JP2000243685A - 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置Info
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- JP2000243685A JP2000243685A JP11040477A JP4047799A JP2000243685A JP 2000243685 A JP2000243685 A JP 2000243685A JP 11040477 A JP11040477 A JP 11040477A JP 4047799 A JP4047799 A JP 4047799A JP 2000243685 A JP2000243685 A JP 2000243685A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近接効果の影響を少なくしてパターン描画を
行う場合にスループットを向上させることを目的とす
る。 【解決手段】 描画領域を複数の区画に分割し、描画領
域上の１点に電子ビームをショットし、各区画における
蓄積エネルギーを算出して基準蓄積エネルギー分布テー
ブルを作成する。描画パターンを複数の区画に分割し、
発生した各区画内の各分割パターンの各々について、分
割パターンの面積と区画面積との比を求める。該比に基
づいて基準蓄積エネルギー分布テーブルの各区画の蓄積
エネルギーを書き換え、順次各分割パターン毎に書き換
えられた蓄積エネルギーを順次同じ区画毎に加算してエ
ネルギーマップを作成する。分割パターンが存在する区
画の蓄積エネルギー値を使用し、該蓄積エネルギー値に
基づいてショット時間を補正し、荷電粒子ビームのショ
ットにより被描画材料上に分割パターンを描く。
行う場合にスループットを向上させることを目的とす
る。 【解決手段】 描画領域を複数の区画に分割し、描画領
域上の１点に電子ビームをショットし、各区画における
蓄積エネルギーを算出して基準蓄積エネルギー分布テー
ブルを作成する。描画パターンを複数の区画に分割し、
発生した各区画内の各分割パターンの各々について、分
割パターンの面積と区画面積との比を求める。該比に基
づいて基準蓄積エネルギー分布テーブルの各区画の蓄積
エネルギーを書き換え、順次各分割パターン毎に書き換
えられた蓄積エネルギーを順次同じ区画毎に加算してエ
ネルギーマップを作成する。分割パターンが存在する区
画の蓄積エネルギー値を使用し、該蓄積エネルギー値に
基づいてショット時間を補正し、荷電粒子ビームのショ
ットにより被描画材料上に分割パターンを描く。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、近接効果の影響を補正
してパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法に関す
る。
してパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム描画方法は、基板上にレジス
トを塗布し、この様な被描画材料上の所定の位置に電子
ビームをショットする事により被描画材料の所定の位置
に所定のパターンを描く方法であり、極めて密度の高い
半導体素子を製作することが出来る。
トを塗布し、この様な被描画材料上の所定の位置に電子
ビームをショットする事により被描画材料の所定の位置
に所定のパターンを描く方法であり、極めて密度の高い
半導体素子を製作することが出来る。
【０００３】さて、このような電子ビーム描画方法にお
いて、ショットした電子ビームがレジスト内で散乱（前
方散乱と称す）したり、レジストを通過して基板中に入
り、再び該基板からレジスト内に散乱（後方散乱と称
す）したりすることにより、ショットした領域以外の部
分にもエネルギーが蓄積されてしまう。その為に、現像
すると、所定領域内に未露光部が生じたり、所定領域以
外の部分が露光されてしまう現象が発生する。この様な
現象を近接効果と称しており、自分自身のパターン描画
で生ずるものをパターン内近接効果、近接した位置に描
画される他のパターン描画で生じるものをパターン間近
接効果と称している。
いて、ショットした電子ビームがレジスト内で散乱（前
方散乱と称す）したり、レジストを通過して基板中に入
り、再び該基板からレジスト内に散乱（後方散乱と称
す）したりすることにより、ショットした領域以外の部
分にもエネルギーが蓄積されてしまう。その為に、現像
すると、所定領域内に未露光部が生じたり、所定領域以
外の部分が露光されてしまう現象が発生する。この様な
現象を近接効果と称しており、自分自身のパターン描画
で生ずるものをパターン内近接効果、近接した位置に描
画される他のパターン描画で生じるものをパターン間近
接効果と称している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この様な近接効果の影
響を少なくする為に、描画すべきパターン自身の大きさ
或いは近接するパターンとの間隔に応じてショット時間
を変えるようにしている。その為に、予め、描画すべき
パターン自身の大きさに基づくショット時間補正量と、
近接するパターンとの間隔に基づくショット時間補正量
を計算し、各描画すべきパターンの近接効果補正データ
として持たせ、各パターン描画時に、その近接効果補正
データを使用して近接効果による影響を少なくしてパタ
ーン描画を行うようにしている。
響を少なくする為に、描画すべきパターン自身の大きさ
或いは近接するパターンとの間隔に応じてショット時間
を変えるようにしている。その為に、予め、描画すべき
パターン自身の大きさに基づくショット時間補正量と、
近接するパターンとの間隔に基づくショット時間補正量
を計算し、各描画すべきパターンの近接効果補正データ
として持たせ、各パターン描画時に、その近接効果補正
データを使用して近接効果による影響を少なくしてパタ
ーン描画を行うようにしている。
【０００５】しかし、近年、パターンの集積度が極めて
高くなり、その為に、前記計算量が膨大なものとなり、
パターン描画のスループット向上の妨げとなっていた。
高くなり、その為に、前記計算量が膨大なものとなり、
パターン描画のスループット向上の妨げとなっていた。
【０００６】本発明は、この様な問題を解決することを
目的としたものである。
目的としたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】 本発明に基づく荷電粒
子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームのショットにより
被描画材料上に描画パターンを描く荷電粒子ビーム描画
方法において、被描画材料上の描画領域を複数の区画に
分割し、描画領域上の１点に電子ビームをショットした
場合の各区画における蓄積エネルギーを算出して基準蓄
積エネルギー分布テーブルを作成し、前記描画パターン
を前記分割と同じように複数の区画に分割し、該分割に
より発生した各区画内の１個以上の各分割パターンの各
々について、その分割パターンが前記区画に占める面積
比を求め、更に、その比に基づいて前記基準蓄積エネル
ギー分布テーブルの各区画の蓄積エネルギーを書き換
え、該順次各分割パターン毎に書き換えられた蓄積エネ
ルギーを順次同じ区画毎に加算してエネルギーマップを
作成してメモリに記憶させ、分割パターン描画時に、前
記メモリからその分割パターンが存在する区画の蓄積エ
ネルギー値を呼び出し、該蓄積エネルギー値に基づいて
ショット時間を補正し、荷電粒子ビームのショットによ
り被描画材料上に分割パターンを描くようにしたことを
特徴とする。
子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームのショットにより
被描画材料上に描画パターンを描く荷電粒子ビーム描画
方法において、被描画材料上の描画領域を複数の区画に
分割し、描画領域上の１点に電子ビームをショットした
場合の各区画における蓄積エネルギーを算出して基準蓄
積エネルギー分布テーブルを作成し、前記描画パターン
を前記分割と同じように複数の区画に分割し、該分割に
より発生した各区画内の１個以上の各分割パターンの各
々について、その分割パターンが前記区画に占める面積
比を求め、更に、その比に基づいて前記基準蓄積エネル
ギー分布テーブルの各区画の蓄積エネルギーを書き換
え、該順次各分割パターン毎に書き換えられた蓄積エネ
ルギーを順次同じ区画毎に加算してエネルギーマップを
作成してメモリに記憶させ、分割パターン描画時に、前
記メモリからその分割パターンが存在する区画の蓄積エ
ネルギー値を呼び出し、該蓄積エネルギー値に基づいて
ショット時間を補正し、荷電粒子ビームのショットによ
り被描画材料上に分割パターンを描くようにしたことを
特徴とする。
【０００８】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法
は、複数の小描画領域から成る描画領域に、該各小領域
毎にパターンを描くようにし、その場合、複数のエネル
ギーマップ記憶用のメモリを用意し、１つの小描画領域
についてのエネルギーマップを作成して、該マップを何
れかのメモリへ記憶させた後、他の各小描画領域につい
てのエネルギーマップを作成して、該マップを直前に記
憶されたメモリ以外の何れかのメモリへ記憶させる工程
と、エネルギーマップ作成済みの小描画領域のパターン
を描画する工程とを並行して行うようにしたことを特徴
とする。
は、複数の小描画領域から成る描画領域に、該各小領域
毎にパターンを描くようにし、その場合、複数のエネル
ギーマップ記憶用のメモリを用意し、１つの小描画領域
についてのエネルギーマップを作成して、該マップを何
れかのメモリへ記憶させた後、他の各小描画領域につい
てのエネルギーマップを作成して、該マップを直前に記
憶されたメモリ以外の何れかのメモリへ記憶させる工程
と、エネルギーマップ作成済みの小描画領域のパターン
を描画する工程とを並行して行うようにしたことを特徴
とする。
【０００９】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画方法
は、小描画領域が許容偏向誤差内で荷電粒子ビームの偏
向のみでパターンが描ける領域であることを特徴とす
る。
は、小描画領域が許容偏向誤差内で荷電粒子ビームの偏
向のみでパターンが描ける領域であることを特徴とす
る。
【００１０】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画装置
は、荷電粒子ビームのショットにより被描画材料上に描
画パターンを描く様に成した荷電粒子ビーム描画装置に
おいて、被描画材料上の描画領域を複数の区画に分割
し、描画領域上の１点に電子ビームをショットした場合
の各区画における蓄積エネルギーを算出し、基準蓄積エ
ネルギー分布テーブルを作成する手段、該基準蓄積エネ
ルギー分布テーブルを記憶する第１メモリ、前記描画パ
ターンを前記分割と同じように複数の区画に分割する図
形分割回路、該分割により発生した各区画内の１個以上
の各分割パターンの各々についての面積を求める面積算
出回路、該算出された分割パターンの面積と前記区画面
積との比を求め、その比に基づいて前記基準蓄積エネル
ギー分布テーブルの各区画の蓄積エネルギーを書き換え
る分割パターン蓄積エネルギー分布テーブル作成回路、
該順次各分割パターン毎に書き換えられた蓄積エネルギ
ーを順次同じ区画毎に加算する加算回路、該加算回路の
出力に基づくトータル蓄積エネルギー分布をエネルギー
マップとして記憶する第２メモリ、前記第２メモリから
描画すべき分割パターンが存在する区画の蓄積エネルギ
ー値を呼び出し、該蓄積エネルギー値に基づいてショッ
ト時間を補正するショット時間制御回路、及び、荷電粒
子ビームのショットにより被描画材料上に分割パターン
を描く為の荷電粒子ビーム光学手段を備え、前記ショッ
ト時間制御回路により補正されたショット時間に基づい
たショット時間、荷電粒子ビームをショッとすることに
より被描画材料上に分割パターンを描く様に成したこと
を特徴とする。
は、荷電粒子ビームのショットにより被描画材料上に描
画パターンを描く様に成した荷電粒子ビーム描画装置に
おいて、被描画材料上の描画領域を複数の区画に分割
し、描画領域上の１点に電子ビームをショットした場合
の各区画における蓄積エネルギーを算出し、基準蓄積エ
ネルギー分布テーブルを作成する手段、該基準蓄積エネ
ルギー分布テーブルを記憶する第１メモリ、前記描画パ
ターンを前記分割と同じように複数の区画に分割する図
形分割回路、該分割により発生した各区画内の１個以上
の各分割パターンの各々についての面積を求める面積算
出回路、該算出された分割パターンの面積と前記区画面
積との比を求め、その比に基づいて前記基準蓄積エネル
ギー分布テーブルの各区画の蓄積エネルギーを書き換え
る分割パターン蓄積エネルギー分布テーブル作成回路、
該順次各分割パターン毎に書き換えられた蓄積エネルギ
ーを順次同じ区画毎に加算する加算回路、該加算回路の
出力に基づくトータル蓄積エネルギー分布をエネルギー
マップとして記憶する第２メモリ、前記第２メモリから
描画すべき分割パターンが存在する区画の蓄積エネルギ
ー値を呼び出し、該蓄積エネルギー値に基づいてショッ
ト時間を補正するショット時間制御回路、及び、荷電粒
子ビームのショットにより被描画材料上に分割パターン
を描く為の荷電粒子ビーム光学手段を備え、前記ショッ
ト時間制御回路により補正されたショット時間に基づい
たショット時間、荷電粒子ビームをショッとすることに
より被描画材料上に分割パターンを描く様に成したこと
を特徴とする。
【００１１】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画装置
は、荷電粒子ビーム発生手段、複数のスリットとその間
にビーム断面成形用偏向器を有する荷電粒子ビーム断面
可変手段、該荷電粒子ビーム断面可変手段で成形された
ビームを被描画材料上の所定の位置にショットさせるた
めの位置決め用偏向器、描画パターンデータを貯蔵した
データメモリ、及び、該データメモリからの描画パター
ンをビームショット用のパターンに分割する第１図形分
割回路を備え、該第１図形分割回路により分割されたシ
ョット分割パターンデータを成すショット位置データに
基づいて前記位置決め用偏向器をコントロールし、同シ
ョット分割パターンデータを成すパターン寸法データに
基づいて前記成形用偏向器をコントロールすることによ
り、荷電粒子ビームにより被描画材料上にパターンを描
く様に成した荷電粒子ビーム描画装置であって、被描画
材料上の描画領域を複数の区画に分割し、描画領域上の
１点に電子ビームをショットした場合の各区画における
蓄積エネルギーを算出し、基準蓄積エネルギー分布テー
ブルを作成する手段、該基準蓄積エネルギー分布テーブ
ルを記憶する第１メモリ、前記描画パターンを前記分割
と同じように複数の区画に分割する第２図形分割回路、
該分割により発生した各区画内の１個以上の各分割パタ
ーンの各々についての面積を求める面積算出回路、該算
出された分割パターンの面積と前記区画面積との比を求
め、その比に基づいて前記基準蓄積エネルギー分布テー
ブルの各区画の蓄積エネルギーを書き換える分割パター
ン蓄積エネルギー分布テーブル作成回路、該順次各分割
パターン毎に書き換えられた蓄積エネルギーを順次同じ
区画毎に加算する加算回路、及び、該加算回路の出力に
基づくトータル蓄積エネルギー分布をエネルギーマップ
として記憶する第２メモリを備え、前記第２メモリから
ショット分割パターンが存在する区画の蓄積エネルギー
値を呼び出し、前記ショット時間制御回路により補正さ
れたショット時間に基づいたショット時間、荷電粒子ビ
ームをショットとすることにより被描画材料上に分割パ
ターンを描く様に成したとを特徴とする。
は、荷電粒子ビーム発生手段、複数のスリットとその間
にビーム断面成形用偏向器を有する荷電粒子ビーム断面
可変手段、該荷電粒子ビーム断面可変手段で成形された
ビームを被描画材料上の所定の位置にショットさせるた
めの位置決め用偏向器、描画パターンデータを貯蔵した
データメモリ、及び、該データメモリからの描画パター
ンをビームショット用のパターンに分割する第１図形分
割回路を備え、該第１図形分割回路により分割されたシ
ョット分割パターンデータを成すショット位置データに
基づいて前記位置決め用偏向器をコントロールし、同シ
ョット分割パターンデータを成すパターン寸法データに
基づいて前記成形用偏向器をコントロールすることによ
り、荷電粒子ビームにより被描画材料上にパターンを描
く様に成した荷電粒子ビーム描画装置であって、被描画
材料上の描画領域を複数の区画に分割し、描画領域上の
１点に電子ビームをショットした場合の各区画における
蓄積エネルギーを算出し、基準蓄積エネルギー分布テー
ブルを作成する手段、該基準蓄積エネルギー分布テーブ
ルを記憶する第１メモリ、前記描画パターンを前記分割
と同じように複数の区画に分割する第２図形分割回路、
該分割により発生した各区画内の１個以上の各分割パタ
ーンの各々についての面積を求める面積算出回路、該算
出された分割パターンの面積と前記区画面積との比を求
め、その比に基づいて前記基準蓄積エネルギー分布テー
ブルの各区画の蓄積エネルギーを書き換える分割パター
ン蓄積エネルギー分布テーブル作成回路、該順次各分割
パターン毎に書き換えられた蓄積エネルギーを順次同じ
区画毎に加算する加算回路、及び、該加算回路の出力に
基づくトータル蓄積エネルギー分布をエネルギーマップ
として記憶する第２メモリを備え、前記第２メモリから
ショット分割パターンが存在する区画の蓄積エネルギー
値を呼び出し、前記ショット時間制御回路により補正さ
れたショット時間に基づいたショット時間、荷電粒子ビ
ームをショットとすることにより被描画材料上に分割パ
ターンを描く様に成したとを特徴とする。
【００１２】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画装置
は、第２メモリを複数用意し、前記描画領域を成す１つ
の小描画領域についてのエネルギーマップを作成して、
該マップを何れかのメモリへ記憶させた後、他の前記描
画領域を成す各小描画領域についてのエネルギーマップ
を作成して、該マップを直前に記憶されたメモリ以外の
何れかのメモリへ記憶させる工程と、エネルギーマップ
作成済みの各小描画領域のパターンを描画する工程とを
並行して行うように成したうに成したことを特徴とす
る。
は、第２メモリを複数用意し、前記描画領域を成す１つ
の小描画領域についてのエネルギーマップを作成して、
該マップを何れかのメモリへ記憶させた後、他の前記描
画領域を成す各小描画領域についてのエネルギーマップ
を作成して、該マップを直前に記憶されたメモリ以外の
何れかのメモリへ記憶させる工程と、エネルギーマップ
作成済みの各小描画領域のパターンを描画する工程とを
並行して行うように成したうに成したことを特徴とす
る。
【００１３】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画装置
は、１個の共通図形分割回路を設け、該共通図形分割回
路により描画パターンの区画分割と描画パターンのショ
ットサイズパターン分割を交互に行えるように成し、前
者の時にエネルギーマップを作成し、後者の場合にパタ
ーン描画を行う様に成したことを特徴とする。
は、１個の共通図形分割回路を設け、該共通図形分割回
路により描画パターンの区画分割と描画パターンのショ
ットサイズパターン分割を交互に行えるように成し、前
者の時にエネルギーマップを作成し、後者の場合にパタ
ーン描画を行う様に成したことを特徴とする。
【００１４】本発明に基づく荷電粒子ビーム描画装置
は、ショットサイズパターンのサイズがエネルギーマッ
プの区画サイズより大きい場合、そのショットサイズパ
ターンに関係する複数の区画の内、中心部の区画の蓄積
エネルギー値に基づいてショット時間を補正するように
成したことを特徴とする。本発明に基づく荷電粒子ビー
ム描画装置は、ショットサイズパターンのサイズがエネ
ルギーマップの区画サイズより大きい場合、そのショッ
トサイズパターンに関係する複数の区画の蓄積エネルギ
ー値の平均値に基づいてショット時間を補正するように
成したことを特徴とする。
は、ショットサイズパターンのサイズがエネルギーマッ
プの区画サイズより大きい場合、そのショットサイズパ
ターンに関係する複数の区画の内、中心部の区画の蓄積
エネルギー値に基づいてショット時間を補正するように
成したことを特徴とする。本発明に基づく荷電粒子ビー
ム描画装置は、ショットサイズパターンのサイズがエネ
ルギーマップの区画サイズより大きい場合、そのショッ
トサイズパターンに関係する複数の区画の蓄積エネルギ
ー値の平均値に基づいてショット時間を補正するように
成したことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明に基づく電子ビーム描画方法
の一実施例を実現するための電子描画装置の一例を示し
ている。図中１は電子銃、２はブランキング用電極、３
はブランキング用スリット、４は照射レンズである。
５，６はそれぞれ中央部に多角形状、例えば、正方形若
しくは矩形の孔を有する第１成形スリット，第２成形ス
リット、７は前記第１成形スリット５の孔像を第２成形
スリット上に結像するための成形レンズ、８は前記第１
成形スリットを通過した電子ビームを偏向することによ
り、前記第１成形スリット孔像の第２成形スリット上の
結像位置を決めるための成形用偏向器で、これら成形ス
リット５，６、成形レンズ７、及び成形用偏向器８が電
子ビーム断面可変機構を成している。９は前記第２成形
レンズ６を通過した電子ビームを被描画材料１０上に集
束するための集束レンズ、１１は該材料上に集束される
電子ビームの位置を決めるための位置決め用偏向器であ
る。１２は前記被描画材料１０を載置するステージであ
る。
の一実施例を実現するための電子描画装置の一例を示し
ている。図中１は電子銃、２はブランキング用電極、３
はブランキング用スリット、４は照射レンズである。
５，６はそれぞれ中央部に多角形状、例えば、正方形若
しくは矩形の孔を有する第１成形スリット，第２成形ス
リット、７は前記第１成形スリット５の孔像を第２成形
スリット上に結像するための成形レンズ、８は前記第１
成形スリットを通過した電子ビームを偏向することによ
り、前記第１成形スリット孔像の第２成形スリット上の
結像位置を決めるための成形用偏向器で、これら成形ス
リット５，６、成形レンズ７、及び成形用偏向器８が電
子ビーム断面可変機構を成している。９は前記第２成形
レンズ６を通過した電子ビームを被描画材料１０上に集
束するための集束レンズ、１１は該材料上に集束される
電子ビームの位置を決めるための位置決め用偏向器であ
る。１２は前記被描画材料１０を載置するステージであ
る。
【００１７】１３は被描画材料上に描くべき描画パター
ンのデータが記憶されているメモリ、１４は中央制御装
置（以後、ＣＰＵと称す）である。
ンのデータが記憶されているメモリ、１４は中央制御装
置（以後、ＣＰＵと称す）である。
【００１８】１５は第１図形分割回路で、前記ＣＰＵ１
４の指令によりデータメモリ１３からの描画パターンデ
ータをビームショットサイズのデータ（即ち、ショット
サイズパターンのデータ）に分割する回路で、描画パタ
ーンデータを分割することにより、ショットビームのサ
イズデータとそのショットビームのショット位置データ
を発生し、前者を前記成形用偏向器８に、後者を前記位
置決め用偏向器１１と後述するショッ時間制御世回路２
２に供給する。
４の指令によりデータメモリ１３からの描画パターンデ
ータをビームショットサイズのデータ（即ち、ショット
サイズパターンのデータ）に分割する回路で、描画パタ
ーンデータを分割することにより、ショットビームのサ
イズデータとそのショットビームのショット位置データ
を発生し、前者を前記成形用偏向器８に、後者を前記位
置決め用偏向器１１と後述するショッ時間制御世回路２
２に供給する。
【００１９】１６は第２図形分割回路で、前記ＣＰＵ１
４の指令によりデータメモリ１３からの描画パターンデ
ータを後述するエネルギーマップ（被描画材料上の全描
画領域を複数の区画に分け、全描画領域に電子ビームシ
ョットにより所定のパターンを描いた場合を想定し、そ
の場合に、前記各区画内の電子ビーム照射による蓄積エ
ネルギーを計算してマップ化したもの）の区画に分割す
る回路で、各区画に分割されたパターン（以後、分割パ
ターンと称す）の位置データと、分割パターンの高さ及
び幅のデータを発生する。
４の指令によりデータメモリ１３からの描画パターンデ
ータを後述するエネルギーマップ（被描画材料上の全描
画領域を複数の区画に分け、全描画領域に電子ビームシ
ョットにより所定のパターンを描いた場合を想定し、そ
の場合に、前記各区画内の電子ビーム照射による蓄積エ
ネルギーを計算してマップ化したもの）の区画に分割す
る回路で、各区画に分割されたパターン（以後、分割パ
ターンと称す）の位置データと、分割パターンの高さ及
び幅のデータを発生する。
【００２０】１７はエネルギーマップ作成回路で、乗算
回路１８，分割パターンエネルギー分布テーブル作成回
路１９及び加算回路２０から成る。前記乗算回路１６
は、前記第２図形分割回路１６からの分割パターンの高
さと幅データに基づいて、各区画に分割された分割パタ
ーンの面積を算出する回路である。前記分割パターンエ
ネルギー分布テーブル作成回路１９は、前記乗算回路１
８からの分割パターンの面積データに基づいて後述する
基準エネルギー分布テーブル（被描画材料上の全描画領
域を前記エネルギーマップの区画と同一の区画に分け、
全描画領域の中心区画の中心の一点に電子ビームショッ
トを行った場合を想定し、その場合に、前記各区画内の
蓄積エネルギーを計算してテーブル化したもの）の各区
画のエネルギー値を書き換えてることにより分割パター
ンのエネルギー分布テーブルを作成する回路である。前
記加算回路２０は、前記第２図形分割回路１６からの分
割パターンの位置データによりエネルギーマップメモリ
２１から読み出されたエネルギー分布データに、前記分
割パターンエネルギー分布テーブル作成回路１９からの
分割パターンエネルギー分布データを、前記分割パター
ンが存在する区画を中心にして加算し、再び前記ネルギ
ーマップメモリ２１に戻す（記憶させる）回路である。
回路１８，分割パターンエネルギー分布テーブル作成回
路１９及び加算回路２０から成る。前記乗算回路１６
は、前記第２図形分割回路１６からの分割パターンの高
さと幅データに基づいて、各区画に分割された分割パタ
ーンの面積を算出する回路である。前記分割パターンエ
ネルギー分布テーブル作成回路１９は、前記乗算回路１
８からの分割パターンの面積データに基づいて後述する
基準エネルギー分布テーブル（被描画材料上の全描画領
域を前記エネルギーマップの区画と同一の区画に分け、
全描画領域の中心区画の中心の一点に電子ビームショッ
トを行った場合を想定し、その場合に、前記各区画内の
蓄積エネルギーを計算してテーブル化したもの）の各区
画のエネルギー値を書き換えてることにより分割パター
ンのエネルギー分布テーブルを作成する回路である。前
記加算回路２０は、前記第２図形分割回路１６からの分
割パターンの位置データによりエネルギーマップメモリ
２１から読み出されたエネルギー分布データに、前記分
割パターンエネルギー分布テーブル作成回路１９からの
分割パターンエネルギー分布データを、前記分割パター
ンが存在する区画を中心にして加算し、再び前記ネルギ
ーマップメモリ２１に戻す（記憶させる）回路である。
【００２１】２２は、前記ＣＰＵ１４から被描画材料に
塗布されたレジストの感度や厚さ等により決定された基
準のショット時間がセットされており、後述する補正テ
ーブル２３からのショット時間補正係数に基づいて該基
準ショット時間を補正してブランキング信号発生回路２
４に供給するショット時間制御回路であり、前記第１図
形分割回路１５からのショット位置データに基づいて、
前記エネルギーマップメモリ２１からそのショット位置
にショットされるビームに対応するショットサイズパタ
ーンが存在する区画の蓄積エネルギー値を呼び出す回路
である。前記補正テーブル２３は、予め実験等により求
められている各蓄積エネルギー値と、該蓄積エネルギー
値に対応したショット時間補正係数がテーブル化されて
もので、前記エネルギマップ２１から呼び出された蓄積
エネルギー値に対応したショット時間補正係数を前記シ
ョット時間制御回路２２へ送るものである。前記ブラン
キング信号発生回路２４は前記ショット時間制御回路２
２からのショット時間信号に基づいてブランキング信号
を作成し、前記ブランキング用偏向器２に供給するもの
である。
塗布されたレジストの感度や厚さ等により決定された基
準のショット時間がセットされており、後述する補正テ
ーブル２３からのショット時間補正係数に基づいて該基
準ショット時間を補正してブランキング信号発生回路２
４に供給するショット時間制御回路であり、前記第１図
形分割回路１５からのショット位置データに基づいて、
前記エネルギーマップメモリ２１からそのショット位置
にショットされるビームに対応するショットサイズパタ
ーンが存在する区画の蓄積エネルギー値を呼び出す回路
である。前記補正テーブル２３は、予め実験等により求
められている各蓄積エネルギー値と、該蓄積エネルギー
値に対応したショット時間補正係数がテーブル化されて
もので、前記エネルギマップ２１から呼び出された蓄積
エネルギー値に対応したショット時間補正係数を前記シ
ョット時間制御回路２２へ送るものである。前記ブラン
キング信号発生回路２４は前記ショット時間制御回路２
２からのショット時間信号に基づいてブランキング信号
を作成し、前記ブランキング用偏向器２に供給するもの
である。
【００２２】２５は前記中央制御装置１４からの指令に
従ってステージを移動制御するステージ駆動機構であ
る。２６，２７，２８はＤＡ変換器である。
従ってステージを移動制御するステージ駆動機構であ
る。２６，２７，２８はＤＡ変換器である。
【００２３】次に、本発明の電子ビーム描画方法の一例
を説明する。
を説明する。
【００２４】先ず、実際のパターン描画に入る前にエネ
ルギーマップを作成し、完成したエネルギーマップをエ
ネルギーマップメモリ２１に記憶させる。該エネルギー
マップの作成は次の（１）〜（３）の様にして行われ
る。
ルギーマップを作成し、完成したエネルギーマップをエ
ネルギーマップメモリ２１に記憶させる。該エネルギー
マップの作成は次の（１）〜（３）の様にして行われ
る。
【００２５】（１）基準エネルギー分布テーブルを作成
する。
する。
【００２６】先ず、被描画材料上の全描画領域を前記エ
ネルギーマップの区画と同一の区画に分ける。この区画
の大きさは、例えば、後方散乱の広がりより小さい大き
さとする。
ネルギーマップの区画と同一の区画に分ける。この区画
の大きさは、例えば、後方散乱の広がりより小さい大き
さとする。
【００２７】次に、中心の区画の一点に電子ビームをシ
ョットした場合を想定し、その場合の各区画の蓄積エネ
ルギーを算出してテーブル化する。この様な蓄積エネル
ギーの算出は次の様にして行われる。
ョットした場合を想定し、その場合の各区画の蓄積エネ
ルギーを算出してテーブル化する。この様な蓄積エネル
ギーの算出は次の様にして行われる。
【００２８】電子ビームを１点に入射したときのレジス
ト面から或る深さのある位置（ｘ，ｙ）での蓄積エネル
ギーは、次の（１）式のＥＩＤ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｔ
ｅｎｓｉｔｙ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）関数に基づ
いて計算される。
ト面から或る深さのある位置（ｘ，ｙ）での蓄積エネル
ギーは、次の（１）式のＥＩＤ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｉｎｔ
ｅｎｓｉｔｙ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）関数に基づ
いて計算される。
【００２９】
【数１】 ……（１）
【００３０】この式において、βf，βb，ηはレジスト
表面からの深さによって決定される定数で、βfを前方
散乱径、βbを後方散乱径、ηを後方散乱係数と称す。
又、この式の右辺の第１項はレジストに入射した電子が
前方散乱しつつ侵入していく際に蓄積されるエネルギー
の分布、第２項は入射電子がレジスト中及び基板中の原
子核によって後方散乱を受け、入射方向と逆方向に散乱
していく際に蓄積されるエネルギーの分布で、前記
βf，βbはそれぞれのガウス分布の標準偏差である。
尚、ηは前方散乱でレジスト中に蓄積されるエネルギー
の総和と後方散乱でレジスト中に蓄積されるエネルギー
の総和の比である。この様な計算により、電子ビームを
１点に入射したときのレジスト面から或る深さのある位
置（ｘ，ｙ）での蓄積エネルギーが求められるので、各
区画のトータル蓄積エネルギーの分布を基準エネルギー
分布として前記分割パターンエネルギー分布テーブル作
成回路１９の内蔵メモリ（図示せず）に記憶させる。図
２は各区画内の蓄積エネルギーを表した基準エネルギー
分布テーブルの一例である。
表面からの深さによって決定される定数で、βfを前方
散乱径、βbを後方散乱径、ηを後方散乱係数と称す。
又、この式の右辺の第１項はレジストに入射した電子が
前方散乱しつつ侵入していく際に蓄積されるエネルギー
の分布、第２項は入射電子がレジスト中及び基板中の原
子核によって後方散乱を受け、入射方向と逆方向に散乱
していく際に蓄積されるエネルギーの分布で、前記
βf，βbはそれぞれのガウス分布の標準偏差である。
尚、ηは前方散乱でレジスト中に蓄積されるエネルギー
の総和と後方散乱でレジスト中に蓄積されるエネルギー
の総和の比である。この様な計算により、電子ビームを
１点に入射したときのレジスト面から或る深さのある位
置（ｘ，ｙ）での蓄積エネルギーが求められるので、各
区画のトータル蓄積エネルギーの分布を基準エネルギー
分布として前記分割パターンエネルギー分布テーブル作
成回路１９の内蔵メモリ（図示せず）に記憶させる。図
２は各区画内の蓄積エネルギーを表した基準エネルギー
分布テーブルの一例である。
【００３１】（２）各区画内パターン（分割パターン）
のエネルギー分布テーブルを作成する。
のエネルギー分布テーブルを作成する。
【００３２】先ず、前記ＣＰＵ１４の指令により、第２
図形分割回路１６はデータメモリ１３からの描画パター
ンデータをエネルギーマップの区画に分割する。例え
ば、描画領域にパターンＰA，ＰB，ＰCを描く場合（実
際には極めて多くの描画パターンを描画しなければなら
ないが、説明の便宜上、描画すべきパターンをＰA，
ＰB，ＰCとした）、これらの描画パターンデータをエネ
ルギーマップの区画と同一区画に分割する。図３は該分
割された様子を示すもので、１区画より大きいパターン
ＰCはＰ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4，Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ8，Ｐ9に
分割されている。そして、第２図形分割回路１６はこれ
らの分割パターンＰA，ＰB，Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4，
Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ8，Ｐ9の位置データと、高さ及び幅
のデータを発生する。
図形分割回路１６はデータメモリ１３からの描画パター
ンデータをエネルギーマップの区画に分割する。例え
ば、描画領域にパターンＰA，ＰB，ＰCを描く場合（実
際には極めて多くの描画パターンを描画しなければなら
ないが、説明の便宜上、描画すべきパターンをＰA，
ＰB，ＰCとした）、これらの描画パターンデータをエネ
ルギーマップの区画と同一区画に分割する。図３は該分
割された様子を示すもので、１区画より大きいパターン
ＰCはＰ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4，Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ8，Ｐ9に
分割されている。そして、第２図形分割回路１６はこれ
らの分割パターンＰA，ＰB，Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4，
Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ8，Ｐ9の位置データと、高さ及び幅
のデータを発生する。
【００３３】次に、前記各分割パターンの高さデータと
幅データが順次エネルギーマップ作成回路１７の乗算回
路１８に送られる。乗算回路１８は、送られてきた分割
パターンの高さと幅データに基づいて、各区画に分割さ
れた分割パターンの面積を算出する。例えば、分割パタ
ーンＰAの高さデータと幅データとからその面積ＳAを算
出する。
幅データが順次エネルギーマップ作成回路１７の乗算回
路１８に送られる。乗算回路１８は、送られてきた分割
パターンの高さと幅データに基づいて、各区画に分割さ
れた分割パターンの面積を算出する。例えば、分割パタ
ーンＰAの高さデータと幅データとからその面積ＳAを算
出する。
【００３４】次に、ＣＰＵ１４の指令により基準エネル
ギー分布テーブルが内蔵メモリ（図示せず）から呼び出
され、分割パターンエネルギー分布テーブル作成回路１
９は、前記乗算回路１８からの順次送られてくる各分割
パターンの面積データに基づいて基準エネルギー分布テ
ーブルの各区画のエネルギー値を書き換えて順次各分割
パターンのエネルギーテーブルを作成する。例えば、乗
算回路１８から分割パターンＰAの面積ＳAデータが送ら
れてくると、前記区画面積ＳOと分割パターンＰAの面積
ＳA との比を算出し、その比に応じて基準分布テーブル
の各区画の蓄積エネルギー値を書き換える。例えば、比
が１／Ｎなら基準分布テーブルの各区画の蓄積エネルギ
ー値を全て１／Ｎに書き換える。この書き換えたものが
分割パターンのエネルギー分布テーブルで、図４は分割
パターンＰAのエネルギー分布テーブルを示している。
同様に、図５は面積ＳBの分割パターンＰBのエネルギー
分布テーブル、 図６は面積Ｓ1の分割パターンＰ1のエ
ネルギー分布テーブルをそれぞれ示している。尚、他の
分割パターンＰ2，Ｐ3，Ｐ4，Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ 8，Ｐ9
のエネルギー分布テーブルも順次上記のようにして作成
される。
ギー分布テーブルが内蔵メモリ（図示せず）から呼び出
され、分割パターンエネルギー分布テーブル作成回路１
９は、前記乗算回路１８からの順次送られてくる各分割
パターンの面積データに基づいて基準エネルギー分布テ
ーブルの各区画のエネルギー値を書き換えて順次各分割
パターンのエネルギーテーブルを作成する。例えば、乗
算回路１８から分割パターンＰAの面積ＳAデータが送ら
れてくると、前記区画面積ＳOと分割パターンＰAの面積
ＳA との比を算出し、その比に応じて基準分布テーブル
の各区画の蓄積エネルギー値を書き換える。例えば、比
が１／Ｎなら基準分布テーブルの各区画の蓄積エネルギ
ー値を全て１／Ｎに書き換える。この書き換えたものが
分割パターンのエネルギー分布テーブルで、図４は分割
パターンＰAのエネルギー分布テーブルを示している。
同様に、図５は面積ＳBの分割パターンＰBのエネルギー
分布テーブル、 図６は面積Ｓ1の分割パターンＰ1のエ
ネルギー分布テーブルをそれぞれ示している。尚、他の
分割パターンＰ2，Ｐ3，Ｐ4，Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ 8，Ｐ9
のエネルギー分布テーブルも順次上記のようにして作成
される。
【００３５】（３）エネルギーマップを作成する。
【００３６】加算回路２０は、前記第２図形分割回路１
６から順次送られてくる各分割パターンの位置データに
よりエネルギーマップメモリ２１から読み出されたエネ
ルギー分布データに、前記分割パターンエネルギー分布
テーブル作成回路１９から順次送られてくる各分割パタ
ーンエネルギー分布データを、前記各分割パターンの位
置データに基づく区画、即ち、その分割パターンが存在
する区画を中心にして加算し、再び前記ネルギーマップ
メモリ２１に戻す（記憶させる）動作を繰り返す。
６から順次送られてくる各分割パターンの位置データに
よりエネルギーマップメモリ２１から読み出されたエネ
ルギー分布データに、前記分割パターンエネルギー分布
テーブル作成回路１９から順次送られてくる各分割パタ
ーンエネルギー分布データを、前記各分割パターンの位
置データに基づく区画、即ち、その分割パターンが存在
する区画を中心にして加算し、再び前記ネルギーマップ
メモリ２１に戻す（記憶させる）動作を繰り返す。
【００３７】例えば、分割パターンＰAの位置データ
（ＸA，ＹA）によりエネルギーマップメモリ２１からエ
ネルギー分布データが加算回路２０に出力される。該加
算回路２０は分割パターンエネルギー分布テーブル作成
回路１９から送られてくる分割パターンＰAの分割パタ
ーンエネルギー分布データを、該分割パターンＰAの位
置データ（ＸA，ＹA）に基づいて該分割パターンが存在
する区画を中心にしてエネルギーマップメモリ２１から
読み出されたエネルギー分布データに加算して前記ネル
ギーマップメモリ２１に戻す（記憶させる）。順次同様
に、分割パターンＰ Bの位置データ（ＸB，ＹB）により
エネルギーマップメモリ２１から読み出されたエネルギ
ー分布データに、エネルギー分布テーブル作成回路１９
から送られてくる分割パターンＰBの分割パターンエネ
ルギー分布データを、該分割パターンＰB位置データ
（ＸB，ＹB）に基づいて該分割パターンが存在する区画
を中心にしてエネルギーマップメモリ２１から読み出さ
れたエネルギー分布データに加算して前記ネルギーマッ
プメモリ２１に戻す（記憶させる）。以後同様の動作が
繰り返されて、各分割パターンＰA，ＰB，Ｐ1，Ｐ2，Ｐ
3，Ｐ4，Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ8，Ｐ9のエネルギー分布デ
ータを、前記各分割パターンの位置データに基づいて各
分割パターンが存在する区画を中心にして加算されたエ
ネルギーマップが完成し、エネルギーマップメモリ２１
に記憶される。この様にして完成されたエネルギーマッ
プは描画領域の所定の位置に全ての描画パターンを電子
ビームのショットにより描いた場合の各区画の前方散乱
と後方散乱による蓄積エネルギーを考慮した蓄積エネル
ギーを表したものに対応している。
（ＸA，ＹA）によりエネルギーマップメモリ２１からエ
ネルギー分布データが加算回路２０に出力される。該加
算回路２０は分割パターンエネルギー分布テーブル作成
回路１９から送られてくる分割パターンＰAの分割パタ
ーンエネルギー分布データを、該分割パターンＰAの位
置データ（ＸA，ＹA）に基づいて該分割パターンが存在
する区画を中心にしてエネルギーマップメモリ２１から
読み出されたエネルギー分布データに加算して前記ネル
ギーマップメモリ２１に戻す（記憶させる）。順次同様
に、分割パターンＰ Bの位置データ（ＸB，ＹB）により
エネルギーマップメモリ２１から読み出されたエネルギ
ー分布データに、エネルギー分布テーブル作成回路１９
から送られてくる分割パターンＰBの分割パターンエネ
ルギー分布データを、該分割パターンＰB位置データ
（ＸB，ＹB）に基づいて該分割パターンが存在する区画
を中心にしてエネルギーマップメモリ２１から読み出さ
れたエネルギー分布データに加算して前記ネルギーマッ
プメモリ２１に戻す（記憶させる）。以後同様の動作が
繰り返されて、各分割パターンＰA，ＰB，Ｐ1，Ｐ2，Ｐ
3，Ｐ4，Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ8，Ｐ9のエネルギー分布デ
ータを、前記各分割パターンの位置データに基づいて各
分割パターンが存在する区画を中心にして加算されたエ
ネルギーマップが完成し、エネルギーマップメモリ２１
に記憶される。この様にして完成されたエネルギーマッ
プは描画領域の所定の位置に全ての描画パターンを電子
ビームのショットにより描いた場合の各区画の前方散乱
と後方散乱による蓄積エネルギーを考慮した蓄積エネル
ギーを表したものに対応している。
【００３８】次に、実際のパターン描画について説明す
る。
る。
【００３９】例えば、図２に示す分割パターンＰAを被
描画材料上に描く場合について説明する。
描画材料上に描く場合について説明する。
【００４０】前記データメモリ１３には、例えば、フィ
ールド（電子ビームの走査だけで許容偏向誤差の範囲内
でパターンが描ける領域）単位に分けられた描画パター
ンデータが記憶されている。今、説明の便宜上、描画パ
ターンＰAがフィールドＦ１内に描かれるパターンとす
ると、フイールドＦ１の位置データと、該フィールドＦ
１の位置を基準とした描画パターンＰAの位置及び大き
さデータが予め記憶されている。ＣＰＵ１４は、前記メ
モリ１３からフィールドＦ１の位置データ及び描画パタ
ーンＰAの位置及び大きさデータを呼び出す。そして、
フィールドＦ１の位置信号をＤＡ変換器２８を介してス
テージ駆動機構２５に送る。又、描画パターンＰAの位
置（ＸA，ＹA）及び大きさデータ（ＨA，ＷA）は第１図
形分割回路１５に入力される。該第１図形分割回路は、
描画パターンＰAのデータを、最大ショットビーム寸法
を考慮して、例えば、図７に示す様に、６分割する処理
を行う。これらショットサイズに分割されたショットサ
イズのパターンをＰA1，Ｐ A2，ＰA3，ＰA4，ＰA5，ＰA6
とする。該第１図形分割回路は該分割により発生した各
ショットサイズパターンのサイズデータとその位置デー
タを発生し、前者をショット時間制御回路２２と前記成
形用偏向器８に、後者を前記位置決め用偏向器１１に供
給する。例えば、ショットサイズのパターンＰA1の位置
データがショット時間制御回路２２に送られると、該制
御回路は該ショット位置データに基づいて、前記エネル
ギーマップメモリ２１からそのショット位置にショット
されるショットサイズビームに対応するショットサイズ
パターンＰA1 が存在する区画（図３の区画ＫＡ）のエ
ネルギー値を呼び出す。該呼び出されたエネルギー値は
補正テーブル２３へ送られ、該補正テーブルから該エネ
ルギー値に対応するショット時間補正係数が前記ショッ
ト時間制御回路２２へ送られる。該ショット時間制御回
路２２は、前記ＣＰＵ１４から送られて来ている基準の
ショット時間を前記ショット時間補正係数に基づいて補
正したショット時間信号をブランキング信号発生回路２
４に供給する。該ブランキング信号発生回路２４は該シ
ョット時間信号に基づいてブランキング信号を作成し、
前記ブランキング用偏向器２に供給する。
ールド（電子ビームの走査だけで許容偏向誤差の範囲内
でパターンが描ける領域）単位に分けられた描画パター
ンデータが記憶されている。今、説明の便宜上、描画パ
ターンＰAがフィールドＦ１内に描かれるパターンとす
ると、フイールドＦ１の位置データと、該フィールドＦ
１の位置を基準とした描画パターンＰAの位置及び大き
さデータが予め記憶されている。ＣＰＵ１４は、前記メ
モリ１３からフィールドＦ１の位置データ及び描画パタ
ーンＰAの位置及び大きさデータを呼び出す。そして、
フィールドＦ１の位置信号をＤＡ変換器２８を介してス
テージ駆動機構２５に送る。又、描画パターンＰAの位
置（ＸA，ＹA）及び大きさデータ（ＨA，ＷA）は第１図
形分割回路１５に入力される。該第１図形分割回路は、
描画パターンＰAのデータを、最大ショットビーム寸法
を考慮して、例えば、図７に示す様に、６分割する処理
を行う。これらショットサイズに分割されたショットサ
イズのパターンをＰA1，Ｐ A2，ＰA3，ＰA4，ＰA5，ＰA6
とする。該第１図形分割回路は該分割により発生した各
ショットサイズパターンのサイズデータとその位置デー
タを発生し、前者をショット時間制御回路２２と前記成
形用偏向器８に、後者を前記位置決め用偏向器１１に供
給する。例えば、ショットサイズのパターンＰA1の位置
データがショット時間制御回路２２に送られると、該制
御回路は該ショット位置データに基づいて、前記エネル
ギーマップメモリ２１からそのショット位置にショット
されるショットサイズビームに対応するショットサイズ
パターンＰA1 が存在する区画（図３の区画ＫＡ）のエ
ネルギー値を呼び出す。該呼び出されたエネルギー値は
補正テーブル２３へ送られ、該補正テーブルから該エネ
ルギー値に対応するショット時間補正係数が前記ショッ
ト時間制御回路２２へ送られる。該ショット時間制御回
路２２は、前記ＣＰＵ１４から送られて来ている基準の
ショット時間を前記ショット時間補正係数に基づいて補
正したショット時間信号をブランキング信号発生回路２
４に供給する。該ブランキング信号発生回路２４は該シ
ョット時間信号に基づいてブランキング信号を作成し、
前記ブランキング用偏向器２に供給する。
【００４１】この結果、電子銃１からの電子ビームはビ
ーム断面成形機構により、断面の大きさが前記ショット
分割パターンＰA1の寸法データに対応したものに成形さ
れ、該成形ビームは位置決め用偏向器１１により、前記
ブランキング信号に基づいた時間、前記ショット分割パ
ターンＰA1の位置データに対応した被描画材料の位置に
ショットされ、ショット分割パターンＰA1が描画され
る。以後描画パターンＰ Aを成すショットサイズのパタ
ーンＰA2，ＰA3，ＰA4，ＰA5，ＰA6 は何れも区画ＫＡ
内のパターンなので、前記ＰA1の場合と同じエネルギー
値が呼び出され、同じ補正係数に基づいたショット時
間、所定位置にショッとされ、その結果、描画パターン
ＰAが画かれることになる。以後同様にして、描画パタ
ーンＰB，Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4，Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ8，
Ｐ9が描かれる。
ーム断面成形機構により、断面の大きさが前記ショット
分割パターンＰA1の寸法データに対応したものに成形さ
れ、該成形ビームは位置決め用偏向器１１により、前記
ブランキング信号に基づいた時間、前記ショット分割パ
ターンＰA1の位置データに対応した被描画材料の位置に
ショットされ、ショット分割パターンＰA1が描画され
る。以後描画パターンＰ Aを成すショットサイズのパタ
ーンＰA2，ＰA3，ＰA4，ＰA5，ＰA6 は何れも区画ＫＡ
内のパターンなので、前記ＰA1の場合と同じエネルギー
値が呼び出され、同じ補正係数に基づいたショット時
間、所定位置にショッとされ、その結果、描画パターン
ＰAが画かれることになる。以後同様にして、描画パタ
ーンＰB，Ｐ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4，Ｐ5，Ｐ6，Ｐ7，Ｐ8，
Ｐ9が描かれる。
【００４２】尚、前記実施例では、各区画に分割パター
ンが１個存在するケースについて説明したが、区画の中
に複数の分割パターンが存在する場合には、それぞれの
分割パターンについての蓄積エネルギー分布テーブルが
それぞれ異なった時点において作られる。
ンが１個存在するケースについて説明したが、区画の中
に複数の分割パターンが存在する場合には、それぞれの
分割パターンについての蓄積エネルギー分布テーブルが
それぞれ異なった時点において作られる。
【００４３】又、実際には、前記メモリ１３には多数の
フィールに及ぶ描画パターンデータが記憶されており、
１つのフィールドの図形パターン描画が終わると、次の
フィールドの位置データが中央制御装置１４からＤＡ変
換器２８を介してステージ駆動機構２５に送られ、前記
と同様にそのフィールドの各描画パターンデータが前記
と同様にして描画される。
フィールに及ぶ描画パターンデータが記憶されており、
１つのフィールドの図形パターン描画が終わると、次の
フィールドの位置データが中央制御装置１４からＤＡ変
換器２８を介してステージ駆動機構２５に送られ、前記
と同様にそのフィールドの各描画パターンデータが前記
と同様にして描画される。
【００４４】又、前記実施例ではパターン描画に入る前
に、被描画領域上の描画領域に描かれる全ての描画パタ
ーンに係わるエネルギーマップを作成し、実際のパター
ン描画時に、そのエネルギーマップを利用して近接効果
を補正するようにしたが、エネルギーマップメモリを複
数枚（例えば２枚）用意し、小描画領域毎に、エネルギ
ーマップの作成及びメモリへの記憶と、パターン描画を
並行して行うようにしても良い。即ち、最初の１回目だ
けは、第１の小描画領域のエネルギーマップの作成と第
１エネルギーマップへの記憶を行い、第２回目は、第２
の小描画領域のエネルギーマップの作成と第２エネルギ
ーマップへの記憶を行いながら、第１のエネルギーマッ
プを使用しての第１の小描画領域のパターン描画を行
い、第３回目は第３小描画領域のエネルギーマップの作
成と第１エネルギーマップへの記憶を行いながら、第２
のエネルギーマップを使用しての第２の小描画領域のパ
ターン描画を行い、うというように、第４回目は第４小
描画領域のエネルギーマップの作成と第２エネルギーマ
ップへの記憶を行いながら、第１のエネルギーマップを
使用しての第３の小描画領域のパターン描画を行うとい
うようにする。この様にすれば、全描画領域のエネルギ
ーマップ作成に要する時間が見掛け上、最初の小描画領
域に対するエネルギーマップ作成時間で済み、パターン
描画のスループットが大幅に向上する。尚、この小描画
領域は例えばフィールド（ステージの移動を伴うことな
く、許容偏向誤差内で電子ビームの偏向のみでパターン
描画が可能な領域）が考えられるが、これに限定されな
い。
に、被描画領域上の描画領域に描かれる全ての描画パタ
ーンに係わるエネルギーマップを作成し、実際のパター
ン描画時に、そのエネルギーマップを利用して近接効果
を補正するようにしたが、エネルギーマップメモリを複
数枚（例えば２枚）用意し、小描画領域毎に、エネルギ
ーマップの作成及びメモリへの記憶と、パターン描画を
並行して行うようにしても良い。即ち、最初の１回目だ
けは、第１の小描画領域のエネルギーマップの作成と第
１エネルギーマップへの記憶を行い、第２回目は、第２
の小描画領域のエネルギーマップの作成と第２エネルギ
ーマップへの記憶を行いながら、第１のエネルギーマッ
プを使用しての第１の小描画領域のパターン描画を行
い、第３回目は第３小描画領域のエネルギーマップの作
成と第１エネルギーマップへの記憶を行いながら、第２
のエネルギーマップを使用しての第２の小描画領域のパ
ターン描画を行い、うというように、第４回目は第４小
描画領域のエネルギーマップの作成と第２エネルギーマ
ップへの記憶を行いながら、第１のエネルギーマップを
使用しての第３の小描画領域のパターン描画を行うとい
うようにする。この様にすれば、全描画領域のエネルギ
ーマップ作成に要する時間が見掛け上、最初の小描画領
域に対するエネルギーマップ作成時間で済み、パターン
描画のスループットが大幅に向上する。尚、この小描画
領域は例えばフィールド（ステージの移動を伴うことな
く、許容偏向誤差内で電子ビームの偏向のみでパターン
描画が可能な領域）が考えられるが、これに限定されな
い。
【００４５】又、前記実施例においてはショットサイズ
分割用とエネルギーマップ区画分割用の２つの図形分割
回路を設けたが、図形分割回路を１つにし、描画パター
ンをエネルギーマップの区画に分割し、エネルギーマッ
プを作成する場合と、描画パターンをショットサイズに
分割し、パターン描画を行う場合とで、交代に１つの
（共通の）図形分割回路を使用するようにしても良い。
この様にすれば、比較的か大きな図形分割回路が１個で
済み、空間的及び費用的に有利となる。
分割用とエネルギーマップ区画分割用の２つの図形分割
回路を設けたが、図形分割回路を１つにし、描画パター
ンをエネルギーマップの区画に分割し、エネルギーマッ
プを作成する場合と、描画パターンをショットサイズに
分割し、パターン描画を行う場合とで、交代に１つの
（共通の）図形分割回路を使用するようにしても良い。
この様にすれば、比較的か大きな図形分割回路が１個で
済み、空間的及び費用的に有利となる。
【００４６】又、前記実施例では、ショットサイズがエ
ネルギーマップの区画より小さい場合であったが、ショ
ットサイズがエネルギーマップの区画より大きい場合
で、複数の区画にまたがる場合には、その複数の区画の
内、中心部の区画の蓄積エネルギー値が近接効果補正に
使われる。尚、この場合、複数の区画の蓄積エネルギー
値の平均値を使用するようにしても良い。
ネルギーマップの区画より小さい場合であったが、ショ
ットサイズがエネルギーマップの区画より大きい場合
で、複数の区画にまたがる場合には、その複数の区画の
内、中心部の区画の蓄積エネルギー値が近接効果補正に
使われる。尚、この場合、複数の区画の蓄積エネルギー
値の平均値を使用するようにしても良い。
【００４７】又、前記実施例では、電子ビーム描画装置
を例に上げて説明したが、本発明はイオンビーム描画装
置にも適用可能であることは言うまでもない。
を例に上げて説明したが、本発明はイオンビーム描画装
置にも適用可能であることは言うまでもない。
【００４８】本発明は、被描画材料上の描画領域を複数
の区画に分割し、描画領域上の１点に電子ビームをショ
ットした場合の各区画における蓄積エネルギーを算出し
て基準蓄積エネルギー分布テーブルを作成し、前記描画
パターンを前記分割と同じように複数の区画に分割し、
該分割により発生した各区画内の１個以上の各分割パタ
ーンの各々について、その分割パターンの面積と前記区
画面積との比を求め、更に、その比に基づいて前記基準
蓄積エネルギー分布テーブルの各区画の蓄積エネルギー
を書き換え、該順次各分割パターン毎に書き換えられた
蓄積エネルギーを順次同じ区画毎に加算してエネルギー
マップを作成してメモリに記憶させ、分割パターン描画
時に、前記メモリからその分割パターンが存在する区画
の蓄積エネルギー値を呼び出し、該蓄積エネルギー値に
基づいてショット時間を補正し、荷電粒子ビームのショ
ットにより被描画材料上に分割パターンを描くようにし
ているので、描画すべきパターン自身の大きさに基づく
ショット時間補正量と、近接するパターンとの間隔に基
づくショット時間補正量を計算し、各描画すべきパター
ンの近接効果補正データとして持たせ、各パターン描画
時に、その近接効果補正データを使用して近接効果によ
る影響を少なくしてパターン描画を行うようにしてい
る。その為、パターンの集積度が極めて高くなっても、
各パターンについて近接効果補正データを計算してデー
タとして持たせる必要がないので、パターン描画のスル
ープットが著しく向上する。
の区画に分割し、描画領域上の１点に電子ビームをショ
ットした場合の各区画における蓄積エネルギーを算出し
て基準蓄積エネルギー分布テーブルを作成し、前記描画
パターンを前記分割と同じように複数の区画に分割し、
該分割により発生した各区画内の１個以上の各分割パタ
ーンの各々について、その分割パターンの面積と前記区
画面積との比を求め、更に、その比に基づいて前記基準
蓄積エネルギー分布テーブルの各区画の蓄積エネルギー
を書き換え、該順次各分割パターン毎に書き換えられた
蓄積エネルギーを順次同じ区画毎に加算してエネルギー
マップを作成してメモリに記憶させ、分割パターン描画
時に、前記メモリからその分割パターンが存在する区画
の蓄積エネルギー値を呼び出し、該蓄積エネルギー値に
基づいてショット時間を補正し、荷電粒子ビームのショ
ットにより被描画材料上に分割パターンを描くようにし
ているので、描画すべきパターン自身の大きさに基づく
ショット時間補正量と、近接するパターンとの間隔に基
づくショット時間補正量を計算し、各描画すべきパター
ンの近接効果補正データとして持たせ、各パターン描画
時に、その近接効果補正データを使用して近接効果によ
る影響を少なくしてパターン描画を行うようにしてい
る。その為、パターンの集積度が極めて高くなっても、
各パターンについて近接効果補正データを計算してデー
タとして持たせる必要がないので、パターン描画のスル
ープットが著しく向上する。
【００４９】尚、前記実施例の様に、基準蓄積エネルギ
ー分布テーブルを作った後、描画パターンをエネルギー
マップの区画に対応した区画に分割し、順次各分割パタ
ーンの蓄積エネルギー分布テーブルを作成し、順次作成
される各分割パターンの蓄積エネルギー分布を加算して
エネルギーマップを作るのではなく、描画パターンをエ
ネルギーマップの区画に対応した区画に分割した後、各
区画毎に、各区画内に存在する分割パターンの面積を合
計し、各区画のパターン面積率を算出して、一旦パター
ン面積率分布テーブルを作ってから、該パターン面積率
分布テーブルの拡張などを行って、その後、前記基準蓄
積エネルギーテーブルと該拡張したパターン面積率分布
テーブルとをたたき込んでエネルギーマップを作成する
方法もあるが、この方法だと、描画すべきパターンが全
て出そろって始めてパターン面積率分布テーブルが出来
上がるので、前者の実施例に比べ、エネルギーマップが
出来上がるまでに多くの時間がかかる。即ち、前記実施
例では、描画すべきパターンが全て出そろう必要はな
く、順次分割されたパータンに対する蓄積エネルギー分
布テーブルが作られ、順次加算されるので、極めて高速
にエネルギーマップが作成されるのである。
ー分布テーブルを作った後、描画パターンをエネルギー
マップの区画に対応した区画に分割し、順次各分割パタ
ーンの蓄積エネルギー分布テーブルを作成し、順次作成
される各分割パターンの蓄積エネルギー分布を加算して
エネルギーマップを作るのではなく、描画パターンをエ
ネルギーマップの区画に対応した区画に分割した後、各
区画毎に、各区画内に存在する分割パターンの面積を合
計し、各区画のパターン面積率を算出して、一旦パター
ン面積率分布テーブルを作ってから、該パターン面積率
分布テーブルの拡張などを行って、その後、前記基準蓄
積エネルギーテーブルと該拡張したパターン面積率分布
テーブルとをたたき込んでエネルギーマップを作成する
方法もあるが、この方法だと、描画すべきパターンが全
て出そろって始めてパターン面積率分布テーブルが出来
上がるので、前者の実施例に比べ、エネルギーマップが
出来上がるまでに多くの時間がかかる。即ち、前記実施
例では、描画すべきパターンが全て出そろう必要はな
く、順次分割されたパータンに対する蓄積エネルギー分
布テーブルが作られ、順次加算されるので、極めて高速
にエネルギーマップが作成されるのである。
【図１】 本発明に基づく電子ビーム描画方法の一実施
例を実現するための電子描画装置の一例を示している。
例を実現するための電子描画装置の一例を示している。
【図２】 本発明に基づく基準蓄積エネルギー分布テー
ブルの一例を示している。
ブルの一例を示している。
【図３】 描画パターンをエネルギーマップの区画と同
一の区画に分割した例を示している。
一の区画に分割した例を示している。
【図４】分割パターンの蓄積エネルギー分布テーブルの
一例を示している。
一例を示している。
【図５】分割パターンの蓄積エネルギー分布テーブルの
一例を示している。
一例を示している。
【図６】分割パターンの蓄積エネルギー分布テーブルの
一例を示している。
一例を示している。
【図７】分割パターンをショット分割した一例を示して
いる。
いる。
１…電子銃、２…ブランキング用電極、３…ブランキン
グ用スリット、４…照射レンズ、５…第１成形スリッ
ト、６…第２成形スリット、７…成形レンズ、８…成形
用偏向器、９…集束レンズ、１０…被描画材料、１１…
位置決め用偏向器、１２…ステージ、１３…データメモ
リ、１４…中央制御装置、１５…第１図形分割回路、１
６…第２図形分割回路、１７…エネルギーマップ作成回
路、１８…乗算回路、１９…分割パターンエネルギー分
布テーブル作成回路、２０…加算回路、２１…エネルギ
ーマップメモリ、２２…ショット時間制御回路、２３…
補正テーブル、２４…ブランキング信号発生回路、２５
…ステージ駆動機構、２６，２７，２８…ＤＡ変換器
グ用スリット、４…照射レンズ、５…第１成形スリッ
ト、６…第２成形スリット、７…成形レンズ、８…成形
用偏向器、９…集束レンズ、１０…被描画材料、１１…
位置決め用偏向器、１２…ステージ、１３…データメモ
リ、１４…中央制御装置、１５…第１図形分割回路、１
６…第２図形分割回路、１７…エネルギーマップ作成回
路、１８…乗算回路、１９…分割パターンエネルギー分
布テーブル作成回路、２０…加算回路、２１…エネルギ
ーマップメモリ、２２…ショット時間制御回路、２３…
補正テーブル、２４…ブランキング信号発生回路、２５
…ステージ駆動機構、２６，２７，２８…ＤＡ変換器
Claims (9)
- 【請求項１】 荷電粒子ビームのショットにより被描画
材料上に描画パターンを描く荷電粒子ビーム描画方法に
おいて、 被描画材料上の描画領域を複数の区画に分割し、描画領
域上の１点に電子ビームをショットした場合の各区画に
おける蓄積エネルギーを算出して基準蓄積エネルギー分
布テーブルを作成し、 前記描画パターンを前記分割と同じように複数の区画に
分割し、該分割により発生した各区画内の１個以上の各
分割パターンの各々について、その分割パターンが前記
区画に占める面積比を求め、更に、その比に基づいて前
記基準蓄積エネルギー分布テーブルの各区画の蓄積エネ
ルギーを書き換え、該順次各分割パターン毎に書き換え
られた蓄積エネルギーを順次同じ区画毎に加算してエネ
ルギーマップを作成してメモリに記憶させ、 分割パターン描画時に、前記メモリからその分割パター
ンが存在する区画の蓄積エネルギー値を呼び出し、該蓄
積エネルギー値に基づいてショット時間を補正し、荷電
粒子ビームのショットにより被描画材料上に分割パター
ンを描くようにした荷電粒子ビーム描画方法。 - 【請求項２】 複数の小描画領域から成る描画領域に、
該各小領域毎にパターンを描くようにし、その場合、複
数のエネルギーマップ記憶用のメモリを用意し、１つの
小描画領域についてのエネルギーマップを作成して、該
マップを何れかのメモリへ記憶させた後、他の各小描画
領域についてのエネルギーマップを作成して、該マップ
を直前に記憶されたメモリ以外の何れかのメモリへ記憶
させる工程と、エネルギーマップ作成済みの小描画領域
のパターンを描画する工程とを並行して行うようにした
請求項１記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 【請求項３】 前記小描画領域は許容偏向誤差内で荷電
粒子ビームの偏向のみでパターンが描ける領域である請
求項２記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 【請求項４】 荷電粒子ビームのショットにより被描画
材料上に描画パターンを描く様に成した荷電粒子ビーム
描画装置において、被描画材料上の描画領域を複数の区
画に分割し、描画領域上の１点に電子ビームをショット
した場合の各区画における蓄積エネルギーを算出し、基
準蓄積エネルギー分布テーブルを作成する手段、該基準
蓄積エネルギー分布テーブルを記憶する第１メモリ、前
記描画パターンを前記分割と同じように複数の区画に分
割する図形分割回路、該分割により発生した各区画内の
１個以上の各分割パターンの各々についての面積を求め
る面積算出回路、該算出された分割パターンの面積と前
記区画面積との比を求め、その比に基づいて前記基準蓄
積エネルギー分布テーブルの各区画の蓄積エネルギーを
書き換える分割パターン蓄積エネルギー分布テーブル作
成回路、該順次各分割パターン毎に書き換えられた蓄積
エネルギーを順次同じ区画毎に加算する加算回路、該加
算回路の出力に基づくトータル蓄積エネルギー分布をエ
ネルギーマップとして記憶する第２メモリ、前記第２メ
モリから描画すべき分割パターンが存在する区画の蓄積
エネルギー値を呼び出し、該蓄積エネルギー値に基づい
てショット時間を補正するショット時間制御回路、及
び、荷電粒子ビームのショットにより被描画材料上に分
割パターンを描く為の荷電粒子ビーム光学手段を備え、
前記ショット時間制御回路により補正されたショット時
間に基づいたショット時間、荷電粒子ビームをショッと
することにより被描画材料上に分割パターンを描く様に
成した荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項５】 荷電粒子ビーム発生手段、複数のスリッ
トとその間にビーム断面成形用偏向器を有する荷電粒子
ビーム断面可変手段、該荷電粒子ビーム断面可変手段で
成形されたビームを被描画材料上の所定の位置にショッ
トさせるための位置決め用偏向器、描画パターンデータ
を貯蔵したデータメモリ、及び、該データメモリからの
描画パターンをビームショット用のパターンに分割する
第１図形分割回路を備え、該第１図形分割回路により分
割されたショット分割パターンデータを成すショット位
置データに基づいて前記位置決め用偏向器をコントロー
ルし、同ショット分割パターンデータを成すパターン寸
法データに基づいて前記成形用偏向器をコントロールす
ることにより、荷電粒子ビームにより被描画材料上にパ
ターンを描く様に成した荷電粒子ビーム描画装置であっ
て、被描画材料上の描画領域を複数の区画に分割し、描
画領域上の１点に電子ビームをショットした場合の各区
画における蓄積エネルギーを算出し、基準蓄積エネルギ
ー分布テーブルを作成する手段、該基準蓄積エネルギー
分布テーブルを記憶する第１メモリ、前記描画パターン
を前記分割と同じように複数の区画に分割する第２図形
分割回路、該分割により発生した各区画内の１個以上の
各分割パターンの各々についての面積を求める面積算出
回路、該算出された分割パターンの面積と前記区画面積
との比を求め、その比に基づいて前記基準蓄積エネルギ
ー分布テーブルの各区画の蓄積エネルギーを書き換える
分割パターン蓄積エネルギー分布テーブル作成回路、該
順次各分割パターン毎に書き換えられた蓄積エネルギー
を順次同じ区画毎に加算する加算回路、及び、該加算回
路の出力に基づくトータル蓄積エネルギー分布をエネル
ギーマップとして記憶する第２メモリを備え、前記第２
メモリからショット分割パターンが存在する区画の蓄積
エネルギー値を呼び出し、前記ショット時間制御回路に
より補正されたショット時間に基づいたショット時間、
荷電粒子ビームをショットとすることにより被描画材料
上に分割パターンを描く様に成した荷電粒子ビーム描画
装置。 - 【請求項６】 前記第２メモリを複数用意し、前記描画
領域を成す１つの小描画領域についてのエネルギーマッ
プを作成して、該マップを何れかのメモリへ記憶させた
後、他の前記描画領域を成す各小描画領域についてのエ
ネルギーマップを作成して、該マップを直前に記憶され
たメモリ以外の何れかのメモリへ記憶させる工程と、エ
ネルギーマップ作成済みの各小描画領域のパターンを描
画する工程とを並行して行うように成した請求項４若し
くは５記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項７】 １個の共通図形分割回路を設け、該共通
図形分割回路により描画パターンの区画分割と描画パタ
ーンのショットサイズパターン分割を交互に行えるよう
に成し、前者の時にエネルギーマップを作成し、後者の
場合にパターン描画を行う様に成した請求項５記載の荷
電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項８】 ショットサイズパターンのサイズがエネ
ルギーマップの区画サイズより大きい場合、そのショッ
トサイズパターンに関係する複数の区画の内、中心部の
区画の蓄積エネルギー値に基づいてショット時間を補正
するように成した請求項５記載の荷電粒子ビーム描画装
置。 - 【請求項９】 ショットサイズパターンのサイズがエネ
ルギーマップの区画サイズより大きい場合、そのショッ
トサイズパターンに関係する複数の区画の蓄積エネルギ
ー値の平均値に基づいてショット時間を補正するように
成した請求項５記載の荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11040477A JP2000243685A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11040477A JP2000243685A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000243685A true JP2000243685A (ja) | 2000-09-08 |
Family
ID=12581711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11040477A Pending JP2000243685A (ja) | 1999-02-18 | 1999-02-18 | 荷電粒子ビーム描画方法及び描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000243685A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013251484A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2022114213A (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-05 | キオクシア株式会社 | 近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置 |
-
1999
- 1999-02-18 JP JP11040477A patent/JP2000243685A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013251484A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2022114213A (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-05 | キオクシア株式会社 | 近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置 |
| JP7549540B2 (ja) | 2021-01-26 | 2024-09-11 | キオクシア株式会社 | 近接効果補正方法、原版製造方法および描画装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040825 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050628 |