JP2000256253A - シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法 - Google Patents

シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法

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JP2000256253A JP11366983A JP36698399A JP2000256253A JP 2000256253 A JP2000256253 A JP 2000256253A JP 11366983 A JP11366983 A JP 11366983A JP 36698399 A JP36698399 A JP 36698399A JP 2000256253 A JP2000256253 A JP 2000256253A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】殺虫、殺ダニ剤として有用なピレスロイド化合
物またはその製造中間体の製造法を提供すること。 【解決手段】一般式 化1 【化1】 [式中、R1はC1〜C5アルキル基等を表す。]で示
されるシクロプロパンカルバルデヒド誘導体と一般式
化2 【化2】 [式中、R2はC1〜C10アルキル基等を表す。]で
示されるジカルボン酸誘導体とを、ピペリジン等からな
る群より選ばれる1種以上の第2級アミンの存在下に反
応させて、シクロプロパンカルボン酸誘導体を製造す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、殺虫、殺ダニ化合
物として有用なピレスロイド化合物またはその製造中間
体である一般式 化4
【化4】 [式中、R1は水素原子、C1〜C5アルキル基、C1
〜C5ハロアルキル基、C1〜C3アルコキシC1〜C
3アルキル基、メトキシ基で置換されていてもよいベン
ジル基、フェナシル基、2−テトラヒドロフラニル基、
2−テトラヒドロピラニル基またはピレスロイドアルコ
ール残基を表し、R2は水素原子、C1〜C10アルキ
ル基、C1〜C10ハロアルキル基、C3〜C10アル
ケニル基、C3〜C10ハロアルケニル基、C3〜C1
0アルキニル基、C3〜C10ハロアルキニル基または
ベンジル基を表す。]で示されるシクロプロパンカルボ
ン酸誘導体の製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】一般
式 化4で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体の
製造法としては、具体的にはtert−ブチル (±)−ト
ランス−2,2−ジメチル−3−[2−メチル−1−プ
ロペニル]シクロプロパンカルボキシレートを二酸化セ
レンで酸化し、更に酸素酸化を行う方法(下記のスキー
ム 化5参照:Agric.Biol.Chem.,V
ol.27,No.5,373〜378,1963)
【化5】 および、tert−ブチル (±)−トランス−2,2−ジ
メチル−3−ホルミルシクロプロパンカルボキシレート
をHoner−Emmonsオレフィン化する方法(下
記のスキーム 化6参照:Agric.Biol.Ch
em.,Vol.36,No.4,565〜569,1
972)
【化6】 が、知られているのみである。しかしながら、前者の製
造法は第1工程の反応において、後処理が困難で有毒な
セレン化合物が原料に対して当モル生成し、またトータ
ル収率が低いものである。また、後者の製造法において
は、排水処理上において問題となるリン化合物が生成す
ることから、何れも工業的製造法としては必ずしも満足
するものではなかった。このような状況下、工業的な規
模での実施の観点から、副生する廃棄物量が少なく、ま
た後処理負荷の小さな、効率的な前記一般式 化4で示
されるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法の開発
が望まれている。
【0003】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の状況
に鑑み、前記一般式 化4で示されるシクロプロパンカ
ルボン酸誘導体の優れた製造法を見いだすべく鋭意検討
を重ねた結果、一般式化7
【化7】 [式中、R1は前記と同じ意味を表す。]で示されるシ
クロプロパンカルバルデヒド誘導体と一般式 化8
【化8】 [式中、R2は前記と同じ意味を表す。]で示されるジ
カルボン酸誘導体とを、ピペリジン、モルホリン、ピロ
リジン、ジエチルアミン、N−メチルエタノールアミン
からなる群より選ばれる1種以上の第2級アミンの存在
下に反応させることにより、前記一般式 化4で示され
るシクロプロパンカルボン酸誘導体が収率よく製造でき
ることを見いだし、本発明に至った。即ち、本発明は前
記一般式 化7で示されるシクロプロパンカルバルデヒ
ド誘導体に、前記一般式 化8で示されるジカルボン酸
誘導体を、ピペリジン、モルホリン、ピロリジン、ジエ
チルアミン、N−メチルエタノールアミンからなる群よ
り選ばれる1種以上の第2級アミンの存在下に反応させ
ることによる前記一般式 化4で示されるシクロプロパ
ンカルボン酸誘導体の製造法(以下、本発明製造法と記
す)を提供するものである。
【0004】
【発明の実施の形態】以下に本発明について、説明す
る。前記一般式 化4で示されるシクロプロパンカルボ
ン酸誘導体において、R1で示されるC1〜C5アルキ
ル基としては、例えばメチル基、エチル基、t−ブチル
基等があげられ、C1〜C5ハロアルキル基としては、
例えば2,2,2−トリクロロエチル基、2−クロロエ
チル基等があげられ、C1〜C3アルコキシC1〜C3
アルキル基としては、例えばメトキシメチル基、エトキ
シエチル基等があげられ、メトキシ基で置換されていて
もよいベンジル基としては、例えばベンジル基、p−メ
トキシベンジル基等があげられ、ピレスロイドアルコー
ル残基としては、例えば3−フェノキシベンジル基、5
−ベンジル−3−フリルメチル基、2−メチル−4−オ
キソ−3−(2−プロピニル)−2−シクロペンテニル
基、2−メチル−4−オキソ−3−(2−プロペニル)
−2−シクロペンテニル基、N−(3,4,5,6−テ
トラヒドロフタルイミド)メチル基、N−(3,4―ジ
メチルマレイミド)メチル基等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。前記一般式 化4で示され
るシクロプロパンカルボン酸誘導体において、R1がピ
レスロイドアルコール残基以外の場合には、t−ブチル
基が望ましい。R2で示されるC1〜C10アルキル基
としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル
基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、s
ec−ブチル基等があげられ、C1〜C10ハロアルキル
基としては、例えば2,2,2−トリフルオロエチル
基、ビス(トリフルオロメチル)メチル基等があげら
れ、C3〜C10アルケニル基としては、例えば2-プ
ロペニル基等があげられ、 C3〜C10ハロアルケニ
ル基としては、例えば3−クロロー2-プロペニル基等
があげられ、C3〜C10アルキニル基としては、例え
ば2−プロピニル基等があげられ、C3〜C10ハロア
ルキニル基としては3−ヨード−2−プロピニル基等が
あげられるが、R2はこれらに限定されるものではな
い。
【0005】本発明製造法は、前記一般式 化7で示さ
れるシクロプロパンカルバルデヒド誘導体と、前記一般
式 化8で示されるジカルボン酸誘導体とを、ピペリジ
ン、モルホリン、ピロリジン、ジエチルアミン、N−メ
チルエタノールアミンからなる群より選ばれる1種以上
の第2級アミンの存在下に行われる。該反応の反応温度
の範囲は、通常20〜160℃であり、好ましくは60
〜120℃である。反応時間の範囲は、通常0.5〜1
00時間であり、好ましくは1〜72時間である。該反
応は有機溶媒中で行うことも可能であり、その際の溶媒
としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、
石油エーテルのような脂肪族炭化水素類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジイ
ソプロピルエーテル、1,4−ジオキサン、テトラヒド
ロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、メチ
ル−t−ブチルエーテル等のエーテル類、メチルイソブ
チルケトン等のケトン類、ピリジン、2−メチルー5−
エチルピリジン、ピコリン等の含窒素芳香族系化合物等
があげられるが、反応溶媒はこれらに限られるものでは
ない。本発明製造法にて使用される試剤の量は一般式
化7で示されるシクロプロパンカルバルデヒド誘導体1
モルに対して、一般式 化8で示されるジカルボン酸誘
導体は通常1〜10モルであり、好ましくは1〜5モル
である。
【0006】また、ピペリジン、モルホリン、ピロリジ
ン、ジエチルアミン、N−メチルエタノールアミンから
なる群より選ばれる1種以上の第2級アミンは、一般式
化7で示されるシクロプロパンカルバルデヒド誘導体
1モルに対して、通常、触媒量から大過剰量用いる。ピ
リジンのような塩基性の有機溶媒を用いる場合、ピペリ
ジン、モルホリン、ピロリジン、ジエチルアミン、N−
メチルエタノールアミンからなる群より選ばれる1種以
上の第2級アミンは、一般式 化7で示されるシクロプ
ロパンカルバルデヒド誘導体1モルに対して、0.01
から5モルの範囲で選択されることが望ましい。トルエ
ンのような塩基性を有しない有機溶媒を用いる場合、ピ
ペリジン、モルホリン、ピロリジン、ジエチルアミン、
N−メチルエタノールアミンからなる群より選ばれる1
種以上の第2級アミンは、一般式 化7で示されるシク
ロプロパンカルバルデヒド誘導体1モルに対して、1モ
ルから大過剰量モルの範囲で選択されることが望まし
い。反応終了後は、例えば以下に示す方法により目的の
一般式 化4で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導
体を得ることができる。 1)反応液をそのまま濃縮する。 2)反応液を塩酸、硫酸等の鉱酸の水溶液に注加し、こ
れを有機溶媒で抽出した後、有機層を濃縮する。また、
該シクロプロパンカルボン酸誘導体は、蒸留、再結晶、
カラムクロマトグラフィー等の操作に付すことにより、
精製することも可能である。また、用いた有機塩基およ
び溶媒は、後処理の濃縮時の留出液や分液時の排水中よ
り容易に回収して、精製後に再び使用することもでき
る。
【0007】本発明製造法に用いられる一般式 化7で
示されるシクロプロパンカルバルデヒド誘導体は、例え
ば下記スキーム 化9にしたがった方法に準じて製造す
ることができる。
【化9】 [式中、R1は前記と同じ意味を表す。] 該反応は、例えばBull.Chem.Soc.Jp
n.,60,4385−4394(1987)及びJ.
Org.Chem.,43,1978,4323−43
28に記載の方法に準じて行うことができる。また、一
般式 化7で示されるシクロプロパンカルバルデヒド誘
導体は、下記スキーム 化10にしたがった方法に準じ
ても製造することができる。
【化10】 [式中、R11はC1〜C5アルキル基、C1〜C5ハロ
アルキル基、C1〜C3アルコキシC1〜C3アルキル
基、メトキシ基で置換されていてもよいベンジル基、フ
ェナシル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラ
ヒドロピラニル基またはピレスロイドアルコール残基を
表す。] 該反応は、例えばJ.Agric.Food Che
m.1995,43,2286−2290に記載の方法
に準じて行うことができる。
【0008】本発明製造法に用いられる一般式 化8で
示されるジカルボン酸誘導体は、例えば市販のものを用
いるか、下記のスキーム 化11にしたがった公知の方
法に準じて製造することができる。
【化11】 [式中、Mはアルカリ金属(例えば、ナトリウム、カリ
ウム等)を表し、R2は前記と同じ意味を表す。]
【0009】一般式 化4で示されるシクロプロパンカ
ルボン酸誘導体のうちR1がピレスロイドアルコール残
基であるシクロプロパンカルボン酸誘導体は、一般式
化4で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体のうち
1が水素原子であるシクロプロパンカルボン酸から、
下記スキーム 化12に準じた方法によっても製造する
ことができる。
【化12】 [式中、R12はピレスロイドアルコール残基を表し、R
21はC1〜C10アルキル基、C1〜C10ハロアルキ
ル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10ハロア
ルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C3〜C10
ハロアルキニル基またはベンジル基を表し、Xは塩素原
子または臭素原子を表す。] 上記スキーム 化12の脱水縮合の反応は通常、縮合剤
の存在下に行われる。縮合剤としては、例えばジシクロ
ヘキシルカルボジイミド、1−エチル−3−(3−ジメ
チルアミノプロピル)カルボジイミド等があげられる。
上記スキーム 化12の酸ハロゲン化の反応は通常、ハ
ロゲン化剤を作用させて行う。ハロゲン化剤としては、
例えばホスゲン、塩化チオニル、オキシ塩化リン等があ
げられる。上記スキーム 化12のエステル化の反応は
通常、塩基の存在下に行われる。塩基としては、例えば
トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン等があ
げられる。
【0010】
【実施例】以下に本発明化合物の製造法を具体的に製造
例で説明するが、本発明はこれらの例に限定されるもの
ではない。
【0011】(製造例1)窒素雰囲気下、tert−ブチル
(±)−トランス−2,2−ジメチル−3−ホルミル
−シクロプロパンカルボキシレート0.202gを乾燥
ピリジン5mlに溶解し、ピペリジン0.20ml及び
メチルマロン酸0.242gを加え、60℃で1時間攪
拌を行なった。反応溶液を室温まで冷却し、ジエチルエ
ーテル100mlにて希釈した後、3N−塩酸で洗浄し
た。更に飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。残渣を
シリカゲルクロマトグラフィー{展開溶媒 n−ヘキサ
ン:酢酸エチル=3:1(v/v)}に付し、tert−ブ
チル (±)−トランス−2,2−ジメチル−3−{2
−カルボキシ−(E)−1−プロペニル}−シクロプロ
パンカルボキシレート0.249gを得た。1 H-NMR(CDCl3溶媒、TMS内部標準、270
MHz)δ値(ppm):6.60(dd,1H)、
2.14(dd,1H)、1.94(d,3H)、1.
69(d,1H)、1.46(s,9h)、1.30
(s,3H)、1,22(s,3H)
【0012】(実施例2)窒素雰囲気下、tert−ブチル
(±)−シス−2,2−ジメチル−3−ホルミル−シ
クロプロパンカルボキシレート0.165gを乾燥ピリ
ジン5mlに溶解し、ピペリジン0.17ml及びメチ
ルマロン酸0.197gを加え、60℃で1時間攪拌を
行なった。反応溶液を室温まで冷却し、ジエチルエーテ
ル100mlにて希釈した後、3N−塩酸で洗浄した。
更に飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。残渣をシリ
カゲルクロマトグラフィー{展開溶媒 n−ヘキサン:
酢酸エチル=3:1(v/v)}に付し、tert−ブチル
(±)−トランス−2,2−ジメチル−3−{2−カ
ルボキシ−(E)−1−プロペニル}−シクロプロパン
カルボキシレート0.199gを得た。1 H-NMR(CDCl3溶媒、TMS内部標準、250
MHz)δ値(ppm):6.60(dd,1H)、
2.14(dd,1H)、1.94(d,3H)、1.
69(d,1H)、1.46(s,9h)、1.30
(s,3H)、1,22(s,3H)
【0013】(実施例3)窒素雰囲気下、tert−ブチル
(±)−トランス−2,2−ジメチル−3−ホルミル
−シクロプロパンカルボキシレート0.306gを乾燥
ピリジン3mlに溶解し、ピペリジン0.263g及び
メチルマロン酸エチル0.352gを加え、100℃で
5時間攪拌を行なった。反応溶液を室温まで冷却し、ジ
エチルエーテル100mlで希釈した後、3N−塩酸で
洗浄した。更に飽和食塩水で洗浄した後、有機層を無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルクロマトグラフィー{展開溶媒 n−
ヘキサン:酢酸エチル=3:1(v/v)}に付し、te
rt−ブチル (±)−トランス−2,2−ジメチル−3
−{2−エトキシカルボニル−(E)−1−プロペニ
ル}シクロプロパンカルボキシレート0.372gを得
た。1 H-NMR(CDCl3溶媒、TMS内部標準、250
MHz)δ値(ppm):6.45(dd,1H)、
4.19(q,2H)、2.13(dd,1H)、1.
94(d,3H)、1.65(d,1H)、1.46
(s,9H)、1.30(s,3H)、1.28(s,
3H)、1.23(s,3H)
【0014】(実施例4〜10および参考例1〜7)実
施例4〜7および参考例1〜7は以下に記載する同条件
にて実施した。すなわち、窒素雰囲気下、メチル
(+)−トランス−2,2−ジメチル−3−ホルミル−
シクロプロパンカルボキシレート0.666gを、表1
に記載の溶媒10mlに溶解し、表1に記載のアミンと
メチルマロン酸1.000gを加え、表1に記載の温度
で攪拌を行った。表1に記載の時間の経過後、反応溶液
を室温まで冷却し、酢酸エチル50mlで希釈した後、
3N−塩酸で洗浄した。更に飽和食塩水で洗浄した後、
有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒
を留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフィー{展
開溶媒 n−ヘキサン:酢酸エチル=3:1(v/
v)}に付し、メチル (+)−トランス−2,2−ジ
メチル−3−{2−カルボキシ−(E)−1−プロペニ
ル}−シクロプロパンカルボキシレートを、表1に記載
の収率で得た。1 H-NMR(CDCl3溶媒、TMS内部標準、250
MHz)δ値(ppm):6.60(dd,1H)、
3.70(s,3H)、2.22(dd,1H)、1.
94(d,3H)、1.78(d,1H)、1.32
(s,3H)、1.24(s,3H)
【表1】
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、殺虫、殺ダニ化合物と
して有用なピレスロイド化合物またはその製造における
有用な中間体である前記一般式 化4で示されるシクロ
プロパンカルボン酸誘導体を、効率的に製造することが
できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07C 69/747 C07C 69/747 F

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 化1 【化1】 [式中、R1は水素原子、C1〜C5アルキル基、C1
    〜C5ハロアルキル基、C1〜C3アルコキシC1〜C
    3アルキル基、メトキシ基で置換されていてもよいベン
    ジル基、フェナシル基、2−テトラヒドロフラニル基、
    2−テトラヒドロピラニル基またはピレスロイドアルコ
    ール残基を表す。]で示されるシクロプロパンカルバル
    デヒド誘導体と一般式 化2 【化2】 [式中、R2は水素原子、C1〜C10アルキル基、C
    1〜C10ハロアルキル基、C3〜C10アルケニル
    基、C3〜C10ハロアルケニル基、C3〜C10アル
    キニル基、C3〜C10ハロアルキニル基またはベンジ
    ル基を表す。]で示されるジカルボン酸誘導体とを、ピ
    ペリジン、モルホリン、ピロリジン、ジエチルアミン、
    N−メチルエタノールアミンからなる群より選ばれる1
    種以上の第2級アミンの存在下に反応させることを特徴
    とする一般式 化3 【化3】 [式中、R1およびR2は、前記と同じ意味を表す。]で
    示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造法。
  2. 【請求項2】一般式 化1および一般式 化3における
    1が、メチル基、エチル基、t−ブチル基、2,2,
    2―トリクロロエチル基、2−クロロエチル基、メトキ
    シメチル基、エトキシエチル基、ベンジル基、p−メト
    キシベンジル基、3−フェノキシベンジル基、5−ベン
    ジル−3−フリルメチル基、2−メチル−4−オキソ−
    3−(2−プロピニル)−2−シクロペンテニル基、2
    −メチル−4−オキソ−3−(2−プロペニル)−2−
    シクロペンテニル基、N−(3,4,5,6−テトラヒ
    ドロフタルイミド)メチル基またはN−(3,4―ジメ
    チルマレイミド)メチル基である請求項1に記載の製造
    法。
  3. 【請求項3】一般式 化2および一般式 化3における
    2が、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso-プ
    ロピル基、n−ブチル基、iso-ブチル基、sec−ブチ
    ル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ビス(トリ
    フルオロメチル)メチル基、2−プロペニル基、3−ク
    ロロ−2−プロペニル基、2−プロピニル基または3−
    ヨード−2−プロピニル基である請求項1または2に記
    載の製造法。
  4. 【請求項4】一般式 化1および一般式 化3における
    1が、水素原子である請求項1に記載の製造法。
  5. 【請求項5】反応温度が、60度から120度の範囲で
    あることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の
    製造法。
  6. 【請求項6】反応溶媒が、ピリジンまたはトルエンの中
    から選択される少なくとも1種類であることを特徴とす
    る請求項1〜5のいずれかに記載の製造法。
  7. 【請求項7】反応溶媒が、ピリジンであることを特徴と
    する請求項1〜5のいずれかに記載の製造法。
  8. 【請求項8】反応溶媒が、トルエンであることを特徴と
    する請求項1〜5のいずれかに記載の製造法。
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