JP2000252512A - Ｐｉｎフォトダイオード - Google Patents
ＰｉｎフォトダイオードInfo
- Publication number
- JP2000252512A JP2000252512A JP11048920A JP4892099A JP2000252512A JP 2000252512 A JP2000252512 A JP 2000252512A JP 11048920 A JP11048920 A JP 11048920A JP 4892099 A JP4892099 A JP 4892099A JP 2000252512 A JP2000252512 A JP 2000252512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- type impurity
- impurity region
- resistance
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 青色から真空紫外の短波長域に十分の感度を
もつように浅いＰ＋型不純物領域を形成する。 【解決手段】 青色から真空紫外の短波長域に高感度の
ＰＩＮフォトダイオードを得るためにＮ＋型半導体基板
にＮ−型半導体基板を貼り合わせた半導体基板を使用す
る。
もつように浅いＰ＋型不純物領域を形成する。 【解決手段】 青色から真空紫外の短波長域に高感度の
ＰＩＮフォトダイオードを得るためにＮ＋型半導体基板
にＮ−型半導体基板を貼り合わせた半導体基板を使用す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＰＩＮフォトダイオ
ードとその製造方法、特に青色から真空紫外の短波長域
の検出用のＰＩＮフォトダイオードとその製造方法に関
するものである。
ードとその製造方法、特に青色から真空紫外の短波長域
の検出用のＰＩＮフォトダイオードとその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の半導体装置とし
ては、図７に断面図として図示するごとく、第１導電型
半導体基板たるＮ＋型半導体基板１に第２導電型半導体
不純物領域たるＰ−型不純物領域２を持つものが知られ
ている。今、図示するごとくＰ＋型不純物領域２の存在
する側（面）を表面と称するなら裏面には基板より高い
濃度のＮ型である裏面のＮ＋型不純物領域３がありＰ＋
Ｎ−Ｎ＋よりなるＰＮ接合を形成しＰＩＮダイオードと
称される。
ては、図７に断面図として図示するごとく、第１導電型
半導体基板たるＮ＋型半導体基板１に第２導電型半導体
不純物領域たるＰ−型不純物領域２を持つものが知られ
ている。今、図示するごとくＰ＋型不純物領域２の存在
する側（面）を表面と称するなら裏面には基板より高い
濃度のＮ型である裏面のＮ＋型不純物領域３がありＰ＋
Ｎ−Ｎ＋よりなるＰＮ接合を形成しＰＩＮダイオードと
称される。
【０００３】ここでＮ−、Ｎ＋、Ｐ＋などはそれぞれの
導電型不純物においてＮあるいはＰより−は不純物濃度
が低いことを、＋は高いことを意味している。Ｐ＋型不
純物領域２にはアノード電極５が形成され、Ｐ＋型不純
物領域２の反対側の面に形成されたＮ＋型不純物領域３
にはカソード電極６が形成される。Ｐ＋型不純物領域２
のアノード電極５を形成する部分は他の部分より深く形
成されＰ＋型不純物領域２のアノード電極５を形成しな
い部分はできるだけ浅く形成する必要がある。
導電型不純物においてＮあるいはＰより−は不純物濃度
が低いことを、＋は高いことを意味している。Ｐ＋型不
純物領域２にはアノード電極５が形成され、Ｐ＋型不純
物領域２の反対側の面に形成されたＮ＋型不純物領域３
にはカソード電極６が形成される。Ｐ＋型不純物領域２
のアノード電極５を形成する部分は他の部分より深く形
成されＰ＋型不純物領域２のアノード電極５を形成しな
い部分はできるだけ浅く形成する必要がある。
【０００４】カソード電極としてはＰ＋型不純物領域２
と同一の面に形成されたＮ＋型不純物領域４で取っても
かまわない。フォトダイオードとして利用する場合はカ
ソード電極７で覆われた部分を除くＰ＋型不純物領域が
ほぼ受光面となる。ｉ層は不純物濃度が低く、ＰＮ接合
に逆バイアスを加えた時の空乏層の伸びが大きく、検出
する光や放射線のエネルギーの範囲が大きく取れること
や、比較的大きなバイアスを加えることができ、その時
の接合容量が少ないという点から高速応答に適しており
広く使われている。
と同一の面に形成されたＮ＋型不純物領域４で取っても
かまわない。フォトダイオードとして利用する場合はカ
ソード電極７で覆われた部分を除くＰ＋型不純物領域が
ほぼ受光面となる。ｉ層は不純物濃度が低く、ＰＮ接合
に逆バイアスを加えた時の空乏層の伸びが大きく、検出
する光や放射線のエネルギーの範囲が大きく取れること
や、比較的大きなバイアスを加えることができ、その時
の接合容量が少ないという点から高速応答に適しており
広く使われている。
【０００５】このＰＩＮダイオードを光検出に利用する
場合、すなわち、ＰＩＮフォトダイオードは入射してく
る光や放射線により空乏層で生成した電子正孔対が主に
信号電流として検出されこととなる。Ｐ＋型不純物領域
側から入射させた場合、例えば波長４００ｎｍ以下のよ
うな短波長光はシリコンによる吸収が大きく１μｍ前後
でほとんど吸収されるため、Ｐ＋型不純物領域によって
大部分入射線が吸収され信号電流の生成には寄与せず感
度を下げるため、この厚みは大きな問題とる。
場合、すなわち、ＰＩＮフォトダイオードは入射してく
る光や放射線により空乏層で生成した電子正孔対が主に
信号電流として検出されこととなる。Ｐ＋型不純物領域
側から入射させた場合、例えば波長４００ｎｍ以下のよ
うな短波長光はシリコンによる吸収が大きく１μｍ前後
でほとんど吸収されるため、Ｐ＋型不純物領域によって
大部分入射線が吸収され信号電流の生成には寄与せず感
度を下げるため、この厚みは大きな問題とる。
【０００６】このため青色から真空紫外の短波長域用の
ＰＩＮフォトダイオードではアノード電極６を形成する
以外のＰ＋型不純物領域をできるだけ浅く形成するよう
にしている。
ＰＩＮフォトダイオードではアノード電極６を形成する
以外のＰ＋型不純物領域をできるだけ浅く形成するよう
にしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら青色から
真空紫外の短波長域に十分の感度をもつように浅いＰ＋
型不純物領域を形成することは簡単ではない。
真空紫外の短波長域に十分の感度をもつように浅いＰ＋
型不純物領域を形成することは簡単ではない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では青色から真空
紫外の短波長域に高感度のＰＩＮフォトダイオードを得
るためにＮ＋型半導体基板にＮ−型半導体基板を貼り合
わせた半導体基板を使用する。このような半導体基板で
は１ｋΩ以上の高抵抗の半導体基板を数μｍの厚さにし
てＮ−型半導体領域として使用でき、Ｐ＋型不純物領域
２を格子状に形成することにより、半導体基板表面領域
でＰ＋型不純物領域２の形成されていない領域で、面方
向すなわち入射光と直交する方向に形成される空乏層を
光の検出に利用でき、従って不感層となるＰ＋型不純物
領域がないため青色から真空紫外の短波長域たいして高
感度のＰＩＮフォトダイオードを得ることができる。
紫外の短波長域に高感度のＰＩＮフォトダイオードを得
るためにＮ＋型半導体基板にＮ−型半導体基板を貼り合
わせた半導体基板を使用する。このような半導体基板で
は１ｋΩ以上の高抵抗の半導体基板を数μｍの厚さにし
てＮ−型半導体領域として使用でき、Ｐ＋型不純物領域
２を格子状に形成することにより、半導体基板表面領域
でＰ＋型不純物領域２の形成されていない領域で、面方
向すなわち入射光と直交する方向に形成される空乏層を
光の検出に利用でき、従って不感層となるＰ＋型不純物
領域がないため青色から真空紫外の短波長域たいして高
感度のＰＩＮフォトダイオードを得ることができる。
【０００９】このように格子状にＰ＋型不純物領域を形
成するとＰＮ接合界面の面積が大きくなり、さらに高抵
抗の半導体基板を使用するため基板の厚み方向への空乏
層の延びが大きくなるため暗電流が大きくなるが本発明
では高抵抗半導体層を必要最低限に、数μｍ以下に薄く
できるため暗電流を低減できる。更に高抵抗の半導体基
板としてＦＺ（フローティングゾーン）法によって合成
されたシリコン単結晶を使用する。これにより、５０ｋ
Ω・ｃｍ程度の高抵抗の半導体基板が利用でき、従って
低逆電圧で空乏層が大きく伸び、Ｐ＋型不純物領域の面
積を小さくでき、高感度化と暗電流の低減が可能とな
る。
成するとＰＮ接合界面の面積が大きくなり、さらに高抵
抗の半導体基板を使用するため基板の厚み方向への空乏
層の延びが大きくなるため暗電流が大きくなるが本発明
では高抵抗半導体層を必要最低限に、数μｍ以下に薄く
できるため暗電流を低減できる。更に高抵抗の半導体基
板としてＦＺ（フローティングゾーン）法によって合成
されたシリコン単結晶を使用する。これにより、５０ｋ
Ω・ｃｍ程度の高抵抗の半導体基板が利用でき、従って
低逆電圧で空乏層が大きく伸び、Ｐ＋型不純物領域の面
積を小さくでき、高感度化と暗電流の低減が可能とな
る。
【００１０】更にＰ＋型不純物領域をとりまくＮ＋領域
を反対側のＮ−領域まで貫通した構造をとる。本発明で
は高抵抗半導体層が薄いため容易にＰ＋型不純物領域を
とりまくＮ＋領域を反対側のＮ−領域まで貫通させるこ
とができ切断面の影響による暗電流を低減できる。
を反対側のＮ−領域まで貫通した構造をとる。本発明で
は高抵抗半導体層が薄いため容易にＰ＋型不純物領域を
とりまくＮ＋領域を反対側のＮ−領域まで貫通させるこ
とができ切断面の影響による暗電流を低減できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図１は本発明のＰＩＮフォトダイオー
ドの実施例を示す断面図である。厚い低抵抗のＮ＋型不
純物領域２の上に薄い高抵抗のＮ−型半導体基板１があ
り、Ｎ−型半導体基板１のＮ＋型不純物領域２のある面
と反対側の面にはＰ＋型不純物領域２が形成され周辺に
はＮ＋型不純物領域３が形成されている。
づいて説明する。図１は本発明のＰＩＮフォトダイオー
ドの実施例を示す断面図である。厚い低抵抗のＮ＋型不
純物領域２の上に薄い高抵抗のＮ−型半導体基板１があ
り、Ｎ−型半導体基板１のＮ＋型不純物領域２のある面
と反対側の面にはＰ＋型不純物領域２が形成され周辺に
はＮ＋型不純物領域３が形成されている。
【００１２】Ｎ＋型不純物領域２にはカソード電極６が
形成され、Ｎ＋型不純物領域３にもカソード電極７が形
成されている。カソード電極はＮ＋型不純物領域２とＮ
＋型不純物領域３の両方に形成される必要性はなく、少
なくとも１方にあればよい。図２と図３は本発明のＰＩ
Ｎフォトダイオードの実施例の平面図である。Ｐ＋型不
純物領域２は格子状に形成されその一部分にアノード電
極５が形成されている。アノード電極５が形成されてい
るＰ＋型不純物領域部分はあまり浅くはできないが、ア
ノード電極５のないＰ＋型不純物領域は浅いにこしたこ
とはない。
形成され、Ｎ＋型不純物領域３にもカソード電極７が形
成されている。カソード電極はＮ＋型不純物領域２とＮ
＋型不純物領域３の両方に形成される必要性はなく、少
なくとも１方にあればよい。図２と図３は本発明のＰＩ
Ｎフォトダイオードの実施例の平面図である。Ｐ＋型不
純物領域２は格子状に形成されその一部分にアノード電
極５が形成されている。アノード電極５が形成されてい
るＰ＋型不純物領域部分はあまり浅くはできないが、ア
ノード電極５のないＰ＋型不純物領域は浅いにこしたこ
とはない。
【００１３】なおＰ＋型不純物領域の構造は以上の例以
外にも種々考えられる。図５は本発明のＰＩＮフォトダ
イオードの断面図で空乏層の状態を示すものである。空
乏層７は厚み方向ではＰ＋型不純物領域２から延びてＮ
＋型不純物領域２に達すると飽和し、面方向では隣のか
らのびてきた空乏層とつながり、従って受光面には原理
的に全く不惑層がない空乏層が形成され、つまりＰ＋型
不純物領域が表面に形成されていない空乏層が光の検出
に寄与することになり短波長の感度が飛躍的に向上す
る。
外にも種々考えられる。図５は本発明のＰＩＮフォトダ
イオードの断面図で空乏層の状態を示すものである。空
乏層７は厚み方向ではＰ＋型不純物領域２から延びてＮ
＋型不純物領域２に達すると飽和し、面方向では隣のか
らのびてきた空乏層とつながり、従って受光面には原理
的に全く不惑層がない空乏層が形成され、つまりＰ＋型
不純物領域が表面に形成されていない空乏層が光の検出
に寄与することになり短波長の感度が飛躍的に向上す
る。
【００１４】このような厚い低抵抗のＮ＋型不純物領域
２の上に薄い高抵抗のＮ−型半導体基板１を形成するに
は低抵抗のＮ＋型半導体基板と高抵抗のＮ−型半導体基
板を表面を研磨し貼り合わせ加熱して接合し、高抵抗の
Ｎ一型半導体基板側を研磨して所定の厚みにした貼り合
わせ半導体基板を使用する。このような貼り合わせ半導
体基板でも界面の影響はほとんど無視できる。
２の上に薄い高抵抗のＮ−型半導体基板１を形成するに
は低抵抗のＮ＋型半導体基板と高抵抗のＮ−型半導体基
板を表面を研磨し貼り合わせ加熱して接合し、高抵抗の
Ｎ一型半導体基板側を研磨して所定の厚みにした貼り合
わせ半導体基板を使用する。このような貼り合わせ半導
体基板でも界面の影響はほとんど無視できる。
【００１５】またこのような貼り合わせ半導体基板では
エビタキシャル成長などでは実現できない高抵抗のＮ一
型半導体基板を使用でき、特にフローティングゾーン法
によれば５０ｋΩ・ｃｍ程度の高抵抗のシリコン半導体
基板まで利用でき、従って低逆電圧で空乏層が大きく伸
び、Ｐ＋型不純物領域２の面積を小さくでき、高感度化
と暗電流の低減が可能となる。
エビタキシャル成長などでは実現できない高抵抗のＮ一
型半導体基板を使用でき、特にフローティングゾーン法
によれば５０ｋΩ・ｃｍ程度の高抵抗のシリコン半導体
基板まで利用でき、従って低逆電圧で空乏層が大きく伸
び、Ｐ＋型不純物領域２の面積を小さくでき、高感度化
と暗電流の低減が可能となる。
【００１６】このようなＰＩＮフォトダイオードの端面
は切断の影響で欠陥を多く含むため暗電流が大きくなる
が高抵抗のシリコン半導体基板を薄くできるため図４に
示すようにＰ＋型不純物領域２をとりまくＮ＋型不純物
領域４を反対側のＮ−型不純物領域３まで貫通できした
がって端面で暗電流を生ずるＮ−型半導体領域１をなく
すことができ切断面の影響による暗電流を低減できる。
は切断の影響で欠陥を多く含むため暗電流が大きくなる
が高抵抗のシリコン半導体基板を薄くできるため図４に
示すようにＰ＋型不純物領域２をとりまくＮ＋型不純物
領域４を反対側のＮ−型不純物領域３まで貫通できした
がって端面で暗電流を生ずるＮ−型半導体領域１をなく
すことができ切断面の影響による暗電流を低減できる。
【００１７】図６はＰＩＮフォトダイオードの短波長領
域の分光特性図であり、曲線９は図１に示す本発明のＰ
ＩＮフォトダイオードの分光特性曲線であり、曲線１０
は受光面が同面積の図７に示す構造の従来の短波長用Ｐ
ＩＮフォトダイオードの分光特性曲線である。本発明の
ＰＩＮフォトダイオードの短波長感度がすぐれているこ
とがわかる。
域の分光特性図であり、曲線９は図１に示す本発明のＰ
ＩＮフォトダイオードの分光特性曲線であり、曲線１０
は受光面が同面積の図７に示す構造の従来の短波長用Ｐ
ＩＮフォトダイオードの分光特性曲線である。本発明の
ＰＩＮフォトダイオードの短波長感度がすぐれているこ
とがわかる。
【００１８】またＰ＋型不純物領域形成において、半導
体基板表面の自然酸化膜を除去し化学的に活性な表面を
露出させこの活性な表面にガス状のポロン元素を含む化
合物を供給し、ポロン元素あるいはポロン化合物層を形
成し、この層を不純物拡散源とした固相拡散及び不純物
の活性化を行う製造方法をとると比抵抗の大きいＮ＋型
半導体基板を使用してもプロセスの影響による比抵抗の
低下が避けられ空乏層が延びやすくなり、なおかつ浅く
てダメージの少ないＰ＋型不純物領域が形成でき良い結
果が得られる。
体基板表面の自然酸化膜を除去し化学的に活性な表面を
露出させこの活性な表面にガス状のポロン元素を含む化
合物を供給し、ポロン元素あるいはポロン化合物層を形
成し、この層を不純物拡散源とした固相拡散及び不純物
の活性化を行う製造方法をとると比抵抗の大きいＮ＋型
半導体基板を使用してもプロセスの影響による比抵抗の
低下が避けられ空乏層が延びやすくなり、なおかつ浅く
てダメージの少ないＰ＋型不純物領域が形成でき良い結
果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の方法
によれば、短波長感度の優れた、暗電流の小さいＰＩＮ
フォトダイオードを容易に実現できる。
によれば、短波長感度の優れた、暗電流の小さいＰＩＮ
フォトダイオードを容易に実現できる。
【図１】本発明のＰＩＮフォトダイオードの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明のＰＩＮフォトダイオードの平面図であ
る。
る。
【図３】本発明のＰＩＮフォトダイオードの平面図であ
る。
る。
【図４】本発明のＰＩＮフォトダイオードの断面図であ
る。
る。
【図５】本発明のＰＩＮフォトダイオードの空乏層の伸
びかたを示す断面図である。
びかたを示す断面図である。
【図６】ＰＩＮフォトダイオードの分光特性図である。
【図７】従来の短波長用ＰＩＮフォトダイオードの断面
図である。
図である。
１・・・Ｎ一型半導体基板 ２ ・・・Ｐ＋型不純物領域 ３、４ ・・・Ｎ＋型不純物領域 ５ ・・・アノード電極 ６、７ ・・・カソード電極 ８ ・・・空乏層 ９ ・・・本発明のＰＩＮフォトダイオードの分光特性
曲線 １０ ・・・従来のＰＩＮフォトダイオードの分光特
性曲線
曲線 １０ ・・・従来のＰＩＮフォトダイオードの分光特
性曲線
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンの第１導電型半導体領域（１）
の第１の面側にある第２導電型不純物領域（２）と、 前記第１導電型半導体領域（１）の第２の面に接続する
前記第１導電型半導体領域（１）より高濃度の第１導電
型不純物領域（３）と、 前記第２導電型不純物領域（２）を囲む、前記第１導電
型半導体領域（１）より高濃度の第２の第１導電型不純
物領域（４）と、 前記第２導電型不純物領域（２）に接続したアノード電
極（５）と、前記第１導電型不純物領域（３、４）の少
なくともひとつに接続したカソード電極（６、７）より
なるＰＩＮフォトダイオードにおいて、 前記第１導電型半導体領域（１）と前記第１導電型不純
物領域（３）が低不純物濃度の第１導電型半導体基板と
高不純物濃度の第１導電型半導体基板の貼り合わせ半導
体基板であることを特傲とするＰＩＮフォトダイオー
ド。 - 【請求項２】 前記低不純物濃度の第１導電型半導体基
板（１）がＦＺ（フローティングゾーン）法によって合
成されたシリコン単結晶であることを特徴とする請求項
１記載のＰＩＮフォトダイオード。 - 【請求項３】 前記第２の第１導電型不純物領域（４）
が前記第１導電型不純物領域（３）まで貫通しているこ
とを特徴とする請求項１記載のＰＩＮフォトダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11048920A JP2000252512A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | Ｐｉｎフォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11048920A JP2000252512A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | Ｐｉｎフォトダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000252512A true JP2000252512A (ja) | 2000-09-14 |
| JP2000252512A5 JP2000252512A5 (ja) | 2005-11-24 |
Family
ID=12816700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11048920A Pending JP2000252512A (ja) | 1999-02-25 | 1999-02-25 | Ｐｉｎフォトダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000252512A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128592A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多波長受光素子及びその製造方法 |
| US20090195948A1 (en) * | 2006-02-01 | 2009-08-06 | Edvard Kalvesten | Methods for making a starting substrate wafer for semiconductor engineering having wafer through connections |
| WO2010047058A1 (ja) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | パナソニック株式会社 | 光半導体装置 |
| EP2013915A4 (en) * | 2006-04-19 | 2011-08-03 | Perkinelmer Canada Inc | AVALANCHE FOTODIODE WITH BONDED WAFER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| US8368159B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-02-05 | Excelitas Canada, Inc. | Photon counting UV-APD |
| JP2023552371A (ja) * | 2020-12-04 | 2023-12-15 | ヴィシャイ セミコンダクター ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | フォトダイオードの製造方法 |
-
1999
- 1999-02-25 JP JP11048920A patent/JP2000252512A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128592A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多波長受光素子及びその製造方法 |
| US20090195948A1 (en) * | 2006-02-01 | 2009-08-06 | Edvard Kalvesten | Methods for making a starting substrate wafer for semiconductor engineering having wafer through connections |
| US9312217B2 (en) * | 2006-02-01 | 2016-04-12 | Silex Microsystems Ab | Methods for making a starting substrate wafer for semiconductor engineering having wafer through connections |
| EP2013915A4 (en) * | 2006-04-19 | 2011-08-03 | Perkinelmer Canada Inc | AVALANCHE FOTODIODE WITH BONDED WAFER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| WO2010047058A1 (ja) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | パナソニック株式会社 | 光半導体装置 |
| US8368159B2 (en) | 2011-07-08 | 2013-02-05 | Excelitas Canada, Inc. | Photon counting UV-APD |
| JP2023552371A (ja) * | 2020-12-04 | 2023-12-15 | ヴィシャイ セミコンダクター ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | フォトダイオードの製造方法 |
| US20240105878A1 (en) * | 2020-12-04 | 2024-03-28 | Vishay Semiconductor Gmbh | Method for producing a photodiode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7936038B2 (en) | Photodiode cell structure of photodiode integrated circuit for optical pickup and method of manufacturing the same | |
| CN113921646A (zh) | 单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列 | |
| EP0163720A1 (en) | IMPROVED p-i-n AND AVALANCHE PHOTODIODES | |
| JP4306508B2 (ja) | アバランシェフォトダイオード | |
| JPH01205564A (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3912024B2 (ja) | Ｐｉｎ構造のラテラル型半導体受光素子 | |
| JP2002314118A (ja) | 受光素子 | |
| JP2002314116A (ja) | Ｐｉｎ構造のラテラル型半導体受光素子 | |
| KR100670828B1 (ko) | 적외선 레이저 레이다의 영상 신호를 검출하기 위한 광검출기 및 그 제조방법 | |
| US5600173A (en) | Semiconductor device capable of detecting a light position | |
| CN111628033B (zh) | 光电探测装置的制造方法 | |
| JP2000252512A5 (ja) | ||
| CN111540804A (zh) | 半导体装置和光电探测系统 | |
| WO2004049460A1 (ja) | 光半導体装置 | |
| CN211980629U (zh) | 半导体装置和光电探测系统 | |
| JPS5996781A (ja) | ホトダイオ−ド | |
| JP2018525844A (ja) | 絶縁されたカソードを有するフォトダイオードマトリクス | |
| JPH04242980A (ja) | 受光素子 | |
| JP2001077400A (ja) | 半導体フォトデバイス | |
| JP4100474B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
| CN111628013B (zh) | 一种硅基环形多波段探测器及其制作方法 | |
| JP4153355B2 (ja) | 光検出素子 | |
| JP2008066446A (ja) | 半導体積層構造および半導体素子 | |
| JPH10190041A (ja) | ホトダイオード | |
| JP2798773B2 (ja) | 受光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040302 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051006 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051006 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051017 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080314 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080609 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080715 |