JP2000243732A - 半導体試料研磨用治具 - Google Patents

半導体試料研磨用治具

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JP2000243732A
JP2000243732A JP4385599A JP4385599A JP2000243732A JP 2000243732 A JP2000243732 A JP 2000243732A JP 4385599 A JP4385599 A JP 4385599A JP 4385599 A JP4385599 A JP 4385599A JP 2000243732 A JP2000243732 A JP 2000243732A
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JP
Japan
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polishing
sample
polished
jig
semiconductor sample
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JP4385599A
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English (en)
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Yasuo Ryu
康夫 龍
Kazuhiko Eto
和彦 衛藤
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体試料等の被研磨物を所望量だけ高能率
かつ高精度で研磨できるようにする研磨用治具を提供す
る。 【解決手段】 半導体試料2を貼り付ける被研磨物保持
部10に、マイクロメーター7による高さ調整の可能な
ボールベアリング8とボール9を取り付け、ボールベア
リング8の高さを調整し、ボール9の下端を観察所望個
所11に一致させておくことにより、所望量だけ研磨可
能であり、かつ所望量まで研磨された時点でボール9が
研磨ガラス板6に接してガラス板6上を転がり、試料2
にガラス板6への押し付け力が作用しなくなるため、そ
れ以上試料2が研磨されなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体試料断面観
察の前加工である半導体試料の断面研磨等に使用される
半導体試料研磨用治具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の研磨装置の構成を示す断
面図である。1は従来の金属製の研磨用治具、2は被研
磨物である半導体試料、4は研磨用治具保持部、5は研
磨体を回転させる研磨体回転部、6は研磨体である研磨
ガラス板をそれぞれ示す。
【0003】従来の研磨装置では、半導体試料2をワッ
クスを用いて研磨用治具1に貼り付け、さらに研磨用治
具1を図示しない保持手段により研磨用治具保持部4に
保持させる。そしてさらに、研磨用治具保持部4を、図
示しない支持手段により研磨ガラス板6の上に支持す
る。
【0004】図4は、図3に示す研磨用治具1および半
導体試料2の拡大図である。3は、研磨開始前の半導体
試料2の下端から、観察所望個所である研磨終点までの
距離(以下、所望研磨量とする。)を示す。前記の如
く、半導体試料2は、ワックスを用いて研磨用治具1に
貼り付けられる。その際、半導体試料2が、研磨用治具
1より研磨ガラス板6の方向にはみ出すようにする。こ
の研磨ガラス板6方向へのはみ出し量は、所望研磨量3
以上となるようにする。
【0005】一般に、半導体試料2を研磨するために
は、まず研磨ガラス板6を回転させる。そして、治具保
持部4に固定された治具1に貼り付けられた半導体試料
2を、回転している研磨ガラス板6に押し当てる。この
時、半導体試料2が、試料2、治具1および治具保持部
4の自重によって生じる圧力で研磨ガラス板6に押し当
てられるように、治具保持部4を支持する。これによ
り、半導体試料2は、研磨体6によって研磨される。
【0006】研磨が進み、実際の研磨量が所望研磨量3
に近づいたら、研磨を中断する。そして、実際の研磨量
が所望研磨量3にどの程度近づいたかを確認した後、必
要に応じて研磨を再開する。この研磨中断、研磨量確
認、研磨再開を繰り返し、実際の研磨量が所望研磨量3
に達したら、研磨を終了する。
【0007】この研磨中断、研磨量確認、研磨再開を繰
り返していたのでは、研磨終了までに時間がかかってし
まう。また、誤って過剰に研磨してしまう場合があり、
その場合は観察所望個所が消失してしまう。
【0008】このような事態を避けるため、半導体試料
の周囲に、研磨速度が非常に遅く研磨されにくい材質か
らなるストッパ材を配し、ストッパ材によって研磨が規
制されるまで研磨を継続することにより、ストッパ材か
ら研磨体方向へ突き出た半導体試料だけを研磨する技術
が開示されている(特開平9−181022号)。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ストッ
パ材も半導体試料とともに多少なりとも研磨されてしま
う。研磨されてしまうと、ストッパとしての機能を十分
果たせず、半導体試料の観察所望個所が研磨されてしま
うという問題が生じうる。また、ストッパ材の材質によ
っては、その研磨クズが、研磨試料断面に埋め込まれて
しまうケースも生ずる。
【0010】また、ストッパ材との摩擦により、研磨体
である研磨ガラス板に傷がついてしまう場合がある。研
磨体の研磨面に傷がついてしまうと、精密な研磨ができ
ないという問題も生じうる。
【0011】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的は、研磨中断、研磨量確
認、研磨再開という工程を繰り返し実施することなく、
短時間での所望量の研磨が可能で、かつ研磨時間を超過
しても所望量以上の研磨をすることが無く、さらに研磨
体を傷つけることが無い研磨用治具を提供することにあ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体試料と研磨体とを押し付けながら
相対運動させて、半導体試料を研磨する半導体試料研磨
装置において半導体試料を保持するために使用される治
具であって、前記相対運動中の前記研磨体と接触すると
転動する転動体を有し、この転動体が前記研磨体と接触
した後は、前記半導体試料を前記研磨体へ押し付ける力
が前記半導体試料に作用しなくなるために研磨が防止さ
れる研磨防止機構と、前記転動体又は前記半導体試料の
いずれか一方又は双方の前記研磨体に対する位置を調整
する位置調整機構と、を具備することを特徴とする。
【0013】上記構成によると、半導体試料の内、転動
体下端から研磨体方向へ突き出た部分は研磨されるが、
研磨が進み、半導体試料の被研磨面が、研磨体の研磨面
に平行な平面でありかつ転動体下端を含む平面に到達す
ると(つまり、半導体試料の被研磨面と転動体下端が、
研磨体の研磨面に対して同じ高さになり、転動体下端も
研磨ガラス板に接触すると)、半導体試料に研磨体への
押し付け力が生じなくなりそれ以上研磨は進まなくな
る。このため、研磨時間の超過により所望量以上研磨し
てしまうという事態は生じなくなる。よって、過剰研磨
を避けるために、何度も研磨を中断して、研磨量を確認
し、必要に応じて研磨を再開するという工程を繰り返す
必要が無くなる、つまり研磨量確認等に費やされる時間
が必要無くなるため、短時間で所望量研磨することがで
きる。
【0014】また、転動体下端が、研磨ガラス板に接触
した後、転動体は研磨ガラス板と接触しながら転動する
ため、転動体が研磨されたり、転動体が研磨ガラス板に
傷をつけることはない。
【0015】転動体を用いた研磨防止機構としては、玉
軸受けやローラー(ころ)軸受けが使用できる。ローラ
ー軸受けを使用する場合は、ローラー軸受けのローラー
回転軸の方向と、回転する円盤形状の研磨体の半径方向
とを一致させる必要がある。もし、一致させないと、ロ
ーラーが円滑に回転せず、研磨体表面を傷つける可能性
がある。一方、玉軸受けは360度いずれの方向にも円
滑に回転するので、傷をつけるおそれがない。このた
め、玉軸受けを使用する方が好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を用いて説明する。図1は本発明の実施の形
態の研磨用治具の断面図を示し、図2はこの研磨用治具
を用いた研磨装置を示す。なお、従来の研磨装置の構成
部分と同一の構成部分には同一の符号を付して説明す
る。
【0017】図1に示すように、研磨用治具は、被研磨
物保持部10と、マイクロメーター7と、ボールベアリ
ング8と、ボール9から構成される。また、図2に示す
ように、被研磨物保持部10は、治具保持部4に図示し
ない固定手段により固定される。
【0018】ボールベアリング8は、マイクロメーター
7の先端に取り付けられる。ボール9は、ベアリング8
により軽く回る状態で保持されている。マイクロメータ
ー7は、高さを調整することが可能である。つまり、被
研磨物保持部10に対するベアリング8およびボール9
の位置を上下方向に移動させることができる。
【0019】試料2を研磨する場合は、従来法と同様
に、まず試料2を被研磨物保持部10にワックスを用い
て貼り付け、被研磨物保持部10を治具保持部4に装着
し、次にガラス板6を所定の回転速度で回転させ、治具
保持部4をガラス板6に向かって降下させる。治具保持
部4、被研磨物保持部10等の自重により生じる押圧力
をかけながら、試料2をガラス板6の研磨面に押し当て
る。そうすると、試料2の被研磨面が、ガラス板6によ
り研磨される。
【0020】この時あらかじめ、試料2の観察所望個所
11と同じ高さに、ボール9の下端が来るように、マイ
クロメーター7を調整してボール9を移動させる。ボー
ル9の下端と、試料2の観察所望個所11とを同じ高さ
とすると、試料2が観察所望個所11まで研磨された時
に、ボール9の下端がガラス板6に接触する。ボール9
の下端がガラス板6に接触した後は、試料2に研磨ガラ
ス板6方向への押し付け力が作用しなくなる。このた
め、試料2の研磨は、それ以上進まなくなる。なお、こ
こで言う「高さ」とは、ガラス板6の研磨面からの高さ
を意味する。
【0021】このため、研磨時間の超過による過剰研磨
によって、観察所望個所を消失させてしまうということ
が無い。
【0022】また、過剰研磨防止のために、研磨中断、
観察、研磨再開を繰り返し実施する必要が無くなるた
め、短時間にて半導体試料2の被研磨面を所望の位置ま
で研磨することが可能となる。
【0023】さらに、ボール9が回転する研磨ガラス板
6に接触している間、ボール9自身も軽く回るため、ボ
ール9が研磨ガラス板6に傷をつけることも、ボール9
が傷つけられることも無い。
【0024】なお、以上の実施形態においては、マイク
ロメーター7、ベアリング8およびボール9は、試料2
一個に対して一組しか使用していないが、二つまたはそ
れ以上使用することも可能である。例えば、試料2の両
サイドに一組づつ配してもよい。
【0025】また、ボール9下端と観察所望個所11の
高さを一致させるために、マイクロメーター7を用いて
ベアリング8およびボール9の位置を上下に移動させた
が、ベアリング8およびボール9を固定し、試料2を上
下に移動させてボール下端と観察所望個所11の高さを
一致させても良い。例えば、ベアリング8およびボール
9を被研磨物保持部10に固定し、被研磨物保持部10
に対して移動可能な保持手段に試料2を保持させ、この
保持手段の高さをマイクロメーター等を用いて調整する
ことにより、試料2の観察所望個所11とボール9下端
の位置を調整してもよい。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の研磨用治
具によれば、研磨中断、観察、研磨再開を繰り返し実施
すること無く、短時間にて被研磨物の被研磨面を所望の
位置まで研磨することが可能となる。
【0027】また、研磨時間を超過しても、所望研磨量
以上研磨されることがないため、観察所望個所を消失さ
せることが無い。
【0028】さらに、転動体が回転する研磨体に接触し
ている間、転動体自身も軽く回るため、転動体が研磨体
に傷をつけることも、転動体自身が傷つけられることも
無い等の優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の治具の断面図。
【図2】本発明の治具を用いた研磨装置を示す図。
【図3】従来の治具の断面図。
【図4】従来の治具を用いた研磨装置を示す図。
【符号の説明】 1…従来の治具 2…半導体試料 3…所望研磨量 4…治具保持部 5…研磨体回転部 6…研磨ガラス板 7…マイクロメーター 8…ボールベアリング 9…ボ
ール 10…被研磨物保持部 11…観察所望個所
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 衛藤 和彦 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA09 AB03 AB04 AB09 AC02 BA07 BB03 CB01 CB03 CB06

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体試料と研磨体とを押し付けながら
    相対運動させて、半導体試料を研磨する半導体試料研磨
    装置において半導体試料を保持するために使用される治
    具であって、 前記相対運動中の前記研磨体と接触すると転動する転動
    体を有し、この転動体が前記研磨体と接触した後は、前
    記半導体試料を前記研磨体へ押し付ける力が前記半導体
    試料に作用しなくなるために研磨が防止される研磨防止
    機構と、 前記転動体又は前記半導体試料のいずれか一方又は双方
    の前記研磨体に対する位置を調整する位置調整機構と、
    を具備することを特徴とする半導体試料研磨用治具。
JP4385599A 1999-02-22 1999-02-22 半導体試料研磨用治具 Withdrawn JP2000243732A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006185995A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Seiko Epson Corp 半導体チップ断面研磨装置、半導体チップの断面研磨方法、及び半導体装置の製造方法
CN109702640A (zh) * 2018-12-27 2019-05-03 二重(德阳)重型装备有限公司 大尺寸外径千分尺平行性研磨工具
JP7562721B2 (ja) 2023-01-19 2024-10-07 日本電子株式会社 試料ホルダー、試料ホルダーセット、および試料作製方法

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Effective date: 20060509