JP2000247793A - ランガサイト型結晶の作製方法 - Google Patents
ランガサイト型結晶の作製方法Info
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910017119 AlPO Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来ランガサイト型結晶の作成にはチョクラ
ルスキー法が用いられていたが、その形状は六角柱状で
あるため加工した場合のロスが多く、コスト上昇の原因
となっていた。このような問題を解決するため円柱状
で、且つ、インクルージョンやクラックのないランガサ
イト型結晶の作製方法を提供する。 【解決手段】 ブリッジマン法を用いて融液９から結晶
１０を成長するランガサイト型結晶の作製方法におい
て、結晶１０と融液９との界面Ｐ近傍の温度勾配が３０
℃／ｃｍ乃至８０℃／ｃｍである。
ルスキー法が用いられていたが、その形状は六角柱状で
あるため加工した場合のロスが多く、コスト上昇の原因
となっていた。このような問題を解決するため円柱状
で、且つ、インクルージョンやクラックのないランガサ
イト型結晶の作製方法を提供する。 【解決手段】 ブリッジマン法を用いて融液９から結晶
１０を成長するランガサイト型結晶の作製方法におい
て、結晶１０と融液９との界面Ｐ近傍の温度勾配が３０
℃／ｃｍ乃至８０℃／ｃｍである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電性の光学材料
に関し、特にランガサイト型結晶の作製方法に関する。
に関し、特にランガサイト型結晶の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、デジタル通信機器の需要性が急速
に高まってきている。携帯電話、ＰＨＳなどに代表され
る移動体通信機器の躍進は目を見張るものがある。これ
らデジタル化が進む通信機器分野において、フィルタ、
振動子等の素子の高性能化がいっそう重要視されるよう
になってきている。圧電結晶は、フィルタや発振器、振
動子といった通信機器用の電子部品として極めて重要な
材料である。携帯電話向けのＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタには水晶が、テ
レビやＶＴＲのフィルタにはＬｉＴａＯ3が現在多く用
いられている。この場合、水晶は温度変化に強いという
優れた性質があるが、帯域幅が狭いという欠点があり、
ＬｉＴａＯ3は帯域幅が広い反面、温度変化に弱いとい
う欠点を有している。このため両者の特長を併せ持っ
た、即ち温度による周波数変動が少ない、安定した発
振、広い帯域幅、挿入損失が小さいといった特長を持つ
新しい材料の開発が待ち望まれていた。
に高まってきている。携帯電話、ＰＨＳなどに代表され
る移動体通信機器の躍進は目を見張るものがある。これ
らデジタル化が進む通信機器分野において、フィルタ、
振動子等の素子の高性能化がいっそう重要視されるよう
になってきている。圧電結晶は、フィルタや発振器、振
動子といった通信機器用の電子部品として極めて重要な
材料である。携帯電話向けのＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタには水晶が、テ
レビやＶＴＲのフィルタにはＬｉＴａＯ3が現在多く用
いられている。この場合、水晶は温度変化に強いという
優れた性質があるが、帯域幅が狭いという欠点があり、
ＬｉＴａＯ3は帯域幅が広い反面、温度変化に弱いとい
う欠点を有している。このため両者の特長を併せ持っ
た、即ち温度による周波数変動が少ない、安定した発
振、広い帯域幅、挿入損失が小さいといった特長を持つ
新しい材料の開発が待ち望まれていた。
【０００３】その候補として、これまでα−ＡｌＰＯ4
やＬｉ2Ｂ4Ｏ7といった結晶が開発されてきたが、α−
ＡｌＰＯ4は双晶の発生等により結晶作製が困難、Ｌｉ2
Ｂ4Ｏ7は潮解性を有し、かつ成長速度が遅いという問題
があった。これに対しＬａ3Ｇａ5ＳｉＯ14に代表される
ランガサイト型結晶は、水晶とＬｉＴａＯ3の特長を併
せ持った特性を有し、かつ、結晶作製が容易、加工性に
優れる等の点から優れた新しい圧電材料として注目され
はじめている。その他のランガサイト型結晶としてＬａ
3Ｎｂ0.5Ｇａ5.5Ｏ14やＬａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14といっ
た新材料も見出されている。これらＬａ3Ｎｂ0.5Ｇａ
5.5Ｏ14やＬａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14はＬａ3Ｇａ5ＳｉＯ
14と同様に優れた圧電特性を示し、かつ、結晶の作製が
容易で加工性も良く、将来の圧電材料として有望視され
ている。これらの中でも特に、Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ
14は、結晶の作製が容易なことから大型の結晶が得やす
く、大量生産に適したランガサイト型圧電結晶材料とし
て最も有望視されている。
やＬｉ2Ｂ4Ｏ7といった結晶が開発されてきたが、α−
ＡｌＰＯ4は双晶の発生等により結晶作製が困難、Ｌｉ2
Ｂ4Ｏ7は潮解性を有し、かつ成長速度が遅いという問題
があった。これに対しＬａ3Ｇａ5ＳｉＯ14に代表される
ランガサイト型結晶は、水晶とＬｉＴａＯ3の特長を併
せ持った特性を有し、かつ、結晶作製が容易、加工性に
優れる等の点から優れた新しい圧電材料として注目され
はじめている。その他のランガサイト型結晶としてＬａ
3Ｎｂ0.5Ｇａ5.5Ｏ14やＬａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14といっ
た新材料も見出されている。これらＬａ3Ｎｂ0.5Ｇａ
5.5Ｏ14やＬａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14はＬａ3Ｇａ5ＳｉＯ
14と同様に優れた圧電特性を示し、かつ、結晶の作製が
容易で加工性も良く、将来の圧電材料として有望視され
ている。これらの中でも特に、Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ
14は、結晶の作製が容易なことから大型の結晶が得やす
く、大量生産に適したランガサイト型圧電結晶材料とし
て最も有望視されている。
【０００４】これらのランガサイト型結晶は、Ｌａ、Ｇ
ａ、Ｎｂ、Ｔａ等を含む融液を用い、酸素雰囲気中で、
結晶を引き上げるチョクラルスキー法によって作製され
る。ＳＡＷフィルタ等のデバイスを作製するためにはこ
れらの結晶の大型化が不可欠であるため、これらの結晶
の最適な作製条件を得るためにさまざまな検討が行われ
ている。例えば、Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14、Ｌａ3 Ｎｂ0.5
Ｇａ5.5Ｏ14及びＬａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14結晶の作製に
おいては、これらの結晶の引き上げ速度、結晶回転数、
融液の温度勾配、融液組成、融液を収納するるつぼの材
質、結晶育成中の雰囲気ガスなどのパラメータの最適化
が行われている。
ａ、Ｎｂ、Ｔａ等を含む融液を用い、酸素雰囲気中で、
結晶を引き上げるチョクラルスキー法によって作製され
る。ＳＡＷフィルタ等のデバイスを作製するためにはこ
れらの結晶の大型化が不可欠であるため、これらの結晶
の最適な作製条件を得るためにさまざまな検討が行われ
ている。例えば、Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14、Ｌａ3 Ｎｂ0.5
Ｇａ5.5Ｏ14及びＬａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ14結晶の作製に
おいては、これらの結晶の引き上げ速度、結晶回転数、
融液の温度勾配、融液組成、融液を収納するるつぼの材
質、結晶育成中の雰囲気ガスなどのパラメータの最適化
が行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、チョク
ラルスキー法により作製されたランガサイト型結晶は、
良好な結晶性を有するものの、その形状は、結晶の対称
性から六角柱であるため、この結晶を所定の方向に切り
出されたランガサイト基板を用いて、フィルタや振動子
等の圧電素子を作製する際、この基板が六角形となるた
め、円板状の基板に合わせて設計されている汎用の製造
装置を用いることができず、自動化ができないことから
生産性を低下させていた。また、このランガサイト基板
は、六角形であるので、汎用の製造装置に対応させるた
めには、円板状に加工する必要がある。このため、この
加工で切り落とされる部分がロスとなり、製造コストを
上昇させていた。この問題を解消するために、ランガサ
イト型結晶をブリッジマン法により作製することによっ
て、円柱状の結晶を引き上げることが考えられた。しか
し、ブリッジマン法では、円柱状の結晶を得ることがで
きるが、インクルージョンやクラックが発生しやすかっ
た。そこで、本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、円柱状で、且つ、インクルージ
ョンやクラックのないランガサイト型結晶の作製方法を
提供することを目的とする。
ラルスキー法により作製されたランガサイト型結晶は、
良好な結晶性を有するものの、その形状は、結晶の対称
性から六角柱であるため、この結晶を所定の方向に切り
出されたランガサイト基板を用いて、フィルタや振動子
等の圧電素子を作製する際、この基板が六角形となるた
め、円板状の基板に合わせて設計されている汎用の製造
装置を用いることができず、自動化ができないことから
生産性を低下させていた。また、このランガサイト基板
は、六角形であるので、汎用の製造装置に対応させるた
めには、円板状に加工する必要がある。このため、この
加工で切り落とされる部分がロスとなり、製造コストを
上昇させていた。この問題を解消するために、ランガサ
イト型結晶をブリッジマン法により作製することによっ
て、円柱状の結晶を引き上げることが考えられた。しか
し、ブリッジマン法では、円柱状の結晶を得ることがで
きるが、インクルージョンやクラックが発生しやすかっ
た。そこで、本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、円柱状で、且つ、インクルージ
ョンやクラックのないランガサイト型結晶の作製方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のランガサイト型
結晶の作製方法は、ブリッジマン法を用いて融液から結
晶を成長するランガサイト型結晶の作製方法において、
前記結晶と前記融液との界面近傍の温度勾配が３０℃／
ｃｍ乃至８０℃／ｃｍであることを特徴とする。
結晶の作製方法は、ブリッジマン法を用いて融液から結
晶を成長するランガサイト型結晶の作製方法において、
前記結晶と前記融液との界面近傍の温度勾配が３０℃／
ｃｍ乃至８０℃／ｃｍであることを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の一実施形態を説明する。Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ
14（以下、ＬＴＧという）をブリッジマン炉１を用い
て、作製する場合について説明する。図１は、本発明の
実施形態のＬＴＧの作製方法を示す断面図である。まず
始めに、ブリッジマン炉１の構成について説明する。図
１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、抵抗加熱用のヒータ
線３を有するヒータ部２がアルミナパイプ５の外周囲に
設けられている。このヒータ部２は、ヒーター線３から
発生する熱を逃げにくくするために、ヒーター線３の周
囲には断熱材４が巻かれ、上方側の高温ヒ−タ部２Ａと
下方側の低温ヒ−タ部２Ｂとからなる２ゾーンを構成し
ている。白金るつぼ６は、アルミナパイプ５中に収納さ
れ、このアルミナパイプ５中にアルミナ粉を充填するこ
とによって、保持されている。この白金るつぼ６は、下
端部６Ａが錘状をなし、この下端部６Ａより上部が円筒
状を有している。また、アルミナパイプ５を上下させる
駆動装置７がアルミナパイプ５の下方に設けられてい
る。
の一実施形態を説明する。Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇａ5.5Ｏ
14（以下、ＬＴＧという）をブリッジマン炉１を用い
て、作製する場合について説明する。図１は、本発明の
実施形態のＬＴＧの作製方法を示す断面図である。まず
始めに、ブリッジマン炉１の構成について説明する。図
１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、抵抗加熱用のヒータ
線３を有するヒータ部２がアルミナパイプ５の外周囲に
設けられている。このヒータ部２は、ヒーター線３から
発生する熱を逃げにくくするために、ヒーター線３の周
囲には断熱材４が巻かれ、上方側の高温ヒ−タ部２Ａと
下方側の低温ヒ−タ部２Ｂとからなる２ゾーンを構成し
ている。白金るつぼ６は、アルミナパイプ５中に収納さ
れ、このアルミナパイプ５中にアルミナ粉を充填するこ
とによって、保持されている。この白金るつぼ６は、下
端部６Ａが錘状をなし、この下端部６Ａより上部が円筒
状を有している。また、アルミナパイプ５を上下させる
駆動装置７がアルミナパイプ５の下方に設けられてい
る。
【０００８】次に、このブリッジマン炉１を用いたＬＴ
Ｇ結晶の作製方法について説明する。まず始めに、図１
（Ａ）に示すように、アルミナパイプ５全体を最上方に
保った状態で、白金るつぼ６の下端部６ＡにＬＴＧの種
結晶８を入れる。更に、化学量論組成比で混合された酸
化ランタン（Ｌａ2Ｏ3 ）、酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）からなる原料を秤量
し、図示しないボールミルを用いて均一に混合するよう
に攪拌して、混合した材料を種結晶８が入っている白金
るつぼ６内に入れる。
Ｇ結晶の作製方法について説明する。まず始めに、図１
（Ａ）に示すように、アルミナパイプ５全体を最上方に
保った状態で、白金るつぼ６の下端部６ＡにＬＴＧの種
結晶８を入れる。更に、化学量論組成比で混合された酸
化ランタン（Ｌａ2Ｏ3 ）、酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5）、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）からなる原料を秤量
し、図示しないボールミルを用いて均一に混合するよう
に攪拌して、混合した材料を種結晶８が入っている白金
るつぼ６内に入れる。
【０００９】更に、ヒータ線３に通電して、ヒータ部２
の高温ヒ−タ部２Ａ及び低温ヒ−タ部２Ｂを加熱して、
前記原料を溶融して融液９を作製する。この際、ヒータ
部２の温度プロファイルを融液９の上端部９Ａが１５５
０℃、種結晶８の下端部８Ｂが１０００℃乃至１４９０
℃になるようにする。また、ヒータ部２の高温ヒ−タ部
２Ａ及び低温ヒ−タ部２Ｂに印加する電流を調整して、
この高温ヒ−タ部２Ａと低温ヒ−タ部２Ｂとの間に急峻
な温度勾配を形成して、かつ、高温ヒ−タ部２Ａと低温
ヒ−タ部２Ｂとの間の略中央部がＬＴＧの融点（１５０
０℃）となるようにする。このようにすることによっ
て、前記略中央部がＬＴＧ結晶１０と融液９との界面と
なる。ＬＴＧの成長開始時には、種結晶８の上端部８Ａ
が高温ヒ−タ部２Ａと低温ヒ−タ部２Ｂとの間の略中央
部に位置するようにし、融液９との界面の種結晶８の一
部を溶かしておく。
の高温ヒ−タ部２Ａ及び低温ヒ−タ部２Ｂを加熱して、
前記原料を溶融して融液９を作製する。この際、ヒータ
部２の温度プロファイルを融液９の上端部９Ａが１５５
０℃、種結晶８の下端部８Ｂが１０００℃乃至１４９０
℃になるようにする。また、ヒータ部２の高温ヒ−タ部
２Ａ及び低温ヒ−タ部２Ｂに印加する電流を調整して、
この高温ヒ−タ部２Ａと低温ヒ−タ部２Ｂとの間に急峻
な温度勾配を形成して、かつ、高温ヒ−タ部２Ａと低温
ヒ−タ部２Ｂとの間の略中央部がＬＴＧの融点（１５０
０℃）となるようにする。このようにすることによっ
て、前記略中央部がＬＴＧ結晶１０と融液９との界面と
なる。ＬＴＧの成長開始時には、種結晶８の上端部８Ａ
が高温ヒ−タ部２Ａと低温ヒ−タ部２Ｂとの間の略中央
部に位置するようにし、融液９との界面の種結晶８の一
部を溶かしておく。
【００１０】この場合、融液９は、１５５０℃以上にす
ると、蒸発してしまうので、化学量論組成のＬＴＧ結晶
１０を作製することができなくなるためこれ以上の温度
にすることはできない。図１（Ａ）では、下端部８Ｂの
温度は、１４００℃の場合を示している。
ると、蒸発してしまうので、化学量論組成のＬＴＧ結晶
１０を作製することができなくなるためこれ以上の温度
にすることはできない。図１（Ａ）では、下端部８Ｂの
温度は、１４００℃の場合を示している。
【００１１】次に、図１（Ｂ）に示すように、駆動装置
７を駆動させ、白金るつぼ６を収納したアルミナパイプ
５を１ｍｍ／ｈｒの速度でゆっくり下降して、種結晶８
上にＬＴＧ結晶１０を成長する。この後、アルミナパイ
プ５から白金るつぼ６を取り出し、この白金るつぼ６を
解体して、ＬＴＧ結晶１０を得る。ＬＴＧ結晶１０の形
状は、円筒状の白金るつぼ６と同じ形状となるので、円
柱状となる。
７を駆動させ、白金るつぼ６を収納したアルミナパイプ
５を１ｍｍ／ｈｒの速度でゆっくり下降して、種結晶８
上にＬＴＧ結晶１０を成長する。この後、アルミナパイ
プ５から白金るつぼ６を取り出し、この白金るつぼ６を
解体して、ＬＴＧ結晶１０を得る。ＬＴＧ結晶１０の形
状は、円筒状の白金るつぼ６と同じ形状となるので、円
柱状となる。
【００１２】良好なＬＴＧ結晶１０の結晶を得るには、
ＬＴＧ結晶１０と融液９との界面Ｐの近傍の温度勾配が
カギとなる。即ち、温度勾配が最適でない場合には、Ｌ
ＴＧ結晶１０にクラックが生じたり、インクルージョン
が混入したりして、良好なＬＴＧ結晶１０を得ることが
できない。ここで、上記した温度勾配は、高温ヒ−タ部
２Ａと低温ヒ−タ部２Ｂの熱温度差で設定されるもので
ある。そこで、温度勾配を２０℃／ｃｍ乃至１００℃／
ｃｍの範囲で変化させて、試料１乃至試料５を作製して
クラック及びインクルージョンの発生について調べた。
その結果を表１に示す。表１は、温度勾配を変化させた
場合のクラック及びインクルージョンの発生状況を示す
表である。表１中、クラックの発生がある場合を○、発
生が無い場合を×で示し、インクルージョンについても
同様に示している。
ＬＴＧ結晶１０と融液９との界面Ｐの近傍の温度勾配が
カギとなる。即ち、温度勾配が最適でない場合には、Ｌ
ＴＧ結晶１０にクラックが生じたり、インクルージョン
が混入したりして、良好なＬＴＧ結晶１０を得ることが
できない。ここで、上記した温度勾配は、高温ヒ−タ部
２Ａと低温ヒ−タ部２Ｂの熱温度差で設定されるもので
ある。そこで、温度勾配を２０℃／ｃｍ乃至１００℃／
ｃｍの範囲で変化させて、試料１乃至試料５を作製して
クラック及びインクルージョンの発生について調べた。
その結果を表１に示す。表１は、温度勾配を変化させた
場合のクラック及びインクルージョンの発生状況を示す
表である。表１中、クラックの発生がある場合を○、発
生が無い場合を×で示し、インクルージョンについても
同様に示している。
【００１３】
【表１】
【００１４】試料１は、温度勾配を２０℃／ｃｍにした
場合であるが、クラックが多数発生したが、インクルー
ジョンの発生はなかった。試料２乃至試料４は、温度勾
配をそれぞれ３０℃／ｃｍ、５０℃／ｃｍ、８０℃／ｃ
ｍにした場合であるが、クラック及びインクルージョン
の発生もなかった。試料５は、温度勾配を１００℃／ｃ
ｍにした場合であるが、クラックの発生はなかったが、
インクルージョンの発生があった。
場合であるが、クラックが多数発生したが、インクルー
ジョンの発生はなかった。試料２乃至試料４は、温度勾
配をそれぞれ３０℃／ｃｍ、５０℃／ｃｍ、８０℃／ｃ
ｍにした場合であるが、クラック及びインクルージョン
の発生もなかった。試料５は、温度勾配を１００℃／ｃ
ｍにした場合であるが、クラックの発生はなかったが、
インクルージョンの発生があった。
【００１５】以上のように、ブリッジマン法を用いて融
液９からＬＴＧ結晶１０を成長する際、ＬＴＧ結晶１０
と融液９との界面Ｐの近傍の温度勾配が３０℃／ｃｍ乃
至８０℃／ｃｍとしたので、円柱状で、且つクラックや
インクルージョンのない良好なＬＴＧ結晶１０を得るこ
とができる。このため、ＬＴＧ結晶１０から切り出され
た基板は円形となるので、汎用の製造装置を用いること
ができるので、自動化が可能となり生産性を向上させる
ことができる。なお、本発明の実施形態では、ヒータ部
２は、２ゾーンからなる構成されたが、ＬＴＧ結晶１０
と融液９との界面Ｐの近傍の温度勾配を３０℃／ｃｍ乃
至８０℃／ｃｍの範囲に制御できれば、１ゾーンでも、
２ゾーン以上から構成されたものを用いても良い。上記
したことは、Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14及びＬａ3 Ｎｂ0.5Ｇ
ａ5.5Ｏ14等のランガサイト型結晶にも同様な効果が得
られる。
液９からＬＴＧ結晶１０を成長する際、ＬＴＧ結晶１０
と融液９との界面Ｐの近傍の温度勾配が３０℃／ｃｍ乃
至８０℃／ｃｍとしたので、円柱状で、且つクラックや
インクルージョンのない良好なＬＴＧ結晶１０を得るこ
とができる。このため、ＬＴＧ結晶１０から切り出され
た基板は円形となるので、汎用の製造装置を用いること
ができるので、自動化が可能となり生産性を向上させる
ことができる。なお、本発明の実施形態では、ヒータ部
２は、２ゾーンからなる構成されたが、ＬＴＧ結晶１０
と融液９との界面Ｐの近傍の温度勾配を３０℃／ｃｍ乃
至８０℃／ｃｍの範囲に制御できれば、１ゾーンでも、
２ゾーン以上から構成されたものを用いても良い。上記
したことは、Ｌａ3Ｇａ5ＳｉＯ14及びＬａ3 Ｎｂ0.5Ｇ
ａ5.5Ｏ14等のランガサイト型結晶にも同様な効果が得
られる。
【００１６】
【発明の効果】本発明のランガサイト型結晶の作製方法
によれば、ブリッジマン法を用いて融液から結晶を成長
するランガサイト型結晶の作製方法において、前記結晶
と前記融液との界面近傍の温度勾配が３０℃／ｃｍ乃至
８０℃／ｃｍであるので、円柱状で、且つクラックやイ
ンクルージョンのない良好な結晶を得ることができる。
この結果、この結晶から切り出された基板は円形となる
ので、汎用の製造装置を用いることができるので、自動
化が可能となり生産性を向上させることができる。
によれば、ブリッジマン法を用いて融液から結晶を成長
するランガサイト型結晶の作製方法において、前記結晶
と前記融液との界面近傍の温度勾配が３０℃／ｃｍ乃至
８０℃／ｃｍであるので、円柱状で、且つクラックやイ
ンクルージョンのない良好な結晶を得ることができる。
この結果、この結晶から切り出された基板は円形となる
ので、汎用の製造装置を用いることができるので、自動
化が可能となり生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態のＬＴＧの作製方法を示す図
である。
である。
１…ブリッジマン炉、２…ヒータ部、２Ａ…高温ヒータ
部、２Ｂ…低温ヒータ部、３…ヒータ線、４…断熱材、
５…アルミナパイプ、６…白金るつぼ、７…駆動装置、
８…種結晶、９…融液、１０…ＬＴＧ（Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇ
ａ5.5Ｏ14）結晶（結晶）
部、２Ｂ…低温ヒータ部、３…ヒータ線、４…断熱材、
５…アルミナパイプ、６…白金るつぼ、７…駆動装置、
８…種結晶、９…融液、１０…ＬＴＧ（Ｌａ3Ｔａ0.5Ｇ
ａ5.5Ｏ14）結晶（結晶）
Claims (1)
- 【請求項１】ブリッジマン法を用いて融液から結晶を成
長するランガサイト型結晶の作製方法において、 前記結晶と前記融液との界面近傍の温度勾配が３０℃／
ｃｍ乃至８０℃／ｃｍであることを特徴とするランガサ
イト型結晶の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050202A JP2000247793A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | ランガサイト型結晶の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11050202A JP2000247793A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | ランガサイト型結晶の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000247793A true JP2000247793A (ja) | 2000-09-12 |
Family
ID=12852548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11050202A Pending JP2000247793A (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | ランガサイト型結晶の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000247793A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002211998A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-07-31 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
| JP2002234798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
| WO2012105582A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Composition for optical members and optical member |
| CN105624786A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-06-01 | 吉林省隆华测控股份有限公司 | 一种人工合成云母超大尺寸单晶的熔制方法 |
| CN105696067A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-06-22 | 吉林省隆华测控股份有限公司 | 一种超大单晶体生长炉 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP11050202A patent/JP2000247793A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002211998A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-07-31 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
| JP2002234798A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-23 | Mitsubishi Materials Corp | ランガサイト単結晶の作製方法およびランガサイト単結晶 |
| WO2012105582A1 (en) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Composition for optical members and optical member |
| CN105624786A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-06-01 | 吉林省隆华测控股份有限公司 | 一种人工合成云母超大尺寸单晶的熔制方法 |
| CN105696067A (zh) * | 2016-04-06 | 2016-06-22 | 吉林省隆华测控股份有限公司 | 一种超大单晶体生长炉 |
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