JP2000247608A - 金属酸化物膜の製造方法 - Google Patents
金属酸化物膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温での加熱処理が不要で、かつ、膜厚の比
較的大きい結晶化された金属酸化物の薄膜を、従来に比
べて格段に短い時間で形成できる方法を提供する。 【手段】 金属アルコキシドを主原料として得られる金
属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布して被塗
布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成する工程と、金
属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下であ
る紫外光を照射して金属酸化物ゲルを結晶化させる工程
とを複数回繰り返して行う。
較的大きい結晶化された金属酸化物の薄膜を、従来に比
べて格段に短い時間で形成できる方法を提供する。 【手段】 金属アルコキシドを主原料として得られる金
属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布して被塗
布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成する工程と、金
属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下であ
る紫外光を照射して金属酸化物ゲルを結晶化させる工程
とを複数回繰り返して行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス、セラミ
ックス、金属、プラスチックス等の基体の表面に電子材
料などの金属酸化物の薄膜を形成する方法、特に、高温
での加熱処理を行うことなく結晶化された金属酸化物の
薄膜を製造する金属酸化物膜の製造方法に関する。
ックス、金属、プラスチックス等の基体の表面に電子材
料などの金属酸化物の薄膜を形成する方法、特に、高温
での加熱処理を行うことなく結晶化された金属酸化物の
薄膜を製造する金属酸化物膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属酸化物には、優れた機能特性を有す
る化合物が多く存在する。特に、金属酸化物を数μｍ程
度の厚さの薄膜に形成することにより、例えば、酸化チ
タン（ＴｉＯ２）は、保護膜、反射防止膜、触媒などの
材料として、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）は、保護膜
や基板などの材料として、酸化錫（ＳｎＯ２）や酸化亜
鉛（ＺｎＯ）は、透明導電性膜の材料として、酸化タン
タル（Ｔａ２Ｏ５）は、高誘電体膜の材料として、また
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）やＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ３）は、強誘電体材料として、それぞれ用
いられている。これらの金属酸化物の薄膜は、ゾルーゲ
ル法、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法などにより製造
される。
る化合物が多く存在する。特に、金属酸化物を数μｍ程
度の厚さの薄膜に形成することにより、例えば、酸化チ
タン（ＴｉＯ２）は、保護膜、反射防止膜、触媒などの
材料として、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）は、保護膜
や基板などの材料として、酸化錫（ＳｎＯ２）や酸化亜
鉛（ＺｎＯ）は、透明導電性膜の材料として、酸化タン
タル（Ｔａ２Ｏ５）は、高誘電体膜の材料として、また
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）やＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚ
ｒ，Ｔｉ）Ｏ３）は、強誘電体材料として、それぞれ用
いられている。これらの金属酸化物の薄膜は、ゾルーゲ
ル法、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法などにより製造
される。
【０００３】金属酸化物の薄膜をゾル−ゲル法により製
造する場合において、例えば、ＴｉＯ２膜は、４００℃
の温度でアナターゼが結晶化し、さらに８００℃の温度
で加熱処理することによりルチル相へ転移することが知
られており、ＺｒＯ２ 膜は、７００℃の温度で加熱処
理することにより結晶化することが報告されている（窯
業協会誌、９４、８２３（１９８６）参照）。また、Ｓ
ｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３膜は５００℃の温度で結晶化し（チ
ン・ソリッド・フィルムズ（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆ
ｉｌｍｓ）、２９５、９５〜１００（１９９７）参
照）、ＢａＴｉＯ３膜を形成して結晶化するには、６０
０℃の温度での加熱処理が必要である（マテリアル・リ
サーチ・ソサイアティ・シンポジウム・プロシーディン
グス（Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏ
ｃ．）、Ｖｏｌ．３２、１５７〜１６１（１９８４）参
照）。ＰＺＴ膜については、ペロブスカイト相が結晶化
するのに、４５０℃〜６００℃の温度での加熱処理が必
要である（プロシーディングス・オブ・ブリティッシュ
・セラミック・ソサイアティ（Ｐｒｏｃ．Ｂｒ．Ｃｅｒ
ａｍ．Ｓｏｃ．）、３６、１０７〜１２１（１９８５）
参照）。また、Ｌａ０．８ ３Ｓｒ０．１７Ｍｏ３は、８
００℃の温度での２時間の加熱処理により（特開平９−
５９０２２号参照）、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘは、８０
０℃の温度での ６時間の加熱処理により（ジャーナル
・オブ・マテリアル・ケミストリー（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．
Ｃｈｅｍ．）、１（６）、１０３１〜１０３４（１９９
１））、それぞれ結晶化する。
造する場合において、例えば、ＴｉＯ２膜は、４００℃
の温度でアナターゼが結晶化し、さらに８００℃の温度
で加熱処理することによりルチル相へ転移することが知
られており、ＺｒＯ２ 膜は、７００℃の温度で加熱処
理することにより結晶化することが報告されている（窯
業協会誌、９４、８２３（１９８６）参照）。また、Ｓ
ｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３膜は５００℃の温度で結晶化し（チ
ン・ソリッド・フィルムズ（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆ
ｉｌｍｓ）、２９５、９５〜１００（１９９７）参
照）、ＢａＴｉＯ３膜を形成して結晶化するには、６０
０℃の温度での加熱処理が必要である（マテリアル・リ
サーチ・ソサイアティ・シンポジウム・プロシーディン
グス（Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏ
ｃ．）、Ｖｏｌ．３２、１５７〜１６１（１９８４）参
照）。ＰＺＴ膜については、ペロブスカイト相が結晶化
するのに、４５０℃〜６００℃の温度での加熱処理が必
要である（プロシーディングス・オブ・ブリティッシュ
・セラミック・ソサイアティ（Ｐｒｏｃ．Ｂｒ．Ｃｅｒ
ａｍ．Ｓｏｃ．）、３６、１０７〜１２１（１９８５）
参照）。また、Ｌａ０．８ ３Ｓｒ０．１７Ｍｏ３は、８
００℃の温度での２時間の加熱処理により（特開平９−
５９０２２号参照）、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘは、８０
０℃の温度での ６時間の加熱処理により（ジャーナル
・オブ・マテリアル・ケミストリー（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．
Ｃｈｅｍ．）、１（６）、１０３１〜１０３４（１９９
１））、それぞれ結晶化する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のゾル−ゲル法を
利用した通常の方法では、１回のコーティング操作によ
り金属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布する
ことが可能である膜厚は数１０ｎｍと非常に小さく、こ
のため、例えば１μｍ程度の厚みの金属酸化物の薄膜を
得ようとすると、被塗布物の表面への前駆体ゾルの塗布
操作と、１回につき３０分〜数時間といった時間を要す
る加熱処理とを、数１０回以上繰り返す必要があった。
利用した通常の方法では、１回のコーティング操作によ
り金属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布する
ことが可能である膜厚は数１０ｎｍと非常に小さく、こ
のため、例えば１μｍ程度の厚みの金属酸化物の薄膜を
得ようとすると、被塗布物の表面への前駆体ゾルの塗布
操作と、１回につき３０分〜数時間といった時間を要す
る加熱処理とを、数１０回以上繰り返す必要があった。
【０００５】また、スパッタリング法やＭＯＣＶＤ法で
は、１μｍ程度の厚みの金属酸化物膜を得るためには、
数時間を要し、基板の加熱処理が必要となる場合も多
い。
は、１μｍ程度の厚みの金属酸化物膜を得るためには、
数時間を要し、基板の加熱処理が必要となる場合も多
い。
【０００６】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、高温での加熱処理が不要で、かつ、
膜厚の比較的大きい結晶化された金属酸化物の薄膜を、
従来に比べて格段に短い時間で形成することができる金
属酸化物膜の製造方法を提供することを目的とする。
されたものであり、高温での加熱処理が不要で、かつ、
膜厚の比較的大きい結晶化された金属酸化物の薄膜を、
従来に比べて格段に短い時間で形成することができる金
属酸化物膜の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
金属アルコキシドまたは金属塩を主原料として得られる
金属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布して、
被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成するゲル膜
形成工程と、前記金属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が
３６０ｎｍ以下である紫外光を照射し、薄膜を形成して
いる金属酸化物ゲルを結晶化させるゲル結晶化工程とを
含む金属酸化物膜の製造方法において、１つの被塗布物
の表面に対し前記ゲル膜形成工程と前記ゲル結晶化工程
とを複数回繰り返して行うことを特徴とする。
金属アルコキシドまたは金属塩を主原料として得られる
金属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布して、
被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成するゲル膜
形成工程と、前記金属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が
３６０ｎｍ以下である紫外光を照射し、薄膜を形成して
いる金属酸化物ゲルを結晶化させるゲル結晶化工程とを
含む金属酸化物膜の製造方法において、１つの被塗布物
の表面に対し前記ゲル膜形成工程と前記ゲル結晶化工程
とを複数回繰り返して行うことを特徴とする。
【０００８】請求項２に係る発明は、金属アルコキシド
または金属塩を主原料として得られる金属酸化物の前駆
体ゾルを被塗布物の表面に塗布して、被塗布物表面に金
属酸化物ゲルの薄膜を形成するゲル膜形成工程と、前記
金属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下で
あるパターン化された紫外光を照射し、薄膜を形成して
いる金属酸化物ゲルを結晶化させて、金属酸化物の薄膜
を形成するゲル結晶化工程と、前記金属酸化物の薄膜を
エッチングして、紫外光の照射部分と非照射部分とにお
けるエッチング速度の違いにより金属酸化物の薄膜をパ
ターン化する薄膜エッチング工程とを含む金属酸化物膜
の製造方法において、１つの被塗布物の表面に対し前記
ゲル膜形成工程と前記ゲル結晶化工程とを複数回繰り返
して行った後、前記薄膜エッチング工程を行うことを特
徴とする。
または金属塩を主原料として得られる金属酸化物の前駆
体ゾルを被塗布物の表面に塗布して、被塗布物表面に金
属酸化物ゲルの薄膜を形成するゲル膜形成工程と、前記
金属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以下で
あるパターン化された紫外光を照射し、薄膜を形成して
いる金属酸化物ゲルを結晶化させて、金属酸化物の薄膜
を形成するゲル結晶化工程と、前記金属酸化物の薄膜を
エッチングして、紫外光の照射部分と非照射部分とにお
けるエッチング速度の違いにより金属酸化物の薄膜をパ
ターン化する薄膜エッチング工程とを含む金属酸化物膜
の製造方法において、１つの被塗布物の表面に対し前記
ゲル膜形成工程と前記ゲル結晶化工程とを複数回繰り返
して行った後、前記薄膜エッチング工程を行うことを特
徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の製造方法において、金属酸化物ゲルの薄膜
に対して照射する紫外光の光源が、高圧水銀ランプ、低
圧水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマ
レーザ、エキシマランプまたはシンクロトロン放射光で
あることを特徴とする。光源は、１種類のものだけを使
用しても、また２種以上のものを組み合わせて使用して
もよい。
求項２記載の製造方法において、金属酸化物ゲルの薄膜
に対して照射する紫外光の光源が、高圧水銀ランプ、低
圧水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマ
レーザ、エキシマランプまたはシンクロトロン放射光で
あることを特徴とする。光源は、１種類のものだけを使
用しても、また２種以上のものを組み合わせて使用して
もよい。
【００１０】請求項１に係る発明の金属酸化物膜の製造
方法によると、ゲル膜形成工程において、金属アルコキ
シドまたは金属塩を出発原料として得られる金属酸化物
の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布することにより、
被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜が形成され、ゲル
結晶化工程において、金属酸化物ゲルの薄膜に対して波
長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射することによ
り、紫外光を薄膜が吸収してそのエネルギーで金属酸化
物ゲルが結晶化される。このように、高温での加熱処理
を行わなくても、結晶化された金属酸化物の薄膜が得ら
れる。そして、１つの被塗布物の表面に対しゲル膜形成
工程とゲル結晶化工程とを複数回繰り返して行うことに
より、所望する膜厚の金属酸化物の薄膜が得られる。こ
の場合において、例えば、ゲル膜形成工程における前駆
体ゾルの塗布操作に要する時間は数１０秒程度であり、
ゲル結晶化工程における紫外光照射時間は数秒〜数分程
度であるため、短時間で１μｍ程度の膜厚の金属酸化物
の薄膜を製造することが可能になる。
方法によると、ゲル膜形成工程において、金属アルコキ
シドまたは金属塩を出発原料として得られる金属酸化物
の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布することにより、
被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜が形成され、ゲル
結晶化工程において、金属酸化物ゲルの薄膜に対して波
長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射することによ
り、紫外光を薄膜が吸収してそのエネルギーで金属酸化
物ゲルが結晶化される。このように、高温での加熱処理
を行わなくても、結晶化された金属酸化物の薄膜が得ら
れる。そして、１つの被塗布物の表面に対しゲル膜形成
工程とゲル結晶化工程とを複数回繰り返して行うことに
より、所望する膜厚の金属酸化物の薄膜が得られる。こ
の場合において、例えば、ゲル膜形成工程における前駆
体ゾルの塗布操作に要する時間は数１０秒程度であり、
ゲル結晶化工程における紫外光照射時間は数秒〜数分程
度であるため、短時間で１μｍ程度の膜厚の金属酸化物
の薄膜を製造することが可能になる。
【００１１】請求項２に係る発明の金属酸化物膜の製造
方法によると、ゲル膜形成工程において、金属アルコキ
シドまたは金属塩を出発原料として得られる金属酸化物
の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布することにより、
被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜が形成され、ゲル
結晶化工程において、金属酸化物ゲルの薄膜に対して波
長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射することによ
り、紫外光を薄膜が吸収してそのエネルギーで金属酸化
物ゲルの結晶化が促進されることになるが、ゲル結晶化
工程では、金属酸化物ゲルの薄膜に対してパターン化さ
れた紫外光が照射されるため、紫外光の照射部分と非照
射部分とで結晶化の程度に違いを生じて、金属酸化物の
薄膜がパターン化されることになる。このように、高温
での加熱処理を行わなくても、結晶化されパターン化さ
れた金属酸化物の薄膜が得られる。そして、１つの被塗
布物の表面に対しゲル膜形成工程とゲル結晶化工程とを
複数回繰り返して行うことにより、所望する膜厚のパタ
ーン化された金属酸化物の薄膜が得られる。この場合に
おいて、例えば、ゲル膜形成工程における前駆体ゾルの
塗布操作に要する時間は数１０秒程度であり、ゲル結晶
化工程における紫外光照射時間は数秒〜数分程度である
ため、短時間で１μｍ程度の膜厚の金属酸化物の薄膜を
製造することが可能になる。そして、薄膜エッチング工
程において、金属酸化物の薄膜をエッチングすることに
より、紫外光の照射部分と非照射部分とにおけるエッチ
ング速度の違いにより、表面にパターン化された凹凸を
有する金属酸化物の薄膜が得られる。
方法によると、ゲル膜形成工程において、金属アルコキ
シドまたは金属塩を出発原料として得られる金属酸化物
の前駆体ゾルを被塗布物の表面に塗布することにより、
被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜が形成され、ゲル
結晶化工程において、金属酸化物ゲルの薄膜に対して波
長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射することによ
り、紫外光を薄膜が吸収してそのエネルギーで金属酸化
物ゲルの結晶化が促進されることになるが、ゲル結晶化
工程では、金属酸化物ゲルの薄膜に対してパターン化さ
れた紫外光が照射されるため、紫外光の照射部分と非照
射部分とで結晶化の程度に違いを生じて、金属酸化物の
薄膜がパターン化されることになる。このように、高温
での加熱処理を行わなくても、結晶化されパターン化さ
れた金属酸化物の薄膜が得られる。そして、１つの被塗
布物の表面に対しゲル膜形成工程とゲル結晶化工程とを
複数回繰り返して行うことにより、所望する膜厚のパタ
ーン化された金属酸化物の薄膜が得られる。この場合に
おいて、例えば、ゲル膜形成工程における前駆体ゾルの
塗布操作に要する時間は数１０秒程度であり、ゲル結晶
化工程における紫外光照射時間は数秒〜数分程度である
ため、短時間で１μｍ程度の膜厚の金属酸化物の薄膜を
製造することが可能になる。そして、薄膜エッチング工
程において、金属酸化物の薄膜をエッチングすることに
より、紫外光の照射部分と非照射部分とにおけるエッチ
ング速度の違いにより、表面にパターン化された凹凸を
有する金属酸化物の薄膜が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について説明する。
について説明する。
【００１３】この発明に係る金属酸化物薄膜の製造方法
では、まず、金属アルコキシドまたは金属塩を出発原料
とし、金属アルコキシドまたは金属塩を含む溶液を加水
分解・重合させて、金属酸化物の前駆体ゾルを調製す
る。金属酸化物としては、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒ
ｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、
Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕの
金属のうち、いずれか１種の金属の単一酸化物でもよい
し、２種以上の金属が組み合わされた複合酸化物でもよ
い。これらの金属酸化物の前駆体ゾルを調製する方法は
特に限定されないが、金属酸化物ゲルの薄膜（ゲル膜）
を形成したときに、膜中の残留有機物が少なくなる程、
また、加熱処理によるゲル膜の結晶化温度が低くなる程
好ましい。金属酸化物の前駆体ゾルの調製方法を以下に
説明する。
では、まず、金属アルコキシドまたは金属塩を出発原料
とし、金属アルコキシドまたは金属塩を含む溶液を加水
分解・重合させて、金属酸化物の前駆体ゾルを調製す
る。金属酸化物としては、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｒ
ｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、
Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕの
金属のうち、いずれか１種の金属の単一酸化物でもよい
し、２種以上の金属が組み合わされた複合酸化物でもよ
い。これらの金属酸化物の前駆体ゾルを調製する方法は
特に限定されないが、金属酸化物ゲルの薄膜（ゲル膜）
を形成したときに、膜中の残留有機物が少なくなる程、
また、加熱処理によるゲル膜の結晶化温度が低くなる程
好ましい。金属酸化物の前駆体ゾルの調製方法を以下に
説明する。
【００１４】出発原料として使用される金属アルコキシ
ドとしては、アルコキシル基の炭素数が１〜５であるも
のが使用され、より好ましくはアルコキシル基の炭素数
が２〜４のものが使用される。また、金属塩としては、
硝酸塩、塩化物などの無機塩、酢酸などの有機酸塩や、
アセチルアセトナートなどのβ−ジケトンの塩が使用さ
れる。
ドとしては、アルコキシル基の炭素数が１〜５であるも
のが使用され、より好ましくはアルコキシル基の炭素数
が２〜４のものが使用される。また、金属塩としては、
硝酸塩、塩化物などの無機塩、酢酸などの有機酸塩や、
アセチルアセトナートなどのβ−ジケトンの塩が使用さ
れる。
【００１５】金属アルコキシドまたは金属塩を溶解させ
る溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノールなどのアルコール類、酢酸エチルなどの
有機酸エステル、アセトニトリル、アセトンやメチルエ
チルケトンなどのケトン類、テトラヒドラフラン（ＴＨ
Ｆ）やジオキサンなどのシクロエーテル、ホルムアミド
（ＦＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）な
どの酸アミド、炭化水素、トルエンなどの芳香族などが
使用される。
る溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノールなどのアルコール類、酢酸エチルなどの
有機酸エステル、アセトニトリル、アセトンやメチルエ
チルケトンなどのケトン類、テトラヒドラフラン（ＴＨ
Ｆ）やジオキサンなどのシクロエーテル、ホルムアミド
（ＦＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）な
どの酸アミド、炭化水素、トルエンなどの芳香族などが
使用される。
【００１６】また、金属アルコキシドを含む溶液に、多
座配位化合物であるβ−ジケトン（ＲＣＯＣＨ2ＣＯ
Ｒ’；Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシル基）、
アルコキシアルコール、アルカノールアミン、グリコー
ル類、グリセリン、酢酸などを、アルコキシドの安定化
剤として含ませるようにしてもよい。β−ジケトンとし
ては、アセチルアセトン、アセト酢酸エチルやアセト酢
酸メチルなどのアセト酢酸エステル、マロン酸ジエチル
などのマロン酸エステルなどが使用される。アルコキシ
アルコールとしては、２−メトキシエタノール、２−エ
トキシエタノール、２−メトキシ−２−プロパノールな
どが使用される。アルカノールアミンとしては、モノエ
タノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノール
アミンなどが使用される。グリコール類としては、エチ
レングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレン
グリコールおよびプロピレングリコールやこれらの化合
物のモノアルキルエーテルや酢酸エステルが使用され
る。これらの化合物は単独で用いられあるいは併用さ
れ、その種類は、金属種やアルコキシル基の種類により
選定される。また、これらの化合物は、アルコキシドの
０．１モル倍〜１．５モル倍の量が含まれることが望ま
しい。なお、アルコキシアルコール類は、溶媒として使
用することも可能である。
座配位化合物であるβ−ジケトン（ＲＣＯＣＨ2ＣＯ
Ｒ’；Ｒ、Ｒ’はアルキル基またはアルコキシル基）、
アルコキシアルコール、アルカノールアミン、グリコー
ル類、グリセリン、酢酸などを、アルコキシドの安定化
剤として含ませるようにしてもよい。β−ジケトンとし
ては、アセチルアセトン、アセト酢酸エチルやアセト酢
酸メチルなどのアセト酢酸エステル、マロン酸ジエチル
などのマロン酸エステルなどが使用される。アルコキシ
アルコールとしては、２−メトキシエタノール、２−エ
トキシエタノール、２−メトキシ−２−プロパノールな
どが使用される。アルカノールアミンとしては、モノエ
タノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノール
アミンなどが使用される。グリコール類としては、エチ
レングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレン
グリコールおよびプロピレングリコールやこれらの化合
物のモノアルキルエーテルや酢酸エステルが使用され
る。これらの化合物は単独で用いられあるいは併用さ
れ、その種類は、金属種やアルコキシル基の種類により
選定される。また、これらの化合物は、アルコキシドの
０．１モル倍〜１．５モル倍の量が含まれることが望ま
しい。なお、アルコキシアルコール類は、溶媒として使
用することも可能である。
【００１７】金属アルコキシドまたは金属塩を含む溶液
の加水分解には、金属アルコキシドまたは金属塩の０．
０５モル倍〜２モル倍の水が用いられ、より好ましく
は、０．５モル倍〜１．５モル倍の水が用いられる。こ
の加水分解には、酸触媒および／または塩基触媒を用い
るようにしてもよく、好ましくは、塩酸などの鉱酸や酢
酸などの有機酸が用いられる。なお、アルコキシドの種
類によっては、アルコキシドの希釈溶液が用いられる。
また、出発原料として金属塩を使用した場合には、アル
コール系の溶剤との反応を有効に利用するようにする。
の加水分解には、金属アルコキシドまたは金属塩の０．
０５モル倍〜２モル倍の水が用いられ、より好ましく
は、０．５モル倍〜１．５モル倍の水が用いられる。こ
の加水分解には、酸触媒および／または塩基触媒を用い
るようにしてもよく、好ましくは、塩酸などの鉱酸や酢
酸などの有機酸が用いられる。なお、アルコキシドの種
類によっては、アルコキシドの希釈溶液が用いられる。
また、出発原料として金属塩を使用した場合には、アル
コール系の溶剤との反応を有効に利用するようにする。
【００１８】金属アルコキシドまたは金属塩を含む溶液
の加水分解によって金属酸化物の前駆体ゾルが調製され
ると、その前駆体ゾルを基板の表面に塗布し、それを乾
燥させて基板表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成する。
前駆体ゾルの塗布方法は、特に限定されず、通常行われ
るディップコート法、スピンコート法、フローコート
法、バーコート法、超音波噴霧法などが用いられる。な
お、このとき得られたゲル膜としては、上記したよう
に、その膜中の残留有機物量が少ない程、また、加熱処
理した場合の結晶化温度が低い程好ましい。
の加水分解によって金属酸化物の前駆体ゾルが調製され
ると、その前駆体ゾルを基板の表面に塗布し、それを乾
燥させて基板表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成する。
前駆体ゾルの塗布方法は、特に限定されず、通常行われ
るディップコート法、スピンコート法、フローコート
法、バーコート法、超音波噴霧法などが用いられる。な
お、このとき得られたゲル膜としては、上記したよう
に、その膜中の残留有機物量が少ない程、また、加熱処
理した場合の結晶化温度が低い程好ましい。
【００１９】基板表面に金属酸化物ゲルの薄膜が形成さ
れると、そのゲル膜に対して波長が３６０ｎｍ以下であ
る紫外光を照射する。紫外光の光源としては、波長が３
６０ｎｍ以下である紫外光を照射可能であれば、その種
類を問わず、目的とする金属酸化物の薄膜に応じて適宜
選択して使用されるが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧
水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレ
ーザ、エキシマランプ、シンクロトロン放射光などが使
用される。また、これらの光源のうち２つもしくはそれ
以上のものを組み合わせて使用することも可能である。
このゲル膜に対する紫外光照射の際に、目的に応じて、
基板を加熱したり、基板を減圧下に置いたり、雰囲気
（酸化雰囲気または非酸化雰囲気）を制御したりするこ
とも可能である。また、紫外光の照射強度やショット数
は、ゲル膜の種類や組成などに応じて適宜選択される。
金属酸化物ゲルの薄膜に対して紫外光が照射されること
により、薄膜を形成している金属酸化物ゲルが結晶化さ
れ、基板の表面に金属酸化物の薄膜が形成される。
れると、そのゲル膜に対して波長が３６０ｎｍ以下であ
る紫外光を照射する。紫外光の光源としては、波長が３
６０ｎｍ以下である紫外光を照射可能であれば、その種
類を問わず、目的とする金属酸化物の薄膜に応じて適宜
選択して使用されるが、例えば、高圧水銀ランプ、低圧
水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレ
ーザ、エキシマランプ、シンクロトロン放射光などが使
用される。また、これらの光源のうち２つもしくはそれ
以上のものを組み合わせて使用することも可能である。
このゲル膜に対する紫外光照射の際に、目的に応じて、
基板を加熱したり、基板を減圧下に置いたり、雰囲気
（酸化雰囲気または非酸化雰囲気）を制御したりするこ
とも可能である。また、紫外光の照射強度やショット数
は、ゲル膜の種類や組成などに応じて適宜選択される。
金属酸化物ゲルの薄膜に対して紫外光が照射されること
により、薄膜を形成している金属酸化物ゲルが結晶化さ
れ、基板の表面に金属酸化物の薄膜が形成される。
【００２０】１回のコーティング操作および紫外光照射
操作によっては、数１０ｎｍ程度の厚みの金属酸化物の
薄膜しか得られない。そこで、所望の膜厚の金属酸化物
の薄膜、例えば１μｍ程度の厚みの金属酸化物の薄膜を
得るために、上記したコーティング工程と紫外光照射工
程とを必要な回数だけ繰り返して行う。これにより、所
望する膜厚の金属酸化物の薄膜が得られる。この場合、
１回のコーティング操作に要する時間は数１０秒程度で
あり、また、紫外光照射時間は数秒〜数分程度である。
このため、金属酸化物ゲルを加熱処理によって結晶化す
る場合に、その１回の加熱処理につき３０分〜数時間と
いった時間を要していた従来の方法と比べると、格段に
短い時間で１μｍ程度の膜厚の金属酸化物の薄膜が得ら
れることとなる。
操作によっては、数１０ｎｍ程度の厚みの金属酸化物の
薄膜しか得られない。そこで、所望の膜厚の金属酸化物
の薄膜、例えば１μｍ程度の厚みの金属酸化物の薄膜を
得るために、上記したコーティング工程と紫外光照射工
程とを必要な回数だけ繰り返して行う。これにより、所
望する膜厚の金属酸化物の薄膜が得られる。この場合、
１回のコーティング操作に要する時間は数１０秒程度で
あり、また、紫外光照射時間は数秒〜数分程度である。
このため、金属酸化物ゲルを加熱処理によって結晶化す
る場合に、その１回の加熱処理につき３０分〜数時間と
いった時間を要していた従来の方法と比べると、格段に
短い時間で１μｍ程度の膜厚の金属酸化物の薄膜が得ら
れることとなる。
【００２１】また、パターン化された凹凸表面を有する
金属酸化物の薄膜を形成する場合には、上記と同様にし
て基板表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成した後、その
ゲル膜に対し、パターン化されたフォトマスクを介して
波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射する。そし
て、コーティング操作と紫外光のパターン照射とを必要
な回数だけ繰り返して行い、所望する膜厚の金属酸化物
の薄膜を得た後、基板を塩酸水溶液などのエッチング液
に浸漬させてエッチングを行なうようにする。これによ
り、紫外光の照射部分と非照射部分とにおけるエッチン
グ速度の違いによって、表面にパターン化された凹凸を
有する金属酸化物の薄膜が得られることになる。
金属酸化物の薄膜を形成する場合には、上記と同様にし
て基板表面に金属酸化物ゲルの薄膜を形成した後、その
ゲル膜に対し、パターン化されたフォトマスクを介して
波長が３６０ｎｍ以下である紫外光を照射する。そし
て、コーティング操作と紫外光のパターン照射とを必要
な回数だけ繰り返して行い、所望する膜厚の金属酸化物
の薄膜を得た後、基板を塩酸水溶液などのエッチング液
に浸漬させてエッチングを行なうようにする。これによ
り、紫外光の照射部分と非照射部分とにおけるエッチン
グ速度の違いによって、表面にパターン化された凹凸を
有する金属酸化物の薄膜が得られることになる。
【００２２】
【実施例】次に、この発明を具体的に適用した実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２３】〔実施例１〜７〕金属アルコキシドを、金
属酸化物の固形分濃度が３重量％となるように溶媒に溶
解させ、この溶液に１Ｎ塩酸を添加して加水分解するこ
とにより、塗布液（金属酸化物の前駆体ゾル）を調製し
た。この塗布液を、スピンコータ（１，５００ｒｐｍ×
１５秒）を使用してシリコン基板またはシリカ基板上に
塗布し、シリコン基板またはシリカ基板上に塗布膜（金
属酸化物ゲルの薄膜）を形成する工程と、得られた塗布
膜に、ＡｒＦエキシマレーザもしくはＫｒＦエキシマレ
ーザを大気中で照射する工程とを、５回繰り返して行っ
た。これにより、結晶性の金属酸化物の薄膜が得られ
た。
属酸化物の固形分濃度が３重量％となるように溶媒に溶
解させ、この溶液に１Ｎ塩酸を添加して加水分解するこ
とにより、塗布液（金属酸化物の前駆体ゾル）を調製し
た。この塗布液を、スピンコータ（１，５００ｒｐｍ×
１５秒）を使用してシリコン基板またはシリカ基板上に
塗布し、シリコン基板またはシリカ基板上に塗布膜（金
属酸化物ゲルの薄膜）を形成する工程と、得られた塗布
膜に、ＡｒＦエキシマレーザもしくはＫｒＦエキシマレ
ーザを大気中で照射する工程とを、５回繰り返して行っ
た。これにより、結晶性の金属酸化物の薄膜が得られ
た。
【００２４】レーザー光の照射は、いずれも１０Ｈｚで
行い、１回の照射は、数１０秒程度で終了した。使用し
た金属アルコキシドの種類、溶媒の種類、加水分解に使
用した水の量などの合成条件、および、レーザー光の照
射条件、ならびに、得られた結晶性の金属酸化物膜の膜
厚を表１にまとめて示す。表１中、「安定化剤」の
「量」の欄には、安定化剤／全アルコキシドのモル比を
示しており、「水の添加量」の欄には、Ｈ２Ｏ／全アル
コキシドのモル比を示している。
行い、１回の照射は、数１０秒程度で終了した。使用し
た金属アルコキシドの種類、溶媒の種類、加水分解に使
用した水の量などの合成条件、および、レーザー光の照
射条件、ならびに、得られた結晶性の金属酸化物膜の膜
厚を表１にまとめて示す。表１中、「安定化剤」の
「量」の欄には、安定化剤／全アルコキシドのモル比を
示しており、「水の添加量」の欄には、Ｈ２Ｏ／全アル
コキシドのモル比を示している。
【００２５】
【表１】
【００２６】〔比較例１〜４〕上記した実施例１・２、
実施例３〜５および実施例６・７においてそれぞれ得ら
れた塗布液（金属酸化物の前駆体ゾル）を、スピンコー
タ（１，５００ｒｐｍ×１５秒）を使用してシリコン基
板またはシリカ基板上に塗布し、シリコン基板またはシ
リカ基板上に塗布膜（金属酸化物ゲルの薄膜）を形成す
る工程と、得られた塗布膜を加熱処理する工程とを、５
回繰り返して行うことにより、結晶性の金属酸化物の薄
膜を作製した。これらの金属酸化物ゲルを結晶化するた
めには、塗布液を１回塗布するごとに３０分以上の加熱
処理が必要であった。このときのそれぞれのゲル膜の結
晶化温度を表２に示す。
実施例３〜５および実施例６・７においてそれぞれ得ら
れた塗布液（金属酸化物の前駆体ゾル）を、スピンコー
タ（１，５００ｒｐｍ×１５秒）を使用してシリコン基
板またはシリカ基板上に塗布し、シリコン基板またはシ
リカ基板上に塗布膜（金属酸化物ゲルの薄膜）を形成す
る工程と、得られた塗布膜を加熱処理する工程とを、５
回繰り返して行うことにより、結晶性の金属酸化物の薄
膜を作製した。これらの金属酸化物ゲルを結晶化するた
めには、塗布液を１回塗布するごとに３０分以上の加熱
処理が必要であった。このときのそれぞれのゲル膜の結
晶化温度を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】表２から分かるように、結晶性の金属酸化
物の薄膜を得るためには、４００℃以上の温度での加熱
処理が必要であった。
物の薄膜を得るためには、４００℃以上の温度での加熱
処理が必要であった。
【００２９】〔実施例８〜１５〕金属酸化物ＡＢＯ３を
得るために、Ａ−アルコキシドとＢ−アルコキシドと
を、金属酸化物の固形分濃度が３〜１０重量％となるよ
うに溶媒に添加し、Ａ−アルコキシドおよびＢ−アルコ
キシドを所定の比率で含む混合溶液を調製して還流させ
た後、この混合溶液に水を添加して溶液を加水分解する
ことにより、塗布液（金属酸化物ＡＢＯ３の前駆体ゾ
ル）を調製した。出発原料としたＡ−アルコキシドおよ
びＢ−アルコキシドのそれぞれの種類、溶媒の種類、加
水分解に使用した水の量などの合成条件を表３にまとめ
て示す。表３中、「水の添加量」の欄には、Ｈ２Ｏ／全
アルコキシドのモル比を示している。
得るために、Ａ−アルコキシドとＢ−アルコキシドと
を、金属酸化物の固形分濃度が３〜１０重量％となるよ
うに溶媒に添加し、Ａ−アルコキシドおよびＢ−アルコ
キシドを所定の比率で含む混合溶液を調製して還流させ
た後、この混合溶液に水を添加して溶液を加水分解する
ことにより、塗布液（金属酸化物ＡＢＯ３の前駆体ゾ
ル）を調製した。出発原料としたＡ−アルコキシドおよ
びＢ−アルコキシドのそれぞれの種類、溶媒の種類、加
水分解に使用した水の量などの合成条件を表３にまとめ
て示す。表３中、「水の添加量」の欄には、Ｈ２Ｏ／全
アルコキシドのモル比を示している。
【００３０】
【表３】
【００３１】得られた塗布液を、スピンコータ（１，５
００ｒｐｍ×１５秒）を使用してシリコン基板または白
金（Ｐｔ）基板上に塗布し、シリコン基板またはＰｔ基
板上に塗布膜（金属酸化物ゲルの薄膜）を形成する工程
と、得られた塗布膜に、ＫｒＦエキシマレーザを大気中
で照射する工程とを、５回繰り返して行った。これによ
り、結晶性の金属酸化物の薄膜が得られた。レーザー光
の照射は、いずれも１０Ｈｚで行い、１回の照射は、数
１０秒〜数分程度で終了した。結晶性の金属酸化物の薄
膜が得られたときのレーザー光の照射条件、および、得
られた結晶性の金属酸化物膜の膜厚を表４にまとめて示
す。
００ｒｐｍ×１５秒）を使用してシリコン基板または白
金（Ｐｔ）基板上に塗布し、シリコン基板またはＰｔ基
板上に塗布膜（金属酸化物ゲルの薄膜）を形成する工程
と、得られた塗布膜に、ＫｒＦエキシマレーザを大気中
で照射する工程とを、５回繰り返して行った。これによ
り、結晶性の金属酸化物の薄膜が得られた。レーザー光
の照射は、いずれも１０Ｈｚで行い、１回の照射は、数
１０秒〜数分程度で終了した。結晶性の金属酸化物の薄
膜が得られたときのレーザー光の照射条件、および、得
られた結晶性の金属酸化物膜の膜厚を表４にまとめて示
す。
【００３２】
【表４】
【００３３】〔比較例５〜１２〕上記した実施例８〜１
５においてそれぞれ得られた塗布液（金属酸化物の前駆
体ゾル）を、スピンコータ（１，５００ｒｐｍ×１５
秒）を使用してシリコン基板またはＰｔ基板上に塗布
し、シリコン基板またはＰｔ基板上に塗布膜（金属酸化
物ゲルの薄膜）を形成する工程と、得られた塗布膜を加
熱処理する工程とを、５回繰り返して行うことにより、
結晶性の金属酸化物の薄膜を作製した。これらの金属酸
化物ゲルを結晶化するためには、塗布液を１回塗布する
ごとに５０分以上の加熱処理が必要であった。このとき
のそれぞれのゲル膜の結晶化温度を表４に示す。
５においてそれぞれ得られた塗布液（金属酸化物の前駆
体ゾル）を、スピンコータ（１，５００ｒｐｍ×１５
秒）を使用してシリコン基板またはＰｔ基板上に塗布
し、シリコン基板またはＰｔ基板上に塗布膜（金属酸化
物ゲルの薄膜）を形成する工程と、得られた塗布膜を加
熱処理する工程とを、５回繰り返して行うことにより、
結晶性の金属酸化物の薄膜を作製した。これらの金属酸
化物ゲルを結晶化するためには、塗布液を１回塗布する
ごとに５０分以上の加熱処理が必要であった。このとき
のそれぞれのゲル膜の結晶化温度を表４に示す。
【００３４】表４から分かるように、結晶化温度の最も
低いＳｒＴｉＯ３やＰＺＴでも、その結晶化が確認され
るには、６００℃の温度での加熱処理が必要であった。
低いＳｒＴｉＯ３やＰＺＴでも、その結晶化が確認され
るには、６００℃の温度での加熱処理が必要であった。
【００３５】なお、この発明は、上記実施例で示した金
属酸化物の薄膜の形成に限定されるものではなく、上記
以外の金属酸化物の薄膜を加熱処理なしで所望の膜厚に
形成する場合にも適用可能であることは言うまでもな
い。このように、加熱処理を行わずに所望の膜厚を有す
る結晶性の金属酸化物の薄膜を形成することができるの
で、この発明の方法によると、従来方法では不可能であ
ったプラスチックス等の耐熱性に劣る基板上に金属酸化
物の薄膜を形成することができる。
属酸化物の薄膜の形成に限定されるものではなく、上記
以外の金属酸化物の薄膜を加熱処理なしで所望の膜厚に
形成する場合にも適用可能であることは言うまでもな
い。このように、加熱処理を行わずに所望の膜厚を有す
る結晶性の金属酸化物の薄膜を形成することができるの
で、この発明の方法によると、従来方法では不可能であ
ったプラスチックス等の耐熱性に劣る基板上に金属酸化
物の薄膜を形成することができる。
【００３６】
【発明の効果】請求項１に係る発明の金属酸化物膜の製
造方法によると、膜厚の比較的大きい結晶化された金属
酸化物の薄膜を、従来に比べて格段に短い時間で、プラ
スチックス等の耐熱性に劣る基板上にも形成することが
できる。
造方法によると、膜厚の比較的大きい結晶化された金属
酸化物の薄膜を、従来に比べて格段に短い時間で、プラ
スチックス等の耐熱性に劣る基板上にも形成することが
できる。
【００３７】請求項２に係る発明の金属酸化物膜の製造
方法によると、膜厚が比較的大きく表面にパターン化さ
れた凹凸を有する結晶化された金属酸化物の薄膜を、従
来に比べて格段に短い時間で、プラスチックス等の耐熱
性に劣る基板上にも形成することができる。
方法によると、膜厚が比較的大きく表面にパターン化さ
れた凹凸を有する結晶化された金属酸化物の薄膜を、従
来に比べて格段に短い時間で、プラスチックス等の耐熱
性に劣る基板上にも形成することができる。
【００３８】請求項３に係る発明の製造方法では、高温
での加熱処理を行わなくても、紫外光のエネルギーによ
り金属酸化物ゲルを結晶化することができる。
での加熱処理を行わなくても、紫外光のエネルギーによ
り金属酸化物ゲルを結晶化することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０１Ｇ 23/047 Ｃ０１Ｇ 23/047 25/02 25/02 30/00 30/00 45/00 45/00 Ｃ２３Ｃ 26/00 Ｃ２３Ｃ 26/00 Ｅ // Ｃ２３Ｃ 18/12 18/12 20/08 20/08 Ｆターム(参考） 4G042 DA01 DA02 DB11 DB15 DB27 DC01 DC03 DD02 DE04 DE09 DE14 4G047 CA02 CA05 CA07 CA08 CB06 CC02 CC03 CD02 4G048 AA02 AA05 AB02 AC02 AC04 AC08 AD02 AE06 AE08 4K022 AA01 AA02 AA03 AA04 AA05 BA02 BA04 BA06 BA07 BA08 BA10 BA11 BA12 BA14 BA15 BA17 BA20 BA22 BA23 BA24 BA25 BA26 BA27 BA28 BA33 DA08 DB04 DB06 DB07 4K044 AA01 AA11 AA12 AA13 AA16 BA12 BA13 BA14 BA15 BB01 BC14 CA41 CA53
Claims (3)
- 【請求項１】 金属アルコキシドまたは金属塩を主原料
として得られる金属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表
面に塗布して、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を
形成するゲル膜形成工程と、 前記金属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以
下である紫外光を照射し、薄膜を形成している金属酸化
物ゲルを結晶化させるゲル結晶化工程とを含む金属酸化
物膜の製造方法において、 １つの被塗布物の表面に対し前記ゲル膜形成工程と前記
ゲル結晶化工程とを複数回繰り返して行うことを特徴と
する金属酸化物膜の製造方法。 - 【請求項２】 金属アルコキシドまたは金属塩を主原料
として得られる金属酸化物の前駆体ゾルを被塗布物の表
面に塗布して、被塗布物表面に金属酸化物ゲルの薄膜を
形成するゲル膜形成工程と、 前記金属酸化物ゲルの薄膜に対して波長が３６０ｎｍ以
下であるパターン化された紫外光を照射し、薄膜を形成
している金属酸化物ゲルを結晶化させて、金属酸化物の
薄膜を形成するゲル結晶化工程と、 前記金属酸化物の薄膜をエッチングして、紫外光の照射
部分と非照射部分とにおけるエッチング速度の違いによ
り金属酸化物の薄膜をパターン化する薄膜エッチング工
程とを含む金属酸化物膜の製造方法において、 １つの被塗布物の表面に対し前記ゲル膜形成工程と前記
ゲル結晶化工程とを複数回繰り返して行った後、前記薄
膜エッチング工程を行うことを特徴とする金属酸化物膜
の製造方法。 - 【請求項３】 金属酸化物ゲルの薄膜に対して照射する
紫外光の光源が、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、Ａ
ｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、エキシマ
ランプまたはシンクロトロン放射光である請求項１また
は請求項２記載の金属酸化物膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050110A JP2000247608A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 金属酸化物膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050110A JP2000247608A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 金属酸化物膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000247608A true JP2000247608A (ja) | 2000-09-12 |
Family
ID=12849964
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11050110A Pending JP2000247608A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 金属酸化物膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000247608A (ja) |
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1999
- 1999-02-26 JP JP11050110A patent/JP2000247608A/ja active Pending
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