JP2000256351A - ビス(ジアリールアミノ)チオフェン類 - Google Patents
ビス(ジアリールアミノ)チオフェン類Info
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Abstract
ル基、ビフェニル基等の多環芳香族基を導入することに
より、材料としての安定性を向上させたビス(ジアリー
ルアミノ)チオフェン類を提供する。 【解決手段】 下記一般式(1)で示されるビス(ジア
リールアミノ)チオフェン類。 【化1】 (式中、nは1〜3の整数であり、Ar1、Ar2、Ar
3、Ar4は各々独立して無置換の又は置換基を有する炭
素数6〜30のアリール基を表し、Ar1〜Ar4のうち
少なくとも1つのアリール基が多環式芳香族基である。
R1、R2は各々独立して水素、フェニル基又は炭素数1
〜20のアルキル基を表す。)
Description
ールアミノ)チオフェン類に関する。ビス(ジアリール
アミノ)チオフェン類は、医農薬中間体や、有機エレク
トロルミネッセンス素子の正孔輸送材料や電子写真の感
光材料等電子材料としての用途が期待される有用な化合
物である。
ェン類については、極限られた報告例しか知られていな
い。
は、2,5−ジアミノチオフェンを炭酸カリウム、銅触
媒の存在下、ジメチルホルムアミド溶媒還流条件で4.
6当量のp−ニトロクロロベンゼンと反応させてテトラ
キス(p−ニトロフェニル)−2,5−ジアミノチオフ
ェンを合成することが記載されている。
4−304465号公報には、正孔注入層の材料とし
て、2,5−ビス(ジフェニルアミノ)チオフェン、3
−メチル−2,5−ビス(ジフェニルアミノ)チオフェ
ン、3,4−ジメチル−2,5−ビス(ジフェニルアミ
ノ)チオフェンが例示されており、更に特開平9−26
8284号公報にも正孔輸送材料として、2,5−ビス
{[ジ4−(2−フェニルエテニル)フェニル]アミ
ノ}チオフェン、3−(n−オクチル)−2,5−ビス
{[ジ4−(2−フェニルエテニル)フェニル]アミ
ノ}チオフェンが例示されている。
化合物としては、アリール基が特定の位置に特定の置換
基を有するフェニル基であるか又は無置換のフェニル基
であるビス(ジアリールアミノ)チオフェン類しか知ら
れていない。
写真用感光材料において、材料としての安定性の向上を
求める要望が高まり、そのため、ビス(ジアリールアミ
ノ)チオフェン類のアリール基として、特定の位置に特
定の置換基を有するフェニル基以外に、ナフチル基、フ
ルオレニル基、ビフェニル基等の多環芳香族基を導入す
る必要があった。
般的に良く使用されるTPDは、ガラス転移温度(T
g)が、およそ60℃であることが報告されている。こ
れに対し、3−メチルフェニル基を1−ナフチル基で置
き換えたNPD及びその誘導体は、Tgが95〜110
℃まで向上することが報告されている。素子の耐熱性と
輸送材料のTgには相関がみられ、Tgが高いほど素子
の耐熱性が向上することが知られている。
チオフェン類においてこれまでこのような試みはなされ
ていなかった。
のであり、その目的は、アリール基として、ナフチル
基、フルオレニル基、ビフェニル基等の多環芳香族基を
導入することにより、材料としての安定性を向上させた
ビス(ジアリールアミノ)チオフェン類を提供すること
である。
を解決するため鋭意検討を重ねた結果、新規なビス(ジ
アリールアミノ)チオフェン類を見出し、本発明を完成
するに至った。即ち、本発明は、下記一般式(1)で示
されるビス(ジアリールアミノ)チオフェン類である。
r1、Ar2、Ar3、Ar4は各々独立して無置換の又は
置換基を有する炭素数6〜30のアリール基を表し、A
r1〜Ar4のうち少なくとも1つのアリール基が多環式
芳香族基である。R1、R2は各々独立して水素、フェニ
ル基又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。) 本発明の上記一般式(1)で示されるビス(ジアリール
アミノ)チオフェン類において、Ar1〜Ar4で表され
る無置換の又は置換基を有する炭素数6〜30のアリー
ル基としては、特に限定するものではないが、例えば、
フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニ
ル基、4−メチルフェニル基、2−メトキシフェニル
基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル
基、2−フルオロフェニル基、3−フルオロフェニル
基、4−フルオロフェニル基、2−トリフルオロメチル
フェニル基、3−トリフルオロメチルフェニル基、4−
トリフルオロメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェ
ニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチ
ルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、3,5−
ジメチルフェニル基、3−(トリフルオロメトキシ)フ
ェニル基、4−(トリフルオロメトキシ)フェニル基、
3,4−メチレンジオキシフェニル基等の無置換の又は
置換基を有するフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフ
チル基、2−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1
−ナフチル基等の無置換の又は置換基を有するナフチル
基、9−アントラセニル基等の無置換の又は置換基を有
するアントラセニル基、2−フルオレニル基、9,9−
ジメチル−2−フルオレニル基等の無置換の又は置換基
を有するフルオレニル基、1−ピレニル基等の無置換の
又は置換基を有するピレニル基、4−ジフェニル基等の
ビフェニル基、4−(3−メチルジフェニルアミノ)フ
ェニル基等が挙げられる。但し、Ar1〜Ar4で示され
るアリール基のうち、少なくとも1つのアリール基は多
環式芳香族基である。
(ジアリールアミノ)チオフェン類を具体的に例示する
と、2,5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニ
ルアミノ]チオフェン、2,5−ビス[N−(2−ナフ
チル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、2,5−ビ
ス[N−(2−フルオレニル)−N−フェニルアミノ]
チオフェン、2,5−ビス[N−(9,9−ジメチル−
2−フルオレニル)−N−フェニルアミノ]チオフェ
ン、2,5−ビス[N−(1−ピレニル)−N−フェニ
ルアミノ]チオフェン、2,5−ビス[N−(9−フェ
ナントレニル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、
2,5−ビス[N−(4−ビフェニル)−N−フェニル
アミノ]チオフェン、3−メチル−2,5−ビス[N−
(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、
3−メチル−2,5−ビス[N−(2−ナフチル)−N
−フェニルアミノ]チオフェン、3−メチル−2,5−
ビス[N−(2−フルオレニル)−N−フェニルアミ
ノ]チオフェン、3−メチル−2,5−ビス[N−
(9,9−ジメチル−2−フルオレニル)−N−フェニ
ルアミノ]チオフェン、3−メチル−2,5−ビス[N
−(1−ピレニル)−N−フェニルアミノ]チオフェ
ン、3−メチル−2,5−ビス[N−(9−フェナント
レニル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、3−メチ
ル−2,5−ビス[N−(4−ビフェニル)−N−フェ
ニルアミノ]チオフェン、3,4−ジメチル−2,5−
ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]チ
オフェン、3,4−ジメチル−2,5−ビス[N−(2
−ナフチル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、3,
4−ジメチル−2,5−ビス[N−(2−フルオレニ
ル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、3,4−ジメ
チル−2,5−ビス[N−(9,9−ジメチル−2−フ
ルオレニル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、3,
4−ジメチル−2,5−ビス[N−(1−ピレニル)−
N−フェニルアミノ]チオフェン、3,4−ジメチル−
2,5−ビス[N−(9−フェナントレニル)−N−フ
ェニルアミノ]チオフェン、3,4−ジメチル−2,5
−ビス[N−(4−ビフェニル)−N−フェニルアミ
ノ]チオフェン、3,4−ジフェニル−2,5−ビス
[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]チオフ
ェン、3,4−ジフェニル−2,5−ビス[N−(2−
ナフチル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、3,4
−ジフェニル−2,5−ビス[N−(2−フルオレニ
ル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、3,4−ジフ
ェニル−2,5−ビス[N−(9,9−ジメチル−2−
フルオレニル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、
3,4−ジフェニル−2,5−ビス[N−(1−ピレニ
ル)−N−フェニルアミノ]チオフェン、3,4−ジフ
ェニル−2,5−ビス[N−(9−フェナントレニル)
−N−フェニルアミノ]チオフェン、3,4−ジフェニ
ル−2,5−ビス[N−(4−ビフェニル)−N−フェ
ニルアミノ]チオフェン等の2,5−ビス(ジアリール
アミノ)チオフェン類、5,5’−ビス[N−(1−ナ
フチル)−N−フェニルアミノ]−2,2’−ビチオフ
ェン、5,5’−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フ
ェニルアミノ]−2,2’−ビチオフェン、5,5’−
ビス[N−(2−フルオレニル)−N−フェニルアミ
ノ]−2,2’−ビチオフェン、5,5’−ビス[N−
(9,9−ジメチル−2−フルオレニル)−N−フェニ
ルアミノ]−2,2’−ビチオフェン、5,5’−ビス
[N−(1−ピレニル)−N−フェニルアミノ]−2,
2’−ビチオフェン、5,5’−ビス[N−(9−フェ
ナントレニル)−N−フェニルアミノ]−2,2’−ビ
チオフェン、5,5’−ビス[N−(4−ビフェニル)
−N−フェニルアミノ]−2,2’−ビチオフェン等の
ビス(ジアリールアミノ)ビチオフェン類、5,5’’
−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]
−2,2’:5’2’’−ターチオフェン、5,5’’
−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニルアミノ]
−2,2’:5’2’’−ターチオフェン、5,5’’
−ビス[N−(2−フルオレニル)−N−フェニルアミ
ノ]−2,2’:5’2’’−ターチオフェン、5,
5’’−ビス[N−(9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル)−N−フェニルアミノ]−2,2’:5’2’’
−ターチオフェン、5,5’’−ビス[N−(1−ピレ
ニル)−N−フェニルアミノ]−2,2’:5’2’’
−ターチオフェン、5,5’’−ビス[N−(9−フェ
ナントレニル)−N−フェニルアミノ]−2,2’:
5’2’’−ターチオフェン、5,5’’−ビス[N−
(4−ビフェニル)−N−フェニルアミノ]−2,
2’:5’2’’−ターチオフェン等のビス(ジアリー
ルアミノ)ターチオフェン類等を例示することができ
る。
(ジアリールアミノ)チオフェン類は、いかなる方法に
より製造されても差し支えないが、例えば、下記一般式
(2)
l、Br又はIを表し、R1,R2は各々独立して水素、
フェニル基又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
に示されるハロゲン化チオフェン類と下記一般式(3)
数6〜30のアリール基を表す。)で示されるN,N−
ジアリールアミンとをパラジウム化合物とトリ(ターシ
ャリーブチル)ホスフィンからなる触媒を用い、塩基の
存在下でアミノ化させることにより収率良く製造するこ
とができる。以下にこの製造法を詳細に説明する。
示されるハロゲン化チオフェン類としては、特に限定す
るものではないが、2,5−ジクロロチオフェン、3−
メチル−2,5−ジクロロチオフェン、3,4−ジメチ
ル−2,5−ジクロロチオフェン、3,4−ジフェニル
−2,5−ジクロロチオフェン、2,5−ジブロモチオ
フェン、3−メチル−2,5−ジブロモチオフェン、
3,4−ジメチル−2,5−ジブロモチオフェン、3,
4−ジフェニル−2,5−ジブロモチオフェン、2,5
−ジヨードチオフェン、3−メチル−2,5−ジヨード
チオフェン、3,4−ジメチル−2,5−ジヨードチオ
フェン、3,4−ジフェニル−2,5−ジヨードチオフ
ェン等の2,5−ジハロゲン化チオフェン類、5,5’
−ジクロロ−2,2’−ビチオフェン、3,4’−ジメ
チル−5,5’−ジクロロ−2,2’−ビチオフェン、
4,3’−ジメチル−5,5’−ジクロロ−2,2’−
ビチオフェン、3,4’−ジフェニル−5,5’−ジク
ロロ−2,2’−ビチオフェン、4,3’−ジフェニル
−5,5’−ジクロロ−2,2’−ビチオフェン、5,
5’−ジブロモ−2,2’−ビチオフェン、3,4’−
ジメチル−5,5’−ジブロモ−2,2’−ビチオフェ
ン、4,3’−ジメチル−5,5’−ジブロモ−2,
2’−ビチオフェン、3,4’−ジフェニル−5,5’
−ジブロモ−2,2’−ビチオフェン、4,3’−ジフ
ェニル−5,5’−ジブロモ−2,2’−ビチオフェ
ン、5,5’−ジヨード−2,2’−ビチオフェン、
3,4’−ジメチル−5,5’−ジヨード−2,2’−
ビチオフェン、4,3’−ジメチル−5,5’−ジヨー
ド−2,2’−ビチオフェン、3,4’−ジフェニル−
5,5’−ジヨード−2,2’−ビチオフェン、4,
3’−ジフェニル−5,5’−ジヨード−2,2’−ビ
チオフェン等の5,5’−ジハロゲン化−2,2’−ビ
チオフェン類、5,5’’−ジクロロ−2,2’、
5’,2’’−ターチオフェン、5,5’’−ジブロモ
−2,2’、5’,2’’−ターチオフェン、5,
5’’−ジヨード−2,2’、5’,2’’−ターチオ
フェン等の5,5’’−ジハロゲン化−2,2’、
5’,2’’−ターチオフェン類等を例示することがで
きる。
リールアミンにおいて、Ar1、Ar2で表される炭素数
6〜30のアリール基としては、フェニル基、2−メチ
ルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェ
ニル基、2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニ
ル基、4−メトキシフェニル基、2−フルオロフェニル
基、3−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル
基、2−トリフルオロメチルフェニル基、3−トリフル
オロメチルフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニ
ル基、2,6−ジメチルフェニル基、2,3−ジメチル
フェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジ
メチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、3−
(トリフルオロメトキシ)フェニル基、4−(トリフル
オロメトキシ)フェニル基、3,4−メチレンジオキシ
フェニル基等の無置換の又は置換基を有するフェニル
基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−メチル−1
−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基等の無置換
の又は置換基を有するナフチル基、9−アントラセニル
基等の無置換の又は置換基を有するアントラセニル基、
2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレ
ニル基等の無置換の又は置換基を有するフルオレニル
基、1−ピレニル基等の無置換の又は置換基を有するピ
レニル基、4−ジフェニル等の無置換の又は置換基を有
するビフェニル基、4−(3−メチルジフェニルアミ
ノ)フェニル基等を例示することができる。なお、上記
一般式(3)で示されるN,N−ジアリールアミン類
は、本製造法と同様にアミノ化することによりアリール
ハライドとアニリン類から容易に合成することができる
ので、単離操作を経ずそのまま引き続きハロゲン化チオ
フェン類を反応させることもできる。
示されるN,N−ジアリールアミンの使用量は、上記一
般式(2)で示される原料のハロゲン化チオフェン類中
のハロゲン原子1モルに対して0.1〜5倍モルの範囲
であればよいが、反応収率の向上、後処理の簡便化とい
う観点から、0.5〜2倍モルの範囲とすることが好ま
しい。
リーブチル)ホスフィンとパラジウム化合物を含む触媒
の存在下、アミノ化反応を進行させる。
としては、特に限定するものではないが、例えば、ヘキ
サクロロパラジウム(IV)酸ナトリウム四水和物、ヘ
キサクロロパラジウム(IV)酸カリウム等の4価パラ
ジウム化合物類,塩化パラジウム(II)、臭化パラジ
ウム(II)、酢酸パラジウム(II)、パラジウムア
セチルアセトナート(II)、ジクロロビス(ベンゾニ
トリル)パラジウム(II)、ジクロロビス(トリフェ
ニルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロテトラ
アンミンパラジウム(II)、ジクロロ(シクロオクタ
−1,5−ジエン)パラジウム(II)、パラジウムト
リフルオロアセテート(II)等の2価パラジウム化合
物類,トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウム
(0)、トリス(ジベンジリデンアセトン)二パラジウ
ムクロロホルム錯体(0)、テトラキス(トリフェニル
ホスフィン)パラジウム(0)等の0価パラジウム化合
物類を例示することができる。
用量は、特に限定するものではないが、上記一般式
(2)で示される原料のハロゲン化チオフェン類中のハ
ロゲン原子1モルに対して、パラジウム換算で通常0.
001モル%〜20モル%の範囲であり、高価なパラジ
ウム化合物を使用することから、好ましくは0.01〜
5モル%の範囲である。
ブチル)ホスフィンの使用量としては、特に限定するも
のではないが、パラジウム化合物に対して、通常0.0
1〜10000倍モルの範囲で使用すればよく、高価な
ホスフィンを使用することから、0.1〜10倍モルの
範囲で使用することが好ましい。
(ターシャリーブチル)ホスフィンとパラジウム化合物
が用いられるが、これらは、反応系にそれぞれ別々に加
えても良いし、予めこれらよりなる錯体の形に調製して
添加しても良い。
に限定するものではないが、例えば、ナトリウム、カリ
ウムの炭酸塩、アルカリ金属アルコキシド等の無機塩基
又は3級アミン等の有機塩基が挙げられる。これらの
内、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カ
リウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウムター
シャリーブトキシド、ナトリウムターシャリーブトキシ
ド、カリウムターシャリーブトキシド等のアルカリ金属
アルコキシドが好ましく、これらは反応系に直接そのま
ま加えても、また、アルカリ金属、水素化アルカリ金属
とアルコールからその場で調製して反応系に供してもよ
い。
制限するものではないが、ハロゲン化チオフェン類のハ
ロゲン原子に対して0.5倍モル以上とすることが好ま
しく、反応終了後の後処理操作を容易とするため、1〜
5倍モルの範囲であることが特に好ましい。
することが好ましい。そのような不活性溶媒としては、
本反応を著しく阻害しない溶媒であれば良く、特に制限
するものではないが、例えば、ベンゼン、トルエン、キ
シレン等の芳香族炭化水素溶媒,テトラヒドロフラン、
ジオキサン等のエーテル溶媒,アセトニトリル、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチル
ホスホトリアミド等が挙げられる。これらの内、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒が特に
好ましく用いられる。
等の不活性ガス雰囲気下で実施することが好ましいが、
所望に応じ加圧条件であっても実施することが可能であ
る。
ミノ化反応が進行する条件であればよく特に制限するも
のではないが、例えば、反応温度として20〜300
℃、より好ましくは、50〜200℃の範囲であり、反
応時間として数分〜72時間の範囲で製造することがで
きる。
送材料や電子写真感光体として有用な種々の新規なビス
(ジアリールアミノ)チオフェン類が提供される。特に
窒素原子上にナフチル基、フルオレニル基等の多環芳香
族基を導入したビス(ジアリールアミノ)チオフェン類
は材料としての安定性が向上され、工業的に極めて有用
である。
れら実施例になんら限定されるものではない。
口フラスコに、室温下2,5−ジブロモチオフェン2.
42g(0.01mol)、ナトリウムターシャリーブ
トキシド2.31g(2.4当量)をキシレン40ml
を用いて仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気下とした後、
N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミン4.38g
(0.02mol)をキシレン20mlを用いて仕込ん
だ。更に酢酸パラジウム44.8mg(2.0mol
%)、トリ(ターシャリーブチル)ホスフィンの0.1
g/mlトルエン溶液を1.6ml(8.0mol%)
加えた後、120℃まで昇温し、そのまま3時間加熱撹
拌した。反応終了後、室温まで放冷し、50mlの水を
加えて撹拌し水洗を行った。水洗後、分液ロートにて有
機相を分離し、有機相を減圧下で濃縮しキシレンを除去
した後、メタノール30mlを添加して再沈させた。メ
タノールによる再沈により黄色粉体2.90gの2,5
−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]
チオフェンを得た(GC純度>99%、収率56%)。
MASS分析により分子量測定を行い、生成物が理論分
子量の518を有することを確認した。また、NMR
(日本電子製GSX−400)、IR(島津製作所製I
R−8000)により構造を確認した。
媒、CDCl3,標準、TMS)チャートを示す。図1
中のδ1.2〜2.3間のピークは溶媒等の微量成分に
由来する。
媒、CDCl3,標準、TMS)を示す。
を示す。
(0.02mol)を3−メチルジフェニルアミン3.
66g(0.02mol)とした以外は、実施例1と同
様の操作を行った。減圧下キシレンを除去した後、活性
アルミナ(和光純薬製)を用い、n−ヘキサン、酢酸エ
チル=100、1でカラム精製し、黄色液体3.61g
(GC純度>99%、収率80.8%)として2,5−
ビス(3−メチルジフェニルアミノ)チオフェンを得
た。GC−MASSにより生成物が理論分子量の446
を有することを確認した。また、NMR、IRにより構
造を確認した。
媒、CDCl3,標準、TMS)チャートを示す。図4
中のδ0.8〜2.0間のピークは溶媒等の微量成分に
由来する。
媒、CDCl3,標準、TMS)を示す。
を示す。
口フラスコに、室温下ブロモフルオレン1.80g
(0.007mol)、ナトリウムターシャリーブトキ
シド2.02g(2.4当量)及びキシレン20mlを
仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気下とした後、アニリン
0.64g(0.007mol)及びキシレン5mlを
仕込んだ。更に酢酸パラジウムm31.4g(2.0m
ol%)、トリターシャリーブチルホスフィンの0.1
g/mlトルエン溶液を1.2ml(6.0mol%)
加えた後、120℃まで昇温し、そのまま3時間加熱撹
拌した。ブロモフルオレンの消失とN−フルオレニルア
ニリンの生成を確認した後、窒素下、2,5−ジブロモ
チオフェン1.27gをキシレン5mlで稀釈した溶液
を窒素圧によりキャヌラーを用いて導入した。2,5−
ジブロモチオフェン添加後、120℃で24時間加熱撹
拌をした。
水を加えて撹拌し水洗を行った。水洗後、分液ロートに
て有機相を分離し、有機相を減圧下で濃縮しキシレンを
除去した。これを活性アルミナ(和光純薬製)を用い、
n−ヘキサン、酢酸エチル=100、1〜1、1でカラ
ム精製し、更にメタノール30mlを添加して再沈させ
た。再沈により目的とする2,5−ビス[N−(2−フ
ルオレニル)−N−フェニルアミノ]チオフェン1.1
6g(GC純度>98%、収率67.6%)を黄色粉体
として得た。MASS分析より生成物が理論分子量の5
94を有することを確認した。また、NMR、IRより
構造を確認した。
媒、CDCl3,標準、TMS)チャートを示す。図7
中のδ0.8〜3.0間のピークは溶媒等の微量成分に
由来する。
媒、CDCl3,標準、TMS)を示す。図9にIR
(KBr錠剤成形)のチャートを示す。
た生成物の構造を示す。
00MHz,溶媒、CDCl3,標準、TMS)チャー
トである。
00MHz,溶媒、CDCl3,標準、TMS)チャー
トである。
成形)のチャートである。
00MHz,溶媒、CDCl3,標準、TMS)チャー
トである。
00MHz,溶媒、CDCl3,標準、TMS)チャー
トである。
成形)のチャートである。
00MHz,溶媒、CDCl3,標準、TMS)チャー
トである。
00MHz,溶媒、CDCl3,標準、TMS)チャー
トである。
成形)のチャートである。
Claims (6)
- 【請求項1】 下記一般式(1)で示されるビス(ジア
リールアミノ)チオフェン類。 【化1】 (式中、nは1〜3の整数であり、Ar1、Ar2、Ar
3、Ar4は各々独立して無置換の又は置換基を有する炭
素数6〜30のアリール基を表し、Ar1〜Ar4のうち
少なくとも1つのアリール基が多環式芳香族基である。
R1、R2は各々独立して水素、フェニル基又は炭素数1
〜20のアルキル基を表す。) - 【請求項2】 一般式(1)において、Ar1=Ar3、
Ar2=Ar4であることを特徴とするビス(ジアリール
アミノ)チオフェン類。 - 【請求項3】 一般式(1)において、Ar1、Ar
2が、各々独立して、無置換の又は置換基を有するフェ
ニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオニル
基、ピレニル基又はビフェニル基であることを特徴とす
る請求項1又は請求項2に記載のビス(ジアリールアミ
ノ)チオフェン類。 - 【請求項4】 一般式(1)において、Ar1、Ar
2が、各々独立して、無置換の又は置換基を有するフェ
ニル基、ナフチル基又はフルオニル基であることを特徴
とする請求項1又は請求項2に記載のビス(ジアリール
アミノ)チオフェン類。 - 【請求項5】 一般式(1)において、nが1であるこ
とを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載
のビス(ジアリールアミノ)チオフェン類。 - 【請求項6】 一般式(1)において、R1及びR2が同
時に水素であることを特徴とする請求項1乃至請求項5
のいずれかに記載の(ジアリールアミノ)チオフェン
類。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063690A JP2000256351A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | ビス(ジアリールアミノ)チオフェン類 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11063690A JP2000256351A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | ビス(ジアリールアミノ)チオフェン類 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000256351A true JP2000256351A (ja) | 2000-09-19 |
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|---|---|---|---|
| JP11063690A Pending JP2000256351A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | ビス(ジアリールアミノ)チオフェン類 |
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| JP (1) | JP2000256351A (ja) |
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