JP2000250072A

JP2000250072A - 液晶画像表示装置および画像表示装置用半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000250072A
Application number: JP11051582A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Kawasaki; 清弘川▲崎▼
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-02-26
Filing date: 1999-02-26
Publication date: 2000-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】広視野角の表示が可能なＩＰＳ方式の液晶パ
ネルにおいて、画像の焼き付けや残像が生じないように
する。【解決手段】図１（ｄ）に示すように、パシベーショ
ン絶縁層３７，ＡＬ層３５，耐熱金属層３４、および第
２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層３
１を選択的に除去してゲート絶縁層３０を露出し、形成
された酸化シリコン層６３を含んでソース・ドレイン電
極１２，２１を形成し、ドレイン電極２１と、信号線を
兼ねるソース電極１２とのいずれの電極上にも絶縁層
（酸化シリコン層６３，アルミナ層６５）を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】〔発明の詳細な説明〕本発明は、液晶画像表示装置およ
び画像表示装置用半導体装置の製造方法に係り、特にカ
ラー画像表示機能を有する液晶パネル、とりわけ広視野
角の表示が可能な液晶パネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の微細加工技術，液晶材料技術およ
び高密度実装技術等の進歩により、5〜50ｃｍ対角の液
晶パネルを用いて実用上支障のないテレビジョン画像あ
るいは各種の画像表示機器が商用ベースにて提供されて
いる。

【０００３】また、液晶パネルを構成する２枚のガラス
基板の一方にＲＧＢの着色層を形成しておくことによ
り、カラー表示も実現している。特にスイッチング素子
を絵素毎に内蔵させた、いわゆるアクティブ型の液晶パ
ネルではクロストークも少なくかつ高速応答で高いコン
トラスト比を有する画像が保証されている。

【０００４】これらの液晶パネルは、走査線としては20
0〜1000本、信号線としては200〜2000本程度のマトリク
ス編成が一般的であるが、最近は表示容量の増大に対応
すべく大画面化と高精細化が同時に進行している。

【０００５】図７は液晶パネルの実装状態を示す斜視図
であり、液晶パネル１を構成する一方の透明性絶縁基
板、例えばガラス基板２上に形成された走査線の電極端
子群６に駆動信号を供給する半導体集積回路チップ３
を、直接接続するＣＯＧ（Chip-On-Glass）方式、ある
いは例えばポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金メッ
キされた銅箔の端子（図示せず）を有するＴＣＰフィル
ム４を信号線の電極端子群５に導電性媒体を含む適当な
接着剤により圧接して固定するＴＣＰ（Tape-Carrier-P
ackage）方式などの実装手段によって電気信号が画像表
示部に供給される。ここでは便宜上、前記２つの実装方
式を同時に図示しているが、実際には何れかの方式が適
宜選択される。

【０００６】７および８は信号線および走査線であり、
液晶パネル１の中央部に位置する画像表示部との電極端
子群５，６との間を接続する配線路であるが、必ずしも
電極端子群５，６と同一の導電材で構成される必要はな
い。９は全ての液晶セルに共通の透明導電性の対向電極
を有する他方の透明性絶縁基板であるガラス基板であ
る。

【０００７】図８はスイッチング素子として絶縁ゲート
型トランジスタ１０を絵素ごとに配置したアクティブ型
液晶パネルの等価回路図を示し、１１は走査線（図７に
示す走査線８）、１２は信号線（図７に示す信号線
７）、１３は液晶セルであって、液晶セル１３は電気的
には容量素子として扱われる。実線で描かれた素子類は
液晶パネルを構成する一方のガラス基板２上に形成さ
れ、破線で描かれた全ての液晶セル１３に共通な対向電
極１４は他方のガラス基板９上に形成されている。

【０００８】絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯＦＦ抵
抗あるいは液晶セル１３の抵抗が低い場合、または表示
画像の階調性を重視する場合には、負荷としての液晶セ
ル１３の時定数を大きくするための補助の蓄積容量１５
を液晶セル１３に並列に加える等の回路的工夫が加味さ
れる。なお１６は蓄積容量線の共通母線である。

【０００９】図９は液晶パネルの画像表示部の要部断面
図を示し、液晶パネル１を構成する２枚のガラス基板
２，９は樹脂性のファイバあるいはビーズなどのスペー
サ材（図示せず）によって数μｍ程度の所定の距離を隔
てて形成され、その間隙（ギャップ）はガラス基板２，
９の周縁部において有機性樹脂よりなるシール材と封口
材（何れも図示せず）とによって封止された閉空間にな
っており、この閉空間に液晶１７が充填されている。

【００１０】カラー表示を実現する場合には、ガラス基
板９の閉空間側に、染料あるいは顔料の少なくともいず
れか一方を含む厚さ１〜２μｍ程度の有機薄膜（着色層
と称される）１８が被着されて色表示（ＲＧＢ）機能が
与えられるため、その場合には他方のガラス基板９は別
名カラーフィルタと呼称される。そして液晶材料の性質
によっては、他方のガラス基板９の上面あるいはガラス
基板２の下面の少なくともいずれかの面上に偏光板１９
が貼付され、液晶パネル１は電気光学素子として機能す
る。

【００１１】現在、大部分の液晶パネルでは液晶材料に
ＴＮ（ツイスト・ネマチック）系の物を用いており、偏
光板１９は通常２枚必要である。なお、光源としての裏
面光源についての記載は省略した。

【００１２】液晶１７に接して２枚のガラス基板２，９
上に形成された、例えば厚さ0.1μm程度のポリイミド系
樹脂薄膜２０は、液晶分子を決められた方向に配向させ
るための配向膜である。２１は絶縁ゲート型トランジス
タ１０のドレインと透明導電性の絵素電極２２とを接続
するドレイン電極（配線）であり、信号線（ソース線）
１２と同時に形成されることが多い。ドレイン電極２１
と信号線１２との間に設けられているのは半導体層２３
であり、詳細は後述する。カラーフィルタ（他方のガラ
ス基板）９上で隣り合った着色層１８の境界に形成され
た厚さ0.1μm程度のＣｒ薄膜層２４は、半導体層２３
と、走査線１１および信号線１２に外部光が入射するの
を防止するための光遮蔽であって、いわゆるブラックマ
トリクス（ＢＭ）として定着化しているものである。

【００１３】ここでスイッチング素子として絶縁ゲート
型トランジスタの構造と製造方法に関して説明する。絶
縁ゲート型トランジスタには２種類のものが現在多用さ
れており、そのうちの一つを従来例（エッチ・ストップ
型と呼称される）として説明する。

【００１４】図１０は従来の液晶パネルを構成するアク
ティブ基板の単位絵素の平面図、図１１は、図１０にお
けるＡ−Ａ線部分における断面図であって、（ａ）〜
（ｆ）によりその製造工程を説明する。なお、本例で
は、走査線１１に形成された突起部５０と絵素電極２２
とがゲート絶縁層を介して重なっている領域５１が、蓄
積容量１５を形成しているが、ここではその詳細は省略
する。

【００１５】まず、図１１（ａ）に示すように、耐熱性
と透明性が高い絶縁性基板として厚さ0.5〜1.1mm程度の
ガラス基板２（例えばコーニング社製の商品名１７３
７）の一主面上に、ＳＰＴ（スパッタ）等の製膜処理が
行われる真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程度の
第１の金属層として、例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏなど、あ
るいはそれらの合金を被着し、微細加工技術により走査
線を兼ねるゲート電極１１を選択的に形成する。

【００１６】大画面化に対応して走査線の抵抗を下げる
ためには走査線の材料としてＡｌ（アルミニウム）が用
いられるが、Ａｌは耐熱性が低いため前記耐熱金属であ
るＣｒ，Ｔａ，Ｍｏまたはそれらのシリサイドと積層化
したり、あるいはＡｌの表面に陽極酸化により酸化層
（Ａｌ₂Ｏ₃）を付加することも一般的な技術である。

【００１７】次に、図１１（ｂ）に示すように、ガラス
基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイデイ）装
置を用いてゲート絶縁層となる第１のＳｉＮｘ（シリコ
ン窒化）層３０と、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート
型トランジスタのチャンネルとなる第１の非晶質シリコ
ン（ａ−Ｓｉ）層３１と、第２のＳｉＮｘ層３２との３
種類の薄膜層を、例えば0.3−0.05−0.05μm程度の膜厚
で順次被着する。

【００１８】なお、ノウハウ的な技術としてゲート絶縁
層の形成に当り、他の種類の絶縁層（例えばＴａＯｘあ
るいはＳｉＯ₂等）と積層したり、あるいはＳｉＮｘ層
を２回に分けて製膜し、途中で洗浄工程を付与する等の
歩留まり改善対策が行われることも多く、ゲート絶縁層
は１種類あるいは単層とは限らない。

【００１９】そして、微細加工技術によりゲート電極１
１上の第２のＳｉＮｘ層３２をゲート電極１１よりも幅
細く選択的に残して第１の非晶質シリコン層３１を露出
し、同じくＰＣＶＤ装置を用いて全面に不純物として、
例えば燐を含む第２の非晶質シリコン層３３を例えば0.
05μm程度の膜厚で被着する。

【００２０】次に、図１１（ｃ）に示すように、ゲート
電極１１の近傍上にのみ第１の非晶質シリコン層３１と
第２の非晶質シリコン層３３とを島状に残してゲート絶
縁層３０を露出した後、ＳＰＴ等の真空製膜装置を用い
て、図１１（ｄ）に示すように、膜厚0.1〜0.2μm程度
の透明導電層として、例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxid
e）を被着し、微細加工技術により絵素電極２２を選択
的に形成する。

【００２１】次に、図示はしないが、走査線１１への電
気的接続に必要な画像表示部の周辺部における走査線１
１上のゲート絶縁層３０への選択的開口部形成を行った
後、図１１（ｅ）に示すように、ＳＰＴ等の真空製膜装
置を用いて、膜厚0.1μm程度の耐熱金属層として例えば
Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏなどの薄膜３４を、また低抵抗配線層
として膜厚0.3μm程度のＡｌ薄膜３５を順次被着し、微
細加工技術により耐熱金属層３４と低抵抗配線層３５と
の積層よりなる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電
極２１と、信号線を兼ねるソース電極１２とを選択的に
形成する。このときに用いられる感光性樹脂パターンを
マスクとして、ソース・ドレイン電極間における第２の
ＳｉＮｘ層３２上の第２の非晶質シリコン層３３を除去
して、第２のＳｉＮｘ層３２を露出するとともに、その
他の領域では第１の非晶質シリコン層３1をも除去して
ゲート絶縁層３０と絵素電極２２とを露出する。

【００２２】絶縁ゲート型トランジスタがオフセット構
造とならぬように、ソース・ドレイン電極１２，２１は
ゲート電極１１と一部平面的に重なった位置関係に配置
されて形成される。なお、画像表示部の周辺部で走査線
（ゲート電極）１１上の開口部を含んで信号線（ソース
電極）１２と同時に走査線側の端子電極群６、または走
査線１１と走査線側の端子電極群６とを接続する配線路
８を形成することも一般的に行われる。

【００２３】最後に、ガラス基板２の全面に透明性の絶
縁層として、ゲート絶縁層と同様にＰＣＶＤ装置を用い
て0.3μm程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着してパシベーシ
ョン絶縁層３７とし、図１１（ｆ）に示すように、絵素
電極２２上に開口部３８を形成して絵素電極２２の大部
分を露出すると同時に、図示はしないが周辺部の端子電
極群５，６上にも開口部を形成して端子電極群５，６の
大部分を露出してアクティブ基板２として完成する。

【００２４】信号線１２の配線抵抗が問題とならない場
合には、Ａｌよりなる低抵抗配線層３５は不要であり、
その場合にはＣｒ，Ｔａ，Ｍｏなどの耐熱金属材料を選
択すればソース・ドレイン電極１２，２１を単層化する
ことが可能である。絶縁ゲート型トランジスタの耐熱性
については特開平７−７４３６８号公報に詳細が記載さ
れている。

【００２５】絵素電極２２上のパシベーション絶縁層３
７を除去する理由は、一つには液晶セルに印加される実
効電圧の低下を防止するためと、もう一つはパシベーシ
ョン絶縁層３７の膜質が一般的に劣悪で膜内に電荷が蓄
積されて表示画像の焼き付けを生じることを回避するた
めである。これは絶縁ゲート型トランジスタにおける耐
熱性の関係上、パシベーション絶縁層３７の製膜温度が
ゲート絶縁層３０と比較して数１０℃以上低く、２５０
℃以下の低温製膜にならざるを得ないからである。

【００２６】ここで、最近、商品化が進んでいる広視野
角の表示が可能なＩＰＳ（In-Plain-Switching）方式の
液晶パネルについて説明する。図１２はＩＰＳ型の液晶
パネルにおける画像表示部の要部の断面図を示し、図９
に示した従来のものとの差異は、液晶セルが所定の距離
を隔てて形成された導電性の対向電極４０と絵素電極４
１（図９のドレイン電極２１）と液晶１７とにより構成
され、液晶１７が対向電極４０と絵素電極４１との間に
働く横方向の電界によりスイッチングされる点にある。

【００２７】したがって、図１２に示す構成において、
カラーフィルタ（一方のガラス基板）９上に透明導電性
の対向電極１４は不要であり、また同様にアクティブ基
板（他方のガラス基板）２上にも透明導電性の絵素電極
２２は不要となる。すなわち、アクティブ基板２の製造
工程を削減することも可能になる。

【００２８】図１３はＩＰＳ型の液晶パネルを構成する
アクティブ基板の単位絵素の平面図、図１４は、図１３
におけるＡ−Ａ線部分における断面図であって、図１４
（ａ）〜（ｅ）によりその製造工程を説明する。ＴＦＴ
に従来のうちの他のもの（チャンネル・エッチ型と呼称
される）を採用した場合について説明する。

【００２９】まず、前記従来例と同様に、図１４（ａ）
に示すように、ガラス基板２の一主面上に、ＳＰＴなど
の真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程度の第１の
金属層として、例えばＣｒ，Ｔａ，Ｍｏなどを被着し、
微細加工技術により走査線を兼ねるゲート電極１１と対
向電極４０とを選択的に形成する。

【００３０】次に、図１４（ｂ）に示すように、ガラス
基板２の全面にＰＣＶＤ（プラズマ・シーブイデイ）装
置を用いてゲート絶縁層となるＳｉＮｘ（シリコン窒
化）層３０と、不純物をほとんど含まず絶縁ゲート型ト
ランジスタのチャンネルとなる第１の非晶質シリコン
（ａ−Ｓｉ）層３１と、不純物を含む第２の非晶質シリ
コン層３２との３種類の薄膜層を、例えば0.3−0.2−0.
05μm程度の膜厚で順次被着する。

【００３１】次に、図１４（ｃ）に示すように、ゲート
電極１１上に第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シ
リコン層よりなる半導体層を島状３１，３３に残してゲ
ート絶縁層３０を露出する。

【００３２】次に、図示はしないが、走査線１１への電
気的接続に必要な画像表示部の周辺部での走査線１１上
のゲート絶縁層３０への選択的開口部形成を行った後、
図１４（ｄ）に示すように、ＳＰＴ等の真空製膜装置を
用いて膜厚0.1μm程度の耐熱金属層として例えばＴｉ薄
膜３４を、また低抵抗配線層として膜厚0.3μm程度のＡ
Ｌ薄膜３５を順次被着し、微細加工技術により絵素電極
４１を兼ねる絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
２１と、信号線を兼ねるソース電極１２とを選択的に形
成する。この選択的パターン形成は、ソース・ドレイン
電極１２，２１の形成に用いられる感光性樹脂パターン
５０をマスクとして、ＡＬ薄膜３５，Ｔｉ薄膜３４，第
２の非晶質シリコン層３３を順次食刻する。第１の非晶
質シリコン層３１は0.05〜0.1μm程度残してなされるの
で、チャンネル・エッチと呼称される。

【００３３】最後に、感光性樹脂パターン５０を除去し
た後、図１４（ｅ）に示すように、ガラス基板２の全面
に透明性の絶縁層として、ゲート絶縁層と同様にＰＣＶ
Ｄ装置を用いて0.3μm程度の膜厚のＳｉＮｘ層を被着し
てパシベーション絶縁層３７とし、図示はしないが周辺
部の端子電極群５，６上に開口部を形成して端子電極群
５，６の大部分を露出し、アクティブ基板として完成す
る。

【００３４】以上の説明により明らかなように、対向電
極４０は走査線１１と同時に、また絵素電極４１はソー
ス・ドレイン電極１２，２１と同時に形成されるため絵
素電極となる透明導電層は不要であり、従来のものと比
較すると製造工程の削減がなされている。

【００３５】またチャンネル・エッチ型のＴＦＴは、製
膜プロセスと食刻プロセスの均一性の観点から、エッチ
・ストップ型と比較して不純物を含まない第１の非晶質
シリコン層を厚く製膜する必要があり、ＰＣＶＤ装置の
稼動およびパーティクル発生に関して解決課題がある。

【００３６】

【発明が解決しようとする課題】アクティブ型液晶パネ
ルの大画面化と高精細化は今後とも進められる傾向にあ
り、また視野角の拡大も重要な技術的解決課題である。

【００３７】ＩＰＳ型の液晶パネルは、液晶分子の動き
が同一面内での回転であるため、視野角の対称性がよ
く、視野角が拡大可能であるが、図１２にも示した絵素
電極４１と対向電極４０そのものは表示に寄与しないた
め開口率が低下し、液晶パネルの透過率が低下するとい
う問題がある。

【００３８】透過率の低下は、裏面光源の照度増大で明
るさを維持することができるため、電源として交流電源
を使用するモニタとしての用途では、実用上さしたる支
障とは言えないが、従来の製造プロセスでは、液晶セル
の構成因子にパシベーション絶縁層３７が含まれるた
め、電荷の蓄積による残像あるいは表示画像の焼き付け
が避けらないことが判明した。配向膜２０あるいは液晶
１７の抵抗成分を増大させて焼き付けの緩和を図る手段
が講じられてはいるが、過度に抵抗値を下げると、液晶
セルの保持率が低下してフリッカが生じ易くなるなどの
副作用の発生をも考慮する必要があり、焼き付け防止は
ＩＰＳ型の液晶パネルにとって急務の開発課題であると
いえる。

【００３９】本発明は、前記のような現状に鑑みなされ
たものであり、広視野角の表示が可能なＩＰＳ方式の液
晶パネルにおいて、画像の焼き付けや残像が生じないよ
うにし、またＴＦＴ作製上の課題も同時に解決すること
を可能にする液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。

【００４０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１に記載の液晶画像表示装置は、一主面上に
絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型トランジス
タのドレインに接続された絵素電極と、絵素電極に対し
て所定の距離を隔てて形成された対向電極とを少なくも
各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクスに配列さ
れた第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透明性絶縁基
板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間
に液晶を充填してなる液晶画像表示装置において、前記
絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極とを
前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁層を
介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁ゲー
ト型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸化シ
リコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、かつ不
純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルとなる
不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成されたソー
ス・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐熱金
属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属層よ
り形成し、前記ソース・ドレイン配線上に絶縁層を形成
したことを特徴とし、この構成によって、絵素電極と対
向電極との間に働く横方向の電界中からパシベーション
絶縁層を除外することができ、かつソース・ドレイン電
極上にパシベーション絶縁層が形成されているため、表
示画像の焼き付けが抑制されるとともに、液晶パネルの
信頼性が確保される。

【００４１】請求項２に記載の液晶画像表示装置は、一
主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電
極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを
少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透明
性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィル
タとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置におい
て、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向
電極とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート
絶縁層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された
絶縁ゲート型トランジスタのチャンネル上に不純物を含
む酸化シリコン層を形成し、この酸化シリコン層に接
し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層を介してチャン
ネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成
されたソース・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可
能な耐熱金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上
の金属層により形成し、前記ソース・ドレイン配線上に
絶縁層を形成し、前記ソース・ドレイン配線の側面にそ
れぞれ陽極酸化層を形成したことを特徴とし、この構成
によって、絵素電極と対向電極との間に働く横方向の電
界中からパシベーション絶縁層を除外することができ、
かつソース・ドレイン電極上にはパシベーション絶縁層
が、またソース・ドレイン電極の側面にはそれらの酸化
層である絶縁層が形成されているため、表示画像の焼き
付けが抑制されるとともに、液晶パネルの信頼性が一段
と確保される。

【００４２】請求項３に記載の液晶画像表示装置は、一
主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電
極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを
少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された第１の透明性絶縁基板と、第１の透明性絶
縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィルタと
の間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置において、
前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸
化シリコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、か
つ不純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルと
なる不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成された
ソース・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐
熱金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属
層より形成し、前記ソース・ドレイン配線の表面上にそ
れぞれ陽極酸化層を形成したことを特徴とし、この構成
によって、従来のパシベーション絶縁層の形成工程は不
要となり、絵素電極と対向電極との間に働く横方向の電
界中からパシベーション絶縁層を除外することができ、
表示画像の焼き付けが抑制されるとともに、ソース・ド
レイン電極の全表面上にそれらの酸化層である絶縁層が
形成されているため、液晶パネルの信頼性が一段と確保
される。

【００４３】請求項４に記載の液晶画像表示装置は、一
主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電
極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを
少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透明
性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィル
タとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置におい
て、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向
電極とを第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸
化シリコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、か
つ不純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルと
なる不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成された
ソース・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐
熱金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属
層より形成し、前記ソース・ドレイン配線上に感光性ポ
リイミド樹脂層を形成したことを特徴とし、この構成に
よって、従来のパシベーション絶縁層の形成工程は不要
となり、絵素電極と対向電極との間に働く横方向の電界
中からパシベーション絶縁層を除外することができ、表
示画像の焼き付けが抑制されるとともに、ソース・ドレ
イン電極上に有機樹脂よりなる絶縁層が形成されている
ため、液晶パネルの信頼性が確保される。

【００４４】請求項５に記載の液晶画像表示装置は、一
主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電
極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを
少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透明
性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィル
タとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置におい
て、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向
電極とを第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸
化シリコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、か
つ不純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルと
なる不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成された
ソース・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐
熱金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属
層より形成し、前記ソース・ドレイン配線の表面上に感
光性ポリイミド樹脂層を形成したことを特徴とし、この
構成によって、従来のパシベーション絶縁層の形成工程
は不要となり、絵素電極と対向電極との間に働く横方向
の電界中からパシベーション絶縁層を除外することがで
きて表示画像の焼き付けが抑制されるとともに、ソース
・ドレイン電極の全表面上に有機樹脂よりなる絶縁層が
形成されているため、液晶パネルの信頼性が一段と確保
される。

【００４５】請求項６に記載の液晶画像表示装置は、一
主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電
極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを
少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透明
性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィル
タとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置におい
て、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向
電極とを第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタル層
と不純物を含む酸化シリコン層を形成し、前記酸化タン
タル層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層を介
してチャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン
層上に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタル層
またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニウ
ムを主成分とする金属層との積層より形成し、前記ソー
ス・ドレイン配線上に絶縁層を形成したことを特徴と
し、この構成によって、絵素電極と対向電極との間に働
く横方向の電界中からパシベーション絶縁層を除外する
ことができて表示画像の焼き付けが抑制されるととも
に、ソース・ドレイン電極上にパシベーション絶縁層が
形成されているため、液晶パネルの信頼性が確保され
る。またチャンネル上の絶縁層が厚いため、外部からの
汚染や損傷に対して耐性がある。

【００４６】請求項７に記載の液晶画像表示装置は、一
主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電
極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを
少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透明
性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィル
タとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置におい
て、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向
電極とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート
絶縁層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された
絶縁ゲート型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタ
ル層と不純物を含む酸化シリコン層を形成し、この酸化
タンタル層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層
を介してチャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリ
コン層上に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタ
ル層またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミ
ニウムを主成分とする金属層との積層より形成し、前記
ソース・ドレイン配線上に絶縁層を形成し、かつ前記ソ
ース・ドレイン配線の側面にそれぞれ陽極酸化層を形成
したことを特徴とし、この構成によって、絵素電極と対
向電極との間に働く横方向の電界中からパシベーション
絶縁層を除外することができて表示画像の焼き付けが抑
制されるとともに、ソース・ドレイン電極上にはパシベ
ーション絶縁層が、そしてソース・ドレイン電極の側面
にはそれらの酸化層である絶縁層が形成されているた
め、液晶パネルの信頼性が一段と確保される。またチャ
ンネル上の絶縁層が厚いため、外部からの汚染や損傷に
対して耐性がある。

【００４７】請求項８に記載の液晶画像表示装置は、一
主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電
極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを
少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透明
性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィル
タとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置におい
て、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向
電極とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート
絶縁層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された
絶縁ゲート型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタ
ル層と不純物を含む酸化シリコン層を形成し、この酸化
タンタル層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層
を介してチャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリ
コン層上に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタ
ル層またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミ
ニウムを主成分とする金属層との積層より形成し、前記
ソース・ドレイン配線の表面にそれぞれ陽極酸化層を形
成したことを特徴とし、この構成によって、従来のパシ
ベーション絶縁層の形成工程は不要となり、絵素電極と
対向電極との間に働く横方向の電界中からパシベーショ
ン絶縁層を除外することができ、表示画像の焼き付けが
抑制されるとともに、ソース・ドレイン電極の全表面上
にそれらの酸化層である絶縁層が形成されているため、
液晶パネルの信頼性が一段と確保される。またチャンネ
ル上の絶縁層が厚いため、外部からの汚染や損傷に対し
て耐性がある。

【００４８】請求項９に記載の液晶画像表示装置は、一
主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素電
極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極とを
少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリクス
に配列された第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透明
性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィル
タとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置におい
て、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向
電極とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート
絶縁層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された
絶縁ゲート型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタ
ル層と不純物を含む酸化シリコン層を形成し、この酸化
タンタル層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層
を介してチャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリ
コン層上に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタ
ル層またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミ
ニウムを主成分とする金属層との積層より形成し、前記
ソース・ドレイン配線上に感光性ポリイミド樹脂層を形
成したことを特徴とし、この構成によって、従来のパシ
ベーション絶縁層の形成工程は不要となり、絵素電極と
対向電極との間に働く横方向の電界中からパシベーショ
ン絶縁層を除外することができ、表示画像の焼き付けが
抑制されるとともに、ソース・ドレイン電極上に有機樹
脂よりなる絶縁層が形成されているため、液晶パネルの
信頼性が確保される。またチャンネル上の絶縁層が厚い
ため、外部からの汚染や損傷に対して耐性がある。

【００４９】請求項１０に記載の液晶画像表示装置は、
一主面上に絶縁ゲート型トランジスタと、絶縁ゲート型
トランジスタのドレインに接続された絵素電極と、絵素
電極に対して所定の距離を隔てて形成された対向電極と
を少なくも各々１個備えた単位絵素が二次元のマトリク
スに配列された第１の透明性絶縁基板を有し、第１の透
明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板またはカラーフィ
ルタとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置にお
いて、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対
向電極とを第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶
縁層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶
縁ゲート型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタル
層と不純物を含む酸化シリコン層を形成し、この酸化タ
ンタル層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層を
介してチャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリコ
ン層上に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタル
層またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニ
ウムを主成分とする金属層との積層より形成し、前記ソ
ース・ドレイン配線の表面上に感光性ポリイミド樹脂層
を形成したことを特徴とし、この構成によって、従来の
パシベーション絶縁層の形成工程は不要となり、絵素電
極と対向電極との間に働く横方向の電界中からパシベー
ション絶縁層を除外することができて表示画像の焼き付
けが抑制されるとともに、ソース・ドレイン電極の全表
面上に有機樹脂よりなる絶縁層が形成されているため、
液晶パネルの信頼性が一段と確保される。またチャンネ
ル上の絶縁層が厚いため、外部からの汚染や損傷に対し
て耐性がある。

【００５０】請求項１１に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項１に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、絶縁性基板の一主面上に１層
以上の第１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタ
のゲートを兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形
成する工程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含ま
ない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶
質シリコン層とを順次被着した後、陽極酸化可能な耐熱
金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の第２の
金属層と絶縁層とを順次被着する工程と、前記ゲート上
の絶縁層と第２の金属層とを選択的に除去して第２の非
晶質シリコン層を露出した後、陽極酸化により前記第２
の非晶質シリコン層を酸化シリコン層に変換する工程
と、絶縁層と第２の金属層と第２の非晶質シリコン層お
よび第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去してゲー
ト絶縁層を露出し、その上に絶縁層を有するソース・ド
レイン配線を形成する工程とからなることを特徴とし、
この方法によって、チャンネル上に不純物を含む酸化シ
リコン層が形成されるため、従来のパシベーション絶縁
層を併用して、信頼性が高くかつ焼き付けの無いＩＰＳ
型の液晶パネル得られる。

【００５１】請求項１２に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項２に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、絶縁性基板の一主面上に１層
以上の第１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタ
のゲートを兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形
成する工程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含ま
ない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶
質シリコン層とを順次被着した後、陽極酸化可能な耐熱
金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の第２の
金属層と絶縁層とを順次被着する工程と、前記ゲート上
の絶縁層と第２の金属層とを選択的に除去して第２の非
晶質シリコン層を露出した後、陽極酸化により前記第２
の非晶質シリコン層を酸化シリコン層に変換する工程
と、絶縁層と第２の金属層と第２の非晶質シリコン層お
よび第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去してゲー
ト絶縁層を露出し、その上に絶縁層を有するソース・ド
レイン配線を形成する工程と、陽極酸化によりソース・
ドレイン配線の側面および第１と第２の非晶質シリコン
層の側面とにそれぞれ酸化層を形成する工程からなるこ
とを特徴とし、この方法によって、請求項１１の作用に
加えて、ソース・ドレイン配線の側面にも絶縁性の酸化
層が形成されているので信頼性が一段と向上する。

【００５２】請求項１３に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項３に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、絶縁性基板の一主面上に１層
以上の第１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタ
のゲートを兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形
成する工程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含ま
ない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶
質シリコン層とを順次被着した後、陽極酸化可能な耐熱
金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の第２の
金属層を被着する工程と、前記ゲート上の第２の金属層
を選択的に除去して第２の非晶質シリコン層を露出した
後、陽極酸化により前記第２の非晶質シリコン層を酸化
シリコン層に変換する工程と、第２の金属層と第２の非
晶質シリコン層および第１の非晶質シリコン層とを選択
的に除去してゲート絶縁層を露出し、ソース・ドレイン
配線を形成する工程と、陽極酸化によりソース・ドレイ
ン配線の表面および第１の非晶質シリコン層と第２の非
晶質シリコン層の側面とにそれぞれ酸化層を形成する工
程からなることを特徴とし、この方法によって、請求項
１１の作用に加えて、従来のパシベーション絶縁層を用
いることなく、ソース・ドレイン配線の表面に絶縁性の
酸化層が形成されているので信頼性が一段と向上する。

【００５３】請求項１４に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項４に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、絶縁性基板の一主面上に１層
以上の第１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタ
のゲートを兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形
成する工程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含ま
ない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶
質シリコン層とを順次被着した後、陽極酸化可能な耐熱
金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の第２の
金属層を被着する工程と、前記ゲート上の第２の金属層
を選択的に除去して第２の非晶質シリコン層を露出した
後、陽極酸化により前記第２の非晶質シリコン層を酸化
シリコン層に変換する工程と、感光性ポリイミド樹脂層
を用いて第２の金属層と第２の非晶質シリコン層および
第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去してソース・
ドレイン配線を形成する工程と、前記パターニングされ
た感光性ポリイミド樹脂層をそのまま残す工程とからな
ることを特徴とし、この方法によって、請求項１１の作
用に加えて、従来のパシベーション絶縁層を用いること
なく、ソース・ドレイン配線上に有機樹脂よりなる絶縁
層が形成されているので信頼性が向上する。

【００５４】請求項１５に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項５に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、前記パターニングされた感光
性ポリイミド樹脂層を加熱した後、そのまま残すことを
特徴とし、この方法によって、請求項１１の作用に加え
て、従来のパシベーション絶縁層を用いることなく、ソ
ース・ドレイン配線の表面に有機樹脂よりなる絶縁層が
形成されているので信頼性が向上する。

【００５５】請求項１６に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項６に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、絶縁性基板の一主面上に１
層以上の第１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジス
タのゲートを兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着
形成する工程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含
まない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非
晶質シリコン層とを順次被着した後、陽極酸化可能なタ
ンタル層またはそのシリサイド層、あるいはそれらとア
ルミニウムを主成分とする第２の金属層との積層と絶縁
層とを順次被着する工程と、前記ゲート上の絶縁層と第
２の金属層とを選択的に除去してタンタル層を露出した
後、陽極酸化により前記タンタル層と第２の非晶質シリ
コン層とをそれぞれ酸化タンタル層と酸化シリコン層と
に変換する工程と、前記絶縁層と積層と第２の非晶質シ
リコン層および第１の非晶質シリコン層とを選択的に除
去してゲート絶縁層を露出し、その上に絶縁層を有する
ソース・ドレイン配線を形成する工程とからなることを
特徴とし、この方法によって、チャンネル上に酸化タン
タル層と不純物を含む酸化シリコン層とが形成されるの
で、従来のパシベーション絶縁層を併用して、信頼性が
高くかつ焼き付けの無いＩＰＳ型の液晶パネル得られ
る。またチャンネル上の絶縁層が厚いので外部からの汚
染や損傷に対して耐性がある。

【００５６】請求項１７に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項７に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、絶縁性基板の一主面上に１層
以上の第１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタ
のゲートを兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形
成する工程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含ま
ない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶
質シリコン層とを順次被着した後、陽極酸化可能なタン
タル層またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアル
ミニウムを主成分とする第２の金属層との積層と絶縁層
とを順次被着する工程と、前記ゲート上の絶縁層と第２
の金属層を選択的に除去してタンタル層を露出した後、
陽極酸化により前記タンタル層と第２の非晶質シリコン
層とをそれぞれ酸化タンタル層と酸化シリコン層とに変
換する工程と、前記絶縁層と積層と第２の非晶質シリコ
ン層および第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去し
てゲート絶縁層を露出し、その上に絶縁層を有するソー
ス・ドレイン配線を形成する工程と、陽極酸化によりソ
ース・ドレイン配線の側面および第１の非晶質シリコン
層と第２の非晶質シリコン層の側面とにそれらの酸化層
を形成する工程からなることを特徴とし、この方法に
よって、請求項１６の作用に加えて、従来のパシベーシ
ョン絶縁層を併用して、ソース・ドレイン配線の側面に
絶縁性の酸化層が形成されているので信頼性が一段と向
上する。

【００５７】請求項１８に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項８に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、絶縁性基板の一主面上に１層
以上の第１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタ
のゲートを兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形
成する工程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含ま
ない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶
質シリコン層とを順次被着した後、タンタル層またはそ
のシリサイド層、もしくはそれらとアルミニウムを主成
分とする第２の金属層との積層を被着する工程と、前記
ゲート上の第２の金属層を選択的に除去してタンタル層
を露出した後、陽極酸化により前記タンタル層と第２の
非晶質シリコン層とをそれぞれ酸化タンタル層と酸化シ
リコン層とに変換する工程と、前記積層と第２の非晶質
シリコン層および第１の非晶質シリコン層とを選択的に
除去してゲート絶縁層を露出し、ソース・ドレイン配線
を形成する工程と、陽極酸化によりソース・ドレイン配
線の表面および第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質
シリコン層の側面とにそれぞれ酸化層を形成する工程か
らなることを特徴とし、この方法によって、請求項１６
の作用に加えて、従来のパシベーション絶縁層を用いる
ことなく、ソース・ドレイン配線の表面に絶縁性の酸化
層が形成されているので信頼性が一段と向上する。

【００５８】請求項１９に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項９に記載の液晶画像表示装置
に係る製造方法であって、絶縁性基板の一主面上に１層
以上の第１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタ
のゲートを兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形
成する工程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含ま
ない第１の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶
質シリコン層とを順次被着した後、タンタル層またはそ
のシリサイド層、もしくはそれらとアルミニウムを主成
分とする第２の金属層との積層を被着する工程と、前記
ゲート上の第２の金属層を選択的に除去してタンタル層
を露出した後、陽極酸化により前記タンタル層と第２の
非晶質シリコン層とをそれぞれ酸化タンタル層と酸化シ
リコン層とに変換する工程と、感光性ポリイミド樹脂層
を用いて前記積層と第２の非晶質シリコン層および第１
の非晶質シリコン層とを選択的に除去してソース・ドレ
イン配線を形成する工程と、前記パターニングされた感
光性ポリイミド樹脂層をそのまま残す工程とからなるこ
とを特徴とし、この方法によって、請求項１６の作用に
加えて、従来のパシベーション絶縁層を用いることな
く、ソース・ドレイン配線上に有機樹脂よりなる絶縁層
が形成されているので信頼性が向上する。

【００５９】請求項２０に記載の画像表示装置用半導体
装置の製造方法は、請求項１０に記載の液晶画像表示装
置に係る製造方法であって、前記パターニングされた感
光性ポリイミド樹脂層を加熱した後、そのまま残すこと
を特徴とし、この構成によって、請求項１６の作用に加
えて、従来のパシベーション絶縁層を用いることなく、
ソース・ドレイン配線の表面に有機樹脂よりなる絶縁層
が形成されているので信頼性が一段と向上する。

【００６０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１〜図６
に基づいて説明する。なお、図７〜図１４にて説明した
部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は
省略する。

【００６１】図１〜図６は発明の第１実施形態ないし第
１０実施形態に係る画像表示装置用半導体装置における
単位絵素の製造工程を説明するための断面図である。な
お、本実施形態に係る画像表示装置用半導体装置の単位
絵素の平面配置構成は従来例である図１３と同一である
のでその説明などは省略する。

【００６２】図１（ａ）〜（ｄ）に基づいて第１実施形
態について説明する。第１実施形態では、既述した従来
例と同様に、まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基
板２の一主面上に、ＳＰＴ（スパッタ）処理などの製膜
処理を行う真空製膜装置を用いて膜厚0.1〜0.3μm程度
の１層以上の第１の金属層として、例えばＣｒ，Ｔａ，
Ｍｏなどを被着し、微細加工技術により走査線を兼ねる
ゲート電極１１と対向電極４０とを選択的に形成する。

【００６３】次に、ガラス基板２の全面にＰＣＶＤ（プ
ラズマ・シーブイデイ）装置を用いてゲート絶縁層とな
るＳｉＮｘ（シリコン窒化）層３０と、不純物をほとん
ど含まず絶縁ゲート型トランジスタのチャンネルとなる
第１の非晶質シリコン層３１と、不純物を含む第２の非
晶質シリコン層３３との３種類の薄膜層を、例えば0.3
−0.06−0.05μm程度の膜厚で順次被着する。

【００６４】そして、図１（ｂ）に示すように、耐熱金
属層として陽極酸化可能なＴａ，Ｔｉあるいはそれらの
シリサイド薄膜よりなる金属層３４と、また低抵抗配線
層としてＡｌ層３５を、それぞれ0.05〜0.1μm、0.1〜
0.5μm程度の膜厚で被着し、さらにその上に従来と同様
にＰＣＶＤ装置を用いて、0.3μm程度の膜厚のＳｉＮｘ
層よりなるパシベーション絶縁層３７を被着する。

【００６５】次に、図１（ｃ）に示すように、感光性樹
脂パターン６０を用いてゲート電極１１上に、ゲート電
極１１よりも幅細の開口部６１を形成し、パシベーショ
ン絶縁層３７とＡｌ層３５と耐熱金属層３４とを選択的
に除去して、第２の非晶質シリコン層３３を部分的に露
出する。そして、感光性樹脂パターン６０（あるいはパ
シベーション絶縁層３７）をマスクとして、第２の非晶
質シリコン層３３を部分的に陽極酸化して不純物を含む
酸化シリコン層６３に変換する。

【００６６】第２の非晶質シリコン層３３は完全に絶縁
化する必要があり、そのためには第２の非晶質シリコン
層３３と接する第１の非晶質シリコン層３１の一部（厚
み0.01μm程度）まで陽極酸化することが大切であっ
て、これに対応した化成電圧が望ましい。

【００６７】また第１の非晶質シリコン層３１は非常に
抵抗が高いため、陽極酸化時に光を照射して抵抗値を下
げる等の工夫も必要である。このとき、露出しているＡ
ｌ層３５の側面には酸化層であるアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）
層６５が形成される。陽極酸化については図示はしない
が、アクティブ基板（ガラス基板）２を例えばエチレン
・グリコールを主成分とする化成液中に浸漬し、アクテ
ィブ基板２の外周部の適当な領域でパシベーション絶縁
層３７が被着されておらず、かつＡｌ層３５が部分的に
露出している領域において、クリップ等の接続器具を用
いてプラス電位を与えて陽極酸化を行う。

【００６８】さらに、図１（ｄ）に示すように、パシベ
ーション絶縁層３７，Ａｌ層３５，耐熱金属層３４、お
よび第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコ
ン層３１を選択的に除去してゲート絶縁層３０を露出
し、形成された酸化シリコン層６３を含んでソース・ド
レイン電極１２，２１、および絵素電極４１を形成する
ことにより、第１実施形態の画像表示装置用半導体装置
が完成する。

【００６９】なお、信号線１２の抵抗値が問題とならな
い場合には、ソース・ドレイン電極１２，２１を陽極酸
化可能な金属層であるＴｉまたはＴａ単層とすることも
可能である。

【００７０】第１実施形態においては、図１（ｄ）から
も分かるように、絶縁ゲート型トランジスタのドレイン
電極２１と、信号線を兼ねるソース電極１２と、絵素電
極４１は、何れの電極上にも絶縁層３７は存在するが外
側面が露出しており、配線のパシベーションとしては完
全ではない。

【００７１】そこで、本発明の第２実施形態において
は、側面に絶縁層を形成する技術を付加して信頼性を一
層高めている。すなわち、図示はしないが、アクティブ
基板（ガラス基板）２を化成液中に浸漬し、アクティブ
基板２の外周部の適当な領域でソース電極１２のパター
ン１２を並列または直列に接続した導電性パターンに、
クリップなどの接続器具を用いてプラス電位を与えて陽
極酸化を行うと、図１（ｅ）に示したようにパシベーシ
ョン絶縁層３７に覆われていない導電性物質は全て酸化
されて酸化層３８が形成される。

【００７２】すなわち、チャンネルを構成する不純物を
含まない第１の非晶質シリコン層３１の側面には酸化シ
リコン層６２が、またソース・ドレインである不純物を
含む第２の非晶質シリコン層３３の側面には不純物の燐
を含む酸化シリコン層６３が、そしてＴｉ（またはＴ
ａ）とＡｌの積層よりなるソース・ドレイン電極１２，
２１の側面には、それぞれＴｉＯ₂（またはＴａ₂Ｏ₅）
層６４とＡｌ₂Ｏ₃層６５が形成される。各種の酸化層の
膜厚は、化成電圧が１００Ｖの場合に0.1〜0.2μmであ
り、絶縁層３８としては十分な膜厚を付与することがで
きる。

【００７３】ソース・ドレイン電極１２，２１の側面の
陽極酸化に際し、不純物の燐を含む酸化シリコン層６３
を形成する場合よりも化成電圧が低ければ、酸化シリコ
ン層６３の膜厚が増大することはない。第２実施形態に
おいても信号線の抵抗値が問題とならない場合には、ソ
ース・ドレイン配線１２，２１を陽極酸化可能な金属層
であるＴｉまたはＴａ単層とすることは可能である。

【００７４】なお、第２回目の陽極酸化工程において
は、不純物を含まず非常に抵抗値の高い第１の非晶質シ
リコン層３１を経由してドレイン側は陽極酸化されるた
め、ドレイン電極２１側の酸化層の膜厚はソース側に比
較すると薄くなることは避けられないが、この際、アク
ティブ基板２に強い光を照射して不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層３１の電気伝導度をなるべく上げ、
かつ可能な限り化成時間を長くすると好ましい結果が得
られる。

【００７５】第１実施形態と第２実施形態では、ソース
・ドレイン電極１２，２１上には従来と同様にパシベー
ション絶縁層がＰＣＶＤにより被着されている。そこ
で、プロセスの合理化、あるいは生産設備の費用削減の
ために、新たなパシベーション作製法を適用した実施形
態について説明する。なお、それらの技術については、
特公平８−６９６４号公報および特公平８−１６７５８
号公報にその一部が開示されている。

【００７６】第３実施形態について説明すると、図２
（ａ），（ｂ）に示すように、全面に燐を含む第２の非
晶質シリコン層３３を、例えば0.05μm程度の膜厚で被
着し、さらに耐熱金属層として陽極酸化可能なＴａ，Ｔ
ｉあるいはそれらのシリサイド薄膜よりなる金属層３４
と、低抵抗配線層としてＡＬ層３５とを、それぞれ0.1
μm，0.3μm程度の膜厚で被着するまでは、前記第１実
施形態と第２実施形態と同一の製造工程を経て、図２
（ｃ）に示すように、感光性樹脂パターン６０を用いて
ゲート電極１１上に、ゲート電極１１よりも幅細の開口
部６１を形成し、耐熱金属層３４とＡｌ層３５を選択的
に除去して、第２の非晶質シリコン層３３を部分的に露
出する。そして、感光性樹脂パターン６０（あるいはパ
シベーション絶縁層３７）をマスクとして、第２の非晶
質シリコン層３３を部分的に陽極酸化し、不純物を含む
酸化シリコン層６３に変換する。

【００７７】感光性樹脂パターン６０の除去後、図２
（ｄ）に示すように、Ａｌ層３５，耐熱金属層３４、お
よび第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコ
ン層３１を選択的に除去してゲート絶縁層３０を露出
し、形成された酸化シリコン層６３を含んでソース・ド
レイン電極１２，２１、および絵素電極４１を形成す
る。

【００７８】次に、図２（ｅ）に示すように、再び陽極
酸化によってＡｌ薄膜３５の表面の全域にわたって絶縁
層であるＡｌ₂Ｏ₃層６５を形成することにより第３実施
形態の画像表示装置用半導体装置が完成する。

【００７９】第３実施形態では、ソース・ドレイン電極
１２，２１の側面において、第１実施形態と第２実施形
態の構成と同様に、Ｔｉ（またはＴａ）層３４の側面に
はＴｉＯ₂（またはＴａ₂Ｏ₅）層６４が、また不純物を
含む第２の非晶質シリコン層３３の側面には不純物の燐
を含む酸化シリコン層６３が、そして不純物を含まない
第１の非晶質シリコン層３１の側面には酸化シリコン層
６２がそれぞれ形成されている。

【００８０】なお、第３実施形態においても、信号線の
抵抗値が問題とならない場合には、ソース・ドレイン電
極１２，２１を陽極酸化可能な金属層であるＴｉまたは
Ｔａ単層とすることは可能である第４実施形態では、図
３（ａ）〜（ｃ）に示すように、酸化シリコン層６３を
選択的に形成するまでは第３実施形態と同一の製造工程
を経てから、図３（ｄ）に示すように、写真食刻技術に
より酸化シリコン層６３を含んだソース・ドレイン電極
１２，２１のパターンに対応した感光性のポリイミド系
樹脂パターン７０をＡｌ層３５上に形成し、ポリイミド
系樹脂パターン７０をマスクとしてＡＬ層３５，耐熱金
属層３４，第２の非晶質シリコン層３３、および第１の
非晶質シリコン層３１を選択的に除去してゲート絶縁層
３０を露出し、アクティブ基板として完成させてそのま
まパネル組立工程に送付するものである。

【００８１】なお、第４実施形態においても、信号線の
抵抗値が問題とならない場合にはソース・ドレイン電極
１２，２１を陽極酸化可能な金属層であるＴｉまたはＴ
ａ単層とすることは可能であるさらに、第４実施形態に
おいても、第１実施形態と同様に、ソース・ドレイン電
極１２，２１の側面は露出しており、より完全なパシベ
ーションを付与するためには第２実施形態と第３実施形
態と同様に、適当な技術によりソース・ドレイン電極１
２，２１の側面に絶縁層を形成する必要がある。そのよ
うにしたのが第５実施形態である。

【００８２】具体的には図３（ｄ）に示すソース・ドレ
イン電極１２，２１の選択的形成の終了後に、エッチン
グマスクとして用いた感光性のポリイミド系樹脂パター
ン７０をポストベーク以上の高温、例えば200〜300℃で
数分間の加熱により流動化して、図３（ｅ）に示すよう
に、ソース・ドレイン電極１２，２１、および絵素電極
４１の側面を感光性のポリイミド系樹脂でコーティング
７１することによって達成される。加熱によって流動化
するのはネガ型感光性樹脂に固有の特徴である。

【００８３】なお、図３（ｅ）に示す構成では、ソース
・ドレイン電極１２，２１を耐熱バリア金属層３４と、
低抵抗であるＡＬ層３５との積層により構成している
が、信号線の抵抗値が問題とならない場合には、ソース
・ドレイン電極１２，２１を、耐熱バリア金属層である
ＴｉまたはＴａ、あるいはそれらのシリサイド薄膜の単
層とすることにも何ら支障はない。

【００８４】絶縁ゲート型トランジスタのチャンネル上
の不純物を含む酸化シリコン層６３はチャンネルを保護
する機能を担い、絶縁ゲート型トランジスタの電気的な
特性を大きく左右する構成因子であって、その膜質と膜
厚は重要な影響を及ぼす。第１実施形態ないし第５実施
形態までの各実施形態において、不純物を含む酸化シリ
コン層６３の膜厚を厚くしようとすると、原組成である
不純物を含まない第１の非晶質シリコン層を厚く製膜す
る必要があり、当初の目標であるＰＣＶＤの生産性向上
の目的が達成されない。そこで、以下の実施形態におい
ては、耐熱バリア金属層にその機能を分担させるように
している。

【００８５】第６実施形態では、図４（ａ）〜（b）に
示すように、アクテイブ基板２の一主面上に耐熱金属層
として陽極酸化可能が可能であり、かつその酸化層が絶
縁性に優れるＴａ（タンタル）またはそのシリサイド薄
膜よりなる金属層３４と、低抵抗配線層としてＡｌ層３
５とを、それぞれ0.1μm，0.3μm程度の膜厚で被着し、
さらにその上にＰＣＶＤ装置を用いて、0.3μm程度の膜
厚のＳｉＮｘ層よりなるパシベーション絶縁層３７を被
着するまでは、第１実施形態と同様の工程を経る。

【００８６】さらに、図４（ｃ）に示すように、感光性
樹脂パターン６０を用いてゲート電極１１上に、ゲート
電極１１よりも幅細の開口部６１を形成し、パシベーシ
ョン絶縁層３７とＡｌ層３５とを選択的に除去して、Ｔ
ａ層３４を部分的に露出する。そして、感光性樹脂パタ
ーン６０をマスクとして、あるいはパシベーション絶縁
層３７をマスクとして、Ｔａ層３４と第２の非晶質シリ
コン層３３とを部分的に陽極酸化し、酸化タンタル層６
４と不純物を含む酸化シリコン層６３とに変換する。こ
の場合、第１実施形態ないし第５実施形態と比較する
と、酸化タンタル層６４を形成するのに必要な分、陽極
酸化の化成電圧は高く設定する必要がある。

【００８７】その後、図４（ｄ）に示すように、パシベ
ーション絶縁層３７，Ａｌ層３５，Ｔａ層３４、および
第２の非晶質シリコン層３３と第１の非晶質シリコン層
３１を選択的に除去して、ゲート絶縁層３０を露出し、
形成された酸化タンタル層６４を含んでソース・ドレイ
ン電極１２，２１、および絵素電極４１を形成すること
により、第６実施形態の画像表示装置用半導体装置が完
成する。

【００８８】第６実施形態においても、図４（ｄ）から
も分かるように、絶縁ゲート型トランジスタのドレイン
電極２１と、信号線を兼ねるソース電極１２と、絵素電
極４１の何れの電極上にも絶縁層６３〜６５は存在する
が、外側面は露出しており、配線のパシベーションとし
ては完全ではない。そこで第７実施形態においては、側
面に絶縁層６６を形成する技術を付加して信頼性を一層
高めるようにしている。

【００８９】第７実施形態では、図示はしないが、アク
ティブ基板（ガラス基板）２を化成液中に浸漬し、アク
ティブ基板２の外周部の適当な領域でソース電極１２の
パターンを、並列または直列に接続した導電性パターン
にクリップなどの接続器具を用いてプラス電位を与えて
陽極酸化を行うと、図４（ｅ）に示したようにパシベー
ション絶縁層３７に覆われていない導電性物質は、全て
酸化されて酸化層が形成される。すなわち、第１の非晶
質シリコン層３１の側面には酸化シリコン層６２が、ま
た第２の非晶質シリコン層３３の側面には不純物の燐を
含む酸化シリコン層６３が、そしてＴａとＡｌの積層よ
りなるソース・ドレイン電極１２，２１の側面には、そ
れぞれ酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）層６４とＡｌ₂Ｏ₃層６
５が形成される。各種の酸化層の膜厚は化成電圧が１０
０Ｖの場合に0.1〜0.2μmであり、絶縁層６６としては
十分な膜厚を付与することができる。

【００９０】第８実施形態では、図５（ａ），（ｂ）に
示すように、全面に耐熱金属層として、陽極酸化可能な
Ｔａまたはそのシリサイド薄膜よりなる金属層３４と、
低抵抗配線層としてＡｌ層３５を、それぞれ0.1μm，0.
3μm程度の膜厚で被着するまでは、第３実施形態ないし
第５実施実施形態と同一の製造工程を経て、図５（ｃ）
に示すように、感光性樹脂パターン６０を用いてゲート
電極１１上に、ゲート電極１１よりも幅細の開口部６１
を形成し、Ａｌ層３５を選択的に除去してＴａ層３４を
部分的に露出する。そして、感光性樹脂パターン６０
（あるいはパシベーション絶縁層３７）をマスクとして
Ｔａ層３４と第２の非晶質シリコン層３３とを部分的に
陽極酸化して、酸化タンタル層６４と不純物を含む酸化
シリコン層６３とに変換する。

【００９１】次に、図５（ｄ）に示すように、Ａｌ層３
５，Ｔａ層３４、および第２の非晶質シリコン層３３と
第１の非晶質シリコン層３１を選択的に除去してゲート
絶縁層３０を露出し、形成された酸化タンタル層６４を
含んでソース・ドレイン電極１２，２１、および絵素電
極４１を形成する。

【００９２】最後に、図５（ｅ）に示したように、再び
陽極酸化によってＡｌ層３５の表面の全域にわたって絶
縁層であるＡｌ₂Ｏ₃層６５を形成することにより、第８
実施形態の画像表示装置用半導体装置が完成する。

【００９３】第９実施形態では、図６（ａ）〜（ｃ）に
示すように、酸化タンタル層６４を選択的に形成するま
では第８実施形態と同一の製造工程を経て、図６（ｄ）
に示すように、写真食刻技術により酸化タンタル層６４
を含んだソース・ドレイン電極１２，２１に対応した感
光性のポリイミド系樹脂パターン７０をＡＬ層３５上に
形成し、同樹脂パターン７０をマスクとしてＡｌ層３
５，Ｔａ層３４，第２の非晶質シリコン層３３および第
１の非晶質シリコン層３１を選択的に除去してゲート絶
縁層３０を露出し、アクティブ基板２として完成させた
後、そのままパネル組立工程に送付するものである。

【００９４】第９実施形態の構成においても、第６実施
形態と同様に、ソース・ドレイン電極１２，２１の側面
は露出しており、より完全なパシベーションを付与する
ためには第７実施形態と第８実施形態と同様に適当な技
術により、ソース・ドレイン電極１２，２１の側面に絶
縁層を形成する必要がある。そのようにしたのが第１０
実施形態である。

【００９５】具体的には、図６（ｄ）に示すソース・ド
レイン電極１２，２１の選択的形成の終了後に、エッチ
ングマスクとして用いた感光性のポリイミド系樹脂パタ
ーン７０をポストベーク以上の高温により加熱・流動化
して、図６（ｅ）に示すようにソース・ドレイン電極１
２，２１の側面を感光性のポリイミド系樹脂でコーティ
ング７１するという極めて簡易的な手段によって達成さ
れる。

【００９６】なお、前記第６実施形態ないし第１０実施
形態において、ソース・ドレイン電極１２，２１を、Ｔ
ａ層３４と、低抵抗であるＡＬ層３５との積層により構
成して説明したが、信号線の抵抗値が問題とならない場
合には、ソース・ドレイン電極１２，２１をタンタル層
またはそのシリサイド薄膜の単層とすることに何ら支障
はない。

【００９７】なお、本発明の要件は焼き付けのないＩＰ
Ｓ方式の液晶パネルを提供することにある。したがっ
て、ＰＣＶＤ装置による３層製膜が、第１の絶縁層と，
不純物を含まない非晶質シリコン層と、および不純物を
含む第２の非晶質シリコン層との順次製膜であること
と、場合によっては信号線が陽極酸化可能な材質である
ことの制約を除けば、走査線，信号線およびゲート絶縁
層などの材質あるいは膜厚などが異なった画像表示装置
用半導体装置も本発明の範疇に属する。

【００９８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶画像
表示装置および画像表示装置用半導体装置の製造方法に
よれば、ＩＰＳ方式のアクティブ型液晶パネルにおい
て、液晶セルを構成する構成因子から従来の劣悪な膜質
のパシベーション絶縁層が除外されるため、液晶セル内
に不要な電荷の蓄積が発生せず、したがって焼き付けの
ない画像表示が可能となるという効果が得られる。

【００９９】また、ＰＣＶＤ装置を用いないパシベーシ
ョン形成方法を用いた場合には、生産設備の投資額を削
減でき、またパーティクルの発生を伴なわないため歩留
まりの向上が期待できるなどの副次的な効果も得られ
る。

【０１００】さらに、チャンネル・エッチ型のＴＦＴ作
製に際し、不純物を含まない非晶質シリコン層を厚く製
膜する必要がないため、ＰＣＶＤ装置のパーティクルの
発生、あるいは生産性の向上に関して、現状装置と比較
して多くの改善が実現する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態と第２実施形態に係る画
像表示装置用半導体装置の製造工程を説明するための断
面図

【図２】本発明の第３実施形態に係る画像表示装置用半
導体装置の製造工程を説明するための断面図

【図３】本発明の第４実施形態と第５実施形態に係る画
像表示装置用半導体装置の製造工程を説明するための断
面図

【図４】本発明の第６実施形態と第７実施形態に係る画
像表示装置用半導体装置の製造工程を説明するための断
面図

【図５】本発明の第８実施形態に係る画像表示装置用半
導体装置の製造工程を説明するための断面図

【図６】本発明の第９実施形態と第１０実施形態に係る
画像表示装置用半導体装置の製造工程を説明するための
断面図

【図７】従来の液晶パネルの実装状態を示す斜視図

【図８】従来の液晶パネルの等価回路図

【図９】従来の液晶パネルの断面図

【図１０】従来例のアクティブ基板の平面図

【図１１】従来例のアクティブ基板の製造工程を説明す
るための断面図

【図１２】従来のＩＰＳ方式の液晶パネルの断面図

【図１３】従来のＩＰＳ方式のアクティブ基板の平面図

【図１４】従来のＩＰＳ方式のアクティブ基板の製造工
程を説明するための断面図

【符号の説明】

１液晶パネル２アクティブ基板（一方のガラス基板）３半導体集積回路チップ４ＴＣＰフィルム９カラーフィルタ（他方のガラス基板）１０絶縁ゲート型トランジスタ１１走査線（ゲート電極）１２信号線（ソース配線，ソース電極）１３液晶セル１７液晶２０配向膜２１ドレイン電極（絵素電極）２２（透明）絵素電極３０ゲート絶縁層（ＳｉＮｘ）３１不純物を含まない（第１の）非晶質シリコン層３２エッチング・ストッパ（ＳｉＮｘ）層３３不純物を含む（第２の）非晶質シリコン層３４耐熱バリア金属層（Ｔｉ）３５低抵抗配線層（Ａｌ）３７パシベーション絶縁層３８開口部４０（ＩＰＳパネルの）対向電極４１絵素電極６０感光性樹脂パターン６２（側面の）酸化シリコン層６３不純物を含む酸化シリコン層６４耐熱バリア金属（タンタル）層の酸化層６５アルミニウムの酸化層（Ａｌ₂Ｏ₃）７０感光性ポリイミド樹脂パターン７１加熱で塑性変形した感光性ポリイミド樹脂パター
ン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H092 GA60 HA27 JA24 JA34 JA36 JA41 JB52 JB57 JB69 KA05 KA10 MA08 MA12 MA24 MA29 NA01 NA27 PA01 PA08 QA07 5C094 AA12 AA42 AA43 AA54 BA03 BA43 BA44 CA19 CA24 DA13 DA15 DB04 DB10 EA04 ED03 FA01 FA02 FB01 FB02 FB15 GA10 GB10 5F110 CC07 DD02 EE03 EE04 EE05 EE44 FF03 FF30 GG02 GG15 GG24 GG35 HK03 HK04 HK05 HK21 NN02 NN04 NN22 NN23 NN24 NN27 NN35 NN38 QQ01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸
化シリコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、か
つ不純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルと
なる不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成された
ソース・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐
熱金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属
層より形成し、前記ソース・ドレイン配線上に絶縁層を
形成したことを特徴とする液晶画像表示装置。
【請求項２】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸
化シリコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、か
つ不純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルと
なる不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成された
ソース・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐
熱金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属
層により形成し、前記ソース・ドレイン配線上に絶縁層
を形成し、前記ソース・ドレイン配線の側面にそれぞれ
陽極酸化層を形成したことを特徴とする液晶画像表示装
置。
【請求項３】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
と、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板また
はカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶画像
表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸
化シリコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、か
つ不純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルと
なる不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成された
ソース・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐
熱金属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属
層より形成し、前記ソース・ドレイン配線の表面上にそ
れぞれ陽極酸化層を形成したことを特徴とする液晶画像
表示装置。
【請求項４】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁層を
介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁ゲー
ト型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸化シ
リコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、かつ不
純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルとなる
不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成されたソー
ス・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐熱金
属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属層よ
り形成し、前記ソース・ドレイン配線上に感光性ポリイ
ミド樹脂層を形成したことを特徴とする液晶画像表示装
置。
【請求項５】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁層を
介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁ゲー
ト型トランジスタのチャンネル上に不純物を含む酸化シ
リコン層を形成し、この酸化シリコン層に接し、かつ不
純物を含む非晶質シリコン層を介してチャンネルとなる
不純物を含まない非晶質シリコン層上に形成されたソー
ス・ドレイン配線を、少なくとも陽極酸化可能な耐熱金
属層またはそのシリサイド層を含む１層以上の金属層よ
り形成し、前記ソース・ドレイン配線の表面上に感光性
ポリイミド樹脂層を形成したことを特徴とする液晶画像
表示装置。
【請求項６】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁層を
介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁ゲー
ト型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタル層と不
純物を含む酸化シリコン層を形成し、前記酸化タンタル
層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層を介して
チャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン層上
に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタル層また
はそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニウムを
主成分とする金属層との積層より形成し、前記ソース・
ドレイン配線上に絶縁層を形成したことを特徴とする液
晶画像表示装置。
【請求項７】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタル層
と不純物を含む酸化シリコン層を形成し、この酸化タン
タル層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層を介
してチャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン
層上に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタル層
またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニウ
ムを主成分とする金属層との積層より形成し、前記ソー
ス・ドレイン配線上に絶縁層を形成し、かつ前記ソース
・ドレイン配線の側面にそれぞれ陽極酸化層を形成した
ことを特徴とする液晶画像表示装置。
【請求項８】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタル層
と不純物を含む酸化シリコン層を形成し、この酸化タン
タル層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層を介
してチャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン
層上に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタル層
またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニウ
ムを主成分とする金属層との積層より形成し、前記ソー
ス・ドレイン配線の表面にそれぞれ陽極酸化層を形成し
たことを特徴とする液晶画像表示装置。
【請求項９】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを前記第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁
層を介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁
ゲート型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタル層
と不純物を含む酸化シリコン層を形成し、この酸化タン
タル層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層を介
してチャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン
層上に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタル層
またはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニウ
ムを主成分とする金属層との積層より形成し、前記ソー
ス・ドレイン配線上に感光性ポリイミド樹脂層を形成し
たことを特徴とする液晶画像表示装置。
【請求項１０】一主面上に絶縁ゲート型トランジスタ
と、絶縁ゲート型トランジスタのドレインに接続された
絵素電極と、絵素電極に対して所定の距離を隔てて形成
された対向電極とを少なくも各々１個備えた単位絵素が
二次元のマトリクスに配列された第１の透明性絶縁基板
を有し、第１の透明性絶縁基板と第２の透明性絶縁基板
またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶
画像表示装置において、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲートと前記対向電極
とを第１の透明性絶縁基板上に形成し、ゲート絶縁層を
介して前記第１の透明性絶縁基板に形成された絶縁ゲー
ト型トランジスタのチャンネル上に酸化タンタル層と不
純物を含む酸化シリコン層を形成し、この酸化タンタル
層に接し、かつ不純物を含む非晶質シリコン層を介して
チャンネルとなる不純物を含まない非晶質シリコン層上
に形成されたソース・ドレイン配線を、タンタル層また
はそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニウムを
主成分とする金属層との積層より形成し、前記ソース・
ドレイン配線の表面上に感光性ポリイミド樹脂層を形成
したことを特徴とする液晶画像表示装置。
【請求項１１】絶縁性基板の一主面上に１層以上の第
１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート
を兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形成する工
程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着した後、陽極酸化可能な耐熱金属層ま
たはそのシリサイド層を含む１層以上の第２の金属層と
絶縁層とを順次被着する工程と、前記ゲート上の絶縁層
と第２の金属層とを選択的に除去して第２の非晶質シリ
コン層を露出した後、陽極酸化により前記第２の非晶質
シリコン層を酸化シリコン層に変換する工程と、絶縁層
と第２の金属層と第２の非晶質シリコン層および第１の
非晶質シリコン層とを選択的に除去してゲート絶縁層を
露出し、その上に絶縁層を有するソース・ドレイン配線
を形成する工程とからなることを特徴とする画像表示装
置用半導体装置の製造方法。
【請求項１２】絶縁性基板の一主面上に１層以上の第
１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート
を兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形成する工
程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着した後、陽極酸化可能な耐熱金属層ま
たはそのシリサイド層を含む１層以上の第２の金属層と
絶縁層とを順次被着する工程と、前記ゲート上の絶縁層
と第２の金属層とを選択的に除去して第２の非晶質シリ
コン層を露出した後、陽極酸化により前記第２の非晶質
シリコン層を酸化シリコン層に変換する工程と、絶縁層
と第２の金属層と第２の非晶質シリコン層および第１の
非晶質シリコン層とを選択的に除去してゲート絶縁層を
露出し、その上に絶縁層を有するソース・ドレイン配線
を形成する工程と、陽極酸化によりソース・ドレイン配
線の側面および第１と第２の非晶質シリコン層の側面と
にそれぞれ酸化層を形成する工程からなることを特徴と
する画像表示装置用半導体装置の製造方法。
【請求項１３】絶縁性基板の一主面上に１層以上の第
１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート
を兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形成する工
程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着した後、陽極酸化可能な耐熱金属層ま
たはそのシリサイド層を含む１層以上の第２の金属層を
被着する工程と、前記ゲート上の第２の金属層を選択的
に除去して第２の非晶質シリコン層を露出した後、陽極
酸化により前記第２の非晶質シリコン層を酸化シリコン
層に変換する工程と、第２の金属層と第２の非晶質シリ
コン層および第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去
してゲート絶縁層を露出し、ソース・ドレイン配線を形
成する工程と、陽極酸化によりソース・ドレイン配線の
表面および第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリ
コン層の側面とにそれぞれ酸化層を形成する工程からな
ることを特徴とする画像表示装置用半導体装置の製造方
法。
【請求項１４】絶縁性基板の一主面上に１層以上の第
１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート
を兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形成する工
程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着した後、陽極酸化可能な耐熱金属層ま
たはそのシリサイド層を含む１層以上の第２の金属層を
被着する工程と、前記ゲート上の第２の金属層を選択的
に除去して第２の非晶質シリコン層を露出した後、陽極
酸化により前記第２の非晶質シリコン層を酸化シリコン
層に変換する工程と、感光性ポリイミド樹脂層を用いて
第２の金属層と第２の非晶質シリコン層および第１の非
晶質シリコン層とを選択的に除去してソース・ドレイン
配線を形成する工程と、前記パターニングされた感光性
ポリイミド樹脂層をそのまま残す工程とからなることを
特徴とする画像表示装置用半導体装置の製造方法。
【請求項１５】前記パターニングされた感光性ポリイ
ミド樹脂層を加熱した後、そのまま残すことを特徴とす
る請求項１４に記載の像表示装置用半導体装置の製造方
法。
【請求項１６】絶縁性基板の一主面上に１層以上の第
１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート
を兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形成する工
程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着した後、陽極酸化可能なタンタル層ま
たはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニウム
を主成分とする第２の金属層との積層と絶縁層とを順次
被着する工程と、前記ゲート上の絶縁層と第２の金属層
とを選択的に除去してタンタル層を露出した後、陽極酸
化により前記タンタル層と第２の非晶質シリコン層とを
それぞれ酸化タンタル層と酸化シリコン層とに変換する
工程と、前記絶縁層と積層と第２の非晶質シリコン層お
よび第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去してゲー
ト絶縁層を露出し、その上に絶縁層を有するソース・ド
レイン配線を形成する工程とからなることを特徴とする
画像表示装置用半導体装置の製造方法。
【請求項１７】絶縁性基板の一主面上に１層以上の第
１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート
を兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形成する工
程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着した後、陽極酸化可能なタンタル層ま
たはそのシリサイド層、あるいはそれらとアルミニウム
を主成分とする第２の金属層との積層と絶縁層とを順次
被着する工程と、前記ゲート上の絶縁層と第２の金属層
を選択的に除去してタンタル層を露出した後、陽極酸化
により前記タンタル層と第２の非晶質シリコン層とをそ
れぞれ酸化タンタル層と酸化シリコン層とに変換する工
程と、前記絶縁層と積層と第２の非晶質シリコン層およ
び第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去してゲート
絶縁層を露出し、その上に絶縁層を有するソース・ドレ
イン配線を形成する工程と、陽極酸化によりソース・ド
レイン配線の側面および第１の非晶質シリコン層と第２
の非晶質シリコン層の側面とにそれらの酸化層を形成す
る工程からなることを特徴とする画像表示装置用半導体
装置の製造方法。
【請求項１８】絶縁性基板の一主面上に１層以上の第
１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート
を兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形成する工
程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着した後、タンタル層またはそのシリサ
イド層、もしくはそれらとアルミニウムを主成分とする
第２の金属層との積層を被着する工程と、前記ゲート上
の第２の金属層を選択的に除去してタンタル層を露出し
た後、陽極酸化により前記タンタル層と第２の非晶質シ
リコン層とをそれぞれ酸化タンタル層と酸化シリコン層
とに変換する工程と、前記積層と第２の非晶質シリコン
層および第１の非晶質シリコン層とを選択的に除去して
ゲート絶縁層を露出し、ソース・ドレイン配線を形成す
る工程と、陽極酸化によりソース・ドレイン配線の表面
および第１の非晶質シリコン層と第２の非晶質シリコン
層の側面とにそれぞれ酸化層を形成する工程からなるこ
とを特徴とする画像表示装置用半導体装置の製造方法。
【請求項１９】絶縁性基板の一主面上に１層以上の第
１の金属層よりなり絶縁ゲート型トランジスタのゲート
を兼ねる走査線と対向電極とを選択的に被着形成する工
程と、１層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第１
の非晶質シリコン層と不純物を含む第２の非晶質シリコ
ン層とを順次被着した後、タンタル層またはそのシリサ
イド層、もしくはそれらとアルミニウムを主成分とする
第２の金属層との積層を被着する工程と、前記ゲート上
の第２の金属層を選択的に除去してタンタル層を露出し
た後、陽極酸化により前記タンタル層と第２の非晶質シ
リコン層とをそれぞれ酸化タンタル層と酸化シリコン層
とに変換する工程と、感光性ポリイミド樹脂層を用いて
前記積層と第２の非晶質シリコン層および第１の非晶質
シリコン層とを選択的に除去してソース・ドレイン配線
を形成する工程と、前記パターニングされた感光性ポリ
イミド樹脂層をそのまま残す工程とからなることを特徴
とする画像表示装置用半導体装置の製造方法。
【請求項２０】前記パターニングされた感光性ポリイ
ミド樹脂層を加熱した後、そのまま残すことを特徴とす
る請求項１９に記載の画像表示装置用半導体装置の製造
方法。