JP2000250079A - 非線形光学素子、その製造方法およびその使用方法 - Google Patents
非線形光学素子、その製造方法およびその使用方法Info
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- JP2000250079A JP2000250079A JP11052319A JP5231999A JP2000250079A JP 2000250079 A JP2000250079 A JP 2000250079A JP 11052319 A JP11052319 A JP 11052319A JP 5231999 A JP5231999 A JP 5231999A JP 2000250079 A JP2000250079 A JP 2000250079A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超高速性と大きな３次非線形感受率を兼ね備
えた非線形光学材料を提供する。 【解決手段】 分子線エピタキシー法を用いて基板２上
にII−VI族半導体超格子１を形成し、基板の一部をエッ
チングにより除去して半導体超格子１を基板２側に露出
させ、この露出面に光反射防止膜３を形成した。さら
に、半導体超格子１の露出面と反対側の面に、光反射膜
４を形成した透明基板６を接着層５を介して貼り合わせ
た。この素子を、半導体超格子のエキシントン吸収ピー
ク波長よりも長い波長域で使用したところ、高い３次非
線形光学感受率と速い非線形応答速度が得られた。
えた非線形光学材料を提供する。 【解決手段】 分子線エピタキシー法を用いて基板２上
にII−VI族半導体超格子１を形成し、基板の一部をエッ
チングにより除去して半導体超格子１を基板２側に露出
させ、この露出面に光反射防止膜３を形成した。さら
に、半導体超格子１の露出面と反対側の面に、光反射膜
４を形成した透明基板６を接着層５を介して貼り合わせ
た。この素子を、半導体超格子のエキシントン吸収ピー
ク波長よりも長い波長域で使用したところ、高い３次非
線形光学感受率と速い非線形応答速度が得られた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体超格子の３
次非線形光学効果を利用した非線形光学素子、その製造
方法およびその使用方法に関するものである。
次非線形光学効果を利用した非線形光学素子、その製造
方法およびその使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体超格子を用いた３次非線形光学素
子は、超高速光スイッチ、高調波発生素子などの光デバ
イスとして有望であり、より高性能な材料や素子の開発
およびその製造方法が注目されている。
子は、超高速光スイッチ、高調波発生素子などの光デバ
イスとして有望であり、より高性能な材料や素子の開発
およびその製造方法が注目されている。
【０００３】この分野における従来の材料の開発研究と
しては、アプライド フィジックスレター第４２巻９２
５ペ−ジ（Appl.Phys.Lett.,Vol.42,ｐ925 1983)やフィ
ジカル レビュー Ｂ第４４巻５７２６ペ−ジ（Phys.R
ev.B,Vol.44,5726 1991)に記載されている分子線エピタ
キシー法により作製されたIII−Ｖ族半導体超格子（Ｇ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系超格子）の研究がある。さら
に、III−Ｖ族半導体超格子を用いたデバイスとして
は、アプライド フィジックス レター第４５巻１３ペ
−ジ（Appl.Phys. Lett.,Vol.45,ｐ13 1984)の研究があ
る。
しては、アプライド フィジックスレター第４２巻９２
５ペ−ジ（Appl.Phys.Lett.,Vol.42,ｐ925 1983)やフィ
ジカル レビュー Ｂ第４４巻５７２６ペ−ジ（Phys.R
ev.B,Vol.44,5726 1991)に記載されている分子線エピタ
キシー法により作製されたIII−Ｖ族半導体超格子（Ｇ
ａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系超格子）の研究がある。さら
に、III−Ｖ族半導体超格子を用いたデバイスとして
は、アプライド フィジックス レター第４５巻１３ペ
−ジ（Appl.Phys. Lett.,Vol.45,ｐ13 1984)の研究があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記方法の半導体超格
子には、次のような課題がある。一般に、非線形光学特
性の指標となる３次非線形光学感受率と非線形応答速度
には、トレードオフの関係にあることが知られている。
例えば、III−Ｖ族半導体超格子は、非常に大きな３次
非線形光学感受率（〜10-3esu）を有するが、応答速度
（応答速度は、通常早い成分と遅い成分とから構成され
る）を数ナノ秒以下にすることが困難であり、特に遅い
応答成分は数十ナノ秒以上の寿命があり、このような材
料を全光スイッチ素子に応用した場合にはスイッチング
速度に限界がある。
子には、次のような課題がある。一般に、非線形光学特
性の指標となる３次非線形光学感受率と非線形応答速度
には、トレードオフの関係にあることが知られている。
例えば、III−Ｖ族半導体超格子は、非常に大きな３次
非線形光学感受率（〜10-3esu）を有するが、応答速度
（応答速度は、通常早い成分と遅い成分とから構成され
る）を数ナノ秒以下にすることが困難であり、特に遅い
応答成分は数十ナノ秒以上の寿命があり、このような材
料を全光スイッチ素子に応用した場合にはスイッチング
速度に限界がある。
【０００５】さらに、III−Ｖ族半導体超格子は、赤い
光の波長領域でのみ効率良く作動するが、波長の比較的
長い赤色の光では、デバイスの単位面積当たりのスイッ
チング面密度を大きくすることが困難である。
光の波長領域でのみ効率良く作動するが、波長の比較的
長い赤色の光では、デバイスの単位面積当たりのスイッ
チング面密度を大きくすることが困難である。
【０００６】そこで、本発明は、半導体超格子を微細加
工して作製した素子であって、大きな応答速度（遅い応
答成分が極めて少ない）と高い３次非線形光学感受率と
を有する非線形光学素子を提供することを目的とする。
また、この素子の製造方法、さらには、この非線形光学
素子に適した使用方法を提供することを目的とする。
工して作製した素子であって、大きな応答速度（遅い応
答成分が極めて少ない）と高い３次非線形光学感受率と
を有する非線形光学素子を提供することを目的とする。
また、この素子の製造方法、さらには、この非線形光学
素子に適した使用方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の非線形光学素子は、基板と、前記基板上に
形成されたII−VI族半導体超格子とを含み、前記基板の
一部が除去されて前記II−VI族半導体超格子の一部が前
記基板側に露出していることを特徴とする。
め、本発明の非線形光学素子は、基板と、前記基板上に
形成されたII−VI族半導体超格子とを含み、前記基板の
一部が除去されて前記II−VI族半導体超格子の一部が前
記基板側に露出していることを特徴とする。
【０００８】本発明の非線形光学素子では、基板上にII
−VI族半導体超格子が形成され、この基板の一部が除去
されて、基板が除去された部分からII−VI族半導体超格
子が露出している。後述するように、この露出面は、信
号光、制御光などの入射面となる。
−VI族半導体超格子が形成され、この基板の一部が除去
されて、基板が除去された部分からII−VI族半導体超格
子が露出している。後述するように、この露出面は、信
号光、制御光などの入射面となる。
【０００９】また、本発明の非線形光学素子の製造方法
は、基板上にII−VI族半導体超格子を形成する工程と、
前記基板の一部を除去して前記II−VI族半導体超格子の
一部を前記基板側に露出させる工程とを含むことを特徴
とする。
は、基板上にII−VI族半導体超格子を形成する工程と、
前記基板の一部を除去して前記II−VI族半導体超格子の
一部を前記基板側に露出させる工程とを含むことを特徴
とする。
【００１０】また、本発明の非線形光学素子の使用方法
は、II−VI族半導体超格子のエキシントン吸収ピーク波
長よりも長い波長の光を、本発明の素子におけるII−VI
族半導体超格子が露出している面に入射させることを特
徴とする。
は、II−VI族半導体超格子のエキシントン吸収ピーク波
長よりも長い波長の光を、本発明の素子におけるII−VI
族半導体超格子が露出している面に入射させることを特
徴とする。
【００１１】従来は、大きな非線形光学効果を得るため
に、半導体超格子のエキシントン吸収ピーク波長の光が
用いられてきた。しかし、本発明の使用方法では、エキ
シントン吸収ピーク波長よりも長い波長の光を照射する
ことにより、遅い応答成分を低減させることとした。
に、半導体超格子のエキシントン吸収ピーク波長の光が
用いられてきた。しかし、本発明の使用方法では、エキ
シントン吸収ピーク波長よりも長い波長の光を照射する
ことにより、遅い応答成分を低減させることとした。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい形態を図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
【００１３】（実施の形態１）図１は、本発明の非線形
光学素子の一形態の断面図である。図１に示したよう
に、この非線形光学素子では、基板２上に、II−VI族半
導体超格子（以下、単に「半導体超格子」という）１が
形成され、さらに、基板２の一部が除去されて、半導体
超格子１の一部が基板側に露出している。このように構
成された非線形光学素子では、半導体超格子のエキシト
ン吸収に基づく３次非線形光学特性が観察される。
光学素子の一形態の断面図である。図１に示したよう
に、この非線形光学素子では、基板２上に、II−VI族半
導体超格子（以下、単に「半導体超格子」という）１が
形成され、さらに、基板２の一部が除去されて、半導体
超格子１の一部が基板側に露出している。このように構
成された非線形光学素子では、半導体超格子のエキシト
ン吸収に基づく３次非線形光学特性が観察される。
【００１４】エキシントンの量子閉じ込め効果を大きく
するためには、半導体超格子１の井戸層がＺｎＳｅおよ
びＺｎＣｄＳｅから選ばれる少なくとも一つからなり、
障壁層がＺｎＭｇＳＳｅおよびＺｎＳＳｅから選ばれる
少なくとも一つからなることが好ましい。
するためには、半導体超格子１の井戸層がＺｎＳｅおよ
びＺｎＣｄＳｅから選ばれる少なくとも一つからなり、
障壁層がＺｎＭｇＳＳｅおよびＺｎＳＳｅから選ばれる
少なくとも一つからなることが好ましい。
【００１５】また、半導体超格子１が、相互に異なる厚
さを有する井戸層が含まれる構造は、複数の波長で動作
させることが可能となるために好ましい。この場合、半
導体超格子１は、同じ厚さを有する井戸層を含む第１の
層群と、第１の層群に含まれる井戸層の厚さとは異なる
厚さを有する井戸層を含む第２の層群とを備えているこ
とが好ましい。
さを有する井戸層が含まれる構造は、複数の波長で動作
させることが可能となるために好ましい。この場合、半
導体超格子１は、同じ厚さを有する井戸層を含む第１の
層群と、第１の層群に含まれる井戸層の厚さとは異なる
厚さを有する井戸層を含む第２の層群とを備えているこ
とが好ましい。
【００１６】さらに、半導体超格子１の井戸層の厚さを
１００ｎｍ以下にすると量子閉じ込め効果を大きくする
ことができるために好ましい。井戸層の厚さは、３ｎｍ
〜５０ｎｍがさらに好ましい。一方、障壁層の厚さは、
１０ｎｍ〜５０ｎｍが好適である。
１００ｎｍ以下にすると量子閉じ込め効果を大きくする
ことができるために好ましい。井戸層の厚さは、３ｎｍ
〜５０ｎｍがさらに好ましい。一方、障壁層の厚さは、
１０ｎｍ〜５０ｎｍが好適である。
【００１７】また、基板２は、ＧａＡｓおよびＺｎＳｅ
から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。結
晶性の高い半導体超格子を作製できるからである。
から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。結
晶性の高い半導体超格子を作製できるからである。
【００１８】（実施の形態２）図２は、本発明の非線形
光学素子の別の一形態を示す断面図である。図２に示し
たように、この非線形光学素子では、図１に示した素子
の半導体超格子１の露出面上に光反射防止膜３が形成さ
れている。
光学素子の別の一形態を示す断面図である。図２に示し
たように、この非線形光学素子では、図１に示した素子
の半導体超格子１の露出面上に光反射防止膜３が形成さ
れている。
【００１９】光反射防止膜３は、金属酸化物膜、金属フ
ッ化物膜および誘電体多層膜から選ばれる少なくとも１
つであることが好ましい。特に制限されないが、金属酸
化物としてはシリカ、アルミナ、チタニア、酸化錫、酸
化インジウムなどが、金属フッ化物としてはフッ化カル
シウム、フッ化ナトリウム、フッ化リチウム、フッ化マ
グネシウムなどが好適である。また、誘電体多層膜とし
ては、ＳｉＯ2とＴｉＯ2とを交互に積層した多層膜、Ｍ
ｇＦ2とＳｉＯとを交互に積層した多層膜などが好まし
い。
ッ化物膜および誘電体多層膜から選ばれる少なくとも１
つであることが好ましい。特に制限されないが、金属酸
化物としてはシリカ、アルミナ、チタニア、酸化錫、酸
化インジウムなどが、金属フッ化物としてはフッ化カル
シウム、フッ化ナトリウム、フッ化リチウム、フッ化マ
グネシウムなどが好適である。また、誘電体多層膜とし
ては、ＳｉＯ2とＴｉＯ2とを交互に積層した多層膜、Ｍ
ｇＦ2とＳｉＯとを交互に積層した多層膜などが好まし
い。
【００２０】これらの光反射防止膜は、光学的に広い波
長範囲で低い反射率を示し、かつ化学的にも物理的にも
安定で、より高速で大きな３次の非線形光学特性を有す
る非線形光学素子の作製に好適である。
長範囲で低い反射率を示し、かつ化学的にも物理的にも
安定で、より高速で大きな３次の非線形光学特性を有す
る非線形光学素子の作製に好適である。
【００２１】（実施の形態３）図３は本発明の非線形光
学素子のまた別の形態を示す断面図である。図３に示し
たように、この非線形光学素子では、図１に示した素子
の半導体超格子１の露出面とは反対側の面に光反射膜４
が形成されている。
学素子のまた別の形態を示す断面図である。図３に示し
たように、この非線形光学素子では、図１に示した素子
の半導体超格子１の露出面とは反対側の面に光反射膜４
が形成されている。
【００２２】光反射膜４は、金属薄膜または誘電体多層
膜であることが好ましい。特に制限されないが、金属薄
膜としては、金、銀、アルミニウムなどの膜が、誘電体
多層膜としては、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2多層膜が好適であ
る。これらの膜は、反射率が高く、かつ化学的にも物理
的にも安定で、より高速で大きな３次の非線形光学特性
を有する非線形光学素子の作製に好ましいからである。
膜であることが好ましい。特に制限されないが、金属薄
膜としては、金、銀、アルミニウムなどの膜が、誘電体
多層膜としては、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2多層膜が好適であ
る。これらの膜は、反射率が高く、かつ化学的にも物理
的にも安定で、より高速で大きな３次の非線形光学特性
を有する非線形光学素子の作製に好ましいからである。
【００２３】（実施の形態４）図４は、本発明の非線形
光学素子のさらに別の形態を示す断面図である。図４に
示したように、この非線形光学素子では、図１に示した
素子の半導体超格子１の露出面上に光反射防止膜３が形
成され、さらに、この露出面とは反対側の面に光反射膜
４が形成されている。光反射膜４は、光反射防止膜３が
形成された露出面に対向する面を含む範囲に形成されて
いる。
光学素子のさらに別の形態を示す断面図である。図４に
示したように、この非線形光学素子では、図１に示した
素子の半導体超格子１の露出面上に光反射防止膜３が形
成され、さらに、この露出面とは反対側の面に光反射膜
４が形成されている。光反射膜４は、光反射防止膜３が
形成された露出面に対向する面を含む範囲に形成されて
いる。
【００２４】上記各実施形態で説明した、半導体超格子
１、光反射防止膜３および光反射膜４は、分子線エピタ
キシー法、スパッタリング法、蒸着法、化学気相成長法
およびゾル−ゲル法から選ばれる少なくとも１つの方法
により形成することが好ましい。特に、半導体超格子１
は、分子線エピタキシー法、化学気相成長法により形成
することが好ましく、光反射防止膜３および光反射膜４
は、スパッタリング法、ゾル−ゲル法により形成するこ
とが好ましい。なお、光反射膜４は、次の実施形態で説
明するように、他の媒体に予め形成した後に、この媒体
とともに素子と一体化してもよい。
１、光反射防止膜３および光反射膜４は、分子線エピタ
キシー法、スパッタリング法、蒸着法、化学気相成長法
およびゾル−ゲル法から選ばれる少なくとも１つの方法
により形成することが好ましい。特に、半導体超格子１
は、分子線エピタキシー法、化学気相成長法により形成
することが好ましく、光反射防止膜３および光反射膜４
は、スパッタリング法、ゾル−ゲル法により形成するこ
とが好ましい。なお、光反射膜４は、次の実施形態で説
明するように、他の媒体に予め形成した後に、この媒体
とともに素子と一体化してもよい。
【００２５】（実施の形態５）図５は、本発明の非線形
光学素子のまた別の一形態を示す断面図である。図５に
示したように、この非線形光学素子には、図３に示した
素子と同様、光反射膜４が含まれているが、この光反射
膜４は予め透明基板６に形成されたものである。
光学素子のまた別の一形態を示す断面図である。図５に
示したように、この非線形光学素子には、図３に示した
素子と同様、光反射膜４が含まれているが、この光反射
膜４は予め透明基板６に形成されたものである。
【００２６】透明基板６は、光反射膜４が形成された面
を接着面として、接着層５により、半導体超格子２に接
合される。ここで、透明基板６は、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、
Ａｌ 2Ｏ3、ＳｉＮおよびＡｌＮから選ばれる少なくとも
１つであることが好ましい。これらのガラスやセラミッ
クスは、光学的に広い波長範囲で透明であり、化学的に
も物理的にも安定だからである。
を接着面として、接着層５により、半導体超格子２に接
合される。ここで、透明基板６は、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、
Ａｌ 2Ｏ3、ＳｉＮおよびＡｌＮから選ばれる少なくとも
１つであることが好ましい。これらのガラスやセラミッ
クスは、光学的に広い波長範囲で透明であり、化学的に
も物理的にも安定だからである。
【００２７】接着層５は、エポキシ系樹脂およびシリコ
ン系樹脂から選ばれる少なくとも一つからなることが好
ましい。透明で強固な接着を行うことができるからであ
る。
ン系樹脂から選ばれる少なくとも一つからなることが好
ましい。透明で強固な接着を行うことができるからであ
る。
【００２８】（実施の形態６）図６は、本発明の非線形
光学素子のさらに別の一形態を示す断面図である。図６
に示したように、この非線形光学素子には、図５に示し
た素子の半導体超格子の基板側の露出面に、光反射防止
膜３が形成されている。
光学素子のさらに別の一形態を示す断面図である。図６
に示したように、この非線形光学素子には、図５に示し
た素子の半導体超格子の基板側の露出面に、光反射防止
膜３が形成されている。
【００２９】以下、図６に示した素子を例にとって、本
発明の非線形光学素子の動作について、図７および図８
により説明する。
発明の非線形光学素子の動作について、図７および図８
により説明する。
【００３０】図７に示すように、制御光がない場合に
は、素子の法線方向（半導体超格子の露出面と垂直方
向）から、好ましくは２〜１０度の角度で信号光７を入
射すると、信号光７の一部が素子表面（反射防止膜が形
成された半導体超格子の露出面）で反射され、反射光８
となる。一方、図８に示すように、好ましくは法線方向
から入射される制御光９によって信号光７を制御する
と、三次非線形光学効果により回折光１０が新たに現れ
る。これを検出することにより、反射型の全光スイッチ
が実現できる。
は、素子の法線方向（半導体超格子の露出面と垂直方
向）から、好ましくは２〜１０度の角度で信号光７を入
射すると、信号光７の一部が素子表面（反射防止膜が形
成された半導体超格子の露出面）で反射され、反射光８
となる。一方、図８に示すように、好ましくは法線方向
から入射される制御光９によって信号光７を制御する
と、三次非線形光学効果により回折光１０が新たに現れ
る。これを検出することにより、反射型の全光スイッチ
が実現できる。
【００３１】本発明の非線形光学素子は、遅い応答成分
が少ない波長域で動作させることが好ましい。実際に、
図１の素子を用い、信号光７として広い波長域を有する
白色光、制御光９としては半導体超格子のエキシントン
吸収ピーク波長付近の所定波長のレーザー光線を用いて
素子の動作を確認した。このとき、制御光９による信号
光７の制御により、三次非線形光学効果による回折光１
０が観察された。
が少ない波長域で動作させることが好ましい。実際に、
図１の素子を用い、信号光７として広い波長域を有する
白色光、制御光９としては半導体超格子のエキシントン
吸収ピーク波長付近の所定波長のレーザー光線を用いて
素子の動作を確認した。このとき、制御光９による信号
光７の制御により、三次非線形光学効果による回折光１
０が観察された。
【００３２】上記の素子動作において、以下の条件で応
答速度を確認した。信号光は素子の法線方向と２度の角
度を為す方向から入射させ、制御光は法線方向から入射
させた。また信号光と制御光との強度比はほぼ１対１と
した。そして、制御光として、エキシトン吸収ピーク波
長よりも長波長側、すなわち０.０２〜０.２ｅＶ低エネ
ルギー側の波長域の光を用いると、ほぼ１.０ｐｓ以下
の速い応答が得られ、遅い応答成分が極めて少ないこと
が確認できた。このように、本発明の素子を、半導体超
格子のエキシントン吸収ピーク波長よりも長波長領域で
動作させると、超高速スイッチを実現できる。
答速度を確認した。信号光は素子の法線方向と２度の角
度を為す方向から入射させ、制御光は法線方向から入射
させた。また信号光と制御光との強度比はほぼ１対１と
した。そして、制御光として、エキシトン吸収ピーク波
長よりも長波長側、すなわち０.０２〜０.２ｅＶ低エネ
ルギー側の波長域の光を用いると、ほぼ１.０ｐｓ以下
の速い応答が得られ、遅い応答成分が極めて少ないこと
が確認できた。このように、本発明の素子を、半導体超
格子のエキシントン吸収ピーク波長よりも長波長領域で
動作させると、超高速スイッチを実現できる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例より制限されるもので
はない。
明するが、本発明は以下の実施例より制限されるもので
はない。
【００３４】（実施例１）本実施例では、図１に示した
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
【００３５】具体的には、Ｚｎ（純度９９．９９９
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
【００３６】こうして作製した素子の吸収スペクトルに
は、超格子のエキシトン吸収が観察され、その吸収のピ
ークは室温で４５６ｎｍにあった。さらに、４光波混合
法による３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピー
ク近傍において２×１０-3esuであった。
は、超格子のエキシトン吸収が観察され、その吸収のピ
ークは室温で４５６ｎｍにあった。さらに、４光波混合
法による３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピー
ク近傍において２×１０-3esuであった。
【００３７】この素子の半導体超格子の基板側の露出面
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は０．９８ｐｓと超高速であり、遅い応答成分は
ほとんど観察されなかった。また、制御光に対する回折
光の強度は１．２％であった。一方、信号光に波長４５
６ｎｍのレーザ光を用いると０．９８ｐｓの応答に加え
４０ｐｓの遅い応答成分が観察された。
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は０．９８ｐｓと超高速であり、遅い応答成分は
ほとんど観察されなかった。また、制御光に対する回折
光の強度は１．２％であった。一方、信号光に波長４５
６ｎｍのレーザ光を用いると０．９８ｐｓの応答に加え
４０ｐｓの遅い応答成分が観察された。
【００３８】なお、ＧａＡｓ基板に代えてＺｎＳｅ基板
を用いても、ＧａＡｓ基板の場合とほぼ同様、遅い応答
成分のない素子を作製することができた。
を用いても、ＧａＡｓ基板の場合とほぼ同様、遅い応答
成分のない素子を作製することができた。
【００３９】（実施例２）本実施例では、図１に示した
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、図１に示した素子と同様の構成を有するＺｎＣｄＳ
ｅ/ＺｎＳＳｅ半導体超格子を作製した。
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、図１に示した素子と同様の構成を有するＺｎＣｄＳ
ｅ/ＺｎＳＳｅ半導体超格子を作製した。
【００４０】具体的には、Ｚｎ（純度９９．９９９
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｃｄ（純度９９．９９９％）を加熱して
蒸発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ
制御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＣｄ
Ｓｅ井戸層（５ｎｍ）とＺｎＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）
とをそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子
を作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板
を、まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモ
ニア系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部
分的に除去した。
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｃｄ（純度９９．９９９％）を加熱して
蒸発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ
制御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＣｄ
Ｓｅ井戸層（５ｎｍ）とＺｎＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）
とをそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子
を作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板
を、まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモ
ニア系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部
分的に除去した。
【００４１】こうして作製した素子の吸収スペクトルに
は、超格子のエキシトン吸収が観察され、その吸収のピ
ークは室温で４７０ｎｍにあった。さらに、４光波混合
法による３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピー
ク近傍において４×１０-3esuであった。
は、超格子のエキシトン吸収が観察され、その吸収のピ
ークは室温で４７０ｎｍにあった。さらに、４光波混合
法による３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピー
ク近傍において４×１０-3esuであった。
【００４２】この素子の半導体超格子の基板側の露出面
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４９０ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４９０ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．１ｐｓと超高速であり、遅い応答成分はほ
とんど観察されなかった。また、制御光に対する回折光
の強度は１．０％であった。一方、信号光に波長４７０
ｎｍのレーザ光を用いると１．１ｐｓの応答に加え４８
ｐｓの遅い応答成分が観察された。
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４９０ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４９０ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．１ｐｓと超高速であり、遅い応答成分はほ
とんど観察されなかった。また、制御光に対する回折光
の強度は１．０％であった。一方、信号光に波長４７０
ｎｍのレーザ光を用いると１．１ｐｓの応答に加え４８
ｐｓの遅い応答成分が観察された。
【００４３】なお、この場合も、ＧａＡｓ基板に代えて
ＺｎＳｅ基板を用いても、遅い応答成分のない素子を作
製することができた。
ＺｎＳｅ基板を用いても、遅い応答成分のない素子を作
製することができた。
【００４４】（実施例３）本実施例では、図２に示した
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
また化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着し、
ＺｎＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製した。
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
また化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着し、
ＺｎＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製した。
【００４５】具体的には、Ｚｎ（純度９９．９９９
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
【００４６】次いで、基板側の半導体超格子の露出面
に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）ターゲット
を用い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐａ）
で、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いてＳｉＯ2
薄膜（膜厚λ/４：ただし、λは制御光の波長）を形成
して、光反射防止膜とした。
に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）ターゲット
を用い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐａ）
で、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いてＳｉＯ2
薄膜（膜厚λ/４：ただし、λは制御光の波長）を形成
して、光反射防止膜とした。
【００４７】こうして作製した素子の吸収スペクトルに
は、超格子のエキシトン吸収が観察され、吸収のピーク
は室温で４５６ｎｍにあった。さらに、４光波混合法に
よる３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近
傍において２．４×１０-3esuであった。
は、超格子のエキシトン吸収が観察され、吸収のピーク
は室温で４５６ｎｍにあった。さらに、４光波混合法に
よる３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近
傍において２．４×１０-3esuであった。
【００４８】この素子の半導体超格子の基板側の露出面
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７２ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７２ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．１７ｐｓと超高速であり、遅い応答成分は
ほとんど観察されなかった。また、制御光に対する回折
光の強度は２．８％であった。一方、信号光に波長４５
６ｎｍのレーザ光を用いると１．１７ｐｓの応答に加え
４９ｐｓの遅い応答成分が観察された。
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７２ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７２ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．１７ｐｓと超高速であり、遅い応答成分は
ほとんど観察されなかった。また、制御光に対する回折
光の強度は２．８％であった。一方、信号光に波長４５
６ｎｍのレーザ光を用いると１．１７ｐｓの応答に加え
４９ｐｓの遅い応答成分が観察された。
【００４９】なお、光反射防止膜として、ＳｉＯ2に代
えて、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、またはＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電
体多層膜を使用しても、同様の効果を得ることができ
た。さらに、ＧａＡｓ基板に代えてＺｎＳｅ基板を用い
ても、遅い応答成分のない素子を作製することができ
た。
えて、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、またはＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電
体多層膜を使用しても、同様の効果を得ることができ
た。さらに、ＧａＡｓ基板に代えてＺｎＳｅ基板を用い
ても、遅い応答成分のない素子を作製することができ
た。
【００５０】（実施例４）本実施例では、図３に示した
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ/ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ/ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
【００５１】具体的には、Ｚｎ（純度９９．９９９
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
【００５２】次いで、基板を除去した部分とは反対側の
半導体超格子の面に、純度９９．９９％のシリカ（Ｓｉ
Ｏ2）および純度９９．９９％のチタニア（ＴｉＯ2）タ
ーゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２
Ｐａ）で、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、
ＳｉＯ2薄膜が膜厚λ／４ｎ（ただし、λは制御光の波
長、ｎはＳｉＯ2の屈折率）の条件を満足するように、
ＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電体多層膜を形成して光反射膜とし
た。
半導体超格子の面に、純度９９．９９％のシリカ（Ｓｉ
Ｏ2）および純度９９．９９％のチタニア（ＴｉＯ2）タ
ーゲットを用い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２
Ｐａ）で、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、
ＳｉＯ2薄膜が膜厚λ／４ｎ（ただし、λは制御光の波
長、ｎはＳｉＯ2の屈折率）の条件を満足するように、
ＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電体多層膜を形成して光反射膜とし
た。
【００５３】こうして作製した素子の吸収スペクトルに
は、超格子のエキシトン吸収が観察され、吸収のピーク
は室温で４５８ｎｍにあった。さらに、４光波混合法に
よる３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近
傍において４×１０-3esuであった。
は、超格子のエキシトン吸収が観察され、吸収のピーク
は室温で４５８ｎｍにあった。さらに、４光波混合法に
よる３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近
傍において４×１０-3esuであった。
【００５４】この素子の半導体超格子の基板側の露出面
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．０ｐｓと超高速であり、遅い応答成分はほ
とんど観察されなかった。また、制御光に対する回折光
の強度は２．９％であった。一方、信号光に波長４５８
ｎｍのレーザ光を用いると１．０ｐｓの応答に加え６０
ｐｓの遅い応答成分が観察された。
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．０ｐｓと超高速であり、遅い応答成分はほ
とんど観察されなかった。また、制御光に対する回折光
の強度は２．９％であった。一方、信号光に波長４５８
ｎｍのレーザ光を用いると１．０ｐｓの応答に加え６０
ｐｓの遅い応答成分が観察された。
【００５５】なお、光反射膜として、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2
誘電体多層膜に代えて、イオンビーム蒸着法により形成
したアルミニウム膜（厚さ：１μｍ）を使用しても、同
様の効果を得ることができた。さらに、ＧａＡｓ基板に
代えてＺｎＳｅ基板を用いても、遅い応答成分のない素
子を作製することができた。
誘電体多層膜に代えて、イオンビーム蒸着法により形成
したアルミニウム膜（厚さ：１μｍ）を使用しても、同
様の効果を得ることができた。さらに、ＧａＡｓ基板に
代えてＺｎＳｅ基板を用いても、遅い応答成分のない素
子を作製することができた。
【００５６】（実施例５）本実施例では、図４に示した
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ/ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ/ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
【００５７】具体的には、Ｚｎ（純度９９．９９９
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
【００５８】次いで、基板を除去した半導体超格子の露
出面に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）ターゲ
ットを用い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐ
ａ）で、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いてＳｉ
Ｏ2薄膜（膜厚λ/４：ただし、λは制御光の波長）を形
成して、光反射防止膜とした。さらに、基板を除去した
部分と反対側の半導体超格子の面に、純度９９．９９％
のシリカ（ＳｉＯ2）および純度９９．９９％のチタニ
ア（ＴｉＯ2）ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気
中（ガス圧力：２Ｐａ）で、高周波マグネトロンスパッ
タ装置を用いて、ＳｉＯ2薄膜が膜厚λ／４ｎ（ただ
し、λは制御光の波長、ｎはＳｉＯ2の屈折率）の条件
を満足するように、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電体多層膜を形
成して光反射膜とした。
出面に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）ターゲ
ットを用い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐ
ａ）で、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いてＳｉ
Ｏ2薄膜（膜厚λ/４：ただし、λは制御光の波長）を形
成して、光反射防止膜とした。さらに、基板を除去した
部分と反対側の半導体超格子の面に、純度９９．９９％
のシリカ（ＳｉＯ2）および純度９９．９９％のチタニ
ア（ＴｉＯ2）ターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気
中（ガス圧力：２Ｐａ）で、高周波マグネトロンスパッ
タ装置を用いて、ＳｉＯ2薄膜が膜厚λ／４ｎ（ただ
し、λは制御光の波長、ｎはＳｉＯ2の屈折率）の条件
を満足するように、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電体多層膜を形
成して光反射膜とした。
【００５９】こうして作製した素子の吸収スペクトルに
は、超格子のエキシトン吸収が見られ、吸収のピークは
室温で４５８ｎｍにあった。さらに、４光波混合法によ
る３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近傍
において８×１０-3esuであった。
は、超格子のエキシトン吸収が見られ、吸収のピークは
室温で４５８ｎｍにあった。さらに、４光波混合法によ
る３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近傍
において８×１０-3esuであった。
【００６０】この素子の半導体超格子の基板側の露出面
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．３ｐｓと超高速であり、遅い応答成分はほ
とんど観察されなかった。また、制御光に対する回折光
の強度は３．４％であった。一方、信号光に波長４５８
ｎｍのレーザ光を用いると１．３ｐｓの応答に加え４５
ｐｓの遅い応答成分が観察された。
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．３ｐｓと超高速であり、遅い応答成分はほ
とんど観察されなかった。また、制御光に対する回折光
の強度は３．４％であった。一方、信号光に波長４５８
ｎｍのレーザ光を用いると１．３ｐｓの応答に加え４５
ｐｓの遅い応答成分が観察された。
【００６１】なお、光反射防止膜として、ＳｉＯ2に代
えて、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、またはＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電
体を使用しても、同様の効果を得ることができた。ま
た、光反射膜として、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電体多層膜に
代えて、イオンビーム蒸着法により形成したアルミニウ
ム膜（厚さ：１μｍ）を使用しても、同様の効果を得る
ことができた。さらに、ＧａＡｓ基板に代えてＺｎＳｅ
基板を用いても、遅い応答成分のない素子を作製するこ
とができた。
えて、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、またはＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電
体を使用しても、同様の効果を得ることができた。ま
た、光反射膜として、ＳｉＯ2／ＴｉＯ2誘電体多層膜に
代えて、イオンビーム蒸着法により形成したアルミニウ
ム膜（厚さ：１μｍ）を使用しても、同様の効果を得る
ことができた。さらに、ＧａＡｓ基板に代えてＺｎＳｅ
基板を用いても、遅い応答成分のない素子を作製するこ
とができた。
【００６２】（実施例６）本実施例では、図５に示した
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
【００６３】具体的には、Ｚｎ（純度９９．９９９
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
【００６４】一方、石英基板（０．５ｍｍ厚）の表面
に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）および純度
９９．９９％のチタニア（ＴｉＯ2）ターゲットを用
い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐａ）で、高
周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、ＳｉＯ2薄膜
が膜厚λ／４ｎ（ただし、λは制御光の波長、ｎはＳｉ
Ｏ2の屈折率）の条件を満足するように、ＳｉＯ2／Ｔｉ
Ｏ2誘電体多層膜を形成して光反射膜とした。
に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）および純度
９９．９９％のチタニア（ＴｉＯ2）ターゲットを用
い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐａ）で、高
周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、ＳｉＯ2薄膜
が膜厚λ／４ｎ（ただし、λは制御光の波長、ｎはＳｉ
Ｏ2の屈折率）の条件を満足するように、ＳｉＯ2／Ｔｉ
Ｏ2誘電体多層膜を形成して光反射膜とした。
【００６５】さらに、光反射膜を形成した石英基板を、
光反射膜が基板を除去した部分と反対側の半導体超格子
の面に接するように、エポキシ系接着剤を用いて、半導
体超格子と接着した。
光反射膜が基板を除去した部分と反対側の半導体超格子
の面に接するように、エポキシ系接着剤を用いて、半導
体超格子と接着した。
【００６６】こうして作製した素子の吸収スペクトルに
は、超格子のエキシトン吸収が見られ、吸収のピークは
室温で４５９ｎｍにあった。さらに、４光波混合法によ
る３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近傍
において５×１０-3esuであった。
は、超格子のエキシトン吸収が見られ、吸収のピークは
室温で４５９ｎｍにあった。さらに、４光波混合法によ
る３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近傍
において５×１０-3esuであった。
【００６７】この素子の半導体超格子の基板側の露出面
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．４ｐｓと超高速であり、遅い応答成分はほ
とんど観察されなかった。また、制御光に対する回折光
の強度は３．２％であった。一方、信号光に波長４５９
ｎｍのレーザ光を用いると１．４ｐｓの応答に加え４９
ｐｓの遅い応答成分が観察された。
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところ、三次非線形光学効果
により回折光が観察された。このとき、素子の非線形応
答速度は１．４ｐｓと超高速であり、遅い応答成分はほ
とんど観察されなかった。また、制御光に対する回折光
の強度は３．２％であった。一方、信号光に波長４５９
ｎｍのレーザ光を用いると１．４ｐｓの応答に加え４９
ｐｓの遅い応答成分が観察された。
【００６８】なお、透明基板として、ＳｉＯ2に代え
て、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮまたはＡｌＮを使用し
ても、同様の効果を得ることができた。また、透明基板
を半導体超格子に貼り合わせるための接着剤として、エ
ポキシ系樹脂に代えてシリコン系樹脂を用いても、素子
の特性は上記とほぼ同じであった。さらに、光反射膜、
半導体超格子を形成する基板を、それぞれ上記と同様に
変更しても、素子の特性はほぼ同様であった。
て、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮまたはＡｌＮを使用し
ても、同様の効果を得ることができた。また、透明基板
を半導体超格子に貼り合わせるための接着剤として、エ
ポキシ系樹脂に代えてシリコン系樹脂を用いても、素子
の特性は上記とほぼ同じであった。さらに、光反射膜、
半導体超格子を形成する基板を、それぞれ上記と同様に
変更しても、素子の特性はほぼ同様であった。
【００６９】（実施例７）本実施例では、図６に示した
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ/ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素または化合物を入れた蒸着源（セル）から元素
または化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸着
し、ＺｎＳｅ/ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
【００７０】具体的には、Ｚｎ（純度９９．９９９
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ３０層交互に積層した構成の半導体超格子を
作製した。こうして作製した超格子のＧａＡｓ基板を、
まず硫酸系のエッチング液を用い、その後にアンモニア
系のエッチング液を用いる湿式エッチングにより部分的
に除去した。
【００７１】次いで、基板を除去した半導体超格子の露
出面に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）ターゲ
ットを用い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐ
ａ）で、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いてＳｉ
Ｏ2薄膜（膜厚λ/４：ただし、λは制御光の波長）を形
成して、光反射防止膜とした。
出面に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）ターゲ
ットを用い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐ
ａ）で、高周波マグネトロンスパッタ装置を用いてＳｉ
Ｏ2薄膜（膜厚λ/４：ただし、λは制御光の波長）を形
成して、光反射防止膜とした。
【００７２】一方、石英基板（０．５ｍｍ厚）の表面
に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）および純度
９９．９９％のチタニア（ＴｉＯ2）ターゲットを用
い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐａ）で、高
周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、ＳｉＯ2薄膜
が膜厚λ／４ｎ（ただし、λは制御光の波長、ｎはＳｉ
Ｏ2の屈折率）の条件を満足するように、ＳｉＯ2／Ｔｉ
Ｏ2誘電体多層膜を形成して光反射膜とした。
に、純度９９．９９％のシリカ（ＳｉＯ2）および純度
９９．９９％のチタニア（ＴｉＯ2）ターゲットを用
い、アルゴンガス雰囲気中（ガス圧力：２Ｐａ）で、高
周波マグネトロンスパッタ装置を用いて、ＳｉＯ2薄膜
が膜厚λ／４ｎ（ただし、λは制御光の波長、ｎはＳｉ
Ｏ2の屈折率）の条件を満足するように、ＳｉＯ2／Ｔｉ
Ｏ2誘電体多層膜を形成して光反射膜とした。
【００７３】さらに、光反射膜を形成した石英基板を、
光反射膜が基板を除去した部分と反対側（光反射防止膜
を形成した面と反対側）の半導体超格子の面に接するよ
うに、エポキシ系接着剤を用いて、半導体超格子と接着
した。
光反射膜が基板を除去した部分と反対側（光反射防止膜
を形成した面と反対側）の半導体超格子の面に接するよ
うに、エポキシ系接着剤を用いて、半導体超格子と接着
した。
【００７４】こうして作製した素子の吸収スペクトルに
は、超格子のエキシトン吸収が見られ、吸収のピークは
室温で４５９ｎｍにあった。さらに、４光波混合法によ
る３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近傍
において８×１０-3esuであった。
は、超格子のエキシトン吸収が見られ、吸収のピークは
室温で４５９ｎｍにあった。さらに、４光波混合法によ
る３次非線形光学感受率は、エキシトン吸収ピーク近傍
において８×１０-3esuであった。
【００７５】この素子の半導体超格子の基板側の露出面
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところに、三次非線形光学効
果により回折光が観察された。このとき、素子の非線形
応答速度は１．２ｐｓと超高速であり、遅い応答成分は
ほとんど観察されなかった。また、制御光に対する回折
光の強度は３．８％であった。また、信号光に波長４５
９ｎｍのレーザ光を用いると１．２ｐｓの応答に加え４
６ｐｓの遅い応答成分が観察された。
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４７５ｎ
ｍ）を入射し、制御光として波長４７５ｎｍのレーザ光
を法線方向から入射させたところに、三次非線形光学効
果により回折光が観察された。このとき、素子の非線形
応答速度は１．２ｐｓと超高速であり、遅い応答成分は
ほとんど観察されなかった。また、制御光に対する回折
光の強度は３．８％であった。また、信号光に波長４５
９ｎｍのレーザ光を用いると１．２ｐｓの応答に加え４
６ｐｓの遅い応答成分が観察された。
【００７６】なお、本実施例でも、上記実施例と同様
に、透明基板、接着剤、光反射膜、光反射防止膜、半導
体超格子を形成する基板をそれぞれ変更しても、上記と
同様の効果を得ることができた。
に、透明基板、接着剤、光反射膜、光反射防止膜、半導
体超格子を形成する基板をそれぞれ変更しても、上記と
同様の効果を得ることができた。
【００７７】（実施例８）本実施例では、図６に示した
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素あるいは化合物を入れた蒸着源（セル）から元
素あるいは化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸
着し、ＺｎＳｅ/ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
素子と同様の構成を有する非線形光学素子を作製した。
まず、基板ホルダーに保持した直径２インチのＧａＡｓ
基板（厚さ３００μｍ、純度９９．９９％）に、以下に
示す元素あるいは化合物を入れた蒸着源（セル）から元
素あるいは化合物を分子線エピタキシー装置を用いて蒸
着し、ＺｎＳｅ/ＺｎＭｇＳＳｅ半導体超格子を作製し
た。
【００７８】ただし、本実施例では、半導体超格子の井
戸層の厚さを２種類とした。
戸層の厚さを２種類とした。
【００７９】具体的には、Ｚｎ（純度９９．９９９
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ１５層交互に積層し、さらにその上に、Ｚｎ
Ｓｅ井戸層（１０ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０
ｎｍ）とをそれぞれ１５層交互に積層した構成の半導体
超格子を作製した。以降は、実施例７と同様にして非線
形光学素子を作製した。
％）、Ｓｅ（純度９９．９９９％）、ＺｎＳ（純度９
９．９９％）、Ｍｇ（純度９９．９９％）を加熱して蒸
発させ、セル上に配置したシャッターをコンピュータ制
御により開閉して半導体組成を制御しながらＺｎＳｅ井
戸層（５ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０ｎｍ）と
をそれぞれ１５層交互に積層し、さらにその上に、Ｚｎ
Ｓｅ井戸層（１０ｎｍ）とＺｎＭｇＳＳｅ障壁層（３０
ｎｍ）とをそれぞれ１５層交互に積層した構成の半導体
超格子を作製した。以降は、実施例７と同様にして非線
形光学素子を作製した。
【００８０】こうして作製した素子の吸収スペクトルに
は、超格子のエキシトン吸収が見られ、吸収のピークは
二種類の井戸層厚に対応して、室温で４５９ｎｍ（井戸
層：５ｎｍ）と４６８ｎｍ（井戸層：１０ｎｍ）にあっ
た。さらに、４光波混合法による３次非線形光学感受率
は、エキシトン吸収ピーク近傍において８×１０-3esu
と５×１０-3esuであった。
は、超格子のエキシトン吸収が見られ、吸収のピークは
二種類の井戸層厚に対応して、室温で４５９ｎｍ（井戸
層：５ｎｍ）と４６８ｎｍ（井戸層：１０ｎｍ）にあっ
た。さらに、４光波混合法による３次非線形光学感受率
は、エキシトン吸収ピーク近傍において８×１０-3esu
と５×１０-3esuであった。
【００８１】この素子の半導体超格子の基板側の露出面
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４８４ｎ
ｍ）を入射し、制御光４７５ｎｍと４８４ｎｍの異なる
波長のレーザ光を法線方向から入射させたところ、三次
非線形光学効果により回折光が観察された。このとき、
素子の非線形応答速度はいづれも１．２ｐｓと超高速で
あり、遅い応答成分はほとんど観察されなかった。ま
た、制御光に対する回折光の強度は３．８％と３．３％
であった。一方、信号光に波長４５９ｎｍと４６８ｎｍ
のレーザ光を用いると１．２ｐｓの応答に加え４６ｐｓ
と６０ｐｓの遅い応答成分が観察された。
に、法線方向から２度の角度で信号光（波長４８４ｎ
ｍ）を入射し、制御光４７５ｎｍと４８４ｎｍの異なる
波長のレーザ光を法線方向から入射させたところ、三次
非線形光学効果により回折光が観察された。このとき、
素子の非線形応答速度はいづれも１．２ｐｓと超高速で
あり、遅い応答成分はほとんど観察されなかった。ま
た、制御光に対する回折光の強度は３．８％と３．３％
であった。一方、信号光に波長４５９ｎｍと４６８ｎｍ
のレーザ光を用いると１．２ｐｓの応答に加え４６ｐｓ
と６０ｐｓの遅い応答成分が観察された。
【００８２】なお、本実施例でも、上記実施例と同様
に、透明基板、接着剤、光反射膜、光反射防止膜、半導
体超格子を形成する基板をそれぞれ変更しても、上記と
同様の効果を得ることができた。また、ＧａＡｓ基板の
替わりにＺｎＳｅ基板を用いても、遅い応答成分のない
素子を作製することが可能であった。
に、透明基板、接着剤、光反射膜、光反射防止膜、半導
体超格子を形成する基板をそれぞれ変更しても、上記と
同様の効果を得ることができた。また、ＧａＡｓ基板の
替わりにＺｎＳｅ基板を用いても、遅い応答成分のない
素子を作製することが可能であった。
【００８３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
超高速応答性と大きな３次の非線形光学感受率を有する
非線形光学素子を提供することができる。
超高速応答性と大きな３次の非線形光学感受率を有する
非線形光学素子を提供することができる。
【図１】 本発明の非線形光学素子の一形態を示す断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の非線形光学素子の別の一形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】 本発明の非線形光学素子のまた別の一形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】 本発明の非線形光学素子のまた別の一形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】 本発明の非線形光学素子のまた別の一形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】 本発明の非線形光学素子のまた別の一形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】 本発明の非線形光学素子の使用状態の例を示
す図である。
す図である。
【図８】 本発明の非線形光学素子の使用状態の別の例
を示す図である。
を示す図である。
１ 半導体超格子 ２ 基板 ３ 光反射防止膜 ４ 光反射膜 ５ 接着層 ６ 透明基板 ７ 信号光 ８ 反射光 ９ 制御光 １０ 回折光
Claims (15)
- 【請求項１】 基板と、前記基板上に形成されたII−VI
族半導体超格子とを含み、前記基板の一部が除去されて
前記II−VI族半導体超格子の一部が前記基板側に露出し
ていることを特徴とする非線形光学素子。 - 【請求項２】 II−VI族半導体超格子が基板側に露出し
ている面に光反射防止膜が形成されている請求項１に記
載の非線形光学素子。 - 【請求項３】 基板側に露出している面と反対側の前記
II−VI族半導体超格子の面に、光反射膜が配置されてい
る請求項１または２に記載の非線形光学素子。 - 【請求項４】 光反射膜が形成された透明基板を、II−
VI族半導体超格子が基板側に露出している面と反対側の
前記II−VI族半導体超格子の面に前記光反射膜が配置さ
れるように、前記II−VI族半導体超格子と一体化した請
求項３に記載の非線形光学素子。 - 【請求項５】 透明基板とII−VI族半導体超格子との間
に介在する接着層により、前記透明記板と前記II−VI族
半導体超格子とを一体化した請求項４に記載の非線形光
学素子。 - 【請求項６】 接着層が、エポキシ系樹脂およびシリコ
ン系樹脂から選ばれる少なくとも一つからなる請求項５
に記載の非線形光学素子の製造方法。 - 【請求項７】 光反射膜を形成する透明基板が、ＳｉＯ
2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＮおよびＡｌＮから選ばれ
る少なくとも１つからなる請求項４〜６のいずれかに記
載の非線形光学素子。 - 【請求項８】 光反射膜が、金属薄膜または誘電体多層
膜である請求項３〜７のいずれかに記載の非線形光学素
子。 - 【請求項９】 光反射防止膜が、金属酸化物膜、金属フ
ッ化物膜および誘電体多層膜から選ばれる少なくとも１
つである請求項２〜８のいずれかに記載の非線形光学素
子。 - 【請求項１０】 II−VI族半導体超格子を形成する基板
が、ＧａＡｓおよびＺｎＳｅから選ばれる少なくとも一
つである請求項１〜９のいずれかに記載の非線形光学素
子。 - 【請求項１１】 II−VI族半導体超格子において、井戸
層がＺｎＳｅおよびＺｎＣｄＳｅから選ばれる少なくと
も一つからなり、障壁層がＺｎＭｇＳＳｅおよびＺｎＳ
Ｓｅから選ばれる少なくとも一つからなる請求項１〜１
０のいずれかに記載の非線形光学素子。 - 【請求項１２】 II−VI族半導体超格子が、相互に異な
る厚さを有する井戸層を含む請求項１〜１１のいずれか
に記載の非線形光学素子。 - 【請求項１３】 基板上にII−VI族半導体超格子を形成
する工程と、前記基板の一部を除去して前記II−VI族半
導体超格子の一部を前記基板側に露出させる工程とを含
むことを特徴とする非線形光学素子の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１〜１２のいずれかに記載の非
線形光学素子の製造方法であって、II−VI族半導体超格
子、光反射防止膜および光反射膜を、分子線エピタキシ
ー法、スパッタリング法、蒸着法、化学気相成長法およ
びゾル−ゲル法から選ばれる少なくとも１つの方法によ
り形成することを特徴とする非線形光学素子の製造方
法。 - 【請求項１５】 請求項１〜１２のいずれかに記載の非
線形光学素子の使用方法であって、II−VI族半導体超格
子のエキシントン吸収ピーク波長よりも長い波長の光
を、前記II−VI族半導体超格子が露出した面に入射させ
ることを特徴とする非線形光学素子の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11052319A JP2000250079A (ja) | 1999-03-01 | 1999-03-01 | 非線形光学素子、その製造方法およびその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11052319A JP2000250079A (ja) | 1999-03-01 | 1999-03-01 | 非線形光学素子、その製造方法およびその使用方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000250079A true JP2000250079A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12911480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11052319A Pending JP2000250079A (ja) | 1999-03-01 | 1999-03-01 | 非線形光学素子、その製造方法およびその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000250079A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259815A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Japan Science & Technology Agency | 酸化物量子井戸構造及びそれを用いた光デバイス |
-
1999
- 1999-03-01 JP JP11052319A patent/JP2000250079A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005259815A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Japan Science & Technology Agency | 酸化物量子井戸構造及びそれを用いた光デバイス |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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