JP2000244052A

JP2000244052A - 半導体レーザ駆動装置

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Publication number: JP2000244052A
Application number: JP11039833A
Authority: JP
Inventors: Tomiyuki Numata; 富行沼田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-02-18
Filing date: 1999-02-18
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体レーザの出射光量切り替えに要求され
る高速性を損なうことなく、不必要な電力消費を低減す
る。【解決手段】半導体レーザ２の出射光量ｂは、光検出
器３により検出され、電圧信号ｄに変換されて、差動増
幅器５にて基準電圧信号と演算され、電流源１にフィー
ドバックされる。一方、半導体レーザ２の順方向電圧
（動作電圧）を表す電圧信号ｈは、コンパレータ１０で
基準電圧信号ｉと比較され、ＤＣ／ＤＣコンバータ１３
に入力する。ＤＣ／ＤＣコンバータ１３は入力信号ｋに
応じて出力電圧を２段階に変更する。例えば順方向電圧
が基準電圧より低い場合は、２段階のうち低い方の電圧
を出力する。ＤＣ／ＤＣコンバータ１３が出力電圧を切
り替えても、差動増幅器５よりフィードバックされる制
御系の方が制御速度が十分に速いので、出射光量の変動
が生じることはない。このような構成により電流源１に
おける無効電圧を低く抑え、低消費電力化を図ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ駆動
装置、より具体的にはミニディスク等の光メモリシステ
ムに組み込まれる半導体レーザ駆動装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から大容量の情報記録再生装置とし
て光ディスク装置が知られている。この光ディスク装置
においては、光源として半導体レーザが使用されるが、
一般に半導体レーザは温度ドリフトの影響が大きいた
め、出射光量制御を行う半導体レーザ駆動装置を用いて
光ディスクに照射する光ビームの光量を所定値に保持す
るような制御を行っている。

【０００３】図５は、従来の半導体レーザ駆動装置の一
例を説明するための回路図で、図中、１は電流源、２は
半導体レーザ、３は光検出器、４は電流電圧変換器、５
は差動増幅器、６は切り替えスイッチ、７は再生モード
基準電圧源、８は記録モード基準電圧源である。電流源
１から出力した半導体レーザ駆動電流ａは半導体レーザ
２に入力し、半導体レーザ２が駆動される。半導体レー
ザ２から出射した光ビームは光情報記録媒体である光デ
ィスク（図示しない）に向かうとともに、その一部が光
検出器３に入射し、これによって半導体レーザ２の出射
光量ｂが検出される。光検出器３の出力電流ｃは電流電
圧変換器４で電圧信号ｄに変換された後、差動増幅器５
の一方の入力端子に入力する。

【０００４】差動増幅器５の他方の入力端子には切り替
えスイッチ６を介して、再生モード基準電圧源７あるい
は記録モード基準電圧源８が接続される。電流電圧変換
器４の出力電圧信号ｄと、再生モードあるいは記録モー
ドに応じた基準電圧信号ｅとの差が差動増幅器５により
演算増幅された後、電圧信号ｆとして出力され、電流源
１のトランジスタＱ₁にフィードバックされる。こうし
て、基準電圧信号ｅと電流電圧変換器４の出力電圧信号
ｄとが等しくなるように制御動作が行われ、その結果、
半導体レーザ２からの出射光量ｂが、再生モード，記録
モードいずれの場合も、所定の値に制御される。このよ
うな方法は、例えば、特開平４−３６４２３５号公報に
開示されている。

【０００５】次に低消費電力化のための従来技術につい
て説明する。光ディスク装置の中には、充電式電池や乾
電池を電源に用いた携帯型のものも多く市販されてい
る。この種の装置に使用される半導体レーザ駆動装置で
は、消費電力を少なくして電池の使用寿命を伸ばすこと
が望まれる。

【０００６】図６は、従来の半導体レーザ駆動装置の他
の例を説明するための回路図で、図中、１１は基準電圧
源、１５はＤＣ／ＤＣコンバータ、１５ａは平滑化回路
で、その他、図５と同様な機能を有する部分には図５と
同じ符号が付してある。図６において、平滑化回路１５
ａにより平滑化され、ＤＣ／ＤＣコンバータ１５から出
力された出力電圧Ｖ₁₅は、保護抵抗Ｒ₁を介して半導体
レーザ２に供給される。半導体レーザ２には平滑化され
た電圧Ｖ₁₅に応じた電流ａが流れ、これにより半導体レ
ーザ２が駆動される。半導体レーザ２から出射した光ビ
ームの一部は光検出器３に入射し、これによって半導体
レーザ２の出射光量ｂが検出される。光検出器３の出力
電流ｃは電流電圧変換器４で電圧信号ｄに変換された
後、差動増幅器５の一方の入力端子に入力する。

【０００７】差動増幅器５の他方の入力端子には基準電
圧源１１が接続され、電流電圧変換器４の出力電圧信号
ｄと基準電圧信号ｅとの差が差動増幅器５により演算増
幅された後、電圧信号ｆとして出力され、ＤＣ／ＤＣコ
ンバータ１５にフィードバックされる。こうしてＤＣ／
ＤＣコンバータ１５からの出力電圧Ｖ₁₅が制御され、半
導体レーザ２からの出射光量ｂが所定の値に制御され
る。この半導体レーザ駆動装置では、図５に示すごとく
の電流源を用いないので、半導体レーザ以外での電力消
費を低くすることが出来る。このような方法は、例え
ば、特開平６−２７５９０１号公報に開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のような半導体レ
ーザ駆動装置では、消費電力が大きいという問題、ある
いは、半導体レーザの出射光量を高速に切り替えること
が出来ないという問題を有している。図５において、電
流源１は保護抵抗Ｒ₁とトランジスタＱ₁で構成されてお
り、電流源１に供給される電源電圧Ｖ₁は、半導体レー
ザ２の順方向電圧（動作電圧）Ｖｏｐと、トランジスタ
Ｑ₁のエミッタ・コレクタ間電圧Ｖｅｃと、保護抵抗Ｒ₁
での電圧降下Ｖｒを足し合わせたものとなる。例えば、
順方向電圧Ｖｏｐを２.２Ｖ、トランジスタＱ₁の動作に
最低必要なエミッタ・コレクタ間電圧Ｖｅｃを１Ｖ、保
護抵抗Ｒ₁での電圧降下を０.５Ｖ（抵抗を５Ω、駆動電
流を１００ｍＡ）とすると、電源電圧Ｖ₁は３.７Ｖ以上
必要となる。

【０００９】半導体レーザ２の順方向電圧Ｖｏｐは個体
差によってばらつきを生じる。例えば波長７８０ｎｍオ
ーダーの半導体レーザでは、一般に、順方向電圧Ｖｏｐ
は１．６〜２.２Ｖ程度の範囲でばらつきがある。この
ように順方向電圧Ｖｏｐがばらつく半導体レーザを全て
駆動するためには、上記の例では、順方向電圧Ｖｏｐを
最大値の２.２Ｖとして電源電圧Ｖ₁を設定する必要があ
る。しかしながら、このように設定された電源電圧Ｖ₁
において、順方向電圧Ｖｏｐが１.６Ｖの半導体レーザ
を駆動すると、その電圧差０.６ＶはトランジスタＱ₁の
エミッタ・コレクタ間で無効電圧として消費されること
になる。

【００１０】また、半導体レーザ２を駆動するのに必要
な駆動電流ａは、半導体レーザ２の個体差や温度ドリフ
ト、あるいは経時変化によって数十ｍＡ変化する。その
ような変化に対応して半導体レーザ２を駆動するために
は、やはり、保護抵抗Ｒ₁での電圧降下Ｖｒを最大駆動
電流における電圧降下として、電源電圧Ｖ₁を設定する
必要がある。この場合においても、駆動電流ａが小さい
場合には抵抗Ｒ₁での電圧降下Ｖｒは小さくなり、トラ
ンジスタＱ₁のエミッタ・コレクタ間での無効電圧が大
きくなる。このように、図５に示したような従来の半導
体レーザ駆動装置では、半導体レーザ２のばらつき等に
よる電流源１での無効電圧によって不必要な電力が消費
されることとなり、そのため、半導体レーザ駆動装置の
消費電力が大きくなるという問題が生じる。

【００１１】図６に示す構成においては、図５に示すご
とくの電流源を用いていないので、消費電力が小さいと
いうメリットは有るが、半導体レーザ２の出射光量ｂを
変化させる場合には、ＤＣ／ＤＣコンバータ１５の出力
電圧Ｖ₁₅を変化させなければならない。一般に、平滑化
回路によって電圧の安定化を図り電源電圧を供給するＤ
Ｃ／ＤＣコンバータの出力を高速で変化させることは難
しく、半導体レーザ２の出射光量ｂを高速に切り替える
ことは不可能である。よって、差動増幅器５に接続され
た基準電圧源１１による基準電圧信号ｅを切り替えて
も、再生モードと記録モードとの切り替えで要求される
数マイクロ秒の高速性を実現することは出来ないという
問題が生じる。

【００１２】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたものであって、半導体レーザの出射光量の切り替え
に必要とされる高速性を損なうことなく、不必要な電力
消費を低減できる半導体レーザ駆動装置を提供すること
を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
レーザ駆動装置は、半導体レーザの出射光量を制御する
半導体レーザ駆動装置であって、半導体レーザを駆動せ
しめるための半導体レーザ駆動電流を出力する電流源
と、該電流源に電源電圧を供給する出力電圧可変型のＤ
Ｃ／ＤＣコンバータと、前記半導体レーザの出射光量に
基づいて前記半導体レーザ駆動電流を制御する駆動電流
制御手段と、前記半導体レーザの出射光量にかかわりな
く該半導体レーザの動作電圧または前記半導体レーザ駆
動電流に基づいて前記ＤＣ／ＤＣコンバータの出力電圧
を制御する電源電圧制御手段を有することを特徴とした
ものである。

【００１４】請求項２に記載の半導体レーザ駆動装置
は、請求項１の発明において、前記半導体レーザの動作
電圧である順方向電圧を検出する電圧検出器と、該電圧
検出器の検出値と予め設定される基準値とを比較する比
較器とを有し、該比較器の比較結果に基づいて、前記Ｄ
Ｃ／ＤＣコンバータの出力電圧を制御することを特徴と
したものである。

【００１５】請求項３に記載の半導体レーザ駆動装置
は、請求項１の発明において、前記電流源が出力する駆
動電流を検出する電流検出器と、該電流検出器の検出値
と予め設定される基準値とを比較する比較器とを有し、
該比較器の比較結果に基づいて、前記ＤＣ／ＤＣコンバ
ータの出力電圧を制御することを特徴としたものであ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】〔実施形態１〕図１は、本発明に
よる半導体レーザ駆動装置の第１の実施形態を説明する
ための回路図で、図中、９はバッファ回路（電圧検出手
段）、１０はコンパレータ（比較手段）、１２はラッチ
回路、１３はＤＣ／ＤＣコンバータで、その他従来例と
同様の機能を有する部分は従来例と同じ符号が付してあ
る。電流源１から出力された半導体レーザ駆動電流ａは
半導体レーザ２に入力し、これにより半導体レーザ２が
駆動される。半導体レーザ２から出射した光ビームは光
情報記録媒体である光ディスク（図示しない）に向かう
とともに、その一部が光検出器３に入射し、これによっ
て半導体レーザ２の出射光量ｂが検出される。

【００１７】光検出器３の出力電流ｃは電流電圧変換器
４で電圧信号ｄに変換された後、差動増幅器５の一方の
入力端子に入力する。差動増幅器５の他方の入力端子に
は、切り替えスイッチ６を介して再生モード基準電圧源
７あるいは記録モード基準電圧源８が接続される。電流
電圧変換器４の出力電圧信号ｄと再生モードあるいは記
録モードに応じた基準電圧信号ｅとの差が差動増幅器５
により演算増幅された後、電圧信号ｆとして出力され、
電流源１のトランジスタＱ₁にフィードバックされる。
ここで、電流電圧変換器４，差動増幅器５，スイッチ
６，再生モード基準電圧源７，及び記録モード基準電圧
源８によって、駆動電流制御手段が構成される。

【００１８】また、電流源１は保護抵抗Ｒ₁とトランジ
スタＱ₁とで構成されており、差動増幅器５からの出力
電圧信号ｆと、電流源１から出力される駆動電流ａとの
関係は次式で表される。Ｉａ＝｛Ｖ₁−（Ｖｆ＋Ｖｂｅ）｝／Ｒなお上式において、Ｉａは駆動電流ａの電流量、Ｖ₁は
電流源１の電源電圧として供給されるＤＣ／ＤＣコンバ
ータ１３の出力電圧、Ｖｆは差動増幅器５の出力電圧信
号ｆの電圧値、ＶｂｅはトランジスタＱ₁のベース・エ
ミッタ間電圧、Ｒは保護抵抗Ｒ₁の抵抗値である。

【００１９】上記の構成により、基準電圧信号ｅと電流
電圧変換器４の出力電圧信号ｄとが等しくなるように制
御動作が行われ、その結果、半導体レーザ２からの出射
光量ｂが、再生モードもしくは記録モードに応じて所定
の値に制御される。電流源１の応答を高速にすることは
比較的容易であり、再生モードと記録モードとの切り替
えにおいて要求される数マイクロ秒の高速性を実現する
ことは十分可能である。

【００２０】半導体レーザ２のアノード端子は、バッフ
ァ回路９を介してコンパレータ１０の一方の入力端子に
接続されている。半導体レーザ２のカソード端子はＧＮ
Ｄに接続されているので、バッファ回路９からの出力電
圧信号ｈは半導体レーザ２の順方向電圧（動作電圧）を
表す。またコンパレータ１０の他方の入力端子には基準
電圧源１１が接続されており、基準電圧信号ｉは、半導
体レーザ２の順方向電圧のばらつき範囲の中央値に設定
されている。バッファ回路９の出力電圧信号ｈ、つまり
半導体レーザ２の順方向電圧が基準電圧信号ｉよりも大
きい場合には、コンパレータ１０の出力信号ｊは「Ｌ」
レベルとなり、一方、半導体レーザ２の順方向電圧が基
準電圧信号ｉよりも小さい場合には、コンパレータ１０
の出力信号ｊは「Ｈ」レベルとなる。

【００２１】コンパレータ１０からの出力信号ｊは、ラ
ッチ回路１２を経て、ＤＣ／ＤＣコンバータ１３の出力
電圧制御端子に入力信号ｋとして入力しする。ＤＣ／Ｄ
Ｃコンバータ１３は、入力信号ｋに応じて２段階の電圧
を出力し、電流源１に対する電源電圧Ｖ₁として供給す
る。このようにして基準電圧信号ｉとバッファ回路９の
出力電圧信号ｈとが比較され、その結果に応じてＤＣ／
ＤＣコンバータ１３の出力電圧が２段階に制御される。

【００２２】図２は、図１に示す構成における制御動作
を説明するための図で、図中（Ａ）は半導体レーザ２の
出射光量、（Ｂ）はラッチ回路１２のクリア信号ｍ、
（Ｃ）はラッチ回路１２のクロック信号ｌ、（Ｄ）はコ
ンパレータ１０の出力信号ｊ、（Ｅ）はラッチ回路１２
の出力信号ｋ、（Ｆ）はＤＣ／ＤＣコンバータ１３の出
力電圧Ｖ₁を示すものである。

【００２３】半導体レーザ２がオフの場合には、ラッチ
回路１２は、コントローラ（図示しない）からのクリア
信号ｍによって、「Ｌ」レベルを出力する。ＤＣ／ＤＣ
コンバータ１３は、「Ｌ」レベルが入力されると、予め
設定されている２段階の出力電圧のうちの高電圧Ｖ₁ｈ
を出力する。この高電圧Ｖ₁ｈは、順方向電圧がばらつ
く半導体レーザの全ての範囲を駆動することが出来るよ
うに設定されている。そして駆動電流制御手段がオン信
号（図示しない）によって動作し、半導体レーザ２が駆
動される。この時ラッチ回路１２のクリア信号ｍも解除
され、「Ｈ」レベルとなる。半導体レーザ２が駆動され
ると、その順方向電圧が基準電圧信号ｉよりも低い場合
には、コンパレータ１０の出力信号ｊは「Ｈ」レベルと
なる。次いでコントローラからのクロック信号ｌによっ
て、コンパレータ１０の出力信号レベルがラッチされ、
ラッチ回路１２の出力信号ｋは「Ｈ」レベルとなる。

【００２４】ＤＣ／ＤＣコンバータ１３は、「Ｈ」レベ
ルが入力されると、予め設定されている２段階の出力電
圧のうち低電圧Ｖ₁ｌを出力する。この低電圧Ｖ₁ｌは、
順方向電圧が基準電圧よりも低い半導体レーザを駆動す
ることが出来るように設定されている。この時、ＤＣ／
ＤＣコンバータ１３の出力電圧Ｖ₁が低電圧Ｖ₁ｌに切り
替わる速度に対して、駆動電流制御手段が半導体レーザ
２の出射光量ｂを制御する速度の方が十分に速いので、
出射光量ｂが変動することはない。ここで、半導体レー
ザ２の順方向電圧は、個体差によるばらつきは有るもの
の常に変化するものではない。よってＤＣ／ＤＣコンバ
ータ１３の制御は常に行う必要はなく、半導体レーザ２
をオンする毎に実施すれば十分である。

【００２５】図３は、ＤＣ／ＤＣコンバータ１３の動作
を説明するための図で、ＤＣ／ＤＣコンバータ１３のさ
らに詳細な構成例を示すものである。ＤＣ／ＤＣコンバ
ータ１３は、スイッチング動作により出力電圧Ｖ₁を制
御するチョッパレギュレータ１３ａ、チョークコイルＬ
₁，及び平滑化コンデンサＣ₁を有しており、平滑化され
た出力電圧Ｖ₁を抵抗Ｒ₂と、抵抗Ｒ₃あるいは抵抗Ｒ₄と
で分圧して、電圧Ｖ₂をチョッパレギュレータ１３ａに
フィードバックすることにより、一定の電圧を出力する
ものである。

【００２６】上記のごとくの構成により、ラッチ回路１
２の出力信号ｋに基づいて切り替えスイッチ１３ｂによ
り抵抗Ｒ₃と抵抗Ｒ₄とを切り替え、分圧比を替えること
で、ＤＣ／ＤＣコンバータ１３の出力電圧Ｖ₁を制御す
ることが出来る。このようにして電流源１の電源電圧Ｖ
₁を制御することにより、トランジスタＱ₁のエミッタ・
コレクタ間における無効電圧を低く押さえることが出来
る。

【００２７】また、ここでは、半導体レーザ２の順方向
電圧と基準電圧とをコンパレータ１０を用いて比較し、
ＤＣ／ＤＣコンバータ１３の出力電圧Ｖ₁を２段階に制
御したが、例えば、ＡＤコンバータを介して半導体レー
ザ２の順方向電圧を検出し、ＣＰＵによって複数の基準
電圧と比較することにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ１３
の出力電圧Ｖ₁を多段階に制御するように構成しても良
い。

【００２８】〔実施形態２〕図４は、本発明による半導
体レーザ駆動装置の第２の実施形態を説明するための回
路図で、図中、１４は差動増幅器（電流検出手段）で、
その他図１と同様の機能を有する部分には図１と同じ符
号を付けてある。本実施形態における実施形態１との違
いは、半導体レーザ２の順方向電圧を検出するのではな
く、半導体レーザ２の駆動電流ａを検出してＤＣ／ＤＣ
コンバータ１３の出力電圧Ｖ₁を制御する事にある。

【００２９】本実施形態においては、電流源１の保護抵
抗Ｒ₁の両端電圧が、差動増幅器１４を介してコンパレ
ータ１０の一方の入力端子に接続される。保護抵抗Ｒ₁
の両端電圧は駆動電流ａに比例するので、駆動電流ａの
電流量を検出することになる。またコンパレータ１０の
他方の入力端子には基準電圧源１１が接続されており、
コンパレータ１０に入力する基準電圧信号ｉは、半導体
レーザ駆動電流ａの変動範囲の中央値に対応する値に設
定されている。

【００３０】差動増幅器１４の出力電圧信号ｈが基準電
圧信号ｉよりも大きい場合には、コンパレータ１０が出
力する出力信号ｊは「Ｌ」レベルとなり、一方出力電圧
信号ｈが基準電圧信号ｉよりも小さい場合には、コンパ
レータ１０の出力信号ｊは「Ｈ」レベルとなる。コンパ
レータ１０が出力する出力信号ｊは、半導体レーザ２を
オンする毎にラッチ回路１２でラッチされ、ＤＣ／ＤＣ
コンバータ１３の出力電圧制御端子に入力する。ＤＣ／
ＤＣコンバータ１３は、入力信号ｋに応じて２段階の電
圧を出力する。

【００３１】ＤＣ／ＤＣコンバータ１３が出力する電圧
は、半導体レーザ駆動電流の変化に対応して、電流源１
が大きな電流を出力するのに必要な電源電圧Ｖ₁ｈと、
電流源１が小さな電流を出力するのに必要な電源電圧Ｖ
₁ｌとの２段階に設定されている。この時、電圧Ｖ₁ｈ，
Ｖ₁ｌは、それぞれ再生モード，記録モードのどちらに
おいても、半導体レーザ２を駆動可能な電圧値に設定す
る必要がある。上述のようにして、電流源１の電源電圧
Ｖ₁を制御することにより、トランジスタＱ₁のエミッタ
・コレクタ間での無効電圧を低く押さえることが出来
る。

【００３２】

【発明の効果】本発明の半導体レーザ駆動装置は、半導
体レーザの出射光量に基づいて半導体レーザ駆動電流を
制御するとともに、半導体レーザの出射光量にかかわら
ず半導体レーザ駆動電流を出力する電流源の電源電圧を
制御するので、半導体レーザの出射光量を切り替える高
速性を損なうこと無く、不必要な電力消費を低減するこ
とができる。

【００３３】また、半導体レーザの順方向電圧に基づい
て、半導体レーザ駆動電流を出力する電流源の電源電圧
を制御することにより、半導体レーザの順方向電圧のば
らつきによる電流源での無効電圧の発生を低減でき、半
導体レーザ駆動装置の低消費電力化が実現できる。

【００３４】また、半導体レーザの駆動電流量に基づい
て、半導体レーザ駆動電流を出力する電流源の電源電圧
を制御することにより、駆動電流量の変化による電流源
での無効電圧の発生を低減でき、半導体レーザ駆動装置
の低消費電力化が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体レーザ駆動装置の第１の実
施形態を説明するための回路図である。

【図２】図１に示す構成における制御動作を説明するた
めの図である。

【図３】ＤＣ／ＤＣコンバータ１３の動作を説明するた
めの図である。

【図４】本発明による半導体レーザ駆動装置の第２の実
施形態を説明するための回路図である。

【図５】従来の半導体レーザ駆動装置の一例を説明する
ための回路図である。

【図６】従来の半導体レーザ駆動装置の他の例を説明す
るための回路図である。

【符号の説明】

１…電流源、２…半導体レーザ、３…光検出器、４…電
流電圧変換器、５…差動増幅器、６…切り替えスイッ
チ、７…再生モード基準電圧源、８…記録モード基準電
圧源、９…バッファ回路、１０…コンパレータ、１１…
基準電圧源、１２…ラッチ回路、１３…ＤＣ／ＤＣコン
バータ、１３ａ…チョッパレギュレータ、１３ｂ…切り
替えスイッチ、１４…差動増幅器、１５…ＤＣ／ＤＣコ
ンバータ、１５ａ…平滑化回路、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃，Ｒ₄…
抵抗、Ｑ₁…トランジスタ、Ｃ₁…平滑化コンデンサ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザの出射光量を制御する半導
体レーザ駆動装置であって、半導体レーザを駆動せしめ
るための半導体レーザ駆動電流を出力する電流源と、該
電流源に電源電圧を供給する出力電圧可変型のＤＣ／Ｄ
Ｃコンバータと、前記半導体レーザの出射光量に基づい
て前記半導体レーザ駆動電流を制御する駆動電流制御手
段と、前記半導体レーザの出射光量にかかわりなく該半
導体レーザの動作電圧または前記半導体レーザ駆動電流
に基づいて前記ＤＣ／ＤＣコンバータの出力電圧を制御
する電源電圧制御手段を有することを特徴とする半導体
レーザ駆動装置。
【請求項２】前記電源電圧制御手段は、前記半導体レ
ーザの動作電圧である順方向電圧を検出する電圧検出器
と、該電圧検出器の検出値と予め設定される基準値とを
比較する比較器とを有し、該比較器の比較結果に基づい
て、前記ＤＣ／ＤＣコンバータの出力電圧を制御するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項３】前記電源電圧制御手段は、前記電流源が
出力する駆動電流を検出する電流検出器と、該電流検出
器の検出値と予め設定される基準値とを比較する比較器
とを有し、該比較器の比較結果に基づいて、前記ＤＣ／
ＤＣコンバータの出力電圧を制御することを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。