる。

【００３３】次に、温度調節部材６５が最下端の動作位
置に移動し、成膜面を下向きとして配置された基板Ｗに
基板Ｗの上面（裏面）に温度調節部材６５の下面が一様
に接して基板Ｗの温度が調節される。

【００３４】イオンプレーティングによる成膜は、この
ように成膜面を下向きとし所望の温度に調節された状態
の基板Ｗに対して行われる。具体的な成膜について説明
すると、ハース４２ａの凹部には、Ｃｕ等の蒸発物質金
属が加熱され溶融状態で溜まっている。この状態で、プ
ラズマガン４３からのプラズマビームを環状補助陽極４
２ｂに入射させている待機状態からハース４２ａに入射
させる成膜状態にスイッチする。これにより、基板Ｗの
下面すなわち被処理面に金属被膜が形成され成長する。
基板Ｗの被処理面に形成された膜が所定の膜厚になった
段階で、プラズマビームを環状補助陽極４２ｂに入射さ
る待機状態にスイッチする。以上により、基板Ｗの被処
理面への薄膜形成処理は終了する。なお、本実施形態の
プラズマガン４３を用いることにより、強力なプラズマ
ビームを連続的に安定して供給することができ、基板Ｗ
上に高品質の膜が迅速に形成されることになる。また、
環状磁石４２ｃによってハース４２ａの上方にカプス磁
場を形成しハース４２ａに入射するプラズマビームを修
正するので、基板Ｗ上により均一な厚さの膜が形成され
ることになる。

【００３５】次に、温調板駆動機構８０は、温度調節部
材６５を最上端の待避位置に移動させる。チャック駆動
機構７０は、チャック６０を回転させて基板Ｗを反転さ
せ成膜面を上側にする。この状態で、ハンド２６ｂは、
第１イオンプレーティング装置１１内に進入し、基板Ｗ
を支持するチャック６０の直下に移動する。次に、ハン
ド２６ｂは、基板Ｗの裏面にほとんど接するまで上昇す
る。この状態で、両ハンド６０ａ、６０ｂが離間して解
除状態となると、両ハンド６０ａ、６０ｂからハンド２
６ｂに基板が渡される。ハンド２６ｂは、成膜後の被処
理面を上側にした基板Ｗを第１イオンプレーティング装
置１１外に搬出する。

【００３６】図４は、チャック６０を開閉動作させると
ともにその場で水平軸ＨＸの回りに回転させるチャック
駆動機構７０の構造の一例を示す図である。

【００３７】チャック駆動機構７０のケース７１中に
は、両ハンド６０ａ、６０ｂから延びる支持ロッド６２
の水平方向ＡＢの移動を支持部材７２を介して案内する
スライドガイド７３が配置されている。なお、支持ロッ
ド６２は、支持部材７２とベローズ７４とによって成膜
室４１内部に密封されている。支持部材７２の外側から
後方に延びる駆動ロッド７５の先端には、ローラ７６が
設けてあり、シリンダ機構７７から延びるロッド７７ａ
の先端に設けた楔状の部材７８によって水平方向ＡＢの
間隔が微調整可能になっている。シリンダ機構７７を駆
動してロッド７７ａを突出させることにより、駆動ロッ
ド７５が離間して両ハンド６０ａ、６０ｂも離間し、チ
ャック６０は解除状態となる。一方、シリンダ機構７７
を駆動してロッド７７ａを収納することにより、両駆動
ロッド７５が近接して両ハンド６０ａ、６０ｂも近接
し、チャック６０は保持状態となる。

【００３８】成膜室４１は、ケース７１を取り付けた円
板部４１ｃとその周囲との間に環状のシール部材４１ｄ
を有している。このシール部材４１ｄは、ケース７１と
ともに円板部４１ｃが水平軸ＨＸの回りに回転するのを
許容するとともに、ケース７１が回転した場合にも成膜
室４１中を気密に保つ。ケース７１全体は、制御下で回
転駆動機構９１と伝達機構９２とによって駆動されて水
平軸ＨＸの回りに適宜回転する。この結果、チャック６
０が全体として回転し、両ハンド６０ａ、６０ｂに保持
された基板Ｗも上下反転することになる。つまり、基板
Ｗは、成膜室４１中でチャック６０に保持されて必要に
応じて被処理面が上になったり下になったりする。

【００３９】図５は、温度調節部材６５を昇降させる温
調板駆動機構８０の構造の一例を示す図である。温度調
節部材６５の上面中央からは、絶縁物を介して連結棒８
３が延びている。この連結棒８３は、上壁に設けた穴を
介して成膜室４１の外に延びており、その端部には、連
結部材８２が取り付けられている。この連結部材８２の
反対側には、シリンダ機構８１のロッド８１ａが連結さ
れている。連結部材８２は、リニアガイド８４に案内さ
れて上下に滑らかに移動する。なお、シリンダ機構８１
とリニアガイド８４とは、成膜室４１の上壁外部に固定
された取付金具８５に取り付けられている。連結部材８
２と成膜室４１との間には、連結棒８３を密封するよう
にベローズ８６が取付けられており、成膜室４１内を気
密に保っている。つまり、連結棒８３が上下に移動して
成膜室４１中に突起したり後退した場合にも、ベローズ
８６が伸縮し、成膜室４１中の真空状態が維持される。

【００４０】温度調節部材６５の内部には、加熱用のヒ
ータ線、冷却媒体の配管及び基板へのバイアス電圧印加
用の配線が収容されておりケーブル８８を介して温度調
節部材６５の外部に引出されている。このケーブル８８
は、上壁に設けた穴を介して成膜室４１の外に延びてお
り、その先には、電源装置や冷却媒体供給装置が接続さ
れている。なお、ケーブル８８を包むようにして成膜室
４１と温度調節部材６５との間にはベローズ８９が取付
けられており、成膜室４１内を気密に保っている。

【００４１】以上実施形態に即してこの発明を説明した
が、この発明は上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば、上記実施形態では、反転機構として基板Ｗ
を把持するチャック機構７０を利用し、このチャック機
構７０を全体的に回転させる構造としたが、各種機構を
利用して基板Ｗを反転させることができる。また、チャ
ック機構７０と温度調節部材６５との干渉を避けるため
温度調節部材６５を上下に移動させているが、温度調節
部材６５を固定したままとしてチャック機構７０を上下
移動させることもできる。この場合、チャック機構７
０、円板部４１ｃ、シール部材４１ｄ等を一体として成
膜室４１に対して上下移動させる上下駆動機構が必要と
なる。チャック機構７０に把持した基板Ｗを回転させる
際には、この上下駆動機構によってチャック機構７０を
降下させて待避位置に移動させ、チャック機構７０に把
持した基板Ｗの温度を調節する際には、この上下駆動機
構によってチャック機構７０を上昇させて温度調節部材
６５と基板Ｗの裏面が接する動作位置に移動させる。

【００４２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の成膜装置によれば、反転機構が膜形成面を上側にして
成膜室まで搬送されてきた基板を反転させて前記膜形成
面を下側にするので、斯かるデポアップ型の成膜装置が
基板の被処理面を上側にして特定の処理を行う処理部と
ともにクラスタツールに組み込まれた場合であっても、
クラスタツールの中央に配置するハンドリング装置に基
板を反転させる機構を設けたり、別に基板反転用の処理
部を設ける必要がなくなる。よって、ハンドリング装置
の構造を変更することなくクラスタツールを構成する他
の処理部との間での基板を受け渡す作業を円滑に実行す
ることができ、フットプリントの増大も最小限に抑える
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態のイオンプレーティング装置を組み込
んだクラスタツールの全体構造を示す平面図である。

【図２】図１のクラスタツールのＡＡ断面を示す図であ
る。

【図３】図２に示すイオンプレーティング装置の内部を
詳細に説明する一部破断斜視図である。

【図４】チャックを開閉動作させその場で回転させるチ
ャック駆動機構の構造一例を示す図である。

【図５】温度調節部材を昇降させる温調板駆動機構の構
造の一例を示す図である。

【符号の説明】

１０搬送室１１,１２イオンプレーティング装置１３処理装置１４入口／出口室２１支持部材２６搬送用真空ロボット４１成膜室４２陽極部材４３プラズマガン４５排気系６０ａ,６０ｂハンド６１保持部材６５温度調節部材７０チャック駆動機構８０温調板駆動機構８１シリンダ機構９１回転駆動機構９２伝達機構Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】デポアップ型の成膜装置において、膜形成面を上側にして成膜室まで搬送されてきた基板を
反転させて前記膜形成面を下側にする反転機構を備える
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】前記成膜室は、内部空間の下部に蒸発物
質を発生する蒸発物質源を備え、前記反転機構は、前記
蒸発物質源の上方に搬送されてきた前記基板をその場で
反転させることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】前記成膜室は、前記反転機構によって反
転された前記基板の上面に接して当該基板の温度を調節
する温度調節部材を備え、当該温度調節部材の動作位置
と、前記反転機構による前記基板の反転を許容する待避
位置との間で、前記反転機構及び前記温度調節部材の一
方あるいは両方を進退可能とすることを特徴とする請求
項２記載の成膜装置。
【請求項４】前記成膜室中にプラズマビームを供給す
るプラズマ源と、前記成膜室中に配置されて前記蒸発物
質を収容可能であるとともに前記プラズマビームを導く
ハースと、前記材料収容部の上方の近接した領域の磁界
を制御する磁場制御部材とを更に備えることを特徴とす
る請求項１記載の成膜装置。
【請求項５】前記磁場制御部材は、前記ハースの周囲
に環状に配置された磁石であることを特徴とする請求項
４記載の成膜装置。
【請求項６】前記プラズマ源は、圧力勾配型のプラズ
マガンであることを特徴とする請求項４記載の成膜装
置。