JPH1184653A - 耐熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法 - Google Patents
耐熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法Info
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- JPH1184653A JPH1184653A JP9246813A JP24681397A JPH1184653A JP H1184653 A JPH1184653 A JP H1184653A JP 9246813 A JP9246813 A JP 9246813A JP 24681397 A JP24681397 A JP 24681397A JP H1184653 A JPH1184653 A JP H1184653A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度が高く、現像時間を短くでき、形成され
た膜の諸特性、特に、基板との接着性が良いポジ型の耐
熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法を提供す
る。 【解決手段】 （ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2はフェノール性
水酸基を有する２価の有機基を示す）で表される繰り返
し単位を有するポリイミド、（ｂ）一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ3は４価の有機基を示し、Ｒ4は２価の有機基
を示し、Ｒ5は１価の有機基を示し、ｑは１以上の整数
を示す）で表される繰り返し単位を有するポリアミド
酸、並びに（ｃ）光酸発生剤を含有してなる耐熱性感光
性重合体組成物及びこの耐熱性感光性重合体組成物を支
持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像す
る工程及び加熱処理する工程を含むパターンの製造法。
た膜の諸特性、特に、基板との接着性が良いポジ型の耐
熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法を提供す
る。 【解決手段】 （ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2はフェノール性
水酸基を有する２価の有機基を示す）で表される繰り返
し単位を有するポリイミド、（ｂ）一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ3は４価の有機基を示し、Ｒ4は２価の有機基
を示し、Ｒ5は１価の有機基を示し、ｑは１以上の整数
を示す）で表される繰り返し単位を有するポリアミド
酸、並びに（ｃ）光酸発生剤を含有してなる耐熱性感光
性重合体組成物及びこの耐熱性感光性重合体組成物を支
持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像す
る工程及び加熱処理する工程を含むパターンの製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性感光性重合
体組成物及びこの組成物を用いたパターンの製造法に関
し、さらに詳しくは、加熱処理により半導体素子等の電
子部品の表面保護膜、層間絶縁膜等として適用可能なポ
リイミド系耐熱性高分子となるポジ型の耐熱性感光性重
合体組成物及びこの組成物を用いたパターンの製造法に
関する。
体組成物及びこの組成物を用いたパターンの製造法に関
し、さらに詳しくは、加熱処理により半導体素子等の電
子部品の表面保護膜、層間絶縁膜等として適用可能なポ
リイミド系耐熱性高分子となるポジ型の耐熱性感光性重
合体組成物及びこの組成物を用いたパターンの製造法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドは耐熱性及び機械特性に優
れ、また、膜形成が容易であり、表面を平坦化できる等
の利点から、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜とし
て広く使用されている。ポリイミドを表面保護膜又は層
間絶縁膜として使用する場合、スルーホール等の形成工
程は、主にポジ型のホトレジストを用いるエッチングプ
ロセスによって行われている。しかし、工程にはホトレ
ジストの塗布や剥離が含まれ、煩雑であるという問題が
ある。そこで作業工程の合理化を目的に感光性を兼ね備
えた耐熱性材料の検討がなされてきた。
れ、また、膜形成が容易であり、表面を平坦化できる等
の利点から、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜とし
て広く使用されている。ポリイミドを表面保護膜又は層
間絶縁膜として使用する場合、スルーホール等の形成工
程は、主にポジ型のホトレジストを用いるエッチングプ
ロセスによって行われている。しかし、工程にはホトレ
ジストの塗布や剥離が含まれ、煩雑であるという問題が
ある。そこで作業工程の合理化を目的に感光性を兼ね備
えた耐熱性材料の検討がなされてきた。
【０００３】感光性ポリイミド組成物に関しては、１．
エステル結合により感光基を導入したポリイミド前駆体
組成物（特公昭５２−３０２０７号公報等）、２．ポリ
アミド酸に化学線により２量化または重合可能な炭素−
炭素二重結合及びアミノ基と芳香族ビスアジドを含む化
合物を添加した組成物（特公平３−３６８６１号公報
等）が知られている。
エステル結合により感光基を導入したポリイミド前駆体
組成物（特公昭５２−３０２０７号公報等）、２．ポリ
アミド酸に化学線により２量化または重合可能な炭素−
炭素二重結合及びアミノ基と芳香族ビスアジドを含む化
合物を添加した組成物（特公平３−３６８６１号公報
等）が知られている。
【０００４】感光性ポリイミド組成物の使用に際して
は、通常、溶液状態で基板上に塗布後乾燥し、マスクを
介して活性光線を照射し、露光部を現像液で除去し、パ
ターンを形成する。しかし、上記１，２の組成物はネガ
型であり、また、現像に有機溶剤を使用する。そのた
め、ポジ型のホトレジストを用いるエッチングプロセス
からネガ型の感光性ポリイミドに切り替えるためには、
露光装置のマスクや現像設備の変更が必要になるという
問題点がある。
は、通常、溶液状態で基板上に塗布後乾燥し、マスクを
介して活性光線を照射し、露光部を現像液で除去し、パ
ターンを形成する。しかし、上記１，２の組成物はネガ
型であり、また、現像に有機溶剤を使用する。そのた
め、ポジ型のホトレジストを用いるエッチングプロセス
からネガ型の感光性ポリイミドに切り替えるためには、
露光装置のマスクや現像設備の変更が必要になるという
問題点がある。
【０００５】一方、ポジ型感光性ポリイミドに関して
は、３．ｏ−ニトロベンジル基をエステル結合により導
入したポリイミド前駆体（特開昭６０−３７５５０号公
報）、４．ヒドロキシ基を含むポリイミドとｏ−キノン
ジアジド化合物を含む組成物（特開昭６４−６０６３０
号公報、特開平３−２０９４７８号公報）等が知られて
いる。しかし、上記３は感光する波長が主に３００nm以
下であるため、感度が低いという問題がある。上記４は
形成される膜と基板との接着性が悪いため、基板に前処
理をしなければならないという問題がある。このよう
に、十分な特性を有するポジ型感光性ポリイミドは得ら
れていないのが現状である。
は、３．ｏ−ニトロベンジル基をエステル結合により導
入したポリイミド前駆体（特開昭６０−３７５５０号公
報）、４．ヒドロキシ基を含むポリイミドとｏ−キノン
ジアジド化合物を含む組成物（特開昭６４−６０６３０
号公報、特開平３−２０９４７８号公報）等が知られて
いる。しかし、上記３は感光する波長が主に３００nm以
下であるため、感度が低いという問題がある。上記４は
形成される膜と基板との接着性が悪いため、基板に前処
理をしなければならないという問題がある。このよう
に、十分な特性を有するポジ型感光性ポリイミドは得ら
れていないのが現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記した従来
技術の問題点を克服するものである。すなわち、請求項
１記載の発明は、感度が高く、現像時間を短くでき、形
成された膜の諸特性、特に、基板との接着性が良いポジ
型の耐熱性感光性重合体組成物に関する。また、請求項
２記載の発明は、感度が高く、現像時間を短くでき、形
成された膜の諸特性、特に、基板との接着性が良いパタ
ーンの製造法を提供するものである。
技術の問題点を克服するものである。すなわち、請求項
１記載の発明は、感度が高く、現像時間を短くでき、形
成された膜の諸特性、特に、基板との接着性が良いポジ
型の耐熱性感光性重合体組成物に関する。また、請求項
２記載の発明は、感度が高く、現像時間を短くでき、形
成された膜の諸特性、特に、基板との接着性が良いパタ
ーンの製造法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）一般式
（Ｉ）
（Ｉ）
【化３】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2はフェノール性
水酸基を有する２価の有機基を示す）で表される繰り返
し単位を有するポリイミド、（ｂ）一般式（II）
水酸基を有する２価の有機基を示す）で表される繰り返
し単位を有するポリイミド、（ｂ）一般式（II）
【化４】 （式中、Ｒ3は４価の有機基を示し、Ｒ4は２価の有機基
を示し、Ｒ5は１価の有機基を示し、ｑは１以上の整数
を示す）で表される繰り返し単位を有するポリアミド
酸、並びに（ｃ）光酸発生剤を含有してなる耐熱性感光
性重合体組成物に関する。
を示し、Ｒ5は１価の有機基を示し、ｑは１以上の整数
を示す）で表される繰り返し単位を有するポリアミド
酸、並びに（ｃ）光酸発生剤を含有してなる耐熱性感光
性重合体組成物に関する。
【０００８】また本発明は、前記耐熱性感光性重合体組
成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工
程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むレリーフ
パターンの製造法に関する。
成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工
程、現像する工程及び加熱処理する工程を含むレリーフ
パターンの製造法に関する。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明における（ａ）成分は前記
一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリイミ
ドである。前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1で示される
４価の有機基とはポリイミド又はポリイミドイソインド
ロキナゾリンジオンの原料になるテトラカルボン酸、そ
の二無水物又はそれらの誘導体の残基であり、４価の芳
香族基又は脂肪族基が好ましく、炭素原子数が４〜４０
のものがより好ましく、炭素原子数が４〜４０の４価の
芳香族基がさらに好ましい。４価の芳香族基としては、
芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環等）を含み、４個の
結合部位はいずれも芳香環からでているものであること
が好ましい。これらの結合部位は、２組の２個の結合部
位に分けられ、その２個の結合部位が芳香環のオルト位
又はペリ位に位置するものであることが好ましい。前記
の２組は同一の芳香環からでていてもよいし、各種結合
を介して結合している別々の芳香環からでていてもよ
い。
一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリイミ
ドである。前記一般式（Ｉ）において、Ｒ1で示される
４価の有機基とはポリイミド又はポリイミドイソインド
ロキナゾリンジオンの原料になるテトラカルボン酸、そ
の二無水物又はそれらの誘導体の残基であり、４価の芳
香族基又は脂肪族基が好ましく、炭素原子数が４〜４０
のものがより好ましく、炭素原子数が４〜４０の４価の
芳香族基がさらに好ましい。４価の芳香族基としては、
芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環等）を含み、４個の
結合部位はいずれも芳香環からでているものであること
が好ましい。これらの結合部位は、２組の２個の結合部
位に分けられ、その２個の結合部位が芳香環のオルト位
又はペリ位に位置するものであることが好ましい。前記
の２組は同一の芳香環からでていてもよいし、各種結合
を介して結合している別々の芳香環からでていてもよ
い。
【００１０】一般式（Ｉ）において、Ｒ2で示されるフ
ェノール性水酸基を有する２価の有機基とは、フェノー
ル性水酸基を有するジアミン化合物のアミノ基を除いた
残基であり、芳香族基又は脂肪族基が好ましく、炭素原
子数が２〜４０のものがより好ましく、炭素原子数が２
〜４０の芳香族基がさらに好ましい。ここで、芳香族基
としては、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環等）を含
み、その２個の結合部位が芳香環から直接でていること
が好ましく、この場合同一の芳香環からでていても異な
った芳香環から出ていてもよい。また、フェノール性水
酸基は１〜８有することが好ましく、これらも芳香環に
直接結合しているものが好ましい。
ェノール性水酸基を有する２価の有機基とは、フェノー
ル性水酸基を有するジアミン化合物のアミノ基を除いた
残基であり、芳香族基又は脂肪族基が好ましく、炭素原
子数が２〜４０のものがより好ましく、炭素原子数が２
〜４０の芳香族基がさらに好ましい。ここで、芳香族基
としては、芳香環（ベンゼン環、ナフタレン環等）を含
み、その２個の結合部位が芳香環から直接でていること
が好ましく、この場合同一の芳香環からでていても異な
った芳香環から出ていてもよい。また、フェノール性水
酸基は１〜８有することが好ましく、これらも芳香環に
直接結合しているものが好ましい。
【００１１】（ａ）成分において、一般式（Ｉ）で表さ
れる繰り返し単位以外の構成単位を有してもよい。例え
ば、下記一般式（III）
れる繰り返し単位以外の構成単位を有してもよい。例え
ば、下記一般式（III）
【化５】 （式中、Ｒ6は４価の有機基を示し、Ｒ7はフェノール性
水酸基を有しない２価の有機基を示す）で表される繰り
返し単位を有してもよい。
水酸基を有しない２価の有機基を示す）で表される繰り
返し単位を有してもよい。
【００１２】一般式（III）において、Ｒ6で示される４
価の有機基の説明としては、前記Ｒ1の説明と同様であ
る。また、一般式（III）において、Ｒ7で示されるフェ
ノール性水酸基を有しない２価の有機基の説明は、前記
Ｒ2の説明においてフェノール性水酸基を有しないこと
を除いて、Ｒ2の説明と同様である。
価の有機基の説明としては、前記Ｒ1の説明と同様であ
る。また、一般式（III）において、Ｒ7で示されるフェ
ノール性水酸基を有しない２価の有機基の説明は、前記
Ｒ2の説明においてフェノール性水酸基を有しないこと
を除いて、Ｒ2の説明と同様である。
【００１３】（ａ）成分において、一般式（Ｉ）と一般
式（III）の繰り返し単位の比は、前者の数をｍ、後者
の数をｎとしたときのｍ／（ｍ＋ｎ）で、０．２〜１で
あることが好ましく、０．４〜１であることがより好ま
しい。この数値が０．２未満であるとアルカリ水溶液へ
の溶解性が劣る傾向にある。
式（III）の繰り返し単位の比は、前者の数をｍ、後者
の数をｎとしたときのｍ／（ｍ＋ｎ）で、０．２〜１で
あることが好ましく、０．４〜１であることがより好ま
しい。この数値が０．２未満であるとアルカリ水溶液へ
の溶解性が劣る傾向にある。
【００１４】（ａ）成分の分子量としては、重量平均分
子量で３，０００〜２００，０００が好ましく、５，０
００〜１００，０００がより好ましい。分子量は、ゲル
パーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、
標準ポリスチレン検量線を用いて換算し、値を得ること
ができる。なお、一般式（Ｉ）及び一般式（III）にお
いて、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ6及びＲ7で示される基は同一でも異
なっていてもよい。
子量で３，０００〜２００，０００が好ましく、５，０
００〜１００，０００がより好ましい。分子量は、ゲル
パーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、
標準ポリスチレン検量線を用いて換算し、値を得ること
ができる。なお、一般式（Ｉ）及び一般式（III）にお
いて、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ6及びＲ7で示される基は同一でも異
なっていてもよい。
【００１５】本発明において、（ａ）成分は、例えば、
テトラカルボン酸二無水物と、フェノール性水酸基を有
するジアミン化合物と、さらに必要に応じてフェノール
性水酸基を有しないジアミン化合物とを反応させてポリ
アミド酸とした後、加熱によるイミド化反応により得る
ことができる。この場合、反応は有機溶媒中で行うこと
が好ましい。
テトラカルボン酸二無水物と、フェノール性水酸基を有
するジアミン化合物と、さらに必要に応じてフェノール
性水酸基を有しないジアミン化合物とを反応させてポリ
アミド酸とした後、加熱によるイミド化反応により得る
ことができる。この場合、反応は有機溶媒中で行うこと
が好ましい。
【００１６】前記テトラカルボン酸二無水物としては、
例えばピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
２′，３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二
無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−テトラ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン二無水物等の芳香族系テトラカルボン酸二酸無水
物が好ましく、これらを単独で又は２種以上組み合わせ
て使用することができる。
例えばピロメリット酸二無水物、３，３′，４，４′−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３′，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
２′，３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェニルエーテ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二
無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−テトラ
フェニルシランテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン二無水物等の芳香族系テトラカルボン酸二酸無水
物が好ましく、これらを単独で又は２種以上組み合わせ
て使用することができる。
【００１７】また、フェノール性水酸基を有するジアミ
ンとしては、例えば、１，３−ジアミノ−４−ヒドロキ
シベンゼン、１，３−ジアミノ−５−ヒドロキシベンゼ
ン、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキシビフ
ェニル、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジヒドロキシ
ビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
フェニル）スルホン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シフェニル）エーテル、ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシフェニル）エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−
アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン等の芳香族系ジアミン化合物が好ましく、これらを
単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。
ンとしては、例えば、１，３−ジアミノ−４−ヒドロキ
シベンゼン、１，３−ジアミノ−５−ヒドロキシベンゼ
ン、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキシビフ
ェニル、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジヒドロキシ
ビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシ
フェニル）スルホン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキ
シフェニル）エーテル、ビス（４−アミノ−３−ヒドロ
キシフェニル）エーテル、ビス（３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−
アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロ
パン等の芳香族系ジアミン化合物が好ましく、これらを
単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。
【００１８】フェノール性水酸基を有しないジアミンと
しては、例えば、４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−
ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、ベンジシン、ｍ−フェニレンジアミ
ン、ｐ−フェニレンジアミン、１，５−ナフタレンジア
ミン、２，６−ナフタレンジアミン、ビス（４−アミノ
フェノキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェ
ノキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェノキ
シ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン等の芳香族ジアミン化合物が好ましく、
これらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いること
ができる。
しては、例えば、４，４′−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−
ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、ベンジシン、ｍ−フェニレンジアミ
ン、ｐ−フェニレンジアミン、１，５−ナフタレンジア
ミン、２，６−ナフタレンジアミン、ビス（４−アミノ
フェノキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェ
ノキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェノキ
シ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン等の芳香族ジアミン化合物が好ましく、
これらを単独で又は２種以上を組み合わせて用いること
ができる。
【００１９】その他、耐熱性向上のために、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル−３−スルホンアミド、
３，４′−ジアミノジフェニルエーテル−４−スルホン
アミド、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル−３′
−スルホンアミド、３，３′−ジアミノジフェニルエー
テル−４−スルホンアミド、４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル−３−カルボキサミド、３，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル−４−カルボキサミド、３，４′
−ジアミノジフェニルエーテル−３′−カルボキサミ
ド、３，３′−ジアミノジフェニルエーテル−４−カル
ボキサミド等のスルホンアミド基又はカルボキサミド基
を有するジアミン化合物を単独で又は２種以上併用する
ことができ、併用する場合、これらはジアミン化合物の
総量中、１５モル％以下で使用することが好ましく、１
０モル％以下の範囲で使用することがより好ましい。
ジアミノジフェニルエーテル−３−スルホンアミド、
３，４′−ジアミノジフェニルエーテル−４−スルホン
アミド、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル−３′
−スルホンアミド、３，３′−ジアミノジフェニルエー
テル−４−スルホンアミド、４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル−３−カルボキサミド、３，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル−４−カルボキサミド、３，４′
−ジアミノジフェニルエーテル−３′−カルボキサミ
ド、３，３′−ジアミノジフェニルエーテル−４−カル
ボキサミド等のスルホンアミド基又はカルボキサミド基
を有するジアミン化合物を単独で又は２種以上併用する
ことができ、併用する場合、これらはジアミン化合物の
総量中、１５モル％以下で使用することが好ましく、１
０モル％以下の範囲で使用することがより好ましい。
【００２０】前記ポリアミド酸を合成する方法は公知で
あり、例えば、前記テトラカルボン酸二無水物と前記ジ
アミン化合物を溶液中で反応させたることにより得られ
る。テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物の割合
（モル比）は、前者／後者で１／０．７〜０．７／１の
範囲とするのが好ましく、１／０．８〜０．８／１の範
囲とするのがより好ましい。反応温度は２０〜１００℃
が好ましく、反応時間は１〜２４時間が好ましい。
あり、例えば、前記テトラカルボン酸二無水物と前記ジ
アミン化合物を溶液中で反応させたることにより得られ
る。テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物の割合
（モル比）は、前者／後者で１／０．７〜０．７／１の
範囲とするのが好ましく、１／０．８〜０．８／１の範
囲とするのがより好ましい。反応温度は２０〜１００℃
が好ましく、反応時間は１〜２４時間が好ましい。
【００２１】反応に使用される溶媒としては、例えばＮ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド等の非プロトン性極性溶剤が好ましく、これらは
単独で又は２種以上併用して用いられる。
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド等の非プロトン性極性溶剤が好ましく、これらは
単独で又は２種以上併用して用いられる。
【００２２】加熱によりポリアミド酸をポリイミドにす
る方法は公知であり、例えば、有機溶剤中で合成したポ
リアミド酸をキシレン等の存在下に加熱し、イミド化反
応により生成する水をキシレンと供沸により除去した
後、水などの貧溶剤に投入し、析出物をろ別、乾燥する
ことにより得られる。反応温度は１５０〜２００℃が好
ましく、反応時間は１〜１０時間が好ましい。
る方法は公知であり、例えば、有機溶剤中で合成したポ
リアミド酸をキシレン等の存在下に加熱し、イミド化反
応により生成する水をキシレンと供沸により除去した
後、水などの貧溶剤に投入し、析出物をろ別、乾燥する
ことにより得られる。反応温度は１５０〜２００℃が好
ましく、反応時間は１〜１０時間が好ましい。
【００２３】フェノール性水酸基を有しないジアミン化
合物を併用する場合、フェノール性水酸基を有するジア
ミン化合物とフェノール性水酸基を有しないジアミン化
合物の使用割合は、前者２０〜１００モル％、後者８０
〜０モル％で全体が１００モル％になるように使用され
るのが好ましく、前者４０〜１００モル％、後者６０〜
０モル％で全体が１００モル％になるように使用される
のがより好ましい。前者のジアミン化合物は、ポリイミ
ドにアルカリ水溶液に対する溶解性を付与するために使
用されるが、これが２０モル％未満であると感度が低下
したり、現像時間が長くなる傾向にある。
合物を併用する場合、フェノール性水酸基を有するジア
ミン化合物とフェノール性水酸基を有しないジアミン化
合物の使用割合は、前者２０〜１００モル％、後者８０
〜０モル％で全体が１００モル％になるように使用され
るのが好ましく、前者４０〜１００モル％、後者６０〜
０モル％で全体が１００モル％になるように使用される
のがより好ましい。前者のジアミン化合物は、ポリイミ
ドにアルカリ水溶液に対する溶解性を付与するために使
用されるが、これが２０モル％未満であると感度が低下
したり、現像時間が長くなる傾向にある。
【００２４】本発明における（ｂ）成分は前記一般式
（II）で示される繰り返し単位を有するシロキサン構造
を有するポリアミド酸である。前記一般式（II）におい
て、Ｒ3で示される４価の有機基とは、ポリイミド又は
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオンの原料になる
テトラカルボン酸二無水物の残基であり、４価の芳香族
基又は脂肪族基が好ましく、炭素原子数が４〜４０のも
のがより好ましく、炭素原子数が４〜４０の４価の芳香
族基がさらに好ましい。４価の芳香族基としては、芳香
環（ベンゼン環、ナフタレン環等）を含み、４個の結合
部位はいずれも芳香環からでているものであることが好
ましい。これらの結合部位は、２組の２個の結合部位に
分けられ、その２個の結合部位が芳香環の隣り合う炭素
に存在する（即ち、オルト位に位置するもの）であるこ
とが好ましい。前記の２組は同一の芳香環からでていて
もよいし、各種結合を介して結合している別々の芳香環
からでていてもよい。
（II）で示される繰り返し単位を有するシロキサン構造
を有するポリアミド酸である。前記一般式（II）におい
て、Ｒ3で示される４価の有機基とは、ポリイミド又は
ポリイミドイソインドロキナゾリンジオンの原料になる
テトラカルボン酸二無水物の残基であり、４価の芳香族
基又は脂肪族基が好ましく、炭素原子数が４〜４０のも
のがより好ましく、炭素原子数が４〜４０の４価の芳香
族基がさらに好ましい。４価の芳香族基としては、芳香
環（ベンゼン環、ナフタレン環等）を含み、４個の結合
部位はいずれも芳香環からでているものであることが好
ましい。これらの結合部位は、２組の２個の結合部位に
分けられ、その２個の結合部位が芳香環の隣り合う炭素
に存在する（即ち、オルト位に位置するもの）であるこ
とが好ましい。前記の２組は同一の芳香環からでていて
もよいし、各種結合を介して結合している別々の芳香環
からでていてもよい。
【００２５】前記一般式（II）において、２つのＲ4で
挟まれる部分はシリコーンジアミン化合物のアミノ基を
除いた残基であり、この部分は全体として炭素原子数が
６〜４０のものが好ましい。Ｒ5で示される２価の有機
基としては、炭素原子数が１〜１０のものが好ましく、
前記炭素原子数のアルキレン基、フェニレン基等が好ま
しいものとして挙げられ、２つのＲ5は同一でも異なっ
ていてもよい。Ｒ6で示される１価の有機基としては、
炭素原子数１〜５の有機基が好ましく、前記炭素原子数
のアルキル基又はフェニル基が好ましい。
挟まれる部分はシリコーンジアミン化合物のアミノ基を
除いた残基であり、この部分は全体として炭素原子数が
６〜４０のものが好ましい。Ｒ5で示される２価の有機
基としては、炭素原子数が１〜１０のものが好ましく、
前記炭素原子数のアルキレン基、フェニレン基等が好ま
しいものとして挙げられ、２つのＲ5は同一でも異なっ
ていてもよい。Ｒ6で示される１価の有機基としては、
炭素原子数１〜５の有機基が好ましく、前記炭素原子数
のアルキル基又はフェニル基が好ましい。
【００２６】（ｂ）成分において、一般式（II）で表さ
れる繰り返し単位以外の構成単位を有してもよい。例え
ば、下記一般式（IV）
れる繰り返し単位以外の構成単位を有してもよい。例え
ば、下記一般式（IV）
【化６】 （式中、Ｒ8は４価の有機基を示し、Ｒ9は２価の有機基
を示す）で表される繰り返し単位を有してもよい。
を示す）で表される繰り返し単位を有してもよい。
【００２７】一般式（IV）において、Ｒ8で示される４
価の有機基の説明は、前記一般式（Ｉ）におけるＲ1の
説明と同様である。また、Ｒ9で示される２価の有機基
はポリイミド又はポリイミドイソインドロキナゾリンジ
オンの原料になるジアミン化合物の残基であり、前記一
般式（Ｉ）におけるＲ2の説明において、カルボキシル
基又はフェノール性水酸基を有していなくてもよいこと
を除いて、同様である。
価の有機基の説明は、前記一般式（Ｉ）におけるＲ1の
説明と同様である。また、Ｒ9で示される２価の有機基
はポリイミド又はポリイミドイソインドロキナゾリンジ
オンの原料になるジアミン化合物の残基であり、前記一
般式（Ｉ）におけるＲ2の説明において、カルボキシル
基又はフェノール性水酸基を有していなくてもよいこと
を除いて、同様である。
【００２８】（ｂ）成分において、一般式（II）と一般
式（IV）の繰り返し単位の比は、前者の数をｏ、後者の
数をｐとしたときのｏ／（ｏ＋ｐ）で、０．３〜１であ
ることが好ましく、０．４〜１であることがより好まし
い。この数値が０．３未満であると基材への接着性が低
下する傾向にある。
式（IV）の繰り返し単位の比は、前者の数をｏ、後者の
数をｐとしたときのｏ／（ｏ＋ｐ）で、０．３〜１であ
ることが好ましく、０．４〜１であることがより好まし
い。この数値が０．３未満であると基材への接着性が低
下する傾向にある。
【００２９】（ｂ）成分の分子量としては、重量平均分
子量で１，０００〜１００，０００が好ましく、５，０
００〜１００，０００がより好ましい。分子量は、ゲル
パーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、
標準ポリスチレン検量線を用いて換算し、値を得ること
ができる。なお、一般式（II）及び一般式（IV）の複数
の繰り返し単位において、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8及びＲ9
で示される基は同一でも異なっていてもよい。
子量で１，０００〜１００，０００が好ましく、５，０
００〜１００，０００がより好ましい。分子量は、ゲル
パーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、
標準ポリスチレン検量線を用いて換算し、値を得ること
ができる。なお、一般式（II）及び一般式（IV）の複数
の繰り返し単位において、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8及びＲ9
で示される基は同一でも異なっていてもよい。
【００３０】本発明において、（ｂ）成分は、テトラカ
ルボン酸二無水物、下記一般式（Ｖ）
ルボン酸二無水物、下記一般式（Ｖ）
【化７】 （式中、Ｒ4、Ｒ5及びｑは一般式（II）に同じである）
で表されるジアミン化合物及び必要に応じてその他のジ
アミン化合物を溶液中で反応させて得ることができる。
テトラカルボン酸二無水物としては、前記したもの等を
単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。
で表されるジアミン化合物及び必要に応じてその他のジ
アミン化合物を溶液中で反応させて得ることができる。
テトラカルボン酸二無水物としては、前記したもの等を
単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。
【００３１】前記一般式（Ｖ）で表されるジアミン化合
物としては、例えば
物としては、例えば
【化８】 等の化合物を用いることができる。
【００３２】また市販品としては、一般式（Ｖ）におい
て、Ｒ4がどちらもトリメチレン基でありＲ5がいずれも
メチル基である場合に、ｑが１のもの、平均１０前後の
もの、平均２０前後のもの、平均３０前後のもの及び平
均５０前後のものは、それぞれ、ＬＰ−７１００、Ｘ−
２２−１６１ＡＳ、Ｘ−２２−１６１Ａ、Ｘ−２２−１
６１Ｂ、Ｘ−２２−１６１Ｃ及びＸ−２２−１６１Ｅ
（いずれも信越化学工業株式会社製、商品名）が好まし
いものとして挙げられる。その他のジアミン化合物とし
ては、前記（ａ）成分の説明で挙げたジアミン化合物が
挙げられ、これらを単独で又は２種以上を組み合わせて
使用される。
て、Ｒ4がどちらもトリメチレン基でありＲ5がいずれも
メチル基である場合に、ｑが１のもの、平均１０前後の
もの、平均２０前後のもの、平均３０前後のもの及び平
均５０前後のものは、それぞれ、ＬＰ−７１００、Ｘ−
２２−１６１ＡＳ、Ｘ−２２−１６１Ａ、Ｘ−２２−１
６１Ｂ、Ｘ−２２−１６１Ｃ及びＸ−２２−１６１Ｅ
（いずれも信越化学工業株式会社製、商品名）が好まし
いものとして挙げられる。その他のジアミン化合物とし
ては、前記（ａ）成分の説明で挙げたジアミン化合物が
挙げられ、これらを単独で又は２種以上を組み合わせて
使用される。
【００３３】反応に使用される溶媒としては、例えばＮ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、γ−ブチロラクトン等の非プロトン性極性溶
剤が好ましく、これらは単独で又は２種以上併用して用
いられる。
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホ
キシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレン
スルホン、γ−ブチロラクトン等の非プロトン性極性溶
剤が好ましく、これらは単独で又は２種以上併用して用
いられる。
【００３４】（ｂ）成分を製造する際、好ましくは先ず
ジアミン化合物を上記の非プロトン性溶剤に溶解した
後、テトラカルボン酸二無水物を加え、好ましくは約８
０℃以下、より好ましくは室温付近ないしそれ以下の温
度を保ちながら撹拌する。一般式（Ｖ）で示されるジア
ミン化合物とその他のジアミン化合物の好ましい配合比
（モル比）は、前者／後者で７／３〜１／０の範囲であ
る。全ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物の好
ましい配合比（モル比）は、０．８／１〜１／０．８の
範囲とされ、より好ましくは０．９／１〜１／０．９の
範囲とされる。反応時間は３〜２４時間が好ましい。
ジアミン化合物を上記の非プロトン性溶剤に溶解した
後、テトラカルボン酸二無水物を加え、好ましくは約８
０℃以下、より好ましくは室温付近ないしそれ以下の温
度を保ちながら撹拌する。一般式（Ｖ）で示されるジア
ミン化合物とその他のジアミン化合物の好ましい配合比
（モル比）は、前者／後者で７／３〜１／０の範囲であ
る。全ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物の好
ましい配合比（モル比）は、０．８／１〜１／０．８の
範囲とされ、より好ましくは０．９／１〜１／０．９の
範囲とされる。反応時間は３〜２４時間が好ましい。
【００３５】本発明の耐熱性感光性重合体組成物におい
て、（ｂ）成分の配合量は、形成した膜と基板との接着
性と残膜率の許容幅の点から、（ａ）成分１００重量部
に対して、１〜５０重量部が好ましく、２〜２０重量部
がより好ましい。
て、（ｂ）成分の配合量は、形成した膜と基板との接着
性と残膜率の許容幅の点から、（ａ）成分１００重量部
に対して、１〜５０重量部が好ましく、２〜２０重量部
がより好ましい。
【００３６】本発明に使用される（ｃ）成分である光酸
発生剤は感光剤であり、光照射により、酸を発生させ、
照射部のアルカリ可溶性を増大させる機能を有するもの
であり、特に制限はされないが、光照射により３−イン
デンカルボン酸型に変化するｏ−キノンジアジド化合物
がその効果が高く好ましいものとして挙げられる。ｏ−
キノンジアジド化合物は、例えば、キノンジアジドスル
ホニルクロリド類とヒドロキシ化合物、アミノ化合物な
どとを脱塩酸性触媒の存在下で縮合反応させて得られ
る。前記ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリド類とし
ては、例えば、ベンゾキノン−１，２−ジアジド−４−
スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−ジアジド
−５−スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−ジ
アジド−４−スルホニルクロリド等が使用できる。
発生剤は感光剤であり、光照射により、酸を発生させ、
照射部のアルカリ可溶性を増大させる機能を有するもの
であり、特に制限はされないが、光照射により３−イン
デンカルボン酸型に変化するｏ−キノンジアジド化合物
がその効果が高く好ましいものとして挙げられる。ｏ−
キノンジアジド化合物は、例えば、キノンジアジドスル
ホニルクロリド類とヒドロキシ化合物、アミノ化合物な
どとを脱塩酸性触媒の存在下で縮合反応させて得られ
る。前記ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリド類とし
ては、例えば、ベンゾキノン−１，２−ジアジド−４−
スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−ジアジド
−５−スルホニルクロリド、ナフトキノン−１，２−ジ
アジド−４−スルホニルクロリド等が使用できる。
【００３７】前記ヒドロキシ化合物としては、例えば、
ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフ
ェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，４，２′，３′−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン，２，３，４，３′，４′，５′−ヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシフェニル）プロパン、４ｂ，５，９ｂ，１０−テ
トラヒドロ−１，３，６，８−テトラヒドロキシ−５，
１０−ジメチルインデノ［２，１−ａ］インデン、トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタンなどが使用できる。
ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフ
ェノールＡ、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，４，２′，３′−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン，２，３，４，３′，４′，５′−ヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシフェニル）プロパン、４ｂ，５，９ｂ，１０−テ
トラヒドロ−１，３，６，８−テトラヒドロキシ−５，
１０−ジメチルインデノ［２，１−ａ］インデン、トリ
ス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタンなどが使用できる。
【００３８】アミノ化合物としては、例えば、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、ｏ−ア
ミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフ
ェノール、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキ
シビフェニル、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジヒド
ロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒド
ロキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンなどが使用できる。
ニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフ
ェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、ｏ−ア
ミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフ
ェノール、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキ
シビフェニル、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジヒド
ロキシビフェニル、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノ−３−ヒド
ロキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンなどが使用できる。
【００３９】ｏ−キノンジアジドスルホニルクロリドと
ヒドロキシ化合物及び／又はアミノ化合物とは、ｏ−キ
ノンジアジドスルホニルクロリド１モルに対して、ヒド
ロキシ基とアミノ基の合計が０．５〜１当量になるよう
に配合されることが好ましい。脱塩酸触媒とｏ−キノン
ジアジドスルホニルクロリドの好ましい割合は０．９５
／１〜１／０．９５の範囲とされる。好ましい反応温度
は０〜４０℃、好ましい反応時間は１〜１０時間とされ
る。
ヒドロキシ化合物及び／又はアミノ化合物とは、ｏ−キ
ノンジアジドスルホニルクロリド１モルに対して、ヒド
ロキシ基とアミノ基の合計が０．５〜１当量になるよう
に配合されることが好ましい。脱塩酸触媒とｏ−キノン
ジアジドスルホニルクロリドの好ましい割合は０．９５
／１〜１／０．９５の範囲とされる。好ましい反応温度
は０〜４０℃、好ましい反応時間は１〜１０時間とされ
る。
【００４０】反応溶媒としては、ジオキサン、アセト
ン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチ
ルエーテル、Ｎ-メチルピロリドン等の溶媒が用いられ
る。脱塩酸触媒としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナト
リウム、炭酸水素ナトリウム，炭酸カリウム、水酸化カ
リウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジ
ンなどがあげられる。
ン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジエチ
ルエーテル、Ｎ-メチルピロリドン等の溶媒が用いられ
る。脱塩酸触媒としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナト
リウム、炭酸水素ナトリウム，炭酸カリウム、水酸化カ
リウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジ
ンなどがあげられる。
【００４１】本発明の耐熱性感光性重合体組成物におい
て、（ｃ）成分の配合量は、露光部と未露光部の溶解速
度差と、感度の許容幅の点から、（ａ）成分１００重量
部に対して５〜１００重量部が好ましく、１０〜４０重
量部がより好ましい。
て、（ｃ）成分の配合量は、露光部と未露光部の溶解速
度差と、感度の許容幅の点から、（ａ）成分１００重量
部に対して５〜１００重量部が好ましく、１０〜４０重
量部がより好ましい。
【００４２】本発明の耐熱性感光性重合体組成物は、前
記（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分を溶剤に溶解し
て得ることができる。溶剤としては、例えば、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスル
ホン、γ−ブチロラクトン等の非プロトン性極性溶剤が
好ましく、これらを単独で又は２種以上併用して用いら
れる。
記（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分を溶剤に溶解し
て得ることができる。溶剤としては、例えば、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスル
ホン、γ−ブチロラクトン等の非プロトン性極性溶剤が
好ましく、これらを単独で又は２種以上併用して用いら
れる。
【００４３】本発明の耐熱性感光性重合体組成物には、
さらに必要に応じて接着助剤として、有機シラン化合物
やアルミキレート化合物を含むことができる。有機シラ
ン化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシランなどがあげられる。
さらに必要に応じて接着助剤として、有機シラン化合物
やアルミキレート化合物を含むことができる。有機シラ
ン化合物としては、例えば、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシランなどがあげられる。
【００４４】アルミキレート化合物としては、例えば、
トリス（アセチルアセトネート）アルミニウム、アセチ
ルアセテートアルミニウムジイソプロピレートなどがあ
げられる。接着助剤を用いる場合は、（ａ）成分１００
重量部に対して、０.１〜２０重量部が好ましく、１〜
１０重量部がより好ましい。
トリス（アセチルアセトネート）アルミニウム、アセチ
ルアセテートアルミニウムジイソプロピレートなどがあ
げられる。接着助剤を用いる場合は、（ａ）成分１００
重量部に対して、０.１〜２０重量部が好ましく、１〜
１０重量部がより好ましい。
【００４５】本発明の耐熱性感光性重合体組成物は、支
持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像す
る工程及び加熱処理する工程を経て、ポリイミドのレリ
ーフパターンとすることができる。支持基板上に塗布し
乾燥する工程では、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶
縁体（例えばＴｉＯ2、ＳｉＯ2等）、窒化ケイ素などの
支持基板上に、この耐熱性感光性重合体組成物をスピン
ナーなどを用いて回転塗布後、ホットプレート、オーブ
ンなどを用いて乾燥する。
持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、現像す
る工程及び加熱処理する工程を経て、ポリイミドのレリ
ーフパターンとすることができる。支持基板上に塗布し
乾燥する工程では、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶
縁体（例えばＴｉＯ2、ＳｉＯ2等）、窒化ケイ素などの
支持基板上に、この耐熱性感光性重合体組成物をスピン
ナーなどを用いて回転塗布後、ホットプレート、オーブ
ンなどを用いて乾燥する。
【００４６】次いで、露光工程では、支持基板上で被膜
となった感光性重合体組成物に、マスクを介して紫外
線、可視光線、放射線などの活性光線を照射する。現像
工程では、露光部を現像液で除去することによりレリー
フパターンが得られる。現像液としては、例えば、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシドなどのアルカリ水溶液が好ましいもの
としてあげられる。これらの水溶液の塩基濃度は、０.
１〜１０重量％とされることが好ましい。さらに上記現
像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用するこ
ともできる。これらはそれぞれ、現像液１００重量部に
対して、好ましくは０.０１〜１０重量部、より好まし
くは０.１〜５重量部の範囲で配合することができる。
となった感光性重合体組成物に、マスクを介して紫外
線、可視光線、放射線などの活性光線を照射する。現像
工程では、露光部を現像液で除去することによりレリー
フパターンが得られる。現像液としては、例えば、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチル
アミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシドなどのアルカリ水溶液が好ましいもの
としてあげられる。これらの水溶液の塩基濃度は、０.
１〜１０重量％とされることが好ましい。さらに上記現
像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用するこ
ともできる。これらはそれぞれ、現像液１００重量部に
対して、好ましくは０.０１〜１０重量部、より好まし
くは０.１〜５重量部の範囲で配合することができる。
【００４７】ついで、加熱処理工程では、得られたレリ
ーフパターンに好ましくは１５０〜４５０℃の加熱処理
をすることにより、イミド環や他に環状基を持つ耐熱性
ポリイミドのレリーフパターンになる。
ーフパターンに好ましくは１５０〜４５０℃の加熱処理
をすることにより、イミド環や他に環状基を持つ耐熱性
ポリイミドのレリーフパターンになる。
【００４８】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例１ 攪拌機、温度計及びジムロート冷却管を備えた０．５リ
ットルのフラスコ中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１
９６ｇ、キシレン４８ｇを仕込、ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２１．
９８ｇ（０．０６モル）、４，４′−ジアミノジフェニ
ルスルホン９．９４ｇ（０．０３モル）を添加し、攪拌
溶解した後、３，３′，４，４′−ビフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物３５．８２ｇ（０．１０モ
ル）を添加し、３時間攪拌を続け、ポリアミド酸溶液を
得た。
ットルのフラスコ中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１
９６ｇ、キシレン４８ｇを仕込、ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２１．
９８ｇ（０．０６モル）、４，４′−ジアミノジフェニ
ルスルホン９．９４ｇ（０．０３モル）を添加し、攪拌
溶解した後、３，３′，４，４′−ビフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物３５．８２ｇ（０．１０モ
ル）を添加し、３時間攪拌を続け、ポリアミド酸溶液を
得た。
【００４９】次いで、フラスコに水分定量器を装着し１
６０℃で２時間加熱してイミド化反応により生成する水
をキシレンと共沸させて除去し、冷却後溶液を３リット
ルの水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧乾燥
してポリイミドを得た。
６０℃で２時間加熱してイミド化反応により生成する水
をキシレンと共沸させて除去し、冷却後溶液を３リット
ルの水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧乾燥
してポリイミドを得た。
【００５０】攪拌機、温度計、窒素導入管及びジムロー
ト冷却管を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン１４２ｇを仕込、シリコーンジ
アミン化合物（前述のＬＰ７１００、信越化学工業株式
会社製）２４．８５ｇ（０．１モル）を加え、攪拌し
た。次にこの溶液に３，３′，４，４′−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（０．１
モル）を加え、２５℃で８時間攪拌し反応させた。溶液
を１．５リットルの水に投入し、析出物を回収、洗浄し
た後、減圧乾燥してポリアミド酸を得た。
ト冷却管を備えた０．５リットルのフラスコ中に、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン１４２ｇを仕込、シリコーンジ
アミン化合物（前述のＬＰ７１００、信越化学工業株式
会社製）２４．８５ｇ（０．１モル）を加え、攪拌し
た。次にこの溶液に３，３′，４，４′−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（０．１
モル）を加え、２５℃で８時間攪拌し反応させた。溶液
を１．５リットルの水に投入し、析出物を回収、洗浄し
た後、減圧乾燥してポリアミド酸を得た。
【００５１】ポリイミド１５．００ｇ、ポリアミド酸
０．７５ｇ、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
とナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルク
ロリドを１／３のモル比で反応させたオルトキノンジア
ジド化合物２．２５ｇを、γ−ブチロラクトン４５．０
０ｇに攪拌溶解した。この溶液を３μｍ孔のテフロンフ
ィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体組成物を得
た。
０．７５ｇ、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
とナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルク
ロリドを１／３のモル比で反応させたオルトキノンジア
ジド化合物２．２５ｇを、γ−ブチロラクトン４５．０
０ｇに攪拌溶解した。この溶液を３μｍ孔のテフロンフ
ィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体組成物を得
た。
【００５２】得られた感光性重合体組成物をスピンナー
を使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレ
ート上１１０℃で３分間加熱乾燥を行い、５μｍの塗膜
を得た。この塗膜に露光機としてＰＬＡ（キャノン株式
会社製）を用い、マスクを介し、１００〜５００mJ/cm2
の露光をした。次いで、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドの２．３８重量％水溶液を現像液とし４０秒間
パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを
得た。パターン観察により、適正露光量は２５０mJ/cm2
と判断された。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気
下３５０℃で１時間加熱処理し、ポリイミド膜のパター
ンを得た。ポリイミド膜と基板との接着性の評価は、碁
盤目テープ法（ＪＩＳＫ５４００）で行ったところ、１
００／１００（０／１００が全て剥離、１００／１００
が剥離無しを表す）であった。
を使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレ
ート上１１０℃で３分間加熱乾燥を行い、５μｍの塗膜
を得た。この塗膜に露光機としてＰＬＡ（キャノン株式
会社製）を用い、マスクを介し、１００〜５００mJ/cm2
の露光をした。次いで、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドの２．３８重量％水溶液を現像液とし４０秒間
パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを
得た。パターン観察により、適正露光量は２５０mJ/cm2
と判断された。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気
下３５０℃で１時間加熱処理し、ポリイミド膜のパター
ンを得た。ポリイミド膜と基板との接着性の評価は、碁
盤目テープ法（ＪＩＳＫ５４００）で行ったところ、１
００／１００（０／１００が全て剥離、１００／１００
が剥離無しを表す）であった。
【００５３】実施例２ 攪拌機、温度計及びジムロート冷却管を備えた０．５リ
ットルのフラスコ中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１
６４ｇ、キシレン４０ｇを仕込、ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）スルホン１４．０２ｇ（０．０
５モル）、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン１
２．４２ｇ（０．０５モル）を添加し、攪拌溶解した
後、３，３′，４，４′−ビフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物２７．９２ｇ（０．０９モル）を添加
し、３時間攪拌を続け、ポリアミド酸溶液を得た。
ットルのフラスコ中に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン１
６４ｇ、キシレン４０ｇを仕込、ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）スルホン１４．０２ｇ（０．０
５モル）、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン１
２．４２ｇ（０．０５モル）を添加し、攪拌溶解した
後、３，３′，４，４′−ビフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物２７．９２ｇ（０．０９モル）を添加
し、３時間攪拌を続け、ポリアミド酸溶液を得た。
【００５４】次いで、フラスコに水分定量器を装着し１
６０℃で２時間加熱してイミド化反応により生成する水
をキシレンと共沸させて除去し、冷却後溶液を１．５リ
ットルの水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧
乾燥してポリイミドを得た。
６０℃で２時間加熱してイミド化反応により生成する水
をキシレンと共沸させて除去し、冷却後溶液を１．５リ
ットルの水に投入し、析出物を回収、洗浄した後、減圧
乾燥してポリイミドを得た。
【００５５】このポリイミド１５．００ｇ、実施例１で
作成したポリアミド酸０．７５ｇ、トリス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタンとナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルホニルクロリドを１／３のモル比で反応さ
せた化合物２．２５ｇを、Ｎ−メチルピロリドン４５．
００ｇに攪拌溶解した。この溶液を３μｍ孔のテフロン
フィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体組成物を得
た。得られた感光性重合体組成物をスピンナーを使用し
てシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレート上１
１０℃で３分間加熱乾燥を行い、５μｍの塗膜を得た。
この塗膜に露光機としてＰＬＡ（キャノン株式会社製）
を用い、マスクを介し、１００〜５００mJ/cm2の露光を
した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
の２．３８重量％水溶液を現像液とし３０秒間パドル現
像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを得た。パ
ターン観察により、適正露光量は２５０mJ/cm2と判断さ
れた。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気下３５０
℃で１時間加熱処理し、ポリイミド膜のパターンを得
た。ポリイミド膜と基板との接着性は、碁盤目テープ法
（ＪＩＳＫ５４００）で行い、１００／１００であっ
た。
作成したポリアミド酸０．７５ｇ、トリス（４−ヒドロ
キシフェニル）メタンとナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルホニルクロリドを１／３のモル比で反応さ
せた化合物２．２５ｇを、Ｎ−メチルピロリドン４５．
００ｇに攪拌溶解した。この溶液を３μｍ孔のテフロン
フィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体組成物を得
た。得られた感光性重合体組成物をスピンナーを使用し
てシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプレート上１
１０℃で３分間加熱乾燥を行い、５μｍの塗膜を得た。
この塗膜に露光機としてＰＬＡ（キャノン株式会社製）
を用い、マスクを介し、１００〜５００mJ/cm2の露光を
した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
の２．３８重量％水溶液を現像液とし３０秒間パドル現
像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを得た。パ
ターン観察により、適正露光量は２５０mJ/cm2と判断さ
れた。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気下３５０
℃で１時間加熱処理し、ポリイミド膜のパターンを得
た。ポリイミド膜と基板との接着性は、碁盤目テープ法
（ＪＩＳＫ５４００）で行い、１００／１００であっ
た。
【００５６】比較例１ 実施例１で得られたポリイミド１５．００ｇ、トリス
（４−ヒドロキシフェニル）メタンとナフトキノン−
１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリドを１／３の
モル比で反応させた化合物２．２５ｇをγ−ブチロラク
トン４５．００ｇに攪拌溶解した。この溶液を３μｍ孔
のテフロンフィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体
組成物を得た。得られた感光性重合体組成物をスピンナ
ーを使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプ
レート上８０℃で３分間加熱乾燥を行い、６μｍの塗膜
を得た。この塗膜に露光機としてＰＬＡ（キャノン株式
会社製）を用い、マスクを介し、１００〜５００mJ/cm2
の露光をした。次いで、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドの２．３８重量％水溶液を現像液とし４０秒間
パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを
得た。パターン観察により、適正露光量は３００mJ/cm2
と判断された。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気
下３５０℃で１時間加熱処理し、ポリイミド膜のパター
ンを得た。ポリイミド膜と基板との接着性は、碁盤目テ
ープ法（ＪＩＳＫ５４００）で行い、０／１００であっ
た。
（４−ヒドロキシフェニル）メタンとナフトキノン−
１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリドを１／３の
モル比で反応させた化合物２．２５ｇをγ−ブチロラク
トン４５．００ｇに攪拌溶解した。この溶液を３μｍ孔
のテフロンフィルタを用いて加圧濾過して感光性重合体
組成物を得た。得られた感光性重合体組成物をスピンナ
ーを使用してシリコンウェハ上に回転塗布し、ホットプ
レート上８０℃で３分間加熱乾燥を行い、６μｍの塗膜
を得た。この塗膜に露光機としてＰＬＡ（キャノン株式
会社製）を用い、マスクを介し、１００〜５００mJ/cm2
の露光をした。次いで、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドの２．３８重量％水溶液を現像液とし４０秒間
パドル現像を行い、純水で洗浄してレリーフパターンを
得た。パターン観察により、適正露光量は３００mJ/cm2
と判断された。得られたレリーフパターンを窒素雰囲気
下３５０℃で１時間加熱処理し、ポリイミド膜のパター
ンを得た。ポリイミド膜と基板との接着性は、碁盤目テ
ープ法（ＪＩＳＫ５４００）で行い、０／１００であっ
た。
【００５７】
【発明の効果】請求項１記載の耐熱性感光性重合体組成
物は、感度が高く、現像時間を短くでき、形成された膜
の諸特性、特に、基板との接着性が良い。請求項２記載
のパターンの製造法によれば、感度が高く、現像時間を
短くでき、形成された膜の諸特性、特に、基板との接着
性が良いを提供するものであリ、優れた半導体素子等の
表面保護膜、層間絶縁膜を形成できる。
物は、感度が高く、現像時間を短くでき、形成された膜
の諸特性、特に、基板との接着性が良い。請求項２記載
のパターンの製造法によれば、感度が高く、現像時間を
短くでき、形成された膜の諸特性、特に、基板との接着
性が良いを提供するものであリ、優れた半導体素子等の
表面保護膜、層間絶縁膜を形成できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/40 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/40 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 21/312 Ｈ０５Ｋ 3/28 Ｄ Ｈ０５Ｋ 3/28 3/46 Ｔ 3/46 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ ５７１ (72)発明者 内村 俊一郎 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は４価の有機基を示し、Ｒ2はフェノール性
水酸基を有する２価の有機基を示す）で表される繰り返
し単位を有するポリイミド、（ｂ）一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ3は４価の有機基を示し、Ｒ4は２価の有機基
を示し、Ｒ5は１価の有機基を示し、ｑは１以上の整数
を示す）で表される繰り返し単位を有するポリアミド
酸、並びに（ｃ）光酸発生剤を含有してなる耐熱性感光
性重合体組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載の耐熱性感光性重合体組成
物を支持基板上に塗布し乾燥する工程、露光する工程、
現像する工程及び加熱処理する工程を含むパターンの製
造法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246813A JPH1184653A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 耐熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法 |
| KR1019980006343A KR19980079775A (ko) | 1997-03-03 | 1998-02-27 | 내열성 감광성 중합체조성물, 패턴의 제조법 및 반도체 장치 |
| EP98103712A EP0863436A1 (en) | 1997-03-03 | 1998-03-03 | Heat resistant photosensitive polymer composition, process for forming pattern and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246813A JPH1184653A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 耐熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184653A true JPH1184653A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17154078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9246813A Pending JPH1184653A (ja) | 1997-03-03 | 1997-09-11 | 耐熱性感光性重合体組成物及びパターンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1184653A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001040873A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive type photosensitive polyimide resin composition |
| JP2002356555A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミド前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物 |
| EP1199604A4 (en) * | 1999-05-31 | 2003-05-21 | METHOD FOR GENERATING A POLYIMIDE PATTERN USING A LIGHT-SENSITIVE POLYIMIDE, AND COMPOSITION FOR USE THEREOF | |
| EP1431822A4 (en) * | 2001-09-26 | 2005-01-05 | Nissan Chemical Ind Ltd | POSITIVE PHOTOSENSITIVE POLYIMIDE RESIN COMPOSITION |
| WO2007029614A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Asahi Kasei Emd Corporation | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JP4547087B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2010-09-22 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | ポジ型感光性ポリイミド組成物 |
| JP2011514985A (ja) * | 2008-03-07 | 2011-05-12 | エルジー・ケム・リミテッド | ポジティブ型感光性ポリイミド組成物 |
| KR101117023B1 (ko) | 2004-10-07 | 2012-03-15 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 폴리이미드계 광경화성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법 및 기판 보호용 피막 |
| JP5435227B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2014-03-05 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化膜並びに表示素子 |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP9246813A patent/JPH1184653A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4547087B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2010-09-22 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | ポジ型感光性ポリイミド組成物 |
| EP1199604A4 (en) * | 1999-05-31 | 2003-05-21 | METHOD FOR GENERATING A POLYIMIDE PATTERN USING A LIGHT-SENSITIVE POLYIMIDE, AND COMPOSITION FOR USE THEREOF | |
| US6777159B1 (en) | 1999-05-31 | 2004-08-17 | Pi R&D Co., Ltd. | Method for forming polyimide pattern using photosensitive polyimide and composition for use therein |
| KR100732895B1 (ko) | 1999-11-30 | 2007-06-27 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 포지티브형 감광성 폴리이미드수지 조성물 |
| US6677099B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-01-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive type photosensitive polyimide resin composition |
| WO2001040873A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive type photosensitive polyimide resin composition |
| JP2002356555A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリイミド前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物 |
| KR100905682B1 (ko) | 2001-09-26 | 2009-07-03 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물 |
| EP1431822A4 (en) * | 2001-09-26 | 2005-01-05 | Nissan Chemical Ind Ltd | POSITIVE PHOTOSENSITIVE POLYIMIDE RESIN COMPOSITION |
| KR101117023B1 (ko) | 2004-10-07 | 2012-03-15 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 폴리이미드계 광경화성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법 및 기판 보호용 피막 |
| WO2007029614A1 (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Asahi Kasei Emd Corporation | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JP5435227B2 (ja) * | 2007-04-02 | 2014-03-05 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びその硬化膜並びに表示素子 |
| JP2011514985A (ja) * | 2008-03-07 | 2011-05-12 | エルジー・ケム・リミテッド | ポジティブ型感光性ポリイミド組成物 |
| US8758976B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-06-24 | Lg Chem Ltd. | Positive photosensitive polyimide composition |
| WO2016124493A1 (en) | 2015-02-02 | 2016-08-11 | Basf Se | Latent acids and their use |
| US9994538B2 (en) | 2015-02-02 | 2018-06-12 | Basf Se | Latent acids and their use |
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