JP2000251299A - 光ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録マークの縮小化や位置ずれによる書き込
みエラーの発生防止。 【解決手段】 半導体レーザを光源とし、光学系によっ
て光ディスク面に光ピックアップのためのスポット光を
結ぶ光ピックアップ機構を有する光ディスク装置であっ
て、前記半導体レーザはキンク発生抑止のために共振器
に発生するうねりの定在波のうねりの幅が極大値になる
共振器部分に対応する電流注入部の幅が他の部分よりも
狭くなっている。前記電流注入部の幅が狭くなる狭隘部
分の長さと、前記電流注入部の幅が狭くならない部分の
長さは同じ長さになっている。前記電流注入部の幅が狭
くなる狭隘部分は出射レーザ光の一次モードをカットオ
フすることができる幅になっている。半導体レーザは光
ディスク面への書き込みができるリッジ構造の高出力半
導体レーザを構成している。前記共振器の幅は一定であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＤＶＤ（Digital Vi
deo Disk），ＡＳ−ＭＯ（Advanced Storage-Magneto O
ptical），高速記録ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordabl
e ）等の光ディスク装置に関し、特に、書き込み機能を
有する光ディスク装置に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスク装置の一つとしてＤＶＤ−Ｒ
ＡＭ装置が知られている。ＤＶＤ−ＲＡＭ装置では、相
変化による記録手法が用いられ、レーザ高抵抗の熱によ
り記録薄膜を結晶からアモルファスに変え反射率を変え
た記録マークを作ることで書き込みを行う。

【０００３】従来のＣＤでは記録マークの中心に信号を
対応させるマーク位置（ポジション）記録方式が使用さ
れたが、ＤＶＤ−ＲＡＭでは記録密度をあげるために、
記録マークの両端に信号を乗せるマークエッジ方式を採
用している。このため、ディスクの記録トラック上にエ
ッジ位置がずれることなく、マークを書き込む必要があ
る。特に長い記録マークでは、レーザ光を連続して照射
することとなり、熱の蓄積により記録マークが涙型に変
形し、エッジの位置がずれてしまう。この位置ずれを防
止するため複数のパルスで１つの記録マークを書き込む
マルチパルス法が用いられている。

【０００４】これらの技術については、応用物理学会分
科会 日本光学会発行「光学」第２６巻１号、Ｐ９〜Ｐ
15「相変化光ディスクの高密度記録技術」に記載されて
いる。また、応用物理学会発行「応用物理」第６７巻第
９号（1998）、Ｐ1035〜Ｐ1040には、光ディスク用半導
体レーザーについて記載されている。また、ＤＶＤ用光
ピックアップについては、株式会社、新技術コミュニケ
ーションズ発行「ＯｐｌｕｓＥ」、No.199、Ｐ86〜Ｐ92
に記載されている。この文献には、ＤＶＤ／ＣＤ互換再
生光ピックアップとして、（１）レンズ切り換え方式
（２）焦点レンズ方式 （３）液晶シャッタ方式 の３
方式について記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の記録マークの形
成は、図５に示すような方法が知られている。図５
（ａ）はマルチパルス法によるものであり、図５（ｂ）
はマークポジション記録方式によるものである。すなわ
ち、光ディスク装置では、読み出し（再生）および書き
込みを行わない状態でのレーザ光の光出力はバイアスパ
ワーの状態にあり、読み出し（再生）は再生パワーで行
い、書き込みはピークパワーで行う。記録トラック７０
は結晶部分で構成され、ピークパワーによる書き込みに
よって結晶部分をアモルファス部分に相変化させて記録
マーク７１を形成する。

【０００６】図５（ｂ）のマークポジション記録方式で
は、長い記録マーク７１ａでは、レーザ光を連続して照
射（ピークパワー）することとなり、熱の蓄積により記
録マークが涙型に変形し、エッジの位置がずれてしまう
（位置ずれｅ）。これを解決するため、図５（ａ）のマ
ルチパルス法によるマークエッジ記録では、書き込み時
のピークパワーを複数のパルス（マルチパルス）で一つ
の記録マーク７１を書き込み、これによって記録マーク
７１が涙型にならないようにして、エッジの位置ずれが
起きないようにしている。

【０００７】マルチパルス法を採用すると、最小の駆動
パルス幅が数１０ｎｓと高速になるため一定電流でレー
ザを駆動する。このためレーザの電流−光出力特性の直
線性が要求される。この直線性が悪く、特にパルス幅等
で直線性に曲がりが生じると、一定電流駆動では必要な
レーザの出力が必要ピークパワーに達せず記録マークが
小さくなってしまったり、記録マークの位置がずれてし
まい、正しい書き込みができなくなる。

【０００８】図６は電流−光出力の直線性が悪いレーザ
でのマークエッジ記録を示す図であり、キンクに起因す
る不良マークエッジ記録状態を示す説明図である。マル
チパルス法において、半導体レーザの光出力を高め、バ
イアスパワーからピークパワーに移行させる際、キンク
７２が発生すると、一定電流駆動では必要なレーザの出
力が必要ピークパワーに達せず、記録マーク７１（長い
記録マーク７１ａ）が理論的記録マーク７５に比較して
小さくなってしまったり、記録マーク７１の位置がずれ
てしまう。このズレ（ｆ）は、図５（ｂ）の場合の後尾
に発生するズレ（ｅ）とは逆に、先頭側に発生する。

【０００９】本発明の目的は、記録マークの縮小化や位
置ずれによる書き込みエラーの発生を防止できる光ディ
スク装置を提供することにある。本発明の前記ならびに
そのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および
添付図面からあきらかになるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１１】（１）半導体レーザを光源とし、光学系に
よって光ディスク面に光ピックアップのためのスポット
光を結ぶ光ピックアップ機構を有する光ディスク装置で
あって、前記半導体レーザはキンク発生抑止のために共
振器に発生するうねりの定在波のうねりの幅が極大値に
なる共振器部分に対応する電流注入部の幅が他の部分よ
りも狭くなっている。前記電流注入部の幅が狭くなる狭
隘部分の長さと、前記電流注入部の幅が狭くならない部
分の長さは同じ長さになっている。前記電流注入部の幅
が狭くなる狭隘部分は出射レーザ光の一次モードの利得
を低下することができる幅になっている。前記半導体レ
ーザは光ディスク面への書き込みができる高出力の半導
体レーザを構成している。前記半導体レーザはリッジ構
造，埋め込みヘテロ構造等の共振器が内部狭窄型の半導
体レーザである。前記共振器の幅は一定である。前記半
導体レーザは、パッケージ本体およびレーザ光を透過さ
せる光透過窓を有する蓋体とからなるパッケージ内に組
み込まれているとともに、前記半導体レーザの各電極は
前記パッケージ本体に取り付けられ前記パッケージの内
外に亘って延在する複数の外部電極端子に接続手段を介
して電気的に接続された構成になっている。

【００１２】前記（１）の手段によれば、 （ａ）光ディスクの書き込みを行う半導体レーザにおい
ては、共振器におけるうねりの定在波のうねりの幅が極
大値になる電流注入部の幅が狭くなる構造（狭隘構造）
になっていることから、この狭隘部分では、１次モード
をはじめとする高次モードの利得が落ち、うねりの定在
波の発生を押さえることができ、キンクの発生を抑制す
ることができる。したがって、光ディスクでの記録マー
クの縮小化や位置ずれ等の書き込みエラーの発生を防止
することができる。 （ｂ）キンク発生もないことから、駆動パルス幅が変化
しても電流−光出力特性の直線性の悪化を防止でき、一
定電流駆動時の光出力の変動を防止することができる。 （ｃ）電流−光出力特性の直線性が悪いレーザでの書き
込み不良を低減するためには、光出力を高速で補正する
ための追加の回路が必要であるが、本発明によれば電流
−光出力特性の直線性が改善されるため補正回路が不要
になり、光ディスク装置の回路の簡素化および小型化が
達成できる。 （ｄ）半導体レーザの電流−光出力特性の直線性の歩留
が改善するため、半導体レーザのコストが低下し、光デ
ィスク装置の低コスト化が達成できる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００１４】（実施形態１）図１乃至図４は本発明の一
実施形態（実施形態１）である光ディスク装置に係わる
図であり、図１は光ディスク装置の光ピックアップ機構
に組み込まれる半導体レーザ素子を示す一部を切り欠い
た模式的斜視図、図２は光ピックアップ部分を示す模式
図、図３はレーザ光によるマークエッジ記録方法とマー
クエッジ記録状態を示す説明図、図４は半導体レーザ装
置を示す一部を切り欠いた斜視図である。

【００１５】光ディスク装置の光ピックアップ機構は、
ＣＤ読み取り用の発振波長が７８０ｎｍの半導体レーザ
（ＬＤ）と光検出器が一体化されたモジュールを含む光
学系と、ＤＶＤ用の発振波長が６５０ｎｍの半導体レー
ザと検出器を含む光学系を一つにまとめた光学系になっ
ている。そして、ディスクに対応して前記光学系を切り
換えて再生（読み出し），書き込みを行う。

【００１６】図２は本実施形態１の光ディスク装置にお
ける光ピックアップ機構を示す。発振波長が６５０ｎｍ
の半導体レーザ１から出射されるレーザ光２はハーフミ
ラー３，コリメートレンズ４を順次通り、波長選択ミラ
ー５で反射し、２レンズアクチュエータ６のＤＶＤ用対
物レンズ７で絞られてディスク８の記録面に集光される
構成になっている。また、前記記録面で反射したレーザ
光２は前記ＤＶＤ用対物レンズ７を通り、波長選択ミラ
ー５で反射されてコリメートレンズ４を通り、ハーフミ
ラー３で反射されて波長６５０ｎｍの光を検出する光検
出器９に焦点を結ぶようになっている。

【００１７】一方、前記ＤＶＤ用対物レンズ７および波
長選択ミラー５を結ぶ光軸上には発振波長が７８０ｎｍ
になる半導体レーザ１５が配置されている。この半導体
レーザ１５から出射されたレーザ光１６はハーフミラー
１７，コリメートレンズ１８を順次通り、前記波長選択
ミラー５を通過し、切り換えられて波長選択ミラー５の
光軸上に位置する２レンズアクチュエータ６のＣＤ用対
物レンズ１９を通ってディスク８の記録面に集光され
る。記録面で反射したレーザ光１６はＣＤ用対物レンズ
１９，波長選択ミラー５，コリメートレンズ１８を順次
通り、ハーフミラー１７で反射されて波長７８０ｎｍの
光を検出する光検出器２０に焦点を結ぶようになってい
る。

【００１８】前記半導体レーザ１および半導体レーザ１
５は、入力信号によって動作するレーザ駆動回路２１で
駆動制御される。前記光検出器９および前記光検出器２
０の出力信号はプリアンプ回路２２で増幅され、この増
幅された信号は復調器２３で復調処理される。復調器２
３の出力信号を入力とするＡＰＣ（Auto Power Contro
l）回路２４の出力信号によってレーザ駆動回路２１は
補正を行い各半導体レーザの光出力を制御するようにな
っている。

【００１９】ＤＶＤ用光源になる前記半導体レーザ１
は、駆動時、アイドル状態であるバイアスパワーと、こ
のバイアスパワーよりも低い光出力である読み出しを行
う再生パワーと、前記バイアスパワーよりも高い光出力
である書き込みを行うピークパワーの３形態で使用され
る。

【００２０】本実施形態１による半導体レーザ１は、図
３のマークエッジ記録で示すように、ピークパワー状態
でもキンクが発生せず電流−光出力の直線性が改善され
ることから、マルチパルス法で長い記録マーク７１ａを
形成しても、光出力の変動（低下および遅れ）がないこ
とから、記録トラック７０において長い記録マーク７１
ａを含む記録マーク７１は、理論的記録マーク７５に一
致し、記録マークの縮小化や位置ずれによる書き込みエ
ラーは起きなくなる。したがって、光ピックアップ機構
の歩留りが向上する。また、半導体レーザのドライブ回
路の構成の簡素化が容易になる。この結果、光ディスク
装置の製造コストの低減が達成できる。

【００２１】次に、キンクの発生がない本実施形態１の
半導体レーザ１について説明する。なお、図２の半導体
レーザ１および半導体レーザ１５は、特に限定はされな
いが、半導体レーザ素子をパッケージ内に組み込んだ半
導体レーザ装置として組み込まれている。

【００２２】図１は本実施形態１による半導体レーザ
１、すなわち半導体レーザ素子１ａを示す模式図であ
る。半導体レーザ素子１ａは、発振波長が６５０ｎｍ帯
のレーザビームを出射する構造になっている。半導体レ
ーザ素子１ａは、共振器（光導波路）の延在方向に沿う
縦（奥行き）の長さが８７５μｍ、横幅が３００μｍ、
厚さが１００μｍの矩形体からなっている。

【００２３】本実施形態１の半導体レーザ素子１ａはｎ
型ＧａＡｓ基板の上面に多層に半導体層を形成するとと
もに、ストライプ状に設けたリッジの両側をブロック層
で挟む内部電流狭窄型のリッジ構造（リッジ型半導体レ
ーザ）になっている。また、特に図示はしないが、半導
体レーザ素子１ａの下面側にはカソード電極が設けら
れ、上面側にアノード電極が設けられている。

【００２４】半導体レーザ素子１ａは、ｎ型ＧａＡｓ基
板（半導体基板）３０の上面（主面）側に、厚さ１．５
μｍのｎ型のＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層（ｎ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層）３１，厚さ５０ｎｍのＭＱ
Ｗ活性層３２，厚さ０．２５μｍのｐ型のＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる第１クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１ク
ラッド層）３３，厚さ１．５μｍのｐ型のＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる第２クラッド層（ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２ク
ラッド層）３４を順次積み重ねて形成した後、前記ｐ−
ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層３４の両側をエッチング
除去してストライプ状にｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッ
ド層３４を残留させてリッジ３５を形成した構造になっ
ている。また、前記ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層
３４の両側のｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３３上
には、ｎ型のＧａＡｓからなるブロック層（ｎ−ＧａＡ
ｓブロック層）３６が形成されている。また、前記ｐ−
ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層３４からなるリッジ３５
およびｎ−ＧａＡｓブロック層３６上には、厚さ３．０
μｍのｐ型のＧａＡｓからなるキャップ層（ｐ−ＧａＡ
ｓキャップ層）３７で被われている。

【００２５】図示はしないがｎ型ＧａＡｓ基板３０の下
面にはカソード電極が設けられ、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層３７上にはアノード電極が設けられる。

【００２６】共振器、すなわち光導波路はｎ−ＧａＡｓ
ブロック層３６で挟まれるリッジ３５で形成され、その
幅は全長（Ｃ）に亘って一定である。また、前記リッジ
３５は台形状断面となり、その上辺の長さ（ａ）は、た
とえば２．０μｍ程度であり、下辺の長さ（ｂ）は、た
とえば５−６μｍである。

【００２７】一方、これが本発明の特徴の一つである
が、前記ｎ−ＧａＡｓブロック層３６のリッジ３５に掛
かる部分は、部分的に突出し、電流注入部の幅を狭くす
る狭隘部分４０が設けられている。この狭隘部分４０
は、リッジ３５の両側のｎ−ＧａＡｓブロック層３６の
部分的な張り出しによって形成されている。すなわち、
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層３４で形成されるリ
ッジ３５はその両側にｎ−ＧａＡｓブロック層３６が形
成されるため、一対のｎ−ＧａＡｓブロック層３６間の
ｐ−ＧａＡｓキャップ層３７部分が電流注入部になる。
したがって、一対のｎ−ＧａＡｓブロック層３６の張り
出し部分はリッジ３５上のｐ−ＧａＡｓキャップ層３７
の幅が狭くなり、電流注入部の狭隘化が図られる。狭隘
部分４０の幅（Ｗ）は、たとえば０．５〜１．０μｍで
ある。また、狭隘部分４０を形成するためのｎ−ＧａＡ
ｓブロック層３６の張り出し（張出部４１）は、リッジ
３５の両側のｎ−ＧａＡｓブロック層３６で同一になっ
ている。

【００２８】この狭隘部分４０は、図１に示すように、
共振器の端から所定距離（Ｃ１，Ｃ５）内側にそれぞれ
長さ（Ｃ２，Ｃ４）に亘って設けられている。このよう
に二つ設けられた狭隘部分４０は距離（Ｃ３）だけ隔て
て設けられている。

【００２９】本実施形態１では、共振器に発生するうね
りの定在波のうねりの幅が極大値になる共振器部分に対
応して狭隘部分４０が設けられている。なお、うねりの
定在波のうねりの幅が極大値になる共振器部分の長さ
は、キンクの発生を抑止するために少なくとも４０μｍ
程度は必要である。また、図示はしないが半導体レーザ
素子１ａの両端面、すなわち、共振器端面には、共振器
（光導波路）の端面の酸化防止と反射率制御を目的とす
る被膜が設けられている。前記被膜は前方出射面に設け
られる反射率が低いＡＲ膜（低反射率膜）と、後方出射
面に設けられる反射率が高いＨＲ膜（高反射率膜）とか
らなっている。

【００３０】光ディスクの書き込みには、光出力３０ｍ
Ｗ以上の高出力レーザダイオードが使用される。高出力
レーザダイオードでは、光出力の確保のため発光部の幅
を広げる必要があり、このため、水平方向の１次モード
（光分布が２山）がカットオフしていない構造となる。

【００３１】特にリッジ構造の場合、リッジの側面をＧ
ａＡｓで埋め込んだものは、高次モードの損失が大きい
ため０次モードで発振する。しかしながら１次のモード
も伝播可能である。０次・１次モードは伝幡定数、すな
わち共振器方向を伝わる速度が異なり、通常はこれらが
結合するため、光導波路中を水平方向にうねりながら進
むこととなる。

【００３２】このため、たまたま共振器の長さがこれら
うねりのピッチと一致するとうねりの定在波が発生し、
定在波の発生により電流光出力の直線性が悪化する。

【００３３】モードの伝播速度の差は、発光部の局所的
温度、キャリア濃度等による屈折率の変化で変わるた
め、駆動電流のパルス幅で変わり、うねりのピッチも駆
動条件により変わる。このため、駆動条件によっては、
うねりのピッチがレーザの共振器長と一致すると、レー
ザの電流光出力の直線性が悪化し、一定電流駆動で正し
く記録マークを形成できなくなってしまう。

【００３４】１次モードがカットオフするまで発光部の
幅を狭くしてしまえば、このようなことはなくなるが、
光密度および電流密度が高くなり、高出力が得られなく
なってしまう。

【００３５】光源のレーザにおいてうねりの幅が極大値
になる部分の、電流注入幅のみを狭くすれば、高次モー
ドの利得を落し、うねりの定在波の発生を押さえキンク
を抑制し高出力化することができる。これにより、駆動
パルス幅が変化しても電流−光出力特性の直線性の悪化
を防止し、一定電流駆動時の光出力の変動を防止でき
る。また、電流−光出力特性の直線性が悪いレーザでの
書き込み不良を低減するためには、光出力を高速で補正
するための追加の回路が必要であるが、本実施形態１の
ように電流−光出力特性の直線性が改善されれば補正回
路が不要になり、光ディスク装置の回路の簡素化および
小型化も達成できる。

【００３６】本実施形態１の半導体レーザ素子１ａは、
たとえば、図４に示すようなパッケージに組み込まれて
半導体レーザ装置１ｂ（半導体レーザ１）となる。

【００３７】半導体レーザ装置１ｂは、図４に示される
ように、それぞれアセンブリの主体部品となる板状のス
テム５０と、このステム５０の主面側に気密固定された
キャップ５１とからなっている。前記ステム５０は数ｍ
ｍの厚さの円形の金属板となっていて、その主面（上
面）の中央部には銅製のヒートシンク５２が鑞材等で固
定されている。このヒートシンク５２の側面にはサブマ
ウント５３を介して半導体レーザ素子１ａが固定されて
いる。この半導体レーザ素子１ａは、その上下端からレ
ーザ光２を発光する。

【００３８】前記サブマウント５３は、熱伝導性が良好
なＳｉＣで形成されている。また、図示はしないが、半
導体レーザ素子１ａは、アノード電極の電極面がＰｂＳ
ｎ等からなる接合材を介してサブマウント５３に設けら
れたメタライズ層上に固定されることによってサブマウ
ント５３に搭載されている。この構造はｐダウン構造と
なり、熱源となるＭＱＷ活性層までの距離が短く放熱性
が高い。したがって、レーザは安定動作することにな
る。

【００３９】一方、前記ステム５０の主面には半導体レ
ーザ素子１ａの下端から発光されるレーザ光２を受光
し、レーザ光２の光出力をモニターする受光素子５５が
固定されている。また、前記ステム５０には３本のリー
ド５６が固定されている。１本のリード５６はステム５
０の裏面に電気的および機械的に固定され、他の２本の
リード５６はステム５０を貫通し、かつガラスのような
絶縁体５７を介してステム５０に対し電気的に絶縁され
て固定されている。前記ステム５０の主面に突出する２
本のリード５６の上端は、それぞれワイヤ６０を介して
半導体レーザ素子１ａおよび受光素子５５の各電極に接
続されている。

【００４０】他方、前記ステム５０の主面には窓６１を
有する金属製のキャップ５１に固定され、半導体レーザ
素子１ａおよびヒートシンク５２を封止している。前記
窓６１はキャップ５１の天井部に設けた円形孔を透明な
ガラス板６２で気密的に塞ぐことによって形成されてい
る。したがって、半導体レーザ素子１ａの上端から出射
したレーザ光２は、前記透明なガラス板６２を透過して
ステム５０とキャップ５１とによって形成されたパッケ
ージ外に放射される。なお、前記ステム５０の外周部分
には、相互に対峙して設けられる一対のＶ字状切欠部６
５と、矩形状切欠部６６が設けられ、組立時の位置決め
に使用されるようになっている。

【００４１】本実施形態の半導体レーザ装置は、所定の
リード５６に所定の電圧を印加することによって半導体
レーザ素子１ａからレーザ光２を発光する。

【００４２】本実施形態１によれば以下の効果を有す
る。 （１）ディスク８の書き込みを行う半導体レーザ（半導
体レーザ素子１ａ）においては、共振器におけるうねり
の定在波のうねりの幅が極大値になる電流注入部の幅が
狭くなる狭隘部分４０を有する構造になっていることか
ら、この狭隘部分４０では、１次モードを始めとする高
次モードの利得が落ち、うねりの定在波の発生を押さえ
ることができ、キンクの発生を抑制することができる。
したがって、ディスク８に書き込みを行った場合、光出
力の出力不足や遅れによる記録マークの縮小化や位置ず
れ等の書き込みエラーが発生しなくなる。 （２）半導体レーザ素子１ａにおいては、キンク発生も
ないことから、駆動パルス幅が変化しても電流−光出力
特性の直線性の悪化を防止でき、一定電流駆動時の光出
力の変動を防止することができる。これにより、安定し
て書き込みを行うことができる。 （３）電流−光出力特性の直線性が悪いレーザでの書き
込み不良を低減するためには、光出力を高速で補正する
ための追加の回路が必要であるが、本実施形態によれば
電流−光出力特性の直線性が改善されるため補正回路が
不要になり、光ディスク装置の回路の簡素化および小型
化が達成できる。

【００４３】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。たとえ
ば前記実施形態では、書き込み用の半導体レーザはリッ
ジ構造の例で説明したが、他の半導体レーザ、すなわち
埋め込みヘテロ構造等の共振器が内部狭窄型の半導体レ
ーザであれば同様に適用することができる。

【００４４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。 （１）光ディスク装置において、書き込み用半導体レー
ザの電流注入部の幅をうねりの定在波のうねりの幅が極
大値になる部分で狭くなる構造（狭隘構造）としてある
ことから、この狭隘部分では、１次モードを始めとする
高次モードの利得が落ち、うねりの定在波の発生を押さ
えることができるため、書き込み時の高出力時キンクの
発生が抑止でき、光ディスクでの記録マークの縮小化や
位置ずれ等の書き込みエラーの発生を防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である光デ
ィスク装置の光ピックアップ機構に組み込まれる半導体
レーザ素子を示す一部を切り欠いた模式的斜視図であ
る。

【図２】本実施形態１の光ディスク装置の光ピックアッ
プ部分を示す模式図である。

【図３】本実施形態１の光ディスク装置におけるレーザ
光によるマークエッジ記録方法とマークエッジ記録状態
を示す説明図である。

【図４】本実施形態１の光ディスク装置に組み込まれる
半導体レーザ装置を示す一部を切り欠いた斜視図であ
る。

【図５】従来法によるレーザ光によるマークエッジ記録
方法とマークエッジ記録状態を示す説明図である。

【図６】キンクに起因する不良マークエッジ記録状態を
示す説明図である。

【符号の説明】

１…半導体レーザ、１ａ…半導体レーザ素子、１ｂ…半
導体レーザ装置、２…レーザ光、３…ハーフミラー、４
…コリメートレンズ、５…波長選択ミラー、６…２レン
ズアクチュエータ、７…ＤＶＤ用対物レンズ、８…ディ
スク、９…光検出器、１５…半導体レーザ、１６…レー
ザ光、１７…ハーフミラー、１８…コリメートレンズ、
１９…ＣＤ用対物レンズ、２０…光検出器、２１…レー
ザ駆動回路、２２…プリアンプ回路、２３…復調器、２
４…ＡＰＣ回路、３０…半導体基板（ｎ型ＧａＡｓ基
板）、３１…クラッド層（ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層）、３２…ＭＱＷ活性層、３３…第１クラッド層（ｐ
−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層）、３４…第２クラッ
ド層（ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層）、３５…リ
ッジ、３６…ブロック層（ｎ−ＧａＡｓブロック層）、
３７…キャップ層（ｐ−ＧａＡｓキャップ層）、４０…
狭隘部分、４１…張出部、５０…ステム、５１…キャッ
プ、５２…ヒートシンク、５３…サブマウント、５５…
受光素子、５６…リード、５７…絶縁体、６０…ワイ
ヤ、６１…窓、６２…ガラス板、６５…Ｖ字状切欠部、
６６…矩形状切欠部。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザを光源とし、光学系によっ
   て光ディスク面に光ピックアップのためのスポット光を
   結ぶ光ピックアップ機構を有する光ディスク装置であっ
   て、前記半導体レーザは電流注入部の幅が他の部分より
   も狭くなっている部分を少なくとも１つ以上有すること
   を特徴とする光ディスク装置。
2. 【請求項２】 前記電流注入部の幅が狭くなっている部
   分は、共振器を伝幡する水平０次と１次の伝幡定数差に
   より生じるうねりの定在波の振幅が極大値になる位置に
   あることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装
   置。
3. 【請求項３】 前記電流注入部の幅が狭くなっている部
   分は出射レーザ光の水平１次モードと０次モードで４ｃ
   ｍ^-1以上の利得差が生じる幅になっていることを特徴と
   する請求項１または請求項２に記載の光ディスク装置。
4. 【請求項４】 前記半導体レーザは光ディスク面への書
   き込みができる高出力の半導体レーザを構成しているこ
   とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に
   記載の光ディスク装置。
5. 【請求項５】 前記半導体レーザはリッジ構造，埋め込
   みヘテロ構造等の共振器が内部狭窄型の半導体レーザで
   あることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか
   １項に記載の光ディスク装置。
6. 【請求項６】 前記共振器の幅は一定であることを特徴
   とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光
   ディスク装置。
7. 【請求項７】 前記半導体レーザは、パッケージ本体お
   よびレーザ光を透過させる光透過窓を有する蓋体とから
   なるパッケージ内に組み込まれているとともに、前記半
   導体レーザの各電極は前記パッケージ本体に取り付けら
   れ前記パッケージの内外に亘って延在する複数の外部電
   極端子に接続手段を介して電気的に接続された構成にな
   っていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいず
   れか１項に記載の光ディスク装置。