JP2003174335A5 - - Google Patents

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Claims (19)

  1. 複数の第1の単位トランジスタセルを含み、第1の周波数帯の信号を出力するための第1の出力トランジスタと、
    複数の第2の単位トランジスタセルを含み、前記第1の周波数帯と異なる第2の周波数帯の信号を出力する第2の出力トランジスタと、
    前記第1の出力トランジスタの出力ノードと前記第2の出力トランジスタの出力ノードとの間に配置されるインダクタンス素子とを備える、増幅器。
  2. 前記第1および第2の出力トランジスタは、ある方向に沿って整列される2個の第1の単位トランジスタセルの間に1個の第2の単位トランジスタセルが形成される部分を少なくとも1箇所含む、請求項1記載の増幅器。
  3. 前記第1の出力トランジスタの出力ノードと前記第2の出力トランジスタの出力ノードとの間に、前記インダクタンス素子と直列に接続される容量素子をさらに備える、請求項1または2記載の増幅器。
  4. 前記第1の単位トランジスタセルと前記第2の単位トランジスタセルは、第1の方向と前記第1の方向と直交する第2の方向の少なくとも一方方向に沿って交互に配置される、請求項2記載の増幅器。
  5. 前記第1の単位トランジスタセルと前記第2の単位トランジスタセルとは、第1の方向および前記第1の方向に直交する第2の方向において交互に配置される、請求項2記載の増幅器。
  6. 前記第1の単位トランジスタセルと前記第2の単位トランジスタセルとは、互いに交互に取囲むように配置される、請求項2記載の増幅器。
  7. 前記複数の第1の単位トランジスタセルと前記複数の第2の単位トランジスタセルは、第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に整列して配置され、各々が第1の導通ノードと第2の導通ノードと制御ノードとを含み、
    前記第1の出力トランジスタは、さらに、
    前記複数の第1の単位トランジスタセルの第1の導通ノードを電気的に相互接続する前記第1の方向に延在して配置される複数の第1の配線と、
    前記複数の第1の単位トランジスタセルの第2の導通ノードを電気的に相互接続する前記第2の方向に延在して配置される複数の第2の配線と、
    前記第1の単位トランジスタセルの制御ノードを電気的に相互接続する前記第2の方向に沿って延在する複数の第3の配線と、
    前記第1の配線に電気的に接続されて前記第1の出力トランジスタの出力ノードを形成する前記第2の方向に延在する第4の配線とを含み、
    前記第2の出力トランジスタは、さらに、
    前記第1の方向に沿って延在して配置され、かつ前記第2の方向において前記第1の配線と交互に配置され、前記第2の単位トランジスタセルの第1の導通ノードを電気的に相互接続する第5の配線と、
    前記第2の方向に沿って延在して前記第1の方向において前記第2の配線と交互に配置され、前記第2の単位トランジスタセルの第2の導通ノードを電気的に相互接続する複数の第6の配線と、
    前記第2の方向に沿って延在して前記第1の方向において前記第3の配線と交互に配置され、前記第2の単位トランジスタセルの制御ノードを電気的に相互接続する複数の第7の配線と、
    前記第4の配線と対向して前記第2の方向に沿って延在して配置され、前記第5の配線と電気的に相互接続されて前記第2の出力トランジスタの出力ノードを形成する第8の配線とを有し、
    前記第2の配線と前記第6の配線とは、所定の電圧を伝達する基準電圧線に相互接続され、かつ
    前記第1および第5の配線は、前記第1および第2の方向の少なくとも一方の方向において交互に対応の単位トランジスタセルに接続する、請求項1記載の増幅器。
  8. 前記第1および第5の配線は、前記第1の方向において整列して配置される単位セル列各々に対応して配置される、請求項7記載の増幅器。
  9. 複数の第1の単位トランジスタセルを有し、第1の周波数帯の信号を出力するための第1の出力トランジスタと、
    前記第1の単位トランジスタセルと互いに交互に取囲むように配置される複数の第2の単位トランジスタセルを有し、第2の周波数帯の信号を出力するための第2の出力トランジスタとを備える、増幅器。
  10. 前記複数の第1の単位トランジスタセルと前記複数の第2の単位トランジスタは、第1の方向および前記第1の方向と直交する第2の方向に整列して配置され、かつ各々が、第1の導通ノードと第2の導通ノードと制御ノードとを含み、
    第1の出力トランジスタは、さらに、
    前記複数の第1の単位トランジスタセルの第1の導通ノードを電気的に相互接続する前記第1の方向に延在して配置される複数の第1の配線と、
    前記複数の第1の単位トランジスタセルの第2の導通ノードを電気的に相互接続する前記第2の方向に延在して配置される複数の第2の配線と、
    前記第1の単位トランジスタセルの制御ノードを電気的に相互接続する前記第2の方向に沿って延在する複数の第3の配線と、
    前記第1の配線に電気的に接続されて前記第1の出力トランジスタの出力ノードを形成する前記第2の方向に延在する第4の配線とを含み、
    前記第2の出力トランジスタは、さらに、
    前記第1の方向に沿って延在して配置され、かつ前記第2の方向において前記第1の配線と交互に配置され、前記第2の単位トランジスタセルの第1の導通ノードを電気的に相互接続する複数の第5の配線と、
    前記第2の方向に沿って延在して前記第1の方向において前記第2の配線と交互に配置され、前記第2の単位トランジスタセルの第2の導通ノードを電気的に相互接続する複数の第6の配線と、
    前記第2の方向に沿って延在して前記第1の方向において前記第3の配線と交互に配置され、前記第2の単位トランジスタセルの制御ノードを電気的に相互接続する複数の第7の配線と、
    前記第4の配線と前記第1および第2の単位トランジスタセルの形成領域に関して対向して前記第2の方向に沿って延在して配置され、前記第5の配線と電気的に相互接続されて前記第2の出力トランジスタの出力ノードを形成する第8の配線とを有し、
    前記第2の配線と前記第6の配線とは、所定の電圧を伝達する基準電圧線に相互接続され、
    前記第1および第5の配線は、前記第1の単位トランジスタセルと前記第2の単位トランジスタセルとが、互いに交互に取囲むように配置されるように対応の単位トランジスタに接続する、請求項9記載の増幅器。
  11. 前記第1の周波数帯は、前記第2の周波数帯の周波数成分の整数倍の周波数成分を含む、請求項1または9記載の増幅器。
  12. 複数の第1の単位トランジスタセルを含み、第1の周波数帯の信号を出力するための第1の出力トランジスタと、複数の第2の単位トランジスタセルを含み、前記第1の周波数帯と異なる第2の周波数帯の信号を出力する第2の出力トランジスタとを備え、前記第1および第2の出力トランジスタは、所定の方向に沿って整列される2個の第1の単位トランジスタセルの間に1個の第2の単位トランジスタセルが形成される部分を少なくとも1箇所含む、増幅器。
  13. 互いにコレクタが結合された複数の第1単位トランジスタセルを有し、第1の周波数帯の信号を処理する第1のへテロバイポーラトランジスタと、
    互いにコレクタが結合された複数の第2単位トランジスタセルを有し、前記第1の周波数帯と異なる第2の周波数帯の信号を処理する第2のヘテロバイポーラトランジスタとを備え、
    前記複数の第1単位トランジスタセルは、所定の方向に沿って配置された2個の第1単位トランジスタセルを備え、前記複数の第2単位トランジスタセルは、前記2個の第1単位トランジスタセル間に配置されている、通信用電力増幅器。
  14. 前記複数の第1単位トランジスタセルのベースは互いに結合され、前記複数の第1単位トランジスタセルのエミッタは互いに結合され、前記複数の第2単位トランジスタセルのベースは互いに結合され、前記複数の第2単位トランジスタセルのエミッタは互いに結合される、請求項13記載の通信用電力増幅器。
  15. 前記第1のヘテロバイポーラトランジスタと前記第2のヘテロバイポーラトランジスタは、1つの半導体チップに形成される、請求項14記載の通信用電力増幅器。
  16. 前記第1のへテロバイポーラトランジスタへ増幅された信号を供給する第1の増幅回路と、前記第2のヘテロバイポーラトランジスタへ増幅された信号を供給する第2の増幅回路をさらに備える、請求項15記載の通信用電力増幅器。
  17. 前記複数の第1単位トランジスタセルのベースは、バラスト抵抗を介して互いに接続され、前記複数の第2単位トランジスタセルのベースはバラスト抵抗を介して互いに接続される、請求項15記載の通信用電力増幅器。
  18. 前記複数の第1単位トランジスタセルのエミッタは、バラスト抵抗を介して互いに接続され、前記複数の第2単位トランジスタセルのエミッタは、バラスト抵抗を介して互いに結合される、請求項15記載の通信用電力増幅器。
  19. 前記複数の第1単位トランジスタセルのエミッタは、バラスト抵抗を介して互いに接続され、前記複数の第2単位トランジスタセルのエミッタは、バラスト抵抗を介して互いに結合される、請求項17記載の通信用電力増幅器。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7026876B1 (en) * 2003-02-21 2006-04-11 Dynalinear Technologies, Inc. High linearity smart HBT power amplifiers for CDMA/WCDMA application
US7135919B2 (en) * 2004-08-06 2006-11-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Power amplifier with switchable load
KR101034621B1 (ko) * 2004-08-10 2011-05-12 엘지전자 주식회사 다중밴드 이동통신 단말기
DE602005016615D1 (de) * 2005-07-05 2009-10-22 Freescale Semiconductor Inc Kompensation der parasitären kopplung zwischen hf-ng
JP2007060616A (ja) * 2005-07-29 2007-03-08 Mitsubishi Electric Corp 高周波電力増幅器
US20070252651A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Huai Gao Power Amplifier With A Output Matching Network
US7683483B2 (en) * 2007-02-05 2010-03-23 Freescale Semiconductor, Inc. Electronic device with connection bumps
JP4849029B2 (ja) * 2007-07-23 2011-12-28 三菱電機株式会社 電力増幅器
CN101588195B (zh) * 2008-05-21 2012-10-17 华为技术有限公司 功放装置及信号收发系统
JP5282954B2 (ja) * 2008-12-03 2013-09-04 株式会社村田製作所 Rf電力増幅装置
JP5453120B2 (ja) * 2009-01-30 2014-03-26 株式会社Nttドコモ マルチバンド整合回路、およびマルチバンド電力増幅器
WO2011039792A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 株式会社 東芝 半導体装置
CN101667810B (zh) * 2009-09-29 2011-11-16 锐迪科科技有限公司 双频射频功率放大器电路芯片
DE102010009984A1 (de) * 2009-12-28 2011-06-30 Rohde & Schwarz GmbH & Co. KG, 81671 Verstärkerbaustein mit einem Kompensationselement
CN102281220B (zh) 2010-06-12 2015-04-29 华为技术有限公司 数据流处理方法、设备及系统
CN102130657A (zh) * 2010-09-14 2011-07-20 华为技术有限公司 一种功率放大器、不对称达赫笛功率放大设备和基站
JP5527313B2 (ja) * 2011-12-08 2014-06-18 株式会社村田製作所 半導体装置およびそれを用いた無線通信機器
JP6208413B2 (ja) * 2012-07-06 2017-10-04 日本無線株式会社 増幅器制御装置
JP5821876B2 (ja) 2013-03-05 2015-11-24 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
JP5719467B1 (ja) * 2014-05-30 2015-05-20 日本電信電話株式会社 低雑音増幅器
US9231550B2 (en) 2014-06-09 2016-01-05 Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. Output matching network for wideband power amplifier with harmonic suppression
JP6216753B2 (ja) 2014-09-16 2017-10-18 スカイワークス ソリューションズ, インコーポレイテッドSkyworks Solutions, Inc. バンドローディングを低減するマルチバンドデバイス
TWI695579B (zh) * 2017-06-08 2020-06-01 日商村田製作所股份有限公司 功率放大電路
KR102714221B1 (ko) * 2019-11-12 2024-10-10 삼성전자주식회사 집적 클럭 게이팅 회로
CN112737523A (zh) * 2020-12-25 2021-04-30 广州昂瑞微电子技术有限公司 带宽可重构的射频功率放大器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6151754A (ja) 1984-08-20 1986-03-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 密閉型鉛蓄電池
JPH11251849A (ja) * 1998-03-04 1999-09-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器
US6151509A (en) * 1998-06-24 2000-11-21 Conexant Systems, Inc. Dual band cellular phone with two power amplifiers and a current detector for monitoring the consumed power
DE69904560T2 (de) * 1999-03-08 2003-06-26 Motorola, Inc. Sender
US6232840B1 (en) * 1999-06-10 2001-05-15 Raytheon Company Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations
JP2001068556A (ja) 1999-08-30 2001-03-16 Mobile Communications Tokyo Inc 高周波電力増幅用半導体装置
JP3892630B2 (ja) * 1999-09-30 2007-03-14 株式会社東芝 半導体装置
EP1202446B1 (en) * 2000-10-23 2009-10-14 Panasonic Corporation Power amplifier

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