JP2000252235A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JP2000252235A JP2000252235A JP11048935A JP4893599A JP2000252235A JP 2000252235 A JP2000252235 A JP 2000252235A JP 11048935 A JP11048935 A JP 11048935A JP 4893599 A JP4893599 A JP 4893599A JP 2000252235 A JP2000252235 A JP 2000252235A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】生産性の良い半導体装置の製造方法及び歩留ま
りが良好な装置として得られる半導体装置を提供する。 【解決手段】導電物４１を介して金属箔３１と半導体ウ
エハ０とをダイシングテープ０に貼着した後、所定の幅
を有する切りしろを設けて縦横にダイシングを施し複数
の半導体チップ１を形成した後、前記複数の半導体チッ
プ１間に絶縁物５を注入し硬化させ、前記半導体チップ
１及び絶縁物５の前記金属箔３１との接続面と反対側面
に、別の導電物４２を介して別の金属箔３２を設置した
後、前記絶縁物５のうち左右を複数の半導体チップ１で
挟まれた部分を切断し、第１金属電極１３１及び第２金
属電極１３２を含む個々の半導体装置を形成する。以上
により上記目的を達成することができる。
りが良好な装置として得られる半導体装置を提供する。 【解決手段】導電物４１を介して金属箔３１と半導体ウ
エハ０とをダイシングテープ０に貼着した後、所定の幅
を有する切りしろを設けて縦横にダイシングを施し複数
の半導体チップ１を形成した後、前記複数の半導体チッ
プ１間に絶縁物５を注入し硬化させ、前記半導体チップ
１及び絶縁物５の前記金属箔３１との接続面と反対側面
に、別の導電物４２を介して別の金属箔３２を設置した
後、前記絶縁物５のうち左右を複数の半導体チップ１で
挟まれた部分を切断し、第１金属電極１３１及び第２金
属電極１３２を含む個々の半導体装置を形成する。以上
により上記目的を達成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及び半導
体装置の製造方法に関する。特に、小型薄型化され且つ
より安定性が高い半導体装置及び生産性の高い半導体装
置の製造方法に関する。
体装置の製造方法に関する。特に、小型薄型化され且つ
より安定性が高い半導体装置及び生産性の高い半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置は、電子機器の高機能
化、小型軽量化及び高速化の要求に応えるために、新し
い形態が次々に開発されている。例えば半導体集積回路
のみならず、ダイオードやトランジスタ等の個別半導体
においても小型軽量化が求められている。
化、小型軽量化及び高速化の要求に応えるために、新し
い形態が次々に開発されている。例えば半導体集積回路
のみならず、ダイオードやトランジスタ等の個別半導体
においても小型軽量化が求められている。
【０００３】従来の半導体装置及びその製造工程の一例
として、特開平１０−１４４６３１号に開示された半導
体装置及びその製造工程を図１６に示す。図１６（ａ）
及び図１６（ｂ）（図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＡ−
Ａ’における断面図）に示されるような半導体ウエハ０
をダイシングテープ２に貼りつけた後（図１６（ｃ）参
照）、前記半導体ウエハ０を縦横にフルダイシングを行
い、個々の半導体チップ８１を形成する（図１６（ｄ）
参照）。次に、各半導体チップ８１をダイシングテープ
２に貼り付けたままエキスパンドを行い、各半導体チッ
プ８１の間隔を拡大する（図１６（ｅ）参照）。次に、
前記エキスパンド完了後のダイシングテープ２上に貼り
付けられた各半導体チップ８１の電極部８１Ａ上に、接
着剤８４１を介して前記金属板８３１を接着した後（図
１６（ｆ）参照）、ダイシングテープ２を剥離し、電極
部８１Ａの反対側面である半導体チップ１の電極部８１
Ｂ上に、接着剤８４２を介して別の金属板８３２を接着
する（図１６（ｇ）参照）。続いて、エポキシ樹脂又は
ガラス等の絶縁物８５を各半導体チップ８１間に充填し
硬化乾燥させることにより、半導体チップ８１の外側面
８１Ｃを保護した後（図１６（ｈ）参照）、金属板８３
１、金属板８３２、及び絶縁物８５の部分を縦横にフル
ダイシングすることにより各半導体装置を得る。（図１
６（ｉ）参照）。
として、特開平１０−１４４６３１号に開示された半導
体装置及びその製造工程を図１６に示す。図１６（ａ）
及び図１６（ｂ）（図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＡ−
Ａ’における断面図）に示されるような半導体ウエハ０
をダイシングテープ２に貼りつけた後（図１６（ｃ）参
照）、前記半導体ウエハ０を縦横にフルダイシングを行
い、個々の半導体チップ８１を形成する（図１６（ｄ）
参照）。次に、各半導体チップ８１をダイシングテープ
２に貼り付けたままエキスパンドを行い、各半導体チッ
プ８１の間隔を拡大する（図１６（ｅ）参照）。次に、
前記エキスパンド完了後のダイシングテープ２上に貼り
付けられた各半導体チップ８１の電極部８１Ａ上に、接
着剤８４１を介して前記金属板８３１を接着した後（図
１６（ｆ）参照）、ダイシングテープ２を剥離し、電極
部８１Ａの反対側面である半導体チップ１の電極部８１
Ｂ上に、接着剤８４２を介して別の金属板８３２を接着
する（図１６（ｇ）参照）。続いて、エポキシ樹脂又は
ガラス等の絶縁物８５を各半導体チップ８１間に充填し
硬化乾燥させることにより、半導体チップ８１の外側面
８１Ｃを保護した後（図１６（ｈ）参照）、金属板８３
１、金属板８３２、及び絶縁物８５の部分を縦横にフル
ダイシングすることにより各半導体装置を得る。（図１
６（ｉ）参照）。
【０００４】一方、図１６に示される工程により得られ
た半導体装置は、上記工程により得られた後電子機器の
実装基板に実装される。次に、従来の半導体装置等の電
子部品を基板へ実装する場合の一般的な工程を、図１１
に示されるフローチャート及び図１２〜図１５に示され
る図面を参照して説明する。係る実装工程で用いる実装
基板１０１は、図１２に示されるように、銅等からなる
実装パターン１０２が形成されてなる。この実装基板１
０１上に図１６に示される工程により得られた半導体装
置等を含む電子部品を実装していく。係る実装工程では
まず、図１２に示される実装基板１０１の実装パターン
１０２上に、係る実装パターン１０２に対応する部分に
マスク開口部１１４が形成されたスクリーンマスク１１
２を設置してから、スクリーン印刷機によりスキージ１
１３を用いて半田ペースト１１１を印刷し（図１３参
照）、前記実装パターン１０２上に、半田ペースト１１
１から形成された半田ペースト１２１の層を形成した後
（図１３及び図１１のステップＳ１参照）、部品搭載機
を用いて実装基板１０１の所定の位置に前記半導体装置
を含む電子部品（ダイオード１２２やトランジスタ１２
３）等を搭載する（図１４及び図１１のステップＳ２参
照）。続いて、前記実装基板１０１を半田リフロー炉に
入れ半田ペースト１２１を溶融させることにより、前記
電子部品等の外部端子と、半田ペースト１２１下部に設
置される実装パターン１０２（図１２及び図１４参照）
とを接続する（図１１のステップＳ３）。
た半導体装置は、上記工程により得られた後電子機器の
実装基板に実装される。次に、従来の半導体装置等の電
子部品を基板へ実装する場合の一般的な工程を、図１１
に示されるフローチャート及び図１２〜図１５に示され
る図面を参照して説明する。係る実装工程で用いる実装
基板１０１は、図１２に示されるように、銅等からなる
実装パターン１０２が形成されてなる。この実装基板１
０１上に図１６に示される工程により得られた半導体装
置等を含む電子部品を実装していく。係る実装工程では
まず、図１２に示される実装基板１０１の実装パターン
１０２上に、係る実装パターン１０２に対応する部分に
マスク開口部１１４が形成されたスクリーンマスク１１
２を設置してから、スクリーン印刷機によりスキージ１
１３を用いて半田ペースト１１１を印刷し（図１３参
照）、前記実装パターン１０２上に、半田ペースト１１
１から形成された半田ペースト１２１の層を形成した後
（図１３及び図１１のステップＳ１参照）、部品搭載機
を用いて実装基板１０１の所定の位置に前記半導体装置
を含む電子部品（ダイオード１２２やトランジスタ１２
３）等を搭載する（図１４及び図１１のステップＳ２参
照）。続いて、前記実装基板１０１を半田リフロー炉に
入れ半田ペースト１２１を溶融させることにより、前記
電子部品等の外部端子と、半田ペースト１２１下部に設
置される実装パターン１０２（図１２及び図１４参照）
とを接続する（図１１のステップＳ３）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１６
に示される特開平１０−４４６３１号に開示された従来
の半導体装置の製造工程及び前記工程により得られた半
導体装置では以下に示すような問題が生じていた。係る
半導体装置の製造工程においては、図１６（ｃ）及び図
１６（ｄ）に示されるように、半導体ウエハ０をダイシ
ングテープ２に貼りつけた後縦横にフルダイシングを行
うことで各半導体チップ８１を形成した後、各半導体チ
ップ８１をダイシングテープ２に貼り付けたままエキス
パンドを行い、各半導体チップ８１の間隔を拡大する。
この場合、ダイシングテープ２上で半導体チップ８１を
ダイシングすると、図１６（ｊ）（図１６（ｄ）の拡大
図）に示すように、ダイシングによりダイシングテープ
２まで切り込み８７が入る。このようにダイシングテー
プ２に切り込み８７が存在する状態で、引き続いて図１
６（ｅ）に示すようにエキスパンドを行うと、切り込み
８７部分が拡大されることによりダイシングテープ２に
形成された切り込み８７部分の凸凹が拡げられる結果と
して、ダイシングテープ２上に配置された半導体チップ
８１の配列に乱れが生じる。この配列に乱れが生じた状
態のまま半導体チップ８１を用いて、図１６（ｆ）以降
の工程により半導体装置を製造すると、最終的に得られ
る半導体装置の形状にばらつきが生じ得るうえに、外観
からは問題がないようにみえても、半導体チップ８１が
金属板８３１と金属板８３２との間に斜めに設置されて
いる装置や、半導体チップ８１を保護するために設置さ
れたはずの絶縁物８５が半導体チップ８１の外側面に十
分に形成されていない装置等の不良品が多く発生してい
まい、歩留まりが悪く生産性が低いという問題が生じて
いた。
に示される特開平１０−４４６３１号に開示された従来
の半導体装置の製造工程及び前記工程により得られた半
導体装置では以下に示すような問題が生じていた。係る
半導体装置の製造工程においては、図１６（ｃ）及び図
１６（ｄ）に示されるように、半導体ウエハ０をダイシ
ングテープ２に貼りつけた後縦横にフルダイシングを行
うことで各半導体チップ８１を形成した後、各半導体チ
ップ８１をダイシングテープ２に貼り付けたままエキス
パンドを行い、各半導体チップ８１の間隔を拡大する。
この場合、ダイシングテープ２上で半導体チップ８１を
ダイシングすると、図１６（ｊ）（図１６（ｄ）の拡大
図）に示すように、ダイシングによりダイシングテープ
２まで切り込み８７が入る。このようにダイシングテー
プ２に切り込み８７が存在する状態で、引き続いて図１
６（ｅ）に示すようにエキスパンドを行うと、切り込み
８７部分が拡大されることによりダイシングテープ２に
形成された切り込み８７部分の凸凹が拡げられる結果と
して、ダイシングテープ２上に配置された半導体チップ
８１の配列に乱れが生じる。この配列に乱れが生じた状
態のまま半導体チップ８１を用いて、図１６（ｆ）以降
の工程により半導体装置を製造すると、最終的に得られ
る半導体装置の形状にばらつきが生じ得るうえに、外観
からは問題がないようにみえても、半導体チップ８１が
金属板８３１と金属板８３２との間に斜めに設置されて
いる装置や、半導体チップ８１を保護するために設置さ
れたはずの絶縁物８５が半導体チップ８１の外側面に十
分に形成されていない装置等の不良品が多く発生してい
まい、歩留まりが悪く生産性が低いという問題が生じて
いた。
【０００６】一方、部品搭載機で実装基板に搭載できる
電子部品の大きさは現状、幅０．６ｍｍ×高さ０．３ｍ
ｍのものが最小であり、これ以下の幅及び高さのものは
実装することができない。このため、前述した大きさ以
上の半導体装置でないと、図１２に示すような実装基板
１０１に搭載することが困難となる。図１６に示される
半導体装置の製造工程では、金属板８３１・８３２の厚
さや半導体チップ８１自体の厚さでしか半導体装置の大
きさを調節することができないため、製造コストが高く
なる場合が生じうるうえ、パッケージ長さの変更に柔軟
に対応することができないという問題が生じていた。
電子部品の大きさは現状、幅０．６ｍｍ×高さ０．３ｍ
ｍのものが最小であり、これ以下の幅及び高さのものは
実装することができない。このため、前述した大きさ以
上の半導体装置でないと、図１２に示すような実装基板
１０１に搭載することが困難となる。図１６に示される
半導体装置の製造工程では、金属板８３１・８３２の厚
さや半導体チップ８１自体の厚さでしか半導体装置の大
きさを調節することができないため、製造コストが高く
なる場合が生じうるうえ、パッケージ長さの変更に柔軟
に対応することができないという問題が生じていた。
【０００７】本発明は、以上の従来技術における問題に
鑑みてなされたものである。本発明の目的は、実装時に
取り扱いが容易な半導体装置を提供することである。ま
た、本発明の目的は、生産性に優れた半導体装置の製造
方法を提供することである。また、本発明の目的は、用
途に応じて柔軟に装置全体の大きさを設定することがで
きる半導体装置を提供することである。
鑑みてなされたものである。本発明の目的は、実装時に
取り扱いが容易な半導体装置を提供することである。ま
た、本発明の目的は、生産性に優れた半導体装置の製造
方法を提供することである。また、本発明の目的は、用
途に応じて柔軟に装置全体の大きさを設定することがで
きる半導体装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め提供する本出願第１の発明は、導電物を介して金属箔
と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着した後、所
定の幅を有する切りしろを設けて縦横にダイシングを施
し複数の半導体チップを形成した後、前記複数の半導体
チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記半導体チップ
及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対側面に、別の
導電物を介して別の金属箔を設置した後、前記絶縁物の
うち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分を切断
し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の半導体
装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法
である。
め提供する本出願第１の発明は、導電物を介して金属箔
と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着した後、所
定の幅を有する切りしろを設けて縦横にダイシングを施
し複数の半導体チップを形成した後、前記複数の半導体
チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記半導体チップ
及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対側面に、別の
導電物を介して別の金属箔を設置した後、前記絶縁物の
うち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分を切断
し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の半導体
装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法
である。
【０００９】本出願にいう所定の幅を有する切りしろと
は、半導体ウエハを各半導体チップへとダイシングする
際に、各半導体チップ間から切り取られる半導体チップ
の幅をいう。上記構成を有する本出願第１の発明の半導
体装置によると、所定の幅を有する切りしろを設けて縦
横にダイシングを施すことにより、後の工程において前
記半導体チップの外側面に十分な厚みを有する樹脂を施
すことができるため、半導体チップを確実に保護するこ
とができるため、歩留まりが向上し、生産性の向上を図
ることができる。
は、半導体ウエハを各半導体チップへとダイシングする
際に、各半導体チップ間から切り取られる半導体チップ
の幅をいう。上記構成を有する本出願第１の発明の半導
体装置によると、所定の幅を有する切りしろを設けて縦
横にダイシングを施すことにより、後の工程において前
記半導体チップの外側面に十分な厚みを有する樹脂を施
すことができるため、半導体チップを確実に保護するこ
とができるため、歩留まりが向上し、生産性の向上を図
ることができる。
【００１０】また、本出願第２の発明は、導電物を介し
て金属箔と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着し
た後約３００μｍ以上の幅の切りしろを設けて縦横にダ
イシングを施し複数の半導体チップを形成した後、前記
複数の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記
半導体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対
側面に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、
前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた
部分を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個
々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
て金属箔と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着し
た後約３００μｍ以上の幅の切りしろを設けて縦横にダ
イシングを施し複数の半導体チップを形成した後、前記
複数の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記
半導体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対
側面に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、
前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた
部分を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個
々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
【００１１】上記構成を有する本出願第２の発明の半導
体装置によると、約３００μｍ以上の幅の切りしろを設
けて縦横にダイシングを施すことにより、後の工程にお
いて前記半導体チップの外側面に十分な厚みを有する樹
脂を施すことができるため、半導体チップを確実に保護
することができるため、歩留まりが向上し、生産性の向
上を図ることができる。
体装置によると、約３００μｍ以上の幅の切りしろを設
けて縦横にダイシングを施すことにより、後の工程にお
いて前記半導体チップの外側面に十分な厚みを有する樹
脂を施すことができるため、半導体チップを確実に保護
することができるため、歩留まりが向上し、生産性の向
上を図ることができる。
【００１２】また、本出願第３の発明は、半導体ウエハ
を第１のダイシングテープに貼着した後縦横にダイシン
グを施して複数の半導体チップを形成し、前記半導体チ
ップと金属箔とを導電物を介して貼着した後、前記半導
体チップの前記金属箔設置面と第２のダイシングテープ
とが接するように貼着後第１のダイシングテープを剥が
して貼り替え、しかる後にエキスパンドすることにより
間隔が拡げられた複数の半導体チップを形成した後、前
記複数の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前
記半導体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反
対側面に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した
後、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟ま
れた部分を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含
む個々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法である。
を第１のダイシングテープに貼着した後縦横にダイシン
グを施して複数の半導体チップを形成し、前記半導体チ
ップと金属箔とを導電物を介して貼着した後、前記半導
体チップの前記金属箔設置面と第２のダイシングテープ
とが接するように貼着後第１のダイシングテープを剥が
して貼り替え、しかる後にエキスパンドすることにより
間隔が拡げられた複数の半導体チップを形成した後、前
記複数の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前
記半導体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反
対側面に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した
後、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟ま
れた部分を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含
む個々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法である。
【００１３】本出願にいう第１のダイシングテープと
は、第一義的には、半導体ウエハを最初に貼着するため
のダイシングテープをいい、第２のダイシングテープと
は、第一義的には、前記第１のダイシングテープを前記
半導体チップに貼着した後に貼着するダイシングテープ
をいう。上記構成を有する本出願第３の発明の半導体装
置によると、前記半導体チップと金属箔とを導電物を介
して貼着した後、前記半導体チップの前記金属箔設置面
と第２のダイシングテープとが接するように貼着後第１
のダイシングテープを剥がして貼り替え、しかる後にエ
キスパンドすることにより、エキスパンドする際に半導
体チップの配列に乱れが生じることがなく、後の工程に
おける不良品の発生を低減することができるため、歩留
まりを高めることができ、生産性の向上を図ることがで
きる。
は、第一義的には、半導体ウエハを最初に貼着するため
のダイシングテープをいい、第２のダイシングテープと
は、第一義的には、前記第１のダイシングテープを前記
半導体チップに貼着した後に貼着するダイシングテープ
をいう。上記構成を有する本出願第３の発明の半導体装
置によると、前記半導体チップと金属箔とを導電物を介
して貼着した後、前記半導体チップの前記金属箔設置面
と第２のダイシングテープとが接するように貼着後第１
のダイシングテープを剥がして貼り替え、しかる後にエ
キスパンドすることにより、エキスパンドする際に半導
体チップの配列に乱れが生じることがなく、後の工程に
おける不良品の発生を低減することができるため、歩留
まりを高めることができ、生産性の向上を図ることがで
きる。
【００１４】また、本出願第４の発明の半導体装置の製
造方法は、半導体ウエハをダイシングテープに貼着し、
所定の位置まで第１のダイシングを施し溝を形成した
後、前記半導体ウエハを第１のダイシングテープから剥
がし、前記半導体チップの前記金属箔設置面と第２のダ
イシングテープとが接するように張り替え、前記半導体
ウエハの表面から溝に向かって第２のダイシングを施し
複数の半導体チップを形成し、しかる後に、前記半導体
チップが貼着された第２のダイシングテープをエキスパ
ンドすることにより間隔が拡げられた複数の半導体チッ
プを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶縁物を
注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の前記金
属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して別の
金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極及び
第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法である。
造方法は、半導体ウエハをダイシングテープに貼着し、
所定の位置まで第１のダイシングを施し溝を形成した
後、前記半導体ウエハを第１のダイシングテープから剥
がし、前記半導体チップの前記金属箔設置面と第２のダ
イシングテープとが接するように張り替え、前記半導体
ウエハの表面から溝に向かって第２のダイシングを施し
複数の半導体チップを形成し、しかる後に、前記半導体
チップが貼着された第２のダイシングテープをエキスパ
ンドすることにより間隔が拡げられた複数の半導体チッ
プを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶縁物を
注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の前記金
属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して別の
金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極及び
第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１５】本出願にいう第１のダイシングテープと
は、第一義的には、半導体ウエハを最初に貼着するため
のダイシングテープをいい、第２のダイシングテープと
は、第一義的には、前記第１のダイシングテープを前記
半導体チップに貼着した後に貼着するダイシングテープ
をいう。また、本出願にいう所定の位置まで第１のダイ
シングを施すとは、第一義的には、半導体ウエハを各半
導体チップに分割せずに、半導体ウエハをハーフダイシ
ングすることをいう。ハーフダイシングとは、換言すれ
ば、溝が形成されるように半導体ウエハの途中までダイ
シングすることをいう。また、本出願にいう第２のダイ
シングとは、第一義的には、半導体ウエハを各半導体チ
ップに分割するためにフルダイシングすることをいう。
上記構成を有する本出願第４の発明の半導体装置の製造
方法によると、半導体ウエハをダイシングテープに貼着
し、所定の位置まで第１のダイシングを施し溝を形成し
た後、前記半導体ウエハを第１のダイシングテープから
剥がし、前記半導体チップの前記金属箔設置面と第２の
ダイシングテープとが接するように張り替え、前記半導
体ウエハの表面から溝に向かって第２のダイシングを施
し複数の半導体チップを形成することにより、エキスパ
ンドする際に半導体チップの配列に乱れが生じることが
なく、後の工程における不良品の発生を低減することが
できるため、歩留まりを高めることができ、生産性の向
上を図ることができる。
は、第一義的には、半導体ウエハを最初に貼着するため
のダイシングテープをいい、第２のダイシングテープと
は、第一義的には、前記第１のダイシングテープを前記
半導体チップに貼着した後に貼着するダイシングテープ
をいう。また、本出願にいう所定の位置まで第１のダイ
シングを施すとは、第一義的には、半導体ウエハを各半
導体チップに分割せずに、半導体ウエハをハーフダイシ
ングすることをいう。ハーフダイシングとは、換言すれ
ば、溝が形成されるように半導体ウエハの途中までダイ
シングすることをいう。また、本出願にいう第２のダイ
シングとは、第一義的には、半導体ウエハを各半導体チ
ップに分割するためにフルダイシングすることをいう。
上記構成を有する本出願第４の発明の半導体装置の製造
方法によると、半導体ウエハをダイシングテープに貼着
し、所定の位置まで第１のダイシングを施し溝を形成し
た後、前記半導体ウエハを第１のダイシングテープから
剥がし、前記半導体チップの前記金属箔設置面と第２の
ダイシングテープとが接するように張り替え、前記半導
体ウエハの表面から溝に向かって第２のダイシングを施
し複数の半導体チップを形成することにより、エキスパ
ンドする際に半導体チップの配列に乱れが生じることが
なく、後の工程における不良品の発生を低減することが
できるため、歩留まりを高めることができ、生産性の向
上を図ることができる。
【００１６】また、本出願第５の発明は、本出願第４の
発明の半導体装置の製造方法であって、前記第１のダイ
シングにおいて、半導体ウエハの両端部のみフルダイシ
ングし、残りの部分をハーフダイシングすることにより
複数の半導体チップを得ることを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
発明の半導体装置の製造方法であって、前記第１のダイ
シングにおいて、半導体ウエハの両端部のみフルダイシ
ングし、残りの部分をハーフダイシングすることにより
複数の半導体チップを得ることを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
【００１７】本出願にいうハーフダイシングとは、第一
義的には、半導体ウエハを各半導体チップに分割せず
に、溝が形成されるように半導体ウエハの途中までダイ
シングすることをいい、本出願にいうフルダイシングと
は、第一義的には、半導体ウエハを各半導体チップに分
割することをいう。また、半導体ウエハの両端部とは、
半導体ウエハの端部であって、半導体ウエハを同一方向
にダイシングしていく際に、両端となる部分のことをい
う。上記構成を有する本出願第５の発明の半導体装置の
製造方法によると、半導体ウエハの両端部のみフルダイ
シングし、残りの部分をハーフダイシングすることによ
り複数の半導体チップを得ることにより、前記両端部に
切りしろが形成され、前記切りしろを後の工程における
ダイシングの際の位置だしマークとして用いることがで
きるため、半導体ウエハを精度良くダイシングすること
ができる。
義的には、半導体ウエハを各半導体チップに分割せず
に、溝が形成されるように半導体ウエハの途中までダイ
シングすることをいい、本出願にいうフルダイシングと
は、第一義的には、半導体ウエハを各半導体チップに分
割することをいう。また、半導体ウエハの両端部とは、
半導体ウエハの端部であって、半導体ウエハを同一方向
にダイシングしていく際に、両端となる部分のことをい
う。上記構成を有する本出願第５の発明の半導体装置の
製造方法によると、半導体ウエハの両端部のみフルダイ
シングし、残りの部分をハーフダイシングすることによ
り複数の半導体チップを得ることにより、前記両端部に
切りしろが形成され、前記切りしろを後の工程における
ダイシングの際の位置だしマークとして用いることがで
きるため、半導体ウエハを精度良くダイシングすること
ができる。
【００１８】また、本出願第６の発明は、導電物を介し
て金属箔と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着し
た後、所定の幅を有する切りしろを設けて縦横にダイシ
ングを施し複数の半導体チップを形成した後、前記複数
の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記半導
体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対側面
に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、前記
絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分
を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の
半導体装置を形成することにより得られ、長辺と高さと
の比が１：１〜４：１であることを特徴とする半導体装
置である。
て金属箔と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着し
た後、所定の幅を有する切りしろを設けて縦横にダイシ
ングを施し複数の半導体チップを形成した後、前記複数
の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記半導
体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対側面
に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、前記
絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分
を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の
半導体装置を形成することにより得られ、長辺と高さと
の比が１：１〜４：１であることを特徴とする半導体装
置である。
【００１９】また、本出願第７の発明は、導電物を介し
て金属箔と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着し
た後約３００μｍ以上の切りしろを設けて縦横にダイシ
ングを施し複数の半導体チップを形成した後、前記複数
の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記半導
体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対側面
に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、前記
絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分
を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の
半導体装置を形成することにより得られ、長辺と高さと
の比が１：１〜４：１であることを特徴とする半導体装
置である。
て金属箔と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着し
た後約３００μｍ以上の切りしろを設けて縦横にダイシ
ングを施し複数の半導体チップを形成した後、前記複数
の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記半導
体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対側面
に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、前記
絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分
を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の
半導体装置を形成することにより得られ、長辺と高さと
の比が１：１〜４：１であることを特徴とする半導体装
置である。
【００２０】また、本出願第８の発明は、半導体ウエハ
を第１のダイシングテープに貼着した後縦横にダイシン
グを施して複数の半導体チップを形成し、前記半導体チ
ップと金属箔とを導電物を介して貼着した後、前記半導
体チップの前記金属箔設置面と第２のダイシングテープ
とが接するように貼着後第１のダイシングテープを剥が
して貼り替え、しかる後にエキスパンドすることにより
間隔が拡げられた複数の半導体チップを形成した後、前
記複数の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前
記半導体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反
対側面に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した
後、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟ま
れた部分を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含
む個々の半導体装置を形成することにより得られ、長辺
と高さとの比が１：１〜４：１であることを特徴とする
半導体装置である。
を第１のダイシングテープに貼着した後縦横にダイシン
グを施して複数の半導体チップを形成し、前記半導体チ
ップと金属箔とを導電物を介して貼着した後、前記半導
体チップの前記金属箔設置面と第２のダイシングテープ
とが接するように貼着後第１のダイシングテープを剥が
して貼り替え、しかる後にエキスパンドすることにより
間隔が拡げられた複数の半導体チップを形成した後、前
記複数の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前
記半導体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反
対側面に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した
後、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟ま
れた部分を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含
む個々の半導体装置を形成することにより得られ、長辺
と高さとの比が１：１〜４：１であることを特徴とする
半導体装置である。
【００２１】また、本出願第９の発明は、半導体ウエハ
を第１のダイシングテープに貼着し、所定の位置まで第
１のダイシングを施し溝を形成した後、前記半導体ウエ
ハを第１のダイシングテープから剥がし、前記半導体チ
ップの前記金属箔設置面と第２のダイシングテープとが
接するように張り替え、前記半導体ウエハの表面から溝
に向かって第２のダイシングを施し複数の半導体チップ
を形成し、しかる後に、前記半導体チップが貼着された
ダイシングテープをエキスパンドすることにより間隔が
拡げられた複数の半導体チップを形成した後、前記複数
の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記半導
体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対側面
に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、前記
絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分
を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の
半導体装置を形成することにより得られ、長辺と高さと
の比が１：１〜４：１であることを特徴とする半導体装
置である。
を第１のダイシングテープに貼着し、所定の位置まで第
１のダイシングを施し溝を形成した後、前記半導体ウエ
ハを第１のダイシングテープから剥がし、前記半導体チ
ップの前記金属箔設置面と第２のダイシングテープとが
接するように張り替え、前記半導体ウエハの表面から溝
に向かって第２のダイシングを施し複数の半導体チップ
を形成し、しかる後に、前記半導体チップが貼着された
ダイシングテープをエキスパンドすることにより間隔が
拡げられた複数の半導体チップを形成した後、前記複数
の半導体チップ間に絶縁物を注入し硬化させ、前記半導
体チップ及び絶縁物の前記金属箔との接続面と反対側面
に、別の導電物を介して別の金属箔を設置した後、前記
絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分
を切断し、第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の
半導体装置を形成することにより得られ、長辺と高さと
の比が１：１〜４：１であることを特徴とする半導体装
置である。
【００２２】上記構成を有する本出願第６〜本出願第９
の何れか一の発明の半導体装置によると、長辺と高さと
の比が１：１〜４：１であることにより、前記半導体装
置を実装基板に実装する際の前記半導体装置の転倒等を
防ぐことができるため、前記実装時の安定度が高い装置
として得ることができる。これにより、歩留まりを高め
ることができるため、低コストで製造される装置として
得ることができる。
の何れか一の発明の半導体装置によると、長辺と高さと
の比が１：１〜４：１であることにより、前記半導体装
置を実装基板に実装する際の前記半導体装置の転倒等を
防ぐことができるため、前記実装時の安定度が高い装置
として得ることができる。これにより、歩留まりを高め
ることができるため、低コストで製造される装置として
得ることができる。
【００２３】また、本出願第１０の発明は、一主面上に
ワイヤが引き出されたバンプが設置され、前記一主面と
反対側面で第１導電物を介して第１金属電極と接し、外
側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを有し、前記
バンプから引き出されたワイヤが第２導電物を介して第
２金属電極と接続されてなることを特徴とする半導体装
置である。
ワイヤが引き出されたバンプが設置され、前記一主面と
反対側面で第１導電物を介して第１金属電極と接し、外
側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを有し、前記
バンプから引き出されたワイヤが第２導電物を介して第
２金属電極と接続されてなることを特徴とする半導体装
置である。
【００２４】上記構成を有する本出願第１０の発明の半
導体装置によると、一主面上にワイヤが引き出されたバ
ンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電物を
介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われて
なる半導体チップを有し、前記バンプから引き出された
ワイヤが第２導電物を介して第２金属電極と接続されて
なることにより、ワイヤの長さを変えることにより半導
体装置自体の大きさを設定することができるため、パッ
ケージ長さの変更に柔軟に対応することができる。
導体装置によると、一主面上にワイヤが引き出されたバ
ンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電物を
介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われて
なる半導体チップを有し、前記バンプから引き出された
ワイヤが第２導電物を介して第２金属電極と接続されて
なることにより、ワイヤの長さを変えることにより半導
体装置自体の大きさを設定することができるため、パッ
ケージ長さの変更に柔軟に対応することができる。
【００２５】また、本出願第１１の発明は、一主面上に
２のバンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導
電物を介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆
われてなる半導体チップを有し、前記２のバンプがそれ
ぞれ第２導電物を介して、溝により相互に絶縁された２
の第２金属電極と接続されてなることを特徴とする半導
体装置である。
２のバンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導
電物を介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆
われてなる半導体チップを有し、前記２のバンプがそれ
ぞれ第２導電物を介して、溝により相互に絶縁された２
の第２金属電極と接続されてなることを特徴とする半導
体装置である。
【００２６】上記構成を有する本出願第１１の発明の半
導体装置によると、一主面上に２のバンプが設置され、
前記一主面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電
極と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップ
を有し、前記２のバンプがそれぞれ第２導電物を介し
て、溝により相互に絶縁された２の第２金属電極と接続
されてなることにより、従来のトランジスタ等の半導体
装置と比較してより小型化・薄型化された装置として得
ることができる。
導体装置によると、一主面上に２のバンプが設置され、
前記一主面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電
極と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップ
を有し、前記２のバンプがそれぞれ第２導電物を介し
て、溝により相互に絶縁された２の第２金属電極と接続
されてなることにより、従来のトランジスタ等の半導体
装置と比較してより小型化・薄型化された装置として得
ることができる。
【００２７】また、本出願第１２の発明は、一主面上に
ワイヤが引き出された２のバンプが設置され、前記一主
面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電極と接
し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを有
し、前記２のバンプから引き出されたワイヤがそれぞれ
導電物を介して、溝により相互に絶縁された２の第２金
属電極と接続されてなることを特徴とする半導体装置で
ある。
ワイヤが引き出された２のバンプが設置され、前記一主
面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電極と接
し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを有
し、前記２のバンプから引き出されたワイヤがそれぞれ
導電物を介して、溝により相互に絶縁された２の第２金
属電極と接続されてなることを特徴とする半導体装置で
ある。
【００２８】上記構成を有する本出願第１２の発明の半
導体装置によると、一主面上にワイヤが引き出された２
のバンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電
物を介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆わ
れてなる半導体チップを有し、前記２のバンプから引き
出されたワイヤがそれぞれ導電物を介して、溝により相
互に絶縁された２の第２金属電極と接続されてなること
により、従来のトランジスタ等の半導体装置と比較して
より小型化・薄型化された装置として得ることができ
る。さらに、ワイヤの長さを変えることにより半導体装
置自体の大きさを設定することができるため、パッケー
ジ長さの変更に柔軟に対応することができる。
導体装置によると、一主面上にワイヤが引き出された２
のバンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電
物を介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆わ
れてなる半導体チップを有し、前記２のバンプから引き
出されたワイヤがそれぞれ導電物を介して、溝により相
互に絶縁された２の第２金属電極と接続されてなること
により、従来のトランジスタ等の半導体装置と比較して
より小型化・薄型化された装置として得ることができ
る。さらに、ワイヤの長さを変えることにより半導体装
置自体の大きさを設定することができるため、パッケー
ジ長さの変更に柔軟に対応することができる。
【００２９】また、本出願第１３の発明は、ダイシング
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に、表面にワイヤが
引き出されたバンプを設置し、前記半導体チップ間及び
前記半導体チップ上に前記ワイヤの先端が露出する程度
に絶縁物を充填し硬化させ、前記ワイヤ及び絶縁物上に
別の導電物を介して別の金属箔を設置し、前記ワイヤと
前記別の導電物とを接着した後、前記絶縁物のうち左右
を複数の半導体チップで挟まれた部分を切断することに
より第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の半導体
装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法
である。
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に、表面にワイヤが
引き出されたバンプを設置し、前記半導体チップ間及び
前記半導体チップ上に前記ワイヤの先端が露出する程度
に絶縁物を充填し硬化させ、前記ワイヤ及び絶縁物上に
別の導電物を介して別の金属箔を設置し、前記ワイヤと
前記別の導電物とを接着した後、前記絶縁物のうち左右
を複数の半導体チップで挟まれた部分を切断することに
より第１金属電極及び第２金属電極を含む個々の半導体
装置を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法
である。
【００３０】また、本出願第１４の発明は、ダイシング
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に２のバンプを設置
し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記
２のバンプが露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、
前記２のバンプ及び前記絶縁物上に別の導電物を介して
別の金属箔を設置し、前記２のバンプと別の導電物とを
接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物にかけて溝
を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断することにより第１金
属電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極を含む個
々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に２のバンプを設置
し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記
２のバンプが露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、
前記２のバンプ及び前記絶縁物上に別の導電物を介して
別の金属箔を設置し、前記２のバンプと別の導電物とを
接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物にかけて溝
を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断することにより第１金
属電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極を含む個
々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
【００３１】また、本出願第１５の発明は、ダイシング
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に、表面にそれぞれ
ワイヤが引き出された２のバンプを設置し、前記半導体
チップ間及び前記半導体チップ上に前記ワイヤの先端が
露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、前記ワイヤ及
び絶縁物上に別の導電物を介して別の金属箔を設置し、
前記ワイヤと前記別の導電物とを接着した後、前記別の
金属箔から前記絶縁物にかけて溝を形成するとともに、
前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた
部分を切断することにより第１金属電極及び相互に絶縁
された２の第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成
することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に、表面にそれぞれ
ワイヤが引き出された２のバンプを設置し、前記半導体
チップ間及び前記半導体チップ上に前記ワイヤの先端が
露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、前記ワイヤ及
び絶縁物上に別の導電物を介して別の金属箔を設置し、
前記ワイヤと前記別の導電物とを接着した後、前記別の
金属箔から前記絶縁物にかけて溝を形成するとともに、
前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた
部分を切断することにより第１金属電極及び相互に絶縁
された２の第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成
することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００３２】上記構成を有する本出願第１３〜本出願第
１５の何れか一の発明の半導体装置の製造方法による
と、複数の半導体装置を一括して製造することができる
ため、生産性の向上を図ることができる。
１５の何れか一の発明の半導体装置の製造方法による
と、複数の半導体装置を一括して製造することができる
ため、生産性の向上を図ることができる。
【００３３】また、本出願第１６の発明は、ダイシング
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に、表面にワイヤが
引き出されたバンプを設置し、前記半導体チップ間及び
前記半導体チップ上に前記ワイヤの先端が露出する程度
に絶縁物を充填し硬化させ、前記ワイヤ及び絶縁物上に
別の導電物を介して別の金属箔を設置し、前記ワイヤと
前記別の導電物とを接着した後、前記別の金属箔から前
記絶縁物にかけて溝を形成するとともに、前記絶縁物の
うち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分を切断し
て第１金属電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極
を形成することにより得られ、長辺と高さとの比が１：
１〜４：１であることを特徴とする半導体装置である。
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に、表面にワイヤが
引き出されたバンプを設置し、前記半導体チップ間及び
前記半導体チップ上に前記ワイヤの先端が露出する程度
に絶縁物を充填し硬化させ、前記ワイヤ及び絶縁物上に
別の導電物を介して別の金属箔を設置し、前記ワイヤと
前記別の導電物とを接着した後、前記別の金属箔から前
記絶縁物にかけて溝を形成するとともに、前記絶縁物の
うち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分を切断し
て第１金属電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極
を形成することにより得られ、長辺と高さとの比が１：
１〜４：１であることを特徴とする半導体装置である。
【００３４】また、本出願第１７の発明は、ダイシング
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に２のバンプを設置
し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記
２のバンプが露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、
前記２のバンプ及び前記絶縁物上に別の導電物を介して
別の金属箔を設置し、前記２のバンプと別の導電物とを
接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物にかけて溝
を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断して第１金属電極及び
相互に絶縁された２の第２金属電極を形成することによ
り得られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：１であるこ
とを特徴とする半導体装置である。
テープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着さ
れた複数の半導体チップの一主面上に２のバンプを設置
し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記
２のバンプが露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、
前記２のバンプ及び前記絶縁物上に別の導電物を介して
別の金属箔を設置し、前記２のバンプと別の導電物とを
接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物にかけて溝
を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断して第１金属電極及び
相互に絶縁された２の第２金属電極を形成することによ
り得られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：１であるこ
とを特徴とする半導体装置である。
【００３５】また、本出願第１８の発明は、導電物を介
して金属箔と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着
した後縦横にダイシングを施し複数の半導体チップを形
成し、表面にそれぞれワイヤが引き出された２のバンプ
を各半導体チップの上面に設置した後、前記半導体チッ
プ間及び前記半導体チップ上に前記ワイヤの先端が露出
する程度に絶縁物を形成した後、前記ワイヤ及び絶縁物
上に導電物を介して別の金属箔を設置し、前記ワイヤと
導電物とを接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物
にかけて溝を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右
を複数の半導体チップで挟まれた部分を切断して第１金
属電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極を形成す
ることにより得られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：
１であることを特徴とする半導体装置である。
して金属箔と半導体ウエハとをダイシングテープに貼着
した後縦横にダイシングを施し複数の半導体チップを形
成し、表面にそれぞれワイヤが引き出された２のバンプ
を各半導体チップの上面に設置した後、前記半導体チッ
プ間及び前記半導体チップ上に前記ワイヤの先端が露出
する程度に絶縁物を形成した後、前記ワイヤ及び絶縁物
上に導電物を介して別の金属箔を設置し、前記ワイヤと
導電物とを接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物
にかけて溝を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右
を複数の半導体チップで挟まれた部分を切断して第１金
属電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極を形成す
ることにより得られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：
１であることを特徴とする半導体装置である。
【００３６】上記構成を有する本出願第１６〜本出願第
１８の何れか一の発明の半導体装置によると、長辺と高
さとの比が１：１〜４：１であることにより、前記半導
体装置を実装基板に実装する際の前記半導体装置の転倒
等を防ぐことができるため、前記実装時の安定度が高い
装置として得ることができる。これにより、歩留まりを
高めることができるため、低コストで製造される装置と
して得ることができる。
１８の何れか一の発明の半導体装置によると、長辺と高
さとの比が１：１〜４：１であることにより、前記半導
体装置を実装基板に実装する際の前記半導体装置の転倒
等を防ぐことができるため、前記実装時の安定度が高い
装置として得ることができる。これにより、歩留まりを
高めることができるため、低コストで製造される装置と
して得ることができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
半導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照し
て説明するが、以下の実施の形態は本発明に係る半導体
装置の製造方法及び半導体装置の一例にすぎない。 （第１の実施形態）図１は、本実施の形態に係る半導体
装置の一製造工程を示す図である。図４は、本実施の形
態に係る半導体装置の製造工程により得られる半導体装
置を示す斜視図である。
半導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照し
て説明するが、以下の実施の形態は本発明に係る半導体
装置の製造方法及び半導体装置の一例にすぎない。 （第１の実施形態）図１は、本実施の形態に係る半導体
装置の一製造工程を示す図である。図４は、本実施の形
態に係る半導体装置の製造工程により得られる半導体装
置を示す斜視図である。
【００３８】本実施の形態に係る製造方法により得られ
る半導体装置は、ダイオード等の個別半導体であり、図
１（ａ）に示されるような半導体ウエハ０から形成され
る。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
なお、後述する図１（ｂ）〜（ｊ）はすべてＡ−Ａ’に
おける断面図である。まず、半導体ウエハ０と金属箔３
１とを導電物４１を介して加圧及び加熱して貼り付けた
ものをダイシングテープ２に貼り付ける（図１（ｃ）参
照）。金属箔３１は一般にＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、若しくは
これらを含む合金を含む材料等からなり、導電物４１と
しては、Ａｇペースト・Ｃｕペースト等の導電性樹脂若
しくはＳｎ・Ｐｂ・Ａｇ等からなる高融点半田等を用い
る。続いて、半導体ウエハ０を所定の幅を有する切りし
ろを設けて縦、横に所望のチップサイズにフルダイシン
グし、各半導体チップ１を形成する（図１（ｄ）参
照）。ここで、切りしろの幅としては、ダイシング後の
工程において半導体チップ１の側面部１Ｃに前記半導体
チップ１を保護するために十分な厚さの絶縁物５を形成
することができる程度に前記半導体チップ１の間隔を設
けることができるような幅であることが望ましい。現状
のところ、金属箔３１と同時に半導体ウエハ０をダイシ
ングする際に用いるダイシングブレードの制限により、
ダイシング時に半導体ウエハ０が少なくとも約２００μ
ｍ切削される。しかしながら、半導体チップ１保護する
ために半導体チップ１の側面部１Ｃ上に前記絶縁物５を
形成するために、前記半導体チップ１の両側にさらに約
５０μｍずつの隙間が形成されることが必要であるた
め、切りしろの幅は少なくとも約３００μｍ設けられて
いることが望ましい（図１（ｅ）参照：図１（ｅ）は図
１（ｄ）の点線部分の拡大図）。また、本実施の形態に
おいては、半導体チップ１は金属箔３１及び導電物４１
を介してダイシングテープ２上に設置されていることか
ら、前記ダイシングによりダイシングテープ２に切り込
みが入ることがないため（図１（ｅ）参照）、前記切り
込みが原因により半導体チップ１の配列が乱れることが
ない。これにより、所定の位置に正しく半導体チップ１
が設置された半導体装置を製造することができるため、
歩留まりを高めることができ、生産性を向上させること
ができる。
る半導体装置は、ダイオード等の個別半導体であり、図
１（ａ）に示されるような半導体ウエハ０から形成され
る。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
なお、後述する図１（ｂ）〜（ｊ）はすべてＡ−Ａ’に
おける断面図である。まず、半導体ウエハ０と金属箔３
１とを導電物４１を介して加圧及び加熱して貼り付けた
ものをダイシングテープ２に貼り付ける（図１（ｃ）参
照）。金属箔３１は一般にＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、若しくは
これらを含む合金を含む材料等からなり、導電物４１と
しては、Ａｇペースト・Ｃｕペースト等の導電性樹脂若
しくはＳｎ・Ｐｂ・Ａｇ等からなる高融点半田等を用い
る。続いて、半導体ウエハ０を所定の幅を有する切りし
ろを設けて縦、横に所望のチップサイズにフルダイシン
グし、各半導体チップ１を形成する（図１（ｄ）参
照）。ここで、切りしろの幅としては、ダイシング後の
工程において半導体チップ１の側面部１Ｃに前記半導体
チップ１を保護するために十分な厚さの絶縁物５を形成
することができる程度に前記半導体チップ１の間隔を設
けることができるような幅であることが望ましい。現状
のところ、金属箔３１と同時に半導体ウエハ０をダイシ
ングする際に用いるダイシングブレードの制限により、
ダイシング時に半導体ウエハ０が少なくとも約２００μ
ｍ切削される。しかしながら、半導体チップ１保護する
ために半導体チップ１の側面部１Ｃ上に前記絶縁物５を
形成するために、前記半導体チップ１の両側にさらに約
５０μｍずつの隙間が形成されることが必要であるた
め、切りしろの幅は少なくとも約３００μｍ設けられて
いることが望ましい（図１（ｅ）参照：図１（ｅ）は図
１（ｄ）の点線部分の拡大図）。また、本実施の形態に
おいては、半導体チップ１は金属箔３１及び導電物４１
を介してダイシングテープ２上に設置されていることか
ら、前記ダイシングによりダイシングテープ２に切り込
みが入ることがないため（図１（ｅ）参照）、前記切り
込みが原因により半導体チップ１の配列が乱れることが
ない。これにより、所定の位置に正しく半導体チップ１
が設置された半導体装置を製造することができるため、
歩留まりを高めることができ、生産性を向上させること
ができる。
【００３９】次に、各半導体チップ１間に、エポキシ樹
脂やＳｉＯ２等からなる絶縁物５を充填し硬化させるこ
とにより側面部１Ｃを保護する（図１（ｆ）参照）。半
導体チップ１の導電物４１との接続面と反対側に設けら
れた電極部１Ａが絶縁物５に埋没されず露出した状態と
なるように絶縁物５を充填する。続いて、前記絶縁物５
及び半導体チップ１上に、一主面に導電物４２が形成さ
れた別の金属箔３２を設置する。この場合、金属箔３２
の導電物４２が形成された面が前記絶縁物５及び半導体
チップ１と接するように金属箔３２を設置し、導電物４
２を介して前記絶縁物５及び半導体チップ１と前記金属
箔３２を接着する（図１（ｇ）参照）。前記金属箔３２
及び導電物４２は、前記金属箔３１・導電物４１と同様
の材料を用いる。しかる後に、前記金属箔３１及び金属
箔３２の表面にめっき７１・７２を施す（図１（ｈ）参
照）。めっき７１・７２としては、Ｓｎ及びＰｂを含む
半田めっきのほか、Ａｕめっき、Ｓｎめっき、Ｓｎ−Ｂ
ｉめっき、若しくはＰｄめっきを用いてもよい。また、
この段階でめっき７１・７２を金属箔３１・３２に施す
代わりに、金属箔３１・３２の導電物４１・４２が形成
されている面と反対側面に予めめっき７１・７２が形成
したものを用いてもよい。最後に、金属箔３１、３２で
挟まれ硬化された絶縁物５でモールドされた半導体チッ
プ１を、金属箔３１・３２及び絶縁物５の部分を縦横に
フルダイシングした後（図１（ｉ）参照）、ダイシング
テープ２を剥がし半導体装置を得る（図１（ｊ）参照：
図１（ｉ）の拡大図）。本実施の形態に係る半導体装置
は、図１（ｊ）に示されるように、半導体チップ１の一
主面に導電物４１を介して金属箔３１から形成された第
１金属電極１３１が設置され、前記一主面と反対側面に
導電物４２を介して金属箔３２から形成された第２金属
電極１３２が設置され、前記第１金属電極１３１・第２
金属電極１３２の導電物４１・４２との接続面と反対側
面にはめっき７１・７２が施されてなる。
脂やＳｉＯ２等からなる絶縁物５を充填し硬化させるこ
とにより側面部１Ｃを保護する（図１（ｆ）参照）。半
導体チップ１の導電物４１との接続面と反対側に設けら
れた電極部１Ａが絶縁物５に埋没されず露出した状態と
なるように絶縁物５を充填する。続いて、前記絶縁物５
及び半導体チップ１上に、一主面に導電物４２が形成さ
れた別の金属箔３２を設置する。この場合、金属箔３２
の導電物４２が形成された面が前記絶縁物５及び半導体
チップ１と接するように金属箔３２を設置し、導電物４
２を介して前記絶縁物５及び半導体チップ１と前記金属
箔３２を接着する（図１（ｇ）参照）。前記金属箔３２
及び導電物４２は、前記金属箔３１・導電物４１と同様
の材料を用いる。しかる後に、前記金属箔３１及び金属
箔３２の表面にめっき７１・７２を施す（図１（ｈ）参
照）。めっき７１・７２としては、Ｓｎ及びＰｂを含む
半田めっきのほか、Ａｕめっき、Ｓｎめっき、Ｓｎ−Ｂ
ｉめっき、若しくはＰｄめっきを用いてもよい。また、
この段階でめっき７１・７２を金属箔３１・３２に施す
代わりに、金属箔３１・３２の導電物４１・４２が形成
されている面と反対側面に予めめっき７１・７２が形成
したものを用いてもよい。最後に、金属箔３１、３２で
挟まれ硬化された絶縁物５でモールドされた半導体チッ
プ１を、金属箔３１・３２及び絶縁物５の部分を縦横に
フルダイシングした後（図１（ｉ）参照）、ダイシング
テープ２を剥がし半導体装置を得る（図１（ｊ）参照：
図１（ｉ）の拡大図）。本実施の形態に係る半導体装置
は、図１（ｊ）に示されるように、半導体チップ１の一
主面に導電物４１を介して金属箔３１から形成された第
１金属電極１３１が設置され、前記一主面と反対側面に
導電物４２を介して金属箔３２から形成された第２金属
電極１３２が設置され、前記第１金属電極１３１・第２
金属電極１３２の導電物４１・４２との接続面と反対側
面にはめっき７１・７２が施されてなる。
【００４０】次に、本発明の第２の実施の形態に係る半
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第２の実施形態）図２は、本実施の形態に係る半導体
装置の一製造工程を示す図である。図４は、本実施の形
態に係る半導体装置の製造工程により得られる半導体装
置を示す斜視図である。
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第２の実施形態）図２は、本実施の形態に係る半導体
装置の一製造工程を示す図である。図４は、本実施の形
態に係る半導体装置の製造工程により得られる半導体装
置を示す斜視図である。
【００４１】本実施の形態に係る製造方法により得られ
る半導体装置は、前述した第１の実施の形態と同様に図
１（ａ）に示されるような半導体ウエハ０から形成され
る。図２（ａ）は図１（ａ）に示される半導体ウエハ０
のＡ−Ａ’断面図であり、図１（ｂ）と同様の図であ
る。なお、後述する図２（ａ）〜（ｎ）はすべてＡ−
Ａ’における断面図である。また、本実施の形態におい
て用いる材料等は、本発明の第１の実施の形態において
用いる材料とほぼ同様のものを用い、本実施の形態にお
ける図２（ｉ）〜２（ｎ）に示される工程と、本発明の
第１の実施の形態に係る図１（ｄ）〜図１（ｊ）に示さ
れる工程とはほぼ同様であるため詳細な説明は省略す
る。
る半導体装置は、前述した第１の実施の形態と同様に図
１（ａ）に示されるような半導体ウエハ０から形成され
る。図２（ａ）は図１（ａ）に示される半導体ウエハ０
のＡ−Ａ’断面図であり、図１（ｂ）と同様の図であ
る。なお、後述する図２（ａ）〜（ｎ）はすべてＡ−
Ａ’における断面図である。また、本実施の形態におい
て用いる材料等は、本発明の第１の実施の形態において
用いる材料とほぼ同様のものを用い、本実施の形態にお
ける図２（ｉ）〜２（ｎ）に示される工程と、本発明の
第１の実施の形態に係る図１（ｄ）〜図１（ｊ）に示さ
れる工程とはほぼ同様であるため詳細な説明は省略す
る。
【００４２】まず、第１のダイシングテープ１２に半導
体ウエハ０を貼り付けた後（図２（ｂ）参照）、第１の
ダイシングテープ１２と略垂直方向に半導体ウエハ０の
所定の位置まで縦、横にフルダイシングすることにより
各半導体チップ１を得る。（図２（ｃ）参照）。次に、
前記半導体チップ１における第１のダイシングテープ１
２貼着面と反対側の面に新たな第２のダイシングテープ
１２’を貼り付けた後、第１のダイシングテープ１２を
剥がす（図２（ｅ）参照）。続いて、前記半導体チップ
１が貼着された第２のダイシングテープ１２’をエキス
パンドし、各半導体チップ１の間隔を広げる。本実施の
形態においては、前記半導体チップ１を新たな第２のダ
イシングテープ１２’に貼り付けるため、図２（ｃ）に
示される工程において半導体ウエハ０をダイシングする
ことにより第１のダイシングテープ１２に切り込み７が
入っても（図２（ｄ）参照）、第２のダイシングテープ
１２’に張り替えることにより半導体チップ１の配列に
乱れが生じることはない。これにより、所定の位置に正
しく半導体チップ１が設置された半導体装置を製造する
ことができる。このため、図２（ｇ）に示される工程に
おいて、係る半導体チップ１をエキスパンドしても、図
１６に示される従来の半導体チップの製造工程において
発生するような前記半導体チップ１の配列の乱れが生じ
ることがないため、歩留まりを高めることができ、生産
性を向上させることができる。
体ウエハ０を貼り付けた後（図２（ｂ）参照）、第１の
ダイシングテープ１２と略垂直方向に半導体ウエハ０の
所定の位置まで縦、横にフルダイシングすることにより
各半導体チップ１を得る。（図２（ｃ）参照）。次に、
前記半導体チップ１における第１のダイシングテープ１
２貼着面と反対側の面に新たな第２のダイシングテープ
１２’を貼り付けた後、第１のダイシングテープ１２を
剥がす（図２（ｅ）参照）。続いて、前記半導体チップ
１が貼着された第２のダイシングテープ１２’をエキス
パンドし、各半導体チップ１の間隔を広げる。本実施の
形態においては、前記半導体チップ１を新たな第２のダ
イシングテープ１２’に貼り付けるため、図２（ｃ）に
示される工程において半導体ウエハ０をダイシングする
ことにより第１のダイシングテープ１２に切り込み７が
入っても（図２（ｄ）参照）、第２のダイシングテープ
１２’に張り替えることにより半導体チップ１の配列に
乱れが生じることはない。これにより、所定の位置に正
しく半導体チップ１が設置された半導体装置を製造する
ことができる。このため、図２（ｇ）に示される工程に
おいて、係る半導体チップ１をエキスパンドしても、図
１６に示される従来の半導体チップの製造工程において
発生するような前記半導体チップ１の配列の乱れが生じ
ることがないため、歩留まりを高めることができ、生産
性を向上させることができる。
【００４３】続いて、一主面に導電物４１が施されてな
る金属箔３１を半導体チップ１上に設置し、導電物４１
を介して半導体チップ１と前記金属箔３１とを接着した
後（図２（ｈ）参照）、第２のダイシングテープ１２’
から各半導体チップ１を剥がしてから裏返し、前記金属
箔３１の半導体チップ１が設置されていない側の面を第
２のダイシングテープ１２’に貼り付ける（図２（ｉ）
参照）。続いて、図２（ｊ）〜図２（ｎ）に示される工
程において、図１（ｆ）〜図１（ｊ）に示される第１の
実施の形態に係る製造工程と同様に、各半導体チップ１
間に絶縁物５を充填し硬化させた後（図２（ｊ）参
照）、前記絶縁物５及び半導体チップ１上に、一主面に
導電物４２が形成された別の金属箔３２を設置してから
導電物４２を介して前記絶縁物５及び半導体チップ１と
前記金属箔３２を接着し（図２（ｋ）参照）、しかる後
前記金属箔３１及び金属箔３２の表面にめっき７１・７
２を施し（図２（ｌ）参照）、金属箔３１、３２で挟ま
れ硬化された絶縁物５でモールドされた半導体チップ１
を、絶縁物５において隣接する前記半導体チップ１に挟
まれた部分をフルダイシングした後（図２（ｍ）参
照）、第２のダイシングテープ１２’を剥がし半導体装
置を得る（図２（ｎ）・図２（ｏ）参照）。本実施の形
態に係る半導体装置は、図２（ｎ）及び図２（ｏ）に示
されるように、半導体チップ１の一主面に導電物４１を
介して金属箔３１から形成された第１金属電極２３１が
設置され、前記一主面と反対側面に導電物４２を介して
金属箔３２から形成された第２金属電極２３２が設置さ
れ、前記第１金属電極２３１・第２金属電極２３２の導
電物４１・４２との接続面と反対側面にはめっき７１・
７２が施されてなる。
る金属箔３１を半導体チップ１上に設置し、導電物４１
を介して半導体チップ１と前記金属箔３１とを接着した
後（図２（ｈ）参照）、第２のダイシングテープ１２’
から各半導体チップ１を剥がしてから裏返し、前記金属
箔３１の半導体チップ１が設置されていない側の面を第
２のダイシングテープ１２’に貼り付ける（図２（ｉ）
参照）。続いて、図２（ｊ）〜図２（ｎ）に示される工
程において、図１（ｆ）〜図１（ｊ）に示される第１の
実施の形態に係る製造工程と同様に、各半導体チップ１
間に絶縁物５を充填し硬化させた後（図２（ｊ）参
照）、前記絶縁物５及び半導体チップ１上に、一主面に
導電物４２が形成された別の金属箔３２を設置してから
導電物４２を介して前記絶縁物５及び半導体チップ１と
前記金属箔３２を接着し（図２（ｋ）参照）、しかる後
前記金属箔３１及び金属箔３２の表面にめっき７１・７
２を施し（図２（ｌ）参照）、金属箔３１、３２で挟ま
れ硬化された絶縁物５でモールドされた半導体チップ１
を、絶縁物５において隣接する前記半導体チップ１に挟
まれた部分をフルダイシングした後（図２（ｍ）参
照）、第２のダイシングテープ１２’を剥がし半導体装
置を得る（図２（ｎ）・図２（ｏ）参照）。本実施の形
態に係る半導体装置は、図２（ｎ）及び図２（ｏ）に示
されるように、半導体チップ１の一主面に導電物４１を
介して金属箔３１から形成された第１金属電極２３１が
設置され、前記一主面と反対側面に導電物４２を介して
金属箔３２から形成された第２金属電極２３２が設置さ
れ、前記第１金属電極２３１・第２金属電極２３２の導
電物４１・４２との接続面と反対側面にはめっき７１・
７２が施されてなる。
【００４４】また、本発明の第３の実施の形態に係る半
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第３の実施形態）図３は、本実施の形態に係る半導体
装置一製造工程を示す図である。図４は、本実施の形態
に係る半導体装置の製造工程により得られる半導体装置
を示す斜視図である。
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第３の実施形態）図３は、本実施の形態に係る半導体
装置一製造工程を示す図である。図４は、本実施の形態
に係る半導体装置の製造工程により得られる半導体装置
を示す斜視図である。
【００４５】本実施の形態に係る製造方法により得られ
る半導体装置は、前述した第１の実施の形態と同様に、
図１（ａ）に示されるような半導体ウエハ０から形成さ
れる。また、本実施の形態において用いる材料等は、本
発明の第１の実施の形態において用いる材料とほぼ同様
のものを用いる。図３（ａ）は図１（ａ）に示される半
導体ウエハ０のＡ−Ａ’断面図であり、図１（ｂ）と同
様の図である。なお、後述する図３（ａ）〜（ｍ）はす
べてＡ−Ａ’における断面図である。第１のダイシング
テープ１２に半導体ウエハ０を貼り付けた後（図３
（ｂ）参照）、第１のダイシングテープ１２と略垂直方
向に半導体ウエハ０の所定の位置まで縦、横に第１のダ
イシングを行うことにより溝８を形成する（図３（ｃ）
参照）。ここで、半導体ウエハ０の所定の位置まで縦、
横にダイシングするとは、半導体ウエハ０をハーフダイ
シングすることをいう。ハーフダイシングとは、換言す
れば、半導体ウエハ０を完全に分割するのではなく、半
導体ウエハ０の途中までダイシングを行ことをいう。こ
の結果、溝８が形成される。次に、第１のダイシングテ
ープ１２を剥がした後、図３（ｃ）に示される前記半導
体ウエハ０を裏返してから再び第２のダイシングテープ
１２’上に貼り付ける。すなわち、溝８の開口部が第２
のダイシングテープ１２’上側にくるように貼り付ける
（図３（ｄ）参照）。続いて、前記溝８が形成されてい
る部分の反対側、すなわち切断面Ｂから前記半導体ウエ
ハ０を縦、横に前記第２のダイシングテープ１２’へ切
り込むことなく第２のダイシングを行うことにより各半
導体チップ２１を形成する（図３（ｅ）参照）。ここ
で、図３（ｃ）に示される工程において半導体ウエハ０
をダイシングする際に、半導体ウエハ０の端部のみフル
ダイシングして切りしろ２２を形成した後、引き続き前
述した工程（図３（ｄ）及び図３（ｅ）参照）を行って
もよい。これにより、切りしろ２２を後の工程における
ダイシングの際の位置だしマークとして用いることがで
きるため、半導体ウエハ０を精度良くダイシングするこ
とができる。
る半導体装置は、前述した第１の実施の形態と同様に、
図１（ａ）に示されるような半導体ウエハ０から形成さ
れる。また、本実施の形態において用いる材料等は、本
発明の第１の実施の形態において用いる材料とほぼ同様
のものを用いる。図３（ａ）は図１（ａ）に示される半
導体ウエハ０のＡ−Ａ’断面図であり、図１（ｂ）と同
様の図である。なお、後述する図３（ａ）〜（ｍ）はす
べてＡ−Ａ’における断面図である。第１のダイシング
テープ１２に半導体ウエハ０を貼り付けた後（図３
（ｂ）参照）、第１のダイシングテープ１２と略垂直方
向に半導体ウエハ０の所定の位置まで縦、横に第１のダ
イシングを行うことにより溝８を形成する（図３（ｃ）
参照）。ここで、半導体ウエハ０の所定の位置まで縦、
横にダイシングするとは、半導体ウエハ０をハーフダイ
シングすることをいう。ハーフダイシングとは、換言す
れば、半導体ウエハ０を完全に分割するのではなく、半
導体ウエハ０の途中までダイシングを行ことをいう。こ
の結果、溝８が形成される。次に、第１のダイシングテ
ープ１２を剥がした後、図３（ｃ）に示される前記半導
体ウエハ０を裏返してから再び第２のダイシングテープ
１２’上に貼り付ける。すなわち、溝８の開口部が第２
のダイシングテープ１２’上側にくるように貼り付ける
（図３（ｄ）参照）。続いて、前記溝８が形成されてい
る部分の反対側、すなわち切断面Ｂから前記半導体ウエ
ハ０を縦、横に前記第２のダイシングテープ１２’へ切
り込むことなく第２のダイシングを行うことにより各半
導体チップ２１を形成する（図３（ｅ）参照）。ここ
で、図３（ｃ）に示される工程において半導体ウエハ０
をダイシングする際に、半導体ウエハ０の端部のみフル
ダイシングして切りしろ２２を形成した後、引き続き前
述した工程（図３（ｄ）及び図３（ｅ）参照）を行って
もよい。これにより、切りしろ２２を後の工程における
ダイシングの際の位置だしマークとして用いることがで
きるため、半導体ウエハ０を精度良くダイシングするこ
とができる。
【００４６】次に、この半導体ウエハ０が貼着された第
１のダイシングテープ１２をエキスパンドし、各半導体
チップ２１の間隔を広げる（図３（ｆ）参照）。続い
て、一主面に導電物４１が施されてなる金属箔３１を半
導体チップ２１上に設置し、導電物４１を介して半導体
チップ２１と前記金属箔３１とを接着した後（図３
（ｇ）参照）、前記金属箔３１において半導体チップ２
１の設置面と反対側の面を第２のダイシングテープ１
２’に貼り付けてから、第１のダイシングテープ１２か
ら各半導体チップ２１を剥がす。ここで、第１のダイシ
ングテープ１２から各半導体チップ２１を剥がしてから
裏返し、前記金属箔３１において半導体チップ２１の設
置面と反対側の面を第２のダイシングテープ１２’に貼
り付けてもよい（図３（ｈ）参照）。続いて、図３
（ｉ）〜図３（ｌ）に示される工程において、図１
（ｆ）〜図１（ｉ）に示される第１の実施の形態に係る
製造工程と同様に、各半導体チップ２１間に絶縁物５を
充填し硬化させた後（図３（ｉ）参照）、前記絶縁物５
及び半導体チップ２１上に、一主面に導電物４２が形成
された別の金属箔３２を設置してから導電物４２を介し
て前記絶縁物５及び半導体チップ２１と前記金属箔３２
を接着し（図３（ｊ）参照）、しかる後前記金属箔３１
及び金属箔３２の表面にめっき７１・７２を施し（図３
（ｋ）参照）、金属箔３１、３２で挟まれ硬化された絶
縁物５でモールドされた半導体チップ２１を、絶縁物５
において隣接する前記半導体チップ２１に挟まれた部分
をフルダイシングした後（図３（ｌ）・図３（ｍ）参
照）、第２のダイシングテープ１２’を剥がし半導体装
置を得る（図３（ｎ）参照）。本実施の形態に係る半導
体装置は、図３（ｎ）に示されるように、半導体チップ
２１の一主面に導電物４１を介して金属箔３１から形成
された第１金属電極３３１が設置され、前記一主面と反
対側面に導電物４２を介して金属箔３２から形成された
第２金属電極３３２が設置され、前記第１金属電極３３
１・第２金属電極３３２の導電物４１・４２との接続面
と反対側面にはめっき７１・７２が施されてなる。
１のダイシングテープ１２をエキスパンドし、各半導体
チップ２１の間隔を広げる（図３（ｆ）参照）。続い
て、一主面に導電物４１が施されてなる金属箔３１を半
導体チップ２１上に設置し、導電物４１を介して半導体
チップ２１と前記金属箔３１とを接着した後（図３
（ｇ）参照）、前記金属箔３１において半導体チップ２
１の設置面と反対側の面を第２のダイシングテープ１
２’に貼り付けてから、第１のダイシングテープ１２か
ら各半導体チップ２１を剥がす。ここで、第１のダイシ
ングテープ１２から各半導体チップ２１を剥がしてから
裏返し、前記金属箔３１において半導体チップ２１の設
置面と反対側の面を第２のダイシングテープ１２’に貼
り付けてもよい（図３（ｈ）参照）。続いて、図３
（ｉ）〜図３（ｌ）に示される工程において、図１
（ｆ）〜図１（ｉ）に示される第１の実施の形態に係る
製造工程と同様に、各半導体チップ２１間に絶縁物５を
充填し硬化させた後（図３（ｉ）参照）、前記絶縁物５
及び半導体チップ２１上に、一主面に導電物４２が形成
された別の金属箔３２を設置してから導電物４２を介し
て前記絶縁物５及び半導体チップ２１と前記金属箔３２
を接着し（図３（ｊ）参照）、しかる後前記金属箔３１
及び金属箔３２の表面にめっき７１・７２を施し（図３
（ｋ）参照）、金属箔３１、３２で挟まれ硬化された絶
縁物５でモールドされた半導体チップ２１を、絶縁物５
において隣接する前記半導体チップ２１に挟まれた部分
をフルダイシングした後（図３（ｌ）・図３（ｍ）参
照）、第２のダイシングテープ１２’を剥がし半導体装
置を得る（図３（ｎ）参照）。本実施の形態に係る半導
体装置は、図３（ｎ）に示されるように、半導体チップ
２１の一主面に導電物４１を介して金属箔３１から形成
された第１金属電極３３１が設置され、前記一主面と反
対側面に導電物４２を介して金属箔３２から形成された
第２金属電極３３２が設置され、前記第１金属電極３３
１・第２金属電極３３２の導電物４１・４２との接続面
と反対側面にはめっき７１・７２が施されてなる。
【００４７】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法
においては、前述したように、半導体ウエハ０の所定の
位置まで縦、横にダイシングすることにより溝８を形成
した後、前記半導体ウエハ０を裏返してから第２のダイ
シングテープ１２’上に貼り付け、さらに前記半導体ウ
エハ０を縦、横にダイシングすることにより各半導体チ
ップ２１を形成する。これにより、従来の半導体装置の
ように、ダイシング時にダイシングテープに切り込みが
形成されない。このため、前記切り込みが原因により半
導体チップ２１の配列が乱れることがないため、後の工
程において、半導体ウエハ０のエキスパンドを行っても
半導体チップ２１の配列がさらに乱れることが原因によ
る不良品の発生を低減することができる。これにより、
所定の位置に正しく半導体チップ１が設置された半導体
装置を製造することができるため、歩留まりを高めるこ
とができ、生産性を向上させることができる。
においては、前述したように、半導体ウエハ０の所定の
位置まで縦、横にダイシングすることにより溝８を形成
した後、前記半導体ウエハ０を裏返してから第２のダイ
シングテープ１２’上に貼り付け、さらに前記半導体ウ
エハ０を縦、横にダイシングすることにより各半導体チ
ップ２１を形成する。これにより、従来の半導体装置の
ように、ダイシング時にダイシングテープに切り込みが
形成されない。このため、前記切り込みが原因により半
導体チップ２１の配列が乱れることがないため、後の工
程において、半導体ウエハ０のエキスパンドを行っても
半導体チップ２１の配列がさらに乱れることが原因によ
る不良品の発生を低減することができる。これにより、
所定の位置に正しく半導体チップ１が設置された半導体
装置を製造することができるため、歩留まりを高めるこ
とができ、生産性を向上させることができる。
【００４８】前述した本発明の第１・第２の実施の形態
に係る半導体装置の製造工程及び本実施の形態に係る半
導体装置の製造工程により、それぞれ図４（ａ）・図４
（ｂ）・図４（ｃ）に示すように、長辺Ｘと高さＺとの
比、Ｘ：Ｚが１：１〜４：１である半導体装置が得られ
る（図４（ａ）・図４（ｂ）・図４（ｃ）はそれぞれ図
１（ｋ）・図２（ｏ）・図３（ｎ）と同様の図）。前記
半導体装置がこのような長辺Ｘ及び高さＺを有してなる
ことにより、前記半導体装置を実装基板に実装する際の
前記半導体装置の転倒等を防ぐことができるため、前記
実装時の安定度が高い装置として得ることができる。こ
れにより、歩留まりを高めることができるため、低コス
トで製造される装置として得ることができる。
に係る半導体装置の製造工程及び本実施の形態に係る半
導体装置の製造工程により、それぞれ図４（ａ）・図４
（ｂ）・図４（ｃ）に示すように、長辺Ｘと高さＺとの
比、Ｘ：Ｚが１：１〜４：１である半導体装置が得られ
る（図４（ａ）・図４（ｂ）・図４（ｃ）はそれぞれ図
１（ｋ）・図２（ｏ）・図３（ｎ）と同様の図）。前記
半導体装置がこのような長辺Ｘ及び高さＺを有してなる
ことにより、前記半導体装置を実装基板に実装する際の
前記半導体装置の転倒等を防ぐことができるため、前記
実装時の安定度が高い装置として得ることができる。こ
れにより、歩留まりを高めることができるため、低コス
トで製造される装置として得ることができる。
【００４９】また、本発明の別の一実施の形態に係る半
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第４の実施形態）図５は、本実施の形態に係る半導体
装置を示す断面図である。図６は、本実施の形態に係る
半導体装置の一製造工程を示す図である。
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第４の実施形態）図５は、本実施の形態に係る半導体
装置を示す断面図である。図６は、本実施の形態に係る
半導体装置の一製造工程を示す図である。
【００５０】本実施の形態に係る半導体装置は、図５に
示すように、前記一主面上に２のバンプ５４２が設置さ
れてなる半導体チップ１を有し、前記２のバンプ５４２
がそれぞれ第２導電物４４２を介して２の第２金属電極
５３２（第２金属電極５３２１・５３２２）と接し、第
２金属電極５３２１・５３２２が溝５４３により相互に
絶縁され、前記半導体チップ１が前記一主面と反対側面
で第２導電物４４２とは別の第１導電物４４１を介して
金属電極５３１と接し、前記半導体チップ１の側面が絶
縁物５で覆われてなる。また、第１金属電極５３１及び
２の第２金属電極５３２１・５３２２においては、第１
導電物４４１及び第２導電物４４２がそれぞれ形成され
た面と反対側面にはめっき７１・７２が形成されてな
る。また、本実施の形態において一主面とは、半導体チ
ップ１の前記２のバンプ５４２が設置された面をいい、
前記一主面と反対側面とは、半導体チップ１の別の第１
導電物４４１と接する面をいう。ここで、半導体チップ
１は拡散済みであるものを用い、第１金属電極５３１及
び２の第２金属電極５３２（第２金属電極５３２１・５
３２２）はＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、若しくはこれらを含む合
金等を含む金属箔３１・３２（後述する）からなり、第
１導電物４４１・第２導電物４４２には、Ａｇペースト
・Ｃｕペースト等の導電性樹脂若しくはＳｎ・Ｐｂ・Ａ
ｇ等からなる高融点半田等を用いる。また、バンプ５４
２は、Ａｕからなるボールバンプ又はＣｕ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ａｕ等からなるめっきバンプからなる。溝５４３は
２の第２金属電極５３２、すなわち第２金属電極５３２
１と第２金属電極５３２２とを絶縁するために設置さ
れ、第１金属電極５３１及び２の第２金属電極５３２の
導電物設置面と反対側面には実装時の予備はんだとして
めっき７１・７２が施されている。このめっき７１・７
２としては、Ｓｎ及びＰｂを含む半田めっきを用いる
か、若しくはＡｕめっき、Ｓｎめっき、Ｓｎ−Ｂｉめっ
き、若しくはＰｄめっきを用いる。また、絶縁物５は、
エポキシ樹脂やＳｉＯ２等の絶縁性を有する材料からな
る。以上のように、本実施の形態に係る半導体装置が前
述したような構造を有してなることにより、従来のトラ
ンジスタ等の半導体装置と比較してより小型化・薄型化
された装置として得ることができる。
示すように、前記一主面上に２のバンプ５４２が設置さ
れてなる半導体チップ１を有し、前記２のバンプ５４２
がそれぞれ第２導電物４４２を介して２の第２金属電極
５３２（第２金属電極５３２１・５３２２）と接し、第
２金属電極５３２１・５３２２が溝５４３により相互に
絶縁され、前記半導体チップ１が前記一主面と反対側面
で第２導電物４４２とは別の第１導電物４４１を介して
金属電極５３１と接し、前記半導体チップ１の側面が絶
縁物５で覆われてなる。また、第１金属電極５３１及び
２の第２金属電極５３２１・５３２２においては、第１
導電物４４１及び第２導電物４４２がそれぞれ形成され
た面と反対側面にはめっき７１・７２が形成されてな
る。また、本実施の形態において一主面とは、半導体チ
ップ１の前記２のバンプ５４２が設置された面をいい、
前記一主面と反対側面とは、半導体チップ１の別の第１
導電物４４１と接する面をいう。ここで、半導体チップ
１は拡散済みであるものを用い、第１金属電極５３１及
び２の第２金属電極５３２（第２金属電極５３２１・５
３２２）はＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、若しくはこれらを含む合
金等を含む金属箔３１・３２（後述する）からなり、第
１導電物４４１・第２導電物４４２には、Ａｇペースト
・Ｃｕペースト等の導電性樹脂若しくはＳｎ・Ｐｂ・Ａ
ｇ等からなる高融点半田等を用いる。また、バンプ５４
２は、Ａｕからなるボールバンプ又はＣｕ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ａｕ等からなるめっきバンプからなる。溝５４３は
２の第２金属電極５３２、すなわち第２金属電極５３２
１と第２金属電極５３２２とを絶縁するために設置さ
れ、第１金属電極５３１及び２の第２金属電極５３２の
導電物設置面と反対側面には実装時の予備はんだとして
めっき７１・７２が施されている。このめっき７１・７
２としては、Ｓｎ及びＰｂを含む半田めっきを用いる
か、若しくはＡｕめっき、Ｓｎめっき、Ｓｎ−Ｂｉめっ
き、若しくはＰｄめっきを用いる。また、絶縁物５は、
エポキシ樹脂やＳｉＯ２等の絶縁性を有する材料からな
る。以上のように、本実施の形態に係る半導体装置が前
述したような構造を有してなることにより、従来のトラ
ンジスタ等の半導体装置と比較してより小型化・薄型化
された装置として得ることができる。
【００５１】次に、図５に示すような半導体装置の一製
造工程を、図６を参照して説明する。なお、本実施の形
態において用いる材料等は、本発明の第１の実施の形態
において用いる材料とほぼ同様のものを用いる。拡散済
みの半導体ウエハ０に対して、前述した本発明の第１の
実施の形態に示される製造工程により得られる工程（図
１（ａ）〜図１（ｃ）参照）と同様の工程にて、図６
（ａ）〜図６（ｃ）に示すようにダイシングテープ２上
に金属箔３１を介して設置された状態の各半導体チップ
１を得る。なお、金属箔３１と各半導体チップ１との間
には、前述した本発明の第１の実施の形態に係る導電物
４１と同様の材料からなる第１導電物４４１が設けられ
ている。次に、各半導体チップ１の電極部５１Ａに、各
半導体チップ１毎に２のバンプ５４２を設置する（図６
（ｄ）参照）、ここでは、２のバンプ５４２がボールバ
ンプの場合を示している。２のバンプ５４２がボールバ
ンプの場合、各半導体チップ１毎に２のバンプ５４２を
設置する際には、図６（ｃ）に示される状態から一旦ダ
イシングテープ２を剥がしボールバンプボンダー（図示
せず）上へ移してから前記半導体チップ１上に前記ボー
ルバンプを形成した後、前記半導体チップ１をダイシン
グテープ２に貼り直して、図６（ｄ）に示される状態と
する。一方、２のバンプ５４２がめっきバンプの場合に
は、半導体ウエハ０をダイシングする前に半導体ウエハ
０上にめっきバンプを設置する。図６（ｄ）に示される
工程に続いて、各半導体チップ１間及びその２のバンプ
５４２が設置されている面上に絶縁物５を充填する（図
６（ｅ）参照）。この場合、図６（ｆ）に示すように、
２のバンプ５４２が絶縁物５に埋没した場合は、前記２
のバンプ５４２が露出するまで絶縁物５を研削する（図
６（ｇ）参照）。続いて、前述した第１の実施の形態に
係る製造工程（図１（ｇ）〜図１（ｉ））と同様に、図
６（ｈ）〜図６（ｊ）に示される工程において、前記絶
縁物５及びバンプ５４２上に、一主面に第２導電物４４
２が形成された別の金属箔３２を設置する。第２導電物
４４２は、第１導電物４４１と同様の材料を用いる。こ
の場合、金属箔３２の第２導電物４４２が形成された面
が前記絶縁物５及びバンプ５４２と接するように金属箔
３２を設置し、第２導電物４４２を介して前記絶縁物５
及びバンプ５４２と前記金属箔３２を接着した後に、前
記金属箔３１及び金属箔３２の表面にめっき７１・７２
を施し、しかる後に、絶縁物５のうち各半導体チップ１
で挟まれた部分をフルダイシングすることにより、金属
箔３１、３２で挟まれ絶縁物５でモールドされた半導体
チップ１を得る。それとともに、表面にめっき７２が施
されている金属箔３２から絶縁物５にかけて溝５４３を
形成することにより、金属箔３２から、相互に絶縁され
てなる２の第２金属電極５３２、すなわち第２金属電極
５３２１・５３２２を形成するとともに、金属箔３１か
ら第１金属電極５３１を得る。ここで、溝５４３は、そ
の底部が半導体チップ１に到達しない程度の深さに形成
する（図６（ｋ）参照：図６（ｋ）は図６（ｊ）の拡大
図）。以上により、半導体装置を得る（図６（ｌ）参
照：図６（ｌ）は図５に示される本実施の形態に係る半
導体装置の斜視図）。なお、本実施の形態においては、
図６（ａ）〜図６（ｃ）において、本発明の第１の実施
の形態に係る半導体装置の製造工程（図１（ａ）〜図１
（ｃ））と同様の工程を用いて形成された半導体チップ
を用いたが、係る工程の代わりに、本発明の第２の実施
の形態に係る半導体装置の製造工程（図２（ａ）〜図２
（ｉ））や本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置
の製造工程（図２（ａ）〜図２（ｈ））を用いて形成さ
れた半導体チップを用いてもよい。
造工程を、図６を参照して説明する。なお、本実施の形
態において用いる材料等は、本発明の第１の実施の形態
において用いる材料とほぼ同様のものを用いる。拡散済
みの半導体ウエハ０に対して、前述した本発明の第１の
実施の形態に示される製造工程により得られる工程（図
１（ａ）〜図１（ｃ）参照）と同様の工程にて、図６
（ａ）〜図６（ｃ）に示すようにダイシングテープ２上
に金属箔３１を介して設置された状態の各半導体チップ
１を得る。なお、金属箔３１と各半導体チップ１との間
には、前述した本発明の第１の実施の形態に係る導電物
４１と同様の材料からなる第１導電物４４１が設けられ
ている。次に、各半導体チップ１の電極部５１Ａに、各
半導体チップ１毎に２のバンプ５４２を設置する（図６
（ｄ）参照）、ここでは、２のバンプ５４２がボールバ
ンプの場合を示している。２のバンプ５４２がボールバ
ンプの場合、各半導体チップ１毎に２のバンプ５４２を
設置する際には、図６（ｃ）に示される状態から一旦ダ
イシングテープ２を剥がしボールバンプボンダー（図示
せず）上へ移してから前記半導体チップ１上に前記ボー
ルバンプを形成した後、前記半導体チップ１をダイシン
グテープ２に貼り直して、図６（ｄ）に示される状態と
する。一方、２のバンプ５４２がめっきバンプの場合に
は、半導体ウエハ０をダイシングする前に半導体ウエハ
０上にめっきバンプを設置する。図６（ｄ）に示される
工程に続いて、各半導体チップ１間及びその２のバンプ
５４２が設置されている面上に絶縁物５を充填する（図
６（ｅ）参照）。この場合、図６（ｆ）に示すように、
２のバンプ５４２が絶縁物５に埋没した場合は、前記２
のバンプ５４２が露出するまで絶縁物５を研削する（図
６（ｇ）参照）。続いて、前述した第１の実施の形態に
係る製造工程（図１（ｇ）〜図１（ｉ））と同様に、図
６（ｈ）〜図６（ｊ）に示される工程において、前記絶
縁物５及びバンプ５４２上に、一主面に第２導電物４４
２が形成された別の金属箔３２を設置する。第２導電物
４４２は、第１導電物４４１と同様の材料を用いる。こ
の場合、金属箔３２の第２導電物４４２が形成された面
が前記絶縁物５及びバンプ５４２と接するように金属箔
３２を設置し、第２導電物４４２を介して前記絶縁物５
及びバンプ５４２と前記金属箔３２を接着した後に、前
記金属箔３１及び金属箔３２の表面にめっき７１・７２
を施し、しかる後に、絶縁物５のうち各半導体チップ１
で挟まれた部分をフルダイシングすることにより、金属
箔３１、３２で挟まれ絶縁物５でモールドされた半導体
チップ１を得る。それとともに、表面にめっき７２が施
されている金属箔３２から絶縁物５にかけて溝５４３を
形成することにより、金属箔３２から、相互に絶縁され
てなる２の第２金属電極５３２、すなわち第２金属電極
５３２１・５３２２を形成するとともに、金属箔３１か
ら第１金属電極５３１を得る。ここで、溝５４３は、そ
の底部が半導体チップ１に到達しない程度の深さに形成
する（図６（ｋ）参照：図６（ｋ）は図６（ｊ）の拡大
図）。以上により、半導体装置を得る（図６（ｌ）参
照：図６（ｌ）は図５に示される本実施の形態に係る半
導体装置の斜視図）。なお、本実施の形態においては、
図６（ａ）〜図６（ｃ）において、本発明の第１の実施
の形態に係る半導体装置の製造工程（図１（ａ）〜図１
（ｃ））と同様の工程を用いて形成された半導体チップ
を用いたが、係る工程の代わりに、本発明の第２の実施
の形態に係る半導体装置の製造工程（図２（ａ）〜図２
（ｉ））や本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置
の製造工程（図２（ａ）〜図２（ｈ））を用いて形成さ
れた半導体チップを用いてもよい。
【００５２】また、本発明の第５の実施の形態に係る半
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第５の実施形態）図７は、本実施の形態に係る半導体
装置を示す断面図である。図８は、本実施の形態に係る
半導体装置の一製造工程を示す図である。
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第５の実施形態）図７は、本実施の形態に係る半導体
装置を示す断面図である。図８は、本実施の形態に係る
半導体装置の一製造工程を示す図である。
【００５３】本実施の形態に係る半導体装置は、図７に
示すように、一主面上にワイヤ７４１が引き出されたバ
ンプ７４２が設置され、前記一主面と反対側面で第１導
電物４４１を介して第１金属電極７３１と接し、外側面
が絶縁物５で覆われてなる半導体チップ１を有し、前記
ワイヤ７４１が第２導電物４４２を介して第２金属電極
７３２と接続されてなる。また、第１金属電極７３１及
び第２金属電極７３２においては、第１導電物４４１及
び第２導電物４４２がそれぞれ形成された面と反対側面
にはめっき７１・７２が形成されてなる。また、本実施
の形態において一主面とは、半導体チップ１において前
記バンプ７４２が設置された面をいい、前記一主面と反
対側面とは、半導体チップ１において別の第１導電物４
４１と接する面をいう。第１金属電極７３１及び第２金
属電極７３２の導電物設置面と反対側面には腐食を防ぐ
ためにめっき７１・７２が施されている。ワイヤ７４１
は金属等の導電性を有する材料からなる。なお、半導体
チップ１、第１金属電極７３１、第２金属電極７３２、
バンプ７４２、第１導電物４４１、第２導電物４４２、
めっき７１・７２及び絶縁物５等は、本発明の第４の実
施の形態に係る半導体装置と同様の材料を用いて形成さ
れてなる。以上のように、本実施の形態に係る半導体装
置が前述したような構造を有してなることにより、従来
のトランジスタ等の半導体装置と比較してより小型化・
薄型化された装置として得ることができる。また、ワイ
ヤ７４１の長さを変えることにより半導体装置自体の大
きさを設定することができるため、パッケージ長さの変
更に柔軟に対応することができる。
示すように、一主面上にワイヤ７４１が引き出されたバ
ンプ７４２が設置され、前記一主面と反対側面で第１導
電物４４１を介して第１金属電極７３１と接し、外側面
が絶縁物５で覆われてなる半導体チップ１を有し、前記
ワイヤ７４１が第２導電物４４２を介して第２金属電極
７３２と接続されてなる。また、第１金属電極７３１及
び第２金属電極７３２においては、第１導電物４４１及
び第２導電物４４２がそれぞれ形成された面と反対側面
にはめっき７１・７２が形成されてなる。また、本実施
の形態において一主面とは、半導体チップ１において前
記バンプ７４２が設置された面をいい、前記一主面と反
対側面とは、半導体チップ１において別の第１導電物４
４１と接する面をいう。第１金属電極７３１及び第２金
属電極７３２の導電物設置面と反対側面には腐食を防ぐ
ためにめっき７１・７２が施されている。ワイヤ７４１
は金属等の導電性を有する材料からなる。なお、半導体
チップ１、第１金属電極７３１、第２金属電極７３２、
バンプ７４２、第１導電物４４１、第２導電物４４２、
めっき７１・７２及び絶縁物５等は、本発明の第４の実
施の形態に係る半導体装置と同様の材料を用いて形成さ
れてなる。以上のように、本実施の形態に係る半導体装
置が前述したような構造を有してなることにより、従来
のトランジスタ等の半導体装置と比較してより小型化・
薄型化された装置として得ることができる。また、ワイ
ヤ７４１の長さを変えることにより半導体装置自体の大
きさを設定することができるため、パッケージ長さの変
更に柔軟に対応することができる。
【００５４】続いて、図７に示される半導体装置の製造
工程を、図８を参照して説明する。図７に示される半導
体装置は、図６に示される半導体装置の製造工程とほぼ
同様の製造工程により得られる。また、本実施の形態に
おいては、前述した本発明の第４の実施の形態で用いた
材料とほぼ同様の材料を用いて半導体装置を製造する。
すなわち、拡散済みの半導体ウエハ０に対して、前述し
た本発明の第１の実施の形態に示される製造工程により
得られる工程（図１（ａ）〜図１（ｃ）参照）と同様の
工程にて、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すようにダイシ
ングテープ２上に金属箔３１を介して設置された状態の
各半導体チップ１を得る。なお、金属箔３１と各半導体
チップ１との間には、前述した本発明の第１の実施の形
態と同様に第１導電物４４１が設けられている。次に、
前記バンプ７４２を各半導体チップ１の電極部７１Ａに
設置した後、各半導体チップ１毎にワイヤボンディング
を応用して一定高さのワイヤ７４１を前記バンプ７４２
上に形成する（図８（ｄ）参照）。ワイヤボンディング
を応用してワイヤ７４１を形成するとは、換言すれば、
ワイヤボンダーを用いてバンプ７４２を各半導体チップ
１上にボンディングした後、キャピラリーから所定の長
さを有するワイヤを引き出した後カットすることにより
ワイヤ７４１を形成することである。次に、各半導体チ
ップ１間及びそのワイヤ７４１が設置されている面上に
絶縁物５を充填する（図８（ｅ）参照）。この場合も、
本発明の第４の実施の形態と同様に、図８（ｆ）に示す
ように、ワイヤ７４１が絶縁物５に埋没した場合は、前
記ワイヤ７４１が露出するまで絶縁物５を研削する（図
８（ｇ）参照）。続いて、前述した第１の実施の形態に
係る製造工程（図１（ｇ）〜図１（ｉ））と同様に、図
８（ｈ）〜図８（ｊ）に示される工程において、前記絶
縁物５及びワイヤ７４１上に、一主面に第２導電物４４
２が形成された別の金属箔３２を設置する。この場合、
金属箔３２の第２導電物４４２が形成された面が前記絶
縁物５及びワイヤ７４１と接するように金属箔３２を設
置し、第２導電物４４２を介して前記絶縁物５及びワイ
ヤ７４１と前記金属箔３２を接着した後に、前記金属箔
３１及び金属箔３２の表面にめっき７１・７２を施し、
しかる後に、絶縁物５のうち各半導体チップ１で挟まれ
た部分をフルダイシングすることにより、金属箔３１、
３２で挟まれ絶縁物５でモールドされた半導体チップ１
を得る。これにより、金属箔３２から第２金属電極７３
２、及び金属箔３１から第１金属電極７３１を形成する
（図８（ｋ）参照：図８（ｋ）は図８（ｊ）の拡大
図）。以上の工程により、半導体装置を得る（図８
（ｌ）参照：図８（ｌ）は図７に示される本実施の形態
に係る半導体装置の斜視図）。なお、本実施の形態にお
いても、本発明の第４の実施の形態と同様に、図８
（ａ）〜図８（ｃ）において、本発明の第１の実施の形
態に係る半導体装置の製造工程（図１（ａ）〜図１
（ｃ））と同様の工程を用いて形成された半導体チップ
１を用いたが、係る工程の代わりに、本発明の第２の実
施の形態に係る半導体装置の製造工程（図２（ａ）〜図
２（ｉ））や本発明の第３の実施の形態に係る半導体装
置の製造工程（図２（ａ）〜図２（ｈ））を用いて形成
された半導体チップを用いてもよい。
工程を、図８を参照して説明する。図７に示される半導
体装置は、図６に示される半導体装置の製造工程とほぼ
同様の製造工程により得られる。また、本実施の形態に
おいては、前述した本発明の第４の実施の形態で用いた
材料とほぼ同様の材料を用いて半導体装置を製造する。
すなわち、拡散済みの半導体ウエハ０に対して、前述し
た本発明の第１の実施の形態に示される製造工程により
得られる工程（図１（ａ）〜図１（ｃ）参照）と同様の
工程にて、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すようにダイシ
ングテープ２上に金属箔３１を介して設置された状態の
各半導体チップ１を得る。なお、金属箔３１と各半導体
チップ１との間には、前述した本発明の第１の実施の形
態と同様に第１導電物４４１が設けられている。次に、
前記バンプ７４２を各半導体チップ１の電極部７１Ａに
設置した後、各半導体チップ１毎にワイヤボンディング
を応用して一定高さのワイヤ７４１を前記バンプ７４２
上に形成する（図８（ｄ）参照）。ワイヤボンディング
を応用してワイヤ７４１を形成するとは、換言すれば、
ワイヤボンダーを用いてバンプ７４２を各半導体チップ
１上にボンディングした後、キャピラリーから所定の長
さを有するワイヤを引き出した後カットすることにより
ワイヤ７４１を形成することである。次に、各半導体チ
ップ１間及びそのワイヤ７４１が設置されている面上に
絶縁物５を充填する（図８（ｅ）参照）。この場合も、
本発明の第４の実施の形態と同様に、図８（ｆ）に示す
ように、ワイヤ７４１が絶縁物５に埋没した場合は、前
記ワイヤ７４１が露出するまで絶縁物５を研削する（図
８（ｇ）参照）。続いて、前述した第１の実施の形態に
係る製造工程（図１（ｇ）〜図１（ｉ））と同様に、図
８（ｈ）〜図８（ｊ）に示される工程において、前記絶
縁物５及びワイヤ７４１上に、一主面に第２導電物４４
２が形成された別の金属箔３２を設置する。この場合、
金属箔３２の第２導電物４４２が形成された面が前記絶
縁物５及びワイヤ７４１と接するように金属箔３２を設
置し、第２導電物４４２を介して前記絶縁物５及びワイ
ヤ７４１と前記金属箔３２を接着した後に、前記金属箔
３１及び金属箔３２の表面にめっき７１・７２を施し、
しかる後に、絶縁物５のうち各半導体チップ１で挟まれ
た部分をフルダイシングすることにより、金属箔３１、
３２で挟まれ絶縁物５でモールドされた半導体チップ１
を得る。これにより、金属箔３２から第２金属電極７３
２、及び金属箔３１から第１金属電極７３１を形成する
（図８（ｋ）参照：図８（ｋ）は図８（ｊ）の拡大
図）。以上の工程により、半導体装置を得る（図８
（ｌ）参照：図８（ｌ）は図７に示される本実施の形態
に係る半導体装置の斜視図）。なお、本実施の形態にお
いても、本発明の第４の実施の形態と同様に、図８
（ａ）〜図８（ｃ）において、本発明の第１の実施の形
態に係る半導体装置の製造工程（図１（ａ）〜図１
（ｃ））と同様の工程を用いて形成された半導体チップ
１を用いたが、係る工程の代わりに、本発明の第２の実
施の形態に係る半導体装置の製造工程（図２（ａ）〜図
２（ｉ））や本発明の第３の実施の形態に係る半導体装
置の製造工程（図２（ａ）〜図２（ｈ））を用いて形成
された半導体チップを用いてもよい。
【００５５】また、本発明の第６の実施の形態に係る半
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第６の実施形態）図９は、本実施の形態に係る半導体
装置を示す斜視図である。図１０は、本実施の形態に係
る半導体装置の一製造工程を示す図である。
導体装置の製造方法及び半導体装置を、図面を参照して
説明する。 （第６の実施形態）図９は、本実施の形態に係る半導体
装置を示す斜視図である。図１０は、本実施の形態に係
る半導体装置の一製造工程を示す図である。
【００５６】本実施の形態に係る半導体装置は、図９に
示すように、前記一主面上にワイヤが引き出された２の
バンプ９４２が設置されてなる半導体チップ１を有し、
前記ワイヤ９４１がそれぞれ第２導電物４４２を介して
２の第２金属電極９３２（第２金属電極９３２１・９３
２２）と接し、前記第２金属電極９３２１と前記第２金
属電極９３２２が溝９４３により相互に絶縁され、前記
半導体チップ１が前記一主面と反対側面で第２導電物４
４２とは別の第１導電物４４１を介して第１金属電極９
３１と接し、前記半導体チップ１の側面が絶縁物５で覆
われてなる。すなわち、前記２のバンプ９４２上にそれ
ぞれワイヤ９４１が設けられ、これらのワイヤ９４１を
介して第２導電物４４２と半導体チップ１を接続してい
る部分を除けば、図５に示される半導体装置と同様の構
成を有してなる。ワイヤ９４１は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等
の金属若しくはこれらの合金等の導電性材料からなり、
２のワイヤ９４１は略同じ高さに形成されてなる。以上
説明したように、本実施の形態に係る半導体装置は、前
記２のバンプ９４２上にそれぞれワイヤ９４１が設置さ
れ、前記ワイヤ９４１がそれぞれ第２導電物４４２を介
して２の第２金属電極９３２と接している構造を有して
なることにより、あらかじめワイヤ９４１の長さを所望
する長さに設定することで、半導体チップ１や第１金属
電極９３１及び第２金属電極９３２の厚さを変えること
なく半導体装置の大きさを設定することが可能であるた
め、ユーザの希望に柔軟に対応して製造された半導体装
置として得ることができる。
示すように、前記一主面上にワイヤが引き出された２の
バンプ９４２が設置されてなる半導体チップ１を有し、
前記ワイヤ９４１がそれぞれ第２導電物４４２を介して
２の第２金属電極９３２（第２金属電極９３２１・９３
２２）と接し、前記第２金属電極９３２１と前記第２金
属電極９３２２が溝９４３により相互に絶縁され、前記
半導体チップ１が前記一主面と反対側面で第２導電物４
４２とは別の第１導電物４４１を介して第１金属電極９
３１と接し、前記半導体チップ１の側面が絶縁物５で覆
われてなる。すなわち、前記２のバンプ９４２上にそれ
ぞれワイヤ９４１が設けられ、これらのワイヤ９４１を
介して第２導電物４４２と半導体チップ１を接続してい
る部分を除けば、図５に示される半導体装置と同様の構
成を有してなる。ワイヤ９４１は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等
の金属若しくはこれらの合金等の導電性材料からなり、
２のワイヤ９４１は略同じ高さに形成されてなる。以上
説明したように、本実施の形態に係る半導体装置は、前
記２のバンプ９４２上にそれぞれワイヤ９４１が設置さ
れ、前記ワイヤ９４１がそれぞれ第２導電物４４２を介
して２の第２金属電極９３２と接している構造を有して
なることにより、あらかじめワイヤ９４１の長さを所望
する長さに設定することで、半導体チップ１や第１金属
電極９３１及び第２金属電極９３２の厚さを変えること
なく半導体装置の大きさを設定することが可能であるた
め、ユーザの希望に柔軟に対応して製造された半導体装
置として得ることができる。
【００５７】続いて、図９に示される半導体装置の製造
工程を、図１０を参照して説明する。図９に示される半
導体装置は、図８に示される半導体装置の製造工程とほ
ぼ同様の製造工程により得られる。また、本実施の形態
に係る製造工程においては、前述した本発明の第４の実
施の形態で用いた材料とほぼ同様の材料を用いる。すな
わち、図１０（ｄ）〜図１０（ｇ）に示される工程にお
いて、前記２のバンプ９４２を各半導体チップ１上に設
置した後、各半導体チップ１毎にワイヤボンディングを
応用して一定高さのワイヤ９４１を前記２のバンプ９４
２上にそれぞれ形成する（図１０（ｄ）参照）。ワイヤ
ボンディングを応用してワイヤ９４１を形成するとは、
換言すれば、ワイヤボンダーを用いて２のバンプ９４２
を各半導体チップ１上にボンディングした後、キャピラ
リーから所定の長さを有するワイヤを引き出した後カッ
トすることによりワイヤ９４１を形成することである。
次に、前記ワイヤ９４１の先端が突出する程度に絶縁物
５を設置する（図１０（ｆ）・図１０（ｇ）参照）。し
かる後の工程（図１０（ｈ）〜図１０（ｋ））は、本発
明の第４の実施の形態に係る製造工程（図６（ｈ）〜図
６（ｋ）参照）とほぼ同様である。以上の工程により、
本実施の形態に係る半導体装置を得る（図１０（ｌ）参
照：図１０（ｌ）は図９に示される本実施の形態に係る
半導体装置の斜視図）。なお、本実施の形態において
も、本発明の第４及び第５の実施の形態と同様に、図１
０（ａ）〜図１０（ｃ）において、本発明の第１の実施
の形態に係る半導体装置の製造工程（図１（ａ）〜図１
（ｃ））と同様の工程を用いて形成された半導体チップ
１を用いたが、係る工程の代わりに、本発明の第２の実
施の形態に係る半導体装置の製造工程（図２（ａ）〜図
２（ｉ））や本発明の第３の実施の形態に係る半導体装
置の製造工程（図２（ａ）〜図２（ｈ））を用いて形成
された半導体チップを用いてもよい。
工程を、図１０を参照して説明する。図９に示される半
導体装置は、図８に示される半導体装置の製造工程とほ
ぼ同様の製造工程により得られる。また、本実施の形態
に係る製造工程においては、前述した本発明の第４の実
施の形態で用いた材料とほぼ同様の材料を用いる。すな
わち、図１０（ｄ）〜図１０（ｇ）に示される工程にお
いて、前記２のバンプ９４２を各半導体チップ１上に設
置した後、各半導体チップ１毎にワイヤボンディングを
応用して一定高さのワイヤ９４１を前記２のバンプ９４
２上にそれぞれ形成する（図１０（ｄ）参照）。ワイヤ
ボンディングを応用してワイヤ９４１を形成するとは、
換言すれば、ワイヤボンダーを用いて２のバンプ９４２
を各半導体チップ１上にボンディングした後、キャピラ
リーから所定の長さを有するワイヤを引き出した後カッ
トすることによりワイヤ９４１を形成することである。
次に、前記ワイヤ９４１の先端が突出する程度に絶縁物
５を設置する（図１０（ｆ）・図１０（ｇ）参照）。し
かる後の工程（図１０（ｈ）〜図１０（ｋ））は、本発
明の第４の実施の形態に係る製造工程（図６（ｈ）〜図
６（ｋ）参照）とほぼ同様である。以上の工程により、
本実施の形態に係る半導体装置を得る（図１０（ｌ）参
照：図１０（ｌ）は図９に示される本実施の形態に係る
半導体装置の斜視図）。なお、本実施の形態において
も、本発明の第４及び第５の実施の形態と同様に、図１
０（ａ）〜図１０（ｃ）において、本発明の第１の実施
の形態に係る半導体装置の製造工程（図１（ａ）〜図１
（ｃ））と同様の工程を用いて形成された半導体チップ
１を用いたが、係る工程の代わりに、本発明の第２の実
施の形態に係る半導体装置の製造工程（図２（ａ）〜図
２（ｉ））や本発明の第３の実施の形態に係る半導体装
置の製造工程（図２（ａ）〜図２（ｈ））を用いて形成
された半導体チップを用いてもよい。
【００５８】また、本発明の第４・第５・第６の実施の
形態に係る半導体装置の製造工程により、図６（ｌ）・
図８（ｌ）・図１０（ｌ）にそれぞれ示されるように、
長辺Ｘと高さＺとの比、Ｘ：Ｚが１：１〜４：１である
半導体装置が得られる。前記半導体装置がこのような長
辺Ｘ及び高さＺを有してなることにより、前記半導体装
置を実装基板に実装する際の前記半導体装置の転倒等を
防ぐことができるため、前記実装時の安定度が高い装置
として得ることができる。これにより、歩留まりを高め
ることができるため、低コストで製造される装置として
得ることができる。
形態に係る半導体装置の製造工程により、図６（ｌ）・
図８（ｌ）・図１０（ｌ）にそれぞれ示されるように、
長辺Ｘと高さＺとの比、Ｘ：Ｚが１：１〜４：１である
半導体装置が得られる。前記半導体装置がこのような長
辺Ｘ及び高さＺを有してなることにより、前記半導体装
置を実装基板に実装する際の前記半導体装置の転倒等を
防ぐことができるため、前記実装時の安定度が高い装置
として得ることができる。これにより、歩留まりを高め
ることができるため、低コストで製造される装置として
得ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置
の一製造工程を示す図である。
の一製造工程を示す図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置
の一製造工程を示す図である。
の一製造工程を示す図である。
【図３】 本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置
の一製造工程を示す図である。
の一製造工程を示す図である。
【図４】 本発明の第１・第２・第３の実施の形態に係
る半導体装置の製造工程により得られる半導体装置を示
す斜視図である。
る半導体装置の製造工程により得られる半導体装置を示
す斜視図である。
【図５】 本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】 本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置
の一製造工程を示す図である。
の一製造工程を示す図である。
【図７】 本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】 本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置
の一製造工程を示す図である。
の一製造工程を示す図である。
【図９】 本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】 本発明の第６の実施の形態に係る半導体装
置の一製造工程を示す図である。
置の一製造工程を示す図である。
【図１１】 従来及び本発明の半導体装置を実装基板へ
実装する場合の実装工程の一例を示すフローチャートで
ある。
実装する場合の実装工程の一例を示すフローチャートで
ある。
【図１２】 従来及び本発明の半導体装置を実装基板へ
実装する場合の実装工程の一例を示す図である。
実装する場合の実装工程の一例を示す図である。
【図１３】 従来及び本発明の半導体装置を実装基板へ
実装する場合の実装工程の一例を示す図である。
実装する場合の実装工程の一例を示す図である。
【図１４】 従来及び本発明の半導体装置を実装基板へ
実装する場合の実装工程の一例を示す図である。
実装する場合の実装工程の一例を示す図である。
【図１５】 従来及び本発明の半導体装置を実装基板へ
実装する場合の実装工程の一例を示す図である。
実装する場合の実装工程の一例を示す図である。
【図１６】 従来の半導体装置の一製造工程を示す図で
ある。
ある。
０ 半導体ウエハ １・２１・８１ 半導体チップ １Ａ・５１Ａ・７１Ａ 電極部 １Ｃ 側面部 ２ ダイシングテープ ５ 絶縁物 ７ 切り込み ８ 溝 １２ 第１のダイシングテープ １２’ 第２のダイシングテープ ２２ 切りしろ ３１・３２ 金属箔 ４１・４２ 導電物 ７１・７２ めっき ８１Ａ・８１Ｂ 電極部 ８１Ｃ 外側面 ８５ 絶縁物 ８７ 切り込み １０１ 実装基板 １０２ 実装パターン １１１・１２１ 半田ペースト １１２ スクリーンマスク １１３ スキージ １１４ マスク開口部 １２２ ダイオード １２３ トランジスタ １３１ 第１金属電極 １３２ 第２金属電極 １３４ マスク開口部 １４１ 接着剤 ２３１ 第１金属電極 ２３２ 第２金属電極 ３３１ 第１金属電極 ３３２ 第２金属電極 ４４１ 第１導電物 ４４２ 第２導電物 ５３１ 第１金属電極 ５３２ ２の第２金属電極 ５３２１・５３２２ 第２金属電極 ５４１ ワイヤ ５４２ ２のバンプ ５４３ 溝 ７３１ 第１金属電極 ７３２ 第２金属電極 ７４１ ワイヤ ７４２ バンプ ８３１・８３２ 金属板 ８４１・８４２ 接着剤 ９３１ 第１金属電極 ９３２ ２の第２金属電極 ９３２１・９３２２ 第２金属電極 ９４１ ワイヤ ９４２ ２のバンプ ９４３ 溝 Ａ−Ａ’ 断面 Ｂ 切断面 Ｘ 長辺 Ｚ 高さ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１１月２２日（１９９９．１１．
２２）
２２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め提供する本出願第１の発明は、半導体ウエハを第１の
ダイシングテープに貼着した後縦横にフルダイシングを
施して複数の半導体チップを形成し、前記第１のダイシ
ングテープが貼着された半導体チップの反対面に第２の
ダイシングテープを貼着後、第１のダイシングテープを
剥がし、しかる後にエキスパンドすることを特徴とする
半導体装置の製造方法である。
め提供する本出願第１の発明は、半導体ウエハを第１の
ダイシングテープに貼着した後縦横にフルダイシングを
施して複数の半導体チップを形成し、前記第１のダイシ
ングテープが貼着された半導体チップの反対面に第２の
ダイシングテープを貼着後、第１のダイシングテープを
剥がし、しかる後にエキスパンドすることを特徴とする
半導体装置の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】また、本出願第２の発明は、半導体ウエハ
を第１のダイシングテープに貼着した後縦横にフルダイ
シングを施して複数の半導体チップを形成し、前記第１
のダイシングテープが貼着された半導体チップの反対面
に第２のダイシ ングテープを貼着後、第１のダイシング
テープを剥がし、しかる後にエキスパンドすることによ
り間隔が拡げられた複数の半導体チップを形成し、前記
半導体チップに金属箔を導電物を介して貼着し、第３の
ダイシングテープを前記金属箔面 に貼着し、第２のダイ
シングシートを剥がし、前記複数の半導体チップ間に絶
縁物を注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の
前記金属箔との接続面と反対面に、別の導電物を介して
別の金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数
の半導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極
及び第２金属極を含む個々の半導体装置を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法である。
を第１のダイシングテープに貼着した後縦横にフルダイ
シングを施して複数の半導体チップを形成し、前記第１
のダイシングテープが貼着された半導体チップの反対面
に第２のダイシ ングテープを貼着後、第１のダイシング
テープを剥がし、しかる後にエキスパンドすることによ
り間隔が拡げられた複数の半導体チップを形成し、前記
半導体チップに金属箔を導電物を介して貼着し、第３の
ダイシングテープを前記金属箔面 に貼着し、第２のダイ
シングシートを剥がし、前記複数の半導体チップ間に絶
縁物を注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の
前記金属箔との接続面と反対面に、別の導電物を介して
別の金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数
の半導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極
及び第２金属極を含む個々の半導体装置を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】本出願にいう第１のダイシングテープと
は、第一義的には、半導体ウエハを最初に貼着するため
のダイシングテープをいい、第２のダイシングテープと
は、第一義的には、前記第１のダイシングテープを前記
半導体チップに貼着した後に貼着するダイシングテープ
をいう。また、本出願にいう第３のダイシングテープと
は、第一義的には、前記第２のダイシングテープを前記
半導体チップに貼着した後に貼着するダイシングテープ
をいう。上記構成を有する本出願第１又は２の発明の半
導体装置の製造方法によると、フルダイシングで傷つい
た第１のダイシングテープが貼着された半導体チップの
反対面に第２のダイシングテープを貼着後、第１のダイ
シングテープを剥がし、しかる後にエキスパンドするこ
とにより、エキスパンドする際に半導体チップの配列に
乱れが生じることがなく、後の工程における不良品の発
生を低減することができるため、歩留まりを高めること
ができ、生産性の向上を図ることができる。
は、第一義的には、半導体ウエハを最初に貼着するため
のダイシングテープをいい、第２のダイシングテープと
は、第一義的には、前記第１のダイシングテープを前記
半導体チップに貼着した後に貼着するダイシングテープ
をいう。また、本出願にいう第３のダイシングテープと
は、第一義的には、前記第２のダイシングテープを前記
半導体チップに貼着した後に貼着するダイシングテープ
をいう。上記構成を有する本出願第１又は２の発明の半
導体装置の製造方法によると、フルダイシングで傷つい
た第１のダイシングテープが貼着された半導体チップの
反対面に第２のダイシングテープを貼着後、第１のダイ
シングテープを剥がし、しかる後にエキスパンドするこ
とにより、エキスパンドする際に半導体チップの配列に
乱れが生じることがなく、後の工程における不良品の発
生を低減することができるため、歩留まりを高めること
ができ、生産性の向上を図ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】また、本出願第３の発明は、一主面上に半
導体装置の長さ調整用のワイヤが引き出されたバンプが
設置され、前記一主面と反対側面で第１導電物を介して
第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半
導体チップを有し、前記バンプから引き出されたワイヤ
が第２導電物を介して第２金属電極と接続されてなるこ
とを特徴とする半導体装置である。
導体装置の長さ調整用のワイヤが引き出されたバンプが
設置され、前記一主面と反対側面で第１導電物を介して
第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半
導体チップを有し、前記バンプから引き出されたワイヤ
が第２導電物を介して第２金属電極と接続されてなるこ
とを特徴とする半導体装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】上記構成を有する本出願第３の発明の半導
体装置によると、一主面上に半導体装置の長さ調整用の
ワイヤが引き出されたバンプが設置され、前記一主面と
反対側面で第１導電物を介して第１金属電極と接し、外
側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを有し、前記
バンプから引き出されたワイヤが第２導電物を介して第
２金属電極と接続されてなることにより、ワイヤの長さ
を変えることにより半導体装置自体の大きさを設定する
ことができるため、パッケージ長さの変更に柔軟に対応
することができる。
体装置によると、一主面上に半導体装置の長さ調整用の
ワイヤが引き出されたバンプが設置され、前記一主面と
反対側面で第１導電物を介して第１金属電極と接し、外
側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを有し、前記
バンプから引き出されたワイヤが第２導電物を介して第
２金属電極と接続されてなることにより、ワイヤの長さ
を変えることにより半導体装置自体の大きさを設定する
ことができるため、パッケージ長さの変更に柔軟に対応
することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】また、本出願第４の発明は、一主面上に２
のバンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電
物を介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆わ
れてなる半導体チップを有し、前記バンプがそれぞれ第
２の導電物を介して、溝により相互に絶縁された２の第
２金属と接続されてなることを特徴とする半導体装置で
ある。
のバンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電
物を介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆わ
れてなる半導体チップを有し、前記バンプがそれぞれ第
２の導電物を介して、溝により相互に絶縁された２の第
２金属と接続されてなることを特徴とする半導体装置で
ある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】上記構成を有する本出願第４の発明の半導
体装置によると、一主面上に２のバンプが設置され、前
記一主面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電極
と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを
有し、前記２のバンプがそれぞれ第２導電物を介して、
溝により相互に絶縁された２の第２金属電極と接続され
てなることにより、従来のトランジスタ等の半導体装置
と比較してより小型化・薄型化された装置として得るこ
とができる。
体装置によると、一主面上に２のバンプが設置され、前
記一主面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電極
と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを
有し、前記２のバンプがそれぞれ第２導電物を介して、
溝により相互に絶縁された２の第２金属電極と接続され
てなることにより、従来のトランジスタ等の半導体装置
と比較してより小型化・薄型化された装置として得るこ
とができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また、本出願第５の発明は、一主面上に半
導体装置の長さ調整用のワイヤが引き出された２のバン
プが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電物を介
して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われてな
る半導体チップを有し、前記２のバンプから引き出され
たワイヤがそれぞれ導電物を介して溝により相互に絶縁
された２の第２金属電極と接続されてなることを特徴と
する半導体装置である。
導体装置の長さ調整用のワイヤが引き出された２のバン
プが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電物を介
して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われてな
る半導体チップを有し、前記２のバンプから引き出され
たワイヤがそれぞれ導電物を介して溝により相互に絶縁
された２の第２金属電極と接続されてなることを特徴と
する半導体装置である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】上記構成を有する本出願第５の発明の半導
体装置によると、上記構成を有する本出願第１２の発明
の半導体装置によると、一主面上に半導体装置の長さ調
整用のワイヤが引き出された２のバンプが設置され、前
記一主面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電極
と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを
有し、前記２のバンプから引き出されたワイヤがそれぞ
れ導電物を介して、溝により相互に絶縁された２の第２
金属電極と接続されてなることにより、従来のトランジ
スタ等の半導体装置と比較してより小型化・薄型化され
た装置として得ることができる。さらに、ワイヤの長さ
を変えることにより半導体装置自体の大きさを設定する
ことができるため、パッケージ長さの変更に柔軟に対応
することができる。
体装置によると、上記構成を有する本出願第１２の発明
の半導体装置によると、一主面上に半導体装置の長さ調
整用のワイヤが引き出された２のバンプが設置され、前
記一主面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電極
と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを
有し、前記２のバンプから引き出されたワイヤがそれぞ
れ導電物を介して、溝により相互に絶縁された２の第２
金属電極と接続されてなることにより、従来のトランジ
スタ等の半導体装置と比較してより小型化・薄型化され
た装置として得ることができる。さらに、ワイヤの長さ
を変えることにより半導体装置自体の大きさを設定する
ことができるため、パッケージ長さの変更に柔軟に対応
することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】また、本出願第６の発明は、ダイシングテ
ープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着され
た複数の半導体チップの一主面上に、表面に半導体装置
の長さ調整用のワイヤが引き出されたバンプを設置し、
前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記ワイ
ヤの先端が露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、前
記ワイヤ及び絶縁物上に別の導電物を介して別の金属箔
を設置し、前記ワイヤと前記別の導電物とを接着した
後、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟ま
れた部分を切断することにより第１金属電極及び第２金
属電極を含む個々の半導体装置を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法である。
ープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着され
た複数の半導体チップの一主面上に、表面に半導体装置
の長さ調整用のワイヤが引き出されたバンプを設置し、
前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記ワイ
ヤの先端が露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、前
記ワイヤ及び絶縁物上に別の導電物を介して別の金属箔
を設置し、前記ワイヤと前記別の導電物とを接着した
後、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟ま
れた部分を切断することにより第１金属電極及び第２金
属電極を含む個々の半導体装置を形成することを特徴と
する半導体装置の製造方法である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】また、本出願第７の発明は、ダイシングテ
ープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着され
た複数の半導体チップの一主面上に２のバンプを設置
し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記
２のバンプが露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、
前記２のバンプ及び前記絶縁物上に別の導電物を介して
別の金属箔を設置し、前記２のバンプと別の導電物と接
着した後、前記別の金属箔から前記絶縁膜にかけて溝を
形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半導
体チップで挟まれた部分を切断することにより第１金属
電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極を含む個々
の半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法である。
ープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着され
た複数の半導体チップの一主面上に２のバンプを設置
し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記
２のバンプが露出する程度に絶縁物を充填し硬化させ、
前記２のバンプ及び前記絶縁物上に別の導電物を介して
別の金属箔を設置し、前記２のバンプと別の導電物と接
着した後、前記別の金属箔から前記絶縁膜にかけて溝を
形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半導
体チップで挟まれた部分を切断することにより第１金属
電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極を含む個々
の半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】また、本出願第８の発明は、ダイシングテ
ープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着され
た複数の半導体チップの一主面上に、表面にそれぞれ半
導体装置の長さ調整用のワイヤが引き出された２のバン
プを設置し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ
上に前記ワイヤの先端が露出する程度に絶縁膜を充填硬
化させ、前記ワイヤ及び絶縁物上に別の導電物を介して
別の金属箔を設置し、前記ワイヤと前記別の導電物とを
接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物にかけて溝
を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断する事により第１金属
電極及び相互に絶縁された２の第２の金属電極を含む個
々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
ープ上に設置された金属箔上に導電物を介して貼着され
た複数の半導体チップの一主面上に、表面にそれぞれ半
導体装置の長さ調整用のワイヤが引き出された２のバン
プを設置し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ
上に前記ワイヤの先端が露出する程度に絶縁膜を充填硬
化させ、前記ワイヤ及び絶縁物上に別の導電物を介して
別の金属箔を設置し、前記ワイヤと前記別の導電物とを
接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物にかけて溝
を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断する事により第１金属
電極及び相互に絶縁された２の第２の金属電極を含む個
々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】上記構成を有する本出願第６〜本出願第８
の何れか一の発明の半導体装置の製造方法によると、複
数の半導体装置を一括して製造することができるため、
生産性の向上を図ることができる。
の何れか一の発明の半導体装置の製造方法によると、複
数の半導体装置を一括して製造することができるため、
生産性の向上を図ることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】また、本出願第９の発明は、本出願第３〜
５において、前記半導体装置の長辺と高さの比が１：１
〜４：１であることを特徴とする半導体装置である。
５において、前記半導体装置の長辺と高さの比が１：１
〜４：１であることを特徴とする半導体装置である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】上記構成を有する本出願第９の半導体装置
によると、長辺と高さとの比が１：１〜４：１であるこ
とにより、前記半導体装置を実装基板に実装する際の前
記半導体装置の転倒等を防ぐことができるため、前記実
装時の安定度が高い装置として得ることができる。これ
により、歩留まりを高めることができるため、低コスト
で製造される装置として得ることができる。
によると、長辺と高さとの比が１：１〜４：１であるこ
とにより、前記半導体装置を実装基板に実装する際の前
記半導体装置の転倒等を防ぐことができるため、前記実
装時の安定度が高い装置として得ることができる。これ
により、歩留まりを高めることができるため、低コスト
で製造される装置として得ることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
Claims (18)
- 【請求項１】導電物を介して金属箔と半導体ウエハとを
ダイシングテープに貼着した後、所定の幅を有する切り
しろを設けて縦横にダイシングを施し複数の半導体チッ
プを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶縁物を
注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の前記金
属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して別の
金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極及び
第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】導電物を介して金属箔と半導体ウエハとを
ダイシングテープに貼着した後約３００μｍ以上の幅の
切りしろを設けて縦横にダイシングを施し複数の半導体
チップを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶縁
物を注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の前
記金属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して
別の金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数
の半導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極
及び第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体ウエハを第１のダイシングテープに
貼着した後縦横にダイシングを施して複数の半導体チッ
プを形成し、前記半導体チップと金属箔とを導電物を介
して貼着した後、前記半導体チップの前記金属箔設置面
と第２のダイシングテープとが接するように貼着後第１
のダイシングテープを剥がして貼り替え、しかる後にエ
キスパンドすることにより間隔が拡げられた複数の半導
体チップを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶
縁物を注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の
前記金属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介し
て別の金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複
数の半導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電
極及び第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】半導体ウエハをダイシングテープに貼着
し、所定の位置まで第１のダイシングを施し溝を形成し
た後、前記半導体ウエハを第１のダイシングテープから
剥がし、前記半導体チップの前記金属箔設置面と第２の
ダイシングテープとが接するように張り替え、前記半導
体ウエハの表面から溝に向かって第２のダイシングを施
し複数の半導体チップを形成し、しかる後に、前記半導
体チップが貼着された第２のダイシングテープをエキス
パンドすることにより間隔が拡げられた複数の半導体チ
ップを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶縁物
を注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の前記
金属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して別
の金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数の
半導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極及
び第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記第１のダイシングにおいて、半導体ウ
エハの両端部のみフルダイシングし、残りの部分をハー
フダイシングすることにより複数の半導体チップを得る
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】導電物を介して金属箔と半導体ウエハとを
ダイシングテープに貼着した後、所定の幅を有する切り
しろを設けて縦横にダイシングを施し複数の半導体チッ
プを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶縁物を
注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の前記金
属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して別の
金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極及び
第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成することに
より得られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：１である
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】導電物を介して金属箔と半導体ウエハとを
ダイシングテープに貼着した後約３００μｍ以上の切り
しろを設けて縦横にダイシングを施し複数の半導体チッ
プを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶縁物を
注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の前記金
属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して別の
金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極及び
第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成することに
より得られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：１である
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】半導体ウエハを第１のダイシングテープに
貼着した後縦横にダイシングを施して複数の半導体チッ
プを形成し、前記半導体チップと金属箔とを導電物を介
して貼着した後、前記半導体チップの前記金属箔設置面
と第２のダイシングテープとが接するように貼着後第１
のダイシングテープを剥がして貼り替え、しかる後にエ
キスパンドすることにより間隔が拡げられた複数の半導
体チップを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶
縁物を注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の
前記金属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介し
て別の金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複
数の半導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電
極及び第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成する
ことにより得られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：１
であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】半導体ウエハを第１のダイシングテープに
貼着し、所定の位置まで第１のダイシングを施し溝を形
成した後、前記半導体ウエハを第１のダイシングテープ
から剥がし、前記半導体チップの前記金属箔設置面と第
２のダイシングテープとが接するように張り替え、前記
半導体ウエハの表面から溝に向かって第２のダイシング
を施し複数の半導体チップを形成し、しかる後に、前記
半導体チップが貼着されたダイシングテープをエキスパ
ンドすることにより間隔が拡げられた複数の半導体チッ
プを形成した後、前記複数の半導体チップ間に絶縁物を
注入し硬化させ、前記半導体チップ及び絶縁物の前記金
属箔との接続面と反対側面に、別の導電物を介して別の
金属箔を設置した後、前記絶縁物のうち左右を複数の半
導体チップで挟まれた部分を切断し、第１金属電極及び
第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成することに
より得られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：１である
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１０】一主面上にワイヤが引き出されたバンプ
が設置され、前記一主面と反対側面で第１導電物を介し
て第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われてなる
半導体チップを有し、前記バンプから引き出されたワイ
ヤが第２導電物を介して第２金属電極と接続されてなる
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１１】一主面上に２のバンプが設置され、前記
一主面と反対側面で第１導電物を介して第１金属電極と
接し、外側面が絶縁物で覆われてなる半導体チップを有
し、前記２のバンプがそれぞれ第２導電物を介して、溝
により相互に絶縁された２の第２金属電極と接続されて
なることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１２】一主面上にワイヤが引き出された２のバ
ンプが設置され、前記一主面と反対側面で第１導電物を
介して第１金属電極と接し、外側面が絶縁物で覆われて
なる半導体チップを有し、前記２のバンプから引き出さ
れたワイヤがそれぞれ導電物を介して、溝により相互に
絶縁された２の第２金属電極と接続されてなることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項１３】ダイシングテープ上に設置された金属箔
上に導電物を介して貼着された複数の半導体チップの一
主面上に、表面にワイヤが引き出されたバンプを設置
し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記
ワイヤの先端が露出する程度に絶縁物を充填し硬化さ
せ、前記ワイヤ及び絶縁物上に別の導電物を介して別の
金属箔を設置し、前記ワイヤと前記別の導電物とを接着
した後、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで
挟まれた部分を切断することにより第１金属電極及び第
２金属電極を含む個々の半導体装置を形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】ダイシングテープ上に設置された金属箔
上に導電物を介して貼着された複数の半導体チップの一
主面上に２のバンプを設置し、前記半導体チップ間及び
前記半導体チップ上に前記２のバンプが露出する程度に
絶縁物を充填し硬化させ、前記２のバンプ及び前記絶縁
物上に別の導電物を介して別の金属箔を設置し、前記２
のバンプと別の導電物とを接着した後、前記別の金属箔
から前記絶縁物にかけて溝を形成するとともに、前記絶
縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分を
切断することにより第１金属電極及び相互に絶縁された
２の第２金属電極を含む個々の半導体装置を形成するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】ダイシングテープ上に設置された金属箔
上に導電物を介して貼着された複数の半導体チップの一
主面上に、表面にそれぞれワイヤが引き出された２のバ
ンプを設置し、前記半導体チップ間及び前記半導体チッ
プ上に前記ワイヤの先端が露出する程度に絶縁物を充填
し硬化させ、前記ワイヤ及び絶縁物上に別の導電物を介
して別の金属箔を設置し、前記ワイヤと前記別の導電物
とを接着した後、前記別の金属箔から前記絶縁物にかけ
て溝を形成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数
の半導体チップで挟まれた部分を切断することにより第
１金属電極及び相互に絶縁された２の第２金属電極を含
む個々の半導体装置を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１６】ダイシングテープ上に設置された金属箔
上に導電物を介して貼着された複数の半導体チップの一
主面上に、表面にワイヤが引き出されたバンプを設置
し、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上に前記
ワイヤの先端が露出する程度に絶縁物を充填し硬化さ
せ、前記ワイヤ及び絶縁物上に別の導電物を介して別の
金属箔を設置し、前記ワイヤと前記別の導電物とを接着
した後、前記別の金属箔から前記絶縁物にかけて溝を形
成するとともに、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体
チップで挟まれた部分を切断して第１金属電極及び相互
に絶縁された２の第２金属電極を形成することにより得
られ、長辺と高さとの比が１：１〜４：１であることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項１７】ダイシングテープ上に設置された金属箔
上に導電物を介して貼着された複数の半導体チップの一
主面上に２のバンプを設置し、前記半導体チップ間及び
前記半導体チップ上に前記２のバンプが露出する程度に
絶縁物を充填し硬化させ、前記２のバンプ及び前記絶縁
物上に別の導電物を介して別の金属箔を設置し、前記２
のバンプと別の導電物とを接着した後、前記別の金属箔
から前記絶縁物にかけて溝を形成するとともに、前記絶
縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟まれた部分を
切断して第１金属電極及び相互に絶縁された２の第２金
属電極を形成することにより得られ、長辺と高さとの比
が１：１〜４：１であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１８】導電物を介して金属箔と半導体ウエハと
をダイシングテープに貼着した後縦横にダイシングを施
し複数の半導体チップを形成し、表面にそれぞれワイヤ
が引き出された２のバンプを各半導体チップの上面に設
置した後、前記半導体チップ間及び前記半導体チップ上
に前記ワイヤの先端が露出する程度に絶縁物を形成した
後、前記ワイヤ及び絶縁物上に導電物を介して別の金属
箔を設置し、前記ワイヤと導電物とを接着した後、前記
別の金属箔から前記絶縁物にかけて溝を形成するととも
に、前記絶縁物のうち左右を複数の半導体チップで挟ま
れた部分を切断して第１金属電極及び相互に絶縁された
２の第２金属電極を形成することにより得られ、長辺と
高さとの比が１：１〜４：１であることを特徴とする半
導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP4893599A JP3235586B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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| JP4893599A JP3235586B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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| JP2000252235A true JP2000252235A (ja) | 2000-09-14 |
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| JP4893599A Expired - Fee Related JP3235586B2 (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008300483A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2010062316A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010087490A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN101834148B (zh) * | 2008-07-28 | 2012-08-29 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法 |
| DE10102315B4 (de) * | 2001-01-18 | 2012-10-25 | Aixtron Se | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen und Zwischenprodukt bei diesen Verfahren |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57145331A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6055640A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体基板の分割方法 |
| JPS61112345A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH025447A (ja) * | 1988-01-27 | 1990-01-10 | General Instr Corp | 半導体デバイスの製造方法並びにその製造方法に使用する可撓性ウエファ構造 |
| JPH02125633A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 集積回路 |
| JPH0697280A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | チップ形状半導体素子 |
| JPH07509104A (ja) * | 1993-04-27 | 1995-10-05 | トムソン−セーエスエフ | 半導体チップを封止する方法，この方法によって得られる装置，及び３次元のチップの相互接続への適用 |
| JPH10229097A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Citizen Electron Co Ltd | チップ型半導体の製造方法 |
-
1999
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57145331A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6055640A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-03-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 化合物半導体基板の分割方法 |
| JPS61112345A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH025447A (ja) * | 1988-01-27 | 1990-01-10 | General Instr Corp | 半導体デバイスの製造方法並びにその製造方法に使用する可撓性ウエファ構造 |
| JPH02125633A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 集積回路 |
| JPH0697280A (ja) * | 1992-09-10 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | チップ形状半導体素子 |
| JPH07509104A (ja) * | 1993-04-27 | 1995-10-05 | トムソン−セーエスエフ | 半導体チップを封止する方法，この方法によって得られる装置，及び３次元のチップの相互接続への適用 |
| JPH10229097A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Citizen Electron Co Ltd | チップ型半導体の製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10102315B4 (de) * | 2001-01-18 | 2012-10-25 | Aixtron Se | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen und Zwischenprodukt bei diesen Verfahren |
| JP2008300483A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US7888180B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor apparatus having a first and a second projection portion on opposite surfaces of a semiconductor wafer and method for manufacturing the same |
| CN101834148B (zh) * | 2008-07-28 | 2012-08-29 | 株式会社东芝 | 半导体装置及其制造方法 |
| US8334173B2 (en) | 2008-07-28 | 2012-12-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing semiconductor apparatus |
| JP2010062316A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010087490A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8378479B2 (en) | 2008-09-03 | 2013-02-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device |
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