JP2000243779A5 - - Google Patents

Claims (35)

1. 第１および第２の電極を有する基板と、
   前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
   前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
   前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
   前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
   前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
   前記第１の接続導体は、該第１の接続導体と前記半導体チップの前記第１の対向辺対の一方の辺とが互いに交差するように、前記増幅回路の前記入力端子から前記基板の前記第１の電極まで延在し、
   前記第２の接続導体は、該第２の接続導体と前記半導体チップの前記第２の対向辺対の一方の辺とが互いに交差するように、前記増幅回路の前記出力端子から前記基板の前記第２の電極まで延在することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
2. 請求項１において、
   前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
3. 請求項１において、
   前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
   前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
   前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
4. 請求項１において、
   前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
5. 請求項１において、
   前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は 0.3mm 以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
6. 第１および第２の電極を有する基板と、
   前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
   前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
   前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する複数の第２の接続導体とを具備して成り、
   前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
   前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
   前記第１の接続導体は、該第１の接続導体と前記半導体チップの前記第１の対向辺対の一方の辺とが互いに交差するように、前記増幅回路の前記入力端子から前記基板の前記第１の電極まで延在し、
   前記複数の第２の接続導体の各々は、該複数の第２の接続導体の各々と前記半導体チップの前記第２の対向辺対の一方の辺とが互いに交差するように、前記増幅回路の前記出力端子から前記基板の前記第２の電極まで延在することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
7. 請求項６において、
   前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
8. 請求項６において、
   前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
   前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
   前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
9. 請求項６において、
   前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
10. 請求項６において、
    前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は 0.3mm 以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
11. 第１および第２の電極を有する基板と、
    前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
    前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
    前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
    前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
    前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
    前記第１の接続導体は第１の方向に延在し、前記第２の接続導体は前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、
    前記第１の方向と前記第２の方向との成す角は、前記基板の前記１つの面を平面図として見た場合に 72 〜 180 度の範囲内であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
12. 請求項１１において、
    前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
13. 請求項１１において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
    前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
    前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果ト ランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
14. 請求項１１において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
15. 請求項１１において、
    前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は 0.3mm 以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
16. 第１および第２の電極を有する基板と、
    前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
    前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
    前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
    前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
    前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
    前記第１の電極から前記増幅回路の前記入力端子までの延長線分で定義される第１の方向と、前記第２の電極から前記増幅回路の前記出力端子までの延長線分で定義される第２の方向との成す角は、 72 〜 180 度の範囲内であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
17. 請求項１６において、
    前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
18. 請求項１６において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
    前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
    前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
19. 請求項１６において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
20. 請求項１６において、
    前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は 0.3mm 以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
21. 第１および第２の電極を有する基板と、
    前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
    前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
    前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
    前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
    前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
    前記第１の接続導体は第１の方向に延在し、前記第２の接続導体は前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、
    前記第１の方向と前記第２の方向との成す角は、前記基板の前記１つの面を平面図として見た場合に略 90 度であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
22. 請求項２１において、
    前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
23. 請求項２１において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
    前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
    前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
24. 請求項２１において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
25. 請求項２１において、
    前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は 0.3mm 以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
26. 第１および第２の電極を有する基板と、
    前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
    前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
    前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
    前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
    前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
    前記第１の電極と前記増幅回路の前記入力端子との距離は、前記第２の電極と前記増幅回路の前記出力端子との距離よりも長いことを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
27. 請求項２６において、
    前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
28. 請求項２６において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
    前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
    前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果ト ランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
29. 請求項２６において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
30. 請求項２６において、
    前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は 0.3mm 以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
31. 第１および第２の電極を有する基板と、
    前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
    前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
    前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
    前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
    前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
    前記第１の電極から前記増幅回路の前記入力端子まで延在する前記第１の接続導体は、前記第２の電極から前記増幅回路の前記出力端子まで延在する前記第２の接続導体よりも長いことを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
32. 請求項３１において、
    前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
33. 請求項３１において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
    前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
    前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
34. 請求項３１において、
    前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
35. 請求項３１において、
    前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は 0.3mm 以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。