JP2000250209A - 感光性樹脂組成物およびその製造方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パタ
ーン形成能を有するポリイミドからなる感光性樹脂組成
物とその製造方法を提供する。 【解決手段】 （Ａ）次式の繰返し単位を含む感光性ポ
リイミド、 （但し、式中、Ｒ1 は、２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物残基
などの４価の有機基、Ｒ2 は、３，５−ジアミノ安息香
酸残基などの３価の有機基、Ｒ3 は基末にジアゾナフト
キノン又はフェノール性ＯＨをもつ１価の有機基であ
る）（Ｂ）上記の（Ａ）感光性ポリイミドの合成に用い
るジフェニル（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−
ベンゾオキサゾール）ホスホナートなどの脱水縮合剤、
（Ｃ）ジアゾナフトキノン化合物などの感光剤および
（Ｄ）溶剤からなる感光性樹脂組成物とその製造方法で
ある。
ーン形成能を有するポリイミドからなる感光性樹脂組成
物とその製造方法を提供する。 【解決手段】 （Ａ）次式の繰返し単位を含む感光性ポ
リイミド、 （但し、式中、Ｒ1 は、２，２−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物残基
などの４価の有機基、Ｒ2 は、３，５−ジアミノ安息香
酸残基などの３価の有機基、Ｒ3 は基末にジアゾナフト
キノン又はフェノール性ＯＨをもつ１価の有機基であ
る）（Ｂ）上記の（Ａ）感光性ポリイミドの合成に用い
るジフェニル（２，３−ジヒドロ−２−チオキソ−３−
ベンゾオキサゾール）ホスホナートなどの脱水縮合剤、
（Ｃ）ジアゾナフトキノン化合物などの感光剤および
（Ｄ）溶剤からなる感光性樹脂組成物とその製造方法で
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造において絶縁材料として用いられるポリイミド系
の感光性樹脂組成物およびその製造方法に関するもので
あり、本発明組成物によりＩＣやＬＳＩ等の半導体素子
上に成膜される絶縁・保護膜は、微細パターンの加工に
好適な、アルカリ水溶液に可溶なポジ型感光性膜であ
る。
の製造において絶縁材料として用いられるポリイミド系
の感光性樹脂組成物およびその製造方法に関するもので
あり、本発明組成物によりＩＣやＬＳＩ等の半導体素子
上に成膜される絶縁・保護膜は、微細パターンの加工に
好適な、アルカリ水溶液に可溶なポジ型感光性膜であ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ポリイミド樹脂は、その高い耐熱
性、耐薬品性、電気絶縁性、低誘電率等によって、半導
体を含む電気、電子分野への展開がなされており、半導
体デバイスの分野では、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩのチッ
プの層間絶縁膜や表面保護膜として利用されている。し
かし、従来の膜パターン形成方法では、ポリイミド前駆
体をウェーハ上に塗布・乾燥した後に、このポリイミド
前躯体の膜上にフォトレジストのパターンを形成して蝕
刻加工を行わなくてはならず、また、その際に有害物質
であるヒドラジン溶液をポリイミド前躯体のエッチング
液として使用しなくてはならなかった。
性、耐薬品性、電気絶縁性、低誘電率等によって、半導
体を含む電気、電子分野への展開がなされており、半導
体デバイスの分野では、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩのチッ
プの層間絶縁膜や表面保護膜として利用されている。し
かし、従来の膜パターン形成方法では、ポリイミド前駆
体をウェーハ上に塗布・乾燥した後に、このポリイミド
前躯体の膜上にフォトレジストのパターンを形成して蝕
刻加工を行わなくてはならず、また、その際に有害物質
であるヒドラジン溶液をポリイミド前躯体のエッチング
液として使用しなくてはならなかった。
【０００３】このため、ポリイミド前駆体に感光基を導
入し、ポリイミド自体のパターン形成を可能にする試み
が材料メーカー各社で行われており、幾つかの製品分野
において実用段階にきている。しかし、現在実用化され
ている感光性ポリイミドは、ポリイミド前躯体に感光基
をイオン結合で導入しているものと、エステル結合を介
して導入しているものに大別できるが、前者では、パタ
ーニングプロセスにおいて使用される露光装置に対して
感度が低く（溶解度差が低く）、また工程内で樹脂の溶
解性が低下するためにプロセスマージンが低い。また、
後者では、ポリイミド前駆体の製造に複雑な工程が必要
とされるうえに実用に耐え得る十分な高分子量のものが
得られれない。さらに、これらの樹脂はいずれも、ネガ
型のパターン形成方式を採用しており、パターン形成の
際には有機溶剤によって現像しなくてはならず、環境保
全の観点から重大な問題となっている。これらの問題か
らパターン形成の際に現像液としてアルカリ水溶液が利
用でき、かつ、この現像液に対して非膨潤で高解像度化
が可能なポジ型感光性ポリイミドが強く要求されてい
る。
入し、ポリイミド自体のパターン形成を可能にする試み
が材料メーカー各社で行われており、幾つかの製品分野
において実用段階にきている。しかし、現在実用化され
ている感光性ポリイミドは、ポリイミド前躯体に感光基
をイオン結合で導入しているものと、エステル結合を介
して導入しているものに大別できるが、前者では、パタ
ーニングプロセスにおいて使用される露光装置に対して
感度が低く（溶解度差が低く）、また工程内で樹脂の溶
解性が低下するためにプロセスマージンが低い。また、
後者では、ポリイミド前駆体の製造に複雑な工程が必要
とされるうえに実用に耐え得る十分な高分子量のものが
得られれない。さらに、これらの樹脂はいずれも、ネガ
型のパターン形成方式を採用しており、パターン形成の
際には有機溶剤によって現像しなくてはならず、環境保
全の観点から重大な問題となっている。これらの問題か
らパターン形成の際に現像液としてアルカリ水溶液が利
用でき、かつ、この現像液に対して非膨潤で高解像度化
が可能なポジ型感光性ポリイミドが強く要求されてい
る。
【０００４】一方、可溶性ポリイミドを用いた感光性樹
脂組成物の製造も試みられている。可溶性ポリイミドを
用いる利点としては、キュアの前後でパターン寸法の変
化が小さく、ウェーハ上での水の副生がないことが挙げ
られる。実際、可溶性ポリイミドを用いたポジ型感光性
樹脂組成物の報告例も数例あるが、いずれの場合もキュ
ア後のベースポリマーに水酸基が残ってしまうので、吸
湿が問題視されている。
脂組成物の製造も試みられている。可溶性ポリイミドを
用いる利点としては、キュアの前後でパターン寸法の変
化が小さく、ウェーハ上での水の副生がないことが挙げ
られる。実際、可溶性ポリイミドを用いたポジ型感光性
樹脂組成物の報告例も数例あるが、いずれの場合もキュ
ア後のベースポリマーに水酸基が残ってしまうので、吸
湿が問題視されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
した従来の欠点を解消し、アルカリ水溶液にて現像が可
能なポジ型パターン形成能を有するポリイミドの感光性
樹脂組成物とこのポリイミドの感光性樹脂組成物を安定
して製造する方法を提供することにある。
した従来の欠点を解消し、アルカリ水溶液にて現像が可
能なポジ型パターン形成能を有するポリイミドの感光性
樹脂組成物とこのポリイミドの感光性樹脂組成物を安定
して製造する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述する感光性
樹脂組成物と、その製造方法を採用することによって、
上記目的を達成できることを見いだし、本発明を完成し
たものである。
を達成しようと鋭意研究を進めた結果、後述する感光性
樹脂組成物と、その製造方法を採用することによって、
上記目的を達成できることを見いだし、本発明を完成し
たものである。
【０００７】即ち、本発明の感光性樹脂組成物は、
（Ａ）次の一般式で示される繰返し単位を含む感光性ポ
リイミド、
（Ａ）次の一般式で示される繰返し単位を含む感光性ポ
リイミド、
【化３】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −若しくは−ＣＨ2−で結
合された４価の有機基であり、Ｒ2 は、３価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された３価又は４価の芳香
族基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ
2 −若しくは−ＣＨ2 −で結合された３価又は４価の芳
香族基であり、Ｒ3 は、基末に−Ｏ−ＳＯ2 −若しくは
−ＮＨ−ＳＯ2 −を介して結合されたジアゾナフトキノ
ン環をもつ１価の有機基又は基末にフェノール性ＯＨを
もつ１価の有機基であり、ｎは１又は２の整数を表す） （Ｂ）上記の（Ａ）感光性ポリイミドを合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）活性光線に対する感度を向
上させる感光剤および（Ｄ）溶剤からなることを特徴と
するものであり、また、本発明の感光性樹脂組成物の製
造方法は、（１）下記の繰返し単位一般式中に示される
Ｒ1 骨格をもつ酸二無水物とＲ2 骨格およびカルボキシ
ル基をもつジアミン化合物との重縮合反応工程、
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −若しくは−ＣＨ2−で結
合された４価の有機基であり、Ｒ2 は、３価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された３価又は４価の芳香
族基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ
2 −若しくは−ＣＨ2 −で結合された３価又は４価の芳
香族基であり、Ｒ3 は、基末に−Ｏ−ＳＯ2 −若しくは
−ＮＨ−ＳＯ2 −を介して結合されたジアゾナフトキノ
ン環をもつ１価の有機基又は基末にフェノール性ＯＨを
もつ１価の有機基であり、ｎは１又は２の整数を表す） （Ｂ）上記の（Ａ）感光性ポリイミドを合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）活性光線に対する感度を向
上させる感光剤および（Ｄ）溶剤からなることを特徴と
するものであり、また、本発明の感光性樹脂組成物の製
造方法は、（１）下記の繰返し単位一般式中に示される
Ｒ1 骨格をもつ酸二無水物とＲ2 骨格およびカルボキシ
ル基をもつジアミン化合物との重縮合反応工程、
【化４】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −若しくは−ＣＨ2−で結
合された４価の有機基であり、Ｒ2 は、３価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された３価又は４価の芳香
族基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ
2 −若しくは−ＣＨ2 −で結合された３価又は４価の芳
香族基であり、Ｒ3 は、基末に−Ｏ−ＳＯ2 −若しくは
−ＮＨ−ＳＯ2 −を介して結合されたジアゾナフトキノ
ン環をもつ１価の有機基又は基末にフェノール性ＯＨを
もつ１価の有機基であり、ｎは１又は２の整数を表す） （２）上記重縮合反応物のイミド化反応工程、（３）上
記イミド化反応物と化２式中のＲ3 骨格をもつアルコー
ル性化合物とのエステル化反応工程、（４）上記エステ
ル化反応物の精製工程および（５）感光剤を含む樹脂溶
液の調製工程からなることを特徴とするものである。
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −若しくは−ＣＨ2−で結
合された４価の有機基であり、Ｒ2 は、３価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された３価又は４価の芳香
族基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ
2 −若しくは−ＣＨ2 −で結合された３価又は４価の芳
香族基であり、Ｒ3 は、基末に−Ｏ−ＳＯ2 −若しくは
−ＮＨ−ＳＯ2 −を介して結合されたジアゾナフトキノ
ン環をもつ１価の有機基又は基末にフェノール性ＯＨを
もつ１価の有機基であり、ｎは１又は２の整数を表す） （２）上記重縮合反応物のイミド化反応工程、（３）上
記イミド化反応物と化２式中のＲ3 骨格をもつアルコー
ル性化合物とのエステル化反応工程、（４）上記エステ
ル化反応物の精製工程および（５）感光剤を含む樹脂溶
液の調製工程からなることを特徴とするものである。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】本発明の感光性重合体組成物の製造方法に
おける上記（１）〜（５）の手順について、まず説明す
る。
おける上記（１）〜（５）の手順について、まず説明す
る。
【００１０】［化４の式中のＲ1 骨格をもつ酸二無水物
とＲ2 骨格およびカルボキシル基をもつジアミン化合物
の重縮合反応］化４式中のＲ1 骨格をもつ酸成分として
は、例えば、ピロメリット酸、３，３′，４，４′−ビ
フェニルテトラカルボン酸、２，３，３′，４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸、４，４′−オキシジフタル
酸、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，６，７−ナフタ
レンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテ
トラカルボン酸、１，４，５，８−ナフタレンテトラカ
ルボン酸、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、１，
２，４，５−シクロペンタンテトラカルボン酸、１，
２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸、３，
３′，４，４′−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸、
２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸、３，
４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフ
タレン−１−コハク酸等とその無水物が挙げられ、これ
らは単独又は混合して使用することができる。
とＲ2 骨格およびカルボキシル基をもつジアミン化合物
の重縮合反応］化４式中のＲ1 骨格をもつ酸成分として
は、例えば、ピロメリット酸、３，３′，４，４′−ビ
フェニルテトラカルボン酸、２，３，３′，４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸、４，４′−オキシジフタル
酸、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，６，７−ナフタ
レンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテ
トラカルボン酸、１，４，５，８−ナフタレンテトラカ
ルボン酸、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸、１，
２，４，５−シクロペンタンテトラカルボン酸、１，
２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸、３，
３′，４，４′−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸、
２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸、３，
４−ジカルボキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフ
タレン−１−コハク酸等とその無水物が挙げられ、これ
らは単独又は混合して使用することができる。
【００１１】さらに、Ｒ2 骨格およびカルボキシル基を
もつジアミン化合物は、３，５−ジアミノ安息香酸、
３，４−ジアミノ安息香酸、ビス（４−アミノ−３−カ
ルボキシフェニル）メタン等が挙げられ、これらは単独
又は混合して使用することができる。また、これらの化
合物と混合してカルボキシル基を置換基としてもたない
ジアミン化合物、例えば、メタフェニレンジアミン、パ
ラフェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、
２，５−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエ
ン、３，５−ジアミノトルエン、１−メトキシ−２，４
−ジアミノベンゼン、１，４−ジアミノ−２−メトキシ
−５−メチルベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−メ
チルベンゼン、２，５−ジアミノ安息香酸、１，２−ジ
アミノナフタレン、１，４−ジアミノナフタレン、１，
５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノナフタレ
ン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナ
フタレン、２，３−ジアミノナフタレン、２，６−ジア
ミノナフタレン、１，４−ジアミノ−２−メチルナフタ
レン、１，５−ジアミノ−２−メチルナフタレン、１，
３−ジアミノ−２−フェニルナフタレン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−
アミノフェニル）エタン、４，４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラメチル−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジメ
チル−５，５′−ジエチル−４，４′−ジフェニルメタ
ン、３，３′，５，５′−テトラエチル−４，４′−ジ
フェニルメタン、４，４′−メチレンビス（シクロヘキ
シルアミン）、４，４′−メチレンビス（３，３′−ジ
メチル−シクロヘキシルアミン）、２，４′−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、４，４′−ジアミノジフェニル
スルフィド、３，３′−ジアミノジフェニルスルフォ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフォン、４，
４′−ジアミノベンズアニリド、３，３′−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ビス
（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、ビス（４−ア
ミノフェニル）ジフェニルシラン、ビス（４−アミノフ
ェニル）−Ｎ−メチルアミン、ビス（４−アミノフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミン、３，３′−ジアミノベンゾ
フェノン、４，４′−ジアミノベンゾフェノン、２，６
−ジアミノピリジン、３，５−ジアミノピリジン、４，
４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジアミノビフェ
ニル、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェ
ニル、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノビフ
ェニル、３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノ
ビフェニル、ｏ−トルイジンスルフォン、４，４′−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテ
ル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルフォン、ビス［４−（３−（アミノフェノキシ）フェ
ニル］スルフォン、１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アン
トラセン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオ
レン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、１，１−ビス（４−アミノフェ
ニル）−１−フェニル−２，２，２−トリフルオロエタ
ン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミ
ノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン等が挙げられ、これらは単
独または２種以上混合して併用することができる。ま
た、これらすべてのジアミン化合物はＲ1 骨格をもつ酸
成分に対して等モルで使用するのが好ましいが、使用目
的や最終粘度、分子量を考慮して０．５〜１．５倍モル
の範囲で使用することができる。
もつジアミン化合物は、３，５−ジアミノ安息香酸、
３，４−ジアミノ安息香酸、ビス（４−アミノ−３−カ
ルボキシフェニル）メタン等が挙げられ、これらは単独
又は混合して使用することができる。また、これらの化
合物と混合してカルボキシル基を置換基としてもたない
ジアミン化合物、例えば、メタフェニレンジアミン、パ
ラフェニレンジアミン、２，４−ジアミノトルエン、
２，５−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエ
ン、３，５−ジアミノトルエン、１−メトキシ−２，４
−ジアミノベンゼン、１，４−ジアミノ−２−メトキシ
−５−メチルベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−メ
チルベンゼン、２，５−ジアミノ安息香酸、１，２−ジ
アミノナフタレン、１，４−ジアミノナフタレン、１，
５−ジアミノナフタレン、１，６−ジアミノナフタレ
ン、１，７−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナ
フタレン、２，３−ジアミノナフタレン、２，６−ジア
ミノナフタレン、１，４−ジアミノ−２−メチルナフタ
レン、１，５−ジアミノ−２−メチルナフタレン、１，
３−ジアミノ−２−フェニルナフタレン、２，２−ビス
（４−アミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−
アミノフェニル）エタン、４，４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジ
フェニルメタン、３，３′，５，５′−テトラメチル−
４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジメ
チル−５，５′−ジエチル−４，４′−ジフェニルメタ
ン、３，３′，５，５′−テトラエチル−４，４′−ジ
フェニルメタン、４，４′−メチレンビス（シクロヘキ
シルアミン）、４，４′−メチレンビス（３，３′−ジ
メチル−シクロヘキシルアミン）、２，４′−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、４，４′−ジアミノジフェニル
スルフィド、３，３′−ジアミノジフェニルスルフォ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフォン、４，
４′−ジアミノベンズアニリド、３，３′−ジアミノジ
フェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、ビス
（４−アミノフェニル）ジエチルシラン、ビス（４−ア
ミノフェニル）ジフェニルシラン、ビス（４−アミノフ
ェニル）−Ｎ−メチルアミン、ビス（４−アミノフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミン、３，３′−ジアミノベンゾ
フェノン、４，４′−ジアミノベンゾフェノン、２，６
−ジアミノピリジン、３，５−ジアミノピリジン、４，
４′−ジアミノビフェニル、３，３′−ジアミノビフェ
ニル、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェ
ニル、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノビフ
ェニル、３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノ
ビフェニル、ｏ−トルイジンスルフォン、４，４′−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテ
ル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルフォン、ビス［４−（３−（アミノフェノキシ）フェ
ニル］スルフォン、１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、９，１０−ビス（４−アミノフェニル）アン
トラセン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオ
レン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフル
オロプロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘ
キサフルオロプロパン、１，１−ビス（４−アミノフェ
ニル）−１−フェニル−２，２，２−トリフルオロエタ
ン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミ
ノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン等が挙げられ、これらは単
独または２種以上混合して併用することができる。ま
た、これらすべてのジアミン化合物はＲ1 骨格をもつ酸
成分に対して等モルで使用するのが好ましいが、使用目
的や最終粘度、分子量を考慮して０．５〜１．５倍モル
の範囲で使用することができる。
【００１２】上記Ｒ1 骨格をもつ酸成分と上記Ｒ2 骨格
およびカルボキシル基をもつジアミン化合物の重縮合反
応は、本発明におけるようにＲ1 骨格をもつ酸二無水物
とＲ 2 骨格およびカルボキシル基をもつジアミン化合物
で、反応溶媒としてはポリイミド前駆体合成に良好な非
プロトン性極性溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン等）
を用いて常温で行うのが好ましい。
およびカルボキシル基をもつジアミン化合物の重縮合反
応は、本発明におけるようにＲ1 骨格をもつ酸二無水物
とＲ 2 骨格およびカルボキシル基をもつジアミン化合物
で、反応溶媒としてはポリイミド前駆体合成に良好な非
プロトン性極性溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン等）
を用いて常温で行うのが好ましい。
【００１３】［上記重縮合反応物のイミド化反応］上記
重縮合反応液に塩基性触媒（トリエチルアミン、ピリジ
ン、トリエタノールアミン等）を加えて加熱することで
脱水環化反応は進行し、生成する水をトルエンあるいは
キシレンとの共沸蒸留で除去する。塩基性触媒は、上記
重縮合反応に使用した酸二無水物に対して１．５〜３倍
モル、好ましくは２．０〜２．５倍モルの範囲で使用す
ることができ、加熱温度は１００〜２５０℃、好ましく
は１５０〜２００℃で行う。
重縮合反応液に塩基性触媒（トリエチルアミン、ピリジ
ン、トリエタノールアミン等）を加えて加熱することで
脱水環化反応は進行し、生成する水をトルエンあるいは
キシレンとの共沸蒸留で除去する。塩基性触媒は、上記
重縮合反応に使用した酸二無水物に対して１．５〜３倍
モル、好ましくは２．０〜２．５倍モルの範囲で使用す
ることができ、加熱温度は１００〜２５０℃、好ましく
は１５０〜２００℃で行う。
【００１４】［上記イミド化反応物と化４式中のＲ3 骨
格をもつアルコール性化合物とのエステル化反応］上記
イミド化反応物にエステル結合で導入するＲ3 骨格をも
つアルコール性化合物としては、以下Ａ群（化５）およ
びＢ群（化６）のものが挙げられる。化５に示されるＡ
群のアルコール性化合物は、その末端に−Ｏ−ＳＯ2 −
若しくは−ＮＨ−ＳＯ2 −を介して結合されたジアゾナ
フトキノン環をもつアルコールである。
格をもつアルコール性化合物とのエステル化反応］上記
イミド化反応物にエステル結合で導入するＲ3 骨格をも
つアルコール性化合物としては、以下Ａ群（化５）およ
びＢ群（化６）のものが挙げられる。化５に示されるＡ
群のアルコール性化合物は、その末端に−Ｏ−ＳＯ2 −
若しくは−ＮＨ−ＳＯ2 −を介して結合されたジアゾナ
フトキノン環をもつアルコールである。
【００１５】
【化５】 また、化６に示されるＢ群のアルコール性化合物は、そ
の基末にフェノール性ＯＨをもつアルコールである。
の基末にフェノール性ＯＨをもつアルコールである。
【００１６】
【化６】 Ａ群とＢ群の導入比率は、エステル結合比率で１０：９
０〜３０：７０重量部が好ましい。Ａ群比率が高いと、
樹脂組成物のアルカリ水溶液に対する溶解性が低下し、
Ｂ群比率が高いと紫外線に対する感度が低下する。Ａ
群、Ｂ群中の化合物は、単独又は２種類以上混合して使
用できる。
０〜３０：７０重量部が好ましい。Ａ群比率が高いと、
樹脂組成物のアルカリ水溶液に対する溶解性が低下し、
Ｂ群比率が高いと紫外線に対する感度が低下する。Ａ
群、Ｂ群中の化合物は、単独又は２種類以上混合して使
用できる。
【００１７】次に本発明において使用する上記イミド化
反応物と化４式中のＲ3 骨格をもつアルコール性化合物
との脱水縮合剤について説明する。
反応物と化４式中のＲ3 骨格をもつアルコール性化合物
との脱水縮合剤について説明する。
【００１８】上記イミド化反応組成物とＲ3 骨格をもつ
アルコール性化合物をエステル化反応させる場合、通常
は、酸クロライドを用いて行われるが、半導体デバイス
を含む電気、電子分野においては、遊離したクロルイオ
ンが製品信頼性不良の原因となるため、酸クロライド法
によるエステル化を行う場合には、エステル化反応後に
純水にて十分洗浄する必要がある。また、他のエステル
化反応で脱水縮合剤として用いられるＤＣＣ（ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド）等のカルボジイミド誘導体を
用いることが可能であるが、ＤＣＣは、副反応の併
発、ポリイミドのゲル化、毒性等の問題があり、さ
らには副生成物として発生するウレアの完全な除去が困
難である。そのため、反応系を冷却したり、脱水縮合剤
を数回に分けて添加したり、エステル化反応させる化合
物のモルバランスを崩すなどして使用しなくてはならな
い。また、他の方法としては近年、本発明者らが提案を
している脱水縮合剤としてジフェニル（２，３−ジヒド
ロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾール）ホスホナ
ート及びその誘導体、ジフェニル（２，３−ジヒドロ−
２−チオキソ−３−ベンゾチアゾール）ホスホナート及
びその誘導体によるエステル化反応が挙げられ、この方
法では温和な条件で安定した製造が可能であるため、高
い解像度をもち、かつ高膜特性を有するポリイミドを得
ることができる。これらは単独又は２種以上混合して使
用することができる。これらの添加量は、上記イミド化
反応物に対して１〜３倍モルの範囲で、好ましくは２〜
２．５倍モルの範囲で使用することができる。
アルコール性化合物をエステル化反応させる場合、通常
は、酸クロライドを用いて行われるが、半導体デバイス
を含む電気、電子分野においては、遊離したクロルイオ
ンが製品信頼性不良の原因となるため、酸クロライド法
によるエステル化を行う場合には、エステル化反応後に
純水にて十分洗浄する必要がある。また、他のエステル
化反応で脱水縮合剤として用いられるＤＣＣ（ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド）等のカルボジイミド誘導体を
用いることが可能であるが、ＤＣＣは、副反応の併
発、ポリイミドのゲル化、毒性等の問題があり、さ
らには副生成物として発生するウレアの完全な除去が困
難である。そのため、反応系を冷却したり、脱水縮合剤
を数回に分けて添加したり、エステル化反応させる化合
物のモルバランスを崩すなどして使用しなくてはならな
い。また、他の方法としては近年、本発明者らが提案を
している脱水縮合剤としてジフェニル（２，３−ジヒド
ロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾール）ホスホナ
ート及びその誘導体、ジフェニル（２，３−ジヒドロ−
２−チオキソ−３−ベンゾチアゾール）ホスホナート及
びその誘導体によるエステル化反応が挙げられ、この方
法では温和な条件で安定した製造が可能であるため、高
い解像度をもち、かつ高膜特性を有するポリイミドを得
ることができる。これらは単独又は２種以上混合して使
用することができる。これらの添加量は、上記イミド化
反応物に対して１〜３倍モルの範囲で、好ましくは２〜
２．５倍モルの範囲で使用することができる。
【００１９】本発明に用いる溶剤としては、例えば、Ｎ
−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性
極性溶剤や、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等が
用いられ、これらは単独又は２種以上混合して使用する
ことができる。
−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ′−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性
極性溶剤や、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等が
用いられ、これらは単独又は２種以上混合して使用する
ことができる。
【００２０】［上記エステル化反応物の精製］更に、得
られたスラリー状エステル化反応物をメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、水等の貧溶剤中で攪
拌、洗浄した後、析出した物を減圧乾燥すれば、化４で
示される樹脂骨格を有する精製ポリイミドが得られる。
られたスラリー状エステル化反応物をメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール、水等の貧溶剤中で攪
拌、洗浄した後、析出した物を減圧乾燥すれば、化４で
示される樹脂骨格を有する精製ポリイミドが得られる。
【００２１】［感光剤を含む樹脂溶液の調製］前述によ
って製造された精製物は、半導体デバイス製造に使用さ
れる露光機の活性光線に対して感度を向上させる目的
で、例えば以下の感光剤を添加する。
って製造された精製物は、半導体デバイス製造に使用さ
れる露光機の活性光線に対して感度を向上させる目的
で、例えば以下の感光剤を添加する。
【００２２】
【化７】 本発明に用いる感光剤は、上記構造に限定されるもので
はない。また、使用にあたっては、それら感光剤を単独
もしくは複数を組み合わせて用いることが可能で、その
添加量は、上記組成物１００重量部に対して１〜１０重
量部が好ましい。添加量が１０重量部を超えると、得ら
れる塗膜の特性が低下する。
はない。また、使用にあたっては、それら感光剤を単独
もしくは複数を組み合わせて用いることが可能で、その
添加量は、上記組成物１００重量部に対して１〜１０重
量部が好ましい。添加量が１０重量部を超えると、得ら
れる塗膜の特性が低下する。
【００２３】また、本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤
に溶解した性状で使用されるが、溶解に使用される溶剤
としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ′−
ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミ
ド等の非プロトン性極性溶剤や、シクロヘキサノン、シ
クロペンタノン、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エ
チル、乳酸ブチル等が用いられ、これらは単独、もしく
は複数を組み合わせて用いることができる。
に溶解した性状で使用されるが、溶解に使用される溶剤
としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ′−
ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミ
ド等の非プロトン性極性溶剤や、シクロヘキサノン、シ
クロペンタノン、ジエチレングリコールジエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エ
チル、乳酸ブチル等が用いられ、これらは単独、もしく
は複数を組み合わせて用いることができる。
【００２４】次に本発明によって得られた樹脂組成物の
使用方法について説明する。
使用方法について説明する。
【００２５】半導体デバイスへの適用を考えた場合、ま
ず、この樹脂組成物を対象とするウェーハ上にスピンコ
ーターを用いてコーティングし、次に９０〜１００℃で
塗膜を乾燥させる。得られた塗膜上にパターンが描画さ
れているマスクを透過させて３６５ｎｍ、４３６ｎｍと
いった活性紫外線を照射する。次に、この塗膜をアルカ
リ水溶液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア等の無機ア
ルカリ水溶液やエチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の
一級アミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン
等の二級アミン、トリエチルアミン、メチルジメチルア
ミン等の三級アミン、ジメチルエタノールアミン、トリ
エタノールアミン等のアルコールアミン、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド等の四級アミンを使用して活性光線照射部
のみを溶解現像し、純水によってリンス洗浄する。現像
方式としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方
式が考えられる。これによって対象ウェーハ上には、所
望するポジ型パターンを得ることができる。さらに、こ
の塗膜を熱処理させることによってこの樹脂組成物をイ
ミド化し、膜特性に優れたポリイミド膜を形成すること
ができる。
ず、この樹脂組成物を対象とするウェーハ上にスピンコ
ーターを用いてコーティングし、次に９０〜１００℃で
塗膜を乾燥させる。得られた塗膜上にパターンが描画さ
れているマスクを透過させて３６５ｎｍ、４３６ｎｍと
いった活性紫外線を照射する。次に、この塗膜をアルカ
リ水溶液、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア等の無機ア
ルカリ水溶液やエチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の
一級アミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン
等の二級アミン、トリエチルアミン、メチルジメチルア
ミン等の三級アミン、ジメチルエタノールアミン、トリ
エタノールアミン等のアルコールアミン、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド等の四級アミンを使用して活性光線照射部
のみを溶解現像し、純水によってリンス洗浄する。現像
方式としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の方
式が考えられる。これによって対象ウェーハ上には、所
望するポジ型パターンを得ることができる。さらに、こ
の塗膜を熱処理させることによってこの樹脂組成物をイ
ミド化し、膜特性に優れたポリイミド膜を形成すること
ができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づいて
具体的に説明する。
具体的に説明する。
【００２７】実施例１ まず、窒素導入管と還流管をもつ反応フラスコに、３，
５−ジアミノ安息香酸を１ｍｏｌと２０００ｍｌのＮ−
メチル−２−ピロリドンとを加えて攪拌し、続けて２，
２′−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン１ｍｏｌを３０分間で加える。この状態
で３時間放置し、反応終了後に５００ｍｌのキシレンを
加えて２００℃で２時間加熱する。さらに加熱を続け、
キシレンを留去した後冷却し、１，２−ジアゾナフトキ
ノン−４−スルホン酸のｐ−ヒドロキシベンジルアルコ
ールエステルを０．６ｍｏｌ、４−ヒドロキシベンジル
アルコール１．５ｍｏｌを加えて３０分間攪拌溶解させ
る。次に、２．１ｍｏｌのジフェニル（２，３−ジヒド
ロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾール）ホスホナ
ートを５回に分けて添加し、その状態で５時間縮合反応
する。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール
中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機に
よって１２時間乾燥させる。更に、乾燥した固形樹脂３
０ｇを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解さ
せ、得られたスラリー状物を１μｍ濾過してサンプル１
とした。
５−ジアミノ安息香酸を１ｍｏｌと２０００ｍｌのＮ−
メチル−２−ピロリドンとを加えて攪拌し、続けて２，
２′−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン１ｍｏｌを３０分間で加える。この状態
で３時間放置し、反応終了後に５００ｍｌのキシレンを
加えて２００℃で２時間加熱する。さらに加熱を続け、
キシレンを留去した後冷却し、１，２−ジアゾナフトキ
ノン−４−スルホン酸のｐ−ヒドロキシベンジルアルコ
ールエステルを０．６ｍｏｌ、４−ヒドロキシベンジル
アルコール１．５ｍｏｌを加えて３０分間攪拌溶解させ
る。次に、２．１ｍｏｌのジフェニル（２，３−ジヒド
ロ−２−チオキソ−３−ベンゾオキサゾール）ホスホナ
ートを５回に分けて添加し、その状態で５時間縮合反応
する。得られたスラリー状の混合物を大量のメタノール
中に投入して洗浄し、得られた固形樹脂を真空乾燥機に
よって１２時間乾燥させる。更に、乾燥した固形樹脂３
０ｇを７０ｇのＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解さ
せ、得られたスラリー状物を１μｍ濾過してサンプル１
とした。
【００２８】このサンプル１をスピンコーターを用いて
６インチのシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板上
にて１００℃で３分間加熱乾燥することによって、膜厚
１０μｍの塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透
過させるフィルターを使用した紫外線露光機によって３
００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射
し、続けて２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモ
ニウムハイドライド）水溶液にて１分間のパドル現像を
行った。この操作によって塗膜の紫外線照射部のみを溶
解させたポジ型レリーフパターンを得ることができた。
得られたパターンを光学顕微鏡によって観察したとこ
ろ、１．０μｍまでのパターンがシャープに形成されて
いることが確認できた。
６インチのシリコンウェーハ上にコートし、ベーク板上
にて１００℃で３分間加熱乾燥することによって、膜厚
１０μｍの塗膜を得た。この塗膜を３６５ｎｍのみを透
過させるフィルターを使用した紫外線露光機によって３
００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギーでテストパターンを照射
し、続けて２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモ
ニウムハイドライド）水溶液にて１分間のパドル現像を
行った。この操作によって塗膜の紫外線照射部のみを溶
解させたポジ型レリーフパターンを得ることができた。
得られたパターンを光学顕微鏡によって観察したとこ
ろ、１．０μｍまでのパターンがシャープに形成されて
いることが確認できた。
【００２９】更に、このパターンを１５０℃で１時間、
２５０℃で１時間、３５０℃で１時間の加熱処理を行
い、塗膜のイミド化を完結させた。このイミドパターン
は、シリコンウェーハ上に強固に密着しており、パター
ンに樹脂クラックや剥離は観察されなかった。
２５０℃で１時間、３５０℃で１時間の加熱処理を行
い、塗膜のイミド化を完結させた。このイミドパターン
は、シリコンウェーハ上に強固に密着しており、パター
ンに樹脂クラックや剥離は観察されなかった。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明
は、ポジ型のパターン形成能をもつ感光性ポリイミド樹
脂組成物であり、パターン形成に関しては、アルカリ水
溶液を使用することが可能である。このため、得られる
パターンの現像液に対する膨潤が少なく、極めてシヤー
プな高解像度パターンを得ることができるだけでなく、
これ迄大量に発生していた有機溶剤の産業廃棄物をも全
廃することができる。また、最終的に得られるポリイミ
ド塗膜は、耐熱性や耐薬品性に優れているため、通常使
用されている半導体デバイス保護膜と同等に使用するこ
とが可能となる。
は、ポジ型のパターン形成能をもつ感光性ポリイミド樹
脂組成物であり、パターン形成に関しては、アルカリ水
溶液を使用することが可能である。このため、得られる
パターンの現像液に対する膨潤が少なく、極めてシヤー
プな高解像度パターンを得ることができるだけでなく、
これ迄大量に発生していた有機溶剤の産業廃棄物をも全
廃することができる。また、最終的に得られるポリイミ
ド塗膜は、耐熱性や耐薬品性に優れているため、通常使
用されている半導体デバイス保護膜と同等に使用するこ
とが可能となる。
【００３１】本発明は、感光性樹脂組成物に使用される
ポリイミド樹脂骨格そのものと、その製造方法に関する
ものであるが、これらは全く新規な発想に基づくもので
あり、他に類のない非常に優れた発明であることが容易
に理解できる。
ポリイミド樹脂骨格そのものと、その製造方法に関する
ものであるが、これらは全く新規な発想に基づくもので
あり、他に類のない非常に優れた発明であることが容易
に理解できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA06 AA10 AA20 AB16 AD03 BE01 BE02 BJ10 CB25 CB41 CB45 CC03 CC20 FA17 4J002 CM041 EQ017 EV217 EV227 EW126 FD206 FD207 GP03 GQ01 GQ05 HA05
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）次の一般式で示される繰返し単位
を含む感光性ポリイミド、 【化１】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −若しくは−ＣＨ2−で結
合された４価の有機基であり、Ｒ2 は、３価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された３価又は４価の芳香
族基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ
2 −若しくは−ＣＨ2 −で結合された３価又は４価の芳
香族基であり、Ｒ3 は、基末に−Ｏ−ＳＯ2 −若しくは
−ＮＨ−ＳＯ2 −を介して結合されたジアゾナフトキノ
ン環をもつ１価の有機基又は基末にフェノール性ＯＨを
もつ１価の有機基であり、ｎは１又は２の整数を表す） （Ｂ）上記の（Ａ）感光性ポリイミドを合成するにあた
り用いる脱水縮合剤、（Ｃ）活性光線に対する感度を向
上させる感光剤および（Ｄ）溶剤からなることを特徴と
する感光性樹脂組成物。 - 【請求項２】 （１）下記の繰返し単位一般式中に示さ
れるＲ1 骨格をもつ酸二無水物とＲ2 骨格およびカルボ
キシル基をもつジアミン化合物との重縮合反応工程、 【化２】 （但し、式中、Ｒ1 は、４価の芳香族基、複数の芳香族
環が単結合された４価の有機基、又は複数の芳香族環が
−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2 −若しくは−ＣＨ2−で結
合された４価の有機基であり、Ｒ2 は、３価の芳香族
基、複数の芳香族環が単結合された３価又は４価の芳香
族基、又は複数の芳香族環が−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ
2 −若しくは−ＣＨ2 −で結合された３価又は４価の芳
香族基であり、Ｒ3 は、基末に−Ｏ−ＳＯ2 −若しくは
−ＮＨ−ＳＯ2 −を介して結合されたジアゾナフトキノ
ン環をもつ１価の有機基又は基末にフェノール性ＯＨを
もつ１価の有機基であり、ｎは１又は２の整数を表す） （２）上記重縮合反応物のイミド化反応工程、（３）上
記イミド化反応物と化２式中のＲ3 骨格をもつアルコー
ル性化合物とのエステル化反応工程、（４）上記エステ
ル化反応物の精製工程および（５）感光剤を含む樹脂溶
液の調製工程からなることを特徴とする感光性樹脂組成
物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5215399A JP2000250209A (ja) | 1999-03-01 | 1999-03-01 | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5215399A JP2000250209A (ja) | 1999-03-01 | 1999-03-01 | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000250209A true JP2000250209A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=12906926
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5215399A Pending JP2000250209A (ja) | 1999-03-01 | 1999-03-01 | 感光性樹脂組成物およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000250209A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8298747B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-10-30 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part |
| US8420291B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
| US8758977B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
-
1999
- 1999-03-01 JP JP5215399A patent/JP2000250209A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8758977B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
| US8871422B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-10-28 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
| US8298747B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-10-30 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part |
| US8420291B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
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